KR20140137036A - 방열 다공체의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 방열 다공체 - Google Patents

방열 다공체의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 방열 다공체 Download PDF

Info

Publication number
KR20140137036A
KR20140137036A KR1020130056977A KR20130056977A KR20140137036A KR 20140137036 A KR20140137036 A KR 20140137036A KR 1020130056977 A KR1020130056977 A KR 1020130056977A KR 20130056977 A KR20130056977 A KR 20130056977A KR 20140137036 A KR20140137036 A KR 20140137036A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat
porous body
layer
radiating
resistant
Prior art date
Application number
KR1020130056977A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101692774B1 (ko
Inventor
전영권
Original Assignee
포항공과대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포항공과대학교 산학협력단 filed Critical 포항공과대학교 산학협력단
Priority to KR1020130056977A priority Critical patent/KR101692774B1/ko
Publication of KR20140137036A publication Critical patent/KR20140137036A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101692774B1 publication Critical patent/KR101692774B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K5/00Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
    • C09K5/08Materials not undergoing a change of physical state when used
    • C09K5/14Solid materials, e.g. powdery or granular
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/85Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems characterised by the material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 무게를 감소시키는 동시에 열 전달 면적이 확장되면서 열 발산 효율이 향상되는 방열 다공체의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 방열 다공체의 제조방법은, 통기성 다공체의 표면에 열전도성 재료로 이루어진 방열층을 형성하는 것을 특징으로 한다.

Description

방열 다공체의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 방열 다공체 {METHOD OF PREPARING POROUS HEAT SINK AND POROUS HEAT SINK PREPARED BY THE SAME}
본 발명은 히트싱크(Heat Sink)에 이용될 수 있는 방열 다공체의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 방열 다공체에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 무게를 감소시키는 동시에 열 전달 면적이 확장되면서 열 발산 효율이 향상되는 방열 다공체와 그 제조 방법에 관한 것이다.
LED 조명이란 LED 칩을 조합하여 광원으로 사용하는 것으로, 기존의 형광등이나 백열전구보다 전력소모가 적고 수명이 길어지므로 차세대 조명으로 부각되고 있으며 신호등, 자동차의 전조등 또는 각종 조명용도로 적용이 확대되고 있다.
그러나 LED는 열 방출량이 많으므로 조명으로 이용하는 경우 실내 외에서 장시간 사용되는데 LED 칩에서 발생한 열이 패키지 전체를 통해 효과적으로 방출되지 못하면, LED 칩의 온도가 높아져 LED 칩이 열화되고 수명이 줄어드는 결과로 나타나게 된다. 따라서, LED 조명에 있어서 대용량의 전류를 흘려주기 위해서는 방열구조가 중요한 요소가 된다.
종래의 LED 조명의 방열은 일반적으로 날개부를 구비한 알루미늄 재질의 히트싱크를 사용한다. PCB(Printed Circuit Board)에 탑재된 각 LED 칩이 열원이 되고, 이 열원에게 발생한 열은 히트싱크를 통하여 전달되며, 날개부(fin)는 공기와의 접촉면적을 확대하기 위해 형성되는 구성이다.
그런데, 이렇게 본체와 날개부가 일체형으로 제작된 히트싱크는 두께가 두꺼운 압출이나 다이캐스팅 방식으로 제작되기 때문에 무게가 무겁고 공기와의 접촉 면적에 있어서도 한계를 갖는다. 따라서, LED 조명에 있어서 발열량이 증가하면 히트싱크의 크기도 대형화되고 그에 따라 무게가 증가하게 되므로 시간이 경과함에 따라 신뢰성이 열화되어 파손에 의한 안전사고 등 문제점을 가진다.
또한, 하기 특허문헌에는, 유기 고분자 매트릭스에 배향된 흑연입자가 분산된 열전도 시트가 개시되어 있는데, 이와 같은 열전도 시트도 어느 정도의 무게를 가질 뿐 아니라, 방열 표면적이 넓지 않아 열 방출 효율에 개선의 여지가 있다.
대한민국 공개특허공보 제2009-0074772호
전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 과제는, 열 방출 특성이 우수하면서도 종래의 방열 구조에 비해 경량화가 가능한 방열 구조의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 과제는, 열 방출 특성이 우수하면서도 종래의 방열 구조에 비해 경량화가 가능하여 방열이 요구되는 다양한 기기에 적합하게 적용될 수 있는 방열 다공체를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제1 측면은, 통기성 다공체의 표면에 열전도성 재료로 이루어진 방열층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 통기성 다공체는 개기공(open pore) 다공체로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 방열층을 형성하기 전 또는 후에, 내열재료로 이루어진 내열층을 형성할 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 통기성 다공체는 폴리머, 금속, 세라믹 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 폴리머는 폴리우레탄 폼, 부직포, 유기 직물 또는 이들의 혼합물일 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 금속은 철(Fe), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 세라믹은 Si, SiO2, Al2O3 , Zr2O3 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 열전도성 재료는 Al, Cu, Ag, Au 또는 이들의 합금과 탄소계 재료를 포함할 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 내열재료는 산화물, 질화물, 탄화물 또는 이들의 화합물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 내열재료는 Al2O3, ZrO2, AlN, SiC, Si3N4 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 방열층은 물리기상증착(PVD) 또는 화학기상증착(CVD) 방법으로 형성될 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 내열층은 물리기상증착(PVD), 화학기상증착(CVD) 또는 원자층 증착(ALD) 방법으로 형성될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제2 측면은, 통기성 다공체와, 상기 통기성 다공체의 표면에 열전도성 재료로 형성된 방열층을 포함하는 방열 다공체를 제공하는 것이다.
본 발명의 제2 측면에 있어서, 상기 통기성 다공체와 방열층 사이에 내열층이 형성될 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 있어서, 상기 방열층 상에 내열층이 형성될 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 있어서, 상기 내열층은 통기성 다공체와 방열층 사이와 상기 방열층 상에 모두 형성될 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 있어서, 상기 통기성 다공체는 개기공(open poer) 다공체일 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 있어서, 상기 통기성 다공체는, 폴리우레탄 폼, 부직포, 유기 직물 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 있어서, 상기 열전도성 재료는 Al, Cu, Ag, Au 또는 이들의 합금과 탄소계 재료를 포함할 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 있어서, 상기 내열층은 Al2O3, ZrO2, AlN, SiC, Si3N4 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 측면은 본 발명의 제2 측면에 따른 방열 다공체를 포함하는 방열 구조를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 제3 측면에 있어서, 상기 방열 구조는 LED용일 수 있다.
본 발명에 따라 제조된 방열 다공체는 통기성 다공체 상에 열전도성이 우수한 박막이 방열층으로 형성되어 있어, 종래의 방열 구조에 비해 경량화가 가능할 뿐 아니라 비표면적이 넓어 방열 특성이 우수하다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 통기성 다공체와 방열층 사이에 내열층을 구비할 수 있고, 이와 같은 구비된 내열층은 폴리머와 같이 열에 취약한 재료를 보호할 수 있도록 하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 3차원 네트워크 형상의 망목구조를 갖는 개기공(open pore) 폴리머 다공체를 사용할 경우, 보다 향상된 경량화는 물론, 분위기와의 접촉면적이 크게 증대되어 방열 특성을 보다 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 통기성 다공체의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 3차원 망목구조를 갖는 개기공 통기성 다공체상에 방열층을 형성한 후의 주사전자현미경 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 3차원 망목구조를 갖는 개기공 통기성 다공체상에 내열층을 형성한 후의 주사전자현미경 사진이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명의 일 구현예는 통기성 다공체의 표면에 열전도성 재료로 이루어진 방열층을 형성하는 것이다.
상기 통기성 다공체는 도 1에 도시된 바와 같이, 각 기공들이 다른 기공과 연결되어 있지 않고, 다만 외부 분위기 가스의 흐름이 가능한 형태로 폐쇄되지 구멍 형태의 다공체가 사용될 수도 있다. 또한, 분위기(즉, 공기)와의 접촉면적의 확대 및 경량화의 측면에서는 다공체를 구성하는 각각의 기공들이 상호 연결된 구조를 갖는 이른바 개기공(open pore) 다공체를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 개기공 다공체의 기공도는 방열 구조에 요구되는 방열 특성이나 강성 등의 다양한 요구에 맞추어 조절될 수 있다.
또한, 상기 통기성 다공체는, 금속 재료, 세라믹 재료, 유기성 재료가 사용될 수 있으며, 이중 유기성 재료로 이루어진 통기성 다공체는 경량화나 개기공 구조 제조의 용이성 측면에서 유리한 점이 있고, 금속 재료로 이루어진 통기성 다공체는 그 자체로 열전도도가 우수하여 타 재료에 비해 방열 특성을 보다 향상시킬 수 있고 방열 구조의 강도를 유지하는데 유리한 측면이 있고, 세라믹 재료는 안정성이 우수하고 경도가 높은 점에 유리한 점이 있다.
상기 유기성 재료로 이루어진 통기성 다공체로는, 각종 폴리머로 이루어진 폴리머 폼(foam), 부직포, 직물 등이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 폴리우레탄(PU) 폼 또는 유기직물이 사용될 수 있다.
또한, 상기 금속 재료로 이루어진 통기성 다공체로는, 예를 들어 철(Fe), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금으로 이루어진 다공체가 사용될 수 있다.
또한, 상기 세라믹 재료로 이루어진 통기성 다공체로는, 예를 들어 Si, SiO2, Al2O3 , Zr2O3과 같은 세라믹 재료로 이루어진 다공체가 사용될 수 있다.
상기 열전도성 재료는 열전도성이 우수한 Al, Cu, Ag, Au 또는 이들의 합금과 그라파이트(graphite)와 같은 탄소계 재료를 포함할 수 있다.
또한, 상기 통기성 다공체 표면에 열전도성 재료로 이루어진 박막의 형성은, 스퍼터링(sputtering)법, 증발(evaporation)법과 같은 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)법 또는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposision)법으로 증착하여 형성할 수 있다.
상기 스퍼터링법을 사용할 경우에는, 진공 챔버 안에 형성하고자 하는 금속재료의 타겟(target)을 설치하고 진공상태에서 Ar 등의 불활성 가스를 주입하고 플라즈마를 발생시켜서 Ar 이온이 타겟에 충돌하여 방출되는 금속원자가 통기성 다공체 상에 금속 박막이 형성되도록 할 수 있다.
또한, 상기 증발법을 사용할 경우에는, 진공 챔버의 증발원 홀더에 방열층을 형성할 금속재료의 분말을 장입하고 저항가열에 의하여 금속 원자를 증발시킴으로써 통기성 다공체 상에 금속 박막이 형성되도록 한다.
또한, 상기 화학기상증착법을 사용할 경우에는, 전구체로 금속을 포함하는 유기금속 착화합물 가스를 사용하며, 아르곤(Ar) 가스, 질소(N2) 가스와 같은 불활성 가스를 전달 가스로 사용하여, 공지의 화학기상증착 조건을 통해, 통기성 다공체 상에 금속 박막이 형성되도록 할 수 있다. 여기서 알루미늄 금속 박막을 형성하기 위해서는 알킬알루미늄 화합물로서 트리메틸알루미늄(trimethyl aluminum: Al(CH3)3) 트리이소부틸알루미늄(triisobutylaluminum: Al(CH2CH(CH3)2)3), 디메틸알루미늄하이드라이드(Dimethyl Aluminium Hydride: (CH3)2AlH)와 디메틸에틸아민알랜(Dimethylethylaminealane: H3Al:N(CH3)2C2H5) 등을 전구체로서 사용할 수 있다.
상기 방열층의 박막 두께는 1 ~ 100 범위로 형성하는 것이 바람직한데, 이는 1 미만일 경우 열전달에 필요한 단면적이 감소하므로 방열 성능에 한계가 있고, 100를 초과할 경우에는 기공이 매립되면서 통기성이 감소하는 문제가 발생하고 공정비용이 증가하기 때문이다.
또한, 상기 통기성 다공체의 표면에는 전해도금 또는 무전해도금과 같은 도금법과 같이 통기성 다공체 상에 1 ~ 100 두께의 금속 박막을 형성할 수 있는 방법이라면, 상기한 PVD 또는 CVD법에 한정되지 않는다.
또한, 본 발명의 다른 구현예는, 통기성 다공체의 표면에 내열재료로 이루어진 내열층을 형성한 후, 상기 내열층 상에 열전도성 재료로 이루어진 방열층을 형성하는 것을 특징으로 한다. 한편 상기 내열층은 방열층을 형성한 후에 적용할 수도 있다.
상기 내열재료는 상기 내열재료의 코팅층은 알루미늄 산화물(Al2O3), 지르코늄 산화물(ZrO2), 알루미늄 질화물(AlN), 실리콘 탄화물(SiC), 실리콘 질화물(Si3N4), 과 같은 산화물, 질화물, 탄화물 또는 이들의 복합 화합물과 같은 세라믹 물질로 이루어질 수 있다.
상기 내열재료로 이루어진 내열층은 물리기상증착(PVD)법, 화학기상증착(CVD)법 또는 원자층증착(ALD)법으로 형성될 수 있다.
상기 내열층은 얇은 두께로 형성할 수 있으면서 박막이 치밀하게 형성되고 단차 피복성(stepcoverage)이 우수한 방법으로 형성하는 것이 바람직한데, 이를 위해에서는 원자층 증착(ALD: atomic layer deposition)법을 이용하여 내열층을 형성하는 것이 바람직하다.
상기 원자층 증착법을 사용하여 내열층을 형성할 경우, 내열층을 형성할 원료 전구체를 유입하여 흡착시키는 단계, 퍼지 가스를 이용하여 부산물을 탈착시키고 잔류 가스를 제거하는 단계, 반응 가스를 공급하여 원료 전구체와 반응시키는 단계, 퍼지 가스를 이용하여 부산물을 탈착시키고 잔류 가스를 제거하는 단계를 포함하는 사이클을 반복하여 원하는 두께의 코팅층을 형성할 수도 있다.
상기 내열층은 10nm ~ 100nm 범위로 형성하는 것이 바람직한데, 이는 10nm 미만일 경우 내열층의 피복 두께가 감소하여 내열 효과가 감소하고, 100nm 초과일 경우에는 내열 효과는 증가하지만 열전도율이 감소하는 효과가 증가하기 때문이다.
[실시예 1]
본 발명의 실시예 1에 따른 방열 다공체는 다음과 같은 공정을 통해 제조하였다.
구체적으로, 통기성 다공체로는 도 2에 도시된 바와 같이, 3차원 개기공 망목구조를 갖는 폴리우레탄 폼을 사용하였다. 그리고, 이 폴리우레탄 폼의 표면에는 두께 약 5 정도의 알루미늄(Al) 박막으로 이루어진 방열층을 형성하였다.
상기 알루미늄 박막은, 상온에서 압력이 10-3 토르(torr) 이하의 진공 분위기에서 600W의 Ar 플라즈마 방전을 이용하여 Al 타겟에서 Al 이온을 방출시켜 상기 폼에 박막을 형성하였다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따라 폴리머로 이루어진 통기성 다공체의 표면에 금속층을 형성한 방열 다공체의 주사전자현미경 사진이다.
본 발명의 실시예 1에 따른 방열 다공체에 대하여 Hot Disk Sensor를 이용하여 열전도도를 측정한 결과, 폴리머 폼이 0.08 ~ 0.31 W/mK인데 비교하여 금속층을 형성한 경우에 0.5 ~ 2.6 W/mK로 열 전도도가 증가하는 것을 확인하였다.
[실시예 2]
본 발명의 실시예 2에 따른 방열 다공체는 다음과 같은 공정을 통해 제조하였다.
통기성 다공체로는 실시예 1과 동일하게, 3차원 개기공 망목구조를 갖는 폴리우레탄 폼을 사용하였다. 그리고 이 폴리우레탄 폼의 표면에 ALD법을 이용하여 Al2O3 박막을 약 50nm의 두께로 형성하였다. ALD 공정을 적용함에 있어서, Al 화합물 전구체로서는 알루미늄 하이드라이드(aluminum hydride: AlH3), 트리메틸 알루미늄(trimethylaluminum: (CH3)3Al), 디메틸 알루미늄 하이드라이드(dimethyl aluminum hydride: (CH3)2AlH), 디메틸에틸아민 알란(dimethylethylamine alane: [(CH3)2C2H5N]AlH3) 등을 이용하는 것을 포함한다.
원자층 증착 단계는 시간대별로 4개 구간으로 구분하여 진행한다. 먼저, Ar을 희석가스로 하여 Al-전구체를 흡착시키는 단계(제1단계)와 Ar 가스로 부산물과잔류가스를 제거하는 단계(제2단계), 이어서 산소 플라즈마를 발생시켜서 산화반응을 일으키는 단계(제3단계)와 Ar 가스로 부산물과 잔류가스를 제거하는 단계(제4단계)를 포함하여 Al2O3 박막을 형성한다.
예를 들어, 상기 제1단계는 0.3 ~ 5초, 제2단계는 10 ~ 20초, 제3단계는 3 ~ 5초, 제4단계는 10 ~ 20초 동안 진행하며, 반응온도는 100 ~ 300에서 상기 4개의 단계를 1개의 사이클로 하여 성막 두께와 성막 속도(약 0.1nm/sec)에 따라 100 ~ 500 사이클을 반복하여 50nm의 두께까지 버퍼층을 형성하는 방법을 포함한다. 바람직하게는 300에서 제1단계는 2초, 제2단계는 15초, 제3단계는 4초, 제4단계는 15초로 구성된 원자층 증착 사이클을 500회 적용하여 약 50nm의 Al2O3 물질로 된 내열층을 형성하는 것을 특징으로 한다. 또한 제1단계에서는 Al 화합물 전구체와 함께 수소(H2) 기체를 동시에 적용하는 방법도 포함한다.
도 3은 본 발명의 실시예 2에 따라 폴리머로 이루어진 통기성 다공체의 표면에 내열층을 형성한 방열 다공체의 주사전자현미경 사진이다.
또한, 상기 내열층 상에 추가로 실시예 1과 동일한 공정조건으로 알루미늄 박막을 형성하였다.
본 발명의 실시예 2에 따른 방열 다공체에 대한 온도에 따른 변형 시험을 통하여 폴리우레탄 폼은 140 200의 내열성을 가지는 반면에, 내열층을 형성한 경우 250 ~ 300의 내열성을 나타냄을 확인하였다.

Claims (21)

  1. 통기성 다공체의 표면에 열전도성 재료로 이루어진 방열층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 통기성 다공체는 개기공(open pore) 다공체로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 방열층을 형성하기 전 또는 후에, 내열재료로 이루어진 내열층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 통기성 다공체는 폴리머, 금속, 세라믹 또는 이들의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 폴리머는 폴리우레탄 폼, 부직포, 유기 직물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 금속은 철(Fe), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 세라믹은 Si, SiO2, Al2O3, Zr2O3 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열전도성 재료는 Al, Cu, Ag, Au 또는 이들의 합금과, 탄소계 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 내열재료는 산화물, 질화물, 탄화물 또는 이들의 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  10. 제 3 항에 있어서,
    상기 내열층은 Al2O3, ZrO2, AlN, SiC, Si3N4 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  11. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방열층은, 물리기상증착(PVD) 또는 화학기상증착(CVD) 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  12. 제 3 항에 있어서,
    상기 내열층은, 물리기상증착(PVD), 화학기상증착(CVD) 또는 원자층 증착(ALD) 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  13. 통기성 다공체와,
    상기 통기성 다공체 상에 열전도성 재료로 형성된 방열층을 포함하는 방열 다공체.
  14. 통기성 다공체와,
    상기 통기성 다공체 상에 내열재료로 형성되는 내열층과,
    상기 내열층 상에 열전도성 재료로 형성되는 방열층을 포함하는 방열 다공체.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 통기성 다공체와 방열층 사이와 상기 방열층 상의 어느 일방 또는 양방에 내열재료로 이루어진 내열층이 형성된 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  16. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 통기성 다공체는 개기공(open poer) 다공체인 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  17. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 통기성 다공체는, 폴리우레탄 폼, 부직포, 유기 직물 또는 이들의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  18. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열전도성 재료는 Al, Cu, Ag, Au 또는 이들의 합금과 탄소계 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 내열층은 Al2O3, ZrO2, AlN, SiC, Si3N4 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  20. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 기재된 방열 다공체를 포함하는 방열 구조.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 방열 구조는 LED용인 것을 특징으로 하는 방열 구조.
KR1020130056977A 2013-05-21 2013-05-21 방열 다공체의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 방열 다공체 KR101692774B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130056977A KR101692774B1 (ko) 2013-05-21 2013-05-21 방열 다공체의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 방열 다공체

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130056977A KR101692774B1 (ko) 2013-05-21 2013-05-21 방열 다공체의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 방열 다공체

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140137036A true KR20140137036A (ko) 2014-12-02
KR101692774B1 KR101692774B1 (ko) 2017-01-05

Family

ID=52457011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130056977A KR101692774B1 (ko) 2013-05-21 2013-05-21 방열 다공체의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 방열 다공체

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101692774B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101944408B1 (ko) 2017-02-14 2019-01-31 (주)동양우레탄 방열 스펀지의 제조방법 및 그 방열 스펀지

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001179866A (ja) * 1999-12-28 2001-07-03 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリプロピレン系樹脂板状発泡体
JP2004221228A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Abc Taiwan Electronics Corp 多孔構造セラミックヒートシンク
KR20090074772A (ko) 2006-11-01 2009-07-07 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 열전도 시트, 그 제조방법 및 열전도 시트를 이용한 방열장치
JP5041843B2 (ja) * 2007-03-27 2012-10-03 日東電工株式会社 低熱伝導性耐熱性発泡体及びその製造方法
KR101253306B1 (ko) * 2010-12-29 2013-04-12 경상대학교산학협력단 방열 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001179866A (ja) * 1999-12-28 2001-07-03 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリプロピレン系樹脂板状発泡体
JP2004221228A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Abc Taiwan Electronics Corp 多孔構造セラミックヒートシンク
KR20090074772A (ko) 2006-11-01 2009-07-07 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 열전도 시트, 그 제조방법 및 열전도 시트를 이용한 방열장치
JP5041843B2 (ja) * 2007-03-27 2012-10-03 日東電工株式会社 低熱伝導性耐熱性発泡体及びその製造方法
KR101253306B1 (ko) * 2010-12-29 2013-04-12 경상대학교산학협력단 방열 장치 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101692774B1 (ko) 2017-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8920707B2 (en) Composite heat-dissipation substrate and manufacturing method of the same
KR100949786B1 (ko) 히트 싱크용 세라믹 조성물 및 이를 이용한 방열 및 열 흡수 특성이 우수한 히트 싱크
WO2011027756A1 (ja) 炭化ケイ素被覆炭素基材の製造方法及び炭化ケイ素被覆炭素基材並びに炭化ケイ素炭素複合焼結体、セラミックス被覆炭化ケイ素炭素複合焼結体及び炭化ケイ素炭素複合焼結体の製造方法
JP2006001232A (ja) 高熱伝導・低熱膨脹複合体およびその製造方法
KR101476744B1 (ko) 방열 다공체와 그 제조방법
KR101751108B1 (ko) 은 페이스트를 이용한 led 조명기구의 방열장치
JP2007500450A (ja) 複合材料及び電気回路又は電気モジュール
KR101692774B1 (ko) 방열 다공체의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 방열 다공체
KR20140032793A (ko) 열전도성 고분자 복합소재 및 이의 제조방법
JP2006045596A (ja) 高熱伝導・低熱膨脹複合体およびその製造方法
JP2007005709A (ja) Led照明装置用の低熱抵抗配線基板およびled照明装置
CN108328605B (zh) 一种耐高温石墨烯散热膜及其制备方法
JP5695780B1 (ja) 高熱伝導性・電気絶縁性・低熱膨張性粉末及びそれを用いた放熱構造体、並びにその粉末の製造方法
JP2002363716A (ja) アルミニウム合金材
JP2005075720A (ja) SiC被覆カーボンナノチューブ、その製造方法とその複合材料
KR20170050951A (ko) 포러스금속 기반 방열 소재 및 그 제조방법
JP3139454U (ja) 放熱モジュール
TWI640495B (zh) 複合構件及其用途與製作方法
KR20220165595A (ko) 복합재료 및 방열부품
JP2001151579A (ja) SiC多孔体及びその製造方法
JP2009188366A (ja) 一体型半導体放熱用基板とその製造方法
JPS6027188B2 (ja) 半導体素子塔載用基板
KR101716955B1 (ko) 고분자를 이용한 led 조명기구의 방열장치
JP4850357B2 (ja) 高熱伝導性材料の製造方法
JP2002212651A (ja) 銅複合材料

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant