KR101476744B1 - 방열 다공체와 그 제조방법 - Google Patents

방열 다공체와 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101476744B1
KR101476744B1 KR20130085249A KR20130085249A KR101476744B1 KR 101476744 B1 KR101476744 B1 KR 101476744B1 KR 20130085249 A KR20130085249 A KR 20130085249A KR 20130085249 A KR20130085249 A KR 20130085249A KR 101476744 B1 KR101476744 B1 KR 101476744B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
porous body
hydrophilic layer
porous
phase change
hydrophilic
Prior art date
Application number
KR20130085249A
Other languages
English (en)
Inventor
전영권
김인철
Original Assignee
포항공과대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포항공과대학교 산학협력단 filed Critical 포항공과대학교 산학협력단
Priority to KR20130085249A priority Critical patent/KR101476744B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101476744B1 publication Critical patent/KR101476744B1/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/51—Cooling arrangements using condensation or evaporation of a fluid, e.g. heat pipes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2029—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating using a liquid coolant with phase change in electronic enclosures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 통기성 다공체에 열 방출 특성이 우수한 상변화 물질이 충진되어 있어, 종래의 방열 구조에 비해 경량화가 가능할 뿐 아니라 잠열 흡수와 이의 외기 방출에 의하여 방열 특성이 우수한 방열 다공체와 그 제조방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 방열 다공체의 제조방법은, 다수의 기공이 형성된 통기성 다공체를 준비하는 준비단계; 및 상기 통기성 다공체의 기공에 상변화 물질(phase change material)을 충진하는 충진단계;를 포함하여 이루어진다.

Description

방열 다공체와 그 제조방법 {POROUS HEAT RADIANTION STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 방열 다공체와 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 통기성 다공체의 기공에 상변화 물질이 충진된 구조를 취함에 따라 발열대상체에서 열이 발생한 경우 발열대상체의 열을 원활하게 방출할 수 있어 방열 특성이 우수하고, 통기성 다공체를 기본구조로 취하기 때문에 경량화가 가능한 방열 다공체와 그 제조방법에 관한 것이다.
LED 조명이란 LED 칩을 조합하여 광원으로 사용하는 것으로, 기존의 형광등이나 백열전구보다 전력소모가 적고 수명이 길어지므로 차세대 조명으로 부각되고 있으며 신호등, 자동차의 전조등 또는 각종 조명용도로 적용이 확대되고 있다.
LED 칩은 열 방출량이 많기 때문에 조명으로 장시간 사용하는 경우에는 열의 방출이 원활하게 이뤄지도록 해야만 하는데, 열의 방출이 원활하게 이뤄지지 못하면 LED 칩의 온도가 높아져 LED 칩이 열화되는 문제점과, 수명이 줄어드는 문제점이 발생한다.
따라서, LED 조명에 있어서 대용량의 전류를 흘려주어 밝기를 밝게 하거나 장시간 사용하기 위해서는 방열구조가 중요한 요소가 된다.
일반적으로, 종래의 LED 조명기기의 방열은 날개부(fin)를 구비한 알루미늄 재질의 히트싱크를 사용한다.
PCB(printed circuit board)에 탑재된 각 LED 칩이 열원이 되고, 이 열원에게 발생한 열은 히트싱크를 통하여 전달되며, 날개부(fin)는 공기와의 접촉면적을 확대하기 위해 형성되는 구성이다.
그러나, 상술한 바와 같이, 본체와 날개부가 일체형으로 제작된 히트싱크는 압출이나 다이캐스팅 방식으로 두꺼운 두께를 갖도록 제작되기 때문에 무게가 무겁고 공기와의 접촉 면적에 있어서도 한계를 갖는다.
따라서, LED 조명기기에 있어서 LED 칩의 발열량이 증가하면 히트싱크의 크기도 대형화되고 그에 따라 무게가 증가하게 되므로 LED 조명기기의 사용시간이 경과함에 따라 LED 칩이 열화되어 파손되고, 이레 따른 안전사고 등 여러 가지 문제점을 가진다.
또한, 하기 특허문헌에는, 유기 고분자 매트릭스에 배향된 흑연입자가 분산된 열전도 시트가 개시되어 있는데, 이와 같은 열전도 시트도 어느 정도의 무게를 가질 뿐 아니라, 방열 표면적이 넓지 않아 열 방출 효율이 낮다는 문제점이 있다.
대한민국 공개특허공보 제2009-0074772호
상기 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 통기성 다공체의 기공에 상변화 물질이 충진된 구조를 취함에 따라 발열대상체에서 열이 발생한 경우 발열대상체의 열을 원활하게 방출할 수 있어 방열 특성이 우수하고, 통기성 다공체를 기본구조로 취하기 때문에 경량화가 가능한 방열 다공체와 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제1 측면은, 다수의 기공이 형성된 통기성 다공체를 준비하는 준비단계; 및 상기 통기성 다공체의 기공에 상변화 물질(phase change material)을 충진하는 충진단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 상변화 물질의 상변화 온도는 20℃ 내지 120℃일 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 상변화 물질의 상변화 온도는 40℃ 내지 100℃일 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 통기성 다공체는, 개기공(open pore) 다공체일 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 통기성 다공체는, 유기성 재료, 금속 재료, 세라믹 재료, 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 유기성 재료는 폴리머 폼, 부직포, 유기 직물, 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 금속 재료는, Fe, Ni, Cu, 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 세라믹 재료는, Si, SiO2, Al2O3, 및 Zr2O3 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 충진단계 이전에, 상기 통기성 다공체의 기공 표면에 친수성 물질을 형성하여 친수층을 형성하는 친수층 형성 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 친수성 물질은, 산화물일 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 산화물은, Al2O3, ZrO2, SiO2, 및 TiO2 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 친수층은, 스퍼터링법, 물리기상증착법, 화학기상증착법, 원자층 증착법, 전해도금, 및 무전해도금 중 어느 하나의 방법으로 형성할 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 친수층은, 플라즈마 표면처리법으로 형성할 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 있어서, 상기 플라즈마 표면처리법으로 친수층을 형성 시, N2, Ar, He, 및 CDA 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 반응가스를 사용할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제2 측면은, 다수의 기공이 형성된 통기성 다공체; 및 상기 기공에 충진된 상변화 물질(phase change material)을 포함하여 구성된 방열 다공체를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제3 측면은, 다수의 기공이 형성된 통기성 다공체; 상기 통기성 다공체의 기공 표면에 친수성 물질로 형성된 친수층; 및 상기 기공에 충진된 상변화 물질(phase change material)을 포함하여 구성된 방열 다공체를 제공하는 것이다.
본 발명의 제2 측면 또는 제3 측면에 있어서, 상기 상변화 물질의 상변화 온도는 20℃ 내지 120℃일 수 있다.
본 발명의 제2 측면 또는 제3 측면에 있어서, 상기 상변화 물질의 상변화 온도는 40℃ 내지 100℃일 수 있다.
본 발명의 제2 측면 또는 제3 측면에 있어서, 상기 통기성 다공체는, 개기공(open pore) 다공체일 수 있다.
본 발명의 제2 측면 또는 제3 측면에 있어서, 상기 통기성 다공체는, 유기성 재료, 금속 재료, 세라믹 재료, 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제2 측면 또는 제3 측면에 있어서, 상기 유기성 재료는 폴리머 폼, 부직포, 유기 직물, 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제2 측면 또는 제3 측면에 있어서, 상기 금속 재료는, Fe, Ni, Cu, 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제2 측면 또는 제3 측면에 있어서, 상기 세라믹 재료는, Si, SiO2, Al2O3, 및 Zr2O3 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제3 측면에 있어서, 상기 친수성 물질은, 산화물일 수 있다.
본 발명의 제3 측면에 있어서, 상기 산화물은, Al2O3, ZrO2, SiO2, 및 TiO2 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제3 측면에 있어서, 상기 친수층은, 플라즈마 표면처리법으로 형성될 수 있다.
본 발명의 제3 측면에 있어서, 상기 플라즈마 표면처리법으로 친수층을 형성 시, N2, Ar, He, 및 CDA 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 반응가스를 사용할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명은, 통기성 다공체의 기공에 상변화 물질이 충진된 구조를 취함에 따라 발열대상체에서 열이 발생한 경우 발열대상체의 열을 원활하게 방출할 수 있어 방열 특성이 우수하다는 이점이 있다.
또한, 통기성 다공체를 기본구조로 취하기 때문에 종래의 방열 구조에 비해 경량화가 가능하다는 이점이 있다.
또한, LED 칩의 발열 온도를 고려하여 상변화 온도가 20℃ ~ 120℃, 보다 바람직하게 40℃ ~ 100℃인 상변화 물질을 이용하여 LED 칩에서 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있다는 이점이 있다.
또한, 상기 통기성 다공체의 기공 표면에 형성된 친수층에 의해 통기성 다공체의 기공으로 물이나 용융상태의 파라핀 등 상변화 물질의 침투를 용이하게 할 수 있다는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 통기성 다공체의 모식도이다.
도 2의 (a)는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 망목구조를 갖는 개기공 통기성 다공체상에 친수성 물질을 형성한 사진이고, 도 2의 (b)는 친수성 물질의 형성 후 상변화 물질을 충진한 상태의 주사전자현미경 사진이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 망목구조를 갖는 개기공 통기성 Cu 다공체 표면에 친수성 물질을 형성하기 전과 후의 비교 사진이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 망목구조를 갖는 개기공 통기성 금속 다공체 표면에 친수성 물질의 형성 전과 형성 후의 접촉각을 비교한 도표이다.
본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안된다.
제1, 제2등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다.
상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1구성요소는 제2구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소도 제1구성요소로 명명될 수 있다.
및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "구비하다", "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 통기성 다공체의 모식도이고, 도 2의 (a)는 본 발명의 일실시예에 따른 3차원 망목구조를 갖는 개기공 통기성 다공체상에 친수성 물질을 형성한 사진이고, 도 2의 (b)는 친수성 물질의 형성 후 상변화 물질을 충진한 상태의 주사전자현미경 사진이다.
본 발명의 일실시예에 따른 방열 다공체(100)의 제조방법은, 다수의 기공(P)이 형성된 통기성 다공체(110)를 준비하는 준비단계, 상기 통기성 다공체(110)의 기공(P) 표면에 친수성 물질을 형성하여 친수층(115)을 형성하는 친수층 형성 단계, 상기 통기성 다공체(110)의 기공(P)에 상변화 물질(120, phase change material)을 충진하는 충진단계를 포함하여 이루어진다.
먼저, 다수의 기공(P)이 형성된 통기성 다공체(110)를 준비하는 준비단계에 대하여 설명하도록 한다.
상기 통기성 다공체(110)는 개기공(P, open pore) 다공체이며, 여기서, 개기공이란 외부에 기공(P)이 노출되어 열려있는 상태의 기공(P)을 의미한다.
구체적으로, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 통기성 다공체(110)는 각 기공(P)들이 다른 기공(P)과 연결되어 있지 않고, 다만 외부 분위기 가스의 흐름이 가능한 형태로 폐쇄되지 구멍 형태의 통기성 다공체(110), 또는, 분위기(즉, 공기)와의 접촉면적의 확대 및 경량화의 측면에서는, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 각각의 기공(P)들이 상호 연결된 형태의 개기공(open pore) 통기성 다공체(110)일 수 있다.
상기 통기성 다공체(110)의 기공(P) 크기는, 대략 100㎛ 내지 1mm인 것을 포함한다.
통기성 다공체(110)의 기공(P) 크기가 100㎛ 미만인 경우에는 상기 상변화 물질(120)의 충진 압력이 증가하므로 충진양이 충분히 확보되지 못해 방열특성이 떨어지는 문제점이 있고, 통기성 다공체(110)의 기공(P) 크기가 1mm 초과인 경우에는 통기성 다공체(110)의 강도가 떨어지는 문제점이 있다. 바람직하게는 450㎛ 내지 580㎛의 범위를 가질 수 있다.
상기 통기성 다공체(110)의 기공도는 방열 구조에 요구되는 방열 특성이나 강성 등의 다양한 요구에 맞추어 변형이 가능함은 물론이다.
한편, 상기 통기성 다공체(110)는, 유기성 재료, 금속 재료, 세라믹 재료, 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
상기 유기성 재료는 폴리머, 특히, 폴리머 폼, 부직포, 유기 직물, 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다. 상기 폴리머 폼은, 폴리우레탄 폼일 수 있다. 바람직한 유기성 재료로는 폴리우레탄(PU) 폼 또는 유기 직물이 사용될 수 있다.
상술한 바와 같은 유기성 재료로 이루어진 통기성 다공체(110)는 경량화나 개기공(P) 구조의 제조가 용이하다는 장점이 있다.
상기 금속 재료는 Fe, Ni, Cu, 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같은 금속 재료로 이루어진 통기성 다공체(110)는 그 자체로 열전도도가 우수하여 타 재료에 비해 방열 특성을 보다 향상시킬 수 있고, 방열 구조의 강도를 높일 수 있다는 장점이 있다.
상기 세라믹 재료는, Si, SiO2, Al2O3, 및 Zr2O3 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같은 세라믹 재료로 이루어진 통기성 다공체(110)는 안정성이 우수하고 경도가 높은 장점이 있다.
다음으로, 상기 통기성 다공체(110)의 기공(P) 표면에 친수성 물질을 형성하여 친수층(115)을 형성하는 친수층 형성 단계에 대하여 설명하도록 한다.
상기 친수성 물질은 산화물일 수 있으며, 구체적으로, 상기 산화물은 Al2O3, ZrO2, SiO2, 및 TiO2 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 친수층(115)은, 스퍼터링(sputtering)법, 증발(evaporation)법과 같은 물리기상증착(PVD, Physical Vapor Deposition)법, 화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposision)법, 원자층 증착(ALD, Atomic Layer Deposition)법, 전해도금, 및 무전해도금 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 통기성 다공체(110)의 기공(P) 표면에 소정 두께의 박막층을 형성함에 따라 형성될 수 있다.
또한, 상기 친수층(115)은, 플라즈마 표면처리법을 이용하여 상기 통기성 다공체(110)의 기공(P) 표면을 처리함에 따라 상기 통기성 다공체(110)의 기공(P) 표면의 내측으로 소정 두께의 친수층이 형성될 수 있도록 할 수 있다.
한편, 상술한 방법 이외에도 상기 통기성 다공체(110)의 기공(P) 표면에 친수층(115)을 형성할 수 있는 방법이라면 공지의 방법을 채택하여 사용할 수도 있음은 물론이다.
상기 스퍼터링법을 사용할 경우에는, 진공 챔버 안에 형성하고자 하는 금속재료의 타겟(target)을 설치하고, 진공상태에서 Ar 등의 불활성 가스를 주입하고 플라즈마를 발생시켜서 Ar 이온이 타겟에 충돌하여 방출되는 금속원자가 통기성 다공체(110) 상에 친수층(115)이 형성되도록 할 수 있다.
상기 증발법을 사용할 경우에는, 진공 챔버의 증발원 홀더에 방열층을 형성할 금속재료의 분말을 장입하고, 저항가열에 의하여 금속 원자를 증발시킴으로써 통기성 다공체(110) 상에 친수층(115)이 형성되도록 할 수 있다.
상기 화학기상증착법을 사용할 경우에는, 전구체로 금속을 포함하는 유기금속 착화합물 가스를 사용하며, 아르곤(Ar) 가스, 질소(N2) 가스와 같은 불활성 가스를 전달 가스로 사용하여, 공지의 화학기상증착 조건을 통해, 통기성 다공체(110) 상에 친수층(115)이 형성되도록 할 수 있다.
여기서 알루미늄 금속 박막을 형성하기 위해서는 알킬알루미늄 화합물로서 트리메틸알루미늄(trimethyl aluminum: Al(CH3)3) 트리이소부틸알루미늄(triisobutylaluminum: Al(CH2CH(CH3)2)3), 디메틸알루미늄하이드라이드(Dimethyl Aluminium Hydride: (CH3)2AlH)와 디메틸에틸아민알랜(Dimethylethylaminealane: H3Al:N(CH3)2C2H5) 등을 전구체로서 사용할 수 있다.
상기 플라즈마 표면처리법을 사용할 경우에는, N2, Ar, He, 및 CDA 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 반응가스를 사용하여 통기성 다공체(110) 표면의 처리함에 따라 상기 통기성 다공체(110)의 표면의 소정 두께 부분이 친수층(115)으로 형성되도록 할 수 있다.
상기 원자층 증착법을 사용할 경우에는, 친수성 물질의 원료 전구체를 유입하여 흡착시키는 단계, 퍼지 가스를 이용하여 부산물을 탈착시키고 잔류 가스를 제거하는 단계, 반응 가스를 공급하여 원료 전구체와 반응시키는 단계, 퍼지 가스를 이용하여 부산물을 탈착시키고 잔류 가스를 제거하는 단계를 포함하는 사이클을 반복함에 따라 원하는 두께의 친수층(115)을 형성할 수 있다.
상기 원자층 증착법은 상기 친수층(115)의 두께를 얇은 두께로 형성할 수 있고, 또한, 박막층이 치밀하게 형성되고 단차 피복성(stepcoverage)이 우수하게 형성될 수 있다는 점에서 친수층(115)을 형성하기 위한 가장 바람직한 방법이다.
한편, 상기 친수층(115)의 두께는 10 ~ 100nm 범위로 형성하는 것이 바람직하다.
이는, 10nm 미만일 경우에는 친수층(115)의 두께가 너무 얇아서 친수성 효과가 감소하는 문제점 및 열전달에 필요한 단면적이 감소하여 방열 성능에 한계가 있는 문제점이 있고, 100nm를 초과할 경우에는 친수성 효과는 증가하지만 열전도율이 감소하는 문제점과 기공(P)이 매립되면서 통기성이 감소하는 문제점과 공정비용이 증가하는 문제점이 있다.
다음으로, 상기 통기성 다공체(110)의 기공(P)에 상변화 물질(120, phase change material)을 충진하는 충진단계에 대하여 설명하도록 한다.
상기 상변화 물질(120)은 방열을 하고자 하는 발열 대상체의 열이 효과적으로 방출될 수 있도록 하는 기능을 수행하며, 예를 들어, LED 칩의 최대 발열 온도가 대략 120℃ 인 것을 고려하여 상기 상변화 물질(120)의 상변화 온도는 20℃ 내지 120℃, 특히, 40℃ 내지 100℃인 것이 바람직하다.
상기 상변화 물질(120)은 유기계 상변화물질, 무기계 상변화물질, 물 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 유기계 상변화물질은, 탄소수 12 내지 40의 지방족 탄화수소, 아세트 아미드, 프로필 아미드, 나프탈렌, 스테아린산, 시아나미드, 및 에틸렌 디아민 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 탄소수 12 내지 40의 지방족 탄화수소는, 파라핀, 도데칸, 트리데칸, 테트라데칸, 펜타데칸, 헥사데칸, 헵타데칸, 옥타데칸, 노나데칸, 에이코산, 헨에이코산, 도코산, 트리코산, 테트라코산, 펜타코산, 헥사코산, 헵타코산, 도트리아콘탄, 트리트리콘탄, 및 헥사트리콘탄 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 무기계 상변화물질은, KAl(SO4)2, 12H2O,Mg(SO3)2, 6H2O,SrBr2, 6H2O,Sr(OH)2, 8H2O,Ba(OH)2, 8H2O,Al(NO3)2, 9H2O,Fe(NO3)2, 6H2O,NaCH2S2O2, 5H2O,Ni(NO3)2, 6H2O,Na2S2O2, 5H2O,ZnSO4, 7H2O,CaBr2, 6H2O,Zn(NO3)2, 6H2O,Na2HPO4, 12H2O,Na2CO3, 10H2O,Na2SO4, 10H2O,LiNO2, 3H2O,CaCl2, 6H2O,CaCO2, 10H2O, FeBr3, 및 6H2O 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 통기성 다공체(110)의 기공(P)에 상변화 물질(120)을 충진하는 방법은, 예를 들어, 용융온도 이상으로 상변화 물질(120)을 가열하여 용융시킨 후, 용융된 상변화 물질(120)에 통기성 다공체(110)를 침지시킴에 따라 모세관력에 의해 용융된 상변화 물질(120)이 기공(P)의 내부로 유입되도록 하여 충진할 수 있다.
[실시예 1]
도 1에 도시된 바와 같이, 3차원 개기공(P) 망목구조를 갖는 통기성 다공체(110)로서 구리 폼, 철 폼, 니켈 폼을 사용하였다. 이들 금속 폼의 표면에 원자층 증착(ALD)법을 이용하여 친수성 물질인 Al2O3 박막을 약 10nm의 두께로 형성하였다.
ALD 공정을 적용함에 있어서, Al 화합물 전구체로서는 알루미늄 하이드라이드(aluminum hydride: AlH3), 트리메틸 알루미늄(trimethylaluminum: (CH3)3Al), 디메틸 알루미늄 하이드라이드(dimethyl aluminum hydride: (CH3)2AlH), 디메틸에틸아민 알란(dimethylethylamine alane: [(CH3)2C2H5N]AlH3) 중에서 선택된 1 종 이상을 이용하였다.
원자층 증착 단계는 시간대별로 4개 구간으로 구분하여 진행하였으며, 구체적으로 Ar을 희석가스로 하여 Al-전구체를 흡착시키는 제1단계, Ar 가스로 부산물과잔류가스를 제거하는 제2단계, 산소 플라즈마를 발생시켜서 산화반응을 일으키는 제3단계, Ar 가스로 부산물과 잔류가스를 제거하는 제4단계를 거쳐서 Al2O3 박막을 형성하였다. 한편, 제1단계에서는 Al 화합물 전구체와 함께 수소(H2) 기체를 동시에 적용할 수도 있다.
이때, 상기 제1단계는 0.3 ~ 5초, 제2단계는 10 ~ 20초, 제3단계는 3 ~ 5초, 제4단계는 10 ~ 20초 동안 진행하며, 반응온도는 100℃ ~ 300℃에서 상기 4개의 단계를 1개의 사이클로 하여 성막 두께와 성막 속도(약 0.1nm/sec)에 따라 100회 ~ 200회 사이클을 반복하여 10 ~ 20nm의 두께로 버퍼층을 형성할 수 있으며, 본 실시예에서는, 100℃에서, 제1단계는 2초, 제2단계는 15초, 제3단계는 4초, 제4단계는 15초로 구성된 원자층 증착 사이클을 100회 적용하여 약 10nm의 Al2O3 물질로 된 박막층을 형성할 수 있었다.
도 2의 (a)는 본 발명의 실시예에 따라 금속 통기성 다공체(110)의 표면에 친수성 물질을 형성한 사진이고, 도 2의 (b)는 친수성 물질의 형성 후 상변화 물질(120)을 충진시킨 방열 다공체(100)의 주사전자현미경 사진이다.
실시예 1에 있어서 구획 영역을 가지는 기재로서는 기공(P, 또는 셀)크기가 450 ~ 580㎛ 범위인 철 다공체(도 2의 (a))를 이용하였고, 상기 구획 영역에 상변화 물질(120)로서 용융온도가 49 ~ 52℃ 범위인 파라핀 왁스 분말을 60℃에서 30분 동안 용융하여 침지시켜 충진(도 2의(b))시켰다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 3차원 망목구조를 갖는 개기공(P) 통기성 구리 폼의 표면에 친수성 물질로 친수층(115)을 형성하기 전과 후의 비교 사진으로서 친수성 물질의 증착에 의하여 소수성을 갖는 통기성 다공체(물에 뜸)가 친수성을 갖는 통기성 다공체(물에 가라앉음)로 변화된 것을 확인할 수 있다.
한편, 실시예 1에 있어서, 상기 친수층(115)은 원자층 증착법을 이용하였으나, 그 대신에 대기압 플라즈마 처리를 통하여 금속 폼에 친수성을 부여할 수도 있다.
이 경우에는 N2, Ar, He, CDA(compressed dry air; 압축 건조 공기) 등의 기체를 이용하고, 30kHz, 10 ~ 15kV를 인가하여 RF 플라즈마를 발생시켜서 상온 ~ 500℃의 범위에서 1 ~ 30분 동안 다공체 폼에 접촉시킴으로써 다공체 폼의 내측 소정 두께에 친수성을 부여하여 층수층을 형성할 수 있다. 이때, 질소(N2) 150slm, 또는 질소(N2) 300slm, CDA(compressed dry air) 1.8slm을 동시에 주입하고, 15kV의 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시켜서 350℃에서 30분 동안 표면처리를 할 수 있다.
도 4는 망목구조를 갖는 개기공(P) 통기성 금속 다공체 표면에 친수성 플라즈마 표면처리를 하기 전과 후의 접촉각을 비교한 도표로서, 금속의 종류는 Cu, Fe, Ni 등을 각각 사용한 경우에 플라즈마 표면처리에 의하여 소수성 다공체가 친수성 다공체로 변화된 것을 확인할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 방열 다공체(100)는, 다수의 기공(P)이 형성된 통기성 다공체(110), 상기 통기성 다공체(110)의 기공(P) 표면에 친수성 물질로 형성된 친수층(115), 및 상기 기공(P)에 충진된 상변화 물질(120, phase change material)을 포함하여 구성된다.
상기 상변화 물질(120)의 상변화 온도는 20℃ 내지 120℃, 특히, 40℃ 내지 100℃인 것이 바람직하다.
상기 통기성 다공체(110)는 개기공(P, open pore) 다공체이며, 유기성 재료, 금속 재료, 세라믹 재료 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
상기 유기성 재료는 폴리머이며, 구체적으로, 폴리머 폼, 부직포, 유기 직물 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있고, 상기 폴리머 폼은 폴리우레탄 폼인 것이 바람직하다.
상기 금속 재료는 Fe, Ni, Cu 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있고, 상기 세라믹 재료는 Si, SiO2, Al2O3, Zr2O3 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 친수성 물질은 산화물이며, 구체적으로, Al2O3, ZrO2, SiO2, TiO2 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 상변화 물질(120)은 유기계 상변화물질, 무기계 상변화물질, 및 물 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 유기계 상변화물질은, 탄소수 12 내지 40의 지방족 탄화수소, 아세트 아미드, 프로필 아미드, 나프탈렌, 스테아린산, 시아나미드, 및 에틸렌 디아민 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있으며, 상기 탄소수 12 내지 40의 지방족 탄화수소는, 파라핀, 도데칸, 트리데칸, 테트라데칸, 펜타데칸, 헥사데칸, 헵타데칸, 옥타데칸, 노나데칸, 에이코산, 헨에이코산, 도코산, 트리코산, 테트라코산, 펜타코산, 헥사코산, 헵타코산, 도트리아콘탄, 트리트리콘탄, 및 헥사트리콘탄 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
상기 무기계 상변화물질은, KAl(SO4)2, 12H2O,Mg(SO3)2, 6H2O,SrBr2, 6H2O,Sr(OH)2, 8H2O,Ba(OH)2, 8H2O,Al(NO3)2, 9H2O,Fe(NO3)2, 6H2O,NaCH2S2O2, 5H2O,Ni(NO3)2, 6H2O,Na2S2O2, 5H2O,ZnSO4, 7H2O,CaBr2, 6H2O,Zn(NO3)2, 6H2O,Na2HPO4, 12H2O,Na2CO3, 10H2O,Na2SO4, 10H2O,LiNO2, 3H2O,CaCl2, 6H2O,CaCO2, 10H2O, FeBr3, 및 6H2O 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 친수층(115)의 두께는 10 ~ 100nm 범위로 형성하는 것이 바람직하다.
이는, 10nm 미만일 경우에는 친수층(115)의 두께가 너무 얇아서 친수성 효과가 감소하는 문제점 및 열전달에 필요한 단면적이 감소하여 방열 성능에 한계가 있는 문제점이 있고, 100nm를 초과할 경우에는 친수성 효과는 증가하지만 열전도율이 감소하는 문제점과 기공(P)이 매립되면서 통기성이 감소하는 문제점과 공정비용이 증가하는 문제점이 있다.
상기 통기성 다공체(110)의 기공(P) 크기는, 대략 100㎛ 내지 1mm인 것을 포함한다.
통기성 다공체(110)의 기공(P) 크기가 100㎛ 미만인 경우에는 상기 상변화 물질(120)의 충진 압력이 증가하므로 충진양이 충분히 확보되지 못해 방열특성이 떨어지는 문제점이 있고, 통기성 다공체(110)의 기공(P) 크기가 1mm 초과인 경우에는 통기성 다공체(110)의 강도가 떨어지는 문제점이 있다. 바람직하게는 450㎛ 내지 580㎛의 범위를 가질 수 있다.
한편, 상술한 바와 같은 방열 다공체(100)는 LED 칩의 열 방출에 적용할 수 있다.
예를 들어, 하부가 개방된 상부 케이스와 상부가 개방된 하부 케이스가 상호 결합됨에 따라 상기 상부 케이스와 하부케이스의 내부에 밀폐 공간이 형성되는데, 이러한 밀폐 공간에 본 실시예의 방열 다공체(100)가 수용되도록 하여 LED 칩의 열 방출에 적용할 수 있다.
더욱 구체적으로, 상기 밀폐 공간에 본 실시예의 방열 다공체(100)가 수용되도록 한 상태에서, 상부 케이스의 외측 또는 하부 케이스의 외측이 LED 칩과 접촉되어 밀착되도록 구성하면, 상기 LED 칩의 발열에 의해 상기 밀폐 공간에 수용된 발열 다공체의 상변화 물질(120)이 LED 칩에서 발생한 열을 흡수하여 상변화하는 과정을 통해 방열이 이루어질 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 중심으로 기술되었지만 당업자라면 이러한 기재로부터 본 발명의 범주를 벗어남이 없이 많은 다양하고 자명한 변형이 가능하다는 것은 명백하다. 따라서 본 발명의 범주는 이러한 많은 변형예들을 포함하도록 기술된 특허청구범위에 의해서 해석돼야 한다.
P:기공
100:방열 다공체
110:통기성 다공체
115:친수층
120:상변화 물질

Claims (27)

  1. LED 칩에서 발생하는 열을 방출하기 위한 방열 다공체의 제조방법으로서,
    다수의 기공이 형성된 통기성 다공체를 준비하는 준비단계;
    상기 통기성 다공체의 기공 표면에 친수성 물질을 형성하여 친수층을 형성하는 친수층 형성 단계; 및
    상기 통기성 다공체의 기공에 상변화 물질(phase change material)을 충진하는 충진단계;를 포함하며,
    상기 통기성 다공체의 기공 크기는 100㎛ 내지 1mm로 형성되고, 상기 친수층은 10 ~ 100nm의 두께로 형성되며, 상기 상변화 물질의 상변화 온도는 40℃ 내지 100℃인 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 통기성 다공체는,
    개기공(open pore) 다공체인 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 통기성 다공체는,
    유기성 재료, 금속 재료, 세라믹 재료, 또는 이들의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 유기성 재료는 폴리머 폼, 부직포, 유기 직물, 또는 이들의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 금속 재료는,
    Fe, Ni, Cu, 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 세라믹 재료는,
    Si, SiO2, Al2O3, 및 Zr2O3 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서,
    상기 친수성 물질은,
    산화물인 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 산화물은,
    Al2O3, ZrO2, SiO2, 및 TiO2 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 친수층은,
    스퍼터링법, 물리기상증착법, 화학기상증착법, 원자층 증착법, 전해도금, 및 무전해도금 중 어느 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 친수층은,
    플라즈마 표면처리법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 플라즈마 표면처리법으로 친수층을 형성 시,
    N2, Ar, He, 및 CDA 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 반응가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 방열 다공체의 제조방법.
  15. 삭제
  16. LED 칩에서 발생하는 열을 방출하기 위한 방열 다공체로서,
    다수의 기공이 형성된 통기성 다공체;
    상기 통기성 다공체의 기공 표면에 친수성 물질로 형성된 친수층; 및
    상기 기공에 충진된 상변화 물질(phase change material)을 포함하여 구성되며,
    상기 통기성 다공체의 기공 크기는 100㎛ 내지 1mm로 형성되고, 상기 친수층은 10 ~ 100nm의 두께로 형성되며, 상기 상변화 물질의 상변화 온도는 40℃ 내지 100℃인 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 제16항에 있어서,
    상기 통기성 다공체는,
    개기공(open pore) 다공체인 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 통기성 다공체는,
    유기성 재료, 금속 재료, 세라믹 재료, 또는 이들의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 유기성 재료는 폴리머 폼, 부직포, 유기 직물, 또는 이들의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 금속 재료는,
    Fe, Ni, Cu, 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 세라믹 재료는,
    Si, SiO2, Al2O3, 및 Zr2O3 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  24. 제16항에 있어서,
    상기 친수성 물질은,
    산화물인 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 산화물은,
    Al2O3, ZrO2, SiO2, 및 TiO2 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  26. 제16항에 있어서,
    상기 친수층은,
    플라즈마 표면처리법으로 형성된 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 플라즈마 표면처리법으로 친수층을 형성 시,
    N2, Ar, He, 및 CDA 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 반응가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 방열 다공체.
KR20130085249A 2013-07-19 2013-07-19 방열 다공체와 그 제조방법 KR101476744B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130085249A KR101476744B1 (ko) 2013-07-19 2013-07-19 방열 다공체와 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130085249A KR101476744B1 (ko) 2013-07-19 2013-07-19 방열 다공체와 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101476744B1 true KR101476744B1 (ko) 2014-12-29

Family

ID=52680014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130085249A KR101476744B1 (ko) 2013-07-19 2013-07-19 방열 다공체와 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101476744B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210118034A (ko) * 2019-09-27 2021-09-29 서강대학교산학협력단 이중 다공 구조를 이용한 공랭식 상변화 방열판
US11603481B2 (en) 2017-09-22 2023-03-14 Lg Chem, Ltd. Composite material
US11602922B2 (en) 2017-07-06 2023-03-14 Lg Chem, Ltd. Composite material
US11685851B2 (en) 2017-09-15 2023-06-27 Lg Chem, Ltd. Composite material
US12018351B2 (en) 2017-09-15 2024-06-25 Lg Chem, Ltd. Composite material

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1044592A (ja) * 1996-08-01 1998-02-17 Fuji Xerox Co Ltd 可逆的記録媒体
JP2003100969A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Denki Kagaku Kogyo Kk 放熱部材
KR100641604B1 (ko) * 2005-03-14 2006-11-06 (주)셀시아테크놀러지스한국 열전달 구조를 내장한 인쇄 회로 기판
KR20070079891A (ko) * 2006-02-03 2007-08-08 김경일 방열시트

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1044592A (ja) * 1996-08-01 1998-02-17 Fuji Xerox Co Ltd 可逆的記録媒体
JP2003100969A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Denki Kagaku Kogyo Kk 放熱部材
KR100641604B1 (ko) * 2005-03-14 2006-11-06 (주)셀시아테크놀러지스한국 열전달 구조를 내장한 인쇄 회로 기판
KR20070079891A (ko) * 2006-02-03 2007-08-08 김경일 방열시트

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11602922B2 (en) 2017-07-06 2023-03-14 Lg Chem, Ltd. Composite material
US11685851B2 (en) 2017-09-15 2023-06-27 Lg Chem, Ltd. Composite material
US12018351B2 (en) 2017-09-15 2024-06-25 Lg Chem, Ltd. Composite material
US11603481B2 (en) 2017-09-22 2023-03-14 Lg Chem, Ltd. Composite material
KR20210118034A (ko) * 2019-09-27 2021-09-29 서강대학교산학협력단 이중 다공 구조를 이용한 공랭식 상변화 방열판
KR102354599B1 (ko) 2019-09-27 2022-01-21 서강대학교 산학협력단 이중 다공 구조를 이용한 공랭식 상변화 방열판

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101476744B1 (ko) 방열 다공체와 그 제조방법
KR100949786B1 (ko) 히트 싱크용 세라믹 조성물 및 이를 이용한 방열 및 열 흡수 특성이 우수한 히트 싱크
Park et al. Three-dimensional carbon foam/N-doped graphene@ MoS 2 hybrid nanostructures as effective electrocatalysts for the hydrogen evolution reaction
Bahru et al. A review of thermal interface material fabrication method toward enhancing heat dissipation
JP6366305B2 (ja) グラフェンの製造方法
JP4839430B2 (ja) 多孔質熱電材料の製造方法
US10763511B2 (en) Method for producing porous graphite, and porous graphite
JP2006001232A (ja) 高熱伝導・低熱膨脹複合体およびその製造方法
Huang et al. A three-dimensional elastic macroscopic graphene network for thermal management application
KR101751108B1 (ko) 은 페이스트를 이용한 led 조명기구의 방열장치
KR20180034546A (ko) 열 인터페이스 재료, 열 인터페이스 재료의 제조 방법, 열 전도성 패드 및 열 싱크 시스템
US20240034630A1 (en) Synthesis of perimorphic materials
KR101901596B1 (ko) 절연특성과 높은 열전도성을 갖는 탄소-세라믹 복합소재 및 그 제조방법
KR101692774B1 (ko) 방열 다공체의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 방열 다공체
JPWO2020105328A1 (ja) アルミニウム−炭素粒子複合材及びその製造方法
KR101779668B1 (ko) 삼차원 유무기 하이브리드 탄소소재 및 그의 제조방법
CN113758328B (zh) 一种含铜/金刚石复合构型吸液芯的复合vc散热器及其制备方法
KR20170067870A (ko) 하나 이상의 공동을 갖는 금속 기판 상에 배치된 탄소 나노튜브
Kuang et al. Enhanced interface heat transfer based on gallium-based liquid metal infiltrated into vertically aligned copper nanowire arrays
JP2014009144A (ja) 複合多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法
CN113758326A (zh) 一种内置铜/金刚石复合构型吸液芯的vc散热器及其制备方法
JP2010118502A (ja) 放熱構造
JP2004023088A (ja) 放熱材料
KR101751109B1 (ko) Led 조명기구의 히트싱크 제조방법
TWI823668B (zh) 兩相浸沒式複合型散熱裝置

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee