KR20140128330A - 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 및 유기 ｅｌ 소자 - Google Patents
유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 및 유기 ｅｌ 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140128330A KR20140128330A KR20147022409A KR20147022409A KR20140128330A KR 20140128330 A KR20140128330 A KR 20140128330A KR 20147022409 A KR20147022409 A KR 20147022409A KR 20147022409 A KR20147022409 A KR 20147022409A KR 20140128330 A KR20140128330 A KR 20140128330A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- organic
- electrode layer
- longitudinal direction
- light emitting
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 410
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 47
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 14
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 40
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- -1 for example Substances 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- QPJFIVIVOOQUKD-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2,3-h]quinoxaline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CN=C3C3=NC=CN=C3C2=N1 QPJFIVIVOOQUKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 229920000491 Polyphenylsulfone Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은, 발광 특성의 열화가 억제된 유기 EL 소자의 제조 방법 등에 관한 것이다. 유기 EL 소자의 제조 방법은, 제1 전극층과 제2 전극층이 접촉하고 있지 않도록 하면서, 유기층을 제1 전극층보다도 적어도 기재의 길이 방향 양 외측으로 비어져 나오도록 한다. 또한 제2 전극층을 상기 유기층보다도 적어도 상기 길이 방향 양 외측으로 비어져 나오도록 한다. 이것에 의하여, 적어도 상기 기재의 길이 방향에 있어서의 상기 발광부의 양 외측에 있어서, 상기 유기층의 상기 길이 방향 양 단부 테두리가 상기 제2 전극층의 상기 길이 방향 양 단부측으로 덮이도록 상기 제1 전극층, 상기 유기층 및 상기 제2 전극층을 형성한다.
Description
본 출원은 일본 특허 출원 제2012-41700호 및 일본 특허 출원 제2013-23502호의 우선권을 주장하며, 인용에 의하여 본원 명세서의 기재에 도입된다.
본 발명은, 전극층 및 유기층이 기재 상에 형성되고, 상기 유기층으로부터 광을 방출하도록 구성된, 유기 EL 소자의 제조 방법 및 유기 EL 소자에 관한 것이다.
종래, 발광 표시 장치 등에 사용되는 소자로서 유기 EL(일렉트로루미네센스) 소자가 알려져 있다. 유기 EL 소자는, 기본적으로는 적어도 발광층을 유기 구성층으로서 갖는 유기층과 한 쌍의 전극층을 갖고 있다.
이러한 유기 EL 소자의 일례를 도 10에 도시한다. 도 10에 도시한 바와 같이 종래의 유기 EL 소자(50)는, 기재(21)의 일면측에 상기 소자의 구성층으로서 제1 전극층(23)(예를 들어 양극층), 적어도 발광층을 유기 구성층으로서 갖는 유기층(25), 제2 전극층(27)(예를 들어 음극층)이 순서대로 적층되고(도 10의 (a) 참조), 이어서 밀봉층(29)이 적층됨으로써 형성되도록 되어 있다(도 10의 (b) 내지 도 10의 (d) 참조). 또한, 제1 전극층(23)과 유기층(25)과 제2 전극층(27)의 중첩 부분을 발광부(40)로서 갖고 있다.
또한 제1 전극층(23) 및 제2 전극층(27)은, 서로 단락되지 않고 외부로부터 통전 가능하게 하기 위하여, 밀봉층(29)보다도 외측에, 서로 중첩되지 않도록 비어져 나와 형성되어 있다.
예를 들어, 도 10의 (b)의 우측에 있어서, 상기와 같이 단락되지 않고 제1 전극층(23)을 통전 가능하게 하기 위하여, 유기층(25)의 우측 단부측이, 제2 전극층(27)의 우측 단부 테두리보다도 우측으로 비어져 나와 있다. 또한, 제1 전극층(23)의 우측 단부측이, 유기층(25)의 우측 단부 테두리보다도 우측으로 비어져 나와 있다(도 10의 (a)의 우측 참조). 또한 상기 제1 전극층의 우측 단부측이, 밀봉층(29)의 우측 단부 테두리보다도 우측으로 비어져 나와 형성되어 있다(도 10의 (d)의 우측 참조)).
또한, 도 10의 (b)의 좌측에 있어서, 상기와 같이 단락되지 않고 제2 전극층(27)을 통전 가능하게 하기 위하여, 유기층(25)의 좌측 단부측이, 제1 전극층(23)의 좌측 단부 테두리보다도 좌측으로 비어져 나와 있다. 또한, 제2 전극층(27)의 좌측 단부측이, 유기층(25)의 좌측 단부 테두리보다도 좌측으로 비어져 나와 있다(도 10의 (a)의 좌측 참조). 또한 상기 제2 전극층(27)이, 밀봉층(29)의 좌측 단부 테두리보다도 좌측으로 비어져 나와 형성되어 있다(도 10의 (d)의 좌측 참조).
이러한 종류의 유기 EL 소자에서는, 플렉시블화를 도모하기 위하여 기재로서 유기 수지제의 기재가 사용되고 있지만, 이 경우, 산소나 수분이 기재를 통과하여 상기 구성층측으로 침입하여, 유기 EL 소자의 발광 특성이 시간 경과에 따라 열화되는 경우가 있다.
따라서, 금속제의 기재를 사용함으로써 산소나 수분이 기재를 통과하는 것을 방지하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1, 2 참조). 또한, 이와 같이 금속제의 기재를 사용하는 경우, 금속제의 기재와 상기 제1 전극층의 접촉에 의한 단락을 방지하기 위하여, 기재 상에 절연층을 형성하도록 되어 있다.
그러나, 상기와 같은 절연층을 금속제의 기재 상에 형성한 경우에 있어서도, 산소나 수분이 유기층과 전극층의 경계에 있어서 단부 테두리측으로부터 침입하여, 발광부에 있어서 시간 경과에 따라 발광하지 않는 영역(다크 프레임)이 발생하여, 발광 특성의 열화가 발생하는 경우가 있다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여, 발광 특성의 열화가 억제된 유기 EL 소자의 제조 방법 및 유기 EL 소자를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명자들이 예의 연구한 바, 이하와 같은 사실이 판명되었다.
즉, 띠형 금속제의 기재는 통상, 길이 방향으로 압연됨으로써 형성되고 있다. 이러한 압연에 의하여 상기 기재의 표면부에는, 길이 방향으로 연장되어 있는 미세한 홈이 폭 방향에 걸쳐 복수 형성되고 있는 것이 판명되었다.
또한, 기재에 절연층을 적층한 후에 있어서도, 기재에 적층된 절연층의 표면부에는, 기재의 홈에 기인한 홈이 길이 방향으로 연장되고 있는 것이 판명되었다.
이 때문에, 이러한 기재를 사용하여 유기 EL 소자를 형성했을 때, 기재의 폭 방향에 있어서의 발광부의 양 외측에 있어서는, 절연층 표면부의 복수의 홈 사이에 형성된 볼록부와, 주로 밀봉층이 접촉하고 있다. 이 접촉에 의하여, 폭 방향 외측으로부터는 밀봉층의 내측으로 산소나 수분이 침입하기 어려워, 발광 특성의 열화에 미치는 영향이 비교적 작다는 것이 판명되었다.
이에 비하여, 기재의 길이 방향에 있어서의 발광부의 양 외측에 있어서는, 유기층과 제2 전극층의 각 형성 패턴에 의하여, 발광 특성의 열화에 미치는 영향이 크게 상이하다는 것이 판명되었다.
구체적으로는, 상기 길이 방향에 있어서의 발광부의 양 외측 중 적어도 어느 한쪽에 있어서, 제2 전극층이 유기층보다도 외측으로 비어져 나와 있지 않다. 유기층의 양 단부 테두리가 제2 전극층에 덮여 있지 않은 경우에는(도 6 내지 도 10 참조), 상기 절연층 표면부의 홈을 산소나 수분이 통과하여 밀봉층의 내측까지 침입한다. 또한, 유기층과 제1 전극층의 경계나, 유기층과 제2 전극층의 경계에 있어서, 단부 테두리측으로부터 발광부에 상당하는 영역까지 산소나 수분이 침입한다. 이것에 의하여, 발광 특성의 열화가 발생한다는 것이 판명되었다.
한편, 상기 길이 방향에 있어서의 발광부보다도 양 외측에 있어서, 제2 전극층이 유기층보다도 비어져 나와 있어, 유기층의 양 단부 테두리가 제2 전극층의 양 단부측으로 덮여 있는 경우에는(도 2 내지 도 5 참조), 상기 절연층 표면부의 홈을 산소나 수분이 통과하여 밀봉층의 내측까지 침입하더라도, 제2 전극층에 의하여 더 내측으로 침입하는 것을 억제할 수 있다. 이로 인하여, 유기층과 제2 전극층의 경계에 산소나 수분이 도달하기 어려워져, 발광부까지 산소나 수분이 도달하기 어려워진다는 것이 판명되었다.
그리고 이러한 지식에 기초하여, 본 발명자들은 본 발명을 완성하기에 이르렀이다.
즉, 본 발명자에 관한 유기 EL 소자의 제조 방법은, 띠형 금속제의 기재의 일면측에 절연층, 제1 전극층, 적어도 발광층을 유기 구성층으로서 갖는 유기층, 제2 전극층 및 밀봉층을 순차 형성함으로써, 상기 제1 전극층과 상기 유기층과 상기 제2 전극층의 중첩 부분을 발광부로서 갖는 유기 EL 소자를 제작하는 유기 EL 소자의 제조 방법으로서, 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층이 접촉하고 있지 않도록 하면서, 상기 유기층을 상기 제1 전극층보다도 적어도 상기 기재의 길이 방향 양 외측으로 비어져 나오게 하고, 또한 상기 제2 전극층을 상기 유기층보다도 적어도 상기 길이 방향 양 외측으로 비어져 나오게 함으로써, 적어도 상기 기재의 길이 방향에 있어서의 상기 발광부의 양 외측에 있어서, 상기 유기층의 상기 길이 방향 양 단부 테두리가 상기 제2 전극층의 상기 길이 방향 양 단부측으로 덮이도록 상기 제1 전극층, 상기 유기층 및 상기 제2 전극층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 유기 EL 소자는, 띠형 금속제의 기재의 일면측에 절연층, 제1 전극층, 적어도 발광층을 유기 구성층으로서 갖는 유기층, 제2 전극층 및 밀봉층이 순차 형성되어 이루어지고, 상기 제1 전극층과 상기 유기층과 상기 제2 전극층의 중첩 부분을 발광부로서 갖는 유기 EL 소자로서, 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층이 접촉하고 있지 않고, 또한, 상기 유기층이 상기 제1 전극층보다도 적어도 상기 기재의 길이 방향 양 외측으로 비어져 나와 있으며, 또한 상기 제2 전극층이 상기 유기층보다도 적어도 상기 길이 방향 양 외측으로 비어져 나와 있는 것에 의하여, 적어도 상기 기재의 길이 방향에 있어서의 상기 발광부의 양 외측에 있어서, 상기 유기층의 상기 길이 방향 양 단부 테두리가 상기 제2 전극층의 상기 길이 방향 양 단부측으로 덮여 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 유기 EL 소자 및 그 제조 방법에 의하면, 상기 기재의 길이 방향의 표면 조도가, 짧은 방향의 표면 조도보다 작게 되어 있는 것이 바람직하다.
도 1은, 유기 EL 소자의 층 구성예를 모식적으로 도시하는 개략 부분 측면 단면도이다. 도 1의 (a)는, 유기층이 1층인 경우를 도시하는 도면이다. 도 1의 (b)는, 유기층이 3층인 경우를 도시하는 도면이다. 도 1의 (c)는, 유기층이 5층인 경우를 도시하는 도면이다.
도 2의 (a)는, 실시예 1 및 실시예 3의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 양극층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 2의 (b)는, 유기층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 2의 (c)는, 음극층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 2의 (d)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다.
도 3의 (a)는, 실시예 1 및 실시예 3의 유기 EL 소자를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 3의 (b)는, 도 3의 (a)의 A-A 화살표 방향에서 본 단면도이다. 도 3의 (c)는, 도 3의 (a)의 B-B 화살표 방향에서 본 단면도이다.
도 4의 (a)는, 실시예 2의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 양극층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 4의 (b)는, 유기층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 4의 (c)는, 음극층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 4의 (d)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다.
도 5의 (a)는, 실시예 2의 유기 EL 소자를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 5의 (b)는, 도 5의 (a)의 A-A 화살표 방향에서 본 단면도이다. 도 5의 (c)는, 도 5의 (a)의 B-B 화살표 방향에서 본 단면도이다.
도 6의 (a)는, 비교예 1 및 비교예 5의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 밀봉층이 형성되기 전의 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 6의 (b)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다.
도 7의 (a)는, 비교예 2의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 밀봉층이 형성되기 전의 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 7의 (b)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다.
도 8의 (a)는, 비교예 3의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 밀봉층이 형성되기 전의 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 8의 (b)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다.
도 9의 (a)는, 비교예 4의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 밀봉층이 형성되기 전의 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 9의 (b)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다.
도 10의 (a)는, 종래의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 밀봉층이 형성되기 전의 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 10의 (b)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 10의 (c)는, 도 10의 (b)의 A-A 화살표 방향에서 본 단면도이다. 도 10의 (d)는, 도 10의 (b)의 B-B 화살표 방향에서 본 단면도이다.
도 2의 (a)는, 실시예 1 및 실시예 3의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 양극층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 2의 (b)는, 유기층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 2의 (c)는, 음극층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 2의 (d)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다.
도 3의 (a)는, 실시예 1 및 실시예 3의 유기 EL 소자를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 3의 (b)는, 도 3의 (a)의 A-A 화살표 방향에서 본 단면도이다. 도 3의 (c)는, 도 3의 (a)의 B-B 화살표 방향에서 본 단면도이다.
도 4의 (a)는, 실시예 2의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 양극층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 4의 (b)는, 유기층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 4의 (c)는, 음극층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 4의 (d)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다.
도 5의 (a)는, 실시예 2의 유기 EL 소자를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 5의 (b)는, 도 5의 (a)의 A-A 화살표 방향에서 본 단면도이다. 도 5의 (c)는, 도 5의 (a)의 B-B 화살표 방향에서 본 단면도이다.
도 6의 (a)는, 비교예 1 및 비교예 5의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 밀봉층이 형성되기 전의 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 6의 (b)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다.
도 7의 (a)는, 비교예 2의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 밀봉층이 형성되기 전의 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 7의 (b)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다.
도 8의 (a)는, 비교예 3의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 밀봉층이 형성되기 전의 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 8의 (b)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다.
도 9의 (a)는, 비교예 4의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 밀봉층이 형성되기 전의 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 9의 (b)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다.
도 10의 (a)는, 종래의 유기 EL 소자의 제조에 있어서 밀봉층이 형성되기 전의 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 10의 (b)는, 밀봉층이 형성된 상태를 모식적으로 도시하는 개략 평면도이다. 도 10의 (c)는, 도 10의 (b)의 A-A 화살표 방향에서 본 단면도이다. 도 10의 (d)는, 도 10의 (b)의 B-B 화살표 방향에서 본 단면도이다.
이하에, 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조 방법 및 유기 EL 소자에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
본 실시 형태에 따른 유기 EL 소자의 제조 방법은, 띠형 금속제의 기재(21)의 일면측에 절연층(31), 제1 전극층(여기서는 양극층)(23), 적어도 발광층(25a)을 유기 구성층으로서 갖는 유기층(25), 제2 전극층(27)(여기에서는 음극층) 및 밀봉층(29)을 순차 형성한다. 이것에 의하여, 양극층(23)과 상기 유기층(25)과 음극층(27)의 중첩 부분을 발광부(40)로서 갖는 유기 EL 소자(20)가 제작된다. 또한 유기 EL 소자의 제조 방법은, 양극층(23)과 음극층(27)이 접촉하고 있지 않도록 하면서, 유기층(25)을 양극층(23)보다도 적어도 기재(21)의 길이 방향 양 외측으로 비어져 나오도록 한다. 또한 유기 EL 소자의 제조 방법은, 음극층(27)을 유기층(27)보다도 적어도 상기 길이 방향 양 외측으로 비어져 나오도록 한다. 이것에 의하여, 적어도 기재(21)의 길이 방향에 있어서의 발광부(40)의 양 외측에 있어서, 유기층(25)의 상기 길이 방향 양 단부 테두리가 음극층(27)의 상기 길이 방향 양 단부측으로 덮이도록 양극층(23), 유기층(25) 및 음극층(27)이 형성된다.
기재(21)에 사용하는 금속 재료로서는, 예를 들어 스테인리스, Fe, Al, Ni, Co, Cu나 이들의 합금 등, 압연함으로써 상온·상압에 있어서 띠형 시트로 하는 것이 가능한 금속이면 어떠한 금속도 사용할 수 있다.
절연층(31)로서는, 예를 들어 유기 절연층 및 무기 절연층을 사용할 수 있다.
유기 절연층의 형성 재료로서는 절연성 수지를 사용할 수 있다. 기재(21)가, 유기 EL 소자의 제조 과정에 있어서 150 내지 300℃로 가열되는 경우가 있기 때문에, 유기 절연층의 재료로서는 150℃ 이상의 유리 전이 온도를 갖는 내열성 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 내열성 수지로서는, 구체적으로는 아크릴 수지, 노르보르넨 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리에테르케톤 수지, 폴리페닐술폰 수지 및 이들의 수지 복합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 상기 내열성 수지는, 아크릴 수지, 노르보르넨 수지, 에폭시 수지 및 폴리이미드 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.
유기 절연층의 두께는, 너무 얇으면 금속제의 기재(21)의 표면 요철의 평탄화를 충분히 할 수 없고, 너무 두꺼우면 금속제의 기재(21)에 대한 밀착성이 저하될 우려가 있다. 이러한 관점을 고려하면, 상기 유기 절연층의 두께는 1 내지 40㎛의 범위인 것이 바람직하다. 두께가 이 범위 내이면, 충분한 전기 절연성을 확보함과 아울러, 기재(21)에 대한 밀착성도 확보할 수 있다. 상기 유기 절연층의 두께는, 보다 바람직하게는 0.5 내지 10㎛이고, 더욱 바람직하게는 1 내지 5㎛이다. 기재(21) 상에 상기 유기 절연층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 롤 코트, 스프레이 코트, 스핀 코트 및 디핑 등에 의한 도포나, 필름형으로 형성된 수지의 전사 등에 의하여 형성할 수 있다.
무기 절연층을 형성하는 재료로서는 절연성을 갖는 무기 재료를 사용할 수 있다. 또한, 이러한 무기 재료는 가스 배리어성을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 무기 재료로서, 예를 들어 금속 및 반(半)금속 중 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 이러한 금속 및 상기 반금속 중 적어도 1종은, 산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 산화탄화물, 질화탄화물 및 산화질화탄화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 금속으로서는, 예를 들어 아연, 알루미늄, 티타늄, 구리, 마그네슘 등을 들 수 있고, 반금속으로서는, 예를 들어 규소, 비스무트, 게르마늄 등을 들 수 있다.
상기 무기 절연층은, 너무 얇으면 절연성이 저하된다. 또한, 무기 절연층이 너무 두꺼우면 크랙이 발생하기 쉬워져, 가스 배리어성 및 절연성이 저하된다. 상기 무기 절연층의 두께는 10㎚ 내지 5㎛의 범위인 것이 바람직하고, 50㎚ 내지 2㎛의 범위인 것이 보다 바람직하며, 0.1 내지 1㎛의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 상기 무기 절연층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 무기 절연층 형성 재료를 토출 가능한 증착원을 사용한 증착법, 스퍼터링법, CVD법 등의 건식법 및 졸-겔법 등의 습식법 등을 이용할 수 있다.
양극층(23)을 형성하기 위한 재료(양극층 형성 재료)로서는 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-아연 산화물(IZO)이나, 산화아연(ZnO), 갈륨 도핑 산화아연(GZO), 안티몬 도핑 산화아연(AZO) 등의 산화아연계 재료 등을 사용할 수 있다.
절연층(31) 상에 양극층(23)을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 양극층 형성 재료를 토출 가능한 증착원을 사용한 일반적인 증착법을 이용할 수 있고, 이러한 증착법 중 가열 증착법을 이용하는 것이 바람직하다.
유기층(25)은, 적어도 발광층(25a)을 유기 구성층으로서 갖는다. 이러한 유기층(25)은 하나의 유기 구성층으로 구성되거나, 또는 복수의 유기 구성층이 적층되어 구성되어 있다. 유기층(25)이 하나의 유기 구성층으로 구성되는 경우에는, 상기 유기 구성층은 상술한 발광층(25a)이다. 유기층이 복수의 유기 구성층으로 구성되는 경우에는, 상기 복수의 유기 구성층은 발광층(25a)과, 발광층(25a) 이외의 유기 구성층으로 구성된다. 또한, 발광층(25a) 이외의 유기 구성층으로서는, 예를 들어 정공 주입층(25b), 정공 수송층(25d), 전자 주입층(25c), 전자 수송층(25e)을 들 수 있다.
이와 같이 유기층(25)은, 적어도 발광층(25a)을 유기 구성층으로서 갖고 있으면 특별히 한정되는 것은 아니다. 유기층(25)은, 필요에 따라 복수의 유기 구성층을 적층하여 형성되도록 구성할 수 있다. 예를 들어, 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이 정공 주입층(25b), 발광층(25a) 및 전자 주입층(25c)을 이 순서대로 적층하여, 유기층을 3층 적층체로 할 수도 있다. 그 외에, 필요에 따라 상기 도 1의 (b)에 도시하는 발광층(25a)과 정공 주입층(25b) 사이에 정공 수송층(25d)(도 1의 (c) 참조)을 개재함으로써, 또는 발광층(25a)과 전자 주입층(25c) 사이에 전자 수송층(25e)(도 1의 (c) 참조)을 개재함으로써, 유기층을 4층 적층체로 할 수도 있다.
또한, 도 1의 (c)에 도시한 바와 같이, 정공 주입층(25b)과 발광층(25a) 사이에 정공 수송층(25d), 발광층(25a)과 전자 주입층(25c) 사이에 전자 수송층(25e)을 개재함으로써, 유기층을 5층 적층체로 할 수도 있다. 또한, 각 층의 막 두께는 통상, 수 ㎚ 내지 수십 ㎚ 정도로 되도록 설계되지만, 이러한 막 두께는 유기층 형성 재료(22)나 발광 특성 등에 따라 적절히 설계되는 것이며, 특별히 한정되지 않는다.
발광층(25a)을 형성하기 위한 재료로서는, 예를 들어 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄(Alq3), [2-tert-부틸-6-[2-(2,3,6,7-테트라히드로-1,1,7,7-테트라메틸-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)비닐]-4H-피란-4-일리덴]말로노니트릴(DCJTB) 등을 사용할 수 있다.
정공 주입층(25b)이란, 양극층(23)으로부터 발광층(25a)이나 정공 수송층(25d)에 정공을 주입하기 쉽게 하는 층이다. 이러한 정공 주입층(25b)을 형성하기 위한 재료로서는, 예를 들어 HAT-CN(1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴), 구리프탈로시아닌(CuPc), N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐4,4'디아민(α-NPD) 등을 사용할 수 있다.
정공 수송층(25d)이란, 정공을 수송하는 기능, 또는 음극층(27)으로부터 주입된 전자가 양극층(23)으로 이동하는 것을 억제하는 기능 중 적어도 어느 하나를 갖고 있는 층이다. 이러한 정공 수송층(25d)을 형성하기 위한 재료로서는, 예를 들어 N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘(NPB), N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐4,4'디아민(α-NPD), N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노페닐, N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-비페닐]-4,4'디아민(TPD) 등을 사용할 수 있다.
전자 주입층(25c)이란, 음극층(27)으로부터 발광층(25a) 또는 전자 수송층(25e)에 전자를 주입하기 쉽게 하는 층이다. 이러한 전자 주입층(25c)을 형성하기 위한 재료로서는, 예를 들어 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF) 등을 사용할 수 있다.
전자 수송층(25e)이란, 전자를 수송하는 기능, 또는 양극층(23)으로부터 주입된 정공이 음극층(27)으로 이동하는 것을 억제하는 기능 중 적어도 어느 하나를 갖고 있는 층이다. 이러한 전자 수송층(25e)을 형성하기 위한 재료로서는, 예를 들어 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄(Alq3) 등을 사용할 수 있다.
양극층(23) 상에 유기층(25)을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 유기층 형성 재료를 토출 가능한 증착원을 사용한 일반적인 증착법을 이용할 수 있다. 이러한 증착법 중, 가열 증착법을 이용하는 것이 바람직하다.
음극층(27)을 형성하기 위한 재료(음극층 형성 재료)로서는 알루미늄(Al), 마그네슘 은(Mg/Ag), ITO, IZO 등을 사용할 수 있다.
유기층(25) 상에 음극층(27)을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 음극층 형성 재료를 토출 가능한 증착원을 사용한 증착법을 이용할 수 있다. 또한 그 외에, 예를 들어 스퍼터링에 의하여 성막을 행하는 방법을 이용할 수도 있다.
밀봉층(29)을 형성하기 위한 재료(밀봉층 형성 재료)로서는 SiOCN, SiN, SiON 등을 사용할 수 있다.
음극층(27) 상에 밀봉층(29) 형성하는 방법도 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 밀봉층 형성 재료를 토출 가능한 증착원을 사용한 증착법을 이용할 수 있고, 이러한 증착법 중, 예를 들어 플라즈마 어시스트 증착법을 이용하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태의 유기 EL 소자의 제조 방법에 있어서는, 기재(21)와 상기 기재(21)의 일면측에 형성된 절연층(31)과의 적층체를 미리 형성하고, 상기 적층체의 절연층(31) 상에 양극층(23), 발광층(25a), 음극층(27) 및 밀봉층(29)을 순차 증착하는 것으로 한다. 또한 그 외에, 미리 절연층(31)이 적층되어 있지 않은 기재(21) 상에, 절연층(31)을 형성하기 위한 증착원에 의하여 기재(21) 상에 절연층(31)을 형성하고, 이와 같이 형성된 절연층(31) 상에 상기 양극층(23), 발광층(25a), 음극층(27) 및 밀봉층(29)을 순차 형성할 수도 있다.
본 실시 형태의 유기 EL 소자의 제조 방법에 있어서는, 구체적으로는 예를 들어, 우선 도포 시공 장치 등에 의하여 기재(21)의 일면측에 미리 절연층(31)을 도포 시공한다.
이어서, 기재(21)와 절연층(31)의 적층체에 있어서의 절연층(31) 상에, 상기 증착법을 이용하여 양극층(23)을 형성한다. 이어서, 상기 양극층(23) 상에 상기 증착법을 이용하여, 유기층인 발광층(25a)을 형성한다. 그리고, 상기 발광층(25a) 상에 상기 증착법을 이용하여 음극층(27)을 형성한다. 이어서, 형성된 각 층을 덮도록 상기 음극층(27)의 상방으로부터, 상기 증착법을 이용하여 밀봉층(29)을 형성한다. 이것에 의하여 유기 EL 소자(20)를 형성한다.
이어서, 각 층의 형성에 대하여 설명한다.
양극층(23), 유기층(25), 음극층(27) 및 밀봉층(29)의 패터닝은, 예를 들어 원하는 형상의 개구를 갖는 쉐도우 마스크를, 상술한 각 증착원과 기재(21) 사이에 각각 개입시키고, 각 구성층의 형성 재료를 통과시키는 방법 등, 종래 공지된 방법을 사용하여 적절히 행할 수 있다. 또한, 각 구성층의 패턴으로서는, 예를 들어 도 2, 도 4에 도시한 바와 같은 형상을 들 수 있지만, 이들 도 2, 도 4에 특별히 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 도 1에 도시한 바와 같이 양극층(23)과 음극층(27)이 접촉하고 있지 않도록 하면서, 우선 상기 적층체의 절연층(31) 상에 양극층(23)을 형성한다(도 2의 (a) 참조). 이어서, 기재(21)의 길이 방향(흰색 화살표 방향)에 있어서의 발광부(40)의 적어도 양 외측에 있어서 양극층(23)을 덮도록 유기층(25)을 형성한다(도 2의 (b) 참조). 이어서, 상기 양 외측에 있어서 유기층(25)보다도 적어도 양 외측으로 비어져 나와, 유기층(25)의 상기 길이 방향 양 단부 테두리를 덮도록 음극층(27)을 형성한다(도 2의 (c) 참조). 그리고, 양극층(23) 및 음극층(27)의 일부가 비어져 나오도록 밀봉층(29)을 형성한다(도 2의 (d)). 이것에 의하여 유기 EL 소자(20)가 형성되고, 양극층(23), 유기층(25) 및 음극층(27)의 중첩 부분이 발광부(40)로 된다(도 3 참조). 또한, 도 2, 도 3에 도시한 바와 같이, 발광부(40)의 상기 길이 방향 양 외측에 있어서, 유기층(25)의 상기 길이 방향 양 단부 테두리는 음극층(27)의 양 단부측에 의하여 덮여 있다.
이러한 도 2 및 도 3에서는, 기재(21)의 폭 방향(도 2 및 도 3의 좌우 방향)에 있어서의 발광부(40)의 양 외측에 있어서, 유기층(25)이 음극층(27)보다도 외측으로 비어져 나와 있다. 또한, 양극층(23)이 유기층(25)보다도 외측으로 비어져 나와 있다. 또한, 형성된 양극층(23)과 음극층(27)은 접촉하고 있지 않다.
또한, 예를 들어 도 4에 도시한 바와 같이, 양극층(23)과 음극층(27)이 접촉하고 있지 않도록 하면서, 우선 상기 적층체의 절연층(31) 상에 양극층(23)을 형성한다(도 4의 (a) 참조). 이어서, 기재(21)의 길이 방향(굵은 화살표 방향)에 있어서의 발광부(40)의 적어도 양 외측에 있어서 양극층(23)을 덮도록 유기층(25)을 형성한다(도 4의 (b) 참조). 이어서, 상기 양 외측에 있어서 유기층(25)보다도 적어도 양 외측으로 비어져 나와, 유기층(25)의 상기 길이 방향 양 단부 테두리를 덮도록 음극층(27)을 형성한다(도 4의 (c) 참조). 그리고, 양극층(23) 및 음극층(27)의 일부가 비어져 나오도록 밀봉층(29)을 형성한다(도 4의 (d) 참조). 이것에 의하여 유기 EL 소자(20)가 형성되고, 양극층(23), 유기층(25) 및 음극층(27)의 중첩 부분이 발광부(40)로 된다(도 5 참조). 또한, 도 4, 도 5에 도시한 바와 같이, 발광부(40)의 상기 길이 방향 양 외측에 있어서, 유기층(25)의 상기 길이 방향 양 단부 테두리는 음극층(27)의 양 단부측에 의하여 덮여 있다.
이러한 도 4 및 도 5에서는, 기재(21)의 폭 방향(도 4 및 도 5의 좌우 방향)에 있어서의 발광부(40)의 양 외측 중, 한쪽 외측(도 4 및 도 5의 우측)에 있어서는, 유기층(25)이 음극층(27)보다도 외측으로 비어져 나와 있다. 또한, 양극층(23)이 유기층(25)보다도 외측으로 비어져 나와 있다. 이에 비하여, 다른 쪽 외측(도 4 및 도 5의 좌측)에서는, 유기층(25)이 양극층(23)보다도 외측으로 비어져 나와 있다. 또한, 음극층(27)이 유기층(25)보다도 외측으로 비어져 나와 있다. 또한, 형성된 양극층(23)과 음극층(27)은 접촉하고 있지 않다.
상기 도 3 및 도 5에 예시된 유기 EL 소자(20)에 있어서, 양극층(23) 및 음극층(27)에 있어서의 밀봉층(29)으로부터 비어져 나와 있는 부분은 서로 접촉하고 있지 않다. 이러한 비어져 나온 부분에 통전함으로써, 발광부(40)를 발광시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 발광부(40)가 직사각형인 구성을 채용했지만, 이러한 발광부(40)의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니다.
이러한 제조 방법에 의하면, 양극층(23)과 음극층(27)이 접촉하고 있지 않도록 하면서, 양극층(23), 유기층(25) 및 음극층(27)을 형성할 수 있다. 이로 인하여, 양극층(23)과 음극층(27)이 단락되는 것을 회피하고, 발광부(40)의 발광을 가능하게 할 수 있다. 또한, 띠형 금속제의 기재(21)의 길이 방향에 있어서의 발광부(40)의 양 외측에 있어서, 유기층(25)의 상기 길이 방향 양 단부 테두리를, 음극층(27)의 상기 길이 방향 양 단부측으로 덮는 것에 의하여, 기재(21)의 표면부에 길이 방향을 따라 연장되어 있는 미세한 홈에 기인한, 절연층(31)의 표면부의 홈을 산소나 수분이 통과하여 밀봉층(29)의 내측까지 침입하더라도, 유기층(25)과 음극층(27)의 경계에는 도달하기 어려워지기 때문에, 발광부(40)의 내측까지 산소나 수분이 침입하는 것을 억제할 수 있다.
따라서, 발광 특성의 열화가 억제된 유기 EL 소자(20)를 제조하는 것이 가능하게 된다.
또한, 도 2 내지 도 5에 예시된 유기 EL 소자(20)에서는, 기재(21)의 폭 방향에 있어서 발광부(40) 중 어느 하나 적어도 한쪽 외측에서는, 유기층(25)의 양 단부 테두리가 음극층(27)의 양 단부측에 의하여 덮여 있지 않다. 그러나, 상술한 바와 같이 폭 방향에 있어서는, 절연층(31)의 표면부의 홈 사이의 볼록부와 상기 구성층이 접촉하고 있기 때문에, 산소나 수분이 밀봉층(29)의 내부에 침입하는 것을 억제할 수 있다.
또한 상기 제조 방법을, 예를 들어 이하와 같이 실시해도 된다. 롤형으로 권취된 기재(21)와 절연층(31)의 적층체를 공급부인 공급 롤러로부터 풀어낸다. 풀어내진 적층체의 기재(21)를 캔 롤(도시 생략)의 표면에 접촉시켜 이동시키면서, 상기 캔 롤에 지지된 적층체의 절연층(31) 상에 양극층(23), 유기층(25), 음극층(27) 및 밀봉층(29)을 상술한 바와 같이 순차 형성한다. 얻어진 유기 EL 소자(20)를, 회수부인 권취 롤러(도시 생략)에 의하여 순차 권취한다.
또한 상기 제조 방법을 그 외에, 예를 들어 이하와 같이 실시할 수 있다. 롤 형상으로 권취된 기재(21)를 상기 공급 롤러로부터 풀어낸다. 풀어내진 기재(21) 상에 절연층(31), 양극층(23), 유기층(25), 음극층(27) 및 밀봉층(29)을 상술한 바와 같이 순차 형성한다. 얻어진 유기 EL 소자(20)를 상기 권취 롤러에 의하여 순차 권취한다.
또한, 상기와 같이 하여 권취 롤러로 권취된 유기 EL 소자(20)를 풀어내고 재단 등을 행하여, 시트형 유기 EL 소자(20)를 형성할 수도 있다.
상기 제조 방법에 의하여 얻어진 본 실시 형태의 유기 EL 소자(20)는, 띠형 금속제의 기재(21)의 일면측에 절연층(31), 제1 전극층(여기서는 양극층(23)), 적어도 발광층(25a)을 유기 구성층으로서 갖는 유기층(25), 제2 전극층(여기서는 음극층(27)) 및 밀봉층(29)이 순차 형성되어 이루어진다. 또한, 유기 EL 소자(20)는, 양극층(23)과 유기층(25)과 음극층(27)의 중첩 부분을 발광부(40)로서 갖는다. 양극층(23)과 음극층(27)이 접촉하고 있지 않고, 또한 유기층(25)이 양극층(23)보다도 적어도 기재(21)의 길이 방향 양 외측으로 비어져 나와 있다. 또한 음극층(27)이 유기층(25)보다도 적어도 상기 길이 방향 양 외측으로 비어져 나와 있다. 이것에 의하여, 적어도 기재(21)의 길이 방향에 있어서의 발광부(40)의 양 외측에 있어서, 유기층(25)의 상기 길이 방향 양 단부 테두리가 음극층(27)의 상기 길이 방향 양 단부측으로 덮여 있다.
이러한 유기 EL 소자(20)는, 상기와 같이 열화가 억제된 것으로 된다.
본 발명의 유기 EL 소자의 제조 방법 및 유기 EL 소자는 상기한 바와 같지만, 본 발명은 상기 각 실시 형태에 한정되지 않으며, 본 발명이 의도하는 범위 내에서 적절히 설계 변경 가능하다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 제1 전극층을 양극층(23), 제2 전극층을 음극층(27)으로 했지만, 그 외에 제1 전극층을 음극층, 제2 전극층을 양극층으로 하고, 상기 적층체의 절연층(31) 상에 음극층, 유기층 및 양극층을, 순차 형성할 수도 있다.
실시예
이어서 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
<기재의 표면 조도 Ra의 측정>
기재의 표면 조도(Ra)의 측정은, 촉침식 표면 형상 측정 장치(상품명: Dektak 150)를 사용하여 행하였다. 기재의 길이 방향 및 짧은 방향의 표면 조도를 각각 10군데 측정하고, 10군데의 평균값을 기재의 길이 방향 및 짧은 방향의 표면 조도로 하였다.
실시예 1
띠형 금속제의 기재로서, 폭이 30㎜, 길이가 140㎜, 두께 50㎛, 기재의 길이 방향의 표면 조도(Ra)가 40㎚, 기재의 짧은 방향의 표면 조도(Ra)가 55㎚인 롤형 플렉시블 SUS 기판을 사용하였다. 즉, 실시예 1에 있어서는, 기재의 길이 방향의 표면 조도가, 짧은 방향의 표면 조도보다도 작게 되어 있다. 이 기재의 일면측에, 아크릴 수지(JSR 가부시키가이샤 제조 상품명 「JEM-477」)를 도포 시공 장치로 도포 시공함으로써 두께 3㎛의 절연층을 형성하였다. 이러한 기재와 절연층의 적층체를 공급 롤러(도시 생략)에 권취하였다. 또한, 제1 전극층, 유기층, 제2 전극층 및 밀봉층의 패턴으로서, 도 2에 도시하는 패턴을 채용하였다.
그리고, 롤형으로 권취된 상기 적층체를 상기 공급 롤러로부터 연속적으로 풀어내면서, 풀어내진 적층체의 절연층(31) 상에 제1 전극층(23)으로서 두께 100㎚의 Al층(양극층), 유기층(25) 중, 정공 주입층으로서 두께 10㎚의 HAT-CN(1,4,5,8, 9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴)층, 정공 수송층으로서 두께 50㎚의 NPB층, 발광층 및 전자 수송층으로서 두께 45㎚의 Alq3층, 전자 주입층으로서 두께 0.5㎚의 LiF층을 이 순서대로 가열 증착하였다. 그 후, 제2 전극층(27)으로서 두께 5/15㎚의 Mg/Ag층(음극층)을 공증착하였다. 또한, 스퍼터링에 의하여 두께 50㎚의 ITO층(음극층)을 성막하였다. 그 후, 밀봉층(29)으로서 두께 0.4㎛의 SiOCN을 플라즈마 어시스트 증착에 의하여 증착하였다. 얻어진 적층체(유기 EL 소자(20))는 권취 롤러로 권취되었다.
권취한 후, 상기 적층체를 풀어내고 소정의 길이로 절단함으로써, 실시예 1의 유기 EL 소자(20)(세로 80㎜×가로 30㎜)를 얻었다(도 3 참조).
실시예 2
제1 전극층(23), 유기층(25), 제2 전극층(27) 및 밀봉층(29)의 패턴으로서, 도 4에 도시하는 패턴을 채용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 유기 EL 소자(20)를 제조하였다(도 5 참조).
실시예 3
유기층 중, 전자 주입층으로서 두께 0.5㎚의 LiF층, 발광층 및 전자 수송층으로서 두께 45㎚의 Alq3층, 홀 수송층으로서 두께 50㎚의 NPB, 정공 주입층으로서 두께 10㎚의 CuPc을 이 순서대로 가열 증착하였다. 또한 제2 전극층으로서, 스퍼터링에 의하여 두께 50㎚의 ITO층(음극층)을 성막하였다. 그 후, 밀봉층으로서 두께 400㎚의 SiOCN을 플라즈마 어시스트 증착에 의하여 증착하였다. 그 이외에는 실시예 1과 마찬가지이다. 또한, 도 2에 도시하는 패턴을 채용하여, 실시예 3의 유기 EL 소자(20)(세로 80㎜×가로 30㎜)를 얻었다(도 3 참조).
비교예 1
도 6에 도시하는 패턴을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1의 유기 EL 소자(50)를 제조하였다.
비교예 2
도 7에 도시하는 패턴을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 유기 EL 소자(50)를 제조하였다.
비교예 3
도 8에 도시하는 패턴을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 유기 EL 소자(50)를 제조하였다.
비교예 4
도 9에 도시하는 패턴을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 4의 유기 EL 소자(50)를 제조하였다.
비교예 5
도 6에 도시하는 패턴을 사용한 것 이외에는 실시예 3과 마찬가지로 하여, 비교예 5의 유기 EL 소자(50)를 제조하였다.
<유기 EL 소자의 수명 평가>
얻어진 각 유기 EL 소자를, 60℃/90％ RH로 설정된 항온 항습기 내에, 발광하고 있지 않는 상태에서 보존하였다. 보존 개시 후, 소정 시간마다 각 유기 EL 소자를 취출하여 발광시켰다. 발광부의 면적(발광하고 있는 영역의 면적)을 측정하였다. 보존 시간과 발광부의 면적의 관계를 그래프 상에 플롯하였다. 그리고, 발광부의 면적이 감소하기 시작하는 시간을 유기 EL 소자의 수명으로 하였다. 또한, 발광부의 면적의 측정은 가부시키가이샤 키엔스 제조의 디지털 현미경(상품명: VHX-1000)을 사용하여 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 1 내지 3에서는, 기재의 길이 방향에 있어서의 발광부의 양 외측에 있어서, 유기층의 양 단부 테두리가 제2 전극층(음극층)의 양 단부측으로 덮여 있다. 비교예 1 내지 5에서는, 유기층의 양 단부 테두리 중 적어도 한쪽이 음극층으로 덮여 있지 않다. 표 1에 나타낸 바와 같이 실시예 1 내지 3과 비교예 1 내지 5를 비교하면, 실시예 1 내지 3의 수명은 비교예 1 내지 5의 수명의 1.5배 이상 길었다. 이 결과, 본 발명의 제조 방법에 의하여 얻어진 유기 EL 소자는 발광 특성의 열화가 억제되고 있어, 장기간 안정성이 우수한 것을 알았다.
또한, 상기 실시예에서는 절연층으로서 유기 절연층을 사용했지만, 무기 절연층을 사용하더라도 마찬가지로 본 발명의 효과가 얻어진다.
20: 유기 EL 소자
21: 기재
23: 양극층(제1 전극층)
25: 유기층
25a: 발광층(유기 구성층)
27: 음극층(제2 전극층)
29: 밀봉층
40: 발광부
21: 기재
23: 양극층(제1 전극층)
25: 유기층
25a: 발광층(유기 구성층)
27: 음극층(제2 전극층)
29: 밀봉층
40: 발광부
Claims (4)
- 띠형 금속제의 기재의 일면측에 절연층, 제1 전극층, 적어도 발광층을 유기 구성층으로서 갖는 유기층, 제2 전극층 및 밀봉층을 순차 형성함으로써,
상기 제1 전극층과 상기 유기층과 상기 제2 전극층의 중첩 부분을 발광부로서 갖는 유기 EL 소자를 제작하는 유기 EL 소자의 제조 방법으로서,
상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층이 접촉하고 있지 않도록 하면서,
상기 유기층을 상기 제1 전극층보다 적어도 상기 기재의 길이 방향 양 외측으로 비어져 나오게 하고, 또한 상기 제2 전극층을 상기 유기층보다 적어도 상기 길이 방향 양 외측으로 비어져 나오게 함으로써, 적어도 상기 기재의 길이 방향에 있어서의 상기 발광부의 양 외측에 있어서, 상기 유기층의 상기 길이 방향 양 단부 테두리가 상기 제2 전극층의 상기 길이 방향 양 단부측으로 덮이도록 상기 제1 전극층, 상기 유기층 및 상기 제2 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 기재의 길이 방향의 표면 조도가 짧은 방향의 표면 조도보다 작은 유기 EL 소자의 제조 방법. - 띠형 금속제의 기재의 일면측에 절연층, 제1 전극층, 적어도 발광층을 유기 구성층으로서 갖는 유기층, 제2 전극층 및 밀봉층이 순차 형성되어 이루어지고,
상기 제1 전극층과 상기 유기층과 상기 제2 전극층의 중첩 부분을 발광부로서 갖는 유기 EL 소자로서,
상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층이 접촉하고 있지 않고, 또한,
상기 유기층이 상기 제1 전극층보다 적어도 상기 기재의 길이 방향 양 외측으로 비어져 나와 있으며, 또한 상기 제2 전극층이 상기 유기층보다 적어도 상기 길이 방향 양 외측으로 비어져 나와 있는 것에 의하여, 적어도 상기 기재의 길이 방향에 있어서의 상기 발광부의 양 외측에 있어서, 상기 유기층의 상기 길이 방향 양 단부 테두리가 상기 제2 전극층의 상기 길이 방향 양 단부측으로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자. - 제3항에 있어서,
상기 기재의 길이 방향의 표면 조도가 짧은 방향의 표면 조도보다 작은 유기 EL 소자.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012041700 | 2012-02-28 | ||
| JPJP-P-2012-041700 | 2012-02-28 | ||
| JP2013023502A JP5369240B2 (ja) | 2012-02-28 | 2013-02-08 | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| JPJP-P-2013-023502 | 2013-02-08 | ||
| PCT/JP2013/055379 WO2013129564A1 (ja) | 2012-02-28 | 2013-02-28 | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140128330A true KR20140128330A (ko) | 2014-11-05 |
Family
ID=49082755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20147022409A KR20140128330A (ko) | 2012-02-28 | 2013-02-28 | 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 및 유기 ｅｌ 소자 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9331307B2 (ko) |
| EP (1) | EP2822361A4 (ko) |
| JP (1) | JP5369240B2 (ko) |
| KR (1) | KR20140128330A (ko) |
| CN (2) | CN104145530B (ko) |
| TW (1) | TWI590509B (ko) |
| WO (1) | WO2013129564A1 (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6654913B2 (ja) * | 2016-01-26 | 2020-02-26 | 住友化学株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| CN107768534A (zh) * | 2016-08-19 | 2018-03-06 | 上海和辉光电有限公司 | 一种柔性oled的薄膜封装结构及其制备方法 |
| CN107845732A (zh) * | 2016-09-19 | 2018-03-27 | 上海和辉光电有限公司 | 一种薄膜封装结构和oled显示面板 |
| KR102620962B1 (ko) | 2016-12-07 | 2024-01-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 |
| CN108206242A (zh) * | 2016-12-19 | 2018-06-26 | 上海和辉光电有限公司 | 柔性oled显示屏的封装结构及其制备方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002025763A (ja) | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Nisshin Steel Co Ltd | 有機ｅｌ素子用絶縁基板 |
| JP3942017B2 (ja) | 2002-03-25 | 2007-07-11 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子 |
| KR100721571B1 (ko) * | 2005-03-07 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법 |
| KR100864882B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-10-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2009037809A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
| JPWO2009025286A1 (ja) * | 2007-08-21 | 2010-11-25 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 照明装置 |
| JP5142846B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2013-02-13 | 株式会社日立製作所 | 有機発光装置 |
| WO2009154168A1 (ja) | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 株式会社日立製作所 | 有機発光素子、その作製方法、その作製装置及びそれを用いた有機発光装置 |
| JP5172961B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2013-03-27 | シャープ株式会社 | 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法 |
| US20100258797A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
| US20120074398A1 (en) | 2009-07-01 | 2012-03-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic el illuminant, organic el illuminating device, and method for fabricating organic el illuminant |
| JP5627896B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-11-19 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
| DE102010003121A1 (de) * | 2010-03-22 | 2011-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische Lichtemittierende Vorrichtung mit homogener Leuchtdichteverteilung |
| JP5638924B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2014-12-10 | ローム株式会社 | 有機発光素子 |
| JP5740244B2 (ja) * | 2011-08-12 | 2015-06-24 | 日東電工株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置 |
| CN103262653B (zh) * | 2011-12-15 | 2017-06-16 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 器件的制造方法及有机el器件 |
-
2013
- 2013-02-08 JP JP2013023502A patent/JP5369240B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-27 TW TW102106938A patent/TWI590509B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-02-28 WO PCT/JP2013/055379 patent/WO2013129564A1/ja active Application Filing
- 2013-02-28 CN CN201380011467.XA patent/CN104145530B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-28 CN CN201610140755.0A patent/CN105720209A/zh active Pending
- 2013-02-28 EP EP13754199.1A patent/EP2822361A4/en not_active Withdrawn
- 2013-02-28 US US14/381,478 patent/US9331307B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-28 KR KR20147022409A patent/KR20140128330A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104145530A (zh) | 2014-11-12 |
| CN104145530B (zh) | 2016-06-29 |
| TWI590509B (zh) | 2017-07-01 |
| EP2822361A4 (en) | 2015-10-21 |
| JP2013211258A (ja) | 2013-10-10 |
| CN105720209A (zh) | 2016-06-29 |
| JP5369240B2 (ja) | 2013-12-18 |
| US20150123088A1 (en) | 2015-05-07 |
| TW201345016A (zh) | 2013-11-01 |
| EP2822361A1 (en) | 2015-01-07 |
| US9331307B2 (en) | 2016-05-03 |
| WO2013129564A1 (ja) | 2013-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6163483B2 (ja) | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 | |
| KR20160102424A (ko) | 금속 산화물의 박막, 그 박막을 구비한 유기 일렉트로 루미네선스 소자, 태양전지, 및 유기 태양전지 | |
| JP5735819B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR20140128330A (ko) | 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 및 유기 ｅｌ 소자 | |
| JPWO2011074633A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2012174558A (ja) | 有機ｅｌデバイス | |
| JP6439194B2 (ja) | 有機発光デバイス | |
| JP4255250B2 (ja) | エレクトロルミネッセント素子 | |
| JP4248853B2 (ja) | 有機半導体素子用陽極 | |
| KR20170046732A (ko) | 유기 일렉트로루미네센스 소자 | |
| CN103053220A (zh) | 有机电致发光器件 | |
| JP6482080B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、ディスプレイパネル、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP5017820B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| CN103053219B (zh) | 有机电致发光器件 | |
| JP6816101B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| US20060145603A1 (en) | Organic electroluminescence element, process for fabricating the same and electrode film | |
| KR20150133168A (ko) | 유기 일렉트로루미네센스 장치의 제조 방법 | |
| KR101588153B1 (ko) | 유기 el 디바이스의 제조 방법, 및 유기 el 디바이스 | |
| JP5949054B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子形成用フレキシブル基板ロール | |
| JP2012174607A (ja) | 有機ｅｌデバイス | |
| WO2012120746A1 (ja) | 有機ｅｌデバイス | |
| KR20180105162A (ko) | 발광 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
Patent event date: 20140811 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |