KR20140127457A - Semiconductor device structure and method of manufacutruing the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a semiconductor device structure and a method for manufacturing the same. The method includes the steps of: locating and fixating the semiconductor light emitting device and a separation wall on a plate so as to make an electrode of the semiconductor device face the plate; covering the semiconductor and the separation wall with an encapsulation material; separating the plate from the encapsulation material leaving the semiconductor device and the separation wall; and cutting the encapsulation material.

Description

반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACUTRUING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a semiconductor device structure and a method of manufacturing a semiconductor device structure,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 제조가 간단한 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.Disclosure relates generally to a method of manufacturing a semiconductor device structure, and more particularly, to a method of manufacturing a semiconductor device structure that is simple to manufacture.

여기서, 반도체 소자라 함은 반도체 발광소자(예: 레이저 다이오드), 반도체 수광소자(예: 포토 다이오드), p-n접합 다이오드 전기 소자, 반도체 트랜지스터 등을 포함하며, 대표적으로 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물 반도체층을 포함하는 발광다이오드와 같은 발광소자를 의미하며, 추가적으로 SiC, SiN, SiCN, CN와 같은 다른 족(group)의 원소들로 물질이나 이들 물질로 된 반도체층을 포함하는 것을 배제하는 것은 아니다.Here, the semiconductor element includes a semiconductor light emitting element (e.g., a laser diode), a semiconductor light receiving element (e.g., a photodiode), a pn junction diode electric element, a semiconductor transistor, . The III-nitride semiconductor light emitting device includes a compound semiconductor layer made of Al (x) Ga (y) In (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Such as SiC, SiN, SiCN, and CN, but does not exclude the inclusion of a material or a semiconductor layer of these materials.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800)이 형성되어 있다. 여기서, 기판(100) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다.FIG. 1 is a diagram showing a conventional semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200, a first semiconductor layer (not shown) having a first conductivity 300, an active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes, and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited, A conductive film 600 and an electrode 700 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 300. An electrode 800 serving as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 300. [ Here, when the substrate 100 side is placed in the package, it functions as a mounting surface.

도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100; 예: 사파이어 기판), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901; 예: Ag 반사막), 전극막(902; 예: Ni 확산 방지막) 및 전극막(903; 예: Au 본딩층)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(903) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다. 열방출 효율의 관점에서, 도 1에 도시된 래터럴 칩(Lateral Chip)보다 도 2에 도시된 플립 칩(Flip Chip) 또는 정션 다운형(Junction Down Type) 칩이 열방출 효율이 우수하다. 래터럴 칩이 80~180㎛의 두께를 가지는 사파이어 기판(100)을 통해 열을 외부로 방출해야 하는 반면에, 플립 칩은 활성층(400)에 가깝게 위치하는 금속으로 된 전극(901,902,903)을 통해 열을 방출할 수 있기 때문이다.2 is a diagram showing another example of a conventional semiconductor light emitting device (Flip Chip). A semiconductor light emitting device includes a substrate 100 (e.g., a sapphire substrate), a first semiconductor layer having a first conductivity An active layer 400 (e.g., InGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of electrons and holes, a second semiconductor layer 400 having a second conductivity different from the first conductivity, (Ag reflective film) 901 (for example, Ag reflective film) for reflecting light onto the substrate 100 side, and an electrode film 901 (for example, a p-type GaN layer) An electrode 800 (e.g., Cr / Ni / Au) functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300 exposed and etched to form an electrode film 903 (e.g., Au diffusion layer) Laminated metal pads) are formed. Here, when the electrode film 903 side is placed in the package, it functions as a mounting surface. Flip chip or junction down type chips shown in FIG. 2 are superior to the lateral chips shown in FIG. 1 in heat radiation efficiency in terms of heat emission efficiency. The lateral chip must emit heat through the sapphire substrate 100 having a thickness of 80 to 180 mu m while the flip chip emits heat through the metal electrodes 901, 902 and 903 located close to the active layer 400 Because it can emit.

도 15는 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 패키지는 리드 프레임(110,120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자(150; Vertical Type Light-emitting Chip)가 구비되어 있고, 캐비티(140)는 형광체(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)에서 나온 광(예: 청색광)의 일부가 형광체(160)를 여기시켜 형광체(160)가 광(예: 황색광)을 만들고, 이 광들(청색광+황색광)이 백색광을 만든다. 여기서, 몰드(130)-봉지제(170) 또는 리드 프레임(110,120)-몰드(130)-봉지제(170)가 수직형 반도체 발광소자를 담지한 채로, 반도체 발광소자 패키지의 지지체 즉, 캐리어(Carrier)로 역할한다.15 is a diagram illustrating a conventional semiconductor light emitting device package or a semiconductor light emitting device structure. The semiconductor light emitting device package includes lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical semiconductor light emitting device Emitting chip, and the cavity 140 is filled with an encapsulant 170 containing the fluorescent material 160. The encapsulant 170 may be a light-emitting chip. The lower surface of the vertical semiconductor light emitting device 150 is electrically connected to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light (for example, blue light) emitted from the vertical type semiconductor light emitting device 150 excites the phosphor 160 so that the phosphor 160 makes light (for example, yellow light), and these lights (blue light + Make white light. In this case, the mold 130, the encapsulant 170, the lead frames 110 and 120, the mold 130, and the encapsulant 170 carry the vertical semiconductor light emitting device, Carrier).

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 반도체 소자와 격벽을 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 반도체 발광소자이며, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자와 격벽을 봉지제로 덮는 단계; 반도체 소자와 격벽을 남겨두고, 봉지제로부터 플레이트를 분리하는 단계; 그리고, 봉지제를 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a method of fabricating a semiconductor device structure and a semiconductor device structure, the method comprising: locating a semiconductor device and a barrier rib on a plate, A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising the steps of: fixing a position of an electrode of a semiconductor device toward a plate; Covering the semiconductor element and the partition with an encapsulating material; Separating the plate from the encapsulant, leaving the semiconductor element and the partition wall; And cutting the encapsulant. ≪ Desc / Clms Page number 2 >

본 개시에 따른 또 다른 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 소자 구조물에 있어서, 봉지제; 봉지제에 의해 둘러싸이며, 봉지제의 하부로 전극이 노출되는 반도체 발광소자;로서, 반도체 발광소자인 반도체 소자; 전극이 노출되는 측의 봉지제에 결합되며, 광 반사막인 격벽; 그리고, 봉지제와 격벽에 의해 형성되는 측면;으로서, 연속하여 이어진 절단된 측면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물이 제공된다.According to yet another aspect of the present disclosure, in a semiconductor device structure, an encapsulant; A semiconductor light emitting element surrounded by an encapsulating agent and exposing an electrode to a lower portion of the encapsulating agent; A barrier rib which is a light reflecting film and is bonded to an encapsulating material on an exposed side of the electrode; And a side surface formed by the sealing agent and the partition wall, wherein the side surface is a continuously formed side surface.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따라 플립 칩 패키지를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 사용의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 15는 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 16 내지 도 18은 도 11에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 19는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 20은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 21 내지 도 23은 도 12에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 24 내지 도 27은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 28은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 29는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 30은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 31은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 32는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 33 및 도 34는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물의 변형 예들을 나타내는 도면,
도 35 및 도 36은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 37은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 38 내지 도 41은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 42는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 43은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 렌즈(4c)가 형성되어 있다. 도 43에서, 하나의 렌즈(4c)가 하나의 반도체
도 44는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 45는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device (lateral chip)
2 is a view showing another example (Flip Chip) of a conventional semiconductor light emitting device,
Figure 3 shows an example of a method of manufacturing a semiconductor device structure in accordance with the present disclosure;
4 is a diagram illustrating an example of a method for manufacturing a flip chip package in accordance with the present disclosure;
5 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure,
6 is a diagram illustrating an example of a semiconductor device structure according to the present disclosure;
7 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure;
8 is a view showing another example of a semiconductor device structure according to the present disclosure,
9 is a diagram illustrating an example of the use of a semiconductor device structure in accordance with the present disclosure;
10 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure;
11 is a diagram showing another example of a semiconductor device structure according to the present disclosure,
12 shows another example of a semiconductor device structure according to the present disclosure,
13 is a diagram showing another example of a semiconductor device structure according to the present disclosure,
14 is a diagram showing another example of a semiconductor device structure according to the present disclosure,
15 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device package or a semiconductor light emitting device structure,
16 to 18 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor device structure shown in FIG. 11,
19 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure;
20 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure;
Figs. 21 to 23 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor device structure shown in Fig. 12,
24-27 are diagrams illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure in accordance with the present disclosure,
28 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure;
29 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure,
30 is a view showing still another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure,
31 is a view showing an example of a method of manufacturing the semiconductor device structure shown in FIG. 30,
32 is a view showing another example of a method of manufacturing the semiconductor device structure shown in FIG. 30;
33 and 34 are views showing modifications of the semiconductor device structure shown in FIG. 30,
35 and 36 are diagrams illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure;
37 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure;
Figs. 38 to 41 are views showing another example of a method of manufacturing the semiconductor device structure shown in Fig. 30,
42 is a view showing still another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure,
43 is a view showing another example of the semiconductor element structure according to the present disclosure, in which the encapsulation agent 4 is provided with a lens 4c. In Fig. 43, one lens 4c is a single semiconductor
44 is a view showing still another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure,
45 is a view showing another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1)를 준비한 다음, 두 개의 전극(80,90)이 구비된 반도체 소자(2)를 접착제(3)를 이용하여 플레이트(1)에 위치 고정한다. 다음으로, 봉지제(4; encapsulating material)를 이용하여, 반도체 소자(2)를 감싼다. 다음으로, 플레이트(1)와 반도체 소자(2)를 분리한다. 플레이트(1)를 이루는 물질에는 특별한 제한이 없으며, 사파이어와 같은 물질을 사용하여도 좋고, 금속이나 유리 등의 평평한 구조물을 사용하여도 좋다. 금속 또는 유리와 같이 딱딱한(rigid) 플레이트를 사용함으로써, 블루 테이프(Blue tape)와 같이 연성을 가지는 플레이트(판)를 사용할 때에 비해 공정의 안정을 도모할 수 있다. 접착제(3)를 이루는 물질에도 특별한 제한이 없으며, 반도체 소자(2)를 플레이트(1)에 위치 고정만 할 수 있다면 어떠한 접착제여도 좋다. 봉지제(3)를 이루는 물질로는 종래에 LED 패키지에 사용되는 실리콘 에폭시, 실리콘 수지가 사용될 수 있다. 봉지제(4)가 형성된 후, 반도체 소자(2)와 플레이트(1)의 분리는 접착제(3)를 녹일 수 있는 열 또는 빛을 가하거나, 접착제(3)를 녹일 수 있는 용제를 이용함으로써 가능하다. 열 또는 빛과 용제를 함께 사용하는 것도 가능하다. 또한 접착 테이프를 이용하는 것도 가능하다. 봉지제(4)는 종래에 사용되는 디스펜싱, 스크린 프린팅, 몰딩, 스핀 코팅, 스텐실 등의 방법으로 형성할 수 있으며, 광경화성 수지(UV경화성 수지)를 도포한 후, 광을 조사함으로써 형성하는 것도 가능하다. 플레이트(1)로 사파이어와 같이 투광성 플레이트가 사용되는 경우에, 플레이트(1) 측으로부터 광을 조사하는 것도 가능하다. 설명을 위해, 플레이트(1) 위에 하나의 반도체 소자(2)를 도시하였지만, 복수의 반도체 소자(2)를 플레이트(1) 위에 두고 공정을 행할 수 있다. 여기서 반도체 소자(2)는 두 개의 전극(80,90)을 가지는 것으로 설명되었지만, 그 수에 특별히 제한이 있는 것은 아니다. 예를 들어, 트랜지스터의 경우에 세 개의 전극을 가질 수 있다.3 is a diagram showing an example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. After a plate 1 is prepared, a semiconductor element 2 provided with two electrodes 80 and 90 is bonded to an adhesive 3 ) Is fixed to the plate (1). Next, the encapsulating material (4) is used to wrap the semiconductor element (2). Next, the plate 1 and the semiconductor element 2 are separated. There is no particular limitation on the material constituting the plate 1, and a material such as sapphire may be used, or a flat structure such as metal or glass may be used. By using a rigid plate such as a metal or glass, the process can be stabilized as compared with a plate (plate) having flexibility such as blue tape. There is no particular limitation on the material forming the adhesive 3, and any adhesive may be used as long as it can fix the semiconductor element 2 to the plate 1 only. As the material forming the sealing agent 3, silicone epoxy or silicone resin conventionally used in an LED package can be used. After the sealing agent 4 is formed, the separation between the semiconductor element 2 and the plate 1 can be performed by applying heat or light that can melt the adhesive 3, or by using a solvent capable of melting the adhesive 3 Do. It is also possible to use heat or light and solvent together. It is also possible to use an adhesive tape. The encapsulant 4 can be formed by conventional methods such as dispensing, screen printing, molding, spin coating, stencil, etc., and is formed by applying a photo-curing resin (UV curable resin) It is also possible. In the case where a translucent plate such as sapphire is used for the plate 1, it is also possible to irradiate light from the plate 1 side. For the sake of explanation, one semiconductor element 2 is shown on the plate 1, but a plurality of semiconductor elements 2 can be placed on the plate 1 to carry out a process. Although the semiconductor element 2 has been described as having two electrodes 80 and 90, the number of the semiconductor elements 2 is not particularly limited. For example, in the case of a transistor, it can have three electrodes.

도 4는 본 개시에 따라 플립 칩 패키지를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2)로서, 정션 다운 형 칩이 제시되어 있다. 정션 다운 형 칩으로서, 도 2에 도시된 것과 같은 플립 칩형 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 따라서 반도체 발광소자는 도 2에서와 같이, 기판(100; 예: 사파이어 기판), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901; 예: Ag 반사막), 전극막(902; 예: Ni 확산 방지막) 및 전극막(903; 예: Au 본딩층)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성된 구조를 가질 수 있다. 반도체 소자(2)는 두 개의 전극(80,90)을 가지며, 전극(90)은 도 2의 전극(901,902,903)과 같은 구성을 가져도 좋고, DBR(Distributed Bragg Reflector)과 금속 반사막의 조합으로 이루어져도 좋다. 전극(80)과 전극(90)은 SiO2와 같은 절연막(5)에 의해 전기적으로 절연되어 있다. 이후의 과정은 동일하며, 봉지제(4; encapsulating material)를 이용하여, 반도체 소자(2)를 감싼다. 다음으로, 플레이트(1)와 접착제(3)로부터 반도체 소자(2)를 분리한다.Fig. 4 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a flip chip package according to the present disclosure. As a semiconductor element 2, a junction down type chip is presented. As a junction down type chip, a flip chip type semiconductor light emitting element as shown in Fig. 2 can be exemplified. 2, a semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer 300 (e.g., an n-type GaN layer) having a first conductivity, a first semiconductor layer 300 having a first conductivity An active layer 400 (e.g., InGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of a first conductivity and a second semiconductor layer 500 (e.g., a p-type GaN layer) (For example, an Ag reflective film), an electrode film 902 (for example, a Ni diffusion preventing film), and an electrode film 903 (for example, Au bonding layer) is formed on the first semiconductor layer 300 and an electrode 800 (e.g., Cr / Ni / Au laminated metal pad) functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300 exposed and etched. The semiconductor device 2 has two electrodes 80 and 90. The electrode 90 may have the same structure as the electrodes 901, 902 and 903 of FIG. 2, or may be a combination of DBR (Distributed Bragg Reflector) It is also good. The electrode 80 and the electrode 90 are electrically insulated by an insulating film 5 such as SiO 2 . The subsequent process is the same, and the encapsulating material 4 is used to wrap the semiconductor element 2. Next, the semiconductor element 2 is separated from the plate 1 and the adhesive 3.

도 5는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1) 위에 복수의 반도체 소자(2,2)가 일체로 봉지제(4)에 의해 덮혀 있다. 플레이트(1)를 제거한 후, 반도체 소자(2,2)를 일체로서 하나의 패키지화하는 것이 용이해진다. 반도체 소자(2)와 반도체 소자(2)의 전기적 연결 방법에 대해서는 후술한다. 또한 이들을 도 3에서와 같이 개별적인 반도체 소자(2)로 분리하는 것도 가능하다. 이는 복수의 반도체 소자(2,2)를 플레이트(1)로부터 분리한 후, 쏘잉(sawing) 등의 공정을 통해 개별화함으로써 가능하다. 경화후 연성을 가지는 봉지제(4)를 사용함으로써, 연성 회로기판과의 결합을 한층 높일 수 있게 된다.5 is a diagram showing another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. A plurality of semiconductor elements 2, 2 are integrally covered with a sealing agent 4 on a plate 1. After the plate 1 is removed, it becomes easy to package the semiconductor elements 2, 2 integrally. A method of electrically connecting the semiconductor element 2 and the semiconductor element 2 will be described later. It is also possible to separate them into individual semiconductor elements 2 as in Fig. This can be achieved by separating a plurality of semiconductor elements 2, 2 from the plate 1, and then individualizing them through a process such as sawing. By using the sealing agent 4 having softness after curing, bonding with the flexible circuit board can be further enhanced.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)의 측면(4a)이 경사지도록 형성되어 있다. 반도체 소자(2)가 발광소자인 경우에, 봉지제(4)가 다양한 각의 외면을 갖게 되어, 패키지 외부로의 광 추출 효율이 높아지게 된다. 스크린 프린팅시, 스크린 격벽을 경사지게 형성하여 측면(4a)의 형성이 가능하며, 쏘잉시, 끝이 뾰족한 커터를 이용함으로써 측면(4a)의 형성이 가능하다.6 is a view showing an example of a semiconductor element structure according to the present disclosure, in which the side surface 4a of the sealing agent 4 is formed to be inclined. In the case where the semiconductor element 2 is a light emitting element, the sealing agent 4 has various angular outer surfaces, so that light extraction efficiency to the outside of the package becomes high. During screen printing, the side wall 4a can be formed by inclining the screen bulkhead, and the side surface 4a can be formed by using a sharp-pointed cutter at the time of cutting.

도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1)가 제거된 후, SiO2와 같은 절연막(6)을 전극(80)과 전극(90)을 노출한 상태로 구비하고 있다. 이후, 전극(80)에 외부 전극(81)을 연결하고, 전극(90)에 외부 전극(91)을 형성하여, 종래의 패키지와 같은 구조로 만들 수 있게 된다. 외부 전극(81,91)은 종래 패키지의 리드 프레임에 대응할 수 있다. 또한 외부 전극(81,91)을 반사막으로 기능하도록 넓게 펼쳐 증착하는 것도 가능하다. 절연막(6)은 단순히 절연 기능만을 하여도 좋고, 외부 전극(81,91)에 의한 광 흡수를 줄이도록 SiO2/TiO2의 교대 적층구조를 형성하거나 DBR을 이루어도 좋다. 도 4에서와 같이 반도체 소자(2)가 절연막(5)을 구비하는 경우에는 절연막(6)이 생략될 수도 있다. 절연막(6)과 외부 전극(81,91)의 형성에 사용되는 증착 공정과 포토리쏘그라피 공정 등은 반도체 칩 공정에서 일반적인 것으로 당업자에 매우 익숙한 것이다. 외부 전극(81,91)을 구비함으로써, PCB, COB 등에의 장착이 보다 용이해질 수 있다. 필요한 경우에, 외부 전극(81,91) 없이 절연막(6)만을 구비하는 것도 가능하다. 절연막(6) 반도체 소자(2)와 봉지제(4) 사이를 보호하는 기능을 할 뿐만 아니라, 봉지제(4)를 외부 전극(81,91) 형성 공정으로부터 보호하는 기능도 할 수 있다. 또한 절연막(6)을 백색 물질로 형성하여, 절연막(6)을 반사막으로 기능하게 할 수 있다. 예를 들어, 백색의 PSR(Photo Sloder Regist)을 절연막(6)으로 이용하거나, 코팅하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 백색의 PSR을 스크린 프린팅 또는 스핀 코팅한 다음, 일반적인 포토리소그라피 공정을 통해 패터닝할 수 있다.7 shows another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. After the plate 1 is removed, an insulating film 6 such as SiO 2 is formed on the electrode 80 and the electrode 90, As shown in FIG. Thereafter, the external electrode 81 is connected to the electrode 80, and the external electrode 91 is formed on the electrode 90, so that the structure of the conventional package can be obtained. The external electrodes 81 and 91 may correspond to the lead frame of the conventional package. It is also possible to spread the external electrodes 81 and 91 widely to function as a reflective film. The insulating film 6 may have merely an insulating function or alternatively may have a laminated structure of SiO 2 / TiO 2 or DBR so as to reduce light absorption by the external electrodes 81 and 91. When the semiconductor element 2 includes the insulating film 5 as shown in FIG. 4, the insulating film 6 may be omitted. The deposition process and the photolithography process used for forming the insulating film 6 and the external electrodes 81 and 91 are generally used in a semiconductor chip process and are well known to those skilled in the art. By providing the external electrodes 81 and 91, mounting to the PCB, COB, and the like can be facilitated. It is also possible to provide only the insulating film 6 without the external electrodes 81 and 91, if necessary. The insulating film 6 can function not only to protect between the semiconductor element 2 and the encapsulating agent 4 but also to protect the encapsulating agent 4 from the step of forming the external electrodes 81 and 91. [ Further, the insulating film 6 may be formed of a white material so that the insulating film 6 functions as a reflecting film. For example, a white PSR (Photo Slider Regist) can be used as the insulating film 6 or coated. For example, white PSR may be screen-printed or spin-coated, and then patterned through a general photolithographic process.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 전기적으로 직렬 연결된 반도체 소자(2A)와 반도체 소자(2B)가 구비되어 있다. 반도체 소자(2A)의 음(-) 전극(80A)과 반도체 소자(2B)의 양(+) 전극(90B)을 외부 전극(89)을 통해 연결함으로써 이러한 구성이 가능해진다. 미설명 부호 4는 봉지제이며, 6은 절연막이고, 90A은 반도체 소자(2A)의 양(+) 전극이며, 80B는 반도체 소자(2B)의 음(-) 전극이다. 이러한 구성을 통해, 모노리식 기판의 사용 없이, 봉지제(4)를 통해 일체화된 반도체 소자(2A,2B) 간의 전기적 연결을 형성할 수 있게 된다. 모노리식 기판의 경우에, 그 위의 반도체 소자의 구조가 동일하지만, 본 개시의 방법에 의하면, 반도체 소자(2A)와 반도체 소자(2B)가 같은 기능의 소자일 필요가 없다. 반도체 소자(2A,2B)를 병렬연결할 수 있음은 물론이다. 또한 봉지제(4)의 측면(4a)을 도 6에서와 같이 경사지게 형성할 수 있으며, 이러한 구성은 기존에 상상할 수 없었던 고전압(High-Voltage) 반도체 발광소자 패키지 내지는 반도체 발광소자 구조물을 가능하게 한다.FIG. 8 is a view showing another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure, and includes a semiconductor device 2A and a semiconductor device 2B electrically connected in series. This configuration is possible by connecting the negative (-) electrode 80A of the semiconductor element 2A and the positive (+) electrode 90B of the semiconductor element 2B through the external electrode 89. Reference numeral 4 denotes an encapsulant; 6, an insulating film; 90A, a positive electrode of the semiconductor element 2A; and 80B, a negative electrode of the semiconductor element 2B. With this configuration, the electrical connection between the integrated semiconductor elements 2A and 2B can be formed through the sealing agent 4 without using the monolithic substrate. In the case of a monolithic substrate, the structure of the semiconductor element thereon is the same, but according to the method of the present disclosure, the semiconductor element 2A and the semiconductor element 2B do not have to be the same function elements. It goes without saying that the semiconductor devices 2A and 2B can be connected in parallel. In addition, the side surface 4a of the encapsulant 4 can be inclined as shown in FIG. 6, and this configuration enables a high-voltage semiconductor light emitting device package or a semiconductor light emitting device structure that can not be imagined .

도 9는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 사용의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2C)는 인쇄회로기판(7)의 도선(7a)과 전극(80,90)이 직접 연결되어 있으며, 반도체 소자(2D)는 도선(7b)과 외부 전극(81,91)을 통해 연결되어 있다. 인쇄회로기판(7)은 연성 회로기판이어도 좋다.9A and 9B show an example of the use of the semiconductor device structure according to the present disclosure. In the semiconductor device 2C, the lead wire 7a of the printed circuit board 7 and the electrodes 80 and 90 are directly connected, The element 2D is connected to the lead wire 7b through the external electrodes 81 and 91. The printed circuit board 7 may be a flexible circuit board.

도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 2에 도시된 것과 같은 반도체 소자(2)가 구비되어 있으며, 반도체 소자(2)는 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 성장되며, 전극(80,90)이 형성되어 있다. 반도체 소자(2)를 접착제(3)를 이용해 플레이트(1)에 붙인 다음, 봉지제(4)로 덮기에 앞서, 기판(100)을 제거하고, 바람직하게는 광 취출 효율을 높이기 위해 거친 표면(301)을 형성한다. 이후의 과정은 동일하다. 기판(100)의 제거는 레이저 리프트 오프(Laser Lift-off)와 같은 공정에 의해 가능하며, 거친 표면(301)은 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각을 통해 가능하다. 이것은 칩 레벨 레이저 리프트 오프를 가능하게 한다.Fig. 10 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. Fig. 10 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure, A first semiconductor layer 300 having a first conductivity, an active layer 400 generating light through recombination of electrons and holes, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, (500) are grown, and electrodes (80, 90) are formed. The semiconductor element 2 is attached to the plate 1 using the adhesive 3 and then the substrate 100 is removed prior to covering with the encapsulating agent 4. The rough surface 301 are formed. The subsequent process is the same. The removal of the substrate 100 is possible by a process such as laser lift-off and the rough surface 301 is possible by dry etching such as ICP (Inductively Coupled Plasma). This enables chip-level laser lift-off.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 형광체가 포함되어 있다. YAG, Silicate, Nitride 형광체 등을 이용하여 원하는 색의 광을 발광할 수 있게 된다.11 shows another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure, in which the encapsulant 4 contains a phosphor. YAG, Silicate, Nitride fluorescent material or the like can be used to emit light of a desired color.

도 12는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4) 내에 또는 봉지제(4) 하부에 형광체층(8)이 형성되어 있다. 봉지제(4) 상부에 형광체층(8)을 형성하는 것도 가능하다. 이는 봉지제(4) 내에서 형광체를 침전시키거나, 별도로 스핀 코팅하거나, 휘발성 액체에 담긴 형광체를 도포한 후 휘발시켜 형광체만 남긴 후 봉지제(4)로 덮음으로써 형성할 수 있다. 필요에 따라 복수의 형광체층(8)의 형성도 가능하다.12 shows another example of the semiconductor element structure according to the present disclosure, in which a phosphor layer 8 is formed in the encapsulating agent 4 or in the lower part of the encapsulating agent 4. [ It is also possible to form the phosphor layer 8 on the encapsulant 4. This can be formed by depositing the phosphor in the encapsulating agent 4, spin coating it separately, applying the phosphor contained in the volatile liquid, volatilizing it, leaving only the phosphor, and covering it with the encapsulating agent 4. It is possible to form a plurality of phosphor layers 8 as required.

도 13은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 광 취출 효율을 높이기 위한 거친 표면 또는 요철(4g)이 형성되어 있다. 거친 표면(4g)은 pressing, 나노임프린트(nanoimprint) 등의 성형을 통해 형성이 가능하다. 또한 bead 물질을 도포한 후, 에칭, 샌드블라스팅 등의 방법을 통해 형성하는 것도 가능하다. 거친 표면(4g)은 플레이트(1)의 분리 이전 또는 분리 이후에 형성될 수 있다.13 shows another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure, in which the encapsulant 4 is provided with a rough surface or protrusions 4g for enhancing the light extraction efficiency. The rough surface 4g can be formed by pressing, forming a nanoimprint, or the like. It is also possible to apply the bead material by a method such as etching, sand blasting or the like. The rough surface 4g can be formed before or after the separation of the plate 1.

도 14는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 렌즈(4c)가 형성되어 있다. 바람직하게는 렌즈(4c)는 봉지제와 일체로 형성된다. 이러한 일체형 렌즈(4c)는 압축성형 등으로 방법으로 형성하는 것이 가능하다.Fig. 14 is a diagram showing another example of the semiconductor element structure according to the present disclosure, in which the encapsulation agent 4 is provided with a lens 4c. Preferably, the lens 4c is formed integrally with the sealing agent. Such an integral type lens 4c can be formed by a method such as compression molding.

도 16 내지 도 18은 도 11에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2,2)를 접착제(3)를 이용하여 플레이트(1)에 고정한 상태에서, 형광체가 함유된 봉지제(4), 즉 형광체층(8)으로 덮는다. 다음으로 도 17에 도시된 바와 같이, 플레이트(1)를 제거하고, 도 18에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(2,2)를 서로 분리한다. 이러한 방법을 통해, 소위 형광체 내지는 형광체층(8)을 반도체 소자(2,2)에 컨포멀하게 코팅하는 것이 가능해진다. 형광체층(8)의 높이(V)와 폭(H)을 동일하게 하는 것이 가능하다. 이러한 방식의 컨포멀 코팅(봉지제(4)의 제거 내지는 형광체층(8)의 제거를 통한 컨포멀 코팅의 구성)은 종래에 스핀코팅, 스크린 프린팅 등의 방식으로 진행되던 컨포멀 코팅과 크게 구분된다.16 to 18 are views showing an example of a method for manufacturing the semiconductor device structure shown in Fig. 11. In the state where the semiconductor elements 2 and 2 are fixed to the plate 1 by using the adhesive 3, Is covered with the encapsulant 4 containing the phosphor, that is, the phosphor layer 8. Next, as shown in Fig. 17, the plate 1 is removed and the semiconductor elements 2, 2 are separated from each other, as shown in Fig. With this method, it becomes possible to conformally coat the so-called phosphor or the phosphor layer 8 with the semiconductor elements 2, 2. It is possible to make the height (V) and the width (H) of the phosphor layer 8 the same. The conformal coating of this type (constitution of the conformal coating by removal of the encapsulant 4 or removal of the phosphor layer 8) is broadly distinguished from the conformal coating which had conventionally been applied by spin coating, screen printing, do.

도 19는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 18에서 제조된 반도체 소자(2,2)를 다시 접착제(3)를 이용하여, 플레이트(1) 위에 올려놓고, 다시 봉지제(4)를 도포한다. 봉지제(4)에 다른 형광체 및/또는 광 산란을 위한 소형 입자를 추가하는 것도 가능하다. 종래와 달리 형광체층(8)과 봉지제(4) 간의 경계면에 대한 용이한 형상 제어가 가능해진다. 또한 형광체층(8)의 외형 제어 및 형광체층(8)을 덮는 봉지제(4)의 외형 제어 모두가 용이하게 가능해진다. 반대로, 외부의 봉지제(4)에 형광체를 도입하고, 내부의 봉지제(4)에는 형광체를 도입하지 않을 수도 있다. 즉, 외부의 봉지제(4)가 형광체층이 되도록 하는 것도 가능하다. 이 경우에도 양자의 경계면 및 외형 제어가 가능하다는 점은 동일하다. 형광체층(8)을 구성하는 봉지제(4)와 형광체층(8)를 덮는 봉지제(4)는 서로 동일한 물질일 수 있지만, 서로 다른 특성(굴절률, 경도, 광투과성, 경화 속도 등)의 물질일 수도 있다. 따라서 본 실시예는 두 번 이상의 동일한 또는 서로 다른 봉지제가 적용되는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 제조 방법으로 확장될 수 있다. 형광체층(8)을 가지는 경우에, 반도체 소자는 반도체 발광소자이 적용이 적합하지만, 형광체가 함유되지 않은 경우에, 반도체 소자는 반드시 반도체 발광소자일 필요는 없다.Fig. 19 is a diagram showing another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. The semiconductor device 2, 2 manufactured in Fig. 18 is again laminated on the plate 1 And then the sealing agent 4 is applied again. It is also possible to add other phosphors and / or small particles for light scattering to the encapsulating agent (4). Unlike the related art, easy control of the shape of the interface between the phosphor layer 8 and the sealing agent 4 becomes possible. It is possible to easily control both the outer shape of the phosphor layer 8 and the outer shape control of the sealing agent 4 covering the phosphor layer 8. Conversely, it is also possible to introduce the fluorescent substance into the external encapsulant 4 and not introduce the fluorescent substance into the encapsulating material 4 inside. That is, it is also possible to make the external encapsulant 4 become the phosphor layer. In this case as well, the boundary surface and contour control of both are possible. The encapsulant 4 constituting the phosphor layer 8 and the encapsulant 4 covering the phosphor layer 8 may be the same material but may have different characteristics (refractive index, hardness, light transmittance, curing rate, etc.) It may be a substance. Thus, this embodiment can be extended to a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure to which two or more identical or different encapsulants are applied. In the case of having the phosphor layer 8, the semiconductor element is preferably a semiconductor light emitting element, but when the phosphor is not contained, the semiconductor element does not necessarily have to be a semiconductor light emitting element.

도 20은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 16에서와 같이 형광체층(8)을 형성한 다음, 플레이트(1)를 제거하는 공정 없이, 형광체층(8)을 일부 제거하여 반도체 소자(2,2) 각각에 형광체층(8)이 컨포멀하게 형성된다. 이 후, 도 19에 따른 공정이 진행되는 경우에, 플레이트(1)의 사용을 한번으로 줄일 수 있는 이점을 가진다.20 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. After forming the phosphor layer 8 as shown in Fig. 16, (8) is partly removed to form the phosphor layer (8) conformally on each of the semiconductor elements (2, 2). Thereafter, when the process according to Fig. 19 is carried out, there is an advantage that the use of the plate 1 can be reduced to one time.

도 21 내지 도 23은 도 12에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 20에 도시된 방법과 달리, 형광체층(8)을 완전히 제거하여 분리하지 않고, 일부를 남겨 두고 제거한다. 다음으로, 도 22에 도시된 바와 같이 봉지제(4)를 덮고, 도 23에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(2,2)를 분리함으로써, 반도체 소자 구조물이 제조된다. 봉지제(4)가 도 13에 도시된 형상, 도 14에 도시된 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있음은 물론이다.21 to 23 are views showing an example of a method for manufacturing the semiconductor device structure shown in Fig. 12, unlike the method shown in Fig. 20, in which the phosphor layer 8 is not completely removed and separated, Leave it and leave it. Next, a semiconductor element structure is manufactured by covering the encapsulation agent 4 as shown in Fig. 22 and separating the semiconductor elements 2,2 as shown in Fig. It goes without saying that the sealing agent 4 may have various shapes such as the shape shown in Fig. 13, the shape shown in Fig. 14, and the like.

도 24 내지 도 27은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1; 도 3 참조)가 제거된 다음, 감광액(9)이 도포된다. 예를 들어, 감광액(9)은 절연막(6)으로 기능하는 백색 PSR로 이루어질 수 있다. 전극(80,90)을 노출하기 위해, 노광 작업이 필요하며, 이때 마스크 패턴으로서, 별도의 마스크 패턴 없이, 전극(80,90)을 마스크로 사용한다. 다음으로, 도 25에 도시된 바와 같이, 봉지제(4) 상측에서 광(L)을 조사하여, 감광액(9)을 노광시키고, 전극(80,90)에 대응하는 영역(80a,90a)이 노광 후 제거될 수 있도록 한다. 도 26에 영역(80a,90a)에 대응하는 감광액(9)이 제거된 후의 모습이 도시되어 있다. 바람직하게는 봉지제(4)에 형광체를 함유하지 않음으로써, 광(L)이 감광액(9)에 정확하게 전달될 수 있도록 한다. 전극(80,90)을 마스크로 이용함으로써, 별도의 마스크를 이용하는 것에 필요한 정렬 작업이 필요없어, 보다 정확한 노광 작업이 가능해진다. 필요에 따라, 도 27에 도시된 바와 같이, 전극(80,90)에 외부 전극(81,91)을 전기적으로 연결한다. 감광액(9)을 백색 PSR로 구성함으로써, 감광액(9)이 절연막(6)으로 기능하는 한편, 광 반사막으로 기능할 수 있게 된다. 반도체 소자의 경우에도 전체적으로 투광성으로 형성되어야 한다. 예를 들어, 3족 질화물 반도체 소자의 경우에, 도 1에서와 같이, 투명 사파이어 기판, GaN 기판, SiC 기판 위에, 투광성 반도체로 형성될 수 있다. 즉, 반도체 소자(2)와 봉지제(4)를 투광성으로 형성함으로써, 노광에 사용되는 광(L)이 이들을 투과하여, 감광액(9)에 적용될 수 있게 된다.Figs. 24-27 show another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure, in which the plate 1 (see Fig. 3) is removed and then the sensitizing solution 9 is applied. For example, the photosensitive liquid 9 may be made of a white PSR functioning as an insulating film 6. [ In order to expose the electrodes 80 and 90, an exposure operation is required. At this time, the electrodes 80 and 90 are used as a mask as a mask pattern without a separate mask pattern. Next, as shown in Fig. 25, light L is irradiated from above encapsulating agent 4 to expose photosensitive liquid 9, and regions 80a and 90a corresponding to electrodes 80 and 90 are exposed So that it can be removed after exposure. Fig. 26 shows a state after the photosensitive liquid 9 corresponding to the areas 80a and 90a is removed. Preferably, the encapsulant 4 does not contain a phosphor, so that the light L can be accurately transmitted to the photosensitive liquid 9. By using the electrodes 80 and 90 as masks, alignment work necessary for using a separate mask is not required, and a more accurate exposure operation becomes possible. If necessary, the external electrodes 81 and 91 are electrically connected to the electrodes 80 and 90, as shown in Fig. By constituting the photosensitive liquid 9 with a white PSR, the photosensitive liquid 9 can function as the insulating film 6 and function as a light reflecting film. In the case of a semiconductor device, it should also be formed in a light-transmitting manner as a whole. For example, in the case of a Group III nitride semiconductor device, it may be formed of a transparent semiconductor on a transparent sapphire substrate, a GaN substrate, or a SiC substrate, as shown in Fig. That is, by forming the semiconductor element 2 and the sealing agent 4 in a translucent manner, the light L used for exposure can be transmitted through them and applied to the photosensitive liquid 9.

도 28은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 감광액(9) 내지는 절연막(6)을 형성하기에 앞서, 외부 전극(81,91)이 형성된다. 이 경우에, 전극(80,90)과 외부 전극(81,91)을 노광시 마스크로 이용할 수 있으며, 전극(80,90)의 형상 및 크기는 반도체 소자(2)의 크기 및 특성에 의해 제약되지만, 외부 전극(81,91)은 반도체 소자(2)에 의해 제약되지 않으므로, 외부 전극(81,91)을 필요에 따라 자유롭게 설계하여, 원하는 형태의 패턴 형상을 만들 수 있게 된다.Fig. 28 is a diagram showing another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. Prior to forming the photosensitive liquid 9 or the insulating film 6, external electrodes 81 and 91 are formed. In this case, the electrodes 80 and 90 and the external electrodes 81 and 91 can be used as a mask for exposure. The shape and size of the electrodes 80 and 90 are limited by the size and characteristics of the semiconductor element 2 However, since the external electrodes 81 and 91 are not limited by the semiconductor element 2, the external electrodes 81 and 91 can be freely designed as needed to form a desired pattern shape.

도 29는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 복수의 반도체 소자(2,2)를 절단하는 과정을 나타내고 있다. 도 24 내지 도 27에서와 같이 방식으로, 반도체 소자 구조물을 제조하는 경우에, 반도체 소자(2,2)를 절단선(C)을 기준으로 분리함에 있어서, 외부 전극(81,91)의 아래에 놓이는 감광액(9)은 봉지제(4)와 함께 분리된다.29 is a drawing showing another example of a method for manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure, and shows a process of cutting a plurality of semiconductor elements 2,2. In the case of manufacturing the semiconductor device structure in the manner as shown in Figs. 24 to 27, in separating the semiconductor elements 2, 2 with respect to the cutting line C, The photosensitive liquid 9 to be deposited is separated together with the encapsulating agent 4. [

도 30은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 광 반사면(4b)이 절연막(6)에 의해 덮혀 있다. 절연막(6)은 백색 PSR과 같은 광 반사막으로 기능하게 할 수 있다. 이러한 의미에서 본 실시예에서 절연막(6)은 광 반사막이라 할 수 있다. 또한 봉지제(4)를 절연막(6)에 비해 상대적으로 높은 굴절률의 물질로 구성함으로써, 양자 사이에 반사 성능을 높이면서, 광 반사면(4b)을 절연막(6)에 의해 보호하는 것도 가능하다. 절연막(6)을 봉지제(4)에 비해 낮은 굴절률의 물질로 구성하는 것도 가능하며, 본 개시에 속하지만, 본 실시예에는 벗어난다. 광 반사막(6)을 절연 물질이 아니라, 금속(예: Al, Ag, Au) 증착을 통해 금속 막으로 구성하는 것도 가능하다.30 shows another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure, in which the light reflecting surface 4b is covered with an insulating film 6. As shown in Fig. The insulating film 6 can function as a light reflecting film such as a white PSR. In this sense, in this embodiment, the insulating film 6 may be referred to as a light reflecting film. It is also possible to protect the light reflecting surface 4b with the insulating film 6 while increasing the reflection performance between the sealing material 4 and the insulating film 6 by using a material having a relatively higher refractive index than the insulating film 6 . It is also possible to constitute the insulating film 6 with a material having a lower refractive index than that of the encapsulating agent 4, but belongs to this disclosure, but deviates from the present embodiment. It is also possible to construct the light reflection film 6 by a metal film through deposition of a metal (e.g., Al, Ag, Au) instead of an insulating material.

도 31은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)로 반도체 발광소자인 반도체 소자(2)를 덮은 후, 플레이트(1; 도 3 참조)를 제거한다. 다음으로, 블레이드(도시 생략)를 이용하여, 홈(4m)을 형성하여(일반화하면, 봉지제(4)를 제거함으로써 홈(4m)을 형성하여), 봉지제(4)에 광 반사면(4b)을 형성한 다음, 절연막(6)으로 광 반사면(4b)을 덮은 다음, 포토리소그라피 공정을 통해 절연막(6)을 통해 전극(80,90)을 노출시키고, 외부 전극(81,91)을 전극(80,90)에 각각 연결한다. 다음으로, 절단선(C)을 기준으로 반도체 소자(2,2)를 분리한다.31 is a view showing an example of a method of manufacturing the semiconductor element structure shown in Fig. 30, in which the semiconductor element 2, which is a semiconductor light emitting element, is covered with the sealing agent 4, . Next, grooves 4m are formed (by generalizing, grooves 4m are removed by forming grooves 4m) by using a blade (not shown) The electrodes 80 and 90 are exposed through the insulating film 6 through the photolithography process and the external electrodes 81 and 91 are exposed through the insulating film 6, To the electrodes 80 and 90, respectively. Next, the semiconductor element (2, 2) is separated based on the cutting line (C).

도 32는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 전극(80,90)에 외부 전극(81,90)을 증착 또는 도금과 같은 방법으로 먼저 형성한 다음, 광 반사면(4b)에 절연막(6)이 형성된다. 이후 포토리소그라피 공정을 거쳐 외부 전극(81,91)을 절연막(6) 밖으로 노출시키고, 반도체 소자(2,2)를 절단선(C)을 기준으로 절단한다.32 is a view showing another example of a method of manufacturing the semiconductor device structure shown in FIG. 30, wherein external electrodes 81 and 90 are first formed on electrodes 80 and 90 by a method such as vapor deposition or plating, The insulating film 6 is formed on the light reflecting surface 4b. The external electrodes 81 and 91 are exposed to the outside of the insulating film 6 through the photolithography process and the semiconductor elements 2 and 2 are cut with reference to the cutting line C.

도 33 및 도 34는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물의 변형 예들을 나타내는 도면으로서, 도 33에는 광 반사면이 하나의 경사면(4b1)을 이루고 있으며, 도 34에는 광 반사면이 두 개의 경사면(4b1,4b2)을 이루고 있다. 반도체 소자(2,2)는 개별적으로 분리될 수 있지만, 복수의 반도체 소자(2,2)가 함께 분리될 수도 있다.33 and 34 show modifications of the semiconductor device structure shown in Fig. 30. In Fig. 33, the light reflecting surface forms one inclined surface 4b1, and in Fig. 34, the light reflecting surface has two inclined surfaces 4b1 and 4b2. Although the semiconductor elements 2 and 2 can be separated individually, a plurality of semiconductor elements 2 and 2 may be separated together.

도 35 및 도 36은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 35에 도시된 바와 같이, 봉지제(4) 측에 플레이트(1)가 부착되어 있다. 플레이트(1)는 도 3에서 예시된 것과 같은 방법으로 봉지제(4)에 부착될 수 있다. 플레이트(1)는 도 3에서 전극(2) 측에 부착된 플레이트(1)의 분리 전 또는 분리 후에 봉지제(4) 측에 부착될 수 있다. 본 실시예에서, 플레이트(1)는 연성 재질의 플레이트와 같이 휘어지는 성질을 가지지 않는다는 것이 중요하다. 도 36에 도시된 바와 같이, 도 3에 도시된 플레이트(1)가 제거된 다음에, 절연막(6)의 형성, 외부 전극(81,91)의 형성, 봉지제(4)의 절단, 및/또는 이에 수반하는 포토리소그라피 공정 등 다양한 공정이 요구되며, 이때, 기껏해야 수mm의 높이를 가지는 봉지제(4)가 평평한 형태를 유지하는 것이 몹시 중요하다. 이를 위해, 휨이 없는(rigid) 플레이트(1)가 사용되는 것이 중요하다. 플레이트(1)의 재질은 세라믹, 유리, 메탈, 엔지니어링 플라스틱 등이 사용 가능하며, 두께는 재질에 따라 다르겠으나, 통상 휘어짐을 방지하고, 기계적인 안정성을 유지하기 위하여 적정 두께를 유지하는 것이 바람직한데, 유리 기판의 경우 가령 1mm 이상이면 충분하다. 플레이트(1)는 두 반도체 소자(2,2)의 절단 전 또는 절단 후에 제거될 수 있다.35 and 36 are views showing still another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. As shown in Fig. 35, a plate 1 is attached to the side of the encapsulating material 4. Fig. The plate 1 may be attached to the encapsulant 4 in the same manner as illustrated in Fig. The plate 1 may be attached to the encapsulant 4 side either before or after separation of the plate 1 attached to the electrode 2 side in Fig. In this embodiment, it is important that the plate 1 does not have a bending property like a plate of a soft material. As shown in Fig. 36, after the plate 1 shown in Fig. 3 is removed, formation of the insulating film 6, formation of the external electrodes 81 and 91, cutting of the sealing agent 4, and / Or a photolithography process accompanied therewith. In this case, it is very important that the sealing agent 4 having a height of several millimeters at most is maintained in a flat shape. For this purpose, it is important that a rigid plate 1 be used. The plate 1 may be made of ceramics, glass, metal, engineering plastic or the like. Thickness of the plate 1 may vary depending on materials, but it is desirable to maintain proper thickness in order to prevent warpage and maintain mechanical stability And in the case of a glass substrate, 1 mm or more is sufficient. The plate 1 can be removed before or after cutting the two semiconductor elements 2, 2.

도 37은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 36에 제시된 방법에 사용된 휨이 없는 플레이트(1)가 도 25에 제시된 방법에 적용된 예이다. 휨이 없는 플레이트(1)를 투광성 재질(예: 유리)로 형성함으로써, 상기된 장점을 모두 누리는 한편, 노광 공정에도 아무런 문제를 일으키지 않게 된다.37 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure, in which the warp-free plate 1 used in the method shown in Fig. 36 is applied to the method shown in Fig. By forming the plate 1 having no warpage with a light-transmitting material (for example, glass), all of the advantages described above are achieved, and no problem occurs in the exposure process.

도 38 내지 도 41은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 31에 도시된 방법과 달리, 절연막 또는 광 반사막 등으로 기능하는 격벽(6a)이 봉지제(4; 도 39 참조)를 형성하기 이전에 접착제(3)가 형성된 플레이트(1) 위에 형성된다. 격벽(6a)은 백색 PSR, 검은색 PSR, 또는 SiO2, Al2O3, TiO2 또는 이들의 세라믹 미립자가 함유된 고분자 조성물, 기존 실리콘 수지 혹은 에폭시 수지 조성물, 또는 기존 LED 패키지에 사용되는 사출 플라스틱, 금속 등으로 이루어질 수 있으며, 재질에 따라 포토리소그라피 공정, 증착, 사출, 스크린 프린팅, 도팅, 스텐실, 잉크제팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 바람직하게는 격벽(6a)이 경사면(4b)을 가지지만, 이에 한하지 않으며, 단면이 사각형, 사각형, 곡면 등 다양한 형태를 가질 수 있으며, 높이와 폭도 필요에 따라 조절될 수 있다. 다음으로, 도 39에 도시된 바와 같이, 봉지제(4)가 도포된다. 이어서, 도 40에 도시된 바와 같이, 플레이트(1)가 제거된다. 접착제(3)에 열 및/또는 광을 가하여 플레이트(1)를 분리하거나, 적절한 제거액을 통해 플레이트(1)를 분리할 수 있다. 필요에 따라, 도 41에 도시된 바와 같이, 외부 전극(81,91)이 형성되고, 절단된다. 반도체 소자(2)는 격벽(6a)의 형성의 전후에 플레이트(1)에 고정될 수 있다. 38 to 41 are views showing another example of a method of manufacturing the semiconductor device structure shown in Fig. 30, in which, unlike the method shown in Fig. 31, the partition 6a functioning as an insulating film, (3) is formed on the plate (1) on which the adhesive (3) is formed before forming the adhesive layer (4; The partition wall 6a is made of a polymer composition containing white PSR, black PSR or SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 or ceramic fine particles thereof, an existing silicone resin or epoxy resin composition, Plastic, metal, or the like, and may be formed by a photolithography process, deposition, injection, screen printing, dotting, stencil, ink jetting or the like depending on the material. Preferably, the partition 6a has an inclined surface 4b, but it may have various shapes such as a rectangular shape, a square shape, a curved shape, and the like, and the height and width may be adjusted as needed. Next, as shown in Fig. 39, an encapsulating agent 4 is applied. Then, as shown in Fig. 40, the plate 1 is removed. It is possible to remove the plate 1 by applying heat and / or light to the adhesive 3, or to separate the plate 1 through a suitable removing liquid. If necessary, external electrodes 81 and 91 are formed and cut as shown in Fig. The semiconductor element 2 can be fixed to the plate 1 before and after the formation of the partition wall 6a.

도 42는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4) 위에 추가의 층(41)이 구비되어 있다. 추가의 층(41)은 단순히 봉지제(4)를 보강하는 층일 수 있으며, 이 경우에, 봉지제(4)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 봉지제(4)의 적어도 일부에 형광체가 구비되고, 추가의 층(41)은 투명하게 형성될 수 있다. 다른 예로서, 추가의 층(41)에 형광체 및/또는 광 산란제를 함유하는 것도 가능하다. 추가의 층(41)을 봉지제(4)와 굴절률이 다른 물질로 구성하여, 광 취출 효율을 높이는 것도 가능하다. 또한 추가의 층(41)의 렌즈, 요철 등을 형성하기 위한 기저층으로 활용할 수도 있다. 필요에 따라 복수의 추가의 층(41)이 구비될 수 있음을 물론이다. 예를 들어, 아래 층에 형광체를 함유하고, 위층에 광 산란제를 함유할 수 있다. 다른 실시예에서, 추가의 층(41)이 도 38에 도시된 격벽(6a)이 구비되지 않은 반도체 소자 구조물에 적용될 수 있음은 물론이다. Fig. 42 is a diagram showing another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure, in which an additional layer 41 is provided on the encapsulating material 4. Fig. The additional layer 41 may simply be a layer reinforcing the sealing agent 4, and in this case, it may be made of the same material as the sealing agent 4. For example, at least a part of the encapsulant 4 is provided with a phosphor, and the additional layer 41 can be formed transparently. As another example, it is also possible to include a phosphor and / or a light scattering agent in the additional layer 41. It is also possible to increase the light extraction efficiency by constituting the additional layer 41 with a material having a different refractive index from the encapsulating agent 4. [ It may also be used as a base layer for forming lenses, irregularities and the like of the additional layer (41). It goes without saying that a plurality of additional layers 41 may be provided as required. For example, a phosphor may be contained in the lower layer, and a light scattering agent may be contained in the upper layer. Needless to say, in another embodiment, the additional layer 41 may be applied to a semiconductor device structure without the partition 6a shown in Fig.

도 43은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 렌즈(4c)가 형성되어 있다. 도 43에서, 하나의 렌즈(4c)가 하나의 반도체 소자(2)에 대응하지만, 본 개시는 이에 한하지 않으며, 하나의 렌즈(4c)가 복수의 반도체 소자를 커버하거나, 복수의 렌즈가 하나의 반도체 소자(2)에 구비될 수 있고, 복수의 렌즈가 복수의 반도체 소자를 위해 구비될 수 있음은 물론이다. 렌즈(4c)는 봉지제(4)에 직접 형성되거나, 도 42에 도시된 추가의 층(41)에 형성될 수 있다.43 is a view showing another example of the semiconductor element structure according to the present disclosure, in which the encapsulation agent 4 is provided with a lens 4c. In Fig. 43, one lens 4c corresponds to one semiconductor element 2, but the present disclosure is not limited to this, and one lens 4c may cover a plurality of semiconductor elements, The semiconductor device 2 of the present invention may be provided with a plurality of lenses for a plurality of semiconductor devices. The lens 4c may be formed directly on the encapsulating material 4 or may be formed on the additional layer 41 shown in Fig.

도 44는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 요철(4g)이 형성되어 있다. 요철(4g)은 봉지제(4)에 직접 형성되거나, 도 42에 도시된 추가의 층(41)에 형성될 수 있다.44 shows another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure, in which the concave and convex portions 4g are formed in the encapsulating material 4. In Fig. The protrusions 4g may be formed directly on the encapsulating agent 4 or may be formed on the additional layer 41 shown in Fig.

렌즈(4c)와 요철(4g)은 봉지제(4) 또는 추가의 층(42)의 경화 이전에 렌즈(4c) 또는 요철(4g) 형상을 가지는 구조물을 이용하여 형성할 수 있다.The lens 4c and the concave and convex portions 4g can be formed by using a structure having the shape of the lens 4c or the concavo-convex 4g before the curing of the encapsulating agent 4 or the additional layer 42. [

도 45는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 렌즈(4c) 위에 광 산란제(예: 알루미늄 옥사이드 , 실리콘 옥사이드 , 티타늄 옥사이드 등의 산화물 미립자)를 함유하는 광 산란층(4y)이 더 구비되어 있다. 광 산란층(4y)은 도 42에 도시된 방법으로 형성될 수 있으며, 또한 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.45 is a view showing another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure. The light scattering layer 4c includes a light scattering material (for example , oxide fine particles such as aluminum oxide , silicon oxide , titanium oxide , etc.) (4y). The light scattering layer 4y may be formed by the method shown in FIG. 42, or may be formed by a method such as spin coating.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 봉지제가 캐리어로 역할하는 반도체 소자 구조물(1) Semiconductor device structure in which the encapsulant acts as a carrier

(2) 플레이트로부터 분리된 봉지제 하면을 가지는 반도체 소자 구조물 (2) Semiconductor device structure having an encapsulation bottom separated from a plate

(3) 반도체 소자의 전극이 위치하는 면을 제외한 봉지제의 외면들이 구조물 또는 패키지의 외면을 이루는 반도체 소자 구조물(3) Semiconductor device structure in which the outer surfaces of the encapsulant, except the surface on which the electrodes of the semiconductor device are located,

(4) 반도체 소자들을 봉지제를 이용하여 결합한 반도체 소자 구조물(4) Semiconductor device structure in which semiconductor elements are combined using an encapsulant

(5) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 반도체 소자와 격벽을 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 반도체 발광소자이며, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자와 격벽을 봉지제로 덮는 단계; 반도체 소자와 격벽을 남겨두고, 봉지제로부터 플레이트를 분리하는 단계; 그리고, 봉지제를 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(5) A method for manufacturing a semiconductor device structure, comprising the steps of: (a) fixing a semiconductor device and a partition on a plate, wherein the semiconductor device is a semiconductor light emitting device; Covering the semiconductor element and the partition with an encapsulating material; Separating the plate from the encapsulant, leaving the semiconductor element and the partition wall; And cutting the encapsulant. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >

(6) 절단하는 단계에 앞서, 봉지제 위에 적어도 하나의 추가의 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. 추가의 층은 봉지제와 같은 재질 또는 다른 재질로 형성될 수 있다. 봉지제 및 추가의 층 중의 적어도 하나에, 형광체, 광 산란제 등을 전체적으로, 하나의 층으로 또는 농도(concentration)를 변경하면서 형성할 수 있다.(6) prior to the step of cutting, forming at least one additional layer on the encapsulant. The additional layer may be formed of the same material as the encapsulant or of another material. A light-scattering agent and the like may be formed in at least one of the sealing agent, the sealing agent and the additional layer in a single layer or in a concentration-changing manner.

(7) 절단하는 단계에 앞서, 봉지제에 렌즈를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(7) prior to the step of cutting, forming a lens in the encapsulant.

(8) 렌즈 위에 형성된 광 산란층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(8) a light scattering layer formed over the lens. ≪ RTI ID = 0.0 > 8. < / RTI >

(9) 절단하는 단계에 앞서, 봉지제에 요철을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(9) The method of manufacturing a semiconductor device structure according to any one of the preceding claims, further comprising the step of forming irregularities in the sealing agent prior to the step of cutting.

(10) 격벽은 광 반사막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(10) A method of manufacturing a semiconductor device structure, wherein the barrier rib is a light reflecting film.

(11) 반도체 소자 구조물에 있어서, 봉지제; 봉지제에 의해 둘러싸이며, 봉지제의 하부로 전극이 노출되는 반도체 발광소자;로서 반도체 발광소자인 반도체 소자; 전극이 노출되는 측의 봉지제에 결합되며, 광 반사막인 격벽; 그리고, 봉지제와 격벽에 의해 형성되는 측면;으로서, 연속하여 이어진 절단된 측면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물.(11) A semiconductor device structure comprising: an encapsulating agent; A semiconductor light emitting element surrounded by an encapsulating agent and exposing an electrode to a lower portion of the encapsulating agent; A barrier rib which is a light reflecting film and is bonded to an encapsulating material on an exposed side of the electrode; And a side surface formed by the sealing agent and the partition wall, wherein the side surface is a continuously formed side surface.

(12) 봉지제의 상부에 렌즈를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물.(12) A semiconductor device structure comprising a lens on top of an encapsulant.

(13) 격벽은 백색인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물. 격벽의 백색 물질(백색 PSR, 종래 LED 패키지에 사용되는 백색 고분자 물질 등)로 형성하여, 광 반사막에 의한 광 흡수를 줄일 수 있게 된다.(13) The semiconductor device structure according to any one of the preceding claims, wherein the barrier ribs are white. (White PSR, a white polymer material used in a conventional LED package, or the like) of the barrier ribs to reduce light absorption by the light reflection film.

본 개시에 따른 하나의 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 반도체 소자 구조물 또는 패키지를 쉽게 제조할 수 있게 된다.The method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure makes it possible to easily manufacture a semiconductor device structure or a package.

또한 본 개시에 따른 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 봉지제가 캐리어로 역할하는 구조물 또는 패키지를 만들 수 있게 된다.Also, the method of fabricating another semiconductor device structure according to the present disclosure makes it possible to fabricate a structure or package in which the encapsulant acts as a carrier.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 투광성 봉지제가 캐리어로 역할하는 발광소자 구조물 또는 패키지를 만들 수 있게 된다.Further, according to another method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure, a light emitting device structure or a package in which a transparent encapsulant serves as a carrier can be manufactured.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 복수의 반도체 소자를 쉽게 전기적으로 연결할 수 있게 된다.Further, according to another method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure, a plurality of semiconductor devices can be easily electrically connected.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 다른 구조의 반도체 소자들을 쉽게 전기적으로 연결할 수 있게 된다Further, the method of manufacturing another semiconductor device structure according to the present disclosure makes it easy to electrically connect semiconductor devices of different structures

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 봉지제에 거친 표면 또는 요철을 형성할 수 있게 된다.In addition, according to another method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure, it is possible to form a rough surface or irregularities in an encapsulating material.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 격벽을 반도체 구조물 형성 공정에서 쉽게 추가할 수 있게 된다.Further, according to another semiconductor device structure and a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure, the partition walls can be easily added in the semiconductor structure forming process.

플레이트 1 반도체 소자 2 접착제 3Plate 1 Semiconductor device 2 Adhesive 3

Claims (9)

반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서,
플레이트 위에 반도체 소자와 격벽을 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 반도체 발광소자이며, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계;
반도체 소자와 격벽을 봉지제로 덮는 단계;
반도체 소자와 격벽을 남겨두고, 봉지제로부터 플레이트를 분리하는 단계; 그리고,
봉지제를 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.A method of manufacturing a semiconductor device structure,
Positioning the semiconductor element and the barrier rib on the plate, wherein the semiconductor element is a semiconductor light emitting element, the method comprising: positioning the electrode of the semiconductor element toward the plate;
Covering the semiconductor element and the partition with an encapsulating material;
Separating the plate from the encapsulant, leaving the semiconductor element and the partition wall; And,
And cutting the encapsulant. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI > 청구항 1에 있어서,
절단하는 단계에 앞서, 봉지제 위에 적어도 하나의 추가의 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Further comprising forming at least one additional layer on the encapsulant prior to the step of severing the semiconductor device structure. 청구항 1에 있어서,
절단하는 단계에 앞서, 봉지제에 렌즈를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Further comprising the step of forming a lens in the encapsulant prior to the step of cutting. 청구항 3에 있어서,
렌즈 위에 형성된 광 산란층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method of claim 3,
Further comprising a light scattering layer formed over the lens. ≪ RTI ID = 0.0 > 31. < / RTI > 청구항 1에 있어서,
절단하는 단계에 앞서, 봉지제에 요철을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Further comprising the step of forming a concavity and convexity in the encapsulant prior to the step of cutting the semiconductor device structure. 청구항 1에 있어서,
격벽은 광 반사막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein the barrier is a light reflecting film. 반도체 소자 구조물에 있어서,
봉지제;
봉지제에 의해 둘러싸이며, 봉지제의 하부로 전극이 노출되는 반도체 발광소자;로서, 반도체 발광소자인 반도체 소자;
전극이 노출되는 측의 봉지제에 결합되며, 광 반사막인 격벽; 그리고,
봉지제와 격벽에 의해 형성되는 측면;으로서, 연속하여 이어진 절단된 측면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물. In a semiconductor device structure,
Encapsulant;
A semiconductor light emitting element surrounded by an encapsulating agent and exposing an electrode to a lower portion of the encapsulating agent;
A barrier rib which is a light reflecting film and is bonded to an encapsulating material on an exposed side of the electrode; And,
A side formed by the encapsulant and the septum, and a successively joined cut side. 청구항 7에 있어서,
봉지제의 상부에 렌즈를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물.The method of claim 7,
And a lens on top of the encapsulant. 청구항 7에 있어서,
격벽은 백색인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물.
The method of claim 7,
And the barrier ribs are white.
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