KR101460742B1 - Method of manufacutruing semiconductor device structure - Google Patents

Method of manufacutruing semiconductor device structure Download PDF

Info

Publication number
KR101460742B1
KR101460742B1 KR1020130007326A KR20130007326A KR101460742B1 KR 101460742 B1 KR101460742 B1 KR 101460742B1 KR 1020130007326 A KR1020130007326 A KR 1020130007326A KR 20130007326 A KR20130007326 A KR 20130007326A KR 101460742 B1 KR101460742 B1 KR 101460742B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
lens
encapsulant
device structure
semiconductor element
Prior art date
Application number
KR1020130007326A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140094818A (en
Inventor
김창태
이창훈
Original Assignee
주식회사 씨티랩
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 씨티랩 filed Critical 주식회사 씨티랩
Priority to KR1020130007326A priority Critical patent/KR101460742B1/en
Priority to PCT/KR2014/000648 priority patent/WO2014116035A1/en
Publication of KR20140094818A publication Critical patent/KR20140094818A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101460742B1 publication Critical patent/KR101460742B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Abstract

본 개시는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 반도체 발광소자인 반도체 소자를 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자를 봉지제로 덮는 단계; 홀이 형성된 마스크를 이용하여 봉지제를 가압하여, 홀 내로 봉지제가 유입되도록 하여 반도체 소자 위에 렌즈를 형성하는 단계; 그리고, 렌즈가 형성된 봉지제와 반도체 소자를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method of manufacturing a semiconductor device structure, the method comprising: positioning a semiconductor element, which is a semiconductor light emitting element, on a plate, the position of the electrode of the semiconductor element facing the plate; Covering the semiconductor element with an encapsulating material; Forming a lens on the semiconductor element by pressing the sealing agent using a mask having a hole to allow the sealing agent to flow into the hole; And cutting the semiconductor element together with the encapsulating agent having the lens formed thereon.

Description

반도체 소자 구조물을 제조하는 방법{METHOD OF MANUFACUTRUING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE}[0001] METHOD OF MANUFACUTRUING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE [0002]

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 렌즈를 구비한 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.Disclosure relates generally to a method of manufacturing a semiconductor device structure, and more particularly to a method of manufacturing a semiconductor device structure with a lens.

여기기, 반도체 소자라 함은 반도체 발광소자(예: 레이저 다이오드), 반도체 수광소자(예: 포토 다이오드), p-n접합 다이오드 전기 소자, 반도체 트랜지스터 등을 포함하며, 대표적으로 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물 반도체층을 포함하는 발광다이오드와 같은 발광소자를 의미하며, 추가적으로 SiC, SiN, SiCN, CN와 같은 다른 족(group)의 원소들로 물질이나 이들 물질로 된 반도체층을 포함하는 것을 배제하는 것은 아니다.Examples of the excitation and semiconductor elements include semiconductor light emitting elements (e.g., laser diodes), semiconductor light receiving elements (e.g., photodiodes), pn junction diode electric elements, semiconductor transistors and the like. Representatively, a Group III nitride semiconductor light emitting element is exemplified . The III-nitride semiconductor light emitting device includes a compound semiconductor layer made of Al (x) Ga (y) In (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Such as SiC, SiN, SiCN, and CN, but does not exclude the inclusion of a material or a semiconductor layer of these materials.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800)이 형성되어 있다. 여기서, 기판(100) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다.FIG. 1 is a diagram showing a conventional semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200, a first semiconductor layer (not shown) having a first conductivity 300, an active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes, and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited, A conductive film 600 and an electrode 700 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 300. An electrode 800 serving as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 300. [ Here, when the substrate 100 side is placed in the package, it functions as a mounting surface.

도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100; 예: 사파이어 기판), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901; 예: Ag 반사막), 전극막(902; 예: Ni 확산 방지막) 및 전극막(903; 예: Au 본딩층)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(903) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다. 열방출 효율의 관점에서, 도 1에 도시된 래터럴 칩(Lateral Chip)보다 도 2에 도시된 플립 칩(Flip Chip) 또는 정션 다운형(Junction Down Type) 칩이 열방출 효율이 우수하다. 래터럴 칩이 80~180㎛의 두께를 가지는 사파이어 기판(100)을 통해 열을 외부로 방출해야 하는 반면에, 플립 칩은 활성층(400)에 가깝게 위치하는 금속으로 된 전극(901,902,903)을 통해 열을 방출할 수 있기 때문이다.2 is a diagram showing another example of a conventional semiconductor light emitting device (Flip Chip). A semiconductor light emitting device includes a substrate 100 (e.g., a sapphire substrate), a first semiconductor layer having a first conductivity An active layer 400 (e.g., InGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of electrons and holes, a second semiconductor layer 400 having a second conductivity different from the first conductivity, (Ag reflective film) 901 (for example, Ag reflective film) for reflecting light onto the substrate 100 side, and an electrode film 901 (for example, a p-type GaN layer) An electrode 800 (e.g., Cr / Ni / Au) functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300 exposed and etched to form an electrode film 903 (e.g., Au diffusion layer) Laminated metal pads) are formed. Here, when the electrode film 903 side is placed in the package, it functions as a mounting surface. Flip chip or junction down type chips shown in FIG. 2 are superior to the lateral chips shown in FIG. 1 in heat radiation efficiency in terms of heat emission efficiency. The lateral chip must emit heat through the sapphire substrate 100 having a thickness of 80 to 180 mu m while the flip chip emits heat through the metal electrodes 901, 902 and 903 located close to the active layer 400 Because it can emit.

도 15는 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 패키지는 리드 프레임(110,120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자(150; Vertical Type Light-emitting Chip)가 구비되어 있고, 캐비티(140)는 형광체(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)에서 나온 광(예: 청색광)의 일부가 형광체(160)를 여기시켜 형광체(160)가 광(예: 황색광)을 만들고, 이 광들(청색광+황색광)이 백색광을 만든다. 여기서, 몰드(130)-봉지제(170) 또는 리드 프레임(110,120)-몰드(130)-봉지제(170)가 수직형 반도체 발광소자를 담지한 채로, 반도체 발광소자 패키지의 지지체 즉, 캐리어(Carrier)로 역할한다. 15 is a diagram illustrating a conventional semiconductor light emitting device package or a semiconductor light emitting device structure. The semiconductor light emitting device package includes lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical semiconductor light emitting device Emitting chip, and the cavity 140 is filled with an encapsulant 170 containing the fluorescent material 160. The encapsulant 170 may be a light-emitting chip. The lower surface of the vertical semiconductor light emitting device 150 is electrically connected to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light (for example, blue light) emitted from the vertical type semiconductor light emitting device 150 excites the phosphor 160 so that the phosphor 160 makes light (for example, yellow light), and these lights (blue light + Make white light. In this case, the mold 130, the encapsulant 170, the lead frames 110 and 120, the mold 130, and the encapsulant 170 carry the vertical semiconductor light emitting device, Carrier).

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 반도체 발광소자인 반도체 소자를 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자를 봉지제로 덮는 단계; 홀이 형성된 마스크를 이용하여 봉지제를 가압하여, 홀 내로 봉지제가 유입되도록 하여 반도체 소자 위에 렌즈를 형성하는 단계; 그리고, 렌즈가 형성된 봉지제와 반도체 소자를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a method of fabricating a semiconductor device structure comprising: locating a semiconductor device, which is a semiconductor light emitting device, on a plate, Fixing the position to face the plate; Covering the semiconductor element with an encapsulating material; Forming a lens on the semiconductor element by pressing the sealing agent using a mask having a hole to allow the sealing agent to flow into the hole; And cutting the semiconductor element together with the encapsulation agent having the lens formed thereon.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따라 플립 칩 패키지를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 사용의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 12은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 15는 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 16 내지 도 18은 도 11에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 19는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 20은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 21 내지 도 23은 도 12에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 24는 도 14에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 25는 본 개시에 따른 홀이 형성된 마스크의 일 예를 나타내는 도면,
도 26은 본 개시에 따라 복수의 렌즈가 형성된 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 27은 도 24에 도시된 렌즈를 형성하는 원리를 설명하는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device (lateral chip)
2 is a view showing another example (Flip Chip) of a conventional semiconductor light emitting device,
Figure 3 shows an example of a method of manufacturing a semiconductor device structure in accordance with the present disclosure;
4 is a diagram illustrating an example of a method for manufacturing a flip chip package in accordance with the present disclosure;
5 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure,
6 is a diagram illustrating an example of a semiconductor device structure according to the present disclosure;
7 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure;
8 is a view showing another example of a semiconductor device structure according to the present disclosure,
9 is a diagram illustrating an example of the use of a semiconductor device structure in accordance with the present disclosure;
10 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure;
11 is a diagram showing another example of a semiconductor device structure according to the present disclosure,
12 is a diagram showing another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure,
13 is a diagram showing another example of a semiconductor device structure according to the present disclosure,
14 is a diagram showing another example of a semiconductor device structure according to the present disclosure,
15 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device package or a semiconductor light emitting device structure,
16 to 18 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor device structure shown in FIG. 11,
19 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure;
20 is a diagram illustrating another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure;
Figs. 21 to 23 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor device structure shown in Fig. 12,
24 is a view showing an example of a method of manufacturing the semiconductor device structure shown in FIG. 14,
25 is a view showing an example of a mask having a hole according to the present disclosure,
26 is a view showing an example of a semiconductor element structure in which a plurality of lenses are formed according to the present disclosure;
27 is a view for explaining the principle of forming the lens shown in Fig.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1)를 준비한 다음, 두 개의 전극(80,90)이 구비된 반도체 소자(2)를 접착제(3)를 이용하여 플레이트(1)에 위치 고정한다. 다음으로, 봉지제(4; encapsulating material)를 이용하여, 반도체 소자(2)를 감싼다. 다음으로, 플레이트(1)와 반도체 소자(2)를 분리한다. 플레이트(1)를 이루는 물질에는 특별한 제한이 없으며, 사파이어와 같은 물질을 사용하여도 좋고, 금속이나 유리 등의 평평평한 구조물을 사용하여도 좋다. 접착제(3)를 이루는 물질에도 특별한 제한이 없으며, 반도체 소자(2)를 플레이트(1)에 위치 고정만 할 수 있다면 어떠한 접착제여도 좋다. 봉지제(3)를 이루는 물질로는 종래에 LED 패키지에 사용되는 실리콘 에폭시가 사용될 수 있다. 봉지제(4)가 형성된 후, 반도체 소자(2)와 플레이트(1)의 분리는 접착제(3)를 녹일 수 있는 열을 가하거나, 접착제(3)를 녹일 수 있는 용제를 이용함으로써 가능하다. 열과 용제를 함께 사용하는 것도 가능하다. 또한 접착 테이프를 이용하는 것도 가능하다. 봉지제(4)는 종래에 사용되는 디스펜싱, 스크린 프린팅, 몰딩, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성할 수 있으며, 광경화성 수지(UV경화성 수지)를 도포한 후, 광을 조사함으로써 형성하는 것도 가능하다. 플레이트(1)로 사파이어와 같이 투광성 플레이트가 사용되는 경우에, 플레이트(1) 측으로부터 광을 조사하는 것도 가능하다. 설명을 위해, 플레이트(1) 위에 하나의 반도체 소자(2)를 도시하였지만, 복수의 반도체 소자(2)를 플레이트(1) 위에 두고 공정을 행할 수 있다. 여기서 반도체 소자(2)는 두 개의 전극(80,90)을 가지는 것으로 설명되었지만, 그 수에 특별히 제한이 있는 것은 아니다. 예를 들어, 트랜지스터의 경우에 세 개의 전극을 가질 수 있다.3 is a diagram showing an example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. After a plate 1 is prepared, a semiconductor element 2 provided with two electrodes 80 and 90 is bonded to an adhesive 3 ) Is fixed to the plate (1). Next, the encapsulating material (4) is used to wrap the semiconductor element (2). Next, the plate 1 and the semiconductor element 2 are separated. The material constituting the plate 1 is not particularly limited, and a material such as sapphire may be used, or a flat flat structure such as a metal or glass may be used. There is no particular limitation on the material forming the adhesive 3, and any adhesive may be used as long as it can fix the semiconductor element 2 to the plate 1 only. As the material forming the sealing agent 3, a silicone epoxy conventionally used in an LED package can be used. After the sealing agent 4 is formed, separation between the semiconductor element 2 and the plate 1 can be performed by applying heat to melt the adhesive 3 or by using a solvent capable of melting the adhesive 3. It is also possible to use heat and solvent together. It is also possible to use an adhesive tape. The encapsulant 4 may be formed by conventional methods such as dispensing, screen printing, molding, and spin coating. Alternatively, the encapsulant 4 may be formed by applying a photo-curing resin (UV curable resin) Do. In the case where a translucent plate such as sapphire is used for the plate 1, it is also possible to irradiate light from the plate 1 side. For the sake of explanation, one semiconductor element 2 is shown on the plate 1, but a plurality of semiconductor elements 2 can be placed on the plate 1 to carry out a process. Although the semiconductor element 2 has been described as having two electrodes 80 and 90, the number of the semiconductor elements 2 is not particularly limited. For example, in the case of a transistor, it can have three electrodes.

도 4는 본 개시에 따라 플립 칩 패키지를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2)로서, 정션 다운 형 칩이 제시되어 있다. 정션 다운 형 칩으로서, 도 2에 도시된 것과 같은 플립 칩형 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 따라서 반도체 발광소자는 도 2에서와 같이, 기판(100; 예: 사파이어 기판), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901; 예: Ag 반사막), 전극막(902; 예: Ni 확산 방지막) 및 전극막(903; 예: Au 본딩층)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성된 구조를 가질 수 있다. 반도체 소자(2)는 두 개의 전극(80,90)을 가지며, 전극(90)은 도 2의 전극(901,902,903)과 같은 구성을 가져도 좋고, DBR(Distributed Bragg Reflector)과 금속 반사막의 조합으로 이루어져도 좋다. 전극(80)과 전극(90)은 SiO2와 같은 절연막(5)에 의해 전기적으로 절연되어 있다. 이후의 과정은 동일하며, 봉지제(4; encapsulating material)를 이용하여, 반도체 소자(2)를 감싼다. 다음으로, 플레이트(1)와 접착제(3)로부터 반도체 소자(2)를 분리한다.Fig. 4 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a flip chip package according to the present disclosure. As a semiconductor element 2, a junction down type chip is presented. As a junction down type chip, a flip chip type semiconductor light emitting element as shown in Fig. 2 can be exemplified. 2, a semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer 300 (e.g., an n-type GaN layer) having a first conductivity, a first semiconductor layer 300 having a first conductivity An active layer 400 (e.g., InGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of a first conductivity and a second semiconductor layer 500 (e.g., a p-type GaN layer) (For example, an Ag reflective film), an electrode film 902 (for example, a Ni diffusion preventing film), and an electrode film 903 (for example, Au bonding layer) is formed on the first semiconductor layer 300 and an electrode 800 (e.g., Cr / Ni / Au laminated metal pad) functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300 exposed and etched. The semiconductor device 2 has two electrodes 80 and 90. The electrode 90 may have the same structure as the electrodes 901, 902 and 903 of FIG. 2, or may be a combination of DBR (Distributed Bragg Reflector) It is also good. The electrode 80 and the electrode 90 are electrically insulated by an insulating film 5 such as SiO 2 . The subsequent process is the same, and the encapsulating material 4 is used to wrap the semiconductor element 2. Next, the semiconductor element 2 is separated from the plate 1 and the adhesive 3.

도 5는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1) 위에 복수의 반도체 소자(2,2)가 일체로 봉지제(4)에 의해 덮혀 있다. 플레이트(1)를 제거한 후, 반도체 소자(2,2)를 일체로서 하나의 패키지화하는 것이 용이해진다. 반도체 소자(2)와 반도체 소자(2)의 전기적 연결 방법에 대해서는 후술한다. 또한 이들을 도 3에서와 같이 개별적인 반도체 소자(2)로 분리하는 것도 가능하다. 이는 복수의 반도체 소자(2,2)를 플레이트(1)로부터 분리한 후, 쏘잉(sawing) 등의 공정을 통해 개별화함으로써 가능하다. 경화후 연성을 가지는 봉지제(4)를 사용함으로써, 연성 회로기판과의 결합을 한층 높일 수 있게 된다.5 is a diagram showing another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. A plurality of semiconductor elements 2, 2 are integrally covered with a sealing agent 4 on a plate 1. After the plate 1 is removed, it becomes easy to package the semiconductor elements 2, 2 integrally. A method of electrically connecting the semiconductor element 2 and the semiconductor element 2 will be described later. It is also possible to separate them into individual semiconductor elements 2 as in Fig. This can be achieved by separating a plurality of semiconductor elements 2, 2 from the plate 1, and then individualizing them through a process such as sawing. By using the sealing agent 4 having softness after curing, bonding with the flexible circuit board can be further enhanced.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)의 측면(4a)이 경사지도록 형성되어 있다. 반도체 소자(2)가 발광소자인 경우에, 봉지제(4)가 다양한 각의 외면을 갖게 되어, 패키지 외부로의 광 추출 효율이 높아지게 된다. 스크린 프린팅시, 스크린 격벽을 경사지게 형성하여 측면(4a)의 형성이 가능하며, 쏘잉시, 끝이 뾰족한 커터를 이용함으로써 측면(4a)의 형성이 가능하다.6 is a view showing an example of a semiconductor element structure according to the present disclosure, in which the side surface 4a of the sealing agent 4 is formed to be inclined. In the case where the semiconductor element 2 is a light emitting element, the sealing agent 4 has various angular outer surfaces, so that light extraction efficiency to the outside of the package becomes high. During screen printing, the side wall 4a can be formed by inclining the screen bulkhead, and the side surface 4a can be formed by using a sharp-pointed cutter at the time of cutting.

도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1)가 제거된 후, SiO2와 같은 절연막(6)을 전극(80)과 전극(90)을 노출한 상태로 구비하고 있다. 이후, 전극(80)에 외부 전극(81)을 연결하고, 전극(90)에 외부 전극(91)을 형성하여, 종래의 패키지와 같은 구조로 만들 수 있게 된다. 외부 전극(81,91)은 종래 패키지의 리드 프레임에 대응할 수 있다. 또한 외부 전극(81,91)을 반사막으로 기능하도록 넓게 펼쳐 증착하는 것도 가능하다. 절연막(6)은 단순히 절연 기능만을 하여도 좋고, 외부 전극(81,91)에 의한 광 흡수를 줄이도록 SiO2/TiO2의 교대 적층구조를 형성하거나 DBR을 이루어도 좋다. 도 4에서와 같이 반도체 소자(2)가 절연막(5)을 구비하는 경우에는 절연막(6)이 생략될 수도 있다. 절연막(6)과 외부 전극(81,91)의 형성에 사용되는 증착 공정과 포토리쏘그라피 공정 등은 반도체 칩 공정에서 일반적인 것으로 당업자에 매우 익숙한 것이다. 외부 전극(81,91)을 구비함으로써, PCB, COB 등에의 장착이 보다 용이해질 수 있다. 필요한 경우에, 외부 전극(81,91) 없이 절연막(6)만을 구비하는 것도 가능하다. 절연막(6)은 반도체 소자(2)와 봉지제(4) 사이를 보호하는 기능을 할 뿐만 아니라, 봉지제(4)를 외부 전극(81,91) 형성 공정으로부터 보호하는 기능도 할 수 있다. 또한 절연막(6)을 백색 물질로 형성하여, 절연막(6)을 반사막으로 기능하게 할 수 있다. 예를 들어, 백색의 PSR(Photo Sloder Resist)을 절연막(6)으로 이용하거나, 코팅하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 백색의 PSR을 스크린 프린팅 또는 스핀 코팅한 다음, 일반적인 포토리소그라피 공정을 통해 패터닝할 수 있다.7 shows another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. After the plate 1 is removed, an insulating film 6 such as SiO 2 is formed on the electrode 80 and the electrode 90, As shown in FIG. Thereafter, the external electrode 81 is connected to the electrode 80, and the external electrode 91 is formed on the electrode 90, so that the structure of the conventional package can be obtained. The external electrodes 81 and 91 may correspond to the lead frame of the conventional package. It is also possible to spread the external electrodes 81 and 91 widely to function as a reflective film. The insulating film 6 may have merely an insulating function or alternatively may have a laminated structure of SiO 2 / TiO 2 or DBR so as to reduce light absorption by the external electrodes 81 and 91. When the semiconductor element 2 includes the insulating film 5 as shown in FIG. 4, the insulating film 6 may be omitted. The deposition process and the photolithography process used for forming the insulating film 6 and the external electrodes 81 and 91 are generally used in a semiconductor chip process and are well known to those skilled in the art. By providing the external electrodes 81 and 91, mounting to the PCB, COB, and the like can be facilitated. It is also possible to provide only the insulating film 6 without the external electrodes 81 and 91, if necessary. The insulating film 6 not only functions to protect the semiconductor element 2 and the encapsulating agent 4 but also can function to protect the encapsulating agent 4 from the process of forming the external electrodes 81 and 91. [ Further, the insulating film 6 may be formed of a white material so that the insulating film 6 functions as a reflecting film. For example, a white PSR (Photo Slot Resist) can be used as the insulating film 6 or coated thereon. For example, white PSR may be screen-printed or spin-coated, and then patterned through a general photolithographic process.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 전기적으로 직렬 연결된 반도체 소자(2A)와 반도체 소자(2B)가 구비되어 있다. 반도체 소자(2A)의 음(-) 전극(80A)과 반도체 소자(2B)의 양(+) 전극(90B)을 외부 전극(89)을 통해 연결함으로써 이러한 구성이 가능해진다. 미설명 부호 4는 봉지제이며, 6은 절연막이고, 90A은 반도체 소자(2A)의 양(+) 전극이며, 80B는 반도체 소자(2B)의 음(-) 전극이다. 이러한 구성을 통해, 모노리식 기판의 사용 없이, 봉지제(4)를 통해 일체화된 반도체 소자(2A,2B) 간의 전기적 연결을 형성할 수 있게 된다. 모노리식 기판의 경우에, 그 위의 반도체 소자의 구조가 동일하지만, 본 개시의 방법에 의하면, 반도체 소자(2A)와 반도체 소자(2B)가 같은 기능의 소자일 필요가 없다. 반도체 소자(2A,2B)를 병렬연결할 수 있음은 물론이다. 또한 봉지제(4)의 측면(4a)을 도 6에서와 같이 경사지게 형성할 수 있으며, 이러한 구성은 기존에 상상할 수 없었던 고전압(High-Voltage) 반도체 발광소자 패키지 내지는 반도체 발광소자 구조물을 가능하게 한다.FIG. 8 is a view showing another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure, and includes a semiconductor device 2A and a semiconductor device 2B electrically connected in series. This configuration is possible by connecting the negative (-) electrode 80A of the semiconductor element 2A and the positive (+) electrode 90B of the semiconductor element 2B through the external electrode 89. Reference numeral 4 denotes an encapsulant; 6, an insulating film; 90A, a positive electrode of the semiconductor element 2A; and 80B, a negative electrode of the semiconductor element 2B. With this configuration, the electrical connection between the integrated semiconductor elements 2A and 2B can be formed through the sealing agent 4 without using the monolithic substrate. In the case of a monolithic substrate, the structure of the semiconductor element thereon is the same, but according to the method of the present disclosure, the semiconductor element 2A and the semiconductor element 2B do not have to be the same function elements. It goes without saying that the semiconductor devices 2A and 2B can be connected in parallel. In addition, the side surface 4a of the encapsulant 4 can be inclined as shown in FIG. 6, and this configuration enables a high-voltage semiconductor light emitting device package or a semiconductor light emitting device structure that can not be imagined .

도 9는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 사용의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2C)는 인쇄회로기판(7)의 도선(7a)과 전극(80,90)이 직접 연결되어 있으며, 반도체 소자(2D)는 도선(7b)과 외부 전극(81,91)을 통해 연결되어 있다. 인쇄회로기판(7)은 연성 회로기판이어도 좋다.9A and 9B show an example of the use of the semiconductor device structure according to the present disclosure. In the semiconductor device 2C, the lead wire 7a of the printed circuit board 7 and the electrodes 80 and 90 are directly connected, The element 2D is connected to the lead wire 7b through the external electrodes 81 and 91. The printed circuit board 7 may be a flexible circuit board.

도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 2에 도시된 것과 같은 반도체 소자(2)가 구비되어 있으며, 반도체 소자(2)는 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 성장되며, 전극(80,90)이 형성되어 있다. 반도체 소자(2)를 접착제(3)를 이용해 플레이트(1)에 붙인 다음, 봉지제(4)로 덮기에 앞서, 기판(100)을 제거하고, 바람직하게는 광 취출 효율을 높이기 위해 거친 표면(301)을 형성한다. 이후의 과정은 동일하다. 기판(100)의 제거는 레이저 리프트 오프(Laser Lift-off)와 같은 공정에 의해 가능하며, 거친 표면(301)은 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각을 통해 가능하다. 이것은 칩 레벨 레이저 리프트 오프를 가능하게 한다.Fig. 10 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. Fig. 10 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure, A first semiconductor layer 300 having a first conductivity, an active layer 400 generating light through recombination of electrons and holes, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, (500) are grown, and electrodes (80, 90) are formed. The semiconductor element 2 is attached to the plate 1 using the adhesive 3 and then the substrate 100 is removed prior to covering with the encapsulating agent 4. The rough surface 301 are formed. The subsequent process is the same. The removal of the substrate 100 is possible by a process such as laser lift-off and the rough surface 301 is possible by dry etching such as ICP (Inductively Coupled Plasma). This enables chip-level laser lift-off.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 형광체가 포함되어 있다. YAG, Silicate, Nitride 형광체 등을 이용하여 원하는 색의 광을 발광할 수 있게 된다.11 shows another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure, in which the encapsulant 4 contains a phosphor. YAG, Silicate, Nitride fluorescent material or the like can be used to emit light of a desired color.

도 12은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4) 내에 또는 봉지제(4) 하부에 형광체층(8)이 형성되어 있다. 이는 봉지제(4) 내에서 형광체를 침전시키거나, 별도로 스핀 코팅하거나, 휘발성 액체에 담긴 형광체를 도포한 후 휘발시켜 형광체만 남긴 후 봉지제(4)로 덮음으로써 형성할 수 있다. 필요에 따라 복수의 형광체층(8)의 형성도 가능하다.12 shows another example of the semiconductor element structure according to the present disclosure, in which a phosphor layer 8 is formed in the encapsulating agent 4 or in the lower part of the encapsulating agent 4. [ This can be formed by depositing the phosphor in the encapsulating agent 4, spin coating it separately, applying the phosphor contained in the volatile liquid, volatilizing it, leaving only the phosphor, and covering it with the encapsulating agent 4. It is possible to form a plurality of phosphor layers 8 as required.

도 13은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 광 취출 효율을 높이기 위한 거친 표면 또는 요철(4g)이 형성되어 있다. 거친 표면(4g)은 pressing, 나노임프린트(nanoimprint) 등의 성형을 통해 형성이 가능하다. 또한 bead 물질을 도포한 후, 에칭, 샌드블라스팅 등의 방법을 통해 형성하는 것도 가능하다. 거친 표면(4g)은 플레이트(1)의 분리 이전 또는 분리 이후에 형성될 수 있다.13 shows another example of the semiconductor device structure according to the present disclosure, in which the encapsulant 4 is provided with a rough surface or protrusions 4g for enhancing the light extraction efficiency. The rough surface 4g can be formed by pressing, forming a nanoimprint, or the like. It is also possible to apply the bead material by a method such as etching, sand blasting or the like. The rough surface 4g can be formed before or after the separation of the plate 1.

도 14는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 렌즈(4c)가 형성되어 있다. 바람직하게는 렌즈(4c)는 봉지제와 일체로 형성된다. 이러한 일체형 렌즈(4c)는 압축성형 등으로 방법으로 형성하는 것이 가능하다.Fig. 14 is a diagram showing another example of the semiconductor element structure according to the present disclosure, in which the encapsulation agent 4 is provided with a lens 4c. Preferably, the lens 4c is formed integrally with the sealing agent. Such an integral type lens 4c can be formed by a method such as compression molding.

도 16 내지 도 18은 도 11에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2,2)를 접착제(3)를 이용하여 플레이트(1)에 고정한 상태에서, 형광체가 함유된 봉지제(4), 즉 형광체층(8)으로 덮는다. 다음으로 도 17에 도시된 바와 같이, 플레이트(1)를 제거하고, 도 18에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(2,2)를 서로 분리한다. 이러한 방법을 통해, 소위 형광체 내지는 형광체층(8)을 반도체 소자(2,2)에 컨포멀하게 코팅하는 것이 가능해진다. 형광체층(8)의 높이(V)와 폭(H)을 동일하게 하는 것이 가능하다. 이러한 방식의 컨포멀 코팅(봉지제(4)의 제거 내지는 형광체층(8)의 제거를 통한 컨포멀 코팅의 구성)은 종래에 스핀코팅, 스크린 프린팅 등의 방식으로 진행되던 컨포멀 코팅과 크게 구분된다.16 to 18 are views showing an example of a method for manufacturing the semiconductor device structure shown in Fig. 11. In the state where the semiconductor elements 2 and 2 are fixed to the plate 1 by using the adhesive 3, Is covered with the encapsulant 4 containing the phosphor, that is, the phosphor layer 8. Next, as shown in Fig. 17, the plate 1 is removed and the semiconductor elements 2, 2 are separated from each other, as shown in Fig. With this method, it becomes possible to conformally coat the so-called phosphor or the phosphor layer 8 with the semiconductor elements 2, 2. It is possible to make the height (V) and the width (H) of the phosphor layer 8 the same. The conformal coating of this type (constitution of the conformal coating by removal of the encapsulant 4 or removal of the phosphor layer 8) is broadly distinguished from the conformal coating which had conventionally been applied by spin coating, screen printing, do.

도 19는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 18에서 제조된 반도체 소자(2,2)를 다시 접착제(3)를 이용하여, 플레이트(1) 위에 올려놓고, 다시 봉지제(4)를 도포한다. 봉지제(4)에 다른 형광체 및/또는 광 산란을 위한 소형 입자를 추가하는 것도 가능하다. 종래와 달리 형광체층(8)과 봉지제(4) 간의 경계면에 대한 용이한 형상 제어가 가능해진다. 또한 형광체층(8)의 외형 제어 및 형광체층(8)을 덮는 봉지제(4)의 외형 제어 모두가 용이하게 가능해진다. 반대로, 외부의 봉지제(4)에 형광체를 도입하고, 내부의 봉지제(4)에는 형광체를 도입하지 않을 수도 있다. 즉, 외부의 봉지제(4)가 형광체층이 되도록 하는 것도 가능하다. 이 경우에도 양자의 경계면 및 외형 제어가 가능하다는 점은 동일하다. 형광체층(8)을 구성하는 봉지제(4)와 형광체층(8)를 덮는 봉지제(4)는 서로 동일한 물질일 수 있지만, 서로 다른 특성(굴절률, 경도, 광투과성, 경화 속도 등)의 물질일 수도 있다. 따라서 본 실시예는 두 번 이상의 동일한 또는 서로 다른 봉지제가 적용되는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 제조 방법으로 확장될 수 있다. 형광체층(8)을 가지는 경우에, 반도체 소자는 반도체 발광소자이 적용이 적합하지만, 형광체가 함유되지 않은 경우에, 반도체 소자는 반드시 반도체 발광소자일 필요는 없다.Fig. 19 is a diagram showing another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. The semiconductor device 2, 2 manufactured in Fig. 18 is again laminated on the plate 1 And then the sealing agent 4 is applied again. It is also possible to add other phosphors and / or small particles for light scattering to the encapsulating agent (4). Unlike the related art, easy control of the shape of the interface between the phosphor layer 8 and the sealing agent 4 becomes possible. It is possible to easily control both the outer shape of the phosphor layer 8 and the outer shape control of the sealing agent 4 covering the phosphor layer 8. Conversely, it is also possible to introduce the fluorescent substance into the external encapsulant 4 and not introduce the fluorescent substance into the encapsulating material 4 inside. That is, it is also possible to make the external encapsulant 4 become the phosphor layer. In this case as well, the boundary surface and contour control of both are possible. The encapsulant 4 constituting the phosphor layer 8 and the encapsulant 4 covering the phosphor layer 8 may be the same material but may have different characteristics (refractive index, hardness, light transmittance, curing rate, etc.) It may be a substance. Thus, this embodiment can be extended to a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure to which two or more identical or different encapsulants are applied. In the case of having the phosphor layer 8, the semiconductor element is preferably a semiconductor light emitting element, but when the phosphor is not contained, the semiconductor element does not necessarily have to be a semiconductor light emitting element.

도 20은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 16에서와 같이 형광체층(8)을 형성한 다음, 플레이트(1)를 제거하는 공정 없이, 형광체층(8)을 일부 제거하여 반도체 소자(2,2) 각각에 형광체층(8)이 컨포멀하게 형성된다. 이 후, 도 19에 따른 공정이 진행되는 경우에, 플레이트(1)의 사용을 한번으로 줄일 수 있는 이점을 가진다.20 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure. After forming the phosphor layer 8 as shown in Fig. 16, (8) is partly removed to form the phosphor layer (8) conformally on each of the semiconductor elements (2, 2). Thereafter, when the process according to Fig. 19 is carried out, there is an advantage that the use of the plate 1 can be reduced to one time.

도 21 내지 도 23은 도 12에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 20에 도시된 방법과 달리, 형광체층(8)을 완전히 제거하여 분리하지 않고, 일부를 남겨 두고 제거한다. 다음으로, 도 22에 도시된 바와 같이 봉지제(4)를 덮고, 도 23에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(2,2)를 분리함으로써, 반도체 소자 구조물이 제조된다. 봉지제(4)가 도 13에 도시된 형상, 도 14에 도시된 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있음은 물론이다.21 to 23 are views showing an example of a method for manufacturing the semiconductor device structure shown in Fig. 12, unlike the method shown in Fig. 20, in which the phosphor layer 8 is not completely removed and separated, Leave it and leave it. Next, a semiconductor element structure is manufactured by covering the encapsulation agent 4 as shown in Fig. 22 and separating the semiconductor elements 2,2 as shown in Fig. It goes without saying that the sealing agent 4 may have various shapes such as the shape shown in Fig. 13, the shape shown in Fig. 14, and the like.

도 24는 도 14에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 16에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(2,2)를 접착제(3)를 이용하여 플레이트(1)에 고정한 상태에서, 형광체가 함유된 봉지제(4), 즉 형광체층(8)으로 덮는다. 다음으로, 반도체 소자(2,2)를 분리하는 것이 아니라, 다시 봉지제(4)를 덮는다. 다음으로, 바람직하게는 봉지제(4)가 완전히 경화되기 전에, 도 25에 도시된 것과 같은 홀(11h)이 형성된 마스크(11)를 이용하여, 봉지제(4)를 가압하여, 렌즈(4c)를 형성한다. 마스크(11)는 예를 들어, 스테인레스 스틸, 알루미나 등의 재질로 이루어질 수 있으며, 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 홀(11h)의 높이에도 특별히 제한이 있는 것은 아니며, 가압시 렌즈(4c)가 홀(11h) 내에 위치할 수 있으며, 홀(11h) 밖으로 노출될 수도 있다. 바람직하게는 마스크(11)를 그대로 둔 상태에서 렌즈(4c)가 형성된 봉지제(4c)를 경화시킨다. 필요에 따라, 마스크(11)의 이동을 제한하여, 렌즈(4c)의 높이를 조절할 수 있는 스톱퍼(12)가 구비될 수 있다. 예를들어, 형광체층(4,8)의 두께는 봉지제에 담는 형광체의 농도에 따라 다르나 0.01mm~수 mm까지 도포한 후, 봉지제 경화 온도 50~200도 범위에서 일백~일만 초 범위로 열처리한다. 그 후 상부 봉지제(4)의 두께는 만들고자 하는 렌즈(4c) 두께에 따라 달라지며, 보통 0.01mm~수 mm로 한다. 렌즈(4c)를 형성하기 위해서 상부 봉지제(4)를 마스크(11)가 놓인 상태에서 봉지제 경화 온도 50~200도에서 일백~일천 초, 마스크(11)를 제거한 상태에서 일백~일천 초 더 경화한다. 봉지제 종류 및 두께에 따라 달라지나, 예를 들어 실리콘 에폭시 성분의 봉지제를 0.6mm 두께로 하여 만든 렌즈(4c)의 반경은 약 0.7mm로 형성할 수 있다. 렌즈(4c)는 도 26에 도시된 것과 같이 복수의 렌즈(4c)가 형성될 수도 있다. 홀(11h)의 크기에 특별한 제한이 있는 것은 아니지만, 홀(11h)은 형성될 렌즈(4c)의 크기에 따라, 복수 개가 형성되는 경우에는 수 나노미터에서 수십 마이크로미터의 크기를 가질 수 있으며, 한 개가 형성되는 경우에 수백 마이크로미터에서 수 밀리미터의 크기를 가질 수 있다. 일반적으로 단면이 원형인 홀(11h)이 사용되지만 (그래서 전체로서 돔(dome) 형태인 렌즈(4c)가 형성되지만), 단면이 타원형, 사각형, 삼각형 등 다양한 형태의 홀(11h)이 이용될 수 있음은 물론이다. 필요에 따라, 하부 봉지제(4)만을 형광체층(8)으로 형성하여도 좋고, 상부 봉지제(4)에도 형광체를 함유하여도 좋고, 하부 봉지제(4)와 상부 봉지제(4)를 별도로 형성하지 않고, 일체로 형성하여도 좋다(필요에 따라 봉지제(4)가 한번만 도포될 수도 있다). 하부 봉지제(4)와 상부 봉지제(4)에 다른 형광체를 구비하는 것도 가능하며, 예를 들어 하부 봉지제(4)에 황색 형광체를 구비하고, 상부 봉지제(4)에 g황색 보다 장파장의 오렌지색(Orange) 및/또는 적색 형광체를 구비하는 것이 가능하다. 렌즈(4c)의 형성은 플레이트(1)의 제거 이전 및 이후에 행해질 수 있다. 도 19에 도시된 상태처럼 플레이트(1)의 제거 이전에, 렌즈(4c)를 형성할 수 있음을 물론이다. 또한 절연막(6) 및/또는 외부전극(81,91)이 형성된 상태에서 봉지제(4)를 코팅하고, 렌즈(4c)가 형성될 수 있음은 물론이다. 또한 도 17에 도시된 바와 같이, 플레이트(1)가 제거된 상태에서, 렌즈(4c)가 형성될 수 있음은 물론이다. 이때 플레이트(1)가 제거된 후에, 절연막(6) 및/또는 외부전극(81,91)이 먼저 형성되어도 좋고, 렌즈(4c)를 형성한 후에 절연막(6) 및/또는 외부전극(81,91)을 형성할 수 있음은 물론이다. 절연막(6) 및/또는 외부전극(81,91)을 형성한 후에 렌즈(4c)를 형성하는 경우에, 필요한 경우에, 플레이트(1)를 재차 붙여서 렌즈(4c)를 형성하거나, 절단 작업을 할 수 있다.Fig. 24 is a view showing an example of a method of manufacturing the semiconductor device structure shown in Fig. 14, in which the semiconductor element 2, 2 is bonded to the plate 1 using the adhesive 3, The fluorescent substance layer 4 is covered with the encapsulating material 4 containing the fluorescent material, that is, the fluorescent substance layer 8. Next, the semiconductor element (2, 2) is not separated but covered with the sealing agent (4) again. Next, before the encapsulating agent 4 is completely cured, the encapsulating agent 4 is pressed by using the mask 11 having the hole 11h as shown in Fig. 25, and the lens 4c ). The mask 11 may be made of, for example, stainless steel, alumina or the like, and is not particularly limited. There is no particular limitation on the height of the hole 11h, and the lens 4c may be located in the hole 11h when exposed and may be exposed outside the hole 11h. Preferably, the sealant 4c on which the lens 4c is formed is cured while leaving the mask 11 as it is. If necessary, a stopper 12 capable of restricting the movement of the mask 11 and adjusting the height of the lens 4c can be provided. For example, the thickness of the phosphor layers (4, 8) varies from 0.01 to several millimeters depending on the concentration of the phosphor contained in the encapsulating agent, and is in the range of one to ten thousand seconds in the sealing agent curing temperature range of 50 to 200 degrees Heat treatment. Thereafter, the thickness of the upper encapsulant 4 varies depending on the thickness of the lens 4c to be made, and is usually 0.01 mm to several mm. In order to form the lens 4c, the upper encapsulating agent 4 is applied in a state in which the mask 11 is placed, at a sealing agent curing temperature of 50 to 200 DEG C for one to one thousand seconds, Cure. For example, the radius of the lens 4c formed by making the sealing agent of the silicone epoxy component 0.6 mm thick may be formed to be about 0.7 mm, depending on the type and thickness of the encapsulant. The lens 4c may be formed with a plurality of lenses 4c as shown in Fig. Although there is no particular limitation on the size of the hole 11h, the hole 11h may have a size of several nanometers to tens of micrometers when a plurality of holes are formed, depending on the size of the lens 4c to be formed, When one is formed, it can have a size of several hundred micrometers to several millimeters. Holes 11h of various shapes such as elliptical, quadrangular, and triangular in cross-section are used (although a lens 11c in the form of a dome is formed as a whole) Of course. The lower encapsulant 4 and the upper encapsulant 4 may be contained in the upper encapsulant 4 or the lower encapsulant 4 as required, (If necessary, the sealing agent 4 may be applied only once). It is also possible to provide the lower encapsulant 4 and the upper encapsulant 4 with different phosphors. For example, the lower encapsulant 4 may be provided with a yellow phosphor and the upper encapsulant 4 may be provided with a longer wavelength Of orange and / or a red phosphor. The formation of the lens 4c can be done before and after the removal of the plate 1. [ Needless to say, the lens 4c can be formed before the removal of the plate 1 as in the state shown in Fig. It goes without saying that the encapsulating agent 4 may be coated and the lens 4c may be formed in a state where the insulating film 6 and / or the external electrodes 81 and 91 are formed. It goes without saying that the lens 4c can be formed with the plate 1 removed as shown in Fig. At this time, the insulating film 6 and / or the external electrodes 81 and 91 may be formed first after the plate 1 is removed. Alternatively, after the lens 4c is formed, the insulating film 6 and / 91 may be formed. When the lens 4c is formed after the insulating film 6 and / or the external electrodes 81 and 91 are formed, the lens 4c may be formed by attaching the plate 1 again, can do.

예를 들어, 렌즈(4c)가 형성되는 패키지 제품의 경우, 형광체가 포함된 하부 봉지제(4,8)를 먼저 도포, 경화시킨 후 상부 봉지제(4)를 그 위에 도포, 경화 및 렌즈 성형을 진행한다. 후에 플레이트(1)를 분리하여 전극(80,90)을 노출시킨 다음, 다시 플레이트(1; 앞에서 사용된 플레이트를 그대로 사용할 필요는 없다.)를 접착제를 이용하여 렌즈(4c) 측에 부착하여 절연막(6)을 형성할 수도 있으며, 또한 플레이트(1) 없이 절연막(6)을 형성할 수도 있다. 이후, 전사 테이프와 같은 재료를 이용하여 전극(80,90) 측 또는 절연막(6) 측에 부착한다(플레이트(1)가 있는 경우 플레이트(1)를 제거한다.). 이후 렌즈(4c) 측에서 절연막(6) 측으로 다이싱을 진행하여 각개의 패키지로 분할할 수 있다. 또한 봉지제(4)를 경화한 후에, 플레이트(1)를 제거한 다음, 새로운 플레이트(1)를 봉지제(4) 위에 부착한 상태에서 전극(80,90)이 노출된 면 위로 절연막(6)을 형성하고, 절연막(6) 측에서 봉지제(4) 측으로 다이싱을 진행하여 분할한 후, 봉지제(4)에 부착된 플레이트(1)를 탈착시키면서, 전극(80,90) 측을 전사 시트로 옮기는 것도 가능하다.For example, in the case of the package product in which the lens 4c is formed, the lower encapsulant 4, 8 containing the phosphor is first applied and cured, the upper encapsulant 4 is applied thereon, . Thereafter, the plate 1 is removed to expose the electrodes 80 and 90, and then the plate 1 (need not be used as it is) is attached to the lens 4c side using an adhesive, (6) may be formed, or the insulating film (6) may be formed without the plate (1). Then, it is attached to the side of the electrodes 80, 90 or the side of the insulating film 6 by using the same material as the transfer tape (when the plate 1 is present, the plate 1 is removed). Thereafter, the dicing is progressed from the lens 4c side to the insulating film 6 side, and can be divided into individual packages. The plate 1 is removed after the encapsulation 4 is cured and then the insulating film 6 is placed on the exposed surface of the electrodes 80 and 90 with the new plate 1 adhered on the encapsulating material 4. [ And the electrodes 80 and 90 are transferred to the sealing member 4 while separating the plate 1 attached to the sealing member 4 after dividing the sealing member 4 by dicing toward the sealing member 4 side, It is also possible to move it to the seat.

도 27은 도 24에 도시된 렌즈를 형성하는 원리를 설명하는 도면으로서, 홀(11h)이 형성된 마스크(11)를 이용하여 봉지제(4)를 가압하면, 홀(11h)의 상부가 개방되어 있으므로, 가압된 봉지제(4c)가 홀(11h)에 유입되어 봉지제(4c) 자체의 표면장력에 의해 렌즈(4c)를 형성하게 되는 것이다.Fig. 27 is a view for explaining the principle of forming the lens shown in Fig. 24. When the sealing agent 4 is pressed by using the mask 11 having the holes 11h formed therein, the upper part of the holes 11h is opened Therefore, the pressurized sealant 4c flows into the hole 11h, and the lens 4c is formed by the surface tension of the sealant 4c itself.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 반도체 발광소자인 반도체 소자를 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자를 봉지제로 덮는 단계; 홀이 형성된 마스크를 이용하여 봉지제를 가압하여, 홀 내로 봉지제가 유입되도록 하여 반도체 소자 위에 렌즈를 형성하는 단계; 그리고, 렌즈가 형성된 봉지제와 반도체 발광소자를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(1) A method of manufacturing a semiconductor device structure, comprising the steps of: (a) fixing a semiconductor device, which is a semiconductor light emitting device, on a plate, Covering the semiconductor element with an encapsulating material; Forming a lens on the semiconductor element by pressing the sealing agent using a mask having a hole to allow the sealing agent to flow into the hole; And cutting the semiconductor light emitting element together with the encapsulant having the lens formed thereon.

(2) 렌즈를 형성하는 단계에서 마스크로 봉지제를 가압한 상태에서 렌즈를 경화하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(2) A method of manufacturing a semiconductor device structure, wherein the lens is cured while the encapsulant is pressed with a mask in the step of forming the lens.

(3) 렌즈를 형성하는 단계에서 마스크가 봉지제를 누르는 높이를 제한하는 스톱퍼를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(3) A method of manufacturing a semiconductor device structure using a stopper that limits the height at which the mask presses the sealant in the step of forming the lens.

(4) 봉지제는 반도체 소자를 둘러싸는 하부 봉지제와 렌즈가 형성되는 상부 봉지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(4) The method of manufacturing a semiconductor device structure according to any one of the preceding claims, wherein the encapsulant comprises a lower encapsulant surrounding the semiconductor device and an upper encapsulant forming the lens.

(5) 하부 봉지제는 형광체층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(5) The method for producing a semiconductor device structure, wherein the lower sealing agent is a phosphor layer.

(6) 절단하는 단계에서, 봉지제에 하나의 렌즈가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(6) A method of manufacturing a semiconductor device structure, characterized in that, in the cutting step, one lens is provided in the sealing agent.

(7) 절단하는 단계에서, 봉지제에 복수 개의 렌즈가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(7) In the step of cutting, the sealing agent is provided with a plurality of lenses.

(8) 절단하는 단계에 앞서, 전극을 노출시키는 절연막 및 전극과 전기적으로 연결되는 외부 전극 중의 적어도 하나를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(8) forming at least one of an insulating film exposing the electrode and an external electrode electrically connected to the electrode prior to the step of cutting the semiconductor device structure.

(9) 절단하는 단계에 앞서, 플레이트를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.(9) removing the plate prior to the cutting step.

본 개시에 따른 하나의 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 반도체 소자 구조물 또는 패키지를 쉽게 제조할 수 있게 된다.The method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure makes it possible to easily manufacture a semiconductor device structure or a package.

또한 본 개시에 따른 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 봉지제가 캐리어로 역할하는 구조물 또는 패키지를 만들 수 있게 된다.Also, the method of fabricating another semiconductor device structure according to the present disclosure makes it possible to fabricate a structure or package in which the encapsulant acts as a carrier.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 투광성 봉지제가 캐리어로 역할하는 발광소자 구조물 또는 패키지를 만들 수 있게 된다.Further, according to another method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure, a light emitting device structure or a package in which a transparent encapsulant serves as a carrier can be manufactured.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 복수의 반도체 소자를 쉽게 전기적으로 연결할 수 있게 된다.Further, according to another method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure, a plurality of semiconductor devices can be easily electrically connected.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 다른 구조의 반도체 소자들을 쉽게 전기적으로 연결할 수 있게 된다.In addition, according to the method of manufacturing another semiconductor device structure according to the present disclosure, semiconductor devices of different structures can be easily electrically connected.

또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 렌즈가 구비된 반도체 소자를 용이하게 제조할 수 있게 된다.In addition, according to another method of manufacturing a semiconductor device structure according to the present disclosure, a semiconductor device having a lens can be easily manufactured.

100: 기판 200: 버퍼층 300,400,500: 반도체층100: substrate 200: buffer layer 300, 400, 500: semiconductor layer

Claims (10)

반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서,
플레이트 위에 반도체 발광소자인 반도체 소자를 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계;
반도체 소자를 투광성을 가지는 봉지제로 덮는 단계;
홀이 형성된 마스크를 이용하여 봉지제를 가압하여, 홀 내로 봉지제가 유입되도록 하여 반도체 소자 위에 렌즈를 형성하는 단계; 그리고,
렌즈가 형성된 봉지제와 반도체 소자를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.A method of manufacturing a semiconductor device structure,
Positioning a semiconductor element, which is a semiconductor light emitting element, on a plate, the method comprising: positioning an electrode of the semiconductor element toward a plate;
Covering the semiconductor element with a light-transmitting encapsulant;
Forming a lens on the semiconductor element by pressing the sealing agent using a mask having a hole to allow the sealing agent to flow into the hole; And,
And cutting the semiconductor element together with the sealing agent with the lens formed thereon. 청구항 1에 있어서,
렌즈를 형성하는 단계에서 마스크로 봉지제를 가압한 상태에서 렌즈를 경화하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein the lens is cured while the encapsulant is pressed with a mask in the step of forming the lens. 청구항 1에 있어서,
렌즈를 형성하는 단계에서 마스크가 봉지제를 누르는 높이를 제한하는 스톱퍼를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Characterized in that a stopper is used which limits the height at which the mask presses the sealant in the step of forming the lens. 청구항 1에 있어서,
봉지제는 반도체 소자를 둘러싸는 하부 봉지제와 렌즈가 형성되는 상부 봉지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein the encapsulant comprises a bottom encapsulant surrounding the semiconductor element and an upper encapsulant over which the lens is formed. 청구항 4에 있어서,
하부 봉지제는 형광체층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method of claim 4,
Wherein the lower encapsulant is a phosphor layer. 청구항 1에 있어서,
절단하는 단계에서, 봉지제에 하나의 렌즈가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Characterized in that, in the cutting step, one lens is provided in the encapsulating material. 청구항 1에 있어서,
절단하는 단계에서, 봉지제에 복수 개의 렌즈가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Characterized in that, in the cutting step, a plurality of lenses are provided in the encapsulating material. 청구항 5에 있어서,
렌즈를 형성하는 단계에서 마스크로 봉지제를 가압한 상태에서 렌즈를 경화하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method of claim 5,
Wherein the lens is cured while the encapsulant is pressed with a mask in the step of forming the lens. 청구항 1에 있어서,
절단하는 단계에 앞서, 전극을 노출시키는 절연막 및 전극과 전기적으로 연결되는 외부 전극 중의 적어도 하나를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.The method according to claim 1,
Forming at least one of an insulating film exposing the electrode and an external electrode electrically connected to the electrode prior to the step of cutting the semiconductor device structure. 청구항 1에 있어서,
절단하는 단계에 앞서, 플레이트를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
The method according to claim 1,
And removing the plate prior to the cutting step. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
KR1020130007326A 2013-01-23 2013-01-23 Method of manufacutruing semiconductor device structure KR101460742B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130007326A KR101460742B1 (en) 2013-01-23 2013-01-23 Method of manufacutruing semiconductor device structure
PCT/KR2014/000648 WO2014116035A1 (en) 2013-01-23 2014-01-23 Method for manufacturing semiconductor device structure and semiconductor device structure using same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130007326A KR101460742B1 (en) 2013-01-23 2013-01-23 Method of manufacutruing semiconductor device structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140094818A KR20140094818A (en) 2014-07-31
KR101460742B1 true KR101460742B1 (en) 2014-11-13

Family

ID=51740325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130007326A KR101460742B1 (en) 2013-01-23 2013-01-23 Method of manufacutruing semiconductor device structure

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101460742B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210399041A1 (en) * 2020-06-18 2021-12-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting module having a plurality of unit pixels, method of fabricating the same, and displaying apparatus having the same
US20220149246A1 (en) * 2020-11-12 2022-05-12 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting module and method of manufacturing the same and display apparatus having the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008227119A (en) * 2007-03-13 2008-09-25 Shin Etsu Chem Co Ltd Integral structure of light-emitting diode chip and lens, and its manufacturing method
KR20100060867A (en) * 2008-11-28 2010-06-07 삼성전기주식회사 Method of manufacturing wafer level package
KR20120032899A (en) * 2010-09-29 2012-04-06 삼성엘이디 주식회사 Light emitting diode package and manufacturing method for the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008227119A (en) * 2007-03-13 2008-09-25 Shin Etsu Chem Co Ltd Integral structure of light-emitting diode chip and lens, and its manufacturing method
KR20100060867A (en) * 2008-11-28 2010-06-07 삼성전기주식회사 Method of manufacturing wafer level package
KR20120032899A (en) * 2010-09-29 2012-04-06 삼성엘이디 주식회사 Light emitting diode package and manufacturing method for the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140094818A (en) 2014-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101476771B1 (en) Semiconductor device structure and method of manufacutruing the same
TWI407591B (en) White-light light emitting diode chips and fabrication methods thereof
US9773950B2 (en) Semiconductor device structure
KR20150107086A (en) Semiconductor device structure and method of manufacutruing the same
US8138509B2 (en) Light emitting device having luminescent layer with opening to exposed bond pad on light emitting die for wire bonding pad to substrate
US9831379B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
JP2012199411A (en) Light emitting device
US9660148B2 (en) Method for manufacturing light emitting device, and light emitting device
KR101461154B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101291092B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101360324B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101460742B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101465708B1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device structure
KR101450216B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101494440B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure and semiconductor device structure using the method
KR101300463B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR102089496B1 (en) Semiconductor light emitting structure and method ofmanufacturing the same
KR101299563B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101299562B1 (en) Semiconductor device structure
KR101461153B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR20140048178A (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101464326B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101543724B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR101779084B1 (en) Semicondutor light emitting device structure and method of manufacturing the same
KR101538083B1 (en) Semiconductor device structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191002

Year of fee payment: 6