KR20180051878A - Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20180051878A
KR20180051878A KR1020160148768A KR20160148768A KR20180051878A KR 20180051878 A KR20180051878 A KR 20180051878A KR 1020160148768 A KR1020160148768 A KR 1020160148768A KR 20160148768 A KR20160148768 A KR 20160148768A KR 20180051878 A KR20180051878 A KR 20180051878A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
emitting device
semiconductor
mask
Prior art date
Application number
KR1020160148768A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101865786B1 (en
Inventor
김경민
조영관
Original Assignee
주식회사 세미콘라이트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 세미콘라이트 filed Critical 주식회사 세미콘라이트
Priority to KR1020160148768A priority Critical patent/KR101865786B1/en
Priority to PCT/KR2017/010623 priority patent/WO2018056788A1/en
Publication of KR20180051878A publication Critical patent/KR20180051878A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101865786B1 publication Critical patent/KR101865786B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

The present disclosure relates to a manufacturing method of a semiconductor light emitting device. The manufacturing method comprises the steps of: arranging a semiconductor light emitting device chip in each opening of a mask having a plurality of openings formed therein, and arranging, in the openings, a plurality of semiconductor layers for generating light by recombination of electrons and holes and a semiconductor light emitting device chip having electrodes electrically connected to the semiconductor layers; injecting an encapsulation material into the opening of the mask in which the semiconductor light emitting device chip is arranged; separating the semiconductor light emitting device chip combined with the encapsulation material from the mask to transfer the semiconductor light emitting device chip to the fixing plate; applying a reflective material between the semiconductor light emitting device chips combined with the encapsulation material to form a reflective layer; and separating the individual semiconductor light emitting devices through a cutting process. A one-surface light emitting or three-surface light emitting semiconductor light emitting device can be obtained.

Description

반도체 발광소자 및 이의 제조 방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 발광효율을 높인 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor light emitting device having a high light emitting efficiency and a method of manufacturing the same.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 성장 기판(100; 예: 사파이어 기판), 성장 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 도전막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 버퍼층(200)은 생략될 수 있다.1 is a diagram showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip. The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 100 (for example, a sapphire substrate), a growth substrate 100, a buffer layer 200, A first semiconductor layer 300 (e.g., an n-type GaN layer), an active layer 400 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of electrons and holes, a second conductivity different from the first conductivity A light emitting conductive film 600 for current diffusion and an electrode 700 serving as a bonding pad are formed on the second semiconductor layer 500 (e.g., a p-type GaN layer) An electrode 800 (e.g., a Cr / Ni / Au laminated metal pad) serving as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300 exposed by etching. The buffer layer 200 may be omitted.

도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장 기판(100) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.The semiconductor light-emitting device chip of the type shown in Fig. 1 is referred to as a lateral chip in particular. Here, when the growth substrate 100 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface.

도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 보여주는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 성장 기판(100), 성장 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 제1 전극막(901), 제2 전극막(902) 및 제3 전극막(903)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다.FIG. 2 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 100, a growth substrate 100, a first semiconductor An active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited on the substrate 300, The first electrode layer 901, the second electrode layer 902 and the third electrode layer 903 are formed in three layers for reflecting light toward the first semiconductor layer 300 An electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the substrate 800. [

제1 전극막(901)은 Ag 반사막, 제2 전극막(902)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(903)은 Au 본딩층일 수 있다. 여기서, 제3 전극막(903) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(300) 위에 형성된 전극(800)이 제2 반도체층(500) 위에 형성된 전극막(901, 902, 903)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수 도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장 기판(100)으로부터의 높이일 수 있다.The first electrode film 901 may be an Ag reflective film, the second electrode film 902 may be an Ni diffusion prevention film, and the third electrode film 903 may be an Au bonding layer. Here, when the third electrode film 903 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface. The semiconductor light emitting device chip of the type shown in FIG. 2 is called a flip chip. 2, the electrode 800 formed on the first semiconductor layer 300 is lower in height than the electrode films 901, 902, and 903 formed on the second semiconductor layer 500, So that it can be formed. Here, the reference of the height may be a height from the growth substrate 100.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지재(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만, 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다.The semiconductor light emitting device 100 is provided with lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical type light emitting chip 150 in a cavity 140. The cavity 140 is formed in the cavity 130, Is filled with an encapsulant 170 containing the wavelength conversion material 160. The lower surface of the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 is electrically connected directly to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light emitted from the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 excites the wavelength conversion material 160 to produce light of a different color, and two different lights may be mixed to form white light. For example, the semiconductor light emitting device chip 150 generates blue light, and the light generated by exciting the wavelength conversion material 160 is yellow light, and blue light and yellow light may be mixed to form white light. FIG. 3 shows a semiconductor light emitting device using the vertical semiconductor light emitting device chip 150, but it is also possible to manufacture the semiconductor light emitting device of FIG. 3 using the semiconductor light emitting device chip shown in FIGS. 1 and 2 have.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니 된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 복수의 개구가 형성된 마스크의 각각의 개구 내에 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계;로서, 전자와 전공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 가지는 반도체 발광소자 칩을 개구 내에 배치하는 단계; 반도체 발광소자 칩이 배치된 마스크의 개구 내에 봉지재를 투입하는 단계; 마스크로부터 봉지재와 결합된 반도체 발광소자 칩을 분리하여 고정판으로 이송하는 단계; 봉지재와 결합된 반도체 발광소자 칩 사이에 반사물질을 도포하여 반사층을 형성하는 단계; 그리고 절단 공정을 통해 개별적인 반도체 발광소자로 분리하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, the method comprising: disposing a semiconductor light emitting device chip in each opening of a mask having a plurality of openings, Disposing a semiconductor light emitting device chip having a plurality of semiconductor layers which generate light by recombination of electrons and electrons and electrodes electrically connected to the plurality of semiconductor layers in an opening; Injecting an encapsulant into the opening of the mask in which the semiconductor light emitting device chip is disposed; Separating the semiconductor light emitting device chip coupled with the sealing material from the mask and transferring the separated semiconductor light emitting device chip to the fixing plate; Forming a reflective layer by applying a reflective material between the encapsulant and the semiconductor light emitting device chip coupled to the encapsulant; And separating the semiconductor light emitting device into individual semiconductor light emitting devices through a cutting process.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자 칩의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 칩의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 7 내지 도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 17은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 18은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 20은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 21은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip (lateral chip)
FIG. 2 is a view showing another example (Flip Chip) of the semiconductor light emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
3 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device chip (Vertical Chip)
4 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
6 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device chip according to the present disclosure,
7 to 14 are views for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
15 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
16 is a view for explaining another example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
17 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
18 is a view for explaining another example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
19 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
20 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
21 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(100)는 반도체 발광소자 칩(1), 봉지재(2), 및 반사층(3)을 포함한다.The semiconductor light emitting device 100 includes a semiconductor light emitting device chip 1, a sealing material 2, and a reflective layer 3.

반도체 발광소자 칩(1)은 도 6을 참조하면, 플립 칩으로서 도 2에 도시된 것과 다른 구조의 플립 칩을 설명하고 있다. 본 개시에서 반도체 발광소자 칩(1)은 이러한 플립 칩에 한정되지 않으며, 레터럴 칩(lateral chip)이나 수직형 칩(vertical chip)도 적용 가능하다.6, the semiconductor light emitting device chip 1 is a flip chip having a structure different from that shown in Fig. 2 as a flip chip. In the present disclosure, the semiconductor light emitting device chip 1 is not limited to such a flip chip, and may be a lateral chip or a vertical chip.

반도체 발광소자 칩(1)은 성장 기판(10), 복수의 반도체층(30, 40, 50), 광반사층(R), 및 제1 전극(80), 및 제2 전극(70)을 포함한다.The semiconductor light emitting device chip 1 includes a growth substrate 10, a plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50, a light reflection layer R, a first electrode 80, and a second electrode 70 .

성장 기판(10)은 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들면, 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 성장 기판(10)은 최종적으로 제거될 수도 있다.The growth substrate 10 may be sapphire, SiC, Si, GaN or the like using a Group III nitride semiconductor light emitting device as an example, and the growth substrate 10 may be finally removed.

복수의 반도체층(30, 40, 50)은 성장 기판(10) 위에 형성된 버퍼층(도시되지 않음), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: Mg 도핑된 GaN) 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예:InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조)을 포함한다.The plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may include a buffer layer (not shown) formed on the growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (e.g., Si-doped GaN) A second semiconductor layer 50 (e.g., Mg-doped GaN) having another second conductivity, and a second semiconductor layer 50 interposed between the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 to generate light through recombination of electrons and holes. An active layer 40 (e.g., InGaN / (In) GaN multiple quantum well structure).

복수의 반도체층(30, 40, 50) 각각은 다층으로 이루어질 수 있고, 버퍼층은 생략될 수 있다. 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다.Each of the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may have a multi-layer structure, and the buffer layer may be omitted. The positions of the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 may be changed, and they are mainly composed of GaN in the III-nitride semiconductor light emitting device.

제1 전극(80)은 제1 반도체층(30)과 전기적으로 연통되어 전자를 공급한다.The first electrode (80) is in electrical communication with the first semiconductor layer (30) to supply electrons.

제2 전극(70)은 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연통되어 정공을 공급한다.The second electrode 70 is in electrical communication with the second semiconductor layer 50 to supply holes.

도 6(a)를 참조하면, 제2 반도체층(50)과 제1 및 제2 전극(80, 70) 사이에는 광반사층(R)이 개재되며, 광반사층(R)은 SiO2와 같은 절연층, DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni-Directional Reflector)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.6 (a), a light reflection layer R is interposed between the second semiconductor layer 50 and the first and second electrodes 80 and 70, and the light reflection layer R is composed of an insulation layer , Distributed Bragg Reflector (DBR), or Omni-Directional Reflector (ODR).

도 6(b)를 참조하면, 제2 반도체층(50) 위에 금속 반사막(R)이 구비되고, 제2 전극(70)이 금속 반사막(R) 위에 구비되며, 메사식각으로 노출된 제1 반도체층(30)과 다른 제1 전극(80)이 될 수 있다.Referring to FIG. 6B, a metal reflective film R is provided on the second semiconductor layer 50, a second electrode 70 is provided on the metal reflective film R, Layer 30 may be a first electrode 80 different from the first layer.

제2 반도체층(50)과 광반사층(R) 사이에는 투광성 도전막(미도시)이 개재될 수 있다.A light-transmitting conductive film (not shown) may be interposed between the second semiconductor layer 50 and the light reflection layer R.

봉지재(2)는 도 4를 참조하면, 반도체 발광소자 칩(1)을 덮도록(cover) 형성된다. 봉지재(2)는 투광성을 갖고 있으며, 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 하나로 이루어질 수 있다. 필요한 경우 파장 변환재를 포함할 수 있다. 파장 변환재는 반도체 발광소자 칩(1)의 활성층(40)으로부터 생성되는 빛을 다른 파장의 빛으로 변환하는 것이라면 어떠한 것이라도 좋지만(예: 안료, 염료 등), 광 변환 효율을 고려할 때 형광체(예: YAG, (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu 등)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 파장 변환재는 반도체 발광소자(100)에서 나오는 빛의 색에 따라 정해질 수 있으며, 당업자에게 잘 알려져 있다.Referring to FIG. 4, the encapsulating material 2 is formed to cover the semiconductor light emitting device chip 1. The encapsulating material 2 has a light-transmitting property and may be made of one of epoxy resin and silicone resin. And may include a wavelength conversion material if necessary. The wavelength conversion material may be any material as long as it converts light generated from the active layer 40 of the semiconductor light-emitting device chip 1 into light of a different wavelength (for example, pigment, dye, etc.) : YAG, (Sr, Ba, Ca) 2SiO4: Eu, etc.) is preferably used. Further, the wavelength conversion material can be determined according to the color of light emitted from the semiconductor light emitting device 100, and is well known to those skilled in the art.

반도체 발광소자 칩(1)이 배치된 봉지재(2)의 하면의 폭(W1)은 반대측의 상면의 폭(W2)보다 작게 형성된다. 이에 따라, 봉지재(2)의 외측면은 상부면에서 하부면으로 기울어진 경사면을 갖는다.The width W1 of the lower surface of the sealing material 2 on which the semiconductor light emitting element chip 1 is disposed is smaller than the width W2 of the upper surface on the opposite side. Thus, the outer surface of the sealing material 2 has an inclined surface inclined from the upper surface to the lower surface.

반사층(3)은 봉지재(2)의 주변을 감싸도록(surround) 위치한다.The reflective layer 3 is positioned so as to surround the periphery of the sealing material 2.

봉지재(2)의 측면과 접촉하는 반사층(3)의 내측면은 봉지재(2)의 하면 방향으로 경사진 것이 바람직하다. 반사층(30)의 하면의 폭(W3)은 반대측의 상면의 폭(W4)보다 크게 형성된다. 반사층(3)이 봉지재(2)의 하면 방향으로 경사지게 형성됨으로써, 광 추출 효율(extraction efficiency)이 더욱 향상될 수 있다.It is preferable that the inner surface of the reflective layer 3 which is in contact with the side surface of the sealing material 2 is inclined in the lower direction of the sealing material 2. [ The width W3 of the lower surface of the reflective layer 30 is formed to be larger than the width W4 of the upper surface of the opposite side. The reflective layer 3 is formed to be inclined in the bottom direction of the encapsulating material 2, so that the extraction efficiency can be further improved.

반사층(3)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 분포 브래그 리플렉터(DBR: Distributed Bragg Reflector), 고반사 백색 반사물질 등의 반사효율이 높은 금속으로 형성 될 수 있다. 이와 달리, 반사층(3)은 봉지재(2)와 동일한 물질로 형성될 수 있고, 형광체를 포함할 수도 있다.The reflective layer 3 may be formed of a metal having a high reflection efficiency such as aluminum (Al), silver (Ag), distributed Bragg reflector (DBR), and highly reflective white reflective material. Alternatively, the reflective layer 3 may be formed of the same material as the encapsulant 2, and may include a phosphor.

반사율이 높은 금속의 반사층(3)을 봉지재(2)의 주변에 형성시킴으로써, 반도체 발광소자(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 100 can be improved by forming the reflection layer 3 of a metal having a high reflectance on the periphery of the sealing material 2. [

본 예에서, 반도체 발광소자 칩(1)의 측면으로부터 나온 빛이 반사층(3)에 의해 일부가 흡수되고 일부가 반사되어 반도체 발광소자(100)의 상면으로 빛이 추출되는 1면 발광 반도체 발광소자(100)를 얻을 수 있다.In this example, a single-sided light emitting semiconductor light emitting device 1, in which light emitted from a side surface of the semiconductor light emitting device chip 1 is partially absorbed by the reflective layer 3 and partially reflected to extract light from the upper surface of the semiconductor light emitting device 100 (100) can be obtained.

또한 도 5를 참조하면, 반사층(3)의 하부면(31)은 표면 장력에 의해 상승된(elevated) 라운드 형상을 가진다.5, the lower surface 31 of the reflective layer 3 has a rounded shape that is elevated by surface tension.

도 7 내지 도 14은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.FIGS. 7 to 14 are views for explaining an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(100)의 제조 방법에 있어서, 먼저 도 7에 도시된 바와 같이 제1 베이스(1000) 위에 적어도 하나의 개구(1200)가 형성된 마스크(1100)를 준비한다. 도 7(a)는 평면도이며, 도 7(b)는 AA'에 따른 단면도이다.In the method of manufacturing the semiconductor light emitting device 100, a mask 1100 having at least one opening 1200 formed on a first base 1000 is prepared as shown in FIG. Fig. 7 (a) is a plan view, and Fig. 7 (b) is a sectional view along AA '.

제1 베이스(1000)는 플렉시블한 필름 또는 테이프이거나, 리지드(rigid)한 금속 판 또는 비금속 판일 수 있다.The first base 1000 may be a flexible film or tape, a rigid metal plate, or a non-metal plate.

필름 또는 테이프도 특별한 제한은 없으며, 점착성 또는 접착성을 가지며 내열성을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 내열성 테이프, 블루테이프 등이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광반사율을 선택할 수 있다.There is no particular limitation on the film or the tape, and it is preferable that the film or tape has adhesiveness or adhesiveness and has heat resistance. For example, a heat-resistant tape, a blue tape, or the like can be used, and various colors and light reflectance can be selected.

금속 판으로는 특별한 한정이 있는 것은 아니며, 예를 들어, Al, Cu, Ag, Cu-Al 합금, Cu-Ag 합금, Cu-Au 합금, SUS(스테인리스스틸) 등이 사용될 수 있으며, 도금된 판도 물론 사용 가능하다.For example, Al, Cu, Ag, Cu-Al alloy, Cu-Ag alloy, Cu-Au alloy, SUS (stainless steel) and the like can be used as the metal plate, Of course, it can be used.

비금속 판으로는 플라스틱이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광반사율을 선택할 수 있다.Plastics can be used as non-metallic plates, and various colors and light reflectance can be selected.

이와 같이, 본 예에 의하면, 반도체 발광소자 칩(1)이 배열되는 제1 베이스(1000)가 반도체 기판이나 다른 고가의 기판이 아니라도 무방한 장점이 있다.As described above, according to this example, there is an advantage that the first base 1000 on which the semiconductor light-emitting device chips 1 are arranged may not be a semiconductor substrate or another expensive substrate.

또한, 마스크(1100)가 반도체 발광소자 칩(1) 배열의 가이드가 되므로 제1 베이스(1000)에 추가적인 패턴 형성 공정이 필요 없다. 본예에서, 마스크(1100)는 5*5 배열로 도시되었지만, 이에 한정하지 않는다.Further, since the mask 1100 serves as a guide for the arrangement of the semiconductor light-emitting device chips 1, an additional pattern formation step is not required for the first base 1000. [ In this example, the mask 1100 is shown in a 5 * 5 arrangement, but is not limited thereto.

마스크(1100)는 플라스틱, 금속, 또는, 표면이 도금된 부재일 수 있으며, 적어도 하나의 개구(1200)가 형성되어 있다. 마스크(1100)의 재질은 상기 제1 베이스(1000)의 재질로 예시된 예들이 사용될 수 있지만, 마스크(1100) 및 개구(1200)의 형태 유지에 좋도록 어느 정도 딱딱한 재질이 바람직하고, 크랙이나 갈라짐 방지에 효과적인 재질로 선택하는 것이 바람직하다.The mask 1100 may be a plastic, metal, or surface plated member, with at least one opening 1200 formed therein. The material of the mask 1100 may be any of those exemplified by the materials of the first base 1000. The material of the mask 1100 may be somewhat rigid to be suitable for maintaining the shape of the mask 1100 and the opening 1200, It is preferable to select the material effective for crack prevention.

본 예에서, 제1 베이스(1000)와 마스크(1100)는 외력에 의해 가압되어 서로 접하거나, 접착물질을 이용하여 서로 접착할 수 있다. 예를 들어, 접착 물질은 도전성 페이스트, 절연성 페이스트, 폴리머 접착제 등 다양하게 선택가능하며, 특별히 제한되지는 않는다. 어느 온도 범위에서는 접착력을 상실하는 물질을 사용하면, 제1 베이스(1000)와 마스크(1100)의 분리 시에 상기 온도 범위에서 분리가 쉽게 될 수 있다.In this example, the first base 1000 and the mask 1100 can be pressed together by an external force and come into contact with each other or can be bonded to each other using an adhesive material. For example, the adhesive material may be variously selected from conductive paste, insulating paste, polymer adhesive, and the like, and is not particularly limited. When a material which loses adhesion force in any temperature range is used, separation can be facilitated in the temperature range when the first base 1000 and the mask 1100 are separated.

마스크(1100)에 형성된 하나 이상의 개구(1200)는 일 예로, 복수의 행과 열로 배열되어 있다. 개구(1200)에 의해 베이스(1100)의 상면이 노출된다. 개구(1200)의 개수 및 배열 방식은 필요에 따라 적절하게 변경할 수 있음은 물론이다.The at least one opening 1200 formed in the mask 1100 is, for example, arranged in a plurality of rows and columns. The upper surface of the base 1100 is exposed by the opening 1200. It goes without saying that the number and arrangement of the openings 1200 can be appropriately changed as necessary.

도 7(b)에 도시된 바와 같이, 개구(1200)의 하면의 폭(W1)은 개구(1200)의 상면의 폭(W2)에 비해 작게 형성되는 것이 바람직하다. 개구(1200)는 상면에서 하면으로 기울어진 경사면의 형상을 갖는다. 경사면은 평탄하게 형성될 수 있지만, 이에 한정하지 않고 오목하게 형성될 수도 있다.It is preferable that the width W1 of the lower surface of the opening 1200 is formed smaller than the width W2 of the upper surface of the opening 1200 as shown in Fig. The opening 1200 has a shape of an inclined surface inclined from the upper surface to the lower surface. The inclined surface may be formed flat, but not limited thereto, and may be formed concavely.

이와 달리, 개구(1200)는 반도체 발광소자 칩(1)의 형상을 따를 수도 있다.Alternatively, the opening 1200 may follow the shape of the semiconductor light-emitting device chip 1. [

다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이 각각의 개구(1200)로 노출된 제1 베이스(1000)위에 하나의 반도체 발광소자 칩(1)을 각각 배치한다. 이때, 마스크(1100)의 형상, 패턴, 또는 경계 등을 인식하여 소자가 놓일 위치 및 각도를 보정하는 후술되는 소자 이송 장치(A2)를 사용하여 반도체 발광소자 칩(1)을 제1 베이스(1000)위에 위치시킬 수 있다.Next, as shown in FIG. 8, one semiconductor light emitting device chip 1 is disposed on the first base 1000 exposed to the respective openings 1200. At this time, the semiconductor light emitting device chip 1 is mounted on the first base 1000 (see FIG. 2) using a device transfer device A2 described later that recognizes the shape, pattern, or boundary of the mask 1100, ). ≪ / RTI >

반도체 발광소자 칩(1)은 2개의 전극(80, 70)은 제1 베이스(1000)의 하면 방향으로 노출되어 위치하며, 이에 따라 후술되는 봉지재(2)에 의해 2개의 전극(80, 70)이 덮이지 않고 봉지재(2)의 하면 방향으로 노출된다.The two electrodes 80 and 70 are exposed and positioned in the lower direction of the first base 1000 so that the two electrodes 80 and 70 are formed by the encapsulating material 2, And is exposed in the bottom direction of the sealing material 2 without being covered.

다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이 마스크(1100)를 댐(dam)으로 하여 각각의 개구(1200)에 에폭시 수지 또는 실리콘 수지를 투여 및 경화하여 봉지재(2)를 형성한다. 여기서, 마스크(1100)는 소자 이송 장치(A2)가 반도체 발광소자 칩(1)을 놓을 위치나 각도를 보정하기 위한 패턴으로 인식될 수 있으며, 이와 함께 봉지재(2)의 댐으로 기능한다. 봉지재(2)는 디스펜싱, 스텐실, 스크린 프린팅, 스핀 코팅 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반도체 발광소자 분야에서 일반적으로 사용되는 에폭시 수지, 실리콘 수지 중 하나 일 수 있다. 두께의 균일도나 형광체의 내부 밀도 등의 관점에서 스프레이 코팅이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 9, the mask 1100 is used as a dam, and epoxy resin or silicone resin is applied and cured to each of the openings 1200 to form the sealing material 2. Next, as shown in FIG. Here, the mask 1100 can be recognized as a pattern for correcting the position and the angle at which the element transfer device A2 places the semiconductor light-emitting device chip 1, and functions as a dam of the encapsulating material 2. [ The encapsulating material 2 may be formed using a dispenser, a stencil, a screen printing, a spin coating, or the like, and may be one of epoxy resin and silicone resin generally used in the field of semiconductor light emitting devices. From the viewpoints of the uniformity of the thickness and the inner density of the phosphor, spray coating is preferable.

다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이 마스크(1100)의 개구(1200) 내에 경사면을 갖는 봉지재(2)와 결합된 반도체 발광소자 칩(1)을 마스크(1100)로부터 분리하여 제2 베이스(2000)로 이송한다. 여기서, 제2 베이스(2000)는 임시 고정판일 수 있다.10, the semiconductor light emitting device chip 1 coupled with the sealing material 2 having the inclined surface in the opening 1200 of the mask 1100 is separated from the mask 1100, 2000). Here, the second base 2000 may be a temporary fixing plate.

제2 베이스(2000)는 제1 베이스(1000)이 동일한 물질로 형성될 수 있다. 하지만, 이에 한정하지 않고 제1 베이스(1000)와 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.The second base 2000 may be formed of the same material as the first base 1000. However, the present invention is not limited thereto and may be formed of a material different from that of the first base 1000.

구체적으로, 도 10(a)를 참조하면 제1 베이스(1000)를 분리한 후, 도 10(b)를 참조하면 봉지재(2)의 상면이 제2 베이스(2000)와 대응하도록 배치한 후, 소자 분리 장치(A1)를 이용하여 마스크(1100)에서 제2 베이스(2000)로 경사면을 갖는 봉지재(2)와 결합된 반도체 발광소자 칩(1)을 이송시킨다.10 (a), after separating the first base 1000, referring to FIG. 10 (b), the upper surface of the sealing material 2 is disposed to correspond to the second base 2000 The semiconductor light emitting device chip 1 coupled to the encapsulant 2 having the inclined surface from the mask 1100 to the second base 2000 is transferred using the device isolation device A1.

여기서, 경사면을 갖는 봉지재(2)와 결합된 반도체 발광소자 칩(1)이 마스크(1100)에서 제2 베이스(2000)로 원활히 이송되기 위해 뒤집어서 배치된다. 즉, 봉지재(2)의 상면에서 하면으로 기울어진 경사면이 뒤집어서 배치되어 마스크(1100)에서 제2 베이스(2000)로 원활히 이송될 수 있다.Here, the semiconductor light emitting device chip 1 coupled with the encapsulation material 2 having an inclined plane is arranged to be turned upside down to be smoothly transferred from the mask 1100 to the second base 2000. That is, the inclined surface inclined from the upper surface to the lower surface of the encapsulating material 2 is disposed in an inverted position, and can be smoothly transferred from the mask 1100 to the second base 2000.

제2 베이스(2000)는 별도의 벽(2100)을 포함하며, 벽(2100)에 의해 마스크(1100)와의 일정 간격이 유지되어 경사면을 갖는 봉지재(2)와 결합된 반도체 발광소자 칩(1)이 마스크(1100)에서 제2 베이스(2000)로 더욱 원활하게 이송될 수 있다. 여기서, 제2 베이스(2000)의 벽(2100)은 생략될 수 있다.The second base 2000 includes a separate wall 2100 and is spaced apart from the mask 1100 by a wall 2100 so that the semiconductor light emitting device chip 1 Can be transported more smoothly from the mask 1100 to the second base 2000. Here, the wall 2100 of the second base 2000 may be omitted.

제2 베이스(2000) 벽(2100)의 높이는 마스크(1100)의 높이와 동일하게 형성될 수 있다. 하지만, 이와 달리 제2 베이스(2000) 벽(2100)의 높이는 마스크(1100)의 높이는 서로 다르게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 베이스(2000) 벽(2100)의 높이가 마스크(1100)의 높이 보다 작게 형성되는 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 반사층(3)의 하부면(31)이 라운드 형상을 갖는다.The height of the second base 2000 wall 2100 may be the same as the height of the mask 1100. However, the height of the second base 2000 wall 2100 may be different from the height of the mask 1100. For example, when the height of the second base 2000 wall 2100 is less than the height of the mask 1100, the bottom surface 31 of the reflective layer 3 may be rounded as shown in FIG. .

또한, 도시하지 않았지만, 제1 베이스(1000)를 분리하지 않은 상태에서 경사면을 갖는 봉지재(2)와 결합된 반도체 발광소자 칩(1)을 소자 이송 장치(A2)를 이용하여 픽업(pick-up)하여 제1 베이스(1000)로부터 분리하여 제2 베이스(2000)의 벽(2100) 사이에 배치할 수 있다.Although not shown, the semiconductor light-emitting device chip 1 coupled with the encapsulating material 2 having the inclined surface in a state in which the first base 1000 is not separated is picked up by using the element transfer device A2, up from the first base 1000 and disposed between the walls 2100 of the second base 2000.

다음으로, 도 11에 도시한 바와 같이 제2 베이스(2000)의 벽(2100) 사이에 경사면을 갖는 봉지재(2)와 결합된 반도체 발광소자 칩(1)을 소정간격으로 이격시켜 배치한다. 도 11(a)는 단면도이며, 도 11(b)는 평면도이다.Next, as shown in FIG. 11, the semiconductor light-emitting device chips 1 coupled with the sealing material 2 having the inclined surfaces between the walls 2100 of the second base 2000 are arranged with a predetermined spacing therebetween. Fig. 11 (a) is a sectional view, and Fig. 11 (b) is a plan view.

다음으로, 도 12에 도시한 바와 같이 경사면을 갖는 봉지재(2)와 결합된 반도체 발광소자 칩(1) 사이에 반사물질을 도포하여 반사층(3)을 형성한다. 제2 베이스(2000)의 벽(2100)은 댐으로 기능한다. 도 12(a)는 단면도이며, 도 12(b)는 평면도이다.Next, as shown in Fig. 12, a reflective material 3 is formed by applying a reflective material between the encapsulant 2 having a slope and the semiconductor light-emitting device chip 1 coupled thereto. The wall 2100 of the second base 2000 functions as a dam. Fig. 12 (a) is a sectional view, and Fig. 12 (b) is a plan view.

제2 베이스(2000)의 벽(2100) 내에 디스펜서로 반사물질을 공급하고 경화하여 봉지재(2)의 주변을 감싸는 반사층(3)을 형성한다. 이때, 디스펜서로 반사층(3)을 형성하는 물질을 공급하는 속도, 양 등을 제어할 수 있다.Reflective material is supplied into the wall 2100 of the second base 2000 with a dispenser and cured to form a reflective layer 3 surrounding the periphery of the encapsulant 2. At this time, it is possible to control the speed, quantity and the like of supplying the material for forming the reflective layer 3 with the dispenser.

반사층(3)은 빛을 반사하는 반사물질로 형성되고, 예를 들어 반사율이 높은 백색 물질 즉, 백색 실리콘으로 형성된다.The reflective layer 3 is formed of a reflective material that reflects light, and is formed of, for example, a white material having a high reflectance, that is, white silicon.

여기서, 봉지재(2)의 측면과 접촉하는 반사층(3)의 내측면은 봉지재(2)의 경사면에 의해 경사면으로 형성된다.Here, the inner surface of the reflective layer 3, which is in contact with the side surface of the sealing material 2, is formed as an inclined surface by the inclined surface of the sealing material 2.

다음으로, 도 13에 도시된 바와 같이 개별 반도체 발광소자(100)로 분리하기 위해 각각의 반도체 발광소자(100) 사이에 절단홈(2200)을 형성한다. 이때, 제2 베이스(2000)는 절단되지 않는 것이 바람직하다. 도 13(a)는 단면도이며, 도 13(b)는 평면도이다.Next, as shown in FIG. 13, a cut groove 2200 is formed between each of the semiconductor light emitting devices 100 to separate the semiconductor light emitting device 100 into individual semiconductor light emitting devices 100. At this time, it is preferable that the second base 2000 is not cut. Fig. 13 (a) is a sectional view, and Fig. 13 (b) is a plan view.

절단홈(220)은 각각의 반도체 발광소자 칩(1) 사이에 위치하는 반사층(3) 사이에 일방향으로 형성된다. 본 예에서 절단홈(220)은 직선 방향으로 형성되지만 이에 한정되지 않는다.The cut grooves 220 are formed in one direction between the reflective layers 3 positioned between the respective semiconductor light-emitting device chips 1. In this example, the cutting grooves 220 are formed in a linear direction, but are not limited thereto.

절단홈(2200)은 별도의 절단(Cutting) 공정 즉, 쏘잉(sawing) 또는 스크라이빙(scribing)에 의해 형성될 수 있다. 본 예에서, 절단홈(2200)은 개별의 반도체 발광소자로 형성될 수 있도록 형성되는 것이 바람직하지만, 이에 한정되지 않고, 두 개 혹은 그 이상의 반도체 발광소자를 포함하도록 절단될 수도 있다.The cutting groove 2200 may be formed by a separate cutting process, i.e., sawing or scribing. In this example, the cut groove 2200 is preferably formed so as to be formed of a separate semiconductor light emitting device, but is not limited thereto, and may be cut to include two or more semiconductor light emitting devices.

도 14를 참조하면, 절단홈(2200)에 의해 이격된 개별 반도체 발광소자(100)를 소자 이송 장치(A2)를 이용하여 픽업(pick-up)하여 제2 베이스(2000)로부터 분리한다. 도 14(a)는 본 개시에 따른 1면 발광 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 14(b)는 본 개시에 따른 1면 발광 반도체 발광소자의 사시도이고, 도 14(c)는 본 개시에 따른 1면 발광 반도체 발광소자의 평면도이고 도 14(d)는 본 개시에 따른 1면 발광 반도체 발광소자의 단면도이다.14, an individual semiconductor light emitting device 100 separated by the cut groove 2200 is picked up using the element transfer device A2 and separated from the second base 2000. [ FIG. 14A is a view for explaining an example of a manufacturing method of a single-sided light emitting semiconductor light emitting device according to the present disclosure, FIG. 14B is a perspective view of a single-sided light emitting semiconductor light emitting device according to the present disclosure, 14 (c) is a plan view of the single-sided light emitting semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and Fig. 14 (d) is a sectional view of the single sided light emitting semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

구체적으로, 도 14(a)를 참조하면, 제2 베이스(2000)의 아래에서 핀 또는 봉이 일체로 형성된 반도체 발광소자(100)를 치면 제2 베이스(2000)로부터 반도체 발광소자(100)가 절단홈(2200)에 의해 개별로 떨어지면, 그 순간 소자 이송 장치(A1)가 반도체 발광소자(100)를 전기적 흡착 또는 진공 흡착할 수 있다.14 (a), when the semiconductor light emitting device 100 having the pin or the rod integrally formed thereon is pushed under the second base 2000, the semiconductor light emitting device 100 is cut from the second base 2000 The semiconductor light emitting device 100 can be electrically adsorbed or vacuum adsorbed by the element transfer device A1 at the moment when the semiconductor light emitting device 100 is separated by the groove 2200 individually.

이에 따라, 도 14(b) 내지 도 14(d)를 참조하면 반도체 발광소자(100)의 상면으로 빛이 추출되는 1면 발광 반도체 발광소자(100)를 얻을 수 있다.14 (b) to 14 (d), a single-sided light emitting semiconductor light emitting device 100 in which light is extracted to the upper surface of the semiconductor light emitting device 100 can be obtained.

도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다. 도 15(a)는 본 개시에 따른 1면 발광 반도체 발광소자의 제조 방법의 다른 예를 설명하기 위한 평면도이고, 도 15(b)는 도 15(a)에 도시된 1면 발광 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 평면도이고, 도 15(c)는 도 15(a)에 도시된 1면 발광 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 평면도이고, 도 15(d)는 도 15(a)에 도시된 1면 발광 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 평면도이다.15 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. 15 (a) is a plan view for explaining another example of the manufacturing method of the single-sided light emitting semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and Fig. 15 (b) 15 (a) is a plan view for explaining another example of the one-sided light emitting semiconductor light emitting device shown in Fig. 15 (a), Fig. 15 (d) Emitting semiconductor light-emitting device shown in FIG.

도 15에 도시한 바와 같이, 반도체 발광소자(200a, 200b, 200c)는 반도체 발광소자(200a, 200b, 200c)의 상면으로 빛이 추출되는 반도체 발광소자가 2개 혹은 그 이상이 포함되는 1면 발광 반도체 발광소자(200a, 200b, 200c)를 포함한다. 복수개의 반도체 발광소자를 포함하는 반도체 발광소자(200a, 200b, 200c)를 제외하고는 도 4, 도 7내지 도 14에 기재된 반도체 발광소자(100)와 동일한 특성을 갖는다.As shown in FIG. 15, the semiconductor light emitting devices 200a, 200b, and 200c may include one or more semiconductor light emitting devices 200a, 200b, and 200c including two or more semiconductor light emitting devices, Emitting semiconductor light emitting devices 200a, 200b, and 200c. Except that the semiconductor light emitting devices 200a, 200b, and 200c including a plurality of semiconductor light emitting devices have the same characteristics as those of the semiconductor light emitting device 100 described with reference to Figs. 4 and 7 to Fig.

반도체 발광소자(200a, 200b, 200c)의 제조 방법에 있어서, 도 15(a)에 도시된 바와 같이 절단홈(2300)에 의해 2*2, 2*1 또는 1*2 배열을 갖는 반도체 발광소자(200a, 200b, 200c)를 포함할 수 있다.In the manufacturing method of the semiconductor light emitting devices 200a, 200b and 200c, the semiconductor light emitting device 200 having the arrangement of 2 * 2, 2 * 1 or 1 * 2 by the cut groove 2300 as shown in Figure 15 (a) (200a, 200b, 200c).

구체적으로, 도 15(b)를 참조하면 반도체 발광소자(200a)가 절단홈(2300)에 의해 2*2 배열로 절단되는 경우, 2*2 배열로 형성된 4개의 반도체 발광소자(200a)의 상면으로 빛이 추출되는 1면 반도체 발광소자(200a)를 얻을 수 있다.15 (b), when the semiconductor light emitting devices 200a are cut into the 2 * 2 array by the cut grooves 2300, the upper surface of the four semiconductor light emitting devices 200a formed in the 2 * 2 arrangement A single-sided semiconductor light emitting device 200a from which light is extracted can be obtained.

또한 도 15(c)를 참조하면 반도체 발광소자(200b)가 절단홈(2300)에 의해 2*1 배열로 절단되는 경우, 2*1 배열로 형성된 2개의 반도체 발광소자(200b)의 상면으로 빛이 추출되는 1면 반도체 발광소자(200b)를 얻을 수 있다.15 (c), when the semiconductor light emitting devices 200b are cut into the 2 * 1 array by the cut grooves 2300, light is emitted to the upper surface of the two semiconductor light emitting devices 200b formed in a 2 * Whereby the single-sided semiconductor light emitting device 200b to be extracted can be obtained.

그리고 도 15(d)를 참조하면 반도체 발광소자(200c)가 절단홈(2300)에 의해 1*2 배열로 절단되는 경우, 1*2 배열로 형성된 2개의 반도체 발광소자(200c)의 상면으로 빛이 추출되는 1면 반도체 발광소자(200c)를 얻을 수 있다.15 (d), when the semiconductor light emitting devices 200c are cut into the 1 * 2 array by the cut grooves 2300, light is emitted to the upper surface of the two semiconductor light emitting devices 200c formed in a 1 * Side semiconductor light-emitting device 200c can be obtained.

이와 같은 반도체 발광소자(200a, 200b, 200c)는 도 7에 도시된 마스크(1100)의 1개의 개구(1200)내에 1개의 반도체 발광소자 칩(1)이 각각 배치되어 형성됨으로써, 1*2, 2*1 또는 2*2 배열로 절단하는 절단홈(2300)에 관계없이 반도체 발광소자(200a, 200b, 200c)의 상면으로 빛이 추출되는 1면 발광 반도체 발광소자(200a, 200b, 200c)를 포함한다. 본 예에서는 반도체 발광소자가 1*2, 2*1 또는 2*2 배열로 절단되는 경우에 대하여 설명하였지만, 이에 한정하지 않는다.The semiconductor light emitting devices 200a, 200b and 200c are formed by arranging one semiconductor light emitting device chip 1 in one opening 1200 of the mask 1100 shown in FIG. 7, The single-sided light emitting semiconductor light emitting devices 200a, 200b, and 200c, which extract light from the upper surfaces of the semiconductor light emitting devices 200a, 200b, and 200c, regardless of the cut grooves 2300 cut into the 2 * 1 or 2 * . In this example, the case where the semiconductor light emitting device is cut into the 1 * 2, 2 * 1, or 2 * 2 array has been described, but the present invention is not limited thereto.

도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다. 도 16(a)는 평면도이며, 도 16(b)는 BB'에 따른 단면도이다.16 is a view for explaining another example of the method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Fig. 16 (a) is a plan view, and Fig. 16 (b) is a sectional view along BB '.

도 17은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이다. 도 17(a)는 본 개시에 따른 1면 발광 반도체 발광소자의 제조 방법의 또 다른 예를 설명하기 위한 평면도이고, 도 17(b)는 도 17(a)에 도시된 1면 발광 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 평면도이고, 도 17(c)는 본 개시에 따른 1면 발광 반도체 발광소자의 제조 방법의 또 다른 예를 설명하기 위한 평면도이고, 도 17(d)는 도 17(c)에 도시된 1면 발광 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 평면도이다.17 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. 17A is a plan view for explaining another example of the manufacturing method of the single-sided light emitting semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 17B is a plan view for explaining another example of the single- 17 (c) is a plan view for explaining another example of the manufacturing method of the one-sided light emitting semiconductor light emitting device according to the present disclosure, FIG. 17 (d) Emitting semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention.

반도체 발광소자(300a, 300b)의 제조 방법에 있어서, 도 16에 도시된 바와 같이, 1개의 개구(3200) 내에 2개의 반도체 발광소자 칩(11)을 배치한다. 제1 베이스(3000)위에 형성된 마스크(3100)는 2*5 배열로 형성된 개구(3200)를 포함하는 것이 바람직하지만, 이에 한정되지 않는다.In the manufacturing method of the semiconductor light emitting devices 300a and 300b, two semiconductor light emitting device chips 11 are arranged in one opening 3200 as shown in Fig. The mask 3100 formed on the first base 3000 preferably includes openings 3200 formed in a 2x5 arrangement, but is not limited thereto.

본 예에서, 각각의 개구(3200)로 노출된 제1 베이스(3000) 위에 2개의 반도체 발광소자 칩(11)이 배치되는 것으로 한정하였지만, 이에 한정하지 않고, 1개 또는 2개 이상의 반도체 발광소자 칩이 배치될 수 있다.In this example, two semiconductor light-emitting device chips 11 are disposed on the first base 3000 exposed through the respective openings 3200. However, the present invention is not limited to this, and one or two or more semiconductor light- Chips can be placed.

도 17에 도시한 바와 같이, 반도체 발광소자(300a, 300b)는 반도체 발광소자(300a, 300b)의 상면으로 빛이 추출되는 반도체 발광소자가 2개 포함되는 1면 발광 반도체 발광소자(300a, 300b)를 포함한다. 복수개의 반도체 발광소자를 포함하는 반도체 발광소자(300a, 300b)를 제외하고는 도 4, 도 7내지 도 14에 기재된 반도체 발광소자(100)와 동일한 특성을 갖는다.As shown in FIG. 17, the semiconductor light emitting devices 300a and 300b include single-sided light emitting semiconductor light emitting devices 300a and 300b including two semiconductor light emitting devices from which light is extracted to the upper surfaces of the semiconductor light emitting devices 300a and 300b ). Except for the semiconductor light emitting devices 300a and 300b including a plurality of semiconductor light emitting devices, have the same characteristics as those of the semiconductor light emitting device 100 described with reference to FIG. 4 and FIG. 7 to FIG.

반도체 발광소자(300a)의 제조 방법에 있어서, 도 17(a)에 도시된 바와 같이 각각의 반도체 발광소자(300a) 사이에 절단홈(4300)을 형성하여 개별 반도체 발광소자(300a)로 분리한다. 이때, 제2 베이스(4000)는 절단되지 않는 것이 바람직하다. 제2 베이스(4000)는 댐으로 기능하는 벽(4100)을 포함할 수 있으며, 벽(4100)은 생략될 수 있다.In the method of manufacturing the semiconductor light emitting device 300a, as shown in FIG. 17A, a cut groove 4300 is formed between the respective semiconductor light emitting devices 300a and separated into individual semiconductor light emitting devices 300a . At this time, it is preferable that the second base 4000 is not cut. The second base 4000 may include a wall 4100 functioning as a dam, and the wall 4100 may be omitted.

구체적으로, 도 17(b)를 참조하면 반도체 발광소자(300a)가 절단홈(4300)에 의해 1*2 배열로 절단되는 경우, 1*2 배열로 형성된 2개의 반도체 발광소자(300a)의 상면으로 빛이 추출되는 1면 반도체 발광소자(300a)를 얻을 수 있다. 각각의 개구(3200) 내에 2개의 반도체 발광소자 칩(11)이 배치됨으로써, 반도체 발광소자(300a)는 2개의 반도체 발광소자 칩(11)을 포함한다.17B, when the semiconductor light emitting devices 300a are cut into the 1 * 2 array by the cut grooves 4300, the upper surfaces of the two semiconductor light emitting devices 300a formed in the 1 * 2 arrangement A single-sided semiconductor light-emitting device 300a from which light is extracted can be obtained. Two semiconductor light emitting device chips 11 are disposed in each of the openings 3200 so that the semiconductor light emitting device 300a includes two semiconductor light emitting device chips 11. [

반도체 발광소자(300b)의 제조 방법에 있어서, 도 17(c)에 도시된 바와 같이 각각의 반도체 발광소자(300b) 사이에 절단홈(4400)을 형성하여 개별 반도체 발광소자(300b)로 분리한다. 이때, 제2 베이스(4000)는 절단되지 않는 것이 바람직하다. 제2 베이스(4000)는 댐으로 기능하는 벽(4100)을 포함할 수 있으며, 벽(4100)은 생략될 수 있다.In the method of manufacturing the semiconductor light emitting device 300b, a cut groove 4400 is formed between the respective semiconductor light emitting devices 300b as shown in FIG. 17 (c) and separated into individual semiconductor light emitting devices 300b . At this time, it is preferable that the second base 4000 is not cut. The second base 4000 may include a wall 4100 functioning as a dam, and the wall 4100 may be omitted.

구체적으로, 도 17(d)를 참조하면 반도체 발광소자(300b)가 절단홈(4400)에 의해 2*1 배열로 절단되는 경우, 2*1 배열로 형성된 2개의 반도체 발광소자(300b)의 상면으로 빛이 추출되는 1면 반도체 발광소자(300b)를 얻을 수 있다. 각각의 개구(3200) 내에 2개의 반도체 발광소자 칩(11)이 배치됨으로써, 반도체 발광소자(300b)는 2개의 반도체 발광소자 칩(11)을 포함한다.17D, when the semiconductor light emitting devices 300b are cut into the 2 * 1 arrangement by the cut grooves 4400, the upper surface of the two semiconductor light emitting devices 300b formed in the 2 * 1 arrangement A single-sided semiconductor light emitting device 300b can be obtained. Two semiconductor light emitting device chips 11 are disposed in each of the openings 3200 so that the semiconductor light emitting device 300b includes two semiconductor light emitting device chips 11. [

이와 같은 반도체 발광소자(300a, 300b)는 도 16에 도시된 마스크(3100)의 1개의 개구(3200) 내에 2개의 반도체 발광소자 칩(11)이 각각 배치되어 형성됨으로써, 1*2 또는 2*1 배열로 절단되는 절단홈(4300, 4400)에 관계없이 반도체 발광소자(300a, 300b)의 상면으로 빛이 추출되는 1면 발광 반도체 발광소자(300a, 300b)를 포함한다. 본 예에서는 반도체 발광소자가 1*2 또는 1*2 배열로 절단되는 경우에 대하여 설명하였지만, 이에 한정하지 않는다.The semiconductor light emitting devices 300a and 300b may be formed by arranging two semiconductor light emitting device chips 11 in one opening 3200 of the mask 3100 shown in FIG. And one-sided light emitting semiconductor light emitting devices 300a and 300b for extracting light from the upper surfaces of the semiconductor light emitting devices 300a and 300b irrespective of the cut grooves 4300 and 4400 cut into one array. In this example, the case where the semiconductor light emitting element is cut into the 1 * 2 or 1 * 2 array has been described, but the present invention is not limited thereto.

도 18은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이다. 도 18(a)는 평면도이며, 도 18(b)는 BB'에 따른 단면도이다.18 is a view for explaining another example of the method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Fig. 18 (a) is a plan view, and Fig. 18 (b) is a cross-sectional view along BB '.

도 19는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이다. 도 19(a)는 본 개시에 따른 3면 발광 반도체 발광소자의 제조 방법의 또 다른 예를 설명하기 위한 평면도이고, 도 19(b)는 도 19(a)에 도시된 3면 발광 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 사시도이고, 도 19(c)는 도 19(a)에 도시된 3면 발광 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 평면도이다.19 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. FIG. 19 (a) is a plan view for explaining another example of the method for manufacturing a three-sided light emitting semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 19 (b) 19 (c) is a plan view for explaining an example of a three-sided light emitting semiconductor light emitting device shown in Fig. 19 (a).

반도체 발광소자(400a)의 제조 방법에 있어서, 도 18에 도시된 바와 같이, 1개의 개구(5200) 내에 5개의 반도체 발광소자 칩(111)을 가로 방향으로 배치한다. 제1 베이스(5000)위에 형성된 마스크(5100)는 1*5 배열로 형성된 개구(5200)를 포함하는 것이 바람직하지만, 이에 한정되지 않는다.In the manufacturing method of the semiconductor light emitting device 400a, as shown in Fig. 18, five semiconductor light emitting device chips 111 are arranged in the lateral direction within one opening 5200. [ The mask 5100 formed on the first base 5000 preferably includes openings 5200 formed in a 1 * 5 arrangement, but is not limited thereto.

본 예에서, 각각의 개구(5200)로 노출된 제1 베이스(5000) 위에 5개의 반도체 발광소자 칩(111)이 가로 방향으로 배치되는 것으로 한정하였지만, 이에 한정하지 않고, 5개 이상 또는 이하의 반도체 발광소자 칩이 배치될 수 있다.In this example, five semiconductor light emitting device chips 111 are arranged in the lateral direction on the first base 5000 exposed with the respective openings 5200, but the present invention is not limited thereto and five or more The semiconductor light emitting device chip may be disposed.

도 19에 도시된 바와 같이 각각의 반도체 발광소자(400a)는 반도체 발광소자(400a)의 상면 및 가로 방향의 양쪽 측면으로 빛이 추출되는 반도체 발광소자가 1개 포함되는 3면 발광 반도체 발광소자(400a)를 포함한다. 상면 및 가로 방향의 양쪽 측면으로 발광하는 3면 반도체 발광소자(400a)를 제외하고는 도 4, 도 7내지 도 14에 기재된 반도체 발광소자(100)와 동일한 특성을 갖는다.As shown in FIG. 19, each semiconductor light emitting device 400a includes a three-sided light emitting semiconductor light emitting device 400a including one semiconductor light emitting device that extracts light from both sides of a top surface and a lateral direction of the semiconductor light emitting device 400a 400a. Except for the three-sided semiconductor light emitting device 400a that emits light on both sides in the top and lateral directions, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 100 described in Figs. 4 and 7 to Fig.

반도체 발광소자(400a)의 제조 방법에 있어서, 도 19(a)에 도시된 바와 같이 각각의 반도체 발광소자(400a) 사이에 절단홈(6300)을 형성하여 개별 반도체 발광소자(400a)로 분리한다. 이때, 제2 베이스(6000)는 절단되지 않는 것이 바람직하다. 제2 베이스(6000)는 댐으로 기능하는 벽(6100)을 포함할 수 있으며, 벽(6100)은 생략될 수 있다.In the manufacturing method of the semiconductor light emitting device 400a, as shown in FIG. 19 (a), a cut groove 6300 is formed between the respective semiconductor light emitting devices 400a and separated into individual semiconductor light emitting devices 400a . At this time, it is preferable that the second base 6000 is not cut. The second base 6000 may include a wall 6100 functioning as a dam, and the wall 6100 may be omitted.

구체적으로, 도 19(b) 및 도 19(c)를 참조하면 1*5 배열로, 즉 가로 방향으로 형성된 반도체 발광소자(400a)가 절단홈(6300)에 의해 1*1 배열로 절단되는 경우, 1*1 배열로 형성된 1개의 반도체 발광소자(400a)의 상면 및 가로 방향의 양쪽 측면으로 빛이 추출되는 3면 반도체 발광소자(400a)를 얻을 수 있다.19 (b) and 19 (c), when the semiconductor light emitting devices 400a formed in a 1 * 5 arrangement, that is, in the lateral direction, are cut into a 1 * 1 array by the cut grooves 6300 , A three-sided semiconductor light emitting device 400a in which light is extracted from the upper surface and both lateral sides of one semiconductor light emitting device 400a formed in a 1 * 1 array can be obtained.

도 20은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이다. 도 20(a)는 본 개시에 따른 3면 발광 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 20(b)는 도 20(a)에 도시된 3면 발광 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 사시도이고, 도 20(c)는 도 20(a)에 도시된 3면 발광 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 평면도이다.20 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. 20 (a) is a view for explaining an example of a method of manufacturing a three-sided light emitting semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and Fig. 20 (b) 20 (c) is a plan view for explaining an example of a three-sided light emitting semiconductor light emitting device shown in Fig. 20 (a).

반도체 발광소자(400b)의 제조 방법에 있어서, 도 18에 도시된 바와 같이, 1개의 개구(5200) 내에 5개의 반도체 발광소자 칩(111)을 세로 방향으로 배치한다. 제1 베이스(5000)위에 형성된 마스크(5100)는 5*1 배열로 형성된 개구(5200)를 포함하는 것이 바람직하지만, 이에 한정되지 않는다.In the manufacturing method of the semiconductor light emitting device 400b, five semiconductor light emitting device chips 111 are arranged in the longitudinal direction in one opening 5200 as shown in Fig. The mask 5100 formed on the first base 5000 preferably includes openings 5200 formed in a 5 * 1 array, but is not limited thereto.

본 예에서, 각각의 개구(5200)로 노출된 제1 베이스(5000) 위에 5개의 반도체 발광소자 칩(111)이 세로 방향으로 배치되는 것으로 한정하였지만, 이에 한정하지 않고, 5개 이상 또는 이하의 반도체 발광소자 칩이 배치될 수 있다.In this example, five semiconductor light emitting device chips 111 are arranged in the longitudinal direction on the first base 5000 exposed by the respective openings 5200, but the present invention is not limited thereto, and five or more The semiconductor light emitting device chip may be disposed.

도 20에 도시된 바와 같이 각각의 반도체 발광소자(400b)는 반도체 발광소자(400b)의 상면 및 세로 방향의 양쪽 측면으로 빛이 추출되는 반도체 발광소자가 1개 포함되는 3면 발광 반도체 발광소자(400b)를 포함한다. 상면 및 세로 방향의 양쪽 측면으로 발광하는 3면 반도체 발광소자(400b)를 제외하고는 도 4, 도 7내지 도 14에 기재된 반도체 발광소자(100)와 동일한 특성을 갖는다.As shown in FIG. 20, each semiconductor light emitting device 400b includes a three-sided light emitting semiconductor light emitting device 400b including one semiconductor light emitting device that extracts light from both sides of a top surface and a longitudinal direction of the semiconductor light emitting device 400b 400b. Except for the three-sided semiconductor light-emitting device 400b which emits light on both sides in the top and the longitudinal directions, has the same characteristics as those of the semiconductor light-emitting device 100 described in Figs. 4 and 7 to Fig.

반도체 발광소자(400b)의 제조 방법에 있어서, 도 20(a)에 도시된 바와 같이 각각의 반도체 발광소자(400b) 사이에 절단홈(6400)을 형성하여 개별 반도체 발광소자(400b)로 분리한다. 이때, 제2 베이스(6000)는 절단되지 않는 것이 바람직하다. 제2 베이스(6000)는 댐으로 기능하는 벽(6100)을 포함할 수 있으며, 벽(6100)은 생략될 수 있다.In the method of manufacturing the semiconductor light emitting device 400b, a cut groove 6400 is formed between the respective semiconductor light emitting devices 400b as shown in FIG. 20 (a) and separated into individual semiconductor light emitting devices 400b . At this time, it is preferable that the second base 6000 is not cut. The second base 6000 may include a wall 6100 functioning as a dam, and the wall 6100 may be omitted.

구체적으로, 도 20(b) 및 도 20(c)를 참조하면 5*1 배열로, 즉 세로 방향으로 형성된 반도체 발광소자(400b)가 절단홈(6400)에 의해 1*1 배열로 절단되는 경우, 1*1 배열로 형성된 1개의 반도체 발광소자(400b)의 상면 및 세로 방향의 양쪽 측면으로 빛이 추출되는 3면 반도체 발광소자(400b)를 얻을 수 있다.20 (b) and 20 (c), when the semiconductor light emitting devices 400b formed in a 5 * 1 arrangement, that is, in the longitudinal direction, are cut into a 1 * 1 array by the cut grooves 6400 , A three-sided semiconductor light emitting device 400b in which light is extracted from both sides of the upper surface and the longitudinal direction of one semiconductor light emitting device 400b formed in a 1 * 1 array can be obtained.

도 21은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면이다. 도 21(a)는 본 개시에 따른 3면 발광 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 20(b)는 도 20(a)에 도시된 3면 발광 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 평면도이다.21 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. 20 (a) is a view for explaining an example of a method of manufacturing a three-sided light emitting semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and Fig. 20 (b) Fig. 7 is a plan view for explaining an example.

도 21에 도시된 바와 같이, 반도체 발광소자(500)는 상면 및 세로 방향의 양쪽 측면으로 빛이 추출되는 반도체 발광소자가 2개 포함되는 3면 발광 반도체 발광소자(500)를 포함한다. 상면 및 세로 방향의 양쪽 측면으로 발광하는 3면 반도체 발광소자(500)를 제외하고는 도 4, 도 7내지 도 14에 기재된 반도체 발광소자(100)와 동일한 특성을 갖는다.As shown in FIG. 21, the semiconductor light emitting device 500 includes a three-sided light emitting semiconductor light emitting device 500 including two semiconductor light emitting devices for extracting light from both sides of the top surface and the longitudinal direction. Except for the three-sided semiconductor light-emitting device 500 which emits light on both sides in the top and the longitudinal directions, has the same characteristics as the semiconductor light-emitting device 100 described in Figs. 4 and 7 to Fig.

반도체 발광소자(500)의 제조 방법에 있어서, 도 21(a)에 도시된 바와 같이 각각의 반도체 발광소자(500) 사이에 절단홈(6500)을 형성하여 개별 반도체 발광소자(500)로 분리한다. 이때, 제2 베이스(6000)는 절단되지 않는 것이 바람직하다. 제2 베이스(6000)는 댐으로 기능하는 벽(6100)을 포함할 수 있으며, 벽(6100)은 생략될 수 있다.In the method of manufacturing the semiconductor light emitting device 500, as shown in FIG. 21A, a cut groove 6500 is formed between the respective semiconductor light emitting devices 500 and separated into individual semiconductor light emitting devices 500 . At this time, it is preferable that the second base 6000 is not cut. The second base 6000 may include a wall 6100 functioning as a dam, and the wall 6100 may be omitted.

구체적으로, 도 21(b)를 참조하면 5*1 배열로, 즉 세로 방향으로 형성된 반도체 발광소자(500)가 절단홈(6500)에 의해 2*1 배열로 절단되는 경우, 2*1 배열로 형성된 2개의 반도체 발광소자(500)의 상면 및 세로 방향의 양쪽 측면으로 빛이 추출되는 3면 반도체 발광소자(500)를 얻을 수 있다.21 (b), when the semiconductor light emitting devices 500 formed in a 5 * 1 array, that is, in the longitudinal direction, are cut into a 2 * 1 array by the cut grooves 6500, The three-sided semiconductor light-emitting device 500 in which light is extracted from both the upper surface and the longitudinal side of two formed semiconductor light-emitting devices 500 can be obtained.

본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 순서는 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서는 본 개시의 범위에 포함될 수 있다.The order of the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure can be included in the scope of the present disclosure to the extent that those skilled in the art can easily change it.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 복수의 개구가 형성된 마스크의 각각의 개구 내에 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계;로서, 전자와 전공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 가지는 반도체 발광소자 칩을 개구 내에 배치하는 단계; 반도체 발광소자 칩이 배치된 마스크의 개구 내에 봉지재를 투입하는 단계; 마스크로부터 봉지재와 결합된 반도체 발광소자 칩을 분리하여 고정판으로 이송하는 단계; 봉지재와 결합된 반도체 발광소자 칩 사이에 반사물질을 도포하여 반사층을 형성하는 단계; 그리고 절단 공정을 통해 개별적인 반도체 발광소자로 분리하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.(1) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, the method comprising the steps of: arranging a semiconductor light emitting device chip in each opening of a mask having a plurality of openings, the semiconductor light emitting device chip comprising a plurality of semiconductor layers Disposing a semiconductor light emitting device chip having an electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers in an opening; Injecting an encapsulant into the opening of the mask in which the semiconductor light emitting device chip is disposed; Separating the semiconductor light emitting device chip coupled with the sealing material from the mask and transferring the separated semiconductor light emitting device chip to the fixing plate; Forming a reflective layer by applying a reflective material between the encapsulant and the semiconductor light emitting device chip coupled to the encapsulant; And separating the semiconductor light emitting device into individual semiconductor light emitting devices through a cutting process.

(2) 반사층의 내측면은 봉지재의 하면 방향으로 경사진 반도체 발광소자의 제조방법.(2) the inner surface of the reflective layer is inclined in the lower direction of the sealing material.

(3) 봉지재의 높이는 반사층의 높이와 동일하게 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법.(3) The height of the sealing material is formed equal to the height of the reflective layer.

(4) 마스크의 각각의 개구 내에 복수의 반도체 발광소자 칩을 배치하는 반도체 발광소자의 제조방법.(4) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein a plurality of semiconductor light emitting device chips are arranged in respective openings of a mask.

(5) 절단 공정시 반도체 발광소자의 상면으로 빛이 추출되는 반도체 발광소자가 한 개 또는 그 이상이 포함되도록 절단되는 반도체 발광소자의 제조방법.(5) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (5), wherein the semiconductor light emitting device is cut so that one or more semiconductor light emitting devices are extracted from the upper surface of the semiconductor light emitting device.

(6) 절단 공정시 반도체 발광소자의 상면 및 적어도 2개의 측면으로 빛이 추출되는 반도체 발광소자가 한 개 또는 그 이상이 포함되도록 절단되는 반도체 발광소자의 제조방법.(6) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (6), wherein the semiconductor light emitting device is cut so that one or more semiconductor light emitting devices are extracted from the upper surface and at least two side surfaces of the semiconductor light emitting device.

(7) 봉지재와 결합된 반도체 발광소자 칩을 제외한 고정판의 전체면에 반사물질을 도포하여 반사층을 형성하는 반도체 발광소자의 제조방법.(7) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: forming a reflective layer by applying a reflective material to an entire surface of a fixing plate excluding a semiconductor light emitting device chip coupled with an encapsulant.

(8) 고정판 위에 별도의 댐을 더 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.(8) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, further comprising a dam on a fixing plate.

(9) 반도체 발광소자 칩의 전극은 반사층의 하면 방향으로 노출되는 반도체 발광소자의 제조방법.(9) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed in the lower surface direction of the reflective layer.

(10) 반사층의 하면은 표면 장력에 의해 라운드 형상을 갖는 반도체 발광소자의 제조 방법.(10) The method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to (10), wherein the lower surface of the reflecting layer has a round shape by surface tension.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 1면 발광 또는 3면 발광의 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.According to one semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a semiconductor light emitting device having one-side light emission or three-sided light emission can be obtained.

또한, 고온에 강한 백색 반사 물질을 포함하는 반사층이 경사면을 갖도록 형성함으로써, 반도체 발광소자의 광 추출 효율(extraction efficiency)을 향상시킬 수 있다.Further, by forming the reflective layer including the white reflective material strong at high temperature to have an inclined surface, the extraction efficiency of the semiconductor light emitting device can be improved.

그리고, 일정한 기울기를 갖는 경사면을 포함하는 반사층을 별도의 절단 공정없이 마스크를 이용하여 형성함으로써, 반도체 발광소자에 물리적인 영향을 주지 않는다.A reflective layer including a slope having a constant inclination is formed by using a mask without a separate cutting step, so that the semiconductor light emitting element is not physically affected.

반도체 발광소자 : 100, 200, 300, 400
반도체 발광소자 칩 : 1, 11, 111
봉지재 : 2 반사층 : 3
제1 베이스 : 1000, 3000, 5000 마스크 : 1100, 3100, 5100
개구 : 1200, 3200, 5200 제2 베이스 : 2000, 4000, 6000
절단홈 : 2200, 2300, 4300, 6300Semiconductor light emitting devices: 100, 200, 300, 400
Semiconductor light-emitting device chip: 1, 11, 111
Encapsulation material: 2 Reflective layer: 3
First base: 1000, 3000, 5000 Mask: 1100, 3100, 5100
Opening: 1200, 3200, 5200 Second base: 2000, 4000, 6000
Cutting groove: 2200, 2300, 4300, 6300

Claims (10)

반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서,
복수의 개구가 형성된 마스크의 각각의 개구 내에 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계;로서, 전자와 전공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 가지는 반도체 발광소자 칩을 개구 내에 배치하는 단계;
반도체 발광소자 칩이 배치된 마스크의 개구 내에 봉지재를 투입하는 단계;
마스크로부터 봉지재와 결합된 반도체 발광소자 칩을 분리하여 고정판으로 이송하는 단계;
봉지재와 결합된 반도체 발광소자 칩 사이에 반사물질을 도포하여 반사층을 형성하는 단계; 그리고
절단 공정을 통해 개별적인 반도체 발광소자로 분리하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: disposing a semiconductor light emitting device chip in each opening of a mask in which a plurality of openings are formed, the semiconductor light emitting device comprising: a plurality of semiconductor layers which generate light by recombination of electrons and electrons; Disposing a semiconductor light emitting device chip in an opening;
Injecting an encapsulant into the opening of the mask in which the semiconductor light emitting device chip is disposed;
Separating the semiconductor light emitting device chip coupled with the sealing material from the mask and transferring the separated semiconductor light emitting device chip to the fixing plate;
Forming a reflective layer by applying a reflective material between the encapsulant and the semiconductor light emitting device chip coupled to the encapsulant; And
And separating the semiconductor light emitting device into individual semiconductor light emitting devices through a cutting process. 제1항에 있어서,
반사층의 내측면은 봉지재의 하면 방향으로 경사진 반도체 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
And the inner surface of the reflective layer is inclined in the bottom direction of the sealing material. 제1항에 있어서,
봉지재의 높이는 반사층의 높이와 동일하게 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
And the height of the sealing material is equal to the height of the reflective layer. 제1항에 있어서,
마스크의 각각의 개구 내에 복수의 반도체 발광소자 칩을 배치하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein a plurality of semiconductor light-emitting device chips are arranged in respective openings of the mask. 제4항에 있어서,
절단 공정시 반도체 발광소자의 상면으로 빛이 추출되는 반도체 발광소자가 한 개 또는 그 이상이 포함되도록 절단되는 반도체 발광소자의 제조방법.5. The method of claim 4,
Wherein the semiconductor light emitting device is cut so that one or more semiconductor light emitting devices are extracted from the upper surface of the semiconductor light emitting device during the cutting process. 제4항에 있어서,
절단 공정시 반도체 발광소자의 상면 및 적어도 2개의 측면으로 빛이 추출되는 반도체 발광소자가 한 개 또는 그 이상이 포함되도록 절단되는 반도체 발광소자의 제조방법.5. The method of claim 4,
Wherein the semiconductor light emitting device is cut so that one or more semiconductor light emitting devices are extracted from the upper surface and at least two side surfaces of the semiconductor light emitting device during the cutting process. 제1항에 있어서,
봉지재와 결합된 반도체 발광소자 칩을 제외한 고정판의 전체면에 반사물질을 도포하여 반사층을 형성하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
A reflective layer is formed by applying a reflective material to the entire surface of a fixing plate excluding a semiconductor light emitting device chip coupled with an encapsulant. 제7항에 있어서,
고정판 위에 별도의 댐을 더 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.8. The method of claim 7,
And further comprising a separate dam on the fixing plate. 제1항에 있어서,
반도체 발광소자 칩의 전극은 반사층의 하면 방향으로 노출되는 반도체 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed in the lower direction of the reflective layer. 제1항에 있어서,
반사층의 하면은 표면 장력에 의해 라운드 형상을 갖는 반도체 발광소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
And the lower surface of the reflective layer has a round shape by surface tension.
KR1020160148768A 2016-09-26 2016-11-09 Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same KR101865786B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160148768A KR101865786B1 (en) 2016-11-09 2016-11-09 Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
PCT/KR2017/010623 WO2018056788A1 (en) 2016-09-26 2017-09-26 Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160148768A KR101865786B1 (en) 2016-11-09 2016-11-09 Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180051878A true KR20180051878A (en) 2018-05-17
KR101865786B1 KR101865786B1 (en) 2018-06-11

Family

ID=62486101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160148768A KR101865786B1 (en) 2016-09-26 2016-11-09 Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101865786B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140127457A (en) * 2013-04-24 2014-11-04 주식회사 씨티랩 Semiconductor device structure and method of manufacutruing the same
KR20160022745A (en) * 2014-08-20 2016-03-02 주식회사 루멘스 Method for manufacturing light emitting device package and light emitting device package
KR20160083279A (en) * 2014-12-30 2016-07-12 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR20160119313A (en) * 2015-04-02 2016-10-13 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101615497B1 (en) * 2009-11-27 2016-04-27 삼성전자주식회사 Light Emitting Diode Package and Method of Manufacturing The Same
KR102100923B1 (en) * 2013-09-30 2020-04-16 서울반도체 주식회사 Light emitting device and method of fabricating the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140127457A (en) * 2013-04-24 2014-11-04 주식회사 씨티랩 Semiconductor device structure and method of manufacutruing the same
KR20160022745A (en) * 2014-08-20 2016-03-02 주식회사 루멘스 Method for manufacturing light emitting device package and light emitting device package
KR20160083279A (en) * 2014-12-30 2016-07-12 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR20160119313A (en) * 2015-04-02 2016-10-13 주식회사 세미콘라이트 Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101865786B1 (en) 2018-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101230622B1 (en) Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same
JP2011243977A (en) Light emitting diode chip having wavelength converting layer and method of fabricating the same, and package having the light emitting diode chip and method of fabricating the same
US20190081221A1 (en) Semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor
JP2015159321A (en) light emitting device package
KR101291092B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101654339B1 (en) Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101865786B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR101733043B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR101772550B1 (en) Semiconductor light emitting device
KR101877745B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR101928314B1 (en) Semiconductor light emitting device chip and semiconductor light emitting device by using the same
KR101835631B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR101877743B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR101877237B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR101873505B1 (en) Wafer-level light emitting diode package
KR101273481B1 (en) White Light-emitting diode and Method of Manufacturing the same
KR101863549B1 (en) Semiconductor light emitting device
KR101946243B1 (en) Method of manufacturing semiconductor light emitting device
KR101300463B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101928304B1 (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same
KR101808038B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR102325808B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR101775664B1 (en) Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101831207B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
KR20170036295A (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)