KR101835631B1 - Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

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전수근
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Abstract

The present disclosure relates to a method for manufacturing a semiconductor light emitting device which comprises the steps of: arranging a plurality of semiconductor layers for generating light by recombination of an electron and a hole, and a semiconductor light emitting device chip having an electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers in a first opening of a first mask having the first opening formed therein; inserting an encapsulating material in the first opening of the first mask in which the semiconductor light emitting device chip is arranged; separating the semiconductor light emitting device chip on which the encapsulating material is covered from the first mask; arranging the semiconductor light emitting device chip on which the encapsulating material in a second opening of a second mask having the second opening formed therein; and forming a reflecting layer in the second opening of the second mask. The width of an upper surface of the first opening of the first mask on a side surface on which the semiconductor light emitting device chip is arranged is formed smaller than that of a lower surface of the first opening on the opposite side. By forming the reflecting layer to have an inclined surface, the light extraction efficiency of a semiconductor light emitting device can be improved.

Description

반도체 발광소자 및 이의 제조 방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 발광효율을 높인 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor light emitting device having a high light emitting efficiency and a method of manufacturing the same.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The III-nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1). A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 성장 기판(100; 예: 사파이어 기판), 성장 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 도전막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 버퍼층(200)은 생략될 수 있다.1 is a diagram showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip. The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 100 (for example, a sapphire substrate), a growth substrate 100, a buffer layer 200, A first semiconductor layer 300 (e.g., an n-type GaN layer), an active layer 400 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of electrons and holes, a second conductivity different from the first conductivity A light emitting conductive film 600 for current diffusion and an electrode 700 serving as a bonding pad are formed on the second semiconductor layer 500 (e.g., a p-type GaN layer) An electrode 800 (e.g., a Cr / Ni / Au laminated metal pad) serving as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 300 exposed by etching. The buffer layer 200 may be omitted.

도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장 기판(100) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.The semiconductor light-emitting device chip of the type shown in Fig. 1 is referred to as a lateral chip in particular. Here, when the growth substrate 100 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface.

도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 보여주는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩은 성장 기판(100), 성장 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 제1 전극막(901), 제2 전극막(902) 및 제3 전극막(903)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다.FIG. 2 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 100, a growth substrate 100, a first semiconductor An active layer 400 for generating light through recombination of electrons and holes and a second semiconductor layer 500 having a second conductivity different from the first conductivity are sequentially deposited on the substrate 300, The first electrode layer 901, the second electrode layer 902 and the third electrode layer 903 are formed in three layers for reflecting light toward the first semiconductor layer 300 An electrode 800 functioning as a bonding pad is formed on the substrate 800. [

제1 전극막(901)은 Ag 반사막, 제2 전극막(902)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(903)은 Au 본딩층일 수 있다. 여기서, 제3 전극막(903) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(300) 위에 형성된 전극(800)이 제2 반도체층(500) 위에 형성된 전극막(901, 902, 903)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수 도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장 기판(100)으로부터의 높이일 수 있다.The first electrode film 901 may be an Ag reflective film, the second electrode film 902 may be an Ni diffusion prevention film, and the third electrode film 903 may be an Au bonding layer. Here, when the third electrode film 903 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface. The semiconductor light emitting device chip of the type shown in FIG. 2 is called a flip chip. 2, the electrode 800 formed on the first semiconductor layer 300 is lower in height than the electrode films 901, 902, and 903 formed on the second semiconductor layer 500, So that it can be formed. Here, the reference of the height may be a height from the growth substrate 100.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지재(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만, 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다.The semiconductor light emitting device 100 is provided with lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical type light emitting chip 150 in a cavity 140. The cavity 140 is formed in the cavity 130, Is filled with an encapsulant 170 containing the wavelength conversion material 160. The lower surface of the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 is electrically connected directly to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light emitted from the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 excites the wavelength conversion material 160 to produce light of a different color, and two different lights may be mixed to form white light. For example, the semiconductor light emitting device chip 150 generates blue light, and the light generated by exciting the wavelength conversion material 160 is yellow light, and blue light and yellow light may be mixed to form white light. FIG. 3 shows a semiconductor light emitting device using the vertical semiconductor light emitting device chip 150, but it is also possible to manufacture the semiconductor light emitting device of FIG. 3 using the semiconductor light emitting device chip shown in FIGS. 1 and 2 have.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니 된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).Herein, a summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 제1 개구가 형성된 제1 마스크의 제1 개구 내에 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계;로서, 전자와 전공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 가지는 반도체 발광소자 칩을 제1 개구 내에 배치하는 단계; 반도체 발광소자 칩이 배치된 제1 마스크의 제1 개구 내에 봉지재를 투입하는 단계; 제1 마스크로부터 봉지재가 덮인 반도체 발광소자 칩을 분리하는 단계; 봉지재가 덮인 반도체 발광소자 칩을 제2 개구가 형성된 제2 마스크의 제2 개구 내에 배치시키는 단계; 그리고 제2 마스크의 제2 개구 내에 반사층을 형성하는 단계;를 포함하고, 반도체 발광소자 칩이 배치된 측면의 제1 마스크의 제1 개구의 상부면의 폭은 반대측의 제1 개구의 하부면의 폭보다 작게 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising the steps of: forming a first opening in a first opening of a first mask, Disposing a semiconductor light emitting device chip having a plurality of semiconductor layers that generate light by recombination of electrons and electrons and electrodes electrically connected to the plurality of semiconductor layers in a first opening step; Placing an encapsulant in a first opening of a first mask in which a semiconductor light emitting device chip is disposed; Separating the semiconductor light emitting element chip covered with the sealing material from the first mask; Placing a semiconductor light emitting device chip covered with an encapsulant in a second opening of a second mask having a second opening formed therein; And forming a reflective layer in the second opening of the second mask, wherein the width of the upper surface of the first opening of the first mask on the side where the semiconductor light emitting device chip is disposed is smaller than the width of the lower surface of the first opening Width of the semiconductor light emitting device is less than the width of the semiconductor light emitting device.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자 칩의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 칩의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 7 내지 도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip (lateral chip)
FIG. 2 is a view showing another example (Flip Chip) of the semiconductor light emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
3 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device chip (Vertical Chip)
4 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
6 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device chip according to the present disclosure,
7 to 12 are views for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
13 is a view for explaining another example of a manufacturing method of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 14 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure; FIG.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자는 반도체 발광소자 칩(1), 봉지재(2), 및 반사층(3)을 포함한다.The semiconductor light emitting element includes a semiconductor light emitting element chip 1, a sealing material 2, and a reflective layer 3.

반도체 발광소자 칩(1)은 도 6을 참조하면, 플립 칩으로서 도 2에 도시된 것과 다른 구조의 플립 칩을 설명하고 있다. 본 개시에서 반도체 발광소자 칩(1)은 이러한 플립 칩에 한정되지 않으며, 레터럴 칩(lateral chip)이나 수직형 칩(vertical chip)도 적용 가능하다.6, the semiconductor light emitting device chip 1 is a flip chip having a structure different from that shown in Fig. 2 as a flip chip. In the present disclosure, the semiconductor light emitting device chip 1 is not limited to such a flip chip, and may be a lateral chip or a vertical chip.

반도체 발광소자 칩(1)은 성장 기판(10), 복수의 반도체층(30, 40, 50), 광반사층(R), 및 제1 전극(80), 및 제2 전극(70)을 포함한다.The semiconductor light emitting device chip 1 includes a growth substrate 10, a plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50, a light reflection layer R, a first electrode 80, and a second electrode 70 .

성장 기판(10)은 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들면, 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 성장 기판(10)은 최종적으로 제거될 수도 있다.The growth substrate 10 may be sapphire, SiC, Si, GaN or the like using a Group III nitride semiconductor light emitting device as an example, and the growth substrate 10 may be finally removed.

복수의 반도체층(30, 40, 50)은 성장 기판(10) 위에 형성된 버퍼층(도시되지 않음), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: Mg 도핑된 GaN) 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예:InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조)을 포함한다.The plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may include a buffer layer (not shown) formed on the growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (e.g., Si-doped GaN) A second semiconductor layer 50 (e.g., Mg-doped GaN) having another second conductivity, and a second semiconductor layer 50 interposed between the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 to generate light through recombination of electrons and holes. An active layer 40 (e.g., InGaN / (In) GaN multiple quantum well structure).

복수의 반도체층(30, 40, 50) 각각은 다층으로 이루어질 수 있고, 버퍼층은 생략될 수 있다. 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다.Each of the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may have a multi-layer structure, and the buffer layer may be omitted. The positions of the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 may be changed, and they are mainly composed of GaN in the III-nitride semiconductor light emitting device.

제1 전극(80)은 제1 반도체층(30)과 전기적으로 연통되어 전자를 공급한다.The first electrode (80) is in electrical communication with the first semiconductor layer (30) to supply electrons.

제2 전극(70)은 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연통되어 정공을 공급한다.The second electrode 70 is in electrical communication with the second semiconductor layer 50 to supply holes.

도 6(a)를 참조하면, 제2 반도체층(50)과 제1 및 제2 전극(80, 70) 사이에는 광반사층(R)이 개재되며, 광반사층(R)은 SiO2와 같은 절연층, DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni-Directional Reflector)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.6 (a), a light reflection layer R is interposed between the second semiconductor layer 50 and the first and second electrodes 80 and 70, and the light reflection layer R is composed of an insulation layer , Distributed Bragg Reflector (DBR), or Omni-Directional Reflector (ODR).

도 6(b)를 참조하면, 제2 반도체층(50) 위에 금속 반사막(R)이 구비되고, 제2 전극(70)이 금속 반사막(R) 위에 구비되며, 메사식각으로 노출된 제1 반도체층(30)과 다른 제1 전극(80)이 될 수 있다.Referring to FIG. 6B, a metal reflective film R is provided on the second semiconductor layer 50, a second electrode 70 is provided on the metal reflective film R, Layer 30 may be a first electrode 80 different from the first layer.

제2 반도체층(50)과 광반사층(R) 사이에는 투광성 도전막(미도시)이 개재될 수 있다.A light-transmitting conductive film (not shown) may be interposed between the second semiconductor layer 50 and the light reflection layer R.

봉지재(2)는 도 4를 참조하면, 반도체 발광소자 칩(1)을 덮도록(cover) 형성된다. 봉지재(2)는 투광성을 갖고 있으며, 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 하나로 이루어질 수 있다. 필요한 경우 파장 변환재를 포함할 수 있다. 파장 변환재는 반도체 발광소자 칩(1)의 활성층(40)으로부터 생성되는 빛을 다른 파장의 빛으로 변환하는 것이라면 어떠한 것이라도 좋지만(예: 안료, 염료 등), 광 변환 효율을 고려할 때 형광체(예: YAG, (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu 등)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 파장 변환재는 반도체 발광소자에서 나오는 빛의 색에 따라 정해질 수 있으며, 당업자에게 잘 알려져 있다.Referring to FIG. 4, the encapsulating material 2 is formed to cover the semiconductor light emitting device chip 1. The encapsulating material 2 has a light-transmitting property and may be made of one of epoxy resin and silicone resin. And may include a wavelength conversion material if necessary. The wavelength conversion material may be any material as long as it converts light generated from the active layer 40 of the semiconductor light-emitting device chip 1 into light of a different wavelength (for example, pigment, dye, etc.) : YAG, (Sr, Ba, Ca) 2SiO4: Eu, etc.) is preferably used. Further, the wavelength conversion material can be determined according to the color of light emitted from the semiconductor light emitting device, and is well known to those skilled in the art.

반도체 발광소자 칩(1)이 배치된 봉지재(2)의 하부면의 제1 폭(w1)은 반대측의 상부면의 제2 폭(w2)보다 작게 형성된다. 이에 따라, 봉지재(2)의 외측면은 상부면에서 하부면으로 기울어진 경사면을 갖는다.The first width w1 of the lower surface of the encapsulant 2 on which the semiconductor light emitting device chip 1 is disposed is smaller than the second width w2 of the upper surface of the opposite side. Thus, the outer surface of the sealing material 2 has an inclined surface inclined from the upper surface to the lower surface.

반사층(3)은 봉지재(2)의 주변을 감싸도록(surround) 위치한다.The reflective layer 3 is positioned so as to surround the periphery of the sealing material 2.

봉지재(2)의 측면과 접촉하는 반사층(3)의 내측면은 봉지재(2)의 외측면의 기울기와 동일한 기울기를 갖는 경사면으로 형성된다. 구체적으로, 반도체 발광소자 칩(1)이 배치된 측면의 반사층(30)의 하부면의 폭(w3)은 반대측의 상부면의 폭(w4)보다 크게 형성된다.The inner surface of the reflective layer 3 which is in contact with the side surface of the sealing material 2 is formed as an inclined surface having the same slope as the inclination of the outer surface of the sealing material 2. [ Specifically, the width w3 of the lower surface of the reflective layer 30 on the side where the semiconductor light-emitting device chip 1 is disposed is formed to be larger than the width w4 of the upper surface on the opposite side.

반사층(3)의 기울기는 봉지재(2)의 기울기에 따라 조절 가능하다. 봉지재(2)의 기울기가 증가할수록 반사층(3)의 기울기 역시 증가하고, 봉지재(2)의 기울기가 감소할수록 반사층(3)의 기울기 역시 감소할 수 있다.The inclination of the reflective layer 3 is adjustable according to the inclination of the sealing material 2. The inclination of the reflective layer 3 increases as the inclination of the encapsulant 2 increases and the inclination of the reflective layer 3 decreases as the inclination of the encapsulant 2 decreases.

반사층(3)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 분포 브래그 리플렉터(DBR: Distributed Bragg Reflector), 고반사 백색 반사물질 등의 반사효율이 높은 금속으로 형성 될 수 있다. 이와 달리, 반사층(3)은 봉지재(2)와 동일한 물질로 형성될 수 있고, 형광체를 포함할 수도 있다.The reflective layer 3 may be formed of a metal having a high reflection efficiency such as aluminum (Al), silver (Ag), distributed Bragg reflector (DBR), and highly reflective white reflective material. Alternatively, the reflective layer 3 may be formed of the same material as the encapsulant 2, and may include a phosphor.

반사율이 높은 금속의 반사층(3)을 봉지재(2)의 주변에 형성시킴으로써, 반도체 발광소자의 광 추출 효율(extraction efficiency)을 향상시킬 수 있다.The light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device can be improved by forming the reflective layer 3 of a metal having a high reflectance on the periphery of the sealing material 2. [

반도체 발광소자 칩(1)의 측면으로부터 나온 빛은 반사층(3)에 의해 일부가 흡수되고 일부가 반사된다. 반사된 빛은 다시 반도체 발광소자 칩(1) 내에서 진행하면 소멸되거나 봉지재(2) 측으로 나온다. 또한, 봉지재(2)에 함유된 파장 변환재(미도시)는 반도체 발광소자 칩(1)으로부터의 빛(예: 청색광)에 의해 여기 되어 전 방향으로 파장이 변환된 빛을 방사한다. 파장 변환재로부터 방사된 빛의 일부는 봉지재(2) 밖으로 나오며, 빛의 다른 일부는 반사층(3)에서 반사 및 흡수된다.The light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 1 is partially absorbed by the reflective layer 3 and partially reflected. The reflected light is extinguished or propagated to the sealing material 2 side when it proceeds in the semiconductor light emitting element chip 1 again. The wavelength converting material (not shown) contained in the sealing material 2 is excited by light (e.g., blue light) from the semiconductor light emitting element chip 1 to emit light whose wavelength has been changed in all directions. A part of the light emitted from the wavelength converting material comes out of the sealing material 2, and another part of the light is reflected and absorbed by the reflecting layer 3.

한편, 도 5를 참조하면, 반사층(3)의 하부면(31)은 표면 장력에 의해 상승된(elevated) 라운드 형상을 가진다.On the other hand, referring to FIG. 5, the lower surface 31 of the reflective layer 3 has a rounded shape that is elevated by surface tension.

도 7 내지 도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.7 to 11 are views for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 먼저, 도 7을 참조하면 제1 베이스(210) 위에 적어도 하나의 제1 개구(310)가 형성된 제1 마스크(300)를 준비한다. 본 예에서, 반도체 발광소자 칩(1)으로는 플립 칩(flip chip)이 적합하지만, 레터럴 칩(lateral chip)이나 수직형 칩(vertical chip)을 배제하는 것은 아니다.Referring to FIG. 7, a first mask 300 having at least one first opening 310 formed on a first base 210 is prepared. In this example, a flip chip is suitable as the semiconductor light-emitting device chip 1, but it does not exclude a lateral chip or a vertical chip.

제1 베이스(210)는 플렉시블한 필름 또는 테이프이거나, 리지드(rigid)한 금속 판 또는 비금속 판일 수 있다.The first base 210 may be a flexible film or tape, a rigid metal plate, or a non-metal plate.

필름 또는 테이프도 특별한 제한은 없으며, 점착성 또는 접착성을 가지며 내열성을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 내열성 테이프, 블루테이프 등이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광반사율을 선택할 수 있다.There is no particular limitation on the film or the tape, and it is preferable that the film or tape has adhesiveness or adhesiveness and has heat resistance. For example, a heat-resistant tape, a blue tape, or the like can be used, and various colors and light reflectance can be selected.

금속 판으로는 특별한 한정이 있는 것은 아니며, 예를 들어, Al, Cu, Ag, Cu-Al 합금, Cu-Ag 합금, Cu-Au 합금, SUS(스테인리스스틸) 등이 사용될 수 있으며, 도금된 판도 물론 사용 가능하다.For example, Al, Cu, Ag, Cu-Al alloy, Cu-Ag alloy, Cu-Au alloy, SUS (stainless steel) and the like can be used as the metal plate, Of course, it can be used.

비금속 판으로는 플라스틱이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광반사율을 선택할 수 있다.Plastics can be used as non-metallic plates, and various colors and light reflectance can be selected.

이와 같이, 본 예에 의하면, 반도체 발광소자 칩(1)이 배열되는 제1 베이스(210)가 반도체 기판이나 다른 고가의 기판이 아니라도 무방한 장점이 있다.As described above, according to this example, the first base 210 on which the semiconductor light-emitting device chips 1 are arranged is not necessarily a semiconductor substrate or another expensive substrate.

또한, 제1 마스크(300)가 반도체 발광소자 칩(1) 배열의 가이드가 되므로 제1 베이스(210)에 추가적인 패턴 형성 공정이 필요 없다.Further, since the first mask 300 serves as a guide for the arrangement of the semiconductor light-emitting device chips 1, an additional pattern formation process is not required for the first base 210.

제1 마스크(300)는 플라스틱, 금속, 또는, 표면이 도금된 부재일 수 있으며, 적어도 하나의 제1 개구(310)가 형성되어 있다. 제1 마스크(300)의 재질은 상기 제1 베이스(210)의 재질로 예시된 예들이 사용될 수 있지만, 제1 마스크(300) 및 제1 개구(310)의 형태 유지에 좋도록 어느 정도 딱딱한 재질이 바람직하고, 크랙이나 갈라짐 방지에 효과적인 재질로 선택하는 것이 바람직하다.The first mask 300 may be a plastic, metal, or surface plated member, and at least one first opening 310 is formed. The material of the first mask 300 may be any of the materials exemplified by the material of the first base 210. The material of the first mask 300 may be a somewhat hard material And is preferably selected from a material effective for preventing cracks and cracks.

본 예에서, 제1 베이스(210)와 제1 마스크(300)는 외력에 의해 가압되어 서로 접하거나, 접착물질을 이용하여 서로 접착할 수 있다. 예를 들어, 접착 물질은 도전성 페이스트, 절연성 페이스트, 폴리머 접착제 등 다양하게 선택가능하며, 특별히 제한되지는 않는다. 어느 온도 범위에서는 접착력을 상실하는 물질을 사용하면, 제1 베이스(210)와 제1 마스크(300)의 분리 시에 상기 온도 범위에서 분리가 쉽게 될 수 있다.In this example, the first base 210 and the first mask 300 may be pressed together by an external force and contacted with each other, or may be bonded to each other using an adhesive material. For example, the adhesive material may be variously selected from conductive paste, insulating paste, polymer adhesive, and the like, and is not particularly limited. When a material which loses adhesion force in any temperature range is used, separation can be facilitated in the temperature range when the first base 210 and the first mask 300 are separated.

제1 마스크(300)에 형성된 하나 이상의 제1 개구(310)는 일 예로, 복수의 행과 열로 배열되어 있다. 제1 개구(310)에 의해 제1 베이스(210)의 상면이 노출된다. 제1 개구(310)의 개수 및 배열 방식은 필요에 따라 적절하게 변경할 수 있음은 물론이다.The at least one first opening 310 formed in the first mask 300 is, for example, arranged in a plurality of rows and columns. The upper surface of the first base 210 is exposed by the first opening 310. It is needless to say that the number and arrangement of the first openings 310 can be appropriately changed as necessary.

제1 개구(310)의 하부면의 제1 폭(w1)은 제1 개구(310)의 상부면의 제2 폭(w2)에 비해 작게 형성된다. 즉, 제1 개구(310)는 노출될 제1 베이스(210)에 대해 기울어진 경사면의 형상을 갖는다. 경사면은 평탄하게 형성될 수 있지만, 이에 한정하지 않고 오목하게 형성될 수도 있다.The first width w1 of the lower surface of the first opening 310 is formed to be smaller than the second width w2 of the upper surface of the first opening 310. [ That is, the first opening 310 has a shape of an inclined surface inclined with respect to the first base 210 to be exposed. The inclined surface may be formed flat, but not limited thereto, and may be formed concavely.

이와 달리, 제1 개구(310)는 반도체 발광소자 칩(1)의 형상을 따를 수도 있다.Alternatively, the first opening 310 may follow the shape of the semiconductor light emitting device chip 1. [

다음으로, 도 8(a)를 참조하면 각각의 제1 개구(310)로 노출된 제1 베이스(210) 위에 반도체 발광소자 칩(1)을 놓는다. 이때, 제1 마스크(310)의 형상, 패턴, 또는 경계 등을 인식하여 소자가 놓일 위치 및 각도를 보정하는 후술되는 소자 이송 장치(600)를 사용하여 반도체 발광소자 칩(1)을 제1 베이스(210) 위에 위치시킬 수 있다.Next, referring to FIG. 8 (a), the semiconductor light emitting device chip 1 is placed on the first base 210 exposed to the respective first openings 310. At this time, the semiconductor light emitting device chip 1 is mounted on the first base 310 by using the following device transferring device 600 for recognizing the shape, pattern, or boundary of the first mask 310, 0.0 > 210 < / RTI >

반도체 발광소자 칩(1)은 2개의 전극(80, 70)이 제1 베이스(210)의 상면과 마주하도록 놓이며, 이에 따라 후술되는 봉지재(2)에 의해 2개의 전극(80, 70)이 덮이지 않고 봉지재(2)의 하면으로부터 노출된다.The semiconductor light emitting device chip 1 is arranged such that the two electrodes 80 and 70 face the upper surface of the first base 210 so that the two electrodes 80 and 70 are sealed by the sealing material 2, And is exposed from the lower surface of the sealing material 2 without being covered.

다음으로, 도 8(b)를 참조하면 제1 마스크(300)를 댐(dam)으로 하여 각각의 제1 개구(310)에 봉지재(2)를 형성하고 경화한 후, 도 8(c)를 참조하면 제1 마스크(300)의 제1 개구(310) 내에 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1) 및 봉지재(2) 즉, 봉지재(2)가 덮인 반도체 발광소자 칩(1)을 제1 베이스(210)로부터 분리한다. 여기서, 제1 마스크(300)는 소자 이송 장치(600)가 반도체 발광소자 칩(1)을 놓을 위치나 각도를 보정하기 위한 패턴으로 인식될 수 있으며, 이와 함께 봉지재(2)의 댐으로 기능한다.8 (b), the sealing material 2 is formed in each of the first openings 310 by using the first mask 300 as a dam and is cured. Then, as shown in FIG. 8 (c) The semiconductor light emitting device chip 1 and the encapsulating material 2 that are integrally formed in the first opening 310 of the first mask 300 and the semiconductor light emitting device chip 1 on which the encapsulating material 2 is coated And is separated from the first base 210. Here, the first mask 300 can be recognized as a pattern for correcting the position or the angle of the element transfer device 600 to place the semiconductor light emitting device chip 1, and the first mask 300 functions as a dam of the encapsulating material 2 do.

봉지재(2)의 기울기는 제1 개구(310)의 기울기와 동일하게 형성된다.The slope of the sealing material 2 is formed to be the same as the slope of the first opening 310. [

봉지재(2)는 디스펜싱, 스텐실, 스크린 프린팅, 스핀 코팅 등을 이용하여 형성할 수 있다. 두께의 균일도나 형광체의 내부 밀도 등의 관점에서 스프레이 코팅이 바람직하다.The sealing material 2 can be formed by using a dispenser, a stencil, a screen printing, a spin coating, or the like. From the viewpoints of the uniformity of the thickness and the inner density of the phosphor, spray coating is preferable.

봉지재(2)는 반도체 발광소자 분야에서 일반적으로 사용되는 에폭시 수지, 실리콘 수지 중 하나 일 수 있다.The sealing material 2 may be one of an epoxy resin and a silicone resin generally used in the field of semiconductor light emitting devices.

다음으로, 도 9를 참조하면, 제2 베이스(220) 위에 적어도 하나의 제2 개구(410)를 갖는 제2 마스크(400)를 준비한다.Next, referring to FIG. 9, a second mask 400 having at least one second opening 410 on the second base 220 is prepared.

제2 베이스(220)는 제1 베이스(210)이 동일한 물질로 형성될 수 있다. 하지만, 이에 한정하지 않고 제1 베이스(210)와 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.The second base 220 may be formed of the same material as the first base 210. However, the first base 210 may be formed of a material different from that of the first base 210.

제2 베이스(220)는 플렉시블한 필름 또는 테이프이거나, 리지드(rigid)한 금속 판 또는 비금속 판일 수 있다.The second base 220 may be a flexible film or tape, a rigid metal plate, or a non-metal plate.

필름 또는 테이프도 특별한 제한은 없으며, 점착성 또는 접착성을 가지며 내열성을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 내열성 테이프, 블루테이프 등이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광반사율을 선택할 수 있다.There is no particular limitation on the film or the tape, and it is preferable that the film or tape has adhesiveness or adhesiveness and has heat resistance. For example, a heat-resistant tape, a blue tape, or the like can be used, and various colors and light reflectance can be selected.

금속 판으로는 특별한 한정이 있는 것은 아니며, 예를 들어, Al, Cu, Ag, Cu-Al 합금, Cu-Ag 합금, Cu-Au 합금, SUS(스테인리스스틸) 등이 사용될 수 있으며, 도금된 판도 물론 사용 가능하다.For example, Al, Cu, Ag, Cu-Al alloy, Cu-Ag alloy, Cu-Au alloy, SUS (stainless steel) and the like can be used as the metal plate, Of course, it can be used.

비금속 판으로는 플라스틱이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광반사율을 선택할 수 있다.Plastics can be used as non-metallic plates, and various colors and light reflectance can be selected.

이와 같이, 본 예에 의하면, 반도체 발광소자 칩(1)이 배열되는 제2 베이스(220)가 반도체 기판이나 다른 고가의 기판이 아니라도 무방한 장점이 있다.As described above, according to the present example, there is an advantage that the second base 220 on which the semiconductor light-emitting device chips 1 are arranged may not be a semiconductor substrate or another expensive substrate.

또한, 제2 마스크(400)가 반도체 발광소자 칩(1) 배열의 가이드가 되므로 제2 베이스(220)에 추가적인 패턴 형성 공정이 필요 없다.Further, since the second mask 400 serves as a guide for the arrangement of the semiconductor light-emitting device chips 1, an additional pattern formation step is not required for the second base 220.

제2 마스크(400)는 플라스틱, 금속, 또는, 표면이 도금된 부재일 수 있으며, 적어도 하나의 제2 개구(410)가 형성되어 있다. 제2 마스크(400)의 재질은 상기 제2 베이스(220)의 재질로 예시된 예들이 사용될 수 있지만, 제2 마스크(400) 및 제2 개구(410)의 형태 유지에 좋도록 어느 정도 딱딱한 재질이 바람직하고, 크랙이나 갈라짐 방지에 효과적인 재질로 선택하는 것이 바람직하다.The second mask 400 may be a plastic, metal, or surface plated member, and at least one second opening 410 is formed. The second mask 400 may be made of a material similar to that of the second base 220 but may be made of a somewhat rigid material suitable for maintaining the shape of the second mask 400 and the second opening 410 And is preferably selected from a material effective for preventing cracks and cracks.

본 예에서, 제2 베이스(220)와 제2 마스크(400)는 외력에 의해 가압되어 서로 접하거나, 접착물질을 이용하여 서로 접착할 수 있다. 예를 들어, 접착 물질은 도전성 페이스트, 절연성 페이스트, 폴리머 접착제 등 다양하게 선택가능하며, 특별히 제한되지는 않는다. 어느 온도 범위에서는 접착력을 상실하는 물질을 사용하면, 제2 베이스(220)와 제2 마스크(400)의 분리 시에 상기 온도 범위에서 분리가 쉽게 될 수 있다.In this example, the second base 220 and the second mask 400 may be pressed by an external force and contact with each other, or they may be bonded to each other using an adhesive material. For example, the adhesive material may be variously selected from conductive paste, insulating paste, polymer adhesive, and the like, and is not particularly limited. If a material which loses adhesion force in any temperature range is used, separation can be facilitated in the temperature range when the second base 220 and the second mask 400 are separated.

제2 마스크(400)에 형성된 하나 이상의 제2 개구(410)는 일 예로, 복수의 행과 열로 배열되어 있다. 제2 개구(410)에 의해 제2 베이스(220)의 상면이 노출된다. 제2 개구(410)의 개수 및 배열 방식은 필요에 따라 적절하게 변경할 수 있음은 물론이다.The at least one second opening 410 formed in the second mask 400 is, for example, arranged in a plurality of rows and columns. The upper surface of the second base 220 is exposed by the second opening 410. It goes without saying that the number and arrangement of the second openings 410 may be appropriately changed as necessary.

제2 개구(410)는 상부면 및 하부면의 폭이 서로 동일하게 형성된다. 제2 개구(410)는 반도체 발광소자 칩(1)의 형상을 따를 수도 있지만, 반도체 발광소자 칩(1)과 다른 형상을 가질 수도 있다.The second openings 410 are formed so that the widths of the upper surface and the lower surface are equal to each other. The second opening 410 may follow the shape of the semiconductor light-emitting device chip 1, but may have a different shape from the semiconductor light-emitting device chip 1.

다음으로, 도 10을 참조하면 제1 마스크(300)의 제1 개구(310)와 제2 마스크(400)의 제2 개구(410)가 서로 대응하도록 배치한다. 즉, 제1 마스크(300)의 제1 개구(310)와 제2 마스크(400)의 제2 개구(410)는 서로 정렬되어 위치한다.10, the first opening 310 of the first mask 300 and the second opening 410 of the second mask 400 correspond to each other. That is, the first opening 310 of the first mask 300 and the second opening 410 of the second mask 400 are aligned with each other.

여기서, 제1 마스크(300)의 제1 개구(310)에 배치된 반도체 발광소자 칩(1)이 제2 마스크(400)의 제2 개구(410)와 접촉하지 않도록 제1 마스크(300)를 뒤집어서 배치한다. 제1 마스크(300)의 제1 개구(310)의 형상이 반도체 발광소자 칩(1) 측으로 기울어진 경사면을 가지므로, 후술되는 소자 분리 장치(500)에 의해 제1 마스크(300)의 제1 개구(310)에서 용이하게 분리될 수 있다.The first mask 300 is disposed such that the semiconductor light emitting device chip 1 disposed in the first opening 310 of the first mask 300 does not contact the second opening 410 of the second mask 400 Place it upside down. Since the shape of the first opening 310 of the first mask 300 has an inclined surface inclined toward the semiconductor light emitting device chip 1, It can be easily separated from the opening 310.

제1 마스크(300)의 제1 높이(t1)는 제2 마스크(400)의 제2 높이(t2)와 동일하게 형성된다. 이와 달리, 제1 마스크(300)의 제1 높이(t1)는 제2 마스크(400)의 제2 높이(t2)와 서로 다르게 형성될 수 있다.The first height t1 of the first mask 300 is formed to be the same as the second height t2 of the second mask 400. [ Alternatively, the first height t1 of the first mask 300 may be different from the second height t2 of the second mask 400.

예를 들어, 제2 마스크(400)의 높이(t2)가 제1 마스크(300)의 높이(t1) 보다 작게 형성되는 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 반사층(3)의 하부면(31)이 라운드 형상을 갖는다.For example, if the height t2 of the second mask 400 is less than the height t1 of the first mask 300, the lower surface 31 of the reflective layer 3, as shown in FIG. 5, Has a round shape.

다음으로, 도 11을 참조하면, 제1 마스크(300)의 패턴을 인식하고, 위치 및 각도 보정이 가능한 소자 분리 장치(500)를 이용하여 제1 마스크(300)의 제1 개구(310)에 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1) 및 봉지재(2)를 제2 마스크(400)의 제2 개구(410)에 의해 노출된 제2 베이스(220) 위에 배치한다.11, a pattern of the first mask 300 is recognized, and the pattern of the first mask 300 is transferred to the first opening 310 of the first mask 300 using the device separating apparatus 500 capable of position and angle correction The integrally formed semiconductor light emitting device chip 1 and the encapsulating material 2 are disposed on the second base 220 exposed by the second opening 410 of the second mask 400.

제1 마스크(300)의 제1 개구(310)에 있어서, 폭이 넓은 부분이 제2 마스크(400)의 제2 개구(410)에 마주하여 위치함으로써, 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1) 및 봉지재(2)가 노출된 제2 베이스(220) 위에 위치한다.The semiconductor light emitting device chip 1 formed integrally with the first opening 310 of the first mask 300 has a wide width portion facing the second opening 410 of the second mask 400, And the second base 220 on which the encapsulant 2 is exposed.

더욱이, 제2 마스크(400)의 제2 개구(410)의 폭이 제1 마스크(300)의 제1 개구(310)의 폭보다 넓게 형성되어 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1) 및 봉지재(2)가 노출된 제2 베이스(220) 위에 용이하게 위치할 수 있다.The width of the second opening 410 of the second mask 400 may be greater than the width of the first opening 310 of the first mask 300 so that the semiconductor light- The first base 2 can be easily positioned on the exposed second base 220. [

다음으로, 도 12(a)를 참조하면, 제2 마스크(400)의 제2 개구(410) 내에 봉지재(2)의 주변을 감싸도록 반사층(3)을 형성한다.12 (a), the reflective layer 3 is formed so as to surround the periphery of the encapsulant 2 in the second opening 410 of the second mask 400. Next, as shown in FIG.

제2 개구(410) 내에 디스펜서(미도시)로 반사층(3)을 형성하는 물질을 공급하고 경화하여 봉지재(2)의 주변을 감싸는 반사층(3)을 형성한다. 이때, 디스펜서로 반사층(3)을 형성하는 물질을 공급하는 속도, 양 등을 제어할 수 있다.A material for forming the reflective layer 3 is supplied and cured by a dispenser (not shown) in the second opening 410 to form a reflective layer 3 surrounding the periphery of the encapsulant 2. At this time, it is possible to control the speed, quantity and the like of supplying the material for forming the reflective layer 3 with the dispenser.

반사층(3)은 빛을 반사하는 물질로 형성된다. 예를 들어 반사율이 높은 백색 물질 즉, 백색 실리콘으로 형성된다.The reflective layer 3 is formed of a material that reflects light. For example, a white material having a high reflectance, that is, white silicon.

여기서, 봉지재(2)의 측면과 접촉하는 반사층(3)의 내측면은 봉지재(2)의 기울기와 동일한 기울기를 갖는 경사면으로 형성된다.Here, the inner surface of the reflective layer 3, which is in contact with the side surface of the sealing material 2, is formed as an inclined surface having the same slope as the inclination of the sealing material 2.

도 12(b)를 참조하면, 소자 이송 장치(600)를 이용하여 제2 마스크(400)의 제2 개구(410) 내에 일체로 형성된 반도체 발광소자를 픽업(pick-up)하여 제2 베이스(220) 및 제2 마스크(400)로부터 분리한다.12B, a semiconductor light emitting element integrally formed in the second opening 410 of the second mask 400 is picked up by using the element transfer apparatus 600, 220 and the second mask 400, respectively.

제2 베이스(220)의 아래에서 핀 또는 봉이 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1), 봉지재(2) 및 반사층(3)을 치면 제2 베이스(220)로부터 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1), 봉지재(2) 및 반사층(3)이 떨어지며, 그 순간 소자 이송 장치(600)가 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1), 봉지재(2) 및 반사층(3)를 전기적 흡착 또는 진공 흡착할 수 있다.The semiconductor light emitting device chip 1, the encapsulant 2 and the reflective layer 3 which are integrally formed with the pin or the rod under the second base 220 and are formed integrally with the second base 220 The encapsulating material 2 and the reflective layer 3 are separated from each other and the semiconductor light emitting element chip 1, the encapsulating material 2 and the reflecting layer 3 in which the instantaneous element transferring apparatus 600 is formed are electrically adsorbed or Vacuum adsorption is possible.

종래에는 경사면을 갖는 반사층을 형성하기 위해 별도의 절단 공정을 이용하였다. 절단 공정 시 가해지는 열 및 압력 등에 의해 반도체 발광 소자에 물리적인 영향이 전달되는 문제점이 있었다.Conventionally, a separate cutting process is used to form a reflective layer having an inclined plane. There is a problem that a physical effect is transmitted to the semiconductor light emitting device due to heat and pressure applied in the cutting process.

하지만, 일정 기울기를 갖는 제1 마스크(300)를 이용하여 반사층(3)의 경사면을 형성함으로써, 별도의 절단 공정이 불필요하므로 반도체 발광소자가 물리적인 영향을 받지 않는다.However, since the inclined surface of the reflective layer 3 is formed using the first mask 300 having a certain gradient, a separate cutting process is unnecessary, so that the semiconductor light emitting device is not physically affected.

한편, 도 13은 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1) 및 봉지재(2)를 제2 개구(410)로 노출된 제2 베이스(220)에 놓는 과정의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.13 is a view for explaining another example of the process of placing the integrally formed semiconductor light emitting device chip 1 and the sealing material 2 on the second base 220 exposed in the second opening 410.

또 13을 참조하면, 소자 이송 장치(600)는 제1 베이스(210) 위에 각각의 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1) 및 봉지재(2)를 픽업(pick-up)하여 제2 마스크(400)의 제2 개구(410)로 노출된 제2 베이스(220) 위에 놓는다.13, the device transfer apparatus 600 picks up the semiconductor light-emitting device chip 1 and the encapsulating material 2 integrally formed on the first base 210 to form a second mask (not shown) 400 on the second base 220 exposed to the second opening 410.

이 과정보다 먼저, 소자 배열 장치(예: 쏘터; sorter)를 사용하여, 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1) 및 봉지재(2)를 제1 베이스(210) 위에 제공하는 과정이 선행될 수 있다. 도 13(a)에 제시된 바와 같이, 제1 베이스(210)의 아래에서 핀 또는 봉이 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1) 및 봉지재(2)을 치면 제1 베이스(210)로부터 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1) 및 봉지재(2)가 떨어지며, 그 순간 소자 이송 장치(600)가 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1) 및 봉지재(2)를 전기적 흡착 또는 진공 흡착할 수 있다.A process of providing the integrally formed semiconductor light-emitting device chip 1 and the encapsulating material 2 on the first base 210 may be preceded by using an element arranging device (e.g., a sorter) have. 13A, when the semiconductor light emitting device chip 1 and the encapsulating material 2, which are formed integrally with the pin or the rod, bite under the first base 210, they are integrally formed from the first base 210 The semiconductor light emitting element chip 1 and the sealing material 2 are dropped and the semiconductor light emitting element chip 1 and the sealing material 2 in which the instant element transferring apparatus 600 is formed can be electrically adsorbed or vacuum adsorbed .

도 13(b)에 제시된 바와 같이, 소자 이송 장치(600)는 제2 베이스(220) 위로 이동하여 제2 개구(410)에 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩(1) 및 봉지재(2)를 놓는다. 반도체 발광소자 칩(101)은 2개의 전극(80,70)이 제2 베이스(220)의 상면과 마주하도록 놓이며, 이에 따라 봉지재(2)에 의해 2개의 전극(80,70)이 덮이지 않고 봉지재(2)의 하면으로부터 노출된다. 소자 이송 장치(600)의 일 예로, 다이본더와 유사하게, 패턴 또는 형상을 인식하며, 이송할 위치나 대상물의 각도를 보정할 수 있는 장치라면 그 명칭에 무관하게 사용 가능할 것이다.The device transferring apparatus 600 moves over the second base 220 to form the semiconductor light emitting device chip 1 and the encapsulating material 2 integrally formed in the second opening 410 as shown in Figure 13 (b) Leave. The semiconductor light emitting device chip 101 is placed such that the two electrodes 80 and 70 face the upper surface of the second base 220 so that the two electrodes 80 and 70 are covered by the sealing material 2 And is exposed from the lower surface of the sealing material 2. [ As an example of the device transferring apparatus 600, a device capable of recognizing a pattern or a shape and correcting the position to be transferred or the angle of the object, similar to the die bonder, may be used irrespective of the name.

도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.14 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 14를 참조하면, 반도체 발광소자는 봉지재(2) 위에 형성된 렌즈(700)를 포함한다. 렌즈(700)는 투광성 수지를 이용하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 14, the semiconductor light emitting device includes a lens 700 formed on the sealing material 2. The lens 700 may be formed using a light-transmitting resin.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 제1 개구가 형성된 제1 마스크의 제1 개구 내에 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계;로서, 전자와 전공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 가지는 반도체 발광소자 칩을 제1 개구 내에 배치하는 단계; 반도체 발광소자 칩이 배치된 제1 마스크의 제1 개구 내에 봉지재를 투입하는 단계; 제1 마스크로부터 봉지재가 덮인 반도체 발광소자 칩을 분리하는 단계; 봉지재가 덮인 반도체 발광소자 칩을 제2 개구가 형성된 제2 마스크의 제2 개구 내에 배치시키는 단계; 그리고 제2 마스크의 제2 개구 내에 반사층을 형성하는 단계;를 포함하고, 반도체 발광소자 칩이 배치된 측면의 제1 마스크의 제1 개구의 상부면의 폭은 반대측의 제1 개구의 하부면의 폭보다 작게 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법.(1) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, the method comprising: disposing a semiconductor light emitting device chip in a first opening of a first mask having a first opening formed therein, Disposing a semiconductor light emitting device chip having a plurality of semiconductor layers which generate light by the plurality of semiconductor layers and electrodes electrically connected to the plurality of semiconductor layers in a first opening; Placing an encapsulant in a first opening of a first mask in which a semiconductor light emitting device chip is disposed; Separating the semiconductor light emitting element chip covered with the sealing material from the first mask; Placing a semiconductor light emitting device chip covered with an encapsulant in a second opening of a second mask having a second opening formed therein; And forming a reflective layer in the second opening of the second mask, wherein the width of the upper surface of the first opening of the first mask on the side where the semiconductor light emitting device chip is disposed is smaller than the width of the lower surface of the first opening Wherein the width of the first electrode is smaller than the width of the second electrode.

여기서, 반사층은 봉지재의 주변을 감싸도록(surround) 형성되고, 봉지재와 동일한 물질로 형성될 수 있고, 형광체를 포함할 수 있다.Here, the reflective layer is formed to surround the periphery of the sealing material, and may be formed of the same material as the sealing material, and may include a phosphor.

(2) 봉지재의 측면은 제1 개구의 상부면에서 제1 개구의 하부면 방향으로 기울어진 경사면을 갖는 반도체 발광소자의 제조 방법.(2) The side surface of the sealing material has an inclined surface inclined from the upper surface of the first opening toward the lower surface of the first opening.

(3) 봉지재의 측면과 접촉하는 반사층의 내측면은 봉지재의 측면의 기울기와 동일한 기울기를 갖는 경사면으로 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법.(3) The inner surface of the reflective layer, which is in contact with the side surface of the encapsulant, is formed as an inclined surface having a slope equal to the inclination of the side surface of the encapsulant.

(4) 제2 마스크의 제2 개구에 형성된 반사층의 상부면의 폭은 반대층의 반사층의 하부면의 폭보다 크게 형성되는 반도체 발광소자의 제조방법.(4) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein a width of the upper surface of the reflective layer formed in the second opening of the second mask is larger than a width of the lower surface of the reflective layer of the opposite layer.

(5) 봉지재의 높이는 반사층의 높이와 동일하게 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법.(5) The height of the encapsulant is formed equal to the height of the reflective layer.

(6) 제1 마스크의 제1 개구와 제2 마스크의 제2 개구는 서로 대응하여 위치하는 반도체 발광소자의 제조 방법.(6) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the first opening of the first mask and the second opening of the second mask are located corresponding to each other.

(7) 제2 마스크의 제2 개구의 폭은 제1 마스크의 제1 개구의 폭보다 크게 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법.(7) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein a width of the second opening of the second mask is formed to be larger than a width of the first opening of the first mask.

(8) 반사층의 상부면은 표면 장력에 의해 라운드 형상을 갖는 반도체 발광소자의 제조 방법.(8) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the upper surface of the reflective layer has a round shape by surface tension.

(9) 제1 마스크의 높이는 제2 마스크의 높이보다 높게 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법.(9) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein a height of the first mask is higher than a height of the second mask.

(10) 반사층은 백색 반사 물질을 포함하는 반도체 발광소자의 제조 방법.(10) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the reflective layer includes a white reflective material.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 고온에 강한 백색 반사 물질을 포함하는 반사층이 경사면을 갖도록 형성함으로써, 반도체 발광소자의 광 추출 효율(extraction efficiency)을 향상시킬 수 있다.According to one semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device can be improved by forming the reflection layer including the white reflective material resistant to high temperature to have a sloped surface.

일정한 기울기를 갖는 경사면을 포함하는 반사층을 별도의 절단 공정없이 마스크를 이용하여 형성함으로써, 반도체 발광소자에 물리적인 영향을 주지 않는다.A reflective layer including a slope having a constant inclination is formed by using a mask without a separate cutting process, so that the semiconductor light emitting element is not physically affected.

1: 반도체 발광소자 칩 2: 봉지재
3: 반사층1: Semiconductor light-emitting device chip 2: Encapsulating material
3: Reflective layer

Claims (10)

반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서,
제1 개구가 형성된 제1 마스크의 제1 개구 내에 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계;로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 가지는 반도체 발광소자 칩을 제1 개구 내에 배치하는 단계;
반도체 발광소자 칩이 배치된 제1 마스크의 제1 개구 내에 봉지재를 투입하는 단계;
일체로 형성된 반도체 발광소자 칩과 봉지재를 제1 마스크로부터 분리하여 제2 개구가 형성된 제2 마스크의 제2 개구 내에 배치시키는 단계; 그리고
제2 마스크의 제2 개구 내에 반사층을 형성하는 단계;를 포함하고,
제1 개구의 하부면의 폭은 제1 개구의 상부면의 폭보다 작게 형성되는 반도체 발광소자의 제조방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
Disposing a semiconductor light emitting device chip in a first opening of a first mask in which a first opening is formed, the semiconductor light emitting device comprising: a plurality of semiconductor layers for generating light by recombination of electrons and holes; Disposing a semiconductor light emitting element chip having a first opening in the first opening;
Placing an encapsulant in a first opening of a first mask in which a semiconductor light emitting device chip is disposed;
Disposing the integrally formed semiconductor light emitting device chip and the sealing material from the first mask and placing the semiconductor light emitting device chip and the sealing material in the second opening of the second mask in which the second opening is formed; And
Forming a reflective layer within the second opening of the second mask,
Wherein the width of the lower surface of the first opening is smaller than the width of the upper surface of the first opening. 제1항에 있어서,
봉지재의 측면은 제1 개구의 상부면에서 제1 개구의 하부면 방향으로 기울어진 경사면을 갖는 반도체 발광소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
And the side surface of the sealing material has an inclined surface inclined from the upper surface of the first opening toward the lower surface of the first opening. 제1항에 있어서,
봉지재의 측면과 접촉하는 반사층의 내측면은 봉지재의 측면의 기울기와 동일한 기울기를 갖는 경사면으로 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the inner surface of the reflective layer in contact with the side surface of the encapsulant is formed as an inclined surface having a slope equal to the inclination of the side surface of the encapsulant. 제3항에 있어서,
제2 마스크의 제2 개구에 형성된 반사층의 상부면의 폭은 반사층의 하부면의 폭보다 크게 형성되는 반도체 발광소자의 제조방법.The method of claim 3,
And the width of the upper surface of the reflective layer formed in the second opening of the second mask is larger than the width of the lower surface of the reflective layer. 제1항에 있어서,
봉지재의 높이는 반사층의 높이와 동일하게 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
And the height of the sealing material is equal to the height of the reflective layer. 제1항에 있어서,
제1 마스크로부터 일체로 형성된 반도체 발광소자 칩 및 봉지재를 분리하기 위해 제1 마스크의 제1 개구와 제2 마스크의 제2 개구가 서로 대응되도록 위치시키는 반도체 발광소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the first opening of the first mask and the second opening of the second mask are positioned so as to correspond to each other so as to separate the semiconductor light emitting device chip and the sealing material integrally formed from the first mask. 제5항에 있어서,
제2 마스크의 제2 개구의 폭은 제1 마스크의 제1 개구의 폭보다 크게 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법.6. The method of claim 5,
And the width of the second opening of the second mask is formed larger than the width of the first opening of the first mask. 제4항에 있어서,
반사층의 상부면은 표면 장력에 의해 라운드 형상을 갖는 반도체 발광소자의 제조 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the upper surface of the reflective layer has a round shape by surface tension. 제8항에 있어서,
제1 마스크의 높이는 제2 마스크의 높이보다 높게 형성되는 반도체 발광소자의 제조 방법.9. The method of claim 8,
Wherein the height of the first mask is higher than the height of the second mask. 제1항에 있어서,
반사층은 백색 반사 물질을 포함하는 반도체 발광소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the reflective layer comprises a white reflective material.
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