KR20140114293A

KR20140114293A - 반도체 제조 장치용 부재

Info

Publication number: KR20140114293A
Application number: KR1020140029072A
Authority: KR
Inventors: 가즈마 오바; 데츠야 가와지리; 다카시 가타이기
Original assignee: 엔지케이 인슐레이터 엘티디
Priority date: 2013-03-18
Filing date: 2014-03-12
Publication date: 2014-09-26
Also published as: JP2014183077A; TWI615454B; US11456189B2; TW201506113A; EP2782126A1; JP5890795B2; EP2782126B1; CN104064494B; US20140272421A1; KR102183625B1; CN104064494A

Abstract

본 발명은, 세라믹 부품과 금속 부품을 열경화 시트를 개재시켜 접합한 반도체 제조 장치용 부재에 있어서, 고온에서의 사용에 충분히 견딜 수 있다.
본 발명의 반도체 제조 장치용 부재(10)는, 알루미나제의 정전 척(12)과 알루미늄제의 냉각판(14)을, 열경화 시트(16)를 개재시켜 접합한 것이다. 열경화 시트(16)는, 에폭시-아크릴 혼합의 접착제를 경화시킨 것이다. 접착제는, (A) 수소 이동형의 중부가가 가능한 에폭시 수지, (B) 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르의 중합체, (C) 경화제를 포함하는 것이다.

Description

반도체 제조 장치용 부재{MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUSES}

본 발명은 반도체 제조 장치용 부재에 관한 것이다.

종래, 반도체 제조 장치용 부재로서는, 히터, 정전 척, 링, 샤워 헤드 등이 알려져 있다. 예컨대, 정전 척 히터로서는, 정전 전극과 히터 전극이 매설된 세라믹제의 정전 척과, 이 정전 척을 지지하며 발생한 열을 방출하는 기능을 이루는 금속제의 냉각판을 에폭시계의 접착제로 접합한 것이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평성4-287344호 공보

그러나, 일반적인 수지에서는, 100℃에서의 내열성이 충분하지 않다고 하는 문제가 있었다. 또한, 고온용의 에폭시계의 접착제 시트도 알려져 있지만, 탄성률이 높아, 정전 척과 냉각판을 접합한 후에 휘어짐이 발생하거나, 경우에 따라서는깨지거나 하는 경우가 있었다. 또한, 탄성률이 낮은 에폭시계의 접착제 시트도 알려져 있지만, 경화 과정에서 가스가 발생하거나, 열 사이클에 의해 물성이 크게 변화하거나 하는 경우가 있었다.

본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 세라믹 부품과 금속 부품을 열경화 시트를 개재시켜 접합한 반도체 제조 장치용 부재에 있어서, 고온에서의 사용에 충분히 견딜 수 있는 것을 제공하는 것을 주목적으로 한다.

본 발명의 반도체 제조 장치용 부재는,

세라믹 부품과 금속 부품을 열경화 시트를 개재시켜 접합한 반도체 제조 장치용 부재로서,

상기 열경화 시트는, 에폭시-아크릴 혼합의 접착제를 경화시킨 것이며,

상기 접착제는, (A) 수소 이동형의 중부가가 가능한 에폭시 수지, (B) 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르의 중합체, (C) 경화제를 포함하는 것이다.

본 발명의 반도체 제조 장치용 부재에 따르면, 세라믹 부품과 금속 부품을 열경화 시트를 개재시켜 접합한 것임에도 불구하고, 고온에서의 사용에 충분히 견딜 수 있는 것이 된다.

도 1은 반도체 제조 장치용 부재(10)의 단면도이다.
도 2는 전단 시험 장치의 설명도이다.
도 3은 전단 변형과 전단 강도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 열 사이클 시험에 있어서의 시간과 온도의 관계를 나타내는 그래프이다.

본 발명의 반도체 제조 장치용 부재는, 세라믹 부품과 금속 부품을 열경화 시트를 개재시켜 접합한 것으로서, 열경화 시트는, 에폭시-아크릴 혼합의 접착제를 경화시킨 것이고, 접착제는, (A) 수소 이동형의 중부가가 가능한 에폭시 수지, (B) 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르의 중합체, (C) 경화제를 포함하는 것이다.

열경화 시트는, 에폭시-아크릴 혼합의 접착제를 경화시킨 것이며, 그 접착제는, 전술한 3개의 성분 (A)∼성분 (C)를 포함하는 것이다.

성분 (A)인 수소 이동형의 중부가가 가능한 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이러한 에폭시 수지는, 경화 반응시에 저분자 물질을 발생시키지 않거나, 거의 발생시키지 않는다.

성분 (B)인 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르의 중합체로서는, 알킬아크릴레이트 또는 알킬메타크릴레이트를 주성분으로 하는 에폭시기 함유 아크릴 고무, 알킬아크릴레이트 또는 알킬메타크릴레이트를 주성분으로 하는 카르복실기 함유 아크릴 고무 등을 들 수 있다. 이러한 중합체도, 경화 반응 시에 저분자 물질을 발생시키지 않거나, 거의 발생시키지 않는다.

성분 (C)인 경화제로서는, DICY(디시안디아미드) 경화제, 이미다졸계 경화제, 아민계 경화제 등을 들 수 있다.

접착제의 조성은, 예컨대, 성분 (A)를 5 질량％∼80 질량％, 성분 (B)를 15 질량％∼90 질량％, 성분 (C)를 0.1 질량％∼5 질량％ 포함하도록 하여도 좋다. 특히, 세라믹 부품과 금속 부품을 접합할 때에 한쪽 또는 양쪽의 부품에 구멍이 뚫려 있었던 경우, 그 구멍으로 접착제가 압출되는 것을 억제하고 싶다면, 성분 (A)의 질량％를 성분 (B)의 질량％보다 작게 하는 것이 바람직하고, 성분 (A)를 19 질량％∼36 질량％, 성분 (B)를 60 질량％∼80 질량％, 성분 (C)를 1 질량％∼4 질량％ 포함하도록 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 그 외의 성분으로서, 말단 카르복실·부타디엔-아크릴로니트릴 공중합 액형 고무(CTBN)를 1 질량％ 미만 부가하여도 좋다.

접착제는, 경화 전의 접착제의 중량으로부터 진공 하 150℃, 20시간으로 경화시킨 후의 접착제의 중량을 뺀 값을 경화 전의 접착제의 중량으로 나누어 구한 중량 변화 비율이 5 질량％ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 접착제는, 세라믹 부품과 금속 부품을 접합한 후 150℃, 1000시간의 열이력이 가해지기 전후의 전단 파단 강도가 0.3 ㎫ 이상, 전단 파단 변형이 1.4 이상이며, 전단의 탄성률(Z)이 0.048≤Z≤2.350인 것이 바람직하다. 또한, 접착제는, 세라믹 부품과 금속 부품을 접합한 후 150℃, 1000시간의 탄성률의 상승이 60％ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 접착제는, 세라믹 부품과 금속 부품을 접합한 후 150℃, 1000시간의 열이력이 가해지기 전후의 열전도율의 변화량이 10％ 이내인 것이 더 바람직하다. 그리고, 접착제는, 상기 접착제를 열경화 처리하기 전의 시트인 접착제 시트를 피착체로 사이에 끼우고, 상기 피착체에 0.1 ㎫∼1.0 ㎫를 가하였을 때의 측면으로부터의 압출량이 1.1 ㎜ 이하인 것이 바람직하다.

본 발명의 반도체 제조 장치용 부재로서는, 예컨대, 히터, 정전 척, 링, 샤워 헤드 등을 들 수 있다. 히터로서는, 정전 척 히터나 에칭용 히터, CVD용 히터, PVD용 히터, 링 히터 등을 들 수 있다. 정전 척으로서는, 정전 전극만을 매설한 것이나 정전 전극과 히터 전극을 매설한 것 등을 들 수 있다. 링이나 샤워 헤드는, 히터를 내장하고 있지 않아도 좋고 내장하고 있어도 좋다. 또한, 세라믹 부품으로서는, 질화알루미늄, 알루미나, 탄화규소, 질화붕소, 이트리아, 마그네시아 등을 들 수 있고, 금속 부품으로서는, 알루미늄, 알루미늄 합금, 놋쇠, 몰리브덴 등을 들 수 있다.

여기서, 본 발명의 반도체 제조 장치용 부재의 일례를 도 1에 도시한다. 도 1의 반도체 제조 장치용 부재(10)는, 세라믹제의 정전 척(12)과 금속제의 냉각판(14)을, 열경화 시트(16)를 개재시켜 접합한 것이다. 정전 척(12)에는, 정전 전극(12b)과 히터 전극(12a)이 매설되어 있다. 또한, 정전 척(12)의 표면은, 웨이퍼(W)가 배치되는 웨이퍼 배치면(12c)으로 되어 있다. 냉각판(14)의 내부에는, 냉매가 순환 가능한 냉각 통로(14a)가 형성되어 있다. 이 반도체 제조 장치용 부재(10)는, 정전 척(12) 및 냉각판(14)을 상하 방향으로 관통하는 복수의 구멍을 갖고 있다. 이러한 구멍으로서는, 웨이퍼 배치면(12c)에 배치된 웨이퍼(W)를 리프트 업할 때에 사용되는 리프트핀 구멍(18)이나 웨이퍼(W)에 백사이드 가스 등을 공급하는 가스 채널(20) 등이 있다. 열경화 시트(16)는, 에폭시-아크릴 혼합의 접착제를 경화시킨 것이다. 접착제로서는, (A) 수소 이동형의 중부가가 가능한 에폭시 수지, (B) 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르의 중합체, (C) 경화제를 포함하는 접착제를 사용하였다.

반도체 제조 장치용 부재(10)의 사용 방법의 일례를 이하에 설명한다. 반도체 제조 장치용 부재(10)는, 도시하지 않은 챔버 내에 설치된다. 그리고, 웨이퍼 배치면(12c)에 웨이퍼(W)를 배치하고, 정전 전극(12b)에 웨이퍼(W)를 흡착하기 위한 전압을 인가한다. 또한, 웨이퍼(W)를 가열하기 위해 히터 전극(12a)에 전압을 인가한다. 그리고, 챔버 내에 원료 가스를 도입하며 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼(W)의 처리를 행한다. 이때, 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)의 온도가 지나치게 상승하는 것을 방지하기 위해, 냉각판(14)의 냉각 통로(14a)에 냉매를 흐르게 한다. 또한, 웨이퍼(W)와 웨이퍼 배치면(12c)의 열전도를 좋게 하기 위해, 가스 채널(20)에 헬륨 등의 백사이드 가스를 도입시킨다. 웨이퍼(W)의 처리 종료 후, 리프트핀 구멍(18)에 삽입된 도시하지 않은 리프트핀을 상승시킴으로써, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 배치면(12c)으로부터 들어올려, 그 상태로 웨이퍼(W)를 취출한다.

이상의 반도체 제조 장치용 부재(10)에 따르면, 세라믹제의 정전 척(12)과 금속제의 냉각판(14)을, 열경화 시트(16)를 개재시켜 접합한 것임에도 불구하고, 고온에서의 사용에 충분히 견딜 수 있는 것이 된다.

[실시예]

[1] 접착제 시트

실시예 1의 접착제 시트는, 비스페놀 F형 에폭시 수지를 19 질량％, 부틸아크릴레이트를 주성분으로 하는 에폭시기 함유 아크릴 고무를 80 질량％, DICY(디시안디아미드) 경화제를 1 질량％ 포함하는 접착제 시트이다. 한편, 이러한 접착제 시트는, 각 성분을 휘발성 용제(아세톤이나 헥산 등)로 희석한 접착제로부터 휘발성 용제를 휘발시켜 시트 형상으로 한 것이다.

실시예 2의 접착제 시트는, 크레졸노볼락형 에폭시 수지를 29 질량％, 에틸아크릴레이트를 주성분으로 하는 에폭시기 함유 아크릴 고무를 70 질량％, 이미다졸계 경화제를 1 질량％ 포함하는 접착제 시트이다.

실시예 3의 접착제 시트는, 비스페놀 A형 에폭시 수지를 36 질량％, 부틸아크릴레이트를 주성분으로 하는 카르복실기 함유 아크릴 고무를 60 질량％, 아민계 경화제를 4 질량％ 포함하는 접착제 시트이다.

실시예 4의 접착제 시트는, 비스페놀 F형 에폭시 수지를 57 질량％, 부틸아크릴레이트를 주성분으로 하는 에폭시기 함유 아크릴 고무를 40 질량％, DICY 경화제를 3 질량％ 포함하는 접착제 시트이다.

실시예 5의 접착제 시트는, 비스페놀 F형 에폭시 수지를 76 질량％, 부틸아크릴레이트를 주성분으로 하는 에폭시기 함유 아크릴 고무를 20 질량％, DICY 경화제를 4 질량％ 포함하는 접착제 시트이다.

한편, 실시예 1∼실시예 5의 접착제 시트는, 1 질량％ 미만의 CTBN(말단 카르복실·부타디엔-아크릴로니트릴 공중합 액형 고무)을 포함하고 있어도 좋다.

비교예 1의 접착제 시트는, 아크릴 수지제의 시트이다.

비교예 2의 접착제 시트는, 비스페놀 A형 에폭시 수지를 90 질량％, DICY 경화제를 7 질량％, 디메틸우레아를 3 질량％ 포함하는 시트이다.

[2] 진공 건조에서의 중량 변화 시험

한 변이 50 ㎜인 정사각형의 알루미늄판에 접착제 시트를 접착하고, 경화 전후의 중량 변화 비율을 구하였다. 경화 전후의 중량 변화 비율은, 경화 전의 접착제 시트의 중량으로부터 경화 후의 접착제 시트의 중량을 뺀 값을 경화 전의 접착제 시트의 중량으로 나누어 구하였다. 경화 후의 중량의 측정은, 10 ㎩ 이하의 진공 하, 150℃, 20시간 경과한 시점에서 대기로 복귀하고 나서 행하였다. 경화 전후의 중량 변화 비율은, 실시예 1∼실시예 5의 접착제 시트에서는 2 질량％∼5 질량％였지만, 비교예 1의 접착제 시트에서는 7 질량％, 비교예 2의 접착제 시트에서는 6 질량％였다. 비교예 2의 중량 감소는, 경화 반응에서 에폭시의 축합에 의해 물이 생성되는 것에 기인한 것이다. 이것으로부터, 경화 전후의 수지 중량의 변화 비율은 5 질량％ 이하인 것이 바람직하다고 할 수 있다.

[3] 접합체의 전단 시험

도 2에 도시하는 바와 같이, 세로 25 ㎜×가로 35 ㎜×두께 10 ㎜의 알루미늄판과 동일한 치수의 질화알루미늄판을 비킨 상태로 접착제 시트로 접합하여, 전단 시험용의 접합체를 제작하였다. 접착 부분은 세로 25 ㎜×가로 25 ㎜×두께 0.2 ㎜로 하였다. 전단 시험은, 이 접합체를 알루미늄판의 25 ㎜×10 ㎜의 면이 아래가 되도록 지지대에 배치하고, 질화알루미늄판에 수직 하향의 힘을 가함으로써 행하였다. 시험시의 온도는 실온으로 하였다. 전단 시험의 결과로부터 강도(응력)-변형의 관계를 나타내는 그래프를 작성하였다(도 3 참조). 이 그래프로부터, 전단 강도와 전단 신장을 구하였다. 전단 시험은, 150℃, 1000시간의 열이력을 가하기 전후에서 행하였다.

열이력 전의 실시예 1∼실시예 5에서는, 비교예 1에 비해서, 전단 강도가 우수하였다. 비교예 1에서 이용한 접착제 시트는, 저분자 물질을 포함한 아크릴이기 때문에, 열이력 후의 전단 강도의 열화가 심하여, 알루미늄판과 질화알루미늄판이 박리되어 버렸다. 이 때문에, 도 3에는 비교예 1의 열이력 후의 데이터는 플로팅되어 있지 않다. 또한, 실시예 4, 실시예 5에 대해서도, 실시예 1∼실시예 3의 범위 내이기 때문에, 플로팅되어 있지 않다. 열이력 후의 실시예 1∼실시예 5의 전단 강도는, 열이력 전과 비교하여 동등하거나 상회하고 있었다.

또한, 열이력 전의 실시예 1∼실시예 5는, 비교예 2의 접착제 시트에 비해서, 전단 변형이 우수하였다. 비교예 2에서 이용한 접착제 시트는 에폭시 재료였지만, 에폭시의 분량이 많았다. 그 때문에, 열이력의 전후에서 고강도였지만, 신장(전단 변형)이 짧았다. 한편, 도 3에는 비교예 2의 열이력 후의 데이터는 플로팅되어 있지 않다. 또한, 실시예 4, 실시예 5에 대해서도, 실시예 1∼실시예 3의 범위 내이기 때문에, 플로팅되어 있지 않다. 열이력 후의 실시예 1∼실시예 5의 전단 변형은, 열이력 전과 비교하여 동등하거나 약간 하회하고 있었다.

열응력 계산에 따르면, 전단 변형은 1.4 이상 필요하며, 전단 강도는, 0.3 ㎫ 이상 필요하였다. 또한, 실시예 1∼실시예 5의 접착제 시트의 열경화와 후술하는 [6]∼[9]의 애플리케이션의 실운전의 실적을 합하여 검토를 행한 결과, 탄성률(Z)(=강도/왜곡)이 0.048≤Z≤2.350을 만족시키는 것이 필요하였다. 하한값인 0.048은, 열이력 전의 실시예 1의 데이터로부터 구한 값이며, 상한값인 2.350은, 열이력 후의 실시예 3의 데이터로부터 구한 값이다.

150℃, 1000시간의 열이력의 전후에서의, 실온 시험에서의 탄성률의 변화량은, 실시예 1∼실시예 5에서 60％ 이하였다. 이 변화량은, 열이력 후의 실온에서의 탄성률로부터 열이력 전의 실온에서의 탄성률을 뺀 값을 열이력 전의 실온에서의 탄성률로 나눈 값으로 하였다. 비교예 1에서는, 탄성률의 변화량이 80％ 정도이지만, 전단 변형이 낮기 때문에, 후술하는 [6]∼[9]의 애플리케이션에서는 단부로부터 박리가 발생하였다. 또한, 비교예 2에서는, 탄성률의 변화량이 100％를 초과하여, 후술하는 애플리케이션에서는 세라믹 부분에 크랙이 발생하였다. 이상의 결과로부터, 탄성률의 변화량이 60％ 이하인 접착제 시트는, 후술하는 애플리케이션에 적용할 수 있는 것을 알 수 있었다.

한편, 실시예 1∼실시예 5의 접착제 시트를 사용하여, 세라믹판의 재료로서 질화알루미늄의 이외에 알루미나, 탄화규소, 질화붕소, 이트리아, 마그네시아를 이용하거나, 금속판의 재료로서 알루미늄의 이외에 알루미늄 합금, 놋쇠, 몰리브덴, SiSiC, AlSiC를 이용하거나 한 경우에서도, 동일한 시험을 행한 바, 접착성에 문제가 없었다.

[4] 접합체의 열전도율의 열열화 시험

질화알루미늄판(직경 φ10 ㎜×두께 1 ㎜), 알루미늄판(직경 φ10 ㎜×두께 2 ㎜)을 각 접착제 시트로 접합한 접합체에 대해서, 레이저 플래시법으로 열전도율을 측정하였다. 얻어진 접합체의 열전도율로부터 기지의 질화알루미늄(90 W/mK), 알루미늄(160 W/mK)의 열전도율을 제외하고, 접착제 시트 단체(單體)(열경화 시트 단체)의 열전도율을 산출하였다. 그 결과, 비교예 1, 비교예 2의 접착제 시트를 이용한 경우에는, 대기 중 150℃×1000 hr의 내구 시험 후에 열전도율이 저하한 데 비하여, 실시예 1∼실시예 5의 접착제 시트를 이용한 경우에는, 그와 같은 열전도율의 저하가 보이지 않았다. 비교예 1에서는, 접착제가 내열성이 낮은 아크릴이었던 것이 원인이라고 고려된다. 또한, 비교예 2에서는, 아크릴-에폭시의 혼성이었지만, 축합(縮合)에 의한 물의 발생에 의해 접착성이 저하한 것이 원인이라고 고려된다. 이에 비하여, 실시예 1∼실시예 5에서는, 기본적으로 내열성을 가지며, 경화 시에 물이나 탄화수소 화합물이라고 하는 저분자 물질의 발생을 수반하지 않는 에폭시-아크릴의 혼성이기 때문에, 접착성이 충분히 발현되었다고 고려된다.

[5] 경화 전의 접착제 시트의 압출량의 시험

후술하는 애플리케이션에서 내열성을 발휘하기 위해서는, 접착제 시트를 피착재로 사이에 끼운 상태로, 0.1 ㎫∼1.0 ㎫의 압력을 가하면서 100℃∼170℃의 열을 가하는 경화 처리를 실시할 필요가 있다. 그런데, 후술하는 애플리케이션은, 각 기능을 달성하기 위해, 피착재에는 두께 방향으로 관통하는 구멍이 마련되는 경우가 있다. 접착제 시트가 지나치게 부드러우면, 그러한 구멍을 막아, 애플리케이션의 기능에 지장을 초래하거나, 혹은 국지적 응력 집중에 의해, 접착제 시트의 두께에 변동이 발생하여 균열성에 영향을 끼치거나 하는 경우가 있다. 그래서, 각 접착제 시트를 피착재로 사이에 끼운 상태로, 0.1 ㎫∼1.0 ㎫의 압력을 1시간 가하면서 130℃의 열을 가하였을 때의, 피착재에 형성한 φ10 ㎜의 구멍에의 압출량을 구하였다. 또한, 접착제 시트의 두께는 0.2 ㎜, 피착재의 두께는 3 ㎜로 하였다. 또한, 압출량은, 구멍의 가장자리로부터 접착제가 구멍의 중심을 향하여 신장한 길이로 하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1로부터 명확해진 바와 같이, 최대 압력 1.0 ㎫를 가한 경우의 돌출량은, 실시예 1∼실시예 3에서는 0.51 ㎜∼1.01 ㎜이며, 구멍은 거의 메워지지 않은 데 비하여, 실시예 4, 실시예 5에서는, 1.82 ㎜∼2.45 ㎜이며, 구멍이 약간 메워지는 경향이 보였다.

[6] 제품 사이즈의 접합체의 열 사이클 시험(정전 척 히터)

알루미나제의 가스 구멍을 갖는 정전 척(φ300 ㎜×두께 5 ㎜)과 Al제의 가스 구멍을 갖는 냉각판(φ300 ㎜×두께 30 ㎜)을 각 접착제 시트로 접합하여, 정전 척 히터를 제작하였다. 이 정전 척 히터에 대해서, 열 사이클 시험을 실시하고, 실시 전후의 정전 척의 웨이퍼 배치면의 평면도(平面度)와 접합 계면의 가스 누설을 평가하였다. 가스 누설 평가는, 정전 척의 가스 구멍을 막고, 냉각판에 있는 가스 구멍으로부터 He 누설 디텍터(검출기)로 배기하며, 접합부에 He를 분무하여 He 누설량으로 평가하였다. 열 사이클 시험은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 50℃부터 150℃까지를 1분에 걸쳐 승온시키고, 150℃부터 50℃까지를 1분에 걸쳐 강온시킨다고 하는 사이클을 1 사이클로 하였다(이하 동일함). 그 결과, 비교예 1의 접착제 시트를 이용한 경우에는, 100 사이클째에서 누설된 데 비하여, 실시예 1∼실시예 5의 접착제 시트를 이용한 경우에는, 10000 사이클째에서도 양호하였다. 또한, 평면도는 모두 문제없는 레벨(50 ㎛ 미만)이었다. 또한, 히터를 내장하지 않는 정전 척에 대해서도 동일한 특성을 얻을 수 있었다. 정전 척의 재료를 질화알루미늄으로 변경한 경우, 또한 정전 척 기능이 없는 히터에 있어서도 동일한 특성을 얻을 수 있었다.

[7] 제품 사이즈의 접합체의 열 사이클 시험(링)

질화알루미늄링(내직경 φ310 ㎜, 외직경 φ350 ㎜, 두께 5 ㎜)과 알루미늄 냉각판(내직경 φ310 ㎜, 외직경 φ350 ㎜, 두께 20 ㎜)을 각 접착제 시트로 접합하여, 링을 제작하였다. 이 링에 대해서, 열 사이클 시험을 실시하고, 실시 전후의 평면도를 평가하였다. 그 결과, 비교예 1의 접착제 시트를 이용한 경우에는, 100 사이클째에서 박리하여 버린 데 비하여, 실시예 1∼실시예 5의 접착제 시트를 이용한 경우에는, 10000 사이클째에서도 박리가 발생하지 않으며, 평면도에 관해서도 문제없는 레벨(50 ㎛ 미만)이었다. 링의 재료를 알루미나로 변경한 경우, 또한 히터를 갖는 링에 있어서도 동일한 특성을 얻을 수 있었다.

[8] 제품 사이즈의 접합체의 열 사이클 시험(샤워 헤드)

가스 구멍을 갖는 탄화규소 부품(φ420 ㎜×두께 10 ㎜)과 가스 구멍을 갖는 알루미늄 부품(φ420 ㎜×두께 30)을 각 접착제 시트로 접합하여, 샤워 헤드를 제작하였다. 이 샤워 헤드에 대해서, 열 사이클 시험을 실시하고, 실시 전후의 평면도와 접합 계면의 가스 누설로 평가하였다. 가스 누설 평가는, 탄화규소 부품의 가스 구멍을 막아, 알루미늄 부품에 있는 가스 구멍으로부터 He 누설 디텍터(검출기)로 배기하고, 접합부에 He를 분무하여 He 누설량으로 평가하였다. 그 결과, 비교예 1의 접착제 시트를 이용한 경우에는, 100 사이클째에서 누설된 데 비하여, 실시예 1∼실시예 5의 접착제 시트를 이용한 경우에는, 10000 사이클째에서도 양호하였다. 또한, 평면도는 모두 문제없는 레벨(50 ㎛ 미만)이었다.

[9] 제품 사이즈의 접합체의 열 사이클 시험(CVD 용도 히터)

CVD 용도 히터의 질화알루미늄제의 샤프트 단부(φ100 ㎜)에, 알루미늄 부품(φ100 ㎜)을 접합하였다. 비교예 1의 접착제 시트를 이용한 경우에는, 열 사이클 시험의 10 사이클째에서 떨어졌지만, 실시예 1∼실시예 5의 접착제 시트를 이용한 경우에는, 1000 사이클째에서도 떨어지지 않았다.

10 : 반도체 제조 장치용 부재 12 : 정전 척
12a : 히터 전극 12b : 정전 전극
12c : 웨이퍼 배치면 14 : 냉각판
14a : 냉각 통로 16 : 열경화 시트
18 : 리프트핀 구멍 20 : 가스 채널
W : 웨이퍼

Claims

세라믹 부품과 금속 부품을 열경화 시트를 개재시켜 접합한 반도체 제조 장치용 부재로서,
상기 열경화 시트는, 에폭시-아크릴 혼합의 접착제를 경화시킨 것이며,
상기 접착제는, (A) 수소 이동형의 중부가가 가능한 에폭시 수지, (B) 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르의 중합체, (C) 경화제를 포함하는 것인 반도체 제조 장치용 부재.
제1항에 있어서, 상기 접착제는, 경화 전의 접착제의 중량으로부터 진공 하 150℃, 20시간으로 경화시킨 후의 접착제의 중량을 뺀 값을 경화 전의 접착제의 중량으로 나누어 구한 중량 변화 비율이 5 질량％ 이하인 것인 반도체 제조 장치용 부재.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접착제는, 상기 세라믹 부품과 상기 금속 부품을 접합한 후 150℃, 1000시간의 열이력이 가해지기 전후의 전단 파단 강도가 0.3 ㎫ 이상, 전단 파단 변형이 1.4 이상이며, 전단의 탄성률(Z)이 0.048≤Z≤2.350인 것인 반도체 제조 장치용 부재.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접착제는, 상기 세라믹 부품과 상기 금속 부품을 접합한 후 150℃, 1000시간의 열이력이 가해진 후의 탄성률의 상승이 60％ 이하인 것인 반도체 제조 장치용 부재.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접착제는, 상기 세라믹 부품과 상기 금속 부품을 접합한 후 150℃, 1000시간의 열이력이 가해지기 전후의 열전도율의 변화량이 10％ 이내인 것인 반도체 제조 장치용 부재.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접착제는, 상기 접착제를 열경화 처리하기 전의 시트인 접착제 시트를 피착체로 사이에 끼우고, 상기 피착체에 0.1 ㎫∼1.0 ㎫를 가하였을 때의 측면으로부터의 압출량이 1.1 ㎜ 이하인 것인 반도체 제조 장치용 부재.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (A)의 성분의 질량％는, 상기 (B)의 성분의 질량％보다 작은 것인 반도체 제조 장치용 부재.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 제조 장치용 부재는, 히터, 정전 척, 링 및 샤워 헤드로 이루어지는 군에서 선택된 하나인 것인 반도체 제조 장치용 부재.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세라믹 부품의 재료는, 질화알루미늄, 알루미나, 탄화규소, 질화붕소, 이트리아 및 마그네시아로 이루어지는 군에서 선택된 하나이며,
상기 금속 부품의 재료는, 알루미늄, 알루미늄 합금, 놋쇠 및 몰리브덴, SiSiC, AlSiC로 이루어지는 군에서 선택된 하나인 것인 반도체 제조 장치용 부재.