KR20140112864A - 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법 - Google Patents
파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법 Download PDFInfo
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Abstract
파워소자의 전류붕괴를 감소시키는 구동방법이 개시된다. 개시된 구동 방법은, 턴오프 상태에서 턴온시 전류공급층에 트랩된 전자로 일어나는 전류붕괴를 감소시키는 방법으로, 소스전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극과 전기적으로 분리된 콘트롤 전극에 별도의 콘트롤 전압을 인가한다. 상기 콘트롤 전압 인가 단계는, 상기 게이트 전극에 문턱 전압을 인가하는 단계; 및 상기 상기 콘트롤 전극에 네거티브 전압을 인가하여 상기 트랩된 전자를 빼내는 단계;를 포함한다. 상기 네거티브 전압을 상기 문턱 전압 인가 이전에 인가한다.
Description
개시된 실시예들은 파워 소자를 오프 상태에서 온 상태로 전환시 채널에서의 전자가 반도체층에 트랩되어 일어나는 전류 붕괴(current collapse)를 감소시키는 방법에 관한 것이다.
고 전자 이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor)(HEMT)는 전력 소자의 하나이다. HEMT는 분극률이 다른 화합물 반도체를 포함하고, 채널층에는 캐리어로 사용되는 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electron Gas)(2DEG)가 형성된다. HEMT에서 턴오프시, 드레인 전극에는 고전압이 걸릴 수 있으며, 이에 따라 게이트 전극으로부터 전자가 드레인 전극 측의 채널 공급층 또는 그 표면에 트랩될 수 있다. 또한, 채널에서의 핫 전자(hot electron)가 채널 공급층에 트랩될 수 있다.
HEMT의 오프 상태에서 온 상태로 전환시, 상기 트랩된 전자가 트랩 사이트로부터 빠져나오지 못해 채널의 일부 영역이 공핍되면서 온 저항이 증가하고, 따라서 전류 붕괴가 일어날 수 있다. 전류 붕괴로 HEMT에서의 저항이 증가하고, 발열이 증가하여, 열화가 촉진될 수 있다.
전류 붕괴를 감소시키기 위해서, 전계 플레이트(field plate)를 사용하거나, 게이트 전극 상에 보호층을 형성하는 시도가 있었다.
파워 소자의 오프 상태에서 온 상태로 전환시 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법을 제공한다.
일 실시예에 따른 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법은:
턴오프 상태에서 턴온시 전류공급층에 트랩된 전자로 일어나는 전류붕괴를 감소시키는 방법으로, 소스전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극과 전기적으로 분리된 콘트롤 전극에 별도의 콘트롤 전압을 인가한다.
일 실시예에 따르면, 상기 콘트롤 전압 인가 단계는,
상기 게이트 전극에 게이트 전압을 인가하는 단계; 및
상기 상기 콘트롤 전극에 네거티브 전압을 인가하여 상기 트랩된 전자를 빼내는 단계;를 포함한다.
상기 네거티브 전압 인가를 상기 게이트 전압 인가 이전에 수행할 수 있다.
상기 네거티브 전압은 대략 -5V ~ -20V일 수 있다.
상기 파워소자의 턴오프 상태에서 상기 콘트롤 전극에 상기 네거티브 전압 보다 절대값이 작은 0 ~ -20V의 바이어스 전압을 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 국면에 따르면, 상기 콘트롤 전극은 상기 게이트 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치될 수 있다.
다른 국면에 따르면, 상기 콘트롤 전극은 상기 게이트 전극 하부의 GaN계 층 하부에 배치될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 콘트롤 전압인가 단계는,
상기 게이트 전극에 게이트 전압 인가시 상기 콘트롤 전극에 포지티브 전압을 인가하여 상기 콘트롤 전극 하부에 전자들을 형성하는 단계일 수 있다.
상기 게이트 전압 인가와 상기 포지티브 전압 인가가 동시에 수행될 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 콘트롤 전압인가 단계는,
상기 게이트 전극에 게이트 전압 인가 이전에 상기 콘트롤 전극에 네거티브 전압을 인가하는 단계; 및
상기 게이트 전극에 상기 게이트 전압 인가시 상기 콘트롤 전극에 포지티브 전압을 인가하는 단계:를 포함할 수 있다.
상기 네거티브 전압 인가단계 및 상기 포지티브 전압 인가단계는 연속적으로 수행될 수 있다.
개시된 실시예에 따르면, 다른 전극들과 별도로 전압이 인가되는 콘트롤 전극에 콘트롤 전압을 인가하여 디트래핑 및/또는 강화 모드로 만들어 채널층에 전자를 이동시켜서 전류 붕괴를 감소시킬 수 있다. 결과로서, 파워 소자의 저항이 감소되며, 발열에 의한 열화가 감소될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 발광 소자의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
도 2 내지 도 5는 다른 실시예에 따른 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법을 보여주는 타이밍도이다.
도 2 내지 도 5는 다른 실시예에 따른 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법을 보여주는 타이밍도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다. 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. 이하에서, "상부" 나 "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다. 명세서를 통하여 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 일 실시예에 적용되는 파워 소자(100)의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도다.
도 1을 참조하면, 기판(110) 상에 버퍼층(112)이 형성되어 있다. 기판(110)은, 예를 들면 사파이어(sapphire), Si, SiC 또는 GaN 등으로 이루어질 수 있다. 그러나, 이는 단지 예시적인 것으로, 기판(110)은 이외에도 다른 다양한 물질로 이루어질 수 있다.
버퍼층(112)은 화합물 반도체층일 수 있다. 예를 들면, 버퍼층(112)은 GaN층, AlGaN층 또는 AlGaInN층일 수 있다. 기판(110)과 버퍼층(112) 사이에 씨드층(seed layer)이 더 구비될 수 있다. 씨드층은, 예를 들면 AlN층, AlGaN층일 수 있다.
버퍼층(112) 상에는 2차원 전자가스(2DEG; 2-Dimensional Electron Gas)(122)를 포함하는 채널층(120)이 존재한다. 2DEG(122)는 채널층(120)의 상부면 아래에 위치할 수 있다. 2DEG(122)는 전자 통로로 이용될 수 있다.
채널층(120)은 제1 질화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 제1 질화물 반도체 물질은 Ⅲ-Ⅴ 계의 화합물 반도체 물질일 수 있다. 예를 들면, 채널층(120)은 GaN계 물질층이 될 수 있다. 구체적인 예로서, 채널층(120)은 GaN층이 될 수 있다. 이 경우, 채널층(120)은 미도핑된(undoped) GaN층이 될 수 있으며, 경우에 따라서는 소정의 불순물이 도핑된 GaN층이 될 수도 있다.
채널층(120) 상에 채널 공급층(130)이 형성된다. 채널 공급층(130)은 채널층(120)에 2 2DEG(122)를 유발할 수 있다. 2DEG(122)는 채널층(120)과 채널공급층(130)의 계면 아래의 채널층(120) 내에 형성될 수 있다. 채널공급층(130)은 채널층(120)을 이루는 제1 질화물 반도체 물질과는 다른 제2 질화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 제2 반도체 물질은 제1 질화물 반도체 물질과 분극 특성, 에너지 밴드갭(bandgap) 및 격자상수 중 적어도 하나가 다를 수 있다. 구체적으로, 제2 질화물 반도체 물질은 제1 질화물 반도체 물질 보다 분극률과 에너지 밴드갭 중 적어도 하나가 제1 질화물 반도체 물질보다 클 수 있다.
채널 공급층(130)은 예를 들면, Al, Ga, In 및 B 중 적어도 하나를 포함하는 질화물로 이루어질 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 구체적인 예로서, 채널공급층(130)은 AlGaN, AlInN, InGaN, AlN 및 AlInGaN 으로 이루어질 수 있다. 채널공급층(130)은 미도핑된(undoped) 층일 수 있지만, n형 도핑물질으로 도핑된 것일 수도 있다. 실리콘(Si)이 n형 도핑물질로 사용될 수 있으나, 이러한 것으로 제한되지는 않는다.
채널공급층(130)의 두께는 예를 들면, 수십 ㎚ 이하일 수 있다. 예컨대, 채널공급층(130)의 두께는 약 50㎚ 이하일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
채널층(120) 상에서 채널 공급층(130)의 양측에 소스전극(141)과 드레인 전극(142)이 형성될 수 있다. 소스 전극(141)과 드레인 전극(142)은 소스 전극(141)과 드레인 전극(142)은 채널 공급층(130)에 접촉되게 형성될 수 있다.
채널 공급층(130) 상에 게이트 전극(150)이 형성된다. 게이트 전극(150)은 드레인 전극(142) 보다 소스 전극(141)에 가깝게 형성될 수 있다.
채널 공급층(130) 상에는 게이트 전극(150)을 덮는 보호층(160)이 형성될 수 있다. 보호층(160)은 실리콘 나이트라이드 또는 알루미늄 나이트라이드로 형성될 수 있다. 보호층(160)의 존재는 전류 붕괴를 감소시키는 효과가 있다.
보호층(160) 상에서 게이트 전극(150)과 드레인 전극(142) 사이에 콘트롤 전극(170)이 형성된다. 콘트롤 전극(170)은 일반 전극 물질로 형성될 수 있다. 콘트롤 전극(170)은 소스 전극(141), 드레인 전극(142) 및 게이트 전극(150)과 전기적으로 이격되어 있으며, 이들 전극에 인가되는 전압과는 별개의 콘트롤 전압이 인가된다.
소스 전극(141), 드레인 전극(142), 게이트 전극(150), 콘트롤 전극(170)은 적어도 하나의 금속 또는 금속 질화물을 포함할 수 있는데, 예를 들면 Au, Ni, Pt, Ti, Al, Pd, Ir, W, Mo, Ta, Cu, TiN, TaN 및 WN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 2는 다른 실시예에 따른 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법을 보여주는 타이밍도이다. 다른 실시예에 따른 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법을 도 1을 참조하여 설명한다.
도 2를 참조하면, 파워 소자(100)를 포함하는 파워 시스템에서, 파워 소자(100)가 턴오프된 상태에서 드레인 전극(142)에는 고전압, 예컨대 수백 ~ 수천 볼트 전압이 걸린다. 이에 따라 게이트 전극(150)으로부터 전자가 드레인 전극(142) 측의 채널 공급층(130)에 또는 보호층(160)과 채널 공급층(130) 사이의 경계면에 트랩될 수 있다. 또한, 채널에서의 핫 전자가 채널 공급층(130)에 트랩될 수 있다. 이 트랩된 전자로 인해 파워 소자(100)를 턴온시 전류 붕괴가 일어날 수 있다.
파워 소자(100)의 게이트 전극(150)에 게이트 턴온 전압(Vg1)을 인가하여 파워 소자(100)를 턴온하기 이전에 콘트롤 전극(170)에 시점(t1)에 네거티브 콘트롤 전압(-Vc)을 인가한다. 콘트롤 전극(170)에 인가된 네거티브 콘트롤 전압(-Vc)은 채널 공급층(130)에 트랩된 전자를 채널층(120), 특히 2DEG(122)에서 전자가 공핍된 영역으로 이동시킨다. 이 과정을 디트랩(detrap)이라 칭할 수 있다.
게이트 턴온 전압(Vg1)은 이하에서 게이트 전압이라고도 칭한다. 게이트 전압(Vg1)은 대략 10~12V 일 수 있으며, 네거티브 콘트롤 전압(-Vc)은 대략 -5 ~ -20V 일 수 있다.
이어서, 게이트 전극(150)에 게이트 전압(Vg1)을 인가하면, 전류 붕괴가 거의 없이 파워 소자(100)는 턴온된다.
위의 실시예에서는 네거티브 콘트롤 전압(-Vc) 인가 시점(t1)이 게이트 전압 인가 시점(t2) 보다 빠르나, 본 실시예는 반드시 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 게이트 전압 인가 시점(t2)과 콘트롤 전압 인가 시점(t1)이 동시에 이루어질 수 있으며, 또한, 게이트 전압 인가 시점(t2)이 콘트롤 전압 인가 시점(t1) 보다 늦게 수행될 수도 있다.
도 3은 또 다른 실시예에 따른 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법을 보여주는 타이밍도이다. 또 다른 실시예에 따른 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법을 도 1을 참조하여 설명한다.
도 3을 참조하면, 파워 소자(100)가 턴오프된 상태에서 콘트롤 전극(170)에 대략 0~-20V의 바이어스 전압(Vb)을 인가한다. 이러한 바이어스 전압 인가는 게이트 전극(150)으로부터 전자가 드레인 전극(142) 측의 채널 공급층(130)에 또는 보호층(160)과 채널 공급층(130) 사이의 경계면에 트랩되는 것을 억제한다. 또한, 채널에서의 핫 전자가 채널 공급층(130)에 트랩되는 것을 억제할 수 있다.
이어서, 파워 소자(100)의 게이트 전극(150)에 게이트 전압(Vg1)을 인가하여 파워 소자(100)를 턴온하기 이전에 콘트롤 전극(170)에 시점(t1)에 네거티브 콘트롤 전압(-Vc)을 인가한다. 콘트롤 전극(170)에 인가된 네거티브 콘트롤 전압(-Vc)은 채널 공급층(130)에 트랩된 전자를 채널층(120), 특히 2DEG(122)에서 전자가 공핍된 영역으로 이동시킨다. 이 과정을 디트랩(detrap)이라 칭할 수 있다. 게이트 전압(Vg1)은 대략 10~12V 일 수 있으며, 네거티브 콘트롤 전압(-Vc)은 대략 -5 ~ -20V 일 수 있다. 네거티브 콘트롤 전압(-Vc)의 절대값은 바이어스 전압(Vb)의 절대값 보다 작을 수 있다.
이어서, 게이트 전극(150)에 게이트 전압(Vg1)을 인가하면, 전류 붕괴가 거의 없이 파워 소자(100)는 턴온된다.
위의 실시예에서는 네거티브 콘트롤 전압(-Vc) 인가 시점(t1)이 게이트 전압 인가 시점(t2) 보다 빠르나, 본 실시예는 반드시 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 게이트 전압 인가 시점(t2)과 콘트롤 전압 인가 시점(t1)이 동시에 이루어질 수 있으며, 또한, 게이트 전압 인가 시점(t2)이 콘트롤 전압 인가 시점(t1) 보다 늦게 수행될 수도 있다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법을 보여주는 타이밍도이다. 다른 실시예에 따른 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법을 도 1을 참조하여 설명한다.
도 4를 참조하면, 파워 소자(100)의 게이트 전극(150)에 게이트 전압(Vg1)을 인가하여 파워 소자(100)를 턴온할 때, 콘트롤 전극(170)에 포지티브 콘트롤 전압(+Vc)을 인가한다. 콘트롤 전극(170)에 인가된 포지티브 콘트롤 전압(+Vc)은 채널층(120)의 전자를 2DEG(122)의 전자가 공핍된 영역으로 이동시킨다. 이 과정을 채널 강화(channel enhancement)라 칭할 수 있다. 이 때, 콘트롤 전극(170)은 게이트 전극(150)과 같은 역할을 수행한다. 게이트 전압(Vg1)은 대략 10~12V 일 수 있으며, 포지티브 콘트롤 전압(+Vc)은 대략 5 ~ 20V 일 수 있다. 게이트 전극(150)에 게이트 전압(Vg1)을 인가하면, 전류 붕괴가 거의 없이 파워 소자(100)는 턴온된다.
위의 실시예에서는 콘트롤 전압 인가 시점(t1)과 게이트 전압 인가 시점(t2)이 동시에 이루어지는 것을 개시하였으나, 본 실시예는 반드시 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 게이트 전압 인가 시점(t2) 보다 콘트롤 전압 인가 시점(t1)이 먼저 이루어질 수 있으며, 또한, 게이트 전압 인가 시점(t2)이 콘트롤 전압 인가 시점(t1) 보다 먼저 수행될 수도 있다.
도 4의 실시예에서, 파워 소자(100)가 턴오프된 상태에서 콘트롤 전극(170)에 그라운드 전압 또는 네거티브 전압, 예컨대 대략 0 ~ -20V의 바이어스 전압(도 3의 Vb)을 인가하여 전자의 트랩을 억제할 수 있으며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 도 5는 또 다른 실시예에 따른 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법을 보여주는 타이밍도이다. 다른 실시예에 따른 파워 소자의 전류 붕괴를 감소시키는 구동방법을 도 1을 참조하여 설명한다.
도 5를 참조하면, 파워 소자(100)의 게이트 전극(150)에 게이트 전압(Vg1)을 인가하여 파워 소자(100)를 턴온하는 시점(t2) 이전에 콘트롤 전극(170)에 네거티브 전압(-Vc)을 인가한다 (t1 참조). 콘트롤 전극(170)에 인가된 콘트롤 전압(-Vc)은 채널 공급층(130)에 트랩된 전자를 채널층(120), 특히 2DEG(122)의 전자가 공핍된 영역으로 이동시킨다. 이 과정을 디트랩(detrap)이라 칭할 수 있다. 게이트 전압(Vg1)은 대략 10~12V 일 수 있으며, 네거티브 콘트롤 전압(-Vc)은 대략 -5 ~ -20V 일 수 있다.
이어서, 파워 소자(100)의 게이트 전극(150)에 게이트 전압(Vg1)을 인가하여 파워 소자(100)를 턴온할 때, 콘트롤 전극(170)에 포지티브 콘트롤 전압(+Vc)을 인가한다(t3 참조). 콘트롤 전극(170)에 인가된 포지티브 콘트롤 전압(+Vc)은 채널층(120)의 전자를 2DEG(122)에서 전자가 공핍된 영역으로 이동시킨다. 이 과정을 채널 강화(channel enhancement)라 칭할 수 있다. 포지티브 콘트롤 전압(+Vc) 인가는 게이트 전압(Vg1) 인가와 동시에 종료될 수 있다. 게이트 전압(Vg1)은 대략 10~12V 일 수 있으며, 포지티브 콘트롤 전압(+Vc)은 대략 5 ~ 20V 일 수 있다. 게이트 전극(150)에 게이트 전압(Vg1)을 인가하면, 전류 붕괴가 거의 없이 파워 소자(100)는 턴온된다.
위의 실시예에서는 네거티브 콘트롤 전압 인가 시점(t1)이 게이트 전압 인가 시점(t2) 이전에 수행되고, 포지티브 전압 인가 시점(t3)이 게이트 전압 인가 시점(t2) 이후에 수행되나, 본 실시예는 반드시 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 게이트 전압 인가 시점(t2) 보다 콘트롤 전압 인가 시점(t1)이 나중에 이루어질 수 있으며, 또한, 게이트 전압 인가 시점(t2)과 포지티브 전압 인가 시점(t3)이 동시에 수행될 수도 있다.
도 5의 실시예에서, 파워 소자(100)가 턴오프된 상태에서 콘트롤 전극(170)에 대략 0~-20V의 바이어스 전압(도 3의 Vb)을 인가하여 전자의 트랩을 억제할 수 있으며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상술한 실시예에서는 보호층 위에 콘트롤 전극이 형성된 파워 소자를 개시하였으나, 본 실시예는 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 보호층 없이 콘트롤 전극이 채널 공급층 상에 형성될 수 있다. 또한, 기판이 도전성 기판이며, 이 기판이 콘트롤 전극으로 이용될 수 있다. 또한, 기판 및 버퍼층이 제거되고 채널층 하부에 콘트롤 전극이 형성될 수도 있다.
또한, 게이트 하부에 채널 공핍층이 더 형성될 수도 있다. 또한, 채널 공급층과 채널층의 일부가 오목한 구조(recessed structure)일 수도 있다.
이상에서 첨부된 도면을 참조하여 설명된 본 발명의 실시예들은 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
100: 파워 소자 110: 기판
112: 버퍼층 120: 채널층
122: 2DEG 130: 채널 공급층
141: 소스 전극 142: 드레인 전극
150: 게이트 전극 160: 보호층
170: 콘트롤 전극 Vg: 게이트 전압
Vc: 콘트롤 전압
112: 버퍼층 120: 채널층
122: 2DEG 130: 채널 공급층
141: 소스 전극 142: 드레인 전극
150: 게이트 전극 160: 보호층
170: 콘트롤 전극 Vg: 게이트 전압
Vc: 콘트롤 전압
Claims (16)
- 파워소자의 턴오프 상태에서 턴온시 전류공급층에 트랩된 전자로 일어나는 전류붕괴를 감소시키는 방법에 있어서,
소스전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극과 전기적으로 분리된 콘트롤 전극에 별도의 콘트롤 전압을 인가하는 파워소자의 전류붕괴를 감소시키는 구동방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 콘트롤 전압 인가 단계는,
상기 게이트 전극에 게이트 전압을 인가하는 단계; 및
상기 상기 콘트롤 전극에 네거티브 전압을 인가하여 상기 트랩된 전자를 빼내는 단계;를 포함하는 구동방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 네거티브 전압 인가를 상기 게이트 전압 인가 이전에 수행하는 구동방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 네거티브 전압은 대략 -5V ~ -20V인 구동방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 파워소자의 턴오프 상태에서 상기 콘트롤 전극에 상기 네거티브 전압 보다 절대값이 작은 0 ~ -20V의 바이어스 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 구동방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 콘트롤 전극은 상기 게이트 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치된 구동방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 콘트롤 전극은 상기 게이트 전극 하부의 GaN계 층 하부에 형성된 구동방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 콘트롤 전압인가 단계는,
상기 게이트 전극에 상기 게이트 전압 인가시 상기 콘트롤 전극에 포지티브 전압을 인가하여 상기 콘트롤 전극 하부에 전자들을 형성하는 단계인 구동방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 게이트 전압 인가와 상기 포지티브 전압 인가가 동시에 수행되는 구동방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 포지티브 전압은 대략 5V ~ 20V인 구동방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 포지티브 전압은 상기 게이트 전압과 다른 전압인 구동방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 파워소자의 턴오프 상태에서 상기 콘트롤 전극에 그라운드 전압 또는 네거티브 바이어스 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 구동방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 콘트롤 전압인가 단계는,
상기 게이트 전극에 상기 게이트 전압 인가 이전에 상기 콘트롤 전극에 네거티브 전압을 인가하는 단계; 및
상기 게이트 전극에 상기 게이트 전압 인가시 상기 콘트롤 전극에 포지티브 전압을 인가하는 단계:를 포함하는 구동방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 네거티브 전압 인가단계 및 상기 포지티브 전압 인가단계는 연속적으로 수행되는 구동방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 게이트 전압 인가와 상기 포지티브 전압 인가가 실질적으로 동시에 수행되는 구동방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 파워소자의 턴오프 상태에서 상기 콘트롤 전극에 상기 네거티브 전압 보다 절대값이 작은 0 ~ -20V의 바이어스 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 구동방법.
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-
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