KR20140103112A - 올레핀 올리고머화 촉매 제조 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 삼합체화 생성물 제조용 새로운 촉매시스템들 및 새로운 제조 및 이용방법들을 제공한다. 일 양태에서, 새로운 촉매시스템들은 무수 복분해로 제조되는 크롬 카르복실레이트로 구성된다. 다른 양태에서, 촉매시스템은 무수 복분해로 제조되는 크롬 카르복실레이트 및 금속 피롤리드 화합물로 구성된다. 촉매시스템들은 올레핀 삼합체화 공정 성능을 개선 및/또는 촉매시스템 비용을 절감한다.

Description

올레핀 올리고머화 촉매 제조{PREPARATION OF AN OLEFIN OLIGOMERIZATION CATALYST}
본 발명은 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및 삼합체화 생성물 제조를 위한 촉매시스템 이용방법에 관한 것이다.
1-헥센 제조를 위한 에틸렌 삼합체화는 이러한 알파 올레핀의 선택적 제조를 위한 상업적으로 중요한 공정이고, 보통 알파 올레핀은 에틸렌과 함께 공단량체로서 광범위한 폴리올레핀들 제조에 유용하다. 광범위하게 적용되고 있는 에틸렌 삼합체화 촉매시스템은 크롬 카르복실레이트, 피롤 화합물, 및 금속알킬을 포함한다. 예를들면, 하나의 에틸렌 삼합체화 촉매시스템은 트리스(2-에틸헥사노에이트) 크롬(III), 2,5-디메틸피롤, 트리에틸알루미늄, 및 디에틸알루미늄 클로라이드로 구성된다.
전형적으로, 활성 촉매시스템을 제조하는 임의의 방법은 에틸렌 삼합체화 촉매시스템에서 적용되는 크롬 카르복실레이트와 관련하여 문제점들을 제기한다. 상업적인 크롬 (III) 2-에틸헥사노에이트 품질의 회분마다의 변동, 및 수반되는 촉매시스템 성능의 비일관성은, 에틸렌 삼합체화 촉매시스템 생산성 및 선택성에 심각한 영향을 줄 수 있다. 따라서, 더욱 효율적이고 비용 효과적인 새로운 촉매시스템들, 새로운 촉매시스템 제조방법들, 및 삼합체화 생성물 제조를 위한 새로운 촉매시스템 이용방법들을 찾고 개발하는 것이 유익할 것이다. 일 양태에서, 촉매시스템에서 고가의 활성화제들 함량을 줄일 수 있거나, 촉매시스템에 이용되는크롬 화합물 제조 비용을 낮추거나 효율을 높일 수 있는 새로운 촉매시스템들 및 촉매시스템 제조방법들이 필요하다.
본 발명은 조성물, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 촉매시스템을 이용한 올레핀들 삼합체화 방법을 제공한다.
일 양태에서, 조성물은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물로 구성되고, 이는 KBr 펠렛으로 υsym (CO2) 적외선 피크의 110 cm-1 내에서 υasym (CO2) 적외선 흡광피크를 가지고 1516±15 cm1에서의 υasym (CO2) 적외선 흡광피크 대 700±50 cm-1 에서의 적외선 흡광피크의 적외선 흡광피크 높이비는 3:1 이상인 적외선 스펙트럼을 가지는 것을 특징으로 한다. 다른 양태에서, 조성물은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물로 구성되고, 이는 크롬(III) 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 단핵 크롬(III) 아세테이트 이론 모델의 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 r이 1.3 옹스트롬 내지 4 옹스트롬 범위에서 비교할 때 적어도 0.6의 적합도 검정값, R2을 가지는 것을 특징으로 한다. 또 다른 양태에서, 조성물은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물로 구성되고, 이는 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산 (acid-free) 조건들에서 1) 식 CrX3Lℓ 을 가지는 크롬(III) 전구체, 식 중 각각의 X는 독립적으로 할라이드, 각각의 L은 독립적으로 C2-C10 에테르, C2-C10 티오에테르, C2-C5 니트릴, C1-C30 아민, 또는 C3-C30 포스핀, 또는 임의의 이들의 조합이고, ℓ 은 0 내지 7이고, 2) 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트, 및 3) 제1 용매를 접촉하여 크롬(III) 카르복실레이트를 형성하는 단계로 구성되는 방법으로 제조된다. 촉매시스템은 피롤 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적으로, 할로겐 함유 화합물을 추가로 포함한다.
일 양태에서, 조성물은 촉매시스템으로서 이용된다. 일 양태에서, 촉매시스템 제조방법은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적으로, 할로겐 함유 화합물을 접촉하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 촉매시스템 제조방법은 2 이상의 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물을 불포화 유기화합물 존재에서 접촉하는 단계를 추가로 포함한다. 실시태양에서, 불포화 유기화합물은 C2 내지 C20 지방족 탄화수소 올레핀, C6 내지 C20 아렌, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 촉매시스템 제조방법은 크롬(III) 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 동시에 접촉하는 단계로 구성된다. 다른 실시태양들에서, 촉매시스템 제조방법은 피롤 화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물 (모두 또는 일부)을 접촉하여 피롤/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 형성한 후 피롤 화합물을 크롬(III) 카르복실레이트 조성물과 접촉시키는 단계로 구성된다.
촉매시스템이 할로겐 함유 화합물을 포함하는 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물은 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 할로겐화 탄화수소, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 촉매시스템이 할로겐 함유 화합물을 포함하는 일부 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물을 포함하는 조성물은 (i) 무기 금속 할라이드, (ii) 히드로카르빌 금속 할라이드, (iii) 무기 금속 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물의 혼합물, 또는 (iv) 히드로카르빌 금속 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물의 혼합물로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 촉매시스템이 금속 할라이드를 포함하는 실시태양에서, 촉매시스템 제조방법은 크롬(III) 카르복실레이트 조성물과 피롤 화합물 또는 금속 할라이드의 적어도 하나를 접촉시킨 후 크롬(III) 카르복실레이트 조성물과 금속 히드로카르빌 화합물를 접촉시키거나; 달리, 상기 방법은 금속 히드로카르빌 화합물과 피롤 화합물 또는 금속 할라이드의 적어도 하나를 접촉시킨 후 크롬(III) 카르복실레이트 조성물과 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉시키거나; 달리, 상기 방법은 크롬(III) 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 또는 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 및 피롤 화합물을 포함하는 조성물과 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉시킨 후 금속 할라이드 함유 조성물과 접촉시키는 단계로 구성된다. 촉매시스템이 할로겐 함유 화합물을 포함하는 또 다른 실시태양에서, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 또는 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물 및 피롤 화합물을 포함하는 조성물은 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉한 후 할로겐 함유 화합물을 가지는 조성물과 접촉되거나; 또는 달리, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물 및 피롤 화합물이 접촉한 후 피롤 화합물 또는 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이 할로겐 함유 화합물을 가지는 조성물과 접촉된다. 촉매시스템이 할로겐 함유 화합물을 포함하는 실시태양에서, 촉매시스템 제조방법은 (1) 피롤 화합물, 할로겐 함유 화합물을 가지는 조성물, 및 선택적으로, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물을 접촉하여 혼합물을 형성하고 (2) 혼합물을 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉하는 단계로 구성된다. 촉매시스템이 할로겐 함유 화합물을 포함하는 실시태양에서, 촉매시스템 제조방법은 (1) 피롤 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적으로 할로겐 함유 화합물을 접촉하여 혼합물을 형성하고, (2) 혼합물을 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물과 접촉하는 단계로 구성된다.
다른 양태에서, 촉매시스템은 올레핀들 삼합체화 방법에 사용된다. 실시태양에서, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적으로, 할로겐 함유 화합물을 포함하는 촉매시스템을 이용한 올레핀들 삼합체화 방법은, 에틸렌으로 구성되거나 실질적으로 이루어지는 올레핀, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 형성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 a) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적으로 할로겐 함유 화합물을 접촉하여 촉매시스템을 형성하는 단계, b) 촉매시스템과 올레핀을 접촉하는 단계; 및 c) 삼합체화 조건들에서 올레핀 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 다른 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 a) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적으로 할로겐 함유 화합물을 접촉하여 촉매시스템을 형성하는 단계, b) 촉매시스템을 에틸렌으로 구성되거나 실질적으로 이루어지는 올레핀과 접촉하는 단계; 및 c) 삼합체화 조건들에서 올레핀 삼합체화 생성물 생성하는 단계로 구성되고, 이때 올레핀 접촉 전에는 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 접촉되지 않고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 또는 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트과 올레핀 접촉 전에는 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 접촉되지 않고; 또는 달리, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 에틸렌과 실질적으로 동시에 접촉된다. 올레핀이 에틸렌을 포함하는 실시태양에서, 삼합체화 생성물은 삼합체화 조건들에서 형성되고 이때 에틸렌 부분압은 20 psi 내지 2500 psi이다.
도 1은 DMP의 표준 몰백분율로부터의 2,5-디메틸피롤 (DMP) 몰백분율의 백분율 편차 대 1-헥센 생산성의 백분율 차이를 도시한 것이고, 종래 트리스(2-에틸헥사노에이트)크롬(III) [Cr(EH)3] 기반의 촉매시스템의 에틸렌 올리고머화 촉매 성능 변화를 보인다.
도 2는 TEA/DEAC 조합물에 대한 표준 몰백분율로부터의 트리에틸 알루미늄 (TEA) 및 디에틸알루미늄 클로라이드 (DEAC) 조합물의 몰백분율 백분율 편차 대 1-헥센 생산성의 백분율 차이를 도시한 것이고, TEA/DEAC 물비가 11:8로 일정하게 유지될 때 종래 트리스(2-에틸헥사노에이트)크롬(III) [Cr(EH)3] 기반의 촉매시스템의 에틸렌 올리고머화 촉매 성능 변화를 보인다.
도 3은 본 발명의 분리된 전이금속 카르복실레이트 (크롬(III) 2-에틸헥사노에이트)의 사진이다.
도 4는 상업적으로 입수되는 분리된 전이금속 카르복실레이트 (크롬(III) 2-에틸헥사노에이트)의 사진이다.
도 5는 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물의 IR 스펙트럼이다.
도 6은 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물의 IR 스펙트럼에서 확대 구역, 2000 cm-1 내지 1000 cm-1이다.
도 7은 제2 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물의 IR 스펙트럼이다.
도 8은 제2 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물의 IR 스펙트럼에서 확대 구역, 2000 cm-1 내지 1000 cm-1이다.
도 9는 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3:1인 본원에 개시된 방법들에 따라 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼이다.
도 10은 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3:1인 본원에 개시된 방법들에 따라 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼에서 확대 구역, 2000 cm-1 내지 1000 cm-1이다.
도 11은 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3.1:1인 본원에 개시된 방법들에 따라 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼이다.
도 12는 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3.1:1인 본원에 개시된 방법들에 따라 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼에서 확대 구역, 2000 cm-1 내지 1000 cm-1이다.
도 13은 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3.3:1인 본원에 개시된 방법들에 따라 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼이다.
도 14는 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3.3:1인 본원에 개시된 방법들에 따라 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼에서 확대 구역, 2000 cm-1 내지 1000 cm-1이다.
도 15는 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3.3:1인 본원에 개시된 방법들에 따라 제조되는 실질적으로 소듐이 없는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼이다.
도 16은 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3.3:1인 본원에 개시된 방법들에 따라 제조되는 실질적으로 소듐이 없는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼에서 확대 구역, 2000 cm-1 내지 1000 cm-1이다.
도 17은 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 4:1인 본원에 개시된 방법들에 따라 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼이다.
도 18은 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 4:1인 본원에 개시된 방법들에 따라 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼에서 확대 구역, 2000 cm-1 내지 1000 cm-1이다.
도 19는 본원의 방법으로 제조되는 크롬(III) 2-에틸 헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸 헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 비교한 것이다.
도 20은 본원의 방법으로 제조되는 크롬(III) 2-에틸 헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 문헌에서 보고되는 크롬(III) 2-에틸 헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 비교한 것이다.
도 21은 본원의 방법으로 제조되는 크롬(III) 2-에틸 헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 이론적 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델의 최적화 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 비교한 것이다.
도 22는 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸 헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 이론적 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델의 최적화 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 비교한 것이다.
도 23은 문헌에서 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 이론적 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델의 최적화 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 비교한 것이다.
본 발명의 다양한 양태들 및 실시태양들에 의하면, 새로운 크롬 카르복실레이트 조성물, 새로운 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법, 새로운 촉매시스템, 새로운 촉매시스템 제조방법, 및 올레핀 올리고머화 생성물 제조를 위한 새로운 촉매시스템 이용방법이 제공된다. 일 양태에서, 본원에 기재되고 다양한 개시 실시태양들에 따라 제조되는 새로운 삼합체화 촉매시스템들은 상대적으로 소량의 알킬 알루미늄 및 유사한 활성화제들을 사용하면서도 양호한 촉매시스템 활성을 달성한다.
본 발명의 다양한 양태들 및 실시태양들에 따르면, 1) 촉매 성분들 및 방법들이 제공되며, 여기에서 피롤 및 금속알킬 화합물의 조합으로 혼합물을 형성하고, 상기 혼합물은 이러한 접촉단계에서 형성되는 금속 피롤리드를 함유하고 이는 촉매시스템 성분을 구성하고; 2) 촉매 성분들 및 방법들이 제공되며, 여기에서 실질적으로 무-산 및 무수 조건들에서, 비양자성 배위용매 중 전이금속 전구체 및 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 조합으로 전이금속 카르복실레이트 조성물이 제공되고; 및 3) 촉매 성분들 및 방법들이 제공되며, 여기에서 이들 제1의 두 촉매 성분들 및 방법들의 조합으로, 즉, 금속 피롤리드를 함유하는 혼합물을 형성하기 위한 피롤 및 금속알킬 화합물의 조합, 및 전이금속 카르복실레이트 조성물을 제공하기 위한 비양자성 배위용매 중 전이금속 전구체 및 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 조합을 포함하고, 이들 양자 모두 촉매시스템 성분들을 구성한다.
본원에 사용되는 용어들을 명확하게 정의하기 위하여 하기 정의들이 제공된다. 달리 지시되지 않는 한, 하기 정의들은 본 명세서에 적용된다. 본 명세서에 사용되고 본원에서 특별히 정의되지 않는 경우, 본원에 적용되는 임의의 기타 개시와 상충되지 않고, 또한 적용될 때 임의의 청구항을 불명료하게 하거나 실시 불가능하게 하지 않는 한 IUPAC 화학 술어집, 2판 (1997)에 있는 정의가 적용될 수 있다. 참고문헌으로 본원에 포함되는 임의 문헌들에서 제공되는 정의 또는 용법과 본원에서 제공되는 정의 또는 용법과 상충되는 경우 본원에서 제공되는 정의 또는 용법이 우선한다.
주기율 원소 족들은 Chemical and Engineering News, 63(5), 27, 1985에서 발행된 원소 주기율표에 표기된 번호 체계를 이용하여 표기된다. 일부 예들에서, 원소 족들은 족에 지정된 관용명을 이용하여 표기될 수 있다; 예를들면 1족 원소들은 알칼리 금속, 2족 원소들은 알칼리 토금속, 3-12족 원소들은 전이금속, 및 17족 원소들은 할로겐이다.
청구항 이행어 또는 이행구에 있어서, 이행어 “구성하는” 용어는 "포함하는", "함유하는", “가지는” 또는 “특징으로 하는”과 동의어이며, 포괄적 또는 확장 가능하고 추가적, 비-언급된 요소들 또는 방법 단계들을 배제하지 않는다. 이행구 “이루어지는” 용어는 청구항에 특정되지 않은 임의의 요소, 단계, 또는 성분을 배제한다. 이행구 “실질적으로 이루어지는” 용어는 청구항 범위를 특정 물질 또는 단계 및 청구 발명의 기본적이고 새로운 특성 (들)에 실질적으로 영향을 주지 않는 것들로 제한한다. “실질적으로 이루어지는” 청구항은 “이루어지는” 형식으로 기재된 폐쇄 청구항들 및 “포함하는” 형식으로 기술되는 완전한 개방 청구항들 중간에 위치한다. 반대로 표시되지 않는 한, 화합물 또는 조성물을 기술할 때 “실질적으로 이루어지는” 용어는 “포함하는” 용어로 해석되어서는 아니 되지만 본 용어가 적용되는 조성물 또는 방법을 유의하게 변경시키지 않는 물질을 포함할 수 있는 언급된 요소를 기술할 의도이다. 예를들면, 원료 A로 이루어진 공급원료는 상업적으로 생산되거나 상업적으로 입수되는 언급된 화합물 또는 조성물 시료에 전형적으로 존재하는 불순물을 포함할 수 있다. 청구항이 상이한 특징부 및/또는 특징부 분류 (예를들면, 다른 가능성들 보다 무엇보다도 방법 단계, 공급원료 특징부, 및/또는 생성물 특징부)를 포함하면, 구성하는, 실질적으로 이루어지는, 및 이루어지는 이행어들은 이들이 이용되는 특징부에만 적용되며 하나의 청구항 내에서 상이한 특징부들을 상이한 이행어 또는 이행구로 처리하는 것이 가능하다. 예를들면 방법은 여러 언급된 단계들 (및 기타 비-언급된 단계들)을 포함할 수 있지만 특정 또는 대안으로 이루어진 특정 단계들로 이루어진 촉매시스템 제조방법을 이용하고 및/또는 언급된 요소들 및 기타 비-언급된 요소들을 포함하는 촉매시스템을 이용할 수 있다.
본 발명에서, “구성되는” 또는 균등 표현의 사용은 개방적 표현에 대한 대안적 실시태양들로서 “실질적으로 이루어지는”, “실질적으로 이루어지고” 또는 균등 표현의 사용을 고려한다. 또한, 명세서에서 “구성되는” 또는 균등 표현의 사용 또는 “실질적으로 이루어지는”의 사용은 개방적 표현 또는 중간 입장 표현에 대한 대안으로서 “이루어지는”, “이루어지고” 또는 균등 표현의 사용을 고려한다. 예를들면, “구성되는”이란 달리 명기되지 않는 한, 명세서에서 제시되는 양태, 특징부 및/또는 요소들에 대한 대안적 실시태양들로서 "실질적으로 이루어지는" 및 "이루어지고"를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
특별히 반대로 표기되지 않는 한, “a,” “an,” 및 “the”는 복수 형태 (예들들면, 적어도 하나)를 포함할 의도이다. 예로써, “크롬 할라이드 수화물”라고 개시하는 것은 달리 특정되지 한, 하나의 크롬 할라이드 수화물, 또는 하나를 넘는 크롬 할라이드 수화물의 혼합물 또는 조합물을 포괄하는 것이다.
본 발명에서, 무엇보다도 제1, 제2, 및 제3이라는 용어들 은 유사한 요소의 다중적 발생을 구분하기 위하여 적용될 수 있다. 예를들면 하나 이상의 단계들에서2 이상의 용매들 또는 대안으로 혼합물 중2종의 상이한 용매들이 공정에 적용될 수 있다. 이러한 구분 용어는 구분이 필요할 때 본원에 기재되는 임의의 요소에 적용될 수 있다. 달리 명기되지 않는 한, 구분 용어의 숫자 또는 영문자 선행어는 본원에 기재된 방법 또는 화합물에서 요소의 특정한 순서 또는 선호도를 의미하는 것은 아니라는 것을 이해하여야 한다
본 발명에서, 방법은 다중 단계들을 가지거나 다수의 상이한 요소들 (예를들면, 무엇보다도, 촉매시스템에서 성분들 또는 올레핀 삼합체화 올리고머화 방법에서 성분들)를 가지는 특징부를 포함할 수 있다. 이러한 단계들 및/또는 요소들은 각각의 방법 단계 및/또는 요소에 대한 지정이 필요한 경우 (다른 일련 표기들 보다도) 일련의 a), b), c), 등, i), ii), iii), 등, (a), (b), (c), 등, 및/또는 (i), (ii), (iii) 등을 이용하여 지정될 수 있다. 일련적 지정에서 숫자 또는 영문자 선행어는 달리 언급되지 않는 한, 본원에 기재된 방법 단계, 본원에 기재된 특징부(들), 및/또는 특징부의 요소(들) 또는 다른 방법 단계들, 요소들 및/또는 요소 특징부에 의해 필요한 특정 순서 또는 선호도를 의미하는 것이 아니라는 점을 이해하여야 한다. 또한, 이러한 일련적 지정은 상이한 방법 단계들 및/또는 특징부의 요소들을 차별하기 위하여 사용되고, 필요하다면 일련적 지정이 모순되지 않고 상이한 특징부, 상이한 방법 단계들 및/또는 특징부의 요소들을 구분할 수 있는 한, 본 명세서에서 사용되는 특정 단계, 요소 또는 특징부에 대하여 사용되는 일련적 지정을 고려하지 않고 활용될 수 있다.
화합물, 용액, 용매, 또는 일반 조건들을 언급할 때 용어 “실질적으로 무수”란 물 함량이 화합물, 용액, 또는 용매 중량 기준으로100 ppm (중량기준) 이하라는 의미이다. 분위기를 언급할 때 용어 “실질적으로 건조”란, 분위기의 조성과는 무관하게, 분위기 중 물의 함량이 중량 기준 100 ppm 이하인 분위기를 의미한다.
용어 “무-산”이란 산성 또는 양성자성 화합물 또는 물질의 명백한 첨가 없이 진행되는 공정을 의미한다. 예를들면, “무-산”이란 카르복실산, 미네랄 또는 무기산, 알코올, 또는 기타 양성자성 화합물들 또는 물질들을 “무-산”으로 기술되는 반응 또는 용액에 첨가하지 않는 것을 의미한다. 용어 “무-산”이란 [H3O]+ 농도가0 ppm 또는 산성 또는 양성자성 공급원 농도가 0 ppm을 반영하는 것은 아니고, “무-산” 조건들은 첨가 성분에 오염물로서 존재할 수 있거나 반응 과정 또는 반응액 제조 과정에서 부산물로서 생성될 수 있는 있는 소량의 산이 존재할 수 있다. 예를들면, 개시 방법들로 제조되는 전이금속 카르복실레이트(들) 및 전이금속 카르복실레이트 조성물(들)은 이러한 화합물 또는 조성물 제조 과정에서 오염물들 또는 부산물들로서 발생되는 측정 가능한 함량의 유리 카르복실산, 또는 기타 양성자성 화합물들을 함유한다. 화합물, 용액, 용매, 또는 일반 조건들을 언급할 때 용어 “실질적으로 무-산”이란, 산의 함량이 화합물, 용액, 또는 용매의 중량 기준으로 1000 ppm (중량기준) 이하라는 의미이다.
용어들 “실온” 또는 “주변 온도”란 외부 가열원 또는 냉각원이 직접 반응 용기에 인가되지 않는 15 ℃ 내지 35 ℃ 범위의 임의의 온도를 의미한다. 따라서, 용어들 “실온” 및 “주변 온도”는 외부 가열원 또는 냉각원이 직접 반응 용기에 인가되지 않는 15 ℃ 내지 35 ℃의 개별 온도 및 임의 및 모든 범위, 부범위 및 부범위의 조합들을 포괄하는 것이다.
용어 “대기압”이란 외부 압력 변경 수단이 적용되지 않은 지구의 공기압을 의미한다. 일반적으로, 극단적인 높이에서 구현되지 않는 한, “대기압”은 약 1 기압 (달리, 약 14.7 psi 또는 약 101 kPa)이다.
본원에서 용어 “비양자성”이란 소정 조건들에서 비-양성자성인 용매를 의미한다. 따라서, “비양자성” 화합물 또는 용매는 특정 조건들에서 양성자 주게, 브뢴스테드산으로서 강산 또는 약산으로 기능할 수 없다. 예를들면, 아세토니트릴은 강염기 예컨대 칼륨 tert-부톡시드 존재에서 탈양성자화 가능하지만 비양자성 용매일 수 있다.
접촉 방법을 언급할 때 용어들 “동시”, “동시에 접촉”, “접촉을 동시에” 및 이의 파생어는 2 이상의 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물이 공통 연결부, 포트, 용기, 또는 반응기로, 무엇보다도, 동 시간에 흘러 접촉되는 접촉 방법을 의미한다. 접촉 방법을 언급할 때 용어들 “실질적으로 동시에”, “실질적으로 동시에 접촉”, “접촉을 실질적으로 동시에” 및 이의 파생어는 2 이상의 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물이 접촉될 때, 2 이상의 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물이 일정 시간 주기 동안 2 이상의 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물이 공통 연결부, 포트, 용기, 또는 반응기로, 무엇보다도, 동 시간에 흘러 접촉되는 접촉 방법을 의미한다. 용어들 “실질적으로 동시에”, “실질적으로 동시에 접촉”, “접촉을 실질적으로 동시에” 및 이의 파생어는 2 이상의 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물 각각의 전체적인 첨가 과정에서 2 이상의 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물이 동시에 접촉되는 것을 의미하지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 용어들 “실질적으로 동시에”, “실질적으로 동시에 접촉”, “접촉을 실질적으로 동시에” 및 이의 파생어는 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물 중 하나 (또는 전부 중 일부)가 다른 것들 전에 공통 연결부, 포트, 용기, 또는 반응기로의 유동이 개시되고 및/또는 공통 연결부, 포트, 용기, 또는 반응기로의 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물 중 하나 (또는 전부 중 일부)의 유동이 기타 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물에 앞서 완료, 정지 또는 단속될 수 있는 상황을 포함한다. 본원에 개시된 임의의 실시태양 또는 양태에서, 용어들 “동시에”, “동시에 접촉”, “접촉을 동시에” 및 이의 파생어는 동시에 접촉되는 각각의 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물의 함량 표기 용어를 부여함으로써 “실질적으로 동시에,” “실질적으로 동시에 접촉”, “접촉을 실질적으로 동시에” 및 이의 파생어의 다양한 정도를 나타낼 수 있다. 예를들면, 각각의 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물의 적어도 20 %, 30 %, 40 %, 50 %, 60 %, 70 %, 75 %, 80 %, 85 %, 90 %, 95 %는 “동시에 접촉되거나” 또는 “접촉을 동시에” 수행할 수 있다. 일반적으로, “동시에 접촉되는” 또는 “접촉을 동시에” 수행하는 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물의 백분율은 중량기준 (중량%), 부피기준 (부피%), 또는 몰 기준 (몰%)일 수 있다. 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물을 달리 특정하지 않는 한, “실질적으로 동시에”, “실질적으로 동시에 접촉” “접촉을 실질적으로 동시에” 및 이의 파생어는 각각의 언급 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물의 적어도 50 %가 “동시에 접촉되고” 또는 “접촉을 동시에” 수행하는 것을 의미한다.
접촉 방법 또는 공정을 참조할 때, “동시에,” “동시에 접촉”, “접촉을 동시에”, “실질적으로 동시에 접촉”, “접촉을 실질적으로 동시에” 및 이의 파생어는 하나 이상의 제1 물질들 (예를들면, 화합물, 혼합물, 스트림, 및/또는 조성물)이 포트, 용기, 또는 반응기에 이미 존재하고 하나 이상의 기타 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물이 포트, 용기, 또는 반응기에 첨가되는 공정 또는 방법과는 상이하다는 것을 이해하여야 한다. 이러한 경우에는 포트, 용기, 또는 반응기에 있는제1 물질은, 포트, 용기, 또는 반응기로 기타 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물과 동시에 흐르지 않는다. 따라서, 제1 물질 및 기타 화합물들, 혼합물들, 스트림들, 및/또는 조성물은 “동시에 접촉”, “접촉을 동시에,” “실질적으로 동시에 접촉” 또는 “접촉을 실질적으로 동시에” 수행된다고 말할 수 없다.
본원에 기재된 임의의 화합물에 대하여, 달리 표기되지 않는 한, 제시된 일반 구조식 또는 명칭은 치환체들의 특정 배치에 의해 발생할 수 있는 모든 구조 이성질체, 형태 이성질체, 및 입체이성질체를 포괄할 의도이다. 따라서, 화합물에 대한 포괄적 언급으로, 달리 명시적으로 표기되지 않는 한, 모든 구조 이성질체를 포함한다; 예를들면 펜탄을 언급하면 n-펜탄, 2-메틸-부탄, 및 2,2-디메틸프로판을 포함하고, 부틸기를 언급하면 n-부틸기, sec-부틸기, 이소-부틸기 및 t-부틸기를 포함한다. 또한, 일반 구조식 또는 명칭을 언급하면 모든 거울상 이성질체, 부분입체 이성질체, 및 기타 광학 이성질체 즉 본문이 허용하거나 본문에 필요한 거울상 또는 라세미 형태뿐 아니라 입체이성질체 혼합물을 포함한다. 제시된 특정 구조식 또는 명칭에 대하여, 제시된 임의의 일반 구조식 또는 명칭 역시 치환체들의 특정 배치에 의해 발생할 수 있는 모든 형태이성질체, 위치이성질체, 및 입체이성질체를 포함한다.
화학적 “기(group)”는 형식상 기준 또는 “모” 화합물로부터 유도된 것에 따라, 예를들면, 비록 본 기가 문자 그대로 이러한 방식으로 합성되지 않는다고 하여도 본 기를 생성하기 위하여 형식적으로 모 화합물에서 제거된 수소원자들의 수에 따라 기술될 수 있다. 이들 기는 금속원자들에 치환 또는 배위 또는 결합될 수 있다. 예시로써, “알킬기”는 형식적으로 알칸에서 하나의 수소 원자를 제거하여 형성되며, “알킬렌기”는 형식적으로 알칸에서 두개의 수소 원자들을 제거하여 형성된다. 또한, 형식적으로 모 화합물로부터 임의 개수의 (“하나 이상의”) 수소 원자들을 제거하여 형성되는 다양한 기들을 포괄하기 위하여 더욱 포괄적 용어가 사용되며, 본 예시에서 “알칸기”로 기재되며 이는 “알킬기,” “알킬렌기,” 및 치환을 위하여 필요한 알칸에서 제거되는 세개 이상의 수소원자들을 가지는 물질을 포함한다. 전반에 걸쳐, 치환체, 리간드, 또는 기타 화학적 잔기가 특정 “기”를 구성할 수 있다는 것은 본 기가 기술될 때 알려진 화학 구조식 및 결합 원리를 따른다는 것을 의미한다. 기가 “에 의해 유도되고”, “로부터 유도되고”, “에 의해 형성되고”, 또는 “으로부터 형성되고”라고 기재될 때 이러한 용어들은 통상적 의미로 사용되며 달리 특정되지 않거나 문맥상 달리 필요하지 않다면 임의의 특정한 합성방법을 고려하는 것은 아니다. 기타 식별자 또는 정성적 용어들이 사용되어 특정한 치환체의 유무, 특정한 위치화학 및/또는 입체화학, 또는 분지형 구조체 또는 골격의 유무를 나타낼 수 있다.
"치환된"이라는 용어가 기를 기술하기 위하여 사용될 때, 예를들면, 특정 기의 치환된 유사체를 언급할 때, 본 기에 있는 수소를 형식적으로 대체하는 임의의 비-수소 잔기를 비-제한적으로 기술하기 위한 것이다. 기 또는 기들은 “치환되지 않은” 또는 균등한 용어인 “비-치환된”으로 언급될 수도 있고, 이는 비-수소 잔기가 본 기에 있는 수소를 대체하지 않는 본래의 기를 언급하는 것이다. “치환된” 이란 비-제한적으로 본 분야의 통상의 기술자가 이해할 수 있는 무기 치환체 또는 유기 치환체를 포함한다.
“카르복실레이트”는 일반식 [ZC(=O)O]- 를 가지는 음이온성 유기기이고, 식 중 Z은 임의의 오르가닐기이다.
“니트릴”은 식 R1C≡ N을 가지는 유기화합물이고, 식 중 R1 은 본원에 제공된다. 지방족 니트릴은 방향족기를 가지지 않는 니트릴이다. 방향족 니트릴은 방향족기 (예를들면, 벤조니트릴)를 가지는 니트릴이다.
“에테르”는 식 R2-O-R3을 가지는 유기화합물이고, 식 중 R2 및 R3 은 본원에 제공된다. 지방족 에테르는 방향족기를 가지지 않은 에테르이다. 방향족 에테르는 (에테르 산소원자에 함유 또는 비함유) 방향족기를 가지는 에테르이다. 비환형 에테르는 에테르 산소원자가 고리에 함유되지 않은 에테르이다 (그러나 R2 및/또는 R3으로 또는 내에서 고리, 지방족 또는 방향족을 가질 수 있다). 환형 에테르는 에테르 산소원자가 고리 (지방족 고리 또는 방향족 고리)에 통합되는 에테르이다. 지방족 환형 에테르는 에테르 산소원자가 지방족 고리 내에 통합되는 환형 에테르다(예를들면, 무엇보다도 테트라히드로푸란, 2,3디히드로푸란, 피란). 방향족 환형 에테르는 에테르 산소원자가 방향족 고리 또는 방향족 고리계 내에 통합되는 에테르이다(예를들면, 무엇보다도 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란).
“티오에테르”는 식 R4-S-R5을 가지는 유기화합물이고, 식 중 R4 및 R5 는 본원에서 제공된다. 지방족 티오에테르는 방향족기을 가지지 않은 티오에테르이다. 방향족 티오에테르는 (티오에테르 황원자에 함유 또는 비함유) 방향족기를 가지는 에테르이다. 비환형 티오에테르는 티오에테르 황원자가 고리에 통합되지 않은 티오에테르이다 (그러나 R4 및/또는 R5으로 또는 내부에 고리, 지방족 또는 방향족을 가질 수 있다). 환형 티오에테르는 티오에테르 황원자가 고리 (지방족 고리 또는 방향족 고리) 내부에 통합되는 티오에테르이다. 지방족 환형 티오에테르는 티오에테르 황원자가 지방족 고리 내부에 통합되는 환형 티오에테르다 (예를들면, 무엇보다도 테트라히드로티오펜, 티안). 방향족 환형 티오에테르는 티오에테르 황원자가 방향족 고리 또는 방향족 고리계 내부에 통합되는 티오에테르이다 (예를들면, 무엇보다도, 티오펜, 벤조티오펜).
“아민”은 식 NR6R7R8, NHR6R7, NH2R6, 또는 NH3을 가지는 유기화합물이고, 식 중 R6, R7, 및 R8 은 본원에 제공된다. 지방족 아민은 방향족기를 가지지 않은 아민이다. 방향족 아민은 (아민 질소원자 함유 또는 비함유) 방향족기를 가지는 아민이다. 비환형 아민은 아민 질소원자가 고리에 함유되지 않은 아민이다 (그러나 R6, R7, 및/또는 R8로서 또는 내부에 고리, 지방족 또는 방향족을 가질 수 있다). 환형 아민은 아민 질소원자가 고리 (지방족 고리 또는 방향족 고리)에 통합되는 아민이다. 지방족 환형 아민은 아민 질소원자가 지방족 고리에 통합되는 환형 아민이다 (예를들면, 무엇보다도, 피롤리딘, 피페리딘). 방향족 환형 아민은 아민 질소원자가 방향족 고리 또는 방향족 고리계 내에 통합되는 아민이다 (예를들면, 무엇보다도, 피리딘, 피롤, 인돌).
“포스핀” 식 PR9R10R11, PHR9R10, 또는 PH2R9을 가지는 유기화합물이고, 식 중 R9, R10, 및 R11 은 본원에서 제공된다. 지방족 포스핀은 방향족기를 가지지 않은 포스핀이다. 방향족 포스핀은 (포스핀 인원자 함유 또는 미함유) 방향족기을 가지는 포스핀이다. 비환형 포스핀은 포스핀 인원자가 고리에 함유되지 않은 포스핀이다 (그러나 R9, R10, 및/또는 R11로서 또는 내부에 고리, 지방족 또는 방향족을 가질 수 있다). 환형 포스핀은 포스핀 인원자가 고리 (지방족 고리 또는 방향족 고리)에 통합되는 포스핀이다. 지방족 환형 포스핀은 포스핀 인원자가 지방족 고리 내부에 통합되는 환형 포스핀이다 (예를들면, 무엇보다도 포스포란, 포스피난). 방향족 환형 포스핀은 포스핀 인원자가 방향족 고리 또는 방향족 고리계 내부에 통합되는 포스핀이다 (예를들면, 무엇보다도, 포스폴).
“포스파이트”는 식 P(OR12)(OR13)(OR14) 또는 PH(O)(OR12)(OR13)을 가지는 유기화합물이고, 식 중 R12, R13, 및 R14 는 본원에서 제공된다. 지방족 포스파이트는 방향족기를 가지지 않은 포스파이트이다. 방향족 포스파이트는 (포스파이트 인원자 함유 또는 미함유) 방향족기를 가지는 포스파이트. 비환형 포스파이트는 포스파이트 인원자가 고리에 함유되지 않은 포스파이트이다 (그러나 R12, R13, 및/또는 R14로서 또는 내부에 고리, 지방족 또는 방향족을 가질 수 있다). 환형 포스파이트는 포스파이트 인원자가 고리 (지방족 고리 또는 방향족 고리) 내부에 통합되는 포스파이트이다. 지방족 환형 포스파이트는 포스파이트 인원자가 지방족 고리에 통합되는 환형 포스파이트다. 방향족 환형 포스파이트는 포스파이트 인원자가 방향족 고리 또는 방향족 고리계 내부에 통합되는 포스파이트이다.
에테르, 티오에테르, 아민, 포스핀, 또는 포스파이트를 언급할 때 “비시클릭”과 비교되어 용어 “시클릭”은 에테르 R2-O-R3 의 R2 및 R3 기들, 티오에테르 R4-S-R5 의 R4 및 R5 기들, 아민 NR6R7R8 또는 NHR6R7의 R6, R7, 및 R8의 임의의 조합, 포스핀 PR9R10R11 또는 PHR9R10의 R9, R10, 및 R11의 임의의 조합, 또는 포스파이트 P(OR12)(OR13)(OR14) 또는 PH(O)(OR12)(OR13)의 R12, R13, 및 R1 의 임의의 조합을 포함하는 환형 구조 내에 각자의 헤테로원자 O, S, N, 또는 P가 포함되는 화합물을 언급할 때 사용된다. 예를들면, “환형 에테르”는 비환형 에테르 구조 R2-O-R3의 유사체이고, 이때 R2 및 R3 은 일반적으로 (비시클릭) 에테르 R2-O-R3를 기술할 때 상기된 바와 같이 제공되고, 단 R2 및 R3은 각각의 R2 및 R3 에서 수소원자를 제거하고 R2 및 R3 사이에서 결합을 형성함으로써 서로 결합 또는 연결되고 이때 수소원자들이 제거되어 에테르 산소를 포함하는 환형 구조가 형성된다. 테트라히드로푸란 (THF)은 디에틸 에테르 (CH3CH2OCH2CH3)의 각각의 CH3기들로부터 수소원자 또는 메틸 n-프로필 에테르 (CH3CH2CH2OCH3)의 각각의 CH3기들로부터 수소원자를 제거하고, 수소원자들이 제거된 두 탄소들을 결합 또는 연결하여 유도되는 원형적인 환형 에테르다. 유사하게, 환형 에테르 2-메틸옥탄은 에틸 에테르의 하나의 에틸기의 CH3기로부터 수소원자 및 디에틸 에테르 (CH3CH2OCH2CH3)의 기타 에틸기의 CH2로부터 수소원자를 제거하고, 수소원자들이 제거되는 2개의 탄소들을 연결함으로써 유도된다.
용어 “오르가닐기”는 IUPAC에 의한 정의에 따라 본원에 사용되는: 탄소원자에 하나의 자유 원자가를 가지는 작용 유형에 무관한 유기 치환기이다. 유사하게, “오르가닐렌기”는 유기화합물에서 두 개의 수소원자들이 제거되어 유도되는 작용 유형에 무관한 유기기이며, 두 수소 원자들은 하나의 탄소원자에서 또는 하나의 수소 원자는 상이한 두 탄소원자들 각각에서 제거될 수 있다. “유기기”는 탄소원자들로부터 하나 이상의 수소 원자들을 제거하여 형성되는 포괄적인 기를 의미한다. 따라서, “오르가닐기,” “오르가닐렌기,” 및 “유기기”는 유기 작용기 (들) 및/또는 탄소 및 수소 이외 원자 (들)을 가질 수 있고, 즉, 유기기는 탄소 및 수소와 더불어 작용기 및/또는 원자들을 포함할 수 있다. 예로써, 탄소 및 수소 이외 원자의 비-제한적 예시로는 할로겐, 산소, 황, 질소, 및 인을 포함하지만 이에 국한되지 않는다. 작용기의 비-제한적 예시로는 에테르, 알데히드, 케톤, 에스테르, 술피드, 아민, 및 포스핀, 및 기타 등을 포함한다. 일 양태에서, “오르가닐기,” “오르가닐렌기,” 또는 “유기기”에서 제거된 수소 원자(들)은 작용기, 예를들면, 무엇보다도 아실기 (-C(O)R), 포르밀기 (-C(O)H), 카르복시기 (-C(O)OH), 히드로카르복시카르보닐기 (-C(O)OR), 시아노기 (-C≡N), 카르바모일기 (-C(O)NH2), N-히드로카르빌카르바모일기 (-C(O)), 또는 N,N'-디히드로카르빌카르바모일기 (-C(O)NR2)의 탄소원자에 결합될 수 있다. 다른 양태에서, “오르가닐기,” “오르가닐렌기,” 또는 “유기기”에서 제거된 수소 원자(들)은 작용기에 속하지 않고 이로부터 떨어진, 작용기 예를들면, -CH2C(O)CH3 및 -CH2NR2의 탄소원자에 부착될 수 있다. “오르가닐기,” “오르가닐렌기,” 또는 “유기기”는 환형 또는 비환형을 포함한 지방족, 또는 방향족 일 수 있다. “오르가닐기,” “오르가닐렌기,” 및 “유기기”는 헤테로원자-포함 고리들, 헤테로원자-포함 고리계들, 헤테로방향족 고리들, 및 헤테로방향족 고리계들도 포괄한다. “오르가닐기,” “오르가닐렌기,” 및 “유기기”는 달리 특정되지 않는 한 선형 또는 분지형일 수 있다. 마지막으로, “오르가닐기,” “오르가닐렌기,” 또는 “유기기” 정의에는 각각 “히드로카르빌기,” “히드로카르빌렌기,” “탄화수소기” 및 각각의 멤버로서 (본 분야의 숙련가에게 달리 알려진 중에서) “알킬기,” “알킬렌기,” 및 “알칸기”를 포함한다는 것을 이해하여야 한다.
용어 “불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐기”란 유기 작용기(들) 및/또는 작용기에 존재하는 탄소 및 수소 이외의 원자(들)이 금속화합물과 착화되지 않고 및/또는 본원의 공정 조건들에서 불활성인 작용기(들) 및/또는 탄소 및 수소 이외의 원자(들)로 국한되는 오르가닐기를 언급한다. 따라서, "불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐기들" 용어 또는 변형은 불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐기에 존재할 수 있는 특정 오르가닐기들을 더욱 정의할 수 있다. 또한, 용어 “불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐기”는 오르가닐기 내의 하나 이상의 불활성 작용기들의 존재를 언급할 수 있다. “불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐기” 용어 또는 변형은 히드로카르빌기를 멤버로서 포함할 수 있다. 유사하게, “불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐렌기”는 불활성 작용기들로 이루어진 유기화합물의 하나 또는 둘의 탄소원자들로부터 2개의 수소원자들을 제거하여 형성되는 유기기이고, “불활성 작용기들로 이루어진 유기기”는 불활성 작용기들로 이루어진 유기화합물의 하나 이상의 탄소원자들로부터 하나 이상의 수소원자들을 제거하여 형성되는 불활성 작용기들로 이루어진 일반화 유기기를 언급하는 것이다.
본원 목적상, “불활성 작용기”란, 헤테로원자에 자유 원자가를 가지고 본원에 기재된 불활성 작용기를 가지는 물질이 참여하는 공정에 실질적으로 간섭하지 않고 및/또는 금속 착체의 금속화합물과 착화하지 않는 기이다. 용어 “금속화합물과 착화하지 않는”이란 금속화합물과 착화할 수 있지만 본원에 기재된 특정 분자들에서 리간 내에서 위치 관계로 인하여 금속화합물과 착화하지 않는 기들을 포함한다. 따라서, 특정 작용기의 불활성도는 작용기의 금속화합물과의 근본적 착화 불능뿐 아니라 금속 착체 내에서 작용기의 위치와도 연관될 수 있다. 실질적으로 본원에 기재된 공정과 간섭되지 않는 불활성 작용기들의 비-제한적 예시들은 무엇보다도 할라이드 (플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 및 요오다이드), 니트로, 히드로카르복시기들 (예를들면, 특히 알콕시, 및/또는 아록시), 및/또는 히드로카르보술피딜기들 (예를들면, RS)을 포함한다.
본 명세서 및 청구범위에 사용되는 용어 “탄화수소”는 탄소 및 수소만을 가지는 화합물을 언급한다. 탄화수소에서 특정 기 존재를 표시하기 위하여 다른 식별자가 이용될 수 있다 (예를들면 할로겐화 탄화수소는 탄화수소에서 동등 개수의 수소원자들을 대체하는 하나 이상의 할로겐 원자들의 존재를 표시한다). 용어 “히드로카르빌기”는 IUPAC 정의에 따라 본원에서 사용된다: 탄화수소(즉, 탄소 및 수소만을 가지는 그룹)에서 수소원자 제거에 의해 형성된 일가 기. 비-제한적 예시의 히드로카르빌기는 에틸, 페닐, 톨릴, 프로페닐, 및 기타 등을 포함한다. 유사하게, “히드로카르빌렌기”는 탄화수소에서 두 개의 수소원자들이 제거되어 형성된 기를 언급하고, 두 개의 수소 원자들은 하나의 탄소원자에서 또는 하나의 수소 원자가 상이한 두 탄소원자들에서 제거될 수 있다. 따라서, 본원에 사용된 명명에 따라 “탄화수소기”는 탄화수소에서 (특정 기에 대하여 필요에 따라) 하나 이상의 수소 원자들이 제거되어 형성된 일반기를 의미한다. “히드로카르빌기,” “히드로카르빌렌기,” 및 “탄화수소기”는 비환형 또는 환형기들, 및/또는 선형 또는 분지형일 수 있다. “히드로카르빌기,” “히드로카르빌렌기,” 및 “탄화수소기”는 탄소 및 수소만을 가지는 고리들, 고리계들, 방향족 고리들, 및 방향족 고리계들을 포함할 수 있다. “히드로카르빌기,” “히드로카르빌렌기,” 및 “탄화수소기”는 각각의 멤버로서 무엇보다도 예를들면, 아릴, 아릴렌, 아렌기, 알킬, 알킬렌, 알칸기, 시클로알킬, 시클로알킬렌, 시클로알칸기, 아르알킬, 아르알킬렌 및 아르알칸기들을 포함한다.
지방족 화합물은 방향족 화합물을 제외한 비환형 또는 환형, 포화 또는 불포화 탄소화합물이다. “지방족기”는 지방족 화합물의 탄소원자에서 (특정 기에 따라서 필요에 따라) 하나 이상의 수소원자들을 제거하여 형성된 일반기이다. 지방족 화합물 및 지방족기들은 유기 작용기(들) 및/또는 탄소 및 수소 이외의 원자(들)을 가진다.
본 명세서 및 청구범위에서 사용되는 용어“알칸”은 포화 탄화수소 화합물을 의미한다. 알칸에서 특정 기 존재를 표시하기 위하여 다른 식별자가 이용될 수 있다 (예를들면 할로겐화 알칸은 알칸에서 동등 개수의 수소원자들을 대체하는 하나 이상의 할로겐 원자들의 존재를 표시한다). 용어 “알킬기”는 IUPAC 정의에 따라 본원에서 사용된다: 알칸에서 수소원자 제거에 의해 형성된 일가 기. 유사하게, “알킬렌기”는 알칸에서 두 개의 수소원자들 (두 개의 수소 원자들은 하나의 탄소원자에서 또는 하나의 수소 원자가 두 개의 상이한 탄소원자들에서)제거에 의해 형성되는 기를 의미한다. “알칸기”는 알칸에서 (특정 기에 따라서 필요에 따라) 하나 이상의 수소 원자들 제거에 의해 형성되는 기를 의미하는 일반 용어이다. “알킬기,” “알킬렌기,” 및 “알칸기”는 달리 특정되지 않는 한, 비환형 또는 환형 기들, 및/또는 선형 또는 분지형일 수 있다. 1차, 2차, 및 3차 알킬기는 각각 알칸의 1차, 2차, 3차 탄소원자에서 수소원자를 제거하여 유도된다. n-알킬기는 선형 알칸의 말단 탄소원자에서 수소원자를 제거하여 유도된다. RCH2 (R은 H가 아니다), R2CH (R은 H가 아니다), 및 R3C (R은 H가 아니다) 기들은 각각 1차, 2차, 및 3차 알킬기이다.
시클로알칸은 예를들면, 측쇄를 가지거나 시클로부탄과 같이 가지지 않는 포화 환형 탄화수소이다. 하나의 내향고리 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 불포화 환형 탄화수소는 각각 시클로알켄 및 시클로알킨으로 칭한다. 단지 하나, 단지 둘, 단지 셋 및 기타 등의 내향고리 이중결합 또는 삼중결합을 가지는 시클로알켄 및 시클로알킨은 시클로알켄 또는 시클로알킨 명명 내에서 "모노", "디", "트리" 및 기타 등을 이용하여 식별될 수 있다. 시클로알켄, 시클로알카디엔, 시클로알카트리엔은 내향고리 이중 또는 삼중결합들의 위치를 더욱 식별할 수 있다. 시클로알칸에서 특정 기 존재를 표시하기 위하여 다른 식별자가 이용될 수 있다 (예를들면 할로겐화 시클로알칸은 시클로알칸에서 동등 개수의 수소원자들을 대체하는 하나 이상의 할로겐 원자들의 존재를 표시한다).
“시클로알킬기” 시클로알칸의 고리 탄소원자로부터 수소원자를 제거하여 유도되는 일가 기이다. 예를들면, 1-메틸시클로프로필기 및 2-메틸시클로프로필기가 다음과 같이 예시된다.
Figure pct00001
Figure pct00002
유사하게, “시클로알킬렌기”는 시클로알칸으로부터 2개의 수소원자들을 제거하여 유도되는 기이며, 이들 중 적어도 하나는 고리 탄소로부터 제거된다. 따라서, “시클로알킬렌기”는 두 개의 수소원자들이 동일 고리 탄소에서 형식적으로 제거되어 시클로알칸에서 유도되거나 두 개의 수소원자들이 두 개의 상이한 고리 탄소들에서 형식적으로 제거되어 시클로알칸에서 유도되는 기, 및 제1 수소원자가 형식적으로 고리 탄소에서 및 제2 수소원자가 형식적으로 탄소원자 즉 고리 탄소가 아닌 탄소원자에서 제거되어 시클로알칸에서 유도되는 기를 포함한다. “시클로알칸기”는 시클로알칸에서 (특정 기에 따라서 필요에 따라 및 적어도 하나의 고리탄소에서) 하나 이상의 수소원자들을 제거하여 형성된 일반기를 의미한다. 본원에 제공되는 정의에 따르면, 일반 시클로알칸기들 (시클로알킬기들 및 시클로알킬렌기들 포함)은 시클로알칸 고리 탄소원자에 부착되는 0, 하나 이상의 히드로카르빌 치환기들을 포함하고 (예를들면, 메틸시클로프로필기), 탄화수소기들의 멤버라는 것을 이해하여야 한다. 그러나, 특정 개수의 시클로알칸 고리 탄소원자들을 가지는 시클로알칸기를 언급할 때 (예를들면, 무엇보다도, 시클로펜탄기 또는 시클로헥산기), 소정 개수의 시클로알칸 고리 탄소원자들을 가지는 시클로알칸기의 기본 명칭은 치환되지 않은 시클로알칸기 (시클로알칸기 고리 탄소원자에 위치하는 히드로카르빌기들을 가지지 않는 것을 포함)를 언급한다. 따라서, 특정 개수의 고리 탄소원자들을 가지는 치환된 시클로알칸기 (예를들면, 무엇보다도, 치환된 시클로펜탄 또는 치환된 시클로헥산)는 시클로알칸기 고리 탄소원자에 부착되는 하나 이상의 치환기들 (무엇보다도, 할로겐들, 히드로카르빌 기들, 또는 히드로카르복시기들을 포함)을 가지는 각각의 기로 언급된다. 소정 개수의 시클로알칸 고리 탄소원자들을 가지는 치환된 시클로알칸기가 탄화수소기들의 멤버 (또는 시클로알칸기들의 일반기의 멤버)일 때, 소정 개수의 시클로알칸 고리 탄소원자들을 가지는 치환된 시클로알칸기의 각각의 치환체는 히드로카르빌 치환기로 제한된다. 일반기들, 특정기들, 및/또는 특정 개수의 고리 탄소원자들을 가지고 탄화수소기의 멤버 (또는 시클로알칸기의 일반기의 멤버)로 활용될 수 있는 개별 치환된 시클로알칸기(들)은 쉽게 구분되고 선택된다.
본 명세서 및 청구범위에서 사용되는 용어 “올레핀”은 방향족 고리 또는 고리계 일부가 아닌 적어도 하나의 탄소-탄소 이중결합을 가지는 화합물을 의미한다. 용어 “올레핀”은 달리 특정하게 언급되지 않는 한, 방향족 고리 또는 고리계 부분이 아닌 적어도 하나의 탄소-탄소 이중결합을 가지는 지방족, 방향족, 환형 또는 비환형, 및/또는 선형 및 분지형 화합물을 포함한다. 용어 “올레핀”은 그 자체로 달리 명백하게 표기되지 않는 한, 헤테로원자 유무 및/또는 다른 탄소-탄소 이중결합 유무를 표기하지 않는다. 단지 하나, 단지 둘, 단지 셋 및 기타 등의 탄소-탄소 이중결합을 가지는 올레핀들은 올레핀 명칭 내에 용어 "모노", "디", "트리" 및 기타 등을 사용하여 더욱 식별될 수 있다. 올레핀은 탄소-탄소 이중결합(들) 위치로 더욱 식별될 수 있다.
본 명세서 및 청구범위에서 사용되는 용어 “알켄”은 적어도 하나의 비-방향족 탄소-탄소 이중결합을 가지는 탄화수소 올레핀을 의미한다. 달리 명기되지 않는 한, 용어 “알켄”은 적어도 하나의 비-방향족 탄소-탄소 이중결합을 가지는 지방족 또는 방향족 (화합물 내에 방향족 치환체를 가지는 알켄), 환형 또는 비환형, 및/또는 선형 및 분지형 화합물들을 포함한다. 단지 하나, 단지 둘, 단지 셋 및 기타 등의 탄소-탄소 이중결합을 가지는 알켄들은 명칭 내에 용어 "모노", "디", "트리" 및 기타 등을 사용하여 더욱 식별될 수 있다. 예를들면, 알카모노엔, 알카디엔, 및 알카트리엔은 각각 단지 하나의 탄소-탄소 이중결합 (일반식 CnH2n), 단지 둘의 탄소-탄소 이중결합들 (일반식 CnH2n-2), 및 단지 셋의 탄소-탄소 이중결합들 (일반식 CnH2n-4)을 가지는 선형 또는 분지형 탄화수소 올레핀들을 의미한다. 알켄은 탄소-탄소 이중결합(들) 위치로 더욱 식별될 수 있다. 기타 식별자들을 사용하여 알켄 내의 특정 기들의 유무를 표시할 수 있다. 예를들면, 할로알켄은 하나 이상의 수소원자들이 할로겐 원자로 치환된 알켄을 의미한다.
“알케닐기”는 알켄의 임의 탄소원자로부터 수소원자를 제거하여 알켄에서 유도되는 일가 기이다. 따라서, “알케닐기”는 수소원자가 형식적으로 sp2 혼성 (올레핀성) 탄소원자에서 제거되는 그룹들 및 수소원자가 형식적으로 임의의 기타 탄소원자에서 제거되는 그룹들을 포함한다. 예를들면 및 달리 특정되지 않는 한, 프로펜-1-일 (-CH=CHCH3), 프로펜-2-일 [(CH3)C=CH2], 및 프로펜-3-일 (-CH2CH=CH2) 기들은 모두 용어 “알케닐기”에 포함된다. 유사하게, “알케닐렌기”는 알켄에서 2개의 수소원자를 형식적으로 제거하여 형성되는 기를 의미하고, 두 개의 수소원자들은 하나의 탄소원자에서 또는 하나의 수소원자가 두 개의 상이한 탄소원자들에서 제거될 수 있다. “알켄기”는 알켄에서 (특정 기에 따라서 필요에 따라)하나 이상의 수소원자들을 제거하여 형성되는 일반기를 의미한다. 수소원자가 탄소-탄소 이중결합에 있는 탄소원자로부터 제거될 때, 수소원자가 제거되는 탄소의 위치화학, 및 탄소-탄소 이중결합의 위치화학 모두가 특정될 수 있다. 알케닐기는 또한 하나 이상의 이러한 다중 결합을 가질 수 있다. 알켄기는 또한 탄소-탄소 이중결합(들) 위치에 의해 더욱 식별될 수 있다. 기타 식별자들을 이용하여 알켄기 내의 특정기들의 유무를 식별할 수 있다. 예를들면 할로알켄기는 하나 이상의 수소원자들이 할로겐 원자로 치환된 알켄기를 의미한다.
본 명세서 및 청구범위에서 사용되는 용어 “알킨”은 적어도 하나의 비-방향족 탄소-탄소 삼중결합을 가지는 탄화수소 화합물을 의미한다. 달리 명기되지 않는 한 용어 “알킨”은 적어도 하나의 비-방향족 탄소-탄소 삼중결합을 가지는 지방족 또는 방향족 (화합물 내에 방향족 치환체를 가지는 알킨), 환형 또는 비환형, 및/또는 선형 및 분지형 화합물들을 포함한다. 단지 하나, 단지 둘, 단지 셋 및 기타 등의 탄소-탄소 삼중결합을 가지는 알켄들은 명칭 내에 용어 "모노", "디", "트리" 및 기타 등을 사용하여 더욱 식별될 수 있다. 예를들면, 알카모노인, 알카디인, 및 알카트리인은 각각 단지 하나의 탄소-탄소 삼중결합 (일반식 CnH2n-2), 단지 둘의 탄소-탄소 삼중결합들 (일반식 CnH2n-6), 및 단지 셋의 탄소-탄소 삼중결합들 (일반식 CnH2n-10)을 가지는 선형 또는 분지형 탄화수소 올레핀들을 의미한다. 알킨은 탄소-탄소 삼중결합(들) 위치로 더욱 식별될 수 있다. 기타 식별자들을 사용하여 알킨 내의 특정 기들의 유무를 표시할 수 있다. 예를들면, 할로알킨은 하나 이상의 수소원자들이 할로겐 원자로 치환된 알킨을 의미한다.
“알키닐기”는 알킨의 탄소원자에서 수소원자를 제거하여 알킨에서 유도되는 일가 기이다. 따라서, “알키닐기”는 수소원자가 형식적으로 sp 혼성 (아세틸렌성) 탄소원자에서 제거되는 그룹들 및 수소원자가 형식적으로 임의의 기타 탄소원자에서 제거되는 그룹들을 포함한다. 예를들면 및 달리 특정되지 않는 한, 프로핀-1-일 (-C≡CCH3) 및 프로핀-1-일 (HC≡CCH2-) 기들은 모두 용어 “알키닐기”에 포함된다. 유사하게, “알키닐렌기”는 알킨에서 두 개의 수소원자들을 형식적으로 제거하여 형성되는 기이며, 2개의 수소원자들은 가능하다면 하나의 탄소원자에서 또는 하나의 수소원자는 두 개의 상이한 탄소원자들에서 제거될 수 있다. “알킨기”는 알킨에서 (특정 기에 따라서 필요에 따라) 하나 이상의 수소원자들을 제거하여 형성되는 일반기를 의미한다. 알키닐기는 또한 하나 이상의 이러한 다중 결합을 가질 수 있다. 알킨기는 또한 탄소-탄소 삼중결합(들) 위치에 의해 더욱 식별될 수 있다. 기타 식별자들을 이용하여 알킨기 내의 특정기들의 유무를 식별할 수 있다. 예를들면 할로알킨기는 하나 이상의 수소원자들이 할로겐 원자로 치환된 알킨기를 의미한다.
본 명세서 및 청구범위에서 사용되는 용어 “알파 올레핀”은 탄소원자들 가장 긴 연속 사슬의 제1 및 제2 탄소원자 사이 이중결합을 가지는 올레핀을 의미한다. 용어 “알파 올레핀”은 달리 명백하게 언급되지 않는 한 선형 및 분지형 알파 올레핀을 포함한다. 분지형 알파 올레핀 경우, 분지는 올레핀 이중결합에 대하여 2-위치 (비닐리덴) 및/또는 3-위치 이상에 있을 수 있다. 본 명세서 및 청구범위에서 사용되는 용어 “비닐리덴”은 알파 올레핀 이중결합에 대하여 2-위치에 분지를 가지는 알파 올레핀을 의미한다. “알파 올레핀” 용어 그 자체로 달리 명백하게 표기되지 않는 한 헤테로원자 유무 및/또는 다른 탄소-탄소 이중결합 유무를 표기하지 않는다. 용어 “탄화수소 알파 올레핀” 또는 “알파 올레핀 탄화수소”는 수소 및 탄소만을 포함하는 알파 올레핀 화합물을 의미한다.
본원에서 사용되는 용어 “선형 알파 올레핀”은 제1 및 제2 탄소원자 사이 이중결합을 가지는 선형 올레핀을 의미한다. 용어 “선형 알파 올레핀” 그 자체로는 달리 명백하게 표기되지 않는 한 헤테로원자 유무 및/또는 다른 탄소-탄소 이중결합 유무를 표기하지 않는다. 용어 “선형 탄화수소 알파 올레핀” 또는 “선형 알파 올레핀 탄화수소”는 수소 및 탄소만을 포함하는 선형 알파 올레핀 화합물을 의미한다.
본 명세서 및 청구범위에서 사용되는 용어 “노르말 알파 올레핀”은 제1 및 제2 탄소원자 사이 이중결합을 가지는 선형 탄화수소 모노-올레핀을 의미한다. “노르말 알파 올레핀”은 “선형 알파 올레핀”과 동의어가 아니라는 것을 이해하여야 하며 용어 “선형 알파 올레핀”은 제1 및 제2 탄소원자들 사이 이중결합을 가지고 헤테로원자 및/또는 추가적인 이중결합을 가지는선형 올레핀성 화합물을 포함할 수 있다.
“헤테로시클릭 화합물”은 고리 원자들로서 적어도 두 개의 상이한 원자들을 가지는 환형 화합물이다. 예를들면, 헤테로시클릭 화합물은 무엇보다도 탄소 및 질소 (예를들면, 무엇보다도, 테트라히드로피롤 및 피롤), 탄소 및 산소 (예를들면, 무엇보다도, 테트라히드로푸란 및 푸란), 또는 탄소 및 황 (예를들면, 무엇보다도, 테트라히드로티오펜 및 티오펜)을 가지는 고리들을 포함할 수 있다. 헤테로시클릭 화합물 및 헤테로시클릭기는 지방족 또는 방향족일 수 있다.
“헤테로시클릴기”는 헤테로시클릭 화합물의 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 탄소원자에서 수소원자를 제거하여 형성되는 일가 기이다. 수소원자가 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 탄소원자에서 제거되는 것으로 특정함으로써, “헤테로시클릴기”는 수소원자가 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 헤테로원자에서 제거되는 “시클로헤테릴기”과 구별된다. 예를들면, 하기된 피롤리딘-2-일기는 일 예시적 “헤테로시클릴기”이고 하기된 피롤리딘-1-일기는 일 예시적 “시클로헤테릴기”이다.
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유사하게, “헤테로시클리렌기” 또는 더욱 간단하게, “헤테로시클렌기”는 헤테로시클릭 화합물에서 두 개의 수소원자들을 제거하여 형성되는 기이고, 적어도 하나는 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 탄소에서 제거된다. 따라서, “헤테로시클리렌기”에서, 적어도 하나의 수소는 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 탄소원자에서 제거되고, 다른 수소원자는 임의의 다른 탄소원자, 예를들면, 동일 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 탄소원자, 상이한 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 고리 탄소원자, 또는 비-고리 탄소원자에서 제거될 수 있다. “헤테로시클릭기”는 헤테로시클릭 화합물로부터(특정 기에 따라서 필요에 따라 및 적어도 하나의 헤테로시클릭 고리 탄소원자에서) 하나 이상의 수소원자를 제거하여 형성되는 일반기를 의미한다.
“시클로헤테릴기”는 언급된 바와 같이 헤테로시클릭 화합물의 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 헤테로원자에서 수소원자를 제거하여 형성되는 일가 기이다. 수소원자가 고리 탄소원자가 아닌 헤테로시클릭 고리 또는고리계 헤테로원자에서 제거되는 것으로 특정함으로써, “시클로헤테릴기”는 수소원자가 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 탄소원자에서 제거되는 “헤테로시클릴기”와 구별된다. 유사하게, “시클로헤테릴렌기”는 헤테로시클릭 화합물에서 두 개의 수소원자들을 제거하여 형성되는 기이며, 적어도 하나는 헤테로시클릭 화합물의 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 헤테로원자에서 제거되고; 다른 수소원자는 임의의 기타 원자, 예를들면, 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 고리 탄소원자, 또 다른 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 헤테로원자, 또는 비-고리 원자 (탄소 또는 헤테로원자)에서 제거될 수 있다. “시클로헤테로기”는 헤테로시클릭 화합물에서 (특정 기에 따라서 필요에 따라 및 적어도 하나는 헤테로시클릭 고리 또는 고리계 헤테로원자에서) 하나 이상의 수소원자를 제거하여 형성되는 일반기를 의미한다.
방향족 화합물은 후켈 (Huckel) (4n+2) 원리에 따라 n이 1 내지 약 5의 정수인 (4n+2) 파이-전자들을 가지는 환형 공액 이중결합시스템을 가지는 화합물이다. 방향족 화합물은 “아렌” (탄화수소 방향족 화합물) 및 “헤타렌”이라고 칭하는 “헤테로아렌” (하나 이상의 메틴 (-C=) 탄소원자들이 방향족계 특성인 연속적인 파이-전자계 및 후켈 원리(4n + 2)에 상응하는 면외 전자들 개수를 유지하도록 3가 또는 2가 헤테로원자로 대체되어 아렌에서 형식적으로 유도된헤테로방향족 화합물)을 포함한다. 아렌 화합물 및 헤테로아렌 화합물은 방향족 화합물 그룹의 상호 배타적인 멤버들이지만, 아렌기 및 헤테로아렌기 모두를 가지는 화합물은 일반적으로 헤테로아렌 화합물로 간주된다. 방향족 화합물, 아렌, 및 헤테로아렌은 달리 특정되지 않는 한 단일환 (예를들면, 벤젠, 툴루엔, 푸란, 피리딘, 메틸피리딘) 또는 다환일 수 있다. 다환 방향족 화합물들, 아렌, 및 헤테로아렌은, 달리 특정되지 않는 한, 방향족 고리들이 융합된 화합물들 (예를들면, 나프탈렌, 벤조푸란, 및 인돌), 방향족기가 분리되고 결합에 의해 연결되는 화합물들 (예를들면, 비페닐 또는 4페닐피리딘), 또는 방향족기들이 연결 원자들을 함유한 기에 의해 연결되는 화합물들 (예를들면, 기타 연결 기들보다도 탄소 -디페닐메탄에서 메틸렌기; 산소 - 디페닐 에테르; 질소 - 트리페닐 아민)을 포함한다. 본원에 기재된 “치환된” 이라는 용어는 비-수소 잔기(moiety)가 화합물에 있는 수소를 형식적으로 대체한 방향족기를 기술하기 위하여 사용되며, 비-제한적인 의도이다.
“방향족기”는 방향족 화합물에서 (특정기에 따라서 필요에 따라 및 적어도 하나의 방향족 고리 탄소원자에서) 하나 이상의 수소원자를 제거하여 형성되는 일반기를 의미한다. 1가 “방향족기”에 있어서, 제거되는 수소원자는 방향족 고리탄소로부터 유래한다. 방향족 화합물로부터 하나 이상의 수소원자를 제거하여 형성되는 “방향족기"에 있어서, 적어도 하나의 수소원자는 방향족 탄화수소 고리탄소로부터 유래한다. 또한, “방향족기”는 방향족 고리 또는 고리계의 동일 고리로부터 수소원자들이 제거되고 (예를들면, 펜-1,4-일엔, 피리딘 -2,3-일엔, 나프트 -1,2-일엔, 및 벤조푸란-2,3-일엔), 고리계의 상이한 두 고리들로부터 수소원자들이 제거되고 (예를들면, 나프트 -1,8-일엔 및 벤조푸란-2,7-일엔), 또는 분리된 두 방향족 고리들 또는 고리계들로부터 수소원자들이 제거된다 (예를들면, 비스(펜-4-일엔)메탄).
아렌은 측쇄들을 가지거나 가지지 않는 방향족 탄화수소이다 (예를들면, 벤젠, 톨루엔, 또는 자일렌, 무엇보다도). “아릴기”는 아렌의 방향족 고리 탄소로부터 수소원자를 형식적으로 제거하여 유도되는 기이다. 아렌은 단일 방향족 탄화수소 고리 (예를들면, 벤젠, 또는 톨루엔), 융합 방향족 고리들 (예를들면, 나프탈렌 또는 안트라센), 및 결합에 의해 공유 결합되는 하나 이상의 분리 방향족 고리들 (예를들면, 비페닐) 또는 비-방향족 탄화수소기(들) (예를들면, 디페닐메탄)을 가질 수 있다는 것에 주목하여야 한다. “아릴기”의 일 예시는 하기 도시된 오르토-톨릴 (o-톨릴)이다.
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유사하게, “아릴렌기”는 아렌으로부터 두 수소원자들 (적어도 하나는 방향족 고리탄소로부터)을 제거하여 형성되는 기이다. “아렌기”는 아렌으로부터 하나 이상의 수소원자들 (특정기에 따라서 필요에 따라 및 적어도 하나의 방향족 고리 탄소원자로부터)을 제거하여 형성되는 일반기이다. 그러나, 기가 분리되거나 구별되는 아렌 및 헤테로아렌 고리들 또는 고리계들을 가지면 (예를들면, 7페닐벤조푸란에서 페닐 및 벤조푸란 잔기들) 분류는 수소원자가 제거된 특정 고리 또는 고리계에 따르고, 즉 제거 수소가 방향족 탄화수소 고리 또는 고리계 탄소원자로부터 오면 (예를들면, 6페닐벤조푸란의 페닐기에서2 탄소원자) 아렌기 및 제거 수소 탄소가 헤테로방향족 고리 또는 고리계 탄소원자 (예를들면, 벤조푸란기 또는 6페닐벤조푸란의2 또는 7 탄소원자)이면 헤테로아렌기이다. 일반 아렌기들 (아릴기 및 아릴렌기 포함)은 방향족 탄화수소 고리 또는 고리계 탄소원자에 위치하는 0, 하나 이상의 히드로카르빌 치환기들을 가지는 것을 포함하고 (예를들면, 특히 톨루엔기 또는 자일렌기), 이는 탄화수소기들의 멤버이다. 그러나, 페닐기 (또는 페닐렌기) 및/또는 나프틸기 (또는 나프틸렌기)는 특정 미치환 아렌기들 (방향족 탄화수소 고리 또는 고리계 탄소원자에 위치하는 히드로카르빌기를 가지지 않는 것을 포함)을 언급한다. 따라서, 치환된 페닐기 또는 치환된 나프틸기는 각각 방향족 탄화수소 고리 또는 고리계 탄소원자에 위치하는 하나 이상의 치환기들 (무엇보다도, 할로겐들, 히드로카르빌 기들, 또는 히드로카르복시기들 포함)을 가지는 아렌기를 언급한다. 치환된 페닐기 및/또는 치환된 나프틸기가 탄화수소기들의 멤버 (또는 아렌기들의 일반기의 멤버)일 때, 각각의 치환체는 히드로카르빌 치환기로 제한된다. 일반 치환된 페닐 및/또는 치환된 나프틸기들, 특정 치환된 페닐 및/또는 치환된 나프틸기들, 및/또는 탄화수소기들의 멤버 (또는 아렌기들의 일반기의 멤버)로 사용될 수 있는 개별 치환된 페닐 또는 치환된 나프틸기들이 쉽게 구분되고 선택된다.
헤테로아렌은, 측쇄들을 가지거나 가지지 않는 방향족 고리 또는 방향족 고리계 내에 헤테로원자를 가지는 방향족 화합물이다 (예를들면, 피리딘, 인돌, 또는 벤조푸란, 무엇보다도). “헤테로아릴기”는 “헤테로시클릴기”에 속하며 헤테로아렌 화합물의 헤테로방향족 고리 또는 고리계 탄소원자로부터 수소원자를 제거하여 형성되는 일가 기이다. 수소원자가 고리 탄소원자로부터 제거되는 것을 특정함으로써, “헤테로아릴기”는 수소원자가 헤테로방향족 고리 또는 고리계 헤테로원자로부터 제거되는 “아릴헤테릴기”와 구분된다. 예를들면, 하기된 인돌-2-일기는 일 예시적 “헤테로아릴기”이며 하기된 인돌-1-일기는 일 예시적 “아릴헤테릴기”이다.
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유사하게, “헤테로아릴렌기”는 헤테로아렌 화합물에서 두 개의 수소원자들을 제거하여 형성되는 기를 의미하며, 적어도 하나는 헤테로아렌 고리 또는 고리계 탄소원자에서 제거된다. 따라서, “헤테로아릴렌기”에서, 적어도 하나의 수소는 헤테로아렌 고리 또는 고리계 탄소원자에서 제거되고, 다른 수소원자는 임의의 기타 탄소원자, 예를들면, 헤테로아렌 고리 또는 고리계 탄소원자, 또는 비-헤테로아렌 고리 또는 고리계 원자에서 제거될 수 있다. “헤테로아렌기”는 헤테로아렌 화합물에서 (특정 기에 따라서 필요에 따라 및 적어도 하나의 헤테로아렌 고리 또는 고리계 탄소원자에서) 하나 이상의 수소원자를 제거하여 형성되는 일반기를 의미한다. 수소원자가 헤테로방향족 고리 또는 고리계 헤테로원자 및 헤테로방향족 고리 또는 고리계 탄소원자 또는 방향족 탄화수소 고리 또는 고리계 탄소원자에세 제거되면, 기는 “아릴헤테릴렌기” 또는 “아릴헤테로기”로 분류된다.
“아릴헤테릴기”는 “시클로헤테릴기”에 속하며, 상기된 바와 같이 헤테로방향족 고리 또는 고리계 헤테로원자에서 수소원자를 제거하여 형성되는 일가 기이다. 수소원자가 헤테로방향족 고리 또는 고리계 탄소원자가 아닌 헤테로방향족 고리 또는 고리계 헤테로원자로부터 제거된다는 것을 특정함으로써, “아릴헤테릴기”는 수소원자가 헤테로방향족 고리 또는 고리계 탄소원자로부터 제거되는 “헤테로아릴기”와 구별된다. 유사하게, “아릴헤테릴렌기”는 헤테로아릴 화합물에서 두 개의 수소원자들을 제거하여 형성되는 기를 의미하며, 최소한 하나는 헤테로아릴 화합물의 헤테로방향족 고리 또는 고리계 헤테로원자에서 제거된다; 다른 수소원자는 임의의 기타 원자, 예를들면, 헤테로방향족 화합물으로부터 헤테로방향족 고리 또는 고리계 탄소원자, 또 다른 헤테로방향족 고리 또는 고리계 헤테로원자, 또는 비-고리 원자 (탄소 또는 헤테로원자)에서 제거될 수 있다. “아릴헤테로기”는 헤테로아렌 화합물의 헤테로원자에서 (특정 기에 따라서 필요에 따라 및 최소한 하나의 헤테로방향족 고리 또는 고리계에서) 하나 이상의 수소원자를 제거하여 형성되는 일반기를 의미한다.
“아르알킬기” 비-방향족 탄소원자에서 자유 원자가를 가지는 아릴-치환된 알킬기이다 (예를들면, 벤질기, 또는 2-페닐에트-1일기, 무엇보다도). 유사하게, “아르알킬렌기”는 단일 비-방향족 탄소원자에서 2개의 자유 원자가 또는 두 개의 비-방향족 탄소원자들에서 자유원자가를 가지는 아릴-치환된 알킬렌기이고 “아르알칸기”는 비-방향족 탄소원자(들)에서 하나 이상의 자유 원자가들을 가지는 일반 아릴-치환된 알칸기이다. “헤테로아르알킬기”는 비-헤테로방향족 고리 또는 고리계 탄소원자에서 자유 원자가를 가지는 헤테로아릴-치환된 알킬기이다. 유사하게 “헤테로아르알킬렌기”는 단일 비-헤테로방향족 고리 또는 고리계 탄소원자에서 두 개의 자유 원자가들 또는 두 개의 비-헤테로방향족 고리 또는 고리계 탄소원자들에서 자유 원자가를 가지는 헤테로아릴-치환된 알킬렌기이고 “헤테로아르알칸기”는 비-헤테로방향족 고리 또는 고리계 탄소원자(들)에서 하나 이상의 자유 원자가들을 가지는 일반화 아릴-치환된 알칸기이다. 본원 정의에 의하면, 일반 아르알칸기들은 아르알칸 방향족 탄화수소 고리 또는 고리계 탄소원자에 위치하는 0, 하나 이상의 히드로카르빌 치환기들을 가지는 것들을 포함하고, 이는 탄화수소기들의 멤버라는 것에 주목하여야 한다. 그러나, 특정 아릴기 (예를들면, 벤질기 또는 2-페닐에틸기 중 페닐기, 무엇보다도)를 특정하는 특정 아르알칸기들은 특정 미치환 아르알칸기들 (아르알칸 방향족 탄화수소 고리 또는 고리계 탄소원자에 위치하는 히드로카르빌기를 가지지 않는 것을 포함)을 언급한다. 따라서, 특정 아릴기를 특정하는 치환된 아르알칸기는 하나 이상의 치환기들 (무엇보다도 할로겐들, 히드로카르빌기들, 또는 히드로카르복시 기들 포함)을 가지는 각각의 아르알칸기를 언급한다. 특정 아릴기를 특정하는 치환된 아르알칸기가 탄화수소기들의 멤머 (또는 아르알칸기들의 일반기의 멤머)일 때, 각각의 치환체는 히드로카르빌 치환기로 제한된다. 탄화수소기들의 멤버 (또는 아르알칸기들의 일반기의 멤버)로 활용될 때 특정 아릴기를 특정하는 치환된 아르알칸기들을 구분하고 선택하는 것은 용이하다.
“할라이드”는 통상적인 의미를 가지고; 따라서, 예시적 할라이드들은 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 및 요오다이드를 포함한다.
“유기헤테릴기”는 탄소를 가지고, 따라서 유기성이지만, 탄소 이외 원자에 자유 원자가를 가지는 일가 기이다. 따라서, 유기헤테릴 및 오르가닐기는 보완적이고 상호 배타적이다. 유기헤테릴기는 환형 또는 비환형, 및/또는 지방족 또는 방향족일 수 있고, 따라서 지방족 “시클로헤테릴기” (예를들면 무엇보다도 피롤리딘-1-일 또는 모르폴린-1-일), 방향족 “아릴헤테릴기” (예를들면, 무엇보다도, 피롤-1-일 또는 인돌-1-일), 및 비환형기 (무엇보다도, 예를들면 오르가닐티오, 트리히드로카르빌실릴, 아릴록시 또는 알콕시)를 포함한다. 유사하게, “유기헤테릴렌기”는 탄소 및 최소한 하나의 헤테로원자를 가지고 두 개의 자유 원자가를 가지며, 최소한 하나는 헤테로원자에 있는 2가 기이다. “유기헤테로기”는 헤테로 화합물로부터 탄소 및 최소한 하나의 헤테로원자를 가지고 (특정 기에 따라서 필요에 따라 및 최소한 하나는 헤테로원자에) 하나 이상의 자유 원자가를 가지는 일반기이다.
화합물 또는 기가 하나 이상의 잔기를 가지면 이는 형식적으로 IUPAC 규정에 따라 가장 높은 명명 우선권을 가지는 기의 멤버이다. 예를들면 가장 높은 명명 기는 각각 피리딘기 및 피리딘2일기이므로 4페닐피리딘은 헤테로방향족 화합물이고 4(펜-2일엔)피리딘-2-일기는 헤테로방향족기이다.
일부 예들에서, “시클릭기”가 참조된다. 달리 특정되지 않는 한, “시클릭기”는 호모시클릭 및 헤테로시클릭기을 포함한 방향족 및 고리 구조를 가지는 지방족기를 포함하고, "시클로"는 고리구조를 지칭하기 위한 명명의 접두사로 사용된다.
“유기알루미늄 화합물,” 알루미늄-탄소 결합을 가지는 임의의 화합물을 서술하기 위하여 사용된다. 따라서, 유기알루미늄 화합물은, 히드로카르빌 알루미늄 화합물 예를들면 트리히드로카르빌-, 디히드로카르빌-, 또는 모노히드로카르빌알루미늄 화합물 및 무엇보다도 테트라키스(p-톨릴)알루민산염과 같은 알루미늄-오르가닐 결합을 포함한 알루미네이트 화합물을 포함한다.
용어 “반응기 유출액,” 및 이의 파생어 (예를들면, 올리고머화 반응기 유출액)은 일반적으로 반응기에서 나오는 모든 물질을 의미한다. 또한 용어 “반응기 유출액,” 및 이의 파생어는, 언급되는 반응기 유출액의 일부를 제한하는 기타 서술어가 선행되어 사용될 수 있다. 예를들면, 용어 “반응기 유출액”은 에서 나오는 모든 물질 반응기 (예를들면, 특히 생성물 및 용매 또는 희석제)을 언급하지만, 용어 “올레핀 반응기 유출액”은 올레핀 (즉, 탄소-탄소) 이중결합을 함유한 반응기 유출액을 언급한다.
용어 “올리고머화,” 및 이의 파생어는, 2 내지 30 단량체 단위들을 가지는 적어도 70 중량% 생성물들을 함유한 생성물들의 혼합물을 생성하는 공정을 의미한다. 유사하게, “올리고머”는 2 내지 30 단량체 단위들을 가지는 생성물이고 “올리고머화 생성물”은 “올리고머들” 및 “올리고머들”이 아닌 생성물들 (예를들면, 30 단량체 단위들 이상의 생성물)을 포함한 “올리고머화” 공정으로 제조되는 모든 생성물을 포함한다. “올리고머” 또는 “올리고머화 생성물”에서 단량체 단위들은 동일할 필요가 없다는 것에 주목하여야 한다. 예를들면, 단량체들로서 에틸렌 및 프로필렌을 이용하는 “올리고머화” 공정의“올리고머” 또는 “올리고머화 생성물”은 에틸렌 및/또는 프로필렌 단위들 모두를 함유할 수 있다.
용어 “삼합체화,” 및 이의 파생어는, 단지 3 단량체 단위들을 가지는 적어도 70 중량% 생성물들을 함유한 생성물들의 혼합물을 생성하는 공정을 의미한다. “삼합체”는 단지 3 단량체 단위들을 가지는 생성물이고 “삼합체화 생성물”은 삼합체화 공정으로 제조되는 삼합체 및 삼합체가 아닌 생성물 (예를들면, 특히 이량체들, 사량체들, 및 중합체)을 포함하는 모든 생성물들을 포함한다. 일반적으로, 올레핀 삼합체화는 단량체 단위들의 올레핀 결합들의 수 및 삼합체의 올레핀 결합들 수를 고려하면 올레핀 결합들, 즉, 탄소-탄소 이중결합들의 수를, 2개 줄인다. “삼합체” 또는 “삼합체화 생성물”에서 단량체 단위들은 동일할 필요가 없다는 것에 주목하여야 한다. 예를들면, 단량체들로서 에틸렌 및 부텐을 이용한 “삼합체화” 공정의 삼합체”는 에틸렌 및/또는 부텐 단량체 단위들을 가질 수 있다. 즉 “삼합체”는 C6, C8, C10, 및 C12 생성물들을 포함할 수 있다. 다른 예시로써, 단량체로서 에틸렌을 사용하는 “삼합체화” 공정의“삼합체”는 에틸렌 단량체 단위들을 가질 수 있다. 단일 분자는 2개의 단량체 단위들을 가질 수 있다는 것에 또한 주목하여야 한다. 예를들면, 디엔들 예컨대 1,3-부타디엔 및 1,4-펜타디엔은 하나의 분자 내에 2개의 단량체 단위들을 가진다.
본 발명에서, 일부 아속 (sub-genera)은 하나 이상의 속의 멤버일 수 있고; 예를들면, 히드로카르빌 금속 할라이드 아속은 금속 히드로카르빌 화합물 속의 멤버 및 금속 할라이드 속의 멤버일 수 있다는 것에 주목하여야 한다. 이는 언급된 아속이 속하는 특정 속에 대한 불확실성 (어떠한 속이 언급되는지)으로 이어질 수 있다. 그러나, 본 발명에서, 특정 특징부들이 속으로부터 하나 이상의 아속을 배제하지 않는 한, 속은 모든 아속 (아속이 2 이상의 아속에 속한다고 하더라도)을 포함한다. 예를들면, 전이금속화합물과 금속 히드로카르빌 화합물의 접촉이 언급되면 이는 금속 히드로카르빌 화합물 속에는비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 및 히드로카르빌 금속 할라이드를 포함하지만, 전이금속화합물과 할로겐 함유 화합물과의 접촉 전에 전이금속화합물과 금속 히드로카르빌 화합물의 접촉을 언급하면 언급된 금속 히드로카르빌 화합물 속의 히드로카르빌 금속 할라이드 아속은 배제된다. 이러한 고려는 하나 이상의 속, 아속, 종, 및/또는 아종 (sub-species)이 속하는 종, 아종, 및 개별 화합물들 (또는 기타 분류 시스템들)에 동일하게 적용된다.
일 양태에서, 본 발명은 다음으로 구성되거나 실질적으로 이루어지는 조성물을 제공한다: a) 전이금속화합물; b) 질소 함유 화합물; c) 금속 히드로카르빌 화합물; 및 d) 선택적으로, 할로겐 함유 화합물. 실시태양에서, 본 발명은 다음으로 구성되거나 실질적으로 이루어지는 조성물을 제공한다: a) 전이금속화합물; b) 질소 함유 화합물; 및 c) 금속 히드로카르빌 화합물; 또는 달리, a) 전이금속화합물; b) 질소 함유 화합물; c) 금속 히드로카르빌 화합물; 및 d) 할로겐 함유 화합물. 일반적으로, 질소 함유 화합물, 전이금속화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 할로겐 함유 화합물은 조성물의 독립적인 요소들이다. 조성물의 독립적인 요소들로서, 질소 함유 화합물, 전이금속화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 할로겐 함유 화합물은 본원에서 독립적으로 기재된다. 양태들 및 실시태양들에서 이러한 독립적인 설명은, 제한되지 않고, 조성물을 더욱 설명하는데 활용될 수 있다.
일 양태에서, 조성물은 올레핀 올리고머화에 사용되고 촉매시스템으로 기술된다. 실시태양에서, 조성물은 올레핀 삼합체화에 사용되고 올레핀 삼합체화 촉매시스템으로 설명된다. 올리고머화 대상 (또는 달리, 삼합체화 대상) 올레핀들은 본원에서 독립적으로 설명된다. 일 양태에서, 올리고머화 대상 올레핀은에틸렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고 촉매시스템은 에틸렌 삼합체화 촉매시스템으로 기재된다. 다른 양태에서, 삼합체화 대상 올레핀은 에틸렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고 촉매시스템은 에틸렌 삼합체화 촉매시스템으로 기재된다.
일 양태에서, 전이금속화합물은 무기 전이금속화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 양태들에서, 전이금속화합물은 전이금속 양이온 및 무기음이온으로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 양태들에서, 전이금속화합물은 전이금속 양이온 및 유기화합물 또는 잔기에서 형식적으로 유도된 음이온 (예를들면, 무엇보다도, 카르복실레이트, 알콕시드, 또는 β-디오네이트)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 전이금속, 및 무기음이온 또는 유기화합물 또는 잔기에서 형식적으로 유도된 음이온은 전이금속화합물의 독립적인 요소들이고 본원에서 개별적으로 기술된다. 전이금속화합물 본원에 기재된 전이금속 양이온, 및 본원에 기재된 무기음이온 또는 본원에 기재된 유기 유도 음이온의 임의의 조합으로 기술될 수 있다.
일 양태에서, 본 발명의 삼합체화 촉매시스템에 적용되는 전이금속화합물은 4-11족 전이금속화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 전이금속화합물은 5-10족 전이금속화합물; 달리, 6-9족 전이금속화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물은, 5족 전이금속화합물; 달리, 6족 전이금속화합물; 달리, 7족 전이금속화합물; 달리, 8족 전이금속화합물; 또는 달리, 9족 전이금속화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물은 바나듐 화합물, 크롬 화합물, 몰리브덴 화합물, 철 화합물, 코발트 화합물, 니켈 화합물, 또는 구리 화합물; 달리, 바나듐 화합물; 달리, 크롬 화합물; 달리, 몰리브덴 화합물; 달리, 철 화합물; 달리, 코발트 화합물; 달리, 니켈 화합물; 또는 달리, 또는 구리 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
다른 양태에서, 전이금속화합물의 전이금속 (일반 또는 특정)의 산화상태는 +1 내지 +6이다 (때로 1 내지 6으로 기재). 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물의 전이금속 (일반 또는 특정)의 산화상태는 +2 또는 +3; 또는 달리, 전이금속화합물의 전이금속의 산화상태는 +3이다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물의 전이금속 (일반 또는 특정)의 산화상태는 +1; 달리, +2; 달리, +3; 달리, +4; 달리, +5; 또는 달리, +6이다. 전이금속화합물을 언급하는일부 명명법에서, 전이금속화합물의 전이금속 (일반 또는 특정)의 산화상태는 전이금속 뒤 괄호에 산화상태의 로마숫자를 부가하여 나타낸다는 것에 주목하여야 한다; 예를들면 크롬(III) 클로라이드 및 크롬(II) 클로라이드는 각각 +3 및 +2 산화상태인 크롬의 염소화합물이다.
일 양태에서, 적합한 무기음이온들은, 제한되지는 않지만, 할라이드, 황산염, 아황산염, 중아황산염, 산화물, 질산염, 아질산염, 수산화물, 및 염소산염을 포함한다. 일부 실시태양들에서, 무기음이온은 할라이드, 황산염, 또는 질산염일 수 있다. 다른 실시태양들에서, 무기음이온은 할라이드; 달리, 황산염; 달리, 아황산염; 달리, 중아황산염; 달리, 산화물; 달리, 질산염; 달리, 아질산염; 달리, 수산화물; 또는 달리, 염소산염일 수 있다. 일 양태에서, 할라이드는 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 또는 요오다이드; 달리, 플루오라이드; 달리, 클로라이드; 달리, 브로마이드; 또는 달리, 요오다이드일 수 있다.
실시태양에서, 적합한 무기 전이금속화합물 (일반 또는 특정)은 전이금속 할라이드, 전이금속 황산염, 전이금속 아황산염, 전이금속 중황산염, 전이금속 질산염, 전이금속 아질산염, 전이금속 수산화물, 전이금속 염소산염, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 전이금속 할라이드, 전이금속 황산염, 또는 전이금속 질산염으로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물 (일반 또는 특정)은 전이금속 할라이드; 달리, 전이금속 황산염; 달리, 전이금속 아황산염; 달리, 전이금속 중황산염; 달리, 전이금속 질산염; 달리, 전이금속 아질산염; 달리, 전이금속 수산화물; 또는 달리, 전이금속 염소산염으로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 전이금속 할라이드 (일반 또는 특정)는 전이금속 클로라이드, 전이금속 브로마이드, 또는 전이금속 요오다이드; 달리, 전이금속 클로라이드; 달리, 전이금속 브로마이드; 또는 달리, 전이금속 요오다이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 유기화합물에서 형식적으로 유도되는 적합한 음이온들은 제한되지는 않지만, 유기산화물, 카르복실레이트, 아미드, 및 β-디오네이트 (예를들면, 아세틸아세토네이트)를 포함한다. 일부 실시태양들에서, 유기화합물에서 형식적으로 유도되는 음이온은 유기산화물; 달리, 카르복실레이트; 달리, 아미드; 또는 달리, β-디오네이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 전이금속화합물 (일반 또는 특정)은 전이금속 유기산화물, 전이금속 카르복실레이트, 전이금속 아미드 화합물, 또는 전이금속 β-디오네이트로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 전이금속화합물 (일반 또는 특정)은 전이금속 카르복실레이트 또는 전이금속 β-디오네이트로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물 (일반 또는 특정)은 전이금속 유기산화물; 달리, 전이금속 카르복실레이트; 달리, 전이금속 아미드; 또는 달리, 전이금속 β-디오네이트로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 전이금속 유기산화물은 전이금속 히드로카르복시드 또는 전이금속 치환된 히드로카르복시드; 달리, 전이금속 히드로카르복시드; 또는 달리, 전이금속 치환된 히드로카르복시드로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 양태에서, 본원에 기재된 촉매시스템에 활용되는 전이금속화합물은 언급된 전이금속화합물들의 조합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
실시태양에서, 임의의 전이금속 유기산화물 (일반 또는 특정)의 유기산화물은 C1 내지 C24 유기산화물; 달리, C4 내지 C19, 유기산화물; 또는 달리, C5 내지 C12 유기산화물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
실시태양에서, 유기산화물은 히드로카르복시드 또는 치환된 히드로카르복시드; 달리, 히드로카르복시드; 또는 달리, 치환된 히드로카르복시드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 전이금속 히드로카르복시드 및/또는 전이금속 치환된 히드로카르복시드에서 활용될 수 있는 히드로카르복시드기 및/또는 치환된 히드로카르복시드는 전이금속 유기산화물에서 활용될 수 있는 유기산화물과 동일한 수의 탄소원자들을 가질 수 있다.
실시태양에서, 전이금속 유기산화물의 각각의 유기산화물은 알콕시드, 치환된 알콕시드, 시클로알콕시드, 치환된 시클로알콕시드, 아록시드, 치환된 아록시드, 아르알콕시드, 또는 치환된 아르알콕시드; 달리, 알콕시드, 시클로알콕시드, 아록시드, 또는 아르알콕시드; 달리, 알콕시드 또는 치환된 알콕시드; 달리, 시클로알콕시드 또는 치환된 시클로알콕시드; 달리, 아록시드 또는 치환된 아록시드; 또는 달리, 아르알콕시드 또는 치환된 아르알콕시드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 전이금속 유기산화물의 각각의 유기산화물은 알콕시드, 시클로알콕시드, 아록시드, 또는 아르알콕시드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 전이금속 유기산화물의 각각의 유기산화물은 알콕시드; 달리, 치환된 알콕시드; 달리, 시클로알콕시드; 달리, 치환된 시클로알콕시드; 달리, 아록시드; 달리, 치환된 아록시드; 달리, 아르알콕시드; 또는 달리, 치환된 아르알콕시드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 알콕시드, 치환된 알콕시드, 시클로알콕시드, 치환된 시클로알콕시드, 아록시드, 치환된 아록시드, 아르알콕시드, 및/또는 치환된 아르알콕시드는 각자의 유기산화물기 (또는 치환된 히드로카르복시드기) 또는 히드로카르복시드기와 동일한 개수의 탄소들을 가질 수 있다.
실시태양에서, 각각의 유기산화물은 독립적으로 C1 내지 C24 알콕시드 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C1 내지 C24 알콕시드 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C5 내지 C12 알콕시드 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 일부 실시태양들에서, 전이금속 히드로카르복시드 (일반 또는 특정)의 각각의 알콕시드는 독립적으로 메톡시드, 에톡시드, 프로폭시드, 부톡시드, 펜톡시드, 헥소시드, 헵톡시드, 옥타옥시드, 노녹시드, 데콕시드, 운데콕시드, 또는 도데콕시드; 달리, 부톡시드, 펜톡시드, 헥소시드, 헵톡시드, 옥타옥시드, 노녹시드, 데콕시드, 운데콕시드, 또는 도데콕시드; 달리, 펜톡시드, 헥소시드, 헵톡시드, 옥타옥시드, 노녹시드, 데콕시드, 운데콕시드, 또는 도데콕시드일 수 있다. 다른 실시태양들에서, 전이금속 히드로카르복시드 (일반 또는 특정)는 독립적으로 메톡시드; 달리, 에톡시드; 달리, 프로폭시드; 달리, 부톡시드; 달리, 펜톡시드; 달리, 헥소시드; 달리, 헵톡시드; 달리, 옥타옥시드; 달리, 노녹시드; 달리, 데콕시드; 달리, 운데콕시드; 또는 달리, 도데콕시드일 수 있다. 실시태양에서, 치환된 알콕시드의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 또는 달리 히드로카르복시기일 수 있다. 치환체 할라이드들 및 히드로카르복시기들은 독립적으로 본원에 개시되고 제한없이 치환된 알콕시드기를 더욱 서술하기 위하여 활용될 수 있다.
실시태양에서, 각각의 유기산화물은 독립적으로 C6 내지 C24 아릴산화물 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C6 내지 C19 아릴산화물 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리 C6 내지 C12 아릴산화물 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 일부 실시태양에서, 전이금속 유기산화물 (일반 또는 특정)의 각각의 유기산화물은 독립적으로 페녹시드 또는 치환된 페녹시드; 달리, 페녹시드; 또는 달리, 치환된 페녹시드일 수 있다. 실시태양에서, 각각의 치환된 페녹시드는 독립적으로 2-치환된 페녹시드, 4-치환된 페녹시드, 2,4-치환된 페녹시드, 2,6-이치환된 페녹시드, 또는 2,4,6-삼치환된 페녹시드; 달리, 2-치환된 페녹시드 또는 4-치환된 페녹시드; 달리, 2,4-치환된 페녹시드 또는 2,6-이치환된 페녹시드; 2-치환된 페녹시드; 달리, 4-치환된 페녹시드; 달리, 2,4-치환된 페녹시드; 달리, 2,6-이치환된 페녹시드; 또는 달리, 2,4,6-삼치환된 페녹시드일 수 있다. 치환된 페녹시드에 대하여 사용되는 치환체들은 독립적으로 본원에 개시되고 제한없이 치환된 페녹시드기를 더욱 서술하기 위하여 활용될 수 있다.
일 양태에서, 전이금속 아미드 (일반 또는 특정)의 각각의 아미드기는 독립적으로 C2 내지 C24 아미드이다. 일부 실시태양들에서, 전이금속 아미드 (일반 또는 특정)의 각각의 아미드기는 독립적으로 C3 내지 C19이다. 다른 실시태양들에서, 전이금속 아미드 (일반 또는 특정)의 각각의 아미드기는 독립적으로 C4 내지 C12 아미드이다.
일 양태에서, 전이금속 β-디오네이트 (일반 또는 특정)의 각각의 β-디오네이트기는 독립적으로 C5 내지 C24 β-디오네이트기; 달리, C5 내지 C19 β-디오네이트기; 또는 달리, C5 내지 C12 β-디오네이트기일 수 있다. 실시태양에서, β-디케토네이트는 아세틸아세토네이트 (달리 2,4-펜탄디오네이트), 헥사플루오로아세틸아세톤 (달리, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-펜탄디오네이트), 벤조일아세토네이트, 또는 1,3-디페닐-1,3-프로판디오네이트; 달리, 아세틸아세토네이트; 달리, 헥사플루오로아세틸아세톤; 달리, 벤조일아세토네이트; 또는 달리, 1,3-디페닐-1,3-프로판디오네이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 전이금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정) 예를들면, 크롬 카르복실레이트)의 각각의 카르복실레이트 (카르복실레이트기라고도 칭함)는 독립적으로 C2 내지 C25 카르복실레이트; 달리, C3 내지 C25 카르복실레이트; 달리, C4 내지 C20 카르복실레이트; 또는 달리, C5 내지 C12 카르복실레이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 카르복실레이트는 1-4의 카르복실레이트 잔기들; 달리, 2-4의 카르복실레이트 잔기들; 달리 2-3의 카르복실레이트 잔기들을 가진다. 일부 실시태양들에서, 카르복실레이트는 단지 하나의 카르복실레이트 잔기; 달리, 단지 둘의 카르복실레이트 잔기들; 달리, 단지 셋의 카르복실레이트 잔기들; 또는 달리, 단지 넷의 카르복실레이트 잔기들을 가진다.
일 양태에서, 카르복실레이트기는 일반식 (-O2C)rR1c을 가진다. 일반적으로, r 및 R1c 은 독립적으로 본원에 기재되고 식 (-O2C)rR1c 를 가지는 카르복실레이트기는 본원에 기재된 r 및 R1c의 임의의 조합으로 기술될 수 있다.
일 양태에서, 식 (-O2C)rR1c 를 가지는 카르복실레이트기의 r은 1 내지 4; 달리, 2 내지 4; 또는 달리, 2 내지 3의 정수이다. 일부 실시태양들에서, 식 (-O2C)rR1c 를 가지는 카르복실레이트기의 r은 1; 달리, 2; 달리, 3; 또는 달리, 4이다. r이 1이면, 식 (-O2C)rR1c 를 가지는 카르복실레이트기는 식 O2CR2c 을 가지는 모노카르복실레이트기와 동등하고 식 O2CR2c 을 가지는 모노카르복실레이트기의 R2c 에 대한 양태들 및 실시태양들은 r이 1일 때 식 (-O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기에 대한 R1c 의 양태들 및 실시태양들로서 활용될 수 있다.
실시태양에서 r이 1일 때, R1c 은 C1 내지 C24 오르가닐기; 달리, C2 내지 C24 오르가닐기; 달리, C3 내지 C19 오르가닐기; 또는 달리, C4 내지 C11 오르가닐기일 수 있다. 실시태양에서 r이 2일 때, R1c 은 결합 또는 C1 내지 C23 오르가닐렌기; 달리, 결합; 달리, C1 내지 C23 오르가닐렌기; 달리, C3 내지 C18 오르가닐렌기; 또는 달리, C4 내지 C10 오르가닐렌기일 수 있다. 실시태양에서 r이 3일 때, R1c 은 C1 내지 C22 유기기; 달리, C2 내지 C22 유기기; 달리, C3 내지 C17 유기기; 또는 달리, C4 내지 C9 유기기일 수 있다. 실시태양에서 r이 4이면, R1c 은 C2 내지 C21 유기기; 달리, C3 내지 C16 유기기; 또는 달리, C4 내지 C8 유기기일 수 있다.
실시태양에서 r이 1이면, R1c 은 불활성 작용기들로 이루어진 C1 내지 C24 오르가닐기; 달리, 불활성 작용기들로 이루어진 C2 내지 C24 오르가닐기; 달리, 불활성 작용기들로 이루어진 C3 내지 C19 오르가닐기; 또는 달리, 불활성 작용기들로 이루어진 C4 내지 C11 오르가닐기일 수 있다. 실시태양에서 r이 2이면, R1c 은 결합 또는 불활성 작용기들로 이루어진 C1 내지 C23 오르가닐렌기; 달리, 결합; 달리, 불활성 작용기들로 이루어진 C1 내지 C23 오르가닐렌기; 달리, 불활성 작용기들로 이루어진 C3 내지 C18 오르가닐렌기; 또는 달리, 불활성 작용기들로 이루어진 C4 내지 C10 오르가닐렌기일 수 있다. 실시태양에서 r이 3이면, R1c 은 불활성 작용기들로 이루어진 C1 내지 C22 유기기; 달리, 불활성 작용기들로 이루어진 C2 내지 C22 유기기; 달리, 불활성 작용기들로 이루어진 C3 내지 C17 유기기; 또는 달리, 불활성 작용기들로 이루어진 C4 내지 C9 유기기일 수 있다. 실시태양에서 r이 4이면, R1c 은 불활성 작용기들로 이루어진 C2 내지 C21 유기기; 달리, 불활성 작용기들로 이루어진 C3 내지 C16 유기기; 또는 달리, 불활성 작용기들로 이루어진 C4 내지 C8 유기기일 수 있다.
실시태양에서 r이 1이면, R1c 은 히드로카르빌기 또는 치환된 히드로카르빌기; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 치환된 히드로카르빌기일 수 있다. 일반적으로, R1c 로 활용되는 히드로카르빌기 및/또는 치환된 히드로카르빌기는 R1c로 활용되는 임의의 오르가닐기과 동일 개수의 탄소원자들을 가질 수 있다. 실시태양에서 r이 2이면, R1c 은 결합, 히드로카르빌렌기, 또는 치환된 히드로카르빌렌기; 달리, 결합 또는 히드로카르빌렌기; 달리, 결합 또는 치환된 히드로카르빌렌기; 달리, 결합; 달리, 히드로카르빌렌기; 또는 달리, 치환된 히드로카르빌렌기일 수 있다. 일반적으로, R1c 로서 활용되는 히드로카르빌렌기 및/또는 치환된 히드로카르빌렌기는 R1c로 활용되는 임의의 오르가닐렌기과 동일 개수의 탄소원자들을 가진다. 실시태양에서 r이 3인 경우, R1c 은 탄화수소기 또는 치환된 탄화수소기; 달리, 탄화수소기; 또는 달리, 치환된 탄화수소기일 수 있다. 일반적으로, R1c 으로 활용되는 탄화수소기 및/또는 치환된 탄화수소기는 R1c 로 활용되는 임의의 유기기와 동일 개수의 탄소원자들을 가진다. 실시태양에서 r이 4인 경우, R1c 은 탄화수소기 또는 치환된 탄화수소기; 달리, 탄화수소기; 또는 달리, 치환된 탄화수소기일 수 있다. 일반적으로, R1c 로 활용되는 탄화수소기 및/또는 치환된 탄화수소기는 R1c 로 활용되는 임의의 유기기와 동일 개수의 탄소원자들을 가진다. 실시태양에서, 치환된 히드로카르빌기, 치환된 히드로카르빌렌기, 및/또는 치환된 탄화수소기의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드, 히드로카르빌기, 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 히드로카르빌기 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 히드로카르복시기일 수 있다. 할라이드, 히드로카르빌기, 및 히드로카르복시기 치환체들 (비-수소 치환체들 또는 비-수소 치환기들로도 칭함)은 독립적으로 본원에 개시된다. 이들 치환기는 R1c로 활용되는 임의의 치환된 히드로카르빌기, 치환된 히드로카르빌렌기, 및/또는 치환된 탄화수소기를 더욱 서술하기 위하여 제한없이 사용될 수 있다.
실시태양에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4일 때, R1c 은 알칸기, 치환된 알칸기, 알켄기, 치환된 알켄기, 시클로알칸기, 치환된 시클로알칸기, 시클로알켄기, 치환된 시클로알켄기, 아렌기, 치환된 아렌기, 아르알칸기, 또는 치환된 아르알칸기; 또는 달리, 알칸기, 알켄기, 시클로알칸기, 시클로알켄기, 아렌기, 또는 아르알칸기일 수 있다. 일부 실시태양들에서, 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 R1c 는 알칸기 또는 치환된 알칸기; 달리, 알켄기 또는 치환된 알켄기; 달리, 시클로알칸기 또는 치환된 시클로알칸기; 달리, 시클로알켄기 또는 치환된 시클로알켄기; 달리, 아렌기 또는 치환된 아렌기; 또는 달리, 아르알칸기 또는 치환된 아르알칸기일 수 있다. 다른 실시태양들에서, 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 R1c 는 알칸기; 달리, 치환된 알칸기; 달리, 알켄기; 달리, 치환된 알켄기; 달리, 시클로알칸기; 달리, 치환된 시클로알칸기; 달리, 시클로알켄기; 달리, 치환된 시클로알켄기; 달리, 아렌기; 달리, 치환된 아렌기; 달리, 아르알칸기; 또는 달리, 치환된 아르알칸기일 수 있다. 일반적으로, 알칸기, 치환된 알칸기, 알켄기, 치환된 알켄기, 시클로알칸기, 치환된 시클로알칸기, 시클로알켄기, 치환된 시클로알켄기, 아렌기, 치환된 아렌기, 아르알칸기, 또는 치환된 아르알칸기는 r이 3 및/또는 4일 때 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 R1c 로 활용되는 유기 및 탄화수소기들과 동일 개수의 탄소원자들을 가진다.
일 양태에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3인 경우, R1c 는 C1 내지 C22 알칸기 (치환된 및/또는 치환되지 않은); 달리, C2 내지 C22 알칸기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C3 내지 C17 알칸기 (치환된 및/또는 치환되지 않은); 또는 달리, C4 내지 C9 알칸기 (치환된 및/또는 치환되지 않은)일 수 있다. 일 양태에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 4인 경우, R1c 는 C2 내지 C21 알칸기 (치환된 및/또는 치환되지 않은); 달리, C3 내지 C16 알칸기 (치환된 및/또는 치환되지 않은); 또는 달리, C4 내지 C8 알칸기 (치환된 및/또는 치환되지 않은)일 수 있다. 일부 실시태양들에서, 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4이면, R1c 은에탄기, 프로판기, 부탄기, 펜탄기, 헥산기, 헵탄기, 옥탄기, 노난기, 데칸기, 운데칸기, 도데칸기, 트리데칸기, 테트라데칸기, 펜타데칸기, 헥사데칸기, 헵타데칸기, 옥타데칸기, 또는 노나데칸기일 수 있다. 다른 실시태양들에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4이면, R1c 은 부탄기, 펜탄기, 헥산기, 헵탄기, 옥탄기, 노난기, 데칸기, 또는 운데칸기일 수 있다. 다른 실시태양들에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4이면, R1c 은 부탄기, 펜탄기, 헥산기, 헵탄기, 또는 옥탄기일 수 있다. 실시태양에서, 식 O2CR2을 가지는 카르복실레이트의 R1c 으로 사용되는 임의의 알칸기들 (일반 또는 특정)은 치환 가능하다. 실시태양에서, R1c 로 활용되는 치환된 알칸기 (일반 또는 특정)의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 또는 달리 히드로카르복시기일 수 있다. 할라이드 치환체들 및 히드로카르복시 치환기들은 독립적으로 본원에 개시되고 제한없이 R1c 로 활용되는 치환된 알칸기 (일반 또는 특정)를 더욱 서술하기 위하여 활용될 수 있다.
일 양태에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3인 경우, R1c 는C1 내지 C22 알켄기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C2 내지 C22 알켄기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C3 내지 C17 알켄기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C4 내지 C9 알켄기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 일 양태에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 4인 경우, R1c는 C2 내지 C21 알켄기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C3 내지 C16 알켄기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C4 내지 C8 알칸기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 다른 실시태양들에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4일 때, R1c 는 부텐기, 펜텐기, 헥센기, 헵텐기, 옥텐기, 노넨기, 데센기, 또는 운데센기일 수 있다. 다른 실시태양들에서 실시태양들에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4일 때, R1c 는 부텐기, 펜텐기, 헥센기, 헵텐기, 또는 옥텐기일 수 있다. 실시태양에서, R1c 로 활용되는 치환된 알켄기의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 또는 달리 히드로카르복시기일 수 있다. 할라이드 치환체 및 히드로카르복시 치환기들은 독립적으로 본원에 개시되고 제한없이 R1c 로 활용되는 치환된 알켄기를 더욱 서술하기 위하여 활용될 수 있다.
일 양태에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4일 때, R1c은 C3-C21 시클로알칸기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C5-C16 시클로알칸기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C5-C10 시클로알칸기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 실시태양에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4일 때, R1c은 시클로펜탄기, 치환된 시클로펜탄기, 시클로헥산기, 치환된 시클로헥산기, 시클로헵탄이기, 또는 치환된 시클로헵탄이기; 달리, 시클로펜탄기, 치환된 시클로펜탄기, 시클로헥산기, 또는 치환된 시클로헥산기; 달리, 시클로펜탄 기 또는 치환된 시클로펜탄기; 또는 달리, 시클로헥산 기 또는 치환된 시클로헥산기일 수 있다. 일부 실시태양들에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4일 때, R1c 은 시클로펜탄기, 또는 시클로헥산기일 수 있다. 또 다른 실시태양들에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4인 경우, R1c은 시클로펜탄기; 달리, 치환된 시클로펜탄기; 달리, 시클로헥산기; 또는 달리, 치환된 시클로헥산기일 수 있다. 실시태양에서, R1c 로 활용되는 치환된 시클로알칸기 (일반 또는 특정)의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드, 히드로카르빌기, 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 히드로카르빌기 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 히드로카르복시기일 수 있다.
일 양태에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4인 경우, R1c 은 C3-C21 시클로알켄기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C5-C16 시클로알켄기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C5-C10 시클로알켄기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 실시태양에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4인 경우, R1c 은 시클로펜텐기, 치환된 시클로펜텐기, 시클로헥센기, 치환된 시클로헥센기, 시클로헵텐기, 또는 치환된 시클로헵텐기; 달리, 시클로펜텐기, 치환된 시클로펜텐기, 시클로헥센기, 또는 치환된 시클로헥센기; 달리, 시클로펜텐 기 또는 치환된 시클로펜텐기; 또는 달리, 시클로헥센 기 또는 치환된 시클로헥센기일 수 있다. 일부 실시태양들에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4인 경우, R1c 은 시클로펜텐기, 또는 시클로헥센기일 수 있다. 또 다른 실시태양들에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4인 경우, R1c 은 시클로펜텐기; 달리, 치환된 시클로펜텐기; 달리, 시클로헥센기; 또는 달리, 치환된 시클로헥센기일 수 있다. 실시태양에서, R1c 로 활용되는 치환된 시클로알켄기 (일반 또는 특정)의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드, 히드로카르빌기, 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 히드로카르빌기 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 히드로카르복시기일 수 있다.
일 양태에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4인 경우, R1c 은 C6C21 벤젠기 (치환된 또는 치환되지 않은), 또는 C10C21 나프탈렌기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C6C21 벤젠기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C10C21 나프탈렌기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 다른 양태에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4인 경우, R1c 은 C6C16 벤젠기 (치환된 또는 치환되지 않은), 또는 C10C16 나프탈렌기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C6C16 벤젠기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C10C16 나프탈렌기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 다른 양태에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4인 경우, R1c은 C6C10 벤젠기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 실시태양에서, R1c 로 활용되는 치환된 벤젠기 (일반 또는 특정) 또는 치환된 나프탈렌의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드, 히드로카르빌기, 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 히드로카르빌기 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 히드로카르복시기일 수 있다.
일 양태에서 식 (O2C)rR1c 을 가지는 카르복실레이트기의 r이 3 및/또는 4인 경우, R1c 은 C7C21 페닐메탄기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C7C16 페닐메탄기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C7C10 페닐메탄기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 실시태양에서, R1c 로 활용되는 치환된 페닐메탄기 (일반 또는 특정)의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드, 히드로카르빌기, 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 히드로카르빌기 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 히드로카르복시기일 수 있다.
할라이드들, 히드로카르빌기 치환체들, 및 히드로카르복시기 치환체들 (비-수소 치환체들 또는 비-수소 치환기들라고도 칭함)은 독립적으로 본원에 개시된다. 이들 치환기는 제한없이 본원에 기재된 식 (O2C)rR1c을 가지는 카르복실레이트기의 R1c로 활용되는 임의의 치환된 탄화수소기 (일반 또는 특정), 치환된 알칸기 (일반 또는 특정), 치환된 알켄기 (일반 또는 특정), 치환된 시클로알칸기 (일반 또는 특정), 치환된 시클로알켄기 (일반 또는 특정), 치환된 아렌기 (일반 또는 특정), 치환된 아르알칸기 (일반 또는 특정)를 더욱 기술하기 위하여 사용될 수 있다.
일 양태에서 식 (O2C)rR1c을 가지는 카르복실레이트기의 r이 2인 경우, 식 (O2C)rR1c을 가지는 카르복실레이트기의 R1c 임의의 일반 또는 특정유기기, 불활성 작용기들로 이루어진 유기기, 탄화수소기, 알칸기, 치환된 알칸기, 알켄기, 치환된 알켄기, 시클로알칸기, 치환된 시클로알칸기, 시클로알켄기, 치환된 시클로알켄기, 아렌기, 치환된 아렌기, 아르알칸기, 또는 치환된 아르알칸기는 유기의 ic, 탄화수소의 on, 일반 또는 특정알칸 (아르알칸 포함)의 ane, 일반 또는 특정알켄 (시클로알켄 포함)의 -e, 또는 일반 또는 특정아렌의 -ene을 접미사 -일엔으로 교체하여 칭할 수 있다. 예를들면, r이 2인 경우, 일반 유기기 및 탄화수소기는 오르가닐렌기 및 히드로카르빌렌기 (각각), 일반 알칸 및 시클로알칸기는 알킬렌 및 시클로알킬렌 (각각), 특정 메탄기 및 에탄기는 메틸렌 기 및 에틸렌기 (각각), 일반 알켄기는 알케닐렌기, 특정 에텐기는 에테닐렌기, 일반 아렌기는 아릴렌기, 및 일반 아르알칸기는 아르알킬렌기로 될 것이다. 유사하게, 일 양태에서 식 (O2C)rR1c을 가지는 카르복실레이트기의 r이 1인 경우, 식 (O2C)rR1c을 가지는 카르복실레이트기의 R1c 임의의 일반 또는 특정유기기, 불활성 작용기들로 이루어진 유기기, 탄화수소기, 알칸기, 치환된 알칸기, 알켄기, 치환된 알켄기, 시클로알칸기, 치환된 시클로알칸기, 시클로알켄기, 치환된 시클로알켄기, 아렌기, 치환된 아렌기, 아르알칸기, 또는 치환된 아르알칸기는 유기의 ic, 탄화수소의 on, 일반 또는 특정알칸 (아르알칸 포함)의 ane, 일반 또는 특정알켄 (시클로알켄 포함)의 -e, 또는 일반 또는 특정아렌의 -ene을 접미사 -일로 교체하여 칭할 수 있다. 예를들면, r이 1인 경우, 일반 유기기 및 탄화수소기는 오르가닐렌기 및 히드로카르빌렌기 (각각), 일반 알칸 및 시클로알칸기는 알킬 및 시클로알킬 (각각), 특정 메탄기 및 에탄기는 메틸기 및 에틸기 (각각), 일반 알켄기는 알케닐기, 특정 에텐기는 에테닐기, 일반 아렌기는 아릴기, 및 일반 아르알칸기는 아르알킬기로 될 것이다. 기타 일반 또는 특정기들에 대한 이러한 명명 규칙의 연장 및 일반 및 특정기들 간의 관용명의 변경 (예를들면, 특히 벤젠기 및 페닐렌기 또는 페닐기)도 명백하다.
비-제한적 실시태양에서 카르복실레이트가 하나 이상의 카르복실레이트 잔기를 가질 때, 각각의 카르복실레이트는 독립적으로 옥살레이트, 말로네이트 (1,3프로판디오에이트), 숙시네이트 (1,4부탄디오에이트), 글루타레이트 (1,5펜탄디오에이트), 아디페이트 (1,6헥산디오에이트), 피멜레이트 (1,7헵탄디오에이트), 수베레이트 (1,8옥탄디오에이트), 말레에이트, 푸마레이트, 아세틸렌디카르복실레이트, 프탈레이트 (1,2벤젠 디카르복실레이트), 이소프탈레이트 (1,3벤젠 디카르복실레이트), 테레프탈레이트 (1,4벤젠 디카르복실레이트), 페닐렌 디아세테이트; 시트레이트, 또는 임의의 이들의 조합 ; 달리, 말로네이트 (1,3프로판디오에이트), 숙시네이트 (1,4부탄디오에이트), 글루타레이트 (1,5펜탄디오에이트), 아디페이트 (1,6헥산디오에이트), 피멜레이트 (1,7헵탄디오에이트), 수베레이트 (1,8옥탄디오에이트), 말레에이트, 푸마레이트, 아세틸렌디카르복실레이트, 프탈레이트 (1,2벤젠 디카르복실레이트), 이소프탈레이트 (1,3벤젠 디카르복실레이트), 테레프탈레이트 (1,4벤젠 디카르복실레이트), 페닐렌 디아세테이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 말로네이트 (1,3프로판디오에이트), 숙시네이트 (1,4부탄디오에이트), 글루타레이트 (1,5펜탄디오에이트), 아디페이트 (1,6헥산디오에이트), 피멜레이트 (1,7헵탄디오에이트), 수베레이트 (1,8옥탄디오에이트), 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 말레에이트, 푸마레이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 아세틸렌디카르복실레이트; 달리, 프탈레이트 (1,2벤젠 디카르복실레이트), 이소프탈레이트 (1,3벤젠 디카르복실레이트), 테레프탈레이트 (1,4벤젠 디카르복실레이트), 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 페닐렌 디아세테이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서 카르복실레이트가 하나 이상의 카르복실레이트 잔기를 가질 때, 각각의 카르복실레이트는 독립적으로 옥살레이트; 달리, 말로네이트 (1,3프로판디오에이트); 달리, 숙시네이트 (1,4부탄디오에이트); 달리, 글루타레이트 (1,5펜탄디오에이트); 달리, 아디페이트 (1,6헥산디오에이트); 달리, 피멜레이트 (1,7헵탄디오에이트); 달리, 수베레이트 (1,8옥탄디오에이트); 달리, 말레에이트; 달리, 푸마레이트; 달리, 아세틸렌디카르복실레이트; 달리, 프탈레이트 (1,2벤젠 디카르복실레이트); 달리, 이소프탈레이트 (1,3벤젠 디카르복실레이트); 달리, 테레프탈레이트 (1,4벤젠 디카르복실레이트); 달리, 페닐렌 디아세테이트; 또는 달리 시트레이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서 및 임의의 실시태양에서, 카르복실레이트기는 식 O2CR2c을 가지는 모노카르복실레이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 식 O2CR2c을 가지는 카르복실레이트의 실시태양에서, R2c 은 오르가닐기; 달리, 불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐; 달리, 히드로카르빌기, 또는 치환된 히드로카르빌기; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 치환된 히드로카르빌기일 수 있다. 일반적으로, R2c (오르가닐, 불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐, 히드로카르빌, 및/또는 치환 히드로카르빌)는 C1 내지 C24 기; 달리, C2 내지 C24 기; 달리, C3 내지 C19 기; 또는 달리, C4 내지 C11 기일 수 있다. 일부 실시태양들에서, 히드로카르빌기 (치환된 또는 미치환된)는 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 또는 아르알킬기; 달리, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기; 달리, 알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기; 달리, 알킬기 또는 및 아릴기; 달리, 알킬기; 달리, 알케닐기; 달리, 시클로알킬기; 달리, 시클로알케닐기; 달리, 아릴기; 또는 달리, 또는 아르알킬기일 수 있다.
실시태양에서, 식 O2CR2c 을 가지는 카르복실레이트의 R2c는 알킬기, 치환된 알킬기, 알케닐기, 치환된 알케닐기, 시클로알킬기, 치환된 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 치환된 시클로알케닐기, 아릴기, 치환된 아릴기, 아르알킬기, 또는 치환된 아르알킬기; 또는 달리, 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 또는 아르알킬기일 수 있다. 일부 실시태양들에서, 식 O2CR2c 을 가지는 카르복실레이트의 R2c는 알킬기 또는 치환된 알킬기; 달리, 알케닐기 또는 치환된 알케닐기; 달리, 시클로알킬기 또는 치환된 시클로알킬기; 달리, 시클로알케닐 기 또는 치환된 시클로알케닐기; 달리, 아릴기 또는 치환된 아릴기; 또는 달리, 아르알킬기 또는 치환된 아르알킬일 수 있다. 다른 실시태양들에서, 식 O2CR2c 을 가지는 카르복실레이트의 R2c는 알킬기; 달리, 치환된 알킬기; 달리, 알케닐기; 달리, 치환된 알케닐기; 달리, 달리, 시클로알킬기; 달리, 치환된 시클로알킬기; 달리, 시클로알케닐기; 달리, 치환된 시클로알케닐기; 달리, 아릴기; 달리, 치환된 아릴기; 달리, 아르알킬기; 또는 달리, 치환된 아르알킬기일 수 있다. 일반적으로, 알킬기, 치환된 알킬기, 알케닐기, 치환된 알케닐기, 시클로알킬기, 치환된 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 치환된 시클로알케닐기, 아릴기, 치환된 아릴기, 아르알킬기, 또는 치환된 아르알킬기는 식 O2CR2을 가지는 카르복실레이트의 R2c로 활용되는 유기기들, 불활성 작용기들로 이루어진 유기기들, 및 탄화수소기들 (치환된 또는 치환되지 않은)와 동일 개수의 탄소원자들을 가진다.
실시태양에서, 식 O2CR2c 을 가지는 카르복실레이트의 R2c로 활용되는 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 C1-C24 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C2-C24 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C3-C19 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C4-C11 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 실시태양에서, 식 O2CR2c 을 가지는 카르복실레이트의 R2c는 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 또는 운데실기일 수 있다. 일부 실시태양들에서, 식 O2CR2c 을 가지는 카르복실레이트의 R2c는 부틸기; 달리, 펜틸기; 달리, 헥실기; 달리, 헵틸기; 달리, 옥틸기; 달리, 노닐기; 달리, 데실기; 또는 달리, 운데실기일 수 있다. 실시태양에서, 식 O2CR2c 을 가지는 카르복실레이트의 R2c 로 활용되는 임의의 알킬기들 (일반 또는 특정)은 치환 가능하다. 실시태양에서, R2c 로 활용되는 치환된 알킬기 (일반 또는 특정)의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 또는 달리 히드로카르복시기일 수 있다. 할라이드 치환체들 및 히드로카르복시 치환기들은 독립적으로 본원에 개시되고 제한없이 R2c 로 활용되는 치환된 알킬기 (일반 또는 특정)를 더욱 서술하기 위하여 활용될 수 있다.
실시태양에서, 식 O2CR2c을 가지는카르복실레이트의 R2c은 n-부틸기, sec-부틸기, 이소-부틸기, t-부틸기, N-펜틸기, 펜트-3-일기, 이소-아밀기, 네오-펜틸기, n-헥실기, 헥산-2-일기, 헥산-3-일기, 2-메틸펜탄-1-일기, 2-에틸부탄-1-일기, 2-메틸펜탄-2-일기, 2,3-디메틸부탄-1-일기, 2,3-디메틸부탄-2-일기, n-헵틸기, 헵탄-2-일기, 헵탄-3-일기, 헵탄-4-일기, 2-메틸헥산-1-일기, 2-에틸펜탄-1-일기, 2-메틸헥산-2-일기, 2,3-디메틸펜탄-1-일기, 2,3-디메틸펜탄-2-일기, 2,3,3-트리메틸펜탄-1-일기, 2,3,3-트리메틸펜탄-2-일기, N-옥틸기, 옥탄-2-일기, 옥탄-3-일기, 옥탄-4-일기, 2-메틸헵탄-1-일기, 2-에틸헥산-1-일기, 2-메틸헵탄-2-일기, N-노닐기, 노난-2-일기, 노난-3-일기, 노난-4-일기, 노난-5-일기, N-데실기, 데칸-2-일기, 데칸-3-일기, 데칸-4-일기, 데칸-5-일기, 또는 n-운데실기일 수 있다. 다른 실시태양들에서, 식 O2CR2c을 가지는카르복실레이트의 R2c은 n-프로필 기; 달리, 이소프로필 기; 달리, n-부틸기; 달리, sec-부틸기; 달리, 이소-부틸기; 달리, t-부틸기; 달리, N-펜틸기; 달리, 펜트-3-일기; 달리, 이소-아밀기; 달리, 네오-펜틸기; 달리, n-헥실기; 달리, 헥산-2-일기; 달리, 헥산-3-일기; 달리, 2-메틸펜탄-1-일기; 달리, 2-에틸부탄-1-일기; 달리, 2-메틸펜탄-2-일기; 달리, 2,3-디메틸부탄-1-일기; 달리, 2,3-디메틸부탄-2-일기; 달리, n-헵틸기; 달리, 헵탄-2-일기; 달리, 헵탄-3-일기; 달리, 헵탄-4-일기; 달리, 2메틸헥산-1-일기; 달리, 2-에틸펜탄-1-일기; 달리, 2-메틸헥산-2-일기; 달리, 2,3-디메틸펜탄-1-일기; 달리, 2,3-디메틸펜탄-2-일기; 달리, 2,3,3-트리메틸펜탄-1-일기; 달리, 2,3,3-트리메틸펜탄-2-일기; 달리, N-옥틸기; 달리, 옥탄-2-일기; 달리, 옥탄-3-일기; 달리, 옥탄-4-일기; 달리, 2-메틸헵탄-1-일기; 달리, 2에틸헥산-1-일기; 달리, 2-메틸헵탄-2-일기; 달리, N-노닐기; 달리, 노난-2-일기; 달리, 노난-3-일기; 달리, 노난-4-일기; 달리, 노난-5-일기; 달리, N-데실기; 달리, 데칸-2-일기; 달리, 데칸-3-일기; 달리, 데칸-4-일기; 달리, 데칸-5-일기; 또는 달리, n-운데실기일 수 있다. 실시태양에서, 식 O2CR2c을 가지는카르복실레이트의 R2c로 활용될 수 있는 임의의 알킬기들은 치환 가능하다. 실시태양에서, R2c로 활용되는 치환된 알킬기 (일반 또는 특정)의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 또는 달리 히드로카르복시기일 수 있다. 할라이드 치환체들 및 히드로카르복시 치환기들은 독립적으로 본원에 개시되고 제한없이 R2c로 활용되는 치환된 알킬기 (일반 또는 특정)를 더욱 서술하기 위하여 활용될 수 있다.
실시태양에서, 식 O2CR2c을 가지는카르복실레이트의 R2c로 활용될 수 알케닐기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 C2-C24 알케닐기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C3-C19 알케닐기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C4-C11 알케닐기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 실시태양에서, 식 O2CR2c을 가지는카르복실레이트의 R2c은 프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 노네닐기, 데세닐기, 운데세닐기, 도데세닐기, 트리데세닐기, 테트라데세닐기, 펜타데세닐기, 헥사데세닐기, 헵타데세닐기, 옥타데세닐기, 또는 노나데세닐기; 달리, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 노네닐기, 데세닐기, 또는 운데세닐기일 수 있다. 일부 실시태양들에서, 식 O2CR2c을 가지는카르복실레이트의 R2c은 에테닐기; 달리, 프로페닐기; 달리, 부테닐기; 달리, 펜테닐기; 달리, 헥세닐기; 달리, 헵테닐기; 달리, 옥테닐기; 달리, 노네닐기; 달리, 데세닐기; 또는 달리, 운데세닐기일 수 있다. 실시태양에서, 식 O2CR2c을 가지는카르복실레이트의 R2c로 활용되는 임의의 알케닐기들 (일반 또는 특정)은 치환 가능하다. 실시태양에서, R2c로 활용되는 치환된 알케닐기 (일반 또는 특정)의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 또는 달리 히드로카르복시기일 수 있다. 할라이드 치환체들 및 히드로카르복시 치환기들은 독립적으로 본원에 개시되고 제한없이 R2c로 활용되는 치환된 알케닐기 (일반 또는 특정)를 더욱 서술하기 위하여 활용될 수 있다.
실시태양에서, 식 O2CR2c을 가지는카르복실레이트의 R2c로 활용되는 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 C3-C24 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C3-C19 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C4-C11 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 실시태양에서, 식 O2CR2c을 가지는카르복실레이트의 R2c은 시클로펜틸기, 치환된 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 또는 치환된 시클로헥실기일 수 있다. 일부 실시태양들에서, 식 O2CR2c을 가지는카르복실레이트의 R2c은 시클로펜틸기 또는 치환된 시클로펜틸기; 달리, 시클로헥실기 또는 치환된 시클로헥실기일 수 있다. 일부 실시태양들에서, 식 O2CR2c을 가지는카르복실레이트의 R2c은 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기일 수 있다. 다른 실시태양들에서, 식 O2CR2c을 가지는카르복실레이트의 R2c은 시클로펜틸기; 달리, 치환된 시클로펜틸기; 달리, 시클로헥실기; 또는 달리, 치환된 시클로헥실기일 수 있다. 실시태양에서, R2c 로 활용되는 치환된 시클로알킬기 (일반 또는 특정)의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드, 히드로카르빌기, 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 히드로카르빌기 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 히드로카르복시기일 수 있다.
일 양태에서, 식 O2CR2c을 가지는 카르복실레이트의 R2c로 활용되는 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 C6-C24 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C6-C19 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C6-C11 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 실시태양에서, 식 O2CR2c을 가지는 카르복실레이트의 R2c은 페닐기, 치환된 페닐기, 나프틸기, 또는 치환된 나프틸기; 또는 달리, 페닐기 또는 치환된 페닐기; 달리, 나프틸기 또는 치환된 나프틸기일 수 있다. 일부 실시태양들에서, 식 O2CR2c을 가지는 카르복실레이트의 R2c은 페닐기 또는 나프틸기일 수 있다. 다른 실시태양들에서, 식 O2CR2c을 가지는 카르복실레이트의 R2c은 페닐기; 달리, 치환된 페닐기; 달리, 나프틸기; 또는 달리, 치환된 나프틸기일 수 있다. 실시태양에서, R2c 치환된 페닐기는 2-치환된 페닐기, 3-치환된 페닐기, 4-치환된 페닐기, 2,4-이치환된 페닐기, 2,6-이치환된 페닐기, 3,5-이치환된 페닐기, 또는 2,4,6-삼치환된 페닐기일 수 있다. 다른 실시태양들에서, R2c 치환된 페닐기는 2-치환된 페닐기, 4-치환된 페닐기, 2,4-이치환된 페닐기, 또는 2,6-이치환된 페닐기; 달리, 3-치환된 페닐기 또는 3,5-이치환된 페닐기; 달리, 2-치환된 페닐기 또는 4-치환된 페닐기; 달리, 2,4-이치환된 페닐기 또는 2,6-이치환된 페닐기; 달리, 2-치환된 페닐기; 달리, 3-치환된 페닐기; 달리, 4-치환된 페닐기; 달리, 2,4-이치환된 페닐기; 달리, 2,6-이치환된 페닐기; 달리, 3,5-이치환된 페닐기; 또는 달리, 2,4,6-삼치환된 페닐기일 수 있다. 실시태양에서, R2c로 활용되는 아릴기 (일반 또는 특정), 치환된 페닐기 (일반 또는 특정), 또는 치환된 나프틸기 (일반 또는 특정)의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드, 히드로카르빌기, 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 히드로카르빌기 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 히드로카르복시기일 수 있다.
일 양태에서, 식 O2CR2c을 가지는 카르복실레이트의 R2c로 활용되는 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 C7-C24 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C7-C19 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C7-C11 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)일 수 있다. 실시태양에서, 식 O2CR2c을 가지는 카르복실레이트의 R2c은 벤질기 또는 치환된 벤질기일 수 있다. 실시태양에서, 식 O2CR2c을 가지는 카르복실레이트의 R2c은 벤질기; 또는 달리, 치환된 벤질기일 수 있다. 실시태양에서, R2c 로 활용되는 아르알킬기 (일반 또는 특정)의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드, 히드로카르빌기, 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 히드로카르빌기 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 히드로카르복시기일 수 있다.
할라이드들, 히드로카르빌기 치환체들, 및 히드로카르복시기 치환체들 (비-수소 치환체들 또는 비-수소 치환기들라고도 칭함)은 독립적으로 본원에 개시된다. 이들 치환기는 본원에 기재된 임의의 치환된 히드로카르빌기 (일반 또는 특정), 치환된 알킬기 (일반 또는 특정), 치환된 알케닐기 (일반 또는 특정), 치환된 시클로알킬기 (일반 또는 특정), 치환된 시클로알케닐기 (일반 또는 특정), 치환된 아릴기 (일반 또는 특정), 치환된 아르알킬기 (일반 또는 특정)을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
실시태양에서, 치환된 R2c 페닐기는 톨릴기, 자일릴기, 또는 트리메틸페닐기; 달리, 톨릴기; 달리, 자일렌기; 또는 달리, 트리메틸페닐기일 수 있다. 일부 실시태양들에서, R2c 톨릴기는 오르토-톨릴기, 메타-톨릴기, 또는 파라-톨릴기; 달리, 오르토-톨릴기; 달리, 메타-톨릴기; 또는 달리, 파라-톨릴기일 수 있다. 실시태양에서, R2c 자일릴기는 2,3-디메틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 2,5-디메틸페닐기, 2,6-디메틸페닐기, 3,4-디메틸페닐기, 또는 3,5-디메틸페닐기; 달리, 2,4-디메틸페닐기 또는 2,6-디메틸페닐기; 달리, 2,3-디메틸페닐기; 달리, 2,4-디메틸페닐기; 달리, 2,5-디메틸페닐기; 달리, 2,6-디메틸페닐기; 달리, 3,4-디메틸페닐기; 또는 달리, 3,5-디메틸기일 수 있다.
일 양태에서, 전이금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)의 각각의 모노카르복실레이트는 독립적으로 아세테이트, 프로피오네이트, 부티레이트, 펜타노에이트, 헥사노에이트, 헵타노에이트, 옥타노에이트, 노나노에이트, 데카노에이트, 운데카노에이트, 도데카노에이트, 트리데카노에이트, 테트라데카노에이트, 펜타데카노에이트, 헥사데카노에이트, 헵타데카노에이트, 옥타데카노에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 프로피오네이트, 부티레이트, 펜타노에이트, 헥사노에이트, 헵타노에이트, 옥타노에이트, 노나노에이트, 데카노에이트, 운데카노에이트, 도데카노에이트, 트리데카노에이트, 테트라데카노에이트, 펜타데카노에이트, 헥사데카노에이트, 헵타데카노에이트, 옥타데카노에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 펜타노에이트, 헥사노에이트, 헵타노에이트, 옥타노에이트, 노나노에이트, 데카노에이트, 운데카노에이트, 도데카노에이트, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 전이금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)의 각각의 모노카르복실레이트는 독립적으로 아세테이트, 프로피오네이트, n-부티레이트, 이소부티레이트, 발레레이트 (n-펜타노에이트), 네오-펜타노에이트, 카프로네이트 (n-헥사노에이트), n-헵타노에이트, 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 2-에틸헥사노에이트, n-노나노에이트, 카프레이트 (n-데카노에이트), n-운데카노에이트, 라우레이트 (n-도데카노에이트), 스테아레이트 (n-옥타데카노에이트), 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 프로피오네이트, n-부티레이트, 이소부티레이트, 발레레이트 (n-펜타노에이트), 네오-펜타노에이트, 카프로네이트 (n-헥사노에이트), n-헵타노에이트, 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 2-에틸헥사노에이트, n-노나노에이트, 카프레이트 (n-데카노에이트), n-운데카노에이트, 라우레이트 (n-도데카노에이트), 스테아레이트 (n-옥타데카노에이트), 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 발레레이트 (n-펜타노에이트), 네오-펜타노에이트, 카프로네이트 (n-헥사노에이트), n-헵타노에이트, 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 2-에틸헥사노에이트, n-노나노에이트, 카프레이트 (n-데카노에이트), n-운데카노에이트, 라우레이트 (n-도데카노에이트), 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 발레레이트 (n-펜타노에이트), 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 또는 2-에틸헥사노에이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 전이금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)의 각각의 모노카르복실레이트는 독립적으로 아세테이트; 달리, 프로피오네이트; 달리, 부티레이트; 달리, n-부티레이트; 달리, 이소부티레이트; 달리, 펜타노에이트; 달리, 발레레이트 (n-펜타노에이트); 달리, 네오-펜타노에이트; 달리, 헥사노에이트; 달리, 카프로네이트 (n-헥사노에이트); 달리, 헵타노에이트; 달리, 옥타노에이트; 달리, 카프릴레이트 (n-옥타노에이트); 달리, 2-에틸헥사노에이트; 달리, 노나노에이트; 달리, 데카노에이트; 달리, 카프레이트 (n-데카노에이트); 달리, 운데카노에이트; 달리, 도데카노에이트; 달리, 라우레이트 (n-도데카노에이트); 달리, 트리데카노에이트; 달리, 테트라데카노에이트; 달리, 펜타데카노에이트; 달리, 헥사데카노에이트; 달리, 헵타데카노에이트; 달리, 옥타데카노에이트; 또는 달리, 스테아레이트(n-옥타데카노에이트)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 전이금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)의 각각의 모노카르복실레이트는 독립적으로 벤조에이트, 치환된 벤조에이트, 나프토에이트, 또는 치환된 나프토에이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 각각의 모노카르복실레이트기는 독립적으로 벤조에이트 또는 치환된 벤조에이트; 달리, 나프토에이트 또는 치환된 나프토에이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 전이금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)의 각각의 모노카르복실레이트는 독립적으로 벤조에이트 또는 나프토에이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 실시태양들에서, 전이금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)의 각각의 모노카르복실레이트는 독립적으로 벤조에이트; 달리, 치환된 벤조에이트; 달리, 나프토에이트; 또는 달리, 치환된 나프토에이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 전이금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)의 각각의 모노카르복실레이트는 독립적으로 메틸 벤조에이트, 디메틸 벤조에이트, 트리메틸벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 메틸 벤조에이트; 달리, 디메틸 벤조에이트; 또는 달리, 트리메틸벤조에이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 메틸벤조에이트는 2메틸벤조에이트, 3메틸벤조에이트, 4메틸벤조에이트 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 2메틸벤조에이트, 4메틸벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 2메틸벤조에이트; 달리, 3메틸벤조에이트; 또는 달리, 4메틸벤조에이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 디메틸벤조에이트는2,3디메틸벤조에이트, 2,4디메틸벤조에이트, 2,5디메틸벤조에이트, 2,6디메틸벤조에이트, 3,4디메틸벤조에이트, 3,5디메틸벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 2,4디메틸벤조에이트 2,6디메틸벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 2,3디메틸벤조에이트; 달리, 2,4디메틸벤조에이트; 달리, 2,5디메틸벤조에이트; 달리, 2,6디메틸벤조에이트; 달리, 3,4디메틸벤조에이트; 또는 달리, 3,5디메틸벤조에이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 트리메틸벤조에이트는 2,4,6-트리메틸벤조에이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 전이금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)의 각각의 모노카르복실레이트는 독립적으로 페닐아세트산, 치환된 페닐아세트산, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 페닐아세트산; 또는 달리, 치환된 페닐 아세트산이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일반적으로, 본원에 기재된 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 방법에 활용되는 전이금속은 본원에 기재된 전이금속 양이온, 및 본원에 기재된 무기음이온 또는 본원에 기재된 유기 유도 음이온의 임의의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부, 비-제한적, 예시적 전이금속화합물들이 본원에 제공된다. 예시적 전이금속화합물들이 본 발명에서 예상되는 모든 전이금속화합물들을 망라하는 것은 아니라는 것을 이해할 것이다.
일반적으로, 본원에 기재된 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용 가능한 전이금속화합물은 본원에 기재된 전이금속 양이온, 및 본원에 기재된 음이온 (무기 또는 유기 유도 음이온)의 임의의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 본원에 기재된 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용 가능한 일부 비-제한적, 전이금속화합물이 본원에 제공된다. 제공된 전이금속화합물들은 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용 가능한 모든 전이금속화합물들을 망라하는 것은 아니다라는 것을 이해하여야 한다. 기타 전이금속화합물들은 본 발명으로부터 용이하게 명백하여 질 것이다.
일 양태에서, 본원에 기재된 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용 가능한 전이금속화합물은 크롬 화합물로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 본 양태에서, 크롬 화합물의 크롬 산화상태는 0 내지 6이다. 일부 실시태양들에서, 크롬 화합물의 크롬 산화상태는 +2 또는 +3이다 (즉, 크롬(II) 또는 크롬(III) 화합물). 다른 실시태양들에서, 크롬 화합물의 크롬 산화상태는 +2 (즉, 크롬(II) 화합물); 또는 달리, +3 (즉, 크롬(III) 화합물)이다.
실시태양에서, 본원에 기재된 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용되는 크롬(II) 화합물들은 크롬(II) 질산염, 크롬(II) 황산염, 크롬(II) 플루오라이드, 크롬(II) 클로라이드, 크롬(II) 브로마이드, 또는 크롬(II) 요오다이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 실시태양에서, 본원에 기재된 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용되는 크롬(III) 화합물들은 크롬(III) 질산염, 크롬(III) 황산염, 크롬(III) 플루오라이드, 크롬(III) 클로라이드, 크롬(III) 브로마이드, 또는 크롬(III) 요오다이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 크롬 화합물들 th본원에 기재된 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용되는 로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다, 크롬(II) 질산염; 달리, 크롬(II) 황산염; 달리, 크롬(II) 플루오라이드; 달리, 크롬(II) 클로라이드; 달리, 크롬(II) 브로마이드; 달리, 크롬(II) 요오다이드; 달리, 크롬(III) 질산염; 달리, 크롬(III) 황산염; 달리, 크롬(III) 플루오라이드; 달리, 크롬(III) 클로라이드; 달리, 크롬(III) 브로마이드; 또는 달리, 크롬(III) 요오다이드.
실시태양에서, 본원에 기재된 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용되는 크롬 화합물들은 크롬(II) 유기산화물, 크롬(II) 카르복실레이트, 크롬(II) 베타-디오네이트, 크롬(III) 유기산화물, 크롬(III) 카르복실레이트, 또는 크롬(III) 베타-디오네이트; 달리, 크롬(II) 유기산화물 또는 크롬(III) 유기산화물; 달리, 크롬(II) 카르복실레이트 또는 크롬(III) 카르복실레이트; 달리, 크롬(II) 베타-디오네이트 또는 크롬(III) 베타-디오네이트; 달리, 크롬(II) 유기산화물; 달리, 크롬(II) 카르복실레이트; 달리, 크롬(II) 베타-디오네이트; 달리, 크롬(III) 유기산화물; 달리, 크롬(III) 카르복실레이트; 또는 달리, 크롬(III) 베타-디오네이트로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 실시태양에서, 임의의 크롬(II) 또는 크롬(III) 유기산화물, 베타-디오네이트, 및/또는 카르복실레이트의 유기산화물, 베타-디오네이트, 및/또는 카르복실레이트는 유기산화물, 베타-디오네이트, 및/또는 카르복실레이트에 대하여 본원에 기재된 임의의 개수의 탄소원자들을 가진다.
크롬 카르복실레이트들은 촉매시스템, 촉매시스템 제조공정, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 공정에 적용되는 특히 유용한 전이금속화합물들이다. 따라서, 일 양태에서, 본원에 의한 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법은 크롬 카르복실레이트 조성물을 이용하고, 이는 크롬(II) 카르복실레이트 또는 크롬(III) 카르복실레이트; 달리, 크롬(II) 카르복실레이트; 또는 달리, 크롬(III) 카르복실레이트로 구성되거나, 실질적으로 이루어지거나, 이루어진다. 카르복실레이트들은 독립적으로 본원에 개시되고 제한없이 본원에 기재된 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용되는 크롬(II) 카르복실레이트(들) 및/또는 크롬(III) 카르복실레이트들을 더욱 서술하기 위하여 활용될 수 있다.
비-제한적 실시태양에서, 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용되는 크롬(III) 카르복실레이트 조성물은 크롬(III) C3 내지 C25 모노카르복실레이트로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 비-제한적 실시태양에서, 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용되는 크롬(III) 카르복실레이트 조성물은 크롬(III) C3 내지 C25 모노카르복실레이트로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
일 양태에서 전이금속화합물로 활용되는 크롬 카르복실레이트는 본원에 기재된임의의 방법으로 제조되는 크롬 카르복실레이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용되는 크롬(III) 카르복실레이트 조성물은 크롬(III) 프로피오네이트, 크롬(III) n-부티레이트, 크롬(III) 이소부티레이트, 크롬(III) 발레레이트 (n-펜타노에이트), 크롬(III) 네오-펜타노에이트, 크롬(III) 카프로네이트 (n-헥사노에이트), 크롬(III) n-헵타노에이트, 크롬(III) 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트, 크롬(III) n-노나노에이트, 크롬(III) 카프레이트 (n-데카노에이트), 크롬(III) n-운데카노에이트, 크롬(III) 라우레이트 (n-도데카노에이트), 크롬(III) 스테아레이트 (n-옥타데카노에이트), 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 크롬(III) 발레레이트 (n-펜타노에이트), 크롬(III) 네오-펜타노에이트, 크롬(III) 카프로네이트 (n-헥사노에이트), 크롬(III) n-헵타노에이트, 크롬(III) 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트, 크롬(III) n-노나노에이트, 크롬(III) 카프레이트 (n-데카노에이트), 크롬(III) n-운데카노에이트, 크롬(III) 또는 라우레이트 (n-도데카노에이트), 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 크롬(III) 발레레이트 (n-펜타노에이트), 크롬(III) 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 크롬(III) 또는 2-에틸헥사노에이트로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 조성물의 카르복실레이트는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 촉매시스템, 촉매시스템 제조방법, 및/또는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용되는 기타 크롬 카르복실레이트 조성물 (크롬(II) 및/또는 크롬(III))은 본 발명에서 용이하게 명백하고 완전히 고려된다.
2011.12.12자 출원된 관련 미국특허출원번호 13/323,191에는 상업적으로 입수되는 크롬 카르복실레이트 조성물과는 상이한 조성적 구성을 가지는 크롬 카르복실레이트 조성물이 기재된다. 2011.12.12자 출원된 관련 미국특허출원번호 13/323,191은 본원에 참고문헌으로 통합된다. 참고문헌들에 개시된 바와 같이, 크롬 카르복실레이트들 (및 기타 전이금속 카르복실레이트들)는 하나 이상의 크롬 원자를 가지는 하나 이상의 구조들을 가진다고 알려져 있다. 임의의 이들 화합물은 본원에 기재된 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 적용되는 촉매시스템에 영향을 준다. 크롬 카르복실레이트 조성물의 조성적 구성 차이는 크롬 카르복실레이트 조성물을 함유한 촉매 조성물을 이용하는 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 공정에 영향을 준다고 보인다. 일 양태에서 (및 이론에 구속됨이 없이), 이러한 새로운 크롬 카르복실레이트 조성물은 상당한 함량의 단핵 전이금속 카르복실레이트를 가지는 것으로 보인다.
예기치 못하게 이러한 새로운 크롬 카르복실레이트 조성물은 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에서 촉매시스템 성능에 영향을 준다는 것을 알았다. 예를들면, 상업적으로 입수되는 크롬 카르복실레이트 조성물 및 본원에 기재된 새로운 크롬 카르복실레이트 조성물 (및 2011.12.12자 출원된 관련 미국특허출원번호 13/323,191) 간의 차이는 최적 생성물 선택성, 생성물 순도, 및/또는 생산성을 제공하는 촉매시스템 성분 비율들에 영향을 준다. 크롬 카르복실레이트 조성물의 조성적 구성이 올레핀 올리고머화 (또는 삼합체화) 방법에 미치는 영향과 관련된 정보가 본원에서 제공된다.
2011.12.12자 출원된 관련 미국특허출원번호 13/323,191 (및 본 발명)에서 분리된 전이금속 카르복실레이트 조성물은 상업적으로 입수되는 전이금속 카르복실레이트 조성물에서 분리된 비정질체보다 더욱 결정성을 가진다는 것을 알았다. 예를들면, 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비를 대략 3.3으로 본 발명에 의한 분리된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 (도 3)와 상업적으로 입수되는 분리된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 (도 4)를 비교한다. 그러나, 여러 다양한 결정화 방법들을 동원하여도, 이러한 새로운 전이금속 카르복실레이트 조성물은 전통적인 X-ray 결정학 방법들로 구조 평가가 가능한 결정을 형성하지 않는다. 따라서, 새로운 전이금속 카르복실레이트 조성물은 하나의 또는 하나 이상의 다른 분석방법의 조합으로 현재 상업적으로 입수되는 전이금속 카르복실레이트 조성물과 차별할 필요가 있다.
본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물을 기타 크롬 카르복실레이트 조성물과 구분할 수 있는 하나의 방법은 적외선 분광학이다. 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물과 기타 크롬 카르복실레이트 조성물을 구분할 수 있는 또 다른 방법은 고에너지 X-선 회절이다. 적외선 분광학 및 고에너지 X-선 회절과 관련된 특정 특징부들 (features)은 독립적으로 본원에 기재되고 임의의 하나 이상의 이러한 특징부는 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물을 설명하기 위하여 개별적 또는 임의의 조합으로 적용될 수 있다.
크롬 카르복실레이트 조성물의 분광학적 분석, 특히 적외선 (IR) 흡광 분광학은, 조성물과 관련된 유용한 특성 정보를 제공한다. 카르복실레이트 조성물의 IR 스펙트럼 양태들은 K. Nakamoto, Infrared and Raman Spectra of Inorganic and Coordination Compounds, 4th Ed., J. Wiley ＆ Sons, New York, c. 1986, pp. 231-233에 제공된다. 또한, Cannon 및 White (Cannon, R. D and White R. P, Progress in Inorganic Chemistry; Volume 36, 1988, pp. 195-298) 및 Deacon 및 Phillips (G.B. Deacon 및 R. J. Phillips, Coordination Chemistry Reviews, 33 (1980), pp. 227-250)는 카르복실레이트 음이온과 전이금속과의 배위와 관련된 추가 정보 및 전이금속 카르복실레이트들의 IR 스펙트럼을 제공한다. 이하 Vlachos로 언급되는 Vlachos et al. (A. Vlachos, Psycharis, C. P. Raptopoula, N. Lalioti, Y. Sanakis, G. Diamantopoulos, M. Fardis, M. Karayanni, G. Papavassiliou, and A. Terzis, Inorganic Chimica Acta, 357 (2004), pp. 3162-3172)는 삼핵 크롬(III) 옥소 카르복실레이트들에 대한 IR 정보를 제공한다. Cannon 및 White, Deacon 및 Phillips, 및 Vlachos 전체는 각각 참고문헌으로 본원에 통합된다.
이러한 문헌들은, 이론에 구속되지 않고, 카르복실레이트기 산소원자들이 2개의 전이금속 원자들에 연결되는 전이금속화합물들과 카르복실레이트기 산소원자들이 모두 동일 전이금속 원자에 결합되는 것과는 υasym (CO2) IR 피크 위치들이 다르다는 것을 나타낸다. 또한, 이론에 구속되지 않고, 카르복실레이트기 산소원자들이 2개의 전이금속 원자들에 연결되는 전이금속 카르복실레이트 화합물들과 카르복실레이트기 산소원자들이 모두 동일 전이금속 원자에 결합되는 것과는 υasym (CO2) IR 피크(들) 및 υsym (CO2) IR 피크 간의 간격이 구별된 정도로 다르다. 특히, 카르복실레이트기 산소원자들이 동일 전이금속 원자에 연결되는 전이금속화합물들에 대한 υasym (CO2) IR 피크 위치는 카르복실레이트기 산소원자들이 2개의 전이금속 원자들에 결합되는 전이금속화합물들에 대한 υasym (CO2) IR 피크 위치들보다 더 낮은 파수에 존재한다. 또한, 카르복실레이트기 산소원자들이 동일 전이금속 원자에 연결되는 전이금속화합물들에 대한 υasym (CO2) IR 피크(들) 및 υsym (CO2) IR 피크 간격은 카르복실레이트기 산소원자들이 2개의 전이금속 원자들에 연결되는 전이금속화합물들의 경우보다 더 작다.
또한 이들 문헌은 전이금속 카르복실레이트 조성물은 다중 전이금속들이 단일 산소원자들에 결합되는 종들을 가진다고 밝힌다. 존재 가능한 이러한 하나의 종은, 이론에 구속되지 않고, 삼각 다리 연결된 금속 착체들이고 Cannon 및 White에 기재된 MO3 단위를 가지고 MO3 단위 (여기서 M은 전이금속)는 υasym (MO3) IR 피크가 750 cm-1 내지 500 cm-1이다. 크롬 삼각 다리 연결된 착체들에 있어서, υsym (CrO3) IR 피크는 750 cm-1 내지 650 cm-1에 나타난다.
도 6 및 도 8은 상업적으로 입수되는 2종의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물에 대한2000 cm-1 내지 1000 cm-1 IR 스펙트럼 구역이다. 각각의 IR 스펙트럼은 υasym (CO2) IR 피크들이 1616±20 cm-1 및 1549±15 cm-1 이고 υsym (CO2) IR 피크가 1429±15 cm-1이다. 도 10, 도 12, 도 14, 및 도 16은 본원에 기재된 4종의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물에 대한2000 cm-1 내지 1000 cm-1 IR 스펙트럼 구역이다. 이들 IR 스펙트럼 각각은 υasym (CO2) IR 피크들이 1516±15 cm1이고, υsym (CO2) IR 피크가 1429±15 cm-1이고, 1616±20 cm-1 및 1549±15 cm1에서 υasym (CO2) IR 피크들이 (피크들이 존재할지라도) 상당히 감소된 것을 보인다. 이들 IR 스펙트럼은 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물이 현재 상업적으로 입수되는 크롬 카르복실레이트 조성물과는 상당히 다르다는 것을 보인다.
실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)은 υsym (CO2) IR 피크의110 cm-1 내에서 υasym (CO2) IR 피크를 가진다. 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)은 υsym (CO2) IR 피크의105 cm-1 내에서 υasym (CO2) IR 피크를 가진다; 달리, υsym (CO2) IR 피크의100 cm-1 내에서 υasym (CO2) IR 피크를 가진다; 달리, υsym (CO2) IR 피크의95 cm-1 내에서 υasym (CO2) IR 피크를 가진다; 또는 달리, υsym (CO2) IR 피크의90 cm-1 내에서 υasym (CO2) IR 피크를 가진다. 다른 양태에서, υsym (CO2) IR 피크의 110 cm-1 내의 (또는 본원에 개시된 임의의 기타 범위 내의) υasym (CO2) IR 피크는 전이금속 카르복실레이트 조성물의 모든 υasym (CO2) 피크들 중 최대 흡광피크 높이를 가진다.
다른 양태에서, 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 υsym (CO2) IR 피크의 110 cm-1 내의 (또는 본원에 개시된 임의의 기타 범위 내의) υasym (CO2) IR 피크 대 υsym (CO2) IR 피크의 IR 흡광피크 높이비는 0.5:1 이상; 달리, 0.75:1 이상; 달리, 1:1 이상; 달리, 1.25:1 이상; 달리, 1.5:1 이상; 또는 달리, 1.75:1 이상이다. 다른 양태에서, 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 υsym (CO2) IR 피크의 110 cm-1 내의 (또는 본원에 개시된 임의의 기타 범위 내의) υasym (CO2) IR 피크 대 υsym (CO2) IR 피크의 IR 흡광피크 높이비는 0.5:1 내지 100:1; 달리, 0.75:1 이상 내지 80:1; 달리, 1:1 이상 내지 60:1; 달리, 1.25:1 이상 내지 40:1; 달리, 1.5:1 이상 내지 3:1; 또는 달리, 1.75:1 이상 내지 20:1이다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 υsym (CO2) IR 피크의 110 cm-1 내의 (또는 본원에 개시된 임의의 기타 범위 내의) υasym (CO2) IR 피크 대 비-크롬 결합 카르복실레이트 (CO2) IR 피크의 IR 흡광피크 높이비는 5:1 이상; 달리, 6:1 이상; 달리, 7:1 이상; 달리, 8:1 이상; 달리, 9:1 이상; 또는 달리, 10:1 이상이다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 υsym (CO2) IR 피크의 110 cm-1 내의 (또는 본원에 개시된 임의의 기타 범위 내의) υasym (CO2) IR 피크 대 비-크롬 결합 카르복실레이트 (CO2) IR 피크의 IR 흡광피크 높이비는 5:1 내지 100:1; 달리, 6:1 내지 90:1; 달리, 7:1 내지 80:1; 달리, 8:1 내지 60:1; 달리, 9:1 내지 50:1; 또는 달리, 10:1 내지 40:1이다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 υsym (CO2) IR 피크 대 비-크롬 결합 카르복실레이트 (CO2) IR 피크의 IR 흡광피크 높이비는 3.5:1 이상; 달리, 3.75:1 이상; 달리, 4 이상; 달리, 4.25:1 이상; 달리, 4.5:1 이상; 또는 달리, 4.75:1 이상이다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 달리, 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 υsym (CO2) IR 피크 대 비-크롬 결합 카르복실레이트 (CO2) IR 피크의 IR 흡광피크 높이비는 3.5:1 내지 100:1; 달리, 3.75:1 내지 90:1; 달리, 4:1 내지 80:1; 달리, 4.25:1 내지 60:1; 달리, 4.5:1 내지 50:1; 또는 달리, 4.75:1 내지 40:1이다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 υsym (CO2) IR 피크의150 cm-1 외부에 위치한 υsym (CO2) IR 피크 대 υsym (CO2) IR 피크의 110 cm-1 내의 (또는 본원에 개시된 임의의 기타 범위 내의) υasym (CO2) IR 피크의 IR 흡광피크 높이의 IR 흡광피크 높이비는 0.9:1 이하; 달리, 0.85:1 이상; 달리, 0.8:1 이상; 달리, 0.75:1 이상; 달리, 0.7:1 이상; 또는 달리, 0.65:1 이상이다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 υsym (CO2) IR 피크의 110 cm-1 내의 (또는 본원에 개시된 임의의 기타 범위 내의) υasym (CO2) IR 피크 대 υasym (CrO3) IR 피크의 IR 흡광피크 높이비는 1.5:1 이상; 달리, 3:1 이상; 달리, 5:1 이상; 달리, 6:1 이상; 또는 달리, 7:1 이상이다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 υsym (CO2) IR 피크의 110 cm-1 내의 (또는 본원에 개시된 임의의 기타 범위 내의) υasym (CO2) IR 피크 대 υasym (CrO3) IR 피크의 IR 흡광피크 높이비는 1.5:1 내지 100:1; 달리, 3:1 내지 90:1; 달리, 5:1 내지 80:1; 달리, 6:1 내지 60:1; 또는 달리, 7:1 내지 50:1이다.
실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)은 1516±15 cm1에서 υasym (CO2) IR 피크를 가진다. 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 양태 및/또는 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트에 대한 최대 흡광 IR 피크 높이는 1516±15 cm1에서υasym (CO2) IR 피크일 수 있다. 일부 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 1516±15 cm1의 IR 피크 대 1429±15 cm-1의 IR 피크의 IR 흡광피크 높이비는 0.5:1 이상; 달리, 0.75:1 이상; 달리, 1:1 이상; 달리, 1.25:1 이상; 달리, 1.5:1 이상; 달리, 1.55:1 이상; 달리, 1.6:1 이상; 달리, 1.65:1 이상; 달리, 1.7:1 이상; 또는 달리, 1.75:1 이상이다. 다른 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 1516±15 cm1의 IR 피크 대 1429±15 cm-1의 IR 피크의 IR 흡광피크 높이비는 0.5:1 내지 100:1; 달리, 0.75:1 이상 내지 80:1; 달리, 1:1 이상 내지 60:1; 달리, 1.25:1 이상 내지 40:1; 달리, 1.5:1 이상 내지 3:1; 또는 달리, 1.75:1 이상 내지 20:1이다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 1516±15cm1 의 υasym (CO2) IR 피크 대 1616±20 cm-1 의 υsym(CO2) IR 피크의 IR 피크 높이비는 1:1 이상; 달리, 1.5:1 이상; 달리, 2:1 이상; 달리, 2.5:1 이상; 또는 달리, 3:1 이상이다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 1:1 내지 100:1; 달리, 1.5:1 내지 80:1; 달리, 2:1 내지 60:1; 달리, 2.5:1 내지 50:1; 또는 달리, 3:1 내지 40:1이다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 1516±15 cm-1의 υsym (CO2) IR 피크 대 1685±20 cm-1의 비-크롬 (CO2) 결합 IR 피크의 IR 피크 높이비는 5:1 이상; 달리, 6:1 이상; 달리, 7:1 이상; 달리, 8:1 이상; 달리, 9:1 이상; 또는 달리, 10:1 이상이다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 1516±15 cm-1의 υsym (CO2) IR 피크 대 1685±20 cm-1의 비-크롬 (CO2) 결합 IR 피크의 IR 피크 높이비는 5:1 내지 100:1; 달리, 6:1 내지 90:1; 달리, 7:1 내지 80:1; 달리, 8:1 내지 60:1; 달리, 9:1 내지 50:1; 또는 달리, 10:1 내지 40:1이다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 1429±15 cm-1의 υsym (CO2) IR 피크 대 1685±20 cm-1의 비-크롬 (CO2) 결합 IR 피크의 IR 피크 높이비는 3.5:1 이상; 달리, 3.75:1 이상; 달리, 4:1 이상; 달리, 4.25:1 이상; 달리, 4.5:1 이상; 또는 달리, 4.75:1 이상이다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 1429±15 cm-1의 υsym (CO2) IR 피크 대 1685±20 cm-1의 비-크롬 (CO2) 결합 IR 피크의 IR 피크 높이비는 3.5:1 내지 100:1; 달리, 3.75:1 내지 90:1; 달리, 4:1 내지 80:1; 달리, 4.25:1 내지 60:1; 달리, 4.5:1 내지 50:1; 또는 달리, 4.75:1 내지 40:1이다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 1616±20 cm-1 의 υsym (CO2) IR 피크 대 1429±15 cm1 에서의 υasym (CO2) IR 피크의 IR 흡광피크 높이의 IR 흡광피크 높이비는 0.9:1 이하; 달리, 0.85:1 이상; 달리, 0.8:1 이하; 달리, 0.75:1 이하; 달리, 0.7:1 이하; 또는 달리, 0.65:1 이하이다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 695±20 cm-1의 IR 피크 대 1429±15 cm1 에서의 υasym (CO2) IR 피크의 IR 흡광피크 높이의 IR 흡광피크 높이비는 1:1 이하; 달리, 0.8:1 이하; 달리, 0.6:1 이하; 달리, 0.4:1 이하; 달리, 0.3:1 이하; 달리, 0.25:1 이하; 달리, 0.2:1 이하; 달리, 0.18:1 이하; 또는 달리, 0.16:1 이하이다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 695±20 cm-1의 IR 피크 대 1429±15 cm1 에서의 υasym (CO2) IR 피크의 IR 흡광피크 높이의 IR 흡광피크 높이비는 1:1 이하; 달리, 0.8:1 이하; 달리, 0.6:1 이하; 달리, 0.4:1 이하; 달리, 0.3:1 이하; 달리, 0.25:1 이하; 달리, 0.2:1 이하; 달리, 0.18:1 이하; 또는 달리, 0.16:1 이하이다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 1516±15 cm1의 υasym (CO2) IR 피크 대 700±50 cm-1의 IR 피크의 IR 피크 높이비는 1.5:1 이상; 달리, 3:1 이상; 달리, 5:1 이상; 달리, 6:1 이상; 또는 달리, 7:1 이상이다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정)의 1429±15 cm-1의 υsym (CO2) IR 피크 대 700±50 cm-1의 비-크롬 (CO2) 결합 IR 피크의 IR 피크 높이비는 1.5:1 내지 100:1; 달리, 3:1 내지 90:1; 달리, 5:1 내지 80:1; 달리, 6:1 내지 60:1; 또는 달리, 7:1 내지 50:1이다
실시태양에서, 이러한 IR 피크 관련 특징부들은 KBr에 함유된 크롬 카르복실레이트 조성물 (KBr 펠렛)을 적외선 분석하여 결정된다. 달리, 크롬 카르복실레이트 조성물이 KBr 펠렛에서 분석에 적합하지 않다면, IR 분석은 필요한 IR 피크 영역들에서 IR 투명한 용매 또는 분산제 (예를들면, 특히 미네랄 오일 예컨대 Nujol)에 전이금속 카르복실레이트 조성물을 넣고 수행될 수 있다. 또한, IR 피크 높이비 특징부들은 원 (raw) 피크 높이들 또는 기준선 교정 피크 높이들에 기초할 수 있다.
일반적으로, X-ray 결정학은 양호한 결정들을 형성하는 물질을 특정하기 위하여 사용된다. 그러나, 일부 경우에는, 양호한 결정을 형성할 것이라고 보이는 것들이 전통적인 X-ray 결정학에 적합한 결정들을 형성하지 못한다. 예를들면, 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트는 비정질체를 형성하고 이는 전통적인 X-ray 결정학에 적합하지 않다 (도 4 참고). 유사하게, 본원에 기재된 방법들로 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트는 비정질체를 형성한다 (도 3 참고); 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트는 녹색의 점착성 고체이며 결정성의 증거를 보이지 않고 전통적인 X-ray 결정학에 적합하지 않다. 이러한 경우들에는, 고에너지 X-선 회절을 적용하여 물질에 대한 구조 정보를 확인할 수 있다. 이러한 물질에대한 고에너지 X-선 회절 데이터를 다른 물질의 고에너지 X-선 회절 데이터 또는 물질의 이론 모델에 대한 계산된 고에너지 회절 데이터와 비교하여 물질 구조 및/또는 물질이 다른 물질과의 유사 여부를 확인할 수 있다
일부 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 (일반 또는 특정) 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)에 의해 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물을 고에너지 X-선 회절로 분석하여 크롬 카르복실레이트 조성물에 존재하는 크롬 카르복실레이트 분자(들)의 구조 또는 구조들를 결정하고 및/또는 크롬 카르복실레이트 조성물에 존재한다고 예상되는 이론 물질 모델들의 계산된 고에너지 회절 데이터와 비교한다. 예를들면, “Synthesis and structural studies of metal (Cr, Zn and Bi) carboxylate liquids” R. T. Hart Jr., N. A. Eckert, J. K. Ngala, A. F. Polley, C. J. Benmore, A. Clark, S. Macha, Presentation CATL 20, The 237th ACS National Meeting, Salt Lake City, UT, March 23, 2009에서 크롬(III) 카르복실레이트를 형성하는 수성 복분해 과정 및 치환 과정의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 Cr3O(O2CCH3)6, Cr8(OH)8(O2CCH3)12, 및 Cr12O(O2CCH3)6 모델들의 이론적 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 비교하였고, 모델들은 M. Eshel, et al., Inorg. Chem., 2000, 39, pp1376, 및 M. Eshel, et al., Inorg Chim. Acta, 2002, 329, pp45 에서 제시된 데이터로 구성되었다. Hart Jr. et al. 및 M. Eshel et al. 전체는 참고문헌으로 본원에 통합된다.
이론에 구속되지 않고, 본원에 기재된 또는 본원에 개시된 임의의 방법(들)로 제조되는크롬 카르복실레이트 조성물(들)은 상당한 함량의 단핵 크롬 카르복실레이트를 가진다고 판단된다. 이러한 가정을 시험하기 위하여, 본원에 기재된 임의의 크롬 조성물 또는 본원에 개시된 임의의 방법(들)로 제조되는임의의 크롬 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 진정 단핵 크롬 카르복실레이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 비교한다. 많은 경우에 단핵 크롬 카르복실레이트들의 순수 및/또는 진정 샘플이 가용되지 않는다. 이러한 경우에, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 또는 본원에 개시된 임의의 방법(들)로 제조되는임의의 크롬 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대한 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 비교한다. 단핵 크롬 카르복실레이트 모델은 당업자에게 이용되는 임의의 방법들로 얻어진다. 하나의 예로써, 단핵 크롬(III) 카르복실레이트 모델은 고스핀 Cr(III) 중심을 사중 바닥 스핀 상태를 가진다고 가정하고 PM3 기하구조 최적화를 통한 구조 검색으로 초기 기하구조를 얻고 Cr에 대한 유효 코어 포텐셜을 LACVP 기본 세트 및 H, C, O에 대하여는 6-31g**으로 DFT B3LYP 활용에 의한 추가 기하 구조 최적화를 통해 Spartan 08을 이용하여 얻는다. 다른 예시로써, 단핵 크롬 카르복실레이트 모델은 크롬(III) 카르복실레이트들에 대하여 본원에 기재된 것과 유사한 경험적 방법으로 얻을 수 있다. 단핵 크롬 카르복실레이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들은 당업자에게 가용한 방법들 및/또는 프로그램들을 이용하여 계산된다. 예를들면, PDFgui - version 1.0 - C.L.Farrow, P.Juhas, J.W.Liu, D.Bryndin, E.S.Boin, J.Bloch, Th.Proffen and S.J.L.Billinge, PDFfit2 and PDFgui: 결정의 나노구조 연구용 컴퓨터 프로그램들에 구현된 함수 및 루틴의 PDFFit library, J.Phys.: Condens. Matter 19, 335219 (2007))를 이용하여 단핵 크롬 카르복실레이트 모델에 대한 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들을 계산한 후 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들로 전환한다.
본원에 기재되거나 본원에 개시되는 방법(들)로 제조되는 크롬 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 진정 단핵 크롬 카르복실레이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 단핵 크롬 카르복실레이트의 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 비교하는 것은 당업자에게 알려지고 적용되는 방법으로 가능하다. 본원에 기재되거나 본원에 개시되는 방법(들)로 제조되는 크롬 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 진정 단핵 크롬 카르복실레이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 단핵 크롬 카르복실레이트의 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 비교하는 하나의 방법은 적합도 검정을 수행하는 것이다. 적합도 검정값, R2이 1에 가까울수록, 크롬 조성물은 상당한 함량의 단핵 크롬 카르복실레이트를 가질 가능성이 높다.
단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 이용하여 비교할 때, 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델과 비교되고 실제 단핵 크롬 카르복실레이트 구조를 반영하는 것이 아니므로 적합도 검정값 R2이 1에 아주 가까울 것이라고 예상하지 않는다 것에 주목하여야 한다. 이론에 구속되지 않고, 임의의 본원 기재 크롬 카르복실레이트 조성물 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)으로 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물이 순수 단핵 크롬 카르복실레이트이라도, 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델 구조와 실제 순수 단핵 크롬 카르복실레이트 간에 차이가 있을 수 있으므로 적합도 검정값 R2이 1이 아닐 수 있다고 판단된다. 이들 구조 간 차이로 인하여 측정된고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 간의 차이가 발생될 수 있다. 따라서, 적합도 검정값, R2은 1로 예상되지 않을 수 있다. 그러나, 상당한 함량의 단핵 크롬 카르복실레이트를 가지는 크롬 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들은 상당한 함량의 이핵, 삼핵, 또는 고차 다핵 크롬 카르복실레이트 종들을 가지는 크롬 카르복실레이트 조성물보다 1에 더 가까운 적합도 검정값, R2을 가지므로 적합도 검정값, R2은 여전히 가치가 있다.
크롬 카르복실레이트에서 카르복실레이트의 탄소원자들 개수에 따라, 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델을 준비하는 것은 불가능하거나 어려울 수 있다. 단핵 크롬 카르복실레이트들의 이론적 구조들을 검토하면, 크롬 원자, 전이금속과 착화되는 카르복실레이트기의 2개의 산소원자들, 카르복실레이트기 탄소 및 산소원자들, 및 카르복실레이트기에 결합되는 탄소원자는 다른 원자들로부터 거리를 변경시킬 수 있는 임의의 결합 주위로 자유 회전을 할 수 없으므로 상대적으로 고정된다는 것이 명백하다. 따라서, 크롬 카르복실레이트의 카르복실레이트 함수로서 이들 원자간 각자의 결합 거리 및 결합각에 대한 큰 변형이 없을 것이라고 예상된다. 임의의 추가적인 치환체들 없이, 이들 원자는 크롬 아세테이트를 형성한다. 따라서, 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 또는 본원에 기재된 임의의 방법으로 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물은 단핵 크롬 아세테이트와 비교된다. If 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)로 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물이 상당한 함량의 단핵 크롬 카르복실레이트를 가지면, 단핵 크롬 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들은 진정 크롬 아세테이트의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 단핵 크롬 아세테이트 이론 모델의 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 비교될 수 있을 것이라고 예상된다. 이론에 구속되지 않고, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)으로 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물은 진정 크롬 아세테이트 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 단핵 크롬 아세테이트 이론 모델의 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 상당히 유사할 것이라고 예상된다. 특히, 분자간 상호작용에 의한 기여 및 카르복실레이트 (C=O) 탄소원자에 결합되는 탄소원자를 넘는 카르복실레이트기의 비-수소원자들의 기여가 작은 4A r 값들까지의 비교는 유의할 것이다.
적합도 검정값, R2과 관련하여, 적합도 검정값은 식 R2 = 1 - (SSerr / SStot)을 이용하여 계산한다. 식 R2 = 1 - (SSerr / SStot)에서, SSerr 는 크롬 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 a) 실제 단핵 크롬 카르복실레이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 b) 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대한 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 간 잔차 제곱의 합이다. 식 R2 = 1 - (SSerr / SStot)에서, SStot 는 크롬 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 평균 간의 차이 제곱의 합이다. 적합도 검정값이 유의한 값을 가지려면, 유의한 개수의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 사용하여 시험이 수행되어야 한다. 본원에서, 적합도 검정값이 계산되는 r 값의 범위에서0.01 옹스트롬 구간의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 이용하여 적합도 검정값을 계산한다. 전형적으로, 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들은 옹스트롬의 백분의 일까지 정확한 r 값들을 가질 수 있다. 그러나, 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들은 0.01 옹스트롬 구간의 r 값들의 임의의 집합의 g(r) 데이터 점들에 기초할 수 있다. 또한, 최적의 적합도 검정값을 제공하기 위하여 (및 g(r) 데이터 점들의 보간을 피하기 위하여), 크롬 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 실제 단핵 크롬 카르복실레이트의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터는 동일 r 값들에 위치하여야 한다.
실시태양에서, 적합도 검정값은 크롬 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 실제 단핵 크롬 카르복실레이트의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들의 광범위한 r 값들에 대한 적합도 검정 적용에 기초한다. 일부 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 실제 단핵 크롬 카르복실레이트의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 비교하기 위하여 적합도 검정값을 위한 최소 r 값은 1.2 옹스트롬; 달리, 1.25 옹스트롬; 달리, 1.3 옹스트롬; 달리, 1.35 옹스트롬; 또는 달리, 1.4 옹스트롬이다. 일부 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 실제 단핵 크롬 카르복실레이트의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 비교하기 위하여 적합도 검정값을 위한 최대 r 값으 4 옹스트롬; 달리, 3.9 옹스트롬; 달리, 3.8 옹스트롬; 달리, 3.7 옹스트롬; 또는 달리, 3.6 옹스트롬; 달리, 3.5 옹스트롬; 달리, 3.4 옹스트롬; 달리, 3.3 옹스트롬; 달리, 3.2 옹스트롬; 달리, 3.1 옹스트롬; 또는 달리, 3.0 옹스트롬이다. 실시태양에서, 적합도 검정값은 크롬 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 실제 단핵 크롬 카르복실레이트의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 비교하기 위하여 본원에 기재된 임의의 최소 r 값 내지 본원에 기재된 임의의 최대 r 값의 범위에서의 적합도 검정에 기초한다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 적합도 검정값은 크롬 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 실제 단핵 크롬 카르복실레이트의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 비교하기 위하여 1.3 옹스트롬 내지 4 옹스트롬; 또는 달리, 1.3 옹스트롬 내지 3.2 옹스트롬; 달리, 1.3 옹스트롬 내지 3.3 옹스트롬; 달리, 1.3 옹스트롬 내지 3.4 옹스트롬; 달리, 1.3 옹스트롬 내지 3.5 옹스트롬; 달리, 1.3 옹스트롬 내지 3.6 옹스트롬; 달리, 1.3 옹스트롬 내지 3.7 옹스트롬; 달리, 1.3 옹스트롬 내지 3.8 옹스트롬; 달리, 1.3 옹스트롬 내지 3.9 옹스트롬; 달리, 1.3 옹스트롬 내지 4.0 옹스트롬인 r 값 범위에서의 적합도 검정에 기초한다.
이들 범의 r 값들은 인위적인 것으로 보인다. 그러나, 최대 r 값은, 이론에 구속되지 않고, 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절이 적용될 때 분자간 기여 및 카르복실레이트 (C=O) 탄소원자에 결합되는 탄소원자를 넘는 결합 회전의 영향이 정확하게 고려될 수 없다는 추정에 기반하여 선택된다. 따라서 이러한 난해한 모델 특성을 배제하기 위하여 최대 r 값이 선택될 수 있다. 하한 r 값은, 이론에 구속되지 않고, 더욱 중요하고 및/또는 더욱 유의한 원자 대 원자 거리들은 평균 원자 대 원자 거리를 적어도 1.2 내지 1.3 옹스트롬로 가질 수 있다는 추정에 기초한다. 또한, 1.2 옹스트롬보다 짧은 결합 유일한 거리는 탄소-수소 결합들이고 이는 산란 강도에 1% 미만으로 기여하고 일반적으로 데이터 취급 및 모델화에서 고려되지 않는다. 따라서, 하한 r 값은 중요하고 및/또는 유의한 최단 원자 대 원자 거리들에 대한 기여를 포함하도록 선택된다.
실시태양에서, 적합도 검정은 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 및/또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)로 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들, 및 진정 단핵 크롬 카르복실레이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 사이에 수행된다. 다른 실시태양에서, 적합도 검정은 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 및/또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)로 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들, 및 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 사이에 수행된다. 실시태양에서, 적합도 검정값, R2은 본원에 개시된 임의의 r 범위에서 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들에 기초한다. 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 및/또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)로 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들, 및 진정 단핵 크롬 카르복실레이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 간의 적합도 검정값 (본원에 개시된 임의의 r 범위에서) R2은 적어도 0.55; 달리, 적어도 0.60; 달리, 적어도 0.625; 달리, 적어도 0.65; 달리, 적어도 0.675; 달리, 적어도 0.70; 달리, 적어도 0.725; 달리, 적어도 0.75; 달리, 적어도 0.775; 달리, 적어도 0.80; 달리, 적어도 0.825; 달리, 적어도 0.85; 달리, 적어도 0.875; 또는 달리, 적어도 0.90이다. 다른 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 및/또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)로 제조되는 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들, 및 진정 단핵 크롬 카르복실레이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 또는 단핵 크롬 카르복실레이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 간의 적합도 검정값 (본원에 개시된 임의의 r 범위에서) R2은 0.55 내지 1; 달리, 0.60 내지 1; 달리, 0.625 내지 1; 달리, 0.65 내지 1; 달리, 0.675 내지 1; 달리, 0.70 내지 1; 달리, 0.725 내지 1; 달리, 0.75 내지 1; 달리, 0.775 내지 1; 달리, 0.80 내지 1; 달리, 0.825 내지 1; 달리, 0.85 내지 1; 달리, 0.875 내지 1; 또는 달리, 0.90 내지 1이다.
비-제한적 실시태양에서, 적합도 검정을 이용하여 본원에 기재된 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 또는 본원에 기재된 임의의 방법으로 제조되는 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들은 진정 단핵 크롬(III) 카르복실레이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 비교된다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 적합도 검정을 이용하여 본원에 기재된 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 또는 본원에 기재된 임의의 방법으로 제조되는 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들은 단핵 크롬(III) 카르복실레이트 이론 모델의 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 비교된다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 적합도 검정을 이용하여 본원에 기재된 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 또는 본원에 기재된 임의의 방법으로 제조되는 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들은 진정 단핵 크롬(III) 아세테이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 비교된다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 적합도 검정을 이용하여 본원에 기재된 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 또는 본원에 기재된 임의의 방법으로 제조되는 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들은 단핵 크롬(III) 아세테이트 이론 모델의 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 비교된다. 본원에 개시된 임의의 실시태양 또는 양태에서, 본원에 기재된 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 및/또는 본원에 개시된 임의의 방법(들)로 제조되는임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 진정 단핵 크롬(III) 카르복실레이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들, 진정 단핵 크롬(III) 아세테이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들, 단핵 크롬(III) 카르복실레이트 이론 모델에 대한 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r), 또는 단핵 크롬(III) 아세테이트 이론 모델에 대한 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 간의 적합도 검정 (본원에 개시된 임의의 r 범위에서)에 대한 적합도 검정값, R2은 적어도 0.55; 달리, 적어도 0.60; 달리, 적어도 0.625; 달리, 적어도 0.65; 달리, 적어도 0.675; 달리, 적어도 0.70; 달리, 적어도 0.725; 달리, 적어도 0.75; 달리, 적어도 0.775; 달리, 적어도 0.80; 달리, 적어도 0.825; 달리, 적어도 0.85; 달리, 적어도 0.875; 또는 달리, 적어도 0.90이다. 본원에 개시된 임의의 실시태양 또는 양태에서, 본원에 기재된 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 및/또는 본원에 개시된 임의의 방법(들)로 제조되는임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 진정 단핵 크롬(III) 카르복실레이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들, 진정 단핵 크롬(III) 아세테이트에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들, 단핵 크롬(III) 카르복실레이트 이론 모델에 대한 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r), 또는 단핵 크롬(III) 아세테이트 이론 모델에 대한 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 간의 적합도 검정 (본원에 개시된 임의의 r 범위에서)에 대한 적합도 검정값, R2은 0.55 내지 1; 달리, 0.60 내지 1; 달리, 0.625 내지 1; 달리, 0.65 내지 1; 달리, 0.675 내지 1; 달리, 0.70 내지 1; 달리, 0.725 내지 1; 달리, 0.75 내지 1; 달리, 0.775 내지 1; 달리, 0.80 내지 1; 달리, 0.825 내지 1; 달리, 0.85 내지 1; 달리, 0.875 내지 1; 또는 달리, 0.90 내지 1이다.
일부 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 또는 본원에 기재된 임의의 방법(들)으로 제조되는 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물은, 실시태양 본원에 기재된 임의의 특정화을 단일 또는 임의의 조합으로 적용하여 특정될 수 있다; 예를들면 특히 본원에 개시되는 적외선 피크 유무, 본원에 개시되는 임의의 적외선 피크 높이 특징, 본원에 기재된 임의의 적외선 피크 파장 간격 (wavelength separation), 본원에 개시되는 임의의 적외선 피크 높이비, 본원에 기재된 임의의 고에너지 X-선 회절 피크 유무, 및/또는 본원에 개시되는 임의의 적합도 검정값 R2. 각각의 이들 특정 요소는 본원에 개시되고 본 발명의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물(들)을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 적용될 수 있다.
실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 조성물은 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법에 의해 제조되는 크롬 카르복실레이트 조성물로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 조성물은 본원에 기재된 임의의 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법에 의해 제조되는 크롬(III) 카르복실레이트 조성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
다양한 양태들 및 실시태양들에서, 본원에 기재된 조성물 (또는 촉매시스템들)은 질소-함유 화합물을 이용한다. 일반적으로, 질소 함유 화합물은 질소원자를 가지는 임의의 유기화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물은 아민, 아미드, 니트릴 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 아민; 달리, 및 아미드; 또는 달리, 니트릴 이거나 구성되거나 실질적으로 이루어진다.
실시태양에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아민은 비-금속성 금속 함유 화합물; 또는 달리, 금속성 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일 양태에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아민 (금속성 또는 비-금속성)은 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 피롤 화합물은 비-금속성 피롤 화합물; 달리, 금속 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아미드는 비-금속성 아미드; 또는 달리 금속성 아미드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
질소 함유 화합물로 활용되는 아민은 C1 내지 C60 아민; 달리, C1-C45 아민; 달리, C1-C30 아민; 달리, C1-C20 아민; 또는 달리, C1-C15 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아민은 모노히드로카르빌아민, 디히드로카르빌아민, 트리히드로카르빌 아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 모노히드로카르빌아민, 디히드로카르빌아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 모노히드로카르빌아민; 달리, 디히드로카르빌아민; 또는 달리, 트리히드로카르빌 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아민은 지방족 아민, 방향족 아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 지방족 아민; 또는 달리, 방향족 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아민 (지방족 또는 방향족)은 환형 아민, 비환형 아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 환형 아민; 또는 달리, 비환형 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아민은, 식 NR6R7R8, NHR6R7, NH2R6을 가지는 아민, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 식중 R6, R7, 및 R8은 독립적으로 히드로카르빌기들이다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아민은 식 NR6R7R8; 달리, 식 NHR6R7; 또는 달리, 식 NH2R6을 가지는 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 히드로카르빌기들은 일반적으로 본 발명에서 개시된다 (예를들면 무엇보다도 식 O2CR2c 을 가지는 모노카르복실레이트에 대한 R2c 선택 및/또는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14에 대한 선택, 및 치환기들로서). 본원에 기재된 히드로카르빌기들 (명시적으로 특정되거나 당업자에 의해 암시적으로 인식되는)의 양태들 및 실시태양들은 질소 함유 화합물로 활용되는 N히드로카르빌아미드들을 더욱 기술하기 위하여 활용될 수 있는 히드로카르빌기들로서 제한없이 적용될 수 있다. 또한, 이들 히드로카르빌기는 질소 함유 화합물로 활용되는 모노히드로카르빌아민, 디히드로카르빌아민, 및/또는 트리히드로카르빌 아민을 더욱 기술하기 위하여 활용될 수 있는 히드로카르빌기들로서 제한없이 적용될 수 있다. 또한, 이들 히드로카르빌기는 질소 함유 화합물로 활용되는 식 NR6R7R8, NHR6R7, 및/또는 NH2R6을 가지는 아민에 대한 R6, R7, 및 R8로서 제한 없이 적용될 수 있다.
모노히드로카르빌아민, 디히드로카르빌아민, 트리히드로카르빌 아민, 식 NR6R7R8을 가지는 아민, 식 NHR6R7을 가지는 아민, 식 NH2R6을 가지는 아민은 잠재적 중성 리간드들 및/또는 공정에서 촉매시스템을 ?칭, 비활성화 및/또는 중지 (kill)시키는 잠재적 조제로 본원에 기재된다. 이들 아민은 본원에 기재된 임의의 조성물 (또는 촉매시스템)에서 질소 함유 화합물로서 제한없이 활용될 수 있다. 일부 기타 실시태양들에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아민은 암모니아이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
질소 함유 화합물로 활용되는 아미드들은 C2 내지 C30 아미드들; 달리, C2-C25 아미드들; 달리, C2-C15 아미드들; 또는 달리, C2-C10 아미드들이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아미드는 N-히드로카르빌아미드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아미드는 지방족 아미드, 방향족 아미드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 지방족 아미드; 또는 달리, 방향족 아미드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아미드는 환형 아미드 또는 비환형 아미드; 달리, 환형 아미드; 또는 달리, 비환형 아미드거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아미드는 식 R15C(=O)NH2, R15C(=O)NHR16을 가지는 아미드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, R15C(=O)NH2; 또는 달리, R15C(=O)NHR16이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, R15 및 R16 은 독립적으로 히드로카르빌기들이다. 히드로카르빌기들은 일반적으로 본 발명에서 개시된다 (예를들면 무엇보다도 식 O2CR2c을 가지는모노카르복실레이트에 대한 R2c 선택, 및/또는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14에 대한 선택으로). 본원에 기재된 히드로카르빌기들 (명시적으로 특정되거나 당업자에 의해 암시적으로 인식되는)의 양태들 및 실시태양들은, 질소 함유 화합물로 활용되는 N히드로카르빌아미드들을 더욱 기술하기 위하여 활용되는 히드로카르빌기들로서 제한없이 활용될 수 있다. 또한, 이들 히드로카르빌 치환기는 질소 함유 화합물로 활용되는식 R15C(=O)R16을 가지는 아미드들의 R15 및 R16으로 제한없이 활용될 수 있다.
실시태양에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아미드는, 아세트아미드, N-히드로카르빌-아세트아미드, N메틸히드로카르빌아미드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, N히드로카르빌아세트아미드, N메틸히드로카르빌아미드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 아세트아미드; 달리, N-히드로카르빌아세트아미드; 또는 달리, N메틸히드로카르빌아미드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 아미드는 아세트아미드, N메틸프로판아미드, N메틸부탄아미드, N메틸펜탄아미드, N메틸헥산아미드, 숙신아미드, 말레아미드, N메틸벤즈아미드, N메틸톨루아미드, N메틸자일아미드, 이미다졸-2-탄소아미드, β락탐, δ락탐, ε카프로락탐, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, N메틸프로판아미드, N-메틸부탄아미드, N메틸펜탄아미드, N메틸헥산아미드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 숙신아미드, 말레아미드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, N메틸벤즈아미드, N메틸톨루아미드, N메틸자일아미드, 또는 임의의 이들의 조합; β락탐, δ락탐, ε카프로락탐, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, N메틸프로판아미드; 달리, N메틸부탄아미드; 달리, N메틸펜탄아미드; 달리, N메틸헥산아미드; 달리, 숙신아미드; 달리, 말레아미드; 달리, N메틸벤즈아미드; 달리, N메틸톨루아미드; 달리, N메틸자일아미드; 달리, 이미다졸-2-탄소아미드; 달리, β락탐; 달리, δ락탐; 또는 달리, ε카프로락탐이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
질소 함유 화합물로 활용되는 니트릴은 C2-C20 니트릴; 달리, C2-C15 니트릴; 달리, C2-C10 니트릴; 또는 달리, C2-C5 니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 니트릴은 지방족 니트릴, 방향족 니트릴, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 지방족 니트릴; 또는 달리, 방향족 니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 니트릴은 환형 니트릴 또는 비환형 니트릴; 달리, 환형 니트릴; 또는 달리, 비환형 니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물로 활용되는 니트릴은 식 R1C≡ N을 가지는 아미드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
니트릴은 크롬 카르복실레이트 생산에 사용되는 크롬 전구체를 위한 잠재적 중성 리간드 (또는 니트릴 배위화합물)로서 본원에 개시된다. 이들 니트릴 (일반 또는 특정)은 질소 함유 화합물로서 제한없이 활용될 수 있다.
일 양태에서, 질소 함유 화합물은 피롤 화합물 (특정 유형의 아민)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 피롤 화합물은 본원에서 사용되는 바와 같이 피롤 고리를 가지는 화합물이고 피롤 화합물은 달리 특정되지 않는 한, 피롤 고리를 가지는 임의의 화합물을 포함한다. 따라서, 피롤 화합물은 달리 특정되지 않는 한 피롤, 인돌, 테트라히드로인돌, 카르바졸, 및 임의의 이들의 치환된 유사체들을 포함한다. 일 양태에서, 피롤 화합물은 금속성 피롤 화합물, 비-금속성 피롤 화합물, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 비-금속성 피롤 화합물; 또는 달리, 금속성 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 피롤 화합물 (금속성 또는 비-금속성)은 C4-C60 피롤 화합물; 달리, C4-C45 피롤 화합물; 달리, C4-C30 피롤 화합물; 달리, C4-C20 피롤 화합물; 또는 달리, C4-C15 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 달리 표기하지 않는 한, 피롤 화합물에서 탄소원자들 개수 표기는 피롤 화합물 내에 기타 원소들 (수소, 탄소, 및 피롤 질소 이외) 존재를 배재하는 것은 아니라는 것에 주목하여야 한다 (예를들면, 금속 피롤리드들의 금속, 할라이드들, 산소, 및 기타 질소원자들).
일 양태에서, 피롤 화합물은 구조 P1을 가진다.
Figure pct00006
구조 P1에서, R2p, R3p, R4p, 및 R5p 는 독립적으로 수소원자 또는 치환기일 수 있다. 실시태양에서 피롤 화합물이 구조 P1을 가지면, R3p, R4p, 및 R5p 은 수소 및 R2p은 본원에 기재된 임의의 비-수소 치환체; 또는 달리, R2p, R4p, 및 R5p 은 수소 및 R3p 은 본원에 기재된 임의의 비-수소 치환체이다. 실시태양에서 피롤 화합물이 구조 P1을 가지면, R3p 및 R4p 은 수소 및 R2p 및 R5p 은 독립적으로 본원에 기재된 임의의 비-수소 치환체; 달리, R2p 및 R5p 은 수소 및 R3p 및 R4p 은 독립적으로 본원에 기재된 임의의 비-수소 치환체; 또는 달리, R2p 및 R4p 은 수소 및 R3p 및 R5p 은 독립적으로 본원에 기재된 임의의 비-수소 치환체이다. 실시태양에서 피롤이 구조 P1을 가지면, R5p 은 수소 및 R2p, R3p, 및 R4p 은 독립적으로 본원에 기재된 임의의 비-수소 치환체; 또는 달리, R4p 은 수소 및 R2p, R3p, 및 R5p 은 본원에 기재된 임의의 비-수소 치환체이다. 다른 실시태양들에서, R2p, R3p, R4p, 및 R5p 은 독립적으로 본원에 기재된 임의의 비-수소 치환체이다.
실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 피롤 화합물은 구조 P2, 구조 P3, 구조 P4, 구조 P5, 또는 이들의 조합; 달리, 구조 P2, 구조 P3, 구조 P4, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 구조 P2; 달리, 구조 P3; 달리, 구조 P4; 또는 달리, 구조 P5을 가진다.
Figure pct00007

피롤 구조들 P2, P3, P4, 및 P5에서, R12p, R13p, R14p, R22p, R24p, R33p, R34p, R42p, 및 R45p 은 독립적으로 본원에 기재된 임의의 비-수소 치환체이다.
실시태양에서, 구조 P1을 가지는 피롤 화합물의 R2p, R3p, R4p, 및 R5p 로 활용되거나 구조들 P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물들의 R12p, R13p, R14p, R22p, R24p, R33p, R34p, R42p, 및 R45p로 활용되는 각각의 비-수소 치환기들은 독립적으로 할라이드, 유기산소 (organoxy)기, 또는 오르가닐기; 달리, 할라이드 또는 유기산소기; 달리, 할라이드 또는 오르가닐기; 달리, 유기산소기 또는 오르가닐기; 달리, 할라이드; 달리, 유기산소기; 또는 달리, 오르가닐기이다. 실시태양에서, 구조 P1을 가지는 피롤 화합물의 R2p, R3p, R4p, 및 R5p 로 활용되거나 구조들 P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는피롤 화합물들의 R12p, R13p, R14p, R22p, R24p, R33p, R34p, R42p, 및 R45p 로 활용되는 독립적으로 각각의 비-수소 치환기들은 할라이드, 불활성 작용기들로 이루어지는 유기산소기, 또는 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기; 달리, 할라이드 또는 불활성 작용기들로 이루어지는 유기산소기; 달리, 할라이드 또는 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기; 달리, 불활성 작용기들로 이루어지는 유기산소기 또는 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기; 달리, 할라이드; 달리, 불활성 작용기들로 이루어지는 유기산소기; 또는 달리, 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기이다. 실시태양에서, 구조 P1을 가지는 피롤 화합물의 R2p, R3p, R4p, 및 R5p 로 활용되거나 구조들 P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는피롤 화합물들의 R12p, R13p, R14p, R22p, R24p, R33p, R34p, R42p, 및 R45p로 활용되는 각각의 비-수소 치환기들은 독립적으로 할라이드, 히드로카르복시기, 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르빌기; 달리, 히드로카르복시기 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드; 달리, 히드로카르복시기; 또는 달리, 히드로카르빌기이다.
일 양태 또는 본원에 기재된 임의의 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 오르가닐기는 독립적으로 C1C30 오르가닐기; 달리, C1C18 오르가닐기; 달리, C1C10 오르가닐기; 또는 달리, C1C5 오르가닐기이다. 일 양태 또는 본원에 기재된 임의의 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 유기산소기는 독립적으로 C1C30 유기산소기; 달리, C1C18 유기산소기; 달리, C1C10 유기산소기; 또는 달리, C1C5 유기산소기이다. 일 양태 또는 본원에 기재된 임의의 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기는 독립적으로 C1C30 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기; 달리, C1C18 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기; 달리, C1C10 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기; 또는 달리, C1C5 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기이다. 일 양태 또는 본원에 기재된 임의의 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 불활성 작용기들로 이루어지는 유기산소기는 독립적으로 C1C30 불활성 작용기들로 이루어지는 유기산소기; 달리, C1C18 불활성 작용기들로 이루어지는 유기산소기; 달리, C1C10 불활성 작용기들로 이루어지는 유기산소기; 또는 달리, C1C5 불활성 작용기들로 이루어지는 유기산소기이다. 일 양태 또는 본원에 기재된 임의의 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 히드로카르빌기는 독립적으로 C1C30 히드로카르빌기; 달리, C1C18 히드로카르빌기; 달리, C1C10 히드로카르빌기; 또는 달리, C1C5 히드로카르빌기이다. 일 양태 또는 본원에 기재된 임의의 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 히드로카르복시기는 독립적으로 C1C30 히드로카르복시기; 달리, C1C18 히드로카르복시기; 달리, C1C10 히드로카르복시기; 또는 달리, C1C5 히드로카르복시기이다.
일 양태 또는 본원에 기재된 임의의 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 할라이드는 독립적으로 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 또는 요오다이드이다. 일 양태 또는 본원에 기재된 임의의 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 할라이드는 독립적으로 플루오라이드; 달리, 클로라이드; 달리, 브로마이드; 또는 달리, 요오다이드이다.
실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 알킬기, 치환된 알킬기, 시클로알킬기, 치환된 시클로알킬기, 아릴기, 치환된 아릴기, 아르알킬기, 또는 치환된 아르알킬기; 달리, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기; 달리, 알킬기 또는 치환된 알킬기; 달리, 시클로알킬기 또는 치환된 시클로알킬기; 달리, 아릴기 또는 치환된 아릴기; 또는 달리, 아르알킬기 또는 치환된 아르알킬기이다. 다른 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 알킬기; 달리, 치환된 알킬기; 달리, 시클로알킬기; 달리, 치환된 시클로알킬기; 달리, 아릴기; 달리, 치환된 아릴기; 달리, 아르알킬기; 또는 달리, 치환된 아르알킬기이다. 일반적으로, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 알킬기, 치환된 알킬기, 시클로알킬기, 치환된 시클로알킬기, 방향족기, 치환된 방향족기, 아릴기, 치환된 아릴기, 아르알킬기, 치환된 아르알킬기, 및/또는 실릴기는 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각자의 오르가닐기, 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기, 또는 히드로카르빌기와 동일 개수의 탄소들을 가진다.
실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)은 독립적으로 C1-C20 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C1-C10 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C1-C5 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)이다. 일부 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 메틸기, 에틸기, 프로필 기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 또는 데실기이다. 일부 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 알킬기는 독립적으로 메틸기, 에틸기, N-프로필 기, 이소-프로필 기, N-부틸기, 이소-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, N-펜틸기, 이소-펜틸기, sec-펜틸기, 또는 네오펜틸기; 달리, 메틸기, 에틸기, 이소-프로필 기, tert-부틸기, 또는 네오펜틸기; 달리, 메틸기; 달리, 에틸기; 달리, N-프로필 기; 달리, 이소-프로필 기; 달리, tert-부틸기; 또는 달리, 네오펜틸기이다. 실시태양에서, 임의의 이들 알킬기는 치환되어 치환된 알킬기를 형성할 수 있다. 실시태양에서, 치환된 알킬기의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 또는 달리 히드로카르복시기일 수 있다. 치환체 할라이드들 및 히드로카르복시기들은 독립적으로 본원에 개시되고 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 치환된 알킬기를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 독립적으로 C4-C20 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C4-C15 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C4-C10 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)이다. 일부 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 시클로펜틸기, 치환된 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 또는 치환된 시클로헥실기이다. 다른 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 시클로펜틸기 또는 치환된 시클로펜틸기; 또는 달리, 시클로헥실기 또는 치환된 시클로헥실기이다. 추가 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 시클로펜틸기; 달리, 치환된 시클로펜틸기; 달리, 시클로헥실기; 또는 달리, 치환된 시클로헥실기이다. 치환된 시클로알킬기들에 대하여 활용되는 치환체들은 독립적으로 본원에 개시되고 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 치환된 시클로알킬기를 더욱 서술하기 위하여 제한없이 적용될 수 있다.
일부 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 독립적으로 C6-C20 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C6-C15 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C6-C10 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은)이다. 일부 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 페닐기, 치환된 페닐기, 나프틸기, 또는 치환된 나프틸기이다. 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 페닐기 또는 치환된 페닐기; 달리, 나프틸기 또는 치환된 나프틸기; 달리, 페닐기 또는 나프틸기; 또는 달리, 치환된 페닐기 또는 치환된 나프틸기이다. 치환된 페닐기들 또는 치환된 나프틸기들에 대하여 활용되는 치환체들은 독립적으로 본원에 개시되고 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 치환된 페닐기들 또는 치환된 나프틸기들를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용된다.
실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 치환된 페닐기는 독립적으로 2치환된 페닐기, 3치환된 페닐기, 4치환된 페닐기, 2,4이치환된 페닐기, 2,6이치환된 페닐기, 3,5이치환된 페닐기, 또는 2,4,6삼치환된 페닐기이다. 다른 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 치환된 페닐기는 독립적으로 2치환된 페닐기, 4치환된 페닐기, 2,4이치환된 페닐기, 또는 2,6이치환된 페닐기; 달리, 3치환된 페닐기 또는 3,5이치환된 페닐기; 달리, 2치환된 페닐기 또는 4치환된 페닐기; 달리, 2,4이치환된 페닐기 또는 2,6이치환된 페닐기; 달리, 2치환된 페닐기; 달리, 3치환된 페닐기; 달리, 4치환된 페닐기; 달리, 2,4이치환된 페닐기; 달리, 2,6이치환된 페닐기; 달리, 3,5이치환된 페닐기; 또는 달리, 2,4,6삼치환된 페닐기이다. 이러한 특정 치환된 페닐기들에 대하여 활용되는 치환체들은 독립적으로 본원에 개시되고 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 이러한 치환된 페닐기들을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용된다.
실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 독립적으로 C7-C20 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C7-C15 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C7-C10 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)이다. 일부 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 벤질기 또는 치환된 벤질기; 달리, 벤질기, 또는 달리, 치환된 벤질기이다. 실시태양에서, 벤질기는 2-치환된 벤질기, 4-치환된 벤질기, 2,4-치환된 벤질기, 2,6-이치환된 벤질기, 또는 2,4,6-삼치환된 벤질기; 달리, 2-치환된 벤질기 또는 4-치환된 벤질기; 달리, 2,4-치환된 벤질기 또는 2,6-이치환된 벤질기; 2-치환된 벤질기; 달리, 4-치환된 벤질기; 달리, 2,4-치환된 벤질기; 달리, 2,6-이치환된 벤질기; 또는 달리, 2,4,6-삼치환된 벤질기이다. 치환된 아르알킬기들에 대하여 활용되는 치환체들은 독립적으로 본원에 개시되고 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 치환된 아르알킬기들을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 사용된다.
실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 알콕시기, 치환된 알콕시기, 시클로알콕시기, 치환된 시클로알콕시기, 아록시 기, 치환된 아록시 기, 아르알콕시기, 또는 치환된 아르알콕시기; 달리, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아록시 기, 또는 아르알콕시기; 달리, 알콕시기 또는 치환된 알콕시기; 달리, 시클로알콕시기 또는 치환된 시클로알콕시기; 달리, 아록시 기 또는 치환된 아록시 기; 또는 달리, 아르알콕시기 또는 치환된 아르알콕시기이다. 다른 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 알콕시기; 달리, 치환된 알콕시기; 달리, 시클로알콕시기; 달리, 치환된 시클로알콕시기; 달리, 아록시 기; 달리, 치환된 아록시 기; 달리, 아르알콕시기; 또는 달리, 치환된 아르알콕시기이다. 일반적으로, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 알콕시기, 치환된 알콕시기, 시클로알콕시기, 치환된 시클로알콕시기, 방향족기, 치환된 방향족기, 아록시 기, 치환된 아록시 기, 아르알콕시기, 및/또는 치환된 아르알콕시기는 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 유기산소기, 불활성 작용기들로 이루어지는 유기산소기, 또는 히드로카르복시기와 동일 개수의 탄소들을 가진다. 치환기는 독립적으로 본원에 기재되고 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 치환된 알콕시기, 시클로알콕시기, 치환된 시클로알콕시기, 방향족기, 치환된 방향족기, 아록시 기, 치환된 아록시 기, 아르알콕시기, 및/또는 치환된 아르알콕시기를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용된다.
실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기, 헥속시기, 헵톡시기, 또는 옥톡시 기; 또는 달리, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 또는 펜톡시기이다. 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 메톡시기, 에톡시기, N-프로폭시기, 이소-프로폭시기, n-부톡시기, 이소-부톡시기, tert-부톡시기, n-펜톡시기, 네오-펜톡시기, n-헥속시기, n-헵톡시기, n-옥톡시 기; 또는 달리, 메톡시기, 에톡시기, N-프로폭시기, 이소-프로폭시기, n-부톡시기, 이소-부톡시기, tert-부톡시기, n-펜톡시기, 또는 네오-펜톡시기이다. 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 메톡시기; 달리, 에톡시기; 달리, N-프로폭시기; 달리, 이소-프로폭시기; 달리, n-부톡시기; 달리, 이소-부톡시기; 달리, tert-부톡시기; 달리, n-펜톡시기; 달리, 네오-펜톡시기; 달리, n-헥속시기; 달리, n-헵톡시기; 또는 달리, n-옥톡시기이다.
실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 시클로부톡시기, 치환된 시클로부톡시기, 시클로펜톡시기, 치환된 시클로펜톡시기, 시클로헥속시기, 치환된 시클로헥속시기, 시클로헵톡시기, 치환된 시클로헵톡시기, 시클로옥톡시기, 또는 치환된 시클로옥톡시기이다. 일부 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 시클로펜톡시기, 치환된 시클로펜톡시기, 시클로헥속시기, 또는 치환된 시클로헥속시기이다. 다른 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 시클로부톡시기 또는 치환된 시클로부톡시기; 달리, 시클로펜톡시기 또는 치환된 시클로펜톡시기; 달리, 시클로헥속시기 또는 치환된 시클로헥속시기; 달리, 시클로헵톡시기 또는 치환된 시클로헵톡시기; 또는 달리, 시클로옥톡시기 또는 치환된 시클로옥톡시기이다. 추가 실시태양들에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 시클로펜톡시기; 달리, 치환된 시클로펜톡시기; 달리, 시클로헥속시기; 또는 달리, 치환된 시클로헥속시기이다. 치환된 시클로알콕시기들에 대하여 활용되는 치환체들은 독립적으로 본원에 개시되고 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 치환된 시클로알콕시기를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 사용된다.
일 양태에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 페녹시기 또는 치환된 페녹시기; 또는 달리, 페녹시기이다. 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 치환된 페녹시기는 독립적으로 2-치환된 페녹시기, 4-치환된 페녹시기, 2,4-치환된 페녹시기, 2,6-이치환된 페녹시기, 또는 2,4,6-삼치환된 페녹시기; 달리, 2-치환된 페녹시기 또는 4-치환된 페녹시기; 달리, 2,4-치환된 페녹시기 또는 2,6-이치환된 페녹시기; 2-치환된 페녹시기; 달리, 4-치환된 페녹시기; 달리, 2,4-치환된 페녹시기; 달리, 2,6-이치환된 페녹시기; 또는 달리, 2,4,6-삼치환된 페녹시기이다. 치환된 시클로알콕시기들에 대하여 활용되는 치환체들은 독립적으로 본원에 개시되고 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 치환된 페녹시기를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 사용된다.
일 양태에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 각각의 비-수소 치환기는 독립적으로 벤족시기 또는 치환된 벤족시기; 달리 치환된 벤족시기이다. 실시태양에서, 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 치환된 벤족시기는 독립적으로 2-치환된 벤족시기, 4-치환된 벤족시기, 2,4-치환된 벤족시기, 2,6-이치환된 벤족시기, 또는 2,4,6-삼치환된 벤족시기; 달리, 2-치환된 벤족시기 또는 4-치환된 벤족시기; 달리, 2,4-치환된 벤족시기 또는 2,6-이치환된 벤족시기; 2-치환된 벤족시기; 달리, 4-치환된 벤족시기; 달리, 2,4-치환된 벤족시기; 달리, 2,6-이치환된 벤족시기; 또는 달리, 2,4,6-삼치환된 벤족시기이다. 치환된 시클로알콕시기들에 대하여 활용되는 치환체들은 독립적으로 본원에 개시되고 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 치환된 벤족시기를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 이용된다.
일반 치환기들은 독립적으로 본원에 기재된다. 이들 기는 구조 P1을 가지는 피롤 화합물의 R2p, R3p, R4p, 및 R5p 로 활용되는 및/또는 식들 P2, P3, P4, 및/또는 P5을 가지는 피롤 화합물들의 R12p, R13p, R14p, R22p, R24p, R33p, R34p, R42p, 및 R45p 로 활용되는 치환된 비-수소 치환기를 더욱 서술하기 위하여 제한없이 사용된다.
일 양태에서, 피롤 화합물은 R2p 및 R5p 오르가닐 기들 (달리, 불활성 작용기들로 이루어진 기; 또는 달리, 히드로카르빌기들 또는 치환된 히드로카르빌기들)로 구성되고, 적어도 하나의 R2p 및 R5p 은 피롤 고리에 결합되어 피롤 고리에 결합되는 탄소원자는 2차 탄소원자 (예를들면, 무엇보다도 2-메틸-5-에틸피롤)인; 또는 달리, R2p 및 R5p은 피롤 고리에 결합되어 피롤 고리에 결합되는 탄소원자들은 2차 탄소원자들 (예를들면, 무엇보다도 2,5-디에틸피롤)인 구조 P1을 가진다. 다른 양태에서 피롤 화합물은, R42p 및 R45p 은 오르가닐기들 (달리, 불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐기들; 또는 달리, 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환되지 않은))이고, 적어도 하나의 R42p 및 R45p은 피롤 고리에 결합되어 피롤 고리에 결합되는 탄소원자는 2차 탄소원자인; 또는 달리, R2p 및 R5p 은 피롤 고리에 결합되어 피롤 고리에 결합되는 탄소원자들은 2차 탄소원자들인 구조 P5를 가진다. 구조 P1을 가지는 피롤 화합물의 R2p 및 R5p 및/또는 구조 P5를 가지는 피롤 화합물의 R42p 및 R45p 로 활용되는 오르가닐 (달리, 불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐기들; 또는 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환되지 않은))은 독립적으로 본원에 기재된다. 피롤 고리에 결합될 때 피롤 고리에 결합되는 탄소원자가 2차 탄소원자인 기를 제공하는 오르가닐기들 (달리, 불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐기들; 또는 달리, 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환되지 않은))은 본 발명에서 명백하다. 이러한 오르가닐기들 (달리, 불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐기들; 또는 달리, 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환되지 않은))은 적어도 하나의 (또는 양자) R2p 및 R5p 오르가닐기들 (달리, 불활성 작용기들로 이루어진 기; 또는 달리, 히드로카르빌기 또는 치환된 히드로카르빌기들)이 피롤 고리에 결합되어 피롤 고리에 결합되는 탄소원자가 2차 탄소원자인 구조 P1 및/또는 R42p 및 R45p 적어도 하나의 (또는 양자) R2p 및 R5p 오르가닐기들 (달리, 불활성 작용기들로 이루어진 오르가닐기들; 또는 달리, 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환되지 않은))이 피롤 고리에 결합되어 피롤 고리에 결합되는 탄소원자가 2차 탄소원자인 구조 P5를 가지는 임의의 피롤 화합물을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 사용된다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 피롤 고리에 결합될 때 피롤 고리에 결합되는 탄소원자가 2차 탄소원자를 제공하는 각각의 기는 독립적으로 에틸기, n-프로필 기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, 또는 n-옥틸기; 달리, 에틸기, n-프로필 기, n-부틸기, 또는 n-펜틸기; 달리, 에틸기, n-프로필 기, n-부틸기, 또는 n-펜틸기; 달리, 에틸기; 달리, n-프로필 기; 달리, n-부틸기; 달리, n-펜틸기; 달리, n-헥실기; 달리, n-헵틸기; 또는 달리, n-옥틸기이다.
일 양태에서, 피롤 화합물은 피롤 고리 질소원자에 인접한 적어도 하나의 피롤 고리 탄소원자에 수소원자 및 피롤 고리 질소원자에 인접한 수소원자를 가지는 임의의 피롤 고리 탄소원자에 인접한 피롤 고리 탄소원자에 벌크 (bulky) 기; 달리, 피롤 고리 질소원자에 인접한 각각의 피롤 고리 탄소원자에 수소원자 및 피롤 고리 질소원자에 인접한 수소원자를 가지는 피롤 고리 탄소원자들에 인접한 각각의 피롤 고리 탄소원자에 벌크기를 가진다. 실시태양에서, 피롤 화합물은 구조 P2를 가지고, 이때 R14p은 본원에 기재된 임의의 벌크기이고 R12p 및 R13p은 본원에 기재된 임의의 비-수소 치환기이다. 다른 실시태양에서, 피롤 화합물은 구조 P3을 가지고, 이때 R24p은 본원에 기재된 임의의 벌크기이고 R22p은 본원에 기재된 임의의 비-수소 치환기이다. 또 다른 실시태양에서, 피롤 화합물은 구조 P4를 가지고, 이때 R33p 및 R34p은 본원에 기재된 임의의 벌크기이다.
실시태양에서, 벌크 치환체란, 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 기의 탄소원자가 3차 또는 4차 탄소원자 또는 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 인접한 기의 탄소원자가 3차 또는 4차 탄소원자; 달리 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 기의 탄소원자가 3차 또는 4차 탄소원자; 또는 달리 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 인접한 기의 탄소원자가 3차 또는 4차 탄소원자인 기로서 기술된다. 일부 실시태양들에서, 벌크 치환체란 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 기의 탄소원자가 3차 탄소원자 또는 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 인접한 기의 탄소원자가 3차 탄소원자; 달리 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 기의 탄소원자가 3차 탄소원자; 또는 달리 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 인접한 기의 탄소원자가 3차 탄소원자인 기로서 기술된다. 다른 실시태양들에서, 벌크 치환체란 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 기의 탄소원자가 4차 탄소원자 또는 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 인접한 기의 탄소원자가 4차 탄소원자; 달리 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 기의 탄소원자가 4차 탄소원자; 또는 달리 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 인접한 기의 탄소원자가 4차 탄소원자인 기로서 기술된다.
실시태양에서, 벌크 치환체란, 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 기의 탄소원자가 3 또는 4개의 탄소원자들과 결합되고 또는 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 인접한 기의 탄소원자가 3 또는 4개의 탄소원자들과 결합된 것; 달리 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 기의 탄소원자가 3 또는 4개의 탄소원자들과 결합된 것; 또는 달리 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 인접한 기의 탄소원자가 3 또는 4개의 탄소원자들과 결합된 것으로서 기술된다. 일부 실시태양들에서, 벌크 치환체란, 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 기의 탄소원자가 3개의 탄소원자들과 결합되고 또는 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 인접한 기의 탄소원자가 3개의 탄소원자들과 결합된 것; 달리 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 기의 탄소원자가 3개의 탄소원자들과 결합된 것; 또는 달리 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 인접한 기의 탄소원자가 3개의 탄소원자들과 결합된 것으로서 기술된다. 다른 실시태양들에서, 벌크 치환체란 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 기의 탄소원자가 4개의 탄소원자들과 결합되고 또는 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 인접한 기의 탄소원자가 4개의 탄소원자들과 결합된 것; 달리 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 기의 탄소원자가 4개의 탄소원자들과 결합된 것; 또는 달리 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 인접한 기의 탄소원자가 4개의 탄소원자들과 결합된 것으로서 기술된다.
설명 목적으로, 피롤 고리에 결합되는 탄소원자 및 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자에 연결되는 탄소원자를 설명하기 위하여 구조 E1이 사용된다.
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구조 E1에서, 피롤 고리에 결합된 기 내의 탄소원자 표기 1은 피롤 고리 탄소원자에 결합되는 탄소원자를 나타내고 피롤 고리에 결합된 기 내의 탄소원자 표기 2는 피롤 고리 탄소원자에 결합된 탄소원자에 연결되는 탄소원자를 나타낸다.
실시태양에서, 각각의 벌크 치환체는 오르가닐기; 달리, 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기; 히드로카르빌기 또는 치환된 히드로카르빌기; 히드로카르빌기; 또는 치환된 히드로카르빌기이다. 일반적으로, 벌크 오르가닐기, 벌크 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기, 및/또는 벌크 히드로카르빌기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 일반 비-수소 오르가닐기, 불활성 작용기들로 이루어지는 오르가닐기, 또는 히드로카르빌기 (치환된 또는 치환되지 않은)와 동일 개수의 탄소원자들을 가진다. 일부 실시태양들에서, 각각의 벌크 치환체는 독립적으로 알킬기, 치환된 알킬기, 시클로알킬기, 치환된 시클로알킬기, 아릴기, 치환된 아릴기, 아르알킬기, 또는 치환된 아르알킬기; 달리, 알킬기 또는 치환된 알킬기; 달리, 시클로알킬기 또는 치환된 시클로알킬기; 달리, 아릴기 또는 치환된 아릴기; 달리, 아르알킬기 또는 치환된 아르알킬기; 달리, 알킬기; 달리, 치환된 알킬기; 달리, 시클로알킬기; 달리, 치환된 시클로알킬기; 달리, 아릴기; 달리, 치환된 아릴기; 달리, 아르알킬기; 또는 달리, 치환된 아르알킬기이다. 일반적으로, 벌크 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은), 벌크 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은), 벌크 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은), 및/또는 벌크 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 구조 P1, P2, P3, P4, 및/또는 P5를 가지는 피롤 화합물의 비-수소 치환기로 활용되는 일반 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은), 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은), 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은), 및/또는 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)와 동일 개수의 탄소원자들을 가진다.
실시태양에서, 각각의 벌크 치환체는 독립적으로 프로판-2-일기, 부탄-2-일, 2-메틸프로판-1-일기, 2-메틸프로판-2-일기, 펜탄-2-일기, 펜탄-3-일기, 2-메틸부탄-1-일기, 2-메틸부탄-2-일기, 3-메틸부탄-2-일기, 2,2-디메틸프로판-1-일기, 헥산-2-일기, 헥산-3-일기, 2-메틸펜탄-1-일기, 2-에틸부탄-1-일기, 2-메틸펜탄-2-일기, 2,3-디메틸부탄-1-일기, 2,3-디메틸부탄-2-일기, 헵탄-2-일기, 헵탄-3-일기, 헵탄-4-일기, 2-메틸헥산-1-일기, 2-에틸펜탄-1-일기, 2-메틸헥산-2-일기, 2,3-디메틸펜탄-1-일기, 2,3-디메틸펜탄-2-일기, 2,3,3-트리메틸펜탄-1-일기, 2,3,3-트리메틸펜탄-2-일기, 옥탄-2-일기, 옥탄-3-일기, 옥탄-4-일기, 2-메틸헵탄-1-일기, 2-에틸헥산-1-일기, 2-메틸헵탄-2-일기, 노난-2-일기, 노난-3-일기, 노난-4-일기, 노난-5-일기, 데칸-2-일기, 데칸-3-일기, 데칸-4-일기, 또는 데칸-5-일기이다. 일부 실시태양들에서, 각각의 벌크 치환체는 독립적으로 프로판-2-일기, 부탄-2-일, 2-메틸프로판-1-일기, 2-메틸프로판-2-일기, 펜탄-2-일기, 펜탄-3-일기, 2-메틸부탄-1-일기, 2-메틸부탄-2-일기, 3-메틸부탄-2-일기, 2,2-디메틸프로판-1-일기; 달리, 프로판-2-일기, 2-메틸프로판-2-일기, 또는 2,2-디메틸프로판-1-일기이다. 다른 실시태양들에서, 각각의 벌크 치환체는 독립적으로 프로판-2-일기; 달리, 부탄-2-일; 달리, 2-메틸프로판-1-일기; 달리, 2-메틸프로판-2-일기; 달리, 펜탄-2-일기; 달리, 펜탄-3-일기; 달리, 2-메틸부탄-1-일기; 달리, 2-메틸부탄-2-일기; 달리, 3-메틸부탄-2-일기; 달리, 2,2-디메틸프로판-1-일기이다.
실시태양에서, 각각의 벌크 치환체는 독립적으로 페닐기 또는 치환된 페닐기; 달리, 페닐기; 또는 달리, 치환된 페닐기이다. 일부 실시태양들에서, 벌크 치환체로 활용되는 각각의 치환된 페닐기는 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 2,3-디메틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 2,5-디메틸페닐기, 2,6-디메틸페닐기, 3,4-디메틸페닐기, 3,5-디메틸페닐기, 또는 2,4,6-트리페네일기이다. 다른 실시태양들에서, 벌크 치환체로 활용되는 각각의 치환된 페닐기는 2-메틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 2,6-디메틸페닐기, 3,5-디메틸페닐기, 또는 2,4,6-트리페네일기다. 또 다른 실시태양들에서, 벌크 치환체로 활용되는 각각의 치환된 페닐기는 2-메틸페닐기; 달리, 3-메틸페닐기; 달리, 4-메틸페닐기; 달리, 2,3-디메틸페닐기; 달리, 2,4-디메틸페닐기; 달리, 2,5-디메틸페닐기; 달리, 2,6-디메틸페닐기; 달리, 3,4-디메틸페닐기; 달리, 3,5-디메틸페닐기; 또는 달리, 2,4,6-트리페네일기이다.
실시태양에서, 피롤 화합물은 피롤, 2-치환된 피롤, 3-치환된 피롤, 2,5-이치환된 피롤, 2,4-이치환된 피롤, 3,4-이치환된 피롤, 2,3,5-삼치환된 피롤, 2,3,4,5-사치환된 피롤, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 피롤 화합물은 피롤, 2-치환된 피롤, 3-치환된 피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 2,5-이치환된 피롤, 2,3,5-삼치환된 피롤, 2,3,4,5-사치환된 피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 2,4-이치환된 피롤, 3,4-이치환된 피롤, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 피롤 화합물은 2-치환된 피롤; 달리, 3-치환된 피롤; 달리, 2,5-이치환된 피롤; 달리, 2,4-이치환된 피롤; 달리, 3,4-이치환된 피롤; 달리, 2,3,5-삼치환된 피롤; 또는 달리, 2,3,4,5-사치환된 피롤이다. 비-수소 치환체들은 일반적으로 본원에 기재되고 피롤 화합물로 활용되는 치환된 피롤들을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 사용된다.
실시태양에서, 피롤 화합물은 피롤, 2-알킬피롤, 3-알킬피롤, 2,5-디알킬피롤, 2,4-디알킬피롤, 3,4-디알킬피롤, 2,3,5-트리알킬피롤, 2,3,4,5-테트라알킬피롤, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 피롤 화합물은 피롤, 2-알킬피롤, 3-알킬피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 2,5-디알킬피롤, 2,3,5-트리알킬피롤, 2,3,4,5-테트라알킬피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 2,4-디알킬피롤, 3,4-디알킬피롤, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 피롤 화합물은 2-알킬피롤; 달리, 3-알킬피롤; 달리, 2,5-디알킬피롤; 달리, 2,4-디알킬피롤; 달리, 3,4-디알킬피롤; 달리, 2,3,5-트리알킬피롤; 또는 달리, 2,3,4,5-테트라알킬피롤이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 비-수소 알킬 치환체로 활용되는 알킬 치환체들은 일반적으로 본원에 기재되고 피롤 화합물로 활용되는 알킬피롤들을 더욱 기재하기 위하여 제한없이 적용된다.
실시태양에서, 피롤 화합물은 피롤, 2-알콕시 피롤, 3-알콕시 피롤, 2,3-디알콕시피롤, 2,4-디알콕시피롤, 2,5-디알콕시피롤, 3,4-디알콕시피롤, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 피롤 화합물은 2-알콕시 피롤; 달리, 3-알콕시 피롤; 달리, 2,3-디알콕시피롤; 달리, 2,4-디알콕시피롤; 달리, 2,5-디알콕시피롤; 또는 달리, 3,4-디알콕시피롤이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 비-수소 알킬 치환체로 활용되는 알콕시 치환체들은 일반적으로 본원에 기재되고 피롤 화합물로 활용되는 알콕시피롤들을 더욱 기재하기 위하여 제한없이 적용된다..
실시태양에서, 피롤 화합물은 피롤, 2-메틸피롤, 2-에틸피롤, 2-프로필피롤, 2-부틸피롤, 3-메틸피롤, 3-에틸피롤, 3-프로필피롤, 3-부틸피롤, 2,5-디메틸피롤, 2-메틸-5-에틸피롤, 2,5-디에틸피롤, 2,5-디프로필피롤, 2,5-디부틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 2,4-디에틸피롤, 2,4-디프로필피롤, 2,4-디부틸피롤, 3,4-디메틸피롤, 3,4-디에틸피롤, 3,4-디프로필피롤, 3,4-디부틸피롤, 2,3,4-트리메틸피롤, 3-에틸-2,4-디메틸피롤, 2,3,5-트리메틸피롤, 2,3,4,5-테트라메틸피롤, 2,3,4,5-테트라에틸피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 피롤 2,5-비스(트리플루오로메틸)피롤, 2,4-비스(트리플루오로메틸)피롤, 또는 3,4-비스(트리플루오로메틸)피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 피롤, 2-메톡시피롤, 2-에톡시피롤, 2-프로폭시피롤, 2-부톡시피롤, 3-메톡시피롤, 3-에톡시피롤, 3-프로폭시피롤, 3-부톡시피롤, 2,5-비스(메톡시)피롤, 2,4-비스(메톡시)피롤, 3,4-비스(메톡시)피롤, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
실시태양에서, 피롤 화합물은 2-메틸-5-에틸피롤, 2,5-디에틸피롤, 2,5-디-n-프로필피롤, 2,5-디-n-부틸피롤, 2,5-n-펜틸피롤, 2,5-n-헥실피롤, 2,5-디-n-헵틸피롤, 2,5-디-n-옥틸피롤, 2,3,5-트리에틸피롤, 2,3,5-트리-n-부틸피롤, 2,3,5-트리-n-헥실피롤, 2,3,4,5-테트라에틸피롤, 2,3,4,5-테트라-n-부틸피롤, 2,3,4,5-테트라-n-헥실피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 2,5-디에틸피롤, 2,5-디-n-프로필피롤, 2,5-디-n-부틸피롤, 2,5-n-펜틸피롤, 2,5-n-헥실피롤, 2,5-디-n-헵틸피롤, 2,5-디-n-옥틸피롤 또는 임의의 이들의 조합; 2,5-디에틸피롤, 2,5-디-n-프로필피롤, 2,5-디-n-부틸피롤, 2,5-n-펜틸피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 2,3,5-트리에틸피롤, 2,3,5-트리-n-부틸피롤, 2,3,5-트리-n-헥실피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 2,3,4,5-테트라에틸피롤, 2,3,4,5-테트라-n-부틸피롤, 2,3,4,5-테트라-n-헥실피롤, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 피롤 화합물은 피롤; 달리, 2-메틸피롤; 달리, 2-에틸피롤; 달리, 2-프로필피롤; 달리, 2-부틸피롤; 달리, 3-메틸피롤; 달리, 3-에틸피롤; 달리, 3-프로필피롤; 달리, 3-부틸피롤; 달리, 2,5-디메틸피롤; 달리, 2-메틸-5-에틸피롤; 달리, 2,5-디에틸피롤; 달리, 2,5-디프로필피롤; 달리, 2,5-디부틸피롤; ; 달리, 2,5-디-n-프로필피롤; 달리, 2,5-디-n-부틸피롤; 달리, 2,5-n-펜틸피롤; 달리, 2,5-n-헥실피롤; 달리, 2,5-디헵틸피롤; 달리, 2,5-디옥틸피롤; 달리, 2,4-디메틸피롤; 달리, 2,4-디에틸피롤; 달리, 2,4-디프로필피롤; 달리, 2,4-디부틸피롤; 달리, 3,4-디메틸피롤; 달리, 3,4-디에틸피롤; 달리, 3,4-디프로필피롤; 달리, 3,4-디부틸피롤; 달리, 2,3,4-트리메틸피롤; 달리, 3-에틸-2,4-디메틸피롤; 달리, 2,3,5-트리메틸피롤; 달리, 2,3,5-트리에틸피롤; 달리, 2,3,5-트리-n-부틸피롤; 달리, 2,3,5-트리-n-헥실피롤; 달리, 2,3,4,5-테트라메틸피롤; 달리, 2,3,4,5-테트라에틸피롤; 달리, 2,3,4,5-테트라에틸피롤; 달리, 2,3,4,5-테트라-n-부틸피롤; 달리, 2,3,4,5-테트라-n-헥실피롤; 달리, 2,5-비스(트리플루오로메틸) 피롤; 달리, 2,4-비스(트리플루오로메틸) 피롤; 달리, 3,4-비스(트리플루오로메틸) 피롤; 달리, 2-메톡시피롤; 달리, 2-에톡시피롤; 달리, 2-프로폭시피롤; 달리, 2-부톡시피롤; 달리, 3-메톡시피롤; 달리, 3-에톡시피롤; 달리, 3-프로폭시피롤; 달리, 3-부톡시피롤; 달리, 2,5-비스(메톡시)피롤; 달리, 2,4-비스(메톡시)피롤; 또는 달리, 3,4-비스(메톡시)피롤이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 실시태양들에서, 피롤 화합물은 2,5-비스(2’,2’,2’-트리플루오로에틸) 피롤; 또는 달리, 2,5-비스(2’-메톡시메틸) 피롤이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시예에서, 피롤 화합물은 2-메틸-4-이소프로필피롤, 2-에틸-4-이소프로필피롤, 2-메틸-4-sec-부틸피롤, 2-에틸-4-sec-부틸피롤, 2-메틸-4-이소부틸피롤, 2-에틸-4-이소부틸피롤, 2-메틸-4-t-부틸피롤, 2-에틸-4-t-부틸피롤, 2-메틸-4-네오-펜틸피롤, 또는 2-에틸-4-네오펜틸피롤이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시예들에서, 피롤 화합물은 2-메틸-4-이소프로필피롤, 2-에틸-4-이소프로필피롤, 2-메틸-4-t-부틸피롤, 2-에틸-4-t-부틸피롤, 2-메틸-4-네오-펜틸피롤, 또는 2-에틸-4-네오펜틸피롤이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시예들에서, 피롤 화합물은 2-메틸-4-이소프로필피롤; 달리, 2-에틸-4-이소프로필피롤; 달리, 2-메틸-4-sec-부틸피롤; 달리, 2-에틸-4-sec-부틸피롤; 달리, 2-메틸-4-이소부틸피롤; 달리, 2-에틸-4-이소부틸피롤; 달리, 2-메틸-4-t-부틸피롤; 달리, 2-에틸-4-t-부틸피롤; 달리, 2-메틸-4-네오-펜틸피롤; 또는 달리, 2-에틸-4-네오펜틸피롤이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 비-제한적 실시예들에서, 피롤 화합물은 3,4-di이소프로필피롤, 3,4-디-sec-부틸피롤, 3,4-디이소부틸피롤, 3,4-디-t-부틸피롤, 또는 3,4-디-네오-펜틸프로필피롤이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 실시태양에서, 피롤 화합물은 3,4-디이소프로필피롤: 달리, 3,4-디-sec-부틸피롤; 달리, 3,4-디이소부틸피롤; 달리, 3,4-디-t-부틸피롤; 또는 달리, 3,4-디-네오-펜틸프로필피롤이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에 의하면, 질소 함유 화합물은 금속성 질소 함유 화합물 (예를들면 금속성 아민, 금속성 피롤, 및/또는 금속성 아미드)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 금속성 질소 함유 화합물은 금속성 아민, 금속성 피롤, 금속성 아미드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 금속성 아민; 또는 달리, 금속성 아미드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 금속성 질소 함유 화합물은 금속성 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
실시태양에서, 금속성 질소 함유 화합물의 금속은 1족 금속, 2족 금속, 또는 13족 금속; 달리, 1족 금속; 달리, 2족 금속; 또는 달리, 13족 금속이다. 일부 실시태양들에서, 금속성 질소 함유 화합물의 금속은 리튬, 나트륨, 칼륨, 마그네슘, 칼슘, 또는 알루미늄; 달리, 리튬, 나트륨, 또는 칼륨; 달리, 마그네슘 또는 칼슘; 달리, 리튬; 달리, 나트륨; 달리, 칼륨; 달리, 마그네슘; 달리, 칼슘; 또는 달리, 알루미늄이다. 일 양태에서, 1족, 2족, 또는 13족 금속성 질소 함유 화합물의 질소 함유 화합물은 본원에 개시되는 임의의 아민 및/또는 아미드 (일반 또는 특정)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 금속성 질소 함유 화합물은 식 MCNR6R7, MDNHR6을 가지는 금속성 아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, MCNR6R7; 또는 달리, MDNHR6이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, MC 및 MD 은 본원에 개시되는 금속성 질소 함유 화합물의 임의의 금속이고 R6 및 R7 은 본원에 개시되는 임의의 아민 R6 및 R7 기이다.
일 양태에서, 금속성 질소 함유 화합물은 식 R15C(=O)NH2, R15C(=O)NHR16을 가지는 금속성 아미드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, R15C(=O)NHME; 또는 달리, R15C(=O)NR16MF 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, ME 및 MF은 본원에 개시되는 금속성 질소 함유 화합물의 임의의 금속이고 R15 및 R16은 본원에 개시되는 임의의 아미드 R15 및 R16 기이다.
일 양태에 의하면, 피롤 화합물은 금속 피롤리드 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 금속 피롤리드의 금속 성분 및 금속 피롤리드의 피롤 성분은 금속 피롤리드의 독립적인 요소들이다. 따라서, 금속 피롤리드는 본원에 기재된 금속 성분들 및 본원에 기재된 피롤 성분들의 임의의 조합으로 기재된다. 일부 실시태양들에서, 금속 피롤리드는 본원에 기재된 피롤 화합물 및 금속화합물을 접촉하는 임의의 방법으로 제조되는 금속 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 금속 피롤리드는 1족, 2족, 또는 13족 금속 피롤리드; 달리, 1족 금속 피롤리드; 달리, 2족 금속 피롤리드; 또는 달리, 13족 금속 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 금속 피롤리드는 리튬 피롤리드, 소듐 피롤리드, 칼륨 피롤리드, 마그네슘 피롤리드, 칼슘 피롤리드, 또는 알루미늄 피롤리드; 달리, 리튬 피롤리드, 소듐 피롤리드, 칼륨 피롤리드; 달리, 마그네슘 피롤리드, 칼슘 피롤리드; 달리, 리튬 피롤리드; 달리, 소듐 피롤리드; 달리, 칼륨 피롤리드; 달리, 마그네슘 피롤리드; 달리, 칼슘 피롤리드; 또는 달리, 알루미늄 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일 양태에서, 특정 1족, 2족, 또는 13족 금속 피롤리드의 일반 피롤 성분은 본원에 개시되는 임의의 피롤 화합물에서 유도된 것이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
실시태양에서, 금속 피롤리드는 구조 P1의 임의의 피롤 화합물; 달리, 구조 P2, 구조 P3, 구조 P4, 구조 P5의 임의의 피롤 화합물, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 구조 P2의 임의의 피롤 화합물; 달리, 구조 P3의 임의의 피롤 화합물; 달리, 구조 P4의 임의의 피롤 화합물; 또는 달리, 구조 P5의 임의의 피롤 화합물의 금속 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 금속 피롤리드는 구조 MP1을 가진다. 실시태양에서, 금속 피롤리드는 구조 MP2, 구조 MP3, 구조 MP4, 구조 MP5, 또는 임의의 이들의 조합을 가진다. 일부 실시태양들에서, 금속 피롤리드는 구조 MP2; 달리, 구조 MP3; 달리, 구조 MP4; 또는 달리, 구조 MP5, 또는 임의의 이들의 조합을 가진다.
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일반적으로, 구조들 MP1, MP2, MP3, MP4, 및/또는 MP5를 가지는 금속 피롤리드들의 R2p, R3p, R4p, R5p, R12p, R13p, R14p, R22p, R24p, R33p, R34p, R42p, R45p, Mp, R1mp, 및 q는 금속 피롤리드의 독립적인 요소들이다. 따라서, 구조들 MP1, MP2, MP3, MP4, 및/또는 MP5를 가지는 금속 피롤리드들은 본원에 기재된 R2p, R3p, R4p, R5p, R12p, R13p, R14p, R22p, R24p, R33p, R34p, R42p, R45p, Mp, R1mp, 및 q의 양태들 및/또는 실시태양들의 임의의 조합으로 기재될 수 있다.
R2p, R3p, R4p, R5p, R12p, R13p, R14p, R22p, R24p, R33p, R34p, R42p, 및 R45p 은 구조 P1, 구조 P2, 구조 P3, 구조 P4, 및/또는 구조 P5를 가지는 피롤 화합물들에 대한 비-수소 치환체들로 기재될 수 있다. 이러한 비-수소 치환기들은 구조 MP1, 구조 MP2, 구조 MP3, 구조 MP4, 및/또는 구조 MP5를 가지는 금속 피롤리드를 더욱 설명하기 위하여 제한없이 이용된다.
일 양태에서, Mp 는 1족, 2족, 또는 13족 금속이고 q는 금속의 산화상태이다. 실시태양에서, Mp 는 1족 금속 및 q는 1 (q-1 = 0); 달리, Mp 는 2족 금속 및 q는 2 (q-1 = 1); 또는 달리, Mp 는 13족 금속 및 q는 3 (q-1 = 2)이다. 일부 실시태양들에서, Mp 는 리튬 및 q는 1, Mp 는 나트륨 및 q는 1, Mp 는칼륨 및 q는 1, Mp 는마그네슘 및 q는 2, Mp 는칼슘 및 q는 2, 또는 Mp 는알루미늄 및 q는 3이다. 다른 실시태양들에서, Mp 는 리튬 및 q는 1; 달리, Mp 는 나트륨 및 q는 1; 달리, Mp 는칼륨 및 q는 1; 달리, Mp 는마그네슘 및 q는 2; 달리, Mp 는칼슘 및 q는 2; 또는 달리, Mp 는알루미늄 및 q 는 3이다.
일 양태에서, 각각의 R1mp (존재한다면)는, 독립적으로 수소, 히드로카르빌기, 또는 히드로카르복시기; 달리, 수소 또는 히드로카르빌기; 달리, 수소 또는 히드로카르복시기; 달리, 히드로카르빌기; 달리, 히드로카르복시기; 또는 달리, 수소이다. 실시태양에서, R1mp (존재한다면)로 활용되는 임의의 히드로카르빌기는, C1-C20 히드로카르빌기; 달리, C1-C10 히드로카르빌기; 또는 달리, C1-C5 히드로카르빌기이다. 실시태양에서, R1mp (존재한다면)로 활용되는 임의의 히드로카르복시기는 C1-C20 히드로카르복시기; 달리, C1-C10 히드로카르복시기; 또는 달리, C1-C5 히드로카르복시기이다.
실시태양에서, 각각의 R1mp 히드로카르빌기 (존재한다면) 는독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기이다. 일부 실시태양들에서, 각각의 R1mp 히드로카르빌기 (존재한다면)는 독립적으로 알킬기; 달리, 시클로알킬기; 달리, 아릴기; 또는 달리, 아르알킬기이다. 알킬기들, 시클로알킬기들, 아릴기들, 및 아르알킬기들은 독립적으로 피롤 화합물들에 대한 잠재적 비-수소 치환체들로서 본원에 기재된다. 이들 비-수소 피롤 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 및 아르알킬기 치환체들은 구조 MP1, 구조 MP2, 구조 MP3, 구조 MP4, 및/또는 구조 MP5를 가지는 금속 피롤리드의 R1mp 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 및/또는 아르알킬기로서 제한없이 활용된다.
실시태양에서, 각각의 R1mp 히드로카르복시기 (존재한다면)는 독립적으로 알콕시기, 시클로알콕시기, 아록시기, 또는 아르알콕시기이다. 일부 실시태양들에서, 각각의 R1mp 히드로카르복시기 (존재한다면)는 독립적으로 알콕시기; 달리, 시클로알콕시기; 달리, 아록시기; 또는 달리, 아르알콕시기이다. 알콕시기들, 시클로알콕시기들, 아록시 기들, 및 아르알콕시기들은 독립적으로 피롤 화합물들에 대한 잠재적 비-수소 치환체들로서 본원에 기재된다. 이들 비-수소 피롤 알콕시기, 시클로알콕시기, 아록시기, 및/또는 아르알콕시기 치환체들은 구조 MP1, 구조 MP2, 구조 MP3, 구조 MP4, 및/또는 구조 MP5를 가지는 금속 피롤리드의 R1mp 알콕시기, 시클로알콕시기, 아록시기, 및/또는 아르알콕시기로서 제한없이 이용된다.
비-제한적 실시태양에서, 금속 피롤리드는 2족 히드라이드 (hydride) 피롤리드, 2족 알킬 피롤리드, 또는 이들의 조합; 달리, 2족 히드라이드 피롤리드; 또는 달리, 2족 알킬 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 금속 피롤리드는 마그네슘 히드라이드 피롤리드, 알킬 마그네슘 피롤리드, 칼슘 히드라이드 피롤리드, 알킬 칼슘 피롤리드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 마그네슘 히드라이드 피롤리드, 알킬 마그네슘 피롤리드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 칼슘 히드라이드 피롤리드, 알킬 칼슘 피롤리드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 마그네슘 히드라이드 피롤리드; 달리, 알킬 마그네슘 피롤리드; 달리, 칼슘 히드라이드 피롤리드; 또는 달리, 알킬 칼슘 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 알킬기들은 독립적으로 피롤 화합물들에 대한 잠재적 비-수소 치환체들로 본원에 기재되고 이들 비-수소 피롤 알킬기는 2족 알킬 피롤리드, 알킬 마그네슘 피롤리드, 및/또는 알킬 칼슘 피롤리드를 더욱 기재하기 위하여 제한없이 사용된다.
비-제한적 실시태양에서, 금속 피롤리드는 3족 디히드라이드 피롤리드, 3족 히드로카르빌 히드라이드 피롤리드, 3족 디히드로카르빌 피롤리드, 또는 이들의 조합; 달리, 3족 디히드라이드 피롤리드; 달리, 3족 히드로카르빌 히드라이드 피롤리드; 또는 달리, 3족 디히드로카르빌 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 히드로카르빌기들은 독립적으로 피롤 화합물들에 대한 잠재적 비-수소 치환체들로서 본원에 기재되고 이들 비-수소 피롤 히드로카르빌기는 3족 히드로카르빌 히드라이드 피롤리드 및/또는 3족 디히드로카르빌 피롤리드를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 사용된다.
일 양태에서, 금속 피롤리드는 알루미늄 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 알루미늄 피롤리드는 구조 AP1을 가진다. 일부 실시태양들에서, 알루미늄 피롤리드는 구조 AP2, 구조 AP3, 구조 AP4, 구조 A5, 또는 임의의 이들의 조합을 가진다. 다른 실시태양들에서, 알루미늄 피롤리드는 구조 A2; 달리, 구조 A3; 달리, 구조 A4; 또는 달리, 구조 A5, 또는 임의의 이들의 조합을 가진다.
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일반적으로, 구조들 AP1, AP2, AP3, AP4, 및/또는 AP5를 가지는 알루미늄 피롤리드들의 R2p, R3p, R4p, R5p, R12p, R13p, R14p, R22p, R24p, R33p, R34p, R42p, R45p, R1a, 및 R2a은 알루미늄 피롤리드의 독립적인 요소들이다. 따라서, 구조들 AP1, AP2, AP3, A4, 및/또는 AP5를 가지는 알루미늄 피롤리드는 본원에 기재된 R2p, R3p, R4p, R5p, R12p, R13p, R14p, R22p, R24p, R33p, R34p, R42p, R45p, R1a, 및 R2a의 양태들 및/또는 실시태양들의 임의의 조합을 적용하여 기재된다.
R2p, R3p, R4p, R5p, R12p, R13p, R14p, R22p, R24p, R33p, R34p, R42p, 및 R45p 는 구조 P1, 구조 P2, 구조 P3, 구조 P4, 및/또는 구조 P5를 가지는 피롤 화합물들에 대한 비-수소 치환체들로 기재된다. 이들 비-수소 치환기는 구조 AP1, 구조 AP2, 구조 AP3, 구조 AP4, 및/또는 구조 AP5를 가지는 알루미늄 피롤리드를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
일 양태에서, R1a 및 R2a 는 독립적으로 수소 또는 히드로카르빌기; 달리, 수소; 또는 달리, 히드로카르빌기이다. 실시태양에서, R1mp (존재한다면)로 활용되는 임의의 히드로카르빌기는, C1-C20 히드로카르빌기; 달리, C1-C10 히드로카르빌기; 또는 달리, C1-C5 히드로카르빌기이다. 실시태양에서, R1히드로카르빌기 및/또는 R2히드로카르빌기는 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기; 달리 알킬기; 달리, 시클로알킬기; 달리, 아릴기; 또는 달리, 아르알킬기이다. 알킬기들, 시클로알킬기들, 아릴기들, 및 아르알킬기들은 독립적으로 피롤 화합물들에 대한 잠재적 비-수소 치환체들로 본원에 기재된다. 이들 비-수소 피롤 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 및 아르알킬기 치환체는 구조 AP1, 구조 AP2, 구조 AP3, 구조 AP4, 및/또는 구조 AP5를 가지는 알루미늄 피롤리드의 R1a 및/또는 R2a 로서 제한없이 사용된다.
비-제한적 실시태양에서, 금속 피롤리드는 알루미늄 디히드라이드 피롤리드, 알킬알루미늄 히드라이드 피롤리드, 디알킬알루미늄 피롤리드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 알루미늄 디히드라이드 피롤리드; 달리, 알킬알루미늄 히드라이드 피롤리드; 또는 달리, 디알킬알루미늄 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 알킬알루미늄 히드라이드 피롤리드 및/또는 디알킬알루미늄 피롤리드의 알킬기(들)는 독립적으로 구조 AP1, 구조 AP2, 구조 AP3, 구조 AP4, 및/또는 구조 AP5를 가지는 알루미늄 피롤리드에 대한 본원에 개시되는 임의의 알킬기일 수 있다.
일 양태에서 금속 피롤리드는 디메틸알루미늄 피롤리드, 디에틸알루미늄 피롤리드, 디프로필알루미늄 피롤리드, 디부틸알루미늄 피롤리드, 디헥실알루미늄 피롤리드, 디옥틸알루미늄 피롤리드, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 금속 피롤리드는 디메틸알루미늄 피롤리드, 디에틸알루미늄 피롤리드, di-n-프로필알루미늄 피롤리드, 디-n-부틸알루미늄 피롤리드, 디-이소부틸알루미늄 피롤리드, 디-n-헥실알루미늄 피롤리드, 디-n-옥틸알루미늄 피롤리드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디에틸알루미늄 피롤리드, 디-n-부틸알루미늄 피롤리드, 또는 디-이소-부틸알루미늄 피롤리드; 달리, 디메틸알루미늄 피롤리드; 달리, 디에틸알루미늄 피롤리드; 달리, 디-n-프로필알루미늄 피롤리드; 달리, 디-n-부틸알루미늄 피롤리드; 달리, 디-이소부틸알루미늄 피롤리드; 달리, 디-n-헥실알루미늄 피롤리드; 또는 달리, 디-옥틸알루미늄 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 이들 디알킬알루미늄 디히드라이드 피롤리드의 피롤리드는 본원에 개시되는 임의의 피롤 화합물의 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 금속 피롤리드는 본원에 기재된 임의의 금속 피롤리드 제조방법으로 제조되는 금속 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 금속 피롤리드가 알루미늄 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지는 실시태양에서, 알루미늄 피롤리드는 본원에 기재된 임의의 알루미늄 피롤리드 제조방법으로 제조되는 알루미늄 피롤리드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일반적으로, 촉매시스템에서 이용되는 금속 히드로카르빌 화합물은 히드로카르빌기 탄소원자에 연결되는 금속 원자를 가지는 금속화합물이다. 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물은 임의의 이종리간드 또는 동종리간드 금속 히드로카르빌 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 금속 히드로카르빌은 비-할라이드 금속 히드로카르빌, 금속 히드로카르빌 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 비-할라이드 금속 히드로카르빌; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 할라이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일반적으로, 임의의 금속 히드로카르빌 할라이드의 각각의 할라이드는 독립적으로 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 또는 요오다이드; 달리, 클로라이드, 브로마이드, 또는 요오다이드; 달리, 플루오라이드; 달리, 클로라이드; 달리 브로마이드; 또는 달리 요오다이드이다. 일반적으로, 임의의 금속 히드로카르빌 (비-할라이드 금속알킬 및/또는 금속알킬 할라이드)의 각각의 히드로카르빌기는 C1 내지 C20 히드로카르빌기; 달리, C1 내지 C10 히드로카르빌기; 또는 달리, C1 내지 C6 히드로카르빌기이다.
일반적으로, 임의의 금속 히드로카르빌 화합물의 각각의 히드로카르빌은 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기; 달리, 알킬기; 달리, 시클로알킬기; 달리, 아릴기; 또는 달리, 아르알킬기이다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌은 금속알킬이고 비-할라이드 금속알킬, 금속알킬 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 비-할라이드 금속알킬; 또는 달리, 금속알킬 히드로카르빌 할라이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
실시태양에서, 금속 히드로카르빌 (또는 금속알킬, 기타 금속 히드로카르빌들 중)의 금속은 1, 2, 11, 12, 13, 또는 14족 금속; 또는 달리, 13 또는 14족 금속; 또는 달리, 13족 금속으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 (비-할라이드 금속 히드로카르빌 또는 금속 히드로카르빌 할라이드, 또는 비-할라이드 금속알킬 또는 금속알킬 할라이드)의 금속은 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 아연, 카드뮴, 붕소, 알루미늄, 또는 주석; 달리, 리튬, 나트륨, 칼륨, 마그네슘, 칼슘, 아연, 붕소, 알루미늄, 또는 주석; 달리, 리튬, 나트륨, 또는 칼륨; 달리, 마그네슘, 칼슘; 달리, 리튬; 달리, 나트륨; 달리, 칼륨; 달리, 마그네슘; 달리, 칼슘; 달리, 아연; 달리, 붕소; 달리, 알루미늄; 또는 달리, 주석이다.
일 양태에서, 금속알킬은 1족 금속알킬, 2족 금속알킬 히드라이드, 2족 금속알킬 할라이드, 2족 금속 디알킬, 12족 금속 디알킬, 13족 금속알킬 디히드라이드, 13족 금속 디알킬 히드라이드, 13족 금속알킬 디할라이드, 13족 금속 디알킬 할라이드, 13족 금속 트리알킬, 14족 금속 디알킬, 14족 금속 디알킬 디할라이드, 14족 금속 테트라알킬, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 1족 금속알킬, 2족 금속알킬 히드라이드, 2족 금속알킬 할라이드, 2족 금속 디알킬, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 13족 금속알킬 디히드라이드, 13족 금속 디알킬 히드라이드, 13족 금속알킬 디할라이드, 13족 금속 디알킬 할라이드, 13족 금속 트리알킬, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 14족 금속 디알킬, 14족 금속 디알킬 디할라이드, 14족 금속 테트라알킬로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 실시태양에서, 금속알킬은 1족 금속알킬, 2족 금속알킬 히드라이드, 2족 금속 디알킬, 12족 금속 디알킬, 13족 금속알킬 디히드라이드, 13족 금속 디알킬 히드라이드, 13족 금속 트리알킬, 14족 금속 디알킬, 14족 금속 테트라알킬, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 1족 금속알킬, 2족 금속알킬 히드라이드, 2족 금속 디알킬, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 13족 금속알킬 디히드라이드, 13족 금속 디알킬 히드라이드, 13족 금속 트리알킬, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 금속알킬은 1족 금속알킬, 2족 금속 디알킬, 12족 금속 디알킬, 13족 금속 트리알킬, 14족 금속 디알킬, 또는 14족 금속 테트라알킬; 달리, 1족 금속알킬 또는 2족 금속 디알킬; 또는 달리, 14족 금속 디알킬, 또는 14족 금속 테트라알킬 로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 금속알킬은 13족 금속알킬 디할라이드, 13족 금속 디알킬 할라이드, 13족 금속 트리알킬, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 또 다른 실시태양들에서, 금속알킬은 1족 금속알킬; 달리, 2족 금속알킬 히드라이드; 달리, 2족 금속알킬 할라이드; 달리, 2족 금속 디알킬; 달리, 12족 금속 디알킬; 달리, 13족 금속알킬 디히드라이드; 달리, 13족 금속 디알킬 히드라이드; 달리, 13족 금속알킬 디할라이드; 달리, 13족 금속 디알킬 할라이드; 달리, 13족 금속 트리알킬; 달리, 14족 금속 디알킬; 달리, 14족 금속 디알킬 디할라이드; 또는 달리, 14족 금속 테트라알킬로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
히드로카르빌 금속화합물들은 할로겐 원자 함유 화합물들 및 할로겐 원자 무함유 화합물들을 포함한다는 것에 주목하여야 한다. 히드로카르빌 금속화합물이 할로겐 원자를 함유할 때, 히드로카르빌 금속화합물을 히드로카르빌 금속 할라이드라고 칭한다. 히드로카르빌 금속화합물이 할로겐 원자를 함유하지 않을 때, 히드로카르빌 금속화합물을 비-할라이드 히드로카르빌 화합물라고 칭한다.
히드로카르빌 금속화합물이 할로겐 원자를 함유할 때 (예를들면, 금속 히드로카르빌 할라이드 또는 금속알킬 할라이드), 히드로카르빌 금속화합물은 또한 할로겐 함유 화합물 (더욱 기재됨)로 기능할 수 있다. 히드로카르빌 금속화합물이 할로겐 원자를 함유하는 일부 실시태양들에서 (예를들면, 금속 히드로카르빌 할라이드 또는 금속알킬 할라이드), 히드로카르빌 금속화합물은 모든 또는 일부 할로겐 함유 화합물; 달리, 모든 할로겐 함유 화합물; 또는 달리, 일부 할로겐 함유 화합물을 나타낸다.
비-제한적 실시태양에서, 금속알킬은 리튬 알킬, 소듐 알킬, 마그네슘 디알킬, 아연 디알킬, 붕소 트리알킬, 알루미늄 트리알킬, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 리튬 알킬, 소듐 알킬, 마그네슘 디알킬, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 금속알킬은 리튬 알킬; 달리, 소듐 알킬; 달리, 마그네슘 디알킬; 달리, 아연 디알킬; 달리, 붕소 트리알킬; 또는 달리, 알루미늄 트리알킬로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 (비-할라이드 금속 히드로카르빌 또는 금속 히드로카르빌 할라이드, 또는 비-할라이드 금속알킬 또는 금속알킬 할라이드)은 리튬 히드로카르빌, 소듐 히드로카르빌, 마그네슘 히드로카르빌, 붕소 히드로카르빌, 아연 히드로카르빌, 또는 알루미늄 히드로카르빌로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 (비-할라이드 금속 히드로카르빌 또는 금속 히드로카르빌 할라이드, 또는 비-할라이드 금속알킬 또는 금속알킬 할라이드)은 리튬 알킬, 소듐 알킬, 마그네슘 알킬, 붕소 알킬, 아연 알킬, 또는 알루미늄 알킬로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 (비-할라이드 금속 히드로카르빌 또는 금속 히드로카르빌 할라이드, 또는 비-할라이드 금속알킬 또는 금속알킬 할라이드)은 알루미늄 히드로카르빌로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서 알루미늄 히드로카르빌은 알루미늄 알킬이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 금속 히드로카르빌은 트리히드로카르빌알루미늄 화합물, 디히드로카르빌알루미늄 할라이드 화합물, 히드로카르빌알루미늄 디할라이드 화합물, 디히드로카르빌알루미늄 히드라이드 화합물, 히드로카르빌알루미늄 디히드라이드 화합물, 디히드로카르빌알루미늄 히드로카르복시드 화합물, 히드로카르빌알루미늄 디히드로카르복시드 화합물, 히드로카르빌 알루미늄 세스퀴할라이드 화합물, 히드로카르빌알루미늄 세스퀴히드로카르복시드 화합물, 알루미녹산, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리히드로카르빌알루미늄, 디히드로카르빌알루미늄 히드라이드, 히드로카르빌알루미늄 디히드라이드, 디히드로카르빌알루미늄 알콕시드, 히드로카르빌알루미늄 디알콕시드, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 트리히드로카르빌알루미늄, 디히드로카르빌알루미늄 히드라이드, 히드로카르빌알루미늄 디히드라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌은 트리히드로카르빌알루미늄 화합물, 디히드로카르빌알루미늄 할라이드 화합물, 히드로카르빌알루미늄 디할라이드 화합물, 히드로카르빌 알루미늄 세스퀴할라이드 화합물, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리히드로카르빌알루미늄 화합물, 디히드로카르빌알루미늄 할라이드 화합물, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리히드로카르빌알루미늄 화합물; 달리, 디히드로카르빌알루미늄 할라이드 화합물; 달리, 히드로카르빌알루미늄 디할라이드 화합물; 달리, 디히드로카르빌알루미늄 히드라이드 화합물; 달리, 히드로카르빌알루미늄 디히드라이드 화합물; 달리, 디히드로카르빌알루미늄 히드로카르복시드 화합물; 달리, 히드로카르빌알루미늄 디히드로카르복시드 화합물; 달리, 히드로카르빌알루미늄 세스퀴할라이드 화합물; 달리, 히드로카르빌알루미늄 세스퀴히드로카르복시드 화합물; 또는 달리, 알루미녹산으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 금속 히드로카르빌, 금속 히드로카르빌 할라이드들, 및/또는 금속 히드로카르빌 히드로카르복시드들에 대한 적용 가능한 히드로카르빌기들 및 할라이드들은 본원에 기재되고 적합한 금속 히드로카르빌들을 더욱 기재하기 위하여 활용된다.
일반적으로, 히드로카르복시드기를 가지는 임의의 금속 히드로카르빌의 각각의 히드로카르복시드기는 C1 내지 C20 히드로카르복시드기; 달리, C1 내지 C10 히드로카르복시드기; 또는 달리, C1 내지 C6 히드로카르복시드기이다. 실시태양에서, 각각의 히드로카르복시드는 독립적으로 알콕시드기, 시클로알콕시드기, 아록시드 기, 또는 아르알콕시드기; 달리, 알콕시드기; 달리, 시클로알콕시드기; 달리, 아록시드 기; 또는 달리, 아르알콕시드기이다. 일반적으로, 알콕시드기, 시클로알콕시드기, 아록시드 기, 및/또는 아르알콕시드기는 히드로카르복시드기와. 동일 개수의 탄소원자들을 가진다
금속 히드로카르빌이 금속알킬이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어질 때, 본원에 기재된 임의의 금속알킬 (예를들면, 알킬 알루미늄 화합물 또는 알킬알루미늄 할라이드, 무엇보다도)의 각각의 알킬기는 독립적으로 C1 내지 C20 알킬기; 달리, C1 내지 C10 알킬기; 또는 달리, C1 내지 C6 알킬기이다. 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 금속알킬의 각각의 알킬기(들)는 독립적으로 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 또는 옥틸기; 달리, 메틸기, 에틸기, 부틸기, 헥실기, 또는 옥틸기이다. 일부 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 금속알킬의 각각의 알킬기는 독립적으로 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, 이소-부틸기, n-헥실기, 또는 n-옥틸기; 달리, 메틸기, 에틸기, N-부틸기, 또는 이소-부틸기; 달리, 메틸기; 달리, 에틸기; 달리, n-프로필기; 달리, n-부틸기; 달리, 이소-부틸기; 달리, N-헥실기; 또는 달리, n-옥틸기이다.
일반적으로, 본원에 기재된 알콕시드기를 포함하는 임의의 금속알킬의 각각의 알콕시드기는 독립적으로 C1 내지 C20 알콕시드기; 달리, C1 내지 C10 알콕시드기; 또는 달리, C1 내지 C6 알콕시드기이다. 실시태양에서, 본원에 기재된 알콕시드기를 포함하는 임의의 금속알킬의 각각의 알콕시드기는 독립적으로 메톡시드기, 에톡시드기, 프로폭시드기, 부톡시드기, 펜톡시드기, 헥속시드기, 헵톡시드기, 또는 옥톡시드기; 달리, 메톡시드기, 에톡시드기, 부톡시드기, 헥속시드기, 또는 옥톡시드기이다. 일부 실시태양들에서, 본원에 기재된 알콕시드기를 포함하는 임의의 금속알킬의 각각의 알콕시드기는 메톡시드기, 에톡시드기, n-프로폭시드기, n-부톡시드기, 이소-부톡시드기, n-헥속시드기, 또는 n-옥톡시드기; 달리, 메톡시드기, 에톡시드기, N-부톡시드기, 또는 이소-부톡시드기; 달리, 메톡시드기; 달리, 에톡시드기; 달리, n-프로폭시드기; 달리, n-부톡시드기; 달리, 이소-부톡시드기; 달리, n-헥속시드기; 또는 달리, n-옥톡시드기이다.
비-제한적 실시태양에서, 금속알킬은 메틸 리튬, 에틸 리튬, n-부틸 리튬, sec-부틸 리튬, tert-부틸 리튬, 디에틸 마그네슘, 디에틸 아연, 또는 임의의 이들의 조합; 달리 메틸 리튬, 에틸 리튬, n-부틸 리튬, sec-부틸 리튬, tert-부틸 리튬, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 메틸 리튬; 달리, 에틸 리튬; 달리, n-부틸 리튬; 달리, sec-부틸 리튬; 달리, tert-부틸 리튬; 달리, 디에틸 마그네슘; 또는 달리, 디에틸 아연으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
본 발명에 의한 일부 양태들 및 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌은 비-가수분해 히드로카르빌 알루미늄 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 비-가수분해 히드로카르빌 알루미늄 화합물은 트리히드로카르빌알루미늄 화합물, 히드로카르빌알루미늄 할라이드, 또는 및 히드로카르빌알루미늄 알콕시드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 금속알킬은 트리알킬알루미늄, 디알킬알루미늄 할라이드, 알킬알루미늄 디할라이드, 디알킬알루미늄 히드라이드, 알킬알루미늄 디히드라이드, 디알킬알루미늄 알콕시드, 알킬알루미늄 디알콕시드, 알킬알루미늄 세스퀴할라이드, 알킬알루미늄 세스퀴알콕시드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리알킬알루미늄, 디알킬알루미늄 히드라이드, 알킬알루미늄 디히드라이드, 디알킬알루미늄 알콕시드, 알킬알루미늄 디알콕시드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리알킬알루미늄, 디알킬알루미늄 히드라이드, 알킬알루미늄 디히드라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리알킬알루미늄, 디알킬알루미늄 할라이드, 알킬알루미늄 디할라이드, 알킬알루미늄 세스퀴할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리알킬알루미늄, 디알킬알루미늄 할라이드, 알킬알루미늄 디할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리알킬알루미늄, 디알킬알루미늄 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리알킬알루미늄; 달리, 디알킬알루미늄 할라이드; 달리, 알킬알루미늄 디할라이드; 달리, 디알킬알루미늄 히드라이드; 달리, 알킬알루미늄 디히드라이드; 달리, 디알킬알루미늄 알콕시드; 달리, 알킬알루미늄 디알콕시드; 달리, 알킬알루미늄 세스퀴할라이드; 또는 달리, 알킬알루미늄 세스퀴알콕시드로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 알킬기들, 알콕시드기들, 및 할라이드들은 본원에 개시되고 금속알킬들을 더욱 기술하기 위하여 활용되는 금속알킬, 금속알킬 할라이드들, 및/또는 금속 알콕시드들을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용될 수 있는 트리알킬알루미늄은 트리메틸알루미늄, 트리에틸알루미늄, 트리프로필알루미늄, 트리-n-부틸알루미늄, 트리-이소부틸알루미늄, 트리-n-헥실알루미늄, 트리-n-옥틸알루미늄, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리에틸알루미늄, 트리-n-부틸알루미늄, 트리-이소부틸알루미늄, 트리-n-헥실알루미늄, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리메틸알루미늄; 달리, 트리에틸알루미늄; 달리, 트리프로필알루미늄; 달리, 트리-n-부틸알루미늄; 달리, 트리-이소부틸알루미늄; 달리, 트리-n-헥실알루미늄; 또는 달리, 트리-n-옥틸알루미늄으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 비-제한적 실시태양에서, 알킬알루미늄 할라이드들은 디에틸알루미늄 클로라이드, 디에틸알루미늄 브로마이드, 에틸알루미늄 디클로라이드, 에틸알루미늄 세스퀴클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리 디에틸알루미늄 클로라이드, 에틸알루미늄 디클로라이드, 에틸알루미늄 세스퀴클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디에틸알루미늄 클로라이드; 달리, 디에틸알루미늄 브로마이드; 달리, 에틸알루미늄 디클로라이드; 또는 달리, 에틸알루미늄 세스퀴클로라이드 로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 비-제한적 실시태양에서, 금속알킬 화합물은 트리메틸알루미늄 (TMA), 트리에틸알루미늄 (TEA), 에틸알루미늄 디클로라이드, 트리프로필알루미늄, 디에틸알루미늄 에톡시드, 트리부틸알루미늄, 디이소부틸알루미늄 히드라이드, 트리이소부틸알루미늄, 디에틸알루미늄 클로라이드 (DEAC)의 혼합물, 또는 임의의 이들의 조합 로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
일 양태에서, 금속알킬 화합물은 트리알킬알루미늄 화합물 및 알킬알루미늄 할라이드의 혼합물로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 혼합물 중 트리알킬알루미늄 화합물은 본원에 기재된 임의의 트리알킬알루미늄 화합물로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 혼합물 중 알킬알루미늄 할라이드 화합물은 본원에 기재된 임의의 알킬알루미늄 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 트리알킬알루미늄 화합물 및 알킬알루미늄 할라이드의 혼합물은 트리에틸알루미늄 및 디에틸알루미늄 클로라이드 혼합물, 트리에틸알루미늄 및 에틸알루미늄 디클로라이드 혼합물, 또는 트리에틸알루미늄 및 에틸알루미늄 세스퀴클로라이드 혼합물로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 실시태양에서, 삼합체화 촉매시스템의 금속알킬 성분은 트리에틸알루미늄 및 디에틸알루미늄 클로라이드의 혼합물로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
일 양태에서, 금속 히드로카르빌은 알루목산으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 실시태양에서, 알루미녹산은 식 I의 반복 단위를 가진다.
Figure pct00011

일반적으로, R’ 은본원에 개시되는 임의의 히드로카르빌기이다. 일부 실시태양들에서, R’ 은 알킬기이다. 알킬기들은 일반적으로 금속알킬에 대하여 본원에 개시되고 이들 R’이 알킬기인 식 I의 반복 단위를 가지는 알루목산을 기술하기 위하여 제한없이 사용된다. 일부 실시태양들에서, R’ 은선형 또는 분지형 알킬기; 달리 선형 알킬기; 달리, 분지형 알킬기; 또는 달리, 선형 및 분지형 알킬기들의 혼합물이다. 일반적으로, 식 I의 n은 1보다; 또는 달리 2보다 크다. 실시태양에서, n은 2 내지 15; 또는 달리, 3 내지 10이다.
비-제한적 실시태양에서, 알루미녹산은 메틸알루미녹산, 에틸알루미녹산, 개질 메틸알루미녹산, n-프로필알루미녹산, 이소-프로필알루미녹산, n부틸알루미녹산, sec부틸알루미녹산, 이소-부틸알루미녹산, t부틸알루미녹산, 1펜틸알루미녹산, 2펜틸알루미녹산, 3펜틸알루미녹산, 이소-펜틸알루미녹산, 네오펜틸알루미녹산, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 알루미녹산은 메틸알루미녹산, 개질 메틸알루미녹산, 이소부틸 알루미녹산, t부틸알루미녹산, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 알루미녹산은 메틸알루미녹산; 달리, 에틸알루미녹산; 달리, 개질 메틸알루미녹산; 달리, n-프로필알루미녹산; 달리, 이소-프로필알루미녹산; 달리, n부틸알루미녹산; 달리, sec부틸알루미녹산; 달리, 이소-부틸알루미녹산; 달리, t부틸알루미녹산; 달리, 1펜틸알루미녹산; 달리, 2펜틸알루미녹산; 달리, 3펜틸알루미녹산; 달리, 이소-펜틸알루미녹산; 또는 달리, 네오펜틸알루미녹산으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
이론에 구속될 의도없이, 할로겐 함유 화합물은 본원에 기재된 촉매시스템를 이용하는 올리고머화 방법의 생성물 순도 및 선택성을 개선하는 것으로 판단된다. 본원에서 사용되는, 용어들 “할로겐 함유” 및 “할라이드 함유”는 상호교환적으로 사용된다. 일 양태에서, 할로겐 함유 화합물은 금속 할라이드, 비-금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 금속 할라이드; 또는 달리, 비-금속 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 금속 할라이드는 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 무기 금속 할라이드; 또는 달리, 히드로카르빌 금속 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 본 양태 및 임의의 개시된 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물 (금속 할라이드 또는 비-금속 할라이드, 및/또는 무기 금속 할라이드 또는 히드로카르빌 금속 할라이드)은 3족, 4족, 5족, Cr 제외6족, 13족, 14족, 또는 15족 할로겐 함유 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
실시태양에서, 할로겐 함유 화합물은 3족 금속 할라이드, 4족 금속 할라이드, 5족 금속 할라이드, Cr제외 6족 금속 할라이드, 13족 금속 할라이드, 14족 금속 할라이드, 15족 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 3족 금속 할라이드, 4족 금속 할라이드, 5족 금속 할라이드, Cr 제외 6족 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 13족 금속 할라이드, 14족 금속 할라이드, 15족 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물은 3족 금속 할라이드; 달리, 4족 금속 할라이드; 달리, 5족 금속 할라이드; 달리, Cr 제외 6족 금속 할라이드; 달리, 13족 금속 할라이드; 달리, 14족 금속 할라이드; 또는 달리, 15족 금속 할라이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물은 할로겐화 탄화수소로 구성되거나 실질적으로 이루어진다.
일반적으로, 족 번호 (금속 또는 비-금속) 및 할로겐 (할로겐 함유 화합물의 가타 특징 중)은 할로겐 함유 화합물의 독립적인 요소들이고 독립적으로 본원에 기재된다. 할로겐 함유 화합물은 본원에 기재된 족 번호(들) (금속 또는 비-금속) 및 할로겐(들)의 임의의 조합으로 기재된다.
실시태양에서, 비-금속 할라이드는 13족 비-금속 할라이드, 14족 비-금속 할라이드, 15족 비-금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 13족 비-금속 할라이드; 달리, 14족 비-금속 할라이드; 또는 달리, 15족 비-금속 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 비-금속 할라이드는 붕소 할라이드, 실리콘 할라이드, 인 할라이드, 할로겐화 탄화수소, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 붕소 할라이드; 달리, 실리콘 할라이드; 달리, 인 할라이드; 또는 달리, 할로겐화 탄화수소이거나, 구성되거나, 이루어진다. 실시태양에서, 붕소 할라이드 화합물은 붕소 트리할라이드, 히드로카르빌 붕소 디할라이드, 디히드로카르빌 붕소 모노할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 붕소 트리할라이드; 달리, 히드로카르빌 붕소 디할라이드; 또는 달리 디히드로카르빌 붕소 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 실리콘 할라이드는 실리콘 테트라할라이드, 히드로카르빌 실리콘 트리할라이드, 디히드로카르빌 실리콘 디할라이드, 트리히드로카르빌 실리콘 모노할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 실리콘 테트라할라이드; 달리, 히드로카르빌 실리콘 트리할라이드; 달리, 디히드로카르빌 실리콘 디할라이드; 또는 달리 트리히드로카르빌 실리콘 모노할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 인 할라이드는 인 펜다할라이드, 인 트리할라이드, 히드로카르빌 인 디할라이드, 디히드로카르빌 인 모노할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 인 펜다할라이드, 인 트리할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 인 펜다할라이드; 달리, 인 트리할라이드; 달리, 히드로카르빌 인 디할라이드; 또는 달리, 디히드로카르빌 인 모노할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 할라이드(들) (또는 할로겐) 및 히드로카르빌기(들) (또는 할로겐화 탄화수소의 탄화수소)는 할로겐화 화합물로 활용되는 붕소 할라이드, 실리콘 할라이드, 인 할라이드, 또는 할로겐화 탄화수소의 독립적인 요소들이다. 할라이드들 (또는 할로겐들) 및 히드로카르빌기들은 독립적으로 본원에 기재되고 할로겐 함유 화합물로 활용되는 붕소 할라이드, 실리콘 할라이드, 인 할라이드, 할로겐화 탄화수소를 더욱 기술하기 위하여 임의의 조합으로 활용된다.
실시태양에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 금속 할라이드 화합물은 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 무기 금속 할라이드; 또는 달리, 히드로카르빌 금속 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 금속 할라이드는 3족 금속 할라이드, 4족 금속 할라이드, 5족 금속 할라이드, Cr 제외 6족 금속 할라이드, 13족 금속 할라이드, 14족 금속 할라이드, 15족 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 3족 금속 할라이드; 달리, 4족 금속 할라이드; 달리, 5족 금속 할라이드; 달리, Cr 제외 6족 금속 할라이드; 달리, 13족 금속 할라이드; 달리, 14족 메타할라이드; 또는 달리, 15족 금속 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 금속 할라이드 화합물은 무기 3족 금속 할라이드, 무기 4족 금속 할라이드, 무기 5족 금속 할라이드, 무기 Cr제외 6족 금속 할라이드, 무기 13족 금속 할라이드, 무기 14족 금속 할라이드, 무기 15족 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 무기 3족 금속 할라이드; 달리, 무기 4족 금속 할라이드; 달리, 무기 5족 금속 할라이드; 달리, 무기 Cr제외 6족 금속 할라이드; 달리, 무기 13족 금속 할라이드; 달리, 무기 14족 금속 할라이드; 또는 달리, 무기 15족 금속 할라이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 금속 할라이드 화합물은 히드로카르빌3족 금속 할라이드, 히드로카르빌4족 금속 할라이드, 히드로카르빌5족 금속 할라이드, 히드로카르빌Cr제외 6족 금속 할라이드, 히드로카르빌 13족 금속 할라이드, 히드로카르빌 14족 금속 할라이드, 히드로카르빌 15족 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 히드로카르빌3족 금속 할라이드; 달리, 히드로카르빌4족 금속 할라이드; 달리, 히드로카르빌5족 금속 할라이드; 달리, 히드로카르빌Cr제외 6족 금속 할라이드; 달리, 히드로카르빌 13족 금속 할라이드; 달리, 히드로카르빌 14족 금속 할라이드; 또는 달리, 히드로카르빌 15족 금속 할라이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 무기 금속 할라이드들의 할라이드(들) (또는 할로겐(들)) 및 히드로카르빌 금속 할라이드들의 할라이드(들) (또는 할로겐(들)) 및 히드로카르빌기(들)는 할로겐 함유 화합물로 활용되는 무기 금속 할라이드 및/또는 히드로카르빌 금속 할라이드들의 독립적인 요소들이다. 할라이드들 (또는 할로겐들) 및 히드로카르빌기들은 독립적으로 본원에 기재되고 할로겐 함유 화합물로 활용되는 무기 금속 할라이드 및/또는 히드로카르빌 금속 할라이드를 더욱 기술하기 위하여 임의의 조합으로 이용된다.
할로겐 함유 화합물이 히드로카르빌 금속 할라이드로 구성되거나 실질적으로 이루어질 때, 할로겐 함유 화합물 (즉, 히드로카르빌 금속 할라이드)은 또한 히드로카르빌 금속화합물로 작용할 수 있다는 것에 주목하여야 한다. 할로겐 함유 화합물이 히드로카르빌 금속 할라이드로 구성되거나 실질적으로 이루어지는 일부 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물 (즉, 히드로카르빌 금속 할라이드)은 모든 또는 일부 히드로카르빌 금속화합물을 나타내고; 달리, 모든 히드로카르빌 금속화합물; 또는 달리, 일부의 히드로카르빌 금속화합물을 나타낸다.
일 양태 또는 임의의 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 임의의 일반 또는 특정무기 금속 할라이드 또는 히드로카르빌 금속 할라이드의 금속은 스칸듐, 이트륨, 란탄, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오븀, 몰리브덴, 텅스텐, 알루미늄, 갈륨, 게르마늄, 주석, 비소, 안티몬, 또는 비스무트; 또는 달리, 스칸듐, 이트륨, 란탄, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 몰리브덴, 텅스텐, 알루미늄, 갈륨, 게르마늄, 주석, 비소, 안티몬, 또는 비스무트 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 임의의 일반 또는 특정무기 금속 할라이드 또는 히드로카르빌 금속 할라이드의 금속은 스칸듐, 이트륨, 란탄, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 몰리브덴, 또는 텅스텐; 또는 달리, 알루미늄, 갈륨, 게르마늄, 주석, 안티몬, 또는 비스무트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 임의의 일반 또는 특정무기 금속 할라이드 또는 히드로카르빌 금속 할라이드의 금속은 스칸듐, 이트륨, 또는 란탄; 달리, 티타늄, 지르코늄, 또는 하프늄; 달리, 바나듐, 또는 니오븀; 달리, 몰리브덴 또는 텅스텐; 달리, 알루미늄 또는 갈륨; 달리, 게르마늄 또는 주석; 또는 달리, 안티몬, 또는 비스무트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 실시태양들에서, 임의의 일반 또는 특정무기 금속 할라이드 또는 히드로카르빌 금속 할라이드의 금속은 스칸듐; 달리, 이트륨; 달리, 란탄; 달리, 티타늄; 달리, 지르코늄; 달리, 하프늄; 달리, 바나듐; 달리, 니오븀; 달리, 몰리브덴; 달리, 텅스텐; 달리, 알루미늄; 달리, 갈륨; 달리, 게르마늄; 달리, 주석; 달리, 비소; 달리, 안티몬; 또는 달리, 비스무트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 할로겐 함유 화합물 (무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 비-금속 할라이드인지와는 무관)의 각각의 할로겐 (또는 할라이드)은 독립적으로 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 또는 요오다이드; 달리, 플루오라이드; 달리, 클로라이드; 달리, 브로마이드; 또는 달리, 요오다이드이다. 따라서, 할로겐 함유 화합물은 불소 (또는 플루오라이드) 함유 화합물, 염소 (또는 클로라이드) 함유 화합물, 브롬 (또는 브로마이드) 함유 화합물, 또는 요오드 (또는 요오다이드) 함유 화합물이다. 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물은 불소 (또는 플루오라이드) 함유 화합물; 달리, 염소 (또는 클로라이드) 함유 화합물; 달리, 브롬 (또는 브로마이드) 함유 화합물; 또는 달리, 요오드 (또는 요오다이드) 함유 화합물이다.
예시적 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물은 임의의 일반 또는 특정무기 금속 플루오라이드, 히드로카르빌 금속 플루오라이드, 비-금속 플루오라이드, 무기 금속 클로라이드, 히드로카르빌 금속 클로라이드, 비-금속 클로라이드, 무기 금속 브로마이드, 히드로카르빌 금속 브로마이드, 비-금속 브로마이드, 무기 금속 요오다이드, 히드로카르빌 금속 요오다이드, 비-금속 요오다이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 무기 금속 플루오라이드, 무기 금속 클로라이드, 무기 금속 브로마이드, 무기 금속 요오다이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 히드로카르빌 금속 플루오라이드, 히드로카르빌 금속 클로라이드, 히드로카르빌 금속 브로마이드, 히드로카르빌 금속 요오다이드, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 비-금속 플루오라이드, 비-금속 클로라이드, 비-금속 브로마이드, 비-금속 요오다이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물은 임의의 일반 또는 특정 무기 금속 클로라이드, 히드로카르빌 금속 클로라이드, 비-금속 클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 무기 금속 클로라이드; 달리, 히드로카르빌 금속 클로라이드; 또는 달리, 비-금속 클로라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
실시태양에서, 임의의 히드로카르빌 금속 할라이드 (예를들면, 무엇보다도 본원에 개시되는 히드로카르빌 알루미늄 할라이드 또는 히드로카르빌 주석 할라이드) 또는 임의의 히드로카르빌 비-금속 할라이드 (예를들면, 무엇보다도 본원에 개시되는 히드로카르빌 붕소 할라이드, 히드로카르빌 실리콘 할라이드, 히드로카르빌 인 할라이드)의 히드로카르빌기는 C1 내지 C20 히드로카르빌기; 달리, C1 내지 C10 히드로카르빌기; 또는 달리, C1 내지 C6 히드로카르빌기이다. 히드로카르빌기들 (일반 및 특정)는 일반적으로 기타 양태들 및 실시태양들 중에서 실시태양들 R2c, 피롤 화합물들에 대한 치환기들, 및 본원에 기재된 다양한 실시태양들에서 치환기들로서 본원에 기재된다. 이들 히드로카르빌기 설명 (일반 및 특정)은 할로겐 함유 화합물로 활용되는 히드로카르빌 금속 할라이드 또는 히드로카르빌 비-금속 할라이드를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다. 일부 비-제한적 실시예에서, 히드로카르빌 금속 할라이드 (예를들면, 무엇보다도 본원에 개시되는 히드로카르빌 알루미늄 할라이드 또는 히드로카르빌 주석 할라이드), 또는 임의의 히드로카르빌 비-금속 할라이드 (예를들면, 무엇보다도 본원에 개시되는 히드로카르빌 붕소 할라이드, 히드로카르빌 실리콘 할라이드, 히드로카르빌 인 할라이드)의 히드로카르빌기는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기; 달리, 알킬기; 달리, 시클로알킬기; 달리, 아릴기; 또는 달리, 아르알킬기이다.
비-제한적 실시예에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 금속 할라이드는 스칸듐 트리클로라이드, 이트륨 트리클로라이드, 란탄 트리클로라이드, 티타늄 테트라클로라이드, 지르코늄 테트라클로라이드, 하프늄 테트라클로라이드, 몰리브덴 펜타클로라이드, 텅스텐 헥사클로라이드, 알루미늄 클로라이드, 알루미늄 트리브로마이드, 알루미늄 플루오라이드, 갈륨 트리클로라이드, 게르마늄 테트라클로라이드, 주석 테트라클로라이드, 안티몬 트리클로라이드, 안티몬 펜타클로라이드, 비스무트 트리클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, th할로겐 함유 화합물로 활용되는 금속 할라이드는 스칸듐 트리클로라이드, 이트륨 트리클로라이드, 란탄 트리클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 티타늄 테트라클로라이드, 지르코늄 테트라클로라이드, 하프늄 테트라클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 몰리브덴 펜타클로라이드, 텅스텐 헥사클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 알루미늄 클로라이드, 알루미늄 트리브로마이드, 알루미늄 플루오라이드, 갈륨 트리클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 게르마늄 테트라클로라이드, 주석 테트라클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 안티몬 트리클로라이드, 안티몬 펜타클로라이드, 비스무트 트리클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, th할로겐 함유 화합물로 활용되는 금속 할라이드는 스칸듐 트리클로라이드; 달리, 이트륨 트리클로라이드; 달리, 란탄 트리클로라이드; 달리, 티타늄 테트라클로라이드; 달리, 지르코늄 테트라클로라이드; 달리, 하프늄 테트라클로라이드; 달리, 몰리브덴 펜타클로라이드; 달리, 텅스텐 헥사클로라이드; 달리, 알루미늄 클로라이드; 달리, 알루미늄 트리브로마이드; 달리, 알루미늄 플루오라이드; 달리, 갈륨 트리클로라이드; 달리, 게르마늄 테트라클로라이드; 달리, 주석 테트라클로라이드; 달리, 안티몬 트리클로라이드; 달리, 안티몬 펜타클로라이드; 달리, 비스무트 트리클로라이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
비-제한적 실시예에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 붕소 할라이드, 실리콘 할라이드, 또는 인 할라이드는 붕소 트리클로라이드, 붕소 트리브로마이드, 실리콘 테트라클로라이드, 실리콘 테트라브로마이드, 인 트리클로라이드, 인 트리브로마이드, 인 펜타클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다,. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물은 붕소 트리클로라이드, 붕소 트리브로마이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 실리콘 테트라클로라이드, 실리콘 테트라브로마이드, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 인 트리클로라이드, 인 트리브로마이드, 인 펜타클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물은 붕소 트리클로라이드; 달리, 붕소 트리브로마이드; 달리, 실리콘 테트라클로라이드; 달리, 실리콘 테트라브로마이드; 달리, 인 트리클로라이드; 달리, 인 트리브로마이드; 또는 달리, 인 펜타클로라이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
실시태양에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 히드로카르빌 금속 할라이드는 히드로카르빌알루미늄 할라이드 또는 히드로카르빌주석 할라이드; 달리 히드로카르빌알루미늄 할라이드; 또는 달리, 히드로카르빌주석 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 예시적 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 히드로카르빌 금속 할라이드는 히드로카르빌알루미늄 디할라이드, 디히드로카르빌알루미늄 할라이드, 히드로카르빌알루미늄 세스퀴할라이드, 히드로카르빌주석 트리할라이드, 디히드로카르빌주석 디할라이드, 트리히드로카르빌주석 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 히드로카르빌 금속 할라이드는 히드로카르빌알루미늄 디할라이드, 디히드로카르빌알루미늄 할라이드, 히드로카르빌알루미늄 세스퀴할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 히드로카르빌주석 트리할라이드, 디히드로카르빌주석 디할라이드, 트리히드로카르빌주석 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 추가 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 히드로카르빌 금속 할라이드는 히드로카르빌알루미늄 디할라이드; 달리, 디히드로카르빌알루미늄 할라이드; 달리, 히드로카르빌알루미늄 세스퀴할라이드; 달리, 히드로카르빌주석 트리할라이드; 달리, 디히드로카르빌주석 디할라이드; 또는 달리, 트리히드로카르빌주석 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 히드로카르빌기들은 본원에 기재되고 할로겐 함유 화합물로 활용되는 히드로카르빌알루미늄 할라이드 및/또는 히드로카르빌주석 할라이드의 히드로카르빌기들을 제한없이 기술하기 위하여 활용된다.
일 양태에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 히드로카르빌 금속 할라이드는 알킬 금속 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 알킬 금속 할라이드는 알킬알루미늄 할라이드 또는 알킬주석 할라이드; 달리 알킬알루미늄 할라이드; 또는 달리, 알킬주석 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 알킬 알루미늄 할라이드는 알킬알루미늄 클로라이드; 달리, 알킬알루미늄 브로마이드; 또는 달리, 및 알킬알루미늄 요오다이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 알킬 주석 할라이드는 알킬주석 클로라이드; 달리, 알킬주석 브로마이드; 또는 달리, 알킬주석 요오다이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 알킬 금속 할라이드는 알킬알루미늄 디할라이드, 디알킬알루미늄 할라이드, 알킬알루미늄 세스퀴할라이드, 알킬주석 트리할라이드, 디알킬주석 디할라이드, 트리알킬주석 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 알킬 금속 할라이드는 알킬알루미늄 디할라이드, 디알킬알루미늄 할라이드, 알킬알루미늄 세스퀴할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 알킬주석 트리할라이드, 디알킬주석 디할라이드, 트리알킬주석 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 추가적인 비-제한적 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 알킬 금속 할라이드는 알킬알루미늄 디할라이드; 달리, 디알킬알루미늄 할라이드; 달리, 알킬알루미늄 세스퀴할라이드; 달리, 알킬주석 트리할라이드; 달리, 디알킬주석 디할라이드; 또는 달리, 트리알킬주석 할라이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 특정 알킬알루미늄 할라이드들은 본원에 개시되고 (예를들면, 잠재적 알킬알루미늄 화합물들로서) 및 할로겐 함유 화합물로서 제한없이 활용될 수 있다.
비-제한적 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물은 붕소 트리플루오라이드, 알킬 붕소 플루오라이드, 붕소 트리클로라이드, 알킬 붕소 클로라이드, 붕소 트리브로마이드, 알킬 붕소 브로마이드, 붕소 트리요오다이드, 알킬 붕소 요오다이드, 실리콘 테트라플루오라이드, 알킬 실리콘 플루오라이드, 실리콘 테트라클로라이드, 알킬 실리콘 클로라이드, 실리콘 테트라브로마이드, 알킬 실리콘 브로마이드, 실리콘 테트라요오다이드, 알킬 실리콘 요오다이드, 인 플루오라이드 (트리 또는 펜타), 알킬 인 플루오라이드, 인 클로라이드 (트리 또는 펜타), 알킬 인 클로라이드, 인 트리브로마이드 (트리 또는 펜타), 알킬 인 브로마이드, 인 트리요오다이드 (트리 또는 펜타), 또는 알킬 인 요오다이드이다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물은 붕소 트리플루오라이드, 붕소 트리클로라이드 붕소 트리브로마이드, 붕소 트리요오다이드, 실리콘 테트라플루오라이드, 실리콘 테트라클로라이드, 실리콘 테트라브로마이드, 실리콘 테트라요오다이드, 인 플루오라이드 (트리 또는 펜타), 인 클로라이드 (트리 또는 펜타), 인 트리브로마이드 (트리 또는 펜타), 또는 인 트리요오다이드 (트리 또는 펜타); 달리, 붕소 트리플루오라이드, 붕소 트리클로라이드 붕소 트리브로마이드, 붕소 트리요오다이드; 달리, 실리콘 테트라플루오라이드, 실리콘 테트라클로라이드, 실리콘 테트라브로마이드, 실리콘 테트라요오다이드; 또는 달리, 인 플루오라이드 (트리 또는 펜타), 인 클로라이드 (트리 또는 펜타), 인 브로마이드 (트리 또는 펜타), 또는 인 요오다이드 (트리 또는 펜타)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물은 붕소 트리플루오라이드, 알킬 붕소 플루오라이드, 붕소 트리클로라이드, 알킬 붕소 클로라이드, 붕소 트리브로마이드, 알킬 붕소 브로마이드, 붕소 트리요오다이드, 또는 알킬 붕소 요오다이드; 달리, 실리콘 테트라플루오라이드, 알킬 실리콘 플루오라이드, 실리콘 테트라클로라이드, 알킬 실리콘 클로라이드, 실리콘 테트라브로마이드, 알킬 실리콘 브로마이드, 실리콘 테트라요오다이드, 또는 알킬 실리콘 요오다이드; 또는 달리, 인 플루오라이드 (트리 또는 펜타), 알킬 인 플루오라이드, 인 클로라이드 (트리 또는 펜타), 알킬 인 클로라이드, 인 트리브로마이드 (트리 또는 펜타), 알킬 인 브로마이드, 인 트리요오다이드 (트리 또는 펜타), 또는 알킬 인 요오다이드; 달리, 붕소 트리플루오라이드 또는 알킬 붕소 플루오라이드; 달리, 붕소 트리클로라이드 또는 알킬 붕소 클로라이드; 달리, 붕소 트리브로마이드 또는 알킬 붕소 브로마이드; 달리, 붕소 트리요오다이드 또는 알킬 붕소 요오다이드; 달리, 실리콘 테트라플루오라이드 또는 알킬 실리콘 플루오라이드; 달리, 실리콘 테트라클로라이드 또는 알킬 실리콘 클로라이드; 달리, 실리콘 테트라브로마이드 또는 알킬 실리콘 브로마이드; 달리, 실리콘 테트라요오다이드 또는 알킬 실리콘 요오다이드; 달리, 인 플루오라이드 (트리 또는 펜타) 또는 알킬 인 플루오라이드; 달리, 인 클로라이드 (트리 또는 펜타) 또는 알킬 인 클로라이드; 달리, 인 트리브로마이드 (트리 또는 펜타) 또는 알킬 인 브로마이드; 또는 달리, 인 트리요오다이드 (트리 또는 펜타) 또는 알킬 인 요오다이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 알킬 금속 할라이드 양태 또는 알킬 비-금속 할라이드 양태에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 임의의 알킬 금속 할라이드 (일반 또는 특정) 또는 알킬 비-금속 할라이드 (일반 또는 특정)의 각각의 알킬기 (하나보다 많이 존재하면)는 C1 내지 C20 알킬기; 달리, C1 내지 C10 알킬기; 또는 달리, C1 내지 C6 알킬기이다. 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 임의의 알킬 금속 할라이드 (일반 또는 특정) 또는 알킬 비-금속 할라이드 (일반 또는 특정)의 각각의 알킬기 (하나보다 많이 존재하면)는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 또는 데실기; 달리, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 또는 헥실기이다. 일부 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 임의의 알킬 금속 할라이드 (일반 또는 특정) 또는 알킬 비-금속 할라이드 (일반 또는 특정)의 각각의 알킬기 (하나보다 많이 존재하면)는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, 이소-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-헥실기, 또는 n-옥틸기; 달리, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, 이소-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 또는 n-헥실기; 달리, 메틸기; 달리, 에틸기; 달리, 프로필기; 달리, n-부틸기; 달리, 이소-부틸기; 달리, sec-부틸기; 달리, tert-부틸기; 또는 달리, n-헥실기이다.
비-제한적 실시태양에서, 알킬 실란 할라이드는 메틸 트리클로로실란, 디메틸 디클로로실란, 트리메틸 클로로실란, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 알킬 실란 할라이드는 메틸 트리클로로실란; 달리, 디메틸 디클로로실란; 또는 달리, 트리메틸 클로로실란으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
히드로카르빌 금속 할라이드들 및 알킬 금속 할라이드들은 잠재적 히드로카르빌 금속화합물들 및 금속알킬들로 본원에 기재된다. 실시태양에서, 이들 히드로카르빌 금속 할라이드들 및/또는 알킬 금속 할라이드들은 금속 할라이드로서 제한없이 사용된다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 히드로카르빌 금속 할라이드들은 트리틸 헥사클로로안티모네이트로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
일 양태에서, 할로겐 함유 화합물은 C1-C15 유기 할라이드; 달리, C1 내지 C10 유기 할라이드; 또는 달리, C1 내지 C8 유기 할라이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물은 유기 플루오라이드, 유기 클로라이드, 유기 브로마이드, 유기 요오다이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물로 활용되는 유기 할라이드는 유기 클로라이드; 달리, 유기 브로마이드; 또는 달리, 유기 요오다이드로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일반적으로, 유기 플루오라이드, 유기 클로라이드, 유기 브로마이드, 또는 유기 요오다이드는 본원에 기재된 임의의 일반 유기 할라이드와 동일 범위의 탄소 수를 가진다.
일 양태에서, 할로겐 함유 화합물은 C1-C15 할로겐화 탄화수소; 달리, C1 내지 C10 할로겐화 탄화수소; 또는 달리, C1 내지 C8 할로겐화 탄화수소로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물은 불소화 탄화수소, 염소화 탄화수소, 브롬화 탄화수소, 요오드화 탄화수소, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 할로겐 함유 화합물은 불소화 탄화수소; 달리, 염소화 탄화수소; 달리, 브롬화 탄화수소; 또는 달리, 요오드화 탄화수소로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다. 일반적으로, 불소화 탄화수소, 염소화 탄화수소, 브롬화 탄화수소, 및/또는 요오드화 탄화수소는 본원에 기재된 임의의 일반 할로겐화 탄화수소와 동일 범위의 탄소 수를 가진다.
비-제한적 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물은 탄소 테트라클로라이드, 탄소 테트라브로마이드, 클로로포름, 브로모포름, 디클로로메탄, 디브로모에탄, 디요오도메탄, 클로로메탄, 브로모메탄, 요오도메탄, 디클로로에탄, 테트라클로로에탄, 트리클로로아세톤, 헥사클로로아세톤, 헥사클로로시클로헥산, 1,3,5-트리클로로벤젠, 헥사클로로벤젠, 트리틸 클로라이드, 벤질 클로라이드, 벤질 브로마이드, 벤질 요오다이드, 클로로벤젠, 브로모벤젠, 요오도벤젠, 헥사플루오로벤젠, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
일 양태에서, 촉매시스템의 금속 히드로카르빌 화합물의 금속에 대한 전이금속화합물의 금속의 몰비 (전이금속:금속 히드로카르빌 금속 몰비라고도 칭함)는 1:1 내지 1:150; 달리, 1:1 내지 1:100; 달리, 1:2 내지 1:50; 달리, 1:5 내지 1:40; 또는 달리, 1:9 내지 1:25이다. 다른 양태에서, 촉매시스템의 전이금속:금속 히드로카르빌 금속 몰비는 1:2 내지 1:18; 달리, 1:5 내지 1:17; 달리, 1:8 내지 1:16.5; 달리, 1:9 내지 1:16; 또는 달리 1:9.5 내지 1:15.5이다. 전이금속:금속 히드로카르빌 금속 몰비에서 전이금속화합물의 금속 및/또는 금속 히드로카르빌 화합물의 금속에 대한 일반 참조보다 덜 사용되면, 전이금속화합물의 금속 및/또는 금속 히드로카르빌 화합물의 금속에 대한 더 많은 특정 참조가 전이금속화합물의 금속 및/또는 금속 히드로카르빌 화합물의 금속에 대한 일반 참조를 대체한다. 전이금속화합물이 크롬 화합물이고 (예를들면 크롬(III) 카르복실레이트 조성물) 및 금속 히드로카르빌 화합물이 알킬알루미늄 화합물 (예를들면 트리에틸알루미늄, 디에틸알루미늄 클로라이드, 또는 이의 혼합물)인 비-제한적 실시태양에서, 촉매시스템의 크롬:알루미늄 몰비는 1:1 내지 1:150; 달리, 1:1 내지 1:100; 달리, 1:2 내지 1:50; 달리, 1:5 내지 1:40; 달리, 1:9 내지 1:25; 달리, 1:2 내지 1:18; 달리, 1:5 내지 1:17; 달리, 1:8 내지 1:16.5; 달리, 1:9 내지 1:16; 또는 달리 1:9.5 내지 1:15.5이다. 전이금속화합물이 크롬 화합물이고 (예를들면 크롬(III) 카르복실레이트 조성물) 및 금속알킬이 알킬알루미늄 화합물인 (예를들면 트리에틸알루미늄, 디에틸알루미늄 클로라이드, 또는 이의 혼합물) 다른 비-제한적 실시태양에서, 촉매시스템의 크롬:알루미늄 몰비는 1:1 내지 1:150; 달리, 1:1 내지 1:100; 달리, 1:9 내지 1:25; 달리, 1:2 내지 1:18; 달리, 1:5 내지 1:17; 달리, 1:8 내지 1:16.5; 달리, 1:9 내지 1:16; 또는 달리 1:9.5 내지 1:15.5이다.
일 양태에서, 촉매시스템의 전이금속화합물의 전이금속에 대한 질소 함유 화합물의 질소의 몰비 (질소:전이금속 몰비라고 칭함)는 0.3:1 내지 10:1; 달리, 0.3:1 내지 7.5:1; 달리, 0.3: 1 내지 5:1이다. 다른 양태에서, 촉매시스템의 질소:전이금속 몰비는 1:1 내지 4:1; 달리 1.5:1 내지 3.7:1; 달리 1.5:1 내지 2.5:1; 달리 2:1 내지 3.7:1; 달리 2.5:1 내지 3.5:1; 또는 달리 2.9:1 내지 3.1:1이다. 또 다른 양태에서, 촉매시스템의 질소:전이금속 몰비는 0.3:1 내지 4.0:1; 달리, 0.3:1 내지 3:1; 달리, 0.3:1 내지 2:1; 달리, 0.3:1 내지 1.5:1; 달리, 0.3:1 내지 1.3:1; 달리, 0.3:1 내지 1.2:1; 달리, 0.3:1 내지 0.9:1; 또는 달리, 0.3:1 내지 0.8:1이다. 질소:전이금속 몰비에서 질소 함유 화합물 및/또는 전이금속 함유 화합물에 대한 일반 참조가 덜 활용되면, 더 많은 특정 질소 함유 화합물 및/또는 전이금속화합물 참조가 질소 함유 화합물 및/또는 전이금속화합물에 대한 일반 참조를 대체한다. 전이금속화합물이 크롬 화합물이고 (예를들면 크롬(III) 카르복실레이트 조성물) 질소 함유 화합물이 피롤 화합물인 (예를들면 본원에 개시되는 기타 피롤 화합물들 중에서 비-금속 피롤 화합물, 금속 피롤 화합물, 2,5-이치환된 피롤) 비-제한적 실시태양에서, 피롤 화합물 질소:크롬 몰비는 0.3:1 내지 10:1; 달리, 0.3:1 내지 7.5:1; 달리, 0.3: 1 내지 5:1; 달리, 1:1 내지 4:1; 달리, 1.5:1 내지 3.7:1; 달리, 1.5:1 내지 2.5:1; 달리, 2:1 내지 3.7:1; 달리, 2.5:1 내지 3.5:1; 또는 달리, 2.9:1 내지 3.1:1; 달리, 2.9:1 내지 3.1:1; 달리, 0.3:1 내지 4.0:1; 달리, 0.3:1 내지 3:1; 달리, 0.3:1 내지 2:1; 달리, 0.3:1 내지 1.5:1; 달리, 0.3:1 내지 1.3:1; 달리, 0.3:1 내지 1.2:1; 달리, 0.3:1 내지 0.9:1; 또는 달리, 0.3:1 내지 0.8:1이다.
올레핀 삼합체화 촉매시스템이 할로겐 함유 화합물 (무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 및/또는 유기 할라이드)을 함유하는 양태들에서 할라이드 대 전이금속화합물 전이금속 몰비 (할라이드:전이금속 몰비라고 칭함)는 적어도 0.001:1; 달리, 적어도 0.05:1; 달리, 적어도 0.1; 달리, 0.25; 달리, 적어도 0.5:1; 또는 달리, 적어도 0.75:1이다. 올레핀 삼합체화 촉매시스템이 할로겐 함유 화합물 (무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 및/또는 유기 할라이드)을 함유하는 기타 양태들에서 할라이드:전이금속 몰비는 1,000:1 이하; 달리, 500:1; 달리, 250:1; 달리, 100:1; 달리, 75:1; 달리, 50:1; 또는 달리, 25:1이다. 일 양태에서, 할라이드:전이금속 몰비는 본원에 기재된 임의의 최소 할라이드:전이금속 몰비 내지 본원에 기재된 임의의 최대 할라이드:전이금속 몰비 몰비의 범위이다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 할라이드:전이금속 몰비는 0.1:1 내지 100:1; 달리, 0.25:1 내지 75:1; 달리, 0.5:1 내지 50:1; 또는 달리, 0.75:1 내지 25:1이다. 할라이드:전이금속 몰비들에 대한 기타 범위들은 본 발명에서 명백해진다. 특정 할라이드(들) (예를들면, 클로라이드) 및/또는 전이금속화합물의 전이금속 (예를들면, 크롬)이 특정될 때, 특정 할라이드(들) 및/또는 전이금속 측면에서의 비율이 제공된다 (예를들면, 무엇보다도 할라이드:크롬 몰비, 클로라이드:전이금속 몰비, 또는 클로라이드:크롬 몰비).
비-제한적 실시태양에서, 촉매시스템은 다음으로 구성된다: a) 크롬 (III) C3-C25 카르복실레이트, 상기 C3-C25 카르복실레이트는 프로피오네이트, 부티레이트, 펜타노에이트, 헥사노에이트, 헵타노에이트, 옥타노에이트, 노나노에이트, 데카노에이트, 운데카노에이트, 도데카노에이트, 트리데카노에이트, 테트라데카노에이트, 펜타데카노에이트, 헥사데카노에이트, 헵타데카노에이트, 옥타데카노에이트, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되고, 상기 크롬 (III) C3-C25 카르복실레이트는 i) KBr 펠렛 적외선 스펙트럼을 가지고 υsym (CO2) 적외선 피크의 110 cm-1 내에서υasym (CO2) 적외선 흡광피크를 가지고 1516±15 cm1의 υasym (CO2) 적외선 흡광피크 대 700±50 cm-1의 적외선 흡광피크의 적외선 흡광피크 높이비는 3:1 이상으로 특정되고, ii) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 단핵 크롬(III) 아세테이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 r이 1.3 옹스트롬 내지 4 옹스트롬에서 비교할 때 적합도 검정값, R2은 적어도 0.6으로 특정되고, 또는 iii) 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산 조건들에서 1) 식 CrX3Lℓ 을 가지고, 식 중 각각의 X는 독립적으로 할라이드이고, 각각의 L은 독립적으로 C2-C10 에테르, C2-C10 티오에테르, C2-C5 니트릴, C1-C30 아민, 또는 C3-C30 포스핀, 또는 임의의 이들의 조합이고, ℓ은 0 내지 7인 크롬(III) 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트, 및 3) 제1 용매를 접촉하여 크롬(III) 카르복실레이트를 형성하는 방법으로 제조되고; b) 2,5-디메틸피롤, 2-메틸-5-에틸피롤, 2,5-디에틸피롤, 2,5-디프로필피롤, 2,5-디부틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 2,4-디에틸피롤, 2,4-디프로필피롤, 2,4-디부틸피롤, 3,4-디메틸피롤, 3,4-디에틸피롤, 3,4-디프로필피롤, 3,4-디부틸피롤, 2,3,4-트리메틸피롤 3-에틸-2,4-디메틸피롤, 2,3,5-트리메틸피롤, 2,3,4,5-테트라메틸피롤, 2,3,4,5-테트라에틸피롤, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되는 피롤 화합물; c) 트리알킬알루미늄, 디알킬 알루미늄 할라이드, 알킬 금속 디할라이드, 알킬 알루미늄 세스퀴클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되는 금속 히드로카르빌 화합물; d) 크롬 대 알루미늄 몰비는 1:1 내지 1:100; 및 e) 피롤 화합물 대 크롬 몰비는 0.3:1 내지 10:1. 다른 비-제한적 실시태양에서, 촉매시스템은 다음으로 구성된다: a) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트, 상기 C3-C25 카르복실레이트는 프로피오네이트, 부티레이트, 펜타노에이트, 헥사노에이트, 헵타노에이트, 옥타노에이트, 노나노에이트, 데카노에이트, 운데카노에이트, 도데카노에이트, 트리데카노에이트, 테트라데카노에이트, 펜타데카노에이트, 헥사데카노에이트, 헵타데카노에이트, 옥타데카노에이트, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되고, 크롬 (III) C3-C25 카르복실레이트는 i) KBr 펠렛 적외선 스펙트럼을 가지고 υsym (CO2) 적외선 피크의 110 cm-1 내에 υasym (CO2) 적외선 흡광피크를 가지고 1516±15 cm1의 υasym (CO2) 적외선 흡광피크 대 700±50 cm-1의 적외선 흡광피크의 적외선 흡광피크 높이비는 3:1 이상으로 특정되고, ii) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 단핵 크롬(III) 아세테이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 r이 1.3 옹스트롬 내지 4 옹스트롬에서 비교할 때 적합도 검정값, R2은 적어도 0.6으로 특정되고, 또는 iii) 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산 조건들에서 1) 식 CrX3Lℓ 을 가지고, 식 중 각각의 X는 독립적으로 할라이드, 각각의 L은 독립적으로 C2-C10 에테르, C2-C10 티오에테르, C2-C5 니트릴, C1-C30 아민, 또는 C3-C30 포스핀, 또는 임의의 이들의 조합이고, ℓ은 0 내지 7인 크롬(III) 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트, 및 3) 제1 용매를 접촉하여 크롬(III) 카르복실레이트를 생성하는 방법으로 제조되고; b) 2,5-디메틸피롤, 2-메틸-5-에틸피롤, 2,5-디에틸피롤, 2,5-디프로필피롤, 2,5-디부틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 2,4-디에틸피롤, 2,4-디프로필피롤, 2,4-디부틸피롤, 3,4-디메틸피롤, 3,4-디에틸피롤, 3,4-디프로필피롤, 3,4-디부틸피롤, 2,3,4-트리메틸피롤 3-에틸-2,4-디메틸피롤, 2,3,5-트리메틸피롤, 2,3,4,5-테트라메틸피롤, 2,3,4,5-테트라에틸피롤, 또는 임의의 이들의 조합로 구성되는 피롤 화합물; c) 트리알킬알루미늄, 디알킬 알루미늄 할라이드, 알킬 금속 디할라이드, 알킬 알루미늄 세스퀴클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되는 금속 히드로카르빌 화합물; d) 크롬 대 알루미늄 몰비는 1:5 내지 1:17; 및 e) 피롤 화합물 대 크롬 몰비는 0.3:1 내지 2:1. 기타 촉매시스템 조성물은 본 발명에서 용이하게 명백하고 고려된다.
일반적으로, 촉매시스템은 활성 촉매시스템을 생성할 수 있는 임의의 방식으로 제조된다. 일부 실시태양들에서, 촉매시스템은 삼합체화 대상 올레핀(들)과 접촉되기 전에 제조된다. 다른 실시태양들에서, 적어도 하나의 촉매시스템 성분들 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 또는 선택적 할로겐 함유 화합물)이 삼합체화 대상 올레핀(들)과 접촉된 후 적어도 하나의 기타 촉매시스템 성분이 삼합체화 대상 올레핀(들)과 접촉된다. 일반적으로, 촉매시스템 성분들은 독립적으로 본원에 기재되고 촉매시스템 제조방법(들)을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
일 양태에서, 촉매시스템 제조방법은 2 이상의a) 전이금속화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물), b) 질소 함유 화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 피롤 화합물), c) 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합), 및 d) 선택적 할로겐 함유 화합물 (예를들면 무엇보다도 본원에 기재된 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 무기 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌의 조합, 또는 히드로카르빌 금속 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌의 조합, 또는 유기 할라이드)을 불포화 유기화합물 존재에서 접촉하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물을 포함하는 혼합물들) 및 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물을 포함하는 혼합물들)은 불포화 유기화합물 존재에서 접촉되고; 달리, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물을 포함하는 혼합물들), 및 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물을 포함하는 혼합물들)은 불포화 유기화합물 존재에서 접촉되고; 또는 달리, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물을 포함하는 혼합물들), 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물을 포함하는 혼합물들), 및 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물을 포함하는 혼합물들)은 불포화 유기화합물 존재에서 접촉된다. 일부 실시태양들에서, 불포화 유기화합물은 전이금속화합물을 포함하는 조성물, 질소 함유 화합물을 포함하는 조성물, 금속 히드로카르빌 화합물을 포함하는 조성물, 할로겐 함유 화합물을 포함하는 조성물, 또는 임의의 이들의 조합의 성분; 달리, 전이금속화합물을 포함하는 조성물; 달리, 질소 함유 화합물을 포함하는 조성물; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물을 포함하는 조성물; 또는 달리, 할로겐 함유 화합물을 포함하는 조성물의 성분일 수 있다. 불포화 유기화합물은 독립적으로 본원에 개시되고 불포화 유기화합물의 임의의 양태 또는 실시태양은 촉매시스템의 2 이상의 성분들을 불포화 유기화합물 존재에서 접촉하는 단계로 구성되는촉매시스템 제조방법을 더욱 기술하기 위하여 사용될 수 있다.
일 양태에서, 촉매시스템 제조방법은 적어도 하나의 촉매시스템 성분 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 또는 선택적 할로겐 함유 화합물)이 적어도 하나의 촉매시스템 기타 성분들과 불포화 유기화합물 존재에서 접촉되는 방식으로 수행된다. 일 양태에서, 촉매시스템 제조방법은 각각의 촉매시스템 성분 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물이 활용될 때)과 불포화 유기화합물이 실질적으로 동시에 접촉 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 달리, 각각의 촉매시스템 성분 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물가 활용될 때)이 실질적으로 동시에 불포화 유기화합물과 접촉 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 또는 달리, 각각의 촉매시스템 성분 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물가 활용될 때)이 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 불포화 유기화합물에 첨가되는 방식으로 수행된다. 또 다른 양태에서, 촉매시스템 제조방법은 적어도 하나의 촉매시스템 성분 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 또는 선택적 할로겐 함유 화합물)이 불포화 유기화합물에 접촉된 후 적어도 하나의 기타 촉매시스템 성분이 불포화 유기화합물에 접촉되는 방식으로 수행된다.
전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 불포화 유기화합물 존재에서 접촉되고, 전이금속화합물이 불포화 유기화합물과 접촉된 후 전이금속화합물 및 히드로카르빌 화합물이 접촉되고, 또는 금속 히드로카르빌 화합물이 불포화 유기화합물과 접촉된 후 전이금속화합물 및 히드로카르빌 화합물이 접촉되는 양태들 및 실시태양들과 관련하여, 이들 조건은 촉매시스템 제조 과정에서 촉매시스템 성분들 초기 접촉 및 임의의 연속된 별도의 촉매시스템 성분들 첨가로 구현된다.
전이금속화합물이 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 질소 함유 화합물이 피롤 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물이 히드로카르빌 알루미늄 화합물 (예를들면 트리히드로카르빌알루미늄, 히드로카르빌알루미늄 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합)인 비-제한적 실시태양에서, 촉매시스템 제조방법은 다음과 같이 수행된다: 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 및 히드로카르빌알루미늄 화합물은 불포화 유기화합물 존재에서 실질적으로 동시에 접촉 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 달리, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 히드로카르빌알루미늄 화합물, 및 불포화 유기화합물은 실질적으로 동시에 접촉 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 달리, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 및 히드로카르빌알루미늄 화합물은 불포화 유기화합물과 실질적으로 동시에 접촉 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 또는 달리, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 및 히드로카르빌알루미늄 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 불포화 유기화합물에 첨가. 전이금속화합물이 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 질소 함유 화합물이 피롤 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물이 비-할라이드 알루미늄 히드로카르빌 화합물 (예를들면 무엇보다도 트리히드로카르빌알루미늄) 및 할로겐 함유 화합물이 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 또는 14족, 금속 할라이드 화합물, 또는 13족, 14족, 또는 15족 비-금속 할라이드인 비-제한적 실시태양에서, 촉매시스템 제조방법은 다음과 같이 수행된다: 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 비-할라이드 알루미늄 히드로카르빌 화합물, 및 할로겐 함유 화합물이 불포화 유기화합물 존재에서 실질적으로 동시에 접촉 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 달리, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 비-할라이드 알루미늄 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물 및 불포화 유기화합물이 실질적으로 동시에 접촉 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 달리, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 비-할라이드 알루미늄 히드로카르빌 화합물, 및 할로겐 함유 화합물이 불포화 유기화합물과 실질적으로 동시에 접촉 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 또는 달리, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 비-할라이드 알루미늄 히드로카르빌 화합물, 및 할로겐 함유 화합물이 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 불포화 유기화합물 첨가.
일 양태에서, 촉매시스템 제조방법은 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 불포화 유기화합물 존재에서 접촉되는 방식으로 수행된다. 실시태양에서, 촉매시스템 제조방법은, 불포화 유기화합물과 접촉 전에 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 접촉되지 않고; 달리, 금속 히드로카르빌이 불포화 유기화합물와 접촉되기 전에 전이금속화합물은 불포화 유기화합물과 접촉하지 않고; 또는 달리, 전이금속화합물이 불포화 유기화합물과 접촉되기 전에 금속 히드로카르빌 화합물은 불포화 유기화합물과 접촉되지 않는 방식으로 수행된다. 일부 실시태양들에서, 촉매시스템 제조방법은 전이금속화합물이 불포화 유기화합물와 접촉되고 금속 히드로카르빌 화합물이 불포화 유기화합물과 접촉된 후 전이금속화합물 및 히드로카르빌 화합물이 접촉되는 방식으로 수행된다.
전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 불포화 유기화합물 존재에서 서로 접촉되는 양태들 및 실시태양들 및 임의의 기타 적용 가능한 양태들 및 실시태양들에서, 전이금속화합물 (불포화 유기화합물과 사전 접촉된 지와 무관)은 금속 히드로카르빌 화합물 (불포화 유기화합물과 사전 접촉된 지와 무관)에 첨가; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 (불포화 유기화합물과 사전 접촉된지와 무관)은 전이금속화합물 (불포화 유기화합물과 사전 접촉된지와 무관)에 첨가; 또는 달리, 전이금속화합물 (불포화 유기화합물과 사전 접촉된지와 무관) 및 금속 히드로카르빌 화합물 (불포화 유기화합물과 사전 접촉된지와 무관)은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 다른 실시태양들에서, 촉매시스템 제조방법은 다음과 같이 수행된다: 불포화 유기화합물, 전이금속화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 달리, 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 불포화 유기화합물과 실질적으로 동시에 접촉 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 또는 달리, 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 불포화 유기화합물에 첨가.
전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 불포화 유기화합물 존재에서 서로 접촉하는 방식으로 수행되는 촉매시스템 제조방법의 임의의 양태 또는 실시태양에서, 전이금속화합물은 임의의 촉매시스템 기타 성분과 접촉 (전이금속화합물 포함 혼합물 형성)한 후 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 접촉하고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물은 임의의 촉매시스템 기타 성분과 접촉 (금속 히드로카르빌 화합물 포함 혼합물 형성)한 후 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 접촉하고; 또는 달리, 전이금속화합물은 임의의 촉매시스템 기타 성분과 접촉 (전이금속화합물 포함 혼합물 형성)하고 금속 히드로카르빌 화합물은 임의의 촉매시스템 기타 성분과 접촉 (금속 히드로카르빌 화합물 포함 혼합물 형성)한 후 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 접촉한다. 전이금속화합물을 포함하는 혼합물들 및 전이금속화합물을 포함하는 혼합물들 제조방법들은 본원에 기재되고 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 불포화 유기화합물 존재에서 서로 접촉하는 특징을 포함하는 임의의 촉매시스템 제조방법과 일치하는 임의의 방식으로 활용될 수 있다. 금속 히드로카르빌 화합물을 포함하는 혼합물들 및 금속 히드로카르빌 화합물을 포함하는 혼합물들 제조방법들은 본원에 기재되고 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 삼합체화 대상 올레핀 존재에서 서로 접촉하는 특징을 포함하는 임의의 촉매시스템 제조방법 양태 또는 실시태양과 일치하는 임의의 방식으로 활용될 수 있다.
일 양태에서, 촉매시스템 제조방법은 촉매시스템 성분들을 실질적으로 동시에 접촉하는 단계로 구성된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 실시태양에서, 촉매시스템 성분들은 미리 제조된 촉매시스템과 실질적으로 동시에 접촉한다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 비-제한적 실시예에서, 촉매시스템 제조방법은 다음을 실질적으로 동시에 접촉하는 단계로 구성된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) a) 전이금속화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물), b) 질소 함유 화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 피롤 화합물), 및 c) 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합). 또 다른 비-제한적 실시예들에서, 촉매시스템 제조방법은 다음을 실질적으로 동시에 접촉하는 단계로 구성된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) a) 전이금속화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물), b) 질소 함유 화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 피롤 화합물), c) 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면 무엇보다도 본원에 기재된 트리알킬알루미늄), 및 d) 할로겐 함유 화합물 (예를들면 무엇보다도 본원에 기재된 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 무기 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌의 조합, 또는 히드로카르빌 금속 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌의 조합, 또는 유기 할라이드). 일부 실질적으로 동시 접촉 실시태양들 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉 실시태양들)에서, 적어도 일부 (달리, 일부; 또는 달리, 모든) 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물 및/또는 질소 함유 화합물과 접촉한 후 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 잔여 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합)과 실질적으로 동시 접촉한다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 일부 실질적으로 동시 접촉 실시태양들 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉 실시태양들)에서, 적어도 일부 (달리, 일부; 또는 달리, 모든) 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물 및/또는 질소 함유 화합물과 접촉한 후 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 잔여 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합) 및 할라이드 함유 화합물 (예를들면 무엇보다도 본원에 기재된 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 무기 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌의 조합, 또는 히드로카르빌 금속 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌의 조합)와 실질적으로 동시 접촉한다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 일반적으로, 이러한 실질적 동시 접촉 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 방법으로 촉매시스템을 생성하거나; 또는 달리, 촉매시스템을 형성할 수 있는 조건에서 촉매를 생성한다.
임의의 실질적으로 동시 접촉 실시태양 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉 실시태양)에서, 촉매시스템 성분들은 불포화 유기화합물 존재에서 실질적으로 동시에 접촉한다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 일부 실질적으로 동시 접촉 실시태양들 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉)에서, 불포화 유기화합물은 촉매시스템 성분들과 실질적으로 동시에 접촉하는 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 별도의 스트림이다. 기타 실질적으로 동시 접촉 실시태양들 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉 실시태양들)에서, 불포화 유기화합물은 하나의 촉매시스템 성분들을 가지는 혼합물에 (또는 성분을 포함하는 다중 혼합물들에) 함유된다. 또 다른 실질적으로 동시 접촉 실시태양들 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉 실시태양들)에서, 촉매시스템 성분들은 불포화 유기화합물로 구성되거나 실질적으로 이루어지는 조성물과 실질적으로 동시 접촉한다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
일 양태에서, 촉매시스템 제조방법은 질소 함유 화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 피롤 화합물), 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합), 및 (존재한다면) 선택적 할로겐 함유 화합물 (예를들면 무엇보다도 본원에 기재된 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 무기 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌의 조합, 또는 히드로카르빌 금속 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌의 조합, 또는 유기 할라이드)을 접촉하여 혼합물을 형성하는 단계 및 혼합물을 전이금속화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물)과 접촉하여 촉매시스템을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 촉매시스템 제조방법은 i) 질소 함유 화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 형성 및 ii) 전이금속화합물과 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 접촉하여 촉매시스템 생성; 또는 달리, i) 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 할로겐 함유 화합물을 접촉하여 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 형성 및 ii) 전이금속화합물을 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물의 혼합물과 접촉하여 촉매시스템을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 촉매시스템 제조방법은 i) 적어도 일부 (달리, 일부; 또는 달리, 모든) 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물과 전이금속화합물을 접촉하여 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 형성 및 ii) 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물과 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 접촉하여 촉매시스템을 생성하는 단계로 구성된다. 다른 실시태양들에서, 촉매시스템 제조방법은 i) 적어도 일부 (달리, 일부; 또는 달리, 모든) 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물과 질소 함유 화합물을 접촉하여 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 형성 및 ii) 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물과 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물 및 할로겐 함유 화합물) 접촉하여 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 형성하여 촉매시스템을 생성하는 단계로 구성된다. 또 다른 실시태양에서, 촉매시스템 제조방법은 i) 일부 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물과 질소 함유 화합물을 접촉하여 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 형성 및 ii) 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물과 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물 및 할로겐 함유 화합물)을 접촉하여 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 형성, iii) 일부 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물과 전이금속화합물을 접촉하여 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 형성, 및 iv) 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물과 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 접촉하여 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 촉매시스템을 생성하는 단계로 구성된다.
실시태양에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 다른 실시태양에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 또 다른 실시태양에서, 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물은 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 추가 실시태양에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 또 다른 실시태양에서, 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
일 양태에서, 촉매시스템 제조방법은 전이금속화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물), 및 질소 함유 화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 피롤 화합물)을 접촉하여 전이금속화합물/ 질소 함유 화합물 혼합물을 형성하고 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물과 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합)을 접촉하여 촉매시스템을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물은 접촉된 후 전이금속화합물은 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉한다. 다른 양태에서, 촉매시스템 제조방법은 전이금속화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물), 질소 함유 화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 피롤 화합물), 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 무엇보다도 트리알킬알루미늄 화합물)을 접촉하여 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 형성하고 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합)과 접촉하여 촉매시스템을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)은 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
일 양태에서, 촉매시스템 제조방법은 전이금속화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물), 질소 함유 화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 피롤 화합물), 및 할로겐 함유 화합물 (예를들면 무엇보다도 본원에 기재된 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 무기 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌의 조합, 또는 히드로카르빌 금속 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌의 조합)을 접촉하여 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 형성하고 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합)과 접촉하여 촉매시스템을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 할로겐 함유 화합물을 접촉한 후 전이금속화합물은 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉한다. 다른 양태에서, 촉매시스템 제조방법은 전이금속화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물), 질소 함유 화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 피롤 화합물), 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 무엇보다도 트리알킬알루미늄 화합물), 및 할로겐 함유 화합물 (예를들면 무엇보다도 본원에 기재된 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 무기 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌의 조합, 또는 히드로카르빌 금속 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌의 조합)을 접촉하여 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 형성하고 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물과 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합)을 접촉하여 촉매시스템을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/ 할로겐 함유 화합물 혼합물)은 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/ 할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/ 할로겐 함유 화합물 혼합물)은 금속 히드로카르빌 화합물과 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 요구하는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물), 금속 히드로카르빌 화합물, 및 할로겐 함유 화합물은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 생성하는 특정방법 및/또는 특정 올레핀 삼합체화 방법에 일치되는 임의의 방식으로 접촉된다. 비-제한적 실시태양에서, 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물), 금속 히드로카르빌 화합물, 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 다른 비-제한적 실시태양에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)은 할로겐 함유 화합물에 첨가되고; 달리, 할로겐 함유 화합물은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물) 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 또 다른 비-제한적 실시태양에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물은 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 추가적인 비-제한적 실시태양에서, 금속 히드로카르빌/할로겐 함유 화합물 혼합물은 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 혼합물)에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 혼합물)은 금속 히드로카르빌/할로겐 함유 화합물 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 혼합물) 및 금속 히드로카르빌/할로겐 함유 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 요구하는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 할로겐 함유 화합물 (또는 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물, 및 할로겐 함유 화합물 혼합물)은 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 생성하는 특정 방법 및/또는 특정 올레핀 삼합체화 방법에 일치되는 임의의 방식으로 접촉된다. 비-제한적 실시태양에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 다른 비-제한적 실시태양에서, 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 혼합물, 질소 함유 화합물, 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 달리, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 혼합물, 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 또는 달리, 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 혼합물, 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 혼합물, 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 또 다른 비-제한적 실시태양에서들, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)은 할로겐 함유 화합물에 첨가되고; 달리, 할로겐 함유 화합물은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물) 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 일부 비-제한적 실시태양들에서, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 질소 함유 화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물은 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 기타 비-제한적 실시태양들에서, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 일부 비-제한적 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물은 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 기타 비-제한적 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 요구하는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물/질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 생성하는 특정 방법 및/또는 특정 올레핀 삼합체화 방법에 일치되는 임의의 방식으로 접촉된다. 비-제한적 실시태양에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 다른 비-제한적 실시태양에서, 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 질소 함유 화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물은 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 또 다른 비-제한적 실시태양에서, 전이금속화합물은 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 전이금속화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 추가적인 비-제한적 실시태양에서, 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 및 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 더욱 추가적인 비-제한적 실시태양에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물은 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)을 요구하는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물) 및 금속 히드로카르빌 화합물은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)을 생성하는 특정 방법 및/또는 특정 올레핀 삼합체화 방법에 일치되는 임의의 방식으로 접촉된다. 비-제한적 실시태양에서, 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물) 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 달리, 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)은 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물은 질소 함유 화합물에 첨가된다 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물).
질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌/ 할로겐 함유 화합물 혼합물)을 요구하는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물) 및 할로겐 함유 화합물은 질소 함유 화합물/ 할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌/ 할로겐 함유 화합물 혼합물)을 생성하는 특정 방법 및/또는 특정 올레핀 삼합체화 방법에 일치되는 임의의 방식으로 접촉된다. 비-제한적 실시태양에서, 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)은 할로겐 함유 화합물에 첨가되고; 달리, 할로겐 함유 화합물은 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물 (또는 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물) 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물을 요구하는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물을 생성하는 특정 방법 및/또는 특정 올레핀 삼합체화 방법에 일치되는 임의의 방식으로 접촉된다. 비-제한적 실시태양에서, 전이금속화합물은 질소 함유 화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물은 전이금속화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 요구하는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물) 및 할로겐 함유 화합물은 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 생성하는 특정 방법 및/또는 특정 올레핀 삼합체화 방법에 일치되는 임의의 방식으로 접촉된다. 비-제한적 실시태양에서, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)은 할로겐 함유 화합물에 첨가되고; 달리, 할로겐 함유 화합물은 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물) 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 요구하는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물 및 할로겐 함유 화합물은 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 생성하는 특정방법 및/또는 특정 올레핀 삼합체화 방법에 일치하는 임의의 방식으로 접촉된다. 비-제한적 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물은 할로겐 함유 화합물에 첨가되고; 달리, 할로겐 함유 화합물은 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 요구하는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 전이금속화합물 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 생성하는 특정 방법 및/또는 특정 올레핀 삼합체화 방법에 일치되는 임의의 방식으로 접촉된다. 비-제한적 실시태양에서, 전이금속화합물은 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 요구하는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 질소 함유 화합물 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 질소 함유 화합물/비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 생성하는 특정방법 및/또는 특정 올레핀 삼합체화 방법과 일치되는 임의의 방식으로 접촉된다. 비-제한적 실시태양에서, 질소 함유 화합물은 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 질소 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉된다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉).
일부 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물이 전이금속화합물과 접촉되고 일부 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물이 질소-함유 화합물과 접촉되는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 일부들의 합은 금속 히드로카르빌 화합물의 총 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물보다 적고; 또는 달리 금속 히드로카르빌 화합물의 모든 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물일 수 있다. 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 일부들의 합이 총 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물보다 적은 임의의 양태 또는 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물과의 추가 접촉이란 잔여 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 및 본원에 기재된 금속 히드로카르빌 화합물 임의의 기타 성분 (예를들면, 무엇보다도 히드로카르빌 금속 할라이드)을 언급한다.
일반적으로, 본원에 기재된 임의의 촉매시스템 성분 또는 촉매시스템 성분 혼합물은 언급 요소(들)을 포함하고 따라서 달리 특히 언급되지 않는 한 특정 촉매시스템 제조방법과 일치하는 추가 성분들을 함유한다는 것을 이해하여야 한다. 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 촉매시스템 성분 또는 촉매시스템 성분 혼합물은 촉매시스템 성분 또는 촉매시스템 성분 혼합물의 언급 요소(들) 및 용매를 포함하고 따라서 달리 특히 언급되지 않는 한 특정 촉매시스템 제조방법의 특징부들과 일치하는 추가 성분들을 함유한다. 일부 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 촉매시스템 성분 또는 촉매시스템 성분 혼합물은 실질적으로 언급 요소(들) 및 용매로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 촉매시스템 성분 또는 촉매시스템 성분 혼합물은 실질적으로 언급 요소(들)로 이루어진다.
일부 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및/또는 선택적 할로겐 함유 화합물은 용매 존재에서 접촉된다. 일부 실시태양들에서, 용매는 탄화수소 용매 또는 할로겐화 탄화수소 용매 (적어도 일부, 일부, 또는 모두 선택적 할로겐화 화합물로 기능); 달리 탄화수소 용매; 또는 달리 할로겐화 탄화수소 용매이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 용매는 포화 탄화수소 용매, 포화 할로겐화 용매, 불포화 탄화수소 용매, 불포화 할로겐화 용매, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 포화 탄화수소 용매, 포화 할로겐화 용매, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 불포화 탄화수소 용매, 불포화 할로겐화 용매, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 포화 탄화수소 용매; 달리, 포화 할로겐화 용매; 달리, 불포화 탄화수소 용매; 또는 달리, 불포화 할로겐화 용매이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 불포화 탄화수소 용매 (할로겐화 또는 그렇지 않음)는 지방족 또는 방향족; 달리, 지방족; 또는 달리, 방향족이다. 용매들은 본원에 기재되고 특정 촉매시스템 제조방법 또는 특정 올레핀 삼합체화 방법의 특징부들 및 요소들과 일치하는 본원에 기재된 임의의 양태 또는 실시태양에서 활용될 수 있다.
일부 양태들에서 및 실시태양들, 촉매시스템 제조방법은 전이금속화합물 (예를들면, 크롬(III) 카르복실레이트 C3-C25 카르복실레이트 조성물, 무엇보다도 본원에 기재된) 및 질소 함유 화합물 (예를들면, 피롤 화합물, 무엇보다도 본원에 기재된)을 접촉하여 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물을 형성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물이 접촉하여 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물을 형성할 때 전이금속화합물을 포함하는 조성물 및/또는 질소 함유 화합물을 포함하는 조성물 혼합물은 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면 트리알킬알루미늄, 무엇보다도 본원에 기재된), 할로겐 함유 화합물 (예를들면 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 및/또는 유기 할라이드, 무엇보다도 본원에 기재된), 및/또는 불포화 유기화합물을 더욱 포함한다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물이 형성된 후 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물이 금속 히드로카르빌 화합물 및/또는 선택적 할로겐 함유 화합물와 접촉한다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물이 형성된 후 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물이 할로겐 함유 화합물과 접촉한다. 또 다른 실시태양들에서, 적어도 일부 (달리, 일부; 또는 달리, 모든) 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물 및/또는 질소 함유 화합물과 접촉한 후 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물을 형성하고 (잔여 금속 히드로카르빌 화합물 및/또는 선택적 할로겐 함유 화합물 유무와 무관); 또는 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물과 접촉한다. 실시태양에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (적어도 일부, 일부, 또는 모든 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 유무와 무관)은 불포화 유기화합물 존재에서 형성된다. 일부 실시태양들에서, 불포화 유기화합물은 혼합물에 존재하거나 전이금속화합물 (적어도 일부, 일부, 또는 모든 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 유무와 무관) 또는 질소 함유 화합물 (적어도 일부, 일부, 또는 모든 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 유무와 무관)과 (접촉하고) 이후 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물이 형성된다. 다른 실시태양들에서, 불포화 유기화합물은 혼합물에 존재하거나 전이금속화합물 (적어도 일부, 일부, 또는 모든 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 유무와 무관) 및 질소 함유 화합물 (적어도 일부, 일부, 또는 모든 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 유무와 무관)과 (접촉하고) 이후 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물이 형성된다. 또 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물 (적어도 일부, 일부, 또는 모든 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 유무와 무관) 및 질소 함유 화합물 (적어도 일부, 일부, 또는 모든 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 유무와 무관)이 불포화 유기화합물 (모든 또는 적어도 일부, 일부, 또는 모든 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 유무와 무관)로 구성되거나 실질적으로 이루어지는 조성물과 실질적으로 동시에 접촉한다.
임의의 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 형성 양태 또는 실시태양에서, 질소 함유 화합물 (예를들면, 무엇보다도 피롤 화합물) 및 전이금속화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 크롬(III) 카르복실레이트 C3-C25 카르복실레이트 조성물)은 (접촉 방법과 독립적으로) 전이금속화합물 전이금속에 대한 일정한 질소 함유 화합물의 몰비로 접촉하여 (일정 질소:전이금속 몰비로 칭함) 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물을 형성한다. 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 실시태양들에서, 질소 함유 화합물 (예를들면, 무엇보다도 피롤 화합물) 및 전이금속화합물 (예를들면, 무엇보다도 본원에 기재된 크롬(III) 카르복실레이트 C3-C25 카르복실레이트 조성물)은 (접촉 방법과 독립적으로) 전이금속화합물 전이금속에 대한 질소 함유 화합물의 가변 질소 몰비로 접촉하여 (가변 질소:전이금속 몰비로 칭함) 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물을 형성한다.
가변 질소:전이금속 몰비 실시태양에서, 가변 질소 대 전이금속 몰비는 거의 감소 질소:전이금속 몰비; 또는 달리, 감소 질소 대 전이금속 몰비이다. 일부 가변 질소:전이금속 몰비 실시태양들에서, 가변 질소:전이금속 몰비는 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가 개시의 초기 질소:전이금속 몰비가 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가 종료의 종료 질소:전이금속 몰비보다 크다.
일부 가변 질소:전이금속 몰비 실시태양들에서, 가변 질소:전이금속 몰비는, 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가 개시의 초기 질소:전이금속 몰비가 최종 질소 함유 화합물:전이금속화합물 몰비 보다 크고 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가 종료의 종료 질소:전이금속 몰비가 최종 질소 함유 화합물:전이금속화합물 몰비보다 작고; 또는 달리, 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가 개시의 초기 질소:전이금속 몰비가 최종 질소 함유 화합물:전이금속화합물 몰비의 2배이고 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가 종료의 종료 질소:전이금속 몰비는 약 0이다. 기타 가변 질소:전이금속 몰비 실시태양들에서, 가변 질소:전이금속 몰비는, 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가 제1절반의 초기 질소:전이금속 몰비가 최종 질소:전이금속 몰비보다 크고 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가 제2절반의 종료 질소:전이금속 몰비가 최종 질소:전이금속화합물 몰비보다 작고; 또는 달리, 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가 제1절반의 초기 질소:전이금속 몰비가 최종 질소:전이금속 몰비의 약2배이고 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가 제2절반의 종료 질소:전이금속 몰비는 약 0이다.
일반적으로, 질소:전이금속 몰비들은 독립적으로 본원에 기재되고 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (예를들면, 최종 질소:전이금속 몰비) 형성에 관련된 실시태양들 및 양태들을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다. 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가가 구간에 걸쳐 (예를들면, 절반) 기술되는 임의의 실시태양에서, 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가는 질소:전이금속 몰비가 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물 첨가 구간에 걸쳐 평균 질소 함유 화합물:전이금속화합물 몰비가 되도록 수행된다.
특정 전이금속화합물들 및/또는 질소 함유 화합물들이 언급될 때, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물은 각자의 언급 물질로 지칭되고; 예를들면 전이금속화합물이 크롬(III) 카르복실레이트 C3-C25 카르복실레이트 조성물이고 및 질소 함유 화합물이 피롤 화합물일 때 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물은 크롬 카르복실레이트/피롤 혼합물로 칭한다.
전이금속화합물이 금속 할라이드 화합물와 접촉되는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 전이금속화합물 (단일 성분 또는 전이금속화합물 포함 혼합물)은 적어도 일부 (달리, 일부; 또는 달리, 모든) 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉한 후 금속 할라이드 화합물와 접촉한다. 질소 함유 화합물이 금속 할라이드 화합물 (단일 성분 또는 금속 할라이드 화합물 포함 혼합물)과 접촉하는 일 양태 또는 실시태양에서, 질소 함유 화합물은 적어도 일부 (달리, 일부; 또는 달리, 모든) 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물)과 접촉한 후 금속 할라이드 화합물과 접촉한다. 전이금속화합물/ 질소 함유 화합물 혼합물이 금속 할라이드 화합물과 접촉하는 다른 양태 또는 실시태양에서, 전이금속화합물/ 질소 함유 화합물 혼합물은 적어도 일부 (달리, 일부; 또는 달리, 모든) 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물)과 접촉한 후 금속 할라이드 화합물와 접촉한다.
일부 양태들에서, 전이금속화합물은 적어도 1) 질소 함유 화합물 또는 2) 할로겐 함유 화합물의 하나와 접촉한 후 전이금속화합물은 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉한다. 실시태양에서, 전이금속화합물은 질소 함유 화합물과 접촉한 후 전이금속화합물은 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉하고; 달리, 전이금속화합물은 할로겐 함유 화합물과 접촉한 전이금속화합물은 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉하고; 달리, 전이금속화합물은 금속 할라이드와 접촉한 후 전이금속화합물은 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉하고; 달리, 전이금속화합물은 질소 함유 화합물 및 할로겐 함유 화합물과 접촉한 후 전이금속화합물은 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉한다. 기타 양태들에서, 금속 히드로카르빌 화합물은 1) 피롤 화합물 또는 2) 할로겐 함유 화합물의 적어도 하나와 접촉한 후 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물과 접촉한다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물은 질소 함유 화합물과 접촉한 후 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물과 접촉하고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물은 할로겐 함유 화합물과 접촉한 후 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물과 접촉하고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물은 금속 할라이드와 접촉한 후 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물과 접촉하고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물은 질소 함유 화합물 및 할로겐 함유 화합물과 접촉한 후 금속 히드로카르빌 금속화합물은 전이금속화합물과 접촉한다.
촉매시스템들 제조방법(들)은 촉매시스템 성분들로서 활용되는 화합물들을 접촉하는 것으로 제시되지만, 임의의 하나 이상의 화합물들은 화합물 함유 조성물이 특정 촉매시스템 제조방법의 특징에 반하는 물질을 포함하지 않는다면 화합물 함유 조성물로 대체될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
이론에 구속됨이 없이, 올레핀 삼합체화 대상과 접촉하기 전에 불포화 유기화합물의 존재는 촉매시스템을 안정화시키는 것으로 보인다. 촉매시스템 제조에서 불포화 유기화합물을 이용할 때, 전이금속화합물 중 전이금속 몰에 대한 불포화 유기화합물 몰의 몰비 (불포화 유기화합물 대 전이금속 몰비라고도 칭함)는 적어도 1:1; 달리, 적어도 5:1; 달리, 적어도 10:1; 또는 달리, 적어도 20:1이다. 촉매시스템 제조에 불포화 유기화합물이 이용되는 일부 실시태양들에서, 불포화 유기화합물 대 전이금속 몰비는 최대 10,000:1; 달리, 최대 6,000:1; 달리, 최대 3,000:1; 달리, 최대 1,500:1; 또는 달리, 최대 1,000:1이다. 촉매시스템 제조에 불포화 유기화합물이 이용되는 일 양태에서, 불포화 유기화합물 대 전이금속 몰비는 본원에 개시되는 임의의 최소 불포화 유기화합물 대 전이금속 몰비 내지 본원에 개시되는 임의의 최대 불포화 유기화합물 전이금속 몰비이다. 촉매시스템 제조에 불포화 유기화합물이 이용되는 일부 비-제한적 실시태양들에서, 불포화 유기화합물 대 전이금속 몰비는 1:1 내지 10,000:1; 달리, 20:1 내지 10,000:1; 달리, 5:1 내지 6,000:1; 달리, 10:1 내지 3,000:1; 또는 달리, 20:1 내지 1,000:1이다. 불포화 유기화합물 대 전이금속 몰비에 대한 기타 범위는 본 발명에서 명백하다. 특정 불포화 유기화합물 속, 종들, 또는 개별 물질 (예를들면, 방향족 탄화수소들 종들), 및/또는 전이금속화합물 속, 종들, 또는 개별 물질의 전이금속 (예를들면, 크롬)이 특정되면, 특정 불포화 유기화합물 및 특정 전이금속 측면에서 비율이 제공된다 (예를들면, 방향족 탄화수소:크롬 몰비).
촉매시스템 성분들 (또는 불포화 유기화합물 - 자체 또는 하나 이상의 촉매시스템 성분들과의 조합 - 및 촉매시스템 성분들)은 활성 촉매시스템 제공에 충분한 임의의 조건들에서 접촉한다. 일 양태에서, 촉매시스템 성분들 (또는 불포화 유기화합물 - 자체 또는 하나 이상의 촉매시스템 성분들과의 조합 - 및 촉매시스템 성분들)은 -50 ℃ 내지 약 100 ℃; 달리, -25 ℃ 내지 약 80 ℃; 달리, -10 ℃ 내지 약 70 ℃; 달리, 0 ℃ 내지 60 ℃; 또는 달리, 5 ℃ 내지 35 ℃에서 접촉한다. 일 양태에서, 촉매시스템 성분들 (또는 불포화 유기화합물 - 자체 또는 하나 이상의 촉매시스템 성분들과의 조합 - 및 촉매시스템 성분들)은 접촉을 가능하게 하는 임의의 압력에서 접촉한다. 일 양태에서, 촉매시스템 성분들 (또는 불포화 유기화합물 - 자체 또는 하나 이상의 촉매시스템 성분들과의 조합 - 및 촉매시스템 성분들)은 촉매시스템을 액체 형태로 유지할 수 있는 압력에서 접촉한다. 일부 실시태양들에서, 촉매시스템은 불활성 분위기에서 제조된다. 일부 실시태양들에서, 불활성 분위기는 질소 또는 아르곤; 달리, 질소이다. 일부 실시태양들에서, 불활성 분위기는 물 500 ppm 미만 (중량기준); 달리, 물 250 ppm 미만; 달리, 물 100 ppm 미만; 달리, 물 75 ppm 미만; 달리, 물 50 ppm 미만; 달리, 물 25 ppm 미만; 또는 달리, 물 10 ppm 미만이다. 본원에서 논의된 것 외에도, 미국특허번호 6,133,495 및 미국특허번호 7,384,886는 추가 촉매시스템들 및 촉매시스템들 제조 방법들을 제공한다. 미국특허번호 6,133,495 및 미국특허번호 7,384,886은 각각 본원에서 참고문헌으로 통합된다.
다양한 양태들 및 실시태양들에서, 촉매시스템 (예를들면, 크롬(III) 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적으로 할로겐 함유 화합물)의 2 이상의 성분들은 불포화 유기화합물 존재에서 접촉한다. 일반적으로, 불포화 유기화합물에서의 불포화성은 지방족 탄소-탄소 이중결합, 지방족 탄소-탄소 삼중결합, 및/또는 방향족 탄소-탄소 이중결합; 달리, 지방족 탄소-탄소 이중결합 및/또는 지방족 탄소-탄소 삼중결합; 달리, 지방족 탄소-탄소 이중결합 및/또는 방향족 탄소-탄소 이중결합; 달리, 지방족 탄소-탄소 삼중결합; 또는 달리, 방향족 탄소-탄소 이중결합 형태이다. 일부 실시태양들에서, 불포화 유기화합물은 C2 내지 C70 불포화 유기화합물; 달리, C2 내지 C40 불포화 유기화합물; 달리, C2 내지 C20 불포화 유기화합물; 또는 달리, C2 내지 C15 불포화 유기화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 불포화 유기화합물은 C2 내지 C70 불포화 탄화수소; 달리, C2 내지 C40 불포화 탄화수소; 달리, C2 내지 C20 불포화 탄화수소; 또는 달리, C2 내지 C15 불포화 탄화수소이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
실시태양에서, 불포화 유기화합물은 불포화 탄화수소이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 불포화 유기화합물로 활용되는 불포화 유기화합물은 본원에 기재된 불포화 유기화합물과 동일 개수의 탄소원자들을 가진다. 일부 실시태양들에서, 불포화 탄화수소 (탄소수와 무관)는 불포화 지방족 탄화수소, 아렌 (방향족 탄화수소), 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 불포화 지방족 탄화수소; 또는 달리, 아렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 불포화 탄화수소로 활용되는 불포화 지방족 탄화수소는 본원에 기재된 불포화 유기화합물와 동일 개수의 탄소원자들을 가진다. 일부 실시태양들에서, 불포화 탄화수소로 활용되는 아렌은 C6 내지 C70 아렌; 달리, C6 내지 C40 아렌; 달리, C6 내지 C20 아렌; 또는 달리, C6 내지 C15 아렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 불포화 유기화합물로 활용되는 불포화 지방족 탄화수소는 지방족 탄화수소 모노올레핀, 지방족 탄화수소 디올레핀, 지방족 탄화수소 트리올레핀, 또는 4이상의 탄소-탄소 이중결합들을 가지는 지방족 탄화수소 올레핀; 달리, 지방족 탄화수소 모노올레핀; 달리, 지방족 탄화수소 디올레핀; 달리, 지방족 탄화수소 트리올레핀; 또는 달리, 4이상의 탄소-탄소 이중결합들을 가지는 지방족 탄화수소 올레핀이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 불포화 지방족 탄화수소는 삼합체화 대상 올레핀(들)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 불포화 지방족 탄화수소는 삼합체화 대상 올레핀(들)과 상이한 올레핀(들)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 불포화 지방족 탄화수소는 올레핀 삼합체화 생성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양에서, 불포화 지방족 탄화수소는 올레핀 삼합체화 생성물과 상이한 올레핀(들)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 불포화 지방족 탄화수소는 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 펜텐, 헥센, 헵텐, 옥텐, 노넨, 데센, 운데센, 도데센, 트리데센, 테트라데센, 펜타데센, 헥사데센, 헵타데센, 옥타데센, 또는 이들의 조합; 달리, 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 펜텐, 헥센, 헵텐, 옥텐, 노넨, 데센 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 에틸렌, 부텐, 헥센, 옥텐, 데센 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 데센, 도데센, 테트라데센, 헥사데센, 옥타데센, 또는 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 불포화 지방족 탄화수소는 에틸렌; 달리, 프로필렌; 달리, 부텐; 달리, 펜텐; 달리, 헥센; 달리, 헵텐; 달리, 옥텐; 달리, 데센; 달리, 도데센; 달리, 테트라데센; 달리, 헥사데센; 또는 달리, 옥타데센이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 불포화 유기화합물로 활용되는 아렌은 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 에틸벤젠, 이소프로필벤젠, 1,3,5-트리메틸벤젠, 헥사메틸벤젠, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 불포화 유기화합물로 활용되는 아렌은 톨루엔, 자일렌, 에틸벤젠, 이소프로필벤젠, 1,3,5-트리메틸벤젠, 헥사메틸벤젠, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 톨루엔, 자일렌, 에틸벤젠, 이소프로필벤젠, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 불포화 유기화합물로 활용되는 아렌은 벤젠; 달리, 톨루엔; 달리, 자일렌; 달리, 에틸벤젠; 달리, 이소프로필벤젠; 달리, 1,3,5-트리메틸벤젠; 또는 달리, 헥사메틸벤젠이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일반적으로, 본원에 기재된 촉매시스템 조성물은 올레핀 삼합체화 방법에서 촉매시스템과 사용되어 삼합체화 생성물을 생성한다. 일부 실시태양들에서, 촉매시스템을 이용한 올레핀 삼합체화 방법은 올레핀 및 촉매시스템을 접촉하여 올레핀 삼합체화 생성물을 생성하고; 달리, 올레핀, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 또는 달리 올레핀, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 촉매시스템 조성물을 제조한 후 촉매시스템 및 올레핀을 접촉한다. 다른 실시태양들에서, 적어도 하나의 촉매시스템 성분 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 또는 선택적 할로겐 함유 화합물)을 올레핀과 접촉한 후 적어도 하나의 기타 촉매시스템 성분을 올레핀과 접촉한다. 다른 실시태양들에서, 올레핀 삼합체화 방법에 사용되는 촉매시스템은 촉매시스템 성분에 대한 특정 접촉 순서 또는 접촉 방법으로 제조된다. 또 다른 실시태양들에서, 임의의 특정 촉매시스템 성분들의 비율은 본원에 기재된 임의의 촉매시스템 성분 비율을 가진다. 일부 실시태양들에서, 삼합체화 생성물은 올레핀 삼합체화 조건들 (삼합체화 조건들이라고 칭함)에서 생성된다. 다른 실시태양들에서, 올레핀 삼합체화 방법은 삼합체화 생성물의 특징부들로 더욱 기술된다. 다른 실시태양들에서, 올레핀 삼합체화 방법은 추가 단계들 (예를들면, 무엇보다도 촉매시스템 제조 단계들 또는 촉매시스템 성분들 및 올레핀 접촉 단계들, 촉매시스템 비활성화 단계(들), 삼합체화 생성물 또는 삼합체 분리 단계(들), 및/또는 삼합체화 생성물 또는 삼합체 정제 단계(들))을 포함한다. 일반적으로, 기타 특징부들보다, 올레핀(들), 촉매시스템 조성물, 또는 촉매시스템 성분들 (예를들면, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물), 촉매시스템 성분들의 비율들, 촉매시스템 제조 방법들 또는 촉매시스템 성분들과 올레핀 접촉방법들, 올레핀 삼합체화 조건들, 삼합체화 생성물의 특징부들, 및 올레핀 삼합체화 방법의 추가 단계들은 올레핀 삼합체화 방법에서 독립적인 특징이다. 이들 및 기타 올레핀 삼합체화 방법 특징부들은 독립적으로 본원에 기재되고 및 특정 올레핀 삼합체화 방법의 특정 특징(들) 및 요소(들)과 일치되도록 임의의 조합으로 활용된다.
일반적으로, 삼합체화 대상 올레핀은 C2 내지 C30 올레핀; 달리, C2 내지 C16 올레핀; 또는 달리, C2 내지 C10 올레핀으로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 올레핀은 알파 올레핀; 달리, 선형 알파 올레핀; 또는 달리, 노르말 알파 올레핀이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 올레핀은 에틸렌, 프로필렌, 또는 이들의 조합; 달리, 에틸렌; 또는 달리, 프로필렌으로 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
올레핀 에틸렌으로 구성되거나 실질적으로 이루어질 때, 올레핀 삼합체화 방법은 에틸렌 삼합체화 방법. 방법이 에틸렌 삼합체화 방법일 때, 삼합체화 생성물은 헥센으로 구성되거나; 또는 달리, 1-헥센으로 구성된다.
비-제한적 실시예에서, 촉매시스템을 이용한 올레핀 삼합체화 방법은 에틸렌으로 구성되는 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀 및 촉매시스템 과 접촉하여 1-헥센을 포함한 올레핀 삼합체화 생성물을 생성하고; 달리, 에틸렌으로 구성되는 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 1-헥센을 포함한 삼합체화 생성물을 생성하고; 또는 달리 에틸렌으로 구성 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물을 접촉하여 1-헥센을 포함한 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 촉매시스템 조성물이 제조된 후 촉매시스템 및 에틸렌으로 구성 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀과 접촉한다. 다른 실시태양들에서, 적어도 하나의 촉매시스템 성분 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 또는 선택적 할로겐 함유 화합물)은 에틸렌으로 구성되는 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀과 접촉한 후 적어도 하나의 기타 촉매시스템 성분과 에틸렌으로 구성되는 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀과 접촉한다. 다른 실시태양들에서, 에틸렌으로 구성되는 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀 삼합체화 방법에 이용되는 촉매시스템은 촉매시스템 성분에 대한 특정 접촉 순서 또는 접촉 방법으로 제조된다. 또 다른 실시태양들에서, 임의의 특정 촉매시스템 성분들의 비율은 본원에 기재된 임의의 촉매시스템 성분 비율을 가진다. 일부 실시태양들에서, 1-헥센을 포함한 삼합체화 생성물은 에틸렌으로 구성되는 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀 삼합체화 조건들에서 생성된다. 다른 실시태양들에서, 에틸렌으로 구성되는 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀 삼합체화 방법은 1-헥센을 포함한 삼합체화 생성물의 특징부들로 더욱 기술될 수 있다. 다른 실시태양들에서, 에틸렌으로 구성되는 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀 삼합체화 방법은 추가 단계들 (예를들면, 특히 촉매시스템 제조 단계들 또는 촉매시스템 성분들 및 에틸렌으로 구성 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀 접촉 단계들, 촉매시스템 비활성화 단계(들), 삼합체 (예를들면, 1-헥센)를 포함하는 삼합체화 생성물 분리 단계(들) , 및/또는 삼합체 (예를들면, 1-헥센)를 포함하는 삼합체화 생성물 정제 단계(들))로 구성된다. 일반적으로, 기타 특징부들 중 촉매시스템 조성물, 또는 촉매시스템 성분들 (예를들면, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물), 촉매시스템 성분들 비율들, 촉매시스템 제조 또는 촉매시스템 성분들과 에틸렌으로 구성되는 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀과의 접촉 방법들, 에틸렌으로 구성 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀 삼합체화 조건들, 1-헥센을 포함한 삼합체화 생성물 특징부들, 및 에틸렌으로 구성 (또는 실질적으로 이루어진) 올레핀 삼합체화 방법의 추가 단계들은, 에틸렌으로 구성 (또는 실질적으로 이루어진)올레핀 삼합체화 방법의 독립적인 특징부들이다. 이들 및 기타 올레핀 삼합체화 방법 특징부들은 독립적으로 본원에 기재되고 에틸렌으로 구성되는 (또는 실질적으로 이루어진) 특정 올레핀 삼합체화 방법의 특정 특징(들) 및 요소(들)과 일관되는 임의의 조합으로 활용된다.
올레핀 삼합체화 방법에 사용되는 촉매시스템 성분들 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물)은 각각 독립적으로 본원에 기재된다. 이들 독립적으로 기재된 촉매시스템 성분들의 양태들 및 실시태양들이 올레핀 삼합체화 방법을 더욱 기술하기 위하여 임의의 조합으로 활용된다. 비-제한적 실시태양에서, 촉매시스템은 전이금속화합물, 질소 함유 화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물을 포함하고, 이때 전이금속화합물은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 질소 함유 화합물은 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 금속 히드로카르빌 화합물은 알킬알루미늄 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 촉매시스템은 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 할로겐 함유 화합물을 포함하고, 이때 전이금속화합물은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 질소 함유 화합물은 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 금속 히드로카르빌 화합물은 비-할라이드 알킬알루미늄 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 할로겐 함유 화합물은 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 14족, 또는 15족 금속 할라이드이거나 구성되거나 실질적으로 이루어지고; 달리, 전이금속화합물은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 질소 함유 화합물은 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 금속 히드로카르빌 화합물은 c 비-할라이드 알킬알루미늄 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 할라이드 화합물은 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 14족, 또는 15족 무기 금속 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고; 달리, 전이금속화합물은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 질소 함유 화합물은 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 금속 히드로카르빌 화합물은 비-할라이드 알킬알루미늄 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 할로겐 함유 화합물은 알킬알루미늄 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 조합들 또는 특정 전이금속화합물들, 질소 함유 화합물들, 금속 히드로카르빌 화합물들, 및 선택적 할로겐 함유 화합물은 본 발명에서 용이하게 명백해진다.
일반적으로, 촉매시스템에서 활용되는 특정 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물들, 비-할라이드 알킬알루미늄 화합물들, 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 14족, 또는 15족 금속 할라이드들, 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 14족, 또는 15족 무기 금속 할라이드들, 및 알킬 알루미늄 할라이드들은 각각 독립적으로 본원에 기재된다. 이들 독립적으로 기재되는 촉매시스템 성분들의 양태들 및 실시태양들은 올레핀 삼합체화 방법을 더욱 기술하기 위하여 임의의 조합으로 활용될 수 있다.
비-제한적 실시예에서, 올레핀 삼합체화 방법에서 촉매시스템으로 사용되는 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물은 i) KBr 펠렛 적외선 스펙트럼을 가지고 υsym (CO2) 적외선 피크의 110 cm-1 내에서υasym (CO2) 적외선 흡광피크를 가지고 1516±15 cm1의 υasym (CO2) 적외선 흡광피크 대 700±50 cm-1의 적외선 흡광피크의 적외선 흡광피크 높이비는 3:1 이상으로 특정되고, ii) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 단핵 크롬(III) 아세테이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 r이 1.3 옹스트롬 내지 4 옹스트롬에서 비교할 때 적합도 검정값, R2은 적어도 0.6으로 특정되고, 또는 iii) 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산 조건들에서 1) 식 CrX3Lℓ 을 가지고, 식 중 각각의 X는 독립적으로 할라이드이고, 각각의 L은 독립적으로 C2-C10 에테르, C2-C10 티오에테르, C2-C5 니트릴, C1-C30 아민, 또는 C3-C30 포스핀, 또는 임의의 이들의 조합이고, ℓ은 0 내지 7인 크롬(III) 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트, 및 3) 제1 용매를 접촉하여 크롬(III) 카르복실레이트를 형성하는 방법으로 제조되고; 달리, i) KBr 펠렛 적외선 스펙트럼을 가지고 υsym (CO2) 적외선 피크의 110 cm-1 내에 υasym (CO2) 적외선 흡광피크를 가지고 1516±15 cm1의 υasym (CO2) 적외선 흡광피크 대 700±50 cm-1의 적외선 흡광피크의 적외선 흡광피크 높이비는 3:1 이상으로 특정되고; 달리 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 단핵 크롬(III) 아세테이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 r이 1.3 옹스트롬 내지 4 옹스트롬에서 비교할 때 적합도 검정값, R2은 적어도 0.6으로 특정되고; 또는 달리 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산 조건들에서 1) 식 CrX3Lℓ 을 가지고, 식 중 각각의 X는 독립적으로 할라이드, 각각의 L은 독립적으로 C2-C10 에테르, C2-C10 티오에테르, C2-C5 니트릴, C1-C30 아민, 또는 C3-C30 포스핀, 또는 임의의 이들의 조합이고, ℓ은 0 내지 7인 크롬(III) 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트, 및 3) 제1 용매를 접촉하여 제조되는 크롬(III) 카르복실레이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트의 C3-C25 카르복실레이트는 식 (O2C)rR1c을 가지고, 이때 r은 1 내지 4인 정수이고 R1c 은 탄화수소기 또는 치환된 탄화수소기이고; 또는 식 O2CR2c 을 가지고, 이때 R2c 은 히드로카르빌기 또는 치환된 히드로카르빌기이다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트의 C3-C25 카르복실레이트는 프로피오네이트, 부티레이트, 펜타노에이트, 헥사노에이트, 헵타노에이트, 옥타노에이트, 노나노에이트, 데카노에이트, 운데카노에이트, 도데카노에이트, 트리데카노에이트, 테트라데카노에이트, 펜타데카노에이트, 헥사데카노에이트, 헵타데카노에이트, 옥타데카노에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 2-에틸헥사노에이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 올레핀 삼합체화 방법에서 촉매시스템의 전이금속화합물로 활용되는 기타 전이금속화합물들 및 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트들은 본 발명에서 명백하다.
비-제한적 실시예에서, 올레핀 삼합체화 방법의 촉매시스템에서 활용되는 피롤 화합물은 식 P1을 가지고,
Figure pct00012
식 중 R2p, R3p, R4p, 및 R5p 은 독립적으로 수소원자들 또는 C1C30 오르가닐기들이고; 달리, 식 P5를 가지고,
Figure pct00013
식 중 R42p 및 R4p 은 독립적으로 C1C18 히드로카르빌기들이고; 또는 달리, 식 AP1을 가지고,
Figure pct00014
식 중 R2p, R3p, R4p, 및 R5p 은 독립적으로 수소원자들 또는 C1C30 오르가닐기들이고 R1a 및 R2a 은 수소 또는 C1-C20 히드로카르빌기이다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법의 촉매시스템에서 활용되는 피롤 화합물은 2,5-디메틸피롤, 2-메틸-5-에틸피롤, 2,5-디에틸피롤, 2,5-디프로필피롤, 2,5-디부틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 2,4-디에틸피롤, 2,4-디프로필피롤, 2,4-디부틸피롤, 3,4-디메틸피롤, 3,4-디에틸피롤, 3,4-디프로필피롤, 3,4-디부틸피롤, 2,3,4-트리메틸피롤, 3-에틸-2,4-디메틸피롤, 2,3,5-트리메틸피롤; 2,3,4,5-테트라메틸피롤, 2,3,4,5-테트라에틸피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 2,5-디메틸피롤이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 올레핀 삼합체화 방법의 촉매시스템에서 질소 함유 화합물로 활용되는 기타 질소 함유 화합물들 및 피롤 화합물들은 본 발명에서 명백하다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법의 촉매시스템에서 활용되는 알킬알루미늄 화합물은 트리알킬알루미늄, 알킬알루미늄 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리알킬알루미늄, 디알킬알루미늄 할라이드, 알킬알루미늄 디할라이드, 알킬알루미늄 세스퀴클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리알킬알루미늄; 달리, 디알킬알루미늄 할라이드; 달리, 알킬알루미늄 디할라이드; 또는 달리, 알킬알루미늄 세스퀴할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양에서, 알킬알루미늄 화합물은 트리알킬알루미늄, 알킬알루미늄 클로라이드, 또는 이들의 조합; 달리, 트리알킬알루미늄, 디알킬알루미늄 클로라이드, 알킬알루미늄 디클로라이드, 알킬알루미늄 세스퀴클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리알킬알루미늄; 달리, 디알킬알루미늄 클로라이드; 달리, 알킬알루미늄 디클로라이드; 달리, 알킬알루미늄 세스퀴클로라이드; 또는 달리, 트리에틸알루미늄 및 디에틸알루미늄 클로라이드의 혼합물 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 올레핀 삼합체화 방법의 촉매시스템에서 금속 히드로카르빌 화합물로 활용되는 기타 금속 히드로카르빌 화합물들 및 알킬알루미늄 화합물들은 본 발명에서 명백하다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법의 촉매시스템에서 활용되는 비-할라이드 알킬알루미늄 화합물은 트리알킬알루미늄, 디알킬알루미늄 히드라이드, 알킬알루미늄 디히드라이드, 디알킬알루미늄 알콕시드, 알킬알루미늄 디알콕시드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 달리, 트리알킬알루미늄, 디알킬알루미늄 히드라이드, 알킬알루미늄 디히드라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 트리알킬 알루미늄이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법의 촉매시스템에서 활용되는 할로겐 함유 화합물은 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 또는 14족 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 알루미늄 할라이드, 할로겐화 탄화수소, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 또는 14족 무기 금속 할라이드; 달리, 히드로카르빌 알루미늄 할라이드; 또는 달리, 할로겐화 탄화수소이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 비-제한적 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물을 포함하는 조성물은 (i) 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 또는 14족 무기 금속 할라이드, (ii) 히드로카르빌알루미늄 할라이드, (iii) 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 또는 14족 무기 금속 할라이드 및 비-할라이드 알루미늄 히드로카르빌 화합물의 혼합물, 또는 (iv) 히드로카르빌 알루미늄 할라이드 및 비-할라이드 알루미늄 히드로카르빌 화합물의 혼합물; 달리, 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 또는 14족 무기 금속 할라이드; 달리, 히드로카르빌 알루미늄 할라이드; 달리, 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 또는 14족 무기 금속 할라이드 및 비-할라이드 알루미늄 히드로카르빌 화합물의 혼합물; 또는 달리, 히드로카르빌 알루미늄 할라이드 및 비-할라이드 알루미늄 히드로카르빌 화합물의 혼합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 올레핀 삼합체화 방법의 촉매시스템에서 활용되는 기타 비-할라이드 알킬알루미늄 화합물들, 할로겐 함유 화합물들, 및 할로겐 함유 화합물을 포함하는 조성물은 본 발명으로부터 명백하다.
올레핀 삼합체화 방법에 활용되는 촉매시스템 성분들의 비율은 각각 독립적으로 본원에 기재된다. 이러한 독립적으로 기재된 촉매시스템 성분 비율들은 올레핀 삼합체화 방법에 활용되는 촉매시스템을 더욱 기술하기 위하여 임의의 조합으로 활용된다. 전이금속화합물이 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어지고, 금속 히드로카르빌 화합물이 히드로카르빌알루미늄 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지는 일부 비-제한적 실시태양들에서, 촉매시스템의 크롬:알루미늄 몰비 (더욱 일반적으로, 전이금속:금속 히드로카르빌 금속 몰비)는 1:1 내지 1:150; 달리, 1:9 내지 1:25; 달리, 1:2 내지 1:18; 또는 달리, 1:5 내지 1:17이다. 전이금속화합물이 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물로 구성되거나, 실질적으로 이루어지거나, 이루어지고, 질소 함유 화합물이 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지는 일부 비-제한적 실시태양들에서, 촉매시스템의 피롤 화합물 질소:크롬 몰비 (또는 더욱 일반적으로 질소:전이금속 몰비)는 0.3:1 내지 10:1; 달리, 0.3: 1 내지 5:1; 달리, 1.5:1 내지 2.5:1; 달리, 2.5:1 내지 3.5:1; 달리, 0.3:1 내지 1.2:1; 달리, 0.3:1 내지 0.9:1; 또는 달리, 0.3:1 내지 0.8:1이다. 촉매시스템이 할로겐 함유 화합물을 포함하고 전이금속화합물이 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물인 일부 비-제한적 실시태양들에서, 촉매시스템의 할라이드:크롬 몰비는 0.1:1 내지 100:1; 달리, 0.5:1 내지 50:1; 또는 달리, 0.75:1 내지 25:1이다. 올레핀 삼합체화 방법에 활용되는 촉매시스템을 더욱 기술하기 위하여 활용되는 기타 크롬:알루미늄 몰비들, 전이금속:금속 히드로카르빌 금속 몰비들, 피롤 화합물 질소:크롬 몰비들, 및 질소:전이금속 몰비들, 기타 비율들은 본 발명에서 명백하다.
올레핀 삼합체화 대상과의 접촉 전의 올레핀 삼합체화 방법에 활용되는 촉매시스템 제조방법은 독립적으로 본원에 기재되고 올레핀 삼합체화 방법을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다. 이들 촉매시스템 제조 방법은 올레핀 삼합체화 방법을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다. 전이금속화합물이 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 질소 함유 화합물이 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 금속 히드로카르빌 화합물이 알킬알루미늄 화합물 (예를들면, 트리알킬알루미늄, 디알킬알루미늄 할라이드, 알킬알루미늄 디할라이드, 또는 임의의 이들의 조합)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고 촉매시스템 제조 방법이 불포화 유기화합물을 이용하는 일부 비-제한적 실시태양들에서, 올레핀 삼합체화 방법 내의 촉매시스템 제조방법은 1) 피롤 화합물과 알킬알루미늄 화합물을 접촉하여 피롤 화합물/알킬알루미늄 화합물 혼합물을 형성하고 2) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물 및 피롤 화합물/알킬알루미늄 화합물 혼합물을 불포화 유기화합물 존재에서 접촉하여 촉매시스템을 형성하고; 달리, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물 및 알킬알루미늄 화합물을 불포화 유기화합물 존재에서실질적으로 동시에 접촉하여 촉매시스템을 형성하고; 또는 달리, 1) 피롤 화합물 및 비-할라이드 알킬알루미늄 화합물을 접촉하여 피롤-금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 구조 AP1, AP2, AP3, AP4, 또는 AP5를 가짐)을 형성하고, 2) 피롤-금속 히드로카르빌 화합물과 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물을 불포화 유기화합물 존재에서 접촉하여 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물/피롤-금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 형성하고, 3) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물/피롤-금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 알킬알루미늄 화합물과 접촉하여 촉매시스템을 형성하는 단계로 구성된다. 전이금속화합물이 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 질소 함유 화합물이 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물이 알킬알루미늄 화합물 (예를들면, 트리알킬알루미늄)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 할로겐 함유 화합물이 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 또는 14족, 금속 할라이드 화합물, 또는 13족, 14족, 또는 15족 비-금속 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고 촉매시스템 제조 방법이 불포화 유기화합물을 이용하는 비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법 내의 촉매시스템 제조방법은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물을 적어도 하나의 피롤 화합물 또는 할로겐 함유 화합물과 접촉한 후 불포화 유기화합물 존재에서 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물과 알킬알루미늄 화합물이 접촉하고; 달리, 1) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 및 할로겐 함유 화합물을 접촉하여 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물/피롤 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 형성하고, 2) 알킬알루미늄 화합물을 불포화 유기화합물 존재에서 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물/피롤 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물과 접촉하고; 달리, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 및 할로겐 함유 화합물을 접촉한 후 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물을 불포화 유기화합물 존재에서 알킬알루미늄 화합물과 접촉하고; 달리, 알킬 알루미늄 화합물과 적어도 하나의 피롤 화합물 또는 할로겐 함유 화합물과 접촉한 후 알킬알루미늄 화합물과 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물을 접촉하고; 달리, 1) 알킬알루미늄 화합물, 피롤 화합물, 및 할로겐 함유 화합물을 접촉하여 피롤 화합물/알킬알루미늄 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 형성하고, 2) 피롤 화합물/알킬알루미늄 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 불포화 유기화합물 존재에서 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물과 접촉하고; 또는 달리, 알킬알루미늄 화합물, 피롤 화합물, 및 할로겐 함유 화합물을 접촉한 후 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물을 불포화 유기화합물 존재에서 알킬알루미늄 화합물과 접촉하고; 달리, 1) 피롤 함유 화합물 및 할로겐 함유 화합물을 접촉하여 피롤 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 형성하고, 2) 피롤 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물과 접촉하여 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물/피롤 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 형성하고, 및 3) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물/피롤 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 불포화 유기화합물 존재에서 알킬알루미늄 화합물과 접촉하고; 달리, 1) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물 및 피롤 함유 화합물을 접촉하여 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물/피롤 함유 화합물 혼합물을 형성하고, 2) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물/피롤 함유 화합물 혼합물을 불포화 유기화합물 존재에서 알킬알루미늄 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물과 접촉하고; 달리, 및 3) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물/피롤 함유 화합물 혼합물을 불포화 유기화합물 존재에서 알킬알루미늄 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물과 접촉하고; 또는 달리, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물/피롤 함유 화합물 혼합물을 형성한 후 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물/피롤 함유 화합물 혼합물을 불포화 유기화합물 존재에서 알킬알루미늄 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물과 접촉하는 단계로 구성된다. 촉매시스템이 제조된 후 올레핀 삼합체화 대상과 접촉되는 올레핀 삼합체화 방법 내에서 활용되는 기타 촉매시스템 제조방법들 및 촉매시스템 성분 접촉 순서들은 본 발명에서 명백하다. 또한, 촉매시스템 성분들은 본원에 기재된 임의의 촉매시스템 성분 비율로 조합 또는 접촉된다.
일 양태에서, 올레핀 삼합체화 방법은 적어도 하나의 촉매시스템 성분 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 또는 선택적 할로겐 함유 화합물)이 적어도 하나의 촉매시스템 기타 성분들과 삼합체화 대상 올레핀 존재에서 접촉하는 방식으로 수행된다. 다른 양태에서, 올레핀 삼합체화 방법은 각각의 촉매시스템 성분 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물가 활용될 때) 및 삼합체화 대상 올레핀이 실질적으로 동시에 접촉하는 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 달리, 각각의 촉매시스템 성분 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물가 활용될 때)이 삼합체화 대상 올레핀과 실질적으로 동시에 접촉하는 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 또는 달리, 각각의 촉매시스템 성분 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적 할로겐 함유 화합물가 활용될 때)이 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 삼합체화 대상 올레핀에 첨가되는 방식으로 수행된다. 또 다른 양태에서, 올레핀 삼합체화 방법은 적어도 하나의 촉매시스템 성분 (전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 또는 선택적 할로겐 함유 화합물)이 삼합체화 대상 올레핀과 접촉된 후 적어도 하나의 기타 촉매시스템 성분이 삼합체화 대상 올레핀과 접촉하는 방식으로 수행된다.
일 양태에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 불포화 유기화합물 존재에서 접촉되는 방식으로 수행된다. 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 삼합체화 대상 올레핀과 접촉 전에 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 접촉되지 않는 방식으로; 달리, 금속 히드로카르빌이 삼합체화 대상 올레핀과 접촉 전에 전이금속화합물이 삼합체화 대상 올레핀과 접촉되지 않는 방식으로; 또는 달리, 전이금속화합물이 삼합체화 대상 올레핀과 접촉 전에 금속 히드로카르빌 화합물이 삼합체화 대상 올레핀과 접촉되지 않는 방식으로 수행된다. 일부 실시태양들에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물이 삼합체화 대상 올레핀과 접촉하고 금속 히드로카르빌 화합물이 삼합체화 대상 올레핀과 접촉한 후 전이금속화합물 및 히드로카르빌 화합물이 접촉하는 방식으로 수행된다.
전이금속 착체 및 금속 히드로카르빌 화합물이 삼합체화 대상 올레핀 존재에서 서로 접촉하는 이러한 양태들 및 실시태양들 및 임의의 기타 적용 가능한 양태들 및 실시태양들에서, 전이금속화합물 (삼합체화 대상 올레핀과 사전 접촉과 무관)은 금속 히드로카르빌 화합물 (삼합체화 대상 올레핀과 사전 접촉과 무관)에 첨가되고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 (삼합체화 대상 올레핀과 사전 접촉과 무관)은 전이금속화합물 (삼합체화 대상 올레핀과 사전 접촉과 무관)에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 (삼합체화 대상 올레핀과 사전 접촉과 무관) 및 금속 히드로카르빌 화합물 (삼합체화 대상 올레핀과 사전 접촉과 무관)은 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 접촉된다. 다른 실시태양들에서, 올레핀 삼합체화 방법은 삼합체화 대상 올레핀, 전이금속화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물이 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 달리, 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 삼합체화 대상 올레핀과 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 또는 달리, 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 삼합체화 대상 올레핀에 첨가되는 방식으로 수행된다.
전이금속화합물이 올레핀과 접촉 후 전이금속화합물 및 히드로카르빌 화합물이 접촉하고, 또는 금속 히드로카르빌 화합물이 올레핀과 접촉 후 전이금속화합물 및 히드로카르빌 화합물이 접촉하는, 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 올레핀 존재에서 접촉하는 양태들 및 실시태양들과 관련하여, 이들 조건은 올레핀 삼합체화 과정에서 올레핀 및/또는 촉매시스템 성분들 초기 접촉 및 올레핀 및/또는 촉매시스템 성분들의 임의의 연속 별도 첨가에 대하여 구현될 수 있다. 그러나, 올레핀 삼합체화 방법이 촉매시스템 회수 및 재생 단계들을 포함하는 양태들 및 실시태양들에서, 이들 특정 올레핀 삼합체화 방법 접촉 특징들이 반드시 적용될 필요는 없다. 따라서, 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 올레핀 존재에서 접촉되는 특징, 전이금속화합물이 올레핀과 접촉 후 전이금속화합물 및 히드로카르빌 화합물이 접촉되는 특징, 또는 금속 히드로카르빌 화합물이 올레핀과 접촉 후 전이금속화합물 및 히드로카르빌 화합물이 접촉되는 특징으로 운전되는 올레핀 삼합체화 방법은 올레핀 삼합체화 방법에서 모든 또는 일부 회수 촉매시스템의 재생 가능성을 배제하지 않는다.
전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 삼합체화 대상 올레핀 존재에서 서로 접촉하여 올레핀 삼합체화 방법이 수행되는 임의의 양태 또는 실시태양에서, 전이금속화합물이 임의의 촉매시스템 기타 성분과 접촉한 후 (전이금속화합물 포함 혼합물 형성) 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 접촉하고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물이 임의의 촉매시스템 기타 성분과 접촉한 후 (금속 히드로카르빌 화합물 포함 혼합물 형성) 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 접촉하고; 또는 달리, 전이금속화합물이 임의의 촉매시스템 기타 성분과 접촉하고 (전이금속화합물 포함 혼합물 형성) 금속 히드로카르빌 화합물이 임의의 촉매시스템 기타 성분과 접촉한 후 (금속 히드로카르빌 화합물 포함 혼합물 형성) 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 접촉한다. 전이금속화합물을 포함하는 혼합물들 및 전이금속화합물을 포함하는 혼합물들 제조방법들은 촉매시스템 제조 방법(들)에서 본원에 기재되고 이들 혼합물들 및 방법들은 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 삼합체화 대상 올레핀 존재에서 서로 접촉하는 특징을 포함하는 임의의 올레핀 삼합체화 방법 양태 또는 실시태양과 일치되는 임의의 방식으로 활용된다. 금속 히드로카르빌 화합물을 포함하는 혼합물들 및 금속 히드로카르빌 화합물을 포함하는 혼합물들 제조 방법들은 촉매시스템 제조 방법(들)에서 본원에 기재되고 이들 혼합물들 및 방법들은 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물이 삼합체화 대상 올레핀 존재에서 서로 접촉하는 특징을 포함하는 임의의 올레핀 삼합체화 방법 양태 또는 실시태양과 일치되는 임의의 방식으로 활용된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물), 올레핀, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 올레핀, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 기타 선택들 가운데 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 반응기, 또는 용매에 첨가한다. 일부 실시태양들에서, 올레핀 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가하고; 달리, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 올레핀에 첨가하고; 또는 달리, 올레핀 및 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가한다. 다른 실시태양들에서, 올레핀 및 전이금속화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)와 접촉하고; 또는 달리, 올레핀 및 전이금속화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가한다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 1) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 올레핀과 접촉하여 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물) 형성하고, 및 2) 전이금속화합물을 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물)과 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)이 올레핀에 첨가되고; 달리, 올레핀이 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 올레핀이 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물이 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물)에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물)이 전이금속화합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물)이 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 1) 전이금속화합물을 올레핀과 접촉하여 전이금속화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 전이금속화합물/올레핀 혼합물과 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성도니다. 실시태양에서, 전이금속화합물은 올레핀에 첨가되고; 달리, 올레핀은 전이금속화합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/올레핀 혼합물은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 전이금속화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 (또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물), 올레핀, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 올레핀, 금속 히드로카르빌 화합물 및 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 올레핀 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 올레핀에 첨가되고; 또는 달리, 올레핀 및 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 올레핀 및 금속 히드로카르빌 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)과 접촉하고; 또는 달리, 올레핀 및 금속 히드로카르빌 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 1) 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 올레핀과 접촉하여 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물)을 형성하고, 및 2) 금속 히드로카르빌 화합물을 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물)과 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성한다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 올레핀에 첨가되고; 달리, 올레핀은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 올레핀은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물은 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물)에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물)은 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물 및 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물)은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 1) 금속 히드로카르빌 화합물을 올레핀과 접촉하여 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)과 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물은 올레핀에 첨가되고; 또는 달리, 올레핀은 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 (또는 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 올레핀, 및 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 올레핀은 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 올레핀은, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시) 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)과 접촉하고; 또는 달리, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 1) 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 올레핀과 접촉하여 전이금속화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물/올레핀 혼합물)을 형성하고, 및 2) 전이금속화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물/올레핀 혼합물)을 질소 함유 화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 또는 달리, 1) 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 올레핀과 접촉하여 전이금속화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물/올레핀 혼합물)을 형성하고, 및 2) 전이금속화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물/올레핀 혼합물)을 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물과 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 올레핀에 첨가되고; 달리, 올레핀은 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 올레핀을 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 전이금속화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물/올레핀 혼합물)을 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 다른 실시태양들에서 질소 함유 화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물을 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물/올레핀 혼합물)에 첨가된다. 또 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물/올레핀 혼합물)와 접촉하고; 또는 달리, 질소 함유 화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물/올레핀 혼합물)에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물/올레핀 혼합물)은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 전이금속화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물/올레핀 혼합물)에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물/올레핀 혼합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물/올레핀 혼합물) 및 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 1) 질소 함유 화합물 및 올레핀을 접촉하여 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물은 올레핀에 첨가되고; 달리, 올레핀은 질소 함유 화합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물), 금속 히드로카르빌 화합물, 및 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 다른 실시태양들에서 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 또 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 금속 히드로카르빌 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물과 접촉하고; 또는 달리, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 금속 히드로카르빌 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 1) 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀을 접촉하여 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물, 질소 함유 화합물, 및 전이금속 히드로카르빌 화합물 (또는 전이금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물은 올레핀에 첨가되고; 달리, 올레핀은 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물), 질소 함유 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 다른 실시태양들에서 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 또 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 질소 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물과 접촉하고; 또는 달리, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 질소 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 전이금속 화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)과 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 올레핀을 접촉하여 형성되고; 달리, 1) 질소 함유 화합물 및 올레핀을 접촉하여 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고; 달리, 1) 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀을 접촉하여 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물을 접촉하여 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 올레핀과 접촉하여 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 형성한다. 질소 함유 화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀의 접촉방법은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들 내에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 이용된다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 질소 함유 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 형성되고; 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 금속 히드로카르빌 화합물을 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가하고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가하여 형성된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 금속 히드로카르빌 화합물 및 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 형성되고; 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 질소 함유 화합물을 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물에 첨가하여 형성되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 질소 함유 화합물에 첨가하여 형성된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 질소 함유 화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 형성되고; 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 올레핀을 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가하여; 또는 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 올레핀에 첨가하여 형성된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 올레핀 및 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 형성되고; 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 올레핀, 및 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 다녜로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 올레핀은 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 올레핀은, 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)과 접촉하고; 또는 달리, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 1) 전이금속화합물 및 올레핀을 접촉하여 전이금속화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 전이금속화합물/올레핀 혼합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 전이금속화합물 (또는 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 전이금속화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법 내에서 제한없이 활용된다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물), 질소 함유 화합물, 및 전이금속화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 다른 실시태양들에서 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 또 다른 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 질소 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물/올레핀 혼합물과 접촉하고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 질소 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 1) 질소 함유 화합물 및 올레핀을 접촉하여 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물, 전이금속화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 질소 함유 화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법 내에서 제한없이 활용된다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물), 전이금속화합물, 및 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 다른 실시태양들에서 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 또 다른 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 전이금속화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물과 접촉하고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 전이금속 히드로카르빌 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물과 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물은 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 올레핀을 접촉하여 형성되고; 달리, 1) 전이금속화합물 및 올레핀을 접촉하여 전이금속화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 전이금속화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물을 접촉하여 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고; 달리, 1) 질소 함유 화합물 및 올레핀을 접촉하여 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물을 접촉하여 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고; 또는 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물을 올레핀과 접촉하여 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성한다. 전이금속화합물 및 올레핀 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 질소 함유 화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물은 전이금속화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물 및 전이금속화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물은 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 또 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 올레핀은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)은 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물은 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물)에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물 (또는 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물) 및 전이금속/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 금속 히드로카르빌 화합물, 올레핀, 및 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물, 올레핀, 및 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 1) 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀을 접촉하여 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물은 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 올레핀, 및 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 올레핀, 및 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속 함유 화합물/질소 함유 화합물 혼합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀을 접촉하여 형성되고; 달리, 1) 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀을 접촉하여 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 및 할로겐 함유 화합물을 접촉하고; 달리, 1) 할로겐 함유 화합물 및 올레핀을 접촉하여 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 올레핀을 접촉하여 형성된다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀을 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 형성되고; 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 실시태양에서, 할로겐 함유 화합물은 올레핀에 첨가되고; 달리, 올레핀은 할로겐 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 할로겐 함유 화합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 접촉한다 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉). 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물은 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물, 올레핀, 및 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물 및 올레핀은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물과 접촉하고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물, 할로겐 함유 화합물, 올레핀, 및 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물과 접촉하고; 또는 달리, 전이금속화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 전이금속화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀을 접촉하여; 달리, 1) 전이금속화합물 및 올레핀을 접촉하여 전이금속 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 전이금속화합물/올레핀 혼합물 및 할로겐 함유 화합물을 접촉하여; 달리, 1) 할로겐 함유 화합물 및 올레핀을 접촉하여 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여; 또는 달리, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 및 올레핀을 접촉하여 형성된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 전이금속화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀을 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 형성되고; 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 전이금속화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 할로겐 함유 화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 실시태양에서, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물은 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 및 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 올레핀, 및 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 올레핀은 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물과 접촉하고; 또는 달리, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물, 올레핀, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 달리, 전이금속화합물/올레핀 혼합물, 질소 함유 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물, 전이금속화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 전이금속화합물/올레핀 혼합물을 형성하는 전이금속화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하는 질소 함유 화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 실시태양에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 올레핀에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물, 올레핀, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 전이금속화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 질소 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물/올레핀 혼합물, 질소 함유 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물, 전이금속화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 할로겐 함유 화합물, 올레핀, 및 금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉하고; 또는 달리, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 올레핀, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 형성고; 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물, 할로겐 함유 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 달리, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물, 질소 함유 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물, 전이금속화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 형성 방법들은기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 형성방법들은기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 형성방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다.
실시태양에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 질소 함유 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀을 접촉하여 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고; 달리, 질소 함유 화합물 및 올레핀을 접촉하여 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 할로겐 함유 화합물을 접촉하여 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고; 달리, 1) 할로겐 함유 화합물 및 올레핀을 접촉하여 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고, 및 2) 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물을 접촉하여 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 올레핀을 접촉하여 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성한다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 질소 함유 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀을 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 형성되고; 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 할로겐 함유 화합물에 첨가하여; 달리, 할로겐 함유 화합물을 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가하여; 또는 달리 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 할로겐 함유 화합물을 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 형성된다 (예를들면, 실질적으로 동시에, 달리, 동시에, 또는 달리, 임의의 본원에 기재된 비율로 동시에 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다). 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물을 질소 함유 화합물에 첨가하여; 달리, 질소 함유 화합물을 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가하여; 또는 달리 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물을 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 형성된다 (예를들면, 실질적으로 동시에, 달리, 동시에, 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에, 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다). 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 올레핀에 첨가하여; 달리, 올레핀을 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물에 첨가하여; 또는 달리 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 올레핀을 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 형성된다 (예를들면, 실질적으로 동시에, 달리, 동시에, 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에, 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다). 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하는 질소 함유 화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하는 할로겐 함유 화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다.
실시태양에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 올레핀을 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가하고; 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물을 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 올레핀에 첨가하고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀을 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물에 첨가한다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 올레핀, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 할로겐 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 할로겐 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가도고; 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 할로겐 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 할로겐 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/올레핀 혼합물, 할로겐 함유 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물, 질소 함유 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물, 전이금속화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물, 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 달리, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 또는 달리, 전이금속화합물/올레핀 혼합물, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물의 형성방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물의 형성방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 전이금속화합물/올레핀 혼합물의 형성방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다.
실시태양에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 및 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가도고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 할로겐 함유 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물, 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉하고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 전이금속화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물/올레핀 혼합물.에 첨가된다 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 달리, 전이금속화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물 및 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 전이금속화합물/올레핀 혼합물, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 올레핀, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀은 전이금속화합물에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 전이금속화합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물과 접촉된다; 또는 달리, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물, 올레핀, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 달리, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물, 질소 함유 화합물, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물을 형성하는 질소 함유 화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물을 형성하는 금속 히드로카르빌 화합물 및 올레핀의 접촉방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 올레핀에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물, 올레핀, 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로)전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물, 질소 함유 화합물, 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 올레핀, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 전이금속화합물에 첨가되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 전이금속화합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물과 접촉되고; 또는 달리, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 올레핀, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물, 할로겐 함유 화합물, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 달리, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 또는 달리, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물, 질소 함유 화합물, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물의 형성방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물의 형성방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물의 형성방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 금속 히드로카르빌 화합물 /할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물의 형성방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다.
실시태양에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 올레핀에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 올레핀은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 올레핀, 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 할로겐 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 할로겐 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 및 할로겐 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 할로겐 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 할로겐 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물, 할로겐 함유 화합물, 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 질소 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 질소 함유 화합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 질소 함유 화합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물, 질소 함유 화합물, 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물, 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 달리, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하고; 또는 달리, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 및 전이금속화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물의 형성방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물의 형성방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다. 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물의 형성방법들은 기타 올레핀 및 촉매시스템 성분 접촉 방법들에서 본원에 기재되고 본 방법(들) 내에서 제한없이 활용된다.
실시태양에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 및 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 할로겐 함유 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물, 할로겐 함유 화합물/올레핀 혼합물, 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물에 첨가된다. 일부 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 순차적으로 (임의의 순서로) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물 및 전이금속화합물은 순차적으로 (임의의 순서로)금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물은 순차적으로 (임의의 순서로)질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 금속 히드로카르빌 화합물/올레핀 혼합물, 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다. 실시태양에서, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 전이금속화합물에 첨가되고; 달리, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물에 첨가되고; 또는 달리, 전이금속화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물은 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물에 첨가된다. 다른 실시태양들에서, 질소 함유 화합물/올레핀 혼합물, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 및 전이금속화합물은 실질적으로 동시에 접촉되고 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉); 예를들면, 실질적으로 동시에 (달리, 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에) 기타 선택들 가운데 반응기, 또는 용매에 첨가된다.
다른 비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 독립적으로 및 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 올레핀을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 올레핀 삼합체화 방법은 독립적으로 및 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 올레핀을 반응기에 도입하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 올레핀은 반응기로 계속적으로 도입된다.
또 다른 비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 올레핀과 독립적으로 및 실질적으로 동시에 접속하여 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 독립적으로 및 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 올레핀 함유 반응기에 도입된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 반응기에 계속적으로 도입된다.
다른 비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀을 독립적으로 및 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 올레핀 삼합체화 방법은 독립적으로 및 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀을 반응기로 도입하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 할로겐 함유 화합물, 및 올레핀은 반응기에 계속적으로 도입된다.
또 다른 비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물 및 할로겐 함유 화합물을 올레핀과 독립적으로 및 실질적으로 동시에 접촉하여 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 할로겐 함유 화합물은 독립적으로 및 실질적으로 동시에 (달리, 접촉을 동시에; 또는 달리, 본원에 기재된 비율로 임의로 동시에 접촉) 올레핀 함유 반응기로 도입된다. 일부 실시태양들에서, 전이금속화합물, 질소 함유 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 할로겐 함유 화합물은 반응기에 계속적으로 도입된다.
올레핀 삼합체화 방법의 다양한 양태들 및 실시태양들은 전이금속화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물, 질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 전이금속화합물/질소 함유 화합물 혼합물, 전이금속화합물/질소 함유 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물, 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물, 및/또는 질소 함유 화합물/금속 히드로카르빌 화합물/할로겐 함유 화합물 혼합물을 이용한다. 혼합물들 제조방법들은 촉매시스템 및 이들 혼합물들 제조방법들(들)에서 본원에 기재되고 방법들은 임의의 올레핀 삼합체화 방법과 일치되는 임의의 방식으로 활용된다.
실시태양에서, 기타 촉매시스템 성분들이 첨가되는 (순차적으로, 실질적으로 동시에, 동시에, 또는 본원에 기재된 비율로 임의의 동시에) 촉매시스템 성분, 촉매시스템 성분 혼합물, 촉매시스템 성분/올레핀 혼합물, 또는 촉매시스템 성분 혼합물/올레핀 혼합물은 또한 용매를 포함한다. 이러한 경우, 기타 촉매시스템 성분들이 첨가되는 (순차적으로, 실질적으로 동시에, 동시에, 또는 본원에 기재된 비율로 임의의 동시에) 촉매시스템 성분, 촉매시스템 성분 혼합물, 촉매시스템 성분/올레핀 혼합물, 또는 촉매시스템 성분 혼합물/올레핀 혼합물은 기타 촉매시스템 성분들이 첨가되는 (순차적으로, 실질적으로 동시에, 동시에, 또는 본원에 기재된 비율로 임의의 동시에) 촉매시스템 성분, 촉매시스템 성분 혼합물, 촉매시스템 성분/올레핀 혼합물, 또는 촉매시스템 성분 혼합물/올레핀 혼합물 및 용매로 구성되거나 실질적으로 이루어진다.
일반적으로, 본원에 기재된 임의의 올레핀 삼합체화 성분 또는 올레핀 삼합체화 성분 혼합물은 올레핀 삼합체화 성분 또는 올레핀 삼합체화 성분 혼합물의 언급 요소(들)로 구성되고 따라서 달리 특히 언급되지 않는 한, 특정 올레핀 삼합체화 방법과 일치되는 추가 성분들을 가질 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 올레핀 삼합체화 성분 또는 올레핀 삼합체화 성분 혼합물은 올레핀 삼합체화 성분 또는 올레핀 삼합체화 성분 혼합물의 언급 요소(들) 및 올리고머화 용매로 구성되고 따라서 달리 특히 언급되지 않는 한, 특정 올레핀 삼합체화 방법의 특징부들과 일치되는 추가 성분들을 가질 수 있다. 일부 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 올레핀 삼합체화 성분 또는 올레핀 삼합체화 성분 혼합물은 실질적으로 올레핀 삼합체화 성분 또는 올레핀 삼합체화 성분 혼합물의 언급 요소(들) 및 올리고머화 용매로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 올레핀 삼합체화 성분 또는 올레핀 삼합체화 성분 혼합물은 실질적으로 언급 요소(들)로 이루어진다.
비-제한적 올레핀 삼합체화 방법의 실시태양에서, 올레핀은 에틸렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고 (이에 따라 방법은 에틸렌 삼화체화를 위한 방법 또는 에틸렌 삼합체화 방법이다), 전이금속화합물은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 질소 함유 화합물은 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 금속 히드로카르빌 화합물은 알킬알루미늄 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 선택적 할로겐 함유 화합물은 알킬알루미늄 할라이드 또는 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 14족, 또는 15족 무기 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 비-제한적 올레핀 삼합체화 방법의 실시태양에서, 올레핀은 에틸렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고 (이에 따라 방법은 에틸렌 삼화체화를 위한 방법 또는 에틸렌 삼합체화 방법이다), 전이금속화합물은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 질소 함유 화합물은 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 금속 히드로카르빌 화합물은 알킬알루미늄 화합물 (예를들면, 트리알킬알루미늄, 알킬알루미늄 디할라이드, 디알킬알루미늄 할라이드, 알킬알루미늄 세스퀴할라이드, 또는 임의의 이들의 조합)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 비-제한적 올레핀 삼합체화 방법의 실시태양에서, 올레핀은 에틸렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고 (이에 따라 방법은 에틸렌 삼화체화를 위한 방법 또는 에틸렌 삼합체화 방법이다), 전이금속화합물은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 질소 함유 화합물은 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 금속 히드로카르빌 화합물은 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 트리알킬알루미늄)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 할로겐 함유 화합물은 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 또는 14족, 금속 할라이드 화합물, 또는 13족, 14족, 또는 15족 비-금속 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 비-제한적 올레핀 삼합체화 방법의 실시태양에서, 올레핀은 에틸렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고 (이에 따라 방법은 에틸렌 삼화체화를 위한 방법 또는 에틸렌 삼합체화 방법이다), 전이금속화합물은 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 질소 함유 화합물은 피롤 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 금속 히드로카르빌 화합물은 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물 (예를들면, 트리알킬알루미늄)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 할로겐 함유 화합물은 알킬알루미늄 할라이드 (예를들면, 알킬알루미늄 디할라이드, 디알킬알루미늄 할라이드, 알킬알루미늄 세스퀴할라이드, 또는 임의의 이들의 조합)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 본 발명은 기타 올레핀들, 전이금속화합물들, 질소 함유 화합물들, 금속 히드로카르빌 화합물들, 및 할로겐 함유 화합물들을 개시한다는 것에 주목하여야 한다. 이러한 독립적으로 기재된 올레핀들, 전이금속화합물들, 질소 함유 화합물들, 금속 히드로카르빌 화합물들, 및 할로겐 함유 화합물들은 본 발명의 실시태양들 및 양태들로부터 명백하고 올레핀 기타 삼합체화 방법을 기술하기 위하여 임의의 조합으로 활용될 수 있다.
올레핀 삼합체화 방법은 본원에 기재된 촉매시스템(들)을 활용하고, 용액, 슬러리, 및/또는 기상 반응 방법들, 및/또는 종래 설비 및 접촉 방법을 이용하여 수행된다. 올레핀을 촉매시스템과 접촉하는 것은 본 분야에서 알려진 임의의 방식으로 수행된다. 하나의 편의적 방법은 유기 매체 중에 촉매시스템을 분산 및/또는 혼합물을 교반 또는 교란하여 삼합체화 공정 내내 유기 매체 중에 분산된 촉매시스템을 유지하는 것이다. 기타 공지 접촉 방법들 역시 적용될 수 있다.
일 양태에서, 올레핀 삼합체화 방법은 유기 매체를 이용한다. 유기 매체이 이용되는 양태들에서, 촉매시스템은 유기 매체에 가용성 (달리, 부분 가용성; 또는 달리, 불용성)일 수 있다. 기타 양태들에서, 액체 삼합체화 생성물은 유기 매체에 혼화성 (달리, 부분 혼화성; 또는 달리, 비혼화성)일 수 있다. 또 다른 양태들에서, 고체 삼합체화 생성물은 유기 매체에 가용성 (달리, 부분 가용성; 또는 달리, 불용성)일 수 있다.
비-제한적 양태에서, 연속-공급 오토클레이브 반응기는 적합한 교반기구 또는 교란 방법 (예를들면, 기타 선택들 가운데 기계 교반기 및/또는 불활성기체 분출) 및/또는 삼합체화 온도 제어방법 (예를들면, 기타 선택들 가운데 내부 열 전달 코일 및/또는 외부 열 교환 자켓)을 가진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 루프 반응기로 수행되고, 이는 기계적 교반 (예를들면, 기타 선택들 가운데 순환펌프)을 가지고 및/또는 삼합체화 온도 제어방법 (예를들면, 기타 선택들 가운데 내부 열 전달 코일 및/또는 외부 열 교환 자켓)이 이용된다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 플러그 유동 조건들의 관상 반응으로 수행되고 이는 삼합체화 온도 제어방법 (예를들면, 기타 선택들 가운데 외부 열 교환 자켓)을 가지고 및/또는 교류 조건들 생성 및/또는 유지할 수 있는 조건들에 의해 분산된 촉매시스템이 유지되는 조건들을 활용한다
일 양태에서, 유기 매체는 탄화수소 또는 할로겐화 탄화수소; 달리, 탄화수소; 또는 달리, 할로겐화 탄화수소이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 유기 매체 (탄화수소 및/또는 할로겐화 탄화수소)는 비-올레핀성; 또는 달리, 올레핀성이다. 다른 실시태양들에서, 유기 매체 (탄화수소 및/또는 할로겐화 탄화수소)는 지방족 탄화수소, 지방족 할로겐화 탄화수소, 방향족 탄화수소, 할로겐화 방향족 탄화수소, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 지방족 탄화수소, 지방족 할로겐화 탄화수소, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 방향족 탄화수소, 할로겐화 방향족 탄화수소, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 지방족 탄화수소; 달리, 지방족 할로겐화 탄화수소; 달리, 방향족 탄화수소; 또는 달리, 할로겐화 방향족 탄화수소이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 지방족 유기 매체 (탄화수소 또는 할로겐화 탄화수소)는 올레핀성 또는 비-올레핀성; 달리, 올레핀성; 또는 달리, 비-올레핀성이다. 실시태양에서, 방향족 유기 매체 (방향족 탄화수소 또는 할로겐화 방향족 탄화수소)는 올레핀성 (예를들면 스티렌) 또는 비-올레핀성; 달리, 올레핀성; 또는 달리, 비-올레핀성이다. 지방족 탄화수소들 및/또는 할로겐화 지방족 탄화수소들은 본원에 개시되는 다양한 양태들 및 실시태양들에 대한 잠재적 용매들로서 독립적으로 본원에 개시된다. 이러한 지방족 탄화수소 용매들 및/또는 할로겐화 지방족 탄화수소 용매들은 유기 매체로서 제한없이 활용된다. 방향족 탄화수소들 및/또는 할로겐화 방향족 탄화수소들은 본원에 개시되는 다양한 양태들 및 실시태양들에 대한 잠재적 용매들 및/또는 촉매시스템 제조에 사용되는 잠재적 불포화 유기화합물들로서 독립적으로 본원에 개시된다. 이러한 방향족 탄화수소들 및/또는 할로겐화 방향족 화합물은 유기 매체로서 제한없이 활용된다. 올레핀성 화합물들은 촉매시스템 제조에 활용되는 잠재적 불포화 유기화합물들 및/또는 삼합체화 대상 올레핀으로서 본원에 개시된다. 이러한 불포화 유기화합물들 및/또는 삼합체성 올레핀들은 유기 매체로서 제한없이 활용된다. 임의의 일반 또는 특정지방족 탄화수소 용매들 및/또는 할로겐화 지방족 탄화수소 용매들, 불포화 유기화합물, 및/또는 삼합체성 올레핀이 유기 매체로 사용될 때, 일반 또는 특정화합물이 용매, 불포화 유기화합물, 또는 삼합체성으로서 개시된다는 사실은 사용되는 화합물이 유기 매체 특성 외의 임의의 기능을 가진다는 것을 의미하는 것은 아니다.
삼합체화 생성물은 삼합체화 생성물 형성 가능한 조건들에서 생성된다. 삼합체화 생성물 형성 가능한 조건들은 촉매시스템이 올레핀과 접촉하고 또는 올레핀 삼합체화 방법의 다양한 성분들이 접촉되는 조건들과 상이할 수 있다 (또는 동일할 수 있다). 실시태양에서, 삼합체화 생성물 형성 가능 조건들은, 개별적으로 또는 임의의 조합으로, 삼합체화 온도, 삼합체화 압력, 올레핀 부분압, 삼합체화 촉매시스템 농도, 및/또는 삼합체화 반응 시간을 포함한다. 다른 양태에서, 올레핀 삼합체화 방법은, 개별적으로 또는 임의의 조합으로, 올레핀 전환비, 촉매시스템 생산성, 삼합체 선택성, 삼합체화 생성물의 특정 일부의 순도, 및/또는 중합체 형성 함량으로 특정된다.
일 양태에서, 삼합체화 생성물 생성 가능 조건들은 삼합체화 온도를 포함하고, 이는 적어도 -20℃; 달리, 적어도 0℃; 달리, 적어도 20℃; 달리, 적어도 40℃; 달리, 적어도 60℃; 또는 달리, 적어도 80℃이다. 일부 실시태양들에서, 삼합체화 생성물 생성 가능 조건의 삼합체화 온도는 -20℃ 내지 250℃; 달리, -10℃ 내지 250℃; 달리, 0℃ 내지 225℃; 달리, 20℃ 내지 200℃; 달리, 40℃ 내지 200℃; 달리, 60℃ 내지 180℃; 또는 달리, 80℃ 내지 160℃이다.
일 양태에서, 삼합체화 생성물 생성 가능 조건들은 삼합체화 압력을 포함한다. 실시태양에서, 삼합체화 생성물 생성 가능 조건들의 삼합체화 압력인 대기압 내지 3500 psig (24.1 mPa); 달리, 대기압 내지 3000 psig (20.7 mPa); 달리, 대기압 내지 2000 psig (13.8 mPa); 달리, 대기압 내지 1600 psig (6.9 mPa); 또는 달리, 약 대기압 내지 1000 psig (11.0 mPa)이다. 다른 양태에서, 삼합체화 압력은 25 psig (345 kPa) 내지 3500 psig (24.1 mPa); 50 psig (345 kPa) 내지 3000 psig (20.7 mPa); 달리, 50 psig (345 kPa) 내지 2500 psig (17.2 mPa); 달리 100 psig (689 kPa) 내지 2000 psig (13.8 mPa); 달리, 200 psig (1.4 mPa) 내지 1600 psig (6.9 mPa); 또는 달리 300 (2.1 mPa) 내지 1000 psig (6.9 mPa)이다. 올레핀이 삼합체화 생성물 생성 가능 온도에서 기체일 때, 삼합체화 생성물 생성 가능 조건들의 올레핀 부분압 (예를들면, 에틸렌 부분압)은 20 psi (138 kPa) 내지 3000 psi (20.7 mPa); 달리, 50 psi (345 kPa) 내지 2500 psi (17.2 mPa); 달리, 100 psi (689 kPa) 내지 2000(13.8 mPa); 달리, 200 psi (1.4 mPa) 내지 1600 psi (11.0 mPa); 또는 달리, 300 psi (2.1 mPa) 내지 1000 psi (6.9 mPa)이다.
일 양태에서, 삼합체화 생성물 생성 가능 조건들은 촉매시스템 농도를 포함한다. 실시태양에서, 촉매시스템 농도는 삼합체화 용액 리터 당 적어도 1 x 107 몰 전이금속 (예를들면, 크롬); 달리, 전이금속 삼합체화 용액 리터 당 적어도 1 x 106 몰; 달리, 전이금속 삼합체화 용액 리터 당 적어도 1 x 105 몰이다. 일부 실시태양들에서, 촉매시스템 농도는 전이금속 삼합체화 용액 리터 당 1 x 107 내지 0.5 몰; 달리, 전이금속 삼합체화 용액 리터 당 1 x 106 내지 0.2 몰; 또는 달리 전이금속 삼합체화 용액 리터 당 1 x 105 내지 0.05 몰이다.
일 양태에서, 삼합체화 생성물 생성 가능 조건들의 삼합체화 반응시간을 포함한다. 실시태양에서, 삼합체화 반응시간은 적어도 5 분; 달리, 적어도 10 분; 또는 달리 적어도 15 분이다. 일부 실시태양들에서, 삼합체화 반응시간은 5 분 내지 120 분; 달리, 10 분 내지 90 분; 또는 달리, 15 분 내지 60 분이다. 일부 양태들에서, 삼합체화 방법은 연속 루프 반응기에서 구현된다. 이러한 경우, 회분 반응기들 또는 플러그 유동 연속 반응기들과는 달리, 일부 분자들이 반응기에 체류하는 시간은 기타 분자들이 반응기에 체류하는 시간과는 크게 다르다. 이러한 경우, 본원에 개시되는 삼합체화 반응시간들은 평균 반응시간으로 언급된다.
일 양태에서, 삼합체화 공정에서 수소가 존재할 수 있다. 이론에 구속됨이 없이, 수소 존재로 인하여 삼합체화 증가, 촉매시스템 활성 증가, 촉매시스템 생산성 증가, 및/또는 삼합체화 공정에서 형성되는 중합체 량을 감소하는 것으로 보인다. 실시태양에서, 수소 부분압은 2 psi (13.8 kPa) 내지 200 psi (1.4 mPa); 달리, 5 psi (34.5 kPa) 내지 150 psi (1.0 mPa); 또는 달리, 10 psi (68.9 kPa) 내지 100 psi (689 kPa)이다.
일 양태에서, 올레핀 삼합체화 방법은 삼합체화 생성물로 전환되는 올레핀의 양으로 (올레핀 전환율이라고 칭함) 특정된다. 실시태양에서, 올레핀 전환율은 적어도 20 wt. %; 달리, 30 wt. %; 또는 달리, 40 wt. %이다. 일부 실시태양들에서, 올레핀 전환율은 20 wt. % 내지 90 wt. %; 달리, 30 wt. % 내지 80 wt. %; 또는 달리, 40 wt. % 내지 75 wt. %이다.
일 양태에서, 올레핀 삼합체화 방법은 촉매시스템 생산성으로 특정된다. 일반적으로, 촉매시스템 생산성은 사용 촉매시스템에서 전이금속화합물의 전이금속 g 당 생성되는삼합체 그램을 의미한다 (전이금속 g 당 삼합체 g으로 칭함). 일부 실시태양들에서, 촉매시스템 생산성은 전이금속 그램 당 적어도 10,000 그램 삼합체; 달리, 삼합체 전이금속 그램 당 적어도 15,000 그램; 달리, 전이금속 g 당 적어도 20,000 g 삼합체; 또는 달리, 전이금속 g 당 적어도 25,000 g 삼합체이다. 다른 실시태양들에서, 촉매시스템 생산성은 전이금속 g 당 10,000 내지 500,000 g 삼합체; 달리, 전이금속 g 당 15,000 내지 400,000 g 삼합체; 달리, 전이금속 g 당 20,000 내지 300,000 g 삼합체; 또는 달리, 전이금속 g 당 25,000 내지 250,000 g 삼합체이다. 올레핀이 에틸렌이고 전이금속화합물이 크롬 화합물인 경우, 이러한 전환율은 g Cr 당 C6 g으로 언급된다.
일 양태에서, 올레핀 삼합체화 방법은 단지 3 올레핀 단위들 함유 생성물에 대한 선택성 (삼합체 선택성이라 칭함)으로 특정된다. 일반적으로, 삼합체 선택성은 총 삼합체화 생성물 당 생성된 삼합체의 양인 wt. % 단위들로 언급된다. 삼합체화 선택성은 사용되는 (사용된다면) 삼합체화 용매에 따라 다르다는 것에 주목하여야 한다. 삼합체화 대상 올레핀이, 삼합체화 올레핀보다 더욱 느리지만, 삼합체화 용매로 사용될 때 (예를들면 에틸렌 삼합체에서 1-헥센), 삼합체 선택성은 올레핀 삼합체화 방법에서 비-올레핀성 용매가 사용될 때보다 더 낮다. 이러한 경우 삼합체 선택성은 적어도 70 wt. %; 달리, 적어도 75 wt. %; 달리, 적어도 80 wt. %; 달리, 적어도 85 wt. % 달리, 적어도 90 wt. %이다. 기타 유사한 경우에, 삼합체 선택성은 70 wt. % 내지 99.8 wt. %; 달리, 75 wt. % 내지 99.5 wt. %; 달리, 80 wt. % 내지 99 wt. %; 또는 달리, 85 wt. % 내지 98 wt. %이다. 실시태양에서, 비-올레핀성 삼합체화 용매가 사용될 때, 삼합체 선택성은 적어도 80 wt. %; 달리, 적어도 85 wt. %; 달리, 적어도 87.5 wt. %; 또는 달리, 적어도 90 wt.%이다. 일부 실시태양에서, 비-올레핀성 삼합체화 용매가 사용될 때, 삼합체 선택성은 80 wt. % 내지 99.8 wt. %; 달리, 85 wt. % 내지 99.5 wt. %; 달리, 87.5 wt. % 내지 99 wt. %; 또는 달리, 90 wt. % 내지 98 wt. %이다.
다른 양태에서, 올레핀 삼합체화 방법은 삼합체화 생성물의 특정 부분에서의 특정 생성물의 양 (순도라고 칭함)으로 특정된다. 올레핀이 에틸렌으로 구성되거나 실질적으로 이루어지는 실시태양에서, 6 탄소원자들을 가지는 삼합체화 생성물은 적어도 98 wt. % 1-헥센; 달리, 적어도 98.25 wt. % 1-헥센; 달리, 적어도 98.5 wt. % 1-헥센; 달리, 적어도 98.75 wt. % 1-헥센; 달리, 적어도 99 wt. % 1-헥센; 또는 달리, 적어도 99.25 wt. % 1-헥센으로 구성된다. 또 다른 실시태양에서, 올레핀이 에틸렌으로 구성되거나 실질적으로 이루어질 때, t6 탄소원자들을 가지는 삼합체화 생성물은 98 wt. % 내지 99.95 wt. % 1-헥센; 달리, 98.25 wt. % 내지 99.95 wt. % 1-헥센; 달리, 98.5 wt. % 내지 99.9 wt. % 1-헥센; 달리, 98.75 wt. % 내지 99.9 wt. % 1-헥센; 달리, 99 wt. % 내지 99.85 wt. % 1-헥센; 달리, 1-헥센; 또는 달리, 적어도 99.25 wt. % 내지 99.85 wt. % 1-헥센으로 구성된다.
다른 양태에서, 올레핀 삼합체화 방법은 삼합체화 생성물의 양으로 특정된다. 일반적으로, 중합체 양은 삼합체화 생성물의 중량%로 나타낸다. 실시태양에서, 올레핀 삼합체화 방법은 1 wt. % 미만 중합체; 달리, 0.75 wt. % 미만 중합체; 달리, 0.5 wt. % 미만 중합체; 달리, 0.4 wt. % 미만 중합체; 달리, 0.3 wt. % 미만 중합체; 달리, 0.2 wt. 미만 % 중합체; 또는 달리, 0.1 wt. % 미만 중합체를 생성한다.
충분한 양의 삼합체가 형성되면, 유기 매체, 삼합체화 생성물 (삼합체, 비-삼합체 생성물들, 중합체, 및 유기 매체), 및 촉매시스템을 포함하는 반응기 유출액을 처리하여 촉매시스템을 ?칭, 비활성화, 및/또는 중지한다. 실시태양에서, 촉매시스템이 ?칭, 비활성화, 및/또는 중지된 후 삼합체 및/또는 유기 매체를 반응기 유출액에서 분리한다. 일반적으로, 촉매시스템을 ?칭, 비활성화, 및/또는 중지시켜 (1) 원치않는 고체들 (예를들면, 중합체) 생성을 억제 및/또는 (2) 삼합체화 생성물 분리 공정에서 이성화로 인한 생성물 순도 열화를 억제할 수 있다. 본원에서 논의된 것 외에도, 미국특허번호 5,689,028, 미국특허출원 2004/0236163 A1, 미국특허출원 2010/0113851 A1, 및 1999.12.29자 출원된 미국특허출원번호 09/473688에는 촉매시스템 ?칭, 비활성화, 및/또는 중지 공정 관련 추가 논의가 제공된다. 미국특허번호 5,689,028, 미국특허출원 2004/0236163 A1, 미국특허출원 2010/0113851 A1, 및1999.12.29자 출원된 미국특허출원번호 09/473688 각각은 참고문헌으로서 전체가 본원에 통합된다.
일 양태에서, 알코올을 반응기 유출액에 첨가함으로써 촉매시스템은 ?칭, 비활성화, 및/또는 중지된다. 실시태양에서, 알코올 대 금속 히드로카르빌 화합물 (할로겐 함유 화합물로서 지정될 수 있는 금속 히드로카르빌 화합물 포함)의 금속 몰비 (알코올 대 금속 몰비로 칭함)가 최대 100:1; 달리, 최대 50:1; 달리, 최대 25:1; 달리, 최대 10:1; 또는 달리, 최대 5:1로서 알코올은 반응기 유출액에 첨가된다. 실시태양에서, 알코올 대 금속 몰비가 0.01:1 내지 100:1; 달리, 0.1:1 내지 50:1; 또는 달리, 0.5:1 내지 25:1; 달리, 0.75:1 내지 5:1; 달리, 1:1 내지 4:1; 또는 달리, 2:1 내지 3:1로서 알코올은 반응기 유출액에 첨가된다. 촉매시스템 비활성화 및/또는 중지에 사용되는 알코올들은 본원에 개시된다. 이렇게 독립적으로 개시된 알코올들은 촉매시스템 비활성화 및/또는 중지 방법을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
다른 양태에서, 촉매시스템은 아민; 또는 달리, 아민 및 알코올의 조합으로 구성되는 ?칭제를 첨가함으로써 ?칭된다. 일반적으로, ?칭제는 촉매시스템을 ?칭할 수 있는 임의의 함량으로 첨가될 수 있다. 실시태양에서, 아민 대 금속 히드로카르빌 화합물 (할로겐 함유 화합물로서 지정될 수 있는 금속 히드로카르빌 화합물 포함)의 금속 몰비 (아민 대 금속 몰비로 칭함)가 최대 100:1; 달리, 최대 50:1; 달리, 최대 25:1; 달리, 최대 10:1; 또는 달리, 최대 5:1로서 아민 (?칭제가 아민 또는 아민 및 알코올 포함과는 무관)은 반응기 유출액에 첨가된다. 실시태양에서, 아민 대 금속 몰비가 0.01:1 내지 100:1; 달리, 0.1:1 내지 50:1; 또는 달리, 0.5:1 내지 25:1; 또는 달리, 0.75:1 내지 5:1로서 아민 (?칭제가 아민 또는 아민 및 알코올 포함과는 무관)은 반응기 유출액에 첨가된다. ?칭제가 아민 및 알코올로 구성되면, 알코올은 반응기 유출액에 알코올 대 금속 몰비 최대 100:1; 달리, 최대 50:1; 달리, 최대 25:1; 달리, 최대 10:1; 또는 달리, 최대 5:1로서 첨가된다. 다른 실시태양에서 ?칭제가 아민 및 알코올로 구성되면, 알코올은 반응기 유출액에 알코올 대 금속 몰비가 0.01:1 내지 100:1; 달리, 0.1:1 내지 50:1; 또는 달리, 0.5:1 내지 25:1; 달리, 0.75:1 내지 5:1; 달리, 1:1 내지 4:1; 또는 달리, 2:1 내지 3:1에서 첨가된다. ?칭제로 활용되는 아민 및 알코올은 독립적으로 본원에 개시된다. 이렇게 독립적으로 개시된 아민 및 알코올은 촉매시스템 ?칭 방법을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
또 다른 양태에서, 촉매시스템은, 1) 반응기 유출액 (삼합체화 생성물 (삼합체, 비-삼합체 생성물들, 및 중합체) 및 유기 매체 포함)을 중지제 (kill agnet)와 접촉하여 촉매시스템을 적어도 부분적으로 비활성화하고, 2) 반응기 유출액을 적어도 부분적으로 비활성화된 촉매가 실질적으로 부재하는 삼합체 및 유기 매체로 구성되는 하나 이상의 스트림들 및 부분적으로 비활성화된 촉매로 구성되는 제2 스트림으로 분리하고, 3) 제2 스트림을 ?칭제와 접촉하는 단계로 구성되는 방법에 의해, 비활성화 및/또는 중지된다. 중지제와 반응기 유출액과의 접촉 단계는 촉매시스템의 촉매 활성을 줄이고 및/또는 분리 반응기 유출액에서 삼합체를 분리하는 과정에서 이성화에 대한 촉매시스템의 활성을 감소시키낟. 제2 스트림의 ?칭 단계는 부분적으로 비활성화된 촉매시스템의 발화성을 감소 또는 제거하기 위한 것이다. 실시태양에서, 중지제 대 금속 히드로카르빌 화합물 (할로겐 함유 화합물로서 지정될 수 있는 금속 히드로카르빌 화합물 포함) 금속 단량 비율 (중지제 대 금속 당량 몰비)이 0.75:1 내지 1.25:1; 달리, 0.9:1 내지 1.2:1; 또는 달리, 약 1:1로서 중지제는 반응기 유출액과 접촉된다. 실시태양에서, ?칭제 대 금속 히드로카르빌 화합물 (할로겐 함유 화합물로서 지정될 수 있는 금속 히드로카르빌 화합물 포함) 금속의 당량 비율 (?칭제 대 금속 당량 몰비)가 최대 25:1; 달리, 최대 10:1; 또는 달리, 최대 5:1로서 ?칭제가 부분적으로 비활성화된 촉매를 포함하는 제2 스트림과 접촉한다. 일부 실시태양들에서, ?칭제 대 금속 당량 몰비가 0.5 내지 25:1; 달리, 0.5:1 내지 10:1; 달리, 0.5:1 내지 5:1; 달리, 0.5:1 내지 3:1; 달리, 0.5:1 내지 1.5:1; 달리, 0.7:1 내지 1.2:1; 달리, 0.8:1 내지 1.1:1; 또는 달리, 약 1:1로서 ?칭제가 부분적으로 비활성화된 촉매를 포함하는 제2 스트림과 접촉한다. 실시태양에서, 중지제 및 ?칭제는 독립적으로 알코올, 및 아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 알코올; 또는 달리, 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 중지제로 활용되는 아민 및 알코올들 및 ?칭제로 활용되는 알코올들은 독립적으로 본원에 개시된다. 이렇게 독립적으로 개시되는 아민 및 알코올들은 촉매시스템 ?칭 방법을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
일반적으로, 촉매시스템을 ?칭, 비활성화, 및/또는 중지시키는 방법에서 활용되는 알코올은 반응기 유출액 스트림 (또는 부분적으로 비활성화된 촉매시스템을 포함하는 제2 스트림)에서 가용성인 임의의 알코올이다. 본원에서 사용되는, 용어 “알코올”은 모노알코올들, 디올들, 및 폴리올들을 포함한다. 알코올은 비점, 분자량에 의해, 또는 올레핀 및/또는 삼합체 생성물과 공비 불능에 의해 선택한다. 본 발명의 일부 실시태양들에서, 알코올은 반응기 유출액 중 삼합체 생성물과는 상이한 비점을 가진다. 비-제한적 실시태양에서, 알코올은 C4 내지 C30 알코올; 달리, C4 내지 C20 알코올; 또는 달리, C4 내지 C12 알코올이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
다른 비-제한적 실시태양에서, 알코올은 모노올, 디올, 또는 폴리올, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 모노올; 달리, 디올; 또는 달리, 폴리올이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 모노올, 디올, 또는 폴리올은 본원에 개시되는 일반 알코올과 동일 개수의 탄소원자들을 가진다. 실시태양에서, 모노올은 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 노난올, 데칸올, 운데칸올, 또는 도데칸올, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 모노올은 1-헥산올, 2-헥산올, 3-헥산올, 2-에틸-헥산올, 1-헵탄올, 2-헵탄올, 3-헵탄올, 4-헵탄올, 2-메틸-3-헵탄올, 1-옥탄올, 2-옥탄올, 3-옥탄올, 4-옥탄올, 7-메틸-2-데칸올, 1-데칸올, 2-데칸올, 3-데칸올, 4-데칸올, 5-데칸올, 2-에틸-1-데칸올, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 모노올은 2-에틸-1-헥산올이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 디올은 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 에틸렌 글리콜; 또는 달리, 프로필렌 글리콜이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 폴리올은 글리세롤이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일반적으로, 촉매시스템을 ?칭, 비활성화, 및/또는 중지시키는 공정에 활용되는 아민 임의의 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 본원에서 사용되는, 용어 “아민”은 모노아민, 디아민, 및 폴리아민을 포함한다. 일부 실시태양들에서, 아민은 지방족 아민, 방향족 아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 지방족 아민; 또는 달리, 방향족 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 아민은 비점, 분자량에 의해, 또는 올레핀 및/또는 삼합체 생성물과의 공비 불능에 의해 선택한다. 본 발명의 일부 실시태양들에서, 아민은 반응기 유출액 중 삼합체 생성물과 상이한 비점을 가진다. 비-제한적 실시태양에서, 아민은 C2 내지 C40 아민; 달리, C4 내지 C30 아민; 또는 달리, C4 내지 C20 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 촉매시스템을 ?칭, 비활성화, 및/또는 중지시키는 공저에 활용되는 아민은 지방족 아민, 방향족 아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 지방족 아민; 또는 달리, 방향족 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 아민 (지방족 또는 방향족)은 환형 또는 비환형; 달리, 환형; 또는 달리 비환형이다. 실시태양들에서, 아민 (지방족 또는 방향족, 환형 또는 비환형)은 모노히드로카르빌아민, 디히드로카르빌아민, 트리히드로카르빌 아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 모노히드로카르빌아민, 디히드로카르빌아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 모노히드로카르빌아민; 달리, 디히드로카르빌아민; 또는 달리, 트리히드로카르빌 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 히드로카르빌기들은 일반적으로 본 발명에 개시된다 (예를들면 특히 식 O2CR2c을 가지는 모노카르복실레이트에 대한 R2c 선택, 및/또는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14에 대한 선택). 이들 히드로카르빌기는 촉매시스템 ?칭, 비활성화, 및/또는 중지 공정에 활용되는 모노히드로카르빌아민, 디히드로카르빌아민, 및/또는 트리히드로카르빌 아민을 더욱 설명하기 위하여 활용되는 히드로카르빌기들로서 제한없이 활용될 수 있다.
실시태양에서, 촉매시스템 ?칭, 비활성화, 및/또는 중지 공정에 활용되는 지방족 아민은 에틸아민, 이소프로필아민, 시클로헥실아민, 디에틸아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, di시클로헥실아민, 피롤리딘, 피페리딘, 트리에틸아민, 트리이소프로필아민, 트리부틸아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 에틸아민, 이소프로필아민, 시클로헥실아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디에틸아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, di시클로헥실아민, 피롤리딘, 피페리딘, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디에틸아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디시클로헥실아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 피롤리딘, 피페리딘, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리에틸아민, 트리이소프로필아민, 트리부틸아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 에틸아민; 달리, 이소프로필아민; 달리, 시클로헥실아민; 달리, 디에틸아민; 달리, 디이소프로필아민; 달리, 디부틸아민; 달리, 디시클로헥실아민; 달리, 피롤리딘; 달리, 피페리딘; 달리, 트리에틸아민; 달리, 트리이소프로필아민; 달리, 트리부틸아민; 달리, 피롤리딘; 달리, 피페리딘; 또는 달리 모르폴린이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 촉매시스템 ?칭, 비활성화, 및/또는 중지 공정에 활용되는 방향족 아민은 아닐린, 톨릴아민, 자일릴아민, 벤질아민, 나프틸아민, 디페닐아민, 디톨릴아민, di벤질아민, 비스(트리메틸실릴)아민, 피리딘, 디메틸피리딘, 이미다졸, 인돌린, 인돌, 퀴놀린, 피롤, 피라졸, 2,5-디메틸피롤, 3,4-디메틸피롤, 3,4-디클로로피롤, 2,3,4,5-테트라클로로피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 아닐린, 톨릴아민, 자일릴아민, 벤질아민, 나프틸아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디페닐아민, 디톨릴아민, di벤질아민, 비스(트리메틸실릴)아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 피리딘, 디메틸피리딘, 이미다졸, 인돌린, 인돌, 퀴놀린, 피라졸, 피롤, 2,5-디메틸피롤, 3,4-디메틸피롤, 3,4-디클로로피롤, 2,3,4,5-테트라클로로피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 피리딘, 디메틸피리딘, 이미다졸, 인돌린, 인돌, 퀴놀린, 피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 아닐린; 달리, 톨릴아민; 달리, 자일릴아민; 달리, 벤질아민; 달리, 나프틸아민; 달리, 디페닐아민; 달리, 디톨릴아민; 달리, di벤질아민; 달리, 비스(트리메틸실릴)아민; 달리, 피리딘; 달리, 디메틸피리딘; 달리, 이미다졸; 달리, 인돌린; 달리, 인돌; 달리, 퀴놀린; 달리, 피라졸; 달리, 피롤; 달리, 2,5-디메틸피롤; 달리, 3,4-디메틸피롤; 달리, 3,4-디클로로피롤; 또는 달리, 2,3,4,5-테트라클로로피롤이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
임의의 편의적 방법으로 삼합체 생성물은 반응기 유출액으로부터 분리되고, 반응기 유출액은 유기 매체, 삼합체화 생성물 (삼합체, 비-삼합체 생성물들, 중합체, 및 유기 매체 포함), 및 ?칭, 비활성화, 및/또는 중지된 촉매시스템을 포함한다. 비-제한적 실시태양에서, 하나 이상의 증류탑들을 이용하는 증류가 적용된다. 미국특허번호 5,750,816, 미국특허번호 7157612, 미국특허번호 7,476,775, 미국특허출원 2004/0236163 A1 및 미국특허출원 2010-0113851은 반응기 유출액에서 삼합체를 분리하기 위하여 활용되는 기술을 제공한다. 미국특허번호 5,750,816, 미국특허번호 7157612, 미국특허번호 7,476,775, 미국특허출원 2004/0236163 A1 및 미국특허출원 2010-0113851 각각은 본원에 참고문헌으로 전체가 통합된다.
일 양태에서, 본 발명은 크롬 카르복실레이트 조성물 제조를 위한 합성 방법들을 제공한다. 일 양태에서 개시된 합성 방법들은 크롬 아세테이트 또는 기타 카르복실레이트 착체들과 카르복실산의 반응을 생략한다. 특히, 본 발명은 1족 또는 2족 카르복실레이트 및 크롬 전구체가 용매에서 조합되는 바람직한 크롬 카르복실레이트 조성물로의 합성 경로를 포함한다. 일 양태에서, 제한되지 않지만, 본 발명의 방법(들)이 적용되어 식 1에 의거하여 크롬(III) 카르복실레이트들가 생성된다.
Figure pct00015
실시태양에서, 본 방법은 부산물들 (예를들면, 식 1에 도시된 바와 같이 염화나트륨)이 생성되고 이는 바람직한 크롬 카르복실레이트 (예를들면, Eq. 1에 도시된 바와 같이 크롬(III) 카르복실레이트)에서 분리된다.
일 양태에서, 본 발명은 크롬 카르복실레이트 조성물을 제공한다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 조성물은 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 생성 방법의 생성물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 조성물은 특정 분광학적 특징부들를 가진다. 일부 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 조성물은 특정 적외선 스펙트럼 특징부들을 가진다. 다른 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 조성물은 특정 고에너지 X-선 회절 스펙트럼 특징부들을 가진다. 또 다른 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 조성물은 크롬 금속 카르복실레이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 스펙트럼과 양호하게 대비되는 고에너지 X-선 회절 스펙트럼을 가진다.
일 양태에서, 본 발명은 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법을 기술하며, 이는: 1) 크롬 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 3) 용매를 접촉하여 크롬 카르복실레이트를 형성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트는 크롬 카르복실레이트 형성 가능 조건들에서 형성된다. 일부 실시태양들에서, 크롬, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매는 특정 접촉 조건들에서 접촉된다. 일부 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트를 포함한 용액이 형성된다. 일반적으로, 크롬 카르복실레이트 조성물 제조 방법의 기타 특징부들 가운데 (예를들면, 무엇보다도 분리 및/또는 정제 단계 또는 방법들) 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 용매, 접촉 단계(들), 접촉 조건들, 및 크롬 카르복실레이트 형성 가능 조건(들)은 크롬 카르복실레이트 조성물 생성방법의 독립적인 요소들이다. 본원에 기재된 크롬 전구체, 본원에 기재된 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 본원에 기재된 용매, 본원에 기재된 접촉 단계(들), 본원에 기재된 접촉 조건들, 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 형성 가능 조건(들), 및 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법의 기타 특징부들 (예를들면, 무엇보다도 분리 및/또는 정제 단계 또는 방법들)의 임의의 본원 기재 양태들 및/또는 실시태양들은 크롬 카르복실레이트 조성물 생성방법을 더욱 기술하기 위하여 이용될 수 있다.
비-제한적 양태에서, 크롬 카르복실레이트 (또는 크롬 카르복실레이트 조성물)는 특정 특성들을 가진다. 이러한 특성들은 독립적으로 본원에 기재되고 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법에 의해 생성되는 생성물을 더욱 기술하기 위하여 활용될 수 있다.
일 양태에서, 본 발명은 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법을기재하며, 이는: 1) 크롬(III) 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 3) 용매를 접촉하여 크롬(III) 카르복실레이트를 형성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 크롬(III) 카르복실레이트는 크롬(III) 카르복실레이트 형성 가능한 조건들에서 형성된다. 일부 실시태양들에서, 크롬(III) 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매는 특정 접촉 조건들에서 접촉된다. 일부 실시태양들에서, 크롬(III) 카르복실레이트를 포함하는 용액이 형성된다. 일반적으로, 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법의 기타 특징부들 (예를들면, 무엇보다도 분리 및/또는 정제 단계 또는 방법들) 가운데 크롬(III) 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 용이매, 접촉 단계(들), 접촉 조건들, 접촉 조건들, 및 크롬(III) 카르복실레이트 형성 가능 조건(들)은 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 생성방법의 독립적인 요소들이다. 임의의 양태들 또는 임의의 실시태양들 본원에 기재된 크롬(III) 전구체, 본원에 기재된 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 본원에 기재된 용매, 본원에 기재된 접촉 단계(들), 본원에 기재된 접촉 조건들, 본원에 기재된 크롬(III) 카르복실레이트 형성 가능 조건(들), 및 본원에 기재된 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법의 기타 특징부들 (예를들면, 특히 분리 및/또는 정제 단계 또는 방법들)은 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 생성방법을 더욱 기술하기 위하여 활용된다.
비-제한적 양태에서, 크롬(III) 카르복실레이트 (또는 크롬(III) 카르복실레이트 조성물)은 특정 특성들을 가진다. 이러한 특성들은 독립적으로 본원에 기재되고 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법을 더욱 기술하기 위하여 활용된다.
본 발명의 양태에 의하면, 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법은 크롬 전구체를 이용한다. 일반적으로, 크롬 전구체는 중성, 양이온성 또는 음이온성의 전이금속 착체로 구성된다. 크롬 착체가 중성인 경우 크롬 착체는 전이금속 전구체이다. 크롬 착체가 양이온성이면, 크롬 전구체는 적합한 개수의 크롬 착체들 및 음이온성 종들로 구성되어 중성 크롬 전구체를 제공한다. 크롬 착체가 음이온성이면, 크롬 전구체는 적합한 개수의 크롬 착체들 및 양이온성 종들로 구성되어 중성 크롬 전구체를 제공한다
최소한, 크롬 전구체 및/또는 크롬 착체는 크롬을 포함한다. 실시태양에서, 크롬 전구체 및/또는 크롬 착체는 크롬 및 음이온성 리간드로 구성되거나, 실질적으로 이루어지거나 또는 이루어진다. 다른 실시태양에서, 크롬 전구체 및/또는 크롬 착체는 크롬 및 중성 리간드로 구성되거나, 실질적으로 이루어지거나 또는 이루어진다. 실시태양에서, 크롬 전구체는 음이온성 크롬 착체; 또는 달리, 양이온성 크롬 착체로 구성된다. 다른 실시태양들에서, 크롬 전구체는 양이온성 크롬 착체 및 적어도 하나의 음이온성 종; 달리, 음이온성 크롬 착체 및 적어도 하나의 양이온성 종으로 구성되거나, 실질적으로 이루어지거나 또는 이루어진다. 실시태양에서, 크롬 착체 (음이온성, 양이온성, 또는 중성)는 크롬, 음이온성 리간드, 및 중성 리간드로 구성되거나, 실질적으로 이루어지거나 또는 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 크롬 착체 (음이온성, 양이온성, 또는 중성)는 적어도 하나의 크롬 및 적어도 하나의 음이온성 리간드; 달리, 적어도 하나의 크롬 및 적어도 하나의 중성 리간드; 또는 달리, 적어도 하나의 크롬, 적어도 하나의 음이온성 리간드, 및 적어도 하나의 중성 리간드로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
일 양태에서, 크롬 전구체는 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2를 가진다. 일반적으로, 크롬 전구체들에서, 크롬의 산화상태는 x이고, y1은 산화상태 x의 크롬 원자들 개수이고, X는 전하 y를 가지는 음이온성 리간드이고, x1은 전하 y인 음이온성 리간드들 개수이고, L은 중성 리간드이고, ℓ 은 중성 리간드들 개수이고, Cry1Xx1Lℓ 는 전하 m을 가지는 크롬 착체이고, q는 전하 m인 크롬 착체들 개수이고, C는 전하 c인 양이온성 종들이고, m1은 전하 c인 양이온성 종들 개수이고, A는 전하 a인 음이온성 종들이고, m2는 전하 a인 음이온성 종들 개수이다. 산화상태 x의 크롬 원자, 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드 (X), 전하 y인 음이온성 리간드들 개수 (x1), 중성 리간드 (L), 중성 리간드들 개수 (ℓ), 크롬 착체 (Cry1Xx1Lℓ)의 전하 (m), 크롬 착체들 (Cry1Xx1Lℓ) 개수 (q), 전하 c인 양이온성 종들 (C), 전하 c인 양이온성 종들 개수 (m1), 전하 a인 음이온성 종들 (A), 및 전하 a인 음이온성 종들 개수 (m2)는 독립적으로 본원에 기재된다. 이러한 독립적인 설명은 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2를 가지는 크롬 전구체를 더욱 기술하기 위하여 임의의 호환 방식 및/또는 조합으로 이용될 수 있다. x (크롬 원자(들) 산화상태), y1 (산화상태 x인 크롬 원자들 개수), y (음이온성 리간드, X 전하), x1 (전하 y인 음이온성 리간드들 개수), ℓ (중성 리간드들, L개수), m (크롬 착체, Cry1Xx1Lℓ 전하), q (크롬 착체들, Cry1Xx1Lℓ개수), c (양이온성 종들, C 전하), m1 (양이온성 종들, C개수), a (음이온성 종들, A 전하), 및 m2 (음이온성 종들, A개수)의 특정값들에 따라서, 크롬 전구체에 대한 기타 실행 가능한 일반식들이 존재한다. 이들 기타 크롬 전구체 식들이 본원에 제공되고 본원에 기재된 임의의 적용 가능한 양태 및/또는 실시태양에서 크롬 전구체로 활용된다.
실시태양에서, 크롬 전구체는 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2, [(CrLℓ)m]q[Aa]m2, Cry1Xx1Lℓ, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1, [(CrXxLℓ)m]q[Aa]m2, CrXxLℓ, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2, Cry1Xx1, [(CrXx)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXx)m]q[Cc]m1, [(CrXx)m]q[Aa]m2, 또는 CrXx를 가질 수 있다. 일부 실시태양들에서, 크롬 전구체는 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2, [(CrLℓ)m]q[Aa]m2, Cry1Xx1Lℓ, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1, [(CrXxLℓ)m]q[Aa]m2, 또는 CrXxLℓ, 달리, (Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2, Cry1Xx1, [(CrXx)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXx)m]q[Cc]m1, [(CrXx)m]q[Aa]m2, 또는 CrXx; 달리, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2, [(CrLℓ)m]q[Aa]m2, 또는 Cry1Xx1Lℓ; 달리, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1, [(CrXxLℓ)m]q[Aa]m2, 또는 CrXxLℓ, 달리, (Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2, Cry1Xx1, 또는 달리, [(CrXx)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXx)m]q[Cc]m1, [(CrXx)m]q[Aa]m2, 또는 CrXx를 가질 수 있다. 다른 실시태양들에서, 크롬 전구체는 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2, [(CrLℓ)m]q[Aa]m2, Cry1Xx1Lℓ, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2, 또는 Cry1Xx1; 또는 달리, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1, [(CrXxLℓ)m]q[Aa]m2, CrXxLℓ, [(CrXx)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXx)m]q[Cc]m1, [(CrXx)m]q[Aa]m2, 또는 CrXx를 가질 수 있다. 또 다른 실시태양들에서, 크롬 전구체는 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2; 달리, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1; 달리, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2; 달리, [(CrLℓ)m]q[Aa]m2; 달리, Cry1Xx1Lℓ; 달리, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2; 달리, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1; 달리, [(CrXxLℓ)m]q[Aa]m2; 달리, CrXxLℓ; 달리, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2; 달리, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1; 달리, [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2; 달리, Cry1Xx1; 달리, [(CrXx)m]q[Cc]m1[Aa]m2; 달리, [(CrXx)m]q[Cc]m1; 달리, [(CrXx)m]q[Aa]m2; 또는 달리, CrXx를 가질 수 있다.
일반적으로, 크롬 전구체의 크롬 산화상태, n은 크롬이 가질 수 있는 임의의 양의 산화상태를 가진다. 일 양태에서, 크롬 전구체 크롬의 산화상태는 1 내지 6이다. 일부 실시태양들에서 크롬 전구체 크롬의 산화상태는 2 또는 3; 달리, 2; 또는 달리, 3이다. 크롬 산화상태는 크롬 표시 이후 괄호내의 로마숫자로 표기된다는 것에 주목하여야 한다 (예를들면, 산화상태 3의 크롬은 크롬(III)으로 표기된다). 일부 비-제한적 실시태양들에서, 크롬 전구체 크롬은 크롬(II) 또는 크롬(III); 달리, 크롬(II); 또는 달리, 크롬(III)으로 구성되거나, 실질적으로 이루어거나, 이루어진다.
크롬 전구체 (또는 크롬 착체)에서 크롬 원자들 개수, y1은, 크롬 원자(들) 산화상태, 음이온성 리간드 전하 음이온성 리간드들 개수, 음이온성 리간드(들) 전하, 및 크롬 착체 전하의 함수이다. 일반적으로, 크롬 전구체 (또는 크롬 착체)에서 크롬 원자들 개수, y1는, 1 내지 3; 달리, 1; 달리, 2; 또는 달리, 3인 정수이다.
크롬 전구체의 크롬 착체가 음이온성 또는 양이온성이면 (예를들면, 특히 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2, [(CrLℓ)m]q[Aa]m2, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1, [(CrXxLℓ)m]q[Aa]m2, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2, [(CrXx)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXx)m]q[Cc]m1, 및/또는 [(CrXx)m]q[Aa]m2를 가지면, 식 중 m≠0), 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드들 (A) 개수, 및 음이온성 또는 양이온성 크롬 착체 전하는 식 m=(y*x1)+(x*y1)의 관계를 가진다. 크롬 전구체의 크롬 착체가 중성이면 (예를들면, 특히 식 Cry1Xx1Lℓ, CrXxLℓ, Cry1Xx1, 및/또는 CrXx를 가지면, 식 중 m=0), 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드들 (A) 개수는 식 x*y1=|y*x1|의 관계를 가진다. 일부 실시태양들에서 크롬 전구체의 크롬 착체가 중성이면 (예를들면, 특히 식 Cry1Xx1Lℓ, CrXxLℓ, Cry1Xx1, 및/또는 CrXx을 가지면, 식 중 m=0), 크롬 원자들 개수, y1는, 크롬 산화상태 (x) 및 음이온성 리간드 (A) 전하 (y)의 관계식은 y1=|y| 나누기x 및 |y|의 최대공약수이다.
일 양태에서, 각각의 음이온성 리간드, X는, 독립적으로 할라이드, 질산염, 아질산염, 황산염, 아황산염, 중황산염, 인산염, 염소산염, 시아노, 시아네이트, 티오시아네이트, 또는 이소티오시아네이트이다. 실시태양에서, 각각의 음이온성 리간드는 독립적으로 할라이드, 질산염, 황산염, 인산염; 또는 달리, 할라이드 또는 질산염이다. 일부 실시태양들에서, 음이온성 리간드, X는, 할라이드; 달리, 질산염; 달리, 아질산염; 달리, 황산염; 달리, 아황산염; 달리, 중황산염; 달리, 인산염; 달리, 염소산염; 달리, 시아노; 달리, 시아네이트; 달리, 티오시아네이트; 또는 달리, 이소티오시아네이트이다. 실시태양에서 각각의 할라이드는 독립적으로 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 또는 요오다이드; 달리, 플루오라이드; 달리, 클로라이드; 달리, 브로마이드; 또는 달리, 요오다이드이다. 실시태양에서, 각각의 할로겐산염 독립적으로 불소산염, 염소산염, 브롬산염, 또는 요오드산염; 달리, 불소산염; 달리, 염소산염; 달리, 브롬산염; 또는 달리, 요오드산염이다. 추가 실시태양에서, 크롬 전구체는 이들 리간드의 임의의 조합을 포함한다. 일부 실시태양들에서, 각각의 음이온성 리간드는 독립적으로 모노음이온성 리간드이다.
일반적으로, 크롬 전구체 (일반 또는 특정)가 적어도 하나의 음이온성 리간드를 포함할 때, 각각의 음이온성 리간드, X, 전하, y는 독립적으로 정수 -1 내지 -3이다. 실시태양에서, 각각의 음이온성 리간드 전하, y는 독립적으로 -1 또는 -2; 달리, -1; 달리, -2; 또는 달리, -3이다. 실시태양에서, 각각의 음이온성 리간드, X는, 전하 y가 -1인 모노음이온성 리간드이다. 일반적으로, 음이온성 리간드, X의 전하, y는, 음이온성 리간드 식별로 명백하다. 예를들면, 할라이드들, 질산염, 아질산염, 중황산염, 할로겐산염, 시아노, 시아네이트, 티오시아네이트, 및 이소티오시아네이트의 전하, y는 -1, 황산염 및 아황산염의 전하, y는 -2, 및 인산염의 전하, y는 -3이다.
크롬 전구체 (크롬 착체)에서 음이온성 리간드들, 개수 x1은 크롬 원자들 개수, 크롬 원자(들) 산화상태, 음이온성 리간드(들) 전하, y, 및 크롬 착체 전하의 함수이다. 일반적으로, 크롬 전구체 (또는 크롬 착체)에서 음이온성 리간드들의, 개수x1은, 정수 0 내지 7; 달리, 0 내지 6; 달리, 0 내지 5; 달리, 0 내지 4; 달리, 0 내지 3; 달리, 1 내지 7; 달리, 1 내지 6; 달리, 1 내지 5; 달리, 1 내지 4; 달리, 1 내지 3; 달리, 2 내지 5; 달리, 2 내지 4; 달리, 2 내지 3; 또는 달리, 3 내지 7. 일부 실시태양들에서, 크롬 전구체 (또는 크롬 착체)에서 음이온성 리간드들 개수, x1는 0; 달리, 1; 달리, 2; 달리, 3; 달리, 4; 또는 달리, 5, 달리, 6; 또는 달리, 7이다.
크롬 전구체의 크롬 착체가 음이온성 또는 양이온성이면 (예를들면, 특히 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2, [(CrLℓ)m]q[Aa]m2, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1, [(CrXxLℓ)m]q[Aa]m2, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2, [(CrXx)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXx)m]q[Cc]m1, 및/또는 [(CrXx)m]q[Aa]m2를 가지면, 식 중 m≠0), 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드들 (A) 개수, 및 음이온성 또는 양이온성 크롬 착체의 전하는 식 m=(y*x1)+(x*y1)의 관계를 가진다. 크롬 전구체의 크롬 착체가 중성이면 (예를들면, 특히 식 Cry1Xx1Lℓ, CrXxLℓ, Cry1Xx1, 및/또는 CrXx를 가지면, 식 중 m=0), 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드들 (A) 개수는 식 x*y1=|y*x1|의 관계를 가진다. 일부 실시태양들에서 크롬 전구체의 크롬 착체가 중성이면 (예를들면, 특히 식 Cry1Xx1Lℓ, CrXxLℓ, Cry1Xx1, 및/또는 CrXx을 가지면, 식 중 m=0), 음이온성 리간드들, 개수x1은, 크롬 산화상태 (x) 및 음이온성 리간드 (X) 전하 (y)의 관계식은 x1=x나누기x 및 |y|의 최대공약수이다.
일 양태에서, 크롬 전구체 (일반 또는 특정)에 대한 각각의 중성 리간드(들)는 독립적으로 안정한 또는 분리가능한 크롬 착체를 형성하는 임의의 중성 리간드; 또는 달리, 안정한 또는 분리가능한 크롬 착체를 형성하는 중성 리간드들의 임의의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 적합한 중성 리간드들은 크롬 원자와 배위하는 적어도 하나의 배위 원자를 가지는 시그마-주게 화합물들을 포함한다. 실시태양에서, 중성 리간드(들)의 배위 원자는, 제한되지는 않지만, 산소, 질소, 황, 인, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 산소, 질소, 황, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 산소, 질소, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 산소, 황, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 산소; 달리, 질소; 달리, 황; 또는 달리, 인을 포함한다. 달리 특정되지 않는 한, 배위화합물은 치환되지 않거나 치환된다. 치환기들은 독립적으로 본원에 기재되고 본원에 기재된 임의의 크롬 전구체 및/또는 크롬 착체에서 활용되는 치환된 중성 리간드를 기술하기 위하여 제한없이 사용된다.
일 양태에서, 각각의 중성 리간드는 독립적으로 비시클릭 헤테로원자 화합물, 또는 헤테로시클릭 화합물; 달리, 비시클릭 헤테로원자 화합물; 또는 달리, 헤테로시클릭 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 각각의 중성 리간드 (환형 또는 비환형)는 독립적으로 지방족 헤테로원자 화합물 또는 헤테로아렌; 달리, 지방족 헤테로원자 화합물; 또는 달리, 헤테로아렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 각각의 중성 리간드 (환형 또는 비환형, 및/또는 지방족 또는 방향족)에 대한 적합한 헤테로원자들은 본원에 기재되고 중성 리간드로 활용되는 헤테로원자 화합물을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
실시태양에서, 각각의 중성 리간드는 독립적으로 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물, 치환된 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물, 지방족 헤테로시클릭 화합물, 치환된 지방족 헤테로시클릭 화합물, 헤테로아렌, 또는 치환된 헤테로아렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 각각의 중성 리간드는 독립적으로 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물 또는 치환된 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물; 달리, 지방족 헤테로시클릭 화합물 또는 치환된 지방족 헤테로시클릭 화합물; 또는 달리, 헤테로아렌 또는 치환된 헤테로아렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 각각의 중성 리간드는 독립적으로 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물, 지방족 헤테로시클릭 화합물, 또는 헤테로아렌; 달리, 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물; 달리, 지방족 헤테로시클릭 화합물; 또는 달리, 헤테로아렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물 (치환된 또는 치환되지 않은)은 C2-C60 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물; 달리, C2-C45 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물; 달리, C2-C30 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물; 또는 달리, C2-C20 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물; 달리, C2-C10 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물; 또는 달리, C2-C5 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 지방족 헤테로시클릭 화합물 (치환된 또는 치환되지 않은)은 C3-C60 지방족 헤테로시클릭 화합물; 달리, C3-C45 지방족 헤테로시클릭 화합물; 달리, C3-C30 지방족 헤테로시클릭 화합물; 달리, C3-C20 지방족 헤테로시클릭 화합물; 달리, C3-C15 지방족 헤테로시클릭 화합물; 또는 달리, C3-C10 지방족 헤테로시클릭 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 헤테로아렌 화합물 (치환된 또는 치환되지 않은)은 C4-C60 헤테로아렌; 달리, C4-C45 헤테로아렌; 달리, C4-C30 헤테로아렌; 달리, C4-C20 헤테로아렌; 달리, C4-C15 헤테로아렌; 또는 달리, C4-C10 헤테로아렌이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 치환된 배위화합물에 대한 치환체들은 본원에 개시되고 중성 리간드로 활용되는 치환된 지방족 비시클릭 헤테로시클릭 화합물, 치환된 지방족 헤테로시클릭 화합물, 및/또는 치환된 헤테로아렌을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 사용될 수 있다.
실시태양에서, 각각의 중성 리간드는 독립적으로 제한적이지는 않지만, 에테르, 티오에테르, 니트릴, 아민, 포스핀, 포스파이트 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 에테르; 달리, 티오에테르; 달리, 니트릴; 달리, 아민; 달리, 포스핀; 또는 달리, 포스파이트이다. 일부 실시태양들에서, 각각의 중성 리간드는 독립적으로 제한적이지는 않지만, 비환형 에테르, 치환된 비환형 에테르, 환형 에테르, 치환된 환형 에테르, 비환형 티오에테르, 치환된 비환형 티오에테르, 환형 티오에테르, 치환된 환형 티오에테르, 지방족 니트릴, 치환된 지방족 니트릴, 방향족 니트릴, 치환된 방향족 니트릴, 비환형 아민, 치환된 비환형 아민, 환형 아민, 치환된 환형 아민, 비환형 포스핀, 치환된 비환형 포스핀, 환형 포스핀, 치환된 환형 포스핀, 비환형 포스파이트, 치환된 비환형 포스파이트, 환형 포스파이트, 치환된 환형 포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 비환형 에테르, 치환된 비환형 에테르, 비환형 티오에테르, 치환된 비환형 티오에테르, 지방족 니트릴, 치환된 지방족 니트릴, 비환형 아민, 치환된 비환형 아민, 비환형 포스핀, 치환된 비환형 포스핀, 비환형 포스파이트, 치환된 비환형 포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 환형 에테르, 치환된 환형 에테르, 환형 티오에테르, 치환된 환형 티오에테르, 환형 아민, 치환된 환형 아민, 환형 포스핀, 치환된 환형 포스핀, 환형 포스파이트, 치환된 환형 포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 비환형 에테르, 치환된 비환형 에테르, 환형 에테르, 또는 치환된 환형 에테르; 달리, 비환형 티오에테르, 치환된 비환형 티오에테르, 환형 티오에테르, 또는 치환된 환형 티오에테르; 달리, 지방족 니트릴, 치환된 지방족 니트릴, 방향족 니트릴, 또는 치환된 방향족 니트릴; 달리, 비환형 아민, 치환된 비환형 아민, 환형 아민, 또는 치환된 환형 아민; 달리, 비환형 포스핀, 치환된 비환형 포스핀, 환형 포스핀, 또는 치환된 환형 포스핀; 또는 달리, 비환형 포스파이트, 치환된 비환형 포스파이트, 환형 포스파이트, 또는 치환된 환형 포스파이트이다. 다른 실시태양들에서, 각각의 중성 리간드는 독립적으로 제한적이지는 않지만, 비환형 에테르, 환형 에테르, 비환형 티오에테르, 환형 티오에테르, 지방족 니트릴, 방향족 니트릴, 비환형 아민, 환형 아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 비환형 에테르 또는 치환된 비환형 에테르; 달리, 환형 에테르 또는 치환된 환형 에테르; 달리, 비환형 티오에테르 또는 치환된 비환형 티오에테르; 달리, 환형 티오에테르 또는 치환된 환형 티오에테르; 달리, 지방족 니트릴 또는 치환된 지방족 니트릴; 달리, 방향족 니트릴 또는 치환된 방향족 니트릴; 달리, 비환형 아민 또는 치환된 비환형 아민; 달리, 환형 아민 또는 치환된 환형 아민; 달리, 비환형 포스핀 또는 치환된 비환형 포스핀; 달리, 환형 포스핀 또는 치환된 환형 포스핀; 달리, 비환형 포스파이트 또는 치환된 비환형 포스파이트; 달리, 환형 포스파이트 또는 치환된 환형 포스파이트; 달리, 비환형 에테르; 달리, 환형 에테르; 달리, 비환형 티오에테르; 달리, 환형 티오에테르; 달리, 지방족 니트릴; 달리, 방향족 니트릴; 달리, 비환형 아민; 달리, 환형 아민; 달리, 비환형 포스핀; 달리, 환형 포스핀; 달리, 비환형 포스파이트; 또는 달리, 환형 포스파이트이다. 실시태양에서, 환형 에테르 (치환된 또는 치환되지 않은), 환형 티오에테르 (치환된 또는 치환되지 않은), 환형 아민 (치환된 또는 치환되지 않은), 환형 포스핀 (치환된 또는 치환되지 않은), 및/또는 환형 포스파이트 (치환된 또는 치환되지 않은)는 지방족 또는 방향족; 달리, 지방족; 또는 달리, 방향족이다. 치환체들 (비-수소 치환체들 또는 비-수소 치환기들로 칭함)은 독립적으로 본원에 개시되고 중성 리간드로 활용되는 치환된 에테르 (비시클릭, 시클릭, 지방족 또는 방향족), 치환된 티오에테르 (비시클릭, 시클릭, 지방족 또는 방향족), 치환된 니트릴 (지방족 또는 방향족), 치환된 아민 (비시클릭, 시클릭, 지방족 또는 방향족), 치환된 포스핀 (비시클릭, 시클릭, 지방족 또는 방향족), 및/또는 치환된 포스파이트 (비시클릭, 시클릭, 지방족 또는 방향족)를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 니트릴은 식 R1C≡ N을 가진다. 실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 에테르는 식 R2-O-R3을 가진다. 실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 티오에테르는 식 R4-S-R5을 가진다. 실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 아민은 식 NR6R7R8, NHR6R7, 또는 NH2R6; 달리, NR6R7R8; 달리, NHR6R7; 또는 달리, NH2R6을 가진다. 실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 포스핀은 식 PR9R10R11, PHR9R10, 또는 PH2R9; 달리, PR9R10R11; 달리, PHR9R10; 또는 달리, PH2R9을 가진다. 실시태양에서, 배위화합물로 활용되는 포스파이트는 식 P(OR12)(OR13)(OR14) 또는 PH(O)(OR12)(OR13); 달리, P(OR12)(OR13)(OR14); 또는 달리, PH(O)(OR12)(OR13)을 가진다. 실시태양에서, 각각의 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14 은 독립적으로 C1-C20 오르가닐기; 달리, C1-C10 오르가닐기; 또는 달리, C1-C20 오르가닐기이다. 일부 실시태양들에서, 각각의 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14 은 독립적으로 C1-C20 히드로카르빌기 또는 C1-C20 치환된 히드로카르빌기; 달리, C1-C20 히드로카르빌기; 또는 달리, C1-C20 치환된 히드로카르빌기이다. 다른 실시태양들에서, 각각의 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14 은 독립적으로 C1-C10 히드로카르빌기 또는 C1-C10 치환된 히드로카르빌기; 달리, C1-C10 히드로카르빌기; 또는 달리, C1-C10 치환된 히드로카르빌기이다. 또 다른 실시태양들에서, 각각의 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14 은 독립적으로 C1-C5 히드로카르빌기 또는 C1-C5 치환된 히드로카르빌기; 달리, C1-C5 히드로카르빌기; 또는 달리, C1-C5 치환된 히드로카르빌기이다.
식 R2-O-R3을 가지는 에테르의 R2 및 R3, 식 R4-S-R5의 R4 및 R5, 식 NR6R7R8 또는 NHR6R7을 가지는 아민의 임의의 두 R6, R7, 및 R8, 식 PR9R10R11, 또는 PHR9R10을 가지는 포스핀의 임의의 두 R9, R10, 및 R11, 및/또는 식 P(OR12)(OR13)(OR14) 또는 PH(O)(OR12)(OR13)을 가지는 포스파이트의 임의의 두 R12, R13, 및 R14 은 결합되어 에테르 산소원자, 티오에테르 황원자, 아민 질소원자, 포스핀 인원자, 또는 포스파이트 인원자 함유 고리을 형성하여 각각 환형 에테르, 티오에테르, 아민, 포스핀, 및 포스파이트와 관련하여 본원에 기재된 바와 같이 환형 에테르, 티오에테르, 아민, 포스핀, 또는 포스파이트를 형성한다.
실시태양에서, 각각의 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14 은 독립적으로 알킬기, 치환된 알킬기, 시클로알킬기, 치환된 시클로알킬기, 아릴기, 치환된 아릴기, 아르알킬기, 또는 치환된 아르알킬기; 달리, 알킬기 또는 치환된 알킬기; 달리, 시클로알킬기 또는 치환된 시클로알킬기; 달리, 아릴기 또는 치환된 아릴기; 달리, 아르알킬기, 또는 치환된 아르알킬기; 달리, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기; 달리, 알킬기; 달리, 치환된 알킬기, 달리, 시클로알킬기; 달리, 치환된 시클로알킬기; 달리, 아릴기; 달리, 치환된 아릴기; 달리, 아르알킬기; 또는 달리, 치환된 아르알킬기이다. 일반적으로, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14 로 활용되는 알킬기들, 치환된 알킬기들, 시클로알킬기들, 치환된 시클로알킬기들, 아릴기들, 치환된 아릴기들, 아르알킬기들, 및 치환된 아르알킬기들은 이들이 멤버로 속하는 오르가닐기 또는 히드로카르빌기와 동일 개수의 탄소원자들을 가진다.
실시태양에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 로 활용되는 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 C1-C20 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C1-C10 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C1-C5 알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)이다. 일부 실시태양들에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 로 활용되는 독립적으로 각각의 알킬기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 또는 노나데실기; 또는 달리, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 또는 데실기이다. 다른 실시태양들에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 로 활용되는 각각의 알킬기는 독립적으로 메틸기, 에틸기, N-프로필기, 이소-프로필기, N-부틸기, 이소-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소-펜틸기, sec-펜틸기, 또는 네오펜틸기; 달리, 메틸기, 에틸기, 이소-프로필기, tert-부틸기, 또는 네오펜틸기; 달리, 메틸기; 달리, 에틸기; 달리, N-프로필기; 달리, 이소-프로필기; 달리, tert-부틸기; 또는 달리, 네오펜틸기이다. 실시태양에서, 치환된 알킬기의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 또는 달리 히드로카르복시기이다.
실시태양에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 로 활용되는 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 C4-C20 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C4-C15 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C4-C10 시클로알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)이다. 일부 실시태양들에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 로 활용되는 각각의 기는 독립적으로 시클로부틸기, 치환된 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 치환된 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 치환된 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 치환된 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 또는 치환된 시클로옥틸기; 달리, 시클로펜틸기, 치환된 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 또는 치환된 시클로헥실기이다. 다른 실시태양들에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 로 활용되는 각각의 기는 독립적으로 시클로부틸기 또는 치환된 시클로부틸기; 달리, 시클로펜틸기 또는 치환된 시클로펜틸기; 달리, 시클로헥실기 또는 치환된 시클로헥실기; 달리, 시클로헵틸기 또는 치환된 시클로헵틸기; 또는 달리, 시클로옥틸기, 또는 치환된 시클로옥틸기; 달리, 시클로펜틸기; 달리, 치환된 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 또는 달리, 치환된 시클로헥실기이다. 실시태양에서, 치환된 시클로알킬기의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드, 히드로카르빌기, 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 히드로카르빌기 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 히드로카르복시기이다.
실시태양에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 로 활용되는 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 C6-C20 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C6-C15 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C6-C10 아릴기 (치환된 또는 치환되지 않은)이다. 일부 실시태양들에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 로 활용되는 각각의 기는 독립적으로 페닐기, 치환된 페닐기, 나프틸기, 또는 치환된 나프틸기; 달리, 페닐기 또는 치환된 페닐기; 달리, 나프틸기 또는 치환된 나프틸기; 달리, 페닐기 또는 나프틸기; 또는 달리, 치환된 페닐기 또는 치환된 나프틸기이다. 실시태양에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 로 활용되는 각각의 치환된 페닐기는 독립적으로 2치환된 페닐기, 3치환된 페닐기, 4치환된 페닐기, 2,4이치환된 페닐기, 2,6이치환된 페닐기, 3,5이치환된 페닐기, 또는 2,4,6삼치환된 페닐기이다. 다른 실시태양들에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 로 활용되는 각각의 치환된 페닐기는 독립적으로 2치환된 페닐기, 4치환된 페닐기, 2,4이치환된 페닐기, 또는 2,6이치환된 페닐기; 달리, 3치환된 페닐기 또는 3,5이치환된 페닐기; 달리, 2치환된 페닐기 또는 4치환된 페닐기; 달리, 2,4이치환된 페닐기 또는 2,6이치환된 페닐기; 달리, 2치환된 페닐기; 달리, 3치환된 페닐기; 달리, 4치환된 페닐기; 달리, 2,4이치환된 페닐기; 달리, 2,6이치환된 페닐기; 달리, 3,5이치환된 페닐기; 또는 달리, 2,4,6삼치환된 페닐기이다. 실시태양에서, 치환된 아릴기의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드, 히드로카르빌기, 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 히드로카르빌기 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 히드로카르복시기이다.
일부 실시태양들에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 로 활용되는 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)는 C7-C20 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 달리, C7-C15 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은); 또는 달리, C7-C10 아르알킬기 (치환된 또는 치환되지 않은)이다. 일부 실시태양들에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 로 활용되는 각각의 기는 독립적으로 벤질기 또는 치환된 벤질기; 달리, 벤질기, 또는 달리, 치환된 벤질기이다. 실시태양에서, 치환된 아르알킬기의 각각의 치환체는 독립적으로 할라이드, 히드로카르빌기, 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 히드로카르복시기; 달리, 히드로카르빌기 또는 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 히드로카르복시기이다.
할라이드, 히드로카르빌기, 및 히드로카르복시기 치환체들 (비-수소 치환체들 또는 비-수소 치환기들로 칭함)는 독립적으로 본원에 개시된다. 이들 치환기들은 본원에 기재된 임의의 치환된 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 및/또는 R14 기를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 중성 리간드(들)로 활용되는 각각의 에테르 및/또는 비환형 에테르 (치환된 또는 치환되지 않은)는 독립적으로 C2-C40 에테르 및/또는 비환형 에테르; 달리, C2-C30 에테르 및/또는 비환형 에테르; 달리, C2-C20 에테르 및/또는 비환형 에테르; 달리, C2-C15 에테르 및/또는 비환형 에테르; 또는 달리, C2-C10 에테르 및/또는 비환형 에테르이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 중성 리간드(들)로 활용되는 각각의 환형 에테르 (치환된 또는 치환되지 않은, 및/또는 지방족 또는 방향족)는 독립적으로 C3-C40 환형 에테르; 달리, C4-C30 환형 에테르; 달리, C4-C20 환형 에테르; 달리, C4-C15 환형 에테르; 또는 달리, C4-C10 환형 에테르이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본 발명의 일 양태에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)은, 독립적으로 디히드로카르빌 에테르 또는 치환된 디히드로카르빌 에테르; 또는 달리, 디히드로카르빌 에테르이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환된)는 일반적으로 본 발명에서 개시된다 (예를들면 무엇보다도 식 O2CR2c을 가지는모노카르복실레이트에 대한 R2c 선택, 및/또는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14에 대한 선택으로). 이들 히드로카르빌기 (치환된 또는 치환된)는 중성 리간드로 활용되는 디히드로카르빌 에테르 (치환된 또는 치환되지 않은)의 히드로카르빌기들로 제한없이 사용된다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 디메틸 에테르, 디에틸 에테르, 디프로필 에테르, 디부틸 에테르, 메틸 에틸 에테르, 메틸 프로필 에테르, 메틸 부틸 에테르, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디메틸 에테르; 달리, 디에틸 에테르; 달리, 디프로필 에테르; 달리, 디부틸 에테르; 달리, 메틸 에틸 에테르; 달리, 메틸 프로필 에테르; 또는 달리, 메틸 부틸 에테르이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)은, 독립적으로 디페닐 에테르, 치환된 디페닐 에테르, 디톨릴 에테르, 치환된 디톨릴 에테르, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디페닐 에테르, 디톨릴 에테르, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)은, 독립적으로 디페닐 에테르; 달리, 치환된 디페닐 에테르; 달리, 디톨릴 에테르; 또는 달리, 치환된 디톨릴 에테르이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)은, 독립적으로 테트라히드로푸란, 치환된 테트라히드로푸란, 2,3-디히드로푸란, 치환된 2,3-디히드로푸란, 2,5-디히드로푸란, 치환된 2,5-디히드로푸란, 또는 이들의 조합; 달리, 테트라히드로푸란, 2,3-디히드로푸란, 2,5-디히드로푸란, 또는 이들의 조합; 달리 테트라히드로푸란; 달리, 치환된 테트라히드로푸란; 2,3-디히드로푸란; 달리, 치환된 2,3-디히드로푸란; 달리, 2,5-디히드로푸란; 또는 달리, 치환된 2,5-디히드로푸란이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 테트라히드로푸란, 2-치환된 테트라히드로푸란, 3-치환된 테트라히드로푸란, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로푸란; 달리, 2-치환된 테트라히드로푸란; 또는 달리, 3-치환된 테트라히드로푸란이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 추가적인 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 테트라히드로푸란, 2-알킬 치환된 테트라히드로푸란, 3-알킬 치환된 테트라히드로푸란, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로푸란; 달리, 2-알킬 치환된 테트라히드로푸란; 또는 달리, 3-알킬 치환된 테트라히드로푸란이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 푸란, 치환된 푸란, 벤조푸란, 치환된 벤조푸란, 이소벤조푸란, 치환된 이소벤조푸란, di벤조푸란, 치환된 di벤조푸란, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 푸란; 달리, 치환된 푸란; 달리, 벤조푸란; 달리, 치환된 벤조푸란; 달리, 이소벤조푸란; 달리, 치환된 이소벤조푸란; 달리, 디벤조푸란; 달리, 치환된 디벤조푸란이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 테트라히드로푸란, 치환된 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 치환된 테트라히드로피란, 3,4-디히드로-2H-피란, 치환된 3,4-디히드로-2H-피란, 3,6-디히드로-2H-피란, 치환된 3,6-디히드로-2H-피란, 2H-피란, 치환된 2H-피란, 4H-피란, 치환된 4H-피란, 1,3-디옥산, 치환된 1,3-디옥산, 1,4-디옥산, 치환된 1,4-디옥산, 모르폴린, 치환된 모르폴린, n-치환된 모르폴린, 치환된 N-치환된 모르폴린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 3,4-디히드로-2H-피란, 3,6-디히드로-2H-피란, 2H-피란, 4H-피란, 1,3-디옥산, 1,4-디옥산, 모르폴린, n-치환된 모르폴린, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)은, 독립적으로 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 1,3-디옥산, 1,4-디옥산, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 추가적인 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 테트라히드로피란; 달리, 치환된 테트라히드로피란; 달리, 3,4-디히드로-2H-피란; 달리, 치환된 3,4-디히드로-2H-피란; 달리, 3,6-디히드로-2H-피란; 달리, 치환된 3,6-디히드로-2H-피란; 달리, 2H-피란; 달리, 치환된 2H-피란; 달리, 4H-피란; 달리, 치환된 4H-피란; 달리, 1,3-디옥산; 달리, 치환된 1,3-디옥산; 달리, 1,4-디옥산; 달리, 치환된 1,4-디옥산; 달리, 모르폴린; 달리, 치환된 모르폴린; 달리, n-치환된 모르폴린; 또는 달리, 치환된 N-치환된 모르폴린이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일반 치환체들 (비-수소 치환체들 또는 비-수소 치환기들로 칭함)은 독립적으로 본원에 개시된다. 이들 치환기들은 중성 리간드로 활용되는 임의의 치환된 에테르, 치환된 비환형 에테르, 치환된 환형 에테르 (지방족 또는 방향족), 치환된 디페닐 에테르, 치환된 디톨릴 에테르, 치환된 테트라히드로푸란들, 알킬 치환된 테트라히드로푸란들, 치환된 푸란들, 벤조푸란들, 이소벤조푸란들, 디벤조푸란들, 치환된 테트라히드로피란들, 치환된 3,4-디히드로-2H-피란들, 치환된 3,6-디히드로-2H-피란들, 치환된 4H-피란들, 치환된 1,3-디옥산들, 치환된 1,4-디옥산들, 치환된 모르폴린들, N-히드로카르빌 모르폴린들, 및/또는 치환된 N-히드로카르빌 모르폴린들을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 티오에테르 및/또는 비환형 티오에테르 (치환된 또는 치환되지 않은)는, C2-C40 티오에테르 및/또는 비환형 티오에테르; 달리, C2-C30 티오에테르 및/또는 비환형 티오에테르; 달리, C2-C20 티오에테르 및/또는 비환형 티오에테르; 달리, C2-C15 티오에테르 및/또는 비환형 티오에테르; 또는 달리, C2-C10 티오에테르 및/또는 비환형 티오에테르이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 환형 티오에테르 (치환된 또는 치환되지 않은, 및/또는 지방족 또는 방향족)는, C3-C40 환형 티오에테르; 달리, C4-C30 환형 티오에테르; 달리, C4-C20 환형 티오에테르; 달리, C4-C15 환형 티오에테르; 또는 달리, C4-C10 환형 티오에테르이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본 발명의 일 양태에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 디히드로카르빌 티오에테르 또는 치환된 디히드로카르빌 티오에테르; 또는 달리, 디히드로카르빌 티오에테르이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환되지 않은)은 일반적으로 본 발명에 개시된다 (예를들면 무엇보다도 식 O2CR2c을 가지는 모노카르복실레이트에 대한 R2c 선택, 및/또는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14에 대한 선택으로). 이들 히드로카르빌 치환기들 (치환된 또는 치환된)은 중성 리간드로 활용되는 디히드로카르빌 티오에테르 (치환된 또는 치환되지 않은)의 히드로카르빌기들로서 제한없이 사용된다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 디메틸 티오에테르, 디에틸 티오에테르, 디프로필 티오에테르, 디부틸 티오에테르, 메틸 에틸 티오에테르, 메틸 프로필 티오에테르, 메틸 부틸 티오에테르, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 디메틸 티오에테르; 달리, 디에틸 티오에테르; 달리, 디프로필 티오에테르; 달리, 디부틸 티오에테르; 달리, 메틸 에틸 티오에테르; 달리, 메틸 프로필 티오에테르; 달리, 또는 메틸 부틸 티오에테르이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 디페닐 티오에테르, 치환된 디페닐 티오에테르, 디톨릴 티오에테르, 치환된 디톨릴 티오에테르, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디페닐 티오에테르, 디톨릴 티오에테르, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 디페닐 티오에테르; 달리, 치환된 디페닐 티오에테르; 달리, 디톨릴 티오에테르; 또는 달리, 치환된 디톨릴 티오에테르이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 티오펜, 치환된 티오펜, 벤조티오펜, 치환된 벤조티오펜, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 티오펜, 벤조티오펜, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 티오펜; 달리, 치환된 티오펜; 달리, 벤조티오펜; 또는 달리, 치환된 벤조티오펜이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 테트라히드로티오펜, 치환된 테트라히드로티오펜, 티안, 치환된 티안, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 테트라히드로티오펜, 티안, 또는 이들의 조합; 달리, 테트라히드로티오펜; 달리, 치환된 테트라히드로티오펜; 달리, 티안; 또는 달리, 치환된 티안이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일반 치환체들 (비-수소 치환체들 또는 비-수소 치환기들이라고도 칭함)은 독립적으로 본원에 개시된다. 이들 치환기들은 중성 리간드로 활용되는 임의의 치환된 티오에테르, 치환된 비환형 티오에테르, 치환된 환형 티오에테르, 치환된 디페닐 티올 에테르, 치환된 디톨릴 티오에테르, 치환된 티오펜, 및/또는 치환된 벤조티오펜을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 니트릴 (치환된 또는 치환되지 않은)은, C2-C20 지방족 니트릴; 달리, C2-C15 지방족 니트릴; 달리, C2-C10 지방족 니트릴; 또는 달리, C2-C5 지방족 니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 니트릴 (치환된 또는 치환되지 않은)은, C6-C20 방향족 니트릴; 달리, C6-C15 방향족 니트릴; 또는 달리, C6-C10 방향족 니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본 발명의 일 양태에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 히드로카르빌 니트릴 또는 치환된 히드로카르빌 니트릴; 또는 달리, 히드로카르빌 니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환되지 않은)은 일반적으로 본 발명에서 개시된다 (예를들면 무엇보다도 식 O2CR2c을 가지는 모노카르복실레이트에 대한 R2c 선택, 및/또는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14에 대한 선택). 이러한 히드로카르빌 치환기들 (치환된 또는 치환된)은 중성 리간드로 활용되는 히드로카르빌 니트릴 (치환된 또는 치환되지 않은)의 히드로카르빌기들로서 제한없이 이용된다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 아세토니트릴; 달리, 프로피오니트릴; 또는 달리, 부티로니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 벤조니트릴, 치환된 벤조니트릴, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 벤조니트릴; 또는 달리, 치환된 벤조니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 벤조니트릴, 2-치환된 벤조니트릴, 3-치환된 벤조니트릴, 4-치환된 벤조니트릴, 2,4-치환된 벤조니트릴, 3,5-이치환된, 2,4,6-삼치환된 벤조니트릴, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 2-치환된 벤조니트릴, 4- 치환된 벤조니트릴, 2,4-치환된 벤조니트릴, 2,4,6-삼치환된 벤조니트릴, 또는 임의의 이들의 조합 달리, 2-치환된 벤조니트릴; 달리, 3-치환된 벤조니트릴; 달리, 4- 치환된 벤조니트릴; 달리, 2,4-치환된 벤조니트릴; 달리, 3,5-이치환된; 또는 달리, 2,4,6-삼치환된 벤조니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 벤조니트릴, 2-알킬 벤조니트릴, 3-알킬 벤조니트릴, 4-메틸벤조니트릴, 2,4-알킬 벤조니트릴, 3,5-디알킬, 2,4,6-트리알킬 벤조니트릴, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 2-알킬 벤조니트릴, 4-알킬 벤조니트릴, 2,4-알킬 벤조니트릴, 2,4,6-트리알킬 벤조니트릴, 또는 임의의 이들의 조합 달리, 2-알킬 벤조니트릴; 달리, 3-알킬 벤조니트릴; 달리, 4-알킬 벤조니트릴; 달리, 2,4-알킬 벤조니트릴; 달리, 3,5-디알킬; 또는 달리, 2,4,6-트리알킬 벤조니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일반 치환체들 (비-수소 치환체들 또는 비-수소 치환기들로 칭함)은 독립적으로 본원에 개시된다. 이들 치환기는 중성 리간드로 활용되는 임의의 치환된 지방족 니트릴, 치환된 방향족 니트릴, 치환된 벤조니트릴, 및/또는 알킬 치환된 벤조니트릴을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 아민 및/또는 비환형 아민 (치환된 또는 치환되지 않은)은, C1-C60 아민 및/또는 비환형 아민; 달리, C1-C45 아민 및/또는 비환형 아민; 달리, C1-C30 아민 및/또는 비환형 아민; 달리, C1-C20 아민 및/또는 비환형 아민; 달리, C1-C15 아민 및/또는 비환형 아민; 또는 달리, C1-C10 아민 및/또는 비환형 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 환형 아민 (치환된 또는 치환되지 않은, 및/또는 지방족 또는 방향족)은, C3-C60 환형 아민; 달리, C3-C45 환형 아민; 달리, C3-C30 환형 아민; 달리, C4-C20 환형 아민; 또는 달리, C4-C15 환형 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본 발명의 일 양태에서 of, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 히드로카르빌아민, 치환된 히드로카르빌 아민, 디히드로카르빌아민, 치환된 디히드로카르빌아민, 트리히드로카르빌아민, 치환된 트리히드로카르빌아민, 임의의 이들의 조합; 히드로카르빌아민, 디히드로카르빌아민, 트리히드로카르빌아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 히드로카르빌아민 또는 치환된 히드로카르빌아민; 달리, 디히드로카르빌아민 또는 치환된 디히드로카르빌아민; 달리, 트리히드로카르빌아민 또는 치환된 트리히드로카르빌아민; 달리, 히드로카르빌아민; 달리, 치환된 히드로카르빌아민; 달리, 디히드로카르빌아민; 달리, 치환된 디히드로카르빌아민; 달리, 트리히드로카르빌아민; 또는 달리, 치환된 트리히드로카르빌아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환되지 않은) 일반적으로 본 발명에서 개시된다 (예를들면 무엇보다도 식 O2CR2c을 가지는 모노카르복실레이트에 대한 R2c 선택, 및/또는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14에 대한 선택). 이들 히드로카르빌 치환기들 (치환된 또는 치환된)은 중성 리간드로 활용되는 히드로카르빌아민 (치환된 또는 치환되지 않은), 디히드로카르빌아민 (치환된 또는 치환되지 않은), 트리히드로카르빌아민 (치환된 또는 치환되지 않은)의 히드로카르빌기들로 제한없이 이용된다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 메틸 아민, 에틸 아민, 프로필 아민, 부틸 아민, 디메틸 아민, 디에틸 아민, 디프로필 아민, 디부틸아민, 트리메틸 아민, 트리에틸 아민, 트리프로필 아민, 트리부틸 아민, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 메틸 아민, 에틸 아민, 프로필 아민, 부틸 아민, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디메틸 아민, 디에틸 아민, 디프로필 아민, 디부틸아민, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 트리메틸 아민, 트리에틸 아민, 트리프로필 아민, 트리부틸 아민, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 메틸 아민; 달리, 에틸 아민; 달리, 프로필 아민; 달리, 부틸 아민; 달리, 디메틸 아민; 달리, 디에틸 아민; 달리, 디프로필 아민; 달리, 디부틸아민; 달리, 트리메틸 아민; 달리, 트리에틸 아민; 달리, 트리프로필 아민; 또는 달리, 트리부틸 아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 아닐린, 치환된 아닐린, N-히드로카르빌 아닐린, 치환된 N-히드로카르빌 아닐린, N,N-디히드로카르빌 아닐린, 치환된 N,N-디히드로카르빌아닐린, 디페닐아민, 디(치환된 페닐)아민, N-히드로카르빌 디페닐아민, N-히드로카르빌 디(치환된 페닐)아민, 트리페닐아민, 치환된 트리페닐아민, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 아닐린, 치환된 아닐린, N-히드로카르빌 아닐린, 치환된 N-히드로카르빌 아닐린, N,N-디히드로카르빌 아닐린, 치환된 N,N-디히드로카르빌 아닐린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디페닐아민, 디(치환된 페닐)아민, N-히드로카르빌 디페닐아민, N-히드로카르빌 디(치환된 페닐)아민, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 트리페닐아민, 치환된 트리페닐아민, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 아닐린; 달리, 치환된 아닐린; 달리, N-히드로카르빌 아닐린; 달리, 치환된 N-히드로카르빌 아닐린; 달리, N,N-디히드로카르빌 아닐린; 달리, 치환된 N,N-디히드로카르빌 아닐린; 달리, 디페닐아민; 달리, 디(치환된 페닐)아민; 달리, N-히드로카르빌 디페닐아민; 달리, N-히드로카르빌 디(치환된 페닐)아민; 달리, 트리페닐아민; 또는 달리, 치환된 트리페닐아민이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 아닐린, 톨릴아민, 자일릴아민, 디페닐아민, 디톨릴아민, 트리페닐아민, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 각각의 배위화합물은 아닐린; 달리, 톨릴아민; 달리, 자일릴아민; 달리, 디페닐아민; 달리, 디톨릴아민; 또는 달리, 트리페닐아민이다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 피롤, 치환된 피롤, 인돌, 치환된 인돌, 피리딘, 치환된 피리딘, 퀴놀린, 치환된 퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 피롤, 치환된 피롤, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 인돌, 치환된 인돌, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 피리딘, 치환된 피리딘, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 퀴놀린, 치환된 퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 피롤, 인돌, 피리딘, 퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 피롤; 달리, 치환된 피롤; 달리, 인돌; 달리, 치환된 인돌; 달리, 피리딘; 달리, 치환된 피리딘; 달리, 퀴놀린; 또는 달리, 치환된 퀴놀린이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일반 치환체들 (비-수소 치환체들 또는 비-수소 치환기들로 칭함)는 독립적으로 본원에 개시된다. 이러한 치환기들은 중성 리간드로 활용되는 임의의 치환된 아민, 치환된 비환형 아민, 치환된 환형 아민, N-히드로카르빌 아닐린 (치환된 또는 치환되지 않은), N,N-디히드로카르빌 아닐린 (치환된 또는 치환되지 않은), 치환된 디페닐아민, 치환된 트리페닐아민, 치환된 피롤들, 치환된 인돌, 치환된 피리딘, 및/또는 치환된 퀴놀린을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
일 양태에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 피롤 화합물 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 피롤 화합물들은 본원에 기재된 촉매시스템의 성분으로 본원에 기재된다. 이러한 피롤 화합물들은 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)에 대한 중성 리간드로 제한없이 이용된다.
실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 포스핀 및/또는 비환형 포스핀 (치환된 또는 치환되지 않은)은, C3-C60 포스핀 및/또는 비환형 포스핀; 달리, C3-C45 포스핀 및/또는 비환형 포스핀; 달리, C3-C30 포스핀 및/또는 비환형 포스핀; 달리, C3-C20 포스핀 및/또는 비환형 포스핀; 또는 달리, C3-C10 포스핀 및/또는 비환형 포스핀이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 환형 포스핀 (치환된 또는 치환되지 않은, 및/또는 지방족 또는 방향족)은, C4-C60 환형 포스핀; 달리, C4-C45 환형 포스핀; 달리, C4-C30 환형 포스핀; 달리, C4-C20 환형 포스핀; 또는 달리, C4-C15 환형 포스핀이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본 발명의 일 양태에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 히드로카르빌포스핀, 치환된 히드로카르빌 포스핀, 디히드로카르빌포스핀, 치환된 디히드로카르빌포스핀, 트리히드로카르빌포스핀, 치환된 트리히드로카르빌포스핀, 임의의 이들의 조합; 히드로카르빌포스핀, 디히드로카르빌포스핀, 트리히드로카르빌포스핀, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 히드로카르빌포스핀 또는 치환된 히드로카르빌포스핀; 달리, 디히드로카르빌포스핀 또는 치환된 디히드로카르빌포스핀; 달리, 트리히드로카르빌포스핀 또는 치환된 트리히드로카르빌포스핀; 달리, 히드로카르빌포스핀; 달리, 치환된 히드로카르빌포스핀; 달리, 디히드로카르빌포스핀; 달리, 치환된 디히드로카르빌포스핀; 달리, 트리히드로카르빌포스핀; 또는 달리, 치환된 트리히드로카르빌포스핀이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환되지 않은)은 일반적으로 본 발명에서 개시된다 (예를들면 무엇보다도 식 O2CR2c을 가지는 모노카르복실레이트에 대한 R2c 선택, 및/또는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14에 대한 선택). 이러한 히드로카르빌 치환기들 (치환된 또는 치환된)은 중성 리간드로 활용되는 히드로카르빌포스핀 (치환된 또는 치환되지 않은), 디히드로카르빌포스핀 (치환된 또는 치환되지 않은), 및/또는 트리히드로카르빌포스핀 (치환된 또는 치환되지 않은)의 히드로카르빌기들로 제한없이 이용된다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리프로필포스핀, 트리부틸포스핀, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리프로필포스핀, 트리부틸포스핀, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리메틸포스핀; 달리, 트리에틸포스핀; 달리, 트리프로필포스핀; 또는 달리, 트리부틸포스핀이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 페닐포스핀, 치환된 페닐포스핀, 디페닐포스핀, 디(치환된 페닐)포스핀, 트리페닐포스핀, 트리(삼치환된 페닐)포스핀, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 페닐포스핀, 치환된 페닐포스핀, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디페닐포스핀, 디(치환된 페닐)포스핀, 또는 임의의 이들의 조합, 또는 달리, 트리페닐포스핀, 트리(삼치환된 페닐)포스핀, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 페닐포스핀; 달리, 치환된 페닐포스핀; 달리, 디페닐포스핀; 달리, 디(치환된 페닐)포스핀; 달리, 트리페닐포스핀; 또는 달리, 트리(치환된 페닐)포스핀이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일반 치환체들 (비-수소 치환체들 또는 비-수소 치환기들로 칭함)은 독립적으로 본원에 개시된다. 이러한 치환기들은 중성 리간드로 활용되는 임의의 치환된 포스핀, 치환된 비환형 포스핀, 치환된 환형 포스핀 (비시클릭 또는 시클릭), 치환된 페닐포스핀, 디(치환된 페닐)포스핀, 및/또는 트리(치환된 페닐)포스핀을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
일부 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 페닐포스핀, 톨릴포스핀, 디페닐포스핀, 디톨릴포스핀, 트리페닐포스핀, 트리톨릴포스핀, 메틸디페닐포스핀, 디메틸페닐포스핀, 에틸디페닐포스핀, 디에틸페닐 포스핀, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 페닐포스핀; 달리, 디페닐포스핀; 달리, 트리페닐포스핀; 달리, 톨릴포스핀; 달리, 디톨릴포스핀; 달리, 트리톨릴포스핀; 달리, 메틸디페닐포스핀; 달리, 디메틸페닐포스핀; 달리, 에틸디페닐포스핀; 또는 달리, 디에틸페닐포스핀이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 포스파이트 및/또는 비환형 포스파이트 (치환된 또는 치환되지 않은)는, C3-C60 포스파이트 및/또는 비환형 포스파이트; 달리, C3-C45 포스파이트 및/또는 비환형 포스파이트; 달리, C3-C30 포스파이트 및/또는 비환형 포스파이트; 달리, C3-C20 포스파이트 및/또는 비환형 포스파이트; 또는 달리, C3-C10 포스파이트 및/또는 비환형 포스파이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 중성 리간드로 활용되는 임의의 환형 포스파이트 (치환된 또는 치환되지 않은, 및/또는 지방족 또는 방향족)는, C3-C60 환형 포스파이트; 달리, C4-C45 환형 포스파이트; 달리, C4-C30 환형 포스파이트; 달리, C4-C20 환형 포스파이트; 또는 달리, C4-C15 환형 포스파이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 디히드로카르빌포스파이트, 치환된 디히드로카르빌포스파이트, 트리히드로카르빌포스파이트, 치환된 트리히드로카르빌포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디히드로카르빌포스파이트, 트리히드로카르빌포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합; 디히드로카르빌포스파이트 또는 치환된 디히드로카르빌포스파이트; 달리, 트리히드로카르빌포스파이트 또는 치환된 트리히드로카르빌포스파이트; 달리, 디히드로카르빌포스파이트; 달리, 치환된 디히드로카르빌포스파이트; 달리, 트리히드로카르빌포스파이트; 또는 달리, 치환된 트리히드로카르빌포스파이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환되지 않은)은 일반적으로 본 발명에서 개시된다 (예를들면 무엇보다도 식 O2CR2c을 가지는 모노카르복실레이트에 대한 R2c 선택, 및/또는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14에 대한 선택). 이러한 히드로카르빌 치환기들 (치환된 또는 치환된)은 중성 리간드로 활용되는 디히드로카르빌포스파이트 (치환된 또는 치환되지 않은) 및/또는 트리히드로카르빌포스파이트 (치환된 또는 치환되지 않은)의 히드로카르빌기들로 제한없이 이용된다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 트리메틸포스파이트, 트리에틸포스파이트, 트리프로필포스파이트, 트리부틸포스파이트, 메틸디페닐포스파이트, 디메틸페닐포스파이트, 에틸디페닐포스파이트, 디에틸페닐포스파이트, 디페닐포스파이트, 트리페닐포스파이트, 디톨릴포스파이트, 트리톨릴포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 트리메틸포스파이트, 트리에틸포스파이트, 트리프로필포스파이트, 트리부틸포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 디페닐포스파이트, 디(치환된 페닐)포스파이트, 트리페닐포스파이트, 트리(치환된 페닐)포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디페닐포스파이트, 트리페닐포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 디페닐포스파이트; 달리, 디(치환된 페닐)포스파이트; 달리, 트리페닐포스파이트; 또는 달리, 트리(치환된 페닐)포스파이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일반 치환체들 (비-수소 치환체들 또는 비-수소 치환기들로 칭함) 독립적으로 본원에 개시된다. 이러한 치환기들은 중성 리간드로 활용되는 임의의 치환된 포스파이트, 치환된 비환형 포스파이트, 및/또는 치환된 환형 포스파이트, 디(치환된 페닐) 포스파이트, 및/또는 트리(치환된 페닐) 포스파이트를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 메틸디페닐포스파이트, 디메틸페닐포스파이트, 에틸디페닐포스파이트, 디에틸페닐포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디페닐포스파이트, 트리페닐포스파이트, 디톨릴포스파이트, 트리톨릴포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 트리페닐포스파이트, 트리톨릴포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 디메틸페닐포스파이트; 달리, 에틸디페닐포스파이트; 달리, 디에틸페닐포스파이트; 달리, 디페닐포스파이트; 달리, 트리페닐포스파이트; 달리, 디톨릴포스파이트; 또는 달리, 트리톨릴포스파이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 치환된 또는 치환되지 않은 아제티딘, 옥세탄, 티에탄, 디옥세탄, 디티에탄, 테트라히드로피롤, 디히드로피롤, 피롤, 인돌, 이소인돌, 테트라히드로푸란, 디히드로푸란, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 테트라히드로티오펜, 디히드로티오펜, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 이미다졸리딘, 피라졸, 이미다졸, 옥사졸리딘, 옥사졸, 이속사졸, 티아졸리딘, 티아졸, 이소티아졸, 벤조티아졸, 디옥솔란, 디티올란, 트리아졸, 디티아졸, 피페리딘, 피리딘, 테트라히드로피란, 디히드로피란, 피란, 티안, 피페라진, 디아진, 옥사진, 티아진, 디티안, 디옥산, 디옥신, 트리아진, 트리아지난, 트리옥산, 옥세핀, 아제핀, 티에핀, 디아제핀, 모르폴린, 퀴놀린, 테트라히드로퀴논, 비시클로[3.3.1]테트라실록산, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 아제티딘, 옥세탄, 티에탄, 디옥세탄, 디티에탄, 테트라히드로피롤, 테트라히드로푸란, 테트라히드로티오펜, 이미다졸리딘, 옥사졸리딘, 옥사졸, 티아졸리딘, 티아졸, 디옥솔란, 디티올란, 피페리딘, 테트라히드로피란, 피란, 티안, 피페라진, 옥사진, 티아진, 디티안, 디옥산, 디옥신, 트리아지난, 트리옥산, 아제핀, 티에핀, 디아제핀, 모르폴린, 1,2-티아졸, 비시클로[3.3.1]테트라실록산, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 테트라히드로피롤, 테트라히드로푸란, 테트라히드로티오펜, 옥사졸리딘, 티아졸리딘, 디옥솔란, 디티올란, 디티아졸, 피페리딘, 테트라히드로피란, 피란, 티안, 피페라진, 디티안, 디옥산, 디옥신, 트리옥산, 모르폴린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 테트라히드로푸란, 테트라히드로티오펜, 디옥솔란, 디티올란, 테트라히드로피란, 피란, 티안, 디티안, 디옥산, 디옥신, 트리옥산, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로푸란, 디옥솔란, 테트라히드로피란, 디옥산, 트리옥산; 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 피롤, 푸란, 피라졸, 이미다졸, 옥사졸, 이속사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 피리딘, 디아진, 트리아진, 퀴놀린, 또는 이들의 조합; 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 피롤, 푸란, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 트리아졸, 피리딘, 디아진, 트리아진, 또는 이들의 조합; 달리, 푸란, 옥사졸, 티아졸, 트리아졸, 피리딘, 디아진, 트리아진, 또는 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 아제티딘, 옥세탄, 티에탄, 디옥세탄, 디티에탄, 테트라히드로피롤, 디히드로피롤, 피롤, 인돌, 이소인돌, 테트라히드로푸란, 디히드로푸란, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 테트라히드로티오펜, 디히드로티오펜, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 이미다졸리딘, 피라졸, 이미다졸, 옥사졸리딘, 옥사졸, 이속사졸, 티아졸리딘, 티아졸, 이소티아졸, 벤조티아졸, 디옥솔란, 디티올란, 트리아졸, 디티아졸, 피페리딘, 피리딘, 테트라히드로피란, 디히드로피란, 피란, 티안, 피페라진, 디아진, 옥사진, 티아진, 디티안, 디옥산, 디옥신, 트리아진, 트리아지난, 트리옥산, 옥세핀, 아제핀, 티에핀, 디아제핀, 모르폴린, 퀴놀린, 테트라히드로퀴논, 비시클로[3.3.1]테트라실록산, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 아제티딘, 옥세탄, 티에탄, 디옥세탄, 디티에탄, 테트라히드로피롤, 테트라히드로푸란, 테트라히드로티오펜, 이미다졸리딘, 옥사졸리딘, 옥사졸, 티아졸리딘, 티아졸, 디옥솔란, 디티올란, 피페리딘, 테트라히드로피란, 피란, 티안, 피페라진, 옥사진, 티아진, 디티안, 디옥산, 디옥신, 트리아지난, 트리옥산, 아제핀, 티에핀, 디아제핀, 모르폴린, 1,2-티아졸, 비시클로[3.3.1]테트라실록산, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로피롤, 테트라히드로푸란, 테트라히드로티오펜, 옥사졸리딘, 티아졸리딘, 디옥솔란, 디티올란, 디티아졸, 피페리딘, 테트라히드로피란, 피란, 티안, 피페라진, 디티안, 디옥산, 디옥신, 트리옥산, 모르폴린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로티오펜, 디옥솔란, 디티올란, 테트라히드로피란, 피란, 티안, 디티안, 디옥산, 디옥신, 트리옥산, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로푸란, 디옥솔란, 테트라히드로피란, 디옥산, 트리옥산; 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 피롤, 푸란, 피라졸, 이미다졸, 옥사졸, 이속사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 피리딘, 디아진, 트리아진, 퀴놀린, 또는 이들의 조합; 달리, 피롤, 푸란, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 트리아졸, 피리딘, 디아진, 트리아진, 또는 이들의 조합; 달리, 푸란, 옥사졸, 티아졸, 트리아졸, 피리딘, 디아진, 트리아진, 또는 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 치환된 또는 치환되지 않은 아제티딘, 테트라히드로피롤, 디히드로피롤, 피롤, 인돌, 이소인돌, 이미다졸리딘, 피라졸, 이미다졸, 옥사졸리딘, 옥사졸, 이속사졸, 티아졸리딘, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 벤조트리아졸, 디티아졸, 피페리딘, 피리딘, 피페라진, 디아진, 옥사진, 티아진, 트리아진, 아제핀, 디아제핀, 모르폴린, 퀴놀린, 테트라히드로이소퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 테트라히드로피롤, 피롤, 인돌, 이소인돌, 이미다졸리딘, 이미다졸, 옥사졸리딘, 옥사졸, 티아졸리딘, 티아졸, 피페리딘, 피리딘, 피페라진, 디아진, 트리아진, 모르폴린, 퀴놀린, 테트라히드로이소퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 테트라히드로피롤, 피롤, 이소인돌, 이미다졸, 옥사졸리딘, 옥사졸, 티아졸리딘, 티아졸, 피페리딘, 피리딘, 피페라진, 디아진, 트리아진, 모르폴린, 퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 테트라히드로피롤, 피롤, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 피페리딘, 피리딘, 피페라진, 디아진, 트리아진, 모르폴린, 퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 테트라히드로피롤, 피롤, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 피리딘, 디아진, 트리아진, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 아제티딘, 테트라히드로피롤, 디히드로피롤, 피롤, 인돌, 이소인돌, 이미다졸리딘, 피라졸, 이미다졸, 옥사졸리딘, 옥사졸, 이속사졸, 티아졸리딘, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 벤조트리아졸, 디티아졸, 피페리딘, 피리딘, 피페라진, 디아진, 옥사진, 티아진, 트리아진, 아제핀, 디아제핀, 모르폴린, 퀴놀린, 테트라히드로이소퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로피롤, 피롤, 인돌, 이소인돌, 이미다졸리딘, 이미다졸, 옥사졸리딘, 옥사졸, 티아졸리딘, 티아졸, 피페리딘, 피리딘, 피페라진, 디아진, 트리아진, 모르폴린, 퀴놀린, 테트라히드로이소퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로피롤, 피롤, 이소인돌, 이미다졸, 옥사졸리딘, 옥사졸, 티아졸리딘, 티아졸, 피페리딘, 피리딘, 피페라진, 디아진, 트리아진, 모르폴린, 퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로피롤, 피롤, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 피페리딘, 피리딘, 피페라진, 디아진, 트리아진, 모르폴린, 퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로피롤, 피롤, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 퀴놀린, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 피리딘, 디아진, 트리아진, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 치환된 또는 치환되지 않은 옥세탄, 디옥세탄, 테트라히드로푸란, 디히드로푸란, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 옥사졸리딘, 옥사졸, 이속사졸, 디옥솔란, 테트라히드로피란, 디히드로피란, 피란, 옥사진, 디옥산, 디옥신, 트리옥산, 옥세핀, 모르폴린, 또는 비시클로[3.3.1]테트라실록산, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 옥세탄, 디옥세탄, 테트라히드로푸란, 푸란, 이소벤조푸란, 옥사졸리딘, 옥사졸, 디옥솔란, 테트라히드로피란, 피란, 디옥산, 디옥신, 트리옥산, 모르폴린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 테트라히드로푸란, 옥사졸, 디옥솔란, 테트라히드로피란, 디옥산, 디옥신, 트리옥산, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 테트라히드로푸란, 디옥솔란, 테트라히드로피란, 디옥산, 트리옥산, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 옥세탄, 디옥세탄, 테트라히드로푸란, 디히드로푸란, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 옥사졸리딘, 옥사졸, 이속사졸, 디옥솔란, 테트라히드로피란, 디히드로피란, 피란, 옥사진, 디옥산, 디옥신, 트리옥산, 옥세핀, 모르폴린, 또는 비시클로[3.3.1]테트라실록산, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 옥세탄, 디옥세탄, 테트라히드로푸란, 푸란, 이소벤조푸란, 옥사졸리딘, 옥사졸, 디옥솔란, 테트라히드로피란, 피란, 디옥산, 디옥신, 트리옥산, 모르폴린, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로푸란, 옥사졸, 디옥솔란, 테트라히드로피란, 디옥산, 디옥신, 트리옥산, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 테트라히드로푸란, 디옥솔란, 테트라히드로피란, 디옥산, 트리옥산, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 치환된 또는 치환되지 않은 티에탄, 디티에탄, 테트라히드로티오펜, 디히드로티오펜, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 티아졸리딘, 티아졸, 이소티아졸, 디티올란, 디티아졸, 티안, 티아진, 디티안, 티에핀, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 티에탄, 디티에탄, 테트라히드로티오펜, 티오펜, 이소벤조티오펜, 티아졸리딘, 티아졸, 디티올란, 티안, 디티안, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 치환된 또는 치환되지 않은 테트라히드로티오펜, 디티올란, 티안, 디티안, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 각각의 배위화합물 독립적으로 치환된 또는 치환되지 않은 치환된 또는 치환되지 않은, 티에탄, 디티에탄, 테트라히드로티오펜, 디히드로티오펜, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 티아졸리딘, 티아졸, 이소티아졸, 디티올란, 디티아졸, 티안, 티아진, 디티안, 티에핀, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 티에탄, 디티에탄, 테트라히드로티오펜, 티오펜, 이소벤조티오펜, 티아졸리딘, 티아졸, 디티올란, 티안, 디티안, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 테트라히드로티오펜, 디티올란, 티안, 디티안, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일부 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 아제티딘; 달리, 옥세탄; 달리, 티에탄; 달리, 디옥세탄; 달리, 디티에탄; 달리, 테트라히드로피롤; 달리, 디히드로피롤, 달리, 피롤; 달리, 인돌; 달리, 이소인돌; 달리, 테트라히드로푸란; 달리, 디히드로피롤; 달리, 푸란; 달리, 벤조푸란; 달리, 이소벤조푸란; 달리, 테트라히드로티오펜; 달리, 디히드로티오펜; 달리, 티오펜; 달리, 벤조티오펜; 달리, 이소벤조티오펜; 달리, 이미다졸리딘; 달리, 피라졸; 달리, 이미다졸; 달리, 옥사졸리딘; 달리, 옥사졸; 달리, 이속사졸; 달리, 티아졸리딘; 달리, 티아졸; 달리, 벤조티아졸; 달리, 이소티아졸; 달리, 디옥솔란; 달리, 디티올란; 달리, 트리아졸; 달리, 디티아졸; 달리, 피페리딘; 달리, 피리딘; 달리, 테트라히드로피란; 달리, 디히드로피란; 달리, 피란; 달리, 티안; 달리, 피페라진; 달리, 디아진; 달리, 옥사진; 달리, 티아진; 달리, 디티안; 달리, 디옥산; 달리, 디옥신; 달리, 트리아진; 달리, 트리아지난; 달리, 트리옥산; 달리, 옥세핀; 달리, 아제핀; 달리, 티에핀; 달리, 디아제핀; 달리, 모르폴린; 달리, 퀴놀린; 달리, 테트라히드로퀴논; 또는 달리, 비시클로[3.3.1]테트라실록산이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 테트라히드로푸란 (THF), 푸란, 메틸테트라히드로푸란, 디히드로푸란, 테트라히드로피란, 2,3-디히드로피란, 1,3-디옥산, 1,4-디옥산, 모르폴린, N-메틸모르폴린, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴, 벤조니트릴, 피리딘, 암모니아 (NH3), 메틸 아민 (NH2Me), 에틸아민 (NH2Et), 디메틸아민 (NHMe2), 디에틸아민 (NHEt2), 트리메틸아민 (NMe3), 트리에틸아민 (NEt3), 트리메틸포스핀 (PMe3), 트리에틸포스핀 (PEt3), 트리페닐포스핀 (PPh3), 트리-n-부틸포스핀 (P(n-Bu)3), 트리메틸포스파이트 (P(OMe)3), 트리에틸포스파이트 (P(OEt)3), 트리-n-부틸포스파이트 (P(O-n-Bu)3), 메틸 이소시아니드, n-부틸 이소시아니드, 페닐 이소시아니드, SMe2, 티오펜, 또는 테트라히드로티오펜 (THT)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 테트라히드로푸란 (THF), 메틸테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 1,4-디옥산, 아세토니트릴, 피리딘, 암모니아 (NH3), 트리메틸아민 (NMe3), 트리에틸아민 (NEt3), 트리메틸포스핀 (PMe3), 트리에틸포스핀 (PEt3), 트리페닐포스핀 (PPh3), SMe2, 또는 테트라히드로티오펜 (THT); 달리, 테트라히드로푸란 (THF), 메틸테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 또는 1,4-디옥산; 달리, 암모니아 (NH3), 트리메틸아민 (NMe3), 또는 트리에틸아민 (NEt3); 또는 달리, 트리메틸포스핀 (PMe3), 트리에틸포스핀 (PEt3), 트리페닐포스핀 (PPh3)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 테트라히드로푸란, 아세토니트릴, 피리딘, 암모니아, 트리메틸아민, 트리메틸포스핀, 또는 트리페닐포스핀; 달리, 테트라히드로푸란, 아세토니트릴, 피리딘, 트리메틸아민, 트리메틸포스핀, 또는 트리페닐포스핀; 또는 달리, 테트라히드로푸란 또는 아세토니트릴. 기타 실시태양들에서, 각각의 배위화합물은 독립적으로 테트라히드로푸란 (THF); 달리, 테트라히드로피란; 달리, 1,4-디옥산; 달리, 아세토니트릴; 달리, 피리딘; 달리, 암모니아 (NH3); 달리, 트리메틸아민 (NMe3); 달리, 트리에틸아민 (NEt3); 달리, 트리메틸포스핀 (PMe3); 달리, 트리에틸포스핀 (PEt3); 달리, 트리페닐포스핀 (PPh3); 달리, SMe2; 또는 달리, 테트라히드로티오펜 (THT)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 착체 (일반 또는 특정) 또는 크롬 전구체 (일반 또는 특정) 각각의 중성 리간드(들)는, 독립적으로 테트라히드로푸란, 아세토니트릴, 피리딘, 암모니아, 트리메틸아민, 트리메틸포스핀, 또는 트리페닐포스핀; 달리, 테트라히드로푸란, 아세토니트릴, 피리딘, 트리메틸아민, 트리메틸포스핀, 또는 트리페닐포스핀; 또는 달리, 테트라히드로푸란 또는 아세토니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일반 치환체들 (비-수소 치환체들 또는 비-수소 치환기들로 칭함) 독립적으로 본원에 개시된다. 이러한 치환기들은 중성 리간드로 활용되는 임의의 아제티딘, 옥세탄, 티에탄, 디옥세탄, 디티에탄, 테트라히드로피롤, 디히드로피롤, 피롤, 인돌, 이소인돌, 테트라히드로푸란, 디히드로푸란, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 테트라히드로티오펜, 디히드로티오펜, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 이미다졸리딘, 피라졸, 이미다졸, 옥사졸리딘, 옥사졸, 이속사졸, 티아졸리딘, 티아졸, 이소티아졸, 벤조티아졸, 디옥솔란, 디티올란, 트리아졸, 디티아졸, 피페리딘, 피리딘, 테트라히드로피란, 디히드로피란, 피란, 티안, 피페라진, 디아진, 옥사진, 티아진, 디티안, 디옥산, 디옥신, 트리아진, 트리아지난, 트리옥산, 옥세핀, 아제핀, 티에핀, 디아제핀, 모르폴린, 퀴놀린, 테트라히드로퀴논, 비시클로[3.3.1]테트라실록산, 옥세탄, 및/또는 디옥세탄을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
일 양태에서, 크롬 착체는 중성 크롬 착체 (m은 0이고 크롬 착체는 크롬 전구체), 양이온성 크롬 착체 (m은 양의 수), 또는 음이온성 크롬 착체 (m은 음의 수); 달리, 중성 크롬 착체; 달리, 양이온성 크롬 착체; 또는 달리, 음이온성 크롬 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 양이온성 크롬 착체 전하, m는 1 내지 4; 달리, 1; 달리, 2, 달리, 3, 또는 달리 4이다. 실시태양에서, 음이온성 크롬 착체 전하, m는 1 내지 4; 달리, 1; 달리, 2, 달리, 3, 또는 달리 4이다.
크롬 착체는 크롬 전구체 성분 (또는 달리, 크롬 전구체)으로 본원에 기재되었다. 이러한 기재에서, 크롬 착체는 식 (Cry1Xx1Lℓ)m, (CrXx1Lℓ)m, (CrLℓ)m, Cry1Xx1Lℓ, CrXxLℓ, (Cry1Xx1)m, (CrXx1)m, Cry1Xx1, 또는 CrXx; 달리, (Cry1Xx1Lℓ)m, (CrXx1Lℓ)m, (CrLℓ)m, (Cry1Xx1)m, 또는 (CrXx1)m; 달리, (Cry1Xx1Lℓ)m, (CrXx1Lℓ)m, 또는 (CrLℓ)m; 달리, (Cry1Xx1Lℓ)m 또는 (CrXx1Lℓ)m; 달리, (Cry1Xx1)m 또는 (CrXx1)m; 달리, Cry1Xx1Lℓ, CrXxLℓ, Cry1Xx1, 또는 CrXx; 달리, Cry1Xx1Lℓ 또는 CrXxLℓ; 달리 Cry1Xx1 또는 CrXx; 달리, (Cry1Xx1Lℓ)m; 달리, (CrXx1Lℓ)m; 달리, (CrLℓ)m; 달리, Cry1Xx1Lℓ; 달리, CrXxLℓ; 달리, (Cry1Xx1)m; 달리, (CrXx1)m; 달리, Cry1Xx1; 또는 달리, CrXx를 가진다. 일반적으로, 크롬 산화상태 (x), 크롬들 개수 (y1), 음이온성 리간드 (X), 음이온성 리간드(들) 전하 (y), 음이온성 리간드들 개수 (x1), 중성 리간드 (L), 중성 리간드들개수 (ℓ), 및 크롬 착체 전하는 이미 본원에 기재되었고 크롬 착체는 본원에 기재된 크롬 착체 특징부들에 적합한 이러한 독립적으로 기재된 요소들의 임의의 호환 조합으로 기술될 수 있다.
일 양태에서, 크롬 전구체에 존재하는크롬 착체(들) (q) 개수는 1 내지 3; 또는 달리, 2 내지 3이다. 일부 실시태양들에서, 크롬 전구체에 존재하는크롬 착체(들) (q) 개수는 1; 달리, 2; 또는 달리, 3이다.
비-제한적 실시태양에서, 크롬 착체는 중성 크롬 착체, 양이온성 크롬 착체, 또는 음이온성 크롬 착체; 달리, 중성 크롬 착체; 달리, 양이온성 크롬 착체; 또는 달리, 음이온성 크롬 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 크롬 착체는 중성 크롬(II) 착체, 양이온성 크롬(II) 착체, 음이온성 크롬(II) 착체, 중성 크롬(III) 착체, 양이온성 크롬(III) 착체, 또는 음이온성 크롬(III) 착체; 중성 크롬(II) 착체, 양이온성 크롬(II) 착체, 또는 음이온성 크롬(II) 착체; 또는 달리, 중성 크롬(III) 착체, 양이온성 크롬(III) 착체, 또는 음이온성 크롬(III) 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 크롬 착체는 중성 크롬(II) 착체; 달리, 양이온성 크롬(II) 착체; 달리, 음이온성 크롬 (II) 착체; 달리, 중성 크롬 (III) 착체; 달리, 양이온성 크롬 (III) 착체; 또는 달리, 음이온성 크롬 (III) 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서 및 임의의 실시태양에서, 중성 크롬 착체 (크롬 착체는 크롬 전구체일 수 있다)는 식 Cry1Xx1Lℓ, CrXxLℓ, Cry1Xx1, 또는 CrXx; 달리, Cry1Xx1Lℓ 또는 CrXxLℓ; 달리, Cry1Xx1 또는 CrXx; 달리, Cry1Xx1Lℓ; 달리, CrXxLℓ; 달리, Cry1Xx1; 또는 달리, CrXx를 가진다. 일반적으로, 중성 크롬 착체는 본원에 기재된 크롬 산화상태 (x), 본원에 기재된 크롬 원자들 개수 (y1), 본원에 기재된 음이온성 리간드 (X), 본원에 기재된 음이온성 리간드(들) 전하 (y), 본원에 기재된 음이온성 리간드들 개수 (x1), 본원에 기재된 중성 리간드 (L), 및 본원에 기재된 중성 리간드들 개수 (ℓ)의 임의의 호환 조합으로 기재될 수 있다.
비-제한적 실시태양에서, 중성 크롬 착체는 중성 크롬 할라이드, 중성 크롬 할라이드 히드로카르빌니트릴 착체, 중성 크롬 할라이드 트리히드로카르빌아민 착체, 중성 크롬 할라이드 디히드로카르빌에테르 착체, 중성 크롬 할라이드 디히드로카르빌sulfide 착체, 또는 중성 크롬 할라이드 트리히드로카르빌포스핀 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 중성 크롬 착체는 중성 크롬 할라이드 트리히드로카르빌아민 착체, 중성 크롬 할라이드 디히드로카르빌에테르 착체, 또는 중성 크롬 할라이드 디히드로카르빌설파이드 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 중성 크롬 착체는 중성 크롬 할라이드 암모니아 착체, 중성 크롬 할라이드 테트라히드로푸란 착체, 또는 중성 크롬 할라이드 테트라히드로티오펜 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 기타 비-제한적 실시태양들에서, 중성 크롬 착체는 중성 크롬 할라이드; 달리, 중성 크롬 할라이드 암모니아 착체; 달리, 중성 크롬 할라이드 히드로카르빌니트릴 착체; 달리, 중성 크롬 할라이드 트리히드로카르빌아민 착체; 달리, 중성 크롬 할라이드 디히드로카르빌에테르 착체; 달리, 중성 크롬 할라이드 디히드로카르빌설파이드 착체; 달리, 중성 크롬 할라이드 테트라히드로푸란 착체; 달리, 중성 크롬 할라이드 테트라히드로티오펜 착체; 또는 달리, 중성 크롬 할라이드 트리히드로카르빌포스핀 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 중성 크롬 착체의 이러한 비-제한적 실시태양들의 개별 요소들은 독립적으로 본원에 기재되고 중성 크롬 착체를 더욱 기술하기 위하여 임의의 호환 조합으로 활용된다.
중성 크롬 착체들을 기술하기 우하여 활용되는 크롬 산화상태들은 독립적으로 본원에 기재되고 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에 사용되는 중성 크롬 착체들을 더욱 기술하기 위하여 임의의 조합으로 이용된다. 비-제한적 실시태양에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 이용되는 중성 크롬 착체들은 본원에 기재된 임의의 음이온성 리간드 및 본원에 기재된 임의의 중성 리간드를 가지는 중성 크롬(II) 착체 또는 중성 크롬(III) 착체; 달리, 본원에 기재된 임의의 음이온성 리간드 및 본원에 기재된 임의의 중성 리간드를 가지는 중성 크롬(II) 착체; 또는 달리, 본원에 기재된 임의의 음이온성 리간드 및 본원에 기재된 임의의 중성 리간드를 가지는 중성 크롬(III) 착체를 포함한다. 비-제한적 실시태양에서, 중성 전이금속 착체는 중성 크롬(II) 착체 또는 중성 크롬(III) 착체; 달리, 중성 크롬(II) 착체; 또는 달리, 중성 크롬(III) 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 사용되는 크롬 착체는 중성 크롬(III) 할라이드, 중성 크롬(III) 할라이드 히드로카르빌니트릴 착체, 중성 크롬(III) 할라이드 트리히드로카르빌아민 착체, 중성 크롬(III) 할라이드 디히드로카르빌 에테르 착체, 중성 크롬(III) 할라이드 디히드로카르빌설파이드 착체, 또는 중성 크롬(III) 할라이드 트리히드로카르빌포스핀 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 기타 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 사용되는 중성 크롬 착체는 중성 크롬(III) 할라이드; 달리, 중성 크롬(III) 할라이드 테트라히드로푸란 착체; 달리, 중성 크롬(III) 할라이드 히드로카르빌니트릴 착체; 달리, 중성 크롬(III) 할라이드 트리히드로카르빌아민 착체; 달리, 중성 크롬(III) 할라이드 디히드로카르빌 에테르 착체; 달리, 중성 크롬(III) 할라이드 디히드로카르빌설파이드 착체; 또는 달리, 중성 크롬(III) 할라이드 트리히드로카르빌포스핀 착체를 포함한다. 식 MBLℓ 를 가지는 기타 일반 또는 특정중성 크롬 착체들은 본 발명 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 중성 크롬 착체들은 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
일 양태에서, 양이온성 크롬 착체 (m이 임의의 양의 정수인 크롬 착체)는 식 (Cry1Xx1Lℓ)m, (CrXx1Lℓ)m, (CrLℓ)m, (Cry1Xx1)m, 또는 (CrXx1)m; 달리, (Cry1Xx1Lℓ)m, (CrXx1Lℓ)m, (CrLℓ)m, (Cry1Xx1)m, 또는 (CrXx1)m; 달리, (Cry1Xx1Lℓ)m, (CrXx1Lℓ)m, 또는 (CrLℓ)m; 달리, (Cry1Xx1Lℓ)m 또는 (CrXx1Lℓ)m; 달리, (Cry1Xx1)m 또는 (CrXx1)m; 달리, (Cry1Xx1Lℓ)m; 달리, (CrXx1Lℓ)m; 달리, (CrLℓ)m; 달리, (Cry1Xx1)m; 또는 달리, (CrXx1)m을 가진다. 일반적으로, 양이온성 크롬 착체는 본원에 기재된 크롬 산화상태 (x), 본원에 기재된 크롬 원자들 개수 (y1), 본원에 기재된 음이온성 리간드 (X), 본원에 기재된 음이온성 리간드(들) 전하 (y), 본원에 기재된 음이온성 리간드들 개수 (x1), 본원에 기재된 중성 리간드 (L), 및 본원에 기재된 중성 리간드들 개수 (ℓ), 및 본원에 기재된 양이온성 크롬 착체 양의 전하 (m)의 임의의 호환 조합으로 기재된다.
비-제한적 실시태양에서, 양이온성 크롬 착체는 양이온성 크롬 할라이드, 양이온성 크롬 할라이드 트리히드로카르빌아민 착체, 양이온성 크롬 할라이드 디히드로카르빌에테르 착체, 또는 양이온성 크롬 할라이드 디히드로카르빌설파이드 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 양이온성 크롬 착체는 양이온성 크롬 할라이드 트리히드로카르빌아민 착체, 양이온성 크롬 할라이드 디히드로카르빌에테르 착체, 또는 양이온성 크롬 할라이드 디히드로카르빌설파이드 착체 거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 양이온성 크롬 착체는 양이온성 크롬 할라이드 암모니아 착체, 양이온성 크롬 할라이드 테트라히드로푸란 착체, 또는 양이온성 크롬 할라이드 테트라히드로티오펜 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 비-제한적 실시태양들에서, 양이온성 크롬 착체는 양이온성 크롬 할라이드 착체; 달리, 양이온성 크롬 할라이드 암모니아 착체; 달리, 양이온성 크롬 할라이드 트리히드로카르빌아민 착체; 달리, 양이온성 크롬 할라이드 디히드로카르빌에테르 착체; 달리, 양이온성 크롬 할라이드 디히드로카르빌설파이드 착체; 달리, 양이온성 크롬 할라이드 테트라히드로푸란 착체; 또는 달리, 양이온성 크롬 할라이드 테트라히드로티오펜 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 양이온성 크롬 착체의 이러한 비-제한적 실시태양들의 개별 요소들은 독립적으로 본원에 기재되고 양이온성 크롬 착체를 더욱 기술하기 위하여 임의의 호환 조합으로 이용된다.
양이온성 크롬 착체들을 기술하기 위하여 사용되는 크롬 산화상태들은 본원에 기재되고 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 양이온성 크롬 착체들을 더욱 기술하기 위하여 임의의 조합으로 이용된다. 비-제한적 실시태양에서, 양이온성 크롬은 본원에 기재된 임의의 음이온성 리간드 및 본원에 기재된 임의의 중성 리간드를 가지는 양이온성 크롬(II) 착체 또는 양이온성 크롬(III) 착체; 달리, 본원에 기재된 임의의 음이온성 리간드 및 본원에 기재된 임의의 중성 리간드를 가지는 양이온성 크롬(II) 착체; 또는 달리, 본원에 기재된 임의의 음이온성 리간드 및 본원에 기재된 임의의 중성 리간드를 가지는 양이온성 크롬(III) 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 음이온성 리간드 및 본원에 기재된 임의의 중성 리간드는 양이온성 크롬(II) 착체 또는 양이온성 크롬(III) 착체; 달리, 양이온성 크롬(II) 착체; 또는 달리 양이온성 크롬(III) 착체를 더욱 기술하기 위하여 활용된다. 비-제한적 실시태양에서, 양이온성 크롬 착체는 양이온성 크롬(II) 착체 또는 양이온성 크롬(III) 착체; 달리, 양이온성 크롬(II) 착체; 또는 달리, 양이온성 크롬(III) 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 크롬 착체는 양이온성 크롬(III) 트리히드로카르빌아민 착체, 양이온성 크롬(III) 디히드로카르빌에테르 착체, 또는 양이온성 크롬(III) 디히드로카르빌설파이드 착체; 달리, 양이온성 크롬(III) 트리히드로카르빌아민 착체; 달리, 양이온성 크롬(III) 디히드로카르빌에테르 착체; 또는 달리, 양이온성 크롬(III) 디히드로카르빌설파이드 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 크롬 착체는 양이온성 크롬(III) 암모니아 착체, 양이온성 크롬(III) 테트라히드로푸란 착체, 또는 양이온성 크롬(III) 테트라히드로티오펜 착체; 달리, 양이온성 크롬(III) 암모니아 착체; 달리, 양이온성 크롬(III) 테트라히드로푸란 착체; 또는 달리, 양이온성 크롬(III) 테트라히드로티오펜 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 크롬 착체는 양이온성 크롬(III) 할라이드, 양이온성 크롬(III) 할라이드 트리히드로카르빌아민 착체, 양이온성 크롬(III) 할라이드 디히드로카르빌에테르 착체, 또는 양이온성 크롬(III) 할라이드 디히드로카르빌설파이드 착체; 달리, 양이온성 크롬(III) 할라이드; 달리, 양이온성 크롬(III) 할라이드 트리히드로카르빌아민 착체; 달리, 양이온성 크롬(III) 할라이드 디히드로카르빌에테르 착체; 또는 달리, 양이온성 크롬(III) 할라이드 디히드로카르빌설파이드 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 크롬 착체는 양이온성 크롬(III) 할라이드 암모니아 착체, 양이온성 크롬(III) 할라이드 테트라히드로푸란 착체, 또는 양이온성 크롬(III) 할라이드 테트라히드로티오펜 착체; 달리, 양이온성 크롬(III) 할라이드 암모니아 착체; 달리, 양이온성 크롬(III) 할라이드 테트라히드로푸란 착체; 또는 달리, 양이온성 크롬(III) 할라이드 테트라히드로티오펜 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 식 MBLℓ 을 가지는 기타 일반 또는 특정양이온성 크롬 착체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 양이온성 크롬 착체들은 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
일 양태에서, 음이온성 크롬 착체 (m이 음의 정수인 크롬 착체)는 식 (Cry1Xx1Lℓ)m, (CrXx1Lℓ)m, (CrLℓ)m, (Cry1Xx1)m, 또는 (CrXx1)m; 달리, (Cry1Xx1Lℓ)m, (CrXx1Lℓ)m, (CrLℓ)m, (Cry1Xx1)m, 또는 (CrXx1)m; 달리, (Cry1Xx1Lℓ)m, (CrXx1Lℓ)m, 또는 (CrLℓ)m; 달리, (Cry1Xx1Lℓ)m 또는 (CrXx1Lℓ)m; 달리, (Cry1Xx1)m 또는 (CrXx1)m; 달리, (Cry1Xx1Lℓ)m; 달리, (CrXx1Lℓ)m; 달리, (CrLℓ)m; 달리, (Cry1Xx1)m; 또는 달리, (CrXx1)m를 가진다. 일반적으로, 음이온성 크롬 착체는 본원에 기재된 크롬의 산화상태 (x), 본원에 기재된 크롬 원자들 개수 (y1), 본원에 기재된 음이온성 리간드 (X), 본원에 기재된 음이온성 리간드(들)의 전하 (y), 본원에 기재된 음이온성 리간드들의 개수 (x1), 본원에 기재된 중성 리간드 (L), 및 본원에 기재된 중성 리간드들의 개수 (ℓ), 및 본원에 기재된 음이온성 크롬 착체의 음의 전하 (m)의 임의의 호환 조합으로 기술된다.
비-제한적 실시태양에서, 음이온성 크롬 착체는 음이온성 크롬 할라이드 또는 음이온성 크롬 시아니드 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 음이온성 크롬 착체는 음이온성 크롬 할라이드; 또는 달리, 음이온성 크롬 시아니드 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 음이온성 크롬 착체의 이러한 비-제한적 실시태양들의 개별 요소들은 독립적으로 본원에 기재되고 음이온성 크롬 착체를 더욱 기술하기 위하여 임의의 호환 조합으로 활용된다.
음이온성 크롬 착체들을 기술하기 위하여 활용되는 크롬 상태들은 본원에 기재되고 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 음이온성 크롬 착체들을 더욱 기술하기 위하여 임의의 호환 조합으로 활용된다. 비-제한적 실시태양에서, 음이온성 크롬은 본원에 기재된 임의의 음이온성 리간드 및 본원에 기재된 임의의 중성 리간드를 가지는 음이온성 크롬(II) 착체 또는 음이온성 크롬(III) 착체; 달리, 본원에 기재된 임의의 음이온성 리간드 및 본원에 기재된 임의의 중성 리간드를 가지는 음이온성 크롬(II) 착체; 또는 달리, 본원에 기재된 임의의 음이온성 리간드 및 본원에 기재된 임의의 중성 리간드를 가지는 음이온성 크롬(III) 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 음이온성 리간드 및 본원에 기재된 임의의 중성 리간드는 음이온성 크롬(II) 착체 또는 음이온성 크롬(III) 착체; 달리, 음이온성 크롬(II) 착체; 또는 달리 음이온성 크롬(III) 착체를 더욱 기술하기 위하여 활용된다. 비-제한적 실시태양에서, 음이온성 크롬 착체는 음이온성 크롬(II) 착체 또는 음이온성 크롬(III) 착체; 달리, 음이온성 크롬(II) 착체; 또는 달리, 음이온성 크롬(III) 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 음이온성 크롬 착체는 음이온성 크롬(III) 할라이드 착체, 또는 음이온성 크롬(III) 시아니드 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 음이온성 크롬 착체는 음이온성 크롬(III) 할라이드 착체; 또는 달리, 음이온성 크롬(III) 시아니드 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 비-제한적 실시태양에서, 음이온성 전이금속 착체는 (CrCl4)1-, (Cr(CN)6)3-; 달리, (CrCl4)1-; 또는 달리, (Cr(CN)6)3- 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 식 [(MB)y1Xx]m 및/또는 식 [MBXx]m 을 가지는 기타 일반 또는 특정양이온성 양이온성 착체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들로 기술된다. 이러한 일반 및 특정 음이온성 크롬 착체들은 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
일반적으로, 크롬 착체가 음의 전하를 가질 때 (예를들면 무엇보다도 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1, [(CrXx)m]q[Cc]m1[Aa]m2, 및/또는 [(CrXx)m]q[Cc]m1을 가지고, 식 중 m은 음인), 크롬 착체의 음의 전하는 양이온성 종(들)에 의해 균형을 이루어 중성 크롬 전구체를 제공한다. 일반적으로, 크롬 전구체는 본원에 기재된 크롬 산화상태 (x), 본원에 기재된 크롬 원자들 개수 (y1), 본원에 기재된 음이온성 리간드(들) (X), 본원에 기재된 음이온성 리간드(들)의 전하 (y), 본원에 기재된 음이온성 리간드들의 개수 (x1), 본원에 기재된 중성 리간드(들) (L), 본원에 기재된 중성 리간드들의 개수 (ℓ), 본원에 기재된 크롬 착체(들)의 전하 (m), 본원에 기재된 음이온성 금속 착체들의 개수 (q), 본원에 기재된 양이온성 종들 (C), 본원에 기재된 양이온성 종(들)의 전하 (c), 및 본원에 기재된 양이온성 종(들)의 개수 (m1)의 임의의 호환 조합으로 기술된다.
일반적으로, 크롬 전구체 (일반 또는 특정)가 적어도 하나의 양이온성 종들을 포함할 때, 각각의 양이온성 종들, C의 전하, c는 독립적으로 정수 1 내지 3 또는 달리, 정수 1 내지 2이다. 실시태양에서, 각각의 양이온성 종들, C의 전하, c는 독립적으로 1; 달리, 2; 또는 달리, 3이다. 일반적으로, 각각의 양이온성 종들, C의 전하, c는 양이온성 종의 식별에 의해 명백하다.
일반적으로, 크롬 전구체에서 양이온성 종들의 개수, m1는 정수 0 내지 5이다. 실시태양에서, 크롬 전구체에서 m1은 정수 0 내지 4; 달리, 0 내지 3; 달리, 0 내지 2; 달리, 1 내지 5; 달리, 1 내지 4; 달리, 1 내지 3; 또는 달리, 1 내지 2이다. 실시태양에서, 크롬 전구체에서 m1은 0; 달리, 1; 달리, 2; 달리, 3; 달리, 4; 또는 달리, 5이다.
크롬 전구체에서 양이온성 종들의 개수, m1는 크롬 착체(들)의 전하 (m), 크롬 착체들의 개수 (q), 양이온성 종(들), 및 양이온성 종(들) 전하 (c)의 함수이다. 크롬 착체가 음이온성이면, 전하 m을 가지는 음이온성 크롬 착체(들) 개수 (q) 및 전하 c를 가지는 양이온성 종(들) (C) 개수는 식 |m*q|=c*m1의 관계이다. 일부 실시태양들에서 크롬 착체가 음이온성이면, 음이온성 크롬 착체(들) 개수, q는 음이온성 크롬 착체(들) 전하 (m), 양이온성 종(들) (C), 및 양이온성 종 전하 (c)와 q=c 나누기 c 및 |m|의 최대공약수의 관계이다. 일부 실시태양들에서 크롬 착체가 음이온성이면, 양이온성 종(들)의 개수 (m1)는 음이온성 크롬 착체(들) 전하 (m), 양이온성 종(들), 및 양이온성 종 전하 (c)와 m1=|m| 나누기 c 및 |m|의 최대공약수 관계이다.
일 양태에서, 크롬 전구체에서 활용되는 각각의 양이온성 종들, C는 독립적으로 1족 금속 양이온, 2족 금속 양이온, 테트라오르가닐암모늄 양이온, 또는 테트라오르가닐포스포늄 양이온이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 각각의 양이온성 종들, C는, 독립적으로 1족 금속 양이온 또는 2족 금속 양이온; 달리, 테트라오르가닐암모늄 양이온 또는 테트라오르가닐포스포늄 양이온; 달리, 1족 금속 양이온; 달리, 2족 금속 양이온; 달리, 테트라오르가닐암모늄 양이온; 또는 달리, 테트라오르가닐포스포늄 양이온이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일 양태에서, 테트라오르가닐암모늄 양이온 또는 테트라오르가닐포스포늄 양이온의 각각의 오르가닐기는 독립적으로 히드로카르빌기 또는 치환된 히드로카르빌기; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 치환된 히드로카르빌기이다. 일부 실시태양들에서, 크롬 전구체에서 활용되는 양이온성 종들, C는, 테트라히드로카르빌암모늄 양이온, 또는 테트라히드로카르빌포스포늄 양이온; 테트라히드로카르빌암모늄 양이온; 또는 달리, 테트라히드로카르빌포스포늄 양이온이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 크롬 전구체에서 활용되는 양이온성 종들, C는, 테트라알킬암모늄 양이온, 또는 테트라알킬포스포늄 양이온; 테트라알킬암모늄 양이온; 또는 달리, 테트라알킬포스포늄 양이온이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 양이온성 종들이 1족 금속 양이온, 테트라오르가닐암모늄 양이온, 또는 테트라오르가닐포스포늄 양이온일 때, 양이온성 종 전하, c는 1이다. 양이온성 종들이 2족 금속 양이온이면, 양이온성 종 전하, c는 2이다.
일 양태에서, 양이온성 종들로 활용되는 각각의 1족 금속 양이온은 독립적으로 Li+, Na+, K+, Rb+, 또는 Cs+ 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 양이온성 종들로 활용되는 각각의 1족 양이온은 독립적으로 Li+; 달리, Na+; 달리, K+; 달리, Rb+; 또는 달리, Cs+ 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일 양태에서, 양이온성 종들로 활용되는 각각의 2족 금속 양이온은 독립적으로 Be2+, Mg2+, Ca2+, Sr2+, 또는 Ba2+ 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 양이온성 종들로 활용되는 각각의 2족 양이온은 독립적으로 Be2+; 달리, Mg2+; 달리, Ca2+; 달리, Sr2+; 또는 달리, Ba2+ 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 양이온성 종들로 활용되는 각각의 테트라오르가닐암모늄 양이온은 독립적으로 식 NR1bR2bR3bR4b을 가진다. 다른 양태에서, 테트라오르가닐암모늄 양이온은 식 N(R5b)4을 가진다. 일 양태에서, 양이온성 종들로 활용되는 각각의 테트라오르가닐포스포늄 양이온은 독립적으로 식 PR1dR2dR3dR4d을 가진다. 다른 양태에서, 테트라히드로카르빌포스포늄 양이온은 식 P(R5d)4을 가진다. 식 NR1bR2bR3bR4b을 가지는 테트라오르가닐암모늄 양이온, 식 N(R5b)4을 가지는 테트라오르가닐암모늄 양이온, 식 PR1dR2dR3dR4d을 가지는 테트라오르가닐포스포늄 양이온, 및 식 P(R5d)4을 가지는 테트라히드로카르빌포스포늄 양이온에서, R1b, R2b, R3b, R4b, R5b, R1d, R2d, R3d, R4d, 및/또는 R5d 은 독립적으로 C1 내지 C20 오르가닐기; 달리, C1 내지 C15 오르가닐기; C1 내지 C10 오르가닐기; 또는 달리, C1 내지 C5 오르가닐기이다. 실시태양에서, R1b, R2b, R3b, R4b, R5b, R1d, R2d, R3d, R4d, 및/또는 R5d 로 활용되는 각각의 오르가닐기는 독립적으로 히드로카르빌기 또는 치환된 히드로카르빌기; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 치환된 히드로카르빌기이다. 일반적으로, R1b, R2b, R3b, R4b, R5b, R1d, R2d, R3d, R4d, 및/또는 R5d 로 활용되는 히드로카르빌기 및/또는 치환된 히드로카르빌기는 독립적으로 R1b, R2b, R3b, R4b, R5b, R1d, R2d, R3d, R4d, 및/또는 R5d 로 활용되는 오르가닐기들과 동일 개수의 탄소원자들을 가진다. 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환되지 않은)는 일반적으로 본 발명에서 개시된다 (예를들면 무엇보다도 식 O2CR2c을 가지는 모노카르복실레이트에 대한 R2c 선택, 및/또는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14에 대한 선택). 이들 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환된)는 R1b, R2b, R3b, 및 R4b (식 NR1bR2bR3bR4b을 가지는 테트라히드로카르빌암모늄 양이온에서), R1d, R2d, R3d, 및 R4d (식 PR1dR2dR3dR4d을 가지는 테트라히드로카르빌포스포늄 양이온에서), R5b (식 N(R5b)4을 가지는 테트라히드로카르빌암모늄 양이온에서), 및 R5d (식 P(R5d)4을 가지는 테트라히드로카르빌암모늄 양이온에서)로 활용되는 히드로카르빌기들로서 제한없이 이용된다.
비-제한적 실시태양에서, 각각의 양이온성 종들은 독립적으로 테트라메틸암모늄 (NMe4 +), 테트라에틸암모늄 (NEt4 +), 테트라부틸암모늄 (NBu4 +), 또는 테트라페닐암모늄 (NPh4 +)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 각각의 양이온성 종들은 테트라메틸암모늄 (NMe4 +), 테트라에틸암모늄 (NEt4 +), 또는 테트라부틸암모늄 (NBu4 +); 달리, 테트라메틸암모늄 (NMe4 +); 달리, 테트라에틸암모늄 (NEt4 +); 달리, 테트라부틸암모늄 (NBu4 +); 또는 달리, 테트라페닐암모늄 (NPh4 +)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 각각의 양이온성 종들은 테트라메틸포스포늄 (PMe4 +), 테트라에틸포스포늄 (PEt4 +), 테트라부틸포스포늄 (PBu4 +), 또는 테트라페닐포스포늄 (PPh4 +) 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 비-제한적 실시태양들에서, 각각의 양이온성 종들은 테트라메틸포스포늄 (PMe4 +), 테트라에틸포스포늄 (PEt4 +), 또는 테트라부틸포스포늄 (PBu4 +); 달리, 테트라메틸포스포늄 (PMe4 +); 달리, 테트라에틸포스포늄 (PEt4 +); 달리, 테트라부틸포스포늄 (PBu4 +); 또는 달리, 테트라페닐포스포늄 (PPh4 +)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일반적으로, 크롬 착체가 양의 전하를 가지면 (예를들면 본원에 기재된 무엇보다도 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2, [(CrLℓ)m]q[Aa]m2, [(CrXxLℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(CrXxLℓ)m]q[Aa]m2, [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2, [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2, [(CrXx)m]q[Cc]m1[Aa]m2, 및/또는 [(CrXx)m]q[Aa]m2를 가지고, 식 중 m은 양이다), 크롬 착체 양의 전하는 음이온성 종(들)에 의해 균형을 이루어 중성 크롬 전구체를 제공한다. 일반적으로, 크롬 전구체는 본원에 기재된 크롬 산화상태 (x), 본원에 기재된 크롬 원자들 개수 (y1), 본원에 기재된 음이온성 리간드(들) (X), 본원에 기재된 음이온성 리간드(들)의 전하 (y), 본원에 기재된 음이온성 리간드들의 개수 (x1), 본원에 기재된 중성 리간드(들) (L), 본원에 기재된 중성 리간드들의 개수 (ℓ), 본원에 기재된 크롬 착체(들)의 전하 (m), 본원에 기재된 음이온성 크롬 착체들의 개수 (q), 본원에 기재된 양이온성 종(들) (C), 본원에 기재된 음이온성 종(들)의 전하 (a), 및 본원에 기재된 음이온성 종(들)의 개수 (m2)의 임의의 호환 조합으로 기재된다.
일반적으로, 크롬 전구체 (일반 또는 특정)가 적어도 하나의 음이온성 종들을 포함할 때, 각각의 양이온성 종들, A의 전하, a는, 독립적으로 정수 1 내지 3 또는 달리, 정수 1 내지 2이다. 실시태양에서, 각각의 양이온성 종들, A의 전하, a는 독립적으로 1; 달리, 2; 또는 달리, 3이다. 일반적으로, 양이온성 종, A의 전하, a는 양이온성 종의 식별에서 명백해진다.
일반적으로, 크롬 전구체에서 음이온성 종들의 개수, m2는 정수 0 내지 5이다. 실시태양에서, 크롬 전구체에서 m2는 정수 0 내지 4; 달리, 0 내지 3; 달리, 0 내지 2; 달리, 1 내지 5; 달리, 1 내지 4; 달리, 1 내지 3; 또는 달리, 1 내지 2이다. 실시태양에서, 크롬 전구체에서 m2는 0; 달리, 1; 달리, 2; 달리, 3; 달리, 4; 또는 달리, 5이다.
크롬 전구체에서 음이온성 종(들)의 개수, m2는, 크롬 착체(들)의 전하 (m), 크롬 착체들의 개수 (q), 음이온성 종(들), 및 음이온성 종(들) 전하 (a)의 함수이다. 크롬 착체가 양이온성이면, 전하 m을 가지는 양이온성 크롬 착체(들) 개수 (q) 및 전하 a를 가지는음이온성 종(들) (A) 개수의 관계는 식 m*q=|a*m2|이다. 일부 실시태양들에서 크롬 착체가 양이온성이면, 양이온성 크롬 착체(들)의 개수, q는 양이온성 크롬 착체(들) 전하 (m), 음이온성 종(들) (A), 및 음이온성 종(들) 전하 (c)와 q=|a| 나누기 |a| 및 m의 최대공약수 관계이다. 일부 실시태양들에서 크롬 착체가 양이온성이면, 음이온성 종(들) 개수, m2는, 양이온성 크롬 착체(들) 전하 (m), 음이온성 종(들) (A), 및 음이온성 종(들) 전하 (c)와 m2=|m| 나누기 |a| 및 m의 최대공약수 관계이다.
일 양태에서, 크롬 전구체에서 활용되는 각각의 음이온성 종들, A은 독립적으로 제한적이지는 않지만, 할라이드, 히포할라이트, 할라이트, 할로겐산염, 과할로겐산염, 질산염, 아질산염, 황산염, 아황산염, 중황산염, 인산염, 시아니드, 시아네이트, 티오시아네이트, 헥사할로인산염, 테트라할로알루미네이트, 헥사할로알루미네이트, 헥사할로실리케이트, 메타보레이트, 테트라보레이트, 테트라할로보레이트, 또는 테트라오르가닐보레이트이다. 실시태양에서, 각각의 음이온성 종들, A은, 독립적으로 할라이드, 질산염, 황산염, 인산염, 시아노, 헥사할로인산염, 테트라할로보레이트, 또는 테트라오르가닐보레이트; 달리, 할라이드, 질산염, 황산염, 또는 인산염; 달리, 할라이드; 달리, 히포할라이트; 달리, 할라이트; 달리, 할로겐산염; 달리, 과할로겐산염; 달리, 질산염; 달리, 아질산염; 달리, 황산염; 달리, 아황산염; 달리, 중황산염; 달리, 인산염; 달리, 포스파이트; 달리, 시아니드; 달리, 시아네이트; 달리, 티오시아네이트; 달리, 헥사할로인산염; 달리, 헥사할로알루미네이트; 달리, 헥사할로실리케이트; 달리, 메타보레이트; 달리, 테트라보레이트; 달리, 테트라할로보레이트; 또는 달리, 테트라오르가닐보레이트이다. 음이온성 종들이 할라이드, 히포할라이트, 할라이트, 할로겐산염, 과할로겐산염, 질산염, 질산염, 중아황산염, 시아니드, 시아네이트, 티오시아네이트, 테트라할로알루미네이트, 헥사할로인산염, 메타보레이트, 테트라할로보레이트, 또는 테트라오르가닐보레이트이면, 음이온성 종의 전하, a는 1이다. 음이온성 종들이 황산염, 아황산염, 헥사할로실리케이트, 또는 테트라보레이트이면, 음이온성 종의 전하, a는 2이다. 음이온성 종들이 인산염, 또는 헥사할로알루미네이트이면, 음이온성 종의 전하는 3이다.
실시태양에서, 할라이드 음이온성 종들은 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 또는 요오다이드; 달리, 플루오라이드; 달리, 클로라이드: 달리, 브로마이드; 또는 달리, 요오다이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 히포할라이트 음이온성 종들은 히포플루오라이트, 히포클로라이트, 히포브로마이트, 또는 히포요오다이트; 달리, 히포플루오라이트; 달리, 히포클로라이트; 달리, 히포브로마이트; 또는 달리, 히포요오다이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 할라이트 음이온성 종들은 플루오라이트, 클로라이트, 브로마이트, 또는 요오다이트; 달리, 플루오라이트; 달리, 클로라이트; 달리, 브로마이트; 또는 달리, 요오다이트거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 할로겐산염 음이온성 종들은 불소산염, 염소산염, 브롬산염, 또는 요오드산염; 달리, 불소산염; 달리, 염소산염; 달리, 브롬산염; 또는 달리, 요오드산염이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 과할로겐산염 음이온성 종들은 과불소산염, 과염소산염, 과브롬산염, 또는 과요오드산염; 달리, 과불소산염; 달리, 과염소산염; 달리, 과브롬산염; 또는 달리, 과요오드산염이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 헥사할로인산염 음이온성 종들은 헥사플루오르인산염, 헥사클로로인산염, 헥사브로모인산염, 또는 헥사요오도인산염; 달리, 헥사플루오르인산염; 달리, 헥사클로로인산염; 달리, 헥사브로모인산염; 또는 달리, 헥사요오도인산염이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 헥사할로알루미네이트 음이온성 종들은 헥사플루오로알루미네이트, 헥사클로로알루미네이트, 헥사브로모알루미네이트, 또는 헥사요오도알루미네이트; 달리, 헥사플루오로알루미네이트; 달리, 헥사클로로알루미네이트; 달리, 헥사브로모알루미네이트; 또는 달리, 헥사요오도알루미네이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 헥사할로실리케이트 음이온성 종들은 헥사플루오로실리케이트, 헥사클로로실리케이트, 헥사브로모실리케이트, 또는 헥사요오도실리케이트; 달리, 헥사플루오로실리케이트; 달리, 헥사클로로실리케이트; 달리, 헥사브로모실리케이트; 또는 달리, 헥사요오도실리케이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 테트라할로보레이트 음이온성 종들은 테트라플루오로보레이트, 테트라클로로보레이트, 테트라브로모보레이트, 또는 테트라요오도보레이트; 달리, 테트라플루오로보레이트; 달리, 테트라클로로보레이트; 달리, 테트라브로모보레이트; 또는 달리, 또는 테트라요오도보레이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 테트라오르가닐보레이트 음이온은 식 BR1gR2gR3gR4g을 가진다. 다른 양태에서, 테트라오르가닐암모늄 양이온은 식 B(R5g)4을 가진다. 식 BR1gR2gR3gR4g 을 가지는 테트라오르가닐보레이트 음이온 및 식 B(R5g)4을 가지는 테트라오르가닐보레이트 음이온에서, R1g, R2g, R3g, R4g, 및/또는 R5g 는 독립적으로 C1C20 오르가닐기; 달리, C1C15 오르가닐기; C1C10 오르가닐기; 또는 달리, C1C5 오르가닐기이다. 실시태양에서, R1g, R2g, R3g, R4g, 및/또는 R5g 로 활용되는 각각의 오르가닐기는 독립적으로 히드로카르빌기 또는 치환된 히드로카르빌기; 달리, 히드로카르빌기; 또는 달리, 치환된 히드로카르빌기이다. 일반적으로, R1g, R2g, R3g, R4g, 및/또는 R5g 로 활용되는 히드로카르빌기 및/또는 치환된 히드로카르빌기는 독립적으로 R1g, R2g, R3g, R4g, 및/또는 R5g 로 활용되는 오르가닐기들과 동일 개수의 탄소원자들을 가진다. 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환되지 않은)은 일반적으로 본 발명에서 개시된다 (예를들면 무엇보다도 식 O2CR2c을 가지는 모노카르복실레이트에 대한 R2c 선택, 및/또는 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, 또는 R14에 대한 선택). 이들 히드로카르빌기들 (치환된 또는 치환된)은 R1g, R2g, R3g, 및 R4g (식 BR1gR2gR3gR4g을 가지는 테트라오르가닐보레이트 음이온에서) 및 R5b (식 N(R5b)4을 가지는 테트라히드로카르빌암모늄 양이온에서), 및 R5d (식 B(R5g)4을 가지는 테트라오르가닐암모늄 양이온에서)로 활용되는 히드로카르빌기들로서 제한없이 이용된다.
비-제한적 실시태양에서, 음이온성 종들로 활용되는 각각의 테트라오르가닐보레이트 음이온은 독립적으로 테트라페닐보레이트, 테트라키스(파라-톨릴)보레이트, 테트라키스[3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐]보레이트, 또는 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 기타 비-제한적 실시태양들에서, 음이온성 종들로 활용되는 각각의 테트라오르가닐보레이트 음이온은 독립적으로 테트라페닐보레이트; 달리, 테트라키스(파라-톨릴)보레이트; 달리, 테트라키스[3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐]보레이트; 또는 달리, 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 크롬 전구체는 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2를 가진다. 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드 (X), 전하 y인 음이온성 리간드들 개수 (x1), 중성 리간드 (L), 중성 리간드들의 개수 (ℓ), 크롬 착체 (Cry1Xx1Lℓ)m 전하 (m), 크롬 착체들 (Cry1Xx1Lℓ)m 개수 (q), 전하 c인 양이온성 종들 (C), 전하 c인 양이온성 종들의 개수 (m1), 전하 a인 음이온성 종들 (A), 및 전하 a인 음이온성 종들 개수 (m2)는 독립적으로 본원에 기재된다. 이들 독립적인 설명은 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2를 가지는 크롬 전구체를 더욱 설명하기 위하여 임의의 호환 방식 및/또는 조합으로 활용된다. 크롬 전구체가 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2를 가지는 양태에서, 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2 는 음이온성 크롬 착체 (즉 m은 m<0인 임의의 값, 또는 임의의 범위, m1은 m1>0인 값, 또는 범위이고, m2=0), 양이온성 크롬 착체 (즉 m은 m>0인 임의의 값, 또는 임의의 값, m1=0, 및 m2는 m2>0인 임의의 값, 또는 임의의 범위), 및/또는 중성 크롬 전구체 (즉 m=0, m1=0, 및 m2=0)를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2 를 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들로 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2 를 가지는 크롬 전구체의 각각의 X가 모노음이온성 리간드일 때, 크롬 전구체는 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2를 가진다. 크롬 전구체가 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2를 가지는 양태에서, 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2 은 음이온성 크롬 착체 (즉 m은 m<0인 임의의 값, 또는 임의의 범위, m1은 m1>0인 임의의 값, 또는 임의의 범위, 및 m2=0), 양이온성 크롬 착체 (즉 m은 m>0인 임의의 값, 또는 임의의 범위, m1=0, 및 m2는 m2>0인 임의의 값, 또는 임의의 범위), 및/또는 중성 크롬 전구체 (즉 m=0, m1=0, 및 m2=0)를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2 를 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
비-제한적 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2 또는 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2 를 가지는 크롬 전구체는 음이온성 크롬 착체, 양이온성 종(들), 및 음이온성 종 사이에 관계를 가지는 음이온성 크롬 착체로 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 이때 m은 m<0인 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지고, q 및 c는 독립적으로 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되 q = c 나누기 c 및 |m|의 최대공약수이고, m1은 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되 m1 = |m| 나누기 c 및 |m|의 최대공약수이고, m2 = 0이다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2 또는 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2 를 가지는 크롬 전구체는 음이온성 크롬 착체, 양이온성 종, 및 음이온성 종 사이에 관계를 가지는 중성 크롬 착체 로 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 이때 m=0, m1 = 0 및 m2 = 0이다. 또 다른 비-제한적 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2 또는 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1[Aa]m2 를 가지는 크롬 전구체는 양이온성 크롬 착체, 양이온성 종, 및 음이온성 종(들) 사이에 관계를 가지는양이온성 크롬 착체로 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 이때 m은 m > 0인 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지고, q 및 a는 독립적으로 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되 q = |a| 나누기 m 및 |a|의 최대공약수이고, m1 = 0, 및 m2는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m2=m 나누기m 및 |a|의 최대공약수이다.
일 양태에서, 크롬 전구체는 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1를 가진다. 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드 (X), 전하 y인 음이온성 리간드들 개수 (x1), 중성 리간드 (L), 중성 리간드들의 개수 (ℓ), 크롬 착체 (Cry1Xx1Lℓ)m 전하 (m), 크롬 착체들 (Cry1Xx1Lℓ)m 개수 (q), 전하 c인 양이온성 종들 (C), 및 전하 c인 양이온성 종들 개수 (m1)는 독립적으로 본원에 기재된다. 이들 독립적인 설명은 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1를 가지는 크롬 전구체를 더욱 설명하기 위하여 임의의 호환 방식 및/또는 조합으로 활용된다. 크롬 전구체가 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1를 가지는 양태에서, 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1 는 음이온성 크롬 착체 (즉 m은 m<0인 임의의 값, 또는 임의의 범위를 가지고, m1은 m1>0인 임의의 값, 또는 임의의 범위를 가진다)를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1 를 가지는 크롬 전구체는 음이온성 크롬 착체 및 양이온성 종(들)과 관계를 가지는 음이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m<0인 임의의 값 (또는 값 범위), q 및 c는 독립적으로 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, q = c 나누기 c 및 |m|의 최대공약수이고, m1은 임의의 값 (또는 값 범위)를 가지되, m1 = |m| 나누기 c 및 |m| 최대공약수이다. 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1 를 가지는 크롬 전구체는 음이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m<0 및 m=(x*y1)+(y*x1)인 임의의 값, 또는 임의의 범위이다. m<0 및 m=(x*y1)+(y*x1) 조건들에 의해, x1은 식 x1>(x*y1)/|y| (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 사용)을 만족하는 본원에 개시되는 임의의 양의 정수이고 및/또는 y1은 양의 정수이고 식 y1 ≤ (|y| * x1) / x (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 사용)를 만족한다. 일부 실시태양들에서, x1의 범위는 식 x1>(x*y1)/|y| (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 사용)을 만족하는 최소 양의 정수 내지 식 x1>(x*y1)/|y| (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 사용)을 만족하는 최소 양의 정수보다 큰 본원에 제공되는 임의의 값 x1이다. 일부 실시태양들에서, y1의 범위는 본원에 개시되는 임의의 값 y1 내지 식 y1 ≤ (|y| * x1) / x (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 사용)을 만족하는 임의의 양의 정수이다. x1, y1, 및 m 값들과는 무관하게, 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1 르 가지는 크롬 전구체에서 중성 리간드들의 개수 (ℓ)는 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위일 수 있다. 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1 를 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Cc]m1 를 가지는 크롬 전구체의 각각의 X가 모노음이온성 리간드일 때 크롬 전구체는 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1를 가질 수 있다. 크롬 전구체가 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1 (식 중 각각의 X는 모노음이온성 리간드)를 가지는 양태에서, 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1 는 음이온성 크롬 착체 (즉 m은 m<0인 임의의 값, 또는 임의의 범위이고, m1은 m1>0인 임의의 값, 또는 임의의 범위)를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 크롬 전구체가 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)를 가지는 양태에서, 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1 는 음이온성 크롬 착체 및 양이온성 종(들)과 관계를 가지는 음이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들를 포괄하고, 이때 m은 m<0인 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)이고, q 및 c는 독립적으로 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, q = c 나누기 c 및 |m|의 최대공약수이고, m1은 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m1 = |m| 나누기 c 및 |m|의 최대공약수이다. 실시태양에서, 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1 (각각의 X 모노음이온성 리간드)을 가지는 크롬 전구체는 음이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m<0 및 m=x-x1인 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위이다. m<0 및 m=x-x1 조건들에 의해, x1은 식 x1>x (본원에 개시되는 임의의 값 x를 이용)을 만족하는 본원에 개시되는 임의의 양의 정수이다. 일부 실시태양들에서, x1의 범위는 식 x1>x (본원에 개시되는 임의의 값 x를 이용)을 만족하는 최소 양의 정수 내지 식 x1>x (본원에 개시되는 임의의 값 x를 이용)을 만족하는 최소 양의 정수보다 큰 본원에 제공되는 임의의 값 x1이다. m 또는 x1 값들과는 무관하게, 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)을 가지는 크롬 전구체에서 중성 리간드들의 개수 (ℓ)는 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위이다. 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Cc]m1 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)를 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
비-제한적 실시태양에서, 크롬 전구체는 식 Na3CrCl6 또는LiCrCl4; 달리, Na3CrCl6; 또는 달리, LiCrCl4 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 식 [(Crx1Xn1Lℓ)m]q1[Cc]m1 및/또는 [(CrXn1Lℓ)m]q1[Cc]m1을 가지는 기타 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
일 양태에서, 크롬 전구체는 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2를 가진다. 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드 (X), 전하 y인 음이온성 리간드들 개수 (x1), 중성 리간드 (L), 중성 리간드들의 개수 (ℓ), 크롬 착체 (Cry1Xx1Lℓ)m 전하 (m), 크롬 착체들 (Cry1Xx1Lℓ)m 개수 (q), 전하 a인 음이온성 종들 (A), 및 전하 a인 음이온성 종들의 개수 (m2)는 독립적으로 본원에 기재된다. 이들 독립적인 설명은 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2를 가지는 크롬 전구체를 더욱 기술하기 위하여 임의의 호환 방식 및/또는 조합으로 활용된다. 크롬 전구체가 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2를 가지는 양태에서, 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2 는 양이온성 크롬 착체 (즉 m은 m>0인 본원에 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위, m2는 m2>0인 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위)를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2 를 가지는 크롬 전구체는 양이온성 크롬 착체 및 음이온성 종(들)과 관계를 가지는 양이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m > 0인 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지고, q 및 a는 독립적으로 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되 q = |a| 나누기 m 및 |a|의 최대공약수이고, m2는 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m2=m 나누기 m 및 |a|의 최대공약수이다. 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2 를 가지는 크롬 전구체는 양이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m>0 및 m=(x*y1)+(y*x1)인 임의의 값, 또는 임의의 범위이다. m>0 및 m=(x*y1)+(y*x1) 조건들에 의해, x1은 식 x1<(x*y1)/|y| (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 본원에 개시되는 임의의 양의 정수이고 및/또는 y1은 양의 정수이고 식 y1 ≥ (|y| * x1) / x (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족한다. 일부 실시태양들에서, x1의 범위는 0, 또는 식 x1<(x*y1)/|y| (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 것 미만의 본원에 개시되는 임의의 x1 값 내지 식 x1<(x*y1)/|y| (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 본원에 제고되는 임의의 값 x1이다. 일부 실시태양들에서, y1의 범위는 식 y1≥(|y|*x1)/x (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 본원에 개시되는 임의의 값 y1 내지 식 y1 ≥ (|y| * x1) / x (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 값보다 큰 본원에 개시되는 임의의 값이다. x1, y1, 및 m 값들과는 무관하게, 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2 를 가지는 크롬 전구체에서 중성 리간드들의 개수 (ℓ)는 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위이다. 식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2 를 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
식 [(Cry1Xx1Lℓ)m]q[Aa]m2를 가지는 크롬 전구체의 각각의 X가 모노음이온성 리간드일 때 크롬 전구체는 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Aa]m2를 가질 수 있다. 크롬 전구체가 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Aa]m2 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)를 가지는 양태에서, 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Aa]m2 는 양이온성 크롬 착체 (즉 m은 m>0인 본원에 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위, m2는 m2>0인 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위)를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 크롬 전구체가 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Aa]m2 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)를 가지는 양태에서, 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Aa]m2는 양이온성 크롬 착체 및 음이온성 종(들) 간의 관계를 가지는 양이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m > 0인 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위), q 및 a는 독립적으로 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, q = a (음이온성 종들 전하) 나누기 m 및 |a|의 최대공약수이고, m2는 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m2 = m 나누기 m 및 |a|의 최대공약수이다. m>0 및 m=x-x1 조건들에 의해, x1은 식 x1<x (본원에 개시되는 임의의 값 x 이용)을 만족하는 본원에 개시되는 임의의 양의 정수이다. 일부 실시태양들에서, x1 범위는 0, 또는 식 x1<x (본원에 개시되는 임의의 값 x 이용)을 만족하는 값보다 작은 본원에 개시되는 임의의 x1 값 내지 식 x1<x (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 본원에 제공되는 임의의 값 x1이다. X1 및 m 값들과 무관하게, 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Aa]m2 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)을 가지는 크롬 전구체에서 중성 리간드들의 개수 (ℓ)는 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위이다. 식 [(CrXx1Lℓ)m]q[Aa]m2 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다. 식 [(Crx1Xn1Lℓ)m]q2[Aa]m2 및/또는 [(CrXn1Lℓ)m]q[Aa]m2을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
일 양태에서, 크롬 전구체는 식 [(CrLℓ)m]q[Aa]m2을 가진다. 크롬 산화상태 (x), 중성 리간드 (L), 중성 리간드들의 개수 (ℓ), 크롬 착체 (CrLℓ)m 전하 (m), 크롬 착체들 (CrLℓ)m 개수 (q), 전하 a인 음이온성 종들 (A), 및 전하 a인 음이온성 종들의 개수 (m2)는 독립적으로 본원에 기재된다. 이들 독립적인 설명은 식 [(CrLℓ)m]q[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체를 더욱 설명하기 위하여 임의의 호환 방식 및/또는 조합으로 활용된다. 크롬 전구체가 식 [(CrLℓ)m]q[Aa]m2을 가지는 양태에서, 식 [(CrLℓ)m]q[Aa]m2 은 양이온성 크롬 착체 (즉 m은 m > 0인 본원에 개시되는 임의의 값 또는 임의의 범위를 가지고, m2는 m2 > 0인 본원에 개시되는 임의의 값 똔느 임의의 범위를 가진다)를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 일반적으로, 식 [(CrLℓ)m]q[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체는 양이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m=x 및 전하 m (또는 x)인 양이온성 크롬 착체(들)의 개수 (q) 및 전하 a인 음이온성 종(들) (A)의 개수의 관계식은 식 m*q=|a*m2| (또는 x*q=|a*m2|)이다. 크롬 전구체가 식 [(CrLℓ)m]q[Aa]m2을 가지는 일부 실시태양들에서, 양이온성 크롬 착체(들)의 개수, q는 양이온성 크롬 착체(들) 전하 (m 또는 x), 및 음이온성 종(들) 전하 (c)와 q = |a| 나누기 m (또는 x) 및 |a| 최대공약수인 관계식을 가진다. 크롬 전구체가 식 [(CrLℓ)m]q[Aa]m2을 가지는 일부 실시태양들에서, 음이온성 종(들) 개수, m2는, 양이온성 크롬 착체(들) 전하 (m 또는 x), 및 음이온성 종(들) 전하, c와 관계식 m2=m 나누기 m 및 |a| 최대공약수를 가진다. 실시태양에서, 식 [(CrLℓ)m]q[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체는 양이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m > 0 및 m = x인 본원에 개시되는 임의의 값 또는 임의의 범위이다. m 값들과 무관하게 of, 식 [(CrLℓ)m]q[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체에서 중성 리간드들의 개수 (ℓ)는 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위이다. 식 [(CrLℓ)m]q[Aa]m2을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
비-제한적 실시태양에서, 크롬 전구체는, [(Cr(NH3)6)3+]q[Aa]m2 또는 [(Cr(NH3)6)2+]q[Aa]m2; 달리, [(Cr(NH3)6)3+]q[Aa]m2; 또는 달리, [(Cr(NH3)6)2+]q[Aa]m2이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 이러한 비-제한적 실시태양들에서, A는 본원에 기재된 전하 a, q = a (음이온성 종들 전하) 나누기 |a| 및 크롬 착체 (CrLℓ)m 전하 m의 최대공약수, m2는 크롬 착체 (CrLℓ)m 전하 m 나누기 |a| 및 크롬 착체 (CrLℓ)m 전하 m의 최대공약수인 임의의 음이온성 종들이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 식 [(CrLℓ)n]q2[Aa]m2 를 가지는 기타 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
일 양태에서, 크롬 전구체는 식 Cry1Xx1Lℓ을 가진다. 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드 (X), 전하 y인 음이온성 리간드들 개수 (x1), 중성 리간드 (L), 및 중성 리간드들의 개수 (ℓ)는 독립적으로 본원에 기재된다. 이들 독립적인 설명은 식 Cry1Xx1Lℓ을 가지는 크롬 전구체를 더욱 설명하기 위하여 임의의 호환 방식 및/또는 조합으로 활용된다. 크롬 전구체가 식 Cry1Xx1Lℓ을 가지는 양태에서, 식 Cry1Xx1Lℓ 은 중성 크롬 착체들 (즉 m=0, m1=0, 및 m2=0)인 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 크롬 전구체가 식 Cry1Xx1Lℓ 을 가질 때산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1) 및 전하 y인 음이온성 리간드들 (A) 개수는 식 x*y1=|y*x1|의 관계를 가진다. 일부 실시태양들에서 크롬 전구체의 크롬 착체가 식 Cry1Xx1Lℓ을 가질 때, 크롬(들) 개수, y1는, 크롬 산화상태 (x) 및 음이온성 리간드 (X) 전하 (y)와 y1 = |y| 나누기 x 및 |y|의 최대공약수인 관계식을 가진다. 일부 실시태양들에서 크롬 전구체의 크롬 착체가 식 Cry1Xx1Lℓ을 가질 때, 음이온성 리간드들 개수, x1는 크롬 산화상태 (x) 및 음이온성 리간드 (X) 전하 (y)와 x1 = x 나누기 x 및 |y|의 최대공약수인 관계식을 가진다. 값들 x1 및 y1과 무관하게, 식 Cry1Xx1Lℓ 을 가지는 크롬 전구체에서 중성 리간드들의 개수 (ℓ)는 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위이다. 식 Cry1Xx1Lℓ 을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
각각의 X가 모노음이온성 리간드일 때, 식 Cry1Xx1Lℓ 을 가지는 크롬 전구체는 모노음이온성 리간드이고, 크롬 전구체는 식 CrXxLℓ을 가진다. x 값에 무관하게, 식 CrXxLℓ 을 가지는 크롬 전구체에서 중성 리간드들의 개수 (ℓ)는 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위를 가진다. 식 CrXxLℓ을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 크롬 전구체 (또는 크롬 착체)는 CrCl3(NMe3)2, CrCl3(피리딘)3, 또는 CrCl3(THF)3; 달리, CrCl3(NMe3)2; 달리, CrCl3(피리딘)3; 또는 달리, CrCl3(THF)3 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 크롬 전구체 (또는 크롬 착체)는 중성 크롬(III) 할라이드 테트라히드로푸란 착체, 중성 크롬(III) 할라이드 트리히드로카르빌아민 착체, 또는 중성 크롬(III) 할라이드 피리딘 착체; 달리, 중성 크롬(III) 할라이드 테트라히드로푸란 착체; 달리, 중성 크롬(III) 할라이드 트리히드로카르빌아민 착체; 또는 달리, 중성 크롬(III) 할라이드 피리딘 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 식 Cry1Xx1Lℓ 및/또는 식 CrXxLℓ 을 가지는 기타 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
일 양태에서, 크롬 전구체들은 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2을 가진다. 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드 (X), 전하 y인 음이온성 리간드들 개수 (x1), 크롬 착체 (Cry1Xx1)m 전하 (m), 크롬 착체들 (Cry1Xx1)m 개수 (q), 전하 c인 양이온성 종들 (C), 전하 c인 양이온성 종들 개수 (m1), 전하 a인 음이온성 종들 (A), 및 전하 a인 음이온성 종들의 개수 (m2)는 독립적으로 본원에 기재된다. 이들 독립적인 설명은 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체를 더욱 기술하기 위하여 임의의 호환 방식 및/또는 조합으로 활용된다. 크롬 전구체가 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2을 가지는 양태에서, 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2 은 음이온성 크롬 착체 (즉 m은 m < 0인 본원에 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위, m1은 m1 > 0인 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위, 및 m2=0), 양이온성 크롬 착체 (즉 m은 m > 0인 본원에 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위, m1=0, 및 m2는 m2 > 0인 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위), 및/또는 중성 크롬 전구체 (즉 m=0, m1=0, 및 m2=0)를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체의 각각의 X가 모노음이온성 리간드일 때 크롬 전구체는 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2을 가진다. 크롬 전구체가 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2을 가지는 양태에서, 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2 은 음이온성 크롬 착체 (즉 m은 m < 0인 본원에 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위, m1은 m1 > 0인 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위, 및 m2=0), 양이온성 크롬 착체 (즉 m은 m > 0인 본원에 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위, m1=0, 및 m2는 m2 > 0인 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위), 및/또는 중성 크롬 전구체 (즉 m=0, m1=0, 및 m2=0)를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다. 비-제한적 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2 또는 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체는 음이온성 크롬 착체, 양이온성 종(들), 및 음이온성 종 사이 관계를 가지는 음이온성 크롬 착체이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 이때 m은 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m<0, q 및 c는 독립적으로 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, q = c 나누기 c 및 |m|의 최대공약수, m1은 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m1 = |m| 나누기 c 및 |m|의 최대공약수, 및 m2 = 0이다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2 또는 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체는 음이온성 크롬 착체, 양이온성 종, 및 음이온성 종 간 관계식을 가지는 중성 크롬 착체로 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 이때 m=0, m1 = 0 및 m2 = 0이다. 또 다른 비-제한적 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2 또는 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체는 양이온성 크롬 착체, 양이온성 종, 및 음이온성 종(들) 사이 관계식을 가지는 양이온성 크롬 착체로 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, 이때 m은 m > 0인 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위), q 및 a는 독립적으로 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, q = |a| 나누기 m 및 |a|의 최대공약수, m1 = 0, 및 m2는 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m2=m 나누기 m 및 |a|의 최대공약수이다.
일 양태에서, 크롬 전구체는 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1을 가진다. 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드 (X), 전하 y인 음이온성 리간드들 개수 (x1), 크롬 착체 (Cry1Xx1)m 전하 (m), 크롬 착체들 (Cry1Xx1)m 개수 (q), 전하 c인 양이온성 종들 (C), 및 전하 c인 양이온성 종들 개수 (m1)는 독립적으로 본원에 기재된다. 이들 독립적인 설명은 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1을 가지는 크롬 전구체을 더욱 기술하기 위하여 임의의 호환 방식 및/또는 조합으로 활용된다. 본 양태에서, 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1은 음이온성 크롬 착체 (즉 m은 m < 0인 본원에 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위, m1은 m1 > 0인 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위)를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1을 가지는 크롬 전구체는 음이온성 크롬 착체 및 양이온성 종(들) 간의 관계식을 가지는 음이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m<0, q 및 c 독립적으로 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, q = c 나누기 c 및 |m|의 최대공약수, 및 m1은 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m1 = |m| 나누기 c 및 |m|의 최대공약수이다. 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1을 가지는 크롬 전구체는 음이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m<0 및 m=(x*y1)+(y*x1)인 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위이다. m<0 및 m=(x*y1)+(y*x1) 조건들에 의해, x1은 식 x1>(x*y1)/|y| (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 본원에 개시되는 임의의 양의 정수 및/또는 y1은 양의 정수이고 식 y1 ≤ (|y| * x1) / x (본원에 개시되는 임의의 값 x, x1 및 y 이용)을 만족한다. 일부 실시태양들에서, x1 범위는 식 x1>(x*y1)/|y| (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 최소 양의 정수 내지 식 x1>(x*y1)/|y| (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 최소 양의 정수보다 큰 본원에 제공되는 임의의 값 x1이다. 일부 실시태양들에서, y1 범위는 본원에 개시되는 임의의 값 y1 내지 식 y1 ≤ (|y| * x1) / x (본원에 개시되는 임의의 값 x, x1 및 y 이용)을 만족하는 임의의 양의 정수이다. 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1을 가지는 크롬 전구체의 각각의 X가 모노음이온성 리간드일 때 크롬 전구체는 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1을 가진다. 크롬 전구체가 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)을 가지는 양태에서, 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1은 음이온성 크롬 착체 (즉 m은 m < 0인 본원에 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위, m1은 m1 > 0인 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위)을 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 크롬 전구체가 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)을 가지는 양태에서, 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1은 음이온성 크롬 착체 및 양이온성 종(들) 간의 관계식을 가지는 음이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m<0, q 및 c는 독립적으로 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, q = c 나누기 c 및 |m|의 최대공약수, 및 m1은 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m1 = |m| 나누기 c 및 |m|의 최대공약수이다. 실시태양에서, 식 [(CrXx1)m]q[Cc]m1 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)을 가지는 크롬 전구체는 음이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m<0 및 m=x-x1인 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위이다. m<0 및 m=x-x1 조건들에 의해, x1은 식 x1>x (본원에 개시되는 임의의 값 x 이용)을 만족하는 본원에 개시되는 임의의 양의 정수이다. 일부 실시태양들에서, x1 범위는 식 x1>x (본원에 개시되는 임의의 값 x 이용)을 만족하는 최소 양의 정수 내지 식 x1>x (본원에 개시되는 임의의 값 x 이용)을 만족하는 최소 양의 정수보다 큰 본원에 제공되는 임의의 값 x1이다. 식 [(Cry1Xx1)m]q[Cc]m1 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 크롬 전구체는 [Cc]m1[(CrCl4)1-]q1 또는 [Cc]m1[(Cr(CN)6)3-]q1; 달리, [Cc]m1[(CrCl4)1-]q1; 또는 달리, [Cc]m1[(Cr(CN)6)3-]q1 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 이러한 비-제한적 실시태양들에서, C는 본원에 기재된 임의의 전하 c인 양이온성 종들이고, q = c 나누기 c 및 |m|의 최대공약수 (음이온성 크롬 착체 전하 절대값), 및 m1 = |m| 나누기 c 및 |m|의 최대공약수이다. 식 [(Crx1Xn1)m]q1[Cc]m1 또는 [(CrXn1)m]q1[Cc]m1을 가지는 기타 유용한 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
일 양태에서, 크롬 전구체는 식 [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2을 가진다. 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드 (X), 전하 y인 음이온성 리간드들 개수 (x1), 크롬 착체 (Cry1Xx1)m 전하 (m), 크롬 착체들 (Cry1Xx1)m 개수 (q), 전하 a인 음이온성 종들 (A), 및 전하 a인 음이온성 종들의 개수 (m2)는 독립적으로 본원에 기재된다. 이들 독립적인 설명은 식 [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체를 더욱 기술하기 위하여 임의의 호환 방식 및/또는 조합으로 활용된다. 크롬 전구체가 식 [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2을 가지는 양태에서, 식 [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2은 양이온성 크롬 착체 (즉 m은 m > 0인 본원에 개시되는 임의의 값 또는 임의의 범위를 가지고, m2는 m2 > 0인 본원에 개시되는 임의의 값 똔느 임의의 범위를 가진다)을 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체는 양이온성 크롬 착체 및 음이온성 종(들) 간의 관계식을 가지는 양이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m > 0인 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위), q 및 a는 독립적으로 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, q = |a| 나누기 m 및 |a|의 최대공약수, 및 m2는 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m2=m 나누기 m 및 |a|의 최대공약수이다. 실시태양에서, 식 [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체는 양이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m>0 및 m=(x*y1)+(y*x1)인 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위이다. m>0 및 m=(x*y1)+(y*x1) 조건들에 의해, x1은 식 x1<(x*y1)/|y| (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 본원에 개시되는 임의의 양의 정수 및/또는 y1은 양의 정수이고 식 y1 ≥ (|y| * x1) / x (본원에 개시되는 임의의 값 x, x1 및 y 이용)을 만족한다. 일부 실시태양들에서, x1 범위는 0, 또는 식 x1<(x*y1)/|y| (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 것보다 작은 본원에 개시되는 임의의 x1 값 내지 식 x1<(x*y1)/|y| (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 본원에 제공되는 임의의 값 x1이다. 일부 실시태양들에서, y1 범위는 식 y1 ≥ (|y| * x1) / x (본원에 개시되는 임의의 값 x, x1 및 y 이용)을 만족하는 본원에 개시되는 임의의 값 y1 내지 식 y1 ≥ (|y| * x1) / x (본원에 개시되는 임의의 값 x, x1 및 y 이용)을 만족하는 값보다 큰 본원에 개시되는 임의의 값이다. 식 [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
식 [(Cry1Xx1)m]q[Aa]m2을 가지는 크롬 전구체들의 각각의 X가 모노음이온성 리간드이면, 크롬 전구체는 식 [(CrXx1)m]q[Aa]m2을 가진다. 크롬 전구체가 식 [(CrXx1)m]q[Aa]m2 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)을 가지는 양태에서, 식 [(CrXx1)m]q[Aa]m2은 양이온성 크롬 착체 (즉 m은 m > 0인 본원에 개시된 임의의 값, 또는 임의의 범위, m2는 m2 > 0인 본원에 개시되는 임의의 값, 또는 임의의 범위)를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄한다. 크롬 전구체가 식 [(CrXx1)m]q[Aa]m2 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)을 가지는 양태에서, 식 [(CrXx1)m]q[Aa]m2은 양이온성 전이금속 착체 및 음이온성 종(들) 사이 관계식을 가지는 양이온성 전이금속 착체를 가지는 일반 전이금속 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m > 0인 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위), q 및 a는 독립적으로 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, q = |a| 나누기 m 및 |a|의 최대공약수, 및 m2는 본원에 개시되는 임의의 값 (또는 값 범위)을 가지되, m2 = m 나누기 m 및 |a|의 최대공약수이다. 실시태양에서, 식 [(CrXx1)m]q[Aa]m2 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)을 가지는 크롬 전구체는 양이온성 크롬 착체를 가지는 일반 크롬 전구체들을 포괄하고, 이때 m은 m > 0 및 m = x x1인 본원에 개시되는 임의의 값 또는 임의의 범위이다. m>0 및 m=x-x1 조건들에 의해, x1은 식 x1<x(본원에 개시되는 임의의 값 x 이용)을 만족하는 본원에 개시되는 임의의 양의 정수이다. 일부 실시태양들에서, x1은 범위 0, 또는 식 x1<x (본원에 개시되는 임의의 값 x 이용)을 만족하는 것보다 작은 본원에 개시되는 임의의 x1 값 내지 식 x1<x (본원에 개시되는 임의의 값 x, y1 및 y 이용)을 만족하는 본원에 제공되는 임의의 값 x1이다. 식 [(CrXx1)m]q[Aa]m2 (각각의 X는 모노음이온성 리간드)을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
일 양태에서, 크롬 전구체는 식 Cry1Xx1을 가진다. 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1), 전하 y인 음이온성 리간드 (X), 및 전하 y인 음이온성 리간드들 개수 (x1)는 일반적으로 및 독립적으로 본원에 기재된다. 이들 독립적인 설명은 식 Cry1Xx1을 가지는 크롬 전구체를 더욱 기술하기 위하여 임의의 호환 방식 및/또는 조합으로 활용된다. 크롬 전구체가 식 Cry1Xx1을 가지는 양태에서, 식 Cry1Xx1은 중성 크롬 착체 (즉 m=0, m1=0, 및 m2=0)인 일반 크롬 전구체를 포괄한다. 크롬 전구체가 식 Cry1Xx1을 가질 때 산화상태 x인 크롬 원자들 개수 (y1) 및 전하 y인 음이온성 리간드들 (A) 개수는 식 x*y1=|y*x1|의 관계를 가진다. 크롬 전구체의 크롬 착체가 식 Cry1Xx1을 가지는 일부 실시태양들에서, 크롬(들) 개수, y1는, 크롬 산화상태 (x) 및 음이온성 리간드 (X) 전하 (y)와 y1 = |y| 나누기 x 및 |y|의 최대공약수의 관계식을 가진다. 크롬 전구체의 크롬 착체가 식 Cry1Xx1을 가지는 일부 실시태양들에서, 음이온성 리간드들 개수, x1는, 크롬 산화상태 (x) 및 음이온성 리간드 (X) 전하 (y)와 x1 = x 나누기 x 및 |y|의 최대공약수의 관계식을 가진다. 식 Cry1Xx1을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
식 Cry1Xx1을 가지는 크롬 전구체의 각각의 X가 모노음이온성 리간드일 때, 크롬 전구체는 식 CrXx을 가진다. 식 CrXx을 가지는 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
비-제한적 실시태양에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 크롬 전구체 (또는 크롬 착체)는 CrF3, CrCl3, CrBr3, 또는 CrI3; 달리, CrF3; 달리, CrCl3; 달리, CrBr3; 또는 달리, CrI3 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 추가 양태에 따르면, 크롬 할라이드 전구체들은 크롬(III) 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 하나의 비-제한적 양태에서, 크롬 전구체는 CrCl3이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 식 Cry1Xx 및/또는 식 CrXx을 가지는 기타 일반 및 특정 크롬 전구체들은 본 발명의 양태들 및 실시태양들을 이용하여 기술된다. 이러한 일반 및 특정 크롬 전구체들 본원에서 용이하게 명백하고 고려된다.
일 양태에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 크롬 전구체는 실질적으로 무수; 또는 달리, 무수이다. 일부 실시태양들에서 크롬 전구체의 물 함량은 100 ppm 이하; 달리, 90 ppm 이하; 달리, 80 ppm 이하; 달리, 70 ppm 이하; 달리, 60 ppm 이하; 달리, 50 ppm 이하; 달리, 40 ppm 이하; 달리, 30 ppm 이하; 달리, 20 ppm 이하; 달리, 10 ppm 이하; 달리, 9 ppm 이하; 달리, 8 ppm 이하; 달리, 7 ppm 이하; 달리, 6 ppm 이하; 달리, 5 ppm 이하; 달리, 4 ppm 이하; 달리, 3 ppm 이하; 달리, 2 ppm 이하; 또는 달리, 1 ppm 이하이다. 일반적으로, 크롬 전구체의 물 함량은 크롬 전구체 중 물 ppm (중량기준)에 기초한다. 크롬 전구체에 존재하는 물은 크롬 전구체 불순물들 및/또는 크롬 전구체의 공극수 형태일 수 있다는 점에 주목하여야 한다.
일 양태에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 크롬 전구체는 실질적으로 무-산이다. 일부 실시태양들에서, 크롬 전구체의 산 함량은 1000 ppm 이하; 달리, 750 ppm 이하; 달리, 500 ppm 이하; 또는 달리, 250 ppm 이하이다. 다른 실시태양들에서, 크롬 전구체의 산 함량은 100 ppm 이하; 달리, 90 ppm 이하; 달리, 80 ppm 이하; 달리, 70 ppm 이하; 달리, 60 ppm 이하; 달리, 50 ppm 이하; 달리, 40 ppm 이하; 달리, 30 ppm 이하; 달리, 20 ppm 이하; 달리, 10 ppm 이하; 달리, 9 ppm 이하; 달리, 8 ppm 이하; 달리, 7 ppm 이하; 달리, 6 ppm 이하; 달리, 5 ppm 이하; 달리, 4 ppm 이하; 달리, 3 ppm; 이하 달리, 2 ppm 이하; 또는 달리, 1 ppm 이하이다. 일반적으로, 크롬 전구체의 산 함량은 크롬 전구체 중 산 ppm (중량기준)에 기초한다. 크롬 전구체에 존재하는 산은 크롬 전구체 불순물들 및/또는 크롬 전구체의 간극산 형태일 수 있다는 점에 주목하여야 한다.
본 발명의 양태에 의하면, 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법은 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트; 달리, 1족 금속 카르복실레이트; 또는 달리 2족 금속 카르복실레이트를 이용한다. 일반적으로, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 카르복실레이트 잔기는 폴리카르복실레이트 또는 모노카르복실레이트; 달리, 폴리카르복실레이트; 또는 달리, 모노카르복실레이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 카르복실레이트들은 독립적으로 본원에 개시된다 (예를들면, 전이금속 또는 크롬 카르복실레이트의 카르복실레이트로서). 이들 독립적인 설명은 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
일 양태에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 식 (MA)p[(O2C)rR1c]s을 가지고, 식 중 MA 은 1족 또는 2족 금속, p는 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트에서 금속 원자들의 개수, (O2C)rR1c (또한 카르복실레이트 잔기의 1 전하를 가지는 것으로 나타내고 - 즉 (O2C)rR1c)는 카르복실레이트기, r은 카르복실레이트기에서 카르복실레이트 잔기들 개수, s는 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트에서 카르복실레이트기들의 개수, 및 R1 은 카르복실레이트 잔기들을 연결하는 기이다. 일반적으로, 1족 또는 2족 금속 (MA), 1족 또는 2족 금속 원자들의 개수 (p), 카르복실레이트기 ((O2C)rR1c), 카르복실레이트기들의 개수 (들), 카르복실레이트기에서 카르복실레이트 잔기들의 개수 (r), 및 카르복실레이트 잔기들 연결 기 (R1c)는 식 (MA)p[(O2C)rR1c]s을 가지는1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 독립적인 요소들이고, 독립적으로 본원에 기재된다. 식 (MA)p[(O2C)rR1c]s을 가지는 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 특징부들에 대한 이들 독립적인 설명은 식 (MA)p[(O2C)rR1c]s 을 가지는1족 또는 2족 금속 카르복실레이트를 더욱 설명하기 위하여 임의의 조합으로 이용된다. 다른 양태에서, 1족 2족 금속 카르복실레이트는 식 MA(O2CR2c)s을 가지고, 식 중 MA 은 1족 또는 2족 금속, O2CR1c (또한 카르복실레이트 잔기의 1 전하로 표기 - 즉 O2CR1c)은 모노카르복실레이트기, 및 s는 1족 또는 2족 금속 산화수이다. 일반적으로, 1족 또는 2족 금속 (MA), 모노카르복실레이트기 (O2CR2c), 모노카르복실레이트기(들) 개수, 및 R2c 은 식 MA(O2CR2c)s을 가지는1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 독립적인 요소들이다. 식 MA(O2CR2c)s을 가지는1족 2족 금속 카르복실레이트에 대한 이들 독립적인 설명은 식 MA(O2CR2c)s을 가지는1족 또는 2족 금속 카르복실레이트를 기술하기 위하여 임의의 조합으로 활용된다. 식 (O2C)rR1c 및/또는 O2CR2c 을 가지는 카르복실레이트기들은 독립적으로 본원에 개시된다 (예를들면, 전이금속 또는 크롬 카르복실레이트의 카르복실레이트로서). 이들 독립적인 설명은 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
일 양태에서, 본원에 기재된 임의의 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 1족 또는 2족 금속은 1족 금속; 또는 달리, 2족 금속이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 1족 금속 카르복실레이트의 1족 금속은 Li, Na, 또는 K; 달리, Na 또는 K; 달리, Li; 달리, Na; 또는 달리, K 이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 2족 금속 카르복실레이트의2족 금속은 Mg, Ca, Sr, 또는 Ba; 달리, Ca 또는 Mg; 달리, Be; 달리, Mg; 달리, Ca; 달리, Sr; 또는 달리 B이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 1족 금속 산화상태는 1이고 2족 금속 산화상태는 2이다.
비-제한적 실시태양에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 소듐 또는 칼륨 카르복실레이트; 달리, 소듐 카르복실레이트; 또는 달리 칼륨 카르복실레이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 소듐 또는 칼륨 옥살레이트, 소듐 또는 칼륨 말레에이트, 소듐 또는 칼륨 숙시네이트, 소듐 또는 칼륨 글루타레이트, 소듐 또는 칼륨 아디페이트, 소듐 또는 칼륨 프탈레이트, 소듐 또는 칼륨 이소프탈레이트, 소듐 또는 칼륨 테레프탈레이트, 소듐 또는 칼륨 시트레이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 소듐 또는 칼륨 말레에이트, 소듐 또는 칼륨 숙시네이트, 소듐 또는 칼륨 글루타레이트, 소듐 또는 칼륨 아디페이트, 소듐 또는 칼륨 프탈레이트, 소듐 또는 칼륨 이소프탈레이트, 소듐 또는 칼륨 테레프탈레이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 소듐 옥살레이트, 소듐 말레에이트, 소듐 숙시네이트, 소듐 글루타레이트, 소듐 아디페이트, 소듐 프탈레이트, 소듐 이소프탈레이트, 소듐 테레프탈레이트, 소듐 시트레이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 소듐 말레에이트, 소듐 숙시네이트, 소듐 글루타레이트, 소듐 아디페이트, 소듐 프탈레이트, 소듐 이소프탈레이트, 소듐 테레프탈레이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 칼륨 옥살레이트, 칼륨 말레에이트, 칼륨 숙시네이트, 칼륨 글루타레이트, 칼륨 아디페이트, 칼륨 프탈레이트, 칼륨 이소프탈레이트, 칼륨 테레프탈레이트, 칼륨 시트레이트, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 칼륨 말레에이트, 칼륨 숙시네이트, 칼륨 글루타레이트, 칼륨 아디페이트, 칼륨 프탈레이트, 칼륨 이소프탈레이트, 칼륨 테레프탈레이트, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 소듐 또는 칼륨 옥살레이트; 달리, 소듐 또는 칼륨 말레에이트; 달리, 소듐 또는 칼륨 숙시네이트; 달리, 소듐 또는 칼륨 글루타레이트; 달리, 소듐 또는 칼륨 아디페이트; 달리, 소듐 또는 칼륨 프탈레이트; 달리, 소듐 또는 칼륨 이소프탈레이트; 달리, 소듐 또는 칼륨 테레프탈레이트, 소듐 또는 칼륨 시트레이트; 달리, 소듐 옥살레이트; 달리, 소듐 말레에이트; 달리, 소듐 숙시네이트; 달리, 소듐 글루타레이트; 달리, 소듐 아디페이트; 달리, 소듐 프탈레이트; 달리, 소듐 이소프탈레이트; 달리, 소듐 테레프탈레이트; 달리, 소듐 시트레이트; 달리, 칼륨 옥살레이트; 달리, 칼륨 말레에이트; 달리, 칼륨 숙시네이트; 달리, 칼륨 글루타레이트; 달리, 칼륨 아디페이트; 달리, 칼륨 프탈레이트; 달리, 칼륨 이소프탈레이트; 달리, 칼륨 테레프탈레이트; 또는 달리, 칼륨 시트레이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 소듐 또는 칼륨 아세테이트, 소듐 또는 칼륨 프로피오네이트, 소듐 또는 칼륨 부티레이트, 소듐 또는 칼륨 펜타노에이트, 소듐 또는 칼륨 헥사노에이트, 소듐 또는 칼륨 헵타노에이트, 소듐 또는 칼륨 옥타노에이트, 소듐 또는 칼륨 노나노에이트, 소듐 또는 칼륨 데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 운데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 도데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 트리데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 테트라데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 펜타데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 헥사데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 헵타데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 옥타데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 이코사노에이트, 소듐 또는 칼륨 도코사노에이트, 소듐 또는 칼륨 테트라코사노에이트, 소듐 또는 칼륨 벤조에이트, 치환된 소듐 또는 칼륨 벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 소듐 또는 칼륨 프로피오네이트, 소듐 또는 칼륨 부티레이트, 소듐 또는 칼륨 펜타노에이트, 소듐 또는 칼륨 헥사노에이트, 소듐 또는 칼륨 헵타노에이트, 소듐 또는 칼륨 옥타노에이트, 소듐 또는 칼륨 노나노에이트, 소듐 또는 칼륨 데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 운데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 도데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 트리데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 테트라데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 펜타데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 헥사데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 헵타데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 옥타데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 이코사노에이트, 소듐 또는 칼륨 도코사노에이트, 소듐 또는 칼륨 테트라코사노에이트, 소듐 또는 칼륨 벤조에이트, 치환된 소듐 또는 칼륨 벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 소듐 또는 칼륨 펜타노에이트, 소듐 또는 칼륨 헥사노에이트, 소듐 또는 칼륨 헵타노에이트, 소듐 또는 칼륨 옥타노에이트, 소듐 또는 칼륨 노나노에이트, 소듐 또는 칼륨 데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 운데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 도데카노에이트, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 비-제한적 실시태양에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 소듐 아세테이트, 소듐 프로피오네이트, 소듐 부티레이트, 소듐 펜타노에이트, 소듐 헥사노에이트, 소듐 헵타노에이트, 소듐 옥타노에이트, 소듐 노나노에이트, 소듐 데카노에이트, 소듐 운데카노에이트, 소듐 도데카노에이트, 소듐 트리데카노에이트, 소듐 테트라데카노에이트, 소듐 펜타데카노에이트, 소듐 헥사데카노에이트, 소듐 헵타데카노에이트, 소듐 옥타데카노에이트, 소듐 이코사노에이트, 소듐 도코사노에이트, 소듐 테트라코산, 소듐 벤조에이트, 치환된 소듐 벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 소듐 프로피오네이트, 소듐 부티레이트, 소듐 펜타노에이트, 소듐 헥사노에이트, 소듐 헵타노에이트, 소듐 옥타노에이트, 소듐 노나노에이트, 소듐 데카노에이트, 소듐 운데카노에이트, 소듐 도데카노에이트, 소듐 트리데카노에이트, 소듐 테트라데카노에이트, 소듐 펜타데카노에이트, 소듐 헥사데카노에이트, 소듐 헵타데카노에이트, 소듐 옥타데카노에이트, 소듐 이코사노에이트, 소듐 도코사노에이트, 소듐 테트라코사노에이트, 소듐 벤조에이트, 치환된 소듐 벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 소듐 펜타노에이트, 소듐 헥사노에이트, 소듐 헵타노에이트, 소듐 옥타노에이트, 소듐 노나노에이트, 소듐 데카노에이트, 소듐 운데카노에이트, 소듐 도데카노에이트, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 칼륨 아세테이트, 칼륨 프로피오네이트, 칼륨 부티레이트, 칼륨 펜타노에이트, 칼륨 헥사노에이트, 칼륨 헵타노에이트, 칼륨 옥타노에이트, 칼륨 노나노에이트, 칼륨 데카노에이트, 칼륨 운데카노에이트, 칼륨 도데카노에이트, 칼륨 트리데카노에이트, 칼륨 테트라데카노에이트, 칼륨 펜타데카노에이트, 칼륨 헥사데카노에이트, 칼륨 헵타데카노에이트, 칼륨 옥타데카노에이트, 칼륨 이코사노에이트, 칼륨 도코사노에이트, 칼륨 테트라코사노에이트, 칼륨 벤조에이트, 치환된 칼륨 벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 칼륨 프로피오네이트, 칼륨 부티레이트, 칼륨 펜타노에이트, 칼륨 헥사노에이트, 칼륨 헵타노에이트, 칼륨 옥타노에이트, 칼륨 노나노에이트, 칼륨 데카노에이트, 칼륨 운데카노에이트, 칼륨 도데카노에이트, 칼륨 트리데카노에이트, 칼륨 테트라데카노에이트, 칼륨 펜타데카노에이트, 칼륨 헥사데카노에이트, 칼륨 헵타데카노에이트, 칼륨 옥타데카노에이트, 칼륨 이코사노에이트, 칼륨 도코사노에이트, 칼륨 테트라코사노에이트, 칼륨 벤조에이트, 치환된 칼륨 벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 칼륨 펜타노에이트, 칼륨 헥사노에이트, 칼륨 헵타노에이트, 칼륨 옥타노에이트, 칼륨 노나노에이트, 칼륨 데카노에이트, 칼륨 운데카노에이트, 칼륨 도데카노에이트, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 소듐 또는 칼륨 아세테이트, 소듐 또는 칼륨 프로피오네이트, 소듐 또는 칼륨 n-부티레이트, 소듐 또는 칼륨 이소부티레이트, 소듐 또는 칼륨 발레레이트 (n-펜타노에이트), 소듐 또는 칼륨 네오-펜타노에이트, 소듐 또는 칼륨 카프로네이트 (n-헥사노에이트), 소듐 또는 칼륨 n-헵타노에이트, 소듐 또는 칼륨 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 소듐 또는 칼륨 2-에틸헥사노에이트, 소듐 또는 칼륨 n-노나노에이트, 소듐 또는 칼륨 카프레이트 (n-데카노에이트), 소듐 또는 칼륨 n-운데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 라우레이트 (n-도데카노에이트), 소듐 또는 칼륨 스테아레이트 (n-옥타데카노에이트), 소듐 또는 칼륨 벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 소듐 또는 칼륨 프로피오네이트, 소듐 또는 칼륨 n-부티레이트, 소듐 또는 칼륨 이소부티레이트, 소듐 또는 칼륨 발레레이트 (n-펜타노에이트), 소듐 또는 칼륨 네오-펜타노에이트, 소듐 또는 칼륨 카프로네이트 (n-헥사노에이트), 소듐 또는 칼륨 n-헵타노에이트, 소듐 또는 칼륨 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 소듐 또는 칼륨 2-에틸헥사노에이트, 소듐 또는 칼륨 n-노나노에이트, 소듐 또는 칼륨 카프레이트 (n-데카노에이트), 소듐 또는 칼륨 n-운데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 라우레이트 (n-도데카노에이트), 소듐 또는 칼륨 스테아레이트 (n-옥타데카노에이트), 소듐 또는 칼륨 벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 소듐 또는 칼륨 발레레이트 (n-펜타노에이트), 소듐 또는 칼륨 네오-펜타노에이트, 소듐 또는 칼륨 카프로네이트 (n-헥사노에이트), 소듐 또는 칼륨 n-헵타노에이트, 소듐 또는 칼륨 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 소듐 또는 칼륨 2-에틸헥사노에이트, 소듐 또는 칼륨 n-노나노에이트, 소듐 또는 칼륨 카프레이트 (n-데카노에이트), 소듐 또는 칼륨 n-운데카노에이트, 소듐 또는 칼륨 라우레이트 (n-도데카노에이트), 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 소듐 아세테이트, 소듐 프로피오네이트, 소듐 n-부티레이트, 소듐 이소부티레이트, 소듐 발레레이트 (n-펜타노에이트), 소듐 네오-펜타노에이트, 소듐 카프로네이트 (n-헥사노에이트), 소듐 n-헵타노에이트, 소듐 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 소듐 2-에틸헥사노에이트, 소듐 n-노나노에이트, 소듐 카프레이트 (n-데카노에이트), 소듐 n-운데카노에이트, 소듐 라우레이트 (n-도데카노에이트), 소듐 스테아레이트 (n-옥타데카노에이트), 소듐 벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 소듐 프로피오네이트, 소듐 n-부티레이트, 소듐 이소부티레이트, 소듐 발레레이트 (n-펜타노에이트), 소듐 네오-펜타노에이트, 소듐 카프로네이트 (n-헥사노에이트), 소듐 n-헵타노에이트, 소듐 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 소듐 2-에틸헥사노에이트, 소듐 n-노나노에이트, 소듐 카프레이트 (n-데카노에이트), 소듐 n-운데카노에이트, 소듐 라우레이트 (n-도데카노에이트), 소듐 스테아레이트 (n-옥타데카노에이트), 소듐 벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 소듐 발레레이트 (n-펜타노에이트), 소듐 네오-펜타노에이트, 소듐 카프로네이트 (n-헥사노에이트), 소듐 n-헵타노에이트, 소듐 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 소듐 2-에틸헥사노에이트, 소듐 n-노나노에이트, 소듐 카프레이트 (n-데카노에이트), 소듐 n-운데카노에이트, 소듐 라우레이트 (n-도데카노에이트), 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 칼륨 아세테이트, 칼륨 프로피오네이트, 칼륨 n-부티레이트, 칼륨 이소부티레이트, 칼륨 발레레이트 (n-펜타노에이트), 칼륨 네오-펜타노에이트, 칼륨 카프로네이트 (n-헥사노에이트), 칼륨 n-헵타노에이트, 칼륨 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 칼륨 2-에틸헥사노에이트, 칼륨 n-노나노에이트, 칼륨 카프레이트 (n-데카노에이트), 칼륨 n-운데카노에이트, 칼륨 라우레이트 (n-도데카노에이트), 칼륨 스테아레이트 (n-옥타데카노에이트), 칼륨 벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 칼륨 프로피오네이트, 칼륨 n-부티레이트, 칼륨 이소부티레이트, 칼륨 발레레이트 (n-펜타노에이트), 칼륨 네오-펜타노에이트, 칼륨 카프로네이트 (n-헥사노에이트), 칼륨 n-헵타노에이트, 칼륨 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 칼륨 2-에틸헥사노에이트, 칼륨 n-노나노에이트, 칼륨 카프레이트 (n-데카노에이트), 칼륨 n-운데카노에이트, 칼륨 라우레이트 (n-도데카노에이트), 칼륨 스테아레이트 (n-옥타데카노에이트), 칼륨 벤조에이트, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 칼륨 발레레이트 (n-펜타노에이트), 칼륨 네오-펜타노에이트, 칼륨 카프로네이트 (n-헥사노에이트), 칼륨 n-헵타노에이트, 칼륨 카프릴레이트 (n-옥타노에이트), 칼륨 2-에틸헥사노에이트, 칼륨 n-노나노에이트, 칼륨 카프레이트 (n-데카노에이트), 칼륨 n-운데카노에이트, 칼륨 라우레이트 (n-도데카노에이트), 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 또 다른 비-제한적 실시태양들에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 소듐 아세테이트; 달리, 소듐 프로피오네이트; 달리, 소듐 n-부티레이트; 달리, 소듐 이소부티레이트; 달리, 소듐 발레레이트 (n-펜타노에이트); 달리, 소듐 네오-펜타노에이트; 달리, 소듐 카프로네이트 (n-헥사노에이트); 달리, 소듐 n-헵타노에이트; 달리, 소듐 카프릴레이트 (n-옥타노에이트); 달리, 소듐 2-에틸헥사노에이트; 달리, 소듐 n-노나노에이트; 달리, 소듐 카프레이트 (n-데카노에이트); 달리, 소듐 n-운데카노에이트; 달리, 소듐 라우레이트 (n-도데카노에이트); 달리, 소듐 스테아레이트 (n-옥타데카노에이트); 달리, 소듐 벤조에이트; 달리, 칼륨 아세테이트; 달리, 칼륨 프로피오네이트; 달리, 칼륨 n-부티레이트; 달리, 칼륨 이소부티레이트; 달리, 칼륨 발레레이트 (n-펜타노에이트); 달리, 칼륨 네오-펜타노에이트; 달리, 칼륨 카프로네이트 (n-헥사노에이트); 달리, 칼륨 n-헵타노에이트; 달리, 칼륨 카프릴레이트 (n-옥타노에이트); 달리, 칼륨 2-에틸헥사노에이트; 달리, 칼륨 n-노나노에이트; 달리, 칼륨 카프레이트 (n-데카노에이트); 달리, 칼륨 n-운데카노에이트; 달리, 칼륨 라우레이트 (n-도데카노에이트); 달리, 칼륨 스테아레이트 (n-옥타데카노에이트); 또는 달리, 칼륨 벤조에이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
비-제한적 실시태양에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 소듐 또는 칼륨 벤조에이트, 소듐 또는 칼륨 메틸벤조에이트, 소듐 또는 칼륨 디-메틸벤조에이트, 소듐 또는 칼륨 나프테네이트, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 소듐 벤조에이트, 소듐 메틸벤조에이트, 소듐 디-메틸벤조에이트, 소듐 나프테네이트, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 칼륨 벤조에이트, 칼륨 메틸벤조에이트, 칼륨 디메틸벤조에이트, 칼륨 나프테네이트, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 비-제한적 실시태양들에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 소듐 벤조에이트; 달리, 소듐 메틸벤조에이트; 달리, 소듐 디메틸벤조에이트; 달리, 소듐 나프테네이트; 달리, 칼륨 벤조에이트; 달리, 칼륨 메틸벤조에이트; 달리, 칼륨 디메틸벤조에이트; 또는 달리, 칼륨 나프테네이트이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 실질적으로 무수; 또는 달리, 무수이다. 일부 실시태양들에서 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 물 함량은 100 ppm 이하; 달리, 90 ppm 이하; 달리, 80 ppm 이하; 달리, 70 ppm 이하; 달리, 60 ppm 이하; 달리, 50 ppm 이하; 달리, 40 ppm 이하; 달리, 30 ppm 이하; 달리, 20 ppm 이하; 달리, 10 ppm 이하; 달리, 9 ppm 이하; 달리, 8 ppm 이하; 달리, 7 ppm 이하; 달리, 6 ppm 이하; 달리, 5 ppm 이하; 달리, 4 ppm 이하; 달리, 3 ppm 이하; 달리, 2 ppm 이하; 또는 달리, 1 ppm 이하이다. 일반적으로, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 물 함량은 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 중 물 ppm (중량기준)에 기초한다. 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트에 존재하는 물은 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 불순물들 및/또는 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 중 공극수 형태일 수 있다는 점에 주목하여야 한다.
일 양태에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 실질적으로 무-산이다. 일부 실시태양들에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 산 함량은 1000 ppm 이하; 달리, 750 ppm 이하; 달리, 500 ppm 이하; 또는 달리, 250 ppm 이하이다. 다른 실시태양들에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 산 함량은 100 ppm 이하; 달리, 90 ppm 이하; 달리, 80 ppm 이하; 달리, 70 ppm 이하; 달리, 60 ppm 이하; 달리, 50 ppm 이하; 달리, 40 ppm 이하; 달리, 30 ppm 이하; 달리, 20 ppm 이하; 달리, 10 ppm 이하; 달리, 9 ppm 이하; 달리, 8 ppm 이하; 달리, 7 ppm 이하; 달리, 6 ppm 이하; 달리, 5 ppm 이하; 달리, 4 ppm 이하; 달리, 3 ppm 이하; 달리, 2 ppm 이하; 또는 달리, 1 ppm 이하이다. 일반적으로, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 산 함량은 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 산 ppm (중량기준)에 기초한다. 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트에 존재하는 산은 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 불순물들 및/또는 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 중 간극산 형태일 수 있다는 것에 주목하여야 한다.
일 양태에서, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 접촉 단계에서 사용되는 용매는 본 방법에 적합한 임의의 용매이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 접촉 단계에서 사용되는 용매는, 비양자성 용매이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 접촉 단계에서 사용되는 용매는, 비-극성 용매, 비양자성 극성 용매, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 비-극성 용매 및 비양자성 극성 용매의 조합; 달리, 비-극성 용매; 또는 달리, 비양자성 극성 용매이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 용매들 (비양자성, 비-극성, 및/또는 비양자성 극성)은 독립적으로 본원에 기재되고 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 접촉단계에서 활용되는 용매를 더욱 기술하기 위하여 제한없이 활용될 수 있다.
실시태양에서, 비-극성 용매는 탄화수소, 할로겐화 탄화수소, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 탄화수소; 또는 달리, 할로겐화 탄화수소이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 탄화수소 용매들 및 할로겐화 탄화수소 용매들은 독립적으로 본원에 기재되고 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 접촉단계에서 용매로서 제한없이 이용된다.
실시태양에서, 비양자성 극성 용매는 본원에 기재된 중성 리간드로 활용되는 임의의 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 비양자성 극성 용매는 사용되는 전이금속 전구체의 중성 리간드로 활용되는 동일 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 비양자성 극성 용매는 사용되는 전이금속 전구체의 중성 리간드로 활용되는 것과 상이한 화합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 크롬 전구체가 중성 리간드를 가지지 않는 양태들 및 실시태양들에서, 비양자성 극성 용매는 전이금속 전구체에 대한 중성 리간드로 사용 가능한 본원에 기재된 임의의 화합물(들)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 중성 리간드로 활용되는 화합물들은 독립적으로 본원에 기재되고 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 접촉단계에서 용매로서 제한없이 이용된다.
일 양태에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 용매는 실질적으로 무수; 또는 달리, 무수이다. 일부 실시태양들에서 용매의 물 함량은 100 ppm 이하; 달리, 90 ppm 이하; 달리, 80 ppm 이하; 달리, 70 ppm 이하; 달리, 60 ppm 이하; 달리, 50 ppm 이하; 달리, 40 ppm 이하; 달리, 30 ppm 이하; 달리, 20 ppm 이하; 달리, 10 ppm 이하; 달리, 9 ppm 이하; 달리, 8 ppm 이하; 달리, 7 ppm 이하; 달리, 6 ppm 이하; 달리, 5 ppm 이하; 달리, 4 ppm 이하; 달리, 3 ppm 이하; 달리, 2 ppm 이하; 또는 달리, 1 ppm 이하이다. 일반적으로, 용매의 물 함량은 용매 중 물 ppm (중량기준)에 기초한다.
일 양태에서, 본원에 개시되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서 활용되는 용매는 실질적으로 무-산이다. 일부 실시태양들에서, 용매의 산 함량은 1000 ppm 이하; 달리, 750 ppm 이하; 달리, 500 ppm 이하; 또는 달리, 250 ppm 이하이다. 다른 실시태양들에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트의 산 함량은 100 ppm 이하; 달리, 90 ppm 이하; 달리, 80 ppm 이하; 달리, 70 ppm 이하; 달리, 60 ppm 이하; 달리, 50 ppm 이하; 달리, 40 ppm 이하; 달리, 30 ppm 이하; 달리, 20 ppm 이하; 달리, 10 ppm 이하; 달리, 9 ppm 이하; 달리, 8 ppm 이하; 달리, 7 ppm 이하; 달리, 6 ppm 이하; 달리, 5 ppm 이하; 달리, 4 ppm 이하; 달리, 3 ppm 이하; 달리, 2 ppm 이하; 또는 달리, 1 ppm 이하이다. 일반적으로, 용매의 산 함량은 용매의 산 ppm (중량기준)에 기초한다.
일 양태에서, 본 발명은 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법을 기술하고, 이는: 1) 크롬 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 3) 용매를 접촉하여 크롬 카르복실레이트를 형성하는 단계로 구성된다. 다른 양태에서, 본 발명은 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법을 기술하고, 이는: 1) 크롬 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 3) 용매를 접촉하여 용액 크롬 카르복실레이트 포함 용액을 형성하는 단계로 구성된다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법은: a) 1) 크롬 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트, 및 3) 용매를 접촉하여 크롬 C3-C25 카르복실레이트를 형성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법은: a) 1) 크롬 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트, 및 3) 용매를 접촉하여 크롬 C3-C25 카르복실레이트 포함 용액을 형성하는 단계로 구성된다. 크롬 전구체 (예를들면 무엇보다도 본원에 개시되는 크롬(III) 전구체,), 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 (예를들면 무엇보다도 본원에 개시되는 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트,), 및 용매는 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법의 독립적인 요소들이다. 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법은 본원에 기재된 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 또는 본원에 기재된 용매의 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 임의의 조합으로 기술된다.
일 양태에서, 크롬 카르복실레이트 생성방법에 사용되는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)는 실질적으로 무수 크롬 전구체, 달리, 실질적으로 무-산 크롬 전구체; 또는 달리, 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산 크롬 전구체이다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 생성방법에 사용되는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)는 본원에 개시되는 임의의 크롬 전구체 물 함량을 가진다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 생성방법에 사용되는 크롬 전구체 (일반 또는 특정)는 본원에 개시되는 임의의 크롬 전구체 산 함량을 가진다.
일 양태에서, 크롬 카르복실레이트 생성방법에 사용되는 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)는 실질적으로 무수 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트; 달리, 실질적으로 무-산 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트; 또는 달리, 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트이다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 생성방법에 사용되는 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)는 본원에 개시되는 임의의 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 물 함량을 가진다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 생성방법에 사용되는 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)는 본원에 개시되는 임의의 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 산 함량을 가진다.
일 양태에서, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 접촉단계에서 활용되는 용매는 실질적으로 무수; 달리, 실질적으로 무-산; 또는 달리, 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산이다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 생성방법에 사용되는 용매는 본원에 개시되는 임의의 용매 물 함량을 가진다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 생성방법에 사용되는 용매는 본원에 개시되는 임의의 용매 산 함량을 가진다.
일 양태에서, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매는 실질적으로 무수 조건들; 또는 달리, 무수 조건들에서 접촉된다. 다른 양태에서, 크롬 카르복실레이트는 실질적으로 무수 조건들; 또는 달리, 무수 조건들에서 형성된다. 일 양태에서, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매는 실질적으로 무-산 조건들; 또는 달리, 약산 (acid-under) 조건들에서 접촉도니다. 다른 양태에서, 크롬 카르복실레이트는 실질적으로 무-산 조건들; 또는 달리, 무-산 조건들에서 형성된다. 실시태양에서, 각각의 크롬 전구체들, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매는 독립적으로 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매에 대하여 본원에 개시되는 임의의 물 함량을 가진다. 일 양태에서, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매는 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산 조건들; 또는 달리, 무수 및 무-산 조건들에서 접촉된다. 다른 양태에서, 크롬 카르복실레이트는 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산 조건들; 또는 달리, 무수 및 무-산 조건들에서 형성된다. 일 양태에서, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매는 실질적으로 무-산 조건들; 또는 달리, 약산 조건들에서 접촉된다.
일 양태에서, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매는 임의의 조합 또는 순서로 접촉된다. 실시태양에서, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매는 동시에 접촉된다. 실시태양에서, 크롬 전구체 및 용매는 접촉되어 혼합물을 형성하고, 및 혼합물은 연속적으로 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트와 접촉하고; 달리, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 및 용매는 접촉하여혼합물을 형성하고 혼합물은 연속적으로 크롬 전구체와 접촉하고; 또는 달리, 1) 크롬 전구체 및 일부 용매가 접촉하여 제1 혼합물을 형성하고, 2) 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 및 일부 용매가 접촉하여 제2 혼합물을 형성하고, 및 3) 접촉 제1 및 제2 혼합물들이 접촉한다. 일부 실시태양들에서, 제1 혼합물의 용매는 제2 혼합물의 용매와 동일하다. 다른 실시태양들에서, 용이매 제1 혼합물 및 제2 혼합물의 용매는 다르다.
일 양태에서, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 접촉 단계는 특정 유형의 접촉 또는 형성 방법, 특정 반응기, 또는 임의의 특정 공학 요건에 한정되지 않는다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 형성은 회분식 또는 연속식; 달리, 회분식; 또는 달리, 연속식으로 진행된다. 일부 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 형성은 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매로 구성되거나 실질적으로 이루어지는 슬러리 또는 혼합물에서 회분식으로 진행된다.
실시태양에서, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 임의의 조합은 40 °C 내지 200 °C; 달리, 40 °C 내지 150 °C; 달리, 40 °C 내지 100 °C; 달리, 20 °C 내지 80 °C; 또는 달리, 0 °C 내지 60 °C 범위에서 접촉된다. 실시태양에서, 크롬 전구체 (일반 또는 특정)는 크롬 전구체 및 용매가 접촉되는 온도에서 용매에 불용성; 달리, 크롬 전구체 및 용매가 접촉되는 온도에서 용매에 부분 가용성; 또는 달리, 크롬 전구체 및 용매가 접촉되는 온도에서 용매에 가용성이다. 실시태양에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정) 는 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 및 용매가 접촉되는 온도에서 용매에 불용성; 달리, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 및 용매가 접촉되는 온도에서 용매에 부분 가용성; 또는 달리, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 및 용매가 접촉되는 온도에서 용매에 가용성이다.
실시태양에서, 크롬 전구체 및 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 임의의 적합한 크롬 전구체 대 카르복실레이트기 당량비로 접촉된다.
일 양태에서, 크롬 카르복실레이트는 크롬 카르복실레이트 형성에 적합한 조건들에서 형성된다. 크롬 카르복실레이트 형성 가능 조건들은, 기타 조건들보다도 온도, 시간, 압력, 크롬 전구체 대 카르복실레이트기 비율 (몰 또는 당량), 및/또는 임의의 이들의 조합을 포함한다. 이러한 크롬 카르복실레이트 형성 조건들은 독립적으로 본원에 기재되고 크롬 카르복실레이트 조성물 생성방법을 더욱 기술하기 위하여 임의의 호환 조합으로 활용된다.
일 양태에서, 크롬 전구체 및 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 임의의 적합한 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 카르복실레이트기 대 크롬 전구체 크롬의 당량비 (즉 카르복실레이트기 대 크롬 당량비)에서 접촉된다. 실시태양에서, 카르복실레이트기 대 크롬 당량비는 광범위한 카르복실레이트기 대 크롬 당량비들을 가진다. 실시태양에서, 카르복실레이트기 대 크롬 당량비에 대한 임의의 범위에서 최소 당량비는 0.95:1; 달리, 1:1; 달리, 1.03:1; 또는 달리, 1.05:1이다. 실시태양에서, 카르복실레이트기 대 크롬 당량비에 대한 임의의 범위에서 최대 당량비는 1.3:1; 달리, 1:25; 달리, 1.2:1; 또는 달리, 1.15:1이다. 실시태양에서, 카르복실레이트기 대 크롬 당량비의 범위는 본원에 기재된 임의의 최소 카르복실레이트기 대 크롬 당량비 내지 본원에 기재된 임의의 최대 크롬 카르복실레이트기 대 크롬 당량비이다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 카르복실레이트기 대 크롬 당량비의 범위는 0.95:1 내지 1.3:1; 달리, 1:1 내지 1.25:1; 달리, 1:1 내지 1.2:1; 달리, 1.03:1 내지 1.25:1; 달리, 1.03:1 내지 1.2:1; 달리, 1.05:1 내지 1.2:1; 또는 달리, 1.05:1 내지 1.15:1이다. 기타 카르복실레이트기 대 크롬 당량비의 범위들은 본 발명에서 쉽게 명확해진다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 카르복실레이트기 대 크롬 당량비는 약 1.1:1이다. 일반적으로, +x 산화상태의 크롬은 x 당량의 전이금속을 가진다. 일반적으로, r 카르복실레이트기들을 가지는 카르복실레이트는 r 당량의 카르복실레이트기들을 가진다.
일 양태에서, 크롬 전구체 및 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 임의의 적합한 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 카르복실레이트기 대 크롬 전구체 크롬의 몰비 (즉 카르복실레이트기 대 크롬 몰비)에서 접촉된다. 실시태양에서, 카르복실레이트기 대 크롬 몰비는 광범위한 카르복실레이트기 대 크롬 몰비들을 가진다. 일반적으로, 카르복실레이트기 대 크롬 몰비 및 카르복실레이트기 대 크롬 당량비는 크롬 전구체의 크롬 산화상태와 관련되어 사용되는 카르복실레이트기 몰수는 x * 카르복실레이트기 중 카르복실레이트기들의 개수 대 크롬의 당량비와 같다. 실시태양에서, 카르복실레이트기 대 크롬 몰비의 임의의 범위에 대한 최소 몰비는 0.95*x:1; 달리, 1*x:1; 달리, 1.03*x:1; 또는 달리, 1.05*x:1. 실시태양에서, 카르복실레이트기 대 크롬 몰비의 임의의 범위에 대한 최대 몰비는 1.3*x:1; 달리, 1*x:25; 달리, 1.2*x:1; 또는 달리, 1.15*x:1. 실시태양에서, 카르복실레이트기 대 크롬 몰비의 범위는 본원에 기재된 임의의 최소 카르복실레이트기 대 크롬 몰비 내지 본원에 기재된 임의의 최대 크롬 몰비이다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 카르복실레이트기 대 크롬 몰비 범위는 0.95*x:1 내지 1.3*x:1; 달리, 1*x:1 내지 1.25*x:1; 달리, 1*x:1 내지 1.2*x:1 ; 달리, 1.03*x:1 내지 1.25*x:1; 달리, 1.03*x:1 내지 1.2*x:1 ; 달리, 1.05*x:1 내지 1.2*x:1; 또는 달리, 1.05*x:1 내지 1.15*x:1이다. 다른 비-제한적 실시태양에서, 카르복실레이트기 대 크롬 당량비는 약 1.1*x:1 이다. 기타 카르복실레이트기 대 크롬 몰비 범위들은 본 발명에서 명백하다.
실시태양에서, 크롬 카르복실레이트는 40 °C 내지 200 °C; 달리, 40 °C 내지 150 °C; 달리, 40 °C 내지 100 °C; 달리, 20 °C 내지 80 °C; 또는 달리, 0 °C 내지 60 °C에서 형성된다. 실시태양에서, 크롬 전구체 (일반 또는 특정)는 크롬 카르복실레이트가 형성되는 온도에서 용매에 불용성; 달리, 크롬 카르복실레이트가 형성되는 온도에서 용매에 부분 가용성; 또는 달리, 크롬 카르복실레이트가 형성되는 온도에서 용매에 가용성이다. 실시태양에서, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)는 크롬 카르복실레이트가 형성되는 온도에서 용매에 불용성; 달리, 크롬 카르복실레이트가 형성되는 온도에서 용매에 부분 가용성; 또는 달리, 크롬 카르복실레이트가 형성되는 온도에서 용매에 가용성이다. 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 임의의 조합이 접촉되는 온도 및 크롬 카르복실레이트 형성 온도는 서로 독립적이다. 접촉 온도 및 형성 온도가 다를 때, 이는 크롬 카르복실레이트 형성이 접촉 온도 또는 접촉 온도 및 형성 온도 사이에서 개시될 수 없다는 것을 의미하지 않는다는 것에 주목하여야 한다. 형성 온도는 단지 일부 포인트에서 크롬 카르복실레이트 일부가 상기 형성 온도에서 형성된다는 것을 의미한다. 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매가 하나의 온도 (크롬 카르복실레이트 형성이 서서히 진행)에서 접촉한 후 크롬 카르복실레이트가 제2 온도에서 형성될 수 있다는 것에 주목하여야 한다 (또는 달리, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매로 구성되거나, 실질적으로 이루어지거나, 이루어진 혼합물이 크롬 카르복실레이트 형성을 위한 제2 온도에 노출).
일 양태에서, 크롬 카르복실레이트 형성 시간 (또는 달리, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 접촉 시간)은 적어도 0.1 시간; 달리, 적어도 0.15 시간; 달리, 적어도 0.2 시간; 달리, 적어도 0.25 시간; 달리, 적어도 0.3 시간; 달리, 적어도 0.35 시간; 달리, 적어도 0.45, 시간; 또는 달리, 적어도 0.5 시간이다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 최대 형성 시간 (또는 달리, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 접촉 시간)은 168 시간; 달리, 144 시간; 달리, 120 시간; 달리, 96 시간; 달리, 72 시간; 달리, 48 시간; 달리, 36 시간; 달리, 24 시간; 달리, 18 시간; 달리, 15 시간; 달리, 12 시간; 달리, 9 시간; 달리, 8 시간; 또는 달리, 7 시간이다. 일부 실시태양들에서, 크롬(III) 할라이드 착체 형성 가능 조건은 본원에 개시되는 임의의 최소 크롬 카르복실레이트 형성 시간 (또는 달리, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매 접촉 시간) 내지 본원에 기재된 임의의 최대 크롬 카르복실레이트 형성 시간 (또는 달리, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매 접촉 시간) 범위의 크롬 카르복실레이트 형성 시간 (또는 달리, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 접촉 시간)을 포함한다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 형성 시간 (또는 달리, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매 접촉 시간)은 0.1 시간 내지 168 시간; 달리, 0.1 시간 내지 120 시간; 달리, 0.25 시간 내지 72 시간; 달리, 0.4 시간 내지 36 시간; 달리, 0.5 시간 내지 24 시간; 또는 달리, 0.5 시간 내지 24 시간이다. 기타 크롬 카르복실레이트 형성 시간 (또는 달리, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매 접촉 시간) 범위들은 본 발명에서 명백해진다.
일 양태에서, 크롬 카르복실레이트는 크롬 카르복실레이트 형성 가능 임의의 압력에서 형성된다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 형성 가능 조건들은 대기압 (즉 약 14.7 psi 또는 약 101 kPa)을 포함한다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 형성 가능 조건은 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매로 구성되는 접촉 혼합물을 대기압보다 높은 압력을 가하는 것을 포함한다. 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 형성 가능 조건은 적어도 대기압; 달리, 대기압보다 적어도 2 psi (14 kPa) 큰; 달리, 대기압보다 적어도 5 psi (34 kPa) 큰; 달리, 대기압보다 적어도 10 psi (69 kPa) 큰; 또는 달리, 대기압보다 적어도 15 psi (103 kPa) 큰 압력을 포함한다. 일부 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 형성 가능 조건은 용매를 액체 상태로 유지할 수 있는 압력을 포함하고; 달리, 용매를 액체 상태로 유지할 수 있는 압력보다 적어도 2 psi (14 kPa) 큰; 달리, 용매를 액체 상태로 유지할 수 있는 압력보다 적어도 5 psi (34 kPa) 큰; 달리, 용매를 액체 상태로 유지할 수 있는 압력보다 적어도 10 psi (69 kPa) 큰; 또는 달리, 용매를 액체 상태로 유지할 수 있는 압력보다 적어도 15 psi (103 kPa) 크다. 다른 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 형성 가능 조건은 최대 압력 500 psi (3.4 mPa); 달리, 400 psi (2.8 mPa); 달리, 250 psi (1.7 mPa); 달리, 200 psi (1.4 mPa); 달리, 150 psi (1.0 mPa); 달리, 100 psi (689 kPa); 또는 달리, 50 psi (345 kPa)을 포함한다. 또 다른 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 형성 가능 조건의 압력 범위는 본원에 개시되는 임의의 최소 크롬 카르복실레이트 형성 압력 내지 본원에 기재된 임의의 최대 크롬 카르복실레이트 형성 압력이다. 일부 비-제한적 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 형성 가능 조건의 압력은 대기압 내지 500 psi (3.4 mPa); 달리, 대기압보다 적어도 2 psi (14 kPa) 큰 압력 내지 500 psi (3.4 mPa); 달리, 용매를 액체 상태로 유지할 수 있는 압력보다 적어도 5 psi (34 kPa) 큰 압력 내지 500 psi (3.4 mPa)이다. 크롬 카르복실레이트 형성 가능 조건인 기타 압력 범위들은 본 발명에서 명백해진다.
실시태양에서, 실질적으로 건조 (또는 달리, 건조) 분위기에서 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매의 임의의 조합이 접촉되고 및/또는 크롬 카르복실레이트가 형성된다. 실시태양에서, 실질적으로 건조 (또는 달리, 건조) 분위기는 질소, 아르곤, 헬륨, 산소, 또는 임의의 이들의 조합; 또는 달리, 질소, 아르곤, 헬륨, 또는 임의의 이들의 조합을 포함한다. 일부 실시태양들에서, 실질적으로 건조 분위기는 실질적으로 건조 질소, 실질적으로 건조 아르곤, 실질적으로 건조 헬륨, 또는 실질적으로, 건조공기; 달리, 실질적으로 건조 질소; 달리, 실질적으로 건조 아르곤; 달리, 실질적으로 건조 헬륨; 또는 달리, 실질적으로, 건조공기이다. 다른 실시태양들에서, 건조 분위기 건조 질소, 건조 아르곤, 건조 헬륨, 또는 건조공기; 달리 건조 질소; 달리, 건조 아르곤; 달리, 건조 헬륨; 또는 달리, 건조공기이다. 일부 실시태양들에서, 물 100 ppm 이하; 달리, 물 90 ppm 이하; 달리, 물 80 ppm 이하; 달리, 물 70 ppm 이하; 달리, 물 60 ppm 이하; 달리, 물 50 ppm 이하; 달리, 물 40 ppm 이하; 달리, 물 30 ppm 이하; 달리, 물 20 ppm 이하; 달리, 물 10 ppm 이하; 달리, 물 9 ppm 이하; 달리, 물 8 ppm 이하; 달리, 물 7 ppm 이하; 달리, 물 6 ppm 이하; 달리, 물 5 ppm 이하; 달리, 물 4 ppm 이하; 달리, 물 3 ppm 이하; 달리, 물 2 ppm 이하; 또는 달리, 물 1 ppm 이하 함유 분위기 (any 본원에 기재된)에서 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매가 접촉되고 및/또는 크롬 카르복실레이트는 형성된다. 일반적으로, 분위기에 존재하는 물 함량은 중량기준으로 제공된다.
일 양태에서, 방법은 크롬 카르복실레이트 조성물을 제공하기 위한 용매 증발 단계를 더욱 포함한다. 다른 양태에서, 방법은 크롬 카르복실레이트 조성물을 제공하기 위하여 크롬 카르복실레이트 포함 용액에서 용매를 증발하는 단계를 더욱 포함한다. 실시태양에서, 방법은 여과액 생성을 위한 크롬 카르복실레이트 포함 용액 여과 단계 및 이후 여과액으로부로 용매 증발단계를 더욱 포함한다. 실시태양에서, 방법은 크롬 카르복실레이트 포함 용액 경사분리단계 및 용매 증발단계를 더욱 포함한다. 일반적으로, 여과단계 및 경사분리단계로 크롬 카르복실레이트 포함 용액에 존재하는 적어도 일부 임의의 불용성 미립자들을 제거한다. 용매를 증발하여 크롬 카르복실레이트 조성물을 생성한다. 크롬 카르복실레이트 조성물이 본원에 기재된 임의의 방법으로 정제되는 일부 실시태양들에서, 이러한 제1 크롬 카르복실레이트를 조질 크롬 카르복실레이트 조성물이라고 칭한다. 다중 정제 및 또는 분리 단계들이 수행되면, 다양한 크롬 카르복실레이트 조성물들은 용어 “크롬 카르복실레이트”에 예컨대 제1, 제2, 제3, 기타 등의 선행어를 지정하여 구분한다.
일 양태에서, 조질 크롬 카르복실레이트 조성물는 정제된다 purified. 일부 실시태양들에서, 조질 크롬 카르복실레이트 조성물은 크롬 카르복실레이트 조성물을 용매에 용해시키고, 용해된 크롬 카르복실레이트 조성물 함유 용액을 여과하여 여과액을 제공하고, 여과액에서 용매를 증발시킴으로써 크롬 카르복실레이트 조성물을 분리하여 정제된다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 조성물 용해에 사용되는 용매는 비양자성 용매; 달리, 비양자성 극성 용매; 달리, 비-극성 용매; 달리, 비-배위용매이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 양태에서, 크롬 카르복실레이트 조성물은, 실질적으로 크롬 카르복실레이트 조성물은 불용성이지만 크롬 카르복실레이트 조성물 내의 불순물들은 가용성인 용매와 크롬 카르복실레이트 조성물을 접촉시키고 용액을 여과하여 크롬 카르복실레이트 조성물을 회수함으로써 정제된다. 또 다른 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 조성물은 용매로부터 재결정된다. 일부 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 조성물 정제에 사용되는 용매는 비양자성 용매; 달리, 비양자성 극성 용매; 달리, 비양자성 비-극성 용매; 또는 달리, 비-배위용매이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 크롬 카르복실레이트 조성물은 본원에 기재된 크롬 카르복실레이트 조성물 정제 방법들의 하나 또는 임의의 조합으로 정제된다.
본 명세서 및 청구범위에서 사용되는, 용어 “실질적으로 불용성”이란 용매 및 크롬 카르복실레이트가 접촉하는 온도에서 5 그램 이하의 물질 (예를들면 크롬 카르복실레이트 조성물)이 200 mL 용매에 녹는 것이다. 본 명세서 및 청구범위에서 사용되는, 용어 “가용성”이란 용매 및 크롬 카르복실레이트가 접촉하는 온도에서 80 그램 이상의 물질이 200 mL 용매에 녹는 것이다. 본 명세서 및 청구범위에서 사용되는 용어 “부분 가용성”이란 5 내지 80그램의 물질이 200 mL 용매에 녹는 것이다.
용매가 증발되는 임의의 실시태양에서, 용매 증발은 당업자에게 알려진 임의의 방법으로 수행된다. 일부 실시태양들에서, 용매를 주변 온도 (15-35 °C - 외부 열원 미적용)에서 증발시킨다. 다른 실시태양들에서, 용매를 온화하게 가열하면서 (예를들면 25 °C 내지 100 °C) 증발시킨다. 추가 실시태양들에서, 용매를 주변 온도에서 감압하에 증발시킨다. 또 다른 실시태양들에서, 용매를 온화하게 가열하면서 감압하에 증발시킨다. 용매가 감압하에서 증발되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양에서, 증발은 600 Torr 미만; 달리, 500 Torr 미만; 달리, 400 Torr 미만; 달리, 300 Torr 미만; 달리, 200 Torr 미만; 달리, 150 torr 미만; 달리, 100 Torr 미만; 달리, 75 Torr 미만; 달리, 50 Torr 미만; 달리, 25 Torr 미만; 달리 20 Torr 미만; 달리, 15 미만; 달리, 10 Torr 미만; 달리, 5 Torr 미만; 또는 달리, 1 Torr 미만에서 수행된다. 실시태양에서, 용매 증발 (수행방법 또는 단계와 무관하게)은 적어도 50, 60, 70, 75, 80, 85, 90, 95, 96, 97, 98, 또는 99 중량%의 용매를 제거한다.
본원에 개시되는 임의의 양태 및 임의의 실시태양에서, 본원에 기재된 임의의 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법은 크롬 카르복실레이트 조성물의1족 또는 2족 금속량을 감소시키는 단계를 포함한다. 본원에 개시되는 임의의 양태 및 임의의 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 조성물1족 또는 2족 금속량은 크롬 카르복실레이트 조성물을 히드로카르빌실릴 할라이드과 접촉시킴으로써 감소된다. 일부 양태들에서 및 실시태양들, 크롬 카르복실레이트 조성물의1족 또는 2족 금속량은 크롬 카르복실레이트 조성물을 알킬실릴 할라이드와 접촉시킴으로써 감소된다. 일부 실시태양들에서, 크롬 카르복실레이트 조성물 및 히드로카르빌실릴 할라이드 (또는 알킬실릴 할라이드)는 용매에 접촉된다. 실시태양에서, 크롬 카르복실레이트 조성물 및 히드로카르빌실릴 할라이드가 접촉되는 용매는 비양자성 용매; 달리, 비양자성 극성 용매; 달리, 비-극성 용매; 또는 달리, 비-배위용매이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 용매들은 본원에 기재되고 접촉 크롬 카르복실레이트 조성물 및 히드로카르빌실릴 할라이드 (또는 알킬실릴 할라이드)의 접촉 요건을 충족하는 적합한 분류 (또는 특정 용매들)는 제한없이 이용된다. 크롬 카르복실레이트 조성물 및 히드로카르빌실릴 할라이드 (또는 알킬실릴 할라이드) 접촉 후, 형성된 용액을 여과하여 형성된 1족 또는 2족 금속 할라이드 염을 제거한다. 1족 또는 2족 금속염 제거 후, 크롬 카르복실레이트 조성물은 분리 및 선택적으로 정제된다. 크롬 카르복실레이트 조성물 분리 및/또는 정제 방법들은 본원에 기재된다. 일반적으로, 크롬 카르복실레이트 조성물 중 1족 또는 2족 금속량 감소방법은 본원에 기재된 임의의 일반 또는 특정크롬 카르복실레이트 조성물 (예를들면 크롬(III) 카르복실레이트 조성물)에 활용될 수 있다.
실시태양에서, 히드로카르빌실릴 할라이드는 히드로카르빌실릴 트리할라이드, 디히드로카르빌실릴 디할라이드, 트리히드로카르빌실릴 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 히드로카르빌실릴 트리할라이드; 달리, 디히드로카르빌실릴 디할라이드; 또는 달리, 트리히드로카르빌실릴 할라이드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 히드로카르빌실릴 할라이드는 알킬실릴 트리할라이드, 디알킬실릴 디할라이드, 트리알킬실릴 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 알킬실릴 트리할라이드; 달리, 디알킬실릴 디할라이드; 또는 달리, 트리알킬실릴 할라이드. 히드로카르빌기이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다, 알킬기들, 및 할라이드들은 치환된 시클로알킬기들, 치환된 방향족기, 치환된 아릴기, 및 치환된 아르알킬기들 (다른 기들 보다도)에 대한 치환기들로서 본원에 기재된다. 이러한 히드로카르빌기들, 알킬기들, 및 할라이드들은 본원에 기재된 임의의 히드로카르빌실릴 할라이드 또는 알킬실릴 할라이드에 대한 히드로카르빌기들, 알킬기들, 할라이드들로서 제한없이 이용된다. 비-제한적 실시태양에서, 히드로카르빌실릴 할라이드는 트리메틸클로로실란이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법이 용매를 이용하는 다중 단계들로 구성될 때, 각각의 특정 단계에서 이용되는 용매는 “용매”에 선행어 (또는 구)를 붙여 제1, 제2, 제3, 및 기타 등으로 구분할 수 있다
크롬 카르복실레이트 조성물 특성들은 본원에 기재되고 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법 및 본 방법에 의해 생성되는 크롬 카르복실레이트 조성물을 기술하기 위하여 제한없이 이용된다.
비-제한적 양태에서, 본 발명은 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법을 제공한다. 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법은: 1) 크롬(III) 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 3) 용매를 접촉하여 크롬(III) 카르복실레이트를 형성하는 단계로 구성된다. 다른 실시태양에서, 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법은: 1) 크롬(III) 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 3) 용매를 접촉하여 크롬(III) 카르복실레이트 포함 용액을 형성하는 단계로 구성된다. 다른 실시태양들에서, 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법은: a) 1) 크롬(III) 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트, 및 용매를 접촉하여 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트를 형성하는 단계로 구성된다. 일부 실시태양들에서, 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법은: a) 1) 크롬(III) 전구체, 2) 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트, 및 용매를 접촉하여 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 포함 용액을 형성하는 단계로 구성된다. 크롬 (III) 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 (예를들면 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트), 및 용매는 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법의 독립적인 요소들이고 크롬(III) 카르복실레이트 제조방법은 본원에 기재된 임의의 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 본원에 기재된 크롬(III) 전구체, 본원에 기재된 크롬(III) 카르복실레이트, 및/또는 본원에 기재된 용매를 이용하여 기술된다. 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법은 본원에 기재된 크롬(III) 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및/또는 본원에 기재된 용매의 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 임의의 조합으로 기술된다. 기타 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법은 본 발명에 기초하여 명백해지고 고려된다.
실시태양에서, 크롬(III) 카르복실레이트 (일반 또는 특정) 생성방법에 활용되는 크롬(III) 전구체 (일반 또는 특정)는 크롬 전구체에 대하여 본원에 개시되는 임의의 물 함량 (실질적으로 무수 및 무수 포함) 및/또는 크롬 전구체에 대하여 본원에 개시되는 임의의 산 함량 (실질적으로 무-산, 및 무-산 포함)을 가진다. 다른 실시태양에서, 크롬(III) 카르복실레이트 (일반 또는 특정) 생성방법에 활용되는 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)는 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트에 대하여 본원에 개시되는 임의의 물 함량 (실질적으로 무수 및 무수 포함) 및/또는 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트에 대하여 본원에 개시되는 임의의 산 함량 (실질적으로 무-산, 및 무-산 포함)을 가진다. 또 다른 실시태양에서, 크롬(III) 카르복실레이트 생성방법에 이용되는 용매는, 용매에 대하여 본원에 개시되는 임의의 물 함량 (실질적으로 무수 및 무수 포함) 및/또는 용매에 대하여 본원에 개시되는 임의의 산 함량 (실질적으로 무-산, 및 무-산 포함)을 가진다. 실시태양에서, 크롬(III) 전구체 (일반 또는 특정) 및 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트 (일반 또는 특정)의 조합은 임의의 조합 방법 및/또는 조건들에서 진행되고, 크롬 전구체, 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트, 및 용매 조합에 대하여 본원에 기재된 임의의 혼합물 및/또는 용액을 형성한다. 또 다른 실시태양들에서, 크롬(III) 카르복실레이트는 크롬 카르복실레이트 형성에 대하여 본원에 기재된 임의의 조건으로 형성된다. 비-제한적 실시태양에서, 크롬(III) 전구체 및 1족 또는 2족 금속 카르복실레이트는 카르복실레이트기 대 크롬(III) 몰비 범위가 2.85:1 내지 3.9:1; 달리, 3:1 내지 3.75:1; 달리, 3:1 내지 3.6:1; 달리, 3.09:1 내지 3.75:1; 달리, 3.09:1 내지 3.6:1; 달리, 3.15:1 내지 3.6:1; 또는 달리, 3.15:1 내지 3.45:1에서 접촉된다. 크롬 카르복실레이트 조성물 제조방법의 기타 양태들 및 실시태양들 역시 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 제조방법에 제한없이 적용된다.
일 양태에서, 크롬(III) 카르복실레이트 조성물은 정제된다. 일부 실시태양들에서, 크롬(III) 카르복실레이트 조성물은 크롬(III) 카르복실레이트를 용매에 녹이고, 용해된 크롬(III) 카르복실레이트 함유 용액을 여과하여 여과액을 만들고, 분리 여과액에서 용매를 증발시켜 정제된 크롬(III) 카르복실레이트 조성물을 분리함으로써 정제된다. 실시태양에서, 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 용해에 이용되는 용매는 비양자성 용매; 달리, 비양자성 극성 용매; 달리, 비-극성 용매; 또는 달리, 비-배위용매이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 크롬(III) 금속 카르복실레이트 조성물이 실질적으로 불용성이고 크롬(III) 카르복실레이트 조성물의 불순물들은 가용성인 용매와 크롬(III) 카르복실레이트 조성물을 접촉시키고 용액을 여과하여 크롬(III) 카르복실레이트 조성물을 회수함으로써 크롬(III) 카르복실레이트 조성물은 정제된다. 또 다른 실시태양들에서, 크롬(III) 카르복실레이트 조성물은 용매에서 재결정될 수 있다. 일부 실시태양들에서, 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 정제에 이용되는 용매는 비양자성 용매; 달리, 비양자성 극성 용매; 달리, 비-극성 용매; 또는 달리, 비-배위용매이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일반적으로, 크롬(III) 카르복실레이트 조성물은 본원에 기재된 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 정제 방법들 중 하나 또는 임의의 조합으로 정제된다.
본원에 기재된 다양한 양태 및 실시태양들은 비-수소 치환체들 예컨대 무엇보다도 할로겐 (또는 할로, 할라이드), 히드로카르빌, 히드로카르복시, 알킬, 및/또는 알콕시 치환체들을 언급한다. 치환체가 필요한 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 비-수소 치환체들은 할라이드, C1 내지 C10 히드로카르빌기, 또는 C1 내지 C10 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 C1 내지 C10 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 C1 내지 C10 히드로카르복시기; 달리, C1 내지 C10 히드로카르빌기 또는 C1 내지 C10 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, C1 내지 C10 히드로카르빌기; 또는 달리, C1 내지 C10 히드로카르복시기이다. 다른 실시태양들에서, 치환체가 필요한 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 비-수소 치환체들은 할라이드, C1 내지 C5 히드로카르빌기, 또는 C1 내지 C5 히드로카르복시기; 달리, 할라이드 또는 C1 내지 C5 히드로카르빌기; 달리, 할라이드 또는 C1 내지 C5 히드로카르복시기; 달리, C1 내지 C5 히드로카르빌기 또는 C1 내지 C5 히드로카르복시기; 달리, 할라이드; 달리, C1 내지 C5 히드로카르빌기; 또는 달리, C1 내지 C5 히드로카르복시기이다.
실시태양에서, 치환체가 요구되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 임의의 할라이드 치환체는 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드, 또는 요오다이드; 달리, 플루오라이드 또는 클로라이드이다. 일부 실시태양들에서, 치환체가 요구되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 임의의 할라이드 치환체는 플루오라이드; 달리, 클로라이드; 달리, 브로마이드; 또는 달리, 요오다이드이다.
실시태양에서, 임의의 히드로카르빌 치환체는 알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기; 달리, 알킬기; 달리, 아릴기; 또는 달리, 아르알킬기이다. 일반적으로, 알킬 치환기(들), 아릴 치환기(들), 및/또는 아르알킬 치환기(들)는 본원에 개시되는 히드로카르빌 치환기와 동일 개수의 탄소원자들을 가진다. 실시태양에서, 치환체가 요구되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 임의의 알킬 치환체는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 2-펜틸기, 3-펜틸기, 2-메틸-1-부틸기, tert-펜틸기, 3-메틸-1-부틸기, 3-메틸-2-부틸기, 또는 네오-펜틸기; 달리, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, tert-부틸기, 또는 네오-펜틸기; 달리, 메틸기; 달리, 에틸기; 달리, 이소프로필기; 달리, tert-부틸기; 또는 달리, 네오-펜틸기이다. 실시태양에서, 치환체가 요구되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 임의의 아릴 치환체는 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 또는 2,4,6-트리메틸페닐기; 달리, 페닐기; 달리, 톨릴기; 달리, 자일릴기; 또는 달리, 2,4,6-트리메틸페닐기이다. 실시태양에서, 치환체가 필요한 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 임의의 아르알킬 치환체는 벤질기 또는 에틸페닐기 (2-페닐에트-1-일 또는 1-페닐에트-1-일); 달리, 벤질기; 달리, 에틸페닐기; 달리, 2-페닐에트-1-일기; 또는 달리, 1-페닐에트-1-일기이다.
실시태양에서, 치환체가 필요한 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 임의의 히드로카르복시 치환체는 알콕시기, 아릴옥시 기, 또는 아르알콕시기; 달리, 알콕시기; 달리, 아릴옥시 기, 또는 아르알콕시기이다. 일반적으로, 알콕시 치환기(들), 아록시 치환기(들), 및/또는 아르알콕시 치환기(들) 본원에 개시되는 히드로카르복시 치환기와 동일 개수의 탄소원자들을 가진다. 실시태양에서, 치환체가 요구되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 임의의 알콕시 치환체는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, sec-부톡시기, 이소부톡시기, tert-부톡시기, n-펜톡시기, 2-펜톡시기, 3-펜톡시기, 2-메틸-1-부톡시기, tert-펜톡시기, 3-메틸-1-부톡시기, 3-메틸-2-부톡시기, 또는 네오-펜톡시기; 달리, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로폭시기, tert-부톡시기, 또는 네오-펜톡시기; 달리, 메톡시기; 달리, 에톡시기; 달리, 이소프로폭시기; 달리, tert-부톡시기; 또는 달리, 네오-펜톡시기이다. 실시태양에서, 치환체가 요구되는 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 임의의 아릴옥시 치환체는 페녹시기, 톨록시기, 자일록시기, 또는 2,4,6-트리메틸페녹시기; 달리, 페녹시기; 달리, 톨록시기; 달리, 자일록시기; 또는 달리, 2,4,6-트리메틸페녹시기이다. 실시태양에서, 치환체가 필요한 임의의 양태 또는 임의의 실시태양의 임의의 아르알콕시 치환체는 벤족시기이다.
본원에 기재된 방법들은 하나 이상의 용매들을 이용한다. 본 발명의 양태들 및/또는 실시태양들에서 이용되는 용매들의 비-제한적 예시들은 탄화수소들, 할로겐화 탄화수소들, 에테르, 티오에테르, 니트릴, 아민, 포스핀, 포스파이트, 카보네이트, 에스테르, 케톤, 알데히드, 알코올들, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 탄화수소들, 할로겐화 탄화수소들, 에테르, 티오에테르, 니트릴, 아민, 포스핀, 포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합을 포함하지만 이에 국한되지 않는다. 일부 양태들및/또는 실시태양들에서, 방법은 극성 용매; 또는 달리, 비-극성 용매가 필요하다. 이용 가능한 극성 용매들은 제한됨이 없이 에테르, 티오에테르, 니트릴, 아민, 포스핀, 포스파이트, 카보네이트, 에스테르, 케톤, 알데히드, 알코올들, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 에테르, 티오에테르, 니트릴, 아민, 포스핀, 포스파이트, 또는 임의의 이들의 조합 달리, 에테르; 달리, 티오에테르; 달리, 니트릴; 달리, 아민; 달리, 포스핀; 또는 달리, 및 포스파이트를 포함한다. 일부 양태들 및 실시태양들에서, 방법은 비-극성 용매를 요구한다. 비-극성 용매들은 제한됨이 없이 탄화수소들, 할로겐화 탄화수소들, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 탄화수소; 또는 달리, 할로겐화 탄화수소을 포함한다. 기타 양태들 및/또는 실시태양들에서, 전이금속 카르복실레이트 조성물 제조방법에서다양한 공정 단계들, 분리 단계들, 및/또는 정제 단계들은 비양자성 용매를 이용한다. 본 발명의 다양한 양태들 및/또는 실시태양들에서 이용 가능한 비양자성 용매들은 탄화수소들, 할로겐화 탄화수소들, 에테르, 티오에테르, 에스테르, 케톤, 알데히드, 니트릴, 및 임의의 이들의 조합; 달리, 탄화수소들, 할로겐화 탄화수소들, 에테르, 티오에테르, 니트릴, 및 임의의 이들의 조합; 달리, 탄화수소들, 할로겐화 탄화수소들, 임의의 이들의 조합; 달리, 에테르, 에스테르, 케톤, 알데히드, 니트릴, 및 임의의 이들의 조합; 달리, 에테르, 니트릴, 및 임의의 이들의 조합; 달리, 탄화수소들; 달리, 할로겐화 탄화수소들; 달리, 에테르; 달리, 에스테르; 달리, 티오에테르, 달리, 케톤; 달리, 알데히드; 또는 달리, 니트릴을 포함한다. 일부 양태들 및/또는 실시태양들에서, 전이금속 카르복실레이트 조성물 제조방법에서 다양한 공정 단계들, 분리 단계들, 및/또는 정제 단계들은 비양자성 극성 용매를 이용한다. 이용 가능한 비양자성 극성 용매들은 에테르, 티오에테르, 에스테르, 케톤, 알데히드, 니트릴, 및 임의의 이들의 조합; 달리, 에테르, 티오에테르, 니트릴 및 임의의 이들의 조합; 달리, 에스테르, 케톤, 알데히드 및 이들의 혼합물; 달리, 에테르; 달리, 티오에테르, 달리, 에스테르; 달리, 케톤; 달리, 알데히드; 또는 달리, 니트릴을 포함한다. 일부 양태들에서, 비양자성 극성 용매는 본원에 개시되는 임의의 중성 리간드 (또는 중성 리간드들의 조합)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 양태들에서 및/또는 실시태양들, 전이금속 카르복실레이트 조성물 제조방법에서 다양한 공정 단계들, 분리 단계들, 및/또는 정제 단계들은 비-극성 용매를 이용한다. 본 발명의 다양한 양태들 및/또는 실시태양들에서 이용 가능한 비-극성 용매들은 탄화수소들, 할로겐화 탄화수소들, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 탄화수소들; 또는 달리, 할로겐화 탄화수소들을 포함한다. 기타 양태들 및/또는 실시태양들에서, 전이금속 카르복실레이트 조성물 제조방법에서 다양한 공정 단계들, 분리 단계들, 및/또는 정제 단계들은 배위용매를 이용한다. 본 발명의 다양한 양태들 및/또는 실시태양들에서 이용되는 배위용매들은 에테르, 에스테르, 케톤, 알데히드, 니트릴, 또는 이들의 혼합물; 달리, 에테르, 니트릴, 또는 이들의 혼합물; 달리, 에테르; 달리, 에스테르; 달리, 케톤; 달리, 알데히드; 또는 달리, 니트릴을 포함한다. 일부 양태들에서, 배위용매는 본원에 개시되는 임의의 중성 리간드 (또는 중성 리간드들의 조합)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 기타 양태들에서 및/또는 실시태양들, 전이금속 카르복실레이트 조성물 제조방법에서 다양한 공정 단계들, 분리 단계들, 및/또는 정제 단계들은 비-배위용매를 이용한다. 본 발명의 다양한 양태들 및/또는 실시태양들에서 활용되는 비-배위용매들은 탄화수소들, 할로겐화 탄화수소들, 또는 이의 혼합물; 달리, 탄화수소들; 달리, 할로겐화 탄화수소들을 포함한다.
에테르, 티오에테르, 니트릴, 아민, 포스핀, 및 포스파이트는 본원에 기재된다. 이들 에테르, 니트릴, 아민, 포스핀, 및 포스파이트는 본원에 기재된 특정 용매 분류의 멤버로서 제한없이 이용된다.
탄화수소들 및 할로겐화 탄화수소들은 지방족 탄화수소들, 방향족 탄화수소들, 석유증류물, 할로겐화 지방족 탄화수소들, 할로겐화 방향족 탄화수소들, 또는 이들의 조합; 또는 달리 지방족 탄화수소들, 방향족 탄화수소들, 할로겐화 지방족 탄화수소들, 할로겐화 방향족 탄화수소들, 및 이들의 조합을 포함한다. 일부 실시태양들에서, 탄화수소들 및 할로겐화 탄화수소들은 지방족 탄화수소들; 달리, 방향족 탄화수소들; 달리, 할로겐화 지방족 탄화수소들; 또는 달리, 할로겐화 방향족 탄화수소들을 포함한다.
일반 용매, 비-극성 용매, 및/또는 비-배위용매로 유용한 지방족 탄화수소들은 C4 내지 C20 지방족 탄화수소들; 달리 C4 내지 C15 지방족 탄화수소들; 또는 달리, C5 내지 C10 지방족 탄화수소들을 포함한다. 지방족 탄화수소들은 달리 특정되지 않는 한 환형 또는 비환형 및/또는 선형 또는 분지형이다. 일반 용매, 비-극성 용매, 및/또는 비-배위용매로 활용되는 적합한 비시클릭 지방족 탄화수소 용매들의 비-제한적 예시들은 이소-부탄, n-부탄, 부탄 (n-부탄 또는 선형 및 분지형 C4 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 펜탄 (n-펜탄 또는 선형 및 분지형 C5 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 헥산 (n-헥산 또는 선형 및 분지형 C6 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 헵탄 (n-헵탄 또는 선형 및 분지형 C7 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 옥탄 (n-옥탄 또는 선형 및 분지형 C8 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 및 임의의 이들의 조합; 달리, 이소-부탄, n-부탄, 부탄 (n-부탄 또는 선형 및 분지형 C4 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 펜탄 (n-펜탄 또는 선형 및 분지형 C5 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 헥산 (n-헥산 또는 선형 및 분지형 C6 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 헵탄 (n-헵탄 또는 선형 및 분지형 C7 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 옥탄 (n-옥탄 또는 선형 및 분지형 C8 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 및 임의의 이들의 조합; 달리, 이소-부탄, n-부탄, 부탄 (n-부탄 또는 선형 및 분지형 C4 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 펜탄 (n-펜탄 또는 선형 및 분지형 C5 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 헵탄 (n-헵탄 또는 선형 및 분지형 C7 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 옥탄 (n-옥탄 또는 선형 및 분지형 C8 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물), 및 임의의 이들의 조합; 달리, 이소-부탄; 달리, n-부탄; 달리, 부탄 (n-부탄 또는 선형 및 분지형 C4 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물); 달리, 펜탄 (n-펜탄 또는 선형 및 분지형 C5 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물); 달리, 헥산 (n-헥산 또는 선형 및 분지형 C6 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물); 달리, 헵탄 (n-헵탄 또는 선형 및 분지형 C7 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물); 또는 달리, 옥탄 (n-옥탄 또는 선형 및 분지형 C8 비시클릭 지방족 탄화수소들의 혼합물)을 포함한다. 비-배위용매로 활용되는 적합한 시클릭 지방족 탄화수소 용매들의 비-제한적 예시들은, 시클로헥산, 메틸 시클로헥산, 및 임의의 이들의 조합; 달리 시클로헥산; 또는 달리, 메틸시클로헥산을 포함한다.
일반 용매, 비-극성 용매, 및/또는 비-배위용매로 유용한 방향족 탄화수소들 C6 내지 C20 방향족 탄화수소들; 또는 달리, C6 내지 C10 방향족 탄화수소들을 포함한다. 일반 용매, 비-극성 용매, 및/또는 비-배위용매로 활용되는 적합한 방향족 탄화수소들의 비-제한적 예시들은 벤젠, 톨루엔, 자일렌 (오르토-자일렌, 메타-자일렌, 파라-자일렌, 또는 이들의 혼합물 포함), 및 에틸벤젠, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 벤젠; 달리, 톨루엔; 달리, 자일렌 (오르토-자일렌, 메타-자일렌, 파라-자일렌 또는 이들의 혼합물 포함); 또는 달리, 에틸벤젠을 포함한다.
일반 용매, 비-극성 용매, 및/또는 비-배위용매로 활용되는 할로겐화 지방족 탄화수소들은 C1 내지 C15 할로겐화 지방족 탄화수소들; 달리, C1 내지 C10 할로겐화 지방족 탄화수소들; 또는 달리, C1 내지 C5 할로겐화 지방족 탄화수소들을 포함한다. 할로겐화 지방족 탄화수소들은 달리 특정되지 않는 한 환형 또는 비환형 및/또는 선형 또는 분지형이다. 일반 용매, 비-극성 용매, 및/또는 비-배위용매로 활용되는 적합한 할로겐화 지방족 탄화수소들의 비-제한적 예시들은 메틸렌 클로라이드, 클로로포름, 탄소 테트라클로라이드, 디클로로에탄, 트리클로로에탄, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 메틸렌 클로라이드, 클로로포름, 디클로로에탄, 트리클로로에탄, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 메틸렌 클로라이드; 달리, 클로로포름; 달리, 탄소 테트라클로라이드; 달리, 디클로로에탄; 또는 달리, 트리클로로에탄을 포함한다. 일반 용매, 비-극성 용매, 및/또는 비-배위용매로 활용되는 할로겐화 방향족 탄화수소들은 C6 내지 C20 할로겐화 방향족 탄화수소들; 또는 달리, C6 내지 C10 할로겐화 방향족 탄화수소들을 포함한다. 일반 용매, 비-극성 용매, 및/또는 비-배위용매로 활용되는 적합한 할로겐화 방향족 탄화수소들의 비-제한적 예시들은 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 또는 임의의 이들의 조합; 달리 클로로벤젠; 또는 달리, 디클로로벤젠을 포함한다.
용매로 유용한 에테르, 티오에테르, 카보네이트, 에스테르, 케톤, 알데히드, 또는 알코올들은 C2 내지 C20 에테르, C2 내지 C20 티오에테르, C2 내지 C20 카보네이트, C2 내지 C20 에스테르, C2 내지 C20 케톤, C2 내지 C20 알데히드, 또는 C2 내지 C20 알코올들; 달리, C2 내지 C20 에테르, C2 내지 C20 티오에테르 또는 C2 내지 C20 카보네이트; 달리, C2 내지 C20 에테르; 달리, C2 내지 C20 티오에테르; 달리, C2 내지 C20 카보네이트; 달리, C2 내지 C20 에스테르; 달리, C2 내지 C20 케톤; 달리, C2 내지 C20 알데히드; 또는 달리, C2 내지 C20 알코올들이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 유용한 용매는 C2 내지 C10 에테르, C2 내지 C10 티오에테르, C2 내지 C10 카보네이트, C2 내지 C10 에스테르, C2 내지 C10 케톤, C2 내지 C10 알데히드, 또는 C2 내지 C10 알코올들; 달리, C2 내지 C10 에테르, C2 내지 C10 티오에테르, 또는 C2 내지 C10 카보네이트; 달리, C2 내지 C20 에테르; 달리, C2 내지 C10 티오에테르; 달리, C2 내지 C20 카보네이트; 달리, C2 내지 C20 에스테르; 달리, C2 내지 C20 케톤; 달리, C2 내지 C20 알데히드; 또는 달리, C2 내지 C20 알코올들이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 적합한 에테르 용매들은 환형 또는 비환형이다. 용매로 유용한 적합한 에테르의 비-제한적 예시들은 디메틸 에테르, 디에틸 에테르, 메틸 에틸 에테르, 글리콜의 모노에테르 또는 디에테르 (예를들면, 디메틸 글리콜 에테르), 푸란, 치환된 푸란들, 디히드로푸란, 치환된 디히드로푸란들, 테트라히드로푸란 (THF), 치환된 테트라히드로푸란들, 테트라히드로피란, 치환된 테트라히드로피란들, 1,3-디옥산, 치환된 1,3-디옥산들, 1,4-디옥산, 치환된 1,4-디옥산들, 또는 이들의 혼합물; 달리, 디메틸 에테르, 디에틸 에테르, 메틸 에틸 에테르, 글리콜의 모노에테르 또는 디에테르 (예를들면, 디메틸 글리콜 에테르), 또는 이들의 혼합물; 달리, 푸란, 치환된 푸란들, 디히드로푸란, 치환된 디히드로푸란들, 테트라히드로푸란 (THF), 치환된 테트라히드로푸란들, 테트라히드로피란, 치환된 테트라히드로피란들, 1,3-디옥산, 치환된 1,3-디옥산들, 1,4-디옥산, 치환된 1,4-디옥산들, 또는 이들의 혼합물; 달리, 디메틸 에테르, 디에틸 에테르, 메틸 에틸 에테르, 또는 이들의 혼합물; 달리, 글리콜의 모노에테르 또는 디에테르 (예를들면, 디메틸 글리콜 에테르); 달리, 테트라히드로푸란 (THF), 치환된 테트라히드로푸란들, 테트라히드로피란, 치환된 테트라히드로피란들, 1,3-디옥산, 치환된 1,3-디옥산들, 1,4-디옥산, 치환된 1,4-디옥산들, 또는 이들의 혼합물; 달리, 테트라히드로푸란 (THF), 테트라히드로피란, 1,3-디옥산, 1,4-디옥산, 또는 이들의 혼합물; 또는 달리, 테트라히드로푸란을 포함한다. 실시태양에서, 치환된 푸란, 치환된 디히드로푸란, 치환된 테트라히드로푸란, 치환된 테트라히드로피란, 치환된 1,3-디옥산, 또는 치환된 1,4-디옥산의 각각의 치환체는 C1 내지 C5 알킬기이다. C1 내지 C5 알킬 치환기들은 본원에 개시되고 극성 비양자성 용매로 활용되는 치환된 테트라히드로푸란들, 치환된 디히드로푸란들, 치환된 푸란들, 치환된 1,3-디옥산들, 또는 치환된 1,4 디옥산들을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 이용된다. 용매로 활용되는 적합한 카보네이트의 비-제한적 예시들은 에틸렌 카르보네이트, 프로필렌 카르보네이트, 디에틸 카르보네이트, 디에틸 카르보네이트, 글리세롤 카르보네이트, 및 이들의 조합을 포함한다. 용매로 활용되는 적합한 에스테르의 비-제한적 예시들은 에틸 아세테이트, 프로필 아세테이트, 부틸 아세테이트, 이소부틸 이소부티레이트, 및 이들의 조합을 포함한다. 용매로 활용되는 적합한 케톤의 비-제한적 예시들은 아세톤, 에틸 메틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 및 이들의 조합을 포함한다. 용매로 활용되는 적합한 알코올들의 비-제한적 예시들은 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, 이소부탄올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 벤질 알코올, 페놀, 시클로헥산올, 및 기타 등, 또는 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
용매로 활용되는 니트릴은 C2 내지 C12 니트릴; 달리, C2 내지 C10 니트릴; 또는 달리, C2 내지 C8 니트릴을 포함한다. 일반적으로, 용매로 활용되는 니트릴은 환형 또는 비환형, 선형 또는 분지형, 및/또는 지방족 또는 방향족이다. 용매로 활용되는 니트릴의 비-제한적 예시들은, 제한되지는 않지만, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴, 벤조니트릴, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴, 또는 임의의 이들의 조합을 포함한다. 일부 실시태양들에서, 용매는아세토니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
일 양태에서, 전이금속 전구체 및 1족 또는 2족 카르복실레이트이 접촉되는 용매는, 이용되는 경우, 본원에 기재된 임의의 중성 리간드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 전이금속 전구체가 중성 리간드와 접촉하는 일부 실시태양들에서, 전이금속 전구체 및 1족 또는 2족 카르복실레이트가 접촉하는 용매는, 이용되는 경우, 전이금속 전구체에 존재하는 임의의 중성 리간드이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다, 전이금속 전구체가 중성 리간드를 함유하는 다른 실시태양들에서, 전이금속 전구체 및 1족 또는 2족 카르복실레이트가 접촉하는 용매는, 이용되는 경우 전이금속 전구체에 존재하는 임의의 중성 리간드와 상이하다. 중성 리간드들이 본원에 기재되고 이러한 중성 리간드들은 전이금속 전구체 및 1족 또는 2족 카르복실레이트의 접촉에 대하여 용매가 이용되는 경우 용매로서 제한없이 이용된다.
비-제한적 실시태양에서, 극성 비양자성 용매는 글리콜의 모노에테르 또는 디에테르 (예를들면, 디메틸 글리콜 에테르), 푸란, 치환된 푸란들, 디히드로푸란, 치환된 디히드로푸란들, 테트라히드로푸란 (THF), 치환된 테트라히드로푸란들, 테트라히드로피란, 치환된 테트라히드로피란들, 1,3디옥산, 치환된 1,3-디옥산들, 1,4-디옥산, 치환된 1,4-디옥산들, 또는 이들의 혼합물이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 실시태양에서, 치환된 푸란, 치환된 디히드로푸란, 치환된 테트라히드로푸란, 치환된 테트라히드로피란, 치환된 1,3-디옥산, 또는 치환된 1,4-디옥산의 각각의 치환체는 C1 내지 C5 알킬기이다. C1 내지 C5 알킬 치환기들은 본원에 개시되고 극성 비양자성 용매로 활용되는 치환된 테트라히드로푸란들, 치환된 디히드로푸란들, 치환된 푸란들, 치환된 1,3-디옥산들, 또는 치환된 1,4 디옥산들을 더욱 기술하기 위하여 제한없이 이용된다. 실시태양에서, 극성 비양자성 용매는 테트라히드로푸란 (THF), 푸란, 2-메틸테트라히드로푸란, 3-메틸테트라히드로푸란, 디히드로푸란, 피란, 테트라히드로피란, 2,3-디히드로피란, 1,3-디옥산, 1,4-디옥산, 모르폴린, N-메틸모르폴린, 디메틸 에테르, 디에틸 에테르, 메틸 에틸 에테르, 메틸 페닐 에테르, 메틸 t-부틸 에테르, 디이소프로필 에테르, 디-n-부틸 에테르, 1,2-di메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸) 에테르, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 극성 비양자성 용매는 테트라히드로푸란 (THF), 푸란, 2-메틸테트라히드로푸란, 3-메틸테트라히드로푸란, 디히드로푸란, 피란, 테트라히드로피란, 2,3-디히드로피란, 1,3-디옥산, 1,4-디옥산, 디메틸 에테르, 디에틸 에테르, 메틸 에틸 에테르, 메틸 페닐 에테르, 메틸 t-부틸 에테르, 디이소프로필 에테르, 디-n-부틸 에테르, 1,2-di메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸) 에테르, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 테트라히드로푸란 (THF), 푸란, 2-메틸테트라히드로푸란, 3-메틸테트라히드로푸란, 디히드로푸란, 피란, 테트라히드로피란, 2,3-디히드로피란, 1,3-디옥산, 1,4-디옥산, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 디메틸 에테르, 디에틸 에테르, 메틸 에틸 에테르, 메틸 페닐 에테르, 메틸 t-부틸 에테르, 디이소프로필 에테르, 디-n-부틸 에테르, 1,2-di메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸) 에테르, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 극성 비양자성 용매는 테트라히드로푸란 (THF), 2-메틸테트라히드로푸란, 3-메틸테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 1,3-디옥산, 1,4-디옥산, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 다른 실시태양들에서, 극성 비양자성 용매는 테트라히드로푸란 (THF)이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
유사하게, 극성 비양자성 용매로 활용되는 적합한 니트릴의 예시들은, 제한되지는 않지만, C2 내지 C20 알킬 니트릴, 또는 C7 내지 C20 아릴 니트릴 또는 임의의 이들의 조합을 포함한다. 본 양태에서 및 임의의 실시태양에서, 배위 제1 용매로 활용되는 적합한 니트릴은 C2 내지 C12 니트릴; 달리, C2 내지 C10 니트릴; 또는 달리, C2 내지 C8 니트릴을 포함한다. 배위 제1 용매로 활용되는 적합한 니트릴 용매들은 환형 또는 비환형, 선형 또는 분지형, 지방족 또는 방향족이다. 극성 비양자성 제1 용매로 유용한 적합한 니트릴의 비-제한적 예시들은 제한되지는 않지만, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴, 벤조니트릴, 또는 임의의 이들의 조합; 달리, 아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴, 또는 임의의 이들의 조합을 포함한다. 일부 실시태양들에서, 용매는 아세토니트릴이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
추가 양태에서, 용매로 활용되는 티오에테르는 C2 내지 C20 디알킬 티오에테르, C2 내지 C20 디알킬 티오에테르, C4 내지 C5 환형 티오에테르, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다. 일부 실시태양들에서, 용매로 활용되는 티오에테르는, 티오펜, 2-메틸티오펜, 3-메틸티오펜, 테트라히드로티오펜, 또는 임의의 이들의 조합이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다.
본원에 대한 임의의 미국국내단계 출원목적으로, 본원에 언급된 모든 간행물 및 특허는 본 발명의 방법과 관련하여 사용될 수 있는 이들 개시물에 기재된 고안 및 방법론을 기술하고 개시할 목적으로 본원에 전체가 참조로 포함된다. 상기 및 본문 전체에서 논의된 간행물 및 특허는 본원의 출원일에 앞선 개시로만 제공된다. 본원에서 어느 것도 발명자들이 선행 발명으로 인하여 이러한 공개에 선행할 자격이 없다는 것으로 해석되어서는 아니된다
달리 표기되지 않는 한, 몰비, 온도, 및 기타 등의 범위와 같이 임의의 유형 범위가 개시되고 청구될 때, 이러한 범위가 합리적으로 포괄하는 임의의 부-범위를 포함한 각각의 가능한 범위를 개시하거나 청구할 의도이다. 예컨대 몰비 측정 범위를 기술할 때, 이러한 범위가 합리적으로 포함할 수 있는 모든 가능한 수치는, 예를들면, 범위 끝 수치들 유효숫자보다 하나 더 많은 범위 내의 수치들을 언급하는 것이다. 본 예에서 몰비 1.03:1 내지 1.12:1은 개별적으로몰비들 1.03:1, 1.04:1, 1.05:1, 1.06:1, 1.07:1, 1.08:1, 1.09:1, 1.10:1, 1.11:1, 및 1.12:1을 포함한다. 출원인의 의도는 이러한 범위를 기술하는 두 방법들이 상호 교환적으로 사용되는 것이다. 또한, 수치 범위가 개시되거나 청구될 때, 출원인의 의도는 이러한 범위가 합리적으로 포괄하는 개별적 각각의 가능한 수치를 반영하며, 또한 출원인은 범위의 개시를 반영하며, 이들의 상호 교환적이고, 범위에 포괄되는 임의의 및 모든 부-범위들 및 이들의 조합을 개시하는 것이다. 유효숫자가 상이한 끝 점들을 가지는 범위를 기술할 때, 예를들면, 몰비 1:1 내지 1.2:1에서, 이러한 범위가 합리적으로 포괄하는 모든 가능한 수치는 예를들면, 범위 끝 수치들 유효숫자보다 하나 더 많은 범위 내의 수치들 이 경우에는1.2: 1을 언급하는 것이다. 본 예에서, 몰비 1:1 내지 1.2:1는 모두 1에 대하여 개별적으로몰비들 1.01, 1.02, 1.03, 1.04, 1.05, 1.06, 1.07, 1.08, 1.09, 1.10, 1.11, 1.12, 1.13, 1.14, 1.15, 1.16, 1.17, 1.18, 1.19, 및 1.20, 및 임의의 및 모든 부범위들 및 이에 포괄되는 부-범위들의 조합들을 포함한다. 따라서, 출원인은 임의의 이러한 군의 임의의 개별적 멤버, 군 내 임의 부-범위 또는 부-범위의 조합을 단서로 제외하거나 배제할 권리를 보유하는 것이며, 어떠한 이유로 예를들면, 출원인이 본원 출원시에 인지하지 못하였던 참조로 인하여 출원인은 개시된 완전한 표시보다 작게 청구할 수 있다.
미국특허청에 제출되는 임의 출원으로, 본원 요약서는37 C.F.R. § 1.72 요건 및 ‘미국특허청 및 공중이 피상적 검토를 통하여 본 기술적 개시 특성 및 요지를 대체로 신속하게 확인할 수 있도록’하는 37 C.F.R. § 1.72(b) 목적에 적합하도록 제공된다. 따라서, 본원 요약서는 청구범위를 해석하거나 본원에 개시된 주제 범위를 제한할 의도로 사용되어서는 아니된다. 또한, 본원에 적용된 임의 주제어는 청구범위를 해석하거나 본원에 개시된 주제 범위를 제한할 의도로 사용되어서는 아니된다. 달리 건설적이고 예측적으로 기재되었을 실시예를 기술하는 과거 시제를 사용하는 것은 건설적이고 예측적 실시예가 실제로 수행된 것을 반영하는 것은 아니다
본원에 기재된 특정 임의 화합물에 대하여, 달리 표기되지 않는 한 일반 구조식은 치환체들 특정 세트로 인하여 생성되는 모든 형태이성질체 및 입체이성질체를 포함하는 것이다. 따라서, 일반 구조식은 거울상 형태 또는 라세미 형태 또는 입체이성질체 혼합물에 무관하게, 문맥이 허용하고 필요한 경우 모든 구조이성질체 (예를들면, 프로필기를 언급하면 n-프로필 및 이소-프로필을 포함하고, 또는 예를들면, 디아졸을 언급하면 1,2-디아졸 및 1,3-디아졸을 포함한다), 거울상 이성질체, 부분입체 이성질체, 및 광학 이성질체를 포함한다. 제시된 임의 특정 식에 있어서, 제시된 임의의 일반식은 치환체들 특정 세트로 인하여 생성되는 모든 형태이성질체, 위치이성질체, 및 입체이성질체를 포함하는 것이다. 또한 달리 특정되지 않는 한, 하나 이상의 위치이성질체를 포함하는 일반 화합물 또는 구조를 개시하는 것은 이러한 개시에 속하는 모든 가능한 위치이성질체를 포괄할 의도이다. 예를들면, L 개시는 디아제핀, 디아제핀, 또는 디아제핀들이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어지고, L은 1,2-디아제핀, 1,3-디아제핀, 또는 1,4-디아제핀이거나, 구성되거나, 실질적으로 이루어진다는 것을 반영할 의도이다.
본 발명은 다음의 실시예에 의하여 더욱 설명되고, 본 실시예들은 발명의 범위에 제한을 가하는 것으로 파악되지 않는다. 반면에, 본원의 명세서를 읽은 후, 본 발명의 사상 또는 첨부된 청구항의 범위에 벗어남이 없이, 다양한 다른 양태, 구체예, 변형, 및 이들의 균등물이 본 분야의 숙련가에게 제안될 수 있다는 것을 명백히 이해하여야 한다.
이하 실시예들에 제공되는 데이터 및 기재는 개시된 화합물들, 촉매시스템들, 및 올레핀 올리고머화 및/또는 올레핀 중합 방법들의 특정 양태들 및 실시태양들을 보이고 다수의 구현들 및 이의 이점들을 제시하기 위하여 제공된다. 실시예들은 본원에 기재된 양태들 및 실시태양들의 일부를 더욱 상세하게 보이기 위하여 제시되는 것이고 어떠한 방식으로도 본 발명 또는 청구범위를 제한하지 않는다.
실시예들
크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물 제조 및 분석
달리 특정되지 않는 한, 모든 반응들을 불활성 및 적어도 실질적으로 건조 분위기에서 수행하였다. 모든 유리기구를 오븐에서 100 ℃로 4 hr 건조시켜 불활성 및 적어도 실질적으로 건조 분위기 글러브 박스 (드라이박스)에 가온상태로 보관하였다.
출발물질 CrCl3(THF)3을 Aldrich Chemical Company에서 입수하여 본원에 기재된 바와 같이 더욱 건조하였다. 2-에틸헥산산을 Aldrich에서 구입하여 추가 정제없이 사용하였다. 모든 용매들을 Aldrich에서 무수 등급으로 구입하여 신품 활성 5A 분자체에 보관하였다.
실시예 1
환저 플라스크 (250 mL)에 수산화나트륨 (13.87 g, 0.347 mol) 및 메탄올 (200 mL)을 주변 조건들에서 교반막대를 이용하여 충전하였다. 2-에틸헥산산 (50.00 g, 0.347 mol)을 교반 중인 용액에서 30 분에 걸쳐 적가하였다. 이후 회전증발기로 용매를 제거하여 백색의 점착성 고체를 얻었다. 상기 백색 고체를 185 ℃에서 25 torr 이하 압력으로 18 시간 가열하여, 단단한 백색 고체로서 무수 소듐 2-에틸헥사노에이트를 수득하였다 (97% 분리 수율). 무수 소듐 2-에틸헥사노에이트는 매우 흡습성이고 불활성 및 실질적으로 건조 분위기에서 취급하였다.
실시예 2
Aldrich에서 상업적으로 입수되는 CrCl3(THF)3 는 상당 함량의 물을 가진다; 따라서, 다음과 같이 더욱 건조하여 무수 CrCl3(THF)3을 얻었다. 환저 플라스크 (50 mL)에 교반막대로, CrCl3(THF)3 (8g) 및 THF (25 mL)를 충전하였다. 트리메틸실릴클로라이드 (8 mL)을 격렬하게교반되는 용액에 적가하였다. 혼합물을 밤샘 교반하였다. 여과하여 보라색 고체를 얻었고, 펜탄 (50 mL)으로 1회 세척하고 역동 진공 건조하여 생성물 (93% 수율)을 얻었다. 무수 CrCl3(THF)3 는 미세한, 분홍-보라색 분말이고, 습윤 물질은 더욱 진한 보라색의 덩어리 고체이다.
실시예 3
환저 플라스크 (1 L)에 CrCl3(THF)3 (21.01 g, 0.0561 mol), 무수 소듐 2-에틸헥사노에이트 (27.99 g, 0.168 mol) 및 THF (250 mL)를 채웠다. 반응물을 23℃에서 96 hr 교반하고, 용매를 제거하여 녹색의 타르-유사 물질을 얻었다. 고체를 30℃에서 진공 중 2 hr 가열한 후 펜탄 (600 mL)으로 추출하고 Celite® 여과조제로 여과하였다. 용액은 점성이 매우 커서 여과하기에 어려웠다. 상당량의 녹색 고체가 여과 후 불용성으로 잔류하였다. 용매를 제거하여 녹색의 막을 얻었다 (5.1 g). 도 9는 소듐 2-에틸 헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3으로 이용되어 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼이다. 도 10은 소듐 2-에틸 헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3으로 이용되어 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼 확대 구역, 2000 cm-1 내지 1000 cm1이다. 적외선 피크 높이 및 다양한 적외선 피크 높이비들이 표 1에 제시된다.
실시예 4
환저 플라스크 (500 mL)에 CrCl3(THF)3 (7.27 g, 0.0194 mol) 및 THF (100 mL)를 채웠다. THF (60 mL) 중의 무수 소듐 2-에틸헥사노에이트 (10.00 g, 0.0602 mol) 용액을 w이질성 CrCl3(THF)3 용액에 교반하면서 첨가하였다. 반응 혼합물을 25℃에서 24 hr 교반한 후, 용매를 제거하여 녹색의 점착성 고체를 얻었다. 상기 녹색 고체를 진공에서 2시간 35 ℃로 가열한 후, 생성물을 시클로헥산 (400 mL)으로 추출하고 Celite® 여과조제로 여과하였다. 여과액에서 용매를 진공 하에서 제거하여 녹색의 점착성 고체 (7.1g)를 얻었다. 도 11는 소듐 2-에틸 헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3.1로 이용되어 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼이다. 도 12는 소듐 2-에틸 헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3.1으로 이용되어 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼 확대 구역, 2000 cm-1 내지 1000 cm1이다. 적외선 피크 높이 및 다양한 적외선 피크 높이비들이 표 1에 제시된다.
실시예 5
환저 플라스크 (500 mL)에 CrCl3(THF)3 (20.10 g, 0.0537 mol)을 채웠다. THF (250 mL) 중 무수 소듐 2-에틸헥사노에이트 (29.42 g, 0.177 mol) 용액을 교반하면서 고체 CrCl3(THF)3 에 첨가하였다. 반응 혼합물을 23℃에서 72 hr 교반 후, 용매를 제거하여 녹색의 점착성 고체를 얻었다. 상기 녹색 고체를 진공에서 2시간 30 ℃로 가열한 후, 생성물을 펜탄 (500 mL)으로 추출하고 Celite® 로 여과하였다. 여과액에서 용매를 진공 하에서 제거하여 녹색의 점착성 고체 (24.5g)를 얻었다. 도 13은 소듐 2-에틸 헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3.3으로 이용되어 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼이다. 도 14는 소듐 2-에틸 헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3.3으로 이용되어 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼 확대 구역, 2000 cm-1 내지 1000 cm1이다. 적외선 피크 높이 및 다양한 적외선 피크 높이비들이 표 1에 제시된다.
실시예 6 - 나트륨 제거
방법 A - Me3SiCl 방법. 20 mL 바이알에 실시예 5의 생성물 (0.373 g, 대략 0.68 mmol) 및 10 mL 시클로헥산을 채웠다. 바이알을 격렬하게 흔들어 크롬 착체를 녹여 점성 용액을 만들었다. Me3SiCl (0.030 g, 0.28 mmol)을 용액에 첨가하여 백색의 침전물이 즉시 형성되었다. 반응 혼합물을 밤샘 정치한 후 녹색의 겔이 형성되어 처리한 후 아주 밝은 녹색 용액을 얻었다.
방법 B) - 2-에틸헥산산 방법. 20 mL 바이알에 CrCl3(THF)3 (1.00 g, 2.67 mmol), 소듐 2-에틸헥사노에이트 (1.340 g, 8.06 mmol), 2-에틸헥산산 (0.116 g, 0.80 mmol) 및 THF (15 mL)을 채웠다. 혼합물을 3일 교반한 후 적색-보라색 용액 및 백색의 고체가 형성되었다. 용매를 진공 하에서 제거하고 생성물을 시클로헥산으로 추출한 후, Celite® 여과조제로 여과하고, 진공 건조하여 청녹색의 오일을 얻었다. ICP-OES: Cr, 11.85 wt. %; Na, 0.02 wt. %.
도 15는 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3.3으로 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 (실시예 5)에 대하여 방법 A로 생성된 무-나트륨의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼이다. 도 16은 소듐 2-에틸헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 3.3으로 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 (실시예 5)에 대하여 방법 A로 생성된 무-나트륨의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼의 확대 구역, 2000 cm-1 내지 1000 cm-1이다.
실시예 7
환저 플라스크 (500 mL)에 CrCl3(THF)3 (19.00 g, 0.0507 mol)을 채웠다. THF (200 mL) 중 무수 소듐 2-에틸헥사노에이트 (34.00 g, 0.205 mol) 용액을 고체 CrCl3(THF)3 에 교반하면서 첨가하였다. 상기 반응 혼합물을 23 ℃에서 60 hr 교반한 후 용매를 제거하여 녹색의 거품성 고체를 얻었다. 상기 고체를 진공에서 30 ℃로 2 hr 가열한 후, 펜탄 (200 mL)으로 추출하고 Celite® 여과조제로 2회 여과하였다. 여과액으로부터 용매를 진공하에서 제거하여 녹색 필름 (27.9 g)을 얻었다. 도 17은 소듐 2-에틸 헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 4로 이용되어 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼이다. 도 18은 소듐 2-에틸 헥사노에이트 대 CrCl3(THF)3 몰비가 대략 4로 이용되어 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트에 대한 IR 스펙트럼 확대 구역, 2000 cm-1 내지 1000 cm1이다. 적외선 피크 높이 및 다양한 적외선 피크 높이비들이 표 1에 제시된다.
적외선 분석
2종의 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플들 및 실시예 3-7에서 생성된 4종의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플들을 적외선 분석하였다. 다음 절차로 IR 분석용 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플 및 4종의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플들을 제조하였다. 드라이박스에서, 5mg의 샘플 및 500mg의 무수 KBr을 함께 막사사발 및 막자로 완전히 분쇄하였다. 100 mg의 완전 분쇄된 샘플을 스펙트럼-Tech Econo-Press Kit에 넣고10-mm KBr 샘플 펠렛을 만들었다. 샘플을 기밀용기를 통해 IR로 옮겼다. 질소 퍼지하에 IR 스펙트럼을 얻었다. 순수 KBr 펠렛들을 이용하여 바탕 스펙트럼을 교정한 후 바람직한 스펙트럼을 얻었다.
희석제로서미네랄 스피릿을 이용하여 제2 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플을 제조하였다. 제2 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플 몇 방울을 2개의 염 KBr 플레이트들 사이에 놓고 기밀용기를 통해 IR로 옮겼다. 질소 퍼지하에 IR 스펙트럼을 얻었다.
IR 스펙트럼은 Class 2, 1mW HeNe 레이저 소스, KBr 빔 스플리터 및 DTGS 검출기를 가지는 Nicolet® Magna-IR 560 푸리에 변환 적외선 분광기로 얻었다. 전형적인 실험은 샘플 스캔들 후 획득되는 바탕 스캔들과 함께64 스캔들 (1-4 cm-1 분해능)을 포함한다. 스펙트럼을 Thermo Fisher Scientific Inc. 의 OMNIC® 7.4 소프트웨어로 분석하였다

표 1 - 미가공 적외선 베이스라인 피크 높이들.
물질 1685±20 cm 1 1616±20 cm 1 1579±15 cm 1 1549±15 cm 1 1516 ±15 cm 1 1460±10 cm 1 1447±10 cm 1 1429 ±15 cm 1
제1 상업적인크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0.31 1.03 - 0.58 - 0.73 - 0.95
제2 상업적인크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 3.14 3.31 - 3.36 - 3.38 - 3.64
실시예 3의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0.39 1.10 - - 3.22 1.19 1.23 1.71
실시예 4의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0.14 0.27 - - 1.00 0.43 0.41 0.53
실시예 5의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0.25 0.56 0.63 - 1.97 0.84 0.76 0.97
실시예 6의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0.17 0.45 - - 2.89 0.86 0.81 1.17
실시예 7의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0.23 0.75 0.94 0.93 1.24 0.75 - 0.80
표 2 - 표기 평균 파장들에서 미가공 적외선 베이스라인 피크 높이들을 이용한 적외선 피크 비율들.
물질 1516±15 cm 1 /1429±15 cm -1 1516±15 cm 1 /1616±20 cm -1 1516±15 cm 1 /1685±20 cm -1 1429±15 cm 1 /1685±20 cm -1 1616±20 cm -1 /1429±15 cm 1
제1 상업적인크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0:1 0:1 0:1 3.1:1 1.09:1
제2 상업적인크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0:1 0:1 0:1 1.15:1 0.91:1
실시예 3의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 1.8:1 2.9:1 8.3:1 4.4:1 0.64:1
실시예 4의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 1.8:1 3.7:1 7.2:1 3.8:1 0.51:1
실시예 5의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 2.0:1 3.6:1 7.9:1 3.9:1 0.57:1
실시예 6의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 2.5:1 6.5:1 17.2:1 6.9:1 0.38:1
실시예 7의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 1.5:1 1.6:1 5.4:1 3.4:1 0.95:1
표 3 - 가공 (drawn) 적외선 베이스라인 (1850 cm 1 내지 1170 cm 1 ) 피크 높이들.
물질 1685±20 cm 1 1616±20 cm 1 1579±15 cm 1 1549±15 cm 1 1516 ±15 cm 1 1460±10 cm 1 1447±10 cm 1 1429 ±15 cm 1
제1 상업적인크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0.22 0.93 - 0.49 - 0.63 - 0.84
제2 상업적인크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 3.01 3.12 - 3.19 - 3.20 - 3.46
실시예 3의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0.28 0.99 - - 3.11 1.19 1.11 1.59
실시예 4의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0.10 0.24 - - 0.97 0.41 0.38 0.51
실시예 5의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0.15 0.46 0.54 - 1.88 0.75 0.67 0.88
실시예 6의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0.15 0.42 - - 2.86 0.86 0.79 1.14
실시예 7의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0.09 0.62 0.81 0.80 1.10 0.61 - 0.66
표 4 - 표기 평균 파장들에서 가공 적외선 베이스라인 피크 높이들을 이용한 적외선 피크 비율들.
물질 1516±15 cm 1 /1429±15 cm -1 1516±15 cm 1 /1616±20 cm -1 1516±15 cm 1 /1685±20 cm -1 1429±15 cm 1 /1685±20 cm -1 1616±20 cm -1 /1429±15 cm 1
제1 상업적인크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0:1 0:1 0:1 3.9:1 1.11:1
제2 상업적인크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 0:1 0:1 0:1 1.15:1 0.90:1
실시예 3의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 2.0:1 3.2:1 11.3:1 5.8:1 0.62:1
실시예 4의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 1.9:1 4.0:1 9.6:1 5.0:1 0.47:1
실시예 5의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 2.1:1 4.1:1 12.4:1 5.8:1 0.52:1
실시예 6의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 2.5:1 1.8:1 12.1:1 7.8:1 0.37:1
실시예 7의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 1.6:1 0.56:1 7.3:1 0.93:1
고에너지 X-선 회절 분석
제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물, 실시예 5에 의해 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물, 및 R. T. Hart Jr., N. A. Eckert, J. K. Ngala, A. F. Polley, C. J. Benmore, A. Clark, S. Macha, Presentation CATL 20, The 237th ACS National Meeting, Salt Lake City, UT, March 23, 2009에 따라 생성된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물 (이하 “Hart 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물”라고 칭함)을 고에너지 X-선 회절로 분석하였다. 고에너지 X-선 회절 데이터를 Argonne National Laboratory 의 Advanced Photon Source의 station 11-ID-C에서 장축 15 μm 및 단축 1.5 μm의 타원형 빔 프로파일을 가지는115 keV의 단색 X-ray 빔을 이용하여 3 mm 두께의 샘플을 검출기로부터 대략 1130 mm에서 조사하여 얻었다. 이러한 특별한 경우, 3 mm 경로 길이를 제공하기 위하여 충분한 함량의 샘플 (0.1 mg 내지 100 mg)을 1 mm 두께의 벽을 가지는5 mm O.D. Pyrex® 관에 넣었다. 샘플을 Pyrex® 관에 넣고, Pyrex® 관을 배기시키고 다시 N2로 채운 후, 프레임을 폐쇄하였다. (장축 15 μm 및 단축 1.5 μm의 타원형 빔 프로파일을 가지는) 115 keV의 단색 X-ray 빔을 샘플에 온도 298 °K에서 충돌시켜 Pyrex® 관에 있는 샘플에 대한 고에너지 X-선 회절 패턴을 얻었다. 형성된 회절 패턴을 샘플로부터 대략 1130 밀리미터에 있는 MAR345 영상판 (345mm 직경 영상판)에서 모았다. X-ray 빔원 및 영상판 사이의 각도는 180도이고 빔 스톱은 샘플 및 영상판 사이 영상판 중심을 따라 정렬시켰다. 전형적으로, 영상판은 0.5 초 노출한다. 일반적으로, 노출 시간은 신회 대 잡음비 (노출 시간이 길면 신호 대 잡음비가 커진다) 및 영상판 포화 (노출 시간이 짧아지면 영상판 검출기 포화가 감소된다)간 균형을 이루도록 조정한다. 샘플 대 검출기 거리, 빔 에너지 및 검출기 배향은 CeO2 분말의 외부 기준 스캔을 이용하여 결정하였다. 또한 동일한 빈 Pyrex® 관 및 공기에 대한 바탕 회절들이 MAR345 영상판들에 수집되어 샘플 분석에 대한 주변 및 바탕 교정을 제공한다. 고에너지 X-선 회절 영상 작업 및 데이터 분석은 FIT2D (Hammersley, A. P.; Svensson, S. O.; Hanfland, M.; Fitch, A. N.; Hausermann, D. High 압력 Res. 1996, 14, 235-248) version 12.077 (April 5, 2005 - 내부 Report (1998), ESRF98HA01T, FIT2D V9. 129 Reference Manual V3. 1; A.P. Hammersley) 및 PDFgetX2 (Qiu, X.; Thompson, J. W.; Billinge, S. J. L. J. Appl. Crystallogr. 2004, 37, 678)을 이용하여 수행되었다.
미가공 샘플 영상 (Pyrex® 관에 담긴 샘플), 주변 영상 (빈 Pyrex® 관), 및 바탕 영상 (공기)을 배열, 배향 및 샘플 대 검출기 거리에 대하여 Fit2D을 이용하여 교정한 후 교정 데이터 영상들을 방사방향으로 합하여 (B Tomberli, C J Benmore, P A Egelstaff, J Neuefeind 및 V Honkimaki. 2000 J. Phys.: Condens. Matter, 12, 2597에 제시된 PDFgetX2 (version 1)을 이용한 다중 산란, X-ray 편광에 대한 표준 교정을 적용) 운동량 공간 강도 (momentum space intensity) 히스토그램, I(Q)으로 전환하였다. 이후 주변 및 바탕 운동량 공간 강도 히스토그램을 PDFgetX2 내에서 미가공 샘플 운동량 공간 강도 히스토그램으로부터 감하여 순수 샘플 운동량 공간 강도 히스토그램을 얻는다. 순수 샘플 운동량 공간 강도 히스토그램, I(Q)을 이후, 구조 함수, S(Q)로 전환한 후 구조 함수의 푸리에 변환으로 짝 분포 함수 G(r)로 전환하였고, G(r) = 4πr[ρ(r) - ρ0] =
Figure pct00016
Figure pct00017
(식 중 Q=4πsin(θ)/λ, ρ(r)는 로컬 밀도, 및 ρ0 는 평균 밀도) PDFgetX2 내에서 최대 Qmax = 25A-1이다. 짝 분포 함수, G(r)를 정규화하여 축소 짝 분포 함수, g(r) 식 중 g(r)= G(r)/ρ0를 얻었다. 데이터 점들 (r,g(r))은 본원에서 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들로 칭한다. 표 5는 실시예 5에 의해 제조된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물, Hart 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물, 및 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 (1 옹스트롬 내지 6 옹스트롬)을 제시한다. 도 17은 실시예 5에 의해 제조된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물, Hart 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물, 및 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물에 대한 g(r) 대 r (1 옹스트롬 내지 6 옹스트롬)의 도표를 제시한다. 도 18은 실시예 5에 의해 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물 및 Hart 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물에 대한 g(r) 대 r (1 옹스트롬 내지 6 옹스트롬)의 도표를 제시한다. 실시예 5에 의해 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물은 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물 및 Hart 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물과는 상당히 다르다는 것이 명백하다.
표 5 - 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 g(r) 데이터 점들
r (A) g(r)Exam. 5샘플 g(r)Hart g(r) 1 st Comm. 샘플
1.00 0.0000 0.0000 0.0000
1.01 0.0000 0.0000 0.0000
1.02 0.0000 0.0000 0.0000
1.03 0.0000 0.0000 0.0000
1.04 0.0000 0.0000 0.0000
1.05 0.0000 0.0000 0.0000
1.06 0.0000 0.0000 0.0000
1.07 0.0000 0.0000 0.0000
1.08 0.0000 0.0000 0.0000
1.09 0.0000 0.0000 0.0000
1.10 0.0000 0.0000 0.0000
1.11 0.0000 0.0000 0.0000
1.12 0.0000 0.0000 0.0000
1.13 0.0000 0.0000 0.0000
1.14 0.2350 0.0000 0.0000
1.15 0.6456 0.0000 0.0000
1.16 1.0192 0.0000 0.0000
1.17 1.3413 0.0000 0.0000
1.18 1.6002 0.0000 0.0000
1.19 1.7877 0.0000 0.0000
1.20 1.8988 0.0000 0.0000
1.21 1.9323 0.0000 0.0000
1.22 1.8907 0.0000 0.0000
1.23 1.7796 0.0000 0.0000
1.24 1.6077 -0.1367 1.0345
1.25 1.3862 -0.2256 1.0295
1.26 1.1282 -0.2610 1.0428
1.27 0.8482 -0.2467 1.0705
1.28 0.5613 -0.1877 1.1088
1.29 0.2825 -0.0903 1.1534
1.30 0.0260 0.0382 1.2004
1.31 -0.1949 0.1901 1.2460
1.32 -0.3690 0.3574 1.2867
1.33 -0.4872 0.5324 1.3200
1.34 -0.5431 0.7077 1.3438
1.35 -0.5326 0.8769 1.3570
1.36 -0.4549 1.0343 1.3593
1.37 -0.3115 1.1755 1.3510
1.38 -0.1067 1.2974 1.3336
1.39 0.1530 1.3980 1.3087
1.40 0.4590 1.4768 1.2786
1.41 0.8012 1.5342 1.2461
1.42 1.1684 1.5720 1.2140
1.43 1.5487 1.5928 1.1850
1.44 1.9300 1.5997 1.1617
1.45 2.3005 1.5967 1.1462
1.46 2.6491 1.5876 1.1402
1.47 2.9657 1.5764 1.1448
1.48 3.2415 1.5668 1.1602
1.49 3.4694 1.5621 1.1860
1.50 3.6440 1.5650 1.2208
1.51 3.7615 1.5773 1.2629
1.52 3.8202 1.6000 1.3095
1.53 3.8201 1.6330 1.3576
1.54 3.7628 1.6756 1.4039
1.55 3.6514 1.7259 1.4445
1.56 3.4903 1.7815 1.4760
1.57 3.2850 1.8391 1.4948
1.58 3.0418 1.8951 1.4980
1.59 2.7675 1.9456 1.4831
1.60 2.4696 1.9866 1.4484
1.61 2.1553 2.0144 1.3930
1.62 1.8323 2.0256 1.3170
1.63 1.5077 2.0175 1.2215
1.64 1.1884 1.9881 1.1087
1.65 0.8812 1.9367 0.9817
1.66 0.5920 1.8633 0.8445
1.67 0.3264 1.7692 0.7021
1.68 0.0895 1.6570 0.5598
1.69 -0.1141 1.5304 0.4237
1.70 -0.2807 1.3942 0.2998
1.71 -0.4068 1.2539 0.1944
1.72 -0.4895 1.1161 0.1135
1.73 -0.5267 0.9878 0.0625
1.74 -0.5166 0.8762 0.0464
1.75 -0.4583 0.7886 0.0691
1.76 -0.3513 0.7321 0.1335
1.77 -0.1959 0.7131 0.2415
1.78 0.0069 0.7373 0.3935
1.79 0.2553 0.8093 0.5888
1.80 0.5467 0.9321 0.8254
1.81 0.8775 1.1077 1.0997
1.82 1.2436 1.3360 1.4072
1.83 1.6396 1.6155 1.7425
1.84 2.0596 1.9428 2.0988
1.85 2.4967 2.3128 2.4691
1.86 2.9436 2.7190 2.8457
1.87 3.3923 3.1533 3.2206
1.88 3.8343 3.6063 3.5858
1.89 4.2612 4.0677 3.9337
1.90 4.6644 4.5268 4.2569
1.91 5.0354 4.9721 4.5488
1.92 5.3665 5.3925 4.8036
1.93 5.6504 5.7769 5.0164
1.94 5.8807 6.1153 5.1834
1.95 6.0524 6.3983 5.3022
1.96 6.1615 6.6181 5.3714
1.97 6.2055 6.7685 5.3907
1.98 6.1833 6.8448 5.3614
1.99 6.0957 6.8445 5.2855
2.00 5.9447 6.7671 5.1661
2.01 5.7341 6.6140 5.0074
2.02 5.4688 6.3888 4.8141
2.03 5.1554 6.0969 4.5915
2.04 4.8012 5.7455 4.3452
2.05 4.4146 5.3432 4.0813
2.06 4.0043 4.9000 3.8056
2.07 3.5797 4.4270 3.5240
2.08 3.1500 3.9355 3.2419
2.09 2.7241 3.4375 2.9644
2.10 2.3107 2.9447 2.6962
2.11 1.9174 2.4684 2.4413
2.12 1.5511 2.0191 2.2028
2.13 1.2175 1.6064 1.9834
2.14 0.9210 1.2384 1.7849
2.15 0.6648 0.9217 1.6085
2.16 0.4507 0.6612 1.4547
2.17 0.2791 0.4600 1.3234
2.18 0.1492 0.3193 1.2137
2.19 0.0592 0.2385 1.1246
2.20 0.0062 0.2151 1.0545
2.21 -0.0136 0.2452 1.0015
2.22 -0.0044 0.3233 0.9636
2.23 0.0291 0.4426 0.9385
2.24 0.0819 0.5954 0.9241
2.25 0.1492 0.7734 0.9182
2.26 0.2262 0.9678 0.9187
2.27 0.3087 1.1697 0.9237
2.28 0.3928 1.3705 0.9315
2.29 0.4753 1.5621 0.9407
2.30 0.5537 1.7370 0.9500
2.31 0.6260 1.8889 0.9584
2.32 0.6911 2.0123 0.9653
2.33 0.7485 2.1034 0.9702
2.34 0.7982 2.1594 0.9727
2.35 0.8409 2.1792 0.9728
2.36 0.8773 2.1628 0.9706
2.37 0.9088 2.1118 0.9662
2.38 0.9368 2.0287 0.9599
2.39 0.9625 1.9172 0.9520
2.40 0.9873 1.7820 0.9428
2.41 1.0123 1.6282 0.9326
2.42 1.0383 1.4615 0.9219
2.43 1.0658 1.2879 0.9107
2.44 1.0949 1.1130 0.8993
2.45 1.1254 0.9425 0.8879
2.46 1.1566 0.7815 0.8764
2.47 1.1878 0.6345 0.8648
2.48 1.2176 0.5053 0.8532
2.49 1.2447 0.3965 0.8413
2.50 1.2676 0.3101 0.8290
2.51 1.2848 0.2470 0.8162
2.52 1.2947 0.2069 0.8027
2.53 1.2962 0.1889 0.7883
2.54 1.2880 0.1909 0.7730
2.55 1.2695 0.2105 0.7566
2.56 1.2401 0.2442 0.7391
2.57 1.1998 0.2886 0.7207
2.58 1.1488 0.3396 0.7015
2.59 1.0878 0.3934 0.6816
2.60 1.0180 0.4462 0.6615
2.61 0.9406 0.4943 0.6415
2.62 0.8572 0.5349 0.6221
2.63 0.7698 0.5654 0.6039
2.64 0.6802 0.5841 0.5873
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5.53 1.4418 1.3305 1.0103
5.54 1.4384 1.3117 1.0027
5.55 1.4346 1.2903 0.9950
5.56 1.4303 1.2668 0.9872
5.57 1.4253 1.2420 0.9792
5.58 1.4193 1.2165 0.9711
5.59 1.4122 1.1911 0.9628
5.60 1.4038 1.1667 0.9543
5.61 1.3938 1.1438 0.9458
5.62 1.3822 1.1233 0.9372
5.63 1.3686 1.1056 0.9287
5.64 1.3532 1.0912 0.9203
5.65 1.3357 1.0805 0.9123
5.66 1.3162 1.0736 0.9046
5.67 1.2948 1.0705 0.8976
5.68 1.2717 1.0712 0.8913
5.69 1.2470 1.0753 0.8859
5.70 1.2210 1.0825 0.8815
5.71 1.1941 1.0922 0.8784
5.72 1.1665 1.1037 0.8767
5.73 1.1387 1.1165 0.8764
5.74 1.1112 1.1296 0.8777
5.75 1.0843 1.1424 0.8806
5.76 1.0584 1.1540 0.8851
5.77 1.0340 1.1638 0.8913
5.78 1.0115 1.1710 0.8989
5.79 0.9911 1.1751 0.9079
5.80 0.9730 1.1756 0.9182
5.81 0.9576 1.1722 0.9295
5.82 0.9449 1.1649 0.9415
5.83 0.9349 1.1534 0.9541
5.84 0.9277 1.1381 0.9668
5.85 0.9231 1.1191 0.9795
5.86 0.9210 1.0970 0.9918
5.87 0.9211 1.0722 1.0033
5.88 0.9232 1.0455 1.0137
5.89 0.9270 1.0176 1.0229
5.90 0.9322 0.9893 1.0306
5.91 0.9384 0.9613 1.0365
5.92 0.9453 0.9346 1.0406
5.93 0.9525 0.9098 1.0428
5.94 0.9599 0.8877 1.0430
5.95 0.9670 0.8689 1.0413
5.96 0.9736 0.8539 1.0378
5.97 0.9796 0.8431 1.0327
5.98 0.9848 0.8368 1.0262
5.99 0.9892 0.8350 1.0186
6.00 0.9925 0.8377 1.0102
실시예 5에 의해 제조된 크롬(III) 2-에틸 헥사노에이트의 실험적 방사상 분포 함수에서의 강한 상관성에 대한 경험에 기초하여 진공상 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델을 구성하였다. 실시예 5에서 제조된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플의 고에너지 X-선 회절로 얻은 타당한 크롬-산소 결합 거리 및 Nature 205, 694 - 695 (1965.2.13)에서 발표된 아세테이트 음이온의 탄소-산소, 탄소-탄소, 및 탄소-수소 결합 거리들을 이용하여 초기 단핵 크롬(III) 아세테이트 구조를 만들었다. 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물에 대한 모든 3종의 고에너지 X-선 회절 분석은 거의 동일한 크롬-산소 결합 거리 (0.05 옹스트롬 내)를 제시한다는 것에 주목하여야 한다. 따라서, 이론에 구속되지 않고, 기상 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델을 구성하기에 크롬-산소 결합 거리에 대한 양호한 초기 개시점이라고 판단된다. 10개의 중심 원자들에 대하여D3h 대칭을 적용하면서 크롬-산소 결합 거리 및 산소-크롬-산소-탄소 이면각을 변경시켜 SemiChem/GaussView (version 3.0)을 이용하여 초기 모델을 최적화하였다. 표 6은 SemiChem/GaussView로 얻은 최적화 크롬(III) 아세테이트 모델의 원자 좌표들을 보인다.
표 6 - 최적화 크롬(III) 아세테이트 모델에 대한 원자 좌표들
원자 X Y Z
Cr 0 0 0
C1 1.843475 -0.40852 -1.43058
O1 0.738585 -1.038881 -1.567619
O2 1.90289 0.461636 -0.494039
C2 3.026757 -0.697968 -2.303537
H1 3.586188 0.221029 -2.49448
H2 2.70492 -1.158746 -3.239287
H3 3.689716 -1.395002 -1.777323
O3 -0.772555 1.631901 -0.909192
O4 -0.481341 1.511899 1.249048
C4 -1.400219 3.584765 0.389991
C3 -0.872192 2.190556 0.236797
H4 -1.932477 3.891686 -0.511821
H5 -2.054935 3.640368 1.263653
H6 -0.55862 4.266381 0.559197
O5 0.288007 -1.521043 1.29563
O6 -1.664703 -1.059059 0.43961
C5 -0.959016 -1.79628 1.210803
C6 -1.568434 -2.912588 2.003767
H7 -2.492313 -3.252317 1.531746
H8 -1.803373 -2.543365 3.009177
H9 -0.856348 -3.735188 2.102561
PDFgui 에서 구현되는 PDFFit을 이용하여 최적화 단핵 크롬(III) 모델의 짝 분포 함수들을 계사하였다 (Proffen, T.; Billinge, S. J. L. J. Appl. Crystallogr. 1999, 32, 572-575). 표 7은 최적화 크롬(III) 아세테이트 모델에 대한 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들을 제공한다. 사용된 방법은 방사상 분포 함수, d(r)를 생성하고 표 7에 제시되는 것은 d(r) 데이터 점들이라는 것에 주목하여야 한다. 최적화 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대한 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터와 크롬 카르복실레이트 샘플의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터를 비교하기 이하여, d(r) 데이터 점들은 g(r) 데이터로 전환되어야 한다. PDFgui 에 의해 생성된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 및 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 간의 관계식은 g(r) = (d(r) / (4π* r * ρ0)) + 1이다.
표 7 크롬(III) 아세테이트 모델 d(r) 데이터 점들.
r (A) d(r)Cr(OAc) 3
1.00 0.5453
1.01 0.5422
1.02 0.5399
1.03 0.5410
1.04 0.5472
1.05 0.5602
1.06 0.5804
1.07 0.6076
1.08 0.6408
1.09 0.6779
1.10 0.7163
1.11 0.7525
1.12 0.7828
1.13 0.8031
1.14 0.8097
1.15 0.7992
1.16 0.7688
1.17 0.7167
1.18 0.6426
1.19 0.5471
1.20 0.4326
1.21 0.3030
1.22 0.1634
1.23 0.0203
1.24 -0.1186
1.25 -0.2453
1.26 -0.3511
1.27 -0.4275
1.28 -0.4667
1.29 -0.4615
1.30 -0.4065
1.31 -0.2978
1.32 -0.1335
1.33 0.0860
1.34 0.3580
1.35 0.6774
1.36 1.0370
1.37 1.4275
1.38 1.8382
1.39 2.2570
1.40 2.6713
1.41 3.0681
1.42 3.4351
1.43 3.7607
1.44 4.0350
1.45 4.2496
1.46 4.3988
1.47 4.4791
1.48 4.4897
1.49 4.4324
1.50 4.3115
1.51 4.1335
1.52 3.9069
1.53 3.6413
1.54 3.3474
1.55 3.0365
1.56 2.7193
1.57 2.4060
1.58 2.1056
1.59 1.8254
1.60 1.5710
1.61 1.3458
1.62 1.1510
1.63 0.9860
1.64 0.8483
1.65 0.7338
1.66 0.6373
1.67 0.5531
1.68 0.4753
1.69 0.3984
1.70 0.3181
1.71 0.2311
1.72 0.1362
1.73 0.0340
1.74 -0.0726
1.75 -0.1785
1.76 -0.2768
1.77 -0.3587
1.78 -0.4140
1.79 -0.4318
1.80 -0.4009
1.81 -0.3107
1.82 -0.1514
1.83 0.0847
1.84 0.4032
1.85 0.8068
1.86 1.2950
1.87 1.8637
1.88 2.5055
1.89 3.2093
1.90 3.9610
1.91 4.7434
1.92 5.5374
1.93 6.3223
1.94 7.0765
1.95 7.7785
1.96 8.4079
1.97 8.9459
1.98 9.3763
1.99 9.6860
2.00 9.8656
2.01 9.9099
2.02 9.8180
2.03 9.5935
2.04 9.2438
2.05 8.7805
2.06 8.2185
2.07 7.5755
2.08 6.8712
2.09 6.1266
2.10 5.3630
2.11 4.6014
2.12 3.8618
2.13 3.1619
2.14 2.5174
2.15 1.9409
2.16 1.4416
2.17 1.0255
2.18 0.6952
2.19 0.4499
2.20 0.2860
2.21 0.1971
2.22 0.1749
2.23 0.2097
2.24 0.2905
2.25 0.4061
2.26 0.5457
2.27 0.6990
2.28 0.8569
2.29 1.0116
2.30 1.1572
2.31 1.2895
2.32 1.4062
2.33 1.5065
2.34 1.5913
2.35 1.6626
2.36 1.7233
2.37 1.7772
2.38 1.8279
2.39 1.8792
2.40 1.9342
2.41 1.9958
2.42 2.0655
2.43 2.1442
2.44 2.2315
2.45 2.3264
2.46 2.4266
2.47 2.5293
2.48 2.6311
2.49 2.7284
2.50 2.8175
2.51 2.8947
2.52 2.9571
2.53 3.0020
2.54 3.0276
2.55 3.0330
2.56 3.0181
2.57 2.9836
2.58 2.9309
2.59 2.8622
2.60 2.7799
2.61 2.6870
2.62 2.5863
2.63 2.4808
2.64 2.3731
2.65 2.2654
2.66 2.1594
2.67 2.0563
2.68 1.9569
2.69 1.8611
2.70 1.7688
2.71 1.6794
2.72 1.5922
2.73 1.5065
2.74 1.4218
2.75 1.3379
2.76 1.2552
2.77 1.1744
2.78 1.0972
2.79 1.0256
2.80 0.9622
2.81 0.9102
2.82 0.8730
2.83 0.8541
2.84 0.8569
2.85 0.8843
2.86 0.9389
2.87 1.0222
2.88 1.1346
2.89 1.2757
2.90 1.4433
2.91 1.6342
2.92 1.8438
2.93 2.0664
2.94 2.2953
2.95 2.5227
2.96 2.7409
2.97 2.9416
2.98 3.1168
2.99 3.2592
3.00 3.3622
3.01 3.4207
3.02 3.4307
3.03 3.3903
3.04 3.2990
3.05 3.1585
3.06 2.9720
3.07 2.7446
3.08 2.4828
3.09 2.1944
3.10 1.8880
3.11 1.5728
3.12 1.2581
3.13 0.9530
3.14 0.6660
3.15 0.4047
3.16 0.1754
3.17 -0.0168
3.18 -0.1686
3.19 -0.2782
3.20 -0.3456
3.21 -0.3721
3.22 -0.3606
3.23 -0.3149
3.24 -0.2400
3.25 -0.1415
3.26 -0.0251
3.27 0.1032
3.28 0.2378
3.29 0.3735
3.30 0.5058
3.31 0.6310
3.32 0.7464
3.33 0.8500
3.34 0.9409
3.35 1.0190
3.36 1.0848
3.37 1.1392
3.38 1.1838
3.39 1.2200
3.40 1.2494
3.41 1.2732
3.42 1.2926
3.43 1.3080
3.44 1.3196
3.45 1.3270
3.46 1.3294
3.47 1.3257
3.48 1.3145
3.49 1.2942
3.50 1.2634
3.51 1.2207
3.52 1.1653
3.53 1.0967
3.54 1.0151
3.55 0.9211
3.56 0.8162
3.57 0.7025
3.58 0.5825
3.59 0.4595
3.60 0.3367
3.61 0.2177
3.62 0.1060
3.63 0.0049
3.64 -0.0826
3.65 -0.1545
3.66 -0.2089
3.67 -0.2452
3.68 -0.2633
3.69 -0.2641
3.70 -0.2493
3.71 -0.2210
3.72 -0.1823
3.73 -0.1361
3.74 -0.0860
3.75 -0.0350
3.76 0.0138
3.77 0.0580
3.78 0.0958
3.79 0.1261
3.80 0.1488
3.81 0.1646
3.82 0.1753
3.83 0.1832
3.84 0.1916
3.85 0.2041
3.86 0.2246
3.87 0.2571
3.88 0.3053
3.89 0.3725
3.90 0.4613
3.91 0.5734
3.92 0.7094
3.93 0.8688
3.94 1.0499
3.95 1.2498
3.96 1.4643
3.97 1.6885
3.98 1.9166
3.99 2.1422
4.00 2.3588
4.01 2.5597
4.02 2.7387
4.03 2.8901
4.04 3.0090
4.05 3.0916
4.06 3.1355
4.07 3.1392
4.08 3.1031
4.09 3.0286
4.10 2.9184
4.11 2.7766
4.12 2.6079
4.13 2.4179
4.14 2.2126
4.15 1.9984
4.16 1.7814
4.17 1.5674
4.18 1.3618
4.19 1.1692
4.2o 0.9932
4.21 0.8366
4.22 0.7012
4.23 0.5878
4.24 0.4961
4.25 0.4253
4.26 0.3738
4.27 0.3392
4.28 0.3193
4.29 0.3113
4.30 0.3126
4.31 0.3207
4.32 0.3335
4.33 0.3492
4.34 0.3664
4.35 0.3843
4.36 0.4024
4.37 0.4206
4.38 0.4391
4.39 0.4584
4.40 0.4790
4.41 0.5015
4.42 0.5261
4.43 0.5531
4.44 0.5824
4.45 0.6134
4.46 0.6455
4.47 0.6775
4.48 0.7081
4.49 0.7356
4.50 0.7586
4.51 0.7753
4.52 0.7843
4.53 0.7844
4.54 0.7749
4.55 0.7554
4.56 0.7260
4.57 0.6877
4.58 0.6417
4.59 0.5900
4.60 0.5349
4.61 0.4792
4.62 0.4257
4.63 0.3776
4.64 0.3376
4.65 0.3084
4.66 0.2923
4.67 0.2909
4.68 0.3053
4.69 0.3356
4.70 0.3812
4.71 0.4408
4.72 0.5123
4.73 0.5927
4.74 0.6789
4.75 0.7670
4.76 0.8531
4.77 0.9330
4.78 1.0031
4.79 1.0599
4.80 1.1004
4.81 1.1223
4.82 1.1242
4.83 1.1055
4.84 1.0664
4.85 1.0082
4.86 0.9327
4.87 0.8425
4.88 0.7411
4.89 0.6319
4.90 0.5189
4.91 0.4059
4.92 0.2967
4.93 0.1948
4.94 0.1030
4.95 0.0237
4.96 -0.0414
4.97 -0.0913
4.98 -0.1261
4.99 -0.1460
5.00 -0.1524
5.01 -0.1470
5.02 -0.1319
5.03 -0.1095
5.04 -0.0824
5.05 -0.0531
5.06 -0.0239
5.07 0.0030
5.08 0.0261
5.09 0.0440
5.10 0.0561
5.11 0.0621
5.12 0.0623
5.13 0.0574
5.14 0.0483
5.15 0.0364
5.16 0.0230
5.17 0.0096
5.18 -0.0026
5.19 -0.0125
5.20 -0.0191
5.21 -0.0220
5.22 -0.0210
5.23 -0.0162
5.24 -0.0082
5.25 0.0021
5.26 0.0137
5.27 0.0255
5.28 0.0362
5.29 0.0447
5.30 0.0500
5.31 0.0514
5.32 0.0486
5.33 0.0414
5.34 0.0303
5.35 0.0160
5.36 -0.0002
5.37 -0.0170
5.38 -0.0325
5.39 -0.0449
5.40 -0.0524
5.41 -0.0531
5.42 -0.0455
5.43 -0.0282
5.44 -0.0003
5.45 0.0387
5.46 0.0886
5.47 0.1488
5.48 0.2184
5.49 0.2957
5.5 0.3787
5.51 0.4652
5.52 0.5528
5.53 0.6388
5.54 0.7207
5.55 0.7963
5.56 0.8635
5.57 0.9207
5.58 0.9666
5.59 1.0005
5.60 1.0223
5.61 1.0322
5.62 1.0313
5.63 1.0205
5.64 1.0017
5.65 0.9764
5.66 0.9468
5.67 0.9145
5.68 0.8816
5.69 0.8495
5.70 0.8196
5.71 0.7927
5.72 0.7695
5.73 0.7499
5.74 0.7338
5.75 0.7204
5.76 0.7087
5.77 0.6977
5.78 0.6859
5.79 0.6720
5.80 0.6548
5.81 0.6333
5.82 0.6065
5.83 0.5739
5.84 0.5356
5.85 0.4916
5.86 0.4427
5.87 0.3900
5.88 0.3346
5.89 0.2783
5.9 0.2227
5.91 0.1695
5.92 0.1204
5.93 0.0771
5.94 0.0407
5.95 0.0123
5.96 -0.0076
5.97 -0.0187
5.98 -0.0214
5.99 -0.0164
6.00 -0.0046
실시예 5에 의해 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물, Hart 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물, 및 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 데이터 점들과 비교하여 이들 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물이 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 의한 단핵 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트과 일치되는지를 결정하였다. 바람직한 r 값들 범위에서 각각의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물 및 크롬(III) 아세테이트 모델 간의 피팅을 최적화하고 본원에 기재된 바와 같이 동일 r 범위에 대한 식 R2=1-(SSerr/SStot)을 통해 적합도 검정값, R2를 계산하여 별개로 비교하였다.
각각의 최적화 피팅은 다음과 같이 수행되었다: 1) 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r)데이터 점들을 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r)데이터 점들로 전환하고 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r)데이터 점들을 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 데이터 점들로 식 g(r)=((((d(r)/(4π*r*ρ0))+1)*fac)+C)을 이용하여 환산하고 2) r = 1.79 옹스트롬에서 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델 g(r) 데이터 점에 대한 환산된 및 최적화 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점은 0이라는 구속 조건에서 스케일링 및 최적화 변수로서 rho, fac, 및 C를 이용하여 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 간의 편차자승합을 최소화한다. 이러한 방법으로, g(r)=(d(r)/(4π*r *ρ0))는 표 6에 제시된 최적화 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델의 방사상 분포 d(r) 데이터 점들을 g(r) 데이터 점들로 전환시켜 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물에 대하여 실험적으로 얻어진 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 비교할 수 있고, fac 및 C은 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 데이터 점들과 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 데이터 점들 간의 최적 피팅을 가능하게 하는 환산계수들이다. 최적화 작업은 Microsoft® Excel 스프레드시트 프로그램의 Solver 함수를 이용하여 수행하였지만 r=1.79 옹스트롬에서 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델 g(r) 데이터 점 (환산 작업 후 얻어진)은 0과 같다는 구속에서 환산 함수 변수들 ρ0, fac, 및 C을 이용하여 최소 편차자승합을 풀 수 있는 기타 프로그램들을 이용할 수도 있다.
다음 과정은 r 값 범위 1.3 내지 4.0에서 실시예 5의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 아세테이트 모델의 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들 간의 피팅을 최적화하기 위하여 Microsoft® Excel 워크시트를 만드는 단계들을 제공한다. 빈 Microsoft® Excel 워크시트에:
0.01 간격으로1.00 내지 6.00의 값들을 오른차순으로 셀들 A10-A510에 입력한다.
표 7로부터 크롬(III) 아세테이트 모델의 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들의 각각의 r 값에 대한 해당 d(r) 값들을 셀들 B10-B510에 입력한다.
실시예 5의 크롬 2-에틸헥사노에이트 샘플 중 하나의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터의 각각의 r 값에 대한 해당 g(r) 값들을 셀들 C10-C510에 입력한다.
ρ0에 대한0이 아닌 초기값, 일정 fac 최적화에 대한0이 아닌 초기값, 및 일정 C 최적화에 대한 초기값을 각각 셀들 D4, D5, 및 D6에 입력한다.
식 =((($B10/(4*PI()*$A10*$D$4))+1)*$D$5)+$D$6을 셀 D10에 입력한 후 참고용으로 셀들 D11-D510에 복사한다 (즉, 참고용으로 복사될 때, D510의 식은 =((($B510/(4*PI()*$A510*$D$4))+1)*$D$5)+$D$6)이다.
식 =SUM(E10:E510)을 셀 E8에 입력한다.
식 = (C40-D40)^2을 셀 E40에 입력하고 참고용으로 셀들 E41-E310에 복사한다 (즉, 참고용으로 복사될 때, E310에 있는 식은 = (C310-D310)^2)이고 셀들 E10-E39 및 E311-E510은 빈 곳이다.
실시예 5의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 아세테이트 모델에 대한 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들 간의 최적화를 다음과 같이 수행한다:
Microsoft® Excel에서 Solver 루틴 열기;
E8을 “Set Target Cell”라고 표기된 Solver 루틴 박스에 입력;
최소값과 같은 목표 셀을 선택;
셀들 D4, D5, 및 D6 ($D$4:$D$6)을 “By Changing Cells”이라고 표기된 Solver 루틴 박스에 입력;
셀 $D$89=0 구속조건을 “Subject Constraints”라고 표기된Solver 루틴 박스에 입력;
Solver 루틴이 성공적으로 해로 수렴되면 solve box를 클릭한 후 OK 버튼을 누름 (한편 유지 해 (solution) 라디오 버튼이 선택되었는지를 확인).
이러한 단계들은 데이터 점들을 포함하고 일반식들, 관계식들, 및 절차를 이용하는 워크시트를 생성하고 워크시트를 통하여 실시예 6의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들 사이 기타 r 값들 범위에서 피팅을 최적화를 수행할 수 있다는 것에 주목하여야 한다.
초기 값들 ρ0=0.1, fac=0.1, 및 C=0을 이용하여 실시예 5의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들 간의 피팅 최적화를 통하여, Solver 루틴은 ρ0=0.0101, fac=0.1410, 및 C=0.1266 (4자리까지 반올림)의 해를 가지고, 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 실시예 5의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 간의 최소 편차자승합은 (4자리까지 반올림) 136.5504로 수렴된다. ρ0, fac, 및 C 값들에 대한 다중 수렴 해들이 존재하고 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 간의 동일한 최소 편차자승합을 제공한다는 것을 이해하여야 한다. 때로 수렴 값들 ρ0, fac, 및 C의 차이는 ρ0, fac, 및 C에 대한 초기 값들 선택일 수 있다. 예를들면, 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 실시예 5의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 사이 최소 편차자승합 136.5487 (4자리에서 반올림)은 초기 값들 ρ0=0.1, fac=0.1, 및 C=0.1을 이용하여 얻어지고 (ρ0=0.0203, fac=0.2828, 및 C=-0.0152을 가지는 해로 수렴, 4자리에서 반올림) 또는 초기 값들 ρ0=0.2, fac=0.2, 및 C=0 (ρ0=0.0230, fac=0.3207, 및 C=-0.0531 을 가지는 해로 수렴, 4자리에서 반올림)을 이용하여 얻어진다. 따라서, 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 사이의 진정한 최소 편차자승합이 얻어진다면 ρ0, fac, 및 C의 초기 값들, 및 ρ0, fac, 및 C의 수렴 값들은 특히 중요하지 않다.
이후 적합도 검정값을 식 R2=1-(SSerr/SStot)을 적용하여 계산하였고, 식 중SSerr=
Figure pct00018
및 SStot=
Figure pct00019
이때 r(int)는 g(r)의 적합도가 계산되는 초기 r 값이고 r(fin)은 적합도가 계산된 g(r) 최종 r 값이다. 일반적으로, 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 및 크롬(III) 아세테이트 모델 간의 최적화의 경우 적합도 검정은 동일 r 값들 범위에서 적용된다. 그러나, 일부 경우들에서, 적합도 검정을 크롬(III) 카르복실레이트 조성물 및 크롬(III) 아세테이트 모델 간 최적화가 수행된 r 값들의 부분집합에서 수행하는 것이 바람직하다.
Figure pct00020
다음 절차들은 실시예 5의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들 간의 피팅을 r 값 범위 1.3 내지 4.0에서 최적화할 때 이용한 Microsoft® Excel 워크시트를 확장하여 실시예 5의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들 간의 최적화 피팅 간의 값 범위 1.3 내지 4.0에서 적합도 검정값, R2을 계산하기 위한 식을 포함하는 단계들을 제공한다. 본 절차는 실시예 5의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들 간의 피팅을 r 값 범위 1.3 내지 4.0에서 최적화할 때 이용한 Microsoft® Excel 워크시트에 기반한다. 이러한 단계들은 데이터 점들을 포함하고 일반식들, 관계식들, 및 절차를 이용하는 워크시트를 생성하고 워크시트를 통하여 실시예 5의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들 사이 기타 r 값들 범위에서 최적화 피팅 간의 적합도를 계산할 수 있다는 것에 주목하여야 한다
실시예 5의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들 간 r 값 범위 1.3 내지 4.0에 걸쳐 피팅 최적화를 생성하는 Microsoft® Excel 워크시트에서:
식 =SUM(F10:F510)을 셀 F8에 입력한다.
1을 셀들 F40 내지F310에 입력 (적합도가 계산되는 r 값 범위에 해당하는 셀들- F10 내지 F510의 모든 기타 셀들은 공란).
식 =SUM(G10:G510)을 셀 G8에 입력.
= (C40-D40)^2을 셀 G40에 입력한 후 참조용으로 셀들G41-G310에복사 (즉 참조용으로 복사될 때, G310에 있는 식은 =(C310D310)^2이다).
식 =SUM(H10:H510)을 셀 H8에 입력.
식 =C40을 셀 H40에 입력한 후 참조용으로 셀들 H41-H310에 복사 (즉, 참조용으로 복사될 때, H310에 있는 식은 =C310이다).
식 = SUM(I10:I510)을 셀 I8에 입력.
식 = (H40(H$8/F$8))^2을 셀 I40에 입력한 후 참조용으로 셀들 I41-I310에 복사 (즉, 참조용으로 복사될 때, I31에 있는 식은 =(H311(H$8/F$8))^2이다).
식 =1-(G8/I8)을 셀 I4에 입력하고 적합도 검정값을 제공.
이러한 단계들은 데이터 점들을 포함하고 일반식들, 관계식들, 및 절차를 이용하는 워크시트를 생성하고 워크시트를 통하여 실시예 5의 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물에 대한 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들 및 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 d(r) 데이터 점들 사이 기타 r 값들 범위에서 적합도 검정값을 계산할 수 있다는 것에 주목하여야 한다.
표 8은 실시예 5에 의해 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들, 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물, 및 Hart 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절과 다양한 범위들의 r에 대하여 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델의 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 점들을 비교하기 위한 적합도 검정값들을 제공한다. 각각의 경우에서, 적합도 검정값들을 위한 r 값들으로서 동일한 r 값 범위에서 표기 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 및 표 7의 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 및 고에너지 X-선 회절 d(r) 점들 간의 최적화가 수행되었다. 도 18, 19, 및 20은, 실시예 5에 의해 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물, 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2에틸헥사노에이트 조성물, 및 크롬(III) 아세테이트의 무수 복분해 생성 샘플의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터와 본원에 기재된 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터를 비교한 도표이다 (r 값 1.3 내지 4.0 옹스트롬 범위에서 최적화). 적합도 검정값들 및 도 18, 19, 및 20은 실시예 5에 의해 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물은 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물 및 크롬(III) 아세테이트의 무수 복분해 생성 샘플보다 단핵 크롬(III) 카르복실레이트와 더욱 유사하다는 것을 보인다 (단핵 크롬(III) 아세테이트 모델과의 비교).
표 8 - 3종의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 단핵 크롬(III) 아세테이트 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 점들과의 다양한 범위의 r에서의 비교를 위한 적합도 검정값들.
실시예 5의 크롬(III) 2에틸-헥사노에이트 조성물 1st 상업적으로 입수되는
크롬(III) 2에틸-헥사노에이트 조성물		 Hart 크롬(III) 2에틸헥사노에이트
1.3 - 3.0 0.761 0.585 0.570
1.3 - 3.1 0.760 0.582 0.542
1.3 - 3.2 0.757 0.517 0.531
1.3 - 3.3 0.758 0.365 0.506
1.3 - 3.4 0.759 0.266 0.492
1.3 - 3.5 0.760 0.250 0.501
1.3 - 3.6 0.757 0.284 0.517
1.3 - 3.7 0.749 0.326 0.538
1.3 - 3.8 0.747 0.354 0.556
1.3 - 3.9 0.746 0.371 0.559
1.3 - 4.0 0.746 0.385 0.559
올레핀 올리고머화
회분식 에틸렌 올리고머화용 촉매시스템 제조
회분식 에틸렌 올리고머화용 촉매시스템 용액을 무 산소 및 습기의 드라이박스에서 제조하였다. 바람직한 TEA:DEAC:DMP:Cr 비율을 달성하기 위하여 트리에틸알루미늄 (TEA) 대 디에틸알루미늄 클로라이드 (DEAC) 대 2,5-디메틸피롤 (DMP) 대 크롬 (Cr)의 몰비를 변경하였다.
무수, 탈기 에틸벤젠을 건조 바이알에 첨가하였다. 본 바이알에 순수 트리에틸알루미늄 (TEA) 및 순수 디에틸알루미늄 클로라이드 (DEAC)를 촉매시스템 크롬 농도 5.0 mg Cr/mL에서 바람직한 촉매 성분비가 되도록 첨가하였다. 바이알 내용물을 혼합하고 15 분 간 정치하였다. 2,5-디메틸피롤 (촉매시스템 크롬 농도 5.0 mg Cr/mL에서 바람직한 촉매 성분비에 이르는 함량)을 서서히 바이알에 첨가하고 대부분의 경우 가스 발생이 관찰되었다. 선택된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물을 먼저 에틸벤젠 중 대략 7 wt % Cr으로 희석한 후 희석된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 조성물을 교반하면서 알킬알루미늄/피롤 용액에 서서히 첨가하여 촉매시스템 용액을 형성하였다. 촉매시스템 용액을 적합한 함량의 에틸벤젠으로 농도 5.0 mg Cr/mL로 희석하였다. 촉매시스템을 선택적 에틸렌 올리고머화 반응기에 충전하기 전에, 0.5 mL의 에틸벤젠 희석 촉매 용액 (2.5 mg Cr)을 24.5 mL 시클로헥산으로 희석시켜 촉매시스템 취급 및 선택적 에틸렌 올리고머화 반응기 충전을 용이하게 하였다.
연속식 에틸렌 올리고머화용 촉매시스템 제조
연속식 에틸렌 올리고머화용 촉매시스템들을 무 산소 및 습기를 유지하는 제어된 헬륨 블랭켓을 가지는 건조 박스에서 제조하였다. 바람직한 TEA:DEAC:DMP:Cr 비율을 달성하기 위하여 트리에틸알루미늄 (TEA) 대 디에틸알루미늄 클로라이드 (DEAC) 대 2,5-디메틸피롤 (DMP) 대 크롬 (Cr)의 몰비를 변경하였다.
무수 탈기 에틸벤젠 (15.85 g)을 건조된 100 mL 용량 플라스크에 첨가하였다. 플라스크에 순수 트리에틸알루미늄 (TEA) 및 순수 디에틸알루미늄 클로라이드 (DEAC)를 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트와 유사하게4.76 g 크롬(III) 2에틸헥사노에이트가 첨가될 때 (이후 단계) 바람직한 촉매 성분 비율에 이르는 함량으로 첨가하고 혼합하였다. 2,5-디메틸피롤을 플라스크에 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트와 유사하게4.76 g 크롬(III) 2에틸헥사노에이트가 첨가될 때 (이후 단계) 바람직한 촉매 성분 비율들이 될 수 있는 함량으로 첨가하였다. 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 (4.76 g)와 유사하게 크롬 (III) 2에틸헥사노에이트를 에틸벤젠 (2.38 g)에 녹였다. 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 (4.76 g)에 유사하게 크롬 (III) 2-에틸헥사노에이트 용액을 2.38 g 에틸벤젠에 녹이고 100 mL 용량 플라스크에 첨가하였다. 에틸벤젠으로100 mL를 맞추고 용액은 불활성 분위기에 보관하였다.
회분식 선택적 에틸렌 올리고머화 방법
질소 분위기에서, 1 리터 오토클레이브 반응기 (316 SS)를 준비하여 시클로헥산 (400 mL) 중 트리에틸알루미늄 (2 g) 용액을 오토클레이브 반응기에 충전시키고 18시간 동안 용액을 격렬하게 교반시켜 건조하였다. 이후 반응기 내용물을 오토클레이브 반응기 바닥 밸브로 배출하였다. 무수 시클로헥산 (400 mL)으로 반응기를 채우고 짧은 시간 교반한 후 오토클레이브 반응기 바닥 밸브를 통해 배출하고 오토클레이브를 질소 분위기로 유지하였다.
불활성 분위기의 드라이박스에서 촉매시스템 용액 (25 mL)을 스테인리스 강재 (316 SS)의 충전 실린더 (50 mL)로 옮겼다. 촉매시스템 충전 실린더를 불활성 분위기 드라이박스로부터 빼냈다. 시클로헥산 (200 mL)을 미리 준비된 건조 오토클레이브 반응기로 옮겼다. 촉매시스템 충전 실린더 내용물을 추가 시클로헥산 (200 mL)과 함께 오토클레이브 반응기로 충전하였다. 오토클레이브 반응기를 60 oC로 가열하고 50 psig 수소를 채웠다. 오토클레이브 반응기를 109 oC로 가열하고 오토클레이브 반응기의 분위기를 50 psig로 방출하였다. 오토클레이브 반응기의 공기-구동 교반 임펠러를 구동시키고 10 분에 걸쳐 바람직한 운전 압력까지 에틸렌을 서서히 첨가하여 올리고머화를 개시하였다. 외부 전기 가열 맨틀 및 내부 증기-공급 코일들을 적절하게 이용하여 올리고머화 반응 온도를 바람직한 온도로 변경시키고 유지하였다. 요구에 따라 에틸렌을 계속적으로 공급하여 바람직한 운전 압력을 유지하였다.
올리고머화 완료에 따라, 오토클레이브 반응기 내용물을 오토클레이브 반응기 바닥으로부터 촉매시스템 중지제 (n-옥탄올, 2mL)가 담긴 용기로 배출하였다. 이후 생성물을 분리, 계량 및 GC-FID로 분석하였다.
실시예 8
본원에 기재된 회분식 선택적 에틸렌 올리고머화 방법에 따라 회분식 에틸렌 올리고머화 실험들을 수행하여 실시예 5에 따라 제조된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트를 이용하는 올레핀 삼합체화 촉매시스템에 미치는 트리에틸알루미늄/디에틸알루미늄 클로라이드/2,5-디메틸피롤/크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 (TEA/DEAC/DMP/Cr(EH)3)로 구성되는 올레핀 삼합체화 촉매시스템에서의 피롤:크롬 몰비 영향을 조사하였다 (운전들 101-103).
운전들 101-103에서, 실시예 5에 따라 제조된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트를 이용하는 올레핀 삼합체화 촉매시스템에 대한 DMP:Cr 몰비를 변경하였다. 이러한 회분식 선택적 에틸렌 올리고머화 운전들을 115 ℃, 600-800 psig 에틸렌 압력에서 요구되는 에틸렌 공급, 50 psig H2, 및 30 분 반응기 체류 시간으로 수행하였다. 본원에 기재된 회분식 에틸렌 올리고머화 촉매시스템들에 따라 촉매시스템들을 제조하여 2.5 mg 크롬 함유 용액25 mL를 제공하고 촉매시스템 성분 비율들은 표 9에 제시한다. 표 9는 운전들 101-103에 대한 촉매시스템 생산성, C6 선택성, 및 삼합체화 생성물의 C6 분획에서의 1-헥센 함량을 제시한다.
표 9 - DMP:Cr 몰비의 함수로서의 에틸렌 올리고머화 촉매시스템 생산성
운전 TEA:DEAC:DMP:Cr몰비 Al:Cr몰비 DMP:Cr몰비 Cr 생산성(g 1-C 6 = /g Cr) C 6 선택성(wt. %) C 6 순도(wt. %)
101 9 : 6 : 3 : 1 15 : 1 3.0 : 1 33,700 94.3 99.2
102 9 : 6 : 0.9 : 1 15 : 1 0.9 : 1 37,600 94.2 99.3
103 9 : 6 : 0.5 : 1 15 : 1 0.5 : 1 42,800 94.2 99.2
실시예 5에 의해 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 함유 올레핀 삼합체화 촉매시스템을 이용한회분식 에틸렌 올리고머화로부터의 데이터는 피롤:크롬 몰비가 0.5:1 근처의 올레핀 삼합체화 촉매시스템이 최고 생산성 (g 1-C6 =/g Cr)을 가지는 것을 보인다. 그러나, 1:1 근처의 피롤:크롬 몰비에서의 생산성 (g 1-C6 =/g Cr)가 허용될 수 있고 다른 인자들이 바람직하다면 (예를들면, 다른 고려 요소들보다도 1-헥센 선택성, 바람직하지 않은 중합체 생성물, 올리고머화 조건 민감성을 고려하면) 이용될 수 있다는 것에주목하여야 한다.
실시예 9
연속식 에틸렌 올리고머화 실험들을 수행하여 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트와 유사한 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트를 이용하는 트리에틸알루미늄/디에틸알루미늄 클로라이드/2,5-디메틸피롤/크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 (TEA/DEAC/DMP/Cr(EH)3)로 구성되는 올레핀 삼합체화 촉매시스템에서의 피롤:크롬 몰비 영향을 조사하였다.
운전들 201-205에서, 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트와유사한 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트를 이용하는 올레핀 삼합체화 촉매시스템에 대하여 DMP:Cr 몰비를 변경하였다. 올리고머화 반응들을 115 ℃, 800 psig, 반응기 크롬 농도 2.75 ppm, 및 용매 /에틸렌 비율 2.10으로 운전되는1 리터 연속 반응기에서 수행하였다. 각각의 공급 성분들에 대한 개별 제어로 공급속도를 조절하였다. 특히, 올레핀 삼합체화 운전들 201-205을 에틸렌 공급율 497 g/hr, 수소 공급율 0.5 L/hr, 및 평균 체류 시간 21 분에서 수행하였다. 연속식 에틸렌 삼합체화의 작업 샘플들을 액체 샘플 밸브 (Valco 제작)를 통해 수거하고 온라인 가스크로마토그래피로 분석하여 Cr 생산성, C6 선택성, 및 C6 순도를 결정하였다. 표 10은 운전들 201-205에서 삼합체화 생성물의 촉매시스템 생산성, C6 선택성, 및 C6 분획에서의1-헥센 함량을 제시한다.
표 10 - DMP:Cr 몰비 함수로서의 에틸렌 올리고머화 촉매시스템 생산성
운전 TEA:DEAC:DMP:Cr몰비 Al:Cr몰비 DMP:Cr몰비 Cr 생산성(g 1-C 6 = /g Cr) C 6 선택성(wt. %) C 6 순도(wt. %)
201 11 : 8 : 1.5 : 1 19 : 1 1.5 : 1 40,959 96.3 99.06
202 11 : 8 : 2.25 : 1 19 : 1 2.25 : 1 59,537 95.6 99.54
203 11 : 8 : 3 : 1 19 : 1 3 : 1 80,097 91.0 99.24
204 11 : 8 : 3.75 : 1 19 : 1 3.75 : 1 66,171 95.3 99.48
205 11 : 8 : 4.5 : 1 19 : 1 4.5 : 1 80,462 91.5 99.25
제1 상업적인 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플과 유사한 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 함유 올레핀 삼합체화 촉매시스템을 이용한 연속식 에틸렌 올리고머화 데이터는 3:1 이상의 피롤:크롬 몰비에서 올레핀 삼합체화 촉매시스템이 최고 생산성 (g 1-C6 =/g Cr)을 가진다는 것을 보인다. 특히 피롤:크롬 몰비가 3:1에서 1.5:1로 감소하면 올레핀 삼합체화 촉매시스템 생산성 (g 1-C6 =/g Cr)은 급격히 떨어진다는 것에 주목하여야 한다.
도 1은 올레핀 삼합체화 촉매시스템 최고 생산성 (g 1-C6 =/g Cr)이 실시예 5 방법에 따라 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 이용 회분식 에틸렌 올리고머화 운전들 및 제1 상업적인 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플과 유사한 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 이용 연속식 에틸렌 올리고머화들에 대한 피롤:크롬 몰비에 따라 변화되는 것을 도시적으로 보인다. 본 그래프에서 생산성 변화는 피롤:크롬 몰비가 3:1인 비교 실험에 대비하여 증가 또는 감소로서 도시된다. 본 그래프는 명백하게 2개의 상이한 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플들을 가지는 올레핀 삼합체화 촉매시스템들은 올레핀 삼합체화 촉매시스템의 피롤:크롬 몰비에 대하여 다르게 반응하는 촉매 생산성을 가진다는 것을 보인다. 이러한 정보는 분명히 2종의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플들 간의 근본적인 차이를 의미한다.
실시예 10
본원에 기재된 회분식 선택적 에틸렌 올리고머화 방법에 따라 회분식 에틸렌 올리고머화 실험들을 수행하여 실시예 5에 따라 제조된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트를 이용하는 올레핀 삼합체화 촉매시스템에 미치는 트리에틸알루미늄/디에틸알루미늄 클로라이드/2,5-디메틸피롤/크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 (TEA/DEAC/DMP/Cr(EH)3)로 구성되는 올레핀 삼합체화 촉매시스템에서의 알루미늄:크롬 몰비 몰비 영향을 조사하였다 (운전들 301-304).
운전들 301-304에서, 실시예 5에 따라 제조된 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트를 이용하는 올레핀 삼합체화 촉매시스템에 대한 알루미늄:크롬 몰비를 변경하였다. 이러한 회분식 선택적 에틸렌 올리고머화 운전들을 115 ℃, 600-800 psig 에틸렌 압력에서 요구되는 에틸렌 공급, 50 psig H2, 및 30 분 반응기 체류 시간으로 수행하였다. 본원에 기재된 회분식 에틸렌 올리고머화 촉매시스템에 따라 촉매시스템을 제조하여 2.5 mg 크롬 함유 용액25 mL를 제공하고 촉매시스템 성분 비율들은 표 11에 제시한다. 표 11은 운전들 301-303에 대한 촉매시스템 생산성, C6 선택성, 및 삼합체화 생성물의 C6 분획에서의 1-헥센 함량을 제시한다.
표 11 - 에틸렌 올리고머화 촉매시스템 생산성
운전 TEA:DEAC:DMP:Cr몰비 Al:Cr몰비 Cr 생산성(g 1-C 6 = /g Cr) C 6 선택성wt. % C 6 순도wt. %
301 12:8:3:1 20:1 39,400 93.2 98.8
302 11.5 : 7.8 : 3 : 1 19.3 : 1 41,400 93.8 99.2
303 8.5 : 5.8 : 3 : 1 14.3 : 1 43,100 93.7 99.3
304 6.0 : 4.0 : 3 : 1 10 : 1 24,900 93.8 99.5
운전들 301-304에서, 표 1에 제시된 생산성 변화 (%)는 TEA:DEAC:DMP:Cr(EH)3의12:8:3:1 몰비를 가지는 표준 활성화에 대하여 상대적이다. 각각의 운전에서, 디메틸 피롤 (DMP) 대 크롬 몰비는 3:1로 유지되고, 단지 TEA:DEAC:Cr(EH)3 비율 만이 변경되었다.
실시예 5에 의해 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 함유 올레핀 삼합체화 촉매시스템을 이용한 회분식 에틸렌 올리고머화로부터의 데이터는 알루미늄:크롬 몰비가 14.3:1 근처에서 올레핀 삼합체화 촉매시스템이 최고 생산성 (g 1-C6 =/g Cr)을 가진다는 것을 보인다
실시예 11
연속식 에틸렌 올리고머화 실험들을 수행하여 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트와 유사한 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트를 이용하는 트리에틸알루미늄/디에틸알루미늄 클로라이드/2,5-디메틸피롤/크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 (TEA/DEAC/DMP/Cr(EH)3)로 구성되는 올레핀 삼합체화 촉매시스템에서의 알루미늄:크롬 몰비 영향을 조사하였다.
소량의 에틸벤젠 (EB)에 희석된 종래 Cr(EH)3, 2,5-디메틸피롤 (DMP), 및 에틸벤젠 용매 중 트리에틸알루미늄 (TEA) 및 디에틸알루미늄 클로라이드 (DEAC) 혼합물을 조합하여 선택적 1-헥센 촉매시스템를 제조하였다. 상이한 알루미늄:크롬 몰비로 여러 촉매들을 제조한 후 동일한 조건들로 연속식 에틸렌 올리고머화 반응기 시스템에서 시험하였다. 모든 촉매들을 에틸벤젠 중 크롬 농도 5 mg/mL로 제조하였다.
운전들 401-405에서, 제1 상업적으로 입수되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트와 유사한 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트를 이용하는 올레핀 삼합체화 촉매시스템에 대하여 Al:Cr 몰비를 변경하였다. 올리고머화 반응들을 115 ℃, 800 psig, 반응기 크롬 농도 2.75 ppm, 및 용매 /에틸렌 비율 2.10으로 운전되는1 리터 연속 반응기에서 수행하였다. 각각의 공급 성분들에 대한 개별 제어로 공급속도를 조절하였다. 특히, 올레핀 삼합체화 운전들 401-405을 에틸렌 공급율 497 g/hr, 수소 공급율 0.5 L/hr, 및 평균 체류 시간 21 분에서 수행하였다. 연속식 에틸렌 삼합체화의 작업 샘플들을 액체 샘플 밸브 (Valco 제작)를 통해 수거하고 온라인 가스크로마토그래피로 분석하여 Cr 생산성, C6 선택성, 및 C6 순도를 결정하였다. 표 12는 운전들 401-403에서 삼합체화 생성물의 촉매시스템 생산성, C6 선택성, 및 C6 분획에서의1-헥센 함량을 제시한다.
표 12 - 에틸렌 올리고머화 촉매시스템 생산성
운전 TEA:DEAC:DMP:Cr몰비 Al:Cr몰비 Cr 생산성(g 1-C 6 = /g Cr) C 6 선택성wt. % C 6 순도wt. %
401 5.5 : 4 : 3 : 1 9.5 : 1 na na na
402 8.25 : 6 : 3 : 1 14.25 : 1 45,721 95.7 98.89
403 9.9 : 7.2 : 3 : 1 17.1 : 1 69,686 94.8 99.54
404 11 : 8 : 3 : 1 19 : 1 80,097 91.0 99.24
405 12.1 : 8.8 : 3 : 1 20.9 : 1 77,173 92.4 99.5
알루미늄:크롬 몰비 9.5를 이용하여 제조되는 올레핀 삼합체화 촉매시스템은 대량의 원치않는 침전물을 생성하였고 연속식 에틸렌 올리고머화 반응기에서 시험하지 않았다. 나머지 4종의 연속식 에틸렌 올리고머화들의 결과는 크롬 및 알루미늄 생산성 데이터에 기반하여19:1 근처의 알루미늄:크롬 몰비 근처에서 발생된다는 것을 보인다 .
도 2는 올레핀 삼합체화 촉매시스템 최고 생산성 (g 1-C6 =/g Cr)이 실시예 5 방법에 따라 제조되는 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 이용 회분식 에틸렌 올리고머화 운전들 및 제1 상업적인 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플과 유사한 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 이용 연속식 에틸렌 올리고머화들에 대한 피롤:크롬 몰비에 따라 변화되는 것을 도시적으로 보인다. 본 그래프에서 생산성 변화는 피롤:크롬 몰비가 대략 19:1인 비교 실험에 대비하여 증가 또는 감소로서 도시된다. 본 그래프는 명백하게 2개의 상이한 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플들을 가지는 올레핀 삼합체화 촉매시스템들은 올레핀 삼합체화 촉매시스템의 알루미늄:크롬 몰비에 대하여 다르게 반응하는 촉매 생산성을 가진다는 것을 보인다. 이러한 정보는 분명히 2종의 크롬(III) 2-에틸헥사노에이트 샘플들 간의 근본적인 차이를 의미한다.

Claims (53)

  1. 조성물에 있어서:
    a) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, b) 피롤 화합물; 및 c)금속 히드로카르빌 화합물로 구성되며, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물은,
    i) υsym (CO2) 적외선 피크의110 cm-1 내에서 υasym (CO2) 적외선 흡광피크를 가지고 1516±15 cm1에서의 υasym (CO2) 적외선 흡광피크 대 700±50 cm-1에서의 적외선 흡광피크의 적외선 흡광피크 높이비는 3:1 이상인 KBr 펠렛 적외선 스펙트럼을 가지고,
    ii) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 단핵 크롬(III) 아세테이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 r 범위 1.3 옹스트롬 내지 4 옹스트롬에 걸쳐 비교할 때 적어도 0.6의 적합도 검정값, R2을 가지고, 또는
    iii) 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산 조건들에서
    1) 식 CrX3Lℓ을 가지는 크롬(III) 전구체, 식 중 각각의 X는 독립적으로 할라이드, 각각의 L은 독립적으로 C2-C10 에테르, C2-C10 티오에테르, C2-C5 니트릴, C1-C30 아민, 또는 C3-C30 포스핀, 또는 임의의 이들의 조합이고, ℓ 범위는 0 내지 7,
    2) 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트, 및
    3) 제1 용매; 를 접촉하는 단계로 구성되는, 방법으로 제조되는, 조성물.
  2. 제1항에 있어서, C3-C25 카르복실레이트는 식 (O2C)rR1c 을 가지고, 식 중 r은 1 내지 4인 정수이고 R1c 는 탄화수소기 또는 치환된 탄화수소기인, 조성물.
  3. 제1항에 있어서, C3-C25 카르복실레이트는 식 O2CR2c 을 가지고, 식 중 R2c 는 히드로카르빌기 또는 치환된 히드로카르빌기인, 조성물.
  4. 제1항에 있어서, C3-C25 카르복실레이트는 프로피오네이트, 부티레이트, 펜타노에이트, 헥사노에이트, 헵타노에이트, 옥타노에이트, 노나노에이트, 데카노에이트, 운데카노에이트, 도데카노에이트, 트리데카노에이트, 테트라데카노에이트, 펜타데카노에이트, 헥사데카노에이트, 헵타데카노에이트, 옥타데카노에이트, 또는 임의의 이들의 조합로 구성되는, 조성물.
  5. 제1항에 있어서, C3-C25 카르복실레이트는 2-에틸헥사노에이트로 구성되는, 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 피롤 화합물은 식 P1을 가지고
    Figure pct00021

    식 중 R2p, R3p, R4p, 및 R5p 는 독립적으로 수소원자들 또는 C1C30 오르가닐기들인, 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 피롤 화합물은 식 P5를 가지고
    Figure pct00022

    식 중 R42p 및 R4p 는 독립적으로 C1C18 히드로카르빌기들인, 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 피롤 화합물은 2,5-디메틸피롤, 2-메틸-5-에틸피롤, 2,5-디에틸피롤, 2,5-디프로필피롤, 2,5-디부틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 2,4-디에틸피롤, 2,4-디프로필피롤, 2,4-디부틸피롤, 3,4-디메틸피롤, 3,4-디에틸피롤, 3,4-디프로필피롤, 3,4-디부틸피롤, 2,3,4-트리메틸피롤, 3-에틸-2,4-디메틸피롤, 2,3,5-트리메틸피롤; 2,3,4,5-테트라메틸피롤, 2,3,4,5-테트라에틸피롤, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되는, 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 피롤 화합은 2,5-디메틸피롤로 구성되는, 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 금속 히드로카르빌 화합물은 1, 2, 11, 12, 13, 또는 14족 금속 히드로카르빌 화합물로 구성되는, 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 금속 히드로카르빌 화합물은 트리알킬알루미늄, 디알킬알루미늄 할라이드, 알킬알루미늄 디할라이드, 알킬 알루미늄 세스퀴할라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되는, 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 금속 히드로카르빌 화합물은 트리에틸알루미늄 및 디에틸알루미늄 클로라이드로 구성되는, 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 할로겐 함유 화합물을 추가로 포함하는, 조성물.
  14. 제13항에 있어서, 할로겐 함유 화합물은 3족, 4족, 5족, Cr 제외 6족, 13족, 14족, 또는 15족 할로겐 함유 화합물로 구성되는, 조성물.
  15. 제13항에 있어서, 할로겐 함유 화합물은 3족 금속 할라이드, 4족 금속 할라이드, 5족 금속 할라이드, Cr 제외 6족 금속 할라이드, 13족 금속 할라이드, 14족 금속 할라이드, 15족 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되는, 조성물.
  16. 제15항에 있어서, 할로겐 함유 화합물은 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되는, 조성물.
  17. 제13항에 있어서, 할로겐 함유 화합물은 C1-C15 할로겐화 탄화수소로 구성되는, 조성물.
  18. 제11항에 있어서, 크롬 대 알루미늄 몰비 범위는 1:1 내지 1:100인, 조성물.
  19. 제1항에 있어서, 피롤 화합물 대 크롬 몰비 범위는 0.3:1 내지 10:1인, 조성물.
  20. 제1항에 있어서,
    a) (III) C3-C25 카르복실레이트의 C3-C25 카르복실레이트는 프로피오네이트, 부티레이트, 펜타노에이트, 헥사노에이트, 헵타노에이트, 옥타노에이트, 노나노에이트, 데카노에이트, 운데카노에이트, 도데카노에이트, 트리데카노에이트, 테트라데카노에이트, 펜타데카노에이트, 헥사데카노에이트, 헵타데카노에이트, 옥타데카노에이트, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되고;
    b) 피롤 화합물은 2,5-디메틸피롤, 2-메틸-5-에틸피롤, 2,5-디에틸피롤, 2,5-디프로필피롤, 2,5-디부틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 2,4-디에틸피롤, 2,4-디프로필피롤, 2,4-디부틸피롤, 3,4-디메틸피롤, 3,4-디에틸피롤, 3,4-디프로필피롤, 3,4-디부틸피롤, 2,3,4-트리메틸피롤 3-에틸-2,4-디메틸피롤, 2,3,5-트리메틸피롤, 2,3,4,5-테트라메틸피롤, 2,3,4,5-테트라에틸피롤, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되고;
    c) 금속 히드로카르빌 화합물은 트리알킬알루미늄, 디알킬 알루미늄 할라이드, 알킬 금속 디할라이드, 알킬 알루미늄 세스퀴클로라이드, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되고;
    d) 크롬 대 알루미늄 몰비 범위는 1:5 내지 1:17이고;
    e) 피롤 화합물 대 크롬 몰비 범위는 0.3:1 내지 2:1인, 조성물.
  21. a) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, b) 피롤 화합물; 및 c) 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하는 단계로 구성되고, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물은,
    i) υsym (CO2) 적외선 피크의110 cm-1 내에서 υasym (CO2) 적외선 흡광피크를 가지고 1516±15 cm1에서의 υasym (CO2) 적외선 흡광피크 대 700±50 cm-1에서의 적외선 흡광피크의 적외선 흡광피크 높이비는 3:1 이상인 KBr 펠렛 적외선 스펙트럼을 가지고,
    ii) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 단핵 크롬(III) 아세테이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 r 범위 1.3 옹스트롬 내지 4 옹스트롬에 걸쳐 비교할 때 적어도 0.6의 적합도 검정값, R2을 가지고, 또는
    iii) 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산 조건들에서
    1) 식 CrX3Lℓ을 가지는 크롬(III) 전구체, 식 중 각각의 X는 독립적으로 할라이드, 각각의 L은 독립적으로 C2-C10 에테르, C2-C10 티오에테르, C2-C5 니트릴, C1-C30 아민, 또는 C3-C30 포스핀, 또는 임의의 이들의 조합이고, ℓ 범위는 0 내지 7,
    2) 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트, 및
    3) 제1 용매; 를 접촉하는 단계로 구성되는 방법으로 제조되는, 촉매시스템 제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 2 이상의a) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, b) 피롤 화합물, c) 금속 히드로카르빌 화합물, 및 d) 선택적 할로겐 함유 화합물이 불포화 유기화합물 존재에서 접촉되는, 방법.
  23. 제22항에 있어서, 불포화 유기화합물은 C2 내지 C20 불포화 지방족 탄화수소, C6 내지 C20 아렌, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되는, 방법.
  24. 제22항에 있어서, 불포화 유기화합물은 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 에틸벤젠, 이소프로필벤젠, 1,3,5-트리메틸벤젠, 헥사메틸벤젠, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되는, 방법.
  25. 제21항에 있어서, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물은 동시에 접촉되는, 방법.
  26. 제21항에 있어서, 크롬 카르복실레이트 조성물 또는 크롬 카르복실레이트 조성물 및 피롤 화합물을 포함하는 조성물은 금속 히드로카르빌 화합물을 포함하는 조성물에 첨가되는, 방법.
  27. 제21항에 있어서, 피롤/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물 형성을 위한 피롤 화합물 및 금속 히드로카르빌 화합물 접촉단계 및 접촉 피롤 화합물/금속 히드로카르빌 화합물 혼합물을 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물과 접촉하는 단계를 포함하는, 방법.
  28. 제21항에 있어서, 촉매시스템은 할로겐 함유 화합물을 가지는 조성물을 추가로 포함하는, 방법.
  29. 제21항에 있어서, 촉매시스템은 할로겐 함유 화합물을 추가로 포함하고 할로겐 함유 화합물은 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 할로겐화 탄화수소, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되는, 방법.
  30. 제21항에 있어서, 촉매시스템은 할로겐 함유 화합물을 추가로 포함하고 할로겐 함유 화합물은 금속 할라이드로 구성되는, 방법.
  31. 제30항에 있어서, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물을 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉 전에 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물을 피롤 화합물 또는 금속 할라이드 중 적어도 하나와 접촉하는 단계를 포함하는, 방법.
  32. 제30항에 있어서, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물을 금속 히드로카르빌 화합물과 전촉 전에 금속 히드로카르빌 화합물을 피롤 화합물 또는 금속 할라이드 중 적어도 하나와 접촉하는 단계를 포함하는, 방법.
  33. 제21항에 있어서, 촉매시스템은 할로겐 함유 화합물을 추가로 포함하고 할로겐 함유 화합물을 가지는 조성물은 (i) 무기 금속 할라이드, (ii) 히드로카르빌 금속 할라이드, (iii) 무기 금속 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물의 혼합물, 또는 (iv) 히드로카르빌 금속 할라이드 및 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물의 혼합물로 구성되는, 방법.
  34. 제33항에 있어서, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 또는 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물 및 피롤 화합물 포함 조성물은 할로겐 함유 화합물을 가지는 조성물과 접촉 전 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉되는, 방법.
  35. 제29항에 있어서, 피롤 화합물 또는 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물과 할로겐 함유 화합물을 가지는 조성물 접촉 전에 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물 및 피롤 화합물이 접촉되는, 방법.
  36. 제29항에 있어서, (1) 피롤 화합물, 할로겐 함유 화합물을 가지는 조성물, 및 선택적으로, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이 접촉되어 혼합물을 형성하고 (2) 혼합물이 비-할라이드 금속 히드로카르빌 화합물과 접촉되는, 방법.
  37. 제21항에 있어서, (1) 피롤 화합물, 금속 히드로카르빌 화합물, 및 선택적으로 할로겐 함유 화합물이 접촉되어 혼합물을 형성하고, (2) 혼합물이 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물과 접촉되는 단계로 구성되는, 방법.
  38. 1) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 2) 피롤 화합물; 및 3) 금속 히드로카르빌 화합물로 구성되는 촉매시스템 존재에서, 에틸렌으로 구성되는 올레핀, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하여 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성되고, 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물은,
    i) υsym (CO2) 적외선 피크의110 cm-1 내에서 υasym (CO2) 적외선 흡광피크를 가지고 1516±15 cm1에서의 υasym (CO2) 적외선 흡광피크 대 700±50 cm-1에서의 적외선 흡광피크의 적외선 흡광피크 높이비는 3:1 이상인 KBr 펠렛 적외선 스펙트럼을 가지고,
    ii) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물의 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들과 단핵 크롬(III) 아세테이트 이론 모델에 대하여 계산된 고에너지 X-선 회절 g(r) 데이터 점들을 r 범위 1.3 옹스트롬 내지 4 옹스트롬에 걸쳐 비교할 때 적어도 0.6의 적합도 검정값, R2을 가지고, 또는
    iii) 실질적으로 무수 및 실질적으로 무-산 조건들에서
    1) 식 CrX3Lℓ을 가지는 크롬(III) 전구체, 식 중 각각의 X는 독립적으로 할라이드, 각각의 L은 독립적으로 C2-C10 에테르, C2-C10 티오에테르, C2-C5 니트릴, C1-C30 아민, 또는 C3-C30 포스핀, 또는 임의의 이들의 조합이고, ℓ 범위는 0 내지 7,
    2) 1족 또는 2족 금속 C3-C25 카르복실레이트, 및
    3) 제1 용매; 를 접촉하는 단계로 구성되는 방법으로 제조되는, 올레핀 삼합체화 방법.
  39. 제38항에 있어서, 상기 방법은:
    a) 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물, 피롤 화합물, 및 금속 히드로카르빌 화합물을 접촉하는 촉매시스템을 형성하는 단계;
    b) 촉매시스템을 올레핀과 접촉하는 단계; 및
    c) 삼합체화 조건들에서 올레핀 삼합체화 생성물을 생성하는 단계로 구성되는, 방법.
  40. 제38항에 있어서, 올레핀과의 접촉 전에 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 접촉되는 않는,방법.
  41. 제38항에 있어서, 금속 히드로카르빌 화합물 또는 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트가 올레핀과 접촉 전에 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 접촉되지 않는, 방법.
  42. 제38항에 있어서, 올레핀은 에틸렌으로 구성되고 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물 및 금속 히드로카르빌 화합물은 실질적으로 동시에 에틸렌과 접촉되는, 방법.
  43. 제38항에 있어서, 올레핀은 에틸렌으로 구성되고 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물은 피롤 화합물과 접촉되어 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물/피롤 혼합물 형성 후 크롬(III) C3-C25 카르복실레이트 조성물이 에틸렌과 접촉되는, 방법.
  44. 제38항에 있어서, 올레핀이 에틸렌으로 구성되고 금속 히드로카르빌 화합물이 피롤 화합물과 접촉 후 금속-피롤 혼합물 형성 후 금속 히드로카르빌 화합물이 올레핀과 접촉되는, 방법.
  45. 제38항에 있어서, 촉매시스템은 할로겐 함유 화합물을 가지는 조성물을 추가로 포함하는, 방법.
  46. 제45항에 있어서, 할로겐 함유 화합물은 무기 금속 할라이드, 히드로카르빌 금속 할라이드, 할로겐화 탄화수소, 또는 임의의 이들의 조합으로 구성되는, 방법.
  47. 제38항에 있어서, 삼합체화 조건들은 탄화수소 용매 존재를 포함하는, 방법.
  48. 제38항에 있어서, 올레핀은 에틸렌으로 구성되고 삼합체화 조건들은 20 psi 내지 2500 psi의 에틸렌 부분압을 포함하는, 방법.
  49. 제48항에 있어서, 삼합체화 조건들은 i) 60℃ 내지 약 200℃ 범위의 온도, ii) 2 psi 내지 100 psi의 수소 부분압, 또는 iii) 임의의 이들의 조합 중 적어도 하나를 추가로 포함하는, 방법.
  50. 제38항에 있어서, 촉매시스템은 반응기 유출액을 비활성화제로 처리하여 비활성화되는, 방법.
  51. 제50항에 있어서, 비활성화제는 i) 알코올, ii) 아민, 또는 iii) 임의의 이들의 조합으로 구성되는, 방법.
  52. 제50항에 있어서, 올레핀은 에틸렌으로 구성되고 삼합체화 생성물은 분자 당6개의 탄소원자들을 가지는 적어도 90 중량% 삼합체화 생성물들을 포함하는, 방법.
  53. 제50항에 있어서, 올레핀은 에틸렌으로 구성되고 분자 당6개의 탄소원자들을 가지는 삼합체화 생성물은 적어도 98.5 중량% 1헥센을 포함하는, 방법.
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