KR20140100944A - 반도체 전자레인지 및 그의 마이크로파 피드인 구조 - Google Patents

반도체 전자레인지 및 그의 마이크로파 피드인 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR20140100944A
KR20140100944A KR1020147014490A KR20147014490A KR20140100944A KR 20140100944 A KR20140100944 A KR 20140100944A KR 1020147014490 A KR1020147014490 A KR 1020147014490A KR 20147014490 A KR20147014490 A KR 20147014490A KR 20140100944 A KR20140100944 A KR 20140100944A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
microwave
power source
semiconductor
semiconductor power
cavity
Prior art date
Application number
KR1020147014490A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101570015B1 (ko
Inventor
시앙웨이 탕
준후이 오우
춘화 리앙
Original Assignee
미디어 그룹 코 엘티디
광동 메이디 키친 어플리언시스 매뉴팩쳐링 코., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미디어 그룹 코 엘티디, 광동 메이디 키친 어플리언시스 매뉴팩쳐링 코., 엘티디. filed Critical 미디어 그룹 코 엘티디
Publication of KR20140100944A publication Critical patent/KR20140100944A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101570015B1 publication Critical patent/KR101570015B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64—Heating using microwaves
    • H05B6/70—Feed lines
    • H05B6/705—Feed lines using microwave tuning
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64—Heating using microwaves
    • H05B6/6408—Supports or covers specially adapted for use in microwave heating apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64—Heating using microwaves
    • H05B6/66—Circuits
    • H05B6/68—Circuits for monitoring or control
    • H05B6/686—Circuits comprising a signal generator and power amplifier, e.g. using solid state oscillators
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64—Heating using microwaves
    • H05B6/70—Feed lines
    • H05B6/702—Feed lines using coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64—Heating using microwaves
    • H05B6/70—Feed lines
    • H05B6/707—Feed lines using waveguides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64—Heating using microwaves
    • H05B6/80—Apparatus for specific applications

Abstract

본 발명은 마이크로파 피드인 구조와 그를 구비한 반도체 전자레인지에 관한 것이다. 상기 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조는 도어(25)를 구비하는 캐비티(26); 마이크로파를 발생하는데 사용되는 반도체 파워소스(42); 및 반도체 파워소스(42)와 상기 캐비티(26) 사이에 연결되고, 상기 반도체 파워소스(42)가 발생한 마이크로파를 상기 캐비티(26)안에 피드인하여, 상기 반도체 파워소스(42)가 수출한 마이크로파 모드를 마이크로파 가열에 적합한 마이크로파 모드로 전환하는 마이크로파 피드인 모듈을 포함한다. 본 발명에 따른 반도체 전자레인지 및 그의 마이크로파 피드인 구조는 구조가 간단하고 합리하며, 조작이 원활하고, 적용 범위가 넓으며, 또한 당해 반도체 전자레인지는 효율이 높고, 구조가 간단하고, 원가가 낮으며, 무게가 가볍고, 단위 체적의 출력 밀도가 크다.

Description

반도체 전자레인지 및 그의 마이크로파 피드인 구조{SEMICONDUCTOR MICROWAVE OVEN AND MICROWAVE FEEDING STRUCTURE THEREOF}
본 발명의 실시예는 반도체 전자레인지와 그의 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인구조에 관한 것이다.
전통적인 마그네트론 전자레인지는 마그네트론, 변압기, 고전압커패시터, 고전압다이오드, 쳄버, 도어와 제어부품을 포함한다. 도 1에서 나타내는 바와 같이, 마그네트론 11'이 발사한 마이크로파는 구형 도파 12'를 거쳐 전자레인지의 쳄버13'에 피드인 되고, 쳄버13'내의 음식물을 가열한다.
근년, 반도체 마이크로파 기술은 광범위하게 적용되고 있다. 통신에 적용되는 반도체 마이크로파 기술의 주파수대와 마이크로파 가열에 응용되고 있는 주파수대는 구별이 존재하는바, 반도체 파워소스가 수출한 마이크로파의 모드는TE11, 저항은 50Ω이지만, 전자레인지 가열에 적합한 마이크로파의 모드는TE10 모드이다. 전자레인지에 반도체 마이크로파 기술을 적용하기 위하여, 반도체 파워소스의 마이크로파 수출을 전자레인지 캐비티안에 피드인하는 마이크로파 피드인 구조를 제출하는것이 필요되고 있다.
본 발명은 적어도 일정한 정도에서 상기 기술문제 중의 하나 또는 적어도 하나의 유용한 상업 선택을 제공하려는데 있다.
본 발명의 하나의 목적은 구조가 간단하고, 조작이 원활하고, 적용범위가 넓은 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조를 제공하려는데 있다.
본 발명의 다른 하나의 목적은 상기 마이크로파 피드인 구조를 구비한 반도체 전자레인지를 제공하려는데 있다.
본 발명 한 방면의 실시예에 따른 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조는 도어를 구비한 캐비티; 마이크로파를 발생하는데 사용되는 반도체 파워소스; 및 상기 반도체 파워소스와 상기 캐비티 사이에 연결되여, 상기 반도체 파워소스가 발생한 마이크로파를 상기 캐비티안에 피드인하고 또 반도체 파워소스가 수출한 마이크로파 모드를 마이크로파 가열에 적합한 마이크로파 모드로 전환하는 마이크로파 피드인 모듈을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조는, 반도체 파워소스가 발생한 마이크로파를 전자레인지의 캐비티안에 피드인하고, 반도체 파워소스가 수출한 모드가 TE11인 마이크로파를 마이크로파 가열에 적합한 모드가TE10인 마이크로파로 전환할 수 있고, 또 구조가 간단하고 합리하며, 조작이 원활하고, 적용범위가 넓다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 반도체 파워소스는 상기 마이크로파 피드인 모듈과 연접된 반도체 출력판; 상기 반도체 출력판 위측에 설치되어 있는 차폐케이스; 및 상기 반도체 출력판의 밑면에 붙어서 놓여 있는 방열기를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조는 구형 도파를 더 포함하고, 상기 구형 도파는 상기 캐비티와 연접되고 또 상기 마이크로파 피드인 모듈은 상기 반도체 파워소스와 상기 구형 도파 사이에 연결된다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 마이크로파 피드인 모듈은 장착파이프; 상기 장착파이프와 연접된 세라믹환; 상기 세라믹환과 연접된 튜브; 및 제1끝은 상기 반도체 파워소스와 연접하고 제2끝은 상기 튜브, 세라믹환과 장착파이프를 순차적으로 통과하여 상기 구형 도파안에 넣어진 안테나를 포함한다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 장착파이프가 상기 구형 도파와 인접한 한끝에는 안테나 캡이 씌워져 있고, 상기 마이크로파 피드인 모듈은 상기 구형 도파에 장착된 밑판, 상기 세라믹파이프는 상기 밑판의 한측에 장착되며, 상기 튜브는 상기 밑벽의 다른측에 장착되고; 상기 반도체 파워소스에 장착된 제1고정환; 및 상기 튜브에 씌워져 있으며 또 상기 밑판 및 상기 제1고정환과 연접된 제2고정환을 더 포함한다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 마이크로파 피드인 모듈은 상기 구형 도파에 장착된 밑판; 상기 밑판과 상기 반도체 파워소스 사이에 연결된 제1고정환; 및 상기 밑판과 상기 제1고정환을 통과하며, 제1끝은 상기 반도체 파워소스와 연접되고 제2끝은 상기 구형 도파안에 연접된 탐침을 포함한다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 탐침의 제1끝은 상기 반도체 파워소스의 미크로트립선과 직접 연접되거나 동축 전송선을 통하여 연접된다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 마이크로파 피드인 모듈은 안테나를 포함하고, 상기 안테나의 제1끝은 동축 전송선을 통하여 상기 반도체 파워소스와 연접하고 상기 안테나의 제2끝은 상기 캐비티안에 넣어진다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 캐비티안에는 세라믹판이 설치되어 있고, 상기 세라믹판은 상기 캐비티 내부를 제1쳄버와 제2쳄버로 나누며, 상기 안테나의 제2끝은 상기 제2쳄버안에 넣어진다.
본 발명 다른 방면의 실시예에 따른 반도체 전자레인지는 도어를 구비한 캐비티; 마이크로파를 발생하는데 사용되는 반도체 파워소스; 상기 캐비티와 상기 반도체 파워소스 사이에 연결되여 상기 반도체 파워소스가 발생한 마이크로파를 상기 캐비티안에 피드인하고 또 반도체 파워소스가 수출한 마이크로파 모드를 마이크로파 가열에 적합한 마이크로파 모드로 전환하는 마이크로파 피드인 모듈; 및 상기 반도체 파워소스와 연접된 전원을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 전자레인지는, 반도체 파워소스를 통하여 마이크로파를 발생하고, 또 마이크로파 피드인 모듈을 통하여 반도체 파워소스(42)가 수출한 모드가 TE11인 마이크로파를 마이크로파 가열에 적합한 모드가 TE10인 마이크로파로 전환한다. 당해 반도체 전자레인지는 효율이 높고, 구조가 간단하며, 원가가 낮고, 무게가 가벼우며, 단위 체적의 출력 밀도가 크다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 반도체 파워소스는 상기 마이크로파 피드인 모듈과 연접된 반도체 출력판; 상기 반도체 출력판 위측에 설치된 차폐케이스; 및 상기 반도체 출력판의 밑면에 붙어서 놓여 있는 방열기를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 전자레인지는구형 도파를 더 포함하고, 상기 구형 도파는 상기 캐비티와 연접되고 또 상기 마이크로파 피드인 모듈은 상기 반도체 파워소스와 상기 구형 도파 사이에 연결된다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 마이크로파 피드인 모듈은 장착파이프; 상기 장착파이프와 연접된 세라믹환; 상기 세라믹환과 연접된 튜브; 및 제1끝은 상기 반도체 파워소스와 연접하고 제2끝은 상기 튜브, 세라믹환과 장착파이프을 순차적으로 통과하여 상기 구형 도파안에 넣어진 안테나를 포함한다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 장착파이프가 상기 구형 도파와 인접한 한끝에는 안테나 캡이 씌워져 있고, 상기 마이크로파 피드인 모듈은 상기 구형 도파에 장착된 밑판, 상기 세라믹파이프는 상기 밑판의 한끝에 장착되며 또 상기 튜브는 상기 밑벽의 다른끝에 장착되며; 상기 반도체 파워소스에 장착된 제1고정환; 및 상기 튜브에 씌워져 있으며 상기 밑판 및 상기 제1고정환과 연접된 제2고정환을 더 포함한다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 마이크로파 피드인 모듈은 상기 구형 도파에 장착된 밑판; 상기 밑판과 상기 반도체 파워소스 사이에 연결된 제1고정환; 및 상기 밑판과 상기 제1고정환을 통과하며, 제1끝은 상기 반도체 파워소스와 연접되고 제2끝은 상기 구형 도파안에 연접된 탐침을 포함한다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 탐침의 제1끝은 상기 반도체 파워소스의 미크로트립선과 직접 연접되거나 동축 전송선을 통하여 연접된다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 마이크로파 피드인 모듈은 안테나를 포함하고, 상기 안테나의 제1끝은 동축 전송선을 통하여 상기 반도체 파워소스와 연접되고 상기 안테나의 제2끝은 상기 캐비티안에 넣어진다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 캐비티안에는 세라믹판이 설치되어 있고, 상기 세라믹판은 상기 캐비티 내부를제1쳄버와 제2쳄버로 나누고, 상기 안테나의 제1끝은 상기 반도체 파워소스와 연접되고 상기 안테나의 제2끝은 상기 제2쳄버안에 넣어진다.
본 발명에 따르면, 구조가 간단하고, 원가를 낮추어, 마그네트론을 구비한 전통적인 전자레인지에 대하여 수정을 진행하여 반도체 전자레인지를 얻을 수 있고, 전자레인지의 기타 구조 변화가 필요없고, 진일보하여 원가를 낮출 수 있는 반도체 전자레인지 및 그의 마이크로파 피드인 구조가 제공된다.
또한, 효과적으로 반도체 파워소스가 발생한 마이크로파를 캐비티안에 피드인할 수 있는 반도체 전자레인지 및 그의 마이크로파 피드인 구조가 제공된다.
도1은 마그네트론을 구비한 전통적 전자레인지의 설명도,
도2는 본 발명 제1실시예에 따른 반도체 전자레인지의 분해 설명도,
도3은 본 발명 제1실시예에 따른 반도체 전자레인지의 측면 설명도,
도4는 본 발명 제1실시예에 따른 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 모듈의 국부적 설명도로서, 그 중 그 마이크로파 피드인 모듈은 전통적인 전자레인지의 마그네트론 수출 모듈과 유사하며;
도5는 본 발명 제2실시예에 따른 반도체 전자레인지의 측면 설명도,
도6은 본 발명 제2실시예에 따른 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 모듈의 국부적 설명도이고,
도7은 본 발명 제3실시예에 따른 반도체 전자레인지의 설명도이다.
본 발명의 설명 중에서, 용어 "중심", "종적", "횡적", "길이", "너비", "두께", "위", "아래", "앞", "뒤", "좌", "우", "수직", "수평", "꼭대기", "밑", "안", "밖", "순시침", "역시침" 등이 가리키는 방향 또는 위치 관계는 도면를 기초로하여 나타낸 방향 또는 위치 관계인바, 단지 본 발명의 편리하게 설명하고 설명을 간소화 하려는 것으로 이해하여야 하는바, 상기에서 가리키는 장치 또는 소자들이 반드시 특정된 방향이 있고, 특정된 방향 구조와 조작을 구비해야 한다는 것을 가리키거나 암시하는 것으로 이해하여서는 안되는바, 따라서, 본 발명에 대한 한정으로 이해하여서는 않된다.
이 외에, 용어 "제1", "제2"는 단지 설명의 목적을 위한 것이지, 상대적 중요성을 가리키거나 암시 또는 기술적 특징의 수량을 내재적으로 지시하는 것으로 이해하지 말아야한다. 이에 따라, "제1", "제2"에 한정되어 있는 특징은 명시적 또는 내재적으로 한개 또는 여러개의 당해 특징을 포함할 수 있다. 본 발명의 설명 중에서, "여러 개"의 함의는 따로 명확하고 구체적인 한정이 있는 것을 제외하고는 두 개 또는 두 개 이상임을 뜻한다.
본 발명에서, 따로 명확한 규정 또는 한정이 있는 것을 제외하고, 용어 "장착", "연접", "연결", "고정" 등 용어는 마땅히 광의적으로 이해하여야 하는바, 예를 들면, 고정 연결일 수 있고, 탈부착 연결, 또는 일체적 연결일 수도 있으며; 기계적 연결일 수도 있고, 전기적 연결일 수도 있으며; 직접적인 연접일 수 있고, 중간 매체를 통하여 간접적으로 연접될 수도 있으며, 두개 소자 내부의 연통일 수 있다. 본 기술분야의 통상의 지식을 가진자들은 구체적인 경우에 근거하여 상기 용어가 본 발명에서의 구체적인 함의를 이해할 수 있다.
본 발명 중에서, 따로 명확한 규정 또는 한정이 있는 것을 제외하고, 제1특징이 제2특징의 "위" 또는 "아래"에 있다는 것은 제1과 제2특징이 직접 접촉한다는 것을 포함하고, 제1과 제2특징이 직접 접촉하는 것이 아니라 그들 지간의 다른 특징을 통하여 접촉한다는 것을 포함할 수도 있다. 또한, 제1특징이 제2특징의 "위", "위측"과 "윗면"에 있다는 것은 제1특징이 제2특징의 바로 위측 및 비스듬히 위측으로 있다는 것을 포함하거나, 단지 제1특징의 수평 높이가 제2특징의 수평 높이보다 높다는 것을 의미한다. 제1특징이 제2특징의 "아래", "아래측"과 "아랫면"에 있다는 것은 제1특징이 제2특징의 바로 아래측 및 비스듬히 아래측으로 있다는 것을 포함하거나, 단지 제1특징의 수평높이가 제2특징의 수평 높이보다 낮다는 것을 의미한다.
아래 도면을 결부하여 본 발명 실시예에 따른 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조를 설명하기로 한다.
도 2 내지 도 7에서 나타내는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조는: 캐비티(26), 반도체 파워소스(42)와 마이크로파 피드인 모듈을 포함한다. 캐비티(26)는 캐비티(26)를 개폐하는데 사용되는 오픈된 도어(25)를 구비한다. 반도체 파워소스(42)는 마이크로파를 발생하는데 사용되고, 상기 마이크로파 피드인 모듈은 반도체 파워소스(42)및 캐비티(26)와 연접되어, 반도체 파워소스(42)가 발생한 마이크로파를 캐비티(26)안에 피드인하고 또 반도체 파워소스(42)가 수출한 마이크로파 모드를 마이크로파 가열에 적합한 마이크로파 모드로 전환함으로써, 캐비티(26)안의 음식물을 가열한다. 직류전원(20)은 반도체 파워소스(42)와 연접되고, 반도체 파워소스(42)에 전력을 공급하는데 사용된다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조는, 반도체 파워소스(42)가 발생한 마이크로파를 캐비티(26)안에 피드인하는바, 즉 마이크로파 피드인 모듈을 통하여 반도체 파워소스(42)가 수출한 모드가 TE11인 마이크로파를 마이크로파 가열에 적합한 모드가 TE10인 마이크로파로 전환하고, 또한, 반도체 파워소스(42)를 통하여 마이크로파를 발생하기에, 전자레인지의 가열 효율이 높고, 구조가 간단하며, 원가가 낮고, 무게가 가벼우며, 단위 체적 출력 밀도가 크고, 구조가 간단하고 합리하며, 조작이 원활하고, 적용범위가 광범위하다.
본 발명의 일부 구체적인 실시예에서, 반도체 파워소스(42)는 반도체 출력판(30); 차폐케이스(31)와 방열기(33)를 포함하는바, 차폐케이스(31)는 반도체 출력판(30) 위측에 설치되어 반도체 출력판(30)을 차폐하는데 사용되며, 반도체 출력판(30)은 마이크로파 피드인 모듈과 연접되고, 방열기(33)은 반도체 출력판(30)의 밑면에 붙어서 놓여져 반도체 출력판(30)에서 발생한 열량에 대하여 방열을 진행하는데 사용된다. 방열선풍기(24)는 캐비티(26)위에 설치되고, 방열하는데 사용된다. 우위에서 서술한 바와 같이, 반도체 파워소스(42)는 마이크로파 피드인 모듈을 통하여 반도체 출력판(30)이 발생한 마이크로파를 캐비티(26)안에 피드인하고, 반도체 파워소스(42)가 수출한 모드가 TE11인 마이크로파를 마이크로파 가열에 적합한 모드가 TE10인 마이크로파로 전환하여, 반도체 마이크로파 가열을 실현하였다.
본 기술분야의 통상의 지식을 가진자들은 반도체 출력판(30)안에는 LDMOS파이프, 바이어스 및 제어 회로, 출력 합성기, 출력 검측 및 제어 회로가 설치되어 있다고 이해할 수 있다. 반도체 파워소스(42)와 외계 교류 전원지간에는 스위치 전원, 축전지 또는 충전기가 설치되어 있고, 전압 전환을 진행한다. 바이어스 및 제어 회로는 반도체 파워소스 수출 출력 검측 회로, 반도체 파워소스 반사 출력 검측 회로, 반도체 파워소스 셧오프 시그널 회로, 반도체 파워소스의 직류 ＋입력 회로 및 반도체 파워소스의 직류 －입력 회로를 포함한다. 반도체 파워소스가 수요하는 전압은 직류 0-32V인바, 입력 전압의 높고 낮음을 조절하는 것을 통하여, 자극 소스의 마이크로파 수출 출력의 크고 작음을 조절할 수 있어, 반도체 전자레인지 출력의 무단조절을 실현한다. 이에 대하여 본 기술분야의 통상지식을 가진자들은 모두 이해할수 있는바, 여기에서 더 상세하게 설명하지 않기로 한다.
반도체 출력판(30)의 작동 원리는 하기와 같다. 일정한 출력 크기와 수량의 LDMOS파이프는 자여 진동 회로을 통하여 주파수가2450MHz±50MHz인 마이크로파를 발생한다. LDMOS파이프 자여 진동 회로의 가변 커패시터값을 조절하는 것을 통하여, 주파수를 개변할 수 도 있는바, 실제 상황(예를 들면 음식물의 두께, 가열상태)에서의 캐비티 정상파비 크기에 의해, 2400MHz-2500MHz범위내에서 정상파가 최소인 주파수를 선택하여 가열을 진행한다.
아래 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조의 구체적인 실시예를 설명하기로 한다.
제1실시예
도2-도4를 참조하면, 본 발명 제1실시예에 따른 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조는 도어(25)가 달린 캐비티(26), 반도체 파워소스(42), 구형 도파(27)과 마이크로파 피드인 모듈(45)를 포함한다. 구형 도파(27)은 캐비티(26)에 장착되고, 반도체 파워소스(42)의 반도체 출력판(30)은 마이크로파 피드인 모듈(45)와 연접되는바, 직접 연접될 수 있도, 동축 전송선(46)을 통하여 연접될 수도 있는데, 동축 전송선(46)을 통하여 연접되는 경우에는, 반도체 출력판(30)위에 N형 커넥터를 장착하여 미크로트립 수출을 동축 수출로 전환하는데 사용되며, 동축 전송선(46)은 N형 커넥터를 통하여 반도체 출력판(30)과 연접된다.
방열기(33)은 반도체 출력판(30)의 밑면과 달라붙고, 차폐케이스(31)은 반도체 출력판(30)과 반도체 전자레인지의 외각 사이에 위치하고, 마이크로파 피드인 모듈(45)는 구형 도파(27)과 연접되는데, 반도체 파워소스(42)가 발생한 마이크로파를 마이크로파 피드인 모듈(45)와 구형 도파(27)을 통하여 캐비티(26)안에 피드인 할 수 있도록 하기 위한 것이다.
본 실시예에서, 마이크로파 피드인 모듈(45)는 마그네트론을 구비한 전통적인 전자레인지의 마그네트론 수출 모듈과 유사하여, 마그네트론을 구비한 전통적인 전자레인지를 용이하게 수정하여, 반도체 파워소스(42)로 전통적인 전자레인지의 마그네트론을 대체하여 사용할 수 있고, 또한 마그네트론 수출 모듈에 대하여 적당한 변화를 진행하면, 반도체 전자레인지를 얻을 수 있으므로, 전통적인 전자레인지에 대하여 다른 변화을 진행하는 것이 수요되지 않고, 원가를 낮추었다.
도4에서 나타내는 바와 같이, 본 실시예에서, 마이크로파 피드인 모듈(45)는 장착파이프(56), 세라믹환(57), 튜브(58)과 안테나(51)을 포함한다. 세라믹환(57)의 한끝은 장착파이프(56)과 연접되고, 튜브(58)은 세라믹환(57)의 다른끝과 연접되며, 안테나51의 제1끝(도4 중의 오른끝)은 반도체 파워소스(42)와 연접되고, 제2끝(도4 중의 왼끝)은 튜브(58), 세라믹환(57)과 장착파이프(56)를 순차적으로 통과하여 구형 도파(27)안에 넣어진다. 안테나(51)은TE11모드인 반도체 출력판(30)의 마이크로파 수출을 마이크로파 가열에 적합한 TE10 모드로 전환하며, 또한 캐비티(26)안에 피드인한다.
본 발명의 하나의 바람직한 예에서, 도4에서 나타내는 바와 같이, 장착파이프(56)이 구형 도파(27)과 인접한 한끝(도4 중의 왼끝)에는 안테나 캡(55) 가 씌워져 설치되어 있고, 마이크로파 피드인 모듈(45)는 밑판(54), 제1고정환(52)와 제2고정환(53) 을 포함한다. 밑판(54)는 구형 도파(27)에 장착되고, 세라믹환(57)은 밑판(54)의 한측(도4의 좌측)에 장착되며, 또 튜브58은 밑판(54)의 다른측(도4의 우측)에 장착되어 있다. 제1고정환(52)는 반도체 파워소스(42)에 장착되고, 제2고정환(53)은 튜브(58)에 씌워져 있고 또 밑판(54) 및 제1고정환(52)와 연접되어 있다.
구체적으로, 제1고정환(52)와 제2고정환(53)은 나사들을 통하여 함께 고정되어 있을 수 있고, 나사들은 제2고정환(53)위의 스루 홀을 통과하여 , 제1고정환(52)의 나사구멍에 죄여 들어가, 제1고정환(52)와 제2고정환(53)의 연결을 실현한다. 밑판(54)는 나사를 통하여 제2고정환(53)에 고정된다. 제1고정환(52)와 제2고정환(53)은 마이크로파 피드인 모듈(45)를 반도체 파워소스(42)와 연접되게 한다.
도4에서 나타내는 바와 같이, 안테나(51)가 통과하는 공간내에, 충진물, 예를 들면 폴리테트라 플루오로에틸렌을 충진할 수 있고, 제1고정환(52)의 우측에 쉴드 캡(59)를 설치하여, 제1고정환(52)와 상기 충진물을 막는데 사용할 수 있다.
본 발명 제1실시예에 따른 마이크로파 피드인 구조는, 안테나(51)이 반도체 출력판(30) 수출한 모드가 TE11인 마이크로파를 마이크로파 가열에 적합한 모드가 TE10인 마이크로파로 전환하고, 또 구형 도파(27)을 통하여 캐비티(26)안에 피드인 하며, 구조가 간단하고, 원가를 낮추어, 마그네트론을 구비한 전통적인 전자레인지에 대하여 수정을 진행하여 반도체 전자레인지를 얻을 수 있고, 전자레인지의 기타 구조 변화가 필요없고, 진일보하여 원가를 낮추었다.
제2실시예
도5-도6을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에서, 마이크로파 피드인 모듈은 밑판(54), 탐침(64)과 제1고정환(52)을 포함한다. 밑판(54)는 구형 도파(27)에 장착되고, 제1고정환(52)는 밑판(54)와 반도체 파워소스(42) 사이에 연결된다. 탐침(64)는 밑판(54)와 제1고정환(52)를 순차적으로 통화하고, 또 탐침(64)의 제1끝(도6 중의 오른끝)은 반도체 파워소스(42)와 연접되고 제2끝(도6 중의 왼끝)은 구형 도파(27)과 연접된다. 탐침(64)는 TE11모드인 반도체 출력판(30)의 마이크로파 수출을 마이크로파 가열에 적합한 TE10 모드로 전환하며, 또한 캐비티(26)안에 피드인한다.
선택적으로, 탐침(64)의 제1끝은 반도체 파워소스(42)의 미크로트립선과 직접 연접되거나 동축 전송선(46)을 통하여 연접될 수 있는바, 동축 전송선(46)을 통하여 연접되였을 경우에는, 반도체 출력판(30) 에 N형 커넥터를 장착하여 미크로트립 수출을 동축 수출으로 전환하는데 사용하며, 동축 전송선(46)은 N형 커넥터를 통하여 반도체 출력판(30)과 연접된다.
도6에서 나타낸 바와 같이, 탐침(64)가 통과한 밑판(54)와 제1고정환(52)의 공간내에 폴리테트라 플루오로에틸렌를 충진하고, 또한 쉴드 캡(59)으로 폐쇄할 수 있다.
본 발명 제2실시예에 따른 마이크로파 피드인 구조의 기타 구조와 조작은 제1실시예와 동일 할 수 있는바, 여기에서는 반복적으로 설명하지 않기로 한다.
본 발명 제2실시예에 따른 마이크로파 피드인 구조는, 구조가 더욱 간단하고, 원가를 더 낮추었고, 또한 효과적으로 반도체 파워소스가 발생한 마이크로파를 캐비티안에 피드인한다.
제3실시예
도7을 참조하면, 본 발명의 제3실시예에서, 마이크로파 피드인 구조의 마이크로파 피드인 모듈은 안테나(51)을 포함하는바, 안테나(51)의 제1끝(도7 중의 오른끝)은 반도체 파워소스(42)와 연접하고, 안테나(51)의 제2끝(도7의 상단)은 캐비티(26)안에 넣어진다. 이로 부터, 안테나(51)을 통하여 용이하게 반도체 출력판(30)의 TE11모드인 마이크로파를 마이크로파 가열에 적합한 TE10모드인 마이크로파로 전환하고, 또한 캐비티(26)안에 피드인한다.
바람직하게는, 캐비티(26)안에는 세라믹판(85)를 설치하여 있는바, 캐비티(26)은 캐비티(26) 내부를 제1쳄버 C1과 제2쳄버C2로 나누고, 안테나(51)의 제2끝을 상기 제2쳄버 C2안에 넣는바 , 제1쳄버 C1은 음식물을 놓는데 사용되여, 음식물 요리시 안테나(51)을 오염하는 것을 피한다.
선택적으로, 안테나(51)은 동축 전송선(46)을 통하여 반도체 출력판(30)과 연접된다.
본 발명 제3실시예에 따른 마이크로파 피드인 구조의 기타 구조와 조작은 제1과 제2실시예와 동일할 수 있는바, 여기에서 더 상세하게 설명하지 않기로 한다.
본 발명 제3실시예에 따른 마이크로파 피드인 구조의 구조는 더욱 간단하고, 원가가 더 낮다.
아래 본 발명의 실시예에 따른 반도체 전자레인지를 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 전자레인지는 캐비티(26), 반도체 파워소스(42), 마이크로파 피드인 모듈과 전원을 포함한다. 캐비티(26)은 캐비티(26)을 개폐하는데 사용되는 오픈된 도어(25)를 구비한다. 반도체 파워소스(42)은 마이크로파를 발생하는데 사용되고, 상기 마이크로파 피드인 모듈은 반도체 파워소스(42)와 캐비티(26) 사이에 연결되여 반도체 파워소스(42)가 수출한 모드가 TE11인 마이크로파를 마이크로파 가열에 적합한 모드가 TE10인 마이크로파로 전환하고, 캐비티(26)안에 피드인하여, 캐비티(26)안의 음식물을 가열한다. 전원, 예를 들면 직류전원(20)은 반도체 파워소스(42)와 연접하고, 반도체 파워소스(42)에 전력을 공급하는데 사용된다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 모듈은 상기 어떤 실시예에서 설명한 마이크로파 피드인 모듈을 참조할 수 있으며, 또한 당해 반도체 전자레인지의 기타 구조와 조작은 본 기술분야의 통상의 지식을 가진자들로 놓고 말하면 모두 이미 알고 있는 것인바 , 여기에서 더 상세하게 설명하지 않기로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 전자레인지는, 마이크로파 피드인 모듈을 통하여, 반도체 파워소스(42)를 캐비티(26)안에 피드인할수 있는바, 구조가 간단하고, 원가가 낮으며, 또한 당해 반도체 전자레인지의 효율이 높고, 구조가 간단하며, 원가가 낮고, 무게가 가벼우며, 단위 체적의 출력 밀도가 크다.
본 명세서의 설명에서, 참고 용어 "하나의 실시예", "일부 실시예", "예", "구체적인 예", 또는 "일부 예" 등에 대한 설명은 당해 실시예 또는 예에서 설명한 구체적인 특징, 구조, 재료 또는 특점을 결합한 것도 본 발명의 적어도 하나의 실시예 또는 예에 포함된다는 것을 의미하여 가리킨다. 본 명세서에서, 상기 용어에 대한 개략적 서술은 꼭 동일한 실시예 또는 예를 가리킨다는 것은 아니다. 또한, 설명의 구체적인 특징, 구조, 재료 또는 특점은 어떤 하나 또는 여러개의 실시예 또는 예에서 적합한 방식으로 결합할 수 있다.
위에서 이미 본 발명의 실시예를 보여주고 설명하였지만, 상기 실시예는 예시적인 것으로 이해하여야 하지, 본 발명에 대한 한정으로 이해하여서는 안되는바, 본 분야의 통상의 지식을 가진자들은 본 발명의 원리와 종지를 벗어나지 않는 정황하에서, 본 발명의 범위내에서 상기 실시예에 대하여 변화, 수정, 대체 및 변형을 진행할 수 있다.
20:직류전원, 24:방열선풍기, 25:도어, 26:캐비티, 27:구형 도파,
30:반도체 출력판, 31:차폐케이스, 33:방열기, 42:반도체 파워소스,
45:마그네트론 수출 모듈, 46:동축 전송선, 51:안테나, 52:제1고정환,
53:제2고정환, 54:밑판, 55:안테나 캡, 56:장착파이프, 57:세라믹환,
58:튜브, 59:쉴드 캡(shield cap), 64:탐침, 85:세라믹판

Claims (18)

  1. 도어(25)를 구비하는 캐비티(26);
    마이크로파를 발생하는데 사용되는 반도체 파워소스(42); 및
    상기 반도체 파워소스(42)와 상기 캐비티(26) 사이에 연결되여, 상기 반도체 파워소스(42)가 발생한 마이크로파를 상기 캐비티(26)안에 피드인하여 상기 반도체 파워소스(42)가 수출한 마이크로파 모드를 마이크로파 가열에 적합한 마이크로파 모드로 전환하는 마이크로파 피드인 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조.
  2. 청구항 1에 있어서，
    상기 반도체 파워소스(42)는
    상기 마이크로파 피드인 모듈과 연접된 반도체 출력판(30);
    상기 반도체 출력판(30)위측에 설치된 차폐케이스(31); 및
    상기 반도체 출력판(30)의 밑면에 붙어서 놓여 있는 방열기(33)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    구형 도파(27)을 더 포함하고, 상기 구형 도파(27)은 상기 캐비티(26)과 연접되고, 상기 마이크로파 피드인 모듈은 상기 반도체 파워소스(42)와 상기 구형 도파(27) 사이에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 마이크로파 피드인 모듈은
    장착파이프(56);
    상기 장착파이프(56)과 연접된 세라믹환(57);
    상기 세라믹환(57)과 연접된 튜브(58); 및
    제1끝은 상기 반도체 파워소스(42)와 연접되고 제2끝은 상기 튜브(58), 세라믹환(57)과 장착파이프(56)을 순차적으로 통과하여 상기 구형 도파파이프(27)안에 넣어지는 안테나(51)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 장착파이프(56)이 상기 구형 도파(27)과 인접한 한끝에는 안테나 캡(55)가 씌워져 설치되어 있고, 상기 마이크로파 피드인 모듈은
    상기 구형 도파(27)에 장착된 밑판(54)(상기 세라믹환가 상기 밑판의 한끝에 장착되고, 상기 튜브가 상기 밑판의 다른끝에 장착됨);
    상기 반도체 파워소스(42)에 장착된 제1고정환(52) ; 및
    상기 튜브(58)에 씌워져 있으며 또 상기 밑판(54) 및 상기 제1고정환(52)와 연접된 제2고정환(53)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 마이크로파 피드인 모듈은
    상기 구형 도파(27)에 장착된 밑판(54);
    상기 밑판(54)와 상기 반도체 파워소스(42) 사이에 연결된 제1고정환(52); 및
    상기 밑판(54)와 상기 제1고정환(52)을 통과하고, 제1끝은 상기 반도체 파워소스(42)와 연접하고 제2끝은 상기 구형 도파(27) 안에 넣어진 탐침(64)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 탐침(64)의 제1끝은 상기 반도체 파워소스(42)의 미크로트립선과 직접 연접되거나 동축 전송선(46)을 통하여 연접하는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조.
  8. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 마이크로파 피드인 모듈은 안테나(51)을 포함하고, 상기 안테나의 제1끝은 동축 전송선(46)을 통하여 상기 반도체 파워소스(42)와 연접되고 또 상기 안테나(51)의 제2끝은 상기 캐비티(26)안에 넣어지는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 캐비티(26)안에는 세라믹판(85)가 설치되어 있고, 상기 세라믹판은 상기 캐비티 내부를 제1쳄버와 제2쳄버로 나누며, 상기 안테나(51)의 제2끝이 상기 제2쳄버안에 넣어지는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지의 마이크로파 피드인 구조.
  10. 도어(25)를 구비한 캐비티(26);
    마이크로파를 발생하는데 사용는 반도체 파워소스(42);
    상기 캐비티(26)와 상기 반도체 파워소스(42) 사이에 연결되여 상기 반도체 파워소스가 발생한 마이크로파를 상기 캐비티안에 피드인하고, 또 반도체 파워소스(42)가 수출한 마이크로파 모드를 마이크로파 가열에 적합한 마이크로파 모드로 전환하는 마이크로파 피드인 모듈; 및
    상기 반도체 파워소스(42)와 연접한 전원(20)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 반도체 파워소스(42)는
    상기 마이크로파 피드인 모듈과 연접된 반도체 출력판(30);
    상기 반도체 출력판(30)위측에 설치된 차폐케이스(31); 및
    상기 반도체 출력판(30)의 밑면에 붙어서 놓여 있는 방열기(33)을 포함하는 것을 특징으로하는 반도체 전자레인지.
  12. 청구항 10또는 11에 있어서
    구형 도파(27)을 더 포함하고, 상기 구형 도파(27)은 상기 캐비티(26)과 연접되고 또 상기 마이크로파 피드인 모듈은상기 반도체 파워소스(42)와 상기 구형 도파(27) 사이에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 마이크로파 피드인 모듈은
    장착파이프(56);
    상기 장착파이프(56)과 연접된 세라믹환(57);
    상기 세라믹환(57)과 연접된 튜브(58); 및
    제1끝은 상기 반도체 파워소스(42)와 연접하고 제2끝은 상기 튜브(58), 세라믹환(57)과 장착파이프(56)을 순차적으로 통과하여 상기 구형 도파파이프(27)안에 넣어지는 안테나(51)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 장착파이프(56)이 상기 구형 도파와 인접한 한끝에는 안테나 캡(55)가 씌워져 설치되어 있고, 상기 마이크로파 피드인 모듈은
    상기 구형 도파에 장착된 밑판(54)(상기 세라믹환는 상기 밑판의 한측에 장착되고 상기 튜브는 상기 밑판의 다른측에 장착됨);
    상기 반도체 파워소스(42)에 장착된 제1고정환(52); 및
    상기 튜브(58)에 씌워져 있고 또 상기 밑판 및 상기 제1고정환과 연접된 제2고정환(53)을 더 포함하는 것을 특징으로하는 반도체 전자레인지.
  15. 청구항 12에 있어서,
    상기 마이크로파 피드인 모듈은
    상기 구형 도파(27)에 장착된 밑판(54);
    상기 밑판(54)와 상기 반도체 파워소스(42) 사이에 연결된 제1고정환(52); 및
    상기 밑판(54)와 상기 제1고정환(52)을 통과하고, 제1끝은 상기 반도체 파워소스(42)와 연접되고 제2끝은 상기 구형 도파(27)안에 넣어지는 탐침(64)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 탐침(64)의 제1끝은 상기 반도체 파워소스(42)의 미크로트립선과 직접 연접되거나 동축 전송선(46)을 통하여 연접된다.
  17. 청구항 10또는 11에 있어서,
    상기 마이크로파 피드인 모듈은 안테나(51)을 포함하고, 상기 안테나의 제1끝은 동축 전송선(46)을 통하여 상기 반도체 파워소스(42)와 연접되고 또 상기 안테나(51)의 제2끝은 상기 캐비티(26)안에 넣어지는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 캐비티(26)안에는 세라믹판(85)가 설치되어 있고, 상기 세라믹판은 상기 캐비티(26) 내부를 제1쳄버와 제2쳄버로 나누며, 상기 안테나(51)의 제1끝은 상기 반도체 파워소스(42)와 연접하고 상기 안테나(51)의 제2끝은 상기 제2쳄버안에 넣어지는 것을 특징으로 하는 반도체 전자레인지.
KR1020147014490A 2011-10-31 2012-09-14 반도체 전자레인지 및 그의 마이크로파 피드인 구조 KR101570015B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110339203.XA CN102374557B (zh) 2011-10-31 2011-10-31 半导体微波炉的微波馈入结构
CN201110339203.X 2011-10-31
PCT/CN2012/081383 WO2013063985A1 (zh) 2011-10-31 2012-09-14 半导体微波炉及其微波馈入结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140100944A true KR20140100944A (ko) 2014-08-18
KR101570015B1 KR101570015B1 (ko) 2015-11-17

Family

ID=45793556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147014490A KR101570015B1 (ko) 2011-10-31 2012-09-14 반도체 전자레인지 및 그의 마이크로파 피드인 구조

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10015846B2 (ko)
EP (1) EP2778539B1 (ko)
KR (1) KR101570015B1 (ko)
CN (1) CN102374557B (ko)
WO (1) WO2013063985A1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102374557B (zh) 2011-10-31 2016-08-03 广东美的厨房电器制造有限公司 半导体微波炉的微波馈入结构
EP2654066B1 (en) * 2012-04-20 2019-10-23 NXP USA, Inc. Microwave adaptors and related oscillator systems
CN103378390B (zh) * 2012-04-20 2018-04-10 恩智浦美国有限公司 微波适配器及相关的振荡器系统
CN102679417B (zh) * 2012-05-21 2014-06-11 广东美的厨房电器制造有限公司 半导体微波炉
CN102769952B (zh) * 2012-07-18 2015-03-11 广东格兰仕微波炉电器制造有限公司 半导体微波炉及其半导体微波发生器连接结构
CN102767854B (zh) * 2012-07-18 2015-03-25 广东格兰仕微波炉电器制造有限公司 一种微波炉
CN102767855B (zh) * 2012-07-18 2015-12-16 广东格兰仕微波炉电器制造有限公司 微波炉及其半导体微波发生器与天线的连接结构
CN102769951B (zh) * 2012-07-18 2015-03-11 广东格兰仕微波炉电器制造有限公司 半导体微波炉及其半导体微波发生器连接结构
CN103851661B (zh) * 2012-12-06 2016-08-17 广东美的厨房电器制造有限公司 半导体微波炉
CN103512060A (zh) * 2013-09-13 2014-01-15 无锡市佳信安科技有限公司 半导体微波炉的微波辐射单元
US10575373B2 (en) 2014-03-20 2020-02-25 Guangdong Midea Kitchen Appliances Manufacturing Co., Ltd. Connection structure and input/output connection structure of semiconductor microwave generator for microwave oven, and microwave oven
CN103912900A (zh) * 2014-03-20 2014-07-09 广东美的厨房电器制造有限公司 微波炉的半导体微波发生器连接结构和微波炉
CA2950450C (en) * 2014-05-28 2020-08-25 Guangdong Midea Kitchen Appliances Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor microwave oven and semiconductor microwave source thereof
CN104676675B (zh) * 2014-08-12 2017-05-03 广东美的厨房电器制造有限公司 微波炉及用于微波炉的激励器
CN105402787B (zh) * 2014-09-15 2017-10-24 广东美的厨房电器制造有限公司 微波炉
DE102014226280B4 (de) 2014-12-17 2019-06-13 E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH Mikrowellengenerator und Mikrowellenofen
CN104654381B (zh) * 2015-02-12 2017-08-04 广东美的厨房电器制造有限公司 半导体微波炉及用于微波炉的半导体功率源
CN104791858A (zh) * 2015-03-23 2015-07-22 广东美的厨房电器制造有限公司 微波炉
EP3177109A1 (en) * 2015-12-04 2017-06-07 Electrolux Appliances Aktiebolag Microwave oven
CN105485732B (zh) * 2015-12-31 2018-02-16 广东美的厨房电器制造有限公司 微波炉
DE102016221447A1 (de) 2016-11-02 2018-05-03 BSH Hausgeräte GmbH Haushalts-Gargerät
US10904959B2 (en) 2016-11-30 2021-01-26 Illinois Tool Works, Inc. Apparatus and system for solid state oven electronics cooling
EP3448121B1 (de) * 2017-08-23 2020-12-23 Vorwerk & Co. Interholding GmbH Mikrowelleneinspeisevorrichtung an einem mikrowellenherd

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4336434A (en) * 1980-08-15 1982-06-22 General Electric Company Microwave oven cavity excitation system employing circularly polarized beam steering for uniformity of energy distribution and improved impedance matching
CA1202090A (en) * 1982-09-20 1986-03-18 Hisashi Okatsuka Microwave heating apparatus with solid state microwave oscillating device
DE3474888D1 (en) * 1983-01-20 1988-12-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Frequency converter
US4999469A (en) * 1990-04-02 1991-03-12 Raytheon Company Apparatus for microwave heating test coupons
JPH05152811A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Fujitsu General Ltd 円形導波管／方形導波管変換器
US5874706A (en) * 1996-09-26 1999-02-23 Tokyo Electron Limited Microwave plasma processing apparatus using a hybrid microwave having two different modes of oscillation or branched microwaves forming a concentric electric field
JP3368159B2 (ja) * 1996-11-20 2003-01-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3847540B2 (ja) 2000-09-05 2006-11-22 ニッテツ八幡エンジニアリング株式会社 無公害防錆被覆組成物
JP4087696B2 (ja) * 2002-12-25 2008-05-21 日立協和エンジニアリング株式会社 マイクロ波加熱装置
CN1764332A (zh) 2004-10-01 2006-04-26 精工爱普生株式会社 高频加热装置、半导体制造装置以及光源装置
KR100710036B1 (ko) * 2005-12-21 2007-04-20 주식회사 대우일렉트로닉스 마그네트론과 동축케이블 커넥터 및 이를 이용한전자레인지
JP4899595B2 (ja) * 2006-04-07 2012-03-21 パナソニック株式会社 マイクロ波発生装置
JP5116260B2 (ja) * 2006-06-19 2013-01-09 パナソニック株式会社 高周波加熱装置
CN101828427A (zh) * 2007-10-18 2010-09-08 松下电器产业株式会社 微波加热装置
WO2009139136A1 (ja) * 2008-05-13 2009-11-19 パナソニック株式会社 スペクトル拡散高周波加熱装置
EP2306785B1 (en) 2008-06-25 2019-04-03 Panasonic Corporation Microwave heating device
JP5589306B2 (ja) * 2009-05-20 2014-09-17 パナソニック株式会社 加熱処理装置
CN101979923A (zh) * 2010-11-17 2011-02-23 美的集团有限公司 微波炉
CN102062424A (zh) * 2011-01-17 2011-05-18 广东格兰仕集团有限公司 无磁控管微波炉
CN102374557B (zh) * 2011-10-31 2016-08-03 广东美的厨房电器制造有限公司 半导体微波炉的微波馈入结构
CN202303515U (zh) * 2011-10-31 2012-07-04 广东美的微波电器制造有限公司 半导体微波炉的微波馈入结构

Also Published As

Publication number Publication date
US10015846B2 (en) 2018-07-03
EP2778539B1 (en) 2016-12-21
KR101570015B1 (ko) 2015-11-17
US20140305933A1 (en) 2014-10-16
CN102374557A (zh) 2012-03-14
WO2013063985A1 (zh) 2013-05-10
CN102374557B (zh) 2016-08-03
EP2778539A1 (en) 2014-09-17
EP2778539A4 (en) 2015-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101570015B1 (ko) 반도체 전자레인지 및 그의 마이크로파 피드인 구조
US20210045201A1 (en) Control of microwave source efficiency in a microwave heating apparatus
CN205919380U (zh) 一种固态微波功率源及采用该固态微波功率源的固态微波炉
BRPI0714770A2 (pt) equipamento para o processamento de micro-ondas
WO2017022712A1 (ja) 電磁波加熱装置
CN109417836A (zh) 用于电磁烹饪的低成本固态rf发生系统
JP6487936B2 (ja) 電子レンジの半導体マイクロ波発生器接続構造、電子レンジの半導体マイクロ波発生器の入出力接続構造及び電子レンジ
CN203757795U (zh) 微波炉的半导体微波发生器连接结构和微波炉
US10841986B2 (en) Microwave oven
CN205752090U (zh) 一种微波功率源
CN105485732B (zh) 微波炉
US11191133B2 (en) Direct heating through patch antennas
CN202303515U (zh) 半导体微波炉的微波馈入结构
CN203757796U (zh) 微波炉的半导体微波发生器连接结构和微波炉
JP2011124049A (ja) マイクロ波加熱装置
KR102134683B1 (ko) 라디오파 가열 조리기기
JPH11135251A (ja) 電子レンジ
KR20190083953A (ko) 마이크로파 시스템
CN111132406B (zh) 具有多级电极的rf热增加系统
CN116867134A (zh) 微波烹饪电器和微波探针组件
CN102769951A (zh) 半导体微波炉及其半导体微波发生器连接结构
CN113803749B (zh) 加热辅助组件和微波烹饪电器
CN110831272B (zh) 一种微波炉
KR101731389B1 (ko) 마이크로웨이브를 이용한 조리기기
CN116998778A (zh) 微波谐振加热装置及电子雾化装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181025

Year of fee payment: 4