KR20140099379A - 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법 Download PDF

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KR20140099379A
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Abstract

본 발명에 의한 반도체 발광소자는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 순차적으로 형성된 제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층을 구비하는 발광적층체; 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극층; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되도록 상기 도전성 기판과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 형성된 제2 전극층; 및 상기 발광적층체 측면에서 적어도 활성층을 덮도록, 상기 활성층과 상기 제2 전극층 사이에 형성되는 페시베이션층을 포함한다.

Description

반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법 {SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD THEREOF}
본 발명은 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물 반도체는 풀컬러 디스플레이, 이미지 스캐너, 각종 신호시스템 및 광 통신기기에 광원으로 제공되는 녹색 또는 청색 발광 다이오드(light emitting diode: LED) 또는 레이저 다이오드(laser diode: LD)에 널리 사용되어 왔다. 이러한 질화물 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합원리를 이용하는 청색 및 녹색을 포함하는 다양한 광을 방출하는 활성층을 갖는 발광소자로서 제공될 수 있다.
이러한 질화물 발광소자가 개발된 후에, 많은 기술적 발전이 이루어져 그 활용 범위가 확대되어 일반 조명 및 전장용 광원으로 많은 연구가 되고 있다. 특히, 종래에는 질화물 발광소자는 주로 저 전류/저 출력의 모바일 제품에 적용되는 부품으로 사용되었으며, 최근에는 점차 그 활용범위가 고 전류/고 출력 분야로 확대됨에 따라, 반도체 발광소자의 발광 효율과 품질을 개선하기 위한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 특히, 발광소자의 광 출력과 신뢰성을 개선하기 위해 다양한 전극 구조를 갖는 발광소자가 개발되고 있다.
따라서 제조 공정이 단순화 되고 전류 분산효율이 개선된 반도체 발광소자가 요구되고 있다.
본 발명의 일 측면은,
도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 순차적으로 형성된 제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층을 구비하는 발광적층체; 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극층; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되도록 상기 도전성 기판과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 형성된 제2 전극층; 및 상기 발광적층체 측면에서 적어도 활성층을 덮도록, 상기 활성층과 상기 제2 전극층 사이에 형성되는 페시베이션층을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
상기 제1 전극층으로부터 연장되어 형성되며, 상기 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층과 그 내부에서 접속된 도전성 비아; 상기 도전성 비아를 상기 제2 도전형 반도체층 및 활성층과 전기적으로 절연시키기 위한 제1 절연층; 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층을 전기적으로 절연시키기 위한 제2 절연층; 및 상기 발광적층체 외부로 연장된 상기 제2 전극층 영역 상에 형성된 전극 패드를 더 포함하고, 상기 제1 전극층은 상기 도전성 기판과 상기 제2 전극층 사이에 형성될 수 있다.
상기 제2 전극층은 상기 발광적층체 방향으로 일부 돌출된 영역을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극층은 상기 도전성 기판에서 상기 발광적층체 방향으로 절곡된 영역을 포함할 수 있다.
상기 페시베이션층은 상기 발광적층체를 이루는 반도체 물질과 식각 특성이 상이한 식각 저지층일 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극층 사이에 제2 도전형 오믹 전극층이 더 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 전극층 사이에 제1 도전형 오믹 전극층이 더 형성될 수 있다.
상기 페시베이션층과 상기 제1 절연층은 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 전극 패드는 상기 제2 전극층의 상기 돌출된 영역을 기준으로 상기 도전성 비아가 형성되지 않은 방향으로 연장된 상기 제2 전극층의 일부 영역에 형성될 수 있다.
상기 전극 패드는 상기 제2 전극층의 상기 절곡된 영역을 기준으로 상기 도전성 비아가 형성되지 않은 방향으로 연장된 상기 제2 전극층의 일부 영역에 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 각각 p형 및 n형 반도체층일 수 있다.
본 발명의 다른 측면은,
도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 순차적으로 형성된 제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층을 구비하는 발광적층체; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되도록 상기 도전성 기판과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 형성된 제2 전극층; 상기 도전성 기판과 상기 제2 전극층 사이에 형성되는 제1 전극층; 상기 제1 전극층으로부터 연장되어 형성되며, 상기 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층과 그 내부에서 접속된 도전성 비아; 상기 도전성 비아를 상기 제2 도전형 반도체층 및 활성층과 전기적으로 절연시키고, 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층을 전기적으로 절연시키기 위한 절연층; 상기 발광적층체 외부로 연장된 상기 제2 전극층 영역 상에 형성된 전극 패드; 및 상기 발광적층체 측면에서 적어도 활성층을 덮도록, 상기 활성층과 상기 제2 전극층 사이에 형성되며, 상기 발광적층체를 이루는 반도체 물질과 식각 특성이 상이한 식각 저지층이 형성된 반도체 발광소자를 제공한다.
상기 제2 전극층은 상기 발광적층체 방향으로 일부 돌출된 영역을 포함하며, 상기 돌출된 영역 상면에 형성된 상기 식각 저지층에 의하여 적어도 상기 발광적층체의 상기 활성층의 측면이 둘러싸일 수 있다.
상기 제2 전극층은 상기 도전성 기판에서 상기 발광적층체 방향으로 절곡된 영역을 포함하며, 상기 절곡된 영역 상면에 형성된 상기 식각 저지층에 의하여 적어도 상기 발광적층체의 상기 활성층의 측면이 둘러싸일 수 있다.
상기 전극 패드는 상기 제2 전극층의 상기 돌출된 영역을 기준으로 상기 도전성 비아가 형성되지 않은 방향으로 연장된 상기 제2 전극층의 일부 영역에 형성될 수 있다.
본 발명에 의하면 제조 공정이 단순화 되고 전류 분산효율이 개선된 반도체 발광소자를 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 상부에서 바라본 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 반도체 발광소자의 II-II선에서의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3k는 본 발명의 반도체 발광소자의 제조공정의 일 예를 도 1에 도시된 발광장치의 II-II를 절개한 단면의 형성공정에 따라 설명한 공정도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 5a 내지 도 5k는 본 발명의 반도체 발광소자의 제조공정의 일 예를 형성공정에 따라 설명한 공정도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 발광소자를 패키지에 적용한 예를 나타낸다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 발광소자를 백라이트 유닛에 적용한 예를 나타낸다.
도 11은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 발광소자를 조명 장치에 적용한 예를 나타낸다.
도 12는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 발광소자를 헤드 램프에 적용한 예를 나타낸다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 상부에서 바라본 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 반도체 발광소자의 II-II선에서의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(100)는 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(122), 제2 도전형 반도체층(123), 식각 저지층(130), 제2 도전형 오믹 전극층(140), 제2 전극층(150), 절연층(160), 제1 도전형 오믹 전극층(170), 제1 전극층(175) 및 도전성 기판(180)을 포함한다.
이 때 제1 전극층(175)은 제1 도전형 반도체층(121)에 전기적으로 접속하기 위하여 제2 도전형 반도체층(123) 및 활성층(122)과는 전기적으로 절연되어 제1 전극층(175)의 일면으로부터 제1 도전형 반도체층(121)의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 이상의 도전성 비아(171)를 포함한다. 상기 제1 전극층(175)은 본 실시예에서 필수적인 구성요소는 아니다. 도시되지 않았지만, 제1 전극층을 포함하지 않을 수 있고, 도전성 비아(171)는 도전성 기판의 일면으로부터 형성될 수 있다. 즉, 도전성 기판(180)은 제1 도전형 반도체층(121)에 전기적으로 접속하기 위하여 제2 도전형 반도체층(123) 및 활성층(122)과는 전기적으로 절연되어 제1 전극층(175)의 일면으로부터 제1 도전형 반도체층(121)의 적어도 일부 영역까지 연장된 하나 이상의 도전성 비아(171)을 포함할 수 있다. 이때, 도전성 기판은 외부 전원과 전기적으로 연결되고, 제1 도전형 반도체층(121)은 도전성 기판을 통하여 전압이 인가된다.
제2 전극층(150)은 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(122) 및 제2 도전형 반도체층(123)의 식각 및 식각 저지층(130)의 식각에 의하여, 일부가 노출된 영역을 포함하고, 노출 영역에는 제2 전극 패드(190)이 형성된다. 여기서 상기 식각 저지층(130)은 제2 전극층(150)과 전기적으로 접속된 제2 전극 패드(190)을 제2 전극층(150)의 일부 영역에 형성하기 위하여, 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(122) 및 제2 도전형 반도체층(123)을 식각 하는 공정에서, 하부에 형성된 제2 전극층(150)의 식각을 방지하기 위한 것이다.
반도체 발광소자(100)의 발광은 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(122), 및 제2 도전형 반도체층(123)에서 수행되므로, 이들을 이하, 발광적층체(120)라 한다. 즉, 반도체 발광소자(100)는 발광적층체(120), 제1 도전형 반도체층(121)과 도전성 비아(171)에 의하여 전기적으로 접속되는 제1 전극층(175), 제2 도전형 반도체층(123)과 전기적으로 접속되는 제2 전극층(150), 및 전극층들(175, 150)을 전기적으로 절연시키기 위한 절연층(160)을 포함한다. 여기서 상기 제1 도전형 반도체층(121)은 제1 도전형 오믹 전극층(170)과 접하고, 제1 도전형 오믹 전극층(170)이 제1 전극층(175)과 전기적으로 접속될 수 있다. 그리고 상기 제2 도전형 반도체층(123)은 제2 도전형 오믹 전극층(140)과 접하고, 제2 도전형 오믹 전극층(140)이 제2 전극층(150)과 전기적으로 접속될 수 있다. 또한, 반도체 발광소자(100)의 지지를 위하여 도전성 기판(180)을 포함한다.
상기 제1 도전형 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)은 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들면 GaN계 반도체, SiC계 반도체, ZnO계 반도체, GaAs계 반도체, GaP계 반도체, 또는 GaAsP계 반도체와 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 이외에도, 상기 반도체층(121, 123)은 III-V족 반도체, Ⅳ-Ⅳ족 반도체, II-VI족 반도체 및 Si과 같은 Ⅳ족 반도체 또는 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 적절히 선택될 수 있다. 또한 상기 반도체층(121, 123)은 상술한 반도체에 각각의 도전형을 고려하여 n형 불순물 또는 p형 불순물로 도핑될 수 있다.
상기 활성층(122)은 발광을 활성화시키는 층으로서, 제1 도전형 반도체층(121) 및 제2 도전형 반도체층(123)의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질을 이용하여 형성한다. 예를 들어, 제1 도전형 반도체층(121) 및 제2 도전형 반도체층(123)이 GaN계 화합물 반도체인 경우, GaN의 에너지 밴드 갭보다 적은 에너지 밴드 갭을 갖는 InAlGaN계 화합물 반도체를 이용하여 활성층(122)을 형성할 수 있다. 즉, 활성층(122)은 InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)을 포함할 수 있다.
이때, 활성층(122)의 특성상 불순물은 도핑되지 않는 것이 바람직하며, 구성물질의 몰비를 조절하여 발광하는 빛의 파장을 조절할 수도 있다. 따라서, 반도체 발광소자(100)는 활성층(122)의 특성에 따라 적외선, 가시광선, 및 자외선 중 어느 하나의 빛을 발광할 수 있다.
상기 제1 전극층(175) 및 제2 전극층(150)은 각각 동일한 도전형의 반도체층에 전압을 인가하기 위한 층들로써, 상기 전극층(175, 150)에 의하여 상기 반도체층(121, 123)은 외부전원과 전기적으로 연결된다.
제1 전극층(175)은 제1 도전형 반도체층(121)에, 제2 전극층(150)은 제2 도전형 반도체층(123)에 각각 접속되므로 절연층(160)을 통하여 서로 전기적으로 분리된다. 상기 절연층(160)은 전기 전도성이 낮은 물질로 구성되는 것이 바람직한데, 예를 들면, SiO2와 같은 산화물을 포함할 수 있다.
제1 전극층(175)은 제1 도전형 반도체층(121)에 전기적으로 접속하기 위하여, 제2 도전형 반도체층(123) 및 활성층(122)과는 전기적으로 절연되며, 제1 도전형 반도체층(121)의 일부 영역까지 연장된 하나 이상의 도전성 비아(171)를 포함한다. 상기 도전성 비아(171)는 제2 도전형 반도체층(123) 및 활성층(122)을 둘러싸는 식각 저지층(130)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(121)까지 연장되고 전극물질을 포함한다. 상기 도전성 비아(171)에 의하여 제1 전극층(175) 및 제1 도전형 반도체층(121)이 전기적으로 접속되어, 제1 도전형 반도체층(121)은 외부전원과 연결된다.
즉 상기 도전성 비아(171)는 제1 전극층(175)의 계면에서부터 제2 전극층(150), 제2 도전형 반도체층(123) 및 활성층(122)을 통과하고 식각 저지층(130)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(121) 내부까지 연장된다. 적어도 활성층(122) 및 제1 도전형 반도체층(121)의 계면까지는 연장되고, 바람직하게는 제1 도전형 반도체층(121)의 일부까지 연장된다. 다만, 도전성 비아(171)는 제1 도전형 반도체층(121)의 전기적 연결 및 전류분산을 위한 것이므로 제1 도전형 반도체층(121)과 접촉하면 목적을 달성하므로 제1 도전형 반도체층(121)의 외부표면까지 연장될 필요는 없다.
또한 도전성 비아(171)는 제1 도전형 반도체층(121)에 전류를 분산시키기 위한 것이므로 소정면적을 가지는 것이 바람직하다. 도전성 비아(171)는 제1 도전형 반도체층(121)상에 전류가 균일하게 분포될 수 있는 가능한 작은 면적으로 소정개수가 형성되는 것이 바람직하다. 도전성 비아(171)가 너무 적은 개수로 형성되면 전류분산이 어려워져 전기적 특성이 악화될 수 있고, 너무 많은 개수로 형성되면 형성을 위한 공정의 어려움 및 활성층의 감소로 인한 발광면적의 감소가 초래되므로 그 개수는 적절히 선택될 수 있다.
이때 상기 도전성 비아(171)가 단지 제1 도전형 반도체층(121)의 전기적 연결만을 위한 것이라면, 제1 전극층(175)은 하나의 도전성 비아(171)을 포함할 수 있다.
즉 도전성 비아(171)는 가능한 한 적은 면적을 차지하면서 전류분산이 효과적인 형상으로 구현된다.
도전성 비아(171)는 제1 전극층(175)으로부터 제1 도전형 반도체층(121) 내부까지 형성되는데, 제1 도전형 반도체층의 전류분산을 위한 것이므로 제2 도전형 반도체층(123) 및 활성층(122)과는 전기적으로 분리될 필요가 있다. 따라서, 절연층(160)은 도전성 비아(171)의 둘레를 감싸면서 연장될 수 있으며, 도면에 별도로 도시하지는 않았으나, 절연층(160)은 도전성 비아(171)의 둘레를 감싸면서 연장되는 제1 절연층 및 제1 전극층(175)과 제2 전극층(150)을 전기적으로 절연시키는 제2 절연층을 포함할 수 있다.
제2 전극층(150)은 활성층(122)의 하측에 위치하여 활성층(122)을 기준으로 하여 반도체 발광소자(100)의 발광방향과 반대 면에 위치한다. 따라서, 제2 전극층(150)을 향하여 진행하는 빛은 반사되어야 발광효율이 증가한다.
제2 전극층(150)은 활성층(122)으로부터 발생한 빛을 반사시키기 위하여 가시광선영역에서 백색계열 금속인 것이 바람직한데, 예를 들면, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극층(150)은 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(122) 및 제2 도전형 반도체층(123)의 식각 및 식각 저지층(130)의 식각에 의하여, 일부 영역이 노출된다. 제1 전극층(175)은 하면에 위치한 도전성 기판(180)과 접촉되어 있어 외부 전원과 연결될 수 있는 반면에, 제2 전극층(150)은 외부 전원과의 연결을 위하여 별도의 연결영역이 필요하다. 따라서, 제2 전극층(150)은 발광적층체(120)의 일부 영역을 식각하고, 노출된 식각 저지층(130)을 식각하여 노출 영역을 갖는다. 이로써, 제2 도전형 반도체층(123)은 제2 전극층(150)에 의하여 외부 전원과 연결된다. 즉 제2 전극층(150) 노출된 일부 영역은 제2 전극층(150)의 외부전원과의 전기적 연결을 위한 영역이 된다. 이 때, 제2 전극층(150)의 외부전원과의 전기적 연결을 위한 일부 노출 영역은 제2 전극층(150)의 돌출된 영역(151)에 의하여 구분된다. 즉 제2 전극층(150)의 돌출된 영역(151)을 기준으로 도전성 비아(171)가 형성되지 않은 방향에 형성된 발광적층체(120) 및 식각 저지층(130)을 식각한다. 이와 같이 식각 저지층(130)을 식각하여 노출된 상기 제2 전극층(150)에 제2 전극 패드(190)이 형성될 수 있다. 즉 상기 발광적층체(120) 외부로 연장된 상기 제2 전극층(150) 상에 제2 전극 패드(190)가 형성된다.
이와 같이 제2 전극층(150)에 돌출된 영역(151)을 형성하면, 도전성 비아(171) 및 제2 전극층(150)의 돌출된 영역(151)에 의하여 발광적층체(120)가 둘러싸이도록 형성할 수 있으므로, 발광적층체(120)의 활성층(122)이 외부로 노출되지 않는다. 구체적으로, 적어도 발광적층체(120)의 활성층(122)의 측면은 상기 제2 전극층(150)의 돌출된 영역(151)의 상면에 형성된 상기 식각 저지층(130)에 의하여 둘러싸이도록 형성된다. 즉 상기 식각 저지층(130)이 활성층(122)의 노출을 방지하기 위한 페시베이션층의 기능을 동시에 수행할 수 있다.
따라서 활성층(122)의 노출을 방지하기 위한 페시베이션층을 따로 형성할 필요가 없게 되며, 제2 전극층(150)에 전극 형성을 위하여 페시베이션층의 일부 영역을 노출하기 위한 공정도 생략할 수 있어 공정을 단순화할 수 있게 된다.
상기 제2 전극층(150)의 노출 영역은 발광적층체(120)의 일부 및 식각 저지층(130)만을 식각하고, 통상 금속을 포함하는 상기 제2 전극층(150)은 식각하지 않도록 선택적 식각을 통하여 형성한다.
따라서, 상기 제2 전극층(150) 일부 영역에는 식각 저지층(130)이 형성된다. 상기 식각 저지층(130)에 의하여 제2 전극층(150)을 이루는 금속이 발광적층체(120)의 측면에 접합하는 것을 방지하여 누설전류를 감소시킬 수 있고, 식각이 용이하게 진행될 수 있다. 상기 식각 저지층(130)은 발광적층체(100)의 식각을 억제하기 위한 물질로써, 이에 제한되는 것은 아니나, SiO2, SiOxNy, SixNy 등의 실리콘 산화물, 실리콘 질화물과 같은 절연 물질일 수 있다.
따라서 상기 식각 저지층(130)은 도전성 비아(171)를 상기 제2 도전형 반도체층(123) 및 활성층(122)과 전기적으로 절연시키기 절연층으로써의 기능을 수행할 수 있다.
또한, 상기 제2 전극층(150)의 노출 영역에는 식각 저지층(130)이 식각되어 제2 전극 패드(190)가 형성될 수 있다. 따라서 제2 전극 패드(190)는 제2 전극층(150)과 전기적으로 연결된다.
도전성 기판(180)은 제1 전극층(175)의 하면에 위치하는 것으로, 제1 전극층(175)에 접촉되어 전기적으로 연결된다. 도전성 기판(180)은 금속성 기판이거나 반도체 기판일 수 있다. 도전성 기판(180)은 Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, GaAs 중 어느 하나를 포함하는 물질, 예컨대, Cu 단독 또는 Si와 Al의 결합형태의 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 선택된 물질에 따라, 도전성 기판(180)은 도금 또는 본딩 접합 등의 방법으로 형성될 수 있을 것이다. 이들 도전성 기판(180)은 사파이어 기판을 성장기판으로 사용한 후, 사파이어 기판을 제거하고 접합된 지지기판일 수 있다.
도 3a 내지 도 3k는 본 발명의 반도체 발광소자의 제조공정의 일 예를 도 1에 도시된 발광장치의 II-II를 절개한 단면의 형성공정에 따라 설명한 공정도이다.
도 3a 에 도시된 바와 같이, 반도체 성장용 기판(110) 위에 제2 도전형 반도체층(123), 활성층(122) 및 제1 도전형 반도체층(121)을 MOCVD, MBE, HVPE 등과 같은 반도체층 성장 공정을 이용하여 순차적으로 성장시켜 발광적층체(120)를 형성한다. 반도체 성장용 기판(110)은 사파이어, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN 등의 물질로 이루어진 기판을 사용할 수 있다. 이 경우, 사파이어는 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.
이어서, 도 3b 에 도시된 바와 같이, 메사에칭을 실시하여 제2 도전형 반도체층(123), 활성층(122) 및 일부 제1 도전형 반도체층(121)을 선택적으로 제거함으로써 제1 도전형 반도체층 영역을 노출시킨다.
본 공정에서 메사에칭되는 영역(ME)은 도전성 비아(171) 및 제2 전극층(150)의 돌출된 영역(151)이 형성될 영역에 대응한다. 따라서 상기 도전성 비아(171)가 복수개 형성되는 경우에는 메사에칭되는 영역(ME)은 더 늘어날 수 있다.
이어서, 도 3c 에 도시된 바와 같이, 메사에칭된 상기 발광적층체(120) 전면에 절연물질로 이루어진 식각 저지층(130)을 형성한다.
상기 식각 저지층(130)은 절연물질로 이루어져 있으므로, 이후 형성될 도전성 비아(171)를 상기 제2 도전형 반도체층(123) 및 활성층(122)과 전기적으로 절연시키기 절연층으로써의 기능을 수행할 수 있도록 상기 발광적층체(120) 전면에 형성한다.
이후 상기 제2 도전형 반도체층(123) 상에 제2 도전형 오믹 전극층(140)이 형성될 영역을 노출시키는 포토레지스트를 식각 저지층(130) 상에 형성하여 포토레지스트를 마스크로 식각 저지층(130)을 식각한다. 이어서 상기 식각 저지층(130)이 식각된 영역에 제2 도전형 오믹 전극층(140)을 형성한다. 상기 제2 도전형 오믹 전극층(140)은 광 반사 기능 및 제2 도전형 반도체층(123)과 오믹 컨택 기능을 고려하여 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Cu, Zn, In, Ti, Si, Ge, Sn, Ta, Cr, W 등의 물질을 포함하도록 형성할 수 있으며, 당 기술 분야에서 공지된 스퍼터링이나 증착 등의 공정을 적절히 이용할 수 있다.
또한 도면에서는 상기 식각 저지층(130)과 제2 도전형 오믹 전극층(140)이 서로 접하지 않도록 도시되었으나, 공정마진에 따라 상기 식각 저지층(130)과 제2 도전형 오믹 전극층(140)은 서로 접하도록 형성될 수 있다.
이어서, 도 3d 에 도시된 바와 같이, 제2 도전형 오믹 전극층(140) 상에 제2 전극층(150)을 형성한다. 제2 전극층(150)은 전기전도성 및 광 반사 성이 좋은 물질로 형성하는 것이 바람직하며, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Cu, Zn, In, Ti, Si, Ge, Sn, Ta, Cr, W 등의 물질을 포함하도록 형성할 수 있으며, 당 기술 분야에서 공지된 스퍼터링이나 증착 등의 공정을 적절히 이용할 수 있다.
다음으로, 도 3e 에 도시된 바와 같이, 제2 전극층(150)에 형성된 상기 구조물 전면에 절연층(160)을 형성한다.
이어서, 도 3f 에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(160) 및 상기 식각 저지층(130)의 일부 영역(162), 즉 도전성 비아가 형성될 영역을 식각하여 제1 도전형 반도체층(121)의 일부를 노출 시킨다. 상기 식각은 당 기술 분야에서 공지된 식각 공정, 예컨대, ICP-RIE 등을 이용하여 실행될 수 있다.
이어서, 도 3g 에 도시된 바와 같이, 노출된 제1 도전형 반도체층(121) 영역에 제1 도전형 오믹 전극층(170)을 형성한다. 상기 제1 도전형 오믹 전극층(170)은 제1 도전형 반도체층(121)과 오믹 컨택 기능을 고려하여 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Cu, Zn, In, Ti, Si, Ge, Sn, Ta, Cr, W 등의 물질을 포함하도록 형성할 수 있으며, 당 기술 분야에서 공지된 스퍼터링이나 증착 등의 공정을 적절히 이용할 수 있다.
그리고, 상기 제1 도전형 오믹 전극층(170)이 형성된 상기 구조물 전면에 전기 전도성이 좋은 물질을 이용하여 제1 전극층(175)을 형성한다.
이어서, 도 3h 에 도시된 바와 같이, 상기 제1 전극층(175) 상에 도전성 기판(180)을 형성한다. 이에 따라, 도전성 기판(180)은 제1 도전형 반도체층(121)과 접속되는 도전성 비아(171)와 전기적으로 연결된 구조가 된다. 도전성 기판(180)은 Au, Ni, Al, Cu, W, Si, Se, GaAs 중 어느 하나를 포함하는 물질로 이루어질 수 있으며, 도금, 스퍼터링, 증착 또는 접착등의 공정으로 적절히 형성될 수 있다.
이 경우, 제1 전극층(175)과 도전성 기판(180)을 동일한 물질로 형성할 수 있으나, 경우에 따라, 제1 전극층(175)은 도전성 기판(180)과 다른 물질로 이루어져 서로 별도의 공정으로 형성될 수도 있다. 예컨대, 제1 전극층(175)을 증착 공정으로 형성한 후, 도전성 기판(180)은 미리 형성되어 발광구조물에 본딩될 수 있을 것이다.
이어서, 도 3i 에 도시된 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(121)이 노출되도록 반도체 성장용 기판(110)을 제거한다. 이 경우, 반도체 성장용 기판(110)은 레이저 리프트 오프나 화학적 리프트 오프 등과 같은 공정을 이용하여 제거될 수 있다.
도 3j는 반도체 성장용 기판(110)이 제거된 상태로서, 도 3i와 비교하여 180°회전시켜 도시하였다.
이어서, 도 3k 에 도시된 바와 같이, 제2 전극층(150)의 돌출된 영역(151)을 기준으로 도전성 비아(171)가 형성되지 않은 방향에 형성된 발광적층체(120)를 식각한다. 상기 식각은 당 기술 분야에서 공지된 식각 공정, 예컨대, ICP-RIE 등을 이용하여 실행될 수 있다. 이때 식각 저지층(130)에 의하여 제2 전극층(150)이 식각되지 않는다.
이어서, 상기 식각 저지층(130)을 습식 식각에 의하여 제거한 후 제2 전극층(150) 상에 연결된 제2 전극 패드(190)를 형성한다.
이와 같이 도전성 비아(171) 및 제2 전극층(150)의 돌출된 영역(151)이 형성될 영역에 대응하는 발광적층체(120)의 일부 영역에 메사에칭을 실시하고, 제1 전극층(175) 및 제2 전극층(150)을 형성한 후 돌출된 영역을 기준으로 도전성 비아(171)가 형성되지 않은 방향에 형성된 발광적층체(120) 및 식각 저지층(130)을 식각하여 반도체 발광소자를 형성하면, 발광적층체(120)의 활성층(122)이 외부로 노출되지 않도록 형성할 수 있다. 따라서 활성층(122)의 노출을 방지하기 위한 페시베이션층을 따로 형성할 필요가 없게 된다. 또한 제2 전극층(150)에 전극 형성을 위하여 페시베이션층의 일부 영역을 노출하기 위한 공정도 생략할 수 있어 공정을 단순화할 수 있게 된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 단면도이다. 본 실시형태에서는 제2 전극이 형성될 영역의 형상만이 본 발명의 일 실시 형태와 상이하고 다른 구성요소는 동일하다. 따라서 달라진 구성요소에 대하여만 설명한다.
도 4를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(200)는 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층(221), 활성층(222), 제2 도전형 반도체층(223), 식각 저지층(230), 제2 도전형 오믹 전극층(240), 제2 전극층(250), 절연층(260), 제1 도전형 오믹 전극층(270), 제1 전극층(275) 및 도전성 기판(280)을 포함한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태에서는 제2 전극 패드(290)가 형성될 제2 전극층(250)에 발광적층체을 향하여 절곡된 영역이 형성된다. 즉 제2 전극층(250)의 절곡된 영역을 기준으로 도전성 비아(271)가 형성되지 않은 방향에 형성된 발광적층체(120)를 식각한다.
이와 같이 제2 전극층(250)에 절곡된 영역(251)을 형성하면, 도전성 비아(271) 및 제2 전극층(250)의 절곡된 영역(251)에 의하여 발광적층체(220)가 둘러싸이도록 형성할 수 있다. 구체적으로, 적어도 발광적층체(220)의 활성층(222)의 측면은 상기 제2 전극층(250)에 절곡된 영역(251)의 상면에 형성된 상기 식각 저지층(230)에 의하여 둘러싸이도록 형성된다. 즉 상기 식각 저지층(230)이 활성층(222)의 노출을 방지하기 위한 페시베이션층의 기능을 동시에 수행할 수 있다.
따라서 발광적층체(220)의 활성층(222)이 외부로 노출되지 않아 활성층(222)의 노출을 방지하기 위한 페시베이션층을 따로 형성할 필요가 없게 된다. 또한 제2 전극층(250)에 전극 형성을 위하여 페시베이션층의 일부 영역을 노출하기 위한 공정도 생략할 수 있어 공정을 단순화할 수 있게 된다.
도 5a 내지 도 5k는 본 발명의 반도체 발광소자의 제조공정의 일 예를 형성공정에 따라 설명한 공정도이다.
도 5a 에 도시된 바와 같이, 반도체 성장용 기판(210) 위에 제2 도전형 반도체층(223), 활성층(222) 및 제1 도전형 반도체층(221)을 MOCVD, MBE, HVPE 등과 같은 반도체층 성장 공정을 이용하여 순차적으로 성장시켜 발광적층체(220)를 형성한다.
이어서, 도 5b 에 도시된 바와 같이, 메사에칭을 실시하여 제2 도전형 반도체층(223), 활성층(222) 및 일부 제1 도전형 반도체층(221)을 선택적으로 제거함으로써 제1 도전형 반도체층 영역을 노출시킨다.
본 공정에서 메사에칭되는 영역(ME)은 도전성 비아(271) 및 제2 전극층(250)의 절곡된 영역(251)이 형성될 영역에 대응한다.
이어서, 도 5c 에 도시된 바와 같이, 메사에칭된 상기 발광적층체(220) 전면에 식각 저지층(230)을 형성하고, 상기 제2 도전형 반도체층(223)의 제2 도전형 오믹 전극층(240)이 형성될 영역을 노출시키는 포토레지스트를 식각 저지층(230) 상에 형성하여 포토레지스트를 마스크로 식각 저지층(230)을 식각한다. 이어서 상기 식각 저지층(230)이 식각된 영역에 제2 도전형 오믹 전극층(240)을 형성한다. 도면에서는 상기 식각 저지층(230)과 제2 도전형 오믹 전극층(240)이 서로 접하지 않도록 도시되었으나, 공정마진에 따라 상기 식각 저지층(230)과 제2 도전형 오믹 전극층(240)은 서로 접하도록 형성될 수 있다.
이어서, 도 5d 에 도시된 바와 같이, 제2 도전형 오믹 전극층(240) 상에 제2 전극층(250)을 형성한다.
다음으로, 도 5e 에 도시된 바와 같이, 제2 전극층(250)에 형성된 상기 구조물 전면에 절연층(260)을 형성한다.
이어서, 도 5f 에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(260) 및 상기 식각 저지층(230)의 일부 영역(262), 즉 도전성 비아가 형성될 영역을 식각하여 제1 도전형 반도체층(221)의 일부를 노출 시킨다. 상기 식각은 당 기술 분야에서 공지된 식각 공정, 예컨대, ICP-RIE 등을 이용하여 실행될 수 있다.
이어서, 도 5g 에 도시된 바와 같이, 노출된 제1 도전형 반도체층(221) 영역에 제1 도전형 오믹 전극층(270)을 형성한다. 그리고, 상기 제1 도전형 오믹 전극층(270)이 형성된 상기 구조물 전면에 물질을 이용하여 제1 전극층(275)을 형성한다.
이어서, 도 5h 에 도시된 바와 같이, 상기 제1 전극층(275) 상에 도전성 기판(280)을 형성한다. 이에 따라, 도전성 기판(280)은 제1 도전형 반도체층(221)과 접속되는 도전성 비아(271)와 연결된 구조가 된다.
이어서, 도 5i 에 도시된 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(221)이 노출되도록 반도체 성장용 기판(210)을 제거한다. 이 경우, 반도체 성장용 기판(210)은 레이저 리프트 오프나 화학적 리프트 오프 등과 같은 공정을 이용하여 제거될 수 있다.
도 5j는 반도체 성장용 기판(210)이 제거된 상태로서, 도 5i와 비교하여 180°회전시켜 도시하였다.
이어서, 도 5k 에 도시된 바와 같이, 제2 전극층(250)의 절곡된 영역(251)을 기준으로 도전성 비아(271)가 형성되지 않은 방향에 형성된 발광적층체(220)를 식각한다. 상기 식각은 당 기술 분야에서 공지된 식각 공정, 예컨대, ICP-RIE 등을 이용하여 실행될 수 있다. 이때 식각 저지층(230)에 의하여 제2 전극층(250)이 식각되지 않는다.
이어서, 상기 식각 저지층(230)을 습식 식각에 의하여 제거한 후 제2 전극층(250) 상에 연결된 제2 전극 패드(290)를 형성한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 단면도이다. 본 실시형태에서는 수직 구조의 반도체 발광소자에 해당하며, 제1 전극층 및 제2 전극층의 배치 및 형상만이 본 발명의 일 실시 형태와 상이하고 다른 구성요소는 동일하다. 따라서 달라진 구성요소에 대하여만 설명한다.
도 6을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 반도체 발광소자(300)는 순차적으로 적층된 제1 도전형 반도체층(321), 활성층(322), 제2 도전형 반도체층(323), 식각 저지층(330), 제2 도전형 오믹 전극층(340), 제2 전극층(350), 제1 전극층(375) 및 도전성 기판(380)을 포함한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태에서는 제2 도전형 반도체층(323)이 제2 전극층(350)을 통해 도전성 기판(380)에 전기적으로 접속된다. 또한, 제1 전극층(375)은 발광적층체(320)의 상부면 상에 형성된다.
식각 저지층(330)은 반도체 발광소자(300) 단위로 발광적층체(320)를 식각할 때 식각 저지 기능을 수행한다. 또한, 식각 저지층(330)은 제2 전극층(350)을 제1 도전형 반도체층(321) 및 활성층(322)과 전기적으로 절연시키기 절연층으로써의 기능을 수행할 수 있다. 따라서 발광적층체(320)의 활성층(322)이 외부로 노출되지 않아 활성층(322)이 보호될 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 발광소자를 패키지에 적용한 예를 나타낸다. 도 7의 패키지(1000)는 반도체 발광소자(1001), 패키지 본체(1002) 및 한 쌍의 리드 프레임(1003)을 구비하며, 반도체 발광소자(1001)는 리드 프레임(1003)에 실장되어 와이어(W)를 통하여 리드 프레임(1003)과 전기적으로 연결될 수 있다. 물론, 반도체 발광소자(1001)는 리드 프레임(1003) 아닌 다른 영역, 예컨대, 패키지 본체(1002)에 실장될 수도 있을 것이다. 패키지 본체(1002)는 도 7에 도시된 것과 같이, 빛의 반사 효율이 향상되도록 컵 형상을 가질 수 있으며, 이러한 반사컵에는 반도체 발광소자(1001)와 와이어(W) 등을 봉지하도록 투광성 물질이 채워질 수 있다. 반도체 발광소자(1001)는 도 2에 도시된 구조를 가질 수 있다.
도 8의 패키지(2000)는 리드 프레임(2003) 상에 반도체 발광소자(2001)가 배치되고 와이어(W)에 의하여 전기적 도통이 형성되는 점에서는 앞선 패키지 구조와 유사하며, 방열에 유리하도록 리드 프레임(2003)의 하면이 외부로 노출되어 있는 점과 반도체 발광소자(2001), 와이어(W), 리드 프레임(2003)을 봉지하는 투광성 본체(2002)에 의하여 패키지(2000)의 형상이 유지되는 점에서 차이가 있다. 반도체 발광소자(2001)는 앞서 설명한 것과 같이 구조를 구비할 수 있다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 발광소자를 백라이트 유닛에 적용한 예를 나타낸다. 도 9를 참조하면, 백라이트 유닛(3000)은 기판(3002) 상에 광원(3001)이 실장되며, 그 상부에 배치된 하나 이상의 광학 시트(3003)를 구비한다. 광원(3001)은 앞서 설명한 구조 또는 이와 유사한 구조를 갖는 발광소자 패키지를 이용할 수 있으며, 또한, 반도체 발광소자를 직접 기판(3002)에 실장(소위 COB 타입)하여 이용할 수도 있다. 도 9의 백라이트 유닛(3000)에서 광원(3001)은 액정표시장치가 배치된 상부를 향하여 빛을 방사하는 것과 달리, 도 10에 도시된 다른 예의 백라이트 유닛(4000)은 기판(4002) 위에 실장된 광원(4001)이 측 방향으로 빛을 방사하며, 이렇게 방시된 빛은 도광판(4003)에 입사되어 면광원의 형태로 전환될 수 있다. 도광판(4003)을 거친 빛은 상부로 방출되며, 광 추출 효율을 향상시키기 위하여 도광판(4003)의 하면에는 반사층(4004)이 배치될 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 발광소자를 조명 장치에 적용한 예를 나타낸다. 도 11의 분해사시도를 참조하면, 조명장치(5000)는 일 예로서 벌브형 램프로 도시되어 있으며, 발광모듈(5003)과 구동부(5008)와 외부접속부(5010)를 포함한다. 또한, 외부 및 내부 하우징(5006, 5009)과 커버부(5007)와 같은 외형구조물을 추가적으로 포함할 수 있다. 발광모듈(5003)은 상술된 반도체 발광소자(5001)와 그 발광소자(5001)가 탑재된 회로기판(5002)을 가질 수 있다. 본 실시형태에서는, 1개의 반도체 발광소자(5001)가 회로기판(5002) 상에 실장된 형태로 예시되어 있으나, 필요에 따라 복수 개로 장착될 수 있다. 또한, 반도체 발광소자(5001)가 직접 회로기판(5002)에 실장되지 않고, 패키지 형태로 제조된 후에 실장될 수도 있다.
또한, 조명장치(500)에서, 발광모듈(5003)은 열방출부로 작용하는 외부 하우징(5006)을 포함할 수 있으며, 외부 하우징(5006)은 발광모듈(5003)과 직접 접촉되어 방열효과를 향상시키는 열방출판(5004)을 포함할 수 있다. 또한, 조명장치(5000)는 발광모듈(5003) 상에 장착되며 볼록한 렌즈형상을 갖는 커버부(5007)를 포함할 수 있다. 구동부(5008)는 내부 하우징(5009)에 장착되어 소켓구조와 같은 외부접속부(5010)에 연결되어 외부 전원으로부터 전원을 제공받을 수 있다. 또한, 구동부(5008)는 발광모듈(5003)의 반도체 발광소자(5001)를 구동시킬 수 있는 적정한 전류원으로 변환시켜 제공하는 역할을 한다. 예를 들어, 이러한 구동부(5008)는 AC-DC 컨버터 또는 정류회로부품 등으로 구성될 수 있다.
도 12는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 발광소자를 헤드 램프에 적용한 예를 나타낸다. 도 12를 참조하면, 차량용 라이트 등으로 이용되는 헤드 램프(1000)는 광원(1001), 반사부(1005), 렌즈 커버부(1004)를 포함하며, 렌즈 커버부(1004)는 중공형의 가이드(1003) 및 렌즈(1002)를 포함할 수 있다. 또한, 헤드 램드(1000)는 광원(10001)에서 발생된 열을 외부로 방출하는 방열부(6012)를 더 포함할 수 있으며, 방열부(6012)는 효과적인 방열이 수행되도록 히트싱크(6010)와 냉각팬(6011)을 포함할 수 있다. 또한, 헤드 램프(1000)는 방열부(6012) 및 반사부(1005)를 고정시켜 지지하는 하우징(1009)을 더 포함할 수 있으며, 하우징(1009)은 일면에 방열부(6012)가 결합하여 장착되기 위한 중앙홀(1008)을 구비할 수 있다. 또한, 하우징(1009)은 상기 일면과 일체로 연결되어 직각방향으로 절곡되는 타면에 반사부(1005)가 광원(1001)의 상부측에 위치하도록 고정시키는 전방홀(1007)을 구비할 수 있다. 이에 따라, 반사부(1005)에 의하여 전방측은 개방되며, 개방된 전방이 전방홀(1007)과 대응되도록 반사부(1005)가 하우징(1009)에 고정되어 반사부(1005)를 통해 반사된 빛이 전방홀(1007)을 통과하여 외부로 출사될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100, 200, 300: 반도체 발광소자
120, 220, 320: 발광적층체
121, 221, 321: 제1 도전형 반도체층
122, 222, 322: 활성층
123, 223, 323: 제2 도전형 반도체층
130, 230, 330: 식각 저지층
140, 240, 340: 제2 도전형 오믹 전극층
150, 250, 350: 제2 전극층
160, 260: 절연층
170, 270: 제1 도전형 오믹 전극층
175, 275, 375: 제1 전극층
180, 280, 380: 도전성 기판
190, 290: 제2 전극

Claims (10)

  1. 도전성 기판;
    상기 도전성 기판 상에 순차적으로 형성된 제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층을 구비하는 발광적층체;
    상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극층;
    상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되도록 상기 도전성 기판과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 형성된 제2 전극층; 및
    상기 발광적층체 측면에서 적어도 활성층을 덮도록, 상기 활성층과 상기 제2 전극층 사이에 형성되는 페시베이션층을 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극층으로부터 연장되어 형성되며, 상기 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층과 그 내부에서 접속된 도전성 비아;
    상기 도전성 비아를 상기 제2 도전형 반도체층 및 활성층과 전기적으로 절연시키기 위한 제1 절연층;
    상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층을 전기적으로 절연시키기 위한 제2 절연층; 및
    상기 발광적층체 외부로 연장된 상기 제2 전극층 영역 상에 형성된 전극 패드를 더 포함하고,
    상기 제1 전극층은 상기 도전성 기판과 상기 제2 전극층 사이에 형성되는 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극층은 상기 발광적층체 방향으로 일부 돌출된 영역을 포함하는 반도체 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극층은 상기 도전성 기판에서 상기 발광적층체 방향으로 절곡된 영역을 포함하는 반도체 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 페시베이션층은 상기 발광적층체를 이루는 반도체 물질과 식각 특성이 상이한 식각 저지층인 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극층 사이에 제2 도전형 오믹 전극층이 더 형성된 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제1 전극층 사이에 제1 도전형 오믹 전극층이 더 형성된 반도체 발광소자.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 페시베이션층과 상기 제1 절연층은 동일한 물질로 형성되는 반도체 발광소자.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 전극 패드는 상기 제2 전극층의 상기 돌출된 영역을 기준으로 상기 도전성 비아가 형성되지 않은 방향으로 연장된 상기 제2 전극층의 일부 영역에 형성된 반도체 발광소자.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 전극 패드는 상기 제2 전극층의 상기 절곡된 영역을 기준으로 상기 도전성 비아가 형성되지 않은 방향으로 연장된 상기 제2 전극층의 일부 영역에 형성된 반도체 발광소자.
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