KR20110129620A - 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 - Google Patents

발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20110129620A
KR20110129620A KR1020100049107A KR20100049107A KR20110129620A KR 20110129620 A KR20110129620 A KR 20110129620A KR 1020100049107 A KR1020100049107 A KR 1020100049107A KR 20100049107 A KR20100049107 A KR 20100049107A KR 20110129620 A KR20110129620 A KR 20110129620A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
electrode layer
electrode
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020100049107A
Other languages
English (en)
Inventor
이진욱
김선경
최운경
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100049107A priority Critical patent/KR20110129620A/ko
Publication of KR20110129620A publication Critical patent/KR20110129620A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings

Abstract

실시예에 따른 발광 소자는 상면에 복수의 돌기 구조를 포함하는 제1 전극층; 상기 복수의 돌기 구조의 일부 영역이 노출되도록 상기 제1 전극층 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 제2 전극층; 상기 제2 전극층 상에 상기 제2 전극층의 상면이 일부 노출되도록 형성된 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성되며, 상기 제1 전극층의 노출된 상기 복수의 돌기 구조의 영역과 전기적으로 연결되는 제2 도전형 반도체층; 노출된 상기 제2 전극층 상면에 형성된 전극패드; 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 전극층 사이에 보호층을 포함한다.

Description

발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
실시예는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Device: LED)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드를 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족의 원소가 화합하여 생성될 수 있다. LED는 화합물 반도체의 조성비 및 재질을 조절함으로써 다양한 색상 구현이 가능하다.
발광 다이오드는 순방향 전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 빛 에너지를 생성할 수 있다.
특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) LED, 녹색(Green) LED, 자외선(UV) LED 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예는 광 추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 상면에 복수의 돌기 구조를 포함하는 제1 전극층; 상기 복수의 돌기 구조의 일부 영역이 노출되도록 상기 제1 전극층 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 제2 전극층; 상기 제2 전극층 상에 상기 제2 전극층의 상면이 일부 노출되도록 형성된 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성되며, 상기 제1 전극층의 노출된 상기 복수의 돌기 구조의 영역과 전기적으로 연결되는 제2 도전형 반도체층; 노출된 상기 제2 전극층 상면에 형성된 전극패드; 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 전극층 사이에 보호층을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층을 순차적으로 성장하여 발광구조물을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 보호층을 선택적으로 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 보호층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계; 상기 제2 전극층 및 상기 발광구조물을 선택적으로 제거하여 복수의 홈을 형성하며, 이때 상기 복수의 홈은 상기 제2 도전형 반도체층이 노출되도록 형성되는 단계; 상기 복수의 홈의 측면 및 상기 제2 전극층 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 복수의 홈 및 상기 절연층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 발광구조물의 영역 중 상기 보호층에 대응하는 영역을, 상기 보호층이 노출되도록 선택적으로 제거하는 단계를 포함한다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 광 추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 측 단면도
도 2는 도 1의 발광 소자의 사시도
도 3은 도 1의 발광 소자의 상면도
도 4는 도 1의 A 영역의 일 예를 나타낸 도면
도 5 내지 도 15는 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 16은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 측 단면도
도 17 및 도 18은 실시예에 따른 발광 소자를 사용한 라이트 유닛을 도시하는 도면
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들에 따른 발광 소자에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자(100)의 측 단면도이고, 도 2는 도 1의 발광 소자(100)의 사시도이고, 도 3은 도 1의 발광 소자(100)의 상면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 전도성 지지부재(150)와, 상기 전도성 지지부재(150) 상에 형성되며 상면에 복수의 돌기 구조(142)를 포함하는 제1 전극층(140)과, 상기 복수의 돌기 구조(142)의 일부 영역(142a)이 노출되도록 상기 제1 전극층(140) 상에 형성된 절연층(130)과, 상기 절연층(130) 상에 형성된 제2 전극층(120)과, 상기 제2 전극층(120) 상에 상기 제2 전극층(120)의 상면이 일부 노출되도록 형성된 제1 도전형 반도체층(116)과, 상기 제1 도전형 반도체층(116) 상에 형성된 활성층(114)과, 상기 활성층(114) 상에 형성되며, 상기 제1 전극층(140)의 노출된 상기 복수의 돌기 구조(142)의 영역(142a)과 전기적으로 연결되는 제2 도전형 반도체층(112)과, 노출된 상기 제2 전극층(120) 상면에 형성된 전극패드(160)와, 상기 제1 도전형 반도체층(116)과 상기 제2 전극층(120) 사이로 상기 전극패드(160)와 인접한 영역에 형성된 보호층(125)을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(116), 상기 활성층(114) 및 상기 제2 도전형 반도체층(112)은 정공 및 전자의 재결합(Recombination) 과정에 의해 빛을 생성하는 발광구조물(110)을 이룬다.
실시예에 따른 발광 소자(100)는 상기 제1 전극층(140) 및 상기 제2 전극층(120)이 모두 상기 발광구조물(110)의 아래에 배치되므로, 상기 제1,2 전극층(140,120)에 의한 광 손실을 최소화할 수 있는 장점이 있다.
또한, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 상기 제1,2 전극층(140,120)을 상기 발광구조물(100)의 아래의 대부분의 영역에 대해 형성할 수 있으므로, 전류 스프레딩이 향상될 수 있다.
상기 전도성 지지부재(150)는 상기 발광 소자(100)를 지지하며, 상기 전극패드(160)와 함께 상기 제1,2 전극층(140,120)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(150)는 예를 들어, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, Sic 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전도성 지지부재(150) 상에는 상기 제1 전극층(140)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극층(140)은 상기 전도성 지지부재(150)로부터 전원을 전달받아 상기 제2 도전형 반도체층(112)에 캐리어(전자 또는 정공)를 공급할 수 있다. 이를 위해, 상기 제1 전극층(140)은 상기 제2 도전형 반도체층(112)과 오믹 접촉을 형성하는 재질을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극층(140)은 상면에 복수의 돌기 구조(142)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 복수의 돌기 구조(142)는 상기 제1 전극층(140)의 상면에 대해 돌출된 형상을 가질 수 있다.
상기 복수의 돌기 구조(142)는 예를 들어, 원기둥, 다각기둥, 원뿔대, 다각뿔대 등의 형상을 가질 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 제조 공정에 따라 상기 복수의 돌기 구조(142)의 측면은 상기 제1 전극층(140)의 바닥면에 대해 경사지게 형성되거나 수직하게 형성될 수 있다.
상기 제1 전극층(140)은 예를 들어, Al, Ag, Pt, Pd, Au, Ti, Cu, Ni, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조로 형성되거나 기타 다양한 구조로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 4는 도 1의 A 영역의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 전극층(140)은 상기 복수의 돌기 구조(142)의 상부 영역에 상기 제2 도전형 반도체층(112)과 오믹 접촉을 형성하는 오믹층(142a)과, 상기 복수의 돌기 구조(142)의 측면 영역에 형성되어 입사되는 빛을 반사사키는 반사층(142b)을 포함하며, 상기 복수의 돌기 구조(142)는 몸체를 이루며 양호한 전기 전도성을 갖는 전도층의 재질로 형성될 수 있다.
상기 제1 전극층(140)이 이러한 구조를 가짐에 따라, 상기 제1 전극층(140)은 상기 제2 도전형 반도체층(112)에 전원을 공급하는 역할 외에도 빛을 반사시킴으로써 발광 소자의 광 추출 효율 향상에 기여할 수 있다.
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 제1 전극층(140) 상에는 상기 복수의 돌기 구조(142)의 일부 영역(142a), 바람직하게는 상부 영역이 노출되도록 상기 절연층(130)이 형성될 수 있다.
상기 절연층(130)은 전기 절연성을 가지는 재질로 형성되어, 상기 제1 전극층(140)의 상기 복수의 돌기 구조(142)가 상기 활성층(114) 및 상기 제1 도전형 반도체층(116)과 전기적으로 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 절연층(130)은 투광성을 갖는 재질로 형성되어, 상기 절연층(130)으로 입사된 빛이 상기 제1 전극층(140)에 의해 반사될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
상기 절연층(130)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함하도록 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 절연층(130) 상에는 상기 제2 전극층(120)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극층(120)은 상기 제1 도전형 반도체층(116)과 전기적으로 연결되어 상기 제1 도전형 반도체층(116)에 캐리어(전자 또는 정공)을 공급할 수 있다.
상기 제2 전극층(120)은 상기 제1 도전형 반도체층(116)과 오믹 접촉을 형성하는 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극층(120)의 고반사율을 갖는 재질로 형성되어 상기 제2 전극층(120)으로 입사되는 빛을 효과적으로 반사시킬 수 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 제2 전극층(120)은 Al, Ag, Pt, Pd, Au, Ti, Cu, Ni, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도시된 것처럼, 상기 제2 전극층(120)은 상기 절연층(130)의 바닥면 상에 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 전극층(120)은 상기 복수의 돌기 구조(142)들 사이에 형성될 수 있다.
상기 제2 전극층(120) 상에는 상기 제2 전극층(120)의 상면이 일부 노출되도록 상기 제1 도전형 반도체층(116)이 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(116)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(116)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 p형 도펀트를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(116)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(116) 상에는 상기 활성층(114)이 형성될 수 있다.
상기 활성층(114)은 상기 제1 도전형 반도체층(116)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)과 상기 제2 도전형 반도체층(112)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)이 서로 만나서 화합물 반도체 재질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 파장대를 갖는 빛을 방출하는 층이다.
상기 활성층(114)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(114)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층을 교번하여 적층함으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(114)은 InGaN 우물층 및 GaN 장벽층이 교번하여 적층되거나, InGaN 우물층 및 AlGaN 장벽층이 교번하여 적층됨으로써 형성될 수 있다.
또한, 상기 활성층(114)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드(Clad)층이 형성될 수도 있으며, 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다.
상기 활성층(114) 상에는 상기 제2 도전형 반도체층(112)이 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(112)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(112)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(112)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(112)은 상기 제1 전극층(140)의 노출된 상기 복수의 돌기 구조(142)의 영역(142a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 도전형 반도체층(112)은 상기 제1 전극층(140)으로부터 캐리어를 공급받을 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(112)의 상면에는 광 추출 패턴(111)이 형성될 수 있다. 상기 광 추출 패턴(111)은 러프니스(roughness) 형상이거나 규칙적인 형상을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 광 추출 패턴(111)은 특정 파장대의 빛을 선택적으로 투과 또는 반사하는 광 결정(photonic crystal) 구조를 가질 수 있으며, 50nm 내지 3000nm 의 주기를 가질 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 제2 전극층(120)은 상면의 일부가 노출될 수 있는데, 노출된 상기 제2 전극층(120)의 상에는 상기 전극패드(160)가 형성될 수 있다. 또한, 노출된 상기 제2 전극층(120)의 영역은 상기 제2 전극층(120)의 다른 영역에 비해 두께가 얇을 수 있다. 이에 대해서는 발광 소자 제조방법에 대한 설명에서 구체적으로 설명한다.
상기 전극패드(160)는 와이어(wire) 등에 의해 외부 전극과 연결될 수 있으며 이에 따라 상기 발광 소자(100)에 전원을 공급할 수 있다. 상기 전극패드(160)는 예를 들어 Al, Ag, Pt, Pd, Au, Ti, Cu, Ni, Cr 중 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(116)과 상기 제2 전극층(120) 사이에는 상기 보호층(125)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 보호층(125)은 상기 전극패드(160)와 인접한 영역에 형성될 수 있으며, 상기 보호층(125)은 상기 제1 도전형 반도체층(116)의 외측으로부터 내측으로 일부가 삽입된 구조를 가질 수 있다. 이에 따라 상기 보호층(125)의 측면은 상기 제1 도전형 반도체층(116)과 상기 제2 전극층(120) 사이로 노출될 수 있다. 또한, 상기 보호층(125)은 예를 들어, 5μm 내지 30μm의 너비(t)를 가질 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 보호층(125)은 산화물(Oxide), 질화물(Nitride) 또는 불화물(Fluoride) 계열의 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 보호층(125)은 바람직하게는 ICP(Inductively Coupled Plasma) 등의 에칭 공정에 있어서 에치 스톱 레이어(Etch Stop Layer)로써 작용할 수 있는 재질로 형성될 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법에서 상기 제2 전극층(120)의 상면을 노출시키기 위해, 상기 발광구조물(110)을 ICP(Inductively Coupled Plasma) 등의 에칭 공정에 의해 식각하게 되는데, 상기 보호층(125)은 이러한 식각 공정에 의해 상기 제2 전극층(120)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이에 대해서는 이하의 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법에 대한 설명에서 구체적으로 설명한다.
실시예에서는 노출된 제2 전극층(120) 상면의 보호층(125)은 식각되어 남아있지 않은 것으로 도시되어 있으나, 상기 보호층(125)은 상기 제2 전극층(120)의 노출된 일부 상면에 남아있거나 상기 전극 패드(160)의 둘레 영역에 노출될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 5 내지 도 15는 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법을 설명하는 도면이다.
이하, 도 5 내지 도 15를 참조하여 실시예에 따른 발광 소자(100)의 제조방법에 대해 구체적으로 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 것과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 5를 참조하면, 기판(105) 상에 상기 제2 도전형 반도체층(112), 상기 활성층(114) 및 상기 제1 도전형 반도체층(116)을 순차적으로 성장함으로써 상기 발광구조물(110)을 형성할 수 있다.
상기 기판(105)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP 또는 Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 기판(105)의 상면은 상기 층들(112,114,116)을 원활히 성장하고, 상기 발광 소자(100)의 광 추출 효율을 향상시키기 위해 경사지게 형성되거나, 패턴이 형성될 수 있다.
상기 발광구조물(110)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 6을 참조하면, 상기 제1 도전형 반도체층(116) 상에 상기 보호층(125)을 선택적으로 형성할 수 있다. 상기 보호층(125)은 산화물(Oxide), 질화물(Nitride) 또는 불화물(Fluoride) 계열의 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 보호층(125)은 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(116) 상에 패턴 마스크(미도시)를 형성하고 상기 패턴 마스크(미도시)를 따라 증착 공정을 실시함으로써 형성될 수 있다.
상기 증착 공정은 예를 들어 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering) 중 적어도 하나의 방법에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 7을 참조하면, 상기 제1 도전형 반도체층(116) 및 상기 보호층(125) 상에 상기 제2 전극층(120)을 형성할 수 있다. 상기 제2 전극층(120)은 증착 또는 도금 방식에 의해 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 제2 전극층(120) 및 상기 발광구조물(110)을 선택적으로 제거하여 복수의 홈(132)을 형성할 수 있다. 상기 복수의 홈(132)은 습식 식각 또는/및 건식 식각을 사용하여 형성될 수 있다.
이때, 상기 복수의 홈(132)은 상기 제2 도전형 반도체층(112)의 일부가 노출되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 복수의 홈(132)은 측면이 경사지게 형성될 수 있다. 즉, 상기 복수의 홈(132)은 예를 들어, 원기둥, 다각기둥, 원뿔대, 다각뿔대 등의 형상을 가질 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 9를 참조하면, 상기 복수의 홈(132)의 측면 영역 및 상기 제2 전극층(120) 상에 상기 절연층(130)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 절연층(130)은 상기 복수의 홈(132)의 바닥면, 즉, 상기 제2 도전형 반도체층(112)이 일부 노출되도록 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 절연층(130)은 상기 복수의 홈(132)의 바닥면에 마스크를 형성한 후에 증착 공정을 실시함으로써 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 10을 참조하면, 상기 복수의 홈(132) 및 상기 절연층(130) 상에 상기 제1 전극층(140)을 형성할 수 있다.
상기 제1 전극층(140)은 상기 복수의 홈(132)을 충진하면서 형성되므로, 상기 복수의 돌기 구조(142)를 가지도록 형성될 수 있다. 그리고, 상기 복수의 돌기 구조(142)의 일부 영역(142a)은 상기 제2 도전형 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상기 제1 전극층(140) 상에 상기 전도성 지지부재(150)를 형성할 수 있다.
상기 전도성 지지부재(150)는 별도로 준비된 후, 접착층을 게재하여 본딩시키는 본딩 방식으로 형성될 수 있다. 또는, 상기 전도성 지지부재(150)는 증착 또는 도금 공정에 의해 형성될 수도 있다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 상기 기판(105)을 제거할 수 있다.
상기 기판(105)은 레이저 리프트 오프(LLO, Laser Lift Off), 화학적 리프트 오프(CLO, Chemical Lift Off) 또는 물리적 연마 방법 중 적어도 하나의 방법에 의해 제거될 수 있다.
상기 기판(105)이 제거됨에 따라 상기 제2 도전형 반도체층(112)의 하면이 노출되게 된다.
도 13을 참조하면, 상기 발광구조물(110)에 상기 보호층(125)이 노출될 때까지 에칭 공정(E)을 실시할 수 있다. 한편, 설명의 편의를 위해 도 12의 발광 소자를 180도 뒤집어서 설명한다.
상기 에칭 공정(E)은 상기 보호층(125)에 대응하는 위치에 실시될 수 있는데, 이를 위해 상기 발광구조물(110)에 마스크를 형성한 후, 상기 에칭 공정(E)을 실시할 수 있다.
상기 에칭 공정(E)은 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 드라이 에칭, 에칭 용액을 사용한 웨트 에칭 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
상기 에칭 공정(E)에 있어서, 상기 보호층(125)은 에치 스톱 레이어(Etch Stop Layer)로 작용하여, 상기 에칭 공정(E)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 보호층(125)은 상기 에칭 공정(E)에 의해 상기 제2 전극층(120)이 플라즈마 데미지(plasma damage)나, 에칭 용액에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 보호층(125)은 상기 에칭 공정(E)에 의해 제거될 영역의 면적보다 큰 면적을 가지도록 형성될 수 있다. 상기 보호층(125)의 면적이 작을 경우, 상기 에칭 공정(E)에 의해 상기 제2 전극층(120)에 불필요한 손상이 가해질 수 있기 때문이다.
도 14를 참조하면, 상면이 노출된 상기 보호층(125)을 제거할 수 있다.
상기 보호층(125)에 적합한 에칭 용액을 선택함으로써 상기 보호층(125)을 제거할 수 있다. 이에 상기 제2 전극층(120)의 상면이 노출될 수 있다.
이때, 상기 보호층(125)의 면적이 상기 에칭 공정(E)에 의해 제거된 영역의 면적보다 크게 형성된 경우, 상면이 노출된 상기 보호층(125)을 제거하더라도 일부 보호층(125)이 상기 제1 도전형 반도체층(116)과 상기 제2 전극층(120) 사이에 잔존할 수 있다.
즉, 상기 보호층(125)은 상기 제1 도전형 반도체층(116)과 상기 제2 전극층(120) 사이로 후속 공정에서 형성될 상기 전극패드(160)와 인접한 영역에 형성될 수 있는 것이다.
한편, 노출된 상기 제2 전극층(120)의 영역은 상기 보호층(125)이 제거된 영역이므로, 상기 제2 전극층(120)의 다른 영역에 비해 그 두께가 얇을 수 있다.
도 15를 참조하면, 노출된 상기 제2 전극층(120) 상에 상기 전극패드(160)를 형성하고, 상기 제2 도전형 반도체층(112)의 상면에 상기 광 추출 패턴(111)을 형성함으로써 실시예에 따른 발광 소자(100)가 제공될 수 있다.
상기 전극패드(160)는 증착 또는 도금 방법에 의해 형성될 수 있다.
상기 광 추출 패턴(111)은 습식 식각에 의해 랜덤한 러프니스 형태로 형성되거나, 패터닝 공정에 의해 규칙적인 형상, 예를 들어 광 결정 구조를 가지도록 형성될 수 있다.
도 16은 실시예에 따른 발광 소자(100)를 포함하는 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.
도 16을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체(10)와, 상기 몸체(10)에 설치된 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과, 상기 몸체(10)에 설치되어 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.
상기 몸체(10)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 몸체(10) 상에 설치되거나 상기 제1 전극(31) 또는 제2 전극(32) 상에 설치될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
도 17은 실시예에 따른 발광 소자를 사용한 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 17의 백라이트 유닛은 라이트 유닛의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 17을 참조하면, 상기 백라이트 유닛은 바텀 커버(1400)와, 상기 바텀 커버(1400) 내에 배치된 광가이드 부재(1100)과, 상기 광가이드 부재(1100)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1000)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1100) 아래에는 반사시트(1300)가 배치될 수 있다.
상기 바텀 커버(1400)는 상기 광가이드 부재(1100), 상기 발광 모듈(1000) 및 상기 반사시트(1300)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 모듈(1000)은 기판과, 상기 기판에 탑재된 복수개의 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 광가이드 부재(1100)에 빛을 제공할 수 있다.
도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1000)은 상기 바텀 커버(1400)의 내측면 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1100)의 적어도 일 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.
다만, 상기 발광 모듈(1000)는 상기 바텀 커버(1400)의 밑면에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1100)을 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 광가이드 부재(1100)는 상기 바텀 커버(1400) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1100)은 상기 발광 모듈(1000)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다.
상기 발광 모듈(1000)이 상기 광가이드 부재(1100)의 측면에 배치되는 경우, 상기 광가이드 부재(1100)은 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다.
상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다.
상기 발광 모듈(1000)이 상기 광가이드 부재(1100)의 하면에 배치되는 경우, 상기 광가이드 부재(1100)는 상기 도광판 또는 광학시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 광학 시트는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트 또는 휘도상승시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트는 상기 확산 시트, 집광 시트 및 휘도상승시트가 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트는 상기 발광 모듈(1000)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film) 일 수 있다.
상기 광가이드 부재(1100) 아래에는 상기 반사시트(1300)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1300)는 상기 광가이드 부재(1100)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1100)의 출사면을 향해 반사할 수 있다.
상기 반사시트(1300)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 18은 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 사용한 조명 유니트의 사시도(1100)이다. 다만, 도 18의 조명 유니트는 라이트 유닛의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 18을 참조하면, 상기 조명 유니트(1100)는 케이스몸체(1110)와, 상기 케이스몸체(1110)에 설치된 발광모듈부(1130)과, 상기 케이스몸체(1110)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1120)를 포함할 수 있다.
상기 케이스몸체(1110)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 발광모듈부(1130)은 기판(1132)과, 상기 기판(1132)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.
상기 기판(1132)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판(1132)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.
상기 기판(1132) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈부(1130)는 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.
상기 연결 단자(1120)는 상기 발광모듈부(1130)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 8에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1120)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1120)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110 : 발광구조물 112 : 제2 도전형 반도체층
114 : 활성층 116 : 제1 도전형 반도체층
120 : 제2 전극층 125 : 보호층
130 : 절연층 140 : 제1 전극층
142 : 복수의 돌기 구조 150 : 전도성 지지부재

Claims (17)

  1. 상면에 복수의 돌기 구조를 포함하는 제1 전극층;
    상기 복수의 돌기 구조의 일부 영역이 노출되도록 상기 제1 전극층 상에 형성된 절연층;
    상기 절연층 상에 형성된 제2 전극층;
    상기 제2 전극층 상에 상기 제2 전극층의 상면이 일부 노출되도록 형성된 제1 도전형 반도체층;
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성되며, 상기 제1 전극층의 노출된 상기 복수의 돌기 구조의 영역과 전기적으로 연결되는 제2 도전형 반도체층;
    노출된 상기 제2 전극층 상면에 형성된 전극패드; 및
    상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 전극층 사이에 보호층을 포함하는 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 보호층은 5μm 내지 30μm의 너비를 갖는 발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 보호층의 측면은 상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 전극층 사이로 노출되는 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 보호층은 산화물, 질화물 또는 불화물 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 돌기 구조는 원기둥, 다각기둥, 원뿔대 또는 다각뿔대 중 적어도 하나의 형상을 갖는 발광 소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 돌기 구조는 측면이 경사진 발광 소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 돌기 구조는 상부 영역이 상기 제2 도전형 반도체층과 오믹 접촉을 형성하는 발광 소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 돌기 구조의 측면에 반사층을 포함하는 발광 소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    노출된 상기 제2 전극층의 영역의 두께는, 상기 제2 전극층의 다른 영역의 두께보다 얇은 발광 소자.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 도전형 반도체층의 상면에 광 추출 패턴을 포함하는 발광 소자.
  11. 제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층을 순차적으로 성장하여 발광구조물을 형성하는 단계;
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 보호층을 선택적으로 형성하는 단계;
    상기 제1 도전형 반도체층 및 상기 보호층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제2 전극층 및 상기 발광구조물을 선택적으로 제거하여 복수의 홈을 형성하며, 이때 상기 복수의 홈은 상기 제2 도전형 반도체층이 노출되도록 형성되는 단계;
    상기 복수의 홈의 측면 및 상기 제2 전극층 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 복수의 홈 및 상기 절연층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광구조물의 영역 중 상기 보호층에 대응하는 영역을, 상기 보호층이 노출되도록 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 발광구조물은 ICP 공정에 의해 선택적으로 제거되는 발광 소자 제조방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 발광구조물을 선택적으로 제거하여 노출된 상기 보호층을 선택적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 발광 소자 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 보호층을 선택적으로 제거한 이후, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 전극층 사이에 상기 보호층이 잔존하는 발광 소자 제조방법.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 발광구조물은 기판 상에 형성되며,
    상기 기판은 상기 제1 전극층을 형성한 이후에 제거되는 발광 소자 제조방법.
  16. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 전극층을 형성한 이후에,
    상기 제1 전극층 상에 전도성 지지부재를 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  17. 몸체;
    상기 몸체에 설치된 제1 전극 및 제2 전극; 및
    상기 몸체에 설치되며 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전기적으로 연결되는 발광 소자를 포함하며,
    상기 발광 소자는,
    상면에 복수의 돌기 구조를 포함하는 제1 전극층과,
    상기 복수의 돌기 구조의 일부 영역이 노출되도록 상기 제1 전극층 상에 형성된 절연층과,
    상기 절연층 상에 형성된 제2 전극층과,
    상기 제2 전극층 상에 상기 제2 전극층의 상면이 일부 노출되도록 형성된 제1 도전형 반도체층과,
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 활성층과,
    상기 활성층 상에 형성되며, 상기 제1 전극층의 노출된 상기 복수의 돌기 구조의 영역과 전기적으로 연결되는 제2 도전형 반도체층과,
    노출된 상기 제2 전극층 상면에 형성된 전극패드과,
    상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 전극층 사이에 보호층을 포함하는 발광 소자 패키지.
KR1020100049107A 2010-05-26 2010-05-26 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 KR20110129620A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100049107A KR20110129620A (ko) 2010-05-26 2010-05-26 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100049107A KR20110129620A (ko) 2010-05-26 2010-05-26 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110129620A true KR20110129620A (ko) 2011-12-02

Family

ID=45498711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100049107A KR20110129620A (ko) 2010-05-26 2010-05-26 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110129620A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101375681B1 (ko) * 2013-06-26 2014-03-19 경북대학교 산학협력단 반도체 소자 및 그의 제조방법
KR101414651B1 (ko) * 2012-05-14 2014-08-06 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 발광 소자
US9300111B2 (en) 2013-02-01 2016-03-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR20170073925A (ko) * 2015-12-21 2017-06-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
WO2022034932A1 (ko) * 2020-08-10 2022-02-17 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조용 기판 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101414651B1 (ko) * 2012-05-14 2014-08-06 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 발광 소자
US9300111B2 (en) 2013-02-01 2016-03-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101375681B1 (ko) * 2013-06-26 2014-03-19 경북대학교 산학협력단 반도체 소자 및 그의 제조방법
KR20170073925A (ko) * 2015-12-21 2017-06-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
WO2022034932A1 (ko) * 2020-08-10 2022-02-17 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조용 기판 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101114191B1 (ko) 발광소자
KR101028277B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101154709B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
US20110204397A1 (en) Light emitting device, light emitting device package, method of manufacturing light emitting device, and lighting system
KR102175345B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
EP2445019A2 (en) Electrode configuration for a light emitting diode
KR101795053B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지, 라이트 유닛
KR101034144B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR101064064B1 (ko) 발광 소자
KR20110129620A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101734550B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20120039412A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR20120014972A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템
KR102200000B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR20110138755A (ko) 발광 소자
KR20110118333A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템
KR20120019750A (ko) 발광 소자
KR101776302B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101154795B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR102445539B1 (ko) 발광소자 및 조명장치
KR20120057670A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR20120042516A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR101734544B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20120022091A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR101683906B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application