KR20140094939A - 저굴절층 코팅용 조성물 및 이의 제조방법 - Google Patents

저굴절층 코팅용 조성물 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

실록산 화합물을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물 및 이를 포함하여 형성된 저굴절필름을 제공한다.
또한, 알콕시 실란 화합물 및 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 아크릴기, 글리시딜기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 치환된 기능성 실란 화합물을 혼합하여 실록산 화합물을 형성하는 단계; 상기 형성된 실록산 화합물을 졸-겔 반응시켜 망상구조의 고분자 실록산 화합물을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 고분자 실록산 화합물을 숙성시키는 단계를 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물 제조방법을 제공한다.

Description

저굴절층 코팅용 조성물 및 이의 제조방법{COATING COMPOSITION FOR LOW REFRACTIVE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
저굴절용 코팅용 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
터치 패널에는, 위치 검출의 방법에 따라 광학 방식, 초음파 방식, 정전 용량 방식, 저항막 방식 등이 있다. 저항막 방식의 터치 패널은, 투명 도전성 필름과 투명 도전체층이 부착된 유리가 스페이서를 개재하여 대향배치되어 있고, 투명 도전성 필름에 전류를 흘려 투명 도전체층이 부착된 유리에서의 전압을 계측하는 구조로 되어 있다. 한편, 정전 용량 방식의 터치 패널은, 기재 상에 투명 도전층을
갖는 것을 기본적 구성으로 하고, 가동 부분이 없는 것이 특징이며, 고내구성, 고투과율을 갖기 때문에, 차재 용도 등에 있어서 적용되고 있다.
상기 터치 패널에 적용되는 정전용량 방식의 투명 도전성 필름은 도전층 이외에 고굴절층 또는 저굴절층 등의 언더코팅층을 포함할 수 있고, 언더코팅층에 따라 터치패널스크린용 디스플레이의 투과광에 대한 간섭현상을 낮출 수 있고, 도전성을 높게 할 수 있다. 이에 언더코팅층 및 언더코팅층 형성용 조성물에 대한 연구가 계속되고 있다.
본 발명의 일 구현예는 실록산 화합물을 포함함으로써 산 처리시 물성이 변하지 않는 저굴절층 코팅용 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 구현예는 상기 저굴절층 코팅용 조성물의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 구현예는 상기 저굴절층 코팅용 조성물로 형성된 저굴절필름을 제공한다.
본 발명의 일 구현예에서, 실록산 화합물을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물 및 이를 포함하여 형성된 저굴절필름을 제공한다.
상기 실록산 화합물은 알콕시 실란 화합물; 및 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 아크릴기, 글리시딜기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 치환된 기능성 실란 화합물; 의 혼합으로 형성될 수 있다.
상기 알콕시 실란 화합물/기능성 실란 화합물의 몰비율이 약 1 내지 약 50일 수 있다.
상기 실록산 화합물이 졸겔반응하여 형성된 망상구조의 고분자 실록산 화합물을 포함할 수 있다.
상기 고분자 실록산 화합물의 분자량이 약 2000 내지 약 50,000일 수 있다.
상기 고분자 실록산 화합물은 총 100%에 대하여 약 0.1중량% 내지 약 100중량%를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에서, 알콕시 실란 화합물 및 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 아크릴기, 글리시딜기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 치환된 기능성 실란 화합물을 혼합하여 실록산 화합물을 형성하는 단계; 상기 형성된 실록산 화합물을 졸-겔 반응시켜 망상구조의 고분자 실록산 화합물을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 고분자 실록산 화합물을 숙성시키는 단계를 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물 제조방법을 제공한다.
상기 고분자 실록산 화합물을 형성하는 단계에서 상기 반응은 약 20°C 내지 약 60℃의 온도에서 수행될 수 있다.
상기 고분자 실록산 화합물을 형성하는 단계에서 상기 반응은 약 3시간 내지 약 72시간의 시간동안 수행될 수 있다.
본 발명의 또다른 구현예에서, 상기 저굴절층 코팅용 조성물을 포함하는 저굴절필름을 제공한다.
상기 저굴절필름의 두께는 약 15nm 내지 약 100nm일 수 있다.
상기 저굴절필름의 굴절율은 약 1.35 내지 약 1.55일 수 있다.
상기 저굴절 코팅층 조성물은 산에 대한 불안정성을 극복한 것으로, 추후 적용된 투명 도전성 필름의 패턴 형성 전후에 균일한 광특성을 유지할 수 있다.
상기 저굴절층 코팅용 조성물 제조방법을 사용함으로써, 시간과 비용 대비시 보다 경제적인 저굴절 코팅층 조성물을 제공할 수 있다.
상기 저굴절필름은 균일한 계면을 형성함으로써, 상기 저굴절필름 상부에 일정한 결정성을 갖는 ITO층을 형성할 수 있고, 낮은 저항값을 갖는 투명 도전성 필름을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1 내지 3에 따른 저굴절필름의 에칭 전, 후의 투과율 변화를 그래프로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1 내지 3에 따른 저굴절필름의 에칭전, 후의 반사율 변화를 그래프로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1, 실시예 4 내지 10에 따른 저굴절 필름의 에칭 전, 후의 투과율 변화를 그래프로 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1, 실시예 4 내지 10에 따른 저굴절 필름의 에칭 전, 후의 반사율 변화를 그래프로 나타낸 것이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
저굴절층 코팅용 조성물 및 이의 제조방법
본 발명의 일 구현예에서, 실록산 화합물을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물을 제공한다.
통상적으로 터치스크린 패널용 디스플레이의 투과도를 높이기 위해 굴절률이 조절된 고굴절층 및 저굴절층이 사용되어왔다. 그러나, 우수한 시인성을 갖는 터치스크린 패널용 디스플레이를 얻기 위해서 투과광에 대한 간섭현상을 억제하고 높은 도전성을 갖는 투명 도전성 필름의 필요성이 대두 되고 있다. 또한, 저굴절층은 도전층과 맞닿아 있는 층으로 저굴절층 표면의 형태와 저굴절층과 도전층의 계면의 상태에 따라 전도성에 큰 영향을 주기 때문에, 저굴절층의 확보가 중요한 요인으로 파악되었는바, 상기 저굴절층 코팅용 조성물에 대한 연구가 계속되어 왔다.
이에, 상기 저굴절층 코팅용 조성물은 실록산 화합물을 포함함으로써, 도전층의 패턴 형성후 도전성 및 투과광에 대한 간섭현상의 변화 및 물성 변화가 크지 않을 수 있다. 또한, 도전층의 패턴을 형성하기 위한 산처리에 물성이 변화지 않고, 투명 도전성 필름의 낮은 저항을 확보하기 위해 도전층과 유용한 계면을 형성할 수 있다.
상기 실록산 화합물은 화학식 1을 포함할 수 있다. [화학식1]은 (R1)n-Si-(O-R2)4-n이며, 상기 R1은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 에폭시기 또는 아크릴기, 상기 R2는 탄소수 1 내지 6을 갖는 알킬기 또는 아세톡시기이고, 상기 n은 0<n<4의 정수이다.
상기 화학식 1은 테트라에톡시실란(Si(OC2H5)4), 테트라메톡시실란(Si(OCH3)4), 트리에톡시(에틸)실란(C2H5Si(OC2H5)3), 트리메톡시(메틸)실란(CH3Si(OCH3)3), 트리아세톡시(메틸)실란(CH3CO2)3SiCH3), 트리아세톡시(비닐)실란(CH3CO2)3SiCH=CH2), 트리스(2-메톡시에톡시)(비닐)실란(CH3OCH2CH2O)3SiCH=CH2), 트리메톡시(옥틸) 실란(CH3(CH2)7Si(OC2H5)3), 트리메톡시[2-(7-옥사비시클로[4.1.0]헵(hept)-3-일)에틸]실란(C11H22O4Si), 트리메톡시(프로필)실란(CH3CH2CH2Si(OCH3)3), 트리메톡시(옥실)실란(CH3(CH2)7Si(OCH3)3), 트리메톡시(옥타데실)실란 (CH3(CH2)17Si(OCH3)3), 이소부틸(트리메톡시)실란(CH3)2CHCH2Si(OCH3)3, 트리에톡시(이소부틸)실란((CH3)2CHCH2Si(OC2H5)3), 트리메톡시(7-옥텐-1-일)실란 (H2C=CH(CH2)6Si(OCH3)3), 트리메톡시(2-페닐에틸)실란(C6H5CH2CH2Si(OCH3)3), 디메톡시-메틸(3,3,3-트리플로오로프로필)실란(C6H13F3O2Si), 디메톡시(디메틸)실란 (C2H6Si(OC2H6)2), 트리에톡시(1-페닐에테닐)실란((C2H5O)3SiC(CH2)C6H5), 트리에톡시[4-(트리플루오로메틸)페닐]실란(CF3C6H4Si(OC2H5)2), 트리에톡시(4-메톡시페닐)실란((C2H5O)3SiC6H4OCH3), 3-(트리메톡시실일)프로필 메타아크릴레이트(H2C=C(CH3)CO2(CH2)3Si(OCH3)3), (3-글라이시독시) 메틸디에톡시실란(C11H24O4Si), 3-(트리에톡시실일)프로필이소시아네이트 (C2H5O)3Si(CH2)3NCO), 이소부틸트리에톡시실란(CH3)2CHCH2Si(OC2H5)3) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 일 수 있다.
구체적으로, 상기 실록산 화합물은 알콕시 실란 화합물; 및 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 아크릴기, 글리시딜기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 치환된 기능성 실란 화합물;의 혼합으로 형성될 수 있다. 실란 화합물은 SinH2n +2(n은 1이상의 정수)의 화학식을 포함하는 화합물을 일컫는바, 상기 알콕시 실란 화합물은 상기 화학식의 수소원자 중 어느 하나가 알콕시기로 치환된 실란 화합물을 의미하며, 상기 기능성 실란 화합물은 상기 화학식의 수소원자 중 어느 하나가 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 아크릴기, 글리시딜기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 치환되고, 상기 치환된 부분을 제외한 나머지는 알콕시 실란으로 치환된 화합물을 의미한다.
구체적으로, 상기 알콕시 실란 화합물/기능성 실란 화합물의 몰비율이 1 내지 50일 수 있다. 상기 몰비율(molar ratio)은 기능성 실란 화합물 몰수 대비 알콕시 실란 화합물의 몰수를 의미하는바, 구체적으로 상기 기능성 실란 화합물 1몰에 대해서 상기 알콕시 실란 화합물을 약 1몰 내지 약 50몰을 포함할 수 있다.
상기 실록산 화합물을 형성하기 위하여 상기 알콕시 실란 화합물 및 기능성 실란 화합물의 몰비율을 조절할 수 있고, 이로 인해 형성된 실록산 화합물을 저굴절층 코팅용 조성물에 포함시킴으로써 일정한 굴절율을 나타내는 저굴절필름을 형성할 수 있다. 또한, 상기 몰비율을 유지함으로써 에칭 안정성의 효과를 용이하게 나타낼 수 있다.
상기 저굴절층 코팅용 조성물은 상기 실록산 화합물이 졸겔반응하여 형성된 망상구조의 고분자 실록산 화합물을 포함할 수 있다. 망상구조는 어떤 특정한 다각형이 이어진 평면 그물 모양의 구조 또는 특정한 다면체의 정점, 모서리, 면 등을 공유하여 3차원 골격구조를 의미하는바, 상기 망상구조의 고분자 실록산 화합물은 -Si-O-Si-의 실록산 결합을 골격으로 하고, 예를 들어, 하기 [화학식 2]로 나타낼 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00001

구체적으로, 상기 고분자 실록산 화합물의 분자량은 약 2,000 내지 약 50,000일 수 있다. 상기 분자량은 중량평균 분자량으로, 분자량 분포가 있는 고분자 화합물의 분자량을 중량 분율로 평균하여 얻어지는 평균 분자량을 일컫는다. 상기 고분자 실록산 화합물은 [화학식 1]을 포함하는 실록산 화합물의 졸겔반응에 의해 형성되는 것으로, 상기 고분자 실록산 화합물이 상기 분자량의 범위를 유지함으로써 저굴절층 코팅용 조성물 코팅시 우수한 코팅성을 가지며, 경화시 상기 조성물의 경화 밀도 증대의 효과를 용이하게 구현할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 고분자 실록산 화합물은 저굴절층 코팅용 조성물 총 100중량%에 대하여 약 0.1중량% 내지 약 100중량%를 포함할 수 있다. 상기 고분자 실록산 화합물을 총 100중량%에 대하여 상기 범위로 포함함으로써 저굴절용 코팅용 조성물로 형성되는 저굴절필름의 굴절률을 낮출 수 있고, 경화시 반응 향상과 내 용제성 및 밀착성이 향상되는 효과를 용이하게 구현할 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에서는 알콕시 실란 화합물; 및 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 아크릴기, 글리시딜기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 치환된 기능성 실란 화합물을 혼합하여 실록산 화합물을 형성하는 단계; 상기 형성된 실록산 화합물을 졸-겔 반응시켜 망상구조의 고분자 실록산 화합물을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 고분자 실록산 화합물을 숙성시키는 단계를 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물 제조방법을 제공한다.
알콕시 실란 화합물 및 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 아크릴기, 글리시딜기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 치환된 기능성 실란 화합물을 혼합하고 가수분해 축합반응을 통해 실록산 화합물을 형성할 수 있다.
상기 형성된 실록산 화합물을 졸-겔 반응시켜 망상구조의 고분자 실록산 화합물을 형성할 수 있다. 상기 고분자 실록산 화합물은 공지의 방법에 의하여 형성될 수 있고, 제조방법에 한정이 있는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 고분자 실록산 화합물은 상기 실록산 화합물의 졸-겔 반응으로 형성될 수 있다. 졸-겔 반응은 가수분해 또는 탈수축합에 의해서 얻어진 수십, 수백nm의 콜로이드 입자가 액체중에 분산된 졸의 화염가수분해에서 얻어진 실리카 미립자 등을 액체에 분산시킨 졸에서 콜로이드 입자의 응집, 응결에 의해 졸의 유동성이 손실되어 다공체의 겔을 형성하는 반응을 일컫는다.
상기 실록산 화합물의 졸-겔 반응으로 고분자 실론산 화합물이 형성될 수 있고, 예를 들어, 상기 화학식1을 포함하는 실록산 화합물을 물 및 에탄올과 혼합하여 반응시켜 실리카 졸을 합성하고, 합성된 졸을 액체상의 망상 조직으로 변환시켜 무기질 망상 조직의 고분자 실록산 화합물을 제조할 수 있다.
상기 고분자 실록산 화합물을 형성하는 단계에서 상기 반응은 약 20℃ 내지 약 60℃의 온도에서 수행될 수 있다. 상기 범위의 온도에서 반응함으로써 미반응 물질의 발생을 감소시킬 수 있고 가수분해 및 축합반응을 용이하게 구현할 수 있다.
상기 고분자 실록산 화합물을 형성하는 단계에서 상기 반응은 약 3시간 내지 약 72시간의 시간동안 수행될 수 있다. 상기 범위의 시간 내에 반응이 수행됨으로써 가수분해 및 축합반응을 통해 목표하고자 하는 분자량을 가진 고분자 실록산 화합물을 합성할 수 있다라는 점에서 유리하다.
상기 저굴절층 코팅용 조성물 제조방법은 상기 반응에 의해 형성된 고분자 실록산 화합물을 숙성시키는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 실록산 화합물을 약 40℃에서 약 0시간 내지 약 24시간 숙성시킴으로써, O-Si-O 결합 구조를 가질 수 있다.
저굴절필름
본 발명의 또다른 구현예에서, 실록산 화합물을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물을 포함하는 저굴절필름을 제공한다.
실록산 화합물은 상기 전술한 바와 같으며, 상기 저굴절 필름의 두께는 약 15nm 내지 약 100nm일 수 있다. 상기 저굴절 필름의 두께가 상기 범위를 유지함으로써 투과율 및 패턴 시인성이 개선될 수 있고, 추후 저굴절 필름이 투명 도전성 필름의 구성이 되는 경우, 상기 저굴절 필름 하부에 형성될 고굴절 필름 등과의 적절한 응력이 유지되어 밀착성이 확보되고 크랙 및 컬 발생이 저하될 수 있다.
상기 저굴절 필름의 굴절율은 약 1.35 내지 약 1.55일 수 있다. 상기 저굴절필름 형성에 실록산 화합물을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물을 이용한 결과 굴절률이 약 1.35 내지 약 1.55로 조절가능하며, 상기 저굴절필름이 사용될 투명 전도성 필름의 전체적인 시인성 및 투과율이 향상될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
< 실시예 >
실시예 1
트리메톡시(메틸)실란 1몰에 대해서 테트라-에톡시오르소실리케이트(TEOS) 50몰을 물, 에탄올과 1:2:2로 혼합하고, 질산 0.1mol용액을 투입하여 24시간 동안 반응시켜 굴절률 1.43을 갖는 망상구조의 고분자 실록산 화합물을 합성하였다. 상기 합성된 고분자 실록산 화합물의 고형분을 측정하고 메틸에틸케톤(MEK)로 희석하여, 전체 고형분 10%의 고분자 실록산 화합물을 제조하였고, 상기 제조된 고분자 실록산 화합물을 메틸에틸케톤(MEK)으로 희석하여 전체 고형분 5%의 저굴절층 코팅용 조성물을 제조하였다.
실시예 2
테트라-에톡시오르소실리케이트(TEOS)를 대체하여 전술한 [화학식 1]의 실록산 화합물을 포함하는 (3-글라이시독시)메틸디에톡시실란(C11H24O4Si)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 저굴절층 코팅용 조성물을 제조하였다.
실시예 3
테트라-에톡시오르소실리케이트(TEOS)를 대체하여 전술한 [화학식 1]의 실록산 화합물을 포함하는 트리메톡시(메틸)실란(CH3Si(OCH3)3)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 저굴절층 코팅용 조성물을 제조하였다.
실시예 4 내지 10
트리메톡시(메틸)실란 1몰에 대하여 테트라-에톡시오르소실리케이트(TEOS) 함유 몰량을 하기 표 2와 같이 한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 저굴절층 코팅용 조성물을 제조하였다.
함유 화합물 함유 화합물 분자량
실시예1 테트라-에톡시오르소실리케이트(TEOS) 10,000
실시예2 (3-글라이시독시) 메틸디에톡시실란(C11H24O4Si) 20,000
실시예3 트리메톡시(메틸)실란(CH3Si(OCH3)3) 30,000
알콕시 실란 화합물 기능성 실란 화합물
테트라-에톡시오르소실리케이트(TEOS) 트리메톡시(메틸)실란
실시예1 50몰 1몰
실시예4 40몰 1몰
실시예5 30몰 1몰
실시예6 20몰 1몰
실시예7 10몰 1몰
실시예8 5몰 1몰
실시예9 2몰 1몰
실시예10 1몰 1몰
< 실험예 > 저굴절층 코팅용 조성물의 에칭 안정성 확인을 위한 에칭안정성 테스트
상기 실시예의 저굴절층 코팅용 조성물을 이용하여 건조막 두께가 20nm가 되도록 도포하고, 150℃ 오븐에서 1분 동안 경화시켜 굴절율이 1.42인 저굴절필름을 형성했다. 이때, 상기 저굴절필름의 물성들을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 3에 기재하였다.
1) 에칭 안정성: 상기 저굴절필름에 패턴화 되어 있는 실크 스크린을 이용하여 hyperEtch 18S T10(Merck)의 에칭페이스트를 도포하고, 130℃에서 6분간 건조한 후, 증류수를 이용하여 도포된 부분을 씻어내고 육안 관찰을 통하여 저굴절필름이 에칭페이스트에 의해 손상되었는지 여부를 평가하였다.
2) 투과율, 반사율: CM-5(Konica minolta사)를 이용해 상기 저굴절필름의 에칭전 및 에칭 후의 투과율 및 반사율을 측정하였고, 에칭 전 및 에칭 후의 투과 변화율, 에칭 전 및 에칭 후의 반사 변화율을 측정하였다.
산에 대한 손상 투과 변화율 (△T%) 반사 변화율 (△R%)
실시예1 X 0.07 -0.32
실시예2 △ -0.32 0.43
실시예3 X 0.01 -0.02
○:손상 심함, △:손상 보통, X:손상 없음
상기 표 3의 측정결과를 통해 실시예 1 내지 3의 저굴절층 코팅용 조성물로 형성된 저굴절필름은 산에 대한 손상이 없으며, 이로 인하여 투과 변화율 및 반사 변화율이 거의 0에 가까움을 확인하였다. 상기 실시예 1 내지 3의 저굴절층 코팅용 조성물은 실록산 화합물을 포함하는바, 이로 인하여 에칭 안정성이 향상될 수 있고, 에칭 전, 후의 투과율 반사율의 차이가 거의 없음을 알 수 있었다.
도 1은 본 발명의 실시예 1 내지 3에 따른 저굴절필름의 에칭 전, 후의 투과율 변화를, 도 2는 실시예 1 내지 3에 따른 저굴절필름의 에칭전, 후의 반사율 변화를 그래프로 나타낸 것으로, 에칭 전 후의 투과율 및 반사율의 차이가 거의 없음을 확인할 수 있다.
또한, 알콕시 실란 화합물 및 기능성 실란 화합물의 몰 비율을 변화시킨 실시예1, 실시예 4 내지 10의 저굴절층 코팅용 조성물로 형성된 저굴절 필름의 에칭 안정성을 확인하였는바, 도 3은 본 발명의 실시예 1, 실시예 4 내지 10에 따른 저굴절 필름의 에칭 전, 후의 투과율 변화를, 도 4는 본 발명의 실시예 1, 실시예 4 내지 10에 따른 저굴절 필름의 에칭 전, 후의 반사율 변화를 그래프로 나타낸 것이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 알콕시 실란 화합물 및 기능성 실란 화합물의 몰 비율은 약 1 내지 약 50을 유지하는바, 상기 몰비율 범위 내에서 형성된 저굴절 필름의 에칭 전 후의 투과율 및 반사율의 차이가 거의 없음을 확인하였다.

Claims (12)

  1. 화학식 1의 실록산 화합물을 포함하는 저굴절층 코팅용 조성물.
    [화학식1]
    (R1)n-Si-(O-R2)4-n
    상기 R1은 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 에폭시기 또는 아크릴기, 상기 R2는 탄소수 1 내지 6을 갖는 알킬기 또는 아세톡시기이고, 상기 n은 0<n<4의 정수이다.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 실록산 화합물은
    알콕시 실란 화합물; 및
    탄소수 1 내지 18의 알킬기, 아크릴기, 글리시딜기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 치환된 기능성 실란 화합물;
    의 혼합으로 형성된 저굴절층 코팅용 조성물.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 알콕시 실란 화합물/기능성 실란 화합물의 몰비율이 1 내지 50인
    저굴절층 코팅용 조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 실록산 화합물이 졸겔반응하여 형성된 망상구조의 고분자 실록산 화합물을 포함하는
    저굴절층 코팅용 조성물.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 고분자 실록산 화합물의 분자량이 2000 내지 50,000인
    저굴절층 코팅용 조성물.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 고분자 실록산 화합물은 총 100%에 대하여 0.1중량% 내지 100중량%를 포함하는
    저굴절층 코팅용 조성물.
  7. 알콕시 실란 화합물 및 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 아크릴기, 글리시딜기 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 치환된 기능성 실란 화합물을 혼합하여 실록산 화합물을 형성하는 단계;
    상기 형성된 실록산 화합물을 졸-겔 반응시켜 망상구조의 고분자 실록산 화합물을 형성하는 단계; 및
    상기 형성된 고분자 실록산 화합물을 숙성시키는 단계를 포함하는
    저굴절층 코팅용 조성물 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 고분자 실록산 화합물을 형성하는 단계에서 상기 반응은 20℃ 내지 60℃의 온도에서 수행되는
    저굴절층 코팅용 조성물 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 고분자 실록산 화합물을 형성하는 단계에서 상기 반응은 3시간 내지 72시간의 시간동안 수행되는
    저굴절층 코팅용 조성물 제조방법.
  10. 제 1항에 기재된 저굴절층 코팅용 조성물을 포함하는 저굴절필름.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 저굴절필름의 두께는 15nm 내지 100nm인 저굴절필름.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 저굴절필름의 굴절율은 1.35 내지 1.55인 저굴절필름.
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