일반적으로 반사방지 코팅 필름에 적용하는 저굴절 코팅 조성물의 경우, 굴절율에 따라 반사율이 결정되기 때문에 반사율 측면에서는 굴절율이 낮으면 낮을수록 보다 더 저반사율의 특성을 보이게 되지만 표면 강도 즉, 내찰상성은 보다 더 약해지게 된다. 따라서, 반사방지 코팅 필름으로서 요구되는 반사율과 표면 강도를 동시에 적절한 수준으로 유지하기 위해서는 저굴절 코팅 조성물의 조성 성분으로 사용되는 화합물의 각각에 대하여 정밀한 화학 구조의 제어를 통하여 화합물의 굴절율과 경화 밀도의 적절한 조절이 필요하고, 또한 각각의 필요 조성 성분간의 혼화성을 동시에 만족할 수 있도록 정밀한 화학 구조의 제어가 필수적이다.
이에 본 발명은 반사율과 표면 강도의 제어를 위하여 정밀한 화학 구조 설계에 의하여 알콕시 실란계 화합물의 원료의 종류와 사용량을 자유롭게 조절하여 화학 구조와 물성을 제어할 수 있는 다양한 알콕시 실란계 중합체 용액을 중합할 수 있다. 이렇게 중합된 다양한 알콕시 실란계 중합체 용액은 저굴절 코팅 조성물의 조액에 사용할 수 있으며 저굴절 코팅 조성물의 상반되는 물성인 굴절율과 표면강도를 다양한 알콕시 실란계 중합체 용액과 다양한 조액을 통하여 정밀하게 조절하여 요구 물성에 도달할 수 있다.
본 발명은 기존의 졸-겔법에 의해 알콕시 실란계 화합물을 축합시켜 열경화하는 방법의 가장 큰 단점인 저온 및 단시간으로 진행되는 실제의 생산 공정에서의 경화 밀도의 부족으로 인한 내찰상성의 취약성을 극복하기 위하여 졸-겔 반응에 의해 제조된 열경화 및 자외선경화가 가능한 알콕시 실란계 중합체 용액을 저굴절 코팅 조성물의 조액에 사용하여 열경화 및 자외선경화를 동시에 수행되어 경화 밀도의 증가를 통한 저굴절 코팅층 즉 반사방지 코팅 필름의 내찰상성을 증가시킬 수 있다. 또한, 불소계 슬립성 증가제를 포함하여 이루어진 것으로, 저굴절 코팅층의 표면장력을 현저히 감소시키는 우수한 슬립 특성이 부여되어 이를 반사방지 코팅 필름에 적용하는 경우 내찰상성의 증가가 가능하다.
본 발명에 따른 저굴절 코팅 조성물을 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
본 발명은 1) 상기 화학식 1, 2, 3으로 표시되는 화합물 중에서 선택된 1종의 단일화합물 또는 2종 이상의 혼합물이며, 상기 화학식 1로 표시되는 불포화 결합관능기를 갖는 알콕시 실란 화합물이 반드시 포함되어 이루어진 알콕시 실란계 화합물 100 중량부, 2) 산 촉매 0.01 ∼ 10 중량부, 3) 물 0.01 ∼ 10 중량부, 및 4) 알코올 용매 25 ∼ 400 중량부를 중합하여 얻어진다.
이때, 상기 알콕시 실란계 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 필수성분으로 함유되고, 상기 화학식 2 및 3 중에서 선택된 화합물 1종 또는 2종 이상의 혼합물이 99 중량% 미만, 바람직하기로는 95 중량% 미만의 함량으로 추가로 포함될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 알콕시 실란계 화합물은 구체적으로 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐부틸렌트리에톡시실란, 비닐트리(베타-메톡시)실란, 비닐트리(베타-에톡시)실란, 아크릴록시프로필트리메톡시실란, 아크릴록시프로필트리에톡시실란, 아크릴록시프로필메틸디메톡시실란, 감마-메타아크릴록시프로필트리메톡시실란, 감마-메타아크릴록시프로필트리에톡시실란, 감마-메타아크릴록시프로필메틸디메톡시실란, 및 감마-메타아크릴록시프로필메틸디이소프로폭시실란 중에서 선택된 1종의 단일화합물 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
또한, 상기 화학식 2의 알콕시 실란계 화합물은 구체적으로 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라-sec-부톡시실란, 테트라-tert-부톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리부톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리이소프록폭시실란, 에틸트리부톡시실란, 부틸트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디부틸디메톡시실란, 트리메틸메톡시실란, 트리메틸에톡시실란, 트리부틸메톡시실란, 트리부틸에톡시실란, 트리플루오로메틸트리메톡시실란, 트리플루오로메틸트리에톡시실란, 트리플루오르프로필트리메톡시실란, 트리플루오르프로필트리에톡시실란, 노나플루오로부틸에틸트리메톡시실란, 노나플루오로부틸에틸트리에톡시실란, 노나플루오로헥실트리메톡시실란, 노나플루오로헥실트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리이소프로필실란, 3-트리메톡시실릴프로필펜타데카플루오로옥타노에이트, 3-트리에톡시실릴프로필펜타데카플루오로옥타노에이트, 3-트리메톡시실릴프로필펜타데카플루오로옥타노익아미드, 3-트리에톡시실릴프로필펜타데카플루오로옥타노익아미드, 2-트리메톡시실릴에틸펜타데카플루오로데실술피드, 2-트리에톡시실릴에틸펜타데카플루오로데실술피드, 펜타플루오로페닐트리메톡시실란, 펜타플루오로페닐트리에톡시실란, 4-(퍼플루오로토릴)트리메톡시실란, 4-(퍼플루오로토릴)트리에톡시실란, 디메톡시비스(펜타플루오로페닐)실란, 디에톡시비스(4-펜타플루오로토릴)실란 중에서 선택된 1종의 단일화합물 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
또한, 상기 화학식 3의 알콕시 실란계 화합물은 구체적으로 비스(트리메톡시실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)메탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,3-비스(트리메톡시실릴)프로판, 1,3-비스(트리에톡시실릴)프로판, 1,4-비스(트리메톡시실릴)부탄, 1,4-비스(트리에톡시실릴)부탄, 1,5-비스(트리메톡시실릴)펜탄, 1,5-비스(트리에톡시실릴)펜탄, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,6-비스(트리에톡시실릴)헥산, 비스-(감마-트리메톡시실릴프로필)아민, 비스-(트리에톡시실릴프로필)디설파이드, 비스-(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드, 1,4-비스(트리메톡시실릴에틸)벤젠, 1,4-비스(트리에톡시실릴에틸)벤젠 및 (CH3O)3Si(CH2)3NHCOCF2O(CF2O)m(CF2CF2O)nCF2CONH(CH2)3Si(OCH3)3(이때, m 및 n은 각각 10 ∼ 12의 정수를 나타낸다) 중에서 선택된 1종의 단일화합물 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 화학식 1, 2 및 3의 알콕시 실란계 화합물은 상기한 예에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 알콕시 실란계 중합체 용액은 당 분야에서 일반적으로 사용되는 중합으로, 가수분해 반응 촉진을 위하여 물 및 산촉매를 사용한다. 또한, 상기 물 및 산촉매는 저굴절 코팅 조성물의 박막 코팅시의 가수분해 반응 촉진에 의한 열경화 반응의 촉진 성분으로서도 작용한다. 상기 산촉매는 당 분야에서 일반적으로 사용되는 것으로 특별히 한정하기는 않으나, 술폰산류, 바람직하게는 파라톨루엔술폰산 또는 벤젠술폰산 등을 사용할 수 있다.
이러한 물은 화학식 1, 2, 3으로 표시되는 알콕시 실란계 화합물 100 중량부에 대하여 0.01 ∼ 10 중량부, 바람직하게는 0.1 ∼ 5 중량부 범위로 사용하는 바, 상기 사용량이 0.01 중량부 미만이면 가수분해 반응 촉진의 효과가 미미하고 10 중량부를 초과하는 경우에는 중합 반응 도중에 중합 용액의 겔화(Gelation)가 유발되는 문제와 중합 용액의 보관 안정성이 떨어지는 문제가 발생한다.
산촉매는 화학식 1, 2, 3으로 표시되는 알콕시 실란계 화합물 100 중량부에 대하여 0.01 ∼ 10 중량부, 바람직하게는 0.1 ∼ 5 중량부 범위로 사용하는 바, 사용량이 0.01 중량부 미만이면 가수분해 반응 촉진의 효과가 미미하고 10 중량부를 초과하는 경우에는 중합 반응 도중에 중합 용액의 겔화(Gelation)가 유발되는 문제와 중합 용액의 보관 안정성이 떨어지는 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.
상기 중합에 사용된 용매는 함불소 알콕시 실란계 화합물을 제외한 알콕시 실란계 화합물들을 사용하여 중합한 경우에는 알코올계 용매를 사용할 수 있다. 알코올계 용매는 당 분야에서 일반적으로 사용되는 것으로 특별히 한정하지는 않으나, 바람직하게는 중합 반응물인 다양한 알콕시 실란계 화합물들의 우수한 용해성과 중합 반응물들의 휘발에 따른 농도 변화가 없는 평형 상태의 조건 및 중합된 화합물을 조액한 후 코팅 공정시 우수한 코팅 특성 및 잔존 용매에 따른 내구성 저하 등의 여러 특성의 저하를 최소화하기 위하여 알콕시 알코올계 용매를 사용하는 것이 좋다. 이때, 알콜시 알콜계 용매는 중합 온도 보다 비점이 20 ∼ 70 ℃ 범위로 높은 알콕시 알코올계 용매를 사용하는 것이 보다 바람직한 바, 구체적으로 1-메톡시-2-프로판올, 2-메톡시에탄올 및 2-에톡시에탄올 등을 사용할 수 있다.
특별히, 함불소 알콕시 실란계 화합물을 포함한 알콕시 실란계 화합물을 중합한 경우에는 알코올계 용매에 함불소 알코올계 용매를 및 로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 용매를 사용할 수 있다. 상기 함불소 알코올계 용매는 당 분야에서 일반적으로 사용되는 것으로 특별히 한정하지는 않으나, 구체적으로 사용된 함불소계 용매로는 HCF2(CF2)n(CH2)mOH(n 및 m은 0 ∼ 6의 정수), CF3(CF2)n(CH2)mOH(n 및 m은 0 ∼ 6의 정수), CF3(CF2)nO(CH2)mCH3(n 및 m은 0 ∼ 6의 정수), CF3(CF2)nCF(CF3)O(CH2)mCH3(n 및 m은 0 ∼ 6의 정수)등의 형태의 용매를 사용할 수 있다. 바람직하게는 중합 반응물인 다양한 알콕시 실란계 화합물들의 우수한 용해성을 위하여 함불소 알코올계 용매 형태인 HCF2(CF2)n(CH2)mOH(n 및 m은 0 ∼ 6의 정수), CF3(CF2)n(CH2)mOH(n 및 m은 0 ∼ 6의 정수) 등이 있으며 보다 바람직하게는 중합 반응물들의 휘발에 따른 농도 변화가 없는 평형 상태의 조건 및 중합된 화합물을 조액한 후 코팅 공정 시 우수한 코팅 특성 및 잔존 용매에 따른 내구성 저하 등의 여러 특성의 저하를 최소화하기 위하여 함불소 알코올계 용매이면서 중합 온도 보다 비점이 20 ∼ 70 ℃ 범위 높은 함불소 알코올계 용매를 사용할 수 있다. 구체적으로 3,3,3-트리플루오로프로판-1-올, 4,4,4-트리플루오로부탄-1-올, 3,3,4,4,4-펜타플루오로부탄-1-올, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부탄-1-올, 3,3,4,4,5,5,5-헵타플루오로펜탄-1-올, 1H,1H-퍼플루오로펜탄-1-올, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥산-1-올, 1H,1H-퍼플루오로헥산-1-올, 2,2-디플루오로에탄올, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 1H,1H,5H-옥타플루오로펜탄-1-올 등을 사용할 수 있다.
이러한 중합에 사용된 용매는 화학식 1, 2, 3로 표시되는 알콕시 실란계 화합물에 대하여 25 ∼ 400 중량부, 바람직하기로는 50 ∼ 200 중량부 범위로 사용하는 바, 상기 사용량이 25 중량부 미만이면 중합 반응 도중에 중합 용액의 겔화(Gelation)가 유발되는 문제와 중합 용액의 보관 안정성이 떨어지는 문제를 유발하고 400 중량부를 초과하는 경우에는 가수 반응의 반응성이 떨어지는 문제가 있으므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.
이와 같은 성분과 함량으로 알콕시 실란계 중합체 용액을 제조가 가능하다. 상기 알콕시 실란계 중합체 용액은 화학식 1, 2 및 3의 종류 및 함량의 조합에 따라 다양한 물성을 나타내는 바, 본 발명은 상기 화학식 1, 2 및 3을 조합하여 각각 고경도와 저굴절을 갖는 알콕시 실란계 중합체 용액을 제조하고 이를 혼합하여 사용할 수 있다. 이때, 고경도의 알콕시 실란계 중합체의 경우는 경화 밀도가 높은 알콕시 실란계 화합물 즉, 열경화 및 자외선 경화를 동시에 수행할 수 있는 불포화 결합관능기를 갖는 알콕시 실란계 화합물의 중합 조성비를 가능한 높게 제어하여 중합한 경우에 해당된다. 이 경우에는, 고경도이면서 최대한 굴절율을 낮추기 위하여 비교적 굴절율이 낮으면서 경화 밀도가 높은 열경화만 가능한 알콕시 실란계 화합물 또는 비교적 굴절율이 낮으면서 경도가 높은 함불소계 방향족 형태의 알콕시 실란계 화합물을 중합 조성비에 포함하여 제조하는 방법을 사용한다.
저굴절의 알콕시 실란계 중합체의 경우는, 굴절율이 낮은 알콕시 실란 화합물 즉, 비스 타입의 비교적 분자량이 큰 함불소 알콕시 실란계 화합물 또는 함불소 알콕시 실란계 화합물의 중합 조성비를 가능한 높게 제어하여 중합한 경우에 해당된다. 이 경우에는 저굴절이면서 최대한 경도를 높이기 위하여 경화 밀도가 높은 열경화 및 자외선 경화를 동시에 수행할 수 있는 불포화 결합관능기를 갖는 알콕시 실란계 화합물 또는 비교적 굴절율이 낮으면서 경화 밀도가 높은 열경화만 가능한 알콕시 실란계 화합물을 중합 조성비에 포함하여 제조하는 방법을 사용한다.
또한, 본 발명은 상기 알콕시 실란계 중합체 용액 또는 이들 용액의 혼합액 100 중량부, 불소계 슬립성 증가제 0.01 ∼ 2.0 중량부, 광개시제 0.1 ∼ 10.0 중량부, 및 알콕시 알콜계 용매 1300 ∼ 5500 중량부를 함유하여 저굴절 코팅 조성물을 제조한다.
상기의 알콕시 실란계 중합체 또는 이들의 혼합 중합체의 굴절율은 1.45 이하, 바람직하기로는 1.37 내지 1.44 범위를 나타낸다.
이때, 상기 불소계 슬립성 증가제는 하기 화학식 4, 5, 6 및 7로 표시되는 화합물 중에서 선택된 1종의 단일 화합물 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다. 상기 각각의 화학식 4, 5, 6 및 7로 표시되는 화합물은 수평균분자량이 300 ∼ 10,000 범위를 유지하는 것이 바람직한 바, 상기 수평균분자량이 300 미만이면 연속 코팅 공정의 용매 건조 및 열경화 시 휘발에 따른 충분한 슬립성의 증가가 부족하며, 수평균분자량이 10,000을 초과하는 경우에는 용제에 대한 용해성이 저하되어 불균일한 흐린 용액 상태가 되어 불균일한 코팅층이 형성되는 문제가 있다.
F(CF2)n(CF2CF2)mOH
HOCH2CH2(CF2OCF2)n(CFCF3OCF2)mCH2CH2OH
CF3(CF2OCF2)n(CFCF3OCF2)mCF2CH2CH2CONH(CH2CH2)pCH3
CF3(CF2OCF2)n(CFCF3OCF2)mCF3
상기 화학식 4, 5, 6 및 7에 있어서, 상기 n, m 및 p는 특정의 정수로 한정되는 것이 아니라, 수평균분자량이 300 ∼ 10,000 범위를 유지하는 범위내에서 조절이 가능하다.
이러한 새로운 형태의 불소계 슬립성 증가제는 구체적으로 흥인화학사의 SD-10(수평균분자량: 800 ∼ 1000), SD-15(수평균분자량: 1400 ∼ 1500), SD-20(수평균분자량: 1900 ∼ 2100), 다이킨사의 SM-36(수평균분자량: 364 ∼ 378), 흥인화학사의 SYO-2(수평균분자량: 740 ∼ 860), 솔베이솔렉시스사의 SYO-600(수평균분자량: 4000 ∼ 10000) 등을 사용할 수 있다.
통상적으로 코팅막의 표면장력(에너지)이 낮으면 낮을수록 표면의 슬립성이 증가하여 표면 강도가 높아지는 효과를 가질 수 있다. 따라서 코팅막의 표면장력을 낮추어 표면 강도를 향상시킬 수 있는 적절한 첨가제의 사용이 필요하다.
본 발명에서 제시한 함불소 알콕시 실란계 조성물을 사용하는 저굴절액 코팅 조성물의 경우, 일반적으로 사용하는 폴리(디메틸)실록산계 슬립성 증가제의 표면장력이 본 발명의 저굴절 코팅 조성물의 표면장력 보다 높기 때문에 슬립성 증가제로서의 기능을 상실하게 된다. 따라서, 본 발명은 불소의 함량이 매우 높아서 함불소 알콕시 실란계 조성물을 사용하는 저굴절 코팅 조성물의 표면장력 보다 표면장력이 현저히 낮은 새로운 형태의 불소계 슬립성 증가제를 이용하여 저굴절액의 표면장력을 더욱 더 낮추어 반사방지막의 표면에 우수한 슬립성을 부여하여 이를 적용한 반사방지 코팅 필름의 내찰상성을 증가시킬 수 있는 효과를 부여하였으며, 더불어 불소원자에 의한 방오 특성의 향상도 가질 수 있었다.
이러한 새로운 형태의 불소계 슬립성 증가제는 알콕시 실란계 중합체 용액 100 중량부에 대하여 0.01 ∼ 2.0 중량부 범위로 사용하는 바, 상기 사용량이 0.01 중량부 미만이면 슬립성 증가의 효과가 미미하고 2.0 중량부를 초과하는 경우에는 슬립성 증가에 의한 효과보다 오히려 불소계 슬립성 증가제의 사용에 따른 경화 밀도의 감소로 인한 내찰상성이 저하되는 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 좋다.
다음으로 본 발명의 저굴절 코팅 조성물에 사용되는 광개시제는 당 분야에서 일반적으로 사용되는 프리라디칼 광개시제인 것으로 특별히 한정하지는 않으나, 저굴절 코팅 조성물의 경우 코팅층의 두께가 100 nm 정도로 매우 얇기 때문에 표면경화에 유리한 최고 흡수 파장이 280 nm 이하의 단파장 흡수 타입의 광개시제를 사용한다. 상기 광개시제는 구체적으로 시바 스케셜티 케미칼사의 Irgcure 184, Darocu 1173, Irgacure 754, Irgacure 2959 및 Irgacure 127 등을 사용할 수 있다.
이러한 광개시제는 알콕시 실란계 중합체 용액 100 중량부에 대하여 0.1 ∼ 10.0 중량부 범위로 사용하는 바, 상기 사용량이 0.1 중량부 미만이면 자외선 경화에 필요한 광개시제의 량이 부족하여 자외선 경화 효율이 떨어져서 경화 밀도의 감소로 인하여 내찰상성이 저하되고 10.0 중량부를 초과하는 경우에는 자외선 경화에 필요한 광개시제의 량 보다 과량 사용되어 자외선 경화에 의한 경화 밀도 증가 효과보다 오히려 광개시제의 과량 사용에 따른 경화 밀도의 감소로 인한 내찰상성이 저하되는 문제와 광개시제의 사용량에 비례하여 굴절율이 높아지는 문제를 초래하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.
또한, 저굴절 코팅 조성물의 코팅 및 희석을 위해 사용되는 용매로는 상기 알콕시 실란계 중합체 용액 제조 시 사용된 용매와 동일한 알코올계 용매를 사용할 수 있다. 상기 알코올계 용매는 저굴절 코팅 조성물의 고형분 농도가 2.0 ∼ 8.0 중량부가 되도록 희석하여 사용하는 바, 이는 알콕시 실란계 중합체 용액 100 중량부에 대하여 1300 ∼ 5500 중량비를 유지하는 범위이다.
상기 희석된 저굴절 코팅 조성물의 고형분 농도가 2.0 중량부 미만이거나 8.0 중량부를 초과하는 경우에는 저굴절 코팅 조성물의 코팅층을 100 nm 정도의 두께로 코팅하기에 적절치 못 한 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.
상기에서 제조된 저굴절 코팅 조성물은 굴절율이 1.38 ∼ 1.45 범위이고, 연필경도(1kg 중량, Si-웨이퍼 코팅시)가 1.0H ∼ 4.0H 범위를 나타낸다.
한편, 본 발명은 1) 다관능 (메타)아크릴레이트계 수지 10 ∼ 80 중량%, 2) 도전성 금속 산화물 10 ∼ 80 중량%, 3) 광개시제 0.1 ∼ 10 중량%, 4) 다음 화학식 1로 표시되는 불포화 결합관능기를 갖는 알콕시 실란계 중합체 0.5 ∼ 10 중량% 및 5) 실리카 입자 0.5 ∼ 10 중량%를 함유하여 이루어진 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물에 또 다른 특징이 있다.
이러한 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물은 일반적으로 바인더 수지, 대전 방지를 위한 도전성 금속 산화물, 광개시제 등을 함유하여 이루어지나, 본 발명은 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물의 코팅층과 열경화 및 자외선경화형 알콕시 실란계인 저굴절 코팅 조성물의 코팅층간에 화학적 결합을 통한 접착력 향상에 의한 반사방지 코팅 필름 표면의 내찰상성을 향상시키기 위해 특별히 상기 화학식 1로 표시되는 불포화 결합관능기를 갖는 알콕시 실란계 화합물과 실리카 입자를 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 바인더 수지는 높은 경화 밀도를 부여하기 위하여 사용되는 것으로, 바인더 수지로는 다관능(메타)아크릴레이트 또는 다관능(메타)우레탄아크릴레이트 등을 단독으로 사용하거나 혹은 이들 각각의 성분을 조합하고 병용하여 사용할 수 있다. 이외에도 고굴절율의 기능을 더욱 향상시키기 위해서는 방향족 고리, 염소계, 브롬계 등의 불소를 제외한 할로겐기, 황이 도입된 화합물로 이루어진 고굴절율을 갖는 수지를 상기의 바인더 수지와 조합하고 병용하여 사용할 수 있는 바, 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 바인더 수지는 10 ∼ 80 중량% 범위로 사용되는 바, 상기 사용량이 10 중량% 미만이면 코팅 후 경화시 경화 밀도가 부족하여 표면 경도가 떨어지고 크렉이 발생하는 등의 코팅막의 특성이 저하되고, 80 중량%를 초과하는 경우에는 금속 산화물의 자체 굴절율 및 표면 저항 등의 물성에 영향을 받지만 본 발명에서 추구하는 굴절율 및 표면 저항 등의 물성을 얻기 어려운 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.
상기 금속 산화물은 고굴절율 및 대전 방지의 기능을 보유하기 위하여 사용되는 것으로, 구체적으로 SnO2, 안티몬이 도핑된 SnO2(ATO, 굴절율 n=1.95), ITO(굴절율 n=1.95), 안티몬산 아연, 알루미늄이 도팅된 산화아연 등의 도전성 금속산화물 초미립자 등을 사용할 수 있다. 또한, 고굴절율 및 자외선 차폐의 기능을 보유하기 위하여 사용되는 것으로, 구체적으로 ZnO(굴절율 n=1.9), TiO2(굴절율 n=2.3), CeO2(굴절율 n=1.95) 등의 금속산화물 초미립자 등을 사용할 수 있다.
이러한 상기 금속 산화물을 요구 특성에 따라 단독 혹은 병용하여 사용할 수 있는 바, 이에 한정되는 것은 아니다. 이때, 상기 도전성 금속 산화물은 1 ∼ 150 nm 범위, 바람직하기로는 1 ∼ 100 nm 범위의 1차 입경을 유지하는 바, 상기 1차 입경 범위가 1 nm 미만의 경우 이러한 초미세 도전성 금속 산화물 자체의 제조상의 어려움과 고가의 제조 가격 등의 문제가 있고 150 nm을 초과하는 경우에는 용액의 제조 시 분산의 어려움과 코팅시 코팅막이 헤이즈하여 불투명해지는 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.
이러한 금속 산화물은 10 ∼ 80 중량%의 범위로 사용하는 바, 상기 사용량이 10 중량% 미만이면 금속 산화물의 자체 굴절율 및 표면 저항 등의 물성에 영향을 받지만 본 발명에서 추구하는 굴절율 및 표면 저항 등의 물성을 얻기 어렵고, 80 중량%를 초과하는 경우에는 코팅 후 경화시 경화 밀도가 부족하여 표면 경도가 떨어지고 크렉이 발생하는 등의 코팅막의 특성이 저하되는 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.
상기 광개시제는 당 분야에서 일반적으로 사용되는 프리라디칼 광개시제인 것으로 특별히 한정하지는 않으나, 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물의 경우 코팅층의 두께가 1 ∼ 20 ㎛ 정도이므로 코팅의 두께에 따라서 표면경화에 유리한 최고 흡수 파장이 280 nm 이하의 단파장 흡수 타입의 광개시제, 또는 내부경화에 유리한 최고 흡수 파장이 360 nm 이상의 장파장 흡수 타입의 광개시제를 단독 혹은 적절히 병용하여 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로 단파장 흡수 타입의 광개시제로는 시바 스케셜티 케미칼의 Irgcure184, Darocu1173, Irgacure754, Irgacure2959 및 Irgacure127 등을 사용할 수 있으며, 장파장 흡수 타입의 광개시제로는 Irgcure819, Darocu2022, Irgacure2100 및 Darocur TPO 등을 사용할 수 있다.
이러한 광개시제는 0.1 ∼ 10 중량% 범위로 사용하는 바, 상기 사용량이 0.1 중량% 미만이면 자외선 경화에 필요한 광개시제의 량이 부족하여 자외선 경화 효율이 떨어져서 경화 밀도의 감소로 인하여 표면 경도이 저하되고 10.0 중량%를 초과하는 경우에는 자외선 경화에 필요한 광개시제의 량 보다 과량 사용되어 자외선 경화에 의한 경화 밀도 증가 효과보다 오히려 광개시제의 과량 사용에 따른 경화 밀도의 감소로 인한 표면 경도가 저하되는 문제와 광개시제의 사용량에 비례하여 굴절율이 다소 떨어지는 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.
상기 화학식 1로 표시되는 불포화 결합관능기를 갖는 알콕시 실란계 화합물은 0.5 ∼ 10 중량%의 범위로 사용하는 바, 상기 사용량이 0.5 중량% 미만이면 층간 접착력 향상에 의한 내찰상성의 향상의 효과가 미미하고 10 중량%를 초과하는 경우에는 사용량에 비례하여 굴절율이 다소 떨어지는 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실리카 입자는 0.5 ∼ 10 중량%의 범위로 사용하는 바, 상기 사용량이 0.5 중량% 미만이면 층간 접착력 향상에 의한 내찰상성의 향상의 효과가 미미하고 10 중량%를 초과하는 경우에는 사용량에 비례하여 굴절율이 다소 떨어지는 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.
이상에서 제조된 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물은 굴절율이 1.58 ∼ 1.68의 범위이고, 표면저항이 1× 106 ∼ 1× 1010 Ω/□범위이고, 연필경도(1kg 중량, PET 필름 코팅시)는 2.0H ∼ 4.0H 범위를 유지한다.
또한, 본 발명은 투명지지체에, 상기 저굴절 코팅 조성물이 포함되어 이루어진 저굴절 코팅 필름에 또 다른 특징이 있다.
또한, 본 발명은 투명지지체에, 상기 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물이 포함되어 이루어진 고굴절 대전방지 하드코팅 필름에 또 다른 특징이 있다.
또한, 본 발명은 투명지지체에, 상기 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물이 코팅된 고굴절 대전방지 하드코팅층, 및 상기 저굴절 코팅 조성물이 코팅된 저굴절 코팅층이 포함되어 이루어진 반사방지 코팅 필름에 또 다른 특징이 있다.
상기 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물이 코팅된 하드 코팅층은 저굴절 코팅층 사이에서 반사방지 코팅 필름 표면의 내찰상성의 보다 큰 향상을 위한 하드코팅의 기능과, 반사방지 코팅 필름의 정전기 방지에 의한 먼지 부착을 방지하기 위한 대전 방지의 기능, 및 상기 저굴절 코팅층(굴절율 1.38 ∼ 1.45)과의 고굴절 대전방지 하드코팅층의 시너지 작용으로 굴절율 차이의 증가에 따른 보다 더 저반사율의 구현을 위한 고굴절율(1.58 ∼ 1.68)의 기능을 동시에 보유하게 된다.
이때, 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물은 1.58 ∼ 1.68 범위인 고굴절율을 갖는 것으로, 굴절율이 1.58 미만이면 저굴절 코팅층과의 충분한 굴절율 차이가 발생하지 못하여 본 발명에서 추구하는 저반사율을 달성하기가 어렵고, 1.68을 초과할 경우 하드코팅으로서의 기능이 부족한 문제가 발생하므로 1.58 ∼ 1.68의 범위로 유지하는 것이 바람직하다.
상기 투명지지체는 당 분야에서 일반적으로 사용되는 것을 특별히 한정하지는 않으나, 광투과도 90% 이상, 헤이즈 1% 이하의 광학적 특성을 가지는 것을 사용할 수 있다. 이러한 투명지지체는 구체적으로 폴리에스테르, 셀룰로오스에스테르, 시클로올레핀중합체(COP), 시클로올레핀공중합체(COC), 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르설폰, 폴리스티렌, 폴리올레핀 등의 투명 플라스틱 수지를 사용할 수 있으며, 이러한 수지는 필름 또는 기판의 형태로 사용하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 LCD 편광판용 반사방지 코팅 필름의 기재로는 편광판의 편광자 지지 및 보호 필름으로 사용되는 트리아세틸셀룰로오스 필름(TAC 필름)이 가장 적합하고, 시클로올레핀중합체(COP), 시클로올레핀공중합체(COC), 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트 필름 등을 사용할 수 있다. 또한, PDP 필터용 반사방지 코팅 필름의 기재로는 폴리에스테르 계열인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)과 셀룰로오스에스테르 계열인 트리아세틸셀룰로오스 필름(TAC 필름)이 가장 적합하고, 시클로올레핀중합체(COP), 시클로올레핀공중합체(COC), 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트 필름 등을 사용할 수 있다. 이때, 이들 필름 또는 기판의 두께는 통상적으로 사용되는 것으로 특별히 한정하지는 에는 한정이 없으며 필름으로 사용할 경우 생산성 측면에서 50 ∼ 200 um의 범위인 것이 바람직하다.
투명지지체상에 형성된 고굴절 대전방지 하드코팅층은 두께가 0.1 ∼ 20 um, 바람직하게는 0.5 ∼ 10 um, 보다 바람직하게는 1 ∼ 5 um로 되도록 도포하고 용매 제거를 위한 건조 및 자외선 경화를 위한 자외선 조사를 순서대로 연속 공정으로 진행하여 경화 피막을 형성시킨다. 이후에, 상기 형성된 고굴절 대전방지 하드코팅층 상부에 저굴절 코팅 조성물을 건조 후 막 두께가 0.06 ∼ 0.2 um, 바람직하게는 반사율의 최소치를 나타내는 파장이 550 ∼ 650 nm가 되도록 하는 두께 범위인 0.08 ∼ 0.15 um가 되도록 도포하고 용매 제거 및 열경화를 위한 건조 및 자외선 경화를 위한 자외선 조사를 순서대로 연속 공정으로 진행하여 경화 피막을 형성시킨다.
상기와 같은 과정으로 제조된 반사방지 코팅 필름은 내찰상성이 왕복 20 ∼ 40 회, 최소반사율이 0.5 ∼ 1.5 %, 표면저항이 5×106 ∼ 5×1010 Ω/□ 범위를 유지한다.
이하 본 발명을 실시예에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같은 바, 본 발명이 실시에에 의해 한정되는 것은 아니다.
합성예 1 : 고경도의 알콕시 실란계 중합체 용액의 합성
합성예 1-1
질소 분위기하에서 250 mL 3구 둥근 플라스크에 파라톨루엔술폰산 3.45 g과 탈이온수 0.65 g 및 1-메톡시-2-프로판올 100.00 g를 투입하고 교반하여 완전히 녹인 후 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 100.00 g을 투입하고 중합 온도를 70 ℃에 맞추어 24시간 동안 교반하였다. 반응이 완료된 후 중합 용액의 온도를 상온으로 내린 후 고형분 농도 약 50 중량%의 투명한 알콕시 실란계 중합체 용액을 제조하였다.
합성예 1-2
질소 분위기하에서 250 mL 3구 둥근 플라스크에 파라톨루엔술폰산 3.85 g과 탈이온수 0.73 g 및 1-메톡시-2-프로판올 100.00 g를 투입하고 교반하여 완전히 녹인 후 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 80.00 g과 테트라에톡시실란 20 g을 차례로 투입하고 중합 온도를 70 ℃에 맞추어 24시간 동안 교반하였다. 반응이 완료된 후 중합 용액의 온도를 상온으로 내린 후 고형분 농도 약 50 중량%의 투명한 알콕시 실란계 중합체 용액을 제조하였다.
합성예 1-3
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 1-메톡시-2-프로판올, 3-메타아크릴옥시프로필 트리메톡시실란과 테트라에톡시실란의 투입량을 각각 4.26 g, 0.81 g, 100.00 g, 60.00 g과 40.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 2-1
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되. 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 테트라에톡시실란을 대신해 비닐트리메톡시실란만 사용한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 1-메톡시-2-프로판올과 비닐트리메톡시실란의 투입량을 각각 5.77 g, 1.09 g, 100.00 g과 100.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 3-1
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 테트라에톡시실란을 대신해 비닐트리에톡시 실란만 사용한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 1-메톡시-2-프로판올과 비닐트리에톡시실란의 투입량을 각각 4.50 g, 0.85 g, 100.00 g과 100.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 4-1
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란의 투입량을 각각 3.29 g, 0.62 g, 100.00 g, 90.00 g과 10.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 4-2
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란의 투입량을 각각 2.96 g, 0.56 g, 100.00 g, 70.00 g과 30.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 5-1
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 펜타플루오로페닐트리메톡시실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 펜타플루오로페닐트리메톡시실란의 투입량을 각각 3.30 g, 0.63 g, 100.00 g, 70.00 g과 30.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 5-2
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 펜타플루오로페닐트리메톡시실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 펜타플루오로페닐트리메톡시실란의 투입량을 각각 3.21 g, 0.61 g, 100.00 g, 50.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 5-3
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 펜타플루오로페닐트리메톡시실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 펜타플루오로페닐트리메톡시실란의 투입량을 각각 3.11 g, 0.59 g, 100.00 g, 30.00 g과 70.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 6-1
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 펜타플루오로페닐트리에톡시실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 펜타플루오로페닐트리에톡시실란의 투입량을 각각 3.19 g, 0.60 g, 100.00 g, 70.00 g과 30.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 6-2
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 펜타플루오로페닐트리에톡시실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 펜타플루오로페닐트리에톡시실란의 투입량을 각각 3.02 g, 0.57 g, 100.00 g, 50.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 7-1
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 4-(펜타플루오로토릴)트리에톡시실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 4-(펜타플루오로토릴)트리에톡시실란의 투입량을 각각 3.09 g, 0.58 g, 100.00 g, 70.00 g과 30.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 7-2
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 4-(펜타플루오로토릴)트리에톡시실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 4-(펜타플루오로토릴)트리에톡시실란의 투입량을 각각 2.85 g, 0.54 g, 100.00 g, 50.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 8-1
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 디메톡시비스(펜타플루오로페닐)실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 디메톡시비스(펜타플루오로페닐)실란의 투입량을 각각 2.82 g, 0.53 g, 100.00 g, 70.00 g과 30.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 8-2
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 디메톡시비스(펜타플루오로페닐)실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 디메톡시비스(펜타플루오로페닐)실란의 투입량을 각각 2.40 g, 0.54 g, 100.00 g, 50.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 9-1
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 디에톡시비스(4-펜타플루오로토릴)실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 디에톡시비스(4-펜타플루오로토릴)실란의 투입량을 각각 2.72 g, 0.52 g, 100.00 g, 70.00 g과 30.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 9-2
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 디에톡시비스(4-펜타플루오로토릴)실란으로 변경한 것과 1-메톡시-2-프로판올을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 디에톡시비스(4-펜타플루오로토릴)실란의 투입량을 각각 2.24 g, 0.42 g, 100.00 g, 50.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 10-1
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 비스-(트리에톡시실릴프로필)디설파이드로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 1-메톡시-2-프로판올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 비스-(트리에톡시실릴프로필)디설파이드의 투입량을 각각 3.48 g, 0.66 g, 100.00 g, 80.00 g과 20.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 10-2
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 비스-(트리에톡시실릴프로필)디설파이드로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 1-메톡시-2-프로판올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 비스-(트리에톡시실릴프로필)디설파이드의 투입량을 각각 3.51 g, 0.67 g, 100.00 g, 60.00 g과 40.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 10-3
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 비스-(트리에톡시실릴프로필)디설파이드로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 1-메톡시-2-프로판올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 비스-(트리에톡시실릴프로필)디설파이드의 투입량을 각각 3.54 g, 0.67 g, 100.00 g, 40.00 g과 60.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 10-4
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 비스-(트리에톡시실릴프로필)디설파이드로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 1-메톡시-2-프로판올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 비스-(트리에톡시실릴프로필)디설파이드의 투입량을 각각 3.57 g, 0.68 g, 100.00 g, 20.00 g과 80.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 11-1
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 비스-(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 1-메톡시-2-프로판올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 비스-(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드의 투입량을 각각 3.39 g, 0.64 g, 100.00 g, 80.00 g과 20.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 11-2
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 비스-(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 1-메톡시-2-프로판올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 비스-(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드의 투입량을 각각 3.34 g, 0.63 g, 100.00 g, 60.00 g과 40.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 11-3
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 비스-(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 1-메톡시-2-프로판올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 비스-(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드의 투입량을 각각 3.28 g, 0.62 g, 100.00 g, 40.00 g과 60.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 11-4
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 테트라에톡시실란을 비스-(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 1-메톡시-2-프로판올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 비스-(트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드의 투입량을 각각 3.23 g, 0.61 g, 100.00 g, 20.00 g과 80.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
비교 합성예 1 : 불포화 결합을 갖는 관능기를 함유하지 않은 화합물만 사용
상기 합성예 1-2와 동일하게 실시하되, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란을 비스-(트리에톡시실릴프로필)디설파이드로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 1-메톡시-2-프로판올, 비스-(트리에톡시실릴프로필)디설파이드와 테트라에톡시실란의 투입량을 각각 4.46 g, 0.84 g, 100.00 g, 50.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
실험예
상기에서 제조된 합성예 1 ∼ 11 및 비교 합성예 1에서 제조된 고경도 알콕시 실란계 중합체 용액의 굴절율 및 연필경도를 측정하기 위하여 코팅 용액을 제조하였다. 구체적으로, 합성예 1 ∼ 11에서 제조된 고형분 농도 약 50 중량%의 고경도 알콕시 실란계 중합체 용액에, 광개시제로 Irgacure 184[시바 스케셜티 케미칼]를 중합체 용액의 고형분에 대하여 1 중량%를 첨가하여 용해하였다. 이후에, 이 용액을 실리콘 웨이퍼 기판 상에 적정량 도포하고 100 ∼ 3000 rpm의 속도로 스핀 코팅하여 열판(hot-plate)에서 90 ℃/1분간 중합 용매의 건조 및 열경화를 진행하고 1000 mJ의 자외선을 조사하여 자외선 경화를 진행하였다. 단, 비교 합성예 1의 경우 고형분 농도 약 50 중량%의 불포화 결합을 갖는 관능기를 함유하지 않은 알콕시 실란계 중합체 용액에 광개시제를 첨가하지 않고 그대로 사용하였고 이 용액을 실리콘 웨이퍼 기판 상에 적정량 도포하고 100 ∼ 3000 rpm의 속도로 스핀 코팅하여 열판(hot-plate)에서 90 ℃/1분의 건조 및 열경화를 진행하고 자외선 경화 없이 120 ℃/5분간의 열경화를 더 진행하였다. 경화 후 박막의 두께는 4 ∼ 5 um로 조절하였다.
상기에서 제조된 알콕시 실란계 중합체 용액의 굴절율과 연필경도를 측정하여 그 결과를 다음 표 1에 나타내었다. 이때, 굴절율은 프리즘커플러로 632.8 nm의 파장에서 측정이 되었으며 연필경도는 JIS K5400에서 규정하는 방법으로 하중 1 kg하에서 측정되었다.
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따라 제조된 고경도 알콕시 실란계 중합체 용액을 사용하여 제조된 박막은 구체적으로 연필경도가 3.0H ~ 6.0H의 범위를 나타낸다는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 불포화 결합을 갖는 관능기를 함유하지 않은 알콕시 실란계 중합체 용액의 불포화 결합을 갖는 관능기를 함유하지 않은 알콕시 실란계 중합체 용액인 비교 합성예 1의 경우 굴절률 대비 비교적 낮은 연필경도를 나타내었다. 이는 단시간의 열경화로 인해 완벽한 열경화가 이루어 지지 못한 것으로 보이며 완벽한 열경화를 위해서는 저온에서 장시간의 열경화 또는 고온에서의 열경화가 필요할 것으로 사료된다.
합성예 2 : 저굴절의 알콕시 실란계 중합체 용액의 합성
합성예 A-1
질소 분위기하에서 250 mL 3구 둥근 플라스크에 파라톨루엔술폰산 2.65 g과 탈이온수 0.50 g 및 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올 100.00 g를 투입하고 교반하여 완전히 녹인 후, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 70.00 g과 ECC1000(3M) 30.00 g을 차례로 투입하고 중합 온도를 70 ℃에 맞추어 24시간 동안 교반하였다. 반응이 완료된 후 중합 용액의 온도를 상온으로 내린 후 고형분 농도 약 50 중량%의 투명한 저굴절의 알콕시 실란계 중합체를 제조하였다.
합성예 A-2
상기 합성예 A-1와 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 2.38 g, 0.45g, 100.00 g, 60.00 g과 40.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 A-3
상기 합성예 A-1와 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 2.11 g, 0.40g, 100.00 g, 50.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 A-4
상기 합성예 A-1와 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 1.85 g, 0.35g, 100.00 g, 40.00 g과 60.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 A-5
상기 합성예 A-1와 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 1.58 g, 0.30g, 100.00 g, 30.00 g과 70.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 B-1
질소 분위기하에서 250 mL 3구 둥근 플라스크에 파라톨루엔술폰산 3.05 g과 탈이온수 0.58 g 및 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올 100.00 g를 투입하고 교반하여 완전히 녹인 후 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 60.00 g, 테트라메톡시실란 10.00 g과 ECC1000 30.00 g을 차례로 투입하고 중합 온도를 70 ℃에 맞추어 24시간 동안 교반하였다. 반응이 완료된 후 중합 용액의 온도를 상온으로 내린 후 고형분 농도 약 50 중량%의 투명한 저굴절의 알콕시 실란계 중합체를 제조하였다.
합성예 B-2
상기 합성예 B-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라메톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 3.46 g, 0.65 g, 100.00 g, 50.00 g, 20.00 g과 30.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 B-3
상기 합성예 B-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라메톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 3.86 g, 0.73 g, 100.00 g, 40.00 g, 30.00 g과 30.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 B-4
상기 합성예 B-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라메톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 2.78 g, 0.53 g, 100.00 g, 50.00 g, 10.00 g과 40.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 B-5
상기 합성예 B-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라메톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 3.19 g, 0.60 g, 100.00 g, 40.00 g, 20.00 g과 40.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 B-6
상기 합성예 B-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라메톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 3.59 g, 0.68 g, 100.00 g, 30.00 g, 30.00 g과 40.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 B-7
상기 합성예 B-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라메톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 2.92 g, 0.55 g, 100.00 g, 30.00 g, 20.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 C-1
상기 합성예 B-1과 동일하게 실시하되, 테트라메톡시실란을 테트라에톡시실란으로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라에톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 3.26 g, 0.62 g, 100.00 g, 40.00 g, 30.00 g과 30.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 C-2
상기 합성예 C-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라에톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 3.46 g, 0.65 g, 100.00 g, 30.00 g, 40.00 g과 30.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 C-3
상기 합성예 C-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라에톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 3.66 g, 0.69 g, 100.00 g, 20.00 g, 50.00 g과 30.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 C-4
상기 합성예 C-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라에톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 2.79 g, 0.53 g, 100.00 g, 40.00 g, 20.00 g과 40.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 C-5
상기 합성예 C-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라에톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 2.99 g, 0.57 g, 100.00 g, 30.00 g, 30.00 g과 40.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 C-6
상기 합성예 C-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라에톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 3.19 g, 0.60 g, 100.00 g, 20.00 g, 40.00 g과 40.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 C-7
상기 합성예 C-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라에톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 2.52 g, 0.48 g, 100.00 g, 30.00 g, 20.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 C-8
상기 합성예 C-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라에톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 2.72 g, 0.52 g, 100.00 g, 20.00 g, 30.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 C-9
상기 합성예 C-1과 동일하게 실시하되, 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라에톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 2.25 g, 0.43 g, 100.00 g, 20.00 g, 20.00 g과 60.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 D-1
상기 합성예 B-1와 동일하게 실시하되, 테트라메톡시실란을 비닐트리메톡시실란으로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 3.08 g, 0.58 g, 100.00 g, 30.00 g, 30.00 g과 40.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 D-2
상기 합성예 B-1와 동일하게 실시하되, 테트라메톡시실란을 비닐트리메톡시실란으로 변경한 것과 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란을 사용하지 않은 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 비닐트리메톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 3.78 g, 0.71 g, 100.00 g, 60.00 g과 40.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 E-1
상기 합성예 A-1와 동일하게 실시하되, ECC1000을 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란으로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란의 투입량을 각각 2.42 g, 0.46 g, 100.00 g, 50.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 E-2
상기 합성예 A-1와 동일하게 실시하되, ECC1000을 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란으로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란의 투입량을 각각 2.02 g, 0.38 g, 100.00 g, 30.00 g과 70.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 E-3
상기 합성예 A-1와 동일하게 실시하되, ECC1000을 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란으로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란의 투입량을 각각 1.61 g, 0.30 g, 100.00 g, 10.00 g과 90.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 F-1
상기 합성예 A-1와 동일하게 실시하되, ECC1000을 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란으로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란의 투입량을 각각 2.64 g, 0.50 g, 100.00 g, 50.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 F-2
상기 합성예 A-1와 동일하게 실시하되, ECC1000을 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란으로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란의 투입량을 각각 2.31 g, 0.44 g, 100.00 g, 30.00 g과 70.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
합성예 F-3
상기 합성예 A-1와 동일하게 실시하되, ECC1000을 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란으로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란과 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란의 투입량을 각각 1.99 g, 0.38 g, 100.00 g, 10.00 g과 90.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
비교 합성예 A : 불포화 결합을 갖는 관능기를 함유하지 않은 화합물만 사용
상기 합성예 A-1와 동일하게 실시하되, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란을 테트라에톡시실란으로 변경한 것과 반응물인 파라톨루엔술폰산, 탈이온수, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판-1-올, 테트라에톡시실란과 ECC1000의 투입량을 각각 3.23 g, 0.59 g, 100.00 g, 50.00 g과 50.00 g으로 변경하여 반응을 수행하였다.
실험예 2
상기에서 제조된 합성예 A ∼ F 및 비교 합성예 A에서 제조된 저굴절 알콕시 실란계 중합체 용액의 굴절율 및 연필경도를 측정하기 위하여 코팅 용액을 제조하였다. 구체적으로 합성예 A ∼ F에서 제조된 고형분 농도 약 50 중량%의 저굴절 알콕시 실란계 중합체 용액에 광개시제로 Irgacure 184[시바 스케셜티 케미칼]를 중합체 용액의 고형분에 대하여 1 중량%를 첨가하여 용해하였다. 이후에, 이 용액을 실리콘 웨이퍼 기판 상에 적정량 도포하고 100 ∼ 3000 rpm의 속도로 스핀 코팅하여 열판(hot-plate)에서 90 ℃/1분간 중합 용매의 건조 및 열경화를 진행하고 1000 mJ의 자외선을 조사하여 자외선 경화를 진행하였다. 단, 비교 합성예 A-1의 경우 고형분 농도 50 중량%의 불포화 결합을 갖는 관능기를 함유하지 않은 저굴절 알콕시 실란계 중합체 용액을 광개시제를 첨가하지 않고 그대로 사용하였고 이 용액을 실리콘 웨이퍼 기판 상에 적정량 도포하고 100 ∼ 3000 rpm의 속도로 스핀 코팅하여 열판(hot-plate)에서 90 ℃/1분의 건조 및 열경화를 진행하고 자외선 경화 없이 120 ℃/5분간의 열경화를 더 진행하였다. 경화 후 박막의 두께는 4 ∼ 5 um로 조절하였다.
상기에서 제조된 알콕시 실란계 중합체 용액의 굴절율과 연필경도를 측정하여 그 결과를 다음 표 2에 나타내었다. 이때, 굴절율은 프리즘커플러로 632.8 nm의 파장에서 측정이 되었으며, 연필경도는 JIS K5400에서 규정하는 방법으로 하중 1 kg하에서 측정되었다.
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따라 제조된 저굴절 알콕시 실란계 중합체 용액을 사용하여 제조된 박막은 구체적으로 굴절율이 1.35 ~ 1.45의 범위를 나타낸다는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 합성예 A ∼ F와 비교하여 불포화 결합을 갖는 관능기를 함유하지 않은 알콕시 실란계 중합체 용액인 비교 합성예 A의 경우 굴절율 대비 매우 낮은 연필경도를 나타내었다.
이는 단시간의 열경화 인해 완벽한 열경화가 이루어 지지 못한 것으로 보이며 완벽한 열경화를 위해서는 저온에서 장시간의 열경화 또는 고온에서의 열경화가 필요할 것으로 사료된다.
실시예 : 저굴절 코팅 조성물
실시예 1
상기 합성예 1-1을 29 g, 합성예 A-4를 70 g, 불소계 슬립성 증가제 SD-10(흥인화학사) 0.5 g 및 광개시제로 Irgacure 184(시바 스페셜티 케미칼사)를 0.5 g를 첨가하고 교반하여 투명하고 균일한 고형분 농도 약 50.5 중량%의 저굴절 코팅 조성물을 제조하였다.
실시예 2 ∼ 96
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, 다음 표 5, 표 6 및 표 7에 나타낸 성분과 함량 범위로 사용하여 저굴절 코팅 조성물을 제조하였다.
비교예 1
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, 비교 합성예 1을 29.5 g, 비교 합성예 A를 70 g, 불소계 슬립성 증가제 SD-10를 0.5 g를 교반하여 투명하고 균일한 고형분 농도 약 50.25 중량%의 저굴절 코팅 조성물을 제조하였다.
비교예 2
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, 비교 합성예 1을 19.5 g, 비교 합성예 A를 80 g, 불소계 슬립성 증가제 SD-10를 0.5 g를 교반하여 투명하고 균일한 고형분 농도 약 50.25 중량%의 저굴절 코팅 조성물을 제조하였다.
비교예 3 ∼ 12
상기 실시예 1과 동일하게 실시하되, 표 8에 나타낸 바와 같이 슬립성 증가제를 달리하여 저굴절 코팅 조성물을 제조하였다.
상기 실시예 및 비교예에서 사용된 슬립성 증가제는 다음과 같다.
상기 표 4에 의해 제시된 대표적인 폴리(디메틸)실록산계 슬립성 증가제의 경우 표 3의 화합물과의 비교를 위해 오에스아이 스페셜티스의 실웨트(SILWET-상품명) 제품 중 수평균분자량이 600 정도로 비교적 낮은 제품인 L-77과 수평균분자량 3000 정도의 비교적 높은 제품인 L-7602를 조액에 사용하여 비교하였다.
실험예 3
상기 실시예 1 ∼ 96 및 비교에 1 ∼ 12에서 제조된 저굴절 코팅 조성물 용액을 실리콘 웨이퍼 기판 상에 적정량 도포하고 1000 rpm의 속도로 스핀 코팅하여 열판(hot-plate)에서 90 ℃/1분간 중합 용매의 건조 및 열경화를 진행하고 1000 mJ의 자외선을 조사하여 자외선 경화를 진행하였다. 단, 비교예 1 및 비교예 2의 경우에는 조성물 용액을 실리콘 웨이퍼 기판 상에 적정량 도포하고 1000 rpm의 속도로 스핀 코팅하여 열판(hot-plate)에서 90 ℃/1분의 건조 및 열경화를 진행하고 자외선 경화 없이 120 ℃/5분간의 열경화를 더 진행하였다. 경화 후 박막의 두께는 4 ∼ 5 um 범위로 조절하였다.
상기에서 얻어진 박막의 굴절율과 연필경도를 측정하여 그 결과를 다음 표 5, 6 및 7에 나타내었다. 이때, 굴절율은 프리즘커플러로 632.8 nm의 파장에서 측정이 되었으며 연필경도는 JIS K5400에서 규정하는 방법으로 하중 1 kg하에서 측정되었다.
상기 표 5, 6 및 7에서 제조된 저굴절 코팅 조성물은 굴절률 1.38 ∼ 1.45 범위이고, 연필경도 1.0H ∼ 4.0H 범위를 나타내었다.
상기 표 8에 나타낸 바와 같이, 불포화 결합을 갖는 관능기를 함유하지 않은 알콕시 실란계 화합물만을 사용하여 중합한 비교 합성예 1과 A을 사용하여 조액한 비교예 1과 2의 경우 실시예와 비교하여 굴절률 대비 연필경도가 매우 떨어지는 물성을 보였다. 또한, 폴리(디메틸)실록산계 슬립성 증가제를 사용한 비교예는 본 발명의 실시예와 유사한 연필경도를 나타냄을 확인할 수 있었다. 그러나, 이를 이용하여 반사방지 코팅 필름으로 제작하는 경우 고굴절 대전방지 하드코팅층 위에 약 100 nm의 박막으로 제조한 경우 내찰상성에서 매우 큰 차이를 보였다.
제조예 : 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물
제조예 A
고형분 45 중량%의 고굴절 대전방지 하드코팅 제품 XJC-257S-2(펠록스) 88.89 g, 아세틸아세톤을 11.11 g를 첨가하여 제조된 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물 100 중랑부에, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 0.8 중랑부와 이소프로필알콜에 분산된 입도 10 ∼ 15 nm의 오르가노실리카졸 형태의 콜로이달실리카인 IPA-ST(고형분 30 중량%, 닛산케미칼)를 2.667 중랑부를 첨가하고 균일하게 분산하여 고형분 약 40 중량%의 대전방지 하드코팅 조성물을 제조하였다.
제조예 B
고형분 45 중량%의 고굴절 대전방지 하드코팅 제품 XJC-257S-2 88.89 g, 아세틸아세톤을 11.11 g를 첨가하여 제조된 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물 100 중랑부에, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 1.6 중량부와 이소프로필알콜에 분산된 입도 10 ∼ 15 nm의 오르가노실리카졸 형태의 콜로이달실리카인 IPA-ST를 1.334 중랑부를 첨가하고 균일하게 분산하여 고형분 약 40 중량%의 대전방지 하드코팅 조성물을 제조하였다.
비교 제조예 A
고형분 45 중량%의 고굴절 대전방지 하드코팅 제품 XJC-257S-2 88.89 g, 아세틸아세톤을 11.11 g를 첨가하여 제조된 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물 100 중랑부 균일하게 분산하여 고형분 약 40 중량%의 대전방지 하드코팅 조성물을 제조하였다.
실험예 3
상기 제조예 A ∼ B 및 비교 제조예 A에서 얻어진 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물을 실리콘 웨이퍼 기판 상에 적정량 도포하고 100 ∼ 3000 rpm의 속도로 스핀 코팅하여 열판(hot-plate)에서 90 ℃/1분간 중합 용매의 건조를 진행하고 1000 mJ의 자외선을 조사하여 자외선 경화를 진행하였다. 경화 후 박막의 두께는 4 ∼ 5 um로 조절하였다.
또한, 롤 형태의 700 mm 폭과 100 um 두께의 PET 필름 위에 상기의 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물을 사용하여 10 m의 드라이어존과 2개의 100 W 자외선 램프가 연속 설치된 그라비아-롤 코터(gravure-roll coater)를 이용하여 그라비아-롤 180 mesh, 그라비아-롤의 회전 속도 180 rpm, 골든 브레이드와 그라비아-롤의 압력을 적정하게 유지하여 line speed 10 m/min 그리고 드라이어존의 온도 80 ℃ 조건으로 연속 코팅하였다. 경화 후 박막의 두께는 2 um로 조절하였다.
상기에서 얻어진 Si-웨이퍼상의 코팅된 박막의 굴절율과 PET 필름에 코팅된 박막의 연필경도 및 표면저항을 측정하여 그 결과를 다음 표 9에 나타내었다. 이때, 굴절율은 프리즘커플러로 632.8 nm의 파장에서 측정이 되었으며 연필경도는 JIS K5400에서 규정하는 방법으로 하중 1 kg하에서 측정되었다.
또한 표면저항은 디스코사(Desco사)의 표면저항측정기(Surface Resistance Meter, 모델번호-19781)을 사용하여 22 ℃, 55%RH 조건의 항온 항습 조건에서 측정하였다.
상기의 표 9에서 나타낸 바와 같이 굴절율이 1.58 ∼ 1.68의 범위이고, 표면저항이 1×106 ∼ 1×1010 Ω/□범위이고, 연필경도(1kg 중량, PET 필름 코팅시)는 2.0H ∼ 4.0H 범위를 나타낸다는 것을 확인할 수 있었다.
제조예 : 반사방지 코팅 필름 제조
제조예 1
1-1. 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물의 연속 코팅
롤 형태의 700 mm 폭과 100 um 두께의 PET 필름 위에 고형분 농도 약 40 중량%의 고굴절 대전방지 하드코팅 조성물 용액인 제조예 A를 사용하여 10 m의 드라이어존과 2개의 100 W 자외선 램프가 연속 설치된 그라비아-롤 코터(gravure-roll coater)를 이용하여 그라비아-롤 180 mesh, 그라비아-롤의 회전 속도 180 rpm, 골든 브레이드와 그라비아-롤의 압력을 적정하게 유지하여 line speed 10 m/min 그리고 드라이어존의 온도 80 ℃ 조건으로 연속 코팅하여 약 2 um의 고굴절 대전방지 하드코팅층을 형성하였다.
1-2. 저굴절 코팅 조성물의 연속 코팅
상기의 연속 코팅으로 제조된 2 um의 고굴절 대전방지 하드코팅층 위에, 고형분 농도 약 50.5 중량%의 열경화 및 자외선경화형 저굴절 코팅 조성물 용액인 다음 표 10에 나타낸 실시예에 2-메톡시에탄올을 고형분 농도 4.0 중량%가 될 때 까지 첨가하고 균일하게 교반하여 제조된 투명한 용액을 사용하여 10 m의 드라이어존과 2개의 100 W 자외선 램프가 연속 설치된 그라비아-롤 코터(gravure-roll coater)를 이용하여 그라비아-롤 200 mesh, 그라비아-롤의 회전 속도 100 rpm, 골든 브레이드와 그라비아-롤의 압력을 적정하게 유지하여 line speed 10 m/min 그리고 드라이어존의 온도 120 ℃ 조건으로 연속 코팅하여 약 100 nm의 열경화 및 자외선경화형 저굴절 코팅층을 형성하였다. 상기의 순서로 반사방지 코팅 필름을 제작하였다
비교 제조예 1
상기 제조예 1과 동일하게 실시하되, 다음 표 10에 나타낸 바와 같이 제조예 A를 사용하고, 비교예의 종류를 변화시켜 반사방지 코팅 필름을 제조하였다.
제조예 2
상기 제조예 1과 동일하게 실시하되, 다음 표 11에 나타낸 바와 같이 제조예 B를 사용하고, 실시예의 종류를 변화시켜 반사방지 코팅 필름을 제조하였다.
비교 제조예 2
상기 제조예 1과 동일하게 실시하되, 다음 표 11에 나타낸 바와 같이 제조예 B를 사용하고, 비교예의 종류를 변화시켜 반사방지 코팅 필름을 제조하였다.
비교 제조예 3
상기 제조예 1과 동일하게 실시하되, 다음 표 12에 나타낸 바와 같이 비교 제조예 A를 사용하고, 실시예의 종류를 변화시켜 반사방지 코팅 필름을 제조하였다.
비교 제조예 4
상기 제조예 1과 동일하게 실시하되, 다음 표 12에 나타낸 바와 같이 비교 제조예 A를 사용하고, 비교예의 종류를 변화시켜 반사방지 코팅 필름을 제조하였다.
실험예 3
상기 제조예 1 ∼ 2 및 비교 제조예 1 ∼ 4에서 얻어진 반사방지 코팅 필름의 물성을 측정하여 다음 표 10, 11 및 12에 나타내었다. 이때, 상기 물성은 다음과 같은 방법으로 측정하였다.
[물성측정방법]
1. 최소반사율 측정
반사방지 코팅 필름의 이면에 의한 반사를 방지하기 위해 코팅면의 반대면에 검정 무광 스프레이를 고르게 분사하여 완전히 건조하고 히타치사의 5 °정반사측정장치인 U-4100을 이용하여 측정하였다.
2. 내찰상성 측정
반사방지 코팅 필름의 코팅 면에 기배무역사의 내스틸울성 측정 장비와 규격 #0000의 스틸울(steelwool)을 이용하여 100g의 하중 하에서 상처 흔적이 발생할 때까지 왕복으로 문질러서 그 왕복 횟수로 내찰상성의 정도를 확인하였다. 또한 각각의 필름에 대하여 보다 정밀한 비교를 위해 수회 반복 측정하여 상처 흔적이 발생하지 않는 근사치의 왕복 횟수를 기록하였다.
3. 표면저항 측정
디스코사(Desco사)의 표면저항측정기(Surface Resistance Meter, 모델번호-19781)을 사용하여 22 ℃, 55%RH 조건의 항온 항습 조건에서 측정하였다.
상기 표 10, 11 및 12에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 제조예의 반사방지 코팅 필름은 내찰상성이 왕복 20 ∼ 40 회 범위이며, 최소반사율이 0.5 ∼ 1.5 % 범위이고, 표면저항이 5× 106 ∼ 5× 1010 Ω/□ 범위를 나타낸다는 것을 확인할 수 있었다.