KR20140085918A - 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 - Google Patents

발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 Download PDF

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김경완
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윤여진
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Abstract

발광 소자 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 발광 소자는, 제1 측면 및 제1 측면에 대향하는 제2 측면을 갖는 기판과, 기판 상에 위치하는 반도체 적층 구조체를 포함한다. 기판의 바닥면은, 제1 측면과 예각을 이루고, 제2 측면과 둔각을 이룬다. 또한, 제1 측면 및 제2 측면 각각은 기판의 상면에서 이어진 제1 경사면 및 기판의 바닥면에서 이어진 제2 경사면을 포함한다. 나아가, 기판의 바닥면에 대해, 상기 제1 경사면이 제2 경사면보다 더 큰 경사각을 갖는다. 이에 따라, 기판의 측면들에서 발생되는 내부 전반사를 감소시켜 발광 소자의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 제1 측면 및 제2 측면을 채택함으로써, 패키지 레벨에서 광 효율을 향상시킬 수 있으며, 또한, 형광체의 이용효율을 향상시킬 수 있다.

Description

발광 소자 및 그것을 제조하는 방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
본 발명은 반도체 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 측면에서의 광추출 효율이 우수한 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것이다.
질화물 반도체 발광 소자, 예컨대, 3족 질화물 반도체 LED 또는 레이저 다이오드 등이 개발된 후, 디스플레이용 백라이트, 카메라용 플래시, 조명 등 다양한 분야에서 질화물 반도체 발광 소자가 차세대의 주요 광원으로 주목받고 있다. 질화물 반도체 발광 소자의 적용 분야가 확대됨에 따라, 휘도와 발광 효율을 증대시키기 위한 노력이 진행되고 있다.
일반적으로 반도체 발광 소자는 사파이어와 같은 성장 기판 상에 반도체 적층 구조를 형성한 웨이퍼를 개별 칩 단위로 분할하여 제조된다. 이때, 웨이퍼는 스크라이빙 공정에 의해 홈을 형성하고, 블레이드 날을 이용하여 충격을 가함으로써 기판을 분할한다.
일반적으로, 스크라이빙 공정에 의해 기판 상면에 스크라이빙 홈을 형성하고, 상기 홈 바로 아래 위치의 기판 이면에 블레이드 날을 접촉시켜 충격을 가함으로써 직육면체 형상의 기판을 갖는 발광 소자가 제조된다.
그러나 직육면체 형상의 기판은 내부 전반사에 의해 광 손실이 발생한다. 기판에서 발생되는 내부 전반사는 기판의 굴절률이 높을수록 증가한다. 더욱이, 기판의 측면을 통해 방출된 광은 패키지의 측벽에서 반사되어 다시 발광 소자 내부로 입사될 가능성이 높으며, 이에 따라 패키지 레벨에서 광 손실이 더욱 증가된다. 또한, 기판의 측면이 패키지의 바닥면에 대해 수직이기 때문에, 기판 측면에 형광체를 배치하기 어려워 형광체의 이용효율이 감소한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 개선된 광추출 효율을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 기판 측면을 통한 광 추출 효율을 개선한 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 패키지 레벨에서의 발광 효율을 개선할 수 있는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 패키지 레벨에서 형광체의 이용 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 태양에 따른 발광 소자는, 제1 측면 및 상기 제1 측면에 대향하는 제2 측면을 갖는 기판; 및 상기 기판 상에 위치하는 반도체 적층 구조체를 포함한다. 또한, 상기 기판의 바닥면은, 상기 제1 측면과 예각을 이루고, 상기 제2 측면과 둔각을 이루며, 상기 제1 측면 및 제2 측면 각각은 상기 기판의 상면에서 이어진 제1 경사면 및 상기 기판의 바닥면에서 이어진 제2 경사면을 포함하고, 상기 기판의 바닥면에 대해, 상기 제1 경사면이 제2 경사면보다 더 큰 경사각을 갖는다. 이에 따라, 기판의 측면들에서 발생되는 내부 전반사를 감소시켜 발광 소자의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 나아가, 상기 제1 측면 및 제2 측면을 채택함으로써, 패키지 레벨에서 광 효율을 향상시킬 수 있으며, 또한, 형광체의 이용효율을 향상시킬 수 있다.
본 명세서에 있어서, "경사각"은 경사면이 기판의 바닥면에 대해 경사진 정도를 나타내기 위한 것으로, 경사면이 기판의 바닥면에 대해 이루는 90도 이하의 각도를 의미한다. 특히, 경사면이 위치에 따라 변하는 경우, "경사각"은 경사면의 접면이 기판의 바닥면과 이루는 각도를 의미한다.
한편, 상기 제1 경사면은, 스크라이빙 면 및 스크라이빙 면과 상기 제2 경사면을 연결하는 제1 브레이킹 면을 포함할 수 있다. 상기 스크라이빙 면은 다이아몬드 블레이드를 이용한 스크라이빙 면 또는 레이저 스크라이빙 면일 수 있다. 특히, 상기 스크라이빙 면은 레이저 스크라이빙 면일 수 있다. 이 경우, 상기 스크라이빙 면은 레이저에 의해 개질된 표면을 포함할 수 있다. 한편, 상기 제2 경사면은, 제2 브레이킹면일 수 있다. 본 명세서에 있어서, "브레이킹 면" 스크라이빙 홈을 이용한 기판 브레이킹에 의해 형성된 면을 의미하며, 따라서, 블레이드나 레이저에 의해 개질된 표면을 포함하지 않는다.
상기 제1 브레이킹면은 제2 브레이킹면에 비해 상대적으로 m면에 가깝고, 상기 제2 브레이킹면은 상기 제1 브레이킹면에 비해 상대적으로 r면에 가까울 수 있다. 상기 제2 브레이킹면은 m면으로부터 r면을 향해 결정면이 변하는 전이면(transision surface)일 수 있다. 한편, 상기 제2 브레이킹면은 r면을 포함할 수 있다.
상기 제2 경사면은 상기 기판의 바닥면에 대해 45도 내지 70도의 경사각을 가질 수 있다.
상기 기판은 단결정 기판, 특히 사파이어 기판일 수 있다. 나아가, 상기 사파이어 기판의 두께는 80 내지 120㎛일 수 있다.
상기 제1 측면의 제2 경사면과 상기 제2 측면의 제2 경사면은 서로 다른 경사각을 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양에 따르면, 웨이퍼 분할 방법이 제공된다. 이 웨이퍼 분할 방법은, 웨이퍼 주면에 스크라이빙 홈들을 형성하고; 상기 웨이퍼 이면에 블레이드 날을 접촉시켜 충격을 가함으로써, 상기 웨이퍼를 브레이킹하는 것을 포함한다. 여기서, 상기 블레이드 날은 상기 스크라이빙 홈의 바로 아래의 위치로부터 소정 거리 이격되어 상기 웨이퍼 이면에 접촉한다.
상기 블레이드 날을 상기 스크라이빙 홈의 수직 아래 위치에서 오프셋함으로써 분할된 개별 칩들이 경사진 측면을 가질 수 있다.
상기 스크라이빙 홈들은 상기 웨이퍼 주면에 레이저를 조사함으로써 형성될 수 있다. 나아가, 상기 레이저는 상기 웨이퍼 주면에 수직하게 조사될 수 있다. 이에 따라, 종래와 동일하게 레이저를 이용하여 스크라이빙 홈을 형성하면서도 블레이드 날의 위치를 변경하여 경사진 측면을 형성할 수 있다.
상기 블레이드 날은 상기 스크라이빙 홈의 바로 아래 위치로부터 50 내지 150㎛ 이격되어 상기 웨이퍼 이면에 접촉할 수 있다. 나아가, 상기 블레이드 날은 상기 스크라이빙 홈의 바로 아래 위치로부터 80 내지 100㎛ 이격되어 상기 웨이퍼 이면에 접촉할 수 있다.
상기 웨이퍼는 서로 이격된 받침대들 상에 위치할 수 있으며, 상기 스크라이빙 홈과 상기 블레이드 날의 접촉 위치가 상기 받침대들 사이의 영역 상에 위치할 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양에 따른 발광 소자 제조 방법은, 웨이퍼 주면에 스크라이빙 홈들을 형성하고; 상기 웨이퍼 이면에 블레이드 날을 접촉시켜 충격을 가함으로써, 상기 웨이퍼를 브레이킹하여 발광 소자를 형성하는 것을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 발광 소자는, 제1 측면 및 상기 제1 측면에 대향하는 제2 측면을 갖는 기판; 및 상기 기판 상에 위치하는 반도체 적층 구조체를 포함하며, 상기 기판의 바닥면은, 상기 제1 측면과 예각을 이루고, 상기 제2 측면과 둔각을 이루며, 상기 제1 측면 및 제2 측면 각각은 상기 기판의 상면에서 이어진 제1 경사면 및 상기 기판의 바닥면에서 이어진 제2 경사면을 포함하고, 상기 기판의 바닥면에 대해, 상기 제1 경사면이 제2 경사면보다 더 큰 경사각을 갖는다.
상기 제1 경사면은, 스크라이빙 면 및 상기 스크라이빙 면과 상기 제2 경사면을 연결하는 제1 브레이킹면을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 경사면은 상기 기판의 바닥면에 대해 45도 내지 70도의 경사각을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 경사면은 제2 경사면에 비해 상대적으로 m면에 가깝고, 상기 제2 경사면은 상기 제1 경사면에 비해 상대적으로 r면에 가까울 수 있다.
본 발명에 따르면, 발광 소자의 기판 측면을 경사지게 형성함으로써 발광 소자의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 또한, 블레이드 날의 위치를 스크라이빙 홈의 바로 아래 위치에서 소정 거리 이격시켜 웨이퍼를 분할함으로써 쉽게 경사진 측면을 갖는 발광 소자를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 부분 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 발광 소자를 나타내는 SEM 이미지들이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조된 발광 소자의 광 출력을 설명하기 위한 그래프들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타내며, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자(100)를 설명하기 위한 부분 사시도 및 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 발광 소자(100)는, 기판(21) 및 반도체 적층 구조체(30)를 포함한다. 상기 반도체 적층 구조체(30)는 광을 방출할 수 있는 적층 구조, 예컨대, 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함한다.
기판(21)은 광을 투과하는 단결정 기판으로, 예컨대 사파이어 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 질화갈륨 기판 또는 탄화실리콘 기판일 수도 있다. 상기 기판(21)의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 기판(21) 분할을 용이하게 하기 위해 80 내지 120㎛ 범위 내일 수 있다.
기판(21)은 서로 대향하는 측면들을 포함하는데, 기판(21)의 바닥면(21u)과 예각을 이루는 제1 측면(도 1 및 도 2에서 좌측 측면) 및 기판의 바닥면(21u)과 둔각을 이루는 제2 측면(도 1 및 도 2에서 우측 측면)을 포함한다. 이들 제1 및 제2 측면은 각각 제1 경사면(21a)과 제2 경사면(21b)을 포함한다.
상기 제1 경사면(21a)은 기판(21)의 상면(21t)에서 이어지고, 제2 경사면(21b)은 기판(21)의 바닥면(21u)에서 이어진다. 도시한 바와 같이, 기판(21)의 바닥면(21u)에 대해, 상기 제1 경사면(21a)의 경사각(θ)이 제2 경사면(21b)의 경사각보다 더 크다.
특히, 상기 제1 경사면(21a)은 스크라이빙 면(21as)과 브레이킹 면(21ac)을 포함할 수 있다. 상기 스크라이빙 면(21as)은 다이아몬드 블레이드 또는 레이저 조사에 의해 형성된 면일 수 있다. 특히, 레이저 조사에 의해 형성된 경우, 상기 스크라이빙 면(21as)은 레이저에 의해 개질된 표면을 가질 수 있다. 스크라이빙 면(21as)은 기판(21)의 상부측에서 기판 두께(Ds)에 형성된다.
한편, 브레이킹 면(21ac)은 기판(21)이 분할될 때 기판(21)이 깨져서 형성된 면으로, 상기 스크라이빙 면(21as)에서 이어진다. 브레이킹면(21ac)은 단일 평면(예컨대 m면)일 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 수직한 경사면에서 완만한 경사면으로 단계적으로 변하는 면일 수 있다. 예컨대, 브레이킹 면(21ac)은 m면에서 r면측으로 변하는 면일 수 있다.
상기 제2 경사면(21b) 또한 브레이킹 면으로서, 상기 브레이킹 면(21ac)에서 기판(21)의 바닥면(21u)으로 이어진다. 상기 제2 경사면(21b)은 기판(21)의 바닥면(21u)에 대해 45도 내지 70도의 경사각(θ)을 가질 수 있다. 브레이킹 면(21ac)과 제2 경사면(21b)은 기판 두께(Db)에 형성된다.
특정 실시예에 있어서, 상기 브레이킹면(21ac)은 제2 경사면(21b)에 비해 상대적으로 m면에 가깝고, 상기 제2 경사면(21b)은 상기 제1 브레이킹면(21ac)에 비해 상대적으로 r면에 가까울 수 있다. 또한, 상기 제2 경사면(21b)은 r면을 포함할 수 있다.
한편, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 측면(좌측 측면)의 제2 경사면(21b)과 제2 측면(우측 측면)의 제2 경사면(21b)은 단일 평면으로 서로 평행할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 측면의 제2 경사면(21b) 및 제2 측면의 제2 경사면(21b)은 단일 평면이 아니라 복수의 평면이 단계적으로 연결된 면일 수 있다. 나아가, 제1 측면의 제2 경사면(21b)과 제2 측면의 제2 경사면(21b)은 서로 다른 경사각(θ)을 가질 수도 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 3(a)는 종래의 웨이퍼 분할 방법을 이용한 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이고, 도 3(b)는 본 발명에 따른 웨이퍼 분할 방법을 이용한 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3(a)를 참조하면, 종래의 웨이퍼 분할 방법은, 기판(21) 상에 반도체 적층 구조(30)가 형성된 웨이퍼(50)의 주면에 스크라이빙 홈(21h)을 형성하는 것을 포함한다. 스크라이빙 홈(21h)은 웨이퍼(50) 주면 상의 스트리트들을 따라 웨이퍼(50)의 주면에 수직하게 레이저를 조사하여 형성될 수 있다. 그 후, 상기 웨이퍼(50)를 서로 이격된 받침대들(51) 상에 배치하고, 스크라이빙 홈(21h) 바로 아래의 웨이퍼(50) 이면에 블레이드 날(53)을 접촉시켜 충격을 가함으로써 웨이퍼(50)를 브레이킹한다. 스트리트들을 따라 형성된 스크라이빙 홈들(21h)에서 웨이퍼(50)를 브레이킹함으로써 4개의 측면을 갖는 개별 칩이 완성된다.
종래의 웨이퍼 분할 방법에 따라 제조된 발광 소자는 직육면체 형상의 기판(21)을 갖는다. 즉, 기판(21)의 측면들이 기판(21)의 바닥면에 대해 모두 수직한경사각을 이루며, 따라서 기판(21)의 측면들에서 내부 전반사가 쉽게 발생한다.
도 3(b)를 참조하면, 본 발명의 웨이퍼 분할 방법은, 종래의 웨이퍼 분할 방법과 동일한 순서로 웨이퍼를 분할하여 개별 칩을 완성한다. 다만, 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 분할 방법은, 웨이퍼(50)의 이면에 접촉하여 충격을 가하는 블레이드 날(53)의 위치가, 스크라이빙 홈(21h)의 바로 아래에 위치하지 않고, 소정 거리 이격하여, 즉, 오프셋하여 위치한다.
상기 블레이드 날(53)은 스크라이빙 홈(21h)의 바로 아래에서 수평 방향으로 50 내지 150㎛ 범위 내에서 이격될 수 있으며, 더 바람직하게는 80 내지 100㎛ 범위 내에서 이격될 수 있다.
한편, 받침대들(51) 사이의 영역 상에 상기 홈(21h)과 블레이드 날(53)의 접촉 위치가 위치한다. 받침대들(51) 사이의 간격은 스크라이빙 홈(21h)의 바로 아래에서 수평 방향으로의 블레이드 날(53)의 이격 거리의 2배 내지 2.5배일 수 있다. 상기 블레이드 날(53)은 하나의 받침대(51) 측에 치우져 웨이퍼(50)에 접촉하고, 스크라빙 홈(21h)은 다른 하나의 받침대(51) 측에 치우쳐 배치될 수 있다. 여기서, 상기 받침대들(51)은 서로 이격된 두 개의 평행한 받침대들일 수 있으나, 중공부를 갖는 하나의 받침대일 수도 있다.
블레이드 날(53)을 오프셋하여 웨이퍼(50)를 브레이킹하면, 스크라이빙 홈(21h)으로부터 블레이드 날(53)이 접촉하는 위치로 크랙이 진행한다. 레이저를 웨이퍼(50) 주면에 수직하게 조사한 경우, 상기 크랙은 우선 기판(21)의 바닥면에 수직한 결정면을 따라 진행하고, 그 후, 블레이드 날(53)의 접촉 위치로 변경된다.이에 따라, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 발광 소자(100)가 제조될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 기판(21)의 두께(Ds+Db), 스크라빙 홈(21h)의 깊이(Ds), 블레이드 날(53)의 오프셋 거리, 상기 받침대들(51) 사이의 간격 등을 조절하여 제2 경사면(21b)의 경사각을 45 내지 70도 범위에서 조절할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 발광 소자의 SEM 이미지들이다. 여기서, 도 4(a)는 발광 소자의 사시도를 보여주고, 도 4(b)는 발광 소자의 단면도를 보여준다. 상기 발광 소자는, 레이저를 이용하여 스크라이빙 홈(21h)을 형성하고, 블레이드 날을 이용하여 기판을 분할하여 제조되었다.
도 4(a) 및 (b)를 참조하면, 발광 소자의 상부측에 레이저 조사에 의해 개질된 표면이 관찰된다. 이 부분이 스크라이빙 면(21as)에 해당한다. 한편, 상기 스크라이빙 면(21as)에서 대체로 수직하게 아래로 경사진 경사면이 관찰되며, 이 수직한 경사면으로부터 상대적으로 완만한 경사면이 기판의 바닥면으로 이어지는 것을 확인할 수 있다. 상기 수직한 경사면이 제1 경사면의 브레이킹면(21ac)에 해당하며, 상기 완만한 경사면인 제2 경사면(21b)에 해당한다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 패키지는 반사면(71a)을 구비하는 하우징(71)을 포함한다. 발광 소자(100)가 상기 패키지 하우징 내에 실장된다. 발광 소자(100)는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 것으로 상세한 설명은 생략한다. 상기 발광 소자(100)는 형광체를 함유하는 몰딩 부재(73)로 덮일 수 있다.
발광 소자(100)가 기판(21)의 바닥면(21u)에 대해 45도 내지 70도 범위의 경사각으로 경사진 측면을 포함하기 때문에, 발광 소자(100)에서 방출된 광이 패키지 하우징(71)에서 반사된 후, 다시 발광 소자(100)로 재입사되어 손실되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 몰딩 부재(73) 내에 함유된 형광체가 비중에 의해 아래로 가라앉을 때, 형광체의 일부는 발광 소자(100)의 측면에 퇴적된다. 이에 따라, 상기 패키지는 형광체의 이용 효율을 증가시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조된 발광 소자의 광 출력을 설명하기 위한 그래프들이다. (a)는 칩 레벨에서 측정한 광 출력을 나타내고, (b)는 Ag 스템 상에 발광 소자를 실장하여 측정한 광 출력을 나타내고, (c)는 패키지 레벨에서 측정한 광 출력을 나타낸다. 각 도면들은, 종래 기술에 따라 제조된 10개의 발광 소자와 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 10개의 발광 소자의 광 출력을 나타낸다.
도 6을 참조하면, 칩 레벨, Ag 스템, 및 패키지 레벨에서 측정한 모든 결과에서 본 발명의 실시예에 따라 제조된 발광 소자의 광 출력이 종래 기술에 따라 제조된 발광 소자의 광 출력보다 1.5% 이상 향상되었다. 더욱이, 칩 레벨 및 패키지 레벨에서, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 발광 소자들의 광 출력이 종래 기술에 따라 제조된 발광 소자들의 광 출력보다 더 균일한 특성을 나타내는 것을 알 수 있다.
앞서, 다양한 실시예들에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이들 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형이 가능하다.

Claims (20)

  1. 제1 측면 및 상기 제1 측면에 대향하는 제2 측면을 갖는 기판; 및
    상기 기판 상에 위치하는 반도체 적층 구조체를 포함하며,
    상기 기판의 바닥면은, 상기 제1 측면과 예각을 이루고, 상기 제2 측면과 둔각을 이루며,
    상기 제1 측면 및 제2 측면 각각은 상기 기판의 상면에서 이어진 제1 경사면 및 상기 기판의 바닥면에서 이어진 제2 경사면을 포함하고,
    상기 기판의 바닥면에 대해, 상기 제1 경사면이 제2 경사면보다 더 큰 경사각을 갖는 발광 소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 경사면은, 스크라이빙 면 및 스크라이빙 면과 상기 제2 경사면을 연결하는 제1 브레이킹면을 포함하는 발광 소자.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 스크라이빙 면은 레이저 스크라이빙 면인 발광 소자.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 제2 경사면은, 제2 브레이킹면인 발광 소자.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 브레이킹면은 제2 브레이킹면에 비해 상대적으로 m면에 가깝고, 상기 제2 브레이킹면은 상기 제1 브레이킹면에 비해 상대적으로 r면에 가까운 발광 소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 경사면은 상기 기판의 바닥면에 대해 45도 내지 70도의 경사각을 갖는 발광 소자.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 기판은 단결정 기판인 발광 소자.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 단결정 기판은 사파이어 기판인 발광 소자.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 사파이어 기판의 두께는 80 내지 120㎛인 발광 소자.
  10. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 측면의 제2 경사면과 상기 제2 측면의 제2 경사면은 서로 다른 경사각을 갖는 발광 소자.
  11. 웨이퍼 주면에 스크라이빙 홈들을 형성하고;
    상기 웨이퍼 이면에 블레이드 날을 접촉시켜 충격을 가함으로써, 상기 웨이퍼를 브레이킹하는 것을 포함하되,
    상기 블레이드 날은 상기 스크라이빙 홈의 바로 아래의 위치로부터 소정 거리 이격되어 상기 웨이퍼 이면에 접촉하는 웨이퍼 분할 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 스크라이빙 홈들은 상기 웨이퍼 주면에 레이저를 조사함으로써 형성되는 웨이퍼 분할 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 레이저는 상기 웨이퍼 주면에 수직하게 조사되는 웨이퍼 분할 방법.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 블레이드 날은 상기 스크라이빙 홈의 바로 아래 위치로부터 50 내지 150㎛ 이격되어 상기 웨이퍼 이면에 접촉하는 웨이퍼 분할 방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 블레이드 날은 상기 스크라이빙 홈의 바로 아래 위치로부터 80 내지 100㎛ 이격되어 상기 웨이퍼 이면에 접촉하는 웨이퍼 분할 방법.
  16. 청구항 11에 있어서,
    상기 웨이퍼는 서로 이격된 받침대들 상에 위치하되,
    상기 스크라이빙 홈과 상기 블레이드 날의 접촉 위치가 상기 받침대들 사이의 영역 상에 위치하는 웨이퍼 분할 방법.
  17. 웨이퍼 주면에 스크라이빙 홈들을 형성하고;
    상기 웨이퍼 이면에 블레이드 날을 접촉시켜 충격을 가함으로써, 상기 웨이퍼를 브레이킹하여 발광 소자를 형성하는 것을 포함하되,
    상기 발광 소자는, 제1 측면 및 상기 제1 측면에 대향하는 제2 측면을 갖는 기판; 및 상기 기판 상에 위치하는 반도체 적층 구조체를 포함하며,
    상기 기판의 바닥면은, 상기 제1 측면과 예각을 이루고, 상기 제2 측면과 둔각을 이루며,
    상기 제1 측면 및 제2 측면 각각은 상기 기판의 상면에서 이어진 제1 경사면 및 상기 기판의 바닥면에서 이어진 제2 경사면을 포함하고,
    상기 기판의 바닥면에 대해, 상기 제1 경사면이 제2 경사면보다 더 큰 경사각을 갖는 발광 소자 제조 방법.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 제1 경사면은, 스크라이빙 면 및 스크라이빙 면과 상기 제2 경사면을 연결하는 제1 브레이킹면을 포함하는 발광 소자 제조 방법.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 제2 경사면은 상기 기판의 바닥면에 대해 45도 내지 70도의 경사각을 갖는 발광 소자 제조 방법.
  20. 청구항 17에 있어서,
    상기 제1 경사면은 제2 경사면에 비해 상대적으로 m면에 가깝고, 상기 제2 경사면은 상기 제1 경사면에 비해 상대적으로 r면에 가까운 발광 소자 제조 방법.
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