KR20140079513A - 웨이퍼의 처리 방법 - Google Patents

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다카히로 아사오
고조 우에다
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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 접착제 조성물을 개재하여 웨이퍼를 지지판에 고정시킨 상태에서 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼의 처리 방법으로서, 보다 높은 생산 효율을 실현한 웨이퍼의 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 접착제 성분과, 자외선을 조사함으로써 기체를 발생시키는 기체 발생제를 함유하는 접착제 조성물을 개재하여 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 지지판 고정 공정과, 상기 지지판에 고정된 웨이퍼에 처리를 실시하는 웨이퍼 처리 공정과, 상기 처리 후의 웨이퍼에 자외선을 조사하여 상기 기체 발생제로부터 기체를 발생시켜, 지지판을 웨이퍼로부터 박리하는 지지판 박리 공정을 갖는 웨이퍼의 처리 방법으로서, 상기 지지판 박리 공정에 있어서, 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 점상 또는 선상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사하는 웨이퍼의 처리 방법이다.

Description

웨이퍼의 처리 방법{PROCESSING METHOD FOR WAFER}
본 발명은 접착제 조성물을 개재하여 웨이퍼를 지지판에 고정시킨 상태에서 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼의 처리 방법으로서, 보다 높은 생산 효율을 실현한 웨이퍼의 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 칩의 제조 공정에 있어서는, 웨이퍼의 가공시에 취급을 용이하게 하고, 파손되거나 하지 않게 하기 위해 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 것이 행해지고 있다. 예를 들어, 고순도의 실리콘 단결정 등으로부터 잘라낸 후막 웨이퍼를 소정 두께로까지 연삭하여 박막 웨이퍼로 하는 경우에, 접착제 조성물을 개재하여 후막 웨이퍼를 지지판에 접착시키는 것이 행해진다.
웨이퍼를 지지판에 접착시키는 접착제 조성물에는, 가공 공정 중에 웨이퍼를 강고하게 고정시킬 수 있을 만큼의 높은 점착성과 함께, 공정 종료 후에는 웨이퍼를 손상시키지 않고 박리할 수 있을 것이 요구된다 (이하,「고접착 박리 용이」라고도 한다).
고접착 박리 용이를 실현한 접착제 조성물로서, 특허문헌 1 에는, 아조 화합물 등의 자외선을 조사함으로써 기체를 발생시키는 기체 발생제를 함유하는 점착층을 갖는 양면 점착 테이프를 사용한 웨이퍼의 처리 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 1 에 기재된 웨이퍼의 처리 방법에서는, 먼저, 양면 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 지지판에 고정시킨다. 그 상태에서 연삭 공정 등을 실시한 후에 자외선을 조사하면, 기체 발생제로부터 발생한 기체가 테이프의 표면과 웨이퍼의 계면으로 방출되고, 그 압력에 의해 적어도 일부가 박리된다.
특허문헌 1 에 기재된 웨이퍼의 처리 방법은, 처리 후의 웨이퍼를 손상시키지 않고, 또한 점착제 잔여물도 발생시키지 않고 박리할 수 있다는 점에서 매우 우수한 방법이다. 그러나, 반도체 장치가 점점 더 보급됨으로써, 웨이퍼의 처리 방법에는 항상 추가적인 개량이 계속해서 요구되고 있다. 특허문헌 1 에 기재된 웨이퍼의 처리 방법도 오늘날에 있어서는 생산 효율 면에서 불만족스럽게 느껴지게 되었다.
일본 공개특허공보 2003-231872호
본 발명은 상기 현 상황을 감안하여, 접착제 조성물을 개재하여 웨이퍼를 지지판에 고정시킨 상태에서 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼의 처리 방법으로서, 보다 높은 생산 효율을 실현한 웨이퍼의 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 접착제 성분과, 자외선을 조사함으로써 기체를 발생시키는 기체 발생제를 함유하는 접착제 조성물을 개재하여 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 지지판 고정 공정과, 상기 지지판에 고정된 웨이퍼에 처리를 실시하는 웨이퍼 처리 공정과, 상기 처리 후의 웨이퍼에 자외선을 조사하여 상기 기체 발생제로부터 기체를 발생시켜, 지지판을 웨이퍼로부터 박리하는 지지판 박리 공정을 갖는 웨이퍼의 처리 방법으로서, 상기 지지판 박리 공정에 있어서, 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 점상 또는 선상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사하는 웨이퍼의 처리 방법이다.
이하에 본 발명을 상세하게 서술한다.
본원의 발명자는, 특허문헌 1 에 기재된 웨이퍼의 처리 방법의 전반에 걸쳐 생산 효율의 재검토를 실시하였다. 그리고, 처리 후의 웨이퍼에 자외선을 조사하여 기체 발생제로부터 기체를 발생시켜 지지판을 웨이퍼로부터 박리하는 공정이 율속으로 되어 있는 것을 알아냈다. 즉, 자외선의 조사를 개시하고 나서 웨이퍼와 지지판을 박리할 수 있게 될 때까지 시간이 걸리고, 그로 인해 전체의 생산 효율에 영향을 주고 있었다.
종래의 웨이퍼의 처리 방법에서는, 자외선은 웨이퍼의 전체면에 균일하게 조사되고 있었다. 그러나, 이 방법에서는, 자외선의 조사 강도가 낮고, 기체의 발생에 의한 박리 압력이 불충분하였기 때문에, 박리에 시간을 필요로 한 것으로 생각되었다. 이에 대해, 고조사능의 자외선 조사 장치를 사용하는 것도 고려되었지만, 처음부터 현 시점에서는 그렇게까지 대조사량의 자외선 조사 장치는 시판되어 있지 않았고, 만약 있었다고 하더라도 고가인 데다가 고온을 발하여 웨이퍼에 악영향을 줄 우려도 있다. 또한, 자외선을 웨이퍼의 전체면에 균일하게 조사한 경우, 발생한 기체가 지지판과 접착제 조성물 사이에 머무름으로써, 얇고 취약한 웨이퍼를 파괴해 버리거나, 지지판이 변형되어 웨이퍼측의 접착제 조성물이 박리되어 버려 지지판만을 박리할 수 없어, 웨이퍼 처리의 작업 공정에 큰 영향을 주거나 할 우려도 있다.
점상 또는 선상의 좁은 영역으로 좁힌다면, 100 ㎽/㎠ 이상의 고조사 강도로 자외선을 조사할 수 있는 자외선 조사 장치는 시판되고 있다. 그래서, 본원의 발명자는 더욱 예의 검토한 결과, 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 점상 또는 선상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사함으로써, 기체가 발생하는 부위를 제어하여 발생한 기체가 지지판과 접착제 조성물 사이에 머무르지 않도록 할 수 있고, 또한 자외선의 조사를 개시하고 나서 웨이퍼와 지지판을 박리할 수 있게 될 때까지의 시간을 현저히 단축시키고, 그에 따라 전체의 생산 효율을 개선할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 웨이퍼의 처리 방법에서는, 먼저, 접착제 성분과, 자극에 의해 기체를 발생시키는 기체 발생제를 함유하는 접착제 조성물을 개재하여 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 지지판 고정 공정을 실시한다. 웨이퍼를 지지판에 고정시킴으로써, 가공시에 취급을 용이하게 하고, 파손시키거나 하지 않게 할 수 있다.
상기 접착제 성분은 특별히 한정되지 않고, 비경화형 접착제, 경화형 접착제 중 어느 것을 함유하는 것이어도 된다.
상기 접착제 성분이 비경화형 접착제를 함유하는 경우에는, 후술하는 지지판 박리 공정에 있어서 접착제 조성물에 자극을 줌으로써 상기 기체 발생제로부터 기체가 발생하고, 발생한 기체에 의해 유연한 접착제 성분 전체가 발포하여 표면에 요철이 형성되어, 피착체와의 접착 면적이 감소하여 박리된다.
상기 접착제 성분이 경화형 접착제를 함유하는 경우에는, 후술하는 지지판 박리 공정에 있어서 접착제 조성물에 자극을 줌으로써 상기 기체 발생제로부터 기체가 발생하고, 발생한 기체는 경화된 접착제 성분으로부터 피착체와의 계면으로 방출되고, 그 압력에 의해 피착체의 적어도 일부가 박리된다.
그 중에서도, 점착제 잔여물을 발생시키지 않고 확실한 박리를 실시할 수 있는 점에서, 자극에 의해 탄성률이 상승하는 경화형 접착제를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 비경화형 접착제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 고무계 접착제, 아크릴계 접착제, 비닐알킬에테르계 접착제, 실리콘계 접착제, 폴리에스테르계 접착제, 폴리아미드계 접착제, 우레탄계 접착제, 스티렌ㆍ디엔 블록 공중합체계 접착제 등을 들 수 있다.
상기 경화형 접착제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 중합성 폴리머를 주성분으로 하여, 광 중합 개시제나 열 중합 개시제를 함유하는 광 경화형 접착제나 열 경화형 접착제를 들 수 있다.
이와 같은 광 경화형 접착제나 열 경화형 접착제는, 광의 조사 또는 가열에 의해 접착제 전체가 균일하고 또한 신속하게 중합 가교하여 일체화되기 때문에, 중합 경화에 의한 탄성률의 상승이 현저해져, 접착력이 크게 저하된다. 또, 탄성률이 상승한 단단한 경화물 내에서 상기 기체 발생제로부터 기체를 발생시키면, 발생한 기체 대부분은 외부로 방출되고, 방출된 기체는, 피착체로부터 점착제의 접착면의 적어도 일부를 벗겨내어 접착력을 저하시킨다.
상기 중합성 폴리머는, 예를 들어, 분자 내에 관능기를 가진 (메트)아크릴계 폴리머 (이하, 관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머라고 한다) 를 미리 합성하고, 분자 내에 상기의 관능기와 반응하는 관능기와 라디칼 중합성의 불포화 결합을 갖는 화합물 (이하, 관능기 함유 불포화 화합물이라고 한다) 과 반응시킴으로써 얻을 수 있다.
상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머는, 상온에서 점착성을 갖는 폴리머로서, 일반적인 (메트)아크릴계 폴리머의 경우와 마찬가지로, 알킬기의 탄소수가 통상적으로 2 ∼ 18 의 범위에 있는 아크릴산알킬에스테르 및/또는 메타크릴산알킬에스테르를 주 모노머로 하고, 이것과 관능기 함유 모노머와, 추가로 필요에 따라 이들과 공중합 가능한 다른 개질용 모노머를 통상적인 방법에 의해 공중합시킴으로써 얻어지는 것이다. 상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머의 중량 평균 분자량은 통상적으로 20 만 ∼ 200 만 정도이다.
상기 관능기 함유 모노머로는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산 등의 카르복실기 함유 모노머 ; 아크릴산하이드록시에틸, 메타크릴산하이드록시에틸 등의 하이드록실기 함유 모노머 ; 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜 등의 에폭시기 함유 모노머 ; 아크릴산이소시아네이트에틸, 메타크릴산이소시아네이트에틸 등의 이소시아네이트기 함유 모노머 ; 아크릴산아미노에틸, 메타크릴산아미노에틸 등의 아미노기 함유 모노머 등을 들 수 있다.
상기 공중합 가능한 다른 개질용 모노머로는, 예를 들어, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등의 일반적인 (메트)아크릴계 폴리머에 사용되고 있는 각종의 모노머를 들 수 있다.
상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머에 반응시키는 관능기 함유 불포화 화합물로는, 상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머의 관능기에 따라 상기 서술한 관능기 함유 모노머와 동일한 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 관능기 함유 (메트)아크릴계 폴리머의 관능기가 카르복실기인 경우에는 에폭시기 함유 모노머나 이소시아네이트기 함유 모노머가 사용되고, 동 관능기가 하이드록실기인 경우에는 이소시아네이트기 함유 모노머가 사용되고, 동 관능기가 에폭시기인 경우에는 카르복실기 함유 모노머나 아크릴아미드 등의 아미드기 함유 모노머가 사용되고, 동 관능기가 아미노기인 경우에는 에폭시기 함유 모노머가 사용된다.
상기 광 중합 개시제는, 예를 들어, 250 ∼ 800 ㎚ 의 파장의 광을 조사함으로써 활성화되는 것을 들 수 있고, 이와 같은 광 중합 개시제로는, 예를 들어, 메톡시아세토페논 등의 아세토페논 유도체 화합물 ; 벤조인프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물 ; 벤질디메틸케탈, 아세토페논디에틸케탈 등의 케탈 유도체 화합물 ; 포스핀옥사이드 유도체 화합물 ; 비스(η5-시클로펜타디에닐)티타노센 유도체 화합물, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, α-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시메틸페닐프로판 등의 광 라디칼 중합 개시제를 들 수 있다. 이들 광 중합 개시제는 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
상기 열 중합 개시제로는, 열에 의해 분해되고, 중합 경화를 개시하는 활성 라디칼을 발생시키는 것을 들 수 있고, 예를 들어, 디쿠밀퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시벤조에이트, t-부틸하이드로퍼옥사이드, 벤조일퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 디이소프로필벤젠하이드로퍼옥사이드, 파라멘탄하이드로퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드 등을 들 수 있다.
단, 본 발명의 접착제 조성물이 높은 내열성을 발휘하기 위해서는, 상기 열 중합 개시제는, 열 분해 온도가 200 ℃ 이상인 열 중합 개시제를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 열 분해 온도가 높은 열 중합 개시제는, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 파라멘탄하이드로퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드 등을 들 수 있다.
이들 열 중합 개시제 중 시판되고 있는 것으로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 퍼부틸 D, 퍼부틸 H, 퍼부틸 P, 퍼멘타 H (이상 모두 니치유사 제조) 등이 바람직하다. 이들 열 중합 개시제는 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
상기 광 경화형 접착제나 열 경화형 접착제는, 추가로, 라디칼 중합성의 다관능 올리고머 또는 모노머를 함유하는 것이 바람직하다. 라디칼 중합성의 다관능 올리고머 또는 모노머를 함유함으로써 광 경화성, 열 경화성이 향상된다.
상기 다관능 올리고머 또는 모노머는, 분자량이 1 만 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 가열 또는 광의 조사에 의한 점착제층의 3 차원 망상화가 효율적으로 이루어지도록, 그 분자량이 5000 이하이고 또한 분자 내의 라디칼 중합성의 불포화 결합의 수가 2 ∼ 20 개인 것이다.
상기 다관능 올리고머 또는 모노머는, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 또는 상기와 동일한 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다. 그 밖에, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 ＃700 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 시판되는 올리고에스테르아크릴레이트, 상기와 동일한 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들 다관능 올리고머 또는 모노머는 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
상기 기체 발생제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 아조 화합물, 아지드 화합물 등의 종래 공지된 기체 발생제를 사용할 수 있다.
또, 약액 처리, 가열 처리 또는 발열을 수반하는 처리를 웨이퍼에 실시하는 경우에는, 이들 처리에 의해서도 박리되지 않는, 즉, 이들 처리에 대한 내성이 우수한 기체 발생제를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 기체 발생제로는, 예를 들어, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 카르복실산 화합물 또는 그 염도 바람직하다. 이와 같은 기체 발생제는, 자외선 등의 광을 조사함으로써 기체 (이산화탄소 가스) 를 발생시키는 한편, 200 ℃ 정도의 고온화에서도 분해되지 않는 높은 내열성을 갖는다. 또, 산, 알칼리, 유기 용제 등의 약액에 대한 내성도 우수하다. 이와 같은 기체 발생제는, 가혹한 웨이퍼 처리 공정에 있어서도 반응하여 기체를 발생시켜 버리는 경우가 없다.
[화학식 1]
Figure pct00001
식 (1) 중, R1 ∼ R7 은 각각 수소 또는 유기기를 나타낸다. R1 ∼ R7 은 동일해도 되고, 상이해도 된다. R1 ∼ R7 중 2 개가 서로 결합하여, 고리형 구조를 형성하고 있어도 된다.
상기 일반식 (1) 에 있어서의 유기기는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 이소부틸기 등의 알킬기나, 메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기나, 카르복실기나, 수산기나, 니트로기나, 페닐기 등의 방향족기나, 나프틸기, 플루오레닐기, 피레닐기 등의 다고리형 탄화수소기나, 비페닐기 등의 고리 집합 탄화수소기나, 크산테닐기 등의 헤테로 고리기 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 상기 일반식 (1) 중의 R3 ∼ R7 중 1 개가, 하기 일반식 (2) 로 나타내는 유기기이거나, 또는 상기 일반식 (1) 중의 R3 ∼ R7 중 인접하는 2 개가 서로 결합하여 하기 식 (3) 으로 나타내는 고리형 구조를 형성하고 있는 것이 바람직하다.
[화학식 2]
Figure pct00002
식 (2) 중, R8 ∼ R12 는 각각 수소 또는 유기기를 나타낸다. R8 ∼ R12 는 동일해도 되고, 상이해도 된다. R8 ∼ R12 중 2 개가 서로 결합하여, 고리형 구조를 형성하고 있어도 된다.
식 (3) 중, R13 ∼ R16 은 각각 수소 또는 유기기를 나타낸다. R13 ∼ R16 은 동일해도 되고, 상이해도 된다. R13 ∼ R16 중 2 개가 서로 결합하여, 고리형 구조를 형성하고 있어도 된다.
또, 상기 일반식 (1) 중의 R1 은, 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 식 (1) 로 나타내는 카르복실산 화합물의 구체예로는, 예를 들어, 페닐아세트산, 디페닐아세트산, 트리페닐아세트산, 2-페닐프로피온산, 2,2-디페닐프로피온산, 2,2,2-트리페닐프로피온산, 2-페닐부틸산, α-메톡시페닐아세트산, 만델산, 아트로락트산, 벤질산, 트로프산, 페닐말론산, 페닐숙신산, 3-메틸-2-페닐부티르산, 오르토톨루일아세트산, 메타톨루일아세트산, 4-이소부틸-α-메틸페닐아세트산, 파라톨루일아세트산, 1,2-페닐렌디아세트산, 1,3-페닐렌디아세트산, 1,4-페닐렌디아세트산, 2-메톡시페닐아세트산, 2-하이드록시페닐아세트산, 2-니트로페닐아세트산, 3-니트로페닐아세트산, 4-니트로페닐아세트산, 2-(4-니트로페닐)프로피온산, 3-(4-니트로페닐)프로피온산, 4-(4-니트로페닐)프로피온산, 3,4-디메톡시페닐아세트산, 3,4-(메틸렌디옥시)페닐아세트산, 2,5-디메톡시페닐아세트산, 3,5-디메톡시페닐아세트산, 3,4,5-트리메톡시페닐아세트산, 2,4-디니트로페닐아세트산, 4-비페닐아세트산, 1-나프틸아세트산, 2-나프틸아세트산, 6-메톡시-α-메틸-2-나프틸아세트산, 1-피렌아세트산, 9-플루오렌카르복실산 또는 9H-크산텐-9-카르복실산 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 상기 식 (1) 로 나타내는 카르복실산 화합물은, 하기 식 (1-1) 로 나타내는 케토프로펜, 또는 하기 식 (1-2) 로 나타내는 2-크산톤아세트산인 것이 바람직하다.
[화학식 3]
Figure pct00003
상기 식 (1) 로 나타내는 카르복실산 화합물의 염도, 상기 식 (1) 로 나타내는 카르복실산 화합물에서 유래하는 골격을 갖는 점에서, 광이 조사되면 용이하게 탈탄산을 일으켜, 이산화탄소 가스를 발생시킬 수 있다.
상기 식 (1) 로 나타내는 카르복실산 화합물의 염은, 상기 식 (1) 로 나타내는 카르복실산 화합물과 염기성 화합물을 용기 중에서 혼합하는 것만으로 복잡한 합성 경로를 거치지 않고 간단하게 조제할 수 있다.
상기 염기성 화합물은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 아민, 하이드라진 화합물, 수산화 4 급 암모늄염, 포스핀 화합물 등을 들 수 있다.
상기 아민은 특별히 한정되지 않고, 1 급 아민, 2 급 아민 및 3 급 아민 중 어느 것도 사용할 수 있다.
그 중에서도 상기 염기성 화합물은, 모노알킬아민 또는 디알킬아민이 바람직하다. 모노알킬아민 또는 디알킬아민을 사용한 경우에는, 얻어지는 상기 식 (1) 로 나타내는 카르복실산 화합물의 염의 극성을 저극성화할 수 있어, 접착제 성분과의 용해성을 높일 수 있다. 보다 바람직하게는, 탄소수 6 ∼ 12 의 모노알킬아민 또는 디알킬아민이다.
상기 기체 발생제는 또한, 하기 일반식 (4), 일반식 (5) 또는 일반식 (6) 으로 나타내는 테트라졸 화합물 혹은 그 염도 바람직하다. 이들 기체 발생제도, 자외선 등의 광을 조사함으로써 기체 (질소 가스) 를 발생시키는 한편, 200 ℃ 정도의 고온화에서도 분해되지 않는 높은 내열성을 갖는다. 또, 산, 알칼리, 유기 용제 등의 약액에 대한 내성도 우수하다. 이들 기체 발생제는, 후술하는 가혹한 웨이퍼 처리 공정에서도 반응하여 기체를 발생시켜 버리는 경우가 없다.
[화학식 4]
Figure pct00004
식 (4) ∼ (6) 중, R21, R22 는 수소, 탄소수가 1 ∼ 7 인 알킬기, 알킬렌기, 페닐기, 메르캅토기, 수산기 또는 아미노기를 나타낸다.
상기 일반식 (4) ∼ (6) 으로 나타내는 테트라졸 화합물의 염도, 상기 일반식 (4) ∼ (6) 으로 나타내는 테트라졸 화합물에서 유래하는 골격을 갖는 점에서, 광이 조사되면 질소 가스를 발생시킬 수 있다.
상기 일반식 (4) ∼ (6) 으로 나타내는 테트라졸 화합물의 염은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염 등을 들 수 있다.
상기 일반식 (4) ∼ (6) 으로 나타내는 테트라졸 화합물의 염은, 상기 일반식 (4) ∼ (6) 으로 나타내는 테트라졸 화합물과 염기성 화합물을 용기 중에서 혼합하는 것만으로 복잡한 합성 경로를 거치지 않고 간단하게 조제할 수 있다.
상기 염기성 화합물은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 아민, 하이드라진 화합물, 수산화 4 급 암모늄염, 포스핀 화합물 등을 들 수 있다.
상기 아민은 특별히 한정되지 않고, 1 급 아민, 2 급 아민 및 3 급 아민 중 어느 것도 사용할 수 있다.
그 중에서도 상기 염기성 화합물은, 모노알킬아민 또는 디알킬아민이 바람직하다. 모노알킬아민 또는 디알킬아민을 사용한 경우에는, 얻어지는 상기 일반식 (4) ∼ (6) 으로 나타내는 테트라졸 화합물의 염의 극성을 저극성화할 수 있어, 접착제 성분과의 용해성을 높일 수 있다. 보다 바람직하게는, 탄소수 6 ∼ 12의 모노알킬아민 또는 디알킬아민이다.
상기 일반식 (4) 로 나타내는 테트라졸 화합물 또는 그 염은 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 예를 들어, 1H-테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 5,5-아조비스-1H-테트라졸, 5-아미노-1H-테트라졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 1-메틸-5-메르캅토-1H-테트라졸, 1-메틸-5-에틸-1H-테트라졸, 1-(디메틸아미노에틸)-5-메르캅토-1H-테트라졸 등을 들 수 있다.
상기 일반식 (5) 로 나타내는 테트라졸 화합물 또는 그 염은 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 예를 들어, 5,5'-비스테트라졸디암모늄염 등을 들 수 있다.
상기 일반식 (6) 으로 나타내는 테트라졸 화합물 또는 그 염은 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 예를 들어, 5,5'-비스테트라졸아민모노암모늄염 등을 들 수 있다.
상기 기체 발생제의 함유량은, 상기 접착제 성분 100 중량부에 대한 바람직한 하한이 5 중량부, 바람직한 상한이 50 중량부이다. 상기 기체 발생제의 함유량이 5 중량부 미만이면, 자외선 조사에 의한 기체의 발생이 적어져 충분한 박리를 실시할 수 없는 경우가 있고, 50 중량부를 초과하면, 접착제 성분에 완전히 녹을 수 없게 되어 접착력이 저하되어 버리는 경우가 있다. 상기 기체 발생제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 10 중량부, 보다 바람직한 상한은 30 중량부이다.
상기 접착제 조성물은, 광 증감제를 함유해도 된다.
상기 광 증감제는, 상기 기체 발생제에 대한 광에 의한 자극을 증폭시키는 효과를 갖는 점에서, 보다 적은 광의 조사에 의해 기체를 방출시킬 수 있다. 또, 보다 넓은 파장 영역의 광에 의해 기체를 방출시킬 수 있다.
상기 광 증감제는, 내열성이 우수한 것이면 특별히 한정되지 않는다.
내열성이 우수한 광 증감제는, 예를 들어, 알콕시기를 적어도 1 개 이상 갖는 다고리 방향족 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 일부가 글리시딜기 또는 수산기로 치환된 알콕시기를 갖는 치환 알콕시 다고리 방향족 화합물이 바람직하다. 이들 광 증감제는 내승화성이 높아, 고온 하에서 사용할 수 있다. 또, 알콕시기의 일부가 글리시딜기나 수산기로 치환됨으로써, 상기 접착제 성분에 대한 용해성이 높아져, 블리드 아웃을 방지할 수 있다.
상기 다고리 방향족 화합물은, 안트라센 유도체가 바람직하다. 상기 알콕시기는, 탄소수 1 ∼ 18 의 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 8 의 것이 보다 바람직하다.
상기 알콕시기를 적어도 1 개 이상 갖는 다고리 방향족 화합물은, 예를 들어, 9,10-디메톡시안트라센, 2-에틸-9,10-디메톡시안트라센, 2-t부틸-9,10-디메톡시안트라센, 2,3-디메틸-9,10-디메톡시안트라센, 9-메톡시-10-메틸안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 2-에틸-9,10-디에톡시안트라센, 2-t부틸-9,10-디에톡시안트라센, 2,3-디메틸-9,10-디에톡시안트라센, 9-에톡시-10-메틸안트라센, 9,10-디프로폭시안트라센, 2-에틸-9,10-디프로폭시안트라센, 2-t부틸-9,10-디프로폭시안트라센, 2,3-디메틸-9,10-디프로폭시안트라센, 9-이소프로폭시-10-메틸안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디벤질옥시안트라센, 2-에틸-9,10-디벤질옥시안트라센, 2-t부틸-9,10-디벤질옥시안트라센, 2,3-디메틸-9,10-디벤질옥시안트라센, 9-벤질옥시-10-메틸안트라센, 9,10-디-α-메틸벤질옥시안트라센, 2-에틸-9,10-디-α-메틸벤질옥시안트라센, 2-t부틸-9,10-디-α-메틸벤질옥시안트라센, 2,3-디메틸-9,10-디-α-메틸벤질옥시안트라센, 9-(α-메틸벤질옥시)-10-메틸안트라센, 9,10-디(2-하이드록시에톡시)안트라센, 2-에틸-9,10-디(2-카르복시에톡시)안트라센 등의 안트라센 유도체 등을 들 수 있다.
상기 일부가 글리시딜기 또는 수산기로 치환된 알콕시기를 갖는 치환 알콕시 다고리 방향족 화합물은, 예를 들어, 9,10-디(글리시딜옥시)안트라센, 2-에틸-9,10-디(글리시딜옥시)안트라센, 2-t부틸-9,10-디(글리시딜옥시)안트라센, 2,3-디메틸-9,10-디(글리시딜옥시)안트라센, 9-(글리시딜옥시)-10-메틸안트라센, 9,10-디(2-비닐옥시에톡시)안트라센, 2-에틸-9,10-디(2-비닐옥시에톡시)안트라센, 2-t부틸-9,10-디(2-비닐옥시에톡시)안트라센, 2,3-디메틸-9,10-디(2-비닐옥시에톡시)안트라센, 9-(2-비닐옥시에톡시)-10-메틸안트라센, 9,10-디(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)안트라센, 2-에틸-9,10-디(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)안트라센, 2-t부틸-9,10-디(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)안트라센, 2,3-디메틸-9,10-디(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)안트라센, 9-(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)-10-메틸안트라센, 9,10-디(p-에폭시페닐메톡시)안트라센, 2-에틸-9,10-디(p-에폭시페닐메톡시)안트라센, 2-t부틸-9,10-디(p-에폭시페닐메톡시)안트라센, 2,3-디메틸-9,10-디(p-에폭시페닐메톡시)안트라센, 9-(p-에폭시페닐메톡시)-10-메틸안트라센, 9,10-디(p-비닐페닐메톡시)안트라센, 2-에틸-9,10-디(p-비닐페닐메톡시)안트라센, 2-t부틸-9,10-디(p-비닐페닐메톡시)안트라센, 2,3-디메틸-9,10-디(p-비닐페닐메톡시)안트라센, 9-(p-비닐페닐메톡시)-10-메틸안트라센, 9,10-디(2-하이드록시에톡시)안트라센, 9,10-디(2-하이드록시프로폭시)안트라센, 9,10-디(2-하이드록시부톡시)안트라센, 9,10-디(2-하이드록시-3-부톡시프로폭시)안트라센, 9,10-디(2-하이드록시-3-(2-에틸헥실옥시)프로폭시)안트라센, 9,10-디(2-하이드록시-3-아릴옥시프로폭시)안트라센, 9,10-디(2-하이드록시-3-페녹시프로폭시)안트라센, 9,10-디(2,3-디하이드록시프로폭시)안트라센 등을 들 수 있다.
상기 광 증감제의 함유량은, 상기 접착제 성분 100 중량부에 대한 바람직한 하한이 0.05 중량부, 바람직한 상한이 10 중량부이다. 상기 광 증감제의 함유량이 0.05 중량부 미만이면, 충분한 증감 효과가 얻어지지 않는 경우가 있고, 10 중량부를 초과하면, 광 증감제에서 유래하는 잔존물이 증가하여, 충분한 박리를 실시할 수 없게 되는 경우가 있다. 상기 광 증감제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.1 중량부, 보다 바람직한 상한은 5 중량부이다.
상기 접착제 조성물은, 점착제로서의 응집력의 조절을 도모할 목적으로, 원하는 바에 따라 이소시아네이트 화합물, 멜라민 화합물, 에폭시 화합물 등의 일반적인 점착제에 배합되는 각종의 다관능성 화합물을 적절히 함유해도 된다.
상기 접착제 조성물은, 가소제, 수지, 계면 활성제, 왁스, 미립자 충전제 등의 공지된 첨가제를 함유해도 된다.
본 발명의 웨이퍼의 처리 방법에 사용하는 접착제 조성물로서, 접착제 성분과, 자외선을 조사함으로써 기체를 발생시키는 기체 발생제를 함유하는 접착제 조성물도 또한 본 발명의 하나이다.
상기 지지판 고정 공정에 있어서 웨이퍼와 지지판의 접착은, 상기 접착제 조성물에 의해 직접 접착시켜도 되고, 적어도 일방의 면에 상기 접착제 조성물로 이루어지는 접착제층을 갖는 양면 점착 테이프를 사용하여 접착시켜도 된다.
상기 양면 점착 테이프는, 기재의 양면에 점착제층을 갖는 서포트 테이프여도 되고, 기재를 갖지 않는 논서포트 테이프여도 된다.
상기 양면 점착 테이프가 서포트 테이프인 경우, 상기 기재는, 예를 들어, 아크릴, 올레핀, 폴리카보네이트, 염화비닐, ABS, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 나일론, 우레탄, 폴리이미드 등의 투명한 수지로 이루어지는 시트, 망목상의 구조를 갖는 시트, 구멍이 뚫린 시트 등을 들 수 있다.
본 발명의 웨이퍼의 처리 방법에서는, 이어서, 상기 지지판에 고정된 웨이퍼에 처리를 실시하는 웨이퍼 처리 공정을 실시한다.
상기 웨이퍼에 대한 처리로는, 예를 들어, 웨이퍼를 일정한 두께가 될 때까지 연삭하는 그라인드 처리 등을 들 수 있다. 또, 최근에는 약액 처리, 가열 처리 또는 발열을 수반하는 처리를 실시하는 것도 행해진다.
상기 약액 처리로는, 예를 들어, 전해 도금, 무전해 도금 등의 도금 처리나, 불산, 수산화테트라메틸암모늄 수용액 (TMAH) 등에 의한 웨트 에칭 처리나, N-메틸-2-피롤리돈, 모노에탄올아민, DMSO 등에 의한 레지스트 박리 프로세스나, 농황산, 암모니아수, 과산화수소수 등에 의한 세정 프로세스 등을 들 수 있다.
상기 가열 처리 또는 발열을 수반하는 처리로는, 예를 들어, 스퍼터링, 증착, 에칭, 화학 기상 성장법 (CVD), 물리 기상 성장법 (PVD), 레지스트 도포ㆍ패터닝, 리플로우 등을 들 수 있다.
본 발명의 웨이퍼의 처리 공정은, 후술하는 지지판 박리 공정에 앞서, 상기 처리 후의 웨이퍼의 처리면에 다이싱 테이프를 첩부 (貼付) 하는 다이싱 테이프 첨부 공정을 가져도 된다. 미리 다이싱 테이프를 첩부해 둠으로써, 지지판 박리 공정에 있어서 지지판을 박리한 후, 신속하게 다이싱 공정으로 진행할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼의 처리 방법에서는, 이어서, 상기 처리 후의 웨이퍼에 자외선을 조사하여 기체 발생제로부터 기체를 발생시켜, 지지판을 웨이퍼로부터 박리하는 지지판 박리 공정을 실시한다. 상기 웨이퍼와 지지판을 접착시키는 접착제 조성물이 기체 발생제를 함유함으로써, 자외선을 조사함으로써 웨이퍼를 파손시키지 않고, 용이하게 웨이퍼를 지지판으로부터 박리할 수 있다.
상기 지지판 박리 공정에 있어서는, 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 점상 또는 선상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사한다. 이로써, 자외선의 조사를 개시하고 나서 웨이퍼와 지지판을 박리할 수 있게 될 때까지의 시간을 현저히 단축시키고, 그로 인해 전체의 생산 효율을 개선할 수 있다. 자외선의 조사 강도가 100 ㎽/㎠ 미만이면, 충분한 양의 기체가 발생하지 않아 박리 압력이 낮아져, 박리를 할 수 없는 경우가 있다. 바람직하게는 조사 강도 200 ㎽/㎠ 이상, 보다 바람직하게는 조사 강도 300 ㎽/㎠ 이상의 점상 또는 선상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사한다.
상기 지지판 박리 공정에 있어서의 점상 또는 선상의 자외선의 조사 강도의 바람직한 상한은 2000 ㎽/㎠ 이다. 자외선의 조사 강도가 2000 ㎽/㎠ 를 초과하면, 발열량이 커져, 상기 접착제 조성물이 타 버리는 경우가 있다. 자외선의 조사 강도의 보다 바람직한 상한은 1750 ㎽/㎠, 더욱 바람직한 상한은 1600 ㎽/㎠ 이다.
상기 지지판 박리 공정에 있어서, 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 점상 또는 선상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사할 때의 주사 속도의 바람직한 하한은 1 ㎜/sec, 바람직한 상한은 200 ㎜/sec 이다. 상기 주사 속도가 1 ㎜/sec 미만이면, 자외선의 광원으로부터의 열에 의해 상기 접착제 조성물이 타 버리는 경우가 있고, 200 ㎜/sec 를 초과하면, 상기 접착제 조성물로부터의 기체의 발생이 불충분해지는 경우가 있다. 상기 주사 속도의 보다 바람직한 하한은 3 ㎜/sec 이상, 보다 바람직한 상한은 150 ㎜/sec 이고, 더욱 바람직한 상한은 100 ㎜/sec 이다.
상기 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 점상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사하는 구체적인 방법의 일례를 도 1 을 사용하여 설명한다.
도 1 에 있어서는, 처리 후의 웨이퍼 (1) 가, 접착제 조성물 (2) 을 개재하여 지지판 (3) 에 고정되어 있다. 이와 같은 상태에서, 지지판 (3) 측으로부터, 자외선 조사구 (4) 로부터 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 점상의 자외선을 조사한다 (도 1(a)). 자외선은 점상으로 조사되는 점에서 웨이퍼의 전체면에는 조사되지 않지만, 조사하면서 자외선 조사구 (4) 를 전후 좌우로 움직임으로써, 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사할 수 있다 (도 1(b)).
또한, 도 1 에 있어서는 자외선 조사구 (4) 를 움직여 주사를 실시하였지만, 처리 후의 웨이퍼 (1)/접착제 조성물 (2)/지지판 (3) 의 적층체측을 움직여도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
점상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 자외선을 조사하는 경우의, 주사 패턴의 일례를 나타내는 모식도를 도 2 에 나타냈다.
도 2(a) 는 자외선 조사의 궤적이 웨이퍼의 외주부에서 중심부를 향해 소용돌이상이 되도록 점상의 자외선을 조사하는 주사 패턴이다.
도 2(b) 는 자외선 조사의 궤적이 웨이퍼의 전체면을 왕복하도록 점상의 자외선을 조사하는 주사 패턴이다.
도 2(c) 는 자외선 조사의 궤적이 웨이퍼의 일방의 절반면을 왕복한 후, 타방의 절반면을 왕복하도록 점상의 자외선을 조사하는 주사 패턴이다.
도 2(d) 는 자외선 조사의 궤적이 웨이퍼의 외주부와 중심부를 왕복하면서 웨이퍼의 전체면을 덮도록 점상의 자외선을 조사하는 주사 패턴이다.
상기 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 선상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사하는 구체적인 방법의 일례를 도 3 을 사용하여 설명한다.
도 3 에 있어서는, 처리 후의 웨이퍼 (1) 가, 접착제 조성물 (2) 을 개재하여 지지판 (3) 에 고정되어 있다. 이와 같은 상태에서, 지지판 (3) 측으로부터, 자외선 조사구 (5) 로부터 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 선상의 자외선을 조사한다 (도 3(a)). 자외선은 선상으로 조사되는 점에서, 웨이퍼의 전체면에는 조사되지 않지만, 조사하면서 자외선 조사구 (5) 를 좌우로 움직임으로써, 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사할 수 있다 (도 3(b)).
또한, 도 3 에 있어서는 자외선 조사구 (5) 를 움직여 주사를 실시하였지만, 처리 후의 웨이퍼 (1)/접착제 조성물 (2)/지지판 (3) 의 적층체측을, 예를 들어 벨트 컨베이어 등에 실어 움직여도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
예를 들어, 도 2(a) ∼ (d) 에 기재하는 바와 같이, 점상 또는 선상의 자외선의 조사는, 웨이퍼의 외주부로부터 개시하는 것이 바람직하다. 이로써, 보다 확실하게 지지판의 박리를 실시할 수 있다.
또한, 점상의 자외선의 조사를 실시할 때의 주사의 방향은 특별히 한정되지 않고, 우측 방향이어도 되고, 좌측 방향이어도 된다. 또, 선상의 자외선의 조사를 실시할 때의 주사의 방향은 특별히 한정되지 않고, 오른쪽부터여도 되고, 왼쪽부터여도 된다.
상기 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 점상 또는 선상의 자외선을 조사할 수 있는 자외선 조사 장치로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 시판되는 고압 수은등, 중압 수은등, 저압 수은등, 메탈 할라이드 램프, LED 램프, 스폿 UV 장치, 펄스 레이저 UV 조사 장치, 컨베이어식 UV 램프, 스캔식 UV 램프 등을 사용할 수 있다.
구체적으로는, 예를 들어, 우시오 전기 주식회사 제조의「스폿 큐어」나 아이 그래픽스사 제조의「아이글란데이지」등의 시판되는 자외선 조사 장치를 사용할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼의 처리 방법에 의하면, 기체가 발생하는 부위를 제어하여, 발생한 기체가 지지판과 접착제 조성물 사이에 머무는 경우가 없게 할 수 있고, 또한 자외선의 조사를 개시하고 나서 웨이퍼와 지지판을 박리할 수 있게 될 때까지의 시간을 현저히 단축시키고, 그에 따라 전체의 생산 효율을 개선할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼의 처리 방법에 의해 처리된 웨이퍼도 또한 본 발명의 하나이다.
본 발명에 의하면, 접착제 조성물을 개재하여 웨이퍼를 지지판에 고정시킨 상태에서 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼의 처리 방법으로서, 보다 높은 생산 효율을 실현한 웨이퍼의 처리 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 점상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사하는 방법의 일례를 설명하는 모식도이다.
도 2 는 점상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 자외선을 조사하는 경우의 주사 패턴의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 3 은 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 선상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사하는 방법의 일례를 설명하는 모식도이다.
이하에 실시예를 들어 본 발명의 양태를 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
(1) 점착 테이프의 조제
온도계, 교반기, 냉각관을 구비한 반응기를 준비하고, 이 반응기 내에 2-에틸헥실아크릴레이트 94 중량부, 아크릴산 1 중량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 5 중량부, 라우릴메르캅탄 0.01 중량부와, 아세트산에틸 180 중량부를 첨가한 후, 반응기를 가열하여 환류를 개시하였다. 계속해서, 상기 반응기 내에, 중합 개시제로서 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산 0.01 중량부를 첨가하고, 환류 하에서 중합을 개시하게 하였다. 다음으로, 중합 개시부터 1 시간 후 및 2 시간 후에도, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산을 0.01 중량부씩 첨가하고, 추가로 중합 개시부터 4 시간 후에 t-헥실퍼옥시피발레이트를 0.05 중량부 첨가하여 중합 반응을 계속시켰다. 그리고, 중합 개시부터 8 시간 후에, 고형분 55 중량％, 중량 평균 분자량 60 만의 아크릴 공중합체를 얻었다.
얻어진 아크릴 공중합체를 함유하는 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대해, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트 3.5 중량부를 첨가하여 반응시키고, 추가로, 반응 후의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대해, 광 중합 개시제 (에사큐어원, 닛폰 시버헤그너사 제조) 0.1 중량부, 폴리이소시아네이트계 가교제 (콜로네이트 L45, 닛폰 폴리우레탄사 제조) 2.5 중량부를 혼합하여 접착제 (1) 의 아세트산에틸 용액을 조제하였다.
접착제 (1) 의 아세트산에틸 용액의 수지 고형분 100 중량부에 대해, 기체 발생제로서 비스테트라졸 Na 염 (마스다 화학사 제조) 20 중량부, 광 증감제로서 9,10-디글리시딜옥시안트라센 1 중량부를 혼합하여 접착제 조성물을 얻었다.
얻어진 접착제 조성물을, 편면에 코로나 처리를 실시한 두께 50 ㎛ 의 투명한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 코로나 처리면 상에, 건조 피막의 두께가 30 ㎛ 가 되도록 독터 나이프로 도공하고, 110 ℃, 5 분간 가열하여 도공 용액을 건조시켰다. 그 후, 40 ℃ 에서 3 일간 정치 (靜置) 양생을 실시하여 접착 테이프를 얻었다.
(2) 웨이퍼의 처리
얻어진 점착 테이프를 직경 20 ㎝ 의 원형으로 절단하고, 직경 20 ㎝, 두께 약 750 ㎛ 의 실리콘 웨이퍼에 진공 중에서 첩부하였다. 실리콘 웨이퍼에 첩부한 면과 반대의 면에, 직경 20 ㎝, 두께 1 ㎜ 의 석영 유리판을 진공 중에서 첩부하여 적층체를 얻었다.
얻어진 적층체의 웨이퍼측을 그라인드 연삭 및 연마를 실시하여, 두께 50 ㎛ 까지 연삭하였다.
얻어진 적층체에 대해, 유리판측으로부터 컨베이어식 UV 조사기 (아이 그래픽스사 제조의「아이글란데이지」) 를 사용하여, 자외선 조사구를 좌우로 움직이면서 254 ㎚ 의 자외선을 조사 강도 300 ㎽/㎠ 의 선상의 자외선을 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사하였다. 또한, 자외선 조사구의 이동은 주사 패턴이 도 3 이 되도록 실시하고, 자외선의 조사 개시부터 웨이퍼 전체면의 주사 완료까지의 시간이 30 초가 되도록 하였다 (주사 속도 : 6.5 ㎜/sec). 그 후, 유리판측으로부터 육안으로 관찰하여 기체가 충분히 발생한 것을 확인하고 나서 유리판과 웨이퍼를 박리하였다.
상기 자외선의 조사부터 유리판과 웨이퍼의 박리까지 2 분간을 필요로 하였다.
(실시예 2)
실시예 1 과 동일한 방법에 의해 얻어진 점착 테이프를 직경 20 ㎝ 의 원형으로 절단하고, 직경 20 ㎝, 두께 약 750 ㎛ 의 실리콘 웨이퍼에 진공 중에서 첩부하였다. 실리콘 웨이퍼에 첩부한 면과 반대의 면에, 직경 20 ㎝, 두께 1 ㎜ 의 석영 유리판을 진공 중에서 첩부하여 적층체를 얻었다.
유리판측으로부터 컨베이어식 UV 조사기 (아이 그래픽스사 제조의「아이글란데이지」) 를 사용하여, 자외선 조사구를 좌우로 움직이면서 254 ㎚ 의 자외선을 조사 강도 100 ㎽/㎠ 의 선상의 자외선을 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 웨이퍼의 처리를 실시하였다. 그 후, 유리판측으로부터 육안으로 관찰하여 기체가 충분히 발생한 것을 확인하고 나서 유리판과 웨이퍼를 박리하였다.
상기 자외선의 조사부터 유리판과 웨이퍼의 박리까지 4 분 30 초간을 필요로 하였다.
(실시예 3)
실시예 1 과 동일한 방법에 의해 얻어진 점착 테이프를 직경 20 ㎝ 의 원형으로 절단하고, 직경 20 ㎝, 두께 약 750 ㎛ 의 실리콘 웨이퍼에 진공 중에서 첩부하였다. 실리콘 웨이퍼에 첩부한 면과 반대의 면에, 직경 20 ㎝, 두께 1 ㎜ 의 석영 유리판을 진공 중에서 첩부하여 적층체를 얻었다.
얻어진 적층체의 웨이퍼측을 그라인드 연삭 및 연마를 실시하여 두께 50 ㎛ 까지 연삭하였다.
얻어진 적층체에 대해, 유리판측으로부터 스폿 UV (우시오 전기사 제조의「스폿 큐어」) 를 사용하여, 자외선 조사구를 전후 좌우로 움직이면서 254 ㎚ 의 자외선을 조사 강도 500 ㎽/㎠ 의 2 ㎝ × 2 ㎝ 의 면적으로 자외선을 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사하였다. 또한, 자외선 조사구의 이동은 도 2(a) 와 같이 되도록 실시하여 자외선의 조사 개시부터 웨이퍼 전체면의 주사 완료까지의 시간이 180 초가 되도록 하였다 (주사 속도 : 11 ㎜/sec). 그 후, 유리판측으로부터 육안으로 관찰하여 기체가 충분히 발생한 것을 확인하고 나서 유리판과 웨이퍼를 박리하였다.
상기 자외선의 조사부터 유리판과 웨이퍼의 박리까지 4 분간을 필요로 하였다.
(실시예 4)
실시예 1 과 동일한 방법에 의해 얻어진 점착 테이프를 직경 20 ㎝ 의 원형으로 절단하고, 직경 20 ㎝, 두께 약 750 ㎛ 의 실리콘 웨이퍼에 진공 중에서 첩부하였다. 실리콘 웨이퍼에 첩부한 면과 반대의 면에, 직경 20 ㎝, 두께 1 ㎜ 의 석영 유리판을 진공 중에서 첩부하여 적층체를 얻었다.
얻어진 적층체의 웨이퍼측을 그라인드 연삭 및 연마를 실시하여 두께 50 ㎛ 까지 연삭하였다.
얻어진 적층체에 대해, 유리판측으로부터 스폿 UV (우시오 전기사 제조의「스폿 큐어」) 를 사용하여, 자외선 조사구를 전후 좌우로 움직이면서 254 ㎚ 의 자외선을 조사 강도 500 ㎽/㎠ 의 2 ㎝ × 2 ㎝ 의 면적으로 자외선을 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사하였다. 또한, 자외선 조사구의 이동은 도 2(b) 와 같이 되도록 실시하여, 자외선의 조사 개시부터 웨이퍼 전체면의 주사 완료까지의 시간이 180 초가 되도록 하였다 (주사 속도 : 11 ㎜/sec). 그 후, 유리판측으로부터 육안으로 관찰하여 기체가 충분히 발생한 것을 확인하고 나서 유리판과 웨이퍼를 박리하였다.
상기 자외선의 조사부터 유리판과 웨이퍼의 박리까지 4 분간을 필요로 하였다.
(실시예 5)
실시예 1 과 동일한 방법에 의해 얻어진 점착 테이프를 직경 20 ㎝ 의 원형으로 절단하고, 직경 20 ㎝, 두께 약 750 ㎛ 의 실리콘 웨이퍼에 진공 중에서 첩부하였다. 실리콘 웨이퍼에 첩부한 면과 반대의 면에, 직경 20 ㎝, 두께 1 ㎜ 의 석영 유리판을 진공 중에서 첩부하여 적층체를 얻었다.
얻어진 적층체의 웨이퍼측을 그라인드 연삭 및 연마를 실시하여 두께 50 ㎛ 까지 연삭하였다.
얻어진 적층체에 대해, 유리판측으로부터 스폿 UV (우시오 전기사 제조의「스폿 큐어」) 를 사용하여, 자외선 조사구를 전후 좌우로 움직이면서 254 ㎚ 의 자외선을 조사 강도 500 ㎽/㎠ 의 2 ㎝ × 2 ㎝ 의 면적으로 자외선을 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사하였다. 또한, 자외선 조사구의 이동은 도 2(c) 와 같이 되도록 실시하고, 자외선의 조사 개시부터 웨이퍼 전체면의 주사 완료까지의 시간이 200 초가 되도록 하였다 (주사 속도 : 10 ㎜/sec). 그 후, 유리판측으로부터 육안으로 관찰하여 기체가 충분히 발생한 것을 확인하고 나서 유리판과 웨이퍼를 박리하였다.
상기 자외선의 조사부터 유리판과 웨이퍼의 박리까지 4 분간을 필요로 하였다.
(실시예 6)
실시예 1 과 동일한 방법에 의해 얻어진 점착 테이프를 직경 20 ㎝ 의 원형으로 절단하고, 직경 20 ㎝, 두께 약 750 ㎛ 의 실리콘 웨이퍼에 진공 중에서 첩부하였다. 실리콘 웨이퍼에 첩부한 면과 반대의 면에, 직경 20 ㎝, 두께 1 ㎜ 의 석영 유리판을 진공 중에서 첩부하여 적층체를 얻었다.
얻어진 적층체의 웨이퍼측을 그라인드 연삭 및 연마를 실시하여 두께 50 ㎛ 까지 연삭하였다.
얻어진 적층체에 대해, 유리판측으로부터 스폿 UV (우시오 전기사 제조의「스폿 큐어」) 를 사용하여, 자외선 조사구를 전후 좌우로 움직이면서 254 ㎚ 의 자외선을 조사 강도 500 ㎽/㎠ 의 2 ㎝ × 2 ㎝ 의 면적으로 자외선을 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사하였다. 또한, 자외선 조사구의 이동은 도 2(d) 와 같이 되도록 실시하고, 자외선의 조사 개시부터 웨이퍼 전체면의 주사 완료까지의 시간이 200 초가 되도록 하였다 (주사 속도 : 10 ㎜/sec). 그 후, 유리판측으로부터 육안으로 관찰하여 기체가 충분히 발생한 것을 확인하고 나서 유리판과 웨이퍼를 박리하였다.
상기 자외선의 조사부터 유리판과 웨이퍼의 박리까지 4 분간을 필요로 하였다.
(비교예 1)
실시예 1 과 동일한 방법에 의해 얻어진 점착 테이프를 직경 20 ㎝ 의 원형으로 절단하고, 직경 20 ㎝, 두께 약 750 ㎛ 의 실리콘 웨이퍼에 진공 중에서 첩부하였다. 실리콘 웨이퍼에 첩부한 면과 반대의 면에, 직경 20 ㎝, 두께 1 ㎜ 의 석영 유리판을 진공 중에서 첩부하여 적층체를 얻었다.
얻어진 적층체의 웨이퍼측을 그라인드 연삭 및 연마를 실시하여 두께 50 ㎛ 까지 연삭하였다.
얻어진 적층체의 전체면에 대해, 유리판측으로부터 초고압 수은등을 사용하여, 254 ㎚ 의 자외선을 유리판 표면에 대한 조사 강도가 80 ㎽/㎠ 가 되도록 조사 강도를 조절하여 6 분간 조사하였다.
그 후, 유리판측으로부터 육안으로 관찰하여 기체가 충분히 발생한 것을 확인하고 나서 유리판과 웨이퍼를 박리하였다.
상기 자외선의 조사부터 유리판과 웨이퍼의 박리까지 10 분간을 필요로 하였다. 발생한 기체가 유리판과 접착 테이프 사이에 머물러 웨이퍼측이 일부 박리되어 버렸기 때문에, 유리판을 웨이퍼로부터 박리하는 시간이 걸렸다.
산업상 이용가능성
본 발명에 의하면, 접착제 조성물을 개재하여 웨이퍼를 지지판에 고정시킨 상태에서 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼의 처리 방법으로서, 보다 높은 생산 효율을 실현한 웨이퍼의 처리 방법을 제공할 수 있다.
1 : 처리 후의 웨이퍼
2 : 접착제 조성물
3 : 지지판
4 : 자외선 조사구
5 : 자외선 조사구

Claims (11)

  1. 접착제 성분과, 자외선을 조사함으로써 기체를 발생시키는 기체 발생제를 함유하는 접착제 조성물을 개재하여 웨이퍼를 지지판에 고정시키는 지지판 고정 공정과, 상기 지지판에 고정된 웨이퍼에 처리를 실시하는 웨이퍼 처리 공정과, 상기 처리 후의 웨이퍼에 자외선을 조사하여 상기 기체 발생제로부터 기체를 발생시켜, 지지판을 웨이퍼로부터 박리하는 지지판 박리 공정을 갖는 웨이퍼의 처리 방법으로서,
    상기 지지판 박리 공정에 있어서, 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 점상 또는 선상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    지지판 박리 공정에 있어서, 자외선 조사의 궤적이 웨이퍼의 외주부에서 중심부를 향해 소용돌이상이 되도록, 점상의 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    지지판 박리 공정에 있어서, 자외선 조사의 궤적이 웨이퍼의 전체면을 왕복하도록, 점상의 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    지지판 박리 공정에 있어서, 자외선 조사의 궤적이 웨이퍼의 일방의 절반면을 왕복한 후, 타방의 절반면을 왕복하도록, 점상의 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    지지판 박리 공정에 있어서, 자외선 조사의 궤적이 웨이퍼의 외주부와 중심부를 왕복하면서 웨이퍼의 전체면을 덮도록, 점상의 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    지지판 박리 공정에 있어서, 웨이퍼 또는 자외선 조사구를 좌우로 움직이면서, 선상의 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    지지판 박리 공정에 있어서, 점상 또는 선상의 자외선의 조사는, 웨이퍼의 외주부로부터 개시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    지지판 박리 공정에 있어서 조사하는 점상 또는 선상의 자외선의 조사 강도가 2000 ㎽/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    지지판 박리 공정에 있어서 조사 강도 100 ㎽/㎠ 이상의 점상 또는 선상의 자외선을 사용하여 웨이퍼의 전체면을 주사하도록 조사할 때의 주사 속도가 1 ∼ 200 ㎜/sec 인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 처리 방법.
  10. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항 또는 제 9 항에 기재된 웨이퍼의 처리 방법에 의해 처리된 것을 특징으로 하는 웨이퍼.
  11. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항, 제 6 항, 제 7 항, 제 8 항 또는 제 9 항에 기재된 웨이퍼의 처리 방법에 사용하는 접착제 조성물로서, 접착제 성분과, 자외선을 조사함으로써 기체를 발생시키는 기체 발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물.
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