KR20140065660A - 기판 및 상기 기판을 포함하는 표시장치 - Google Patents

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Abstract

플라스틱 기판 및 상기 플라스틱 기판의 일면에 위치하고 규소 함유 고분자를 포함하는 평탄화막을 포함하는 표시장치용 기판을 제공한다.

Description

기판 및 상기 기판을 포함하는 표시장치{SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
기판 및 상기 기판을 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
유기 발광 장치 및 액정 표시장치와 같은 표시장치는 소자가 형성되어 있는 기판(substrate)을 포함한다.
표시장치용 기판으로, 일반적으로 유리 기판 또는 플라스틱 기판 등이 사용될 수 있다.
그러나 유리 기판은 무겁고 파손되기 쉬워 휴대성 및 대화면 표시에 한계가 있을 뿐만 아니라 외부의 충격에 의해 손상될 수 있으므로 가요성(flexible) 표시장치에 적용하기 어렵다.
플라스틱 기판은 플라스틱 소재로 만들어짐으로써 휴대성, 안전성 및 경량성 등 유리 기판에 비하여 많은 이점을 가질 수 있다. 또한 플라스틱 기판은 공정적인 측면에서도 증착 또는 프린팅에 의해 제작이 가능하므로 제조 비용을 낮출 수 있고, 기존의 시트(sheet) 단위의 공정과 달리 롤-투-롤(roll-to-roll) 공정으로 표시장치를 제작할 수 있으므로 대량 생산을 통한 저비용의 표시장치를 제조할 수 있다.
그러나 플라스틱 기판은 후속 공정 중 돌기나 스크래치 등과 같은 결점이 생길 수 있고, 이로 인해 최종적으로 소자의 신뢰성에 악영향을 줄 수 있다.
본 발명의 일 측면은 플라스틱 기판의 표면에 스크래치와 같은 결함이 생기는 것을 방지하여 소자의 신뢰성이 개선될 수 있는 표시장치용 기판을 제공한다.
본 발명의 다른 측면은 상기 기판을 포함하는 표시장치를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 플라스틱 기판; 및 상기 플라스틱 기판의 일면에 위치하고 규소 함유 고분자를 포함하는 평탄화막을 포함하는 표시장치용 기판을 제공한다.
상기 플라스틱 기판은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
상기 규소 함유 고분자는 열처리에 의해 Si-O 결합을 가지는 박막을 형성할 수 있다.
상기 규소 함유 고분자는 폴리실록산, 폴리실라잔, 폴리실세스퀴옥산, 이들의 유도체, 이들의 공중합체 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 규소 함유 고분자의 중량평균분자량(Mw)은 2,000 내지 15,000일 수 있다.
상기 평탄화막의 두께는 1 ㎛ 내지 10 ㎛일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 표시장치용 기판; 상기 표시장치용 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터; 및 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극;을 포함하고, 상기 표시장치용 기판은 플라스틱 기판; 및 상기 플라스틱 기판의 일면에 위치하고 규소 함유 고분자를 포함하는 평탄화막;을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상기 표시장치는 화소 전극과 마주하는 공통 전극; 및 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 개재되어 있는 발광층을 더 포함할 수 있다.
상기 플라스틱 기판은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
상기 규소 함유 고분자 화합물은 열처리에 의해 Si-O 결합을 가지는 박막을 형성할 수 있는 화합물일 수 있다.
상기 규소 함유 고분자는 폴리실록산, 폴리실라잔, 폴리실세스퀴옥산, 이들의 유도체, 이들의 공중합체 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 규소 함유 고분자는 질량평균분자량(Mw)이 2,000 내지 15,000일 수 있다.
상기 평탄화막의 두께는 1 ㎛ 내지 10 ㎛일 수 있다.
상기 표시장치는 상기 평탄화막의 일면에 위치하는 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
표시장치용 기판 표면에 스크래치 등의 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 표시장치용 기판을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2는 일 구현예에 따른 표시장치를 도시한 단면도이고,
도 3은 실시예 1 및 비교예 1에 따른 표시장치용 기판의 표면을 확대한 사진이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하 도 1을 참고하여 본 발명의 일 구현예에 따른 표시장치용 기판에 대하여 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 표시장치용 기판을 개략적으로 도시한 단면도이다.
일 구현예에 따른 표시장치용 기판(100)은 플라스틱 기판(10) 및 플라스틱 기판(10) 위에 형성되어 있는 평탄화막(20)을 포함한다.
플라스틱 기판(10)은 표시장치용 기판의 지지체 역할을 하며, 플렉서블 특성을 가진다.
플라스틱 기판(10)은 고내열성을 가진 고분자로 이루어질 수 있으며, 예컨대 폴리이미드, 폴리아크릴레이트, 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 트리아세트산 셀룰로오스, 폴리염화 비닐리덴, 폴리불화 비닐리덴, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
플라스틱 기판(10)은 예컨대 폴리이미드를 포함할 수 있다. 폴리이미드는 기계적 강도와 내열성이 우수하여 후속 공정이 고온에서 진행되더라도 플라스틱 기판(10)의 하중에 의해 처지거나 열에 의해 변형되는 것을 방지할 수 있어 기판의 역할을 안정적으로 수행할 수 있다.
평탄화막(20)은 플라스틱 기판(10) 위에 형성되며, 후속 공정 중 가해질 수 있는 열적, 기계적 자극에 의한 손상으로부터 플라스틱 기판(10)의 표면을 보호할 수 있다. 이에 따라 후속 공정을 거치면서 플라스틱 기판(10)의 표면에 파티클, 돌기, 스크래치 등의 형태 변형을 방지할 수 있고 최종적으로 소자의 신뢰성을 높일 수 있다.
평탄화막(20)은 후술하는 바와 같이 용액을 사용하여 형성되므로 플라스틱 기판(10) 표면에 존재하는 스크래치 및 크랙과 같은 결함을 채우거나 돌기를 덮을 수 있다. 또한 평탄화막(20)은 소정 두께를 갖고 형성되므로 플라스틱 기판(10)을 투과한 산소 및 수분을 차단하여 박막 트랜지스터(TFT) 및 전자소자가 산소 및 수분에 노출되는 것으로부터 보호할 수 있다.
평탄화막(20)은 규소 함유 고분자를 포함할 수 있다.
상기 규소 함유 고분자는 규소를 포함하는 고분자로서 열처리에 의해 Si-O 결합을 가지는 박막을 형성할 수 있는 화합물일 수 있다.
상기 규소 함유 고분자는 예컨대 폴리실록산(polysiloxane), 폴리실라잔(polysilazane), 폴리실세스퀴옥산(polysilsesquioxane), 이들의 유도체, 이들의 공중합체 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 규소 함유 고분자는 예컨대 측쇄에 히드록시기, 메톡시기 등과 같은 가교기를 가질 수 있다.
상기 규소 함유 고분자는 플라스틱 기판(10)을 이루는 고분자, 예컨대 폴리이미드와 밀착성이 높아 평탄화막(20)이 들뜨거나 박리되는 것을 방지할 수 있다.
또한 상기 규소 함유 고분자는 소수성 및 절연성 고분자로, 외부로부터 수분이 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있을 뿐만 아니라 모듈 공정 및 구동시 발생할 수 있는 쇼트를 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 상기 규소 함유 고분자는 내열성이 높으므로, 예컨대 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deosition)와 같은 후속 공정에서 고온에 노출되더라도 열분해되지 않으므로 그에 따른 아웃개싱(outgassing)도 발생하지 않는다.
상기 규소 함유 고분자의 중량평균분자량(Mw)은 약 2,000 내지 약 15,000일 수 있다. 상기 규소 함유 고분자의 중량평균분자량(Mw)이 상기 범위 내인 경우 상기 고분자 특성이 잘 발현되는 동시에 평탄화막의 코팅성이 양호할 수 있다. 상기 고분자의 중량평균분자량(Mw)은 상기 범위 내에서 약 3,000 내지 약 10,000일 수 있다.
평탄화막(20)의 두께는 약 1 ㎛ 내지 10 ㎛일 수 있으며, 그 중에서 약 3 ㎛ 내지 5 ㎛일 수 있다.
평탄화막(20)이 상기 두께를 가짐으로써 외부로부터 산소 및 수분의 유입, 쇼트 발생 또는 아웃개싱을 방지하면서도 지나치게 두꺼운 두께로 인해 공정 중 열에 의해 휘는 것을 방지할 수 있다. 이하 상기 표시장치용 기판(100)의 일 구현예에 따른 제조방법에 대하여 설명한다.
일 구현예에 따른 표시장치용 기판의 제조방법은 플라스틱 기판을 준비하는 단계, 플라스틱 기판 위에 규소 함유 고분자 용액을 공급하는 단계, 그리고 상기 규소 함유 고분자 용액을 경화하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 규소 함유 고분자 용액은 예컨대 폴리실록산, 폴리실라잔, 폴리실세스퀴옥산, 이들의 유도체, 이들의 공중합체 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 예컨대 경화개시제, 커플링제와 같은 각종 첨가제 및 용매를 더 포함할 수 있다.
상기 규소 함유 고분자 용액을 공급하는 단계는 예컨대 스핀코팅, 슬릿코팅, 스크린인쇄, 잉크젯, ODF(one drop filling) 또는 이들의 조합과 같은 용액 공정으로 수행할 수 있다.
상기 규소 함유 고분자 용액을 경화하는 단계는 예컨대 자연 경화, 열 경화, 광 경화, 플라즈마 경화, 가압가습 경화 또는 이들의 조합으로 수행할 수 있다. 상기 경화가 예컨대 열 경화인 경우, 약 150℃ 내지 500℃의 온도에서 수행할 수 있다. 상기 경화는 예컨대 1차 경화 및 상기 1차 경화보다 높은 온도에서 수행하는 2차 경화를 포함할 수 있으며, 이 때 1차 경화는 예컨대 약 200℃ 내지 300℃에서 수행할 수 있고 2차 경화는 예컨대 약 300℃ 내지 450℃에서 수행할 수 있다.
상기 경화에 의해 상기 규소 함유 고분자는 Si-O 결합을 가지는 박막으로 형성될 수 있다.
이하 도 2를 참고하여 표시장치용 기판을 사용한 표시장치에 대하여 설명한다.
도 2는 일 구현예에 따른 표시장치를 도시한 단면도이다.
일 구현예에 따른 표시장치는 상술한 기판(100)을 포함한다.
기판(100)은 전술한 바와 같이 플라스틱 기판(10) 및 플라스틱 기판(10) 위에 형성되어 있는 평탄화막(20)을 포함하며, 평탄화막(20)은 규소 함유 고분자로 형성될 수 있다.
기판(100) 위에는 버퍼층(110)이 형성되어 있다. 버퍼층(110)은 기판(110)의 일면에 형성되어 외부로부터 수분 및 산소가 투과하는 것을 방지하는 차단막의 일종으로, 예컨대 무기 물질로 만들어질 수 있다. 상기 무기 물질은 예컨대 규소(Si)와 같은 준금속의 산화물, 질화물 또는 산화질화물, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 알루미늄(Al)과 같은 금속의 산화물, 질화물 또는 산화질화물, 또는 이들의 조합의 산화물, 질화물 또는 산화질화물로 만들어질 수 있다.
버퍼층(110)은 예컨대 단일층 또는 복수층일 수 있으며, 예컨대 산화규소 또는 질화규소로 형성된 단일층, 산화규소/질화규소와 같은 이중층 또는 산화규소/질화규소/산화규소와 같은 삼중층일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
버퍼층(110)은 PECVD법에 의해 50℃ 내지 650℃의 온도에서 기판(100)에 증착될 수 있다.
평탄화막(20)은 전술한 바와 같이 Si-O 결합을 가지는 박막이므로 버퍼층(110)을 일부 또는 전부 대체할 수 있다. 따라서 버퍼층(110)은 적은 적층 개수로 형성되거나 경우에 따라 생략될 수 있다.
기판(100) 위에는 반도체 층(154)이 형성되어 있다. 반도체 층(154)은 도핑되지 않은 채널 영역(154a)과 불순물이 도핑되어 있는 소스 영역(154b) 및 드레인 영역(154c)을 포함한다. 반도체 층(154)은 예컨대 비정질 규소, 다결정 규소, 유기 반도체, 산화물 반도체 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
반도체 층(154) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 기판(100) 전면에 형성되어 있으며, 예컨대 산화규소 또는 질화규소 따위의 무기물 또는 폴리비닐알코올과 같은 유기물로 만들어질 수 있다. 게이트 절연막(140)은 소스 영역(154b) 및 드레인 영역(154c)을 각각 드러내는 접촉 구멍을 가진다.
게이트 절연막(140) 위에는 게이트 전극(124)이 형성되어 있다. 게이트 전극(124)은 반도체 층(154)의 채널 영역(154a)과 중첩하게 위치한다.
게이트 전극(124) 위에는 패시베이션 막(180)이 형성되어 있다. 패시베이션 막(180)은 소스 영역(154b) 및 드레인 영역(154c)을 각각 드러내는 접촉 구멍을 가진다.
패시베이션 막(180) 위에는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)이 형성되어 있다. 소스 전극(173)은 패시베이션 막(180) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍을 통하여 반도체 층(154)의 소스 영역(154b)과 전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)은 패시베이션 막(180) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍을 통하여 반도체 층(154)의 드레인 영역(154c)과 전기적으로 연결되어 있다.
반도체 층(154), 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이룬다.
박막 트랜지스터 위에는 화소 전극(도시하지 않음)이 형성되어 있으며, 화소 전극은 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있다.
상기 표시장치가 유기 발광 장치인 경우, 상기 화소 전극과 마주하는 공통 전극(도시하지 않음), 그리고 화소 전극과 공통 전극 사이에 개재되어 있는 발광층(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다.
이 때, 화소 전극과 공통 전극 중 적어도 하나는 투명 전극일 수 있으며, 화소 전극이 투명 전극인 경우 기판(100) 측으로 빛을 내는 배면 발광(bottom emission)일 수 있으며 공통전극이 투명 전극인 경우 기판(100)의 반대 측으로 빛을 내는 전면 발광(top emission)일 수 있다. 또한 화소 전극 및 공통 전극이 모두 투명 전극인 경우 기판(100) 측 및 기판(100)의 반대 측으로 양면 발광할 수 있다.
상기 표시장치가 액정 표시 장치인 경우, 기판(100)과 마주하는 대향 기판(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있으며, 대향 기판은 공통 전극, 색 필터 등을 포함할 수 있다. 기판(100)과 대향 기판 사이에는 액정이 개재되어 있을 수 있다.
이하 실시예를 통해서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
표시장치용 기판의 제조
실시예 1
캐리어로서 유리판을 준비하고, 유리판 위에 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름을 붙이고 그 위에 약 50 ㎛의 두께의 폴리이미드 필름을 부착하였다.
이어서 하기 화학식 1로 표시되는 고분자 15g (중량평균분자량=4,500)과 가교제인 트리스[3-(트리메톡시실릴)프로필]이소시아누레이트(Tris[3-(trimethoxysilyl)propyl] isocyanurate) 3g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (propyleneglycol monomethylether acetate,PGMEA) 85g에 녹인 고분자 용액을 준비하고 상기 고분자 용액을 상기 플라스틱 기판 위에 슬릿코팅 방식으로 약 4um 두께로 코팅하고, 이어서 250℃에서 5분 간 열처리하였다.
그 후, 450℃에서, 45분 간 추가로 열처리하여 상기 고분자를 경화시켜, 평탄화막이 구비된 표시장치용 기판을 제조하였다.
[화학식 1]
Figure pat00001
(m 및 p는 각각 0 이상의 정수, n은 1 이상의 정수)
실시예 2
상기 화학식 1로 표시되는 고분자 대신 하기 화학식 2로 표시되는 고분자(중량평균분자량=3,500)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 평탄화막이 구비된 표시장치용 기판을 제조하였다.
[화학식 2]
Figure pat00002
(n은 1 이상의 정수)
실시예 3
가교제 4.5g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 평탄화막이 구비된 표시장치용 기판을 제조하였다.
실시예 4
상기 화학식 1로 표시되는 고분자 대신 하기 화학식 3으로 표시되는 고분자(중량평균분자량=3,500)를 사용하고 가교제로서 3-비스(3-글리시딜옥시프로필)테트라메틸디실록산((3-bis(3-glycidyloxypropyl)tetramethyldisioxane)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 평탄화막이 구비된 표시장치용 기판을 제조하였다.
[화학식 3]
Figure pat00003
(m 및 n은 각각 1 이상의 정수)
실시예 5
상기 화학식 3으로 표시되는 고분자 대신 하기 화학식 4로 표시되는 고분자(중량평균분자량=3,500)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 평탄화막이 구비된 표시장치용 기판을 제조하였다.
[화학식 4]
Figure pat00004
(n은 1 이상의 정수)
비교예 1
평탄화막을 형성하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 표시장치용 기판을 제조하였다.
[평가 1] 기판 표면의 러프니스 ( roughness ) 측정 결과
실시예 1 내지 5와 비교예 1에서 제조된 기판의 표면 러프니스를 AFM (Atomic Force Microscope)을 이용하여 측정하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
표시장치용 기판의 표면 러프니스 (rms)
실시예 1 2.4
실시예 2 2.5
실시예 3 3.5
실시예 4 3.0
실시예 5 3.4
비교예 1 25
표 1을 참고하면, 실시예 1 내지 5는 비교예 1보다 훨씬 적은 러프니스 값을 나타냄을 알 수 있다. 이는 실시예 1 내지 5이 비교예 1에 비해 표면 평탄화 특성이 우수함을 나타낸다.
[평가 2] 기판 표면의 SEM 사진 평가
실시예 1과 비교예 1에서 추가의 열처리(2차 경화과정)를 마친 후에 기판의 표면을 주사전자현미경(Scanning electron microscope, SEM)으로 촬영하였다.
도 3은 실시예 1 및 비교예 1에 따른 표시장치용 기판 표면의 SEM 사진이다.
도 3을 참고하면 실시예 1에 따른 표시장치용 기판(우측)은 깨끗한 표면 막질을 갖는 반면 비교예 1에 따른 표시장치용 기판(좌측)은 파티클, 돌기 현상, 스크래치 등이 많이 생기는 것을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
100: 기판 10: 플라스틱 기판
20: 평탄화막 110: 버퍼층
154: 반도체 층 140: 게이트 절연막
173: 소스 전극 175: 드레인 전극
180: 패시베이션 막

Claims (14)

  1. 플라스틱 기판; 및
    상기 플라스틱 기판의 일면에 위치하고 규소 함유 고분자를 포함하는 평탄화막
    을 포함하는 표시장치용 기판.
  2. 제1항에서,
    상기 플라스틱 기판은 폴리이미드를 포함하는 표시장치용 기판.
  3. 제1항에서,
    상기 규소 함유 고분자는 열처리에 의해 Si-O 결합을 가지는 박막을 형성할 수 있는 화합물인 표시장치용 기판.
  4. 제3항에서,
    상기 규소 함유 고분자는 폴리실록산, 폴리실라잔, 폴리실세스퀴옥산, 이들의 유도체, 이들의 공중합체 또는 이들의 조합을 포함하는 표시장치용 기판.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에서,
    상기 규소 함유 고분자의 중량평균분자량(Mw)은 2,000 내지 15,000인 표시장치용 기판.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에서,
    상기 평탄화막의 두께는 1 ㎛ 내지 10 ㎛인 표시장치용 기판.
  7. 표시장치용 기판;
    상기 표시장치용 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터; 및
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극;
    을 포함하고,
    상기 표시장치용 기판은
    플라스틱 기판; 및
    상기 플라스틱 기판의 일면에 위치하고 규소 함유 고분자를 포함하는 평탄화막;
    을 포함하는 표시 장치
  8. 제7항에서,
    상기 화소 전극과 마주하는 공통 전극; 및
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 개재되어 있는 발광층
    을 더 포함하는
    표시장치.
  9. 제7항에서,
    상기 플라스틱 기판은 폴리이미드를 포함하는 표시장치.
  10. 제7항에서,
    상기 규소 함유 고분자 화합물은 열처리에 의해 Si-O 결합을 가지는 박막을 형성할 수 있는 화합물인 표시장치.
  11. 제7항에서,
    상기 규소 함유 고분자는 폴리실록산, 폴리실라잔, 폴리실세스퀴옥산, 이들의 유도체, 이들의 공중합체 또는 이들의 조합을 포함하는 표시장치.
  12. 제7항에 내지 제11항 중 어느 한 항에서,
    상기 규소 함유 고분자는 질량평균분자량(Mw)이 2,000 내지 15,000인 표시장치.
  13. 제7항에 내지 제11항 중 어느 한 항에서,
    상기 평탄화막의 두께는 1 ㎛ 내지 10 ㎛인 표시장치용 기판.
  14. 제7항 또는 제8항에서,
    상기 평탄화막의 일면에 위치하는 버퍼층을 더 포함하는 표시 장치.
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