KR20140054615A - 다중 분사판이 구비된 도가니 - Google Patents

다중 분사판이 구비된 도가니 Download PDF

Info

Publication number
KR20140054615A
KR20140054615A KR1020120120320A KR20120120320A KR20140054615A KR 20140054615 A KR20140054615 A KR 20140054615A KR 1020120120320 A KR1020120120320 A KR 1020120120320A KR 20120120320 A KR20120120320 A KR 20120120320A KR 20140054615 A KR20140054615 A KR 20140054615A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ejection plate
plate
opening
openings
crucible
Prior art date
Application number
KR1020120120320A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101471901B1 (ko
Inventor
김수연
Original Assignee
주식회사 선익시스템
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 선익시스템 filed Critical 주식회사 선익시스템
Priority to KR1020120120320A priority Critical patent/KR101471901B1/ko
Publication of KR20140054615A publication Critical patent/KR20140054615A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101471901B1 publication Critical patent/KR101471901B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/246—Replenishment of source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/548—Controlling the composition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기화된 물질이 균일한 압력으로 분사되어 증착되도록 다중 분사판이 구비된 도가니에 관한 것으로, 내부에 증발 물질이 저장되고 상단이 개구된 용기와, 상기 용기 내의 증발 물질을 분사시키기 위한 다수개의 개구가 형성되고 상기 용기 내부에 설치되는 하부 분사판과, 상기 하부 분사판의 개구를 통과한 증발 물질을 분사하기 위한 다수개의 개구가 형성되고 상기 하부 분사판과 소정의 간격을 두고 상부에 설치되는 상부 분사판을 포함하며, 상기 하부 분사판과 상부 분사판의 개구는 엇갈리도록 배치되어 상기 상부 분사판에서 하부 분사판의 개구를 볼 수 없도록 형성됨으로써, 기화된 증발 물질이 균일한 압력으로 분사되어 균일한 박막을 증착할 수 있으면서도 도가니의 구조가 간단하여 제조가 용이한 효과가 있다.

Description

다중 분사판이 구비된 도가니{Crucible with Multiple Diffuser}
본 발명은 다중 분사판이 구비된 도가니에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기화된 물질이 균일한 압력으로 분사되어 증착되도록 다중 분사판이 구비되어, 박막 제작을 위해 도가니 내의 물질을 기판에 증착시킴에 있어서, 도가니 내에 충진된 소스 물질을 기판 위에 균일하게 증착시켜 균일한 박막을 형성할 수 있는 다중 분사판이 구비된 도가니에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자나 평판 디스플레이 소자를 제작하기 위하여 여러 가지 박막 제조 기술이 사용되는데, 그 중 하나가 진공 가열 증착 방법이다. 진공 가열 증착 방법이란 진공의 챔버 내에 상측에 기판을 위치시키고, 하측에 증착물질이 담겨있는 증발원을 가열하여, 증발된 물질이 기판에 증착되도록 하여 박막을 제작하는 방법을 말한다.
이러한 진공 가열 증착방법에서 많이 사용되고 있는 증발원 중 점 증발원은 분출부가 형성되어 있는 원통형 용기로 구성되며, 내부에 증착용 물질을 충진하고 증발원을 가열하여 증발된 물질을 기판을 향해 분출시켜서 박막을 제작한다. 그런데 이러한 점 증발원은 분출부가 향하는 방향으로 가장 많은 증착 물질을 분출시키기 때문에 대면적의 균일한 박막을 얻을 수 없다는 단점이 있다.
진공상태에서 반도체 원판 위에 박막을 입혀 전기적 특성을 갖게 하는 증착 공정은 박막을 얼마나 얇고 균일하게 입히느냐가 반도체의 품질을 좌우하게 되는 중요한 역할을 하는데, 기존에는 용기의 상부가 완전히 개방되어 있는 도가니를 가열하여 소스 물질을 기판에 증착시키므로 증착물질이 기판에 고르게 증착되지 않는 문제점이 있었다.
이에 관련된 종래의 기술로서, 공개특허 제2008-0036294호는 박막 제작을 위해 증발원 내의 물질을 기판에 증착시킴에 있어서, 증발되는 물질의 사용 효율을 높이고 대면적의 균일한 박막을 증착할 수 있는 원추형 다중 노즐 증발원을 개시한다.
그러나, 상기의 종래 기술은 증발원의 구조가 매우 복잡하여 제조가 용이하지 않을 뿐 아니라, 제조비용이 비싸 실제 증착장비에 적용하기가 어려운 문제점이 있었다.
공개특허 제2008-0036294호.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 기화된 증발 물질이 균일한 압력으로 분사되어 균일한 박막을 증착할 수 있으면서도 도가니의 구조가 간단하여 제조가 용이하고, 제조비용도 저렴한 도가니를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 내부에 증발 물질이 저장되고 상단이 개구된 용기와, 상기 용기 내의 증발 물질을 분사시키기 위한 다수개의 개구가 형성되고 상기 용기 내부에 설치되는 하부 분사판과, 상기 하부 분사판의 개구를 통과한 증발 물질을 분사하기 위한 다수개의 개구가 형성되고 상기 하부 분사판과 소정의 간격을 두고 상부에 설치되는 상부 분사판을 포함하며, 상기 하부 분사판과 상부 분사판의 개구는 서로 엇갈리도록 배치되어 상기 상부 분사판의 개구를 통해 하부 분사판의 개구를 볼 수 없도록 형성되는 다중 분사판이 구비된 도가니가 제공된다.
여기서, 상기 하부 분사판과 상부 분사판은 수평으로 설치될 수 있다.
본 발명에서, 상기 하부 분사판과 상부 분사판의 개구율은 하부 분사판에서 상부 분사판으로 갈수록 작게 형성될 수 있는데, 상기 상부 분사판의 개구율은 40% 내지 60%인 것이 바람직하다.
또한, 상기 하부 분사판에 형성된 개구는 일렬로 나란하게 형성되어 복수의 열을 이루도록 형성되며, 상기 상부 분사판에 형성된 개구도 일렬로 나란하게 형성되어 복수의 열을 이루되, 상기 하부 분사판의 개구가 이루는 열과 서로 엇갈리도록 배치될 수 있다.
또한, 상기 하부 분사판에 형성된 개구는 동심원 형태의 링형상으로 형성되며, 상기 상부 분사판에 형성된 개구도 동심원 형태의 링형상으로 형성되되, 상기 하부 분사판의 개구가 이루는 링과 서로 엇갈리도록 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 하부 분사판과 상부 분사판 사이에 적어도 한 개 이상의 중간 분사판이 더 설치될 수 있다. 즉, 본 발명의 도가니는 3개 이상의 분사판이 설치되어 도가니 내의 증발 물질이 각각의 분사판을 통과하면서 기판에 균일한 압력으로 분사되어 증착될 수 있도록 한다.
이 경우, 상기 하부 분사판, 중간 분사판 및 상부 분사판의 개구율은 하부 분사판에서 상부 분사판으로 갈수록 작게 형성될 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 의하면, 도가니 내에서 기화된 증발 물질이 균일한 압력으로 분사되어 균일한 박막을 증착할 수 있으면서도 도가니의 구조가 간단하여 제조가 용이하고, 제조비용도 저렴한 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 도가니를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 도가니를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 분사판의 제1 실시예를 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 분사판의 제2 실시예를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 분사판의 제3 실시예를 도시한 평면도이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 도가니를 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 도가니를 도시한 단면도이다.
본 발명의 도가니(100)는 내부에 증발 물질이 저장되고 상단이 개구된 용기(110)와, 상기 용기(110) 내부에 설치되는 분사판들(120)(130)(140)을 포함하여 구성된다.
상기 분사판들(120)(130)(140)은 각각 소정의 간격을 두고 상하방향으로 설치되는데, 본 발명에서는 하부 분사판(120), 중간 분사판(130) 및 상부 분사판(140)으로 총 3개의 분사판들(120)(130)(140)이 설치된 것을 실시예로 들어 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이에 한정된 것은 아니며, 분사판이 2개로 이루어져 하부 분사판(120)과 상부 분사판(140)으로 구성될 수 있고, 상기 하부 분사판(120)과 상부 분사판(140) 사이에 한 개 이상의 중간 분사판(130)이 설치되어 4중 혹은 그 이상의 다중 분사판으로 구성될 수도 있다.
여기서, 상기 하부 분사판(120), 중간 분사판(130) 및 상부 분사판(140)은 용기(110) 내에 수평으로 설치된다.
이러한 본 발명의 도가니(100)는 2개 이상의 분사판이 설치되어 도가니(100) 내의 증발 물질이 각각의 분사판을 통과하면서 기판에 균일한 압력으로 분사되어 증착될 수 있도록 한다.
이를 위해, 상기 각각의 분사판들(120)(130)(140)에는 용기(110) 내의 증발 물질을 분사시키기 위한 다수개의 개구(122)(132)(142)가 형성되는데, 본 발명의 분사판들(120)(130)(140)에 형성된 각각의 개구(122)(132)(142)는 상하에 인접한 개구(122)(132)(142)가 서로 엇갈리도록 배치되는데 특징이 있다.
즉, 상기 하부 분사판(120)의 개구(122)를 통과한 증발 물질이 상기 중간 분사판(130)의 개구(132)를 통과한 후 상부 분사판(140)의 개구(142)를 통해 분사될 때 각 분사판의 개구(122)(132)(142)가 서로 엇갈리도록 배치되므로 증발 물질이 각각의 분사판을 통과하면서 균일한 압력을 갖게 되는 것이다.
특히, 본 발명의 다중 분사판은 상기 상부 분사판(140)의 개구(142)를 통해 하부 분사판(120)의 개구(122)가 보이지 않도록 개구(122)(132)(142)가 형성되는데 특징이 있다. 이와 같은 구조는 본 발명의 다중 분사판이 2중 또는 3중 이상으로 이루어지는 모든 경우에 대하여 적용된다.
본 발명에서, 상기 하부 분사판(120)과 상부 분사판(140)의 개구율은 하부 분사판(120)에서 상부 분사판(140)으로 갈수록 작게 형성될 수 있다. 즉, 상부 분사판(140)의 개구율을 a, 중간 분사판(130)의 개구율을 b, 하부 분사판(120)의 개구율을 c 라고 하면 c > b > a 순서대로 상부 분사판(140)의 개구율이 제일 작게 형성되는 것이다.
이때, 상기 상부 분사판(140)의 개구율은 40% 내지 60%인 것이 바람직하다. 이와 같은 상부 분사판(140)의 개구율 범위는 50%를 기준으로 삼은 것으로, 상부 분사판(140)의 개구율이 40% 보다 작으면 최종적으로 도가니에서 분사되는 증발 물질의 양이나 증발 속도가 너무 적거나 느리고, 상부 분사판(140)의 개구율이 60% 보다 크면 상기 중간 분사판(130)과 하부 분사판(120)의 개구(132)(122)를 서로 엇갈리게 형성하는데 어려움이 있다.
도 3은 본 발명의 분사판의 제1 실시예를 도시한 평면도이고, 도 4는 본 발명의 분사판의 제2 실시예를 도시한 평면도이고, 도 5는 본 발명의 분사판의 제3 실시예를 도시한 평면도이다.
이와 같은 본 발명에서, 상기 하부 분사판(120), 중간 분사판(130), 상부 분사판(140)에 형성된 개구(122)(132)(142)는 도 3 또는 도 4에서 보는 바와 같이, 일렬로 나란하게 형성되어 복수의 열을 이루도록 형성될 수 있다.
이때, 상기 상부 분사판(140)에서 하부 분사판(120)의 개구(122)가 보이지 않도록 서로 엇갈리게 형성된다. 도 3에서는 각 분사판(120)(130)(140)에 형성된 개구(122)(132)(142)가 동일한 직경으로 형성된 원형을 이루며, 상기 상부 분사판(140)의 개구(142)와 중간 분사판(130)의 개구(132)가 서로 엇갈리는 위치에 배치되고, 상기 중간 분사판(130)의 개구(132)와 하부 분사판(120)의 개구(122) 역시 서로 엇갈리는 위치에 배치되어 하부 분사판(120)에서 중간 분사판(130)을 통과한 후 상부 분사판(140)으로 분사되는 증발 물질이 균일한 압력을 갖도록 된다.
도 4에서는 하부 분사판(220)으로 갈수록 개구(222)의 크기가 커지는 예를 나타낸다.
또한, 각 분사판에 형성된 개구는 도 5에서 보는 바와 같이, 동심원 형태의 링형상으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 상부 분사판(340)에 형성된 개구(342)와 상기 중간 분사판(330)의 개구(332), 하부 분사판(320)의 개구(322)는 서로 엇갈리도록 배치되는데, 상기 개구들이 이루는 링이 서로 겹치지 않게 형성될 수도 있고, 어느 한 개의 분사판에 형성된 각각의 개구 사이에 인접한 분사판의 개구가 위치하는 형태로 배치될 수도 있다.
한편, 도시하지는 않았지만 각 분사판(120)(130)(140)에 형성된 개구(122)(132)(142)는 그 배치가 랜덤하게 형성될 수도 있다.
이와 같은 각 분사판(120)(130)(140)이 상기 용기(110) 내부에 설치되기 위해서, 상기 용기(110)의 내주면에는 상기 분사판(120)(130)(140)이 고정될 수 있는 고정수단이 구비될 수 있다. 여기서, 상기 고정수단은 상기 분사판(120)(130)(140)이 얹혀질 수 있는 걸림턱이 용기(110) 내주면에 형성되어 각각의 분사판(120)(130)(140)이 상기 걸림턱에 의해 끼움결합함으로써 용기(110)에 고정될 수 있다.
또한, 각 분사판(120)(130)(140)은 용기(110)에 일체로 형성될 수도 있다.
상기와 같은 본 발명에 의하면, 도가니 내에서 기화된 증발 물질이 균일한 압력으로 분사되어 균일한 박막을 증착할 수 있으면서도 도가니의 구조가 간단하여 제조가 용이하고, 제조비용도 저렴한 효과가 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
100 : 도가니 110 : 용기
120 : 하부 분사판 122, 132, 142 : 개구
130 : 중간 분사판 140 : 상부 분사판

Claims (8)

  1. 내부에 증발 물질이 저장되고 상단이 개구된 용기;
    상기 용기 내의 증발 물질을 분사시키기 위한 다수개의 개구가 형성되고 상기 용기 내부에 설치되는 하부 분사판;
    상기 하부 분사판의 개구를 통과한 증발 물질을 분사하기 위한 다수개의 개구가 형성되고 상기 하부 분사판과 소정의 간격을 두고 상부에 설치되는 상부 분사판;
    을 포함하며,
    상기 하부 분사판과 상부 분사판의 개구는 서로 엇갈리도록 배치되어 상기 상부 분사판의 개구를 통해 하부 분사판의 개구를 볼 수 없도록 형성되는 다중 분사판이 구비된 도가니.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 하부 분사판과 상부 분사판은 수평으로 설치되는 것을 특징으로 하는 다중 분사판이 구비된 도가니.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 하부 분사판과 상부 분사판의 개구율은 하부 분사판에서 상부 분사판으로 갈수록 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 분사판이 구비된 도가니.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 상부 분사판의 개구율은 40% 내지 60%인 것을 특징으로 하는 다중 분사판이 구비된 도가니.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 하부 분사판에 형성된 개구는 일렬로 나란하게 형성되어 복수의 열을 이루도록 형성되며,
    상기 상부 분사판에 형성된 개구도 일렬로 나란하게 형성되어 복수의 열을 이루되, 상기 하부 분사판의 개구가 이루는 열과 서로 엇갈리도록 배치되는 것을 특징으로 하는 다중 분사판이 구비된 도가니.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 하부 분사판에 형성된 개구는 동심원 형태의 링형상으로 형성되며,
    상기 상부 분사판에 형성된 개구도 동심원 형태의 링형상으로 형성되되, 상기 하부 분사판의 개구가 이루는 링과 서로 엇갈리도록 배치되는 것을 특징으로 하는 다중 분사판이 구비된 도가니.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 하부 분사판과 상부 분사판 사이에 적어도 한 개 이상의 중간 분사판이 더 설치되고, 상하에 인접한 개구는 서로 엇갈리도록 배치되는 것을 특징으로 하는 다중 분사판이 구비된 도가니.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 하부 분사판, 중간 분사판 및 상부 분사판의 개구율은 하부 분사판에서 상부 분사판으로 갈수록 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 분사판이 구비된 도가니.
KR1020120120320A 2012-10-29 2012-10-29 다중 분사판이 구비된 도가니 KR101471901B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120120320A KR101471901B1 (ko) 2012-10-29 2012-10-29 다중 분사판이 구비된 도가니

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120120320A KR101471901B1 (ko) 2012-10-29 2012-10-29 다중 분사판이 구비된 도가니

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140054615A true KR20140054615A (ko) 2014-05-09
KR101471901B1 KR101471901B1 (ko) 2014-12-11

Family

ID=50886441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120120320A KR101471901B1 (ko) 2012-10-29 2012-10-29 다중 분사판이 구비된 도가니

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101471901B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107604317A (zh) * 2017-09-21 2018-01-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸镀坩埚以及蒸镀装置
KR101866956B1 (ko) * 2016-12-30 2018-06-14 주식회사 선익시스템 선형 증발원용 도가니 및 선형 증발원
KR20190080044A (ko) * 2017-12-28 2019-07-08 주식회사 선익시스템 선형 증발원용 도가니 및 선형 증발원
KR20230032385A (ko) * 2021-08-31 2023-03-07 (주)알파플러스 진공 증발원 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05139882A (ja) * 1991-11-20 1993-06-08 Hitachi Ltd 分子線源
JP2006002218A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Tohoku Pioneer Corp 成膜源、成膜方法、および加熱板、ならびに有機ｅｌ素子の製造方法
KR100712217B1 (ko) * 2005-09-30 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 이용한 진공증착기
JP2009235479A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Seiko Epson Corp 蒸着装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101866956B1 (ko) * 2016-12-30 2018-06-14 주식회사 선익시스템 선형 증발원용 도가니 및 선형 증발원
CN107604317A (zh) * 2017-09-21 2018-01-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸镀坩埚以及蒸镀装置
KR20190080044A (ko) * 2017-12-28 2019-07-08 주식회사 선익시스템 선형 증발원용 도가니 및 선형 증발원
KR20230032385A (ko) * 2021-08-31 2023-03-07 (주)알파플러스 진공 증발원 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101471901B1 (ko) 2014-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100980729B1 (ko) 증착 공정용 다중 노즐 증발원
KR101471901B1 (ko) 다중 분사판이 구비된 도가니
KR20120129812A (ko) 진공 증착 시스템용 인젝터
KR101406199B1 (ko) 증착장치
TWI611033B (zh) 沉積裝置及使用其製造有機發光二極體顯示器之方法
KR20160112293A (ko) 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
KR20160087985A (ko) 증착장치
CN107299321B (zh) 蒸发源装置及蒸镀机
US9303317B2 (en) Deposition apparatus
KR20180073766A (ko) 도가니 분사노즐캡
CN109326623B (zh) 一种像素排列结构、显示面板及显示装置
KR20160034740A (ko) 증발원용 도가니 및 이를 포함하는 증발원
KR101608586B1 (ko) 박막 균일도를 균일하게 유지하는 선형 증발원
US20120237679A1 (en) Apparatus and methods for depositing one or more organic materials on a substrate
KR101418712B1 (ko) 증발원 및 이를 구비한 증착 장치
KR20190023229A (ko) 슬릿노즐을 구비한 선형증발원 및 이를 구비한 증착장치
KR101938365B1 (ko) 증착 장치 및 이를 이용한 증착량 측정 방법
KR101131599B1 (ko) 증발 장치 및 이를 구비하는 진공 증착 장치
KR101741806B1 (ko) 리니어 분사체 및 이를 포함하는 증착장치
KR20160074858A (ko) 증착 박막의 균일도 향상을 위한 증착 소스
KR101457081B1 (ko) 가스킷 역할을 포함한 이너플레이트를 사용한 대용량 선형 증발원
KR102455594B1 (ko) 선형 증발원의 노즐 및 증착 장치
TW201443259A (zh) 沉積源及具有其之沉積設備
KR102137031B1 (ko) 유기박막 증착용 선형증발장치
US20160072065A1 (en) Deposition apparatus and method of depositing thin-film of organic light-emitting display device by using the deposition apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181121

Year of fee payment: 5