KR20140042004A - 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토다이오드에서 생성된 전하를 부유확산영역으로 전송하는 효율을 극대화하는 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소를 개시(introduce)한다. 상기 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소는, 제1웨이퍼에는 포토다이오드 및 전송트랜지스터가 형성되고, 제2웨이퍼에는 리셋트랜지스터 및 소스 팔로우 트랜지스터가 형성된다. 특히 포토다이오드의 포지티브 영역에는 제2웨이퍼에서 사용되는 접지전압 보다 낮은 전압준위를 가지는 N_접지전압을 인가한다.

Description

3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소 {Separation type unit pixel of image sensor having 3 dimension structure}
본 발명은 이미지센서의 분리형 단위화소에 관한 것으로, 특히 하나의 웨이퍼에 형성된 포토다이오드의 포지티브 영역에 제2웨이퍼에 형성된 소자들에 공급되는 접지전압보다 낮은 전압을 인가하여 전하전달효율을 극대화한 이미지센서의 분리형 단위화소에 관한 것이다.
각각의 화소 당 하나씩 설치되는 이미지센서 회로에는, 포토다이오드, 상기 포토다이오드에서 생성된 전하를 부유확산영역(Floating Diffusion Area)에 전송하는 전송트랜지스터, 전송된 전하에 대응되는 변환전압을 생성하는 소스 팔로우 트랜지스터, 변환전압을 출력하는 선택트랜지스터 및 부유확산영역을 리셋시키는 리셋트랜지스터를 기본적으로 포함한다.
보다 많은 화소를 일정한 면적에 구현하기 위해서는 단위화소에 할당되는 면적이 감소할 수 밖에 없는데, 상술한 바와 같이 단위화소에는 복수 개의 트랜지스터 및 포토다이오드가 형성되어야 하므로, 빛을 수신하는 포토다이오드에 할당되는 영역은 복수 개의 트랜지스터가 차지하는 영역에 의해 한정되어야 한다. 이러한 단점을 극복하기 위하여, 하나의 웨이퍼에 포토다이오드 및 포토다이오드에서 생성된 전하를 전송하는 전송트랜지스터를 형성시키고, 다른 하나의 웨이퍼에는 나머지 트랜지스터를 형성시키는 방법에 제안되어 사용되었다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 포토다이오드에서 생성된 전하를 부유확산영역으로 전송하는 효율을 극대화하는 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소를 제공하는 것에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 면(one aspect)에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소는, 구성요소들이 제1웨이퍼 및 제2웨이퍼에 분리되어 집적된다. 상기 제1웨이퍼에는 입사되는 빛에 대응되는 변환전압을 생성하며, 입사되는 빛에 대응되는 전하를 생성하는 포토다이오드, 제1패드 및 전송제어신호에 응답하여 상기 포토다이오드에서 생성된 전하를 상기 제1패드로 전송하는 전송트랜지스터가 집적된다. 상기 제2웨이퍼에는 제2패드, 상기 제2패드로 전송되는 전하에 대응되는 변환전압을 생성하는 소스 팔로우 트랜지스터 및 리셋제어신호에 응답하여 상기 제2패드와 상기 소스 팔로우 트랜지스터의 게이트 단자를 공통으로 리셋시키는 리셋트랜지스터가 집적된다. 상기 포토다이오드의 포지티브 영역에는 상기 제2웨이퍼에서 사용되는 접지전압 보다 낮은 전압준위를 가지는 N_접지전압을 인가한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 면(another aspect)에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소는, 입사되는 빛에 대응되는 변환전압을 생성하며 구성요소들이 제1웨이퍼 및 제2웨이퍼에 분리되어 집적된다. 상기 제1웨이퍼에는 입사되는 빛에 대응되는 전하를 생성하는 포토다이오드, 제1패드, 전송제어신호에 응답하여 상기 포토다이오드에서 생성된 전하를 상기 제1패드로 전송하는 전송트랜지스터 및 리셋제어신호에 응답하여 상기 제1패드와 상기 전송트랜지스터의 공통단자를 리셋시키는 리셋트랜지스터가 집적된다. 상기 제2웨이퍼에는 제2패드 및 상기 제2패드로 전송되는 전하에 대응되는 변환전압을 생성하는 소스 팔로우 트랜지스터가 집적된다. 상기 포토다이오드의 포지티브 영역에는 상기 제2웨이퍼에서 사용되는 접지전압 보다 낮은 전압준위를 가지는 N_접지전압을 인가한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 면(still another aspect)에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소는, 입사되는 빛에 대응되는 변환전압을 생성하며, 구성요소들이 제1웨이퍼 및 제2웨이퍼에 분리되어 집적된다. 상기 제1웨이퍼에는 제1패드, 입사되는 빛에 대응되는 전하를 생성하는 제1포토다이오드, 제1전송제어신호에 응답하여 상기 제1포토다이오드에서 생성된 전하를 상기 제1패드에 전송하는 제1전송트랜지스터, 입사되는 빛에 대응되는 전하를 생성하는 제2포토다이오드 및 제2전송제어신호에 응답하여 상기 제2포토다이오드에서 생성된 전하를 상기 제1패드에 전송하는 제2전송트랜지스터가 집적된다. 상기 제2웨이퍼에는 제2패드, 상기 제2패드로 전송된 전하에 대응되는 변환전압을 생성하는 소스 팔로우 트랜지스터 및 리셋제어신호에 응답하여 상기 제2패드와 상기 소스 팔로우 트랜지스터의 게이트 단자를 공통으로 리셋시키는 리셋트랜지스터가 집적된다. 상기 제1포토다이오드의 포지티브 영역 및 상기 제2포토다이오드의 포지티브 영역에는 상기 제2웨이퍼에서 사용되는 접지전압 보다 낮은 전압준위를 가지는 N_접지전압을 인가한다.
본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소는, 포토다이오드에서 생성된 전하를 부유확산영역으로 효과적으로 전송할 수 있고, 리셋트랜지스터에 공급되는 전압원의 준위를 가변시킴으로써 부유확산영역의 리셋을 효율적으로 할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소의 제1실시 예이다.
도 2는 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소의 제2실시 예이다.
도 3은 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소의 제3실시 예이다.
도 4는 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소의 제4실시 예이다.
도 5는 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소의 제5실시 예이다.
도 6은 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소의 제6실시 예이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 예시적인 실시 예를 설명하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소의 제1실시 예이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소(100)를 구성하는 요소들은 2개의 웨이퍼(110, 120)에 분리되어 형성되어 있다.
제1웨이퍼(110)에는 포토다이오드(PD)와 전송트랜지스터(M1)가 집적되고, 제2웨이퍼(120)에는 리셋트랜지스터(M2) 및 소스 팔로우 트랜지스터(M3)가 집적된다.
포토다이오드(PD)의 포지티브 영역에는 제2웨이퍼(120)에서 사용되는 접지전압(GND) 보다 낮은 전압준위를 가지는 N_접지전압(N_GND)이 인가된다. 전송트랜지스터(M1)의 일 단자는 포토다이오드(PD)의 네거티브 영역에 연결되고 다른 일 단자는 제1패드(P1)에 연결되며 게이트에는 전송제어신호(Tx)가 인가된다.
리셋트랜지스터(M2)의 일 단자는 전원전압(VDD) 및 전원전압(VDD)과 전압준위가 다른 제2전원전압(VDD_A) 중 하나에 연결되고 다른 일 단자는 제2패드(P2) 및 소스 팔로우 트랜지스터(M3)의 게이트 단자에 공통으로 연결되며 게이트에 리셋제어신호(Re)가 인가된다. 소스 팔로우 트랜지스터(M3)의 일 단자는 전원전압(VDD)에 연결되며, 게이트는 제2패드(P2)에 연결된다.
일반적으로 부유확산영역(Floating Diffusion)은 전송트랜지스터(M1) 및 리셋트랜지스터(M2)의 확산영역(Diffusion Area)과 소스 팔로우 트랜지스터(M3)의 게이트 영역을 의미하는데, 여기서는 제1패드(P1) 및 제2패드(P2)도 부유확산영역에 포함 된다.
종래에는 포토다이오드(PD)의 포지티브 단자의 경우, 제2웨이퍼(120)에서 사용되는 접지전압(GND)을 공통으로 사용하였으나, 본 발명에서는 제2웨이퍼(120)에서 사용되는 접지전압(GND) 보다 낮은 전압준위를 가지는 N_접지전압(N_GND)을 사용 함으로써, 포토다이오드(PD)의 포지티브 영역과 네거티브 영역 사이의 전압차이를 종래에 비해 증가시킬 것을 제안한다. 포토다이오드(PD)에서 생성되는 전하는 포토다이오드(PD)에 입사되는 빛의 세기에 따라 결정되는데, 포토다이오드(PD)의 양 영역 사이의 전압차이가 커질수록 포토다이오드에서 생성된 전하가 부유확산영역에 효과적으로 전달된다.
또한 리셋트랜지스터(R2)의 일단자에 인가되는 리셋전압을 전원전압(VDD)을 그대로 이용할 수도 있지만, 전원전압(VDD)과 전압준위가 다른 제2전원전압(VDD_A)를 선택적으로 사용할 수 있도록 하였다. 제2전원전압(VDD_A)의 전압준위를 조절함으로써, 부유확산영역의 리셋 전압준위를 조절할 수 있으므로, 포토다이오드(PD)에서 생성된 전하들을 부유확산영역으로 전달하는 전달효율을 향상시킬 수 있다. 이 내용은 후술하게 되는 나머지 실시 예에도 동일하게 적용될 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소의 제2실시 예이다.
도 2를 참조하면, 이미지센서의 분리형 단위화소의 제2실시 예(200)의 경우, 도 1에 도시된 제1 실시 예(100)에 선택트랜지스터(M4)를 제2웨이퍼(220)에 추가한 것이다. 선택트랜지스터(M4)는 선택제어신호(Sx)에 응답하여 일 단자에 연결된 소스 팔로우 트랜지스터(M3)의 변환전압(P_out)을 다른 일 단자로 스위칭한다.
도 3은 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소의 제3실시 예이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소(300)를 구성하는 요소들은 2개의 웨이퍼(310, 320)에 분리되어 형성되어 있다.
제1웨이퍼(310)에는 포토다이오드(PD), 전송트랜지스터(M1) 및 리셋트랜지스터(M2)가 집적되고, 제2웨이퍼(120)에는 소스 팔로우 트랜지스터(M3)가 집적된다.
포토다이오드(PD)의 포지티브 영역에는 제2웨이퍼(320)에서 사용되는 접지전압(GND) 보다 낮은 전압준위를 가지는 N_접지전압(N_GND)이 인가된다. 전송트랜지스터(M1)의 일 단자는 포토다이오드(PD)의 네거티브 영역에 연결되고 다른 일 단자는 제1패드(P1)에 연결되며 게이트에는 전송제어신호(Tx)가 인가된다. 리셋트랜지스터(M2)의 일 단자는 전원전압(VDD) 및 전원전압(VDD)과 전압준위가 다른 제2전원전압(VDD_A) 중 하나에 연결되고 다른 일 단자는 제1패드(P1) 및 전송트랜지스터(M1)의 공통단자에 연결되며, 게이트에 리셋제어신호(Re)가 인가된다.
소스 팔로우 트랜지스터(M3)의 일 단자는 전원전압(VDD)에 연결되며, 다른 일 단자는 변환전압(P_out)을 출력하고 게이트는 제2패드(P2)에 연결된다.
도 3에 도시된 제3 실시 예의 경우, 제1 실시 예(100) 및 제2 실시 예(200)에서, 제2웨이퍼(120, 220)에 집적된 리셋트랜지스터(M2)를 제1웨이퍼(310, 410)에 집적시킨 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소의 제4실시 예이다.
도 4를 참조하면, 이미지센서의 분리형 단위화소의 제4실시 예(400)의 경우, 도 3에 도시된 제3 실시 예(300)에 선택트랜지스터(M4)를 제2웨이퍼(420)에 추가한 것이다. 선택트랜지스터(M4)는 선택제어신호(Sx)에 응답하여 일 단자에 연결된 소스 팔로우 트랜지스터(M3)의 변환전압(P_out)을 다른 일 단자로 스위칭한다.
도 5는 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소의 제5실시 예이다.
도 5를 참조하면, 이미지센서의 분리형 단위화소의 제5실시 예(500)의 경우, 제1웨이퍼(510)에는 2개의 포토다이오드(PD1, PD2)와 2개의 전송트랜지스터를 집적하며, 제2웨이퍼(520)에는 리셋트랜지스터(M2) 및 소스 팔로우 트랜지스터(M3)가 집적된다.
하나의 픽셀에는 하나의 포토다이오드 및 전송트랜지스터가 필요하므로, 제5실시 예의 경우 2개의 픽셀에 포함되는 포토다이오드 및 전송트랜지스터를 통해 전송되는 전하를 제2웨이퍼에 집적된 하나의 처리회로에서 선택적으로 처리한다는 것이다.
제1포토다이오드(PD1)는 포지티브 영역에N_접지전압(N_GND)이 인가된다. 제1전송트랜지스터(M11)의 일 단자는 제1포토다이오드(PD1)의 네거티브 단자에 연결되고, 다른 일 단자는 제1패드(P1)에 연결되며, 게이트에 제1전송제어신호(Tx1)가 인가된다. 제2포토다이오드(PD2)는 포지티브 영역에 N_접지전압(N_GND)이 인가된다. 제2전송트랜지스터(M12)의 일 단자는 제2포토다이오드(PD2)의 네거티브 단자에 연결되고, 다른 일 단자는 제1패드(P1)에 연결되며, 게이트에 제2전송제어신호(Tx2)가 인가된다.
리셋트랜지스터(M2)의 일 단자는 전원전압(VDD) 및 전원전압과 전압준위가 다른 제2전원전압(VDD_A) 중 하나에 연결되고 다른 일 단자는 제2패드(P2)에 연결되며 게이트에 리셋제어신호(Re)가 인가된다. 소스 팔로우 트랜지스터(M3)의 일 단자는 전원전압(VDD)에 연결되며, 제2패드(P2) 및 리셋트랜지스터(M2)의 다른 일 단자에 저장된 전하에 대응되는 변환전압(P_out)을 다른 일 단자를 통해 출력한다.
도 6은 본 발명에 따른 3차원 구조를 가지는 이미지센서의 분리형 단위화소의 제6실시 예이다.
도 6을 참조하면, 이미지센서의 분리형 단위화소의 제4실시 예(600)의 경우, 도 5에 도시된 제5 실시 예(500)에 선택트랜지스터(M4)를 제2웨이퍼(620)에 추가한 것이다. 선택트랜지스터(M4)는 선택제어신호(Sx)에 응답하여 일 단자에 연결된 소스 팔로우 트랜지스터(M3)의 변환전압(P_out)을 다른 일 단자로 스위칭한다.
실제의 이미지센서는 상술한 소자들의 상부에 투명 버퍼층 및 필터가 더 형성될 것이지만, 이는 본 발명의 본질적인 것은 아니고, 이 분야의 통상의 지식을 가진 기술자에게는 널리 알려진 것이므로, 여기서는 자세하게 언급하지 않는다.
실제의 이미지센서는 제1패드(P1)와 제2패드(P2)를 패드연결수단에 의해 전기적으로 연결시켜서 사용하게 되는데, 이 부분은 본 발명의 내용이 아니고 이 분야의 통상의 기술자가 쉽게 구현할 수 있으므로, 여기서는 설명을 하지 않는다.
이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 이라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방 가능함은 명백한 사실이다.
110, 210, 310, 410, 510, 610: 제1웨이퍼
120, 220, 320, 420, 520, 620: 제2웨이퍼
PD: 포토다이오드 M1: 전달트랜지스터
M2: 리셋트랜지스터 M3: 소스 팔로우 트랜지스터
M4: 선택트랜지스터

Claims (10)

  1. 입사되는 빛에 대응되는 변환전압을 생성하는 이미지센서의 분리형 단위화소에 있어서,
    입사되는 빛에 대응되는 전하를 생성하는 포토다이오드, 제1패드 및 전송제어신호에 응답하여 상기 포토다이오드에서 생성된 전하를 상기 제1패드로 전송하는 전송트랜지스터가 형성된 제1웨이퍼;
    제2패드, 상기 제2패드로 전송되는 전하에 대응되는 변환전압을 생성하는 소스 팔로우 트랜지스터 및 리셋제어신호에 응답하여 상기 제2패드와 상기 소스 팔로우 트랜지스터의 게이트 단자를 공통으로 리셋시키는 리셋트랜지스터가 형성된 제2웨이퍼를 포함하며,
    상기 포토다이오드의 포지티브 영역에는 상기 제2웨이퍼에서 사용되는 접지전압 보다 낮은 전압준위를 가지는 N_접지전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 분리형 단위화소.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전송트랜지스터의 일 단자는 상기 포토다이오드의 네거티브 영역에 연결되고 다른 일 단자는 상기 제1패드에 연결되며 게이트에는 상기 전송제어신호가 인가되고,
    상기 리셋트랜지스터의 일 단자는 전원전압 및 상기 전원전압과 전압준위가 다른 제2전원전압 중 하나에 연결되고 다른 일 단자는 상기 제2패드 및 상기 소스 팔로우 트랜지스터의 게이트 단자에 공통으로 연결되며 게이트에 상기 리셋제어신호가 인가되고,
    상기 소스 팔로우 트랜지스터의 일 단자는 전원전압에 연결되고 다른 일 단자로는 변환전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 분리형 단위화소.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2웨이퍼에는,
    선택제어신호에 응답하여 상기 소스 팔로우 트랜지스터에서 생성된 변환전압을 스위칭하는 선택트랜지스터를 더 구비하며,
    상기 선택트랜지스터는 게이트 단자에는 상기 선택제어신호가 인가되며, 일 단자가 상기 소스 팔로우 트랜지스터의 다른 일 단자에 연결되고 다른 일 단자로 상기 변환전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 분리형 단위화소.
  4. 입사되는 빛에 대응되는 변환전압을 생성하는 이미지센서의 분리형 단위화소에 있어서,
    입사되는 빛에 대응되는 전하를 생성하는 포토다이오드, 제1패드, 전송제어신호에 응답하여 상기 포토다이오드에서 생성된 전하를 상기 제1패드로 전송하는 전송트랜지스터 및 리셋제어신호에 응답하여 상기 제1패드와 상기 전송트랜지스터의 공통단자를 리셋시키는 리셋트랜지스터가 형성된 제1웨이퍼; 및
    제2패드 및 상기 제2패드로 전송되는 전하에 대응되는 변환전압을 생성하는 소스 팔로우 트랜지스터가 형성된 제2웨이퍼;를 포함하며,
    상기 포토다이오드의 포지티브 영역에는 상기 제2웨이퍼에서 사용되는 접지전압 보다 낮은 전압준위를 가지는 N_접지전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 분리형 단위화소.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전송트랜지스터의 일 단자는 상기 포토다이오드의 네거티브 영역에 연결되고 다른 일 단자는 상기 제1패드에 연결되며 게이트에는 상기 전송제어신호가 인가되고,
    상기 리셋트랜지스터의 일 단자는 전원전압 및 상기 전원전압과 전압준위가 다른 제2전원전압 중 하나에 연결되고 다른 일 단자는 상기 제1패드와 상기 전송트랜지스터의 다른 일 단자에 공통으로 연결되며 게이트에 상기 리셋제어신호가 인가되고,
    상기 소스 팔로우 트랜지스터의 일 단자는 전원전압에 연결되고 게이트는 상기 제2패드가 연결되며 다른 일 단자는 상기 변환전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 분리형 단위화소.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2웨이퍼는,
    선택제어신호에 응답하여 상기 소스 팔로우 트랜지스터에서 생성된 변환전압을 스위칭하는 선택트랜지스터를 더 포함하며,
    상기 선택트랜지스터는,
    게이트에 상기 선택제어신호가 인가되고, 일 단자는 상기 소스 팔로우 트랜지스터의 다른 일 단자에 연결되며 다른 일 단자로 상기 변환전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 분리형 단위화소.
  7. 입사되는 빛에 대응되는 변환전압을 생성하는 이미지센서의 분리형 단위화소에 있어서,
    제1패드, 입사되는 빛에 대응되는 전하를 생성하는 제1포토다이오드, 제1전송제어신호에 응답하여 상기 제1포토다이오드에서 생성된 전하를 상기 제1패드에 전송하는 제1전송트랜지스터, 입사되는 빛에 대응되는 전하를 생성하는 제2포토다이오드 및 제2전송제어신호에 응답하여 상기 제2포토다이오드에서 생성된 전하를 상기 제1패드에 전송하는 제2전송트랜지스터가 형성된 제1웨이퍼; 및
    제2패드, 상기 제2패드로 전송된 전하에 대응되는 변환전압을 생성하는 소스 팔로우 트랜지스터 및 리셋제어신호에 응답하여 상기 제2패드와 상기 소스 팔로우 트랜지스터의 게이트 단자를 공통으로 리셋시키는 리셋트랜지스터가 형성된 제2웨이퍼;를 포함하며,
    상기 제1포토다이오드)의 포지티브 영역 및 상기 제1포토다이오드의 포지티브 영역에는 상기 제2웨이퍼에서 사용되는 접지전압 보다 낮은 전압준위를 가지는 N_접지전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 분리형 단위화소.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1포토다이오드는 포지티브 영역에 상기 N_접지전압이 인가되며,
    상기 제1전송트랜지스터의 일 단자는 상기 제1포토다이오드의 네거티브 단자에 연결되고, 다른 일 단자는 상기 제1패드에 연결되며, 게이트에 상기 제1전송제어신호가 인가되고,
    상기 제2포토다이오드는 포지티브 영역에 상기 N_접지전압이 인가되며,
    상기 제2전송트랜지스터의 일 단자는 상기 제2포토다이오드의 네거티브 단자에 연결되고, 다른 일 단자는 상기 제1패드에 연결되며, 게이트에 상기 제2전송제어신호가 인가되고,
    상기 리셋트랜지스터의 일 단자는 전원전압 및 상기 전원전압과 전압준위가 다른 제2전원전압 중 하나에 연결되고 다른 일 단자는 상기 제2패드에 연결되며 게이트에 상기 리셋제어신호가 인가되며,
    상기 소스 팔로우 트랜지스터의 일 단자는 전원전압에 연결되며, 상기 제2패드 및 상기 리셋트랜지스터의 다른 일 단자에 저장된 전하에 대응되는 변환전압을 다른 일 단자를 통해 출력하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 분리형 단위화소.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2웨이퍼는,
    선택제어신호에 응답하여 상기 소스 팔로우 트랜지스터에서 생성된 변환전압을 스위칭하는 선택트랜지스터를더 포함하며,
    상기 선택트랜지스터는,
    게이트에 상기 선택제어신호가 인가되고, 일 단자는 상기 소스 팔로우 트랜지스터의 다른 일 단자에 연결되며 다른 일 단자로 상기 변환전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 분리형 단위화소.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제1패드 및 상기 제2패드는 패드연결수단에 의해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 분리형 단위화소.
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