JP2015534273A - 3次元構造を有するイメージセンサの分離型単位画素 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 入射する光に対応する変換電圧を生成するイメージセンサの分離型単位画素において、
入射する光に対応する電荷を生成するフォトダイオードと、第1パッドと、転送制御信号に応答して、前記フォトダイオードで生成された電荷を前記第1パッドに転送する転送トランジスタとが形成された第1ウエハと、
第2パッドと、該第2パッドに転送される電荷に対応する変換電圧を生成するソースフォロワトランジスタと、リセット制御信号に応答して、前記第2パッドおよび前記ソースフォロワトランジスタのゲート端子を共通にリセットさせるリセットトランジスタとが形成された第2ウエハとを備え、
前記フォトダイオードのポジティブ領域には、前記第2ウエハで使用される接地電圧より低い電圧準位を有するN_接地電圧を印加することを特徴とする、イメージセンサの分離型単位画素。 - 前記転送トランジスタの一端子が前記フォトダイオードのネガティブ領域に接続され、他の一端子が前記第1パッドに接続され、ゲートには前記転送制御信号が印加され、
前記リセットトランジスタの一端子が電源電圧および該電源電圧と電圧準位の異なる第2電源電圧のうちの1つに接続され、他の一端子が前記第2パッドおよび前記ソースフォロワトランジスタの前記ゲート端子に共通に接続され、ゲートに前記リセット制御信号が印加され、
前記ソースフォロワトランジスタの一端子が電源電圧に接続され、他の一端子には変換電圧を出力することを特徴とする、請求項1に記載のイメージセンサの分離型単位画素。 - 前記第2ウエハが、選択制御信号に応答して、前記ソースフォロワトランジスタで生成された変換電圧をスイッチングする選択トランジスタをさらに備え、
該選択トランジスタは、ゲート端子には前記選択制御信号が印加され、一端子が前記ソースフォロワトランジスタの前記他の一端子に接続され、他の一端子に前記変換電圧を出力することを特徴とする、請求項2に記載のイメージセンサの分離型単位画素。 - 入射する光に対応する変換電圧を生成するイメージセンサの分離型単位画素において、
入射する光に対応する電荷を生成するフォトダイオードと、第1パッドと、転送制御信号に応答して、前記フォトダイオードで生成された電荷を前記第1パッドに転送する転送トランジスタと、リセット制御信号に応答して、前記第1パッドおよび前記転送トランジスタの共通端子をリセットさせるリセットトランジスタとが形成された第1ウエハと、
第2パッドと、該第2パッドに転送される電荷に対応する変換電圧を生成するソースフォロワトランジスタとが形成された第2ウエハとを備え、
前記フォトダイオードのポジティブ領域には、前記第2ウエハで使用される接地電圧より低い電圧準位を有するN_接地電圧を印加することを特徴とする、イメージセンサの分離型単位画素。 - 前記転送トランジスタの一端子が前記フォトダイオードのネガティブ領域に接続され、他の一端子が前記第1パッドに接続され、ゲートには前記転送制御信号が印加され、
前記リセットトランジスタの一端子が電源電圧および該電源電圧と電圧準位の異なる第2電源電圧のうちの1つに接続され、他の一端子が前記第1パッドおよび前記転送トランジスタの前記他の一端子に共通に接続され、ゲートに前記リセット制御信号が印加され、
前記ソースフォロワトランジスタの一端子が電源電圧に接続され、ゲートには前記第2パッドが接続され、他の一端子が前記変換電圧を出力することを特徴とする、請求項4に記載のイメージセンサの分離型単位画素。 - 前記第2ウエハが、選択制御信号に応答して、前記ソースフォロワトランジスタで生成された変換電圧をスイッチングする選択トランジスタをさらに備え、
該選択トランジスタは、ゲートに前記選択制御信号が印加され、一端子が前記ソースフォロワトランジスタの前記他の一端子に接続され、他の一端子に前記変換電圧を出力することを特徴とする、請求項5に記載のイメージセンサの分離型単位画素。 - 入射する光に対応する変換電圧を生成するイメージセンサの分離型単位画素において、
第1パッドと、入射する光に対応する電荷を生成する第1フォトダイオードと、第1転送制御信号に応答して、前記第1フォトダイオードで生成された電荷を前記第1パッドに転送する第1転送トランジスタと、入射する光に対応する電荷を生成する第2フォトダイオードと、第2転送制御信号に応答して、前記第2フォトダイオードで生成された電荷を前記第1パッドに転送する第2転送トランジスタとが形成された第1ウエハと、
第2パッドと、該第2パッドに転送された電荷に対応する変換電圧を生成するソースフォロワトランジスタと、リセット制御信号に応答して、前記第2パッドおよび前記ソースフォロワトランジスタのゲート端子を共通にリセットさせるリセットトランジスタとが形成された第2ウエハとを備え、
前記第1フォトダイオードのポジティブ領域および前記第1フォトダイオードのポジティブ領域には、前記第2ウエハで使用される接地電圧より低い電圧準位を有するN_接地電圧を印加することを特徴とする、イメージセンサの分離型単位画素。 - 前記第1フォトダイオードはポジティブ領域に前記N_接地電圧が印加され、
前記第1転送トランジスタの一端子が前記第1フォトダイオードのネガティブ端子に接続され、他の一端子が前記第1パッドに接続され、ゲートに前記第1転送制御信号が印加され、
前記第2フォトダイオードはポジティブ領域に前記N_接地電圧が印加され、
前記第2転送トランジスタの一端子が前記第2フォトダイオードのネガティブ端子に接続され、他の一端子が前記第1パッドに接続され、ゲートに前記第2転送制御信号が印加され、
前記リセットトランジスタの一端子が電源電圧および該電源電圧と電圧準位の異なる第2電源電圧のうちの1つに接続され、他の一端子が前記第2パッドに接続され、ゲートに前記リセット制御信号が印加され、
前記ソースフォロワトランジスタの一端子が電源電圧に接続され、前記第2パッドおよび前記リセットトランジスタの前記他の一端子に格納された電荷に対応する変換電圧を他の一端子を介して出力することを特徴とする、請求項7に記載のイメージセンサの分離型単位画素。 - 前記第2ウエハが、選択制御信号に応答して、前記ソースフォロワトランジスタで生成された変換電圧をスイッチングする選択トランジスタをさらに備え、
該選択トランジスタは、ゲートに前記選択制御信号が印加され、一端子が前記ソースフォロワトランジスタの前記他の一端子に接続され、他の一端子に前記変換電圧を出力することを特徴とする、請求項8に記載のイメージセンサの分離型単位画素。 - 前記第1パッドおよび前記第2パッドが、パッド接続手段によって電気的に接続されることを特徴とする、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のイメージセンサの分離型単位画素。
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