KR20140036545A - 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 - Google Patents

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KR20140036545A
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Abstract

본 발명은 광의 휘도를 향상시킨 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛을 위하여, 제1면을 가지며 상기 제1면으로부터 돌출된 제1돌출부를 갖는 제1리드와 제2면을 갖고 상기 제2면으로부터 상기 제1돌출부와 동일한 방향으로 돌출된 제2돌출부를 가지며 상기 제1리드와 이격된 제2리드를 포함하는 리드프레임과, 상기 제1리드의 상기 제1돌출부와 컨택하는 제1전극과, 상기 제2리드의 상기 제2돌출부와 컨택하며 상기 제1전극과 극성이 다른 제2전극과, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광소자와, 상기 리드프레임과 결합하되며, 상기 발광소자에서 발생된 광이 방출되도록 하는 개구를 갖는 몰딩재를 포함하는 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛을 제공한다.

Description

발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛{light emitting device package and back light unit including the same}
본 발명은 광을 방출하는 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다.
일반적으로 발광소자는 전자장치, 예컨대 디스플레이장치에서 백라이트 유닛의 광원으로 사용되고 있다. 이러한 발광소자는 백라이트 모듈에 결합하기 전에 다양한 형태로 패키징될 수 있으며, 백라이트 유닛은 이와 같이 패키징된 발광소자 패키지를 구비한다.
그러나 이러한 종래의 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛에는 발광소자와 리드의 연결이 용이하지 않거나 발광소자에서 방출되는 광의 휘도보다 발광소자 패키지에서 방출되는 광의 휘도가 현저히 낮은 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 광의 휘도를 향상시킨 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 제1면을 가지며 상기 제1면으로부터 돌출된 제1돌출부를 갖는 제1리드와 제2면을 갖고 상기 제2면으로부터 상기 제1돌출부와 동일한 방향으로 돌출된 제2돌출부를 가지며 상기 제1리드와 이격된 제2리드를 포함하는 리드프레임과, 상기 제1리드의 상기 제1돌출부와 컨택하는 제1전극과, 상기 제2리드의 상기 제2돌출부와 컨택하며 상기 제1전극과 극성이 다른 제2전극과, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광소자와, 상기 리드프레임과 결합되며 상기 발광소자에서 발생된 광이 방출되도록 하는 개구를 갖는 몰딩재를 포함하는 발광소자 패키지가 제공된다.
상기 발광소자는 플립 칩(Flip-chip)형태로 상기 리드프레임에 컨택할 수 있다.
상기 제1면과 상기 제2면은 동일 평면 상에 위치하고, 상기 몰딩재는 상기 발광소자에서 발생된 광이 방출되는 방향으로의 끝단에 단부면을 가지며, 상기 발광소자의 상기 활성층은 상기 제1면과 상기 단부면 사이의 중간에 위치할 수 있다.
상기 제1리드의 상기 제1돌출부 및 상기 제2리드의 상기 제2돌출부는 상기 제1면 및 상기 제2면에서 동일한 높이로 돌출될 수 있다.
상기 제1리드의 상기 제1돌출부 및 상기 제2리드의 상기 제2돌출부 중 어느 하나는 다른 하나보다 상기 제1면 및 상기 제2면에서부터 높게 돌출될 수 있다.
상기 발광소자와 상기 리드프레임 사이에 언더필 재료가 구비될 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 저부에서 단부면으로 갈수록 방사형으로 형성된 개구를 구비하는 몰딩재와, 광을 발생하는 활성층을 가지며 상기 개구의 저부에서 소정 거리로 이격된 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지가 제공된다.
상기 발광소자는 상기 활성층이 상기 몰딩재의 상기 개구의 저부과 단부면 사이의 중간에 위치하도록 상기 몰딩재의 개구의 저부에서 상기 소정의 거리로 이격될 수 있다.
한편, 본 발명의 또 다른 일 관점에 따르면, 반사시트와, 상기 반사시트 상에 배치되거나 상기 반사시트 상부에 배치된 도광판과, 상기 도광판으로 광을 조사하도록 배치된 전술한 발광소자 패키지를 구비하는 백라이트 유닛이 제공된다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 광의 휘도를 향상시킨 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 개략적으로 도시하는 개념도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지(1)를 개략적으로 도시하는 사시도이고, 도 2는 도 1의 II-II선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 본 실시예에 있어서, 발광소자 패키지(1)는 리드프레임(100), 발광소자(200) 및 몰딩재(300)를 포함할 수 있다.
리드프레임(100)은 제1리드(110) 및 제2리드(120)를 포함할 수 있다. 예컨대, 리드프레임(100)은 제1리드(110) 및 제2리드(120)에 발광소자(200)가 배치되어 발광소자(200)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 제1리드(110) 및 제2리드(120)는 +y 방향으로 연장될 수 있다. 물론 이에 한정하는 것은 아니다.
제1리드(110)는 대략 일 평면(xy 평면) 상에 위치하는 상면인 제1면을 가지며 이 제1면으로부터 상방(+z 방향)으로 돌출된 제1돌출부(111)를 구비할 수 있다. 그리고 제2리드(120)는 제1리드(110)로부터 일 방향(y축 방향)으로의 이격거리를 갖도록 이격되며, 역시 일 평면(xy 평면) 상에 위치하는 상면인 제2면을 갖고 이 제2면으로부터 제1돌출부(111)와 동일한 방향, 즉 상방(+z 방향)으로 돌출된 제2돌출부(121)를 구비할 수 있다. 여기서 제1면과 제2면은 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 제1돌출부(111) 및 제2돌출부(121)는 예컨대 제1리드(110)와 제2리드(120)가 상호 이격된 상기 일 방향(y축 방향)과 교차하는 타 방향(+x 방향)으로 연장될 수 있다. 이때, 제1돌출부(111) 및 제2돌출부(121)는 후술할 개구(310)의 저부에서 동일한 높이로 돌출될 수 있다. 이러한 제1리드(110) 및 제2리드(120)는 발광소자(200)가 안착될 수 있는데, 구체적으로 제1돌출부(111) 및 제2돌출부(121)에 발광소자(200)가 직간접적으로 컨택하도록 안착될 수 있다.
발광소자(200)는 전기 신호를 인가받아 광을 방출하는 소자로서 다양한 전자장치의 광원으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 발광소자(200)는 화합물 반도체의 다이오드로 구성될 수 있고, 이러한 발광소자(200)는 발광 다이오드(light emitting diode; LED)로 불릴 수 있다.
발광소자(200)는 제1전극(241), 제2전극(221) 및 활성층(230)을 포함할 수 있다. 예컨대 발광소자(200)는 N형 반도체층(220), P형 반도체층(240) 및 활성층(230)을 포함할 수 있다. 구체적으로 제1발광소자(200)는 P형 반도체층(240), 활성층(230), N형 반도체층(220), 사파이어 기판(210)이 순차적으로 적층된 형태일 수 있다. 그리고 도시된 바에 의하면, 제1전극(241)은 P형 반도체층(240)에 컨택되고, 제2전극(221)은 N형 반도체층(220)에 컨택될 수 있다.
발광소자(200)가 빛을 방출하는 과정을 설명하면, 제1전극(241)을 통해 P형 반도체층(240)에 적절한 전기적 신호가 인가되고 제2전극(221)을 통해 N형 반도체층(220)에 적절한 전기적 신호가 인가되면, 전자와 정공이 활성층(230)으로 이동하여, 활성층(230)에서 광을 방출하게 된다.
제1전극(241) 및 제2전극(221)에 적절한 전기적 신호를 인가하기 위하여, 발광소자(200)는 리드프레임(100)과 컨택하여 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로 제1전극(241)은 제1리드(110)의 제1돌출부(111)와 컨택하고, 제2전극(221)은 제2리드(120)의 제2돌출부(121)와 컨택할 수 있다.
이때, 발광소자(200)와 리드프레임(100)은 와이어링 등을 통해 전기적으로 연결되도록 할 수도 있지만, 발광소자(200)가 플립 칩(Flip-chip)형태로 상기 리드프레임(100)에 컨택하도록 할 수 있다. 이를 통해 와이어링 등의 복잡한 후속공정을 생략할 수 있어 발광소자 패키지 제조공정을 단순화할 수 있다. 이때, 발광소자(200)는 리드프레임(100)에 고정될 수 있는데, 범프에 의해 본딩될 수 있다. 구체적으로 발광소자(200)의 제1전극(241)이 제1돌출부(111)에 본딩되고, 제2전극(221)이 제2돌출부에 본딩될 수 있다. 물론 이와 달리 이방성 도전 필름에 이해 본딩될 수도 있다.
몰딩재(300)는 리드프레임(100)에 결합되어 발광소자 패키지(1)의 전체적인 외형을 형성할 수 있다. 이러한 몰딩재(300)는 트랜스퍼 몰딩법 등을 통해 수지로 형성될 수 있다. 물론 몰딩재(300)는 트랜스퍼 몰딩법 외에도 인젝션 몰딩, 사출성형 등을 통해 형성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다. 몰딩재(300)로 사용할 수 있는 수지로는 에폭시 등을 들 수 있다.
몰딩재(300)는 발광소자(200)에서 발생된 광이 방출될 개구(310)를 가질 수 있는데, 도면에서는 발광소자(200)에서 발생된 광이 +z방향으로 진행되도록 할 수 있는 개구(310)를 몰딩재(300)가 갖는 경우를 도시하고 있다.
구체적으로 몰딩재(300)의 개구(310)는, 발광소자(200)에서 발생된 광이 +z방향으로 진행되도록 하기 위하여, 제1리드(110)의 제1면(311)의 적어도 일부와 제2리드(120)의 제2면의 적어도 일부가 노출되도록 하는 저부(하측)에서, 발광소자(200)에서 방생된 광이 방출되는 방향(+z 방향)으로의 끝단의 단부면(312)으로 갈수록, 방사형상이 되도록 형성될 수 있다. 즉, 몰딩재(300)의 개구(310)는 -z 방향 저부에서의 넓이가 +z 방향 끝단에서의 넓이보다 좁고, 저부와 단부면(312)을 연결하는 방사형의 반사면을 포함할 수 있다. 발광소자(200)에서 방출된 광은 이 반사면에 의해 +z방향으로 진행될 수 있다. 이때, 제1면(311), 제2면 및 개구의 저부는 대략 동일한 평면 상에 존재할 수 있다.
도 2를 참조하면, 발광소자(200)에서 방출되는 광은 단면도에서 바라볼 시 발광소자(200)의 활성층(230)을 지나는 y축을 가정할 때 대략 y축을 중심으로 방사형으로 퍼지도록 방출될 수 있다. 즉, 발광소자(200)의 활성층(230)에서 방출되는 광은 +y축과 +z축 사이 및 -y축과 +z축 사이로 진행되는 것 뿐만 아니라 +y축과 -z축 사이 및 -y축과 -z축 사이로도 진행될 수 있다. 이때, 발광소자 패키지(1)에서 방출되는 광은 전술한 바와 같이 직접 또는 몰딩재(300)의 반사면에서 반사된 후 주로 +z 방향으로 진행되는 것이 바람직하다.
종래에는 발광소자(200)가 리드프레임(100)에 안착되어 반사면으로 진행되는 광의 양이 작아, 발광소자 패키지(1)에서 방출되는 광의 휘도가 전체적으로 낮은 문제점이 있었다. 즉 발광소자(200)의 활성층(230)에서 방출된 광 중 +y축과 -z축 사이 및 -y축과 -z축 사이로 진행된 광은 대략 개구(310)의 저부로 조사되어 몰딩재(300)의 반사면에 직접 입사하는 양이 적어짐에 따라 +z방향으로 효과적으로 진행되지 못해, 발광소자 패키지(1)의 전체적인 휘도가 낮았었다.
그러나 본 실시예에 따르면, 활성층(230)에서 발생된 광이 몰딩재(300)의 반사면으로 다량 직접 조사되도록, 발광소자(200)는 개구(310)의 저부에서 소정의 거리로 이격될 수 있다. 구체적으로 발광소자(200)는 전술한 바와 같이 제1리드(110)의 제1돌출부(111) 및 제2리드(120)의 제2돌출부(121)와 컨택하기에 제1돌출부(111)와 제2돌출부(121)에 의해 개구(310)의 저부, 즉 제1리드(110)의 상면인 제1면(311)이나 제2리드(120)의 제2면에서 소정의 거리로 이격될 수 있다.
이처럼 발광소자(200)가 소정의 거리로 개구(310)의 저부에서 이격됨에 따라, 발광소자(200)의 활성층(230)에서 방출된 광 중 +y축과 -z축 사이 및 -y축과 -z축 사이로 진행된 광이라 하더라도 종래보다 몰딩재(300)의 반사면으로 다량 직접 조사될 수 있으며, 이로 인해 +z방향으로 진행되는 광이 많아져, 발광소자 패키지(1)의 전체적인 휘도를 향상시킬 수 있다.
이때, 발광소자(200)가 개구(310)의 저부에서 과도한 거리로 이격되면, 활성층(230)에서 방출되어 +y축과 +z축 사이 및 -y축과 +z축 사이로 진행되는 광이 반사면에 도달하지 않고 방출될 수 있다. 이 경우 발광소자 패키지(1)에서 방출되는 광이 과도하게 넓게 퍼져 발광소자 패키지(1)의 +z 방향에서의 균일한 휘도 향상에 도움이 되지 않을 수 있다. 따라서 발광소자(200)의 활성층(230)에서 방출되는 광이 반사면에 가능하면 많이 도달하도록 하기 위하여, 발광소자(200)의 활성층(230)이 개구(310)의 저부와 단부면(312) 사이의 중간에 위치하도록 할 수 있다. 이하에서는 개구(310)의 저부와 단부면(312) 사이에 위치하는 활성층(230)의 거리를 제1거리(h1)라 한다.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광소자 패키지(1)의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 본 실시예에 따른 발광소자 패키지(1)는 전술한 실시예에 따른 발광소자 패키지(1)와 동일하거나 유사하나, 제1리드(110)의 제1돌출부(111)와 제2리드(120)의 제2돌출부(121)의 돌출 높이가 다르다. 따라서 중복되는 설명은 생략한다.
제1리드(110)의 제1돌출부(111) 및 제2리드(120)의 제2돌출부(121) 중 어느 하나는 다른 하나보다 개구(310)의 저부에서부터 높게 돌출될 수 있다. 예컨대, 도시된 바와 같이 제1돌출부(111)는 제2돌출부(121)보다 +z방향으로 더 높게 돌출될 수 있다. 또는 그 반대로 제2돌출부(121)가 제1돌출부(111)보다 더 높게 돌출될 수 있다. 이때, 발광소자(200)의 활성층(230)은 제1거리(h1)를 유지할 수 있다.
예를 들면, 제2돌출부(121)의 높이가 제2돌출부(121)의 높이보다 낮으면, 제2전극(221)은 전술한 실시예에 의한 제2전극(221)보다 그 길이가 길 수 있다. 물론 그 반대도 가능하다.
이처럼, 제1돌출부(111)의 높이와 제2돌출부(121)의 높이가 다른 것은 발광소자(200)가 리드프레임(100)에 컨택하는 방향을 안내하기 위함이다. 제1돌출부(111)의 높이와 제2돌출부(121)의 높이가 동일하다면, 제1전극(241)과 제2전극(221)을 제1돌출부(111)와 제2돌출부(121)에 각각 컨택할 때 컨택 방향을 오인하여 잘못 컨택할 수 있다. 이러한 것을 방지하기 위하여 제1돌출부(111)와 제2돌출부(121)의 높이를 다르게 할 수 있다.
한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 발광소자(200)와 리드프레임(100) 사이에 언더필 재료(400)가 구비될 수 있다. 구체적으로 P형 반도체층(240), 제1돌출부(111)와 제1전극(241), 제2돌출부(121)와 제2전극(221) 및 몰딩재(300)의 개구(310)의 저부에 의해 한정된 공간에 언더필 재료(400)가 주입될 수 있다. 물론 언더필 재료(400)는 위 공간뿐만 아니라 다른 곳에도 채워질 수 있다.
이러한 언더필 재료(400)는 액체 에폭시이고, 이것은 발광소자(200)와 리드프레임(100) 사이에 주입되고 시간이 지난 뒤 경화될 수 있다. 경화된 언더필 재료(400)는 구조상 발광소자(200)와 리드프레임(100)을 지지하며, 오염물질이 발광소자(200)로 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 언더필 재료(400)를 통해 발광소자(200)에서 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 발광소자(200)가 리드프레임(100)에서 소정의 거리로 이격되므로 다량의 언더필 재료(400)가 주입될 수 있어, 구조적인 안정성이 더욱 향상될 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 백라이트 유닛은 프레임(11)과, 프레임(11)의 일부분 상의 반사시트(15)와, 반사시트(15) 상의 도광판(12)과, 프레임(11)의 다른 부분 상에 배치되되 도광판(12)으로 광을 조사하도록 배치된, 전술한 바와 같은 실시예 및/또는 그 변형예에 따른 발광소자 패키지(1)를 구비한다. 발광소자 패키지(1)는 선택적으로 인쇄회로기판(미도시)에 연결될 수 있다.
이와 같은 본 실시예에 따른 백라이트 유닛의 경우 발광소자 패키지(1)에서 방출되는 광의 휘도를 획기적으로 높일 수 있어, 휘도를 높게 하기 위한 부가적인 에너지 소모를 절감할 수 있다.
또한, 발광소자(200)와 리드프레임(100)에 적절한 양의 언더필 재료(400)를 구비할 수 있어, 발광소자(200)를 구조적 안정성이 높게 지지할 수 있다. 이로 인해, 충격, 열 등에 의해 발광소자(200)가 리드프레임(100)에서 탈거되는 것을 방지할 수 있어 신뢰성 높은 백라이트 유닛을 제공할 수 있다.
도 4에서는 발광소자 패키지(1)가 도광판(120)의 측면 상에 배치된 백라이트 유닛을 도시하고 있으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 도광판이 반사시트 상부에 배치되고 발광소자 패키지(1)가 도광판 하부에 위치하는 직하형 백라이트 유닛에도 적용가능함은 물론이다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 리드프레임 110: 제1리드
111: 제1돌출부 120: 제2리드
121: 제2돌출부 200: 발광소자
210: 사파이어 기판 220: N형 반도체층
221: 제2전극 230: 활성층
240: P형 반도체층 241: 제1전극
300: 몰딩재 310: 개구
311: 제1면 312: 단부면
400: 언더필 재료

Claims (9)

  1. 제1면을 가지며 상기 제1면으로부터 돌출된 제1돌출부를 갖는 제1리드와, 제2면을 갖고 상기 제2면으로부터 상기 제1돌출부와 동일한 방향으로 돌출된 제2돌출부를 가지며 상기 제1리드와 이격된 제2리드;를 포함하는 리드프레임;
    상기 제1리드의 상기 제1돌출부와 컨택하는 제1전극과, 상기 제2리드의 상기 제2돌출부와 컨택하며 상기 제1전극과 극성이 다른 제2전극과, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광소자; 및
    상기 리드프레임과 결합되며, 상기 발광소자에서 발생된 광이 방출되도록 하는 개구를 갖는 몰딩재;
    를 포함하는, 발광소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광소자는 플립 칩(Flip-chip)형태로 상기 리드프레임에 컨택하는, 발광소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1면과 상기 제2면은 동일 평면 상에 위치하고, 상기 몰딩재는 상기 발광소자에서 발생된 광이 방출되는 방향으로의 끝단의 단부면을 가지며, 상기 발광소자의 상기 활성층은 상기 제1면과 상기 단부면 사이의 중간에 위치하는, 발광소자 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1리드의 상기 제1돌출부 및 상기 제2리드의 상기 제2돌출부는 상기 제1면 및 상기 제2면에서 동일한 높이로 돌출되는, 발광소자 패키지.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1리드의 상기 제1돌출부 및 상기 제2리드의 상기 제2돌출부 중 어느 하나는 다른 하나보다 상기 제1면 및 상기 제2면에서부터 높게 돌출되는, 발광소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광소자와 상기 리드프레임 사이에 언더필 재료가 구비되는, 발광소자 패키지.
  7. 저부에서 단부면으로 갈수록 방사형으로 형성된 개구를 구비하는 몰딩재; 및
    광을 발생하는 활성층을 가지며, 상기 개구의 저부에서 소정 거리로 이격된 발광소자;
    를 포함하는, 발광소자 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 발광소자는 상기 활성층이 상기 몰딩재의 상기 개구의 저부과 단부면 사이의 중간에 위치하도록 상기 몰딩재의 개구의 저부에서 상기 소정의 거리로 이격되는, 발광소자 패키지.
  9. 반사시트;
    상기 반사시트 상에 배치되거나 상기 반사시트 상부에 배치된 도광판; 및
    상기 도광판으로 광을 조사하도록 배치된, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지;
    를 구비하는, 백라이트 유닛.
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