KR20140028782A - 스너버 회로를 포함하는 전기 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 스너버 회로를 포함하는 전기 회로에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전기회로는 입력전원을 출력전원으로 변환하는 변압부, 스위칭 동작에 의해 상기 변압부의 1차측에 흐르는 전류의 듀티를 제어하는 스위치부, 상기 스위치부에 의한 과도전압을 제거하는 스너버 회로부를 포함하고, 상기 스너버 회로부는 발광 다이오드를 포함할 수 있다.

Description

스너버 회로를 포함하는 전기 회로{ELECTRIC CIRCUIT INCLUDING A SNUBBER CIRCUIT}
본 발명은 스너버 회로를 포함하는 전기 회로에 관한 것으로서, 구체적으로는 전원 점검용 스너버 회로를 포함하는 전기 회로에 관한 것이다.
인덕터는 특유의 성질로 인하여 다양한 전기 회로에서 널리 사용되는 대표적 전기 회로 소자 중의 하나이다. 특히, 인덕터는 전류의 변화를 억제하고 전류의 흐름을 안정시키려는 특성을 가짐으로 인하여 콘덴서와 함께 조합되어 직류 성분을 얻기 위한 평활 회로에 사용되기도 하고, 상호 유도 작용의 특성을 가짐으로 인하여 서로 가까이 배치된 2개의 인덕터 사이에서 양자간 권수 비율에 따라 변압된 전력을 한쪽 인덕터로부터 다른 쪽 인덕터로 전달하는 변압기에 이용되기도 할 뿐만 아니라, 인덕터는 전자석으로서의 특성을 가짐으로 인하여 각종 계전기로서 이용되기도 하고, 전기적 공진 특성을 가짐으로 인하여 콘덴서와 함께 특정 주파수를 위한 필터 회로에서 이용되기도 한다.
이와 같이 다양한 유형의 인덕터를 포함하는 전기 회로들 가운데, 인덕터와 함께 스위칭 소자를 포함하고 스위칭 소자의 온/오프를 제어함으로써 인덕터에 흐르는 전류 및 전압을 제어하여 원하는 목적을 달성하고자 하는 전기 회로들이 존재한다. 그러한 전기 회로들에 있어서, 스위칭 소자가 온 되어 있는 때에는 인덕터 및 스위칭 소자를 통하여 원활하게 전류 흐름이 이루어지지만, 스위칭 소자가 온에서 오프로 상태 변화를 하는 때에는 인덕터 자체에서 발생하는 역기전압에 의해 해당 전기 회로에 순간적으로 과도한 전압이 발생할 수 있다.
이러한 과도한 전압은 스위칭 소자에 큰 부담으로 작용하게 된다. 특히, 스위칭 소자가 온에서 오프로 상태 변화를 하는 순간 스위칭 소자에는 소정의 전압 범위를 벗어난 고주파 성분으로 인하여 왜곡된 오버슈트 전압이 발생할 수 있고, 이러한 오버슈트 전압은 스위칭 소자에 더욱 큰 부담으로 작용할 수 있다.
나아가, 인덕터와 스위칭 소자를 포함하는 전기 회로들 중에서 2개의 인덕터, 즉 1차 권선과 2차 권선을 이용하여 이들 간의 상호 유도 작용에 의해 전압 변환을 달성하는 변압기의 경우에는, 1차측 스위칭 소자가 온에서 오프로 상태 변화를 하는 때에 1차 권선의 양단에 2차 권선으로부터 유도되는 유도 기전압이 발생한다.
따라서, 1차측 스위칭 소자가 온에서 오프로 상태 변화를 하는 때, 1차측 스위칭 소자에는 전원에 의한 기전압, 인덕터 자체에서 발생한 역기전압, 고주파 성분에 의한 오버슈트 전압 및 2차 권선으로부터 유도되는 유도 기전압이 걸리게 되어, 스위칭 소자에 지나치게 큰 부담이 되고, 때로는 해당 스위칭 소자에 심각한 손상이 발생할 수도 있다.
이와 관련하여, 스위칭 소자의 오프 시에 발생하는 역기전압 등에 의한 스위칭 소자의 손상을 방지하기 위하여 스너버 회로가 널리 이용되고 있다. 스너버 회로란 인덕터 등의 인덕턴스 부하를 릴레이 또는 반도체 스위칭 소자로 온/오프 시킬 때 발생하는 과도 전압 또는 과도 전류를 완화하기 위하여 사용되는 보조 회로 소자 또는 소자의 집합으로서, 일반적으로 저항 및 캐패시터를 조합한 RC 스너버 회로 또는 저항, 캐패시터 및 다이오드를 조합한 RCD 스너버 회로가 널리 이용되고 있다.
그러나, 이러한 스너버 회로를 구비한 전기 회로의 경우, 역기전압 등에 의한 과도 전압의 일부를 소거하여 스위칭 소자를 보호할 수는 있지만, 스너버 회로가 통상 온 상태를 유지하기 때문에 낭비되는 소비 전력으로 인하여 효율이 낮아지는 문제가 있고 저항을 통해 에너지가 열로 발산되므로 저항의 발열 문제를 해결해야 하는 문제가 있다. 따라서, 발열 손실 및 소비 전력의 낭비를 줄임으로써 효율을 높일 수 있는 새로운 형태의 스너버 회로 구성이 필요하다.
하기의 선행기술문헌 중 특허문헌 1은 스퍼터링 장치용의 교류 전원에 관한 발명으로서, 스위칭 트랜지스터를 보호하기 위한 RCD 스너버 회로를 개시하고 있으나, 스너버 회로에서 소비되는 전력의 소모를 줄이기 위한 방안 및 스너버 회로에서 발산되는 발열을 해결하기 위한 방안을 제시하고 있지 못하다.
대한민국특허 공개공보 10-2011-0107397
본 발명의 과제는 전술한 종래 기술의 문제점을 보완하기 위한 것으로, 본 발명은 스너버 회로부에서 소모되는 전력을 전원 점검을 위해 활용할 수 있는 전원 점검용 스너버 회로를 포함하는 전기 회로를 제안한다.
본 발명의 제1 기술적인 측면에 따르면, 입력전원을 출력전원으로 변환하는 변압부, 스위칭 동작에 의해 상기 변압부의 1차측에 흐르는 전류의 듀티를 제어하는 스위치부, 및 상기 스위치부에 의한 과도전압을 제거하는 스너버 회로부를 포함하고, 상기 스너버 회로부는 발광 다이오드를 포함하는 전기 회로를 제안한다.
또한, 상기 스너버 회로부는, 상기 발광 다이오드와 병렬로 연결되는 커패시터를 더 포함하고, 상기 발광 다이오드 및 상기 커패시터는 상기 변압부의 1차측과 각각 병렬로 연결되는 전기 회로를 제안한다.
또한, 상기 스너버 회로부는, 상기 발광 다이오드와 직렬로 연결되는 저항을 더 포함하고, 상기 발광 다이오드와 상기 저항은 상기 커패시터와 병렬로 연결되는 전기 회로를 제안한다.
또한, 상기 변압부의 1차측에서 상기 스너버 회로부로 흐르는 전류의 역류를 방지하는 역류 방지부를 더 포함하는 전기회로를 제안한다.
또한, 상기 역류 방지부는, 상기 변압부의 1차측과 상기 스위치부의 접점에 연결되는 애노드 및 상기 스너버 회로부에 연결되는 캐소드를 갖는 다이오드를 포함하는 전기 회로를 제안한다.
또한, 상기 발광 다이오드는 전원 점검용 발광 다이오드인 전기회로를 제안한다.
본 발명에 따르면, 스너버 회로부의 저항 소자에서 소모되는 전력의 일부 또는 전부를 발광 다이오드에서 전원 점검을 위해 활용함으로써, 소비 전력의 소모를 줄일 수 있고, 발열을 낮출 수 있다.
도 1은 종래의 스너버 회로를 포함하고 있는 전기회로를 나타내는 도이다.
도 2 및 도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전원 점검용 스너버 회로를 포함하는 전기 회로를 나타내는 도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 스너버 회로를 포함하고 있는 전기회로를 나타내는 도이다.
도 1을 참조하면, 전기 회로는 입력전원(Vin), 변압기(10), 스위칭 트랜지스터(20), 스너버 회로(30), 발광 다이오드(40)를 포함한다. 또한, 상기 스너버 회로는 저항(R) 및 커패시터(C)를 구비하고 있다.
입력전원(Vin)은 회로 전체에 직류 입력 전압을 공급한다. 변압기(10)의 1차측 인덕터와 스위칭 트랜지스터(20)는 입력전원(Vin)의 양의 단자로부터 순차적으로 직렬로 연결되어 있다. 저항(R)과 캐패시터(C)의 병렬 연결은 변압기(10)의 1차측 인덕터에 대해 병렬로 연결되는데, 여기서 이 저항(R) 및 캐패시터(C)가 RC 스너버 회로를 구성한다.
전기 회로의 동작에 관하여 살펴보면, 스위칭 트랜지스터(20)는 게이트 신호 입력(VG)에 의해 온 오프가 제어된다. 게이트 신호 입력(VG) 가 하이(high) 상태인 경우 스위칭 트랜지스터(20)가 온 되고 이러한 때에는 전기회로에 정상 전류가 흐르며, 입력전원(Vin)로부터의 전류는 변압기(10)의 1차측 인덕터를 거쳐 스위칭 트랜지스터(20)를 통해 흐른다. 한편, 게이트 신호 입력(VG)가 로우(low) 상태로 되어 그에 따라 스위칭 트랜지스터(20)가 온에서 오프로 상태 변화를 하는 때 변압기(10)의 1차측 인덕터에는 역기전압이 발생한다. 따라서, 오프 상태가 된 스위칭 트랜지스터(20)에는, 입력전원(Vin)으로부터의 입력 전압, 변압기(10)의 1차측 인덕터에서 발생한 역기전압, 그리고 급작스런 전압 상승에 수반하여 발생하는 오버슈트 전압이 더하여진 과도 전압이 전달될 수 있는데, 이러한 과도 전압 중 일부는 RC 스너버 회로, 즉 저항(R) 및 캐패시터(C)에 의해 흡수된다. 따라서, RC 스너버 회로로 인하여 스위칭 트랜지스터(106)에 지나치게 큰 전압이 걸리는 것을 방지할 수 있다.
출력단자(Vout)에 연결되는 발광 다이오드(40)는 전원 점검을 위해 이용될 수 있다. 일반적으로 이용되는 전자기기에 있어서 입력전원이 인가되는 경우, 전자기기의 정상적인 동작을 확인하기 위하여 전자기기의 전기 회로는 전원 점검용 발광 다이오드를 구비하고 있다. 따라서 상기 변압기(10)의 2차측의 인덕터와 출력단자 사이에 구비되는 발광 다이오드(40)는 출력전압이 인가되는 경우에 빛을 출력함으로써 전자기기의 정상적인 동작여부 확인을 위하여 이용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전원 점검용 스너버 회로를 포함하는 전기 회로를 나타내는 도이다.
도 2의 전원 점검용 스너버 회로를 포함하는 전기회로는 변압부(110), 스위치부(120), 스너버 회로부(130)을 포함할 수 있다. 변압부(110)는 입력전원을 출력전원으로 변환할 수 있고, 스위치부(120)는 스위칭 동작에 의해 상기 변압부의 1차측에 흐르는 전류의 듀티를 제어할 수 있으며, 스너버 회로부(130)는 상기 스위치부(120)에 인가되는 과도전압을 제거할 수 있다. 상기 스위치부(120)는 스위치 역할을 하는 트랜지스터인 BJT, FET를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2의 변압부(110), 스위치부(120), 스너버 회로부(130)은 도 1의 변압기(10), 스위칭 트랜지스터(20), 스너버 회로(30)에 대응하는 것으로 볼 수 있으므로, 도 2의 각 소자의 구체적인 동작의 설명은 생략하도록 한다.
도 2의 스너버 회로부(130)는 서로 병렬로 연결되는 발광 다이오드(131) 및 커패시터(132)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드(131) 및 상기 커패시터(132)는 상기 변압부의 1차측과 각각 병렬로 연결될 수 있다.
도 2의 발광 다이오드(131)는 도 1의 발광 다이오드(40)와 같은 역할을 하는 것으로서 입력전원이 인가되는 경우에 전자기기의 정상적인 동작을 확인하는 전원 점검용으로 이용될 수 있다. 발광 다이오드(131)는 저항값은 도 1의 저항(R)의 저항값과 같을 수 있고, 이에 의해서 발광 다이오드(131)를 포함하는 스너버 회로부는 스위치 소자(120)에 과도전압이 인가되는 것을 방지할 수 있다.
도 2의 발광 다이오드(131)은 도 1의 저항(R)에서 소모되는 전력을 활용하여 전원 점검을 위한 빛을 출력함으로써, 종래 방식에 비하여 전자기기의 효율이 증가할 수 있다. 또한 도 1의 스너버 회로부(30)에 인가되는 과도전압을 저항(R)에서 상쇄하는 과정에서 발생하던 열을 도 2의 스너버 회로부(130)에서는 빛으로 전환할 수 있으므로 전기 회로에서 발생하는 발열을 감소시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전원 점검용 스너버 회로를 포함하는 전기 회로를 나타내는 도이다.
전기 회로는 발광 다이오드(131)과 직렬로 연결되는 저항(133)을 더 포함할 수 있다. 일반적으로 발광 다이오드(131)의 저항값은 스너버 회로부에서 사용되는 저항값에 비하여 작기 때문에, 과도전압을 상쇄하기 위해 필요한 저항값의 보충을 위하여 저항(133)을 더 포함할 수 있다.
또한, 변압부(110)의 1차측과 스위치부(120)의 접점에 연결되는 애노드 및 스너버 회로부(130)에 연결되는 다이오드를 구비하는 역류 방지부(140)를 더 포함할 수 있다. 상기 역류 방지부(140)는 상기 변압부(110)의 1차측에서 상기 스너버 회로부(120)로 흐르는 전류의 역류를 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시 예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다. 따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
110 : 변압부
120 : 스위치부
130 : 스너부 회로부
131 : 발광 다이오드
132 : 커패시터
133 : 저항
140 : 역류 방지부

Claims (6)

  1. 입력전원을 출력전원으로 변환하는 변압부;
    스위칭 동작에 의해 상기 변압부의 1차측에 흐르는 전류의 듀티를 제어하는 스위치부; 및
    상기 스위치부에 의한 과도전압을 제거하는 스너버 회로부; 를 포함하고,
    상기 스너버 회로부는 발광 다이오드를 포함하는 전기 회로.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 스너버 회로부는,
    상기 발광 다이오드와 병렬로 연결되는 커패시터를 더 포함하고,
    상기 발광 다이오드 및 상기 커패시터는 상기 변압부의 1차측과 각각 병렬로 연결되는 전기 회로.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 스너버 회로부는,
    상기 발광 다이오드와 직렬로 연결되는 저항을 더 포함하고,
    상기 발광 다이오드와 상기 저항은 상기 커패시터와 병렬로 연결되는 전기 회로.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 변압부의 1차측에서 상기 스너버 회로부로 흐르는 전류의 역류를 방지하는 역류 방지부를 더 포함하는 전기회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 역류 방지부는,
    상기 변압부의 1차측과 상기 스위치부의 접점에 연결되는 애노드; 및
    상기 스너버 회로부에 연결되는 캐소드; 를 갖는 다이오드를 포함하는 전기 회로.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광 다이오드는,
    전원 점검용 발광 다이오드인 전기회로.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145311A (ja) * 1997-11-13 1999-05-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180086981A (ko) 2017-01-24 2018-08-01 주식회사 엘지화학 스너버 회로 및 이의 제어 방법
KR20190101066A (ko) 2018-02-22 2019-08-30 (주)효성피씨에스 태양광발전용 전력변환장치의 스너버 회로

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