KR20140013905A - 액정 렌즈를 구비하는 집적 이미지 센서 패키지 - Google Patents

액정 렌즈를 구비하는 집적 이미지 센서 패키지 Download PDF

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KR20140013905A
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Abstract

대향하는 전면 및 후면을 구비하는 제1 기판, 상기 전면에 형성되고 서로 전기적으로 연결되는 복수의 광 검출기 및 콘택트 패드들, 각각이 상기 후면에서부터 상기 제1 기판을 관통하여 상기 콘택트 패드들 중 하나까지 연장되는 복수의 제1 전기 콘택트, 및 각각이 상기 후면에서부터 상기 제1 기판을 관통하여 상기 전면까지 연장되는 복수의 제2 전기 콘택트를 가지는 센서 칩을 구비한 패키지 구조물에 관한 것이다. 액정 렌즈는 액정 물질 레이어, 상기 액정 물질 레이어에 인접하는 하나 이상의 리드 패턴, 및 각각이 상기 하나 이상의 리드 패턴 중 하나로부터 연장되는 복수의 제3 전기 콘택트를 포함한다. 상기 센서 칩은, 상기 제3 전기 콘택트 각각이 상기 복수의 제2 전기 콘택트 중 하나와 전기적으로 연결되도록, 상기 액정 렌즈에 탑재된다.

Description

액정 렌즈를 구비하는 집적 이미지 센서 패키지{INTEGRATED IMAGE SENSOR PACKAGE WITH LIQUID CRYSTAL LENS}
본 발명은 오토-포커싱 렌즈(auto-focusing lens) 및 마이크로전자 디바이스들의 패키징에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이미지 센서 패키지와 집적된 오토-포커싱 렌즈 모듈의 형성에 관한 것이다.
셀 폰 카메라와 같은 모바일 어플리케이션에 사용되는 일반적인 이미지 센서들은 렌즈의 초점(focus)을 조정하기 위해서 VCM 액추에이터(actuator)를 사용한다. VCM 액추에이터는 초점 조정을 위해, 이미지 센서로부터 렌즈를 더 가깝게 또는 더 멀게 이동시키는데, 따라서 사이즈가 크고, 기계적이고, 소음을 발생시키고, 큰 전력을 소비한다. 렌즈가 디바이스를 관통하여 물리적으로 이동해야 하기 때문에, VCM 액추에이터 시스템에서 초점 조정은 느릴 수 있다. VCM 액추에이터는 전기 모터 및 기어들을 이용하기 때문에, 자연적으로 많은 양의 전력을 소비하고 해당 디바이스가 비교적 소음이 있다.
최근에는, 가변렌즈(tunable lens)들이 개발되어, 어떠한 구성요소들의 물리적 이동 없이도 렌즈의 특성(properties) 또는 초점력(focal power)을 조정할 수 있다(즉, 렌즈에 전압 또는 펄스를 인가하여 렌즈의 광출력(optical power)을 변화시킴). 렌즈의 광출력은 렌즈가 자신을 관통하여 통과하는 광(또는 보다 구체적으로는 빛 이미지)을 전달하는 포커싱의 정도(예컨대, 수렴(convergence))와 관련된다. 가변 렌즈의 예로는 가변 액정 렌즈가 있는데, 그 가변 액정 렌즈는 전기 자극(electrical stimulus)을 통해서 렌즈의 효과(effect of a lens)를 생성하기 위해 사용되는 액정을 구비하며, 그 전기 자극을 조정하여 광출력을 다르게 조정할 수 있다. 가변 액정 렌즈는 전기 자극을 받았을 때, 액정에서 굴절률(index of refraction)이 달라지는 영역들을 생성함으로써, 렌즈의 효과를 달성한다. 가변 액정 렌즈는 예를 들어, 렌즈에 인가되는 전기 신호의 전압들을 조작함으로써, 광출력의 범위를 서로 다른 레벨들로 조정할 수 있다. 가변 액정 렌즈는 이동 부품(moving part)를 구비한 이러한 렌즈와 비교하여, 더 빠르게 응답하여 에너지를 더 적게 소비한다.
본 발명은 이미지 센서 패키지를 구비하는 가변 액정 렌즈의 집적화에 관한 것으로, 이미지 센서 패키지와 집적된 오토-포커싱 렌즈 모듈의 형성을 목적으로 한다.
패키지 구조물은 센서 칩 및 액정 렌즈를 포함한다. 상기 센서 칩은 대향하는 전면(front) 및 후면(back)을 구비하는 제1 기판, 상기 전면에 형성되는 복수의 광 검출기, 상기 전면에 형성되고, 상기 광 검출기들과 전기적으로 연결되는 복수의 콘택트 패드(contact pad), 각각이 상기 후면에서부터 상기 제1 기판을 관통하여 상기 콘택트 패드들 중 하나까지 연장(extend)하는 복수의 제1 전기 콘택트(electrical contact), 및 각각이 상기 후면에서부터 상기 제1 기판을 관통하여 상기 전면까지 연장되는 복수의 제2 전기 콘택트를 포함한다. 상기 액정 렌즈는 액정 물질 레이어, 상기 액정 물질 레이어에 인접하는 하나 이상의 리드 패턴(lead pattern), 및 각각이 상기 하나 이상의 리드 패턴 중 하나로부터 연장되는 복수의 제3 전기 콘택트를 포함한다. 상기 센서 칩은, 상기 제3 전기 콘택트 각각이 상기 복수의 제2 전기 콘택트 중 하나와 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 광 검출기가 상기 액정 물질 레이어를 관통하여 통과하는 광을 수신하기 위해 상기 액정 물질 레이어의 아래에 마련되도록, 상기 액정 렌즈에 탑재된다.
패키지 구조물은 센서 칩 및 액정 렌즈를 포함한다. 상기 센서 칩은 대향하는 전면 및 후면을 구비하는 제1 기판, 상기 전면에 형성되는 복수의 광 검출기, 상기 전면에 형성되고, 상기 광 검출기들과 전기적으로 연결되는 복수의 콘택트 패드, 및 각각이 상기 후면에서부터 상기 제1 기판을 관통하여 상기 콘택트 패드들 중 하나까지 연장되는 복수의 제1 전기 콘택트를 포함한다. 상기 액정 렌즈는 제2 및 제3 기판, 상기 제2 및 제3 기판의 사이에 마련되는 액정 물질 레이어, 상기 액정 물질 레이어에 인접하고, 상기 제2 및 제3 기판의 사이에 마련되는 하나 이상의 리드 패턴, 및 각각이 상기 하나 이상의 리드 패턴 중 하나로부터 연장되어, 상기 제2 기판을 관통하는 복수의 제2 전기 콘택트를 포함한다. 상기 센서 칩의 상기 전면은, 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판의 상부에 위치하고, 상기 센서 칩의 상기 전면은 상기 복수의 광 검출기가 상기 액정 물질 레이어를 관통하여 통과하는 광을 수신하기 위해 상기 액정 물질 레이어의 아래에 마련되도록, 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판에 탑재된다.
패키지 구조물은 센서 칩 및 액정 렌즈를 포함한다. 상기 센서 칩은 대향하는 전면 및 후면을 구비하는 제1 기판, 상기 후면에 형성되는 복수의 광 검출기, 상기 후면에 형성되고, 상기 광 검출기들과 전기적으로 연결되는 복수의 콘택트 패드, 및 각각이 상기 후면에서부터 상기 제1 기판을 관통하여 상기 전면까지 연장되는 복수의 제1 전기 콘택트를 포함한다. 상기 액정 렌즈는 액정 물질 레이어, 상기 액정 물질 레이어에 인접하는 하나 이상의 리드 패턴, 및 각각이 상기 하나 이상의 리드 패턴 중 하나로부터 연장되는 복수의 제2 전기 콘택트를 포함한다. 상기 센서 칩은, 상기 제2 전기 콘택트의 각각이 상기 복수의 제1 전기 콘택트 중 하나와 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 광 검출기는 상기 액정 물질 레이어 및 상기 전면을 관통하여 통과하는 광을 수신하기 위해 상기 액정 물질 레이어의 아래에 마련되도록, 상기 액정 렌즈에 탑재된다.
패키지 구조물은 센서 칩 및 액정 렌즈를 포함한다. 상기 센서 칩은 대향하는 전면 및 후면을 구비하는 제1 기판, 상기 후면에 형성되는 복수의 광 검출기, 상기 후면에 형성되고, 상기 광 검출기들과 전기적으로 연결되는 복수의 콘택트 패드를 포함한다. 상기 액정 렌즈는 제2 및 제3 기판, 상기 제2 및 제3 기판의 사이에 마련되는 액정 물질 레이어, 상기 액정 물질 레이어에 인접하고, 상기 제2 및 제3 기판의 사이에 마련되는 하나 이상의 리드 패턴, 및 각각이 상기 하나 이상의 리드 패턴 중 하나로부터 연장되어, 상기 제2 기판을 관통하는 복수의 제1 전기 콘택트를 포함한다. 상기 센서 칩의 상기 전면은, 상기 복수의 광 검출기가 상기 액정 물질 레이어 및 상기 전면을 관통하여 통과하는 광을 수신하기 위해 상기 액정 물질 레이어의 아래에 마련되도록, 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판에 탑재된다.
본 발명의 다른 목적 및 특징은 상세한 설명, 청구항 및 첨부된 도면들의 검토에 의해 분명해질 것이다.
본 발명은 이미지 센서 패키지와 집적된 오토-포커싱 렌즈 모듈의 형성을 제공할 수 있다.
도 1a 내지 도 1o는 횡단면도 또는 상면도로서, 본 발명에 따른 패키지 구조물을 형성하는 단계를 순차적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1o의 패키지 구조물에 대한 대체 실시예의 횡단면도를 나타낸다.
도 3a 내지 도 3d는 횡단면도로서, 본 발명에 따른 패키지 구조물의 대체 실시예를 형성하는 단계를 순차적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3d의 패키지 구조물에 대한 대체 실시예의 횡단면도를 나타낸다.
도 5는 도 1o의 패키지 구조물에 대한 대체 실시예의 횡단면도를 나타낸다.
도 6은 도 1o의 패키지 구조물에 대한 대체 실시예의 횡단면도를 나타낸다.
도 7은 도 3d의 패키지 구조물에 대한 대체 실시예의 횡단면도를 나타낸다.
도 8은 도 3d의 패키지 구조물에 대한 대체 실시예의 횡단면도를 나타낸다.
도 9는 도 1o의 패키지 구조물에 대한 대체 실시예의 횡단면도를 나타낸다.
도 10은 도 1o의 패키지 구조물에 대한 대체 실시예의 횡단면도를 나타낸다.
도 11은 도 8의 패키지 구조물에 대한 대체 실시예의 횡단면도를 나타낸다.
본 발명은 가변 액정 렌즈를 구비하는 집적 이미지 센서 패키지에 관한 것이다.
도 1a-도 1o는 집적 이미지 센서 패키지를 형성하는 방법을 나타낸다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 이 방법은 광학적 투명 기판(10) 상에 유전 레이어(12a)를 증착하는 것으로 시작한다. 광학적 투명 기판(10)은 폴리머(polymer), 유리, 유리와 폴리머의 조합, 또는 다른 어떤 투명한 물질일 수 있다. 바람직하게, 이 기판(10)은 유리이다. 광학적 투명 기판(10)의 바람직한 두께는 0.1mm 이상이다. 기판이 충분한 절연성(insulation)을 제공한다면, 유전 레이어(12a)는 생략될 수 있다. 유전 레이어(12a)는 폴리머, 폴리이미드(polyimide), 플루오르화 마그네슘(magnesium fluoride), 플루오르화 칼슘(calcium fluoride), 이산화 규소(silicon dioxide), 또는 적당한 투명도 및 전기적 절연 특성을 가지는 임의의 다양한 타입의 박막 금속 산화물(thin film metal oxide)로 형성될 수 있다. 유전 레이어(12a)의 두께는 200nm 미만인데, 예컨대 30nm 미만이다. 바람직하게, 유전 레이어(12a)는 이산화 규소로 만들어지고, 이산화규소 레이어(12a)의 바람직한 두께는 10-20nm 이다. 이산화 규소는 화학 증착법(chemical vapor deposition; CVD) 또는 스퍼터링(sputtering)을 통해서 증착될 수 있다.
이어, 제1 전도성 레이어(전기적 전도성 리드 패턴(14a) 및 전기적 전도성 리드 패드(16a))가 유전 레이어(12a) 상에 형성된다. 제1 전도성 레이어를 위한 전기적 전도성 물질은 바람직하게 광학적으로 투명하다. 투명도 및 전기적 전도성은, 산화티타늄(titanium oxide), 은 나노와이어(silver nanowire), 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 황화 아연(zinc sulfide), 과산화 아연(zinc peroxide), 갈륨 아연 산화물(gallium zinc oxide), 그라핀(graphene), 탄소 나노튜브(carbon nanotube), 알루미늄 아연 산화물(aluminum zinc oxide), 전도성 폴리머(conductive polymer) 및 이 기술 분야에 널리 알려진 다양한 전기적 전도성 투명도 금속 산화물과 같은 박막 물질들을 이용하여 달성된다. 바람직하게, 전기적 전도성 리드 패턴(14a)은 150nm 내지 200nm 두께와 2미크론(μ) 미만의 폭을 가지는 인듐 주석 산화물을 사용하여 형성된다. 인듐 주석 산화물은 전자빔 증착(electron beam evaporation), 물리 증착법(physical vapor deposition) 또는 다양한 스퍼터 증착 기술들(sputter deposition techniques)을 이용하여 증착될 수 있다. 인듐 주석 산화물의 얇은 레이어가 유전 레이어(12a)의 상부에 증착되면, 이어 리소그래피 에칭 공정(lithographic etch process)이 수행된다. 마스크리스(maskless) 또는 마스크(masked) 기술 모두가 이 공정을 위해 사용될 수 있는데, 예를 들어, 상기 기술에는 전자빔(electron beam), 다이렉트 레이저 라이팅(direct laser writing), 집속 이온빔(focused ion beam), 프로브 팁 콘택(probe tip contact), 알루미늄 마스크(aluminum mask) 및 다양한 타입의 포토 마스크가 있다. 유리 포토 마스크(glass photo mask)가 이러한 공정을 위한 바람직한 노출 기술이다. 패턴화된 포토 레지스트 레이어(patterned photo resist layer)는 인듐 주석 산화물 레이어의 상부에 형성되고, 이러한 마스크 레이어(mssking layer)는 건식 필름 포토 레지스트(dry film photo resist) 또는 액상(예컨대, AZ 타입) 포토 레지스트(liquid photo resist) 또는 다른 높은 해상도의 포토 레지스트일 수 있다. 건식 에칭 공정(dry etch process)을 위해서, 포토 레지스트가 알루미늄 마스크로 대체될 수 있다. 포토 레지스트가 충분히 현상(develope)된 후, 건식 플라즈마 에칭 공정(dry plasma etching process)이 리드 패턴(14a) 및 리드 패드(16a)를 남기고, 원하지 않는 인듐 주석 산화물을 에칭하여 제거하기 위해 사용된다. 건식 플라스마 에칭 공정은 HBr, C3H6O-Ar-O2, C3H6O-HCFCs-O2, CH4-H2 또는 다른 적절한 가스를 이용할 수 있다. 습식 에칭 공정(wet etching process)은 "HCl-HNO3-H2O", "FeCl-HCl-H2O", "HCl-FeCl3-HNO3-H2O", "HF-H2O2-H2O", "HCl-H2O"또는 다른 적절한 부식액(etchant)을 사용할 수 있다. 마지막으로, 포토 레지스트가 습식 화학 공정 또는 플라즈마에 의해 스트라이프(stripe)화된다. 결과 구조물이 도 1b 및 도 1c에 도시되어 있다. 리드 패턴(14a)이 2개의 패드(16a)까지 연장되는 2개의 선을 갖는 중심 써클(central circle)로 도시되어 있지만, 이와 같을 필요는 없다.
다른 유전 레이어(12b)가 상기 구조물의 위에 형성되고, 이어서 리드 패턴(14a) 및 패드(16a)들의 형성과 관련하여 상술되어진 것과 동일하거나 유사한 기술들을 이용하여, 제2 패턴화된 전도성 레이어의 형성(즉, 리드 패턴(14b) 및 패드들(16b)의 형성)이 행해진다. 필수적은 아니지만, 바람직하게, 리드 패턴(14b)은 2개의 패드(16b)까지 연장되는 2개의 선을 갖는 중심 써클(리드 패턴(14a)의 원과 중심은 같지만, 지름은 더 큼)을 포함한다. 유전 레이어(12b)는 리드 패턴(14a)으로부터 리드 패턴(14b)을 절연(insulate)시킨다. 결과 구조물이 도 1d 및 1e에 도시되어 있다.
또 다른 유전 레이어(12c)가 상기 구조물의 위에 형성되고, 이어서 상술한 것과 동일하거나 유사한 기술들을 이용하여, 유전 레이어(12c) 상에 제3 패턴화된 전도성 레이어의 형성(즉, 리드 패턴(14c) 및 패드(16c)의 형성)이 행해진다. 필수적은 아니지만, 바람직하게, 리드 패턴(14c)은 2개의 패드(16c)까지 연장되는 2개의 선을 갖는 중심 써클(리드 패턴들(14a, 14b)의 원과 중심은 같지만, 지름은 더 큼)을 포함한다. 유전 레이어(12c)는 리드 패턴(14b)로부터 리드 패턴(14c)을 절연시킨다. 선택적 유전 레이어(18)가 상기 구조물 위에 형성된다. 결과 구조물이 도 1f 및 1g에 도시되어 있다. 3개의 패턴화된 전도성 레이어가 예시되어 있지만, 렌즈 모듈의 적용(application), 사이즈 및 동작 요구사항(operation requirements)에 따라, 더 적은 또는 추가 패턴화된 전도성 레이어가 이용될 수 있다. 대부분의 적용은 적어도 2개의 패턴화된 전도성 레이어를 요구할 수 있다.
액정 물질의 시트(20)가 임의의 적절한 래미네이션(lamination) 기술을 이용하여 상기 구조물의 상부(즉, 만약 사용되었다면, 유전 레이어(18)의 상부에) 래미네이트된다. 액정 물질의 시트들은 이 기술분야에 널리 알려져 있으므로, 본 명세서에서는 더 자세하게 설명하지 않는다. 광학적 투명 기판(22)이 액정 시트(20)의 상부에 탑재된다. 광학적 투명 기판(22)은 폴리머, 유리, 폴리머 및 유리의 조합 또는 다른 투명한 물질일 수 있다. 바람직하게, 기판(22)은 두께가 50㎛ 이상인 유리이다. 광학적 투명 기판(22)은 광학적으로 투명한 접착 물질 및 스핀 앤 프레셔 본딩(spin & pressure bonding) 공정을 이용하여, 액정 시트(20)의 상부에 본딩(bone)된다. 반사 방지 코팅 또는 적외선 코팅(infrared coating)의 선택적 레이어가 광학적 투명 기판(22) 상에 증착될 수 있다. 렌즈와 같은 선택적 광학 소자(24)가 광학적 투명 기판(22)과 집적되거나, 광학적 투명 기판 상에 형성되거나 또는 광학적 투명 기판에 부착될 수 있다. 결과 구조물이 도 1h에 도시되어 있다.
도 1i에 도시된 바와 같이, 다음으로 절연체(12)까지 연장되는 복수의 구멍(26)이 기판(10)의 표면에 형성된다. 각각의 구멍(26)은 바람직하게 패드들(16) 중 하나와 정렬되어, 그 패드를 노출시킨다. 구멍들(25)은 레이저, 에칭, 기계적 밀링(mechanical milling) 또는 다른 적절한 구멍 형성 방법(들)으로 형성될 수 있다. 이어, 전기적 전도성 물질이 구멍들(26)의 내부에 증착되는데, 구멍들에 증착된 전기적 전도성 물질 각각은 패드들(16) 중 하나로부터 기판(10)의 표면까지 연장되는 전기 콘택트(28)를 형성한다. 전기 콘택트들(28)은 구멍들(26)을 덮고 있는 기판(10)의 표면에 형성되는 리드(30)에서 끝난다. 대안적으로, 일부 또는 모든 리드(30)는, 리드(30)로의 전기적 접속이 발생할 수 있는 기판(10)의 표면을 따라서 그 위치(즉, 전기 콘택트(28)가 연장되는 구멍들(26)로부터 떨어진 위치)를 변경하기 위해서 기판(10)의 표면을 따라서 연장될 수 있다. 콘택트들(28) 및/또는 리드들(30)을 형성하는데 사용되는 전기적 전도성 물질은 구리, 알루미늄, 폴리머 또는 다른 적절한 전기적 전도성 물질(들)을 포함할 수 있다. 콘택트들(28) 및/또는 리드들(30)을 형성하는데 사용되는 전기적 전도성 물질은 전기 도금(electro plating), 스퍼터링, 화학 증착법(CVD) 또는 다른 적절한 증착법(들)으로 증착될 수 있다. 접촉 위치를 변경한 리드들(30)이 적절한 리소그래피 및 에칭 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 그 결과물인 가변 액정 렌즈 구조물(31)이 도 1j에 예시되어 있다.
스페이서(32)는 기판(10)의 표면에 본딩된다(즉, 리드들(30)에 본딩됨). 스페이서(32)는 폴리머, 금속성 물질, 세라믹 물질, 유리, 실리콘 및 수지 침투 가공재(pre-preg), 테플론(Teflon), 폴리머, 포토 레지스트, 에폭시 수지(epoxy), 상술한 물질들의 조합 또는 다른 적절한 물질(들)일 수 있다. 바람직하게, 건식 필름 포토-이미지화 물질(dry film photo-imagable material)이 스페이서(32)로 사용될 수 있고, 이로써 건식 필름이 기판(10) 및/또는 리드들(30) 상에 래미네이트되고, 이어 노출 및 현상되어, 상기 물질의 중앙 부분이 제거(즉, 캐비티(34; cavity)를 형성)된다. 스페이서 물질의 두께는 0.01mm 내지 2.0mm의 범위에 속할 수 있다. 조이닝 인터페이스 물질(36; joining interface material)은 스페이서(32)와 기판(10)의 사이에 형성될 수 있고, 폴리이미드(polyimide), 합성수지(resin), 에폭시 수지 기반 또는 다른 적절한 조이닝 물질(들)이 될 수 있다. 조이닝 인터페이스 물질(36)은 스페이서(32)를 위해 사용되는 물질에 따라 선택적이다. 결과 구조물이 도 1k에 도시되어 있다.
복수의 구멍들(38)이 리드들(30)을 노출시키기 위해서 스페이서(32)를 관통하여 형성된다. 구멍들(38)은 레이저, 에칭, 기계적 밀링 또는 다른 적절한 구멍 형성 방법(들)에 의해 형성될 수 있다. 이어, 전기적 전도성 물질이 구멍들(38)의 내부에 증착되는데, 구멍들에 증착된 전기적 전도성 물질은 스페이서(32)를 관통하여 연장되는 전기 콘택트들(40)을 형성한다. 전기적 전도성 물질은 구리, 알루미늄, 폴리머, 또는 다른 적절한 전기적 전도성 물질(들)일 수 있고, 그 전기적 전도성 물질은 도금(plating), 스퍼터링, 화학 증착법(CVD), 마스크 스크린 프린팅(mask screen printing) 또는 다른 적절한 증착 방법(들)에 의해 증착될 수 있다. 접착 레이어(42)가 스페이서(32)의 바닥면(bottom surface)에 증착된다. 접착 레이어(42)는 0.1㎛ 내지 20㎛ 범위의 두께를 가지고, 에폭시 수지로 형성될 수 있다. 접착 레이어(42)는 롤러(roller) 기술 또는 다른 종래 디스펜스 방법(dispense method)들을 이용하여 스페이서(32) 상에 증착될 수 있다. 결과 구조물이 도 1l에 도시되어 있다.
이어, 도 1m에 도시된 바와 같이, 스페이서(32)의 바닥면은 접착 레이어(42)를 이용하여 이미지 센서 칩(44)의 활성면(active side)(이미징 영역)에 본딩된다. 본딩은 임의의 종래 본딩 공정을 이용하여 완료될 수 있다. 물리적 압력, 열 및 진공을 이용하는 본더(bonder)가 바람직하다. 이미지 센서 칩(44)은 전면(48)을 가지는 웨이퍼 기판(46)을 포함한다. 복수의 광 검출기(50) 및 서포팅 회로(supporting circuitry)가, 콘택트 패드들(52)과 함께, 웨이퍼 기판(46)에서 위쪽으로 향하는 (전)면(48)에 형성된다. 콘택트 패드들(52)은 오프 칩 시그널링(off chip signaling)을 제공하기 위해서 광 검출기(50)(및/또는 그것의 서포팅 회로)와 전기적으로 연결된다. 광 검출기(50) 각각은 광 에너지(light energy)를 전압 신호로 변환한다. 추가 회로가 전압을 증폭하고, 및/또는 증폭된 전압을 디지털 데이터로 변환하기 위해 포함될 수 있다. 컬러 필터(color filter) 및/또는 마이크로렌즈(54)가 광 검출기들(50) 위에 탑재될 수 있다. 이러한 유형의 센서들은 기술분야에 잘 알려져 있으므로, 본 명세서에서는 더 자세하게 설명하지 않는다.
구멍들(56)이 웨이퍼 기판(46)의 후면 내에 형성된다. 일부 구멍들(56)은 콘택트 패드(52)와 정렬되며, 이러한 구멍들(56) 각각은 콘택트 패드들(52) 중 하나까지 연장(및 노출)된다. 구멍(56)은 콘택트 패드(52)와 정렬되지 않는데, 이러한 구멍들(52) 각각은 접착 레이어(42)까지 연장되고, 접착 레이어(42)를 노출시킨다. 구멍들(56)은 레이저, 플라즈마 에칭, 기계적 밀링 또는 다른 적절한 구멍 형성 방법으로 형성될 수 있다. 이어, 유전 물질(58; dielectric material)이 구멍(56)의 측벽 및 웨이퍼 기판(46)의 후면 상에 증착 또는 형성된다. 유전 물질(58)은 이산화 규소(silicon dioxide), 질화 규소(silicon nitride), 에폭시 수지, 폴리이미드, 합성수지(resin), 금속 산화물 또는 다른 적절한 유전 물질(들)일 수 있다. 바람직하게, 유전 물질(58)은 스퍼터링 또는 화학 증착 기술을 이용하여 증착되는 이산화 규소인 것이 바람직하다. 유전 물질(58)의 바람직한 두께는 0.1㎛이상이다. 콘택트 패드들(52)과 정렬되는 일부 구멍들(56)의 경우에는, 콘택트 패드(52)가 각 구멍(56)의 바닥에서 왼쪽으로 노출되도록(예를 들어, 도 1n의 왼쪽 구멍(56) 참조), 구멍의 바닥에 있는 유전 물질이 제거된다(만약 존재한다면). 콘택트 패드(52)와 정렬되는 다른 구멍들(56)의 경우에는, 전기 콘택트(40)를 노출시키기 위해, 유전 물질(58), 콘택트 패드(52) 및 접착 레이어(42)를 관통하는 작은 구멍(60)을 형성함으로써 그 구멍들(56)이 연장된다(예를 들어, 도 1의 오른쪽 구멍(56) 참조). 마지막으로 어떠한 콘택트 패드(52)와도 정렬되지 않은 구멍(56)의 경우에는, 전기 콘택트(40)를 노출시키기 위해서, 유전 물질(58) 및 접착 레이어(42)를 관통하는 작은 구멍(60)을 형성함으로써, 그 구멍들(56)이 연장된다. 구멍들(60)은 레이저, 에칭, 기계적 밀링 또는 다른 적절한 비아(via) 형성 방법으로 형성될 수 있다. 결과 구조물이 도 1n에 도시되어 있다.
이어, 전기적 전도성 물질이 구멍(56 및 60)의 내부에 증착되어, 구멍 내부에 전기 콘택트들(62)을 형성한다. 일부 전기 콘택트(62)는 웨이퍼 기판(46)의 바닥면에서부터 콘택트 패드들(52) 중 하나까지 연장된다(예를 들어, 도 1o의 왼쪽 접촉(62) 참조). 다른 전기 콘택트들(62)은 콘택트 패드들(52) 중 하나(전기적으로 연결되는) 및 접착 레이어(42)를 관통하여 웨이퍼 기판(46)의 표면에서부터 전기 콘택트(40)까지 연장되고(예를 들어, 도 1o의 오른쪽 접촉(62) 참조), 이로써 전기 콘택트들(28, 40 및 62)이 TLC 렌즈(31)의 리드 패턴(14)에서부터 이미지 센서 칩(44)의 바닥까지 연장되고, 이미지 센서 칩의 중간 콘택트 패드(52)와 전기적 접촉이 만들어진 전기 콘택트를 구성한다. 또 다른 전기 콘택트들(62)은 접착 레이어(42)를 관통하여 웨이퍼 기판(46)의 표면에서부터 전기 콘택트(40)까지 연장되고(즉, 어떤 콘택트 패드(52)와도 전기적 접촉을 구현하지 않음), 이로써 전기 콘택트들(28, 40, 및 62)은 TLC 렌즈(31)의 리드 패턴(14)에서부터 이미지 센서 칩(44)의 바닥까지 연장되는 전기 콘택트(이미지 센서 칩의 어떤 중간 콘택트 패드(52)와의 전기적 접촉도 없이)를 구성한다. 전기적 전도성 물질은 구리, 알루미늄, 폴리머 또는 다른 적절한 전기적 전도성 물질(들)일 수 있고, 전기 도금, 스퍼터링, 화학 증착법, 스크린 프린팅 또는 다른 적절한 증착 방법(들)에 의해 증착될 수 있다. 전기적 전도성 물질은 웨이퍼 기판(46)의 표면을 따라서 구멍(56)의 밖으로 연장될 수 있는데, 이어서 리소그래피 및 에칭 공정이 수행되어, 전기 콘택트(62) 각각은 콘택트 패드(64)에서 끝난다. 봉합 유전 레이어(66; encapsulant dielectric layer)가 노출된 콘택트 패드(64)를 유지시키는 방식으로 레이어(58) 상에 증착된다. 봉합 유전 레이어(66)는 폴리머, 에폭시 수지, 금속 산화물, 합성수지 또는 다른 적절한 봉합 물질(들)일 수 있다. 봉합 레이어는 바람직하게 그 두께가 적어도 0.5㎛이다. 이어, 볼 그리드 어레이(Ball Grid Array; BGA) 또는 랜드 그리드 어레이(Land Grid Array) 콘택트들(68)은 스크린 프린팅 또는 다른 적절한 BGA 형성 방법을 이용하여, 콘택트 패드(64) 상에 형성된다. 최종 집적 패키징 구조물(70)이 도 1o에 도시되어 있다. 복수의 패키지 구조물(70)이 단일 기판상에 함께 형성되는 경우(각각 제작되는 것보다 더 효율적임), 다양한 구조물(70)이 기계적 블레이드 다이싱 장비(blade dicing equipment), 레이저 또는 다른 적절한 다이싱/단일화(dicing/singulation) 기술을 이용하여 서로 분리된다.
집적 패키징 구조물(70)은 단일 표면(즉, 이미지 센서 칩(44)의 바닥면)에 3가지 유형의 전기 콘택트들을 제공하면서, 이미지 센서 칩과 액정 렌즈를 집적시키는 컴팩트 패키징(compact packing)을 제공한다. 구체적으로, BGA 콘택트(68)의 제1 유형은 콘택트 패드들(52) 중 하나에만(이미지 센서 칩에 대한 오프 칩 연결성을 제공하기 위해, 콘택트 패드(64) 및 전기 콘택트(62)를 통해) 전기적 연결성(electrical connectivity)을 제공한다. BGA 콘택트(68)의 제2 유형은 액정 렌즈 패드들(16) 중 하나에만(대응하는 리드 패턴(14)에 구동 신호들을 제공하기 위해, 콘택트 패드(64), 전기 콘택트(62), 전기 콘택트(64), 리드(30) 및 전기 콘택트(28)를 통해) 전기적 연결성을 제공한다. BGA 콘택트(68)의 제3 유형은 이미지 센서 칩(44) 및 액정 렌즈들(31) 모두에 공통 신호들(예컨대, 전력, 그라운드 등)을 제공하기 위해, 콘택트 패드들(52) 중 하나와 액정 렌즈 패드들(16) 중 하나에 모두(콘택트 패드(64), 전기 콘택트(62), 전기 콘택트(40), 리드(30) 및 전기 콘택트(28)를 통해) 전기적 연결성을 제공한다.
도 2는 도 1o에 도시된 대체 실시예를 나타낸다. 구체적으로, 도 2의 실시예는 스페이서(32)(및 스페이서를 관통하여 형성된 전기 콘택트)과 조이닝 인터페이스 물질(36)이 생략된 것을 제외하고, 도 1o의 실시예와 동일하다. 대신에, 접착 레이어(42)의 두께는 가변 액정 렌즈 어셈블리(31)와 이미지 센서 칩(44)의 대향면(facing surfave)들 사이에 허용 거리(tolerable distance)를 유지하기에 충분(예컨대, 1㎛ 내지 20㎛의 범위 내)하다.
도 3a 내지 도 3d는 집적 이미지 센서 패키지의 제2 대체 실시예를 형성하는 방법을 나타낸다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 본 방법은 구멍들(26)이 기판(10)의 표면 대신에 기판(22)의 표면에 형성되어, 리드들(30)이 기판(10)의 표면이 아닌 기판(22)의 표면 상에 형성된다(즉, 전기 콘택트들(28)이 기판(10)을 관통하여 아래로 연장되는 대신에, 기판(22)을 관통하여 위로 연장됨)는 점을 제외하고, 도 1j의 구조물과 동일한 구조물로 시작한다. 선택적 광학 소자(24)는 명확성을 위해서 생략되어 있다.
다음으로, 도 1k 내지 도 1o와 관련하여 상술되어진 것과 동일한 공정 단계(예를 들어, 조이닝 인터페이스 물질(36), 스페이서(36), 접착 레이어(42) 및 이미지 센서 칩(44)을 추가하는 단계)가 수행되지만, 전기 콘택트(40)들이 스페이서(32) 내에 형성되지 않고, 전기 콘택트들(62)이 콘택트 패드(52)와의 연결이 만들어지도록 형성되고, 콘택트 패드들(52)을 관통하여 연장되지 않는다는 점은 다르다. 결과 구조물이 도 3b에 도시되어 있다.
첫 번째 실시예에서, 선택적 광학 소자(24)는 광학적 투명 기판(22)과 집적되거나, 그 광학적 투명 기판 상에 형성되거나 또는 부착될 수 있다. 광학적 소자는 예를 들어, 도 1h에서 도시된 것과 같은 단일 옵틱(single optic)이거나, 또는 도 3c에서 도시된 것과 같이 복수의 렌즈를 구비하는 렌즈 모듈과 같은 다중-요소 광학 소자(multi-element optical element)가 될 수 있다. 구체적으로 렌즈 모듈(72)은 투명 기판(78)의 밑에 마련되는, 하우징(76; housing)의 내부에 있는 복수의 렌즈(74)를 포함한다. 렌즈 모듈(72)은 기판(22) 상에 탑재될 수 있다.
패지키 구조물(70)은 도 3d에 도시된 바와 같이, 인쇄 회로 기판(80; printed circuit board, PCB)에 탑재될 수 있다. 구체적으로 BGA 콘택트들(68)이 이미지 센서 칩(44)을 PCB(80)에 전기적으로 연결하기 위한 PCB 콘택트들(82)에 탑재될 수 있다. 추가적으로, 와이어들(84)이 액정 렌즈(31)를 PCB(80)에 전기적으로 연결하기 위해서, 리드들(30)과 PCB 콘택트들(86) 사이에 연결될 수 있다.
도 4는 도 3d에 도시된 실시예에 대한 대체 실시예를 나타낸다. 구체적으로, 도 4의 실시예는 스페이서(32) 및 조이닝 인터페이스 물질(36)이 생략되는 것을 제외하고, 도 3d의 실시예와 동일하다. 대신에, 접착 레이어(42)의 두께는 가변 액정 렌즈 어셈블리(31)와 이미지 센서(44)의 대향면 사이의 허용 거리를 유지시키기에 충분(예를 들어, 1㎛ 내지 20㎛의 범위)하다.
본 발명은 또한 후방 조명(back side illuminated; BSI) 이미지 센서 칩들을 활용할 수 있는데, BSI 이미지 센서 칩은 광이 관통하여 들어오는 반대면(opposite surface) 상에 형성되는 콘택트 패드(52) 및 광 검출기들(20)을 포함한다(및 BSI 이미지 센서 칩 상에 컬러 필터 및 마이크로 렌즈(54)가 탑재되어 있음). 도 5는 도 1o에 도시된 실시예의 대체 실시예를 나타내고 있으며, 도 5에 도시된 대체 실시예에서는 광 검출기들(50) 및 콘택트 패드들(52)이 웨이퍼 기판(46)의 바닥면 상에 형성되고, 컬러 필터 및 마이크로 렌즈들(54)이 웨이퍼 기판의 상부면에 탑재된다. 이러한 구성에서는, 제1 유형의 BGA 콘택트는 전기 콘택트(62)(콘택트 패드(64)를 콘택트 패드(52)에 연결시키는)를 생략하고, 제3 유형의 BGA 콘택트는 콘택트 패드들(52) 중 하나와 액정 렌즈 패드들(16) 중 하나 모두에 전기적 연결성을 여전히 제공한다(즉, 콘택트 패드(52)에 인접하거나 또는 관통하여 형성함으로써). BSI 이미지 센서 칩을 활용하는 경우, 웨이퍼 기판(46)은 자신을 관통하는 전송 손실(transmission loss)을 최소화하도록 얇을 수 있다(도 5 참조). 추가적인 기계적 지원을 위해서, 웨이퍼 기판(46)은 도 6에 도시된 바와 같이, 본딩 물질을 이용하여 실리콘 핸들러(90; silicon handler)에 탑재될 수 있다이러한 구성에서는, 전기 콘택트(62)는 핸들러(90)를 관통하여 형성되며, 핸들러(90)로부터 절연되고, 유전 물질 레이어(58/66), 콘택트 패드들(64) 및 BGA 콘택트들(68)은 핸들러(90)의 바닥면 상에 형성된다. 도 7 및 도 8은 도 3d에 도시된 실시예의 대체 실시예로서, 핸들러(90)가 구비하지 않거나 구비하고 있는 BSI 이미지 센서 칩들을 나타낸다.
본 발명이 본 명세서에 상술되고 예시된 실시예(들)에 한정되지 않지만, 첨부된 청구항들의 범주 내에 속하는 임의의 또는 모든 변형예들을 포괄한다는 것을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 명세서에서 본 발명에 대한 참조는 임의의 청구항 또는 청구 용어의 범위를 제한하려고 의도되지는 않지만, 대신에 단지 하나 이상의 청구항들에 의해 커버될 수 있는 하나 이상의 특징을 참조한다. 상술된 물질, 공정들, 및 수치 예시들은 단지 예시에 불과하며, 청구항들을 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다. 또한, 청구항들과 발명의 상세한 설명으로부터 명백해지는 것처럼, 모든 방법 단계가 예시 또는 청구된 그 순서대로 수행될 필요는 없으며, 오히려 본 발명의 패키징 구조물의 바람직한 형성을 허용하는 임의 순서로 수행될 수 있다. 물질의 단일 레이어들이 이러한 또는 유사한 물질의 다중 레이어로 형성될 수 있고, 이 반대의 경우도 가능하며, 그 순서는 반대일 수 있다. 예를 들어, 리드 패턴들(14) 및 액정 물질 시트(20)의 상대적 위치가 반대로 될 수 있고(도 9 참조), 또는 리드 패턴들(14)이 액정 물질 시트의 양면(both side) 상에 있을 수 있다(도 10 참조). 가변 액정 렌즈 구조물(31) 및 렌즈 모듈(72)의 상대적인 위치는 반대로 될 수 있다(예컨대, 도 11을 참조하면, 가변 액정 렌즈 구조물(31)이 렌즈 모듈(72) 위에 탑재될 수 있음).
본 명세서에서 사용한 것처럼, 용어 "위(over)"와 "상(on)" 모두는 "직접적으로 위에(directly on)"(사이에 마련된 중개 물질(intermediate materials), 요소, 또는 공간이 없음)과 "간접적으로 위에(indirectly on)"(사이에 중개 물질, 요소, 또는 공간이 마련됨)을 포괄적으로 포함한다. 이와 유사하게, 용어 "인접(adjacent)"은 "직접적 인접(directly adjacent)"(사이에 마련된 중개 물질, 요소, 또는 공간이 없음)과 "간접적 인접(indirectly adjacent)"(사이에 중개 물질, 요소, 또는 공간이 마련됨)을 포함하고, "~에 탑재된(mounted to)"은 "~에 직접적으로 탑재된(directly mounted to)"(사이에 마련된 중개 물질, 요소, 또는 공간이 없음)과 "~에 간접적으로 탑재된(indirectly mounted to)"(사이에 중개 물질, 요소, 또는 공간이 마련됨)을 포함하고, "~에 전기적으로 접속된(electrically coupled to)"은 "~에 직접적으로 전기적으로 접속된(directly electrically coupled to)"(사이에 마련된 중개 물질, 요소, 또는 공간이 없음)과 "~에 간접적으로 전기적으로 접속된(indirectly electrically coupled to)"(사이에 중개 물질, 요소, 또는 공간이 마련됨)을 포함한다. 예를 들어, "기판상에" 요소를 형성하는 것은 그 사이에 하나 이상의 중개 물질/요소를 가지고 그 기판상에 간접적으로 요소를 형성하는 것뿐만 아니라, 그 사이에 중개 물질/요소 없이 기판상에 직접적으로 요소를 형성하는 것을 포함할 수 있다.
10: 광학적 투명 기판

Claims (42)

  1. 패키지 구조물로서,
    센서 칩; 및
    액정 렌즈를 구비하고,
    상기 센서 칩은
    대향하는 전면(front surface) 및 후면(back surfave)을 구비하는 제1 기판;
    상기 전면에 형성되는 복수의 광 검출기;
    상기 전면에 형성되고, 상기 광 검출기들과 전기적으로 연결되는 복수의 콘택트 패드;
    각각이 상기 후면에서부터 상기 제1 기판을 관통하여 상기 콘택트 패드들 중 하나까지 연장되는 복수의 제1 전기 콘택트; 및
    각각이 상기 후면에서부터 상기 제1 기판을 관통하여 상기 전면까지 연장되는 복수의 제2 전기 콘택트를 포함하고,
    상기 액정 렌즈는
    액정 물질 레이어(layer of liquid crystal material);
    상기 액정 물질 레이어에 인접하는 하나 이상의 리드 패턴(lead pattern); 및
    각각이 상기 하나 이상의 리드 패턴 중 하나로부터 연장되는 복수의 제3 전기 콘택트를 포함하고,
    상기 제3 전기 콘택트의 각각이, 상기 복수의 제2 전기 콘택트 중 하나와 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 광 검출기가 상기 액정 물질 레이어를 관통하여 통과하는 광을 수신하기 위해 상기 액정 물질 레이어의 아래에 마련되도록, 상기 센서 칩이 상기 액정 렌즈에 탑재되는 패키지 구조물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 전기 콘택트 중 적어도 하나는 상기 콘택트 패드들 중 하나와 전기적 연결이 되어 있는 패키지 구조물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 전기 콘택트 중 적어도 하나는 상기 콘택트 패드들 중 하나를 관통하여 형성되고, 상기 콘택트 패드들 중 하나와 전기적 연결이 되어 있는 패키지 구조물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 센서 칩은 상기 액정 렌즈 및 상기 센서 칩 사이에 마련되는 스페이서(spacer)에 의해, 상기 액정 렌즈에 탑재되고,
    상기 스페이서는 복수의 제4 전기 콘택트를 포함하고,
    상기 제4 전기 콘택트들의 각각은 상기 스페이서를 관통하여 연장되고, 상기 복수의 제3 전기 콘택트 중 하나와 상기 복수의 제2 전기 콘택트 중 하나의 사이가 전기적으로 연결되는 패키지 구조물.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 스페이서는 상기 복수의 광 검출기 위에 마련되는 캐비티(cavity)를 포함하는 패키지 구조물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 액정 렌즈는
    상기 하나 이상의 리드 패턴 및 상기 액정 물질 레이어에 인접하는 제2 기판을 더 포함하고,
    상기 제3 전기 콘택트들 각각은 상기 제2 기판을 관통하여 연장되는 패키지 구조물.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2 기판은 광학적으로 투명(transparent)한 패키지 구조물.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 액정 렌즈는 제3 기판을 더 포함하고,
    상기 하나 이상의 리드 패턴 및 상기 액정 물질 레이어가 상기 제2 기판 및 상기 제3 기판 사이에 마련되는 패키지 구조물.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 액정 렌즈는
    상기 제2 기판 및 상기 제3 기판 중 하나에 탑재되는 광학 소자를 더 포함하는 패키지 구조물.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 액정 렌즈는 상기 제2 기판 및 제3 기판 중 하나에 탑재되는 렌즈 모듈을 더 포함하고,
    상기 렌즈 모듈은 내부에 복수의 렌즈를 포함하는 것을 패키지 구조물.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 렌즈 모듈이 상기 센서 칩과 상기 액정 렌즈 사이에 마련되도록, 상기 센서 칩이 상기 액정 렌즈에 탑재되는 패키지 구조물.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 센서 칩은, 상기 센서 칩과 상기 액정 렌즈의 사이에 마련되는 접착 레이어에 의해 상기 액정 렌즈에 탑재되고,
    상기 제3 전기 콘택트와 제2 전기 콘택트 간의 전기적 연결(electrical connection)들이 상기 접착 레이어를 관통하는 패키지 구조물.
  13. 패키지 구조물로서,
    센서 칩; 및
    액정 렌즈를 포함하고,
    상기 센서 칩은
    대향하는 전면 및 후면을 구비하는 제1 기판;
    상기 전면에 형성되는 복수의 광 검출기;
    상기 전면에 형성되고, 상기 광 검출기들과 전기적으로 연결되는 복수의 콘택트 패드; 및
    각각이 상기 후면에서부터 상기 제1 기판을 관통하여 상기 콘택트 패드들 중 하나까지 연장되는 복수의 제1 전기 콘택트를 포함하고,
    상기 액정 렌즈는
    제2 및 제3 기판;
    상기 제2 및 제3 기판의 사이에 마련되는 액정 물질 레이어;
    상기 액정 물질 레이어에 인접하고, 상기 제2 및 제3 기판의 사이에 마련되는 하나 이상의 리드 패턴; 및
    각각이 상기 하나 이상의 리드 패턴 중 하나로부터 연장되어, 상기 제2 기판을 관통하는 복수의 제2 전기 콘택트를 포함하고,
    상기 복수의 광 검출기가 상기 액정 물질 레이어를 관통하여 통과하는 광을 수신하기 위해 상기 액정 물질 레이어의 아래에 마련되도록, 상기 센서 칩의 전면이 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판에 탑재되는 패키지 구조물.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 센서 칩의 전면이, 상기 센서 칩의 전면 및 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판의 사이에 마련되어, 상기 센서 칩의 전면 및 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판 사이에 부착되는 스페이서에 의해, 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판에 탑재되는 패키지 구조물.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 스페이서는 상기 복수의 광 검출기 위에 마련되는 캐비티를 포함하는 패키지 구조물.
  16. 청구항 13에 있어서,
    상기 제2 및 제3 기판이 광학적으로 투명한 패키지 구조물.
  17. 청구항 13에 있어서,
    상기 액정 렌즈는 상기 제2 기판에 탑재된 광학 소자를 더 포함하는 패키지 구조물.
  18. 청구항 13에 있어서,
    상기 액정 렌즈는 상기 제2 기판 및 제3 기판 중 하나에 탑재된 렌즈 모듈을 더 포함하고,
    상기 렌즈 모듈은 내부에 복수의 렌즈를 포함하는 패키지 구조물.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 센서 칩은, 상기 렌즈 모듈이 상기 센서 칩 및 상기 액정 렌즈의 사이에 마련되도록, 상기 액정 렌즈에 탑재되는 패키지 구조물.
  20. 청구항 13에 있어서,
    복수의 제3 전기 콘택트를 포함하고, 상기 제1 전기 콘택트들 중 하나가 상기 제3 전기 콘택트 중 하나와 전기적으로 연결되도록 상기 센서 칩에 탑재된, 인쇄 회로 기판(PCB)을 더 포함하는 패키지 구조물.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 인쇄 회로 기판은 제4 전기 콘택트들을 더 포함하고,
    각각이 상기 제2 전기 콘택트들 중 하나와 상기 제4 전기 콘택트들 중 하나의 사이에서 연장되어, 상기 제2 전기 콘택트들 중 하나와 상기 제4 전기 콘택트들 중 하나를 전기적으로 연결하는 복수의 와이어를 더 포함하는 패키지 구조물.
  22. 청구항 13에 있어서,
    상기 센서 칩의 전면은, 상기 센서 칩의 상기 전면과 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판 사이의 접착 레이어에 의해, 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판에 탑재되는 패키지 구조물.
  23. 패키지 구조물로서,
    센서 칩; 및
    액정 렌즈를 포함하고,
    상기 센서 칩은
    대향하는 전면 및 후면을 구비하는 제1 기판;
    상기 후면에 형성되는 복수의 광 검출기;
    상기 후면에 형성되고, 상기 광 검출기들과 전기적으로 연결되는 복수의 콘택트 패드; 및
    각각이 상기 후면에서부터 상기 제1 기판을 관통하여 상기 전면까지 연장되는 복수의 제1 전기 콘택트를 포함하고,
    상기 액정 렌즈는
    액정 물질 레이어;
    상기 액정 물질 레이어에 인접하는 하나 이상의 리드 패턴; 및
    각각이 상기 하나 이상의 리드 패턴 중 하나로부터 연장되는 복수의 제2 전기 콘택트를 포함하고,
    상기 제2 전기 콘택트의 각각이, 상기 복수의 제1 전기 콘택트 중 하나와 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 광 검출기가 상기 액정 물질 레이어와 상기 전면을 관통하여 통과하는 광을 수신하기 위해 상기 액정 물질 레이어의 아래에 마련되도록, 상기 센서 칩이 상기 액정 렌즈에 탑재되는 패키지 구조물.
  24. 청구항 23에 있어서,
    상기 제1 전기 콘택트 중 적어도 하나는 상기 콘택트 패드들 중 하나와 전기적 연결이 되어 있는 패키지 구조물.
  25. 청구항 23에 있어서,
    상기 제1 전기 콘택트 중 적어도 하나는 상기 콘택트 패드들 중 하나를 관통하여 형성되고, 상기 콘택트 패드들 중 하나와 전기적 연결이 되어 있는 패키지 구조물.
  26. 청구항 23에 있어서,
    상기 센서 칩은 상기 액정 렌즈 및 상기 센서 칩 사이에 마련되는 스페이서(spacer)에 의해, 상기 액정 렌즈에 탑재되고,
    상기 스페이서는 복수의 제3 전기 콘택트를 포함하고,
    상기 제3 전기 콘택트들의 각각은 상기 스페이서를 관통하여 연장되고, 상기 복수의 제2 전기 콘택트 중 하나와 상기 복수의 제1 전기 콘택트 중 하나의 사이가 전기적으로 연결되는 패키지 구조물.
  27. 청구항 26에 있어서,
    상기 스페이서는 상기 복수의 광 검출기 위에 마련되는 캐비티를 포함하는 패키지 구조물.
  28. 청구항 23에 있어서,
    상기 액정 렌즈는 상기 하나 이상의 리드 패턴 및 상기 액정 물질 레이어에 인접하는 제2 기판을 더 포함하고,
    상기 제2 전기 콘택트들 각각은 상기 제2 기판을 관통하여 연장되는 패키지 구조물.
  29. 청구항 28에 있어서,
    상기 액정 렌즈는 제3 기판을 더 포함하고,
    상기 하나 이상의 리드 패턴 및 상기 액정 물질 레이어가 상기 제2 기판 및 상기 제3 기판 사이에 마련되는 패키지 구조물.
  30. 청구항 28에 있어서,
    상기 액정 렌즈는 상기 제2 기판 및 상기 제3 기판 중 하나에 탑재되는 광학 소자를 더 포함하는 패키지 구조물.
  31. 청구항 28에 있어서,
    상기 액정 렌즈는 상기 제2 기판 및 제3 기판 중 하나에 탑재되는 렌즈 모듈을 더 포함하고,
    상기 렌즈 모듈은 내부에 복수의 렌즈를 포함하는 것을 패키지 구조물.
  32. 청구항 31에 있어서,
    상기 렌즈 모듈이 상기 센서 칩과 상기 액정 렌즈 사이에 마련되도록, 상기 센서 칩이 상기 액정 렌즈에 탑재되는 패키지 구조물.
  33. 청구항 23에 있어서,
    상기 센서 칩의 후면에 탑재된 핸들러(handler); 및
    각각이 상기 핸들러를 관통하여 상기 콘택트 패드들 중 하나까지 확장하는 복수의 제3 전기 콘택트를 더 포함하고,
    상기 복수의 제1 전기적 콘택트 각각은 상기 핸들러를 관통하여 연장되는 패키지 구조물.
  34. 패키지 구조물로서,
    센서 칩; 및
    액정 렌즈를 포함하고,
    상기 센서 칩은
    대향하는 전면 및 후면을 구비하는 제1 기판;
    상기 후면에 형성되는 복수의 광 검출기; 및
    상기 후면에 형성되고, 상기 광 검출기들과 전기적으로 연결되는 복수의 콘택트 패드를 포함하고,
    상기 액정 렌즈는
    제2 및 제3 기판;
    상기 제2 및 제3 기판의 사이에 마련되는 액정 물질 레이어;
    상기 액정 물질 레이어에 인접하고, 상기 제2 및 제3 기판의 사이에 마련되는 하나 이상의 리드 패턴; 및
    각각이 상기 하나 이상의 리드 패턴 중 하나로부터 연장되어, 상기 제2 기판을 관통하는 복수의 제1 전기 콘택트를 포함하고,
    상기 복수의 광 검출기가 상기 액정 물질 레이어 및 상기 전면을 관통하여 통과하는 광을 수신하기 위해 상기 액정 물질 레이어의 아래에 마련되도록, 상기 센서 칩의 전면이 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판에 탑재되는 패키지 구조물.
  35. 청구항 34에 있어서,
    상기 센서 칩의 전면이, 상기 센서 칩의 전면 및 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판의 사이에 마련되어, 상기 센서 칩의 전면 및 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판 사이에 부착되는 스페이서에 의해, 상기 액정 렌즈의 상기 제3 기판에 탑재되는 패키지 구조물.
  36. 청구항 35에 있어서,
    상기 스페이서는 상기 복수의 광 검출기 위에 마련되는 캐비티를 포함하는 패키지 구조물.
  37. 청구항 34에 있어서,
    상기 액정 렌즈는 상기 제2 기판에 탑재된 광학 소자를 더 포함하는 패키지 구조물.
  38. 청구항 34에 있어서,
    상기 액정 렌즈는 상기 제2 기판 및 제3 기판 중 하나에 탑재된 렌즈 모듈을 더 포함하고,
    상기 렌즈 모듈은 내부에 복수의 렌즈를 포함하는 패키지 구조물.
  39. 청구항 38에 있어서,
    상기 센서 칩은, 상기 렌즈 모듈이 상기 센서 칩 및 상기 액정 렌즈의 사이에 마련되도록, 상기 액정 렌즈에 탑재되는 패키지 구조물.
  40. 청구항 34에 있어서,
    복수의 제2 전기 콘택트를 포함하고, 상기 제1 전기 콘택트들 중 하나가 상기 제2 전기 콘택트 중 하나와 전기적으로 연결되도록 상기 센서 칩에 탑재된, 인쇄 회로 기판(PCB)을 더 포함하는 패키지 구조물.
  41. 청구항 40에 있어서,
    상기 인쇄 회로 기판은 제3 전기 콘택트들을 더 포함하고,
    각각이 상기 제1 전기 콘택트들 중 하나와 상기 제3 전기 콘택트들 중 하나의 사이에서 연장되어, 상기 제1 전기 콘택트들 중 하나와 상기 제3 전기 콘택트들 중 하나를 전기적으로 연결하는 복수의 와이어를 더 포함하는 패키지 구조물.
  42. 청구항 34에 있어서,
    상기 센서 칩의 후면에 탑재된 핸들러; 및
    각각이 상기 핸들러를 관통하여 상기 콘텐트 패드들 중 하나까지 연장되는 복수의 제2 전기 콘택트를 더 포함하는 패키지 구조물.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5760525B2 (ja) * 2010-03-30 2015-08-12 Ｊｆｅスチール株式会社 ステンレス箔およびその箔を用いた排ガス浄化装置用触媒担体
KR102047378B1 (ko) * 2012-11-30 2019-11-21 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈
US9496247B2 (en) * 2013-08-26 2016-11-15 Optiz, Inc. Integrated camera module and method of making same
US9461190B2 (en) 2013-09-24 2016-10-04 Optiz, Inc. Low profile sensor package with cooling feature and method of making same
US9496297B2 (en) 2013-12-05 2016-11-15 Optiz, Inc. Sensor package with cooling feature and method of making same
CN203708326U (zh) * 2013-12-09 2014-07-09 光宝电子(广州)有限公司 相机模组
US9666730B2 (en) * 2014-08-18 2017-05-30 Optiz, Inc. Wire bond sensor package
US9276140B1 (en) * 2014-09-16 2016-03-01 Amazon Technologies, Inc. Imager module with interposer chip
CN104851899B (zh) * 2015-05-19 2018-01-19 苏州晶方半导体科技股份有限公司 图像传感器封装结构及其封装方法
US10869393B2 (en) * 2015-06-29 2020-12-15 Microsoft Technology Licensing, Llc Pedestal mounting of sensor system
US9996725B2 (en) 2016-11-03 2018-06-12 Optiz, Inc. Under screen sensor assembly
CN106409856B (zh) * 2016-11-24 2019-09-20 江苏天楹之光光电科技有限公司 一种制造具有参考电容的传感器的方法
CN106373973B (zh) * 2016-11-24 2019-11-05 江苏骏龙光电科技股份有限公司 一种抗干扰图像传感器
CN106373974B (zh) * 2016-11-24 2019-10-18 江苏骏龙光电科技股份有限公司 一种具有参考电容的传感器件
US20190027531A1 (en) * 2017-07-19 2019-01-24 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor module having protective structure
US10224357B1 (en) * 2017-09-07 2019-03-05 Visera Technologies Company Limited Image sensor packages
US11408589B2 (en) 2019-12-05 2022-08-09 Optiz, Inc. Monolithic multi-focus light source device
KR102455520B1 (ko) * 2020-06-05 2022-10-17 한국과학기술원 마이크로렌즈 어레이를 이용한 초박형 카메라 장치 그리고 이의 다기능 이미징 방법

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1073758A (ja) 1996-06-07 1998-03-17 Olympus Optical Co Ltd 結像光学系
IL123207A0 (en) 1998-02-06 1998-09-24 Shellcase Ltd Integrated circuit device
IL133453A0 (en) 1999-12-10 2001-04-30 Shellcase Ltd Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US7033664B2 (en) 2002-10-22 2006-04-25 Tessera Technologies Hungary Kft Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US6972480B2 (en) 2003-06-16 2005-12-06 Shellcase Ltd. Methods and apparatus for packaging integrated circuit devices
CN100587962C (zh) 2003-07-03 2010-02-03 泰塞拉技术匈牙利公司 用于封装集成电路器件的方法和设备
JP3841174B2 (ja) * 2003-12-18 2006-11-01 ソニー株式会社 撮像装置
US7535649B2 (en) 2004-03-09 2009-05-19 Tang Yin S Motionless lens systems and methods
JP2005309323A (ja) 2004-04-26 2005-11-04 Kodak Digital Product Center Japan Ltd 撮像用焦点距離検出方法及び撮像装置
WO2006088514A2 (en) 2004-11-05 2006-08-24 The Regents Of The University Of California Fluidic adaptive lens systems with pumping systems
DE602005026982D1 (de) 2004-11-16 2011-04-28 Citizen Holdings Co Ltd Automatisches fokussierungsgerät
KR100645635B1 (ko) * 2004-11-30 2006-11-15 삼성전기주식회사 광학 소자를 포함하는 이미지 픽업 모듈
US7936062B2 (en) 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
US20070190747A1 (en) 2006-01-23 2007-08-16 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer level packaging to lidded chips
JP2007310004A (ja) 2006-05-16 2007-11-29 Citizen Holdings Co Ltd 自動合焦点装置
JP4750626B2 (ja) 2006-05-31 2011-08-17 シチズンホールディングス株式会社 自動合焦点装置
JP5301618B2 (ja) * 2006-06-01 2013-09-25 日本電信電話株式会社 光学センサ及びセンサチップ
US7724347B2 (en) 2006-09-05 2010-05-25 Tunable Optix Corporation Tunable liquid crystal lens module
US7829438B2 (en) 2006-10-10 2010-11-09 Tessera, Inc. Edge connect wafer level stacking
US7901989B2 (en) 2006-10-10 2011-03-08 Tessera, Inc. Reconstituted wafer level stacking
US8513789B2 (en) 2006-10-10 2013-08-20 Tessera, Inc. Edge connect wafer level stacking with leads extending along edges
US7807508B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
US7935568B2 (en) 2006-10-31 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
US7791199B2 (en) 2006-11-22 2010-09-07 Tessera, Inc. Packaged semiconductor chips
US8569876B2 (en) 2006-11-22 2013-10-29 Tessera, Inc. Packaged semiconductor chips with array
US7749886B2 (en) 2006-12-20 2010-07-06 Tessera, Inc. Microelectronic assemblies having compliancy and methods therefor
US20080191335A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Cmos image sensor chip scale package with die receiving opening and method of the same
EP2135280A2 (en) 2007-03-05 2009-12-23 Tessera, Inc. Chips having rear contacts connected by through vias to front contacts
US7733575B2 (en) 2007-05-31 2010-06-08 Artificial Muscle, Inc. Optical systems employing compliant electroactive materials
JP2008305972A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Panasonic Corp 光学デバイス及びその製造方法、並びに、光学デバイスを用いたカメラモジュール及び該カメラモジュールを搭載した電子機器
US8786759B2 (en) * 2007-08-28 2014-07-22 Motorola Mobility Llc Method and apparatus for auto-focus using liquid crystal adaptive optics
KR101572600B1 (ko) 2007-10-10 2015-11-27 테세라, 인코포레이티드 다층 배선 요소와 마이크로전자 요소가 실장된 어셈블리
US7829966B2 (en) * 2007-11-23 2010-11-09 Visera Technologies Company Limited Electronic assembly for image sensor device
US7986178B2 (en) 2007-12-14 2011-07-26 Supertex, Inc. Pulse width modulation driver for electroactive lens
US20090212381A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Tessera, Inc. Wafer level packages for rear-face illuminated solid state image sensors
US20100053407A1 (en) 2008-02-26 2010-03-04 Tessera, Inc. Wafer level compliant packages for rear-face illuminated solid state image sensors
US7859033B2 (en) 2008-07-09 2010-12-28 Eastman Kodak Company Wafer level processing for backside illuminated sensors
JP2010219425A (ja) 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp 半導体装置
CN101931742B (zh) * 2009-06-18 2013-04-24 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测模组及取像模组
TWI449162B (zh) * 2010-05-17 2014-08-11 Kingpak Tech Inc 具有特定焦距之晶圓級影像感測器模組之製造方法
US8847376B2 (en) 2010-07-23 2014-09-30 Tessera, Inc. Microelectronic elements with post-assembly planarization
US8697569B2 (en) 2010-07-23 2014-04-15 Tessera, Inc. Non-lithographic formation of three-dimensional conductive elements
US8796135B2 (en) 2010-07-23 2014-08-05 Tessera, Inc. Microelectronic elements with rear contacts connected with via first or via middle structures
US8791575B2 (en) 2010-07-23 2014-07-29 Tessera, Inc. Microelectronic elements having metallic pads overlying vias
US8598695B2 (en) 2010-07-23 2013-12-03 Tessera, Inc. Active chip on carrier or laminated chip having microelectronic element embedded therein
US9640437B2 (en) 2010-07-23 2017-05-02 Tessera, Inc. Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream
US8685793B2 (en) 2010-09-16 2014-04-01 Tessera, Inc. Chip assembly having via interconnects joined by plating
US8686565B2 (en) 2010-09-16 2014-04-01 Tessera, Inc. Stacked chip assembly having vertical vias
US8847380B2 (en) 2010-09-17 2014-09-30 Tessera, Inc. Staged via formation from both sides of chip
US8610259B2 (en) 2010-09-17 2013-12-17 Tessera, Inc. Multi-function and shielded 3D interconnects
JP5331838B2 (ja) * 2011-02-25 2013-10-30 株式会社東芝 固体撮像装置および携帯情報端末

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Publication number Publication date
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