CN103579265A - 具有液晶透镜的集成图像传感器封装 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及具有液晶透镜的集成图像传感器封装。一种具有传感器芯片的封装结构，所述传感器芯片具有：具有相对的正面和背面的第一衬底、被形成在正面处并且被电耦合在一起的多个光电探测器和接触焊盘、每个都从背面延伸出来并且穿过第一衬底延伸到接触焊盘中的一个的多个第一电接触以及每个都从被背面延伸出来并且穿过第一衬底延伸到正面的多个第二电接触。液晶透镜包括液晶材料层、邻近液晶材料层的一个或多个引线图案以及每个都从一个或多个引线图案中的一个延伸出来的多个第三电接触。传感器芯片被安装到液晶透镜上，使得第三电接触中的每个都被电连接到多个第二电接触中的一个。

Description

具有液晶透镜的集成图像传感器封装
技术领域
本发明涉及一种自动对焦镜头（auto-focusing lens）以及微电子器件的封装，并且更特别地涉及与图像传感器封装集成在一起的自动对焦镜头模块的形成。
背景技术
被用于诸如手机摄像头之类的移动应用的常规的图像传感器使用了VCM致动器来调整透镜焦距。VCM致动器移动镜头距离图像传感器更近或更远，以调整焦距，并且因此在大小上是大的，是机械的，产生噪声，并且消耗许多功率。在VCM致动器系统的情况下，聚焦可以是慢的，因为透镜不得不物理地穿过该器件。VCM致动器使用电动机和齿轮，因此当然大量的功率被消耗并且该器件是相对嘈杂的。
最近，可调谐的透镜（tunable lens）已经被开发，所述可调谐的透镜可以调整透镜的光焦度或性质，而无需物理地移动任何部件（即，在那里透镜的光功率通过给透镜施加电压或脉冲而被改变）。透镜的光功率指的是透镜给与穿过其中的光（或者更确切地说是光图像）的聚焦量（例如会聚）。可调谐的透镜的例子是可调谐的液晶透镜，所述可调谐的液晶透镜是其中液晶被采用来经由电刺激产生透镜的效果的器件，并且可以通过调整那个电刺激而被调谐到不同的光功率。可调谐的液晶透镜通过当遭受电刺激时在液晶中产生具有不同的折射率的区域而实现了透镜的效果。通过操纵例如被施加到透镜的电信号的电压，可调谐的液晶透镜可以被调整到在光功率的范围中的不同水平。可调谐的液晶透镜比具有移动部分的那些透镜消耗更少的能量并且可以更快速地进行响应。
本发明涉及可调谐的液晶透镜与图像传感器封装的集成。
发明内容
一种封装结构，所述封装结构包括传感器芯片和液晶透镜。所述传感器芯片包括具有相对的正面和背面的第一衬底、被形成在正面处的多个光电探测器（photo detector）、被电耦合到光电探测器的被形成在正面处的多个接触焊盘、每个都从背面延伸出来并且穿过第一衬底延伸到接触焊盘中的一个的多个第一电接触以及每个都从被背面延伸出来并且穿过第一衬底延伸到正面的多个第二电接触。液晶透镜包括液晶材料层、邻近液晶材料层的一个或多个引线图案以及每个都从一个或多个引线图案中的一个延伸出来的多个第三电接触。传感器芯片被安装到液晶透镜上，使得第三电接触中的每个都被电连接到多个第二电接触中的一个，并且多个光电探测器被部署在液晶材料之下，用于接收通过液晶材料的光。
一种封装结构，所述封装结构包括传感器芯片和液晶透镜。所述传感器芯片包括具有相对的正面和背面的第一衬底、被形成在正面处的多个光电探测器、被电耦合到光电探测器的被形成在正面处的多个接触焊盘以及每个都从背面延伸出来并且穿过第一衬底延伸到接触焊盘中的一个的多个第一电接触。液晶透镜包括第二衬底和第三衬底、被部署在第二衬底与第三衬底之间的液晶材料层、邻近液晶材料层并且被部署在第二衬底与第三衬底之间的一个或多个引线图案（lead pattern）以及每个都从一个或多个引线图案中的一个延伸出来并且延伸穿过第二衬底的多个第二电接触。传感器芯片的正面被安装到液晶透镜的第三衬底上，使得多个光电探测器被部署在液晶材料之下，用于接收通过液晶材料的光。
一种封装结构，所述封装结构包括传感器芯片和液晶透镜。所述传感器芯片包括具有相对的正面和背面的第一衬底、被形成在背面处的多个光电探测器、被电耦合到光电探测器的被形成在背面处的多个接触焊盘以及每个都从背面延伸出来并且穿过第一衬底延伸到正面的多个第一电接触。液晶透镜包括液晶材料层、邻近液晶材料层的一个或多个引线图案以及每个都从一个或多个引线图案中的一个延伸出来的多个第二电接触。传感器芯片被安装到液晶透镜上，使得第二电接触中的每个都被电连接到多个第一电接触中的一个，并且多个光电探测器被部署在液晶材料之下，用于接收通过液晶材料并且通过正面的光。
一种封装结构，所述封装结构包括传感器芯片和液晶透镜。所述传感器芯片包括具有相对的正面和背面的第一衬底、被形成在背面处的多个光电探测器以及被电耦合到光电探测器的被形成在背面处的多个接触焊盘。液晶透镜包括第二衬底和第三衬底、被部署在第二衬底与第三衬底之间的液晶材料层、邻近液晶材料层并且被部署在第二衬底与第三衬底之间的一个或多个引线图案以及每个都从一个或多个引线图案中的一个延伸出来并且延伸穿过第二衬底的多个第一电接触。传感器芯片的正面被安装到液晶透镜的第三衬底上，使得多个光电探测器被部署在液晶材料之下，用于接收通过液晶材料和正面的光。
通过审阅本说明书、权利要求书和附图，本发明的其它目标和特征将变得明显。
附图说明
图1A至1O是顺序示出本发明的封装结构的制作中的步骤的横截面侧视图或俯视图。
图2是对于图1O的封装结构的可替换的实施例的横截面侧视图。
图3A至3D是顺序示出本发明的封装结构的可替换的实施例的制作中的步骤的横截面侧视图。
图4是对于图3D的封装结构的可替换的实施例的横截面侧视图。
图5是对于图1O的封装结构的可替换的实施例的横截面侧视图。
图6是对于图1O的封装结构的可替换的实施例的横截面侧视图。
图7是对于图3D的封装结构的可替换的实施例的横截面侧视图。
图8是对于图3D的封装结构的可替换的实施例的横截面侧视图。
图9是对于图1O的封装结构的可替换的实施例的横截面侧视图。
图10是对于图1O的封装结构的可替换的实施例的横截面侧视图。
图11是对于图8的封装结构的可替换的实施例的横截面侧视图。
具体实施方式
本发明是具有可调谐的液晶透镜的集成图像传感器封装。
图1A-1O图示了形成该集成图像传感器封装的方法。如在图1A中所图示的那样，该方法通过在光学透明的衬底10上沉积介电层12a来开始。光学透明的衬底10可以是聚合物、玻璃、玻璃和聚合物的组合或者任何其它透明材料。优选地，衬底10是玻璃。光学透明的衬底10的优选厚度是0.1mm或更大。如果衬底提供了足够的绝缘，那么介电层12a可以被省略。介电层12a可以由聚合物、聚酰亚胺、氟化镁、氟化钙、二氧化硅或者由具有合适的透明度和电绝缘性质的各种其它类型的薄膜金属氧化物中的任何薄膜金属氧化物来制成。介电层12a的厚度优选地小于200nm，诸如例如小于30nm。优选地，介电层12a由二氧化硅制成，并且二氧化硅层12a的优选的厚度是10至20nm。二氧化硅可以通过使用化学气相沉积或溅射而被沉积。
第一导通层（导电引线图案14a和导电引线焊盘16a）接着被形成在介电层12a上。针对这层的导电材料优选地是光学透明的。通过使用诸如氧化钛、银纳米线、氧化铟锡、硫化锌、过氧化锌、氧化镓锌、石墨烯、碳纳米管、氧化锌铝、导电聚合物以及在现有技术中众所周知的各种导电透明金属氧化物之类的薄膜材料，透明度和导电性被实现。优选地，导电引线图案14a通过使用氧化铟锡而被形成，所述氧化铟锡为150nm至200nm厚并且小于2微米宽。氧化铟锡可以通过使用电子束蒸发、物理气相沉积或一系列溅射沉积技术被沉积。一旦氧化铟锡的薄层被沉积在介电层12a的顶部，光刻刻蚀工艺就跟随。无掩膜的和掩膜的光刻技术都可以被用于这个工艺、技术、诸如电子束、激光直写、聚焦离子束、针点接触（probe tip contact）、铝掩膜以及各种类型的光掩膜。玻璃光掩膜是针对这个工艺的优选曝光技术。被构图的光刻胶层被形成在氧化铟锡层的顶部，这样的掩膜层可以是干膜光刻胶或者液体（例如AZ型）光刻胶或者任何其它高分辨率光刻胶。针对干法刻蚀工艺，光刻胶可以由铝掩膜替换。在光刻胶被完全显影之后，干法等离子体刻蚀工艺被用来刻蚀掉不想要的氧化铟锡，从而留下引线图案14a和焊盘16a。干法等离子体刻蚀工艺可以使用下面的气体：HBr、C3H6O-Ar-O2、C3H6O-HCFCs-O2、CH4-H2或者任何其它适当的气体。湿法刻蚀工艺可以使用下面的刻蚀剂：“HCl-HNO3-H2O”、“FeCl-HCl-H2O”、“HCl-FeCl3-HNO3-H2O”、“HF-H2O2-H2O”、“HCl-H2O”或任何其它适当的刻蚀剂。最后，光刻胶通过湿法化学工艺或等离子体被剥离。最终得到的结构在图1B和1C中被示出。引线图案14a被示出为（但不需要必需地为）具有延伸到两个焊盘16a的两条线的中央圆圈。
另一介电层12b被形成在该结构之上，接着是通过使用上面关于形成引线图案14a和焊盘16a所描述的相同或类似的技术而在层12b上形成第二被构图的导通层（即形成引线图案14b和焊盘16b）。优选地，但不是必需地，引线图案14b包括具有延伸到两个焊盘16b的两条线的（在引线图案14a的圆圈周围同心的、但是具有更大直径的）中央圆圈。介电层12b使引线图案14b与引线图案14a绝缘。最终得到的结构在图1D和1E中被示出。
另一介电层12c被形成在该结构之上，接着是通过使用上面所描述的相同或类似的技术而在层12c上形成第三被构图的导通层（即形成引线图案14c和焊盘16c）。优选地，但不是必需地，引线图案14c包括具有延伸到两个焊盘16c的两条线的（围绕引线图案14a/14b的圆圈同心的、但是具有更大直径的）中央圆圈。介电层12c使引线图案14c与引线图案14b绝缘。可选的介电层18被形成在该结构之上。最终得到的结构在图1F和1G中被示出。虽然三个被构图的导通层被图示，但是根据透镜模块的应用、大小和工作要求，更少的或附加的被构图的导通层可以被利用。大部分应用会可能要求至少两个这样的被构图的导通层。
液晶材料薄片20通过使用任何适当的层压技术被层压在该结构的上面（即，如果使用介电层18，那么在介电层18的上面）。液晶材料薄片在现有技术中是众所周知的，并且在这里不被进一步描述。光学透明的衬底22被安装在液晶薄片20的上面。光学透明的衬底22可以是聚合物、玻璃、玻璃和聚合物的组合或者任何其它透明材料。优选地，衬底22是具有为50μm或更大的厚度的玻璃。光学透明的衬底22通过使用光学透明的粘结材料以及自旋和压力结合工艺（spin & pressure bonding process）而被结合（bond）在液晶薄片20的上面。抗反射涂层或红外涂层的可选层可以被沉积在光学透明的衬底22上。诸如透镜之类的可选的光学元件24可以与光学透明的衬底22被集成在一起，被形成在该光学透明的衬底22上或被附着到该光学透明的衬底22。最终得到的结构在图1H中被示出。
如在图1I中所图示的那样，多个孔26下一步被形成到衬底10的表面中，所述多个孔26延伸到绝缘部（insulation)12中。每个孔26都优选地与焊盘16中的一个对准并且使所述焊盘16中的一个暴露。孔26可以通过激光、刻蚀、机械研磨或者（多个）任何其它适当的孔形成方法来形成。导电材料接着被沉积在孔26内部，以形成电接触28，所述电接触28中的每个都从焊盘16中的一个延伸到衬底10的表面。电接触28可以通过孔26终止于在衬底10的表面处的引线30中。可替换地，引线30中的一些或所有都可以沿着衬底10的表面延伸，以沿着衬底10的表面绕行该位置，在所述位置处，到引线30的电连接可以发生（即远离电接触28从其延伸出来的孔26）。被用来形成接触28和/或引线30的导电材料可以包括铜、铝、聚合物或（多个）任何其它适当的导电材料。被用来形成接触28和/或引线30的导电材料可以通过电镀、溅射、化学气相沉积或（多个）任何其它适当的沉积方法而被沉积。绕行接触位置的引线30可以通过使用适当的光刻和刻蚀工艺来形成。最终得到的可调谐的液晶透镜结构31在图1J中被图示。
间隔物32被结合在衬底10的表面上（即被结合到引线30）。间隔物32可以是聚合物、金属、陶瓷、玻璃、硅与预浸物（pre-preg）、聚四氟乙烯、聚合物、光刻胶、环氧树脂、前面提到的材料的组合或者（多个）任何其它适当的材料。优选地，可干膜光成像的（dry film photo-imagable）材料薄片被用作间隔物32，借此干膜被层压到衬底10和/或引线30上，接着被暴露并且被显影，使得材料的中央部分被去除（即留下腔34）。间隔物材料的厚度可以在0.01mm至2.0mm的范围中。接合界面（joining interface）材料36可以被形成在间隔物32与衬底10之间，并且可以是基于聚酰亚胺、树脂、环氧树脂的或者（多个）任何其它适当的接合材料。根据被用于间隔物32的材料，接合界面材料36是可选的。最终得到的结构在图1K中被示出。
多个孔38被形成穿过间隔物32，以使引线30暴露。孔38可以通过激光、刻蚀、机械研磨或者（多个）任何其它适当的孔形成方法来形成。导电材料接着被沉积在孔38内部，以形成延伸穿过间隔物32的电接触40。导电材料可以是铜、铝、聚合物或者（多个）任何其它适当的导电材料，并且可以通过镀、溅射、化学气相沉积、掩膜丝网印刷或者（多个）任何其它适当的沉积方法被沉积。粘结层42被沉积在间隔物32的底面上。粘结层42可以由具有在0.1μm至20μm的范围内的厚度的环氧树脂形成。粘结层42可以通过使用辊技术（roller technique）或其它常规的分配方法（dispense method）被沉积在间隔物32上。最终得到的结构在图1L中被示出。
如在图1M中所图示的那样，间隔物32的底面接着通过使用粘结层42被结合到图像传感器芯片44的活动侧（active side）（成像区域）。结合可以通过使用任何常规的结合工艺来完成。引入物理压力、热量和真空的结合器（bonder）是优选的。图像传感器芯片44包括具有正面48的晶片衬底46。多个光电探测器50和支持电路与接触焊盘52一起被形成在晶片衬底46的朝上面向的（正）表面48处。接触焊盘52被电连接到光电探测器50（和/或它们的支持电路），用于提供片外信令（off chip signaling）。每个光电探测器50都把光能量转换为电压信号。附加的电路可以被包括来放大电压和/或把电压转换为数字数据。滤色器和/或微型透镜54可以被安装在光电探测器50之上。这种类型的传感器在现有技术中是众所周知的，并且在这里不被进一步描述。
孔56被形成到晶片衬底46的背面中。孔56中的一些与接触焊盘52对准，在那里每个这样的孔56都延伸到接触焊盘52中的一个（并且使所述接触焊盘52中的一个暴露）。其它孔56并不与接触焊盘52对准，在那里每个这样的孔56都延伸到粘结层42并且使该粘结层42暴露。孔56可以通过激光、等离子体刻蚀、机械研磨或者任何其它适当的孔形成方法来形成。介电材料58接着被沉积或被形成在孔56的侧壁上以及在晶片衬底46的背面上。介电材料58可以是二氧化硅、氮化硅、环氧树脂、聚酰亚胺、树脂、金属氧化物或者（多个）任何其它适当的介电材料。优选地，介电材料58是二氧化硅，所述二氧化硅通过使用溅射或化学气相沉积技术被沉积。介电材料58的优选的厚度为0.1μm或更大。针对孔56中的与接触焊盘52对准的一些孔，在所述孔的底部处的介电材料被去除（如果它存在的话），使得让接触焊盘52在每个孔56的底部处被暴露（例如，参见图1N中的左手边的孔56）。针对孔56中的与接触焊盘52对准的其它一些孔，通过形成穿过介电材料58、穿过接触焊盘52并且穿过粘结层42的小孔60，孔56被延伸，以使电接触40暴露（例如，参见图1N中的右手边的孔56）。最终，针对没有与接触焊盘52中的任何接触焊盘对准的孔56，通过形成穿过介电材料58并且穿过粘结层42的小孔60，孔56被延伸，以使电接触40暴露。孔60可以通过激光、刻蚀、机械研磨或者（多个）任何其它适当的通孔形成方法来形成。最终得到的结构在图1N中被示出。
导电材料接着被沉积在孔56和60内部，以在其中形成电接触62。电接触62中的一些从晶片衬底46的底面延伸到接触焊盘52中的一个（例如，参见图1O中的左手边的接触62）。电接触62中的其它电接触从晶片衬底46的表面延伸穿过接触焊盘52中的一个（与其形成电接触）、穿过粘结层42并且延伸到电接触40（例如，参见图1O中的右手边的接触62），借此电接触28、40和62构成如下电接触：所述电接触从TLC透镜31的引线图案14延伸到图像传感器芯片44的底部，并且形成与图像传感器芯片的居间的接触焊盘52的电接触。电接触62中的还有其它一些电接触从晶片衬底46的表面延伸出来，延伸穿过粘结层42并且延伸到电接触40（即，没有形成与接触焊盘52中的任何一个的任何接触），借此电接触28、40和62构成如下电接触：所述电接触从TLC透镜31的引线图案14延伸到图像传感器芯片44的底部（而不形成与图像传感器芯片的任何居间的接触焊盘52的任何电接触）。导电材料可以是铜、铝、聚合物或者（多个）任何其它适当的导电材料，并且可以通过电镀、溅射、化学气相沉积、丝网印刷或者（多个）任何其它适当的沉积方法来沉积。导电材料可以伸出孔56并且沿着晶片衬底46的表面延伸，借此在光刻和刻蚀工艺之后，每个电接触62都终止于接触焊盘64中。密封介电层66以保持接触焊盘64被暴露的方式被沉积在层58上。密封层66可以是聚合物、环氧树脂、金属氧化物、树脂或者（多个）任何其它适当的密封材料。密封层优选地在厚度上至少为0.5μm。球栅阵列（BGA）或者岸面栅阵列（Land Grid Array）接触68接着通过使用丝网印刷或者任何适当的BGA形成方法被形成在接触焊盘64上。最终的集成封装结构70在图1O中被示出。如果多个封装结构70被一起形成在单个衬底上（其比单独的制造更有效）时，各种结构70通过使用机械刀片切割设备、激光或者任何其它适当的切割/切分(singulation)技术而彼此分离。
集成封装结构70提供了紧凑的封装，所述紧凑的封装把液晶透镜与图像传感器芯片集成在一起，同时在单个表面处（即在图像传感器芯片44的底面处）提供三种不同类型的电接触。特别地，第一类型的BGA接触68提供了到接触焊盘52中的仅仅一个的电连通性（经由接触焊盘64和电接触62，用于针对图像传感器芯片供给片外连通性）。第二种类型的BGA接触68提供了到液晶透镜焊盘16中的一个的电连通性（经由接触焊盘64、电接触62、电接触40、引线30和电接触28，用于向相对应的引线图案14供给驱动信号）。第三种类型的BGA接触68（经由接触焊盘64、电接触62、电接触40、引线30和电接触28）提供了到接触焊盘52中的一个以及液晶透镜焊盘16中的一个的电连通性，用于向图像传感器芯片44以及液晶透镜31供给诸如功率、地等的公共信号。
图2图示了对于在图1O中所示的实施例的可替换的实施例。特别地，图2的实施例与图1O的实施例相同，除了间隔物32（以及经由那个被形成的电接触）以及接合界面材料36已经被省略。而是，粘结层42的厚度（例如在1μm至20μm的范围内）足以维持可调谐的液晶透镜组件31与图像传感器芯片44的面对的表面之间的可容忍的距离。
图3A至3D图示了形成集成图像传感器封装的第二可替换实施例的方法。如在图3A中所图示的那样，该方法以与图1J相同的结构开始，除了孔26被形成到衬底22而不是衬底10的表面中，借此引线30被形成在衬底22的表面上，而不是在衬底10的表面上，（即电接触28向上延伸并且穿过衬底22，而不是向下延伸并且穿过衬底10）。为了清楚起见，可选的光学元件24被省略。
下一步，与上面关于图1K至1O所描述的相同的处理步骤被执行（例如，添加接合界面36、间隔物32、粘结层42以及图像传感器芯片44），除了电接触40没有被形成在间隔物32中，并且电接触62被形成来与接触焊盘52进行接触，并且不延伸穿过接触焊盘52。最终得到的结构在图3B中被示出。
如在之前的实施例的情况下那样，可选的光学元件24可以与光学透明的衬底22集成在一起，被形成在所述光学透明的衬底22上或者被附着到所述光学透明的衬底22。光学元件可以是诸如例如在图1H中所示的透镜之类的单个光学装置，或者可以是如在图3C中所示的诸如具有多个透镜的透镜模块之类的多元件光学元件。特别地，透镜模块72包括在外壳76内部的被部署在透明衬底78下面的多个透镜74。透镜模块72可以被安装在衬底22上。
如在图3D中所图示的那样，封装结构70可以被安装到印刷电路板80上。特别地，BGA接触68可以被安装到PCB接触82上，用于把图像传感器芯片44电连接到PCB 80。附加地，导线84可以被连接在引线30与PCB接触86之间，用于把液晶透镜31电连接到PCB 80。
图4图示了对于在图3D中所示的实施例的可替换的实施例。特别地，图4的实施例与图3D的实施例相同，除了间隔物32以及接合界面材料36已经被省略。而是，粘结层42的厚度（例如在1μm至20μm的范围内）足以维持可调谐液晶透镜组件31与图像传感器芯片44的面对的表面之间的可容忍的距离。
本发明也可以利用背照式（BSI，back side illuminated）图像传感器芯片，所述背照式（BSI）图像传感器芯片具有被形成在光穿过其进入（并且在其上滤色器和微型透镜54被安装）的相对的表面上的光电探测器20与接触焊盘52。图5图示了对于在图1O中所示的实施例的可替换的实施例，其中光电探测器50与接触焊盘52被形成在晶片衬底46的底面上，并且滤色器和微型透镜54被安装到晶片衬底的顶面上。在该配置的情况下，第一种类型的BGA接触省略了（在把接触焊盘64连接到接触焊盘52中的）电接触62，并且第三种类型的BGA接触仍然（即通过被形成穿过或邻近接触焊盘52）提供到接触焊盘52中的一个以及液晶透镜焊盘16中的一个的电连通性。在BSI图像传感器芯片的情况下，晶片衬底46可以被变薄，以最小化穿过衬底46的传输损耗（如在图5中所示）。为了附加的机械支撑，晶片衬底46可以通过使用结合材料而被安装到硅处理器（handler）90，如在图6中所图示。在该配置的情况下，电接触62被形成穿过处理器90并且与处理器90绝缘，而且介电材料层58/68、接触焊盘64和BGA接触被形成在处理器90的底面上。图7和8图示了对于在图3D中所示的实施例的可替换的实施例，其中BSI图像传感器芯片分别没有和具有处理器90。
要理解的是，本发明并不限于上面所描述的并且在这里所图示的（多个）实施例，而是包围落在所附权利要求书的范围内的任何和所有变型。例如，在这里对本发明的参照并不意图限制任何权利要求或权利要求项的范围，而是仅仅参照可能由权利要求中的一个或多个所覆盖的一个或多个特征。上面所描述的材料、工艺和数值例子仅仅是示例性的，并且不应被认为限制权利要求。进一步，如从权利要求书以及说明书中明显的，不是所有方法步骤需要以所图示的或所请求保护的确切的次序被执行，而是以允许本发明的封装结构的恰当的形成的任何次序被执行。单个材料层可以被形成为这样的或类似的材料的多个层，并且反之亦然，和/或可以在次序上被颠倒。例如，引线图案14和液晶材料薄片20的相对定位可以被颠倒（参见图9），或者引线图案14可以在液晶材料薄片的两侧上（参见图10）。可调谐的液晶透镜结构31和透镜模块72的相对定位可以被颠倒（例如，参见图11，其中可调谐的液晶透镜结构31可以被安装在透镜模块72之上）。
应该注意的是，如在这里所使用的那样，术语“之上”和“上”都包括在内地包括“直接地在…上”（没有被部署在其之间的居间的材料、元件或空间）和“间接地在…上”（被部署在其之间的居间的材料、元件或空间）。同样地，术语“邻近”包括“直接邻近”（没有被部署在其之间的居间的材料、元件或空间）和“间接邻近”（被部署在其之间的居间的材料、元件或空间），“被安装到”包括“直接地被安装到”（没有被部署在其之间的居间的材料、元件或空间）和“间接地被安装到”（被部署在其之间的居间的材料、元件或空间），并且“被电耦合”包括“被直接地电耦合到”（没有把这些元件电连接在一起的在其之间的居间的材料或元件）和“被间接地电耦合到”（把这些元件电连接在一起的在其之间的居间的材料或元件）。例如，“在衬底之上”形成元件可以包括直接地在该衬底上形成元件，而没有在其之间的居间的材料/元件，以及间接地在该衬底上形成元件，其中在其之间具有一个或多个居间的材料/元件。

Claims (42)

1.一种封装结构，其包括：
传感器芯片，所述传感器芯片包括：
       第一衬底，所述第一衬底具有相对的正面和背面，
       多个光电探测器，所述多个光电探测器被形成在正面处，
       多个接触焊盘，所述多个接触焊盘被形成在正面处，所述多个接触焊盘被电耦合到光电探测器，
       多个第一电接触，所述多个第一电接触中的每个都从背面延伸出来并且穿过第一衬底延伸到接触焊盘中的一个，以及
       多个第二电接触，所述多个第二电接触中的每个都从被背面延伸出来并且穿过第一衬底延伸到正面；
液晶透镜，所述液晶透镜包括：
       液晶材料层，
       一个或多个引线图案，所述一个或多个引线图案邻近液晶材料层，以及
       多个第三电接触，所述多个第三电接触中的每个都从一个或多个引线图案中的一个延伸出来；
其中传感器芯片被安装到液晶透镜上，使得第三电接触中的每个都被电连接到多个第二电接触中的一个，并且多个光电探测器被部署在液晶材料之下，用于接收通过液晶材料的光。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，第二电接触中的至少一个与接触焊盘中的一个电接触。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其中，第二电接触中的至少一个被形成穿过接触焊盘中的一个并且与所述接触焊盘中的一个电接触。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其中，传感器芯片通过被部署在传感器芯片与液晶透镜之间的间隔物而被安装到液晶透镜上，并且其中间隔物包括多个第四电接触，所述多个第四电接触中的每个都延伸穿过间隔物，并且所述多个第四电接触中的每个都被电连接在多个第三电接触中的一个与多个第二电接触中的一个之间。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其中，间隔物包括被部署在多个光电探测器之上的腔。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其中，液晶透镜进一步包括：
第二衬底，所述第二衬底邻近一个或多个引线图案和液晶材料层，其中第三电接触中的每个都延伸穿过第二衬底。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其中，第二衬底是光学透明的。
8.根据权利要求6所述的封装结构，其中，液晶透镜进一步包括：
第三衬底，其中一个或多个引线图案和液晶材料层被部署在第二衬底与第三衬底之间。
9.根据权利要求6所述的封装结构，其中，液晶透镜进一步包括：
光学元件，所述光学元件被安装到第二衬底和第三衬底中的一个上。
10.根据权利要求8所述的封装结构，其中，液晶透镜进一步包括：
透镜模块，所述透镜模块被安装到第二衬底和第三衬底中的一个上，其中透镜模块在其中包括多个透镜。
11.根据权利要求10所述的封装结构，其中，传感器芯片被安装到液晶透镜上，使得透镜模块被部署在传感器芯片与液晶透镜之间。
12.根据权利要求1所述的封装结构，其中，传感器芯片通过被部署在传感器芯片与液晶透镜之间的粘合剂的层而被安装到液晶透镜上，并且其中第三电接触与第二电接触之间的电连接穿过所述粘合剂。
13.一种封装结构，其包括：
传感器芯片，所述传感器芯片包括：
       第一衬底，所述第一衬底具有相对的正面和背面，
       多个光电探测器，所述多个光电探测器被形成在正面处，
       多个接触焊盘，所述多个接触焊盘被形成在正面处，所述多个接触焊盘被电耦合到光电探测器，以及
       多个第一电接触，所述多个第一电接触中的每个都从背面延伸出来并且穿过第一衬底延伸到接触焊盘中的一个；
液晶透镜，所述液晶透镜包括：
       第二衬底和第三衬底，
       液晶材料层，所述液晶材料层被部署在第二衬底与第三衬底之间，
       一个或多个引线图案，所述一个或多个引线图案邻近液晶材料层并且被部署在第二衬底与第三衬底之间，以及
       多个第二电接触，所述多个第二电接触中的每个都从一个或多个引线图案中的一个延伸出来并且延伸穿过第二衬底；
其中传感器芯片的正面被安装到液晶透镜的第三衬底上，使得多个光电探测器被部署在液晶材料之下，用于接收通过液晶材料的光。
14.根据权利要求13所述的封装结构，其中，传感器芯片的正面通过间隔物被安装到液晶透镜的第三衬底上，所述间隔物被部署在传感器芯片的正面与液晶透镜的第三衬底之间并且被附着到传感器芯片的正面和液晶透镜的第三衬底。
15.根据权利要求14所述的封装结构，其中，间隔物包括被部署在多个光电探测器之上的腔。
16.根据权利要求13所述的封装结构，其中，第二衬底与第三衬底是光学透明的。
17.根据权利要求13所述的封装结构，其中，液晶透镜进一步包括：
光学元件，所述光学元件被安装到第二衬底上。
18.根据权利要求13所述的封装结构，其中，液晶透镜进一步包括：
透镜模块，所述透镜模块被安装到第二衬底和第三衬底中的一个上，其中透镜模块在其中包括多个透镜。
19.根据权利要求18所述的封装结构，其中，传感器芯片被安装到液晶透镜上，使得透镜模块被部署在传感器芯片与液晶透镜之间。
20.根据权利要求13所述的封装结构，进一步包括：
印刷电路板，所述印刷电路板包括多个第三电接触，并且所述印刷电路板被安装到传感器芯片，使得第一电接触中的每个都被电连接到第三电接触中的一个。
21.根据权利要求20所述的封装结构，其中，印刷电路板进一步包括第四电接触，所述结构进一步包括：
多个导线，所述多个导线中的每个都在第二电接触中的一个与第四电接触中的一个之间延伸，并且电连接第二电接触中的一个和第四电接触中的一个。
22.根据权利要求13所述的封装结构，其中，传感器芯片的正面通过在其之间的粘合剂的层被安装到液晶透镜的第三衬底。
23.一种封装结构，其包括：
传感器芯片，所述传感器芯片包括：
       第一衬底，所述第一衬底具有相对的正面和背面，
       多个光电探测器，所述多个光电探测器被形成在背面处，
       多个接触焊盘，所述多个接触焊盘被形成在背面处，所述多个接触焊盘被电耦合到光电探测器，以及
       多个第一电接触，所述多个第一电接触中的每个都从背面延伸出来并且穿过第一衬底延伸到正面；
液晶透镜，所述液晶透镜包括：
       液晶材料层，
       一个或多个引线图案，所述一个或多个引线图案邻近液晶材料层，以及
       多个第二电接触，所述多个第二电接触中的每个都从一个或多个引线图案中的一个延伸出来；
其中传感器芯片被安装到液晶透镜上，使得第二电接触中的每个都被电连接到多个第一电接触中的一个，并且多个光电探测器被部署在液晶材料之下，用于接收通过液晶材料并且通过正面的光。
24.根据权利要求23所述的封装结构，其中，第一电接触中的至少一个与接触焊盘中的一个电接触。
25.根据权利要求23所述的封装结构，其中，第一电接触中的至少一个被形成穿过接触焊盘中的一个，并且与接触焊盘中的一个电接触。
26.根据权利要求23所述的封装结构，其中，传感器芯片通过被部署在传感器芯片与液晶透镜之间的间隔物而被安装到液晶透镜，并且其中间隔物包括多个第三电接触，所述多个第三电接触中的每个都延伸穿过间隔物，并且所述多个第三电接触中的每个都被电连接在多个第二电接触中的一个与多个第一电接触中的一个之间。
27.根据权利要求26所述的封装结构，其中，间隔物包括被部署在多个光电探测器之上的腔。
28.根据权利要求23所述的封装结构，其中，液晶透镜进一步包括：
第二衬底，所述第二衬底邻近一个或多个引线图案和液晶材料层，其中第二电接触中的每个都延伸穿过第二衬底。
29.根据权利要求28所述的封装结构，其中，液晶透镜进一步包括：
第三衬底，其中一个或多个引线图案和液晶材料层被部署在第二衬底与第三衬底之间。
30.根据权利要求28所述的封装结构，其中，液晶透镜进一步包括：
光学元件，所述光学元件被安装到第二衬底和第三衬底中的一个上。
31.根据权利要求28所述的封装结构，其中，液晶透镜进一步包括：
透镜模块，所述透镜模块被安装到第二衬底和第三衬底中的一个上，其中透镜模块在其中包括多个透镜。
32.根据权利要求31所述的封装结构，其中，传感器芯片被安装到液晶透镜，使得透镜模块被部署在传感器芯片与液晶透镜之间。
33.根据权利要求23所述的封装结构，进一步包括：
处理器，所述处理器被安装到传感器芯片的背面上；
多个第三电接触，所述多个第三电接触中的每个都延伸穿过处理器并且延伸到接触焊盘中的一个；
其中多个第一电接触中的每个都延伸穿过处理器。
34.一种封装结构，其包括：
传感器芯片，所述传感器芯片包括：
       第一衬底，所述第一衬底具有相对的正面和背面，
       多个光电探测器，所述多个光电探测器被形成在背面处，以及
       多个接触焊盘，所述多个接触焊盘被形成在背面处，所述多个接触焊盘被电耦合到光电探测器；
液晶透镜，所述液晶透镜包括：
       第二衬底和第三衬底；
       液晶材料层，所述液晶材料层被部署在第二衬底和第三衬底之间，
       一个或多个引线图案，所述一个或多个引线图案邻近液晶材料层并且被部署在第二衬底与第三衬底之间，以及
       多个第一电接触，所述多个第一电接触中的每个都从一个或多个引线图案中的一个延伸出来并且延伸穿过第二衬底；
其中传感器芯片的正面被安装到液晶透镜的第三衬底，使得多个光电探测器被部署在液晶材料之下，用于接收通过液晶材料和正面的光。
35.根据权利要求34所述的封装结构，其中，传感器芯片的正面通过间隔物被安装到液晶透镜的第三衬底上，所述间隔物被部署在传感器芯片的正面与液晶透镜的第三衬底之间，并且被附着到传感器芯片的正面和液晶透镜的第三衬底。
36.根据权利要求35所述的封装结构，其中，间隔物包括被部署在多个光电探测器之上的腔。
37.根据权利要求34所述的封装结构，其中，液晶透镜进一步包括：
光学元件，所述光学元件被安装到第二衬底上。
38.根据权利要求34所述的封装结构，其中，液晶透镜进一步包括：
透镜模块，所述透镜模块被安装到第二衬底和第三衬底中的一个上，其中所述透镜模块在其中包括多个透镜。
39.根据权利要求38所述的封装结构，其中，透镜芯片被安装到液晶透镜上，使得透镜模块被部署在传感器芯片与液晶透镜之间。
40.根据权利要求34所述的封装结构，进一步包括：
印刷电路板，所述印刷电路板包括多个第二电接触，并且所述印刷电路板被安装到传感器芯片上，使得接触焊盘中的每个都被电连接到第二电接触中的一个。
41.根据权利要求40所述的封装结构，其中，印刷电路板进一步包括第三电接触，所述结构进一步包括：
多个导线，所述多个导线中的每个都在第一电接触中的一个与第三电接触中的一个之间延伸，并且电连接第一电接触中的一个和第三电接触中的一个。
42.根据权利要求34所述的封装结构，进一步包括：
处理器，所述处理器被安装到传感器芯片的背面；
多个第二电接触，所述多个第二电接触中的每个都延伸穿过处理器并且延伸到接触焊盘中的一个。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104851899A (zh) * 2015-05-19 2015-08-19 苏州晶方半导体科技股份有限公司 图像传感器封装结构及其封装方法
CN106373974A (zh) * 2016-11-24 2017-02-01 南通沃特光电科技有限公司 一种具有参考电容的传感器件
CN106373973A (zh) * 2016-11-24 2017-02-01 南通沃特光电科技有限公司 一种抗干扰图像传感器
CN106409856A (zh) * 2016-11-24 2017-02-15 南通沃特光电科技有限公司 一种制造具有参考电容的传感器的方法
CN109285850A (zh) * 2017-07-19 2019-01-29 豪威科技股份有限公司 具有保护结构的图像传感器模块及其制作方法与相机模块

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5760525B2 (ja) * 2010-03-30 2015-08-12 Ｊｆｅスチール株式会社 ステンレス箔およびその箔を用いた排ガス浄化装置用触媒担体
KR102047378B1 (ko) * 2012-11-30 2019-11-21 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈
US9496247B2 (en) * 2013-08-26 2016-11-15 Optiz, Inc. Integrated camera module and method of making same
US9461190B2 (en) 2013-09-24 2016-10-04 Optiz, Inc. Low profile sensor package with cooling feature and method of making same
US9496297B2 (en) 2013-12-05 2016-11-15 Optiz, Inc. Sensor package with cooling feature and method of making same
CN203708326U (zh) * 2013-12-09 2014-07-09 光宝电子(广州)有限公司 相机模组
US9666730B2 (en) * 2014-08-18 2017-05-30 Optiz, Inc. Wire bond sensor package
US9276140B1 (en) * 2014-09-16 2016-03-01 Amazon Technologies, Inc. Imager module with interposer chip
US10869393B2 (en) * 2015-06-29 2020-12-15 Microsoft Technology Licensing, Llc Pedestal mounting of sensor system
US9996725B2 (en) 2016-11-03 2018-06-12 Optiz, Inc. Under screen sensor assembly
US10224357B1 (en) * 2017-09-07 2019-03-05 Visera Technologies Company Limited Image sensor packages
US11408589B2 (en) 2019-12-05 2022-08-09 Optiz, Inc. Monolithic multi-focus light source device
KR102455520B1 (ko) * 2020-06-05 2022-10-17 한국과학기술원 마이크로렌즈 어레이를 이용한 초박형 카메라 장치 그리고 이의 다기능 이미징 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080191335A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Cmos image sensor chip scale package with die receiving opening and method of the same
US20080303107A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Masanori Minamio Optical device and method for fabricating the same, camera module using optical device, and electronic equipment mounting camera module
CN101442062A (zh) * 2007-11-23 2009-05-27 采钰科技股份有限公司 图像感测装置的电子组件
US20110279815A1 (en) * 2010-05-17 2011-11-17 Kingpak Technology Inc. Manufacturing method and structure for wafer level image sensor module with fixed focal length
JP2012021993A (ja) * 2006-06-01 2012-02-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光学センサ及びセンサチップ

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1073758A (ja) 1996-06-07 1998-03-17 Olympus Optical Co Ltd 結像光学系
IL123207A0 (en) 1998-02-06 1998-09-24 Shellcase Ltd Integrated circuit device
IL133453A0 (en) 1999-12-10 2001-04-30 Shellcase Ltd Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US7033664B2 (en) 2002-10-22 2006-04-25 Tessera Technologies Hungary Kft Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US6972480B2 (en) 2003-06-16 2005-12-06 Shellcase Ltd. Methods and apparatus for packaging integrated circuit devices
WO2005004195A2 (en) 2003-07-03 2005-01-13 Shellcase Ltd. Method and apparatus for packaging integrated circuit devices
JP3841174B2 (ja) * 2003-12-18 2006-11-01 ソニー株式会社 撮像装置
US7535649B2 (en) 2004-03-09 2009-05-19 Tang Yin S Motionless lens systems and methods
JP2005309323A (ja) 2004-04-26 2005-11-04 Kodak Digital Product Center Japan Ltd 撮像用焦点距離検出方法及び撮像装置
US7826145B2 (en) 2004-11-05 2010-11-02 The Regents Of The University Of California Fluidic adaptive lens systems with pumping systems
DE602005026982D1 (de) 2004-11-16 2011-04-28 Citizen Holdings Co Ltd Automatisches fokussierungsgerät
KR100645635B1 (ko) * 2004-11-30 2006-11-15 삼성전기주식회사 광학 소자를 포함하는 이미지 픽업 모듈
US7936062B2 (en) 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
US20070190747A1 (en) 2006-01-23 2007-08-16 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer level packaging to lidded chips
JP2007310004A (ja) 2006-05-16 2007-11-29 Citizen Holdings Co Ltd 自動合焦点装置
JP4750626B2 (ja) 2006-05-31 2011-08-17 シチズンホールディングス株式会社 自動合焦点装置
US7724347B2 (en) 2006-09-05 2010-05-25 Tunable Optix Corporation Tunable liquid crystal lens module
US8513789B2 (en) 2006-10-10 2013-08-20 Tessera, Inc. Edge connect wafer level stacking with leads extending along edges
US7829438B2 (en) 2006-10-10 2010-11-09 Tessera, Inc. Edge connect wafer level stacking
US7901989B2 (en) 2006-10-10 2011-03-08 Tessera, Inc. Reconstituted wafer level stacking
US7807508B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
US7935568B2 (en) 2006-10-31 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
US7791199B2 (en) 2006-11-22 2010-09-07 Tessera, Inc. Packaged semiconductor chips
US8569876B2 (en) 2006-11-22 2013-10-29 Tessera, Inc. Packaged semiconductor chips with array
US7749886B2 (en) 2006-12-20 2010-07-06 Tessera, Inc. Microelectronic assemblies having compliancy and methods therefor
EP2575166A3 (en) 2007-03-05 2014-04-09 Invensas Corporation Chips having rear contacts connected by through vias to front contacts
US7733575B2 (en) 2007-05-31 2010-06-08 Artificial Muscle, Inc. Optical systems employing compliant electroactive materials
US8786759B2 (en) * 2007-08-28 2014-07-22 Motorola Mobility Llc Method and apparatus for auto-focus using liquid crystal adaptive optics
US20090115047A1 (en) 2007-10-10 2009-05-07 Tessera, Inc. Robust multi-layer wiring elements and assemblies with embedded microelectronic elements
US7986178B2 (en) 2007-12-14 2011-07-26 Supertex, Inc. Pulse width modulation driver for electroactive lens
US20100053407A1 (en) 2008-02-26 2010-03-04 Tessera, Inc. Wafer level compliant packages for rear-face illuminated solid state image sensors
US20090212381A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Tessera, Inc. Wafer level packages for rear-face illuminated solid state image sensors
US7859033B2 (en) 2008-07-09 2010-12-28 Eastman Kodak Company Wafer level processing for backside illuminated sensors
JP2010219425A (ja) 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp 半導体装置
CN101931742B (zh) * 2009-06-18 2013-04-24 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测模组及取像模组
US8697569B2 (en) 2010-07-23 2014-04-15 Tessera, Inc. Non-lithographic formation of three-dimensional conductive elements
US8796135B2 (en) 2010-07-23 2014-08-05 Tessera, Inc. Microelectronic elements with rear contacts connected with via first or via middle structures
US8847376B2 (en) 2010-07-23 2014-09-30 Tessera, Inc. Microelectronic elements with post-assembly planarization
US8598695B2 (en) 2010-07-23 2013-12-03 Tessera, Inc. Active chip on carrier or laminated chip having microelectronic element embedded therein
US8791575B2 (en) 2010-07-23 2014-07-29 Tessera, Inc. Microelectronic elements having metallic pads overlying vias
US9640437B2 (en) 2010-07-23 2017-05-02 Tessera, Inc. Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream
US8686565B2 (en) 2010-09-16 2014-04-01 Tessera, Inc. Stacked chip assembly having vertical vias
US8685793B2 (en) 2010-09-16 2014-04-01 Tessera, Inc. Chip assembly having via interconnects joined by plating
US8610259B2 (en) 2010-09-17 2013-12-17 Tessera, Inc. Multi-function and shielded 3D interconnects
US8847380B2 (en) 2010-09-17 2014-09-30 Tessera, Inc. Staged via formation from both sides of chip
JP5331838B2 (ja) * 2011-02-25 2013-10-30 株式会社東芝 固体撮像装置および携帯情報端末

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012021993A (ja) * 2006-06-01 2012-02-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光学センサ及びセンサチップ
US20080191335A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Cmos image sensor chip scale package with die receiving opening and method of the same
US20080303107A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Masanori Minamio Optical device and method for fabricating the same, camera module using optical device, and electronic equipment mounting camera module
CN101442062A (zh) * 2007-11-23 2009-05-27 采钰科技股份有限公司 图像感测装置的电子组件
US20110279815A1 (en) * 2010-05-17 2011-11-17 Kingpak Technology Inc. Manufacturing method and structure for wafer level image sensor module with fixed focal length

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104851899A (zh) * 2015-05-19 2015-08-19 苏州晶方半导体科技股份有限公司 图像传感器封装结构及其封装方法
CN104851899B (zh) * 2015-05-19 2018-01-19 苏州晶方半导体科技股份有限公司 图像传感器封装结构及其封装方法
CN106373974A (zh) * 2016-11-24 2017-02-01 南通沃特光电科技有限公司 一种具有参考电容的传感器件
CN106373973A (zh) * 2016-11-24 2017-02-01 南通沃特光电科技有限公司 一种抗干扰图像传感器
CN106409856A (zh) * 2016-11-24 2017-02-15 南通沃特光电科技有限公司 一种制造具有参考电容的传感器的方法
CN106409856B (zh) * 2016-11-24 2019-09-20 江苏天楹之光光电科技有限公司 一种制造具有参考电容的传感器的方法
CN106373974B (zh) * 2016-11-24 2019-10-18 江苏骏龙光电科技股份有限公司 一种具有参考电容的传感器件
CN106373973B (zh) * 2016-11-24 2019-11-05 江苏骏龙光电科技股份有限公司 一种抗干扰图像传感器
CN109285850A (zh) * 2017-07-19 2019-01-29 豪威科技股份有限公司 具有保护结构的图像传感器模块及其制作方法与相机模块
CN109285850B (zh) * 2017-07-19 2023-05-19 豪威科技股份有限公司 具有保护结构的图像传感器模块及其制作方法与相机模块

Also Published As

Publication number Publication date
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US8921759B2 (en) 2014-12-30
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