KR20140002530A - 바이어싱된 측부 쉴드 라미네이션을 갖는 자기 엘리먼트 - Google Patents

바이어싱된 측부 쉴드 라미네이션을 갖는 자기 엘리먼트 Download PDF

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Abstract

일반적으로 트랜스듀싱 헤드로서 구현될 수 있는 자기 엘리먼트가 제공된다. 다양한 실시예들은 미리결정된 자화를 통해서 자기적 프리층을 갖는 자기 스택을 구성할 수 있다. 측부 쉴드 라미네이션은 에어 베어링 표면(ABS) 상에서 자기 스택으로부터 분리될 수 있고 미리결정된 자화에 반대인 바이어스 자화로 바이어싱될 수 있다.

Description

바이어싱된 측부 쉴드 라미네이션을 갖는 자기 엘리먼트{MAGNETIC ELEMENT WITH BIASED SIDE SHIELD LAMINATION}
다양한 실시예들은 일반적으로 적어도 자기 판독할 수 있는 자기 엘리먼트(magnetic element)에 관한 것이다.
다양한 실시예들에 따르면, 자기 스택(magnetic stack)은 미리결정된 자화(predetermined magnetization)를 통해서 자기적 프리층(magnetically free layer)을 갖도록 구성될 수 있다. 측부 쉴드 라미네이션(side shield lamination)은, 에어 베어링 표면(ABS) 상에서 자기 스택으로부터 분리되고, 미리결정된 자화에 반대인(oppose) 바이어스 자화로 바이어싱될 수 있다.
도 1은 데이터 저장 디바이스의 예시적인 부분의 블록 표현이다.
도 2는 도 1의 데이터 저장 디바이스에 이용될 수 있는 예시의 자기 엘리먼트의 단면 블록 표현을 제공한다.
도 3a 및 도 3b는 다양한 실시예들에 따라서 구성된 예시의 자기 엘리먼트의 부분들의 상이한 블록 표현들을 개별적으로 나타낸다.
도 4a 및 도 4b는 예시의 자기 엘리먼트의 전면 및 단면 블록 표현들을 각각 디스플레이한다.
도 5a 및 도 5b는 다양한 실시예들에 따라서 구성된 예시의 자기 엘리먼트의 전면 및 단면 블록 표현들을 각각 예시한다.
도 6a 및 도 6b는 예시의 자기 엘리먼트의 전면 및 단면 블록 표현들을 각각 나타낸다.
도 7은 다양한 실시예들에 따라서 구성된 예시적인 자기 엘리먼트 제조 루틴의 단계들을 예시하는 플로우차트를 제공한다.
데이터 저장 디바이스들에서 산업적 요구가 더 높은 데이터 비트 밀도 및 더 빠른 데이터 전달율들을 향해서 진보함에 따라서, 컴포넌트들을 판독 및 기록하는 다양한 데이터의 물리적 그리고 자기적 크기는 프로세스 및 설계 변동성에 의해 영향을 받게 된다. 피닝되지 않은 삼층 자기 반응 스택들(non-pinned trilayer magnetically responsive stacks)과 같은 더 작은 데이터 액세스 엘리먼트들의 도입은 자기 쉴드들 사이에서 쉴드-투-쉴드 간격을 감소시키고 증가된 데이터 비트 감도를 제공할 수 있지만, 미세한 프로세스 변동들과의 자기적 비대칭성에 민감할 수 있다. 이런 이유로, 설계 및 프로세스 변동성에 대한 감도를 감소시키면서 증가된 데이터 비트 분해능을 제공하도록 구성된 자기 엘리먼트는 계속되는 산업의 요구이다.
이에 따라, 자기 스택은 베어링 표면(ABS) 상에서 측부 쉴드 라미네이션으로부터 분리될 수 있다. 이 자기 스택은 미리결정된 자화를 갖는 자기적 프리층을 가질 수 있으며, 측부 쉴드 라미네이션은 미리결정된 자화에 반대인 바이어스 자화(bias magnetization)로 바이어싱될 수 있다. 자기 스택의 자화로부터 반대 방향에 있는 측부 쉴드 라미네이션 내에서의 바이어스 자화의 존재는, 자기적 폭 및 자기 비대칭이 최소화됨에 따라 크로스-트랙 데이터 비트 분해능 및 트랙 밀도 성능을 최대화할 수 있다.
자기적으로 반응성인 자기 스택은 다양한 환경들에서 구성될 수 있지만, 데이터 저장 디바이스의 예시적인 데이터 트랜스듀싱 부분(100)이 도 1에 제공된다. 트랜스듀싱 부분(100)은, 프로그래밍된 비트들(108)을 저장할 수 있는 자기 저장 매체(106) 위에 트랜스듀싱 헤드(104)를 위치시키는 액츄에이팅 어셈블리(102)를 갖는다. 저장 매체(106)는 에어 베어링 표면(ABS)(112)을 생성하기 위해 사용 중에 회전하는 스핀들 모터(110)에 부착되며, 상기 에어 베어링 표면(ABS)(112) 상에서는 액츄에이팅 어셈블리(102)의 슬라이더 부분(114)이 매체(106)의 원하는 부분 위에 트랜스듀싱 헤드(104)를 포함하는 헤드 짐벌 어셈블리(HGA)(116)를 위치시키기 위해 플라이한다.
트랜스듀싱 헤드(104)는 각각 저장 매체(106)로부터의 데이터를 프로그래밍하고 판독하도록 동작하는 하나 또는 그 초과의 트랜스듀싱 엘리먼트들, 예를 들어, 자기 기록기 및 자기적으로 반응성인 판독기를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 액츄에이팅 어셈블리(102)의 제어된 움직임은 트랜스듀서들이 데이터를 기록하고, 판독하고, 재기록하기 위해 저장 매체 표면들 상에서 정의된 트랙들(미도시)과 정렬하도록 유도한다.
용어 "스택"은, 자기 재료 및 비-자기 재료로 구성된 하나의 층, 또는 층들의 라미네이션일 수 있는, 본 개시물 내에서의 비제한적인 용어라는 것에 유의해야 한다. 본 출원 전반에 걸쳐, 용어 "스택"은 임의의 동작 환경에서 외부 데이터 비트들에 자기적으로 반응하도록 구성되는 컴포넌트를 의미하는 것으로 이해할 것이다. 임의의 제한하는 방식이 아닌 예시로서, 자기 스택은 복수의 데이터 비트들 사이를 구별할 수 있는 데이터 판독 또는 기록 구성일 수 있다.
도 2는 도 1의 데이터 저장 디바이스(100)에 이용될 수 있는 예시적인 자기 엘리먼트(130)의 단면 블록 표현을 디스플레이한다. 엘리먼트(130)는 외부 자기장들에 각각 민감한 제 1 및 제 2 강자성 프리층들(132 및 134)을 갖는다. 즉, 각각의 프리층(132 및 134)은 에어 베어링 표면(ABS)에 의해 프리층들(132 및 134)로부터 분리된 인접 데이터 저장 매체의 데이터 트랙들(136) 상에 프로그래밍된 자기 비트들과 같이 직면된 외부 자기장에 응답할 수 있다. 프리층(132 및 134) 사이의 상대각(relative angle)은 X 축을 따라서 측정된 것과 같이 ABS 내부로 또는 ABS 외부로 향하는(pointing) 매체 필드들에 대해 상이할 것이며, 이는 낮은 또는 높은 저항/전압 상태들을 전환시킬 것이다.
프리층들(132 및 134) 각각은 층들(132 및 134) 사이에 측정가능한 자기저항 효과를 제공하기 위해 동작하는 비-자기 스페이서 층(138)에 접촉하게 인접한다. 스페이서(138)가 미리결정된 두께를 갖는 임의의 비-자기 재료로 구성될 수 있지만, 변화하는 프리층 자기적 상호작용들 및 데이터 비트 감지를 수용하기 위해 다양한 상이한 비-제한적인 구성들이 이용될 수 있다. 스페이서 층(138)으로의 프리층들(132 및 134)의 커플링된 라미네이션은 디폴트 자화(default magnetization)를 설정하기 위해 프리층들(132 및 134) 상에 미리결정된 자기 바이어싱 필드를 부여하는 후면 탑재 바이어스 마그넷(142)에 의해 몇몇 실시예들에서 영향을 받는 자기 스택(140)으로서 특징화될 수 있다.
자기 스택(140)은, 프리층들(132 및 134) 각각이 스택 정의 프로세스 동안 적당한 성장 템플릿(시드) 또는 보호(캡)을 제공하는 시드층(144) 및 캡 층(146)과 같은 각각의 전극 층에 추가적으로 커플링되도록 더 구성될 수 있다. 그러나, 다른 실시예들에서 전극층들(144 및 146)의 조성, 형상, 및 배치는 층들(144 및 146)의 폭 또는 길이 중 하나 또는 모두를 확대하는 것과 같은 성능 및 제조 이점들을 제공하도록 필요에 따라 변형되면서, 자기 엘리먼트(130)가 전극층들 없이 구성된다는 것이 고찰된다.
특정 데이터 트랙(136)을 따라서 데이터 비트들에 직면하면서, 인접 트랙들로부터의 데이터 비트들이 자기 스택(140)에 의해 의도치않게 감지될 수 있다. 따라서, 적어도 하나의 쉴드층은 스택(140)의 자기적 폭을 축소시키고 이러한 의도치않은 데이터 비트 감지를 최소화하기 위해 전극층들(144 및 146) 각각에 부착될 수 있다. 쉴드층들(148 및 150)은 원치않은 자속(unwanted magnetic flux)을 프리층들(132 및 134)로부터 멀리 지향시키기 위해 다양한 형상들 및 조성들(이들 중 어느 것도 요구되거나 또는 제한되지 않음)로 배향될 수 있다.
자기 스택(140)의 쉴딩은, 바이어스 필드들을 자기 스택(140)으로 제공할 수 있는 또는 제공하지 않을 수 있는 다른 쉴드층들, 예를 들어, 측부 쉴드들로 보충될 수 있다. 측부 쉴드들은, 인접 비트들의 의도치않은 감지 및 잡음을 제거함으로써 사전설정된 데이터 트랙들(136)로부터의 프로그래밍된 데이터 비트들의 개선된 자기 감지를 허용하기 위해 쉴드층들(148 및 150)과 더 조합할 수 있다. 쉴딩 및 바이어싱 층들의 크기 및 수는 자기 스택(140), 특히 높은 선형 데이터 비트 밀도 레코딩들을 신뢰가능하게 동작시키는데 필요한 자화 강도에 영향을 줄 수 있다.
스택(140)의 자기적 안정성은 X 축에 따라서 측정된 것과 같이 스택의 스트라이프 높이(152)의 연신율(elongation)에 의해 증가될 수 있다. 연신된 스트라이프 높이들은 증가된 자기적 수율(increased magnetic yield)을 유도할 수 있는 프로세스 변동들에 대한 더 적은 민감도에 대응할 수 있다. 다수의 자기 쉴드(148 및 150) 구성들은 선형 데이터 비트 분해능을 증가시킬 수 있으며, ABS 상에서 자기 스택(140)으로부터 측면으로 위치된 측부 쉴드들의 이용은 엘리먼트(130)의 자기적 폭의 효율적인 최소화 및 증가된 데이터 스택 밀도 성능을 제공한다.
도 3a 및 도 3b 각각은 ABS 상의 측부 쉴드 라미네이션들(164) 사이에 배치된 자기 스택(162)으로 구성된 예시의 자기 엘리먼트(160)의 ABS 및 등각도들을 제공한다. 자기 스택(162)은 비-자기적 스페이서 층(168)에 의해 분리되고 전극 캡과 시드층(170) 사이에 배치된 이중 자기적 프리층들(166)을 갖는 삼층 판독 센서(도 2의 자기 스택(140)과 매우 유사)로서 구성된다. 도시된 실시예에서, 각각의 측부 쉴드 라미네이션(164)은 비-자기 스페이서 층(174)에 의해 서로로부터 그리고 쉴드 캡 층(178)에 의해 상부 쉴드(176)로부터 분리된 자기적 프리층들(172)과 자기 스택(162)을 일치시키도록 구성된다.
하나 또는 둘 다의 측부 쉴드 라미네이션들(164)이 상부 및 하부 쉴드들(176 및 178)에 커플링될 수 있지만, 도 3a는 각각의 측부 쉴드 라미네이션(164)이 쉴드 캡(178)을 통해서 상부 쉴드(176)에 접속하고 절연 재료에 의해 하부 쉴드(178)로부터 자기적으로 그리고 전기적으로 절연되는 실시예들을 디스플레이한다. 절연 재료의 이용은, 스택(162)의 프리층들(166)로 미리결정된 양의 자기적 영향을 제공하도록 조정될 수 있는, 자기 스택(162)과 각각의 측부 쉴드 라미네이션(164) 사이에 자기적 버퍼(magnetic buffer)를 추가로 제공할 수 있다. 즉, 자기 스택(162)과 측부 쉴드 라미네이션들(164) 사이의 절연 재료의 두께는 측부 쉴드 라미네이션들(164)로부터 프리층들(166)로 얼만큼의(more, or less) 자화를 부여하도록 조정될 수 있다.
도 3b에 도시된 자기 엘리먼트(160)의 등각도로 돌아와서, 후면 바이어스 마그넷(180)은, ABS로부터 떨어져, 자기 스택(162)으로부터 전기적으로 절연되고 인접하게 위치된다. 후면 바이어스 마그넷(180)은 자기 스택(162) 및 측부 쉴드 라미네이션들(164) 상에 미리결정된 양의 자속을 부여하는, Y 축을 따른 두께 및 Z 축을 따른 폭으로 구성될 수 있다. 즉, 후면 바이어스 마그넷(180)은 자기 스택(162) 내의 디폴트 자화 그리고 하나 또는 그 초과의 측부 쉴드 라미네이션들(164) 내의 바이어스 자화 모두를 설정하기 위해 몇몇 실시예들에 이용될 수 있다.
바이어스 자화의 소스 및 크기에 상관없이, 자기 스택(162) 및 측부 쉴드 라미네이션(164) 층들의 구성은 표유 전자계 견제(stray field containment)와 같은 엘리먼트(160)의 자기적 성능에 영향을 줄 수 있다. 자기 스택(162) 및 측부 쉴드 라미네이션들(164)의 자기적 프리층들(166 및 172)을 실질적으로 정렬시킴으로써, 자기적 폭을 증가시켜 크로스-트랙 분해능을 불리하게 감소시킬 수 있는 커플링 영향들이 제어될 수 있다. 실질적으로 일치하는 두께들(182 및 184)을 갖는 자기적 프리층들(166 및 172)의 조정의 추가는 크로스-트랙 분해능을 증가시키면서 자기적 커플링 효과들을 감소시키기 위한 층들의 측부 정렬과 조합할 수 있다.
공통의 두께들(180 및 182)이 자기 스택(162) 및 측부 쉴드 라미네이션(164)의 자기적 프리층들(166) 모두에 의해 공유되지만, 다른 다양한 실시예들은 자기 스택(162)의 자기적 프리층들(166)에 대해 상이한 두께들로 구성되며, 이는, 측부 쉴드 라미네이션들의 프리층들(172)을 일치시키기 위해 조정되는 것임을 유의해야 한다. 즉, 측부 쉴드 라미네이션(164) 및 자기 스택(162)의 측면으로 정렬된 하부 층(186)은 측면으로 정렬된 상부층(188)의 제 2 두께와는 상이한 제 1 두께를 가질 수 있다.
자기 스택(162) 및 측부 쉴드 라미네이션(164) 층들의 조정된 구성이 엘리먼트(160) 동작의 더 큰 제어를 제공할 수 있지만, 측부 쉴드 바이어스 자화들의 상대적인 방향은 자기적 폭의 축소를 허용하여, 자기 스택(164)과 측부 쉴드 라미네이션들(162) 사이의 커플링 영향들을 감소시킬 수 있다. 자기 스택(164)의 자화들에 반대인 자화 방향들을 통한 측부 쉴드 라미네이션(164)의 바이어스 자화들의 조정은, 자기적 폭을 축소시키고, 특히 응축된 데이터 저장 디바이스 폼 팩터들에서 크로스-트랙 분해능을 증가시키기 위해 자기 프리층들(166 및 172)의 정렬된, 일치하는 두께 구성을 보완할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 측부 쉴드 라미네이션(192) 프리층들(194 및 196)의 바이어스 자화들을 자기 스택(202)의 프리층들(198 및 200)과 위상이 다른 방향들로 설정하도록 구성된 예시의 자기 엘리먼트(190)의 각각의 ABS 및 단면 블록 표현을 디스플레이한다. 측부 라미네이션 프리층들(194 및 196)을 바이어싱하는 특정 방식으로 제한하지 않지만, 다양한 실시예들은 각각의 측부 쉴드 라미네이션(192)의 대향 측면들에 바이어스 피쳐들(204)을 접촉하게 커플링한다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 바이어스 피쳐들(204)은 스택 프리층들(198 및 200)의 디폴트 자화에 불리하게 충격을 주지 않기 위해 자기 스택(202)으로부터 떨어져 위치된다. 추가로, 스택 프리층들(198 및 200) 상에서 바이어스 피쳐들(204)의 자기 영향을 버퍼링하기 위해 바이어스 피쳐들(204)과 자기 스택(202) 사이에 쉴드 캡 및 시드 층들(206 및 208)이 위치될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 바이어스 피쳐들(204)의 두께는 자기 엘리먼트(190)의 쉴드-투-쉴드 거리를 증가시킬 수 있고, 이는 작은 폼 팩터 디바이스들 내의 엘리먼트 확장성(element scalability)을 감소시킬 수 있다. 그러나, 상부 및 하부 쉴드들(210 및 212)의 부분들은 엘리먼트(190)의 쉴드-투-쉴드 간격을 증가시키지 않으면서 바이어스 피쳐들(204)을 수용하기 위해 다양한 비-제한적인 형상들로 제거될 수 있다.
바이어스 피쳐들(204)의 이용은 구조적으로 또는 재료적으로 특정 구성으로 제한되지 않는다. 예를 들어, 바이어스 피쳐들(204)은 높은 블록 온도를 갖는 반강자성 재료와 같은 고체의 높은 보자력 재료, 또는 반강자성 커플링을 제공하는 연성의 자기 재료들의 라미네이션일 수 있다. 또한, 도 4b가 스택 바이어스 피쳐들(216)에 의해 디폴트 자화로 설정된 자기 스택(202)을 나타내는 라인(214)으로부터의 자기 엘리먼트(190)의 단면도를 이용하여 일반적으로 예시하는 것과 같이, 바이어스 피쳐들(204)의 위치 및 기능은 제한되지 않는다. ABS 상에 위치되지 않으면서, 스택 바이어스 피쳐들(216)은 ABS로부터 떨어져 자기적 프리층들(198 및 200)에 직접 커플링될 수 있고, 여전히 스택(202)을 미리결정된 디폴트 자화로 설정하기 위한 충분한 자화를 제공할 수 있다.
도 4a의 바이어스 피쳐들(204)과 매우 유사하게, 스택 바이어스 피쳐들(216)은 자기 엘리먼트(190)의 물리적 크기를 증가시키는 것을 회피하기 위해 상부 및 하부 쉴드들(210 및 212)의 오목화된 부분들에 끼워넣어질(nested) 수 있는 다양한 재료들 및 크기들로 조정될 수 있다. 스택 바이어스 피쳐들(216) 및 자기적 프리층들(198 및 200)의 접촉 위치는 단독으로 또는 후면 바이어스 마그넷(218)과 협력하여 자기 스택(202)을 디폴트 자화로 설정하기 위해 충분한 자기적 강도를 제공할 수 있다. 즉, 후면 바이어스 마그넷(218)은 스택 프리층들(198 및 200)을 데이터 비트들을 판독하는데 도움이 되는 디폴트 자화로 설정하는데 필요한 자화의 일부 또는 전부를 제공할 수 있다.
바이어스 피쳐들(204 및 216)은 도 4a 및 도 4b에 도시된 형상, 배향, 및 재료 구성으로 제한되지 않는다. 몇몇 실시예들에서, 측부 쉴드 라미네이션들(192)에 접촉하는 바이어스 피쳐들(204)은 상이한 블로킹 온도들을 갖는 반강자성 층들로 구성되며, 이는 커플링된 프리층들(194 및 196)의 자기적 방향의 조정을 허용할 수 있다. 다른 실시예들은 자기 스택(202) 및 측부 쉴드 라미네이션들(192) 모두를 위한 자화 방향 조정을 허용하기 위해 상이한 블로킹 온도 층들을 갖는 각각의 바이어스 피쳐(204 및 206)를 구성한다.
도 5a 및 도 5b는 바이어스 자화를 측부 쉴드 라미네이션들(226)에 통과시키기 위해 상부 쉴드(222)를 활용하는 다른 예시적인 자기 엘리먼트(220)의 ABS 및 단면 블록 표현들을 각각 디스플레이한다. 제 1 및 제 2 커플링 층들(228 및 230)은 상부 쉴드(222)로부터 측부 쉴드 라미네이션들(226)의 자기적 프리층들(232)로의 자화의 결합된 전달, 예를 들어, RKKY 상호작용을 통한 전달을 제공할 수 있다. 제 1 및 제 2 커플링 층들(228 및 230)은 각각의 측부 쉴드 프리층들(232)에 대한 자기 스택(234) 프리층들(236)의 디폴트 자화들과 관련하여 미리결정된 자화 크기 및 위상이 다른 방향들을 제공하도록 조정된 유사한 또는 유사하지 않은 재료들로서 구성될 수 있다.
커플링 층들(228 및 230)의 이용은 자속을 전달하기 위해 상부 쉴드(222)의 활용을 통해서 자기 스택(234) 및 측부 쉴드 라미네이션들(226)의 디폴트 자화를 설정하기 위한 더 적은 바이어스 피쳐들(224)을 허용할 수 있다. 단면 라인(238)으로부터 도 5b에 도시된 것과 같이, 바이어스 피쳐들(224)은 자기 스택(234)의 프리층들(236)에 직접적으로 부착된 것으로 도시되지만, 바이어스 피쳐들(224)이 하나의 또는 둘 다의 측부 쉴드 라미네이션들(226)에 부착되면서 후면 바이어스 마그넷(240)이 프리층들(236)의 디폴트 자화를 설정할 수 있기 때문에, 이러한 구성은 제한적이 아니다.
게다가, 도 6a 및 도 6b는 측부 쉴드 라미네이션들(256) 내의 바이어스 자화들 및 자기 스택(258) 내의 디폴트 자화들을 지시하기 위해 바이어스 피쳐들(252) 및 커플링 층들(254)의 이용을 조합하는 예시적인 자기 엘리먼트(250) 실시예들을 예시한다. 도시된 바와 같이, 바이어스 피쳐들은 하부 쉴드(262)에 가까운 자기 스택(258) 프리층들(260) 중 하나와 접촉하는 그리고 각각의 측부 쉴드 라미네이션(256)과 접촉하여 ABS상에 위치된다. 각각의 측부 쉴드 라미네이션(256) 및 자기 스택(258) 상에 단일 바이어스 피쳐(252)의 구성은 프로세스 및 설계 변동성에 대한 민감도를 감소시키면서 자기 엘리먼트(250)의 구성을 간략화할 수 있다.
자속을 측면으로 전달하는 상부 쉴드(266)의 성능과 함께 측부 쉴드 라미네이션들(256)의 프리층들(264) 사이에서 커플링 층(254)의 구성은 단일의 바이어스 피쳐(252)가 바이어스 자화들을 설정하는데 충분하게 되도록 허용할 수 있다. 도 6b는 라인(268)을 따른 자기 엘리먼트(250)를 나타내고, 자기 스택(258)에 부착된 바이어스 피쳐(252)가 ABS로부터 떨어져 위치되고 자기 스택(258)의 자기적 프리층들(272)을 디폴트 자화로 설정하기 위해 후면 바이어스 마그넷(270)에 의해 보충될 수 있는 방법을 예시한다.
자기 엘리먼트(250)는, 감소된 폼팩터, 강화된 데이터 비트 성능의 데이터 저장 디바이스들에 맞춤된, 다양한 성능 기준들, 예를 들어 증가된 데이터 트랙 용량 및 감소된 자기적 폭을 수용할 수 있는 바이어스 피쳐들(252) 및 커플링 층들(254)의 재료 및 구성 선택을 통해서 조정된 동작을 제공할 수 있다. 그러나, 커플링 층(254)과 바이어스 피쳐들(252)의 조합은, 바이어스 피쳐들(252)이 어느정도 풍부할 수 있고 하부 쉴드(262)를 통해서 바이어스 자화를 흐르게 하도록 위치될 수 있기 때문에, 도 6a 및 도 6b에 도시된 구성으로 제한되지 않는다.
도 7은 자기 스택 자화들에 반대인 바이어스 자화들을 측부 쉴드 라미네이션들에 제공하기 위해 다양한 실시예들에 따라서 수행된 예시적인 자기 엘리먼트 제조 루틴(280)을 제공한다. 루틴(280)은 단계(282)에서 기판상에서 하부 쉴드를 초기에 증착한다. 하부 쉴드는 연성의 자기 재료들, 예를 들어, NiFe와 같은 자기 스택으로부터 멀리 자속을 흡수할 수 있는 임의의 재료로 구성될 수 있다.
그후, 단계(284)는 자기 스택의 디폴트 자화에 반대인 바이어스 자화들을 제공하기 위해 측부 쉴드 라미네이션을 설계한다. 도 3a 내지 도 6b에 일반적으로 예시된 바와 같이, 측부 쉴드 라미네이션은 바이어스 자화뿐만 아니라, 아마도 자기 스택의 디폴트 자화를 설정하는 하나 또는 그 초과의 바이어스 피쳐들 및 커플링 층들을 가질 수 있다. 몇몇 바이어스 피쳐들 및 커플링 층들이 단계(284)로부터의 설계에 의존하여 단계(286) 이전에 형성될 수 있지만, 자기적 반응성 스택은 단계(286)에서 하부 쉴드 맨 위에 형성된다.
자기 스택은 데이터를 판독 또는 기록하도록 적응된 임의의 수의 구성들일 수 있다. 하나의 이러한 스택 실시예는 비-자기 스페이서 층에 의해 분리된 이중 자기적 프리층들 및 어떠한 피닝된 자화들도 갖지 않는 것을 특징으로 하는 도 2에 도시된 삼층 구성이다. 자기 스택의 구성과 상관없이, 단계(288)는 측부 쉴드 라미네이션들의 자기적 프리층들의 조정된 바이어스 자화 크기 및 방향을 허용하도록 적응된 임의의 바이어스 피쳐들 및 커플링 층들로 단계(284)에서 설계된 측부 쉴드 라미네이션들을 증착하도록 진행한다.
자기 스택의 디폴트 자화에 반대인 바이어스 자화를 제공하도록 구성된 바이어스 피쳐들 및 커플링 층들을 통해서, 단계(290)는 상부 쉴드로 측부 쉴드 라미네이션들 및 자기 스택을 덮는다(cap). 상부 쉴드는 바이어스 피쳐들로부터 각각의 측부 쉴드 라미네이션들로 자속을 전달하도록 구성될 수 있거나 구성되지 않을 수 있는 임의의 크기를 갖는 임의의 재료로 형성될 수 있다.
루틴(280)을 통해서, 증가된 데이터 비트 밀도 애플리케이션들을 실행할 수 있는 높은 크로스-트랙 분해능의 자기 엘리먼트는 바이어스 피쳐들, 커플링 층들 또는 이들 모두를 갖는 측부 쉴드 라미네이션들에서 바이어스 자화를 설정함으로써 구성될 수 있다. 그러나, 루틴(280)은, 다양한 단계들이 생략되고, 변경되고, 부가될 수 있기 때문에, 제한되지 않는다. 예를 들어, 측부 쉴드 라미네이션들 및 자기 스택은 각각의 컴포넌트들을 물리적으로 고립시키기 위해 이후에 절연 트렌치들을 이용하여 분리되는 단일의 자기 라미네이션으로서 동시에 형성될 수 있다.
바이어스 자화를 이용한 자기 엘리먼트의 측부 쉴드들의 조정은 감소된 폼 팩터 데이터 저장 디바이스들에 문제가 많을 수 있는 커플링 효과들에 저항하면서 표유자계(stray magnetic fields)를 제어할 수 있다는 것을 이해할 수 있다. 다양한 바이어스 피쳐 및 커플링 층 구성에서 바이어스 자화를 제공하기 위한 능력은 프로세스 및 설계 변동성에 대한 내성을 증가시키면서 증가된 크로스-트랙 분해능 및 데이터 트랙 용량을 제공한다. 이와 같이, 본 기술은 더 높은 데이터 액세스 정확도 및 더 빠른 데이터 전달 시간을 갖는 더 큰 용량의 데이터 저장 디바이스들에서 동작할 수 있는 자기 엘리먼트의 제조에 대해 허용한다.
본 개시물의 다양한 실시예들의 수많은 특징들 및 이점들이 다양한 실시예들의 구조 및 기능의 세부사항들과 함께 앞선 설명에서 설명되었지만, 이렇게 상세화된 설명은 오직 예시적인 목적이며, 세부사항들 특히 첨부된 청구항들이 설명되는 용어들의 범용 보편적 의미로 나타낸 전체 범위에 대해 본 개시물의 원리들 내에서 부분들의 구조 및 배열들에 관해서 변경들이 행해질 수 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 특정 엘리먼트들이 본 기술의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고 특정 애플리케이션에 따라 변경될 수 있다.

Claims (20)

  1. 장치로서,
    미리결정된 자화(predetermined magnetization)를 통해서 자기적 프리층(magnetically free layer)을 갖는 자기 스택, 및
    에어 베어링 표면(ABS; air bearing surface) 상에서 상기 자기 스택으로부터 분리되고 상기 미리결정된 자화에 반대인 바이어스 자화로 바이어싱된 측부 쉴드 라미네이션(side shield lamination)을 포함하는,
    장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 자기 스택은 자기적으로 피닝된 기준 구조(magnetically pinned reference structure) 없이 제 1 자기적 프리층 및 제 2 자기적 프리층을 포함하는 삼층 판독 센서(trilayer read sensor)로서 구성되는,
    장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 측부 쉴드 라미네이션의 제 1 서브-층은 상기 ABS 상에서 상기 제 1 자기적 프리층과 측방향으로 정렬되고,
    상기 측부 쉴드 라미네이션의 제 2 서브-층은 상기 ABS 상에서 상기 제 2 자기적 프리층과 측방향으로 정렬되는,
    장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 서브-층은 상기 미리결정된 자화에 반대인 제 1 바이어스 자화를 갖는,
    장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 서브-층은, 상기 미리결정된 자화에 일치하고 상기 제 1 바이어스 자화에 반대인 제 2 바이어스 자화를 갖는,
    장치.
  6. 미리결정된 자화를 통해서 자기적 프리층을 갖는 자기 스택을 포함하는 자기 엘리먼트로서,
    상기 자기 스택은 에어 베어링 표면(ABS) 상에서 제 1 측부 쉴드 라미네이션과 제 2 측부 쉴드 라미네이션 사이에 배치되고 상기 제 1 측부 쉴드 라미네이션 및 상기 제 2 측부 쉴드 라미네이션과는 분리되며, 각각의 측부 쉴드 라미네이션은 상기 미리결정된 자화에 반대인 바이어스 자화로 바이어싱되는,
    자기 엘리먼트.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 자기 스택은 각각의 측부 쉴드 라미네이션의 제 1 바이어스 서브-층 및 제 2 바이어스 서브-층과 측면으로 각각 정렬된 제 1 자기적 프리층 및 제 2 자기적 프리층을 갖고,
    상기 제 1 자기적 프리층 및 상기 제 2 자기적 프리층은 실질적으로 반대 방향들로 배향되는 제 1 미리결정된 자화 및 제 2 미리결정된 자화로 설정되는,
    자기 엘리먼트.
  8. 제 7 항에 있어서,
    제 1 바이어스 피쳐는 상기 제 1 바이어스 서브-층 및 상기 제 2 바이어스 서브-층 내에 반대하는 제 1 바이어스 자화 및 제 2 바이어스 자화를 각각 부여하기 위해 상기 ABS 상의 적어도 하나의 측부 쉴드 라미네이션에 접촉하는,
    자기 엘리먼트.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 바이어스 피쳐는 상이한 블로킹 온도들을 갖는 반강자성 층들의 라미네이션인,
    자기 엘리먼트.
  10. 제 8 항에 있어서,
    제 2 바이어싱 피쳐는 상기 자기 스택으로 상기 미리결정된 자화를 부여하기 위해 상기 자기 스택의 상기 제 1 자기적 프리층에 접촉하는,
    자기 엘리먼트.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 ABS로부터 떨어져 위치된 후면 바이어스 마그넷은 상기 자기 스택으로 상기 미리결정된 자화를 부여하는,
    자기 엘리먼트.
  12. 제 8 항에 있어서,
    제 3 바이어스 피쳐는, 상기 제 1 바이어스 피쳐에 대향하여, 상기 ABS 상의 적어도 하나의 측부 쉴드 라미네이션에 접촉하는,
    자기 엘리먼트.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 바이어스 피쳐는 상부 쉴드의 감소된 두께 부분에 위치되는,
    자기 엘리먼트.
  14. 트랜스듀싱 헤드로서,
    독립적인 미리결정된 자화들을 통해서 구성된 제 1 자기적 프리층 및 제 2 자기적 프리층을 갖는 삼층 자기 스택; 및
    에어 베어링 표면(ABS) 상에서 상기 자기 스택으로부터 분리되고, 상기 독립적인 미리결정된 자화들에 각각 반대하는 바이어싱된 자화들로 각각 바이어싱된 제 1 자기 서브-층 및 제 2 자기 서브-층으로 구성된 측부 쉴드 라미네이션을 포함하는,
    트랜스듀싱 헤드.
  15. 제 14 항에 있어서,
    제 1 커플링 층은 상기 제 1 자기 서브-층 및 상기 제 2 자기 서브-층을 분리하고,
    제 2 커플링 층은 상기 측부 쉴드 라미네이션과 상부 쉴드를 연결하는,
    트랜스듀싱 헤드.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 커플링 층 및 상기 제 2 커플링 층은 RKKY 커플링을 제공하도록 구성되는,
    트랜스듀싱 헤드.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 상부 쉴드는, 상기 제 1 자기적 프리층에 부착된 바이어스 피쳐로부터 상기 제 1 자기 서브-층 및 상기 제 2 자기 서브-층으로 바이어스 자화를 전달하는,
    트랜스듀싱 헤드.
  18. 제 14 항에 있어서,
    제 1 커플링 층은 상기 제 1 자기 서브-층 및 상기 제 2 자기 서브-층을 분리하고,
    제 1 바이어스 피쳐는 상기 측부 쉴드 라미네이션과 상부 쉴드 사이에 배치되는,
    트랜스듀싱 헤드.
  19. 제 18 항에 있어서,
    제 2 바이어스 피쳐는, 상기 상부 쉴드에 대향하여, 하부 쉴드의 축소된 두께 부분 내에서 상기 제 2 자기적 프리층에 접촉하는,
    트랜스듀싱 헤드.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 커플링 층은 음의(negative) RKKY 커플링을 제공하는,
    트랜스듀싱 헤드.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8711524B2 (en) * 2008-02-05 2014-04-29 Headway Technologies, Inc. Patterned MR device with controlled shape anisotropy
US8995096B2 (en) * 2013-03-16 2015-03-31 Seagate Technology Llc Magnetic element side shield with diffusion barrier
JP5697708B2 (ja) 2013-04-01 2015-04-08 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置及び磁気抵抗効果素子の製造方法
US20150147481A1 (en) * 2013-11-20 2015-05-28 HGST Nertherlands B..V. Method for making a scissoring-type current-perpendicular-to-the-plane (cpp) magnetoresistive sensor with exchange-coupled soft side shields
US9076468B1 (en) * 2014-03-12 2015-07-07 HGST Netherlands B.V. Scissor magnetic read sensor with shape enhanced soft magnetic side shield for improved stability
US20160055868A1 (en) * 2014-08-21 2016-02-25 HGST Netherlands B.V. Multiple-input-multiple-output sensor designs for magnetic applications
US9230576B1 (en) * 2014-09-08 2016-01-05 HGST Netherlands B.V. Scissor reader with side shield decoupled from bias material
US9007725B1 (en) 2014-10-07 2015-04-14 Western Digital (Fremont), Llc Sensor with positive coupling between dual ferromagnetic free layer laminates
US9449621B1 (en) * 2015-03-26 2016-09-20 Western Digital (Fremont), Llc Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure having a high aspect ratio
US9472216B1 (en) * 2015-09-23 2016-10-18 Western Digital (Fremont), Llc Differential dual free layer magnetic reader
US9886974B2 (en) 2015-10-30 2018-02-06 Seagate Technology Llc Read head free layer having front and rear portions biased at different levels
JP6959752B2 (ja) * 2017-04-03 2021-11-05 株式会社トプコン 眼科情報処理装置
CN114664330A (zh) * 2020-12-23 2022-06-24 西部数据技术公司 具有与屏蔽件解耦的磁性籽层的双自由层读取器头

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4740855A (en) 1985-10-18 1988-04-26 Siemens Aktiengesellschaft Magnetic thin-film head having a main and an auxiliary pole for vertical magnetization
US4935832A (en) 1987-04-01 1990-06-19 Digital Equipment Corporation Recording heads with side shields
US5576914A (en) 1994-11-14 1996-11-19 Read-Rite Corporation Compact read/write head having biased GMR element
US5515221A (en) 1994-12-30 1996-05-07 International Business Machines Corporation Magnetically stable shields for MR head
US5818685A (en) 1997-05-05 1998-10-06 Read-Rite Corporation CIP GMR sensor coupled to biasing magnet with spacer therebetween
KR20020021087A (ko) 1999-04-14 2002-03-18 추후 자체-정합 자기소거-필드 밸런스 부재를 사용한 고감도스핀 밸브 헤드
US6700760B1 (en) 2000-04-27 2004-03-02 Seagate Technology Llc Tunneling magnetoresistive head in current perpendicular to plane mode
JP3618654B2 (ja) 2000-09-11 2005-02-09 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
JP4074192B2 (ja) 2000-09-19 2008-04-09 シーゲイト テクノロジー エルエルシー 自己無撞着減磁場を有する巨大磁気抵抗センサ
JP3657875B2 (ja) * 2000-11-27 2005-06-08 Ｔｄｋ株式会社 トンネル磁気抵抗効果素子
US6893734B2 (en) * 2000-12-22 2005-05-17 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic sensing element with improved sensitivity and method for making the same
JP3657916B2 (ja) 2001-02-01 2005-06-08 株式会社東芝 磁気抵抗効果ヘッドおよび垂直磁気記録再生装置
US6847509B2 (en) 2001-02-01 2005-01-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive head and perpendicular magnetic recording-reproducing apparatus
US6667862B2 (en) 2001-02-20 2003-12-23 Carnegie Mellon University Magnetoresistive read head having permanent magnet on top of magnetoresistive element
US6597546B2 (en) 2001-04-19 2003-07-22 International Business Machines Corporation Tunnel junction sensor with an antiferromagnetic (AFM) coupled flux guide
JP2003303406A (ja) * 2002-04-08 2003-10-24 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気ヘッド
US7035062B1 (en) 2001-11-29 2006-04-25 Seagate Technology Llc Structure to achieve sensitivity and linear density in tunneling GMR heads using orthogonal magnetic alignments
JP3918580B2 (ja) * 2002-02-26 2007-05-23 ヤマハ株式会社 マルチメディア情報符号化装置、マルチメディア情報再生装置、マルチメディア情報符号化処理プログラム及びマルチメディア情報再生処理プログラム
JP4270797B2 (ja) * 2002-03-12 2009-06-03 Ｔｄｋ株式会社 磁気検出素子
JP2004103120A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Hitachi Ltd 差動バイアス型磁区制御構造を有する記録再生分離型磁気ヘッド
JP4051271B2 (ja) * 2002-11-26 2008-02-20 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気記録ヘッド及び磁気記録再生装置
JP3895281B2 (ja) 2003-02-18 2007-03-22 Ｔｄｋ株式会社 パターン形成方法、これを用いた磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッドの製造方法、並びに、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置
JP2004259330A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Hitachi Ltd 磁気ヘッド
US7719802B2 (en) 2003-09-23 2010-05-18 Seagate Technology Llc Magnetic sensor with electrically defined active area dimensions
US7093347B2 (en) 2003-12-05 2006-08-22 Seagate Technology Llc Method of making a current-perpendicular to the plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor
US7236333B2 (en) 2003-12-11 2007-06-26 Seagate Technology Llc Domain wall free shields of MR sensors
JP2005203063A (ja) 2004-01-19 2005-07-28 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
US7414816B2 (en) 2004-05-28 2008-08-19 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Planar magnetic thin film head
US7446986B2 (en) * 2004-08-31 2008-11-04 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic tunnel junction with in stack biasing layer providing orthogonal exchange coupling
JP4377777B2 (ja) 2004-08-31 2009-12-02 株式会社東芝 磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアッセンブリ、および磁気再生装置
US7446979B2 (en) 2004-09-30 2008-11-04 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Laminated draped shield for CPP read sensors
US7295401B2 (en) 2004-10-27 2007-11-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Laminated side shield for perpendicular write head for improved performance
US7333304B2 (en) 2004-11-04 2008-02-19 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. CPP sensor having hard bias stabilization placed at back edge of the stripe
US7369374B2 (en) 2005-04-18 2008-05-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Current in plane magnetoresistive sensor having a contiguous hard bias layer located at back edge of stripe height
US7467459B2 (en) 2005-04-18 2008-12-23 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for manufacturing a current in plane magnetoresistive sensor having a contiguous hard bias layer located at back edge of stripe height
JP2007005417A (ja) 2005-06-22 2007-01-11 Alps Electric Co Ltd 磁気検出素子及びその製造方法
US7606007B2 (en) 2006-02-17 2009-10-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Shield stabilization for magnetoresistive sensors
US7979978B2 (en) 2007-03-27 2011-07-19 Headway Technologies, Inc. Method for manufacturing a self-aligned full side shield PMR
JP2008276816A (ja) 2007-04-25 2008-11-13 Tdk Corp 垂直磁気記録ヘッド
US7916429B2 (en) 2007-07-30 2011-03-29 Tdk Corporation Magnetic field detecting element having thin stack with a plurality of free layers and thick bias magnetic layer
US7869165B2 (en) * 2007-07-30 2011-01-11 Tdk Corporation Magnetic field detecting element having stack with a plurality of free layers and side shield layers
US8149546B2 (en) 2007-10-26 2012-04-03 Tdk Corporation Magnetic field detecting element including tri-layer stack with stepped portion
US7974048B2 (en) * 2007-11-28 2011-07-05 Tdk Corporation Magneto-resistive effect device of CPP type having shield layers coupled with ferromagnetic layers
US8795763B2 (en) 2007-12-26 2014-08-05 Headway Technologies, Inc. Perpendicular magnetic medium with shields between tracks
US20090168241A1 (en) 2007-12-26 2009-07-02 Masafumi Mochizuki Magnetic disk drive
US7876534B2 (en) 2008-01-15 2011-01-25 Tdk Corporation Magneto-resistive effect device of the CPP type, and magnetic disk system
JP2009259354A (ja) 2008-04-18 2009-11-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気ヘッド及びその製造方法
US8514524B2 (en) 2008-05-09 2013-08-20 Headway Technologies, Inc. Stabilized shields for magnetic recording heads
US20090302403A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Nguyen Paul P Spin torque transfer magnetic memory cell
US8098463B2 (en) 2008-07-30 2012-01-17 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Current perpendicular to plane magnetoresistance read head design using a current confinement structure proximal to an air bearing surface
US8189303B2 (en) 2008-08-12 2012-05-29 Tdk Corporation Thin film magnetic head having a pair of magnetic layers whose magnetization is controlled by shield layers
US8125746B2 (en) * 2009-07-13 2012-02-28 Seagate Technology Llc Magnetic sensor with perpendicular anisotrophy free layer and side shields
US8369048B2 (en) * 2009-08-31 2013-02-05 Tdk Corporation CPP-type thin film magnetic head provided with side shields including a pair of antimagnetically exchanged-coupled side shield magnetic layers
US8179642B2 (en) 2009-09-22 2012-05-15 Tdk Corporation Magnetoresistive effect element in CPP structure and magnetic disk device
US8089734B2 (en) 2010-05-17 2012-01-03 Tdk Corporation Magnetoresistive element having a pair of side shields
US8144437B2 (en) 2010-06-28 2012-03-27 Tdk Corporation Magnetoresistive element and thin film magnetic head
US8437106B2 (en) * 2010-10-08 2013-05-07 Tdk Corporation Thin film magnetic head including spin-valve film with free layer magnetically connected with shield
US8553369B2 (en) 2010-11-30 2013-10-08 Seagate Technology Llc Magnetic element with improved stability and including at least one antiferromagnetic tab
US8922950B2 (en) * 2011-05-06 2014-12-30 Seagate Technology Llc Multi-layer magnetoresistive shield with transition metal layer

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