KR20140000278A - 웨이퍼를 금속화하는 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전해액에서, 웨이퍼들(11), 특히 마이크로칩 웨이퍼들을 금속화하는 장치(1)에 관한 것으로, 상기 장치는 복수의 홀더 장치(3)로 이루어지고, 이러한 홀더 장치(3) 각각은 다른 홀더 장치(3)들에서의 전해액 수용 챔버(27)들로부터 분리되는 전해액용 챔버(27)를 가지고, 음극으로서 작용하는 링(15)과 각 웨이퍼(11)와 연관되는 양극으로서의 양극 시스템(29)을 가진다.
Description
본 발명은 청구항 1의 도입부의 특징들을 가지는 웨이퍼들을 금속화하기 위한 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 웨이퍼들을 금속화하기 위한 방법들에 관한 것이다.
종래 기술에서, 웨이퍼들, 특히 마이크로칩 웨이퍼들(예를 들면, 구리를 지닌)의 전해 금속화가 공지되어 있다. 이 알려진 금속화는 개별 웨이퍼 모드에서 행해지는데, 이는 각각의 방법과 공정 챔버에 관해, 단일 웨이퍼가 처리, 즉 금속화된다는 것을 의미한다. 금속화될 웨이퍼(예를 들면, 마이크로칩 웨이퍼)는 보통 그것의 앞측이 바닥에서 전해액 내에 담그어진다. 처리(금속화) 동안, 전해액은 층류 방식으로 그리고 수면에 평행하게 계속해서 흐르도록 설정된다. 이러한 흐름 상태를 확립하고 유지하기 위해, 주의력이 증가되는 것이 요구되고 복잡한 장치들이 필수적이다.
알려진 이러한 절차의 한 가지 단점은, 긴 처리 시간(수분에서 수시간에 이르는) 때문에, 금속화에 비용이 매우 많이 든다는 것으로, 이는 각 공정과 공정 챔버에서 각각 하나의 웨이퍼만이 실행될 수 있기 때문이다. 금속으로 채워져야 할 마이크로칩 웨이퍼의 표면상의 구조가 클수록, 처리 시간이 길어진다.
마이크로칩들이 수직으로 점점 더 통합(서로 접촉이 이루어져야 하는 겹쳐지는 복수의 마이크로칩)될 것이라 기대된다는 사실을 고려하여, 완성된 마이크로칩에서, 수직 전도체 트랙들로서 사용되는 넓고 깊은 채널들(스루(through) 실리콘 비아(via)들로서 알려져 있는)을 구리와 같은 전기 전도성 금속으로 채우는 것이 필요하다. 이들 채널은 일부 수㎛의 폭들과 100㎛ 이상까지 되는 깊이들을 가질 수 있다.
본 발명의 목적은 웨이퍼들, 특히 마이크로칩 웨이퍼들이 일괄 동작(batch operation)으로 금속화하는 것이 성공적으로 가능한, 서두에서 언급된 일반적인 유형의 장치를 제공하는 것이다.
이러한 목적은 청구항 1의 특징들을 가지는 장치에 의해 달성된다.
본 발명에 따른 장치들의 바람직하고 유리한 개선예들은 종속항들의 주제가 된다.
본 발명에 따른 장치의 한 가지 장점은, 금속화될 웨이퍼, 특히 마이크로칩 웨이퍼마다 요구된 작은 공간이다. 예를 들면, 각 웨이퍼에 관해 오직 적은 양의 전해액이 필요한데, 이는 특히 본 발명에 따른 장치로 각 웨이퍼에 관해 밀봉된 전해액 부피가 존재할 경우이다.
복수의 웨이퍼(마이크로칩 웨이퍼)의 동시 금속화를 위해, 적어도 하나 하지만 바람직하게는 복수의 보유 설비들을 가지는 본 발명에 따른 장치는, 웨이퍼 앞측이 "개방된 묶음(open batch)", 즉 개방된 전해액 챔버로서 상방을 가리킨 채로 전해조 내에 담그어질 수 있고, 그 후 적어도 부분적으로 함께 이동되거나(공간을 절약하기 위해), 보유 설비들이 전체적으로 폐쇄된다("폐쇄된 묶음(closed batch)").
본 발명에 따른 장치의 경우, 시작부터 개별 웨이퍼들에 관한 보유 설비들을 폐쇄하고 보유 설비들에서 전해액에 관해 제공된 각각의 챔버를 공급 라인(feed line)들과 배출 라인들을 통해 전해액으로 채우는 것이 또한 가능하다.
본 발명에 따른 장치가 "폐쇄된 묶음"으로서 사용된다면, 각 웨이퍼에 관해 전해액 용으로 이용 가능한 챔버는 웨이퍼, 프레임, 및 상부 폐쇄 플레이트에 의해 규정되고, 이러한 상부 폐쇄 플레이트는 아마도 또 다른 보유 설비의 베이스 플레이트이다.
본 발명의 상황 내에서는, 본 발명에 따른 장치가 편심기의 도움으로 진동하도록 설정된다는 준비가 이루어질 수 있어, 그 결과는 전해액의 진동체이다. 그 진동수는 고정되게 또는 선택적으로 변하게 또는 임의로 변하게 설정될 수 있다.
본 발명에 따른 장치가 웨이퍼 앞측이 위를 가리키도록 한 채로 전해조에 담그어진다면, 전해액이 보유 설비들 사이에서 전해조로부터 흘러나와 기체가 빠져나갈 수 있도록 하기 위해, 개별 보유 설비들이 아직 함께 밀어지지 않는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 장치가 전해액에 위치하자마자, 웨이퍼들에 관한 보유 설비는, "폐쇄된 묶음"이 사용된다면, 부분적으로 또는 전체적으로 함께 밀어질 수 있다.
만약, 본 발명에 따른 장치의 경우, "폐쇄된 묶음"으로 작업이 행해진다면, 그 결과는 전해액의 폐쇄된 몸체로 인해, 금속화 처리 동안 금속 이온들의 풍부해지는 것이다. 이는 적절한 처리 제어에 의해 보상될 수 있다.
본 발명에 따른 장치는 일괄 동작으로 큰 마이크로칩 구조물의 전해 금속화를, 최소한의 필요 공간을 가지고 가능하게 하는 처리 관리를 허용한다. 이러한 식으로, 비용이 절감될 수 있다.
본 발명의 더 상세한 내용과 특징들은, 후속하는 바람직한 실시예의 설명으로부터 얻어질 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 장치의 보유 설비의 분해도.
도 2는 보유 설비의 일부 단면도.
도 3은 보유 설비(상부 폐쇄 플레이트가 없는)의 사시도.
도 4는 아래에서 본 양극 네트워크를 지닌 베이스 플레이트를 도시하는 도면.
도 5는 클램핑 요소의 사시도.
도 6은 "개방된(opened)" 복수의 보유 설비를 가지는 본 발명에 따른 장치를 도시하는 도면.
도 7은 폐쇄된 보유 설비를 지닌 도 6에서의 장치를 도시하는 도면.
도 1은 본 발명에 따른 장치의 보유 설비의 분해도.
도 2는 보유 설비의 일부 단면도.
도 3은 보유 설비(상부 폐쇄 플레이트가 없는)의 사시도.
도 4는 아래에서 본 양극 네트워크를 지닌 베이스 플레이트를 도시하는 도면.
도 5는 클램핑 요소의 사시도.
도 6은 "개방된(opened)" 복수의 보유 설비를 가지는 본 발명에 따른 장치를 도시하는 도면.
도 7은 폐쇄된 보유 설비를 지닌 도 6에서의 장치를 도시하는 도면.
본 발명에 따른 장치(1)는 도면들에 도시된 실시예에서는 4개인, 하나 이상의 보유 설비(3)를 가진다.
보유 설비(3) 각각은, 도 1 및 도 2에 특히 도시된 것처럼, 다음과 같은 부품들을 가진다:
웨이퍼(11), 특히 마이크로칩 웨이퍼가 다루어지고, 상부측(7)에 원형 함몰부(오목부)(9)가 제공되는, 전기 절연 재료로 만들어진 베이스 플레이트(5)가 삽입될 수 있고, 그것의 앞측(13), 즉 전해액에서 전해 금속화에 의해 구리와 같은 금속으로 채워지는 채널들이 위치하는 측은, 위를 가리킨다.
웨이퍼(11)에 음극의 극성을 부여하기 위해, 태그(tag)(17)를 통해 전압원에 연결될 수 있는 음극의 역할을 하는 전기 전도성 재료의 링(ring)(15)이 웨이퍼(11)의 가장자리 구역에 놓인다. 음극의 역할을 하는 링(15) 내에서는, 음극으로서 극성을 부여한 결과 전압원의 부의(negative) 단자에 웨이퍼(11)를 연결하기 위해, 고리 모양의 밀봉부(seal)(19), 특히 오-링(O-ring)이 삽입된다.
베이스 플레이트(5), 웨이퍼(11), 링(15)(음극), 및 밀봉 링(19)을 포함하는 전술한 설비 위에는, 옆으로 전해를 위한 챔버(27)의 범위를 정하는 오목부(23)가 제공되는, 전기 절연성 재료로 만들어진 프레임(21)이 배치된다. 프레임(21)은, 예를 들면 20㎜ 이하의 높이를 가진다.
오목부(23)를 지닌 절연성 재료로 된 프레임(21) 상에는, 오-링과 같은 고리 모양의 밀봉부(25)가 오목부(23) 둘레에 배치된다. 밀봉부(25)는 또한 프레임(21)에서 고리 모양의 홈에 수용될 수 있다(도 2 참조).
보유 설비(3)를 완성하기 위해, 아마도 추가 보유 설비(3)의 베이스 플레이트(5)인 상부 폐쇄 플레이트가 프레임(21) 상의 밀봉부(25)에 배치된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(11)의 전해 금속화를 위해 전해액으로 채워지는 챔버(27)는, 프레임(21), 웨이퍼(11), 및 상부 폐쇄 플레이트에 의해 규정되고, 이러한 상부 폐쇄 플레이트는 특히 또 다른 보유 설비(3)의 베이스 플레이트들일 수 있다.
보유 설비(3)(미도시)에는, 각각 필요로 하는 온도에서 보유 설비(3)를 유지하기 위해, 가열/냉각 설비가 할당될 수 있다(온도를 제어하기 위해).
도시된 실시예에서는(도 2 참조), 폐쇄 플레이트(베이스 플레이트(5))의 하면(underside)에 붙어 있는 양극 네트워크(29)를 전압원의 정의(positive) 단자에 연결할 수 있도록 하기 위해, 태그(31)를 구비하는 양극 네트워크(29)(도 4 참조)를 하면에 부착시켜 운반하도록 추가 보유 설비(3)의 베이스 플레이트(5)가 될 수 있는 상부 폐쇄 플레이트가 제공된다.
웨이퍼(11)의 외부 가장자리로부터 웨이퍼(11)의 중간까지의 전압 강하를 보상하기 위해, 양극 네트워크(29)를 가지는 베이스 플레이트(5)의 하면은 볼록할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 양극 네트워크(29)를 형성하는 도체들의 밀도는 양극 네트워크(29)의 중심 쪽으로 증가한다. 따라서 양극 네트워크(29)는 가운데 쪽으로 더 빽빽하게 짜여진다.
도시된 실시예에서는, 본 발명에 따른 장치(1)에서 서로 적층된 복수의 보유 설비(3)가 주어진다는 점이 고려된다. 그러므로, 도면들(도 6과 도 7)에서 도시된 실시예에서의 경우와 같이, 보유 설비(3)의 상부 폐쇄 플레이트가 그 다음 상부 보유 설비(3)의 베이스 플레이트(5)(양극 네트워크(29)를 지닌)에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
모두 절연성 재료로 구성되는 베이스 플레이트(5)("양극 플레이트")와 프레임(21)("음극 프레임")을 액밀 상태로(in a liquid-tight manner) 서로 연결하도록, 베이스 플레이트(5)와 프레임(21)을 서로 맞대어 누르기 위해, 양측 쪽으로 쐐기 모양으로 테이퍼(taper)지고, 클램핑 요소(35)들이 할당되는, 외부로 돌출하는 돌출부(33)(혀 모양의 물건)들이 제공된다. 클램핑 요소(35)들은 베이스 플레이트(5)와 프레임(21)을 향하는 그것들의 측에 2개의 브랜치(branch)(39) 내로 Y자 모양으로 분기하는 홈(37)을 가진다(도 5 참조).
개방된 위치에서, 베이스 플레이트(5)와 프레임(21)의 혀 모양의 물건(33)들이 홈(37)의 브랜치(39)들에 제공되어, 베이스 플레이트(5)가 프레임(21)으로부터 이격된다. 베이스 플레이트(5)와 프레임(21)의 평면에 평행한 평면에 클램핑 요소(35)들을 옮겨 놓음으로써, 본 발명에 따른 보유 설비(3)의 전술한 구성 부품들(베이스 플레이트(5)와 프레임(21))이 서로 맞대어 눌러질 수 있다. 보유 설비(3)의 베이스 플레이트(5)와 프레임(21)의 이러한 사용 위치는 도 2 및 도 3에 도시되어 있다. 개별 보유 설비(3)들을 함께 이동시키기 위해, 클램핑 요소(35)들을 지닌 장치들이 가이드 로드(guide rod)(41)를 따라 옮겨지는데, 즉 서로 더 가깝게 다가서고, 이는 도면에 도시되어 있지는 않다.
도 5는 2개의 브랜치(39)로 Y자 모양으로 나누어지는 홈(37)과, 확대된 스케일로 표시한 클램핑 요소(35)를 보여준다.
도 6에서는, 개방된 상태로("개방된 묶음"), 하지만 가장 위쪽의 보유 설비(3) 상에서 임의의 "상부" 폐쇄 플레이트가 없는, 복수의 보유 설비(3)를 가지는 본 발명에 따른 장치(1)가 도시되어 있다. 클램핑 요소(35)들은 그것들이 보유 설비(3)의 평면에 직각으로 배향된 가이드 로드(41)들 상에 옮겨질 수 있도록 안내되고, 이 경우 클램핑 요소(35)들을 통해 각각의 보유 설비(3)를 개방하거나 폐쇄하기 위해, 가이드 로드(41)들은 그것들의 세로 범위에 관해서는 횡으로, 즉 도시되지 않은 활성화(actuating) 수단에 의해, 보유 설비(3)의 평면에 평행한 방향으로 옮겨질 수 있다.
베이스 플레이트(5)와 프레임(21) 사이의 각각의 보유 설비(3)에서는, 다루어질(금속화될) 웨이퍼(11)(마이크로칩 웨이퍼)가 예를 들면 웨이퍼(11)들에 관해 흔히 있는 취급 장치(그리퍼(gripper))의 도움으로, 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼의 앞측이 위로 향하게 하부 베이스 플레이트(5)(양극 플레이트)에서 홀더(9)에 놓이게 되도록 삽입된다. 원칙적으로는, 장치(1)가 도 6에 따른 위치("개방된 묶음")를 취한다면 금속화를 행하는 것이 가능하고, 이 경우 개별 보유 설비(3)에 제공된 모든 웨이퍼(11)의 취급을 위한 공통의 전해액에 제공된다.
도 6과 도 7은 또한 도 6에 도시된 서로 이격된 위치(개방된 묶음)으로부터 도 7에 도시된 서로 중첩되는 위치(폐쇄된 묶음)로 보유 설비(3)가 옮겨질 수 있도록 하기 위해, 연속적인(인접한) 보유 설비(3)의 혀 모양의 물건(33)과 클램핑 요소(35)가 이러한 움직임을 클램핑 요소(35)들이 방해하거나 막지 않으면서, 서로에 관해 어긋나게 배치되는 것을 보여준다.
본 발명의 상황 내에서는, 도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 각각의 보유 설비(3)가 그 다음 상부 보유 설비(3)(밀봉 링(25)에 의해 봉해진)의 베이스 플레이트(5)와 접촉하게 되도록, 본 발명에 따른 장치(1)의 보유 설비(3)가 가이드 로드(41)들을 따라 클램핑 요소(35)들을 옮김으로써, 서로 더 가까워지는 것이 유리하게 제공된다. 그러므로, 각각의 상부 보유 설비(3)의 베이스 플레이트(5)는 그 다음 하부 보유 설비(3)의 폐쇄 플레이트("폐쇄된 묶음")를 동시에 형성한다. 이 경우, 미리 결정된 부피를 가진 전해액이 전해에 의해 마이크로칩 웨이퍼(11)의 금속화를 위해 이용 가능하도록, 각각의 보유 설비(3)에서, 전해액으로 채워지는 도 2에 도시된 챔버(27)가 폐쇄된다. 전해액을 수용하도록 제공되는, 보유 설비(3)의 챔버(27)들은 공급 라인들과 배출 라인들을 통해 서로에 관해 독립적으로 전해액으로 채워지고/비워질 수 있다. 이는 본 명세서의 도입부에서 요약된 장점들을 가져온다. 서로 겹쳐지게 배치된 복수의 보유 설비(3)가 가이드 로드(41)들을 따라 클램핑 요소(35)들을 옮김으로써, 서로에 맞대어 눌러질 수 있는 장치들은 도시되어 있지 않다.
전해를 돕고, 따라서 웨이퍼들의 금속화를 돕기 위해, 특히 서로 맞대어 가깝게 놓인("폐쇄된 묶음") 도 7에 따른 보유 설비(3)로 본 발명에 따른 장치(1)를 사용하는 경우, 전해가 이루어지는 동안 장치(1)는 총괄적으로 진동하도록 설정될 수 있다. 이를 위해, 도시된 실시예(도 6 및 도 7)에서는, 편심기를 지닌 모터(43)가 가이드 로드(41)들 중 적어도 하나에 연결되어, 전해액의 진동체가 생긴다. 진동수는 고정되게 또는 선택적으로 변하게 또는 임의로 변하도록 설정될 수 있다.
도 8에 도시된 실시예에서는, 덮개(covering)와 베이스 부품을 포함하는 개별 모듈(module)이 각 웨이퍼에 관해 제공된다. 도 8에 도시된 실시예에서는, 덮개가 동시에 위에 위치한 웨이퍼 홀더가 되는 것은 아니다. 그러므로, 도 8에 도시된 실시예는 순차적으로 서로 겹치게 배치되는 개별 반응기(reactor) 모듈들을 구성하여, 동작의 일괄 모드가 가능하다.
더 상세하게는, 도 8에 도시된 실시예가 다음과 같이 이루어진다.
베이스 부품(50)에서는 앞측이 위를 향하도록 웨이퍼(11)가 놓인다. 베이스 부품(50)과 프레임 부품(51) 사이에는, 웨이퍼(11)의 가장자리와 전기적으로 접속하는 접점(contact)(52)이 배치된다. 웨이퍼(11)를 향하는(베이스 부품 쪽으로 아래를 가리키는) 프레임 부품(51) 측에는, 특히 오-링의 형태로 된 밀봉체(54)가 고리 모양의 홈(53)에서 수용된다.
또한, 프레임 부품(51)에는 적어도 하나의 도관이 제공되고, 이러한 도관을 통해 웨이퍼(11)가 수용되는 챔버 내로 또는 챔버 밖으로 전해액(56)이 인도될 수 있다.
프레임 부품(51) 상에는 상부 덮개(57)(커버 플레이트)가 놓이고, 격자 모양의 양극(59), 특히 구멍이 뚫린 플레이트 또는 격자의 형태로 된 양극(59)이 커버 플레이트(57)와 프레임 부품(51) 사이에 배치되고 고리 모양의 밀봉체(58)(오-링)에 의해 보유된다.
도 8에 도시된 실시예에서는, 웨이퍼(11) 위의 챔버에, 전해액에서 양극(59)이 잠기도록 많은 전해액이 넣어지는데, 즉 전해액 레벨(61)이 양극(59) 위에 있게 된다. 베이스 부품과 커버링 사이의 공간에서의 전해액 레벨(61) 위에는, 기체 챔버(60)가 제공되고, 이러한 기체 챔버는 공정 조건 하에서 불활성인 또 다른 기체나 질소 또는 아르곤과 같은 불활성 기체로 채워진다.
본 발명에 따른 장치들, 특히 도 8로부터의 장치는 공정 동안 전해액이 펌프로 퍼내지는 것을 허용한다.
원칙적으로는, 반응기를 채우기 전에, 또는 전해액이 공정 동안 심지어 처리하는 동안 퍼내진다면, 반응기 외부의 불활성 기체가 전해액에 공급될 가능성이 존재한다.
도 8과 연관되어 이미 나타낸 바와 같이, 전해액 위의 기체 챔버는 불활성 기체로 채워져서, 불활성 기체가 공정 동안 존재하게 된다.
웨이퍼(11)의 처리가 끝난 후에 인가되는 세척수(rinsing water)에는 그것이 사용되기 전에 불활성 기체가 공급될 수 있다.
본 발명의 방법의 결론 후, 다음과 같은 처리 순서가 또한 적용될 수 있다:
- 흡입에 의해 또는 기체 챔버에서 불활성 기체의 압력을 증가시켜 강제함으로써, 처리 챔버로부터 전해액을 배수하는 것,
- 내부에 불활성 기체가 포함된 웨이퍼와 처리 챔버를 건조시키는 것,
- 건조 후 웨이퍼를 떼어내는 것,
- 처리 챔버 외부의 물로 웨이퍼를 세척하는 것,
- 처리 챔버 외부의 물로 최종 (갱신된) 건조를 행하는 것.
요약하면, 본 발명의 예시적인 실시예는 다음과 같이 설명될 수 있다:
웨이퍼(11), 특히 마이크로칩 웨이퍼를 전해액에서 금속화하기 위한 장치(1)는 복수의 보유 설비(3)를 포함하고, 이 경우 각각의 보유 설비(3)는 다른 보유 설비(3)에서의 전해액용 보유 챔버(27)들로부터 분리되는 전해액용 챔버(27)를 가지고, 각각의 웨이퍼(11)에는 양극으로서 양극 네트워크(29)와 음극으로서의 역할을 하는 링(15)이 할당된다.
Claims (34)
- 전해액에서, 금속, 특히 구리로 마이크로칩 웨이퍼들에서의 채널들을 채우기 위해, 웨이퍼 특히 마이크로칩 웨이퍼(11)들의 전해 금속화를 위한 장치(1)로서,
상기 전해액을 수용하기 위한 챔버(27)를 가지고, 양극(29)을 가지며, 금속화될 웨이퍼(11)에 음극으로서 극성을 부여하기 위한 접점(contact)(15)을 가지고,
금속화될 웨이퍼(11)에 관한 적어도 하나의 보유 설비(3)가 제공되고, 상기 보유 설비(3)는
- 전기 절연성 재료로 만들어지고 상기 웨이퍼(11)용 수용 구역(9)을 지닌 베이스 플레이트(5),
- 전해액용 챔버(27)를 형성하는 오목부(23)를 가지는 절연성 재료로 만들어진 프레임(21),
- 음극으로서 기능을 하는 전기 전도성 재료로 만들어진 링(ring)(15),
- 상기 베이스 플레이트(5)로부터 멀어지게 향하는 상기 프레임(21) 측에 배치되고, 전해액용 상기 챔버(27)를 덮는 폐쇄 플레이트, 및
- 상기 웨이퍼(11)를 향하는 폐쇄 플레이트 측에 배치되는 양극 네트워크(29)를 가지고,
서로 접촉하는 상기 베이스 플레이트(5)와 상기 프레임(21)을 보유하기 위한 설비가 제공되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트(5)와 상기 프레임(21) 사이에는 밀봉체(seal)(19)가 제공되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 밀봉체(19)는 음극으로서 기능하는 상기 링(15) 내에 배치되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 밀봉체(19)는 고리 모양의 밀봉체인 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 밀봉체(19)는 상기 베이스 플레이트(5) 상에 놓이는 상기 웨이퍼(11)와 상기 프레임(21) 사이에서 클램핑되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
금속화될 상기 웨이퍼(11)에 관한 수용 구역은 상기 베이스 플레이트(5)에서의 함몰부(depression)(9)인 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
복수의 보유 설비(3)가 서로 겹치게 제공되고, 상기 베이스 플레이트(5)는 각각 아래에 배치된 상기 보유 설비(3)의 폐쇄 플레이트를 형성하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트(5)와 상기 프레임(21) 상에는, 외부를 가리키는 바람직하게는 쐐기 모양의 돌출부(33)가 제공되고, 상기 돌출부(33) 상에는 베이스 플레이트(5)와 프레임(21)을 서로 맞대어 누르기 위한 설비(35)가 작용하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 설비는 상기 베이스 플레이트(5)와 상기 프레임(21) 상의 돌출부(33)가 맞물리는 홈(37, 39)을 가지는 클램핑 요소(35)들인 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 홈(37)은 2개의 브랜치(branch)(39)로 Y자 모양으로 분할되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 클램핑 요소(35)들은, 상기 클램핑 요소(35)들이 베이스 플레이트(5)와 프레임(21)의 평면에 직각으로 가이드 로드(guide rod)(41)들 상에서 옮겨질 수 있도록 안내되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
베이스 플레이트(5)와 프레임(21)을 서로를 향해 그리고 서로로부터 멀어지게 움직이기 위한 상기 클램핑 요소(35)들은, 상기 프레임(21)과 상기 베이스 플레이트(5)의 평면에 평행하게 옮겨질 수 있는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
베이스 플레이트(5)와 프레임(21)을 포함하는 상기 설비는, 그것들이 서로 일정한 거리를 두고 있는 위치로부터 서로 겹쳐지는 위치까지 옮겨질 수 있는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 설비들 사이에서, 밀봉체(25), 특히 고리 모양의 밀봉체가 제공되고, 상기 밀봉체는 위에 놓이는 설비의 베이스 플레이트(5)와 프레임(21) 사이에 배치되어 폐쇄 플레이트의 역할을 하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보유 설비(3) 또는 상기 보유 설비들(3)은 적어도 하나의 진동 발생기(43)에서 할당되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 15 항에 있어서,
상기 진동 발생기(43)는 고정되거나, 선택적으로 변할 수 있거나 임의로 변할 수 있는 진동수로 진동을 발생시키기 위한 진동 발생기인 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 보유 설비(3)의 온도는 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
복수의 보유 설비(3)에서, 전해액에 관한 폐쇄된 챔버(27)들은 전해액으로 채워지고 서로 독립적으로 비워질 수 있는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 양극 네트워크는 가운데 쪽으로 갈수록 더 빽빽하게 짜여지는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 웨이퍼(11)로부터 멀어지게 향하는 상기 베이스 플레이트(5)의 표면은, 볼록하게 휘어지는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
전해액(56)을 보유하기 위한 챔버에서 상기 전해액(56) 위에 기체 챔버(60)가 제공되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 21 항에 있어서,
상기 기체 챔버(60)는, 특히 질소나 아르곤과 같은 불활성 기체로 채워지는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치가 동작하는 동안, 전해액(56)을 회로 내로 이끌기 위해 도관(conduit)들이 제공되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 23 항에 있어서,
상기 장치가 동작하는 동안, 전해액(56)을 퍼내기 위해 상기 도관들에 적어도 하나의 펌프가 할당되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 제 1 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치에는 상기 장치가 동작하는 동안 전해액(56)에 기체를 공급하기 위한 설비가 할당되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 장치. - 바람직하게는 제 1 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 따른 장치를 사용하여, 전해액에서, 웨이퍼들, 특히 마이크로칩 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 방법으로서,
상기 전해액은 상기 금속화가 행해지기 전에, 불활성 기체가 공급되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 방법. - 제 26 항에 있어서,
상기 전해액은 상기 장치 외부에서 기체가 공급되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 방법. - 제 26 항 또는 제 27 항에 있어서,
상기 전해액은 금속화 동안 퍼내지고 상기 장치 외부에서 기체가 공급되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 방법. - 바람직하게는 제 1 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 따른 장치를 사용하여, 전해액에서, 웨이퍼들, 특히 마이크로칩 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 방법으로서,
상기 금속화가 종결된 후, 상기 웨이퍼를 세척하기 전에 세척수에 기체가 공급되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 방법. - 바람직하게는 제 1 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 따른 장치를 사용하여, 전해액에서, 웨이퍼들, 특히 마이크로칩 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 방법으로서,
상기 전해액은 제거되고, 상기 웨이퍼를 떼어내기 전에, 상기 장치, 특히 상기 전해액과 상기 웨이퍼를 보유하기 위한 상기 장치의 챔버가, 특히 불활성 기체를 사용하여 추가 건조되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 방법. - 제 30 항에 있어서,
상기 장치는, 상기 장치를 세척하지 않고 건조되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 방법. - 제 30 항 또는 제 31 항에 있어서,
상기 웨이퍼는 상기 장치의 외부에서 세척되고 건조되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 방법. - 제 32 항에 있어서,
상기 웨이퍼는 상기 장치의 건조 후 상기 장치로부터 떼어내 지고, 상기 웨이퍼는 세척수로 세척되며, 그 후 상기 웨이퍼는 특히 불활성 기체를 사용하여 건조되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 방법. - 제 32 항 또는 제 33 항에 있어서,
상기 세척수에는 상기 웨이퍼를 세척하기 전에 기체가 공급되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼들의 전해 금속화를 위한 방법.
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