JP3490207B2 - カセットおよび半導体装置の製造装置 - Google Patents
カセットおよび半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JP3490207B2 JP3490207B2 JP04589296A JP4589296A JP3490207B2 JP 3490207 B2 JP3490207 B2 JP 3490207B2 JP 04589296 A JP04589296 A JP 04589296A JP 4589296 A JP4589296 A JP 4589296A JP 3490207 B2 JP3490207 B2 JP 3490207B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plated
- wafer
- cassette
- plating solution
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
の製造過程のめっき工程において用いられるカセットお
よび半導体装置の製造装置に関するものである。
の製造過程のめっき工程において用いられるカセットお
よび半導体装置の製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス上に金等をめっきするに
当たって従来の半導体装置の製造装置についての概略構
成を図４に示す。図４に示す従来のめっき装置は、めっ
き液槽１０、めっき液１１、アノードメッシュ１２、被
めっきウェハ１３からなる構造となっている。アノード
メッシュ１２と被めっきウェハ１３の間に一定電流を流
しカソード部分である被めっきウェハ１３にメッキ液１
１の成分中の金属がめっきされる。
当たって従来の半導体装置の製造装置についての概略構
成を図４に示す。図４に示す従来のめっき装置は、めっ
き液槽１０、めっき液１１、アノードメッシュ１２、被
めっきウェハ１３からなる構造となっている。アノード
メッシュ１２と被めっきウェハ１３の間に一定電流を流
しカソード部分である被めっきウェハ１３にメッキ液１
１の成分中の金属がめっきされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
４に示す従来例では、めっき液１１の攪拌が難しいた
め、被めっきウェハ１３に形成されるめっきの高さばら
つきが大きくなってしまい易いという問題点があった。
また、大量にめっきを行う際、被めっきウェハ１３とア
ノードメッシュ１２を水平に並べる構造になるため、め
っき液槽１０が大きくなってしまいがちであり、装置全
体が大型化するという問題点もあった。
４に示す従来例では、めっき液１１の攪拌が難しいた
め、被めっきウェハ１３に形成されるめっきの高さばら
つきが大きくなってしまい易いという問題点があった。
また、大量にめっきを行う際、被めっきウェハ１３とア
ノードメッシュ１２を水平に並べる構造になるため、め
っき液槽１０が大きくなってしまいがちであり、装置全
体が大型化するという問題点もあった。
【０００４】 したがって、この発明の目的は、上記問
題点に鑑み、めっきの高さばらつきを抑制でき小型化を
図ることができるカセットおよび半導体装置の製造装置
を提供することである。
題点に鑑み、めっきの高さばらつきを抑制でき小型化を
図ることができるカセットおよび半導体装置の製造装置
を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のカセット
は、被めっきウェハを積層方向に直列に支持できるとと
もに、被めっきウェハに電気的に接触するカソード電極
部と、被めっきウェハに対向して配置された電極からな
るアノード電極部と、からなる。このように、被めっき
ウェハを積層方向に直列に支持できるとともに、被めっ
きウェハに電気的に接触するカソード電極部と、被めっ
きウェハに対向して配置された電極からなるアノード電
極部と、からなるので、従来のアノード電極と被めっき
ウェハを水平方向に並べていためっき装置に比べて装置
のコンパクト化が可能となる。
は、被めっきウェハを積層方向に直列に支持できるとと
もに、被めっきウェハに電気的に接触するカソード電極
部と、被めっきウェハに対向して配置された電極からな
るアノード電極部と、からなる。このように、被めっき
ウェハを積層方向に直列に支持できるとともに、被めっ
きウェハに電気的に接触するカソード電極部と、被めっ
きウェハに対向して配置された電極からなるアノード電
極部と、からなるので、従来のアノード電極と被めっき
ウェハを水平方向に並べていためっき装置に比べて装置
のコンパクト化が可能となる。
【０００６】 請求項２記載の半導体装置の製造装置
は、請求項１記載のカセットを浸すめっき液を保持する
手段を備えた。これにより、上記カセットをめっき液に
浸してめっきを行うことができる。
は、請求項１記載のカセットを浸すめっき液を保持する
手段を備えた。これにより、上記カセットをめっき液に
浸してめっきを行うことができる。
【０００７】 請求項３記載の半導体装置の製造装置
は、請求項２において、前記カセットがめっき液中を回
転するための回転軸を備えた。このように、カセットが
めっき液中を回転するための回転軸を備えたので、カセ
ットを浸すめっき液を保持する手段の内部にめっき液を
充満させ被めっきウェハ自体を回転させ、めっきを実施
することにより、めっき液が均等に被めっきウェハ全体
に攪拌され、被めっきウェハに形成されるめっきの高さ
ばらつきを抑制できる。このため、被めっきウェハに均
等にめっきを行うことができる。
は、請求項２において、前記カセットがめっき液中を回
転するための回転軸を備えた。このように、カセットが
めっき液中を回転するための回転軸を備えたので、カセ
ットを浸すめっき液を保持する手段の内部にめっき液を
充満させ被めっきウェハ自体を回転させ、めっきを実施
することにより、めっき液が均等に被めっきウェハ全体
に攪拌され、被めっきウェハに形成されるめっきの高さ
ばらつきを抑制できる。このため、被めっきウェハに均
等にめっきを行うことができる。
【０００８】 請求項４記載の半導体装置は、請求項３
において、回転軸は、周期的に回転が反転する。このよ
うに、回転軸は、周期的に回転が反転するので、めっき
液がより一層攪拌され、被めっきウェハに形成されるめ
っきの高さばらつきをさらに抑制できる。
において、回転軸は、周期的に回転が反転する。このよ
うに、回転軸は、周期的に回転が反転するので、めっき
液がより一層攪拌され、被めっきウェハに形成されるめ
っきの高さばらつきをさらに抑制できる。
【０００９】 請求項５記載の半導体装置の製造装置
は、請求項３または４において、回転軸の軸方向は、被
めっきウェハに直交する。このように、回転軸の軸方向
は、被めっきウェハに直交するので、被めっきウェハ全
体に攪拌しためっき液が行き渡り、被めっきウェハに形
成されるめっきの高さばらつきをさらに抑制できる。請
求項６記載の半導体装置の製造装置は、請求項２から５
のいずれかにおいて、カセットを浸すめっき液を保持す
る手段内部の気圧を減圧する減圧機を備えた。このよう
に、カセットを浸すめっき液を保持する手段内部の気圧
を減圧する減圧機を備えたので、めっき液が被めっきウ
ェハに対してなじみ易くなる。
は、請求項３または４において、回転軸の軸方向は、被
めっきウェハに直交する。このように、回転軸の軸方向
は、被めっきウェハに直交するので、被めっきウェハ全
体に攪拌しためっき液が行き渡り、被めっきウェハに形
成されるめっきの高さばらつきをさらに抑制できる。請
求項６記載の半導体装置の製造装置は、請求項２から５
のいずれかにおいて、カセットを浸すめっき液を保持す
る手段内部の気圧を減圧する減圧機を備えた。このよう
に、カセットを浸すめっき液を保持する手段内部の気圧
を減圧する減圧機を備えたので、めっき液が被めっきウ
ェハに対してなじみ易くなる。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態の半導体装
置の製造方法および製造装置を図１、図２および図３に
基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形態とし
て、半導体装置の製造工程に用いられるめっき装置の概
略構成図である。ＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）で用いられるバンプを形成する方
法としてこのめっき方法が用いられ、Ａｕ、Ａｇ、はん
だ等がＡｌパッド上に形成される。めっき液は主成分で
あるＡｕやＡｇ、はんだの他に亜硫酸、硫酸、タリウム
等が溶解しためっき液やシアンが溶解しためっき液をよ
く用いている。めっき方法としても使用するめっき液に
よって電解めっき、無電解めっき等がある。
置の製造方法および製造装置を図１、図２および図３に
基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形態とし
て、半導体装置の製造工程に用いられるめっき装置の概
略構成図である。ＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）で用いられるバンプを形成する方
法としてこのめっき方法が用いられ、Ａｕ、Ａｇ、はん
だ等がＡｌパッド上に形成される。めっき液は主成分で
あるＡｕやＡｇ、はんだの他に亜硫酸、硫酸、タリウム
等が溶解しためっき液やシアンが溶解しためっき液をよ
く用いている。めっき方法としても使用するめっき液に
よって電解めっき、無電解めっき等がある。
【００１１】図１に示すとおり、この装置はカセット３
とこのカセット３が挿入されるスピンナ１とを備えてい
る。カセット３は、図２および図３に示すとおり、複数
枚の被めっきウェハ４…を直列に配置することができる
アノード電極部９と、回転軸６と直結されるアノード電
極回転軸支持部９ａと、被めっきウェハ４…に接触する
カソード電極部８（斜線で示した部分）と、被めっきウ
ェハ４を支持するためのカソード電極ウェハ支持部８ｂ
と、回転軸７と連結されるカソード電極回転軸支持部８
ａで構成されている。この場合、各被めっきウェハ４は
アノード電極部９と対向するように、一枚ずつアノード
電極部９で仕切られている。また、カソード電極部８と
アノード電極部９は接しているが相互に絶縁されてい
る。
とこのカセット３が挿入されるスピンナ１とを備えてい
る。カセット３は、図２および図３に示すとおり、複数
枚の被めっきウェハ４…を直列に配置することができる
アノード電極部９と、回転軸６と直結されるアノード電
極回転軸支持部９ａと、被めっきウェハ４…に接触する
カソード電極部８（斜線で示した部分）と、被めっきウ
ェハ４を支持するためのカソード電極ウェハ支持部８ｂ
と、回転軸７と連結されるカソード電極回転軸支持部８
ａで構成されている。この場合、各被めっきウェハ４は
アノード電極部９と対向するように、一枚ずつアノード
電極部９で仕切られている。また、カソード電極部８と
アノード電極部９は接しているが相互に絶縁されてい
る。
【００１２】スピンナ１は、内部にめっき液２が注入さ
れ、回転軸６，７によりカセット３を回転させることが
できる。回転軸６，７の軸方向は被めっきウェハ４に直
交し、一方の回転軸６はアノード電極部９の回転軸支持
部９ａに接合され、他方の回転軸７はカソード電極部８
の回転軸支持部８ａに接合されている。これにより、回
転軸６，７を通じてそれぞれアノード電極部９とカソー
ド電極部８に電流供給できるようにしている。５は減圧
機で、スピンナ１の内部の気圧を減圧する。１ａはめっ
き液２の注入口である。
れ、回転軸６，７によりカセット３を回転させることが
できる。回転軸６，７の軸方向は被めっきウェハ４に直
交し、一方の回転軸６はアノード電極部９の回転軸支持
部９ａに接合され、他方の回転軸７はカソード電極部８
の回転軸支持部８ａに接合されている。これにより、回
転軸６，７を通じてそれぞれアノード電極部９とカソー
ド電極部８に電流供給できるようにしている。５は減圧
機で、スピンナ１の内部の気圧を減圧する。１ａはめっ
き液２の注入口である。
【００１３】つぎに、半導体装置の製造方法について説
明する。カセット３に被めっきウェハ４をチャージす
る。被めっきウェハ４はカソード電極部８のウェハ支持
部８ｂに接触し、そこから電流が供給される仕組みであ
る。このカセット３をスピンナ１に挿入する。ここで、
減圧機５によってスピンナ１の内部の気圧を減圧する。
減圧を行う理由として、減圧後にスピンナ１に内部にめ
っき液２が注入されるが、その際、めっき液２が被めっ
きウェハ４に対して、なじみ易くする目的があるためで
ある。そして、スピンナ１の内部にめっき液２が充満さ
れた後、スピンナ１がカセット４を回転させ始める。回
転方法としては回転軸６，７を中心にした回転を行う。
その際、時計回り、反時計回り等、時間ごとに回転方法
が変化する回転を行う。この回転が始まるとともに、被
めっきウェハ４とカセット３に電流供給が始まり、被め
っきウェハ４にめっきが形成される。電流供給の方法と
しては回転軸６，７よりそれぞれプラス、マイナス電流
が供給される。
明する。カセット３に被めっきウェハ４をチャージす
る。被めっきウェハ４はカソード電極部８のウェハ支持
部８ｂに接触し、そこから電流が供給される仕組みであ
る。このカセット３をスピンナ１に挿入する。ここで、
減圧機５によってスピンナ１の内部の気圧を減圧する。
減圧を行う理由として、減圧後にスピンナ１に内部にめ
っき液２が注入されるが、その際、めっき液２が被めっ
きウェハ４に対して、なじみ易くする目的があるためで
ある。そして、スピンナ１の内部にめっき液２が充満さ
れた後、スピンナ１がカセット４を回転させ始める。回
転方法としては回転軸６，７を中心にした回転を行う。
その際、時計回り、反時計回り等、時間ごとに回転方法
が変化する回転を行う。この回転が始まるとともに、被
めっきウェハ４とカセット３に電流供給が始まり、被め
っきウェハ４にめっきが形成される。電流供給の方法と
しては回転軸６，７よりそれぞれプラス、マイナス電流
が供給される。
【００１４】この実施の形態によれば、被めっきウェハ
４を配置したカセット３をスピンナ１に挿入し、スピン
ナ１の内部にめっき液２を注入した後、スピンナ１にて
カセット３を回転させ、めっきを実施することにより、
めっき液２が均等に被めっきウェハ４全体に攪拌され、
被めっきウェハ４に形成されるめっきの高さばらつきを
抑制できる。この場合、カセット３を回転させる回転軸
６，７の軸方向が被めっきウェハ４に直交し、被めっき
ウェハ４の回転方向を周期的に反転させたので、めっき
液２がより一層攪拌され、被めっきウェハ４全体に攪拌
しためっき液２が行き渡り、被めっきウェハ４に形成さ
れるめっきの高さばらつきをさらに抑制できる。
４を配置したカセット３をスピンナ１に挿入し、スピン
ナ１の内部にめっき液２を注入した後、スピンナ１にて
カセット３を回転させ、めっきを実施することにより、
めっき液２が均等に被めっきウェハ４全体に攪拌され、
被めっきウェハ４に形成されるめっきの高さばらつきを
抑制できる。この場合、カセット３を回転させる回転軸
６，７の軸方向が被めっきウェハ４に直交し、被めっき
ウェハ４の回転方向を周期的に反転させたので、めっき
液２がより一層攪拌され、被めっきウェハ４全体に攪拌
しためっき液２が行き渡り、被めっきウェハ４に形成さ
れるめっきの高さばらつきをさらに抑制できる。
【００１５】また、アノード電極部９をカセット３に
し、そこに直列に被めっきウェハ４を数枚チャージする
ことができるので、従来のアノード電極と被めっきウェ
ハを水平方向に並べていためっき方法に比べて装置のコ
ンパクト化が可能となる。なお、無電解が可能なめっき
液を用いれば電流供給がなくてもめっきは可能である。
し、そこに直列に被めっきウェハ４を数枚チャージする
ことができるので、従来のアノード電極と被めっきウェ
ハを水平方向に並べていためっき方法に比べて装置のコ
ンパクト化が可能となる。なお、無電解が可能なめっき
液を用いれば電流供給がなくてもめっきは可能である。
【００１６】
【発明の効果】この発明の請求項１記載のカセットによ
れば、被めっきウェハを積層方向に直列に支持できると
ともに、被めっきウェハに電気的に接触するカソード電
極部と、被めっきウェハに対向して配置された電極から
なるアノード電極部と、からなるので、従来のアノード
電極と被めっきウェハを水平方向に並べていためっき装
置に比べて装置のコンパクト化が可能となる。
れば、被めっきウェハを積層方向に直列に支持できると
ともに、被めっきウェハに電気的に接触するカソード電
極部と、被めっきウェハに対向して配置された電極から
なるアノード電極部と、からなるので、従来のアノード
電極と被めっきウェハを水平方向に並べていためっき装
置に比べて装置のコンパクト化が可能となる。
【００１７】 この発明の請求項２記載の半導体装置の
製造装置によれば、請求項１記載のカセットを浸すめっ
き液を保持する手段を備えたので、上記カセットをめっ
き液に浸してめっきを行うことができる。請求項３で
は、カセットがめっき液中を回転するための回転軸を備
えたので、カセットを浸すめっき液を保持する手段の内
部にめっき液を充満させ被めっきウェハ自体を回転さ
せ、めっきを実施することにより、めっき液が均等に被
めっきウェハ全体に攪拌され、被めっきウェハに形成さ
れるめっきの高さばらつきを抑制できる。このため、被
めっきウェハに均等にめっきを行うことができる。
製造装置によれば、請求項１記載のカセットを浸すめっ
き液を保持する手段を備えたので、上記カセットをめっ
き液に浸してめっきを行うことができる。請求項３で
は、カセットがめっき液中を回転するための回転軸を備
えたので、カセットを浸すめっき液を保持する手段の内
部にめっき液を充満させ被めっきウェハ自体を回転さ
せ、めっきを実施することにより、めっき液が均等に被
めっきウェハ全体に攪拌され、被めっきウェハに形成さ
れるめっきの高さばらつきを抑制できる。このため、被
めっきウェハに均等にめっきを行うことができる。
【００１８】 請求項４では、回転軸は、周期的に回転
が反転するので、めっき液がより一層攪拌され、被めっ
きウェハに形成されるめっきの高さばらつきをさらに抑
制できる。
が反転するので、めっき液がより一層攪拌され、被めっ
きウェハに形成されるめっきの高さばらつきをさらに抑
制できる。
【００１９】 請求項５では、回転軸の軸方向は、被め
っきウェハに直交するので、被めっきウェハ全体に攪拌
しためっき液が行き渡り、被めっきウェハに形成される
めっきの高さばらつきをさらに抑制できる。請求項６で
は、カセットを浸すめっき液を保持する手段内部の気圧
を減圧する減圧機を備えたので、めっき液が被めっきウ
ェハに対してなじみ易くなる。
っきウェハに直交するので、被めっきウェハ全体に攪拌
しためっき液が行き渡り、被めっきウェハに形成される
めっきの高さばらつきをさらに抑制できる。請求項６で
は、カセットを浸すめっき液を保持する手段内部の気圧
を減圧する減圧機を備えたので、めっき液が被めっきウ
ェハに対してなじみ易くなる。
【図１】この発明の実施の形態の半導体装置の製造装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図２】図１に係るカセットの概略構成図である。
【図３】図２のカセットの斜視図である。
【図４】従来例の半導体装置の製造装置の概略構成図で
ある。
ある。
１ スピンナ
２ めっき液
３ カセット
４ 被めっきウェハ
５ 減圧機
６，７ 回転軸
８ カソード電極部
８ａ カソード電極回転軸支持部
８ｂ カソード電極ウェハ支持部
９ アノード電極部
９ａ アノード電極回転軸支持部
１０ めっき液槽
１１ めっき液
１２ アノードメッシュ
１３ 被めっきウェハ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/288
C25D 5/08
Claims (6)
- 【請求項１】 被めっきウェハを積層方向に直列に支持
できるとともに、前記被めっきウェハに電気的に接触す
るカソード電極部と、 前記被めっきウェハに対向して配置された電極からなる
アノード電極部と、からなるカセット。 - 【請求項２】 請求項１記載のカセットを浸すめっき液
を保持する手段を備えたことを特徴とする半導体装置の
製造装置。 - 【請求項３】 前記カセットがめっき液中を回転するた
めの回転軸を備えたことを特徴とする請求項２記載の半
導体装置の製造装置。 - 【請求項４】 前記回転軸は、周期的に回転が反転する
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造装
置。 - 【請求項５】 前記回転軸の軸方向は、前記被めっきウ
ェハに直交することを特徴とする請求項３または４記載
の半導体装置の製造装置。 - 【請求項６】 前記カセットを浸すめっき液を保持する
手段内部の気圧を減圧する減圧機を備えたことを特徴と
する請求項２から５のいずれかに記載の半導体装置の製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04589296A JP3490207B2 (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | カセットおよび半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04589296A JP3490207B2 (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | カセットおよび半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246215A JPH09246215A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3490207B2 true JP3490207B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=12731903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04589296A Expired - Fee Related JP3490207B2 (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | カセットおよび半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3490207B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100293239B1 (ko) * | 1999-06-23 | 2001-06-15 | 김무 | 반도체 기질 도금장치 및 방법 |
| JP3960774B2 (ja) | 2001-11-07 | 2007-08-15 | 株式会社荏原製作所 | 無電解めっき装置及び方法 |
| AT510593B1 (de) * | 2010-12-15 | 2012-05-15 | Markus Dipl Ing Dr Hacksteiner | Vorrichtung zum metallisieren von wafern |
-
1996
- 1996-03-04 JP JP04589296A patent/JP3490207B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09246215A (ja) | 1997-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3004959B2 (ja) | 半導体装置のフリップチップ実装型ソルダーバンプの製造方法及びこれにより製造されるソルダーバンプ | |
| US5882498A (en) | Method for reducing oxidation of electroplating chamber contacts and improving uniform electroplating of a substrate | |
| JP2873954B2 (ja) | チップサイズ半導体パッケージの製造方法 | |
| US20160204391A1 (en) | Mechanical conditioning by bead blasting lithium iodine cell case | |
| JPH02263996A (ja) | バンプめっき設備及びめっき法 | |
| JP3490207B2 (ja) | カセットおよび半導体装置の製造装置 | |
| JP2779131B2 (ja) | フィルムキャリヤ及びその製造方法 | |
| US7721425B2 (en) | Method for connecting electronic parts | |
| JP2814989B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3176193B2 (ja) | 表面処理用回転治具 | |
| JP3343077B2 (ja) | めっき用電極 | |
| JP4910660B2 (ja) | 基板表面処理装置及び基板表面処理方法 | |
| JPS62160744A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP3119385B2 (ja) | 電子部品およびその電極端子の表面処理方法、表面処理装置および表面処理液 | |
| US6758958B1 (en) | System and a method for plating of a conductive pattern | |
| JP3453079B2 (ja) | 接触端子とその製造方法 | |
| JP2935647B2 (ja) | 半導体ウエハの電解メッキ装置 | |
| US20240136313A1 (en) | Electrical connection and forming method thereof | |
| US4828644A (en) | Etching device for semiconductor wafers | |
| JP2746181B2 (ja) | 基板へのバンプアレイの形成方法及び形成装置 | |
| JP2000038696A (ja) | 軸受の製造方法 | |
| JP4252549B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| JPH0892793A (ja) | 電子部品のめっき方法及び装置 | |
| KR100293239B1 (ko) | 반도체 기질 도금장치 및 방법 | |
| US4882233A (en) | Selectively deposited electrodes onto a substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071107 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091107 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091107 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101107 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |