JP4910660B2 - 基板表面処理装置及び基板表面処理方法 - Google Patents

Description

本発明は基板表面処理装置及び基板表面処理方法に関し、特に湿式の基板表面処理に用いる基板表面処理装置及びその装置を用いた基板表面処理方法に関する。

ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等のパワー半導体素子を搭載した半導体製品では、パワー半導体素子表面に設けられたＡｌ（アルミニウム）電極と該製品内に設けられたＡｌ電極端子とが金属配線によって複雑に接続されている。

最近では、電気的な接続のし易さから、Ａｌ電極及びＡｌ電極端子表面にＡｕ（金）／Ｎｉ（ニッケル）鍍金膜を形成し、リードフレームを直接、鍍金膜を介してこれらの半田付けを行う方法が一般的になりつつある。

しかしながら、素子基板であるウエハの大口径化が加速し、鍍金膜をウエハ面内で均一に形成することが困難になってきている。何故なら、鍍金のような湿式処理においては、乾式処理に比べ溶液の拡散が鈍いため、ウエハが大口径になるに従い、ウエハ面内での鍍金溶液の成分がより不均一になるからである。

さらに、最近のパワー半導体素子の製造工程では、ウエハ表面に高密度に金属配線をパターニングする工程がある。これらの金属配線の一部には、鍍金後に生じるショートを防止するため、ポリイミド膜などが被覆されている。

このようなポリイミド膜が金属配線に被覆されていると、金属配線表面が露出している部分と、ポリイミド膜との間には段差が生じ、該露出している部分に形成された鍍金膜と、ポリイミド膜側面近傍に形成された金属配線上の鍍金膜の膜厚にばらつきが生じることがある。

以上のような膜厚の分布が生じると、半田接合を行った後に、鍍金膜が薄い部分と厚い部分で、次のような不具合が生じることがある。
例えば、鍍金膜が薄い部分では、鍍金膜と半田層とが拡散し、半田は直接金属配線に接合することになる。金属配線の材質が、例えばＡｌの場合には、半田とＡｌの密着力は半田とＡｕ／Ｎｉの密着力に比べ低いため、その界面で剥離が生じたりする。また、鍍金膜の厚い部分では、鍍金膜の応力増加によって鍍金膜が剥離する場合がある。

このような問題を回避する手段として、電解鍍金では、ウエハをカセットケースに設置し、ウエハを鍍金溶液内で自転させながら、鍍金を行う方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

この方法では、アノード電極とウエハに接触するカソード電極で構成されたカセットケースにウエハをセットし、カセットケースを鍍金溶液にウエハごと浸してカセットケースを自転させる例が開示されている。

このような方法によれば、鍍金溶液がウエハの自転により拡散され、均一性のよい鍍金膜がウエハ上に形成できるように思える。
また、鍍金膜を均一に形成するには、鍍金膜形成工程以外の工程（例えば、エッチング、洗浄処理等）においても、ウエハ表面を均一に処理する必要がある。鍍金を行う前の下地の状態や、鍍金後のエッチングレートに差があると、鍍金工程で均一な鍍金膜を形成しても、最終的に均一な鍍金膜は得られないからである。

このような問題に対しては、湿式のエッチング時に、同様にウエハを自転させる方法が提案されている（例えば、特許文献２，３参照。）。
特開平９−２４６２１５号公報 特開２００３−３３２２９６号公報 特開平１０−２２９０６６号公報

しかしながら、特開平９−２４６２１５号公報の開示例では、電解鍍金用のカセットケースが開示されているに過ぎず、ウエハに充分に電圧を印加させるため、カセットケース上に設けたカソード電極支持部にウエハを強固に設置しなければならない。

ところで、近年のパワー半導体用ウエハの厚みは、素子内の抵抗を下げるために０．２ｍｍ程度と薄く作製されている。また、パワー半導体用ウエハの厚みは、さらに薄くなる傾向にある。このような薄いウエハを該カソード電極支持部に強固に設置し、カセットケースを回転させると、鍍金溶液の負荷によりカソード電極支持部近傍にあるウエハがダメージを受けたり、ウエハ全体が割れたりするという問題が生じている。

また、電解鍍金で用いるカセットケースは、ウエハと導通をもたせるために、材質が金属で構成されている。このような金属製のカセットケースでは、例えば鍍金工程前後で酸またはアルカリ処理をした場合、金属部が腐食するので鍍金とその前後の処理を同一のカセットケースによって処理できないという問題がある。

また、特開２００３−３３２２９６号公報及び特開平１０−２２９０６６号公報の開示例では、ウエハの端部に直接的に力を与えてウエハをカセットケース内で自転させている。このような方法では、厚さが０．２ｍｍというウエハを用いた場合、ウエハ自体の強度性が低いことから、ウエハ端に欠けが発生したり、ウエハ全体が割れたりするという問題が生じている。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、湿式の基板表面処理に用いる基板表面処理装置及びその装置を用いた基板表面処理方法において、無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成し、且つ被鍍金ウエハに対するダメージを抑え、鍍金とその前後の処理を一括して行うことができる基板表面処理装置及びその装置を用いた基板表面処理方法を提供することを目的とする。

本発明では上記課題を解決するために、基板の表面を溶液中で処理する基板表面処理装置において、回転軸芯から等距離となる箇所に複数の嵌合部が形成された、前記基板を支持する支持板と、前記基板の周囲に配置され、端部が前記嵌合部に嵌合して前記基板を支持する支持冶具と、を有する支持手段と、前記支持冶具によって支持された前記基板を前記溶液中で回転する回転手段と、を備え、前記嵌合部は、前記回転軸芯から第１の距離となる箇所に形成された複数の第１の嵌合部と、前記回転軸芯からの距離が前記第１の距離とは異なる第２の距離となる箇所に形成された複数の第２の嵌合部とを少なくとも有することを特徴とする基板表面処理装置が提供される。

このような基板表面処理装置では、基板の表面を溶液中で処理する基板表面処理装置において、回転軸芯から第１の距離となる箇所に形成された複数の第１の嵌合部と、回転軸芯からの距離が第１の距離とは異なる第２の距離となる箇所に形成された複数の第２の嵌合部とを少なくとも有する嵌合部が形成された基板の周囲に配置した複数の支持冶具によって基板が支持され、支持冶具によって支持された基板が溶液中で回転される。

また、本発明では、基板の表面を溶液中で処理する基板表面処理方法において、回転軸芯から等距離となる箇所に複数の嵌合部が形成された支持板と、前記基板の周囲に配置され、端部が前記嵌合部に嵌合して前記基板を支持する支持冶具と、を有する支持手段と、前記支持冶具によって支持された前記基板を前記溶液中で回転する回転手段と、前記嵌合部は、前記回転軸芯から第１の距離となる箇所に形成された複数の第１の嵌合部と、前記回転軸芯からの距離が前記第１の距離とは異なる第２の距離となる箇所に形成された複数の第２の嵌合部とを少なくとも有する基板表面処理装置を用いて、前記基板の表面処理をすることを特徴とする基板表面処理方法が提供される。

このような基板表面処理方法では、回転軸芯から第１の距離となる箇所に形成された複数の第１の嵌合部と、回転軸芯からの距離が第１の距離とは異なる第２の距離となる箇所に形成された複数の第２の嵌合部とを少なくとも有する嵌合部が形成された基板の表面を溶液中で処理する基板表面処理方法において、基板の周囲を複数の支持冶具によって基板を支持する支持手段と、支持冶具によって支持された基板を溶液中で回転する回転手段と、を備えた基板表面処理装置を用いて、基板が表面処理される。

本発明では、基板の表面を溶液中で処理する基板表面処理装置において、回転軸芯から第１の距離となる箇所に形成された複数の第１の嵌合部と、回転軸芯からの距離が第１の距離とは異なる第２の距離となる箇所に形成された複数の第２の嵌合部とを少なくとも有する嵌合部が形成された基板の周囲に配置した複数の支持冶具によって基板を支持し、支持冶具によって支持された基板を溶液中で回転するようにした。

また、本発明では、基板の表面を溶液中で処理する基板表面処理方法において、回転軸芯から第１の距離となる箇所に形成された複数の第１の嵌合部と、回転軸芯からの距離が第１の距離とは異なる第２の距離となる箇所に形成された複数の第２の嵌合部とを少なくとも有する嵌合部が形成された基板の周囲を複数の支持冶具によって基板を支持する支持手段と、支持冶具によって支持された基板を溶液中で回転する回転手段と、を備えた基板表面処理装置を用いて、基板を表面処理するようにした。

これにより、鍍金処理で均一な鍍金膜を形成し、且つ被鍍金ウエハに対するダメージを抑え、さらに鍍金とその前後の処理を一括して行うことができる基板表面処理装置及びその装置を用いた基板表面処理方法が実現可能になる。

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
最初に、本発明の基板表面処理装置の内部に取り付けられるカセットケースの基本構造について説明する。以下に説明するように、カセットケースは薄いウエハ基板を柔軟に収納することができる支持冶具を備えている。

図１はカセットケースの要部図であり、（Ａ）は要部正面図であり、（Ｂ）は要部側面図である。ここで（Ｂ）は、図１（Ａ）の左側側面を表している。
カセットケース１００は、２つの円板１０ａ，１０ｂと、円板１０ａ，１０ｂに放射状に設けられた複数のスリット１１ａ，１１ｂと、支持冶具１２と、を具備している。そして、円板１０ａと円板１０ｂは、支持冶具１２を支持する支持板であると共に、円板１０ａ及び円板１０ｂ自体がスリット１１ａ，１１ｂに嵌設された支持冶具１２によって並列に固定されている。

スリット１１ａ，１１ｂについては、長さが長いスリット１１ａと短いスリット１１ｂが円板１０ａ，１０ｂの円周方向に、例えば６０°毎に形成されている。即ち、この図に示すように、短いスリット１１ｂを組にすれば、円板１０ａと円板１０ｂは、６個の支持冶具１２で固定されることになる。尚、支持冶具１２の両端は、スリット１１ｂの下部においてボルト止または嵌め込み等によって固定されている。即ち、スリット１１ａ，１１ｂは、支持冶具１２の両端を嵌合する嵌合部としての役割を有する。

そして、支持冶具１２の内側には、ウエハを支持する溝部１２ａが設けられている。そして、例えば、Ｓｉ（シリコン）で構成される直径８インチのウエハ基板１３（肉厚０．２ｍｍ）をカセットケース１００内に収納するときは、ウエハ基板１３の端を溝部１２ａに接触させ、ウエハ基板１３を外周から６個の支持冶具１２で柔軟に挟持するように支持する。ここで、ウエハ基板１３の支持については、６個の支持冶具１２で完全に挟持せず、ウエハ基板１３が溝部１２ａから外れない程度に、ウエハ基板１３の端と溝部１２ａ表面との間に所定のクリアランスを隔てて、ウエハ基板１３を支持してもよい。

尚、スリット１１ａ，１１ｂについては、上述したように２種類の長さのスリットを形成している。例えば、支持冶具１２をスリット１１ｂの代わりに、スリット１１ａの下部まで嵌合させ、この部分で固定すれば、対向する支持冶具１２のそれぞれの距離がスリット１１ｂに支持冶具１２を固定させた場合に比べ短くなり、８インチのウエハ基板１３より直径の短い、例えば６インチのウエハ基板をカセットケース１００内に支持することができる。

そして、円板１０ａには、カセットケース１００全体を回転させるために、回転ベルト（後述）を噛み合せるためのプーリ１４が支持台１５を介して設置されている。さらに、円板１０ａの中心には第１の回転軸１６が備えられている。

このようなプーリ１４及び第１の回転軸１６をカセットケース１００に備えることにより、回転ベルトによって与えられたプーリ１４の回転を第１の回転軸１６を中心にしてカセットケース１００に伝動し、ウエハ基板１３面が自転するようにカセットケース１００を回転させることができる。

尚、ウエハ基板１３をカセットケース１００内に収納するときは、例えば、支持冶具１２の２個についてはスリット１１ｂに設置せず、隣接する４個の支持冶具１２を予めスリット１１ｂに固定する。そして、支持冶具のないカセットケース１００の開放された空間から、ウエハ基板１３を円板１０ａ，１０ｂと平行になるように挿入し、溝部１２ａにウエハ基板を支持させる。このような動作を繰り返し、所望の枚数のウエハ基板１３を挿入した後、残りの支持冶具１２をスリット１１ｂに設置し、複数のウエハ基板１３がカセットケース１００内に収納される。

尚、図１に示すカセットケース１００では、一つの支持冶具１２に２５個の溝部１２ａを設け、一つのカセットケース１００に２５枚のウエハ基板１３を収納できるようになっている。しかし、この溝部１２ａの数については、特に２５個に限る必要はなく、所望の収納枚数に応じた複数の溝部１２ａを支持冶具１２に設ければよい。

また、円板１０ａ，１０ｂについては、この図では２つとしているが、特に２つに限る必要はなく、カセットケース１００の剛性を向上させるため、ウエハ基板１３間に円板を複数個挿入させてもよい。

また、支持冶具１２についても６個に限る必要はなく、より弱い力で均等にウエハ基板１３を支持するために、６個以上の支持冶具１２を円板に設置し、ウエハ基板１３を支持してもよい。

さらに、スリットの長さについても、上述した２種に限ることはなく、８インチ及び６インチ以外のウエハ基板の直径に対応したスリットを円板１０ａ，１０ｂに設けてもよい。

このように、カセットケース１００では、支持冶具１２を支持する支持板としての円板１０ａ，１０ｂの回転軸芯から等距離となる箇所に複数の嵌合部、例えばスリット１１ａ，１１ｂが形成され、円板１０ａ，１０ｂのスリット１１ａ，１１ｂに、支持冶具１２の端を嵌合し、支持冶具１２に形成されている溝に複数のウエハ基板１３を並列に支持することができる。

次に、カセットケース１００を外フレームに設置した基板表面処理装置について説明する。
図２は基板表面処理装置の要部図であり、（Ａ）は要部正面図であり、（Ｂ）は要部側面図である。ここで（Ｂ）は、図２（Ａ）に向かって左側の側面を示している。この図では、図１と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。

カセットケース１００は、外フレーム２０の重心領域にカセットケース１００に設けられた第１の回転軸１６によって支持され、カセットケース１００全体が外フレーム２０内に格納されている。外フレーム２０のサイド及び下面２０ａは後述する鍍金液が充分にカセットケース１００まで回り込むように広く開放されている。

そして、外フレーム２０の上面２０ｂにはＬ字状の支持台２１が設けられ、支持台２１に、例えばモータ２２が設置されている。
モータ２２の回転軸２２ａは支持台２１を貫通し、回転軸２２ａにプーリ２３が設置されている。そして、プーリ２３とプーリ１４との間には、樹脂製の回転ベルト２４が掛け渡されている。

このような基板表面処理装置２００によれば、モータ２２の回転運動がプーリ２３に伝道し、プーリ２３から回転ベルト２４によって、その駆動がプーリ１４に伝道され、カセットケース１００全体をウエハ基板１３面が自転するように回転させることができる。

また、外フレーム２０の上面には、第２の回転軸２５が備えられている。この回転軸２５に、例えば、モータ等によって外部から横方向に回転駆動を与えれば、基板表面処理装置２００は後述する鍍金溶液の液面方向に回転し、同時にカセットケース１００に収納されたウエハ基板１３を公転させることができる。

ところで、基板表面処理装置２００の各部材の材質は、薬液洗浄処理、湿式エッチング処理及び無電解鍍金処理、またはこれらの処理を連続させた処理に一括して用いられるように、例えば、塩化ビニル樹脂またはフッ素樹脂で構成されている。

このように、基板表面処理装置２００は、ウエハ基板１３の周囲に配置した複数の支持冶具１２によってウエハ基板１３を支持する支持手段と、支持冶具１２によって支持されたウエハ基板１３を鍍金溶液中で回転する回転手段と、を備えている。

そして、その支持手段においては、円板１０ａ,１０ｂの外周に形成されたスリット１１ａ,１１ｂに支持冶具１２の端を嵌合し、支持冶具１２に形成されている溝部１２ａに複数のウエハ基板１３を並列に支持することを特徴としている。

さらに、その支持手段においては、円板１０ａ,１０ｂの外周に長さの異なるスリット１１ａ,１１ｂを複数形成し、支持冶具１２が嵌合する場所については、スリット１１ａまたはスリット１１ｂを選択することで、直径の異なるウエハ基板を支持冶具１２を用いて支持できることを特徴としている。

また、ウエハ基板１３を回転する手段においては、鍍金溶液中でウエハ基板１３がウエハ基板１３面内で自転することができる。さらに、鍍金溶液中でウエハ基板１３が鍍金溶液の液面方向に公転することもできる。

このような基板表面処理装置２００によれば、無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成し、且つ鍍金中に被鍍金ウエハに対するダメージを抑えることができる。また後述するように、鍍金とその前後の処理を一括して行うことができる。

次に、上述した基板表面処理装置２００を用いた場合の鍍金方法及びその効果について説明する。効果については、回転機構を備えていないカセットケースと本発明の基板表面処理装置２００を用いた場合の比較検討を行い、その効果の確認を行った。

具体的には、鍍金膜の一例としてＮｉＰ膜を８インチのウエハ基板に鍍金を行い、ウエハ基板上に形成したＮｉＰ膜の膜厚のピストグラムを算出することにより、回転機構を備えていないカセットケースと本発明の基板表面処理装置２００を用いた場合の効果について確認した。

図３は鍍金の方法を説明する要部図であり、（Ａ）は回転機構を備えていない基板表面処理装置を用いた場合の鍍金方法を説明する図であり、（Ｂ）は回転機構を備えている基板表面処理装置を用いた場合の鍍金方法を説明する図である。この図では、図１、図２と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。

図示するように、鍍金槽３０内は、例えば、ＮｉＰ鍍金溶液３１で満たされている。そして、ＮｉＰ鍍金溶液３１は、鍍金中に常時、ノズル３２の開口部３２ａから鍍金槽３０の上方向に噴射させる。噴射されたＮｉＰ鍍金溶液３１は、この図では図示はしないが、ポンプによって鍍金槽３０からくみ上げられ、フィルタを介して再びノズル３２に還流されている。

そして、図３（Ａ）においては、８インチのウエハ基板１３を回転機構が設けてられていないカセットケース３３に収納させ、ウエハ基板１３全面がＮｉＰ鍍金溶液３１に浸されるように、ＮｉＰ鍍金溶液３１内にカセットケース３３を浸漬する。

一方、図３（Ｂ）においては、８インチのウエハ基板１３を基板表面処理装置２００に収納させ、ウエハ基板１３全面がＮｉＰ鍍金溶液３１に浸されるように、ＮｉＰ鍍金溶液３１内に基板表面処理装置２００を浸漬する。そして、カセットケース１００の回転を５回転／分の回転速度で行い、ウエハ基板１３を面内方向で自転させる。

尚、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すウエハ基板１３については、処理を同じ条件で行う。
具体的には、鍍金を施す前に、予め薬液による洗浄を行い、その後に水洗を行う。そして、酸またはアルカリ溶液を用いた湿式エッチングを行う。そして、再び水洗を行い、鍍金を行う。鍍金を行った後には、必要に応じて湯洗を行い、ウエハ基板１３を乾燥させる。

このとき、基板表面処理装置２００の材質は、例えば、塩化ビニル樹脂またはフッ素樹脂などで構成される不導体なので、薬液による洗浄、酸またはアルカリを用いた湿式エッチングを行っても、耐食性があり基板表面処理装置２００が腐食することはない。また、不導体であるため、鍍金処理を行っても、基板表面処理装置が鍍金されることもない。

従って、基板表面処理装置２００は、薬液洗浄、湿式エッチング、鍍金、水洗、湯洗のそれぞれの処理に汎用することができ、これら一連の処理を同一の基板表面処理装置２００を用いて行うことができる。

そして、それぞれの鍍金条件については、基板表面処理装置２００に収納させたウエハ基板１３を自転させている以外には、図３（Ａ）及び（Ｂ）において同一条件で行った。
図４はＮｉＰ膜の膜厚のヒストグラムを説明する図であり、（Ａ）は回転機構を備えていない基板表面処理装置を用いた場合のＮｉＰ膜の膜厚のヒストグラムを説明する図であり、（Ｂ）は回転機構を備えている基板表面処理装置を用いた場合のＮｉＰ膜の膜厚のヒストグラムを説明する図である。

この図の横軸は、ＮｉＰ膜の膜厚を示し、縦軸は膜厚の頻度を示している。即ち、この図は、所定の膜厚に頻度が集中しているほど、ＮｉＰ膜の膜厚にばらつきが少ないことを示している。

尚、取得したデータは、各ウエハ基板で５ポイントとし、複数のバッチ間のデータからそれぞれのヒストグラムを求めた。
図４（Ａ）では、５．３μｍを中心に４．７〜５．７μｍまでヒストグラムの裾が広がっている。一方、図４（Ｂ）では、５．１μｍを中心に４．９〜５．５μｍまでヒストグラムの裾の広がりを形成しているが、図４（Ａ）に比べ、ヒストグラムの幅が狭い結果を得ている。そして、それぞれのヒストグラムの標準偏差であるσ値を算出すると、図４（Ａ）では０．２２であるのに対し、図４（Ｂ）では、０．１２であることが分かった。このように、図２に示す基板表面処理装置２００を用いて鍍金を行った場合は、鍍金膜の膜厚のσ値が半分程度に減少することが分かった。

さらに、ＮｉＰ鍍金溶液３１内で基板表面処理装置２００を図２に示す回転軸２５を中心に回転させ、カセットケース１００を公転させた場合は、収納させた各ウエハ基板１３表面におけるＮｉＰ鍍金溶液３１の成分比がさらに均一になるので、σ値はより減少すると考えられる。

尚、図４（Ｂ）に示す構成で処理したウエハ基板１３には、欠け、割れは生じなかった。
このように、ウエハ基板１３の周囲を複数の支持冶具１２によってウエハ基板１３を支持する支持手段と、支持冶具１２によって支持されたウエハ基板１３をＮｉＰ鍍金溶液３１中で回転する回転手段と、を備えた基板表面処理装置２００を用いて、ウエハ基板１３の表面に鍍金処理することができる。

そして、基板表面処理装置２００については、材質が例えば、塩化ビニル樹脂またはフッ素樹脂などの不導体で構成されているので、ウエハ基板１３を基板表面処理装置２００に嵌装したまま、薬液洗浄、湿式エッチング、無電解鍍金、水洗、湯洗の各処理のうち、少なくとも２つの処理を連続して行うことができる。

次に、基板表面処理装置に格納するカセットケースの変形例について説明する。
図５はカセットケースの変形例を説明する要部図であり、（Ａ）は要部正面図であり、（Ｂ）は要部側面図である。ここで（Ｂ）は、図１（Ａ）に向かって左側の側面を示している。この図では、図１乃至図３と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。

カセットケース１０１は、２つの円板１０ａ，１０ｂと、円板１０ａ，１０ｂに放射状に設けられた複数のスリット１１ａ，１１ｂと、支持冶具１７と、を具備している。そして、円板１０ａと円板１０ｂは、スリット１１ａ，１１ｂに嵌設された支持冶具１７によって並列に固定されている。

スリット１１ａ，１１ｂについては、長さが長いスリット１１ａと短いスリット１１ｂが円板１０ａ，１０ｂの円周方向に６０°毎に形成されている。即ち、この図に示すように、短いスリット１１ｂを組にすれば、円板１０ａと円板１０ｂは、６個の支持冶具１７で固定されることになる。尚、支持冶具１７の両端は、スリット１１ｂの下部においてボルト止または嵌め込み等によって固定されている。

支持冶具１７の内側には、ウエハを支持する溝部１７ａが設けられている。そして、このカセットケース１０１では、支持冶具１７の外側に断面がＬ字状の羽根部１７ｂが設けられている。

このような羽根部１７ｂが設けられたカセットケース１０１によれば、基板表面処理装置にモータ等の駆動機構を備えずに、カセットケース１０１をウエハ基板１３の面内方向で自転するように回転させることができる（後述）。

図６は羽根部が設けられたカセットケースを用いての鍍金の方法を説明する要部図である。この図では、図１乃至図３、図５と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。

カセットケース１０１は、外フレーム２０の重心領域にカセットケース１０１に設けられた第１の回転軸１６によって支持され、カセットケース１０１全体が外フレーム２０内に格納されている。外フレーム２０のサイド及び下面２０ａは鍍金液が充分にカセットケース１０１まで回り込むように広く開放されている。

そして、鍍金槽３０内を、例えばＮｉＰ鍍金溶液３１で満し、ＮｉＰ鍍金溶液３１をノズル３２の開口部３２ａから鍍金槽３０の上方向に噴射できるようにする。
そして、ウエハ基板１３がカセットケース１０１内に収納された基板表面処理装置２０１をウエハ基板１３全面がＮｉＰ鍍金溶液３１に浸されるように、ＮｉＰ鍍金溶液３１内に浸漬する。

そして、ノズル３２の開口部３２ａから鍍金溶液３１が噴射されると、鍍金溶液３１の液流が鍍金槽３０の上方に向かい、カセットケース１０１に設けた羽根部１７ｂに力を与える。そして、羽根部１７ｂに力が与えられると、回転軸１６を中心にカセットケース１０１が回転し、ウエハ基板１３はその面内方向で自転する。

また、外フレーム２０の上面には、第２の回転軸２５が備えられている。この回転軸２５に、例えば、モータ等によって外部から横方向に回転駆動を与えれば、基板表面処理装置２０１はＮｉＰ鍍金溶液３１の液面方向に回転し、同時にカセットケース１０１に収納されたウエハ基板１３を公転させることができる。

このように、基板表面処理装置２０１は、回転する手段において、支持冶具１７に羽根部１７ｂが設けられ、ＮｉＰ鍍金溶液３１中の液流によりウエハ基板１３がＮｉＰ鍍金溶液３１中でウエハ基板１３面内で自転することができる。

このような基板表面処理装置２０１によれば、無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成し、且つ鍍金中に被鍍金ウエハに対するダメージを抑えることができる。そして、鍍金とその前後の処理を一括して行うことができる。

続いて、図５に示すカセットケース１０１を用いた基板表面処理装置の変形例について説明する。
図７は基板表面処理装置の変形例を説明する要部図である。この図では、図１乃至図３、図５、図６と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。

この基板表面処理装置２０２ａの外フレーム２６には、プーリ２７が備えられ、プーリ２７は、外フレーム２６の回転主軸２６ａを中心に回転できるようになっている。
さらに、プーリ２７には、アーム２８が接合され、アーム２８が外フレーム２６の外側に延出されている。そして、アーム２８の終端部２８ａには、カセットケース１０１に設けられた第１の回転軸１６が貫設され、カセットケース１０１が第１の回転軸１６を中心に回転できるようになっている。

また、外フレーム２６の上面には、支持台２１を介してプーリ２３が設けられ、プーリ２３とプーリ２７との間には、回転ベルト２４が掛け渡されている。そして、プーリ２７には、支持台２１の裏側に設置されたモータ（不図示）によって、回転駆動を与えることができる。尚、外フレーム２６のサイド及び下面は鍍金液が充分にカセットケース１０１まで回り込むように広く開放されている。

鍍金槽３０内は、例えばＮｉＰ鍍金溶液３１で満され、ＮｉＰ鍍金溶液３１がノズル３２の開口部３２ａから鍍金槽３０の上方向に噴射できるようになっている。
そして、カセットケース１０１内に収納されたウエハ基板１３全面がＮｉＰ鍍金溶液３１に浸されるように、ＮｉＰ鍍金溶液３１内に基板表面処理装置２０２ａを浸漬する。

そして、ノズル３２の開口部３２ａから鍍金溶液３１が噴射されると、鍍金溶液３１の液流が鍍金槽３０の上方に向かい、カセットケース１０１に設けた羽根部１７ｂに力を与える。そして、羽根部１７ｂに力が与えられると、回転軸１６を中心にカセットケース１０１が回転し、ウエハ基板１３は回転軸１６を中心にウエハ基板１３の面内方向で自転する。

さらに、上述したモータによって、プーリ２３に回転駆動を与えれば、回転ベルト２４によって、プーリ２７を回転させることができ、アーム２８の終端部２８ａを外フレーム２６内で回転主軸２６ａを中心に旋回させることができる。このとき、アーム２８の終端部２８ａには、カセットケース１０１の回転軸１６が貫設されている。従って、この基板表面処理装置２０２ａにおいては、カセットケース１０１を、回転主軸２６ａを中心に旋回させ、同時に回転軸１６を中心に回転させることができる。

また、外フレーム２６の上面には、第２の回転軸２５が備えられている。この回転軸２５に、例えば、モータ等によって外部から横方向に回転駆動を与えれば、基板表面処理装置２０２ａはＮｉＰ鍍金溶液３１の液面方向に回転し、同時にカセットケース１０１に収納されたウエハ基板１３を公転させることができる。

尚、この図においては、一つのカセットケース１０１を外フレーム２６に設置し、回転主軸２６ａを中心としたカセットケース１０１の回転動作を説明するために、点線で描いた部分については、一時的にその部分にカセットケースが存在していたことを示している。

しかし、カセットケース１０１については、一つに限る必要はなく、カセットケース１０１同士が接触しない程度に複数のカセットケース１０１を外フレーム２６にアーム２８を介して設置してもよい。これにより、より多くの枚数のウエハ基板１３を一度の処理で鍍金できるようになる。

このように、基板表面処理装置２０２ａは、回転する手段において、基板表面処理装置２０２ａの回転主軸２６ａにプーリ２７が設置され、プーリ２７から延出されたアーム２８の終端部２８ａに第１の回転軸１６が取り付けられ、アーム２８を回転主軸２６ａを中心に回転させることにより、ＮｉＰ鍍金溶液３１中においてウエハ基板１３を旋回させることができる。

このような基板表面処理装置２０２ａによれば、無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成し、且つ鍍金中に被鍍金ウエハに対するダメージを抑えることができる。そして、鍍金とその前後の処理を一括して行うことができる。

図８は基板表面処理装置の変形例を説明する要部図である。この図では、図１乃至図３、図５乃至図７と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
この基板表面処理装置２０２ｂの外フレーム２６には、プーリ２７が備えられ、プーリ２７は、外フレーム２６の回転主軸２６ａを中心に回転できるようになっている。

さらに、プーリ２７には、アーム２８が接合されている。そして、アーム２８の終端部２８ａには、カセットケース１００に設けられた第１の回転軸１６が貫設され、カセットケース１００が第１の回転軸１６を中心に回転できるようになっている。

また、外フレーム２６の上面には、支持台２１を介してプーリ２３が設けられ、プーリ２３とプーリ２７との間には、回転ベルト２４が掛け渡されている。そして、プーリ２７には、支持台２１の裏側に設置されたモータ（不図示）によって、回転駆動を与えることができる。

さらに、基板表面処理装置２０２ｂの外フレーム２６には、プーリ４０が備えられ、プーリ４０は、プーリ２７と共に、外フレーム２６の回転主軸２６ａを中心に回転できるようになっている。

そして、カセットケース１００に設けられた第１の回転軸１６にもプーリ４１が貫設され、プーリ４１の回転によって、カセットケース１００が第１の回転軸１６を中心に回転できるようになっている。また、プーリ４０とプーリ４１との間には、回転ベルト４２が掛け渡されている。

尚、外フレーム２６のサイド及び下面は鍍金液が充分にカセットケース１００まで回り込むように広く開放されている。
鍍金槽３０内は、例えば、ＮｉＰ鍍金溶液３１で満され、ＮｉＰ鍍金溶液３１がノズル３２の開口部３２ａから鍍金槽３０の上方向に噴射できるようになっている。

そして、カセットケース１００内に収納されたウエハ基板１３全面がＮｉＰ鍍金溶液３１に浸されるように、ＮｉＰ鍍金溶液３１内に基板表面処理装置２０２ｂを浸漬する。そして、ノズル３２の開口部３２ａから鍍金溶液３１が噴射される。

そして、上述したモータによって、プーリ２３に回転駆動を与えれば、回転ベルト２４によって、プーリ２７を回転させることができ、アーム２８の終端部２８ａを外フレーム２６内で回転主軸２６ａを中心に旋回させることができる。このとき、プーリ４０は、プーリ２３と共に回転するので、回転ベルト４２によって掛け渡されたプーリ４１も共に回転する。従って、基板表面処理装置２０２ｂにおいては、カセットケース１００を、回転主軸２６ａを中心に旋回させながら、カセットケース１００を回転軸１６を中心に回転させることができる。

また、外フレーム２６の上面には、第２の回転軸２５が備えられている。この回転軸２５に、例えば、モータ等によって外部から横方向に回転駆動を与えれば、基板表面処理装置２０２ｂはＮｉＰ鍍金溶液３１の液面方向に回転し、同時にカセットケース１００に収納されたウエハ基板１３を公転させることができる。

尚、この図においては、一つのカセットケース１００を外フレーム２６に設置し、回転主軸２６ａを中心としたカセットケース１００の回転動作を説明するために、点線で描いた部分については、一時的にその部分にカセットケース１００が存在していたことを示している。

しかし、カセットケース１００については、一つに限る必要はなく、カセットケース１００同士が接触しない程度に複数のカセットケース１００を外フレーム２６にアーム２８を介して設置してもよい。これにより、より多くの枚数のウエハ基板１３を一度の処理で鍍金できるようになる。

このように、基板表面処理装置２０２ｂは、回転する手段において、基板表面処理装置２０２ｂの回転主軸２６ａにプーリ２７が設置され、プーリ２７から延出されたアーム２８の終端部２８ａに第１の回転軸１６が取り付けられ、アーム２８を回転主軸２６ａを中心に回転させることにより、ＮｉＰ鍍金溶液３１中においてウエハ基板１３を旋回させることができる。

また、基板表面処理装置２０２ｂでは、回転主軸２６ａに設置されたプーリ４０と、第１の回転軸１６に設置されたプーリ４１との間に、回転ベルト４２が掛け渡されている。そして、アーム２８を回転主軸２６ａを中心に回転させることにより、ＮｉＰ鍍金溶液３１中においてウエハ基板１３を自転させながら旋回させることができる。

このような基板表面処理装置２０２ｂによれば、無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成し、且つ鍍金中に被鍍金ウエハに対するダメージを抑えることができる。そして、鍍金とその前後の処理を一括して行うことができる。

図９は基板表面処理装置の変形例を説明する要部図である。この図では、図１乃至図３、図５乃至図８と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
この実施の形態では、籠状の外フレーム５０の底に、例えば台形状の支持板５０ａが設けられ、支持板５０ａの上部にＵ字状の軸受部５０ｂが形成されている。そして、第１の回転軸１６が軸受部５０ｂの内部に載置され、カセットケース１０１が外フレーム５０から容易に脱着可能にできる構造になっている。そして、カセットケース１０１全体が外フレーム５０内に格納されている。また、外フレーム５０のサイド及び下面５０ｃは鍍金液が充分にカセットケース１０１まで回り込むように広く開放されている。

そして、鍍金槽３０内を、例えばＮｉＰ鍍金溶液３１で満し、ＮｉＰ鍍金溶液３１をノズル３２の開口部３２ａから鍍金槽３０の上方向に噴射できるようにする。
そして、ウエハ基板１３がカセットケース１０１内に収納された基板表面処理装置２０３をウエハ基板１３全面がＮｉＰ鍍金溶液３１に浸されるように、ＮｉＰ鍍金溶液３１内に浸漬する。

そして、ノズル３２の開口部３２ａから鍍金溶液３１が噴射されると、鍍金溶液３１の液流が鍍金槽３０の上方に向かい、カセットケース１０１に設けた羽根部１７ｂに力を与える。そして、羽根部１７ｂに力が与えられると、回転軸１６を中心にカセットケース１０１が回転し、ウエハ基板１３はその面内方向で自転する。

また、外フレーム５０の上方には、第２の回転軸２５が備えられている。この回転軸２５に、例えば、モータ等によって外部から横方向に回転駆動を与えれば、基板表面処理装置２０３はＮｉＰ鍍金溶液３１の液面方向に回転し、同時にカセットケース１０１に収納されたウエハ基板１３を公転させることができる。

このように、基板表面処理装置２０３は、回転する手段において、支持冶具１７に羽根部１７ｂが設けられ、ＮｉＰ鍍金溶液３１中の液流によりウエハ基板１３がＮｉＰ鍍金溶液３１中でウエハ基板１３面内で自転することができる。

このような基板表面処理装置２０３によれば、無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成し、且つ鍍金中に被鍍金ウエハに対するダメージを抑えることができる。そして、鍍金とその前後の処理を一括して行うことができる。また、カセットケース１０１を外フレーム５０から容易に脱着でき、作業手間を省くことができる。

続いて、支持板である上記の円板１０ａ，１０ｂの変形例について説明する。
図１０は円板の変形例を説明する要部図である。この図では、図１乃至図３、図５乃至図９と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。

上述したように、円板１０ｃは、支持冶具１２を支持する支持板である。そして、複数の円板１０ｃが貫通部１１ｃ，１１ｄに嵌設される支持冶具１２によって並列に固定される。

支持冶具１２と円板１０ｃとを嵌設する嵌合部、即ち貫通部１１ｃ，１１ｄについては、それぞれが複数形成され、それぞれが円板１０ｃの回転軸芯からの距離を変えて、円板１０ｃの外周に向かい等距離となる位置に設置されている。その形状は、例えば角状とし、円板１０ｃを貫通させた穴口としている。

そして、支持冶具１２を嵌合させる場所を変えることで、直径の異なるウエハ基板を支持冶具１２を用いて支持することができる。
尚、この図では、貫通部１１ｃ，１１ｄがそれぞれ４個形成され、４個の支持冶具１２が円板１０ｃに固定されることになるが、貫通部１１ｃ，１１ｄの数については特にこの数に限定されない。安定してウエハ基板を支持するためには、これ以外の数の貫通部１１ｃ，１１ｄを円板１０ｃに形成させてもよい。

また、貫通部１１ｃ，１１ｄは、円板１０ｃを貫通させる必要はなく、支持冶具１２の凸部１２ｂと貫通部１１ｃ，１１ｄとが嵌合できる程度の凹部であってもよい。
このように支持冶具１２を支持する支持板としての円板１０ｃの回転軸芯から等距離となる箇所に複数の嵌合部、例えば貫通部１１ｃ，１１ｄが形成され、貫通部１１ｃ，１１ｄに、支持冶具１２の端を嵌合し、支持冶具１２に形成されている溝に複数のウエハ基板を並列に支持することができる。

このような円板１０ｃを用いた基板表面処理装置によれば、無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成し、且つ鍍金中に被鍍金ウエハに対するダメージを抑えることができる。また、鍍金とその前後の処理を一括して行うことができる。

図１１は円板の変形例を説明する要部図である。
上述したように、円板１０ｄは、図１に示す支持冶具１２を支持する支持板である。そして、複数の円板１０ｄがスリット１１ｅに嵌設される支持冶具１２によって並列に固定される。

支持冶具１２と円板１０ｄとを嵌設する嵌合部、即ちスリット１１ｅについては複数形成されている。
そして、この円板１０ｄでは、スリット１１ｅの中心線が円板１０ｄの直径方向上にあるのではなく、当該中心線と直径方向とが所定の角度θを有して、円板１０ｄの外周に形成されている。

尚、この図では、それぞれが４個のスリット１１ｅを設け、４個の支持冶具１２が円板１０ｄに固定されるが、スリット１１ｅを形成する数については特にこの数に限定されない。安定してウエハ基板を支持するために、これ以外の数のスリット１１ｅを円板１０ｄに形成させてもよい。

また、長さの異なる複数のスリットを円板１０ｄの外周に形成させることにより、直径の異なるウエハ基板を円板１０ｄと支持冶具を具備したカセットケースによって支持することができる。

このように支持冶具を支持する支持板としての円板１０ｄの回転軸芯から等距離となる箇所に複数の嵌合部、例えばスリット１１ｅが形成され、スリット１１ｅに、支持冶具の端を嵌合し、支持冶具に形成されている溝に複数のウエハ基板を並列に支持することができる。

このような円板１０ｄを用いた基板表面処理装置によれば、無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成し、且つ鍍金中に被鍍金ウエハに対するダメージを抑えることができる。また、鍍金とその前後の処理を一括して行うことができる。

図１２はカセットケースの変形例を説明する要部図であり、（Ａ）は要部正面図であり、（Ｂ）は要部側面図である。
カセットケース１０２は、２つの円板１０ｅ，１０ｆと、支持冶具１２と、円板１０ｅ，１０ｆに直接設置された羽根部１０ｇと、を具備している。円板１０ｅ，１０ｆは、支持冶具１２を支持する支持板である。そして、円板１０ｅ，１０ｆは、支持冶具１２によって嵌設され、並列に固定される。ここで、支持冶具１２を嵌設する方法は、上記スリットに嵌設する方法でもよく、上記貫通部または上記凹部に嵌設する方法でもよい（図示せず）。

ここで、カセットケース１０２では、上述したように、円板１０ｅ，１０ｆの側面に、例えば、歪曲した羽根部１０ｇが直接備えられている。
このようなカセットケース１０２を収納した基板表面処理装置を図３に示すＮｉＰ鍍金溶液３１に浸漬すれば、ノズル３２の開口部３２ａから鍍金溶液３１が噴射され、その液流によって、羽根部１０ｇに力が与えられ、カセットケース１０２が回転し、ウエハ基板はその面内方向で自転する。

尚、この図では、一つの円板に４個の羽根部１０ｇを設けているが、その数については特にこの数に限定されない。安定してウエハ基板を自転させるために、この数以外の羽根部１０ｇをそれぞれの円板１０ｅ，１０ｆに形成させてもよい。

このようなカセットケース１０２を用いた基板表面処理装置によれば、無電解鍍金で均一な鍍金膜を形成し、且つ鍍金中に被鍍金ウエハに対するダメージを抑えることができる。また、鍍金とその前後の処理を一括して行うことができる。

カセットケースの要部図であり、（Ａ）は要部正面図であり、（Ｂ）は要部側面図である。 基板表面処理装置の要部図であり、（Ａ）は要部正面図であり、（Ｂ）は要部側面図である。 鍍金の方法を説明する要部図であり、（Ａ）は回転機構を備えていない基板表面処理装置を用いた場合の鍍金方法を説明する図であり、（Ｂ）は回転機構を備えている基板表面処理装置を用いた場合の鍍金方法を説明する図である。 ＮｉＰ膜の膜厚のヒストグラムを説明する図であり、（Ａ）は回転機構を備えていない基板表面処理装置を用いた場合のＮｉＰ膜の膜厚のヒストグラムを説明する図であり、（Ｂ）は回転機構を備えている基板表面処理装置を用いた場合のＮｉＰ膜の膜厚のヒストグラムを説明する図である。 カセットケースの変形例を説明する要部図であり、（Ａ）は要部正面図であり、（Ｂ）は要部側面図である。 羽根部が設けられたカセットケースを用いての鍍金の方法を説明する要部図である。 基板表面処理装置の変形例を説明する要部図である（その１）。 基板表面処理装置の変形例を説明する要部図である（その２）。 基板表面処理装置の変形例を説明する要部図である（その３）。 円板の変形例を説明する要部図である（その１）。 円板の変形例を説明する要部図である（その２）。 カセットケースの変形例を説明する要部図であり、（Ａ）は要部正面図であり、（Ｂ）は要部側面図である。

符号の説明

１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ 円板
１０ｇ，１７ｂ 羽根部
１１ａ，１１ｂ，１１ｅ スリット
１１ｃ，１１ｄ 貫通部
１２，１７ 支持冶具
１２ａ，１７ａ 溝部
１２ｂ 凸部
１３ ウエハ基板
１４，２３，２７，４０，４１ プーリ
１５，２１ 支持台
１６，２２ａ，２５ 回転軸
２０，２６，５０ 外フレーム
２０ａ，５０ｃ 下面
２０ｂ 上面
２２ モータ
２４，４２ 回転ベルト
２６ａ 回転主軸
２８ アーム
２８ａ 終端部
３０ 鍍金槽
３１ ＮｉＰ鍍金溶液
３２ ノズル
３２ａ 開口部
３３，１００，１０１，１０２ カセットケース
５０ａ 支持板
５０ｂ 軸受部
２００，２０１ａ，２０１ｂ，２０２ａ，２０２ｂ，２０３ 基板表面処理装置

Claims (16)

1. 基板の表面を溶液中で処理する基板表面処理装置において、
   回転軸芯から等距離となる箇所に複数の嵌合部が形成された、前記基板を支持する支持板と、前記基板の周囲に配置され、端部が前記嵌合部に嵌合して前記基板を支持する支持冶具と、を有する支持手段と、
   前記支持冶具によって支持された前記基板を前記溶液中で回転する回転手段と、
   を備え、
   前記嵌合部は、前記回転軸芯から第１の距離となる箇所に形成された複数の第１の嵌合部と、前記回転軸芯からの距離が前記第１の距離とは異なる第２の距離となる箇所に形成された複数の第２の嵌合部とを少なくとも有することを特徴とする基板表面処理装置。
2. 前記嵌合部は、前記回転軸芯からの距離が前記第１の距離並びに前記第２の距離とは異なる距離となる箇所に複数の他の嵌合部をさらに有することを特徴とする請求項１記載の基板表面処理装置。
3. 前記基板の直径に応じて、前記支持冶具の端部が嵌合する前記嵌合部を変えて、直径の異なる基板を支持できることを特徴とする請求項１または２に記載の基板表面処理装置。
4. 前記基板表面処理装置の材質が不導体であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板表面処理装置。
5. 前記嵌合部は、前記支持板の外周から、前記回転軸芯から等距離となる位置まで前記支持板に形成されたスリットであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板表面処理装置。
6. 前記嵌合部は、前記支持板に設置された貫通部または凹部であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板表面処理装置。
7. 前記回転手段においては、前記溶液中で前記基板が前記基板面内で自転することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板表面処理装置。
8. 前記回転手段においては、前記溶液中で前記基板が前記溶液の液面方向に公転することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板表面処理装置。
9. 前記回転手段においては、前記支持冶具または前記支持板に羽根部が設けられ、前記溶液中の液流により前記基板が前記溶液中で前記基板面内で自転することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板表面処理装置。
10. 前記支持板の回転軸が軸受部に載置されていることを特徴とする請求項９記載の基板表面処理装置。
11. 前記回転手段においては、前記基板表面処理装置の回転主軸にプーリが設置され、前記プーリから延出されたアームの終端に前記支持板の回転軸が取り付けられ、前記アームを前記回転主軸を中心に回転させることにより、前記溶液中において前記基板が自転しながら旋回することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板表面処理装置。
12. 前記回転手段においては、前記基板表面処理装置の回転主軸に第１のプーリが設置され、前記第１のプーリから延出されたアームの終端に前記支持板の回転軸が取り付けられ、前記第１のプーリと、前記支持板の回転軸に設置された第２のプーリとに、ベルトが掛け渡され、前記アームを前記回転主軸を中心に回転させることにより、前記溶液中において前記基板が自転しながら旋回することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板表面処理装置。
13. 基板表面処理は、無電解鍍金、湿式エッチング、薬液洗浄、水洗、湯洗の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の基板表面処理装置。
14. 基板の表面を溶液中で処理する基板表面処理方法において、
    回転軸芯から等距離となる箇所に複数の嵌合部が形成された支持板と、前記基板の周囲に配置され、端部が前記嵌合部に嵌合して前記基板を支持する支持冶具と、を有する支持手段と、
    前記支持冶具によって支持された前記基板を前記溶液中で回転する回転手段と、
    前記嵌合部は、前記回転軸芯から第１の距離となる箇所に形成された複数の第１の嵌合部と、前記回転軸芯からの距離が前記第１の距離とは異なる第２の距離となる箇所に形成された複数の第２の嵌合部とを少なくとも有する基板表面処理装置を用いて、
    前記基板の表面処理をすることを特徴とする基板表面処理方法。
15. 前記基板の直径に応じて、前記支持冶具の端部を嵌合する前記嵌合部を変えて、直径の異なる基板を支持できることを特徴とする請求項１４記載の基板表面処理方法。
16. 前記基板を前記基板表面処理装置に嵌装したまま、薬液洗浄、湿式エッチング、無電解鍍金、水洗、湯洗の各処理のうち、少なくとも２つの処理を連続して行うことを特徴とする請求項１４または１５に記載の基板表面処理方法。

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