KR20130142936A - Method for forming circuit of printed wiring board, thermosetting resin composition, and printed wiring board - Google Patents

Method for forming circuit of printed wiring board, thermosetting resin composition, and printed wiring board Download PDF

Info

Publication number
KR20130142936A
KR20130142936A KR1020130069484A KR20130069484A KR20130142936A KR 20130142936 A KR20130142936 A KR 20130142936A KR 1020130069484 A KR1020130069484 A KR 1020130069484A KR 20130069484 A KR20130069484 A KR 20130069484A KR 20130142936 A KR20130142936 A KR 20130142936A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
printed wiring
wiring board
resin layer
circuit
recess structure
Prior art date
Application number
KR1020130069484A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
아유무 시마미야
다께노리 가꾸따니
가쯔또 무라따
Original Assignee
다이요 홀딩스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이요 홀딩스 가부시키가이샤 filed Critical 다이요 홀딩스 가부시키가이샤
Publication of KR20130142936A publication Critical patent/KR20130142936A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/384Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/115Via connections; Lands around holes or via connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0032Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
    • H05K3/0038Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material combined with laser drilling through a metal layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1275Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by other printing techniques, e.g. letterpress printing, intaglio printing, lithographic printing, offset printing
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating

Abstract

A method for forming a circuit of a printed wiring board, thermosetting resin composition, and a printed wiring board are provided, which is capable of forming a fine circuit without a need of a plating pre-processing process and a grinding process of metal excessively formed by a plating film or a conductive coating film and improving the processability of an insulating resin layer by laser irradiation or adhesion properties between the insulating resin layer and a circuit film. A method for forming a circuit of a printed wiring board comprises the steps of: a recess structure forming process for forming a recess structure by removing an insulating resin layer with the irradiation of ultraviolet laser with a pulse width of nanosecond for the insulating resin layer having ultraviolet absorption properties on a metal-clad laminate; and a disperse applying process for applying, by an inkjet method, disperse including metal nanoparticles to the inside of the recess structure formed by the recess structure forming process.

Description

프린트 배선판의 회로 형성 방법, 열경화성 수지 조성물 및 프린트 배선판{METHOD FOR FORMING CIRCUIT OF PRINTED WIRING BOARD, THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, AND PRINTED WIRING BOARD}TECHNICAL FOR FORMING CIRCUIT OF PRINTED WIRING BOARD, THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, AND PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은, 환경 부하가 큰 도금 전처리 공정 및 도금막이나 도전성 도막 등의 과도하게 형성된 금속막의 연마 공정을 필요로 하지 않아 미세한 회로가 형성 가능하며, 레이저 조사에 의한 절연 수지층의 가공성이나, 절연 수지층과 접속 회로막 또는 배선막의 밀착성이 양호한, 프린트 배선판의 회로 형성 방법, 거기에 사용하는 열경화성 수지 조성물 및 프린트 배선판에 관한 것이다.The present invention does not require a plating pretreatment step with a large environmental load and a polishing step of an excessively formed metal film such as a plated film or a conductive coating film, so that a fine circuit can be formed, and the workability of the insulating resin layer by laser irradiation and insulation It relates to a circuit forming method of a printed wiring board, a thermosetting resin composition used therein, and a printed wiring board having good adhesion between the resin layer and the connection circuit film or the wiring film.

일반적으로, 프린트 배선판의 회로 형성 방법으로서, 서브 트랙티브법, 풀 에디티브법이나 세미 에디티브법이 있다.Generally, as a circuit formation method of a printed wiring board, there are a subtractive method, a full additive method, and a semi-additive method.

서브 트랙티브법은, 레지스트 너머로 금속박을 에칭하여 회로를 형성하는 제법이다. 그러나, 회로 형성을 에칭액에 의해 제어하기 때문에, 미세 회로의 형성에는 적합하지 않다. 한편, 풀 에디티브법이나 세미 에디티브법은, 무전해 도금에 의해 회로를 형성하는 제법이지만, 이들 회로 형성 방법에서는, 조면화 처리를 실시한 절연 수지층의 요철의 영향에 의해 회로부의 접속 불량이나 단선이 일어난다는 문제가 있어, 미세 회로의 형성에는 적합하지 않다.The subtractive method is a manufacturing method which forms a circuit by etching a metal foil over a resist. However, since circuit formation is controlled by etching liquid, it is not suitable for formation of a fine circuit. On the other hand, the full additive method or the semi-additive method is a manufacturing method for forming a circuit by electroless plating. However, in these circuit forming methods, the connection of the circuit part is affected by the unevenness of the insulating resin layer subjected to the roughening treatment. There is a problem that disconnection occurs, which is not suitable for forming a fine circuit.

그 외, 최근의 프린트 배선판의 고밀도화·미세화의 요구에 따를 수 있는 미세 회로 형성 방법으로서, 특허문헌 1 및 2에 기재된 바와 같은, 레이저 등을 사용하여 기재 표면에 트렌치나 비아 홀을 형성한 후, 무전해 도금 및 전해 도금을 사용하여 트렌치나 비아 홀 내부에 미세 회로를 형성하는 방법이 제안되어 있다.In addition, as a fine circuit forming method that can comply with the recent demand for higher density and finer printed wiring boards, after the formation of trenches or via holes on the substrate surface using a laser or the like as described in Patent Documents 1 and 2, A method of forming a microcircuit inside a trench or via hole using electroless plating and electrolytic plating has been proposed.

또한, 트렌치나 비아 홀 내부에 미세 회로를 형성하는 방법으로서, 특허문헌 3 내지 5에 기재된 바와 같은, 도금 전처리 공정을 거친 후, 잉크젯법을 사용하여 트렌치나 비아 홀 내부에 촉매층 또는 도금핵이라고 불리는 금속층을 형성한 후, 무전해 도금을 사용하여 미세 회로를 형성하는 방법이 제안되어 있다.Moreover, as a method of forming a microcircuit inside a trench or via hole, after passing through a plating pretreatment process as described in patent documents 3-5, it is called a catalyst layer or a plating nucleus inside a trench or via hole using the inkjet method. After forming a metal layer, the method of forming a microcircuit using electroless plating is proposed.

또한, 특허문헌 6에는, 잉크젯법을 사용하여 트렌치나 비아 홀 내부에 도전성 페이스트를 충전하여, 미세 회로를 형성하는 방법이 개시되어 있다.In addition, Patent Document 6 discloses a method of forming a fine circuit by filling a conductive paste into a trench or via hole inside using an inkjet method.

또한, 도 2 및 도 3은 종래의 회로 형성 방법을 도시하는 모식도이다. 도 2는, 레이저 조사 후, 전처리제 또는 발수제(9)에 의해 무전해 도금의 전처리를 실시하고(도 2의 (c)), 촉매 핵(10)을 잉크젯법에 의해 도포하여 무전해 도금을 행하는 방법이다. 또한, 도 3에 기재된 방법에서는, 접속 회로막 또는 배선막 형성 후, 평탄화를 위해, 연마기(8)에 의해 연마가 행해진다.2 and 3 are schematic diagrams showing a conventional circuit forming method. Fig. 2 shows pretreatment of electroless plating with a pretreatment agent or a water repellent agent 9 after laser irradiation (Fig. 2 (c)), and the catalyst nucleus 10 is applied by an inkjet method to apply electroless plating. This is how to do it. In addition, in the method of FIG. 3, after forming a connection circuit film or a wiring film, grinding | polishing is performed by the grinding | polishing machine 8 for planarization.

여기서, 종래의 무전해 도금의 전처리란, 도금을 선택적으로 부착시키기 위한 공정, 또는 도금 부착에 적합한 상태로 하기 위한 공정을 가리킨다. 또한, 무전해 도금 전처리 공정에는, 디스미어 처리 공정은 포함되지 않는다.Here, the conventional pretreatment of electroless plating refers to the process for selectively attaching plating, or the process for making it suitable for plating adhesion. In addition, a desmear process is not included in an electroless plating pretreatment process.

일본 특허 공개 제2009-117415호 공보Japanese Patent Publication No. 2009-117415 미국 특허 제7312103호U.S. Patent # 7312103 일본 특허 공개 제2011-151172호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2011-151172 일본 특허 공개 제2009-81212호 공보Japanese Patent Publication No. 2009-81212 일본 특허 공개 제2010-21301호 공보Japanese Patent Publication No. 2010-21301 일본 특허 공개 제2004-152934호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2004-152934

그러나, 상기 특허문헌 1 및 2에 개시된 방법은, 모두 도금 공정 후의 과도하게 형성된 금속막을 제거하기 위해, CMP(Chemical Mechanical Polishing)법 등에 의한 연마 공정(평탄화 공정)을 별도로 마련할 필요가 있다.However, in the methods disclosed in Patent Documents 1 and 2 above, it is necessary to separately provide a polishing step (flattening step) by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method or the like in order to remove an excessively formed metal film after the plating step.

또한, 상기 특허문헌 3 내지 5에 개시된 방법은, 무전해 도금 처리를 실시하기 전에, 종래의 도금 전처리 공정을 거치거나, 도금층을 필요로 하지 않는 부분에 발수성 수지층 등의 소위 희생층을 형성하거나 해야 한다.In addition, before the electroless plating process is carried out, the method disclosed in the above Patent Documents 3 to 5 undergoes a conventional plating pretreatment step or forms a so-called sacrificial layer such as a water-repellent resin layer on a portion that does not require a plating layer, or Should be.

또한, 상기 특허문헌 6에 개시된 방법은, 트렌치나 비아 홀 내부에 도전성 페이스트를 충전 후, 과도하게 형성된 도전성 도막을 제거하기 위해, 버프 연마기나 벨트샌더를 사용한 연마 공정(평탄화 공정)을 별도로 마련할 필요가 있다. 이와 같이, 상기 특허문헌에서 제안한 방법은 모두 번잡한 공정을 거치기 때문에, 제조 비용이 높아진다는 문제가 있었다.In addition, the method disclosed in Patent Document 6 provides a polishing step (flattening step) using a buffing machine or a belt sander in order to remove the excessively formed conductive coating film after filling the conductive paste in the trench or via hole. There is a need. As described above, all of the methods proposed in the patent document go through a complicated process, resulting in a high manufacturing cost.

그 외에, 최근, 미세한 트렌치나 비아 홀을 형성할 때의 레이저 가공성, 및 도전 페이스트를 충전 후의 접속 회로막 또는 배선막과 절연 수지층과의 밀착성을 고려한 프린트 배선판의 회로 형성 방법, 열경화성 수지 조성물 및 프린트 배선판이 요구되고 있다.In addition, the circuit formation method of the printed wiring board which considered the laser workability at the time of forming a fine trench and a via hole recently, and the adhesiveness of the connection circuit film or wiring film after filling a electrically conductive paste, an insulating resin layer, a thermosetting resin composition, and Printed wiring boards are required.

따라서, 본 발명의 목적은, 도금 전처리 공정 및 도금막이나 도전성 도막 등의 과도하게 형성된 금속막의 연마 공정을 필요로 하지 않아 미세한 회로가 형성 가능하며, 레이저 조사에 의한 절연 수지층의 가공성이나, 절연 수지층과 접속 회로막 또는 배선막의 밀착성이 양호한, 프린트 배선판의 회로 형성 방법, 거기에 사용하는 열경화성 수지 조성물 및 프린트 배선판을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to eliminate the need for a plating pretreatment step and a polishing step of an excessively formed metal film such as a plated film or a conductive coating film, so that a fine circuit can be formed, and the workability of the insulating resin layer by laser irradiation or insulation It is providing the circuit formation method of a printed wiring board with a favorable adhesiveness of a resin layer, a connection circuit film, or a wiring film, the thermosetting resin composition used for it, and a printed wiring board.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토한 결과, 특정한 레이저를 사용하여 절연 수지층에 오목부 구조를 형성하고, 잉크젯법에 의해 오목부 내부에 금속 나노 입자를 포함하는 분산액을 도포하는 공정을 구비하는 방법으로 함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 또한, 특정한 열경화성 수지 조성물이 상기 방법에 적합한 것도 발견했다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining in order to solve the said subject, the process of forming a recess structure in the insulated resin layer using a specific laser, and apply | coating the dispersion liquid containing metal nanoparticle inside the recess by the inkjet method is carried out. By setting it as the method provided, it discovered that the said subject could be solved, and came to complete this invention. It has also been found that certain thermosetting resin compositions are suitable for this method.

즉, 본 발명의 프린트 배선판의 회로 형성 방법은, 금속장 적층판 상의, 자외선 흡수성을 갖는 절연 수지층에 대하여, 펄스폭이 나노초 오더인 자외선 레이저를 조사함으로써 절연 수지층을 제거하여 오목부 구조를 형성하는 오목부 구조 형성 공정과, 상기 오목부 구조 형성 공정에 의해 형성된 오목부 구조 내부에, 잉크젯법에 의해 금속 나노 입자를 포함하는 분산액을 도포하는 분산액 도포 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.That is, the circuit formation method of the printed wiring board of this invention removes an insulated resin layer by irradiating the ultraviolet laser of a pulse width of nanosecond order with respect to the insulated resin layer which has ultraviolet absorbance on a metal-clad laminate, and forms a recess structure. And a dispersion liquid coating step of applying a dispersion liquid containing metal nanoparticles by an inkjet method to the inside of the recess structure formed by the recess structure forming step.

본 발명의 프린트 배선판의 회로 형성 방법은, 상기 오목부 구조가 트렌치 및 비아 홀 중 어느 1종 이상인 것이 바람직하다.In the circuit formation method of the printed wiring board of this invention, it is preferable that the said recessed structure is any 1 or more types of a trench and a via hole.

또한, 본 발명의 프린트 배선판의 회로 형성 방법은, 상기 분산액 도포 공정에 있어서, 상기 분산액을 상기 오목부 구조 내부 전체에 충전하는 것이 바람직하다.Moreover, in the circuit formation method of the printed wiring board of this invention, it is preferable to fill the said whole liquid inside the said recessed structure in the said dispersion liquid application process.

또한, 본 발명의 프린트 배선판의 회로 형성 방법은, 상기 분산액 도포 공정 후에 무전해 도금 공정을 갖는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the circuit formation method of the printed wiring board of this invention has an electroless-plating process after the said dispersion liquid application | coating process.

본 발명의 프린트 배선판은, 상기 어느 하나의 프린트 배선판의 회로 형성 방법에 의해 얻어지는 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.The printed wiring board of this invention is equipped with the circuit obtained by the circuit formation method of any one of said printed wiring boards, It is characterized by the above-mentioned.

본 발명의 열경화성 수지 조성물은, 상기 어느 하나의 프린트 배선판의 회로 형성 방법에 있어서의 절연 수지층을 형성하기 위하여 사용되는 열경화성 수지 조성물이며, (A) 선상 구조를 갖는 폴리이미드 수지, (B) 다환 방향족 탄화수소환을 갖는 에폭시 수지 및 (C) 자외선 흡수제 중 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.The thermosetting resin composition of this invention is a thermosetting resin composition used in order to form the insulated resin layer in the circuit formation method of any one of said printed wiring boards, (A) polyimide resin which has a linear structure, (B) polycyclic It is characterized by including any 1 or more types of epoxy resin which has aromatic hydrocarbon ring, and (C) ultraviolet absorber.

또한, 본 발명의 열경화성 수지 조성물에 있어서는, 상기 (B) 다환 방향족 탄화수소환을 갖는 에폭시 수지가 나프탈렌형 에폭시 수지 및 안트라센형 에폭시 수지 중 어느 1종 이상인 것이 바람직하다.Moreover, in the thermosetting resin composition of this invention, it is preferable that the epoxy resin which has the said (B) polycyclic aromatic hydrocarbon ring is any 1 or more types of a naphthalene type epoxy resin and an anthracene type epoxy resin.

본 발명에 의해, 도금 전처리 공정 및 도금막이나 도전성 도막에 의해 과도하게 형성된 금속의 연마 공정을 필요로 하지 않아 미세한 회로가 형성 가능하며, 레이저 조사에 의한 절연 수지층의 가공성이나, 절연 수지층과 접속 회로막 또는 배선막의 밀착성이 양호한, 프린트 배선판의 회로 형성 방법, 거기에 사용하는 열경화성 수지 조성물 및 프린트 배선판을 제공하는 것이 가능하게 된다.According to the present invention, a fine circuit can be formed without requiring the plating pretreatment step and the polishing step of the metal excessively formed by the plating film or the conductive coating film, and the processability of the insulating resin layer by laser irradiation, the insulating resin layer and It becomes possible to provide the circuit formation method of a printed wiring board in which the adhesiveness of a connection circuit film or a wiring film is favorable, the thermosetting resin composition used for it, and a printed wiring board.

도 1은 본 발명의 프린트 배선판의 회로 형성 방법의 적합한 예를 도시하는 모식도이다.
도 2는 종래의 프린트 배선판의 회로 형성 방법의 일례를 도시하는 모식도이다.
도 3은 종래의 프린트 배선판의 회로 형성 방법의 일례를 도시하는 모식도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows the suitable example of the circuit formation method of the printed wiring board of this invention.
It is a schematic diagram which shows an example of the circuit formation method of the conventional printed wiring board.
It is a schematic diagram which shows an example of the circuit formation method of the conventional printed wiring board.

본 발명의 프린트 배선판의 회로 형성 방법은, 오목부 구조 형성 공정과, 분산액 도포 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다. 본 발명의 프린트 배선판의 회로 형성 방법의 적합한 일 형태를, 도 1을 사용하여 설명한다. 즉, 레이저의 조사(도 1의 (a))에 의해, 트렌치(2A)나 비아 홀(2B)이라고 한 오목부 구조를 형성하고(도 1의 (b)), 잉크젯법에 의해 금속 나노 입자를 함유하는 분산액을 도포한다((c11) 또는 (c21)). 오목부 구조의 일부에 상기 분산액을 도포하는 경우는, 바람직하게는 무전해 도금에 의해 금속을 적층하여, 오목부 구조 내부를 충전 또는 피복한다(도 1의 (c22)).The circuit formation method of the printed wiring board of this invention comprises a recess structure formation process and a dispersion liquid application process, It is characterized by the above-mentioned. One suitable form of the circuit formation method of the printed wiring board of this invention is demonstrated using FIG. That is, by irradiating laser (FIG. 1 (a)), the recessed structure called trench 2A and via hole 2B is formed (FIG. 1 (b)), and the metal nanoparticle is formed by the inkjet method. The dispersion liquid containing (c11) or (c21) is apply | coated. When apply | coating the said dispersion liquid to a part of recess structure, Preferably, metal is laminated | stacked by electroless plating, and the inside of recess structure is filled or coated (FIG. 1 (c22)).

적합하게는, 분산액의 충전 후 또는 무전해 도금 후, 소성 처리를 실시함으로써, 금속 나노 입자를 결착시켜 접속 회로막 또는 배선막을 형성한다(도 1의 (d)). Suitably, after the dispersion is filled or after the electroless plating, the firing treatment is performed to bind the metal nanoparticles to form a connection circuit film or a wiring film (FIG. 1D).

그 후, 상기 접속 회로막 또는 배선막 상을 절연층에 의해 피복할 수도 있고(도 1의 (e)), 금 범프나 땜납 범프에 의해 접합할 수도 있다. 또한, 상기와 마찬가지의 공정을 반복함으로써 적층 구조를 형성할 수도 있다.Thereafter, the connection circuit film or the wiring film may be covered with an insulating layer (Fig. 1 (e)), or may be joined with gold bumps or solder bumps. Moreover, a laminated structure can also be formed by repeating the process similar to the above.

도 1의 (f)는, 본 발명의 방법에 의해 회로가 형성된 프린트 배선판을 상부로부터 본 모식도이다. 이하, 각 공정에 대하여 상세하게 설명한다.FIG.1 (f) is a schematic diagram which looked at the printed wiring board in which the circuit was formed by the method of this invention from the top. Hereinafter, each process is explained in full detail.

[오목부 구조 형성 공정] [Concave part structure formation process]

오목부 구조 형성 공정은, 금속장 적층판 상의, 자외선 흡수성을 갖는 절연 수지층에 대하여, 펄스폭이 나노초 오더인 자외선 레이저를 조사함으로써 절연 수지층을 제거하여 오목부 구조를 형성하는 공정이다. 즉, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 절연 수지층(1A)과 금속층(1B)을 갖는 금속장 적층판에 대하여, 절연 수지층(1A)의 상방으로부터 펄스폭이 나노초 오더인 자외선 레이저를 조사한다. 그에 의하면, 도 1의 (b)에 도시한 바와 같은 오목부 구조가 형성된다. 오목부는, 바람직하게는 트렌치(2A) 및 비아 홀(2B) 중 어느 1종 이상이다. 트렌치(2A)의 형성은, 상기 자외선 레이저의 조사부의 절연 수지층(1A)의 일부가 제거됨으로써 행해지고, 금속층(1B)이 노출되지는 않는다. 비아 홀(2B)은, 상기 자외선 레이저의 조사부의 절연 수지층(1A)의 전부가 제거되어, 금속층(1B)이 노출됨으로써 형성된다.A recess structure formation process is a process of removing an insulation resin layer and forming a recess structure by irradiating the ultraviolet laser of a pulse width of nanosecond order with respect to the insulation resin layer which has ultraviolet absorbency on a metal-clad laminated board. That is, as shown in Fig. 1A, with respect to the metal-clad laminate having the insulating resin layer 1A and the metal layer 1B, an ultraviolet laser whose pulse width is nanosecond order from above the insulating resin layer 1A. Investigate. As a result, a recess structure as shown in Fig. 1B is formed. The recess is preferably any one or more of the trenches 2A and the via holes 2B. The formation of the trench 2A is performed by removing a part of the insulating resin layer 1A of the irradiation section of the ultraviolet laser, and the metal layer 1B is not exposed. The via hole 2B is formed by removing all of the insulating resin layer 1A of the irradiated portion of the ultraviolet laser and exposing the metal layer 1B.

(자외선 레이저) (Ultraviolet laser)

상기 자외선 레이저는, 자외선 영역(파장 200nm부터 400nm까지를 가리킨다)을 발진 파장으로 하는 레이저이며, 본 발명에 있어서는, YLF 결정이 매체인 제3 고조파 레이저(351nm), YAG 또는 YVO4 결정이 매체인 제3 고조파 레이저(355nm)인 것이 특히 바람직하다.The ultraviolet laser is a laser having an oscillation wavelength in the ultraviolet region (the wavelength from 200 nm to 400 nm), and in the present invention, the third harmonic laser (351 nm), YAG or YVO 4 crystal, in which the YLF crystal is a medium, is a medium. It is especially preferable that it is a 3rd harmonic laser (355 nm).

상기 자외선 레이저의 조사 방법으로서는, 펄스(pulse) 조사와 연속 조사가 있지만, 펄스 조사가 오목부 구조 주연의 절연 수지층의 열팽창 및 균열 등의 손상이 더 적기 때문에, 본 발명에 있어서는 펄스 조사에 의한다. 또한, 펄스 조사의 반복 주파수는 1kHz 내지 500kHz까지가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10kHz 내지 100kHz이다.As the irradiation method of the above-mentioned ultraviolet laser, there are pulse irradiation and continuous irradiation, but since the pulse irradiation has less damage such as thermal expansion and cracking of the insulating resin layer around the recess structure, the present invention is based on pulse irradiation. All. In addition, the repetition frequency of pulse irradiation is preferably from 1 kHz to 500 kHz, more preferably from 10 kHz to 100 kHz.

1kHz 미만이면 레이저 가공에 장시간을 필요로 하기 때문에, 생산성의 저하로 이어질 수 있다. 한편, 500kHz를 초과하면, 나노초 레이저의 경우, 1펄스당 조사 시간이 짧아지기 때문에, 절연 수지층의 분해, 기화 및 축열이 일어나기 쉬워지므로, 절연 수지층을 제거한 후의 기재에 균열 등의 손상이 일어나는 경우가 있다. 또한, 자외선 레이저의 초점 위치는, 절연 수지층 표면이 바람직하다.If it is less than 1 kHz, since a long time is required for laser processing, it can lead to the fall of productivity. On the other hand, if it exceeds 500 kHz, in the case of nanosecond laser, the irradiation time per pulse is shortened, so that decomposition, vaporization, and heat storage of the insulating resin layer are likely to occur. There is a case. Moreover, as for the focal position of an ultraviolet laser, the surface of the insulated resin layer is preferable.

본 발명에 있어서, 자외선 레이저의 펄스폭은 나노초 오더이다. 나노초 오더의 펄스폭의 자외선 레이저를 사용함으로써, 형성된 오목부의 내표면이 적당한 표면 거칠기를 갖고, 앵커 효과에 의해, 절연 수지층과, 오목부 구조 내에 형성되는 배선막 내지 접속 회로막과의 사이에서 높은 밀착성이 얻어진다. 바람직한 펄스폭은 1 내지 100ns, 보다 바람직하게는 1 내지 50ns이다.In the present invention, the pulse width of the ultraviolet laser is in nanosecond order. By using an ultraviolet laser having a pulse width of nanosecond order, the inner surface of the formed recess has an appropriate surface roughness, and is formed between the insulating resin layer and the wiring film or connection circuit film formed in the recess structure by the anchor effect. High adhesiveness is obtained. Preferred pulse widths are 1 to 100 ns, more preferably 1 to 50 ns.

상기 자외선 레이저의 조사 에너지는 1펄스당 조사 에너지[μJ/pulse]로서 표시되고, 본 발명에 있어서는, 0.5μJ/pulse부터 50μJ/pulse까지가 바람직하고, 보다 바람직하게는, 1μJ/pulse 내지 10μJ/pulse이다. 조사 시에는 동일한 조사 에너지로 행하기로 한다. 0.5μJ/pulse 미만이면 절연 수지층이 대부분 제거되지 않기 때문에, 비아 홀 및 트렌치를 형성하기가 곤란해져 바람직하지 않다. 한편, 50μJ/pulse를 초과하면, 절연 수지층을 제거한 후의 기재에 대하여 균열 등의 손상을 일으키는 경우가 있다.The irradiation energy of the ultraviolet laser is expressed as irradiation energy [μJ / pulse] per pulse, and in the present invention, 0.5 μJ / pulse to 50 μJ / pulse is preferable, and more preferably 1 μJ / pulse to 10 μJ / pulse. In the case of irradiation, it shall be performed by the same irradiation energy. If the thickness is less than 0.5 µJ / pulse, since most of the insulating resin layer is not removed, it is difficult to form via holes and trenches, which is not preferable. On the other hand, when it exceeds 50 microJ / pulse, damage, such as a crack, may arise with respect to the base material after removing the insulating resin layer.

상기 자외선 레이저의 조사 횟수는, 원하는 오목부 구조를 형성할 수 있을 때까지 행할 필요가 있고, 조사 횟수는 절연 수지층의 막 두께에 비례한다. 구체적으로, 비아 홀을 형성하는 경우는, 막 두께가 10 내지 20㎛인 절연 수지층을 제거하고 금속층에 도달하는 데 필요한 레이저의 조사 횟수는, 1회 내지 50회가 바람직하다. 또한, 막 두께가 20 내지 30㎛인 절연 수지층을 제거하고, 금속층에 도달하는 비아 홀을 형성하는 데 필요한 레이저의 조사 횟수는, 1회 내지 100회가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10회 내지 80회이다. 조사 횟수가 지나치게 많으면, 절연 수지층을 제거한 후의 금속층에 대하여 균열이나 제거 등의 손상을 일으키는 경우가 있다. 마찬가지로, 트렌치를 형성하는 경우는, 임의의 가공 이송 속도 및 조사 스폿수로 이동하면서 레이저를 조사한다. 또한, 트렌치를 형성하는 경우는, 절연 수지층의 일부가 제거됨으로써 행해지기 때문에, 비아 홀을 형성하는 경우의 막 두께 10 내지 20㎛, 또는 20 내지 30㎛에 미치지 않는 두께를 제거한다.The number of irradiation of the ultraviolet laser needs to be performed until the desired concave structure can be formed, and the number of irradiation is proportional to the film thickness of the insulating resin layer. Specifically, in the case of forming the via hole, the number of times of irradiation of the laser required to remove the insulating resin layer having a film thickness of 10 to 20 µm and reach the metal layer is preferably 1 to 50 times. Further, the number of times of laser irradiation required to remove the insulating resin layer having a film thickness of 20 to 30 µm and form a via hole reaching the metal layer is preferably 1 to 100 times, more preferably 10 to 80 times. When too many irradiation times, the metal layer after removing the insulation resin layer may cause damage, such as a crack and removal. Similarly, when forming a trench, a laser is irradiated, moving at arbitrary processing feed rates and the number of irradiation spots. In addition, when forming a trench, since a part of insulation resin layer is removed, the thickness which is less than 10-20 micrometers or 20-30 micrometers in the case of forming a via hole is removed.

상기 자외선 레이저에 의해 형성되는 오목부 구조의 형상은, 비아 홀의 경우에는, 절연 수지층 표면의 직경 D와 금속층 표면(비아 홀 저면)의 직경 d의 비율, 즉, 식(d/D)×100[%]로 표시한다. 또한, 트렌치의 경우에는, 절연 수지층 표면의 폭 d' 및 절연 수지층 저면(트렌치 저면)의 폭 D'의 비율로 마찬가지로 표시한다. 본 발명에 있어서는, 비아 홀 및 트렌치 모두 50% 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 70% 이상이다. 50% 미만이면 비아 홀 저면이나 트렌치 저면이 지나치게 가늘어, 땜납이나 금속 도금의 밀착 불량의 문제가 일어날 수 있다. 또한, 100%를 초과하면 비아 홀, 트렌치가 역테이퍼 형상으로 되기 때문에, 바람직하지 않다.The shape of the recess structure formed by the ultraviolet laser is, in the case of the via hole, the ratio of the diameter D of the insulating resin layer surface to the diameter d of the metal layer surface (via hole bottom surface), that is, equation (d / D) × 100 It is expressed by [%]. In the case of the trench, the width d 'of the surface of the insulated resin layer and the width D' of the bottom of the insulated resin layer (the trench bottom) are similarly displayed. In the present invention, both the via hole and the trench are preferably 50% or more, and more preferably 70% or more. If it is less than 50%, the bottom of the via hole or the bottom of the trench may be too thin, which may cause a problem of poor adhesion between solder and metal plating. If the content exceeds 100%, the via hole and the trench become an inverted taper shape, which is not preferable.

또한, 상기 자외선 레이저에 의해 형성되는 비아 홀의 직경 및 트렌치의 폭은, 절연 수지층 표면의 직경 D에 있어서, 10㎛ 내지 70㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10㎛ 내지 45㎛이다. 자외선 레이저를 사용함으로써, 예를 들어 범용으로 사용되는 탄산 가스 레이저 및 그것에 사용하는 조성물에서는 대응할 수 없는, 협피치 회로 배선에 대응한 프린트 배선판을 제공할 수 있다.The diameter of the via hole and the width of the trench formed by the ultraviolet laser are preferably 10 µm to 70 µm, more preferably 10 µm to 45 µm, in diameter D of the surface of the insulating resin layer. By using an ultraviolet laser, the printed wiring board corresponding to the narrow-pitch circuit wiring which cannot cope with the carbon dioxide laser used universally and the composition used for it, for example can be provided.

상기 자외선 레이저 조사 후, 자외선 레이저 가공 후의 가공 잔사 등의 잔류 성분을 분해 제거할 목적으로 디스미어 처리를 행할 수도 있다. 디스미어 처리는, 공지의 방법을 모두 채용할 수 있으며, 예를 들어 진공 하에서의 플라즈마 발생 장치를 사용한 드라이 디스미어법이나, 과망간산염 용액 등의 디스미어 처리의 약액을 사용한 웨트 디스미어법을 들 수 있다.After the said ultraviolet laser irradiation, a desmear process can also be performed in order to decompose | disassemble and remove residual components, such as a processing residue after ultraviolet laser processing. The desmear process can employ | adopt all well-known methods, For example, the dry desmear method using the plasma generation apparatus under vacuum, and the wet desmear method using the chemical solution of desmear processes, such as a permanganate solution, are mentioned. have.

(금속장 적층판) (Metal sheet laminate)

상기 금속장 적층판은, 예를 들어 도 1의 (a)의 1로 나타낸 바와 같이, 금속층 상에 절연 수지층이 형성된 구조를 갖는다. 금속층은, 기재 표면 상에 구리, 은 등의 도체에 의해 배선 패턴이 형성되어 이루어지는 것이며, 바람직하게는 구리 피복 적층판이다.The said metal-clad laminated board has a structure in which the insulated resin layer was formed on the metal layer, for example as shown to 1 of FIG. The wiring layer is formed of the metal layer by the conductors, such as copper and silver, on a base material surface, Preferably it is a copper clad laminated board.

상기 금속층의 기재는, 프린트 배선판에 사용되는 기재이면 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 재료로서, 종이 페놀, 종이 에폭시, 유리 천 에폭시, 유리 폴리이미드, 유리 천/부직포 에폭시, 유리 천/종이 에폭시, 합성 섬유 에폭시, 아라미드 에폭시, 폴리이미드 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 비스말레이미드-트리아진 수지, 폴리에테르이미드 수지, 불소·폴리에틸렌·PPO·시아네이트에스테르 등을 사용한 것이나, 유리 기재, 세라믹 기재, 웨이퍼판을 들 수 있다.The base material of the said metal layer is not specifically limited if it is a base material used for a printed wiring board, For example, As a material, As a material, Paper phenol, Paper epoxy, Glass cloth epoxy, Glass polyimide, Glass cloth / nonwoven fabric epoxy, Glass cloth / paper epoxy, Synthetic fiber epoxy, aramid epoxy, polyimide resin, polyphenylene ether resin, bismaleimide-triazine resin, polyetherimide resin, fluorine, polyethylene, PPO, cyanate ester and the like, glass substrate, ceramic substrate, Wafer plate is mentioned.

(절연 수지층) (Insulation resin layer)

상기 절연 수지층은, 자외선 흡수성을 갖는 절연성 수지 조성물에 의해 구성된다. 자외선 흡수성을 가짐으로써, 자외선 레이저에 의해 적합하게 제거되어, 오목부 구조를 형성할 수 있다. 절연 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물은 자외선 흡수성 및 절연성을 가지면 어느 것이든 좋지만, 하기한 바와 같은 본 발명의 열경화성 수지 조성물이 특히 바람직하다.The said insulating resin layer is comprised by the insulating resin composition which has ultraviolet absorbency. By having ultraviolet absorbency, it can remove suitably by an ultraviolet laser and can form a recessed structure. Although the resin composition for forming an insulated resin layer may have ultraviolet absorbency and insulation, any of the thermosetting resin compositions of this invention as mentioned below is especially preferable.

[분산액 도포 공정] [Dispersion application step]

분산액 도포 공정은, 금속 나노 입자를 함유하는 분산액을 잉크젯법에 의해, 상기 오목부 구조 내부에 도포하는 공정이다. 도 1의 (c11)에 도시한 바와 같이, 오목부 구조 내 전체를 분산액으로 충전할 수도 있고, 도 1의 (c21)에 도시한 바와 같이, 오목부 구조 내의 일부, 바람직하게는 저부에 분산액을 도포할 수도 있다. 잉크젯법은, 피에조 방식, 버블 방식 중 어느 하나일 수도 있고, 도 1의 5에 도시한 바와 같은 토출 헤드를 구비한 액적 토출 장치를 사용하여 행한다. 잉크젯 방식의 액적 토출 장치는, 액적(분산액)을 토출하는 토출 노즐을 구비하는 토출 헤드(5)와 상기 금속장 적층판을 상대 이동시킴으로써, 토출 헤드(5)를 원하는 오목부 구조 상에 고정밀도로 위치시켜, 일정량의 액적(금속 나노 입자를 포함하는 분산액 3)을 토출하여, 오목부 구조 내에 착탄시킨다. 이에 의해, 임의의 위치에 분산액을 원하는 양만큼 도포할 수 있다. 원하는 양이란, 레이저를 조사하여 생긴 오목부 구조에 따라, 절연 수지층을 제거한 전체에 충전되는 양 또는 일부에 충전되는 양을 의미한다. 또한, 그 때의 금속 나노 입자를 포함하는 금속층(접속 회로막 또는 배선막)의 체적 저항값은 2 내지 100μΩ·㎝이다.A dispersion liquid application process is a process of apply | coating the dispersion liquid containing metal nanoparticle to the inside of the said recessed structure by the inkjet method. As shown in (c11) of FIG. 1, the whole inside of the recess structure may be filled with a dispersion liquid, and as shown in (c21) of FIG. You may apply it. The inkjet method may be either a piezo system or a bubble system, and is performed using a droplet ejection apparatus having a ejection head as shown in FIG. The inkjet droplet ejection apparatus relatively accurately positions the ejection head 5 on the desired concave structure by moving the ejection head 5 having the ejection nozzle ejecting droplets (dispersion liquid) and the metal-clad laminate. Then, a certain amount of droplets (dispersion liquid 3 containing metal nanoparticles) is discharged to reach the recess structure. As a result, the dispersion can be applied at any position by a desired amount. The desired amount means an amount to be filled in a whole or a part to be filled in the whole in which the insulated resin layer was removed according to the recessed structure formed by irradiating a laser. In addition, the volume resistance value of the metal layer (connection circuit film or wiring film) containing a metal nanoparticle at that time is 2-100 microohm * cm.

또한, 분산액의 도포 후, 건조하는 공정을 마련하고, 도포와 건조를 반복하여 분산액을 충전할 수도 있다. 이러한 잉크젯 방식의 액적 토출 장치는, 공지의 것을 모두 사용할 수 있고, 또한, 시판되고 있는 장치를 사용할 수도 있다.Moreover, after apply | coating a dispersion liquid, the process of drying can be provided, and a dispersion liquid can also be filled by repeating application | coating and drying. As the inkjet droplet discharging device, all of known ones can be used, and a commercially available device can also be used.

잉크젯법에 의해 금속 나노 입자를 포함하는 분산액을 도포하기 위해, 무전해 도금이나 촉매를 에칭 제거할 필요가 없어, 도금 레지스트의 사용을 생략하는 것이 가능하게 된다.In order to apply the dispersion liquid containing a metal nanoparticle by the inkjet method, it is not necessary to etch away electroless plating and a catalyst, and it becomes possible to omit use of a plating resist.

(분산액) (Dispersion)

상기 분산액은, 금속 나노 입자를 용제 중에 분산시킨 것이다. 용제로서는, 예를 들어 물, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 글리콜에테르류, 글리콜에테르아세테이트류, 에스테르류, 알코올류, 폴리올류, 지방족 탄화수소, 석유계 용제 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류; 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 카르비톨, 메틸카르비톨, 부틸카르비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 디프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜부틸에테르아세테이트 등의 에스테르류; 에탄올, 프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부탄디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 2,3-부탄디올, 펜탄디올, 헥산디올, 옥탄디올이소보르닐헥산올, 테르피네올 등의 단환식 모노테르펜알코올 등의 알코올류; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소; 석유 에테르, 석유 나프타, 수소 첨가 석유 나프타, 솔벤트나프타 등의 석유계 용제 등을 들 수 있다. 이러한 용제는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수도 있다.The said dispersion liquid disperse | distributes metal nanoparticles in a solvent. Examples of the solvent include water, ketones, aromatic hydrocarbons, glycol ethers, glycol ether acetates, esters, alcohols, polyols, aliphatic hydrocarbons, petroleum solvents, and the like. More specifically, ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone; Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, and tetramethylbenzene; Cellosolve, methyl cellosolve, butyl cellosolve, carbitol, methyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether Glycol ethers such as these; Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate and propylene glycol butyl ether acetate; Stages such as ethanol, propanol, ethylene glycol, propylene glycol, butanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 2,3-butanediol, pentanediol, hexanediol, octanediol isobornylhexanol and terpineol Alcohols such as cyclic monoterpene alcohol; Aliphatic hydrocarbons such as octane and decane; Petroleum solvents such as petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha, solvent naphtha and the like. These solvents may be used alone, or may be used as a mixture of two or more thereof.

분산액에 포함되는 금속 나노 입자에 있어서의 금속으로서는, 예를 들어 금,은, 구리, 팔라듐, 텅스텐, 니켈, 탄탈, 비스무트, 납, 인듐, 주석, 티타늄, 알루미늄 등 외에, 그의 합금, 그의 산화물, 나아가 ITO(Indium Tin Oxide), 산화인듐 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도 구리, 은을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 금속 나노 입자의 표면을 시트르산나트륨이나 시트르산암모늄 등의 구연산염, 암모늄 이온, 제4 암모늄 화합물, 아민 등의 질소 화합물에 의해 처리한 것일 수도 있다.Examples of the metal in the metal nanoparticles included in the dispersion include gold, silver, copper, palladium, tungsten, nickel, tantalum, bismuth, lead, indium, tin, titanium, aluminum and the like, alloys thereof, oxides thereof, Furthermore, indium tin oxide (ITO), indium oxide, or the like can be used. Especially, it is preferable to use copper and silver. The surface of the metal nanoparticles may also be treated with citrate salts such as sodium citrate and ammonium citrate, nitrogen compounds such as ammonium ions, quaternary ammonium compounds and amines.

상기 금속 나노 입자(평균 입경이 nm 오더인 금속 입자)는, 1차 입자의 평균 입경이 5 내지 300nm인 것이 바람직하고, 10 내지 200nm인 것이 보다 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10 내지 100nm이다. 평균 입경은, TEM이나 SEM과 같은 전자 현미경에 의해 금속 입자를 관측하고 무작위로 추출한 100개의 금속 입자의 평균으로서 구할 수 있다. 금속 입자의 평균 입경이 상기 범위, 즉 나노 크기인 것에 의해, 분산액을 도포 내지 인쇄하여 소결하여 이루어지는 전극이나 배선의 표면 거칠기를 낮출 수 있을 뿐만 아니라, 소성 온도를 현저하게 내릴 수 있는 등, 통상의 입경(㎛ 오더)의 금속 입자와는 전혀 다른 성상을 나타낸다.It is preferable that the average particle diameter of a primary particle is 5-300 nm, It is more preferable that it is 10-200 nm, More preferably, the said metal nanoparticle (metal particle whose average particle diameter is nm order) is 10-100 nm. An average particle diameter can be calculated | required as an average of 100 metal particle | grains which observed the metal particle by the electron microscope like TEM and SEM and randomly extracted. When the average particle diameter of the metal particles is in the above range, i.e., nano size, the surface roughness of the electrode or wiring formed by coating or printing the dispersion and sintering can be lowered, and the firing temperature can be significantly lowered. It exhibits completely different properties from metal particles having a particle diameter (µm order).

금속 나노 입자의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 기상 합성법이나 액상 환원법 등, 어느 한 제조 방법일 수도 있다. 상기한 평균 입경을 갖는 은 입자의 시판품으로서는, DOWA 일렉트로닉스 가부시끼가이샤제의 은 나노 입자 건분-1, -2, -3, -4 등을 들 수 있다. 구리 나노 입자의 시판품으로서는, 가부시끼가이샤 이옥스사제의 구리 나노 입자 Cu-001 등을 들 수 있다.The manufacturing method of a metal nanoparticle is not specifically limited, For example, any manufacturing method, such as a vapor phase synthesis method or a liquid phase reduction method, may be sufficient. As a commercial item of the silver particle which has said average particle diameter, silver nanoparticle dry powder-1, -2, -3, -4 etc. made from DOWA Electronics Co., Ltd. are mentioned. As a commercial item of a copper nanoparticle, the copper nanoparticle Cu-001 etc. made by IOX Corporation are mentioned.

또한, 상기 분산액은, 금속 나노 입자로서 구리, 니켈, 팔라듐 등의 금속의 수소화물 미립자를 함유하는 것일 수도 있다. 수소화물 미립자는, 금속 원자와 수소 원자가 결합한 상태로 존재하기 때문에, 공기 분위기 하에서, 금속 그 자체의 미립자보다도 산화되기 어렵다. 금속의 수소화물 미립자는, 예를 들어 특허 제4747839호 기재의 방법에 의해 제조할 수 있다. 즉, 상기 금속의 수용성 화합물을 물에 용해하여, pH를 3 이하로 조정한 후, 아미노기, 아미드기, 술파닐기, 술판디일기, 히드록실기, 카르복실기, 카르보닐기 및 에테르형의 옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 관능기를 갖는 유기 화합물과 유기성 액체를 첨가하고, 교반하면서 환원제를 첨가하여 수용액 중의 금속 이온을 환원하는 방법에 의해 제조할 수 있다.Moreover, the said dispersion liquid may contain hydride microparticles | fine-particles of metals, such as copper, nickel, and palladium, as metal nanoparticle. Since hydride microparticles exist in the state which the metal atom and the hydrogen atom couple | bonded, it is harder to oxidize than the microparticles | fine-particles of metal itself in an air atmosphere. The metal hydride fine particles can be produced, for example, by the method described in Patent No. 4747839. That is, after dissolving the water-soluble compound of the metal in water and adjusting the pH to 3 or less, from the group consisting of amino group, amide group, sulfanyl group, sulfanediyl group, hydroxyl group, carboxyl group, carbonyl group and ether type oxy group It can manufacture by adding the organic compound and organic liquid which have one or more functional groups selected, and adding a reducing agent with stirring, and reducing the metal ion in aqueous solution.

상기 분산액 중의 금속 나노 입자의 농도는 1 내지 85질량%가 바람직하고, 10 내지 50 질량%가 보다 바람직하다. 또한, 분산액의 점도(25℃)는 0.5 내지 10000mPa·s가 바람직하고, 1 내지 100mPa·s가 보다 바람직하다. 점도는 예를 들어 콘 플레이트형 점도계에 의해 측정할 수 있다.1-85 mass% is preferable, and, as for the density | concentration of the metal nanoparticle in the said dispersion liquid, 10-50 mass% is more preferable. Moreover, 0.5-10000 mPa * s is preferable and, as for the viscosity (25 degreeC) of a dispersion liquid, 1-100 mPa * s is more preferable. The viscosity can be measured, for example, by a cone plate viscometer.

(무전해 도금 공정) (Electroless plating process)

본 발명의 방법에 있어서는, 상기 분산액 도포 공정에 있어서 오목부 구조의 일부에 분산액을 도포하는 경우, 도 1의 (c21), (c22)에 도시된 바와 같이, 무전해 도금에 의해 오목부 구조 내부를 금속으로 피복 또는 충전하는 것이 바람직하다. 상기한 바와 같이 잉크젯법에 의해 오목부 구조 내부에 도포된 금속 나노 입자를 포함하는 분산액을 건조하고, 용제를 제거한 후의 금속막이 무전해 도금의 촉매 핵 또는 개시점으로서 작용하여, 금속이 적층되어 간다. 무전해 도금으로서는, 무전해 구리 도금, 무전해 니켈 도금, 무전해 니켈-텅스텐 합금 도금, 무전해 주석 도금, 무전해 금 도금 등을 들 수 있고, 무전해 구리 도금이 바람직하다. 무전해 도금은 공지의 방법, 용액을 모두 채용할 수 있고, 특별히 한정되지는 않는다. 예를 들어, 무전해 구리 도금액으로서는, 황산구리, EDTA, 글리옥실산, 수산화나트륨을 함유하고, pH가 12.5로 조정된 것을 사용할 수 있다. 또한, 무전해 니켈 도금액으로서는, 예를 들어 황산니켈, 차아인산나트륨, 구연산염을 함유하고, pH가 8 내지 9로 조정된 것을 사용할 수 있다. 무전해 도금 방법으로서는, 가열 조건 하에서, 기재를 도금액에 침지하면 되며, 바람직하게는 60 내지 80℃의 온도 조건 하에서, 30 내지 600분간 도금액 중에 기재를 침지한다. 또한, 침지할 때에, 도금액을 교반하는 것이 바람직하다.In the method of the present invention, when the dispersion is applied to a part of the recess structure in the dispersion liquid applying step, as shown in Figs. 1 (c21) and (c22), the inside of the recess structure is formed by electroless plating. It is preferable to coat or fill with metal. As described above, the dispersion liquid containing the metal nanoparticles applied to the inside of the recess structure by the inkjet method is dried, and the metal film after removing the solvent acts as a catalyst nucleus or starting point for electroless plating, and metals are laminated. . Examples of the electroless plating include electroless copper plating, electroless nickel plating, electroless nickel-tungsten alloy plating, electroless tin plating, and electroless gold plating. Electroless copper plating is preferable. Electroless plating can employ | adopt both a well-known method and a solution, and is not specifically limited. For example, as the electroless copper plating solution, one containing copper sulfate, EDTA, glyoxylic acid and sodium hydroxide and having a pH adjusted to 12.5 can be used. As the electroless nickel plating solution, for example, nickel sulfate, sodium hypophosphite, citrate and containing pH adjusted to 8-9 can be used. As the electroless plating method, the substrate may be immersed in the plating liquid under heating conditions, and preferably, the substrate is immersed in the plating liquid for 30 to 600 minutes under a temperature condition of 60 to 80 ° C. In addition, when immersing, it is preferable to stir the plating liquid.

(소성 처리 공정) (Baking process)

본 발명의 프린트 배선판의 회로 형성 방법에 있어서는, 바람직하게는 분산액 도포 공정 또는 무전해 도금 후에 기재를 소성 처리함으로써, 금속 나노 입자를 소결시켜 배선막이나 접속 회로막을 형성한다. 소성은 대기 중 또는 질소 분위기 하에서, 50 내지 200℃의 온도 조건 하에서, 5 내지 60분간 행하는 것이 바람직하다. 또한, 소성 처리 전에, 건조 공정을 행하여 분산액 중의 용제를 제거하는 것이 바람직하다.In the circuit formation method of the printed wiring board of this invention, Preferably, the base material is baked after a dispersion | distribution liquid application process or electroless plating, and metal nanoparticle is sintered and a wiring film or a connection circuit film is formed. It is preferable to perform baking for 5 to 60 minutes in 50-200 degreeC temperature conditions in air | atmosphere or nitrogen atmosphere. Moreover, it is preferable to perform a drying process and remove the solvent in a dispersion liquid before baking.

[열경화성 수지 조성물] Thermosetting Resin Composition

본 발명의 열경화성 수지 조성물은, 상기한 본 발명의 회로 형성 방법에 사용하는 금속장 적층판 상의, 자외선 흡수성을 갖는 절연 수지층을 형성하기에 적합한 열경화성 수지 조성물이며, (A) 선상 구조를 갖는 폴리이미드 수지, (B) 다환 방향족 탄화수소환을 갖는 에폭시 수지 및 (C) 자외선 흡수제 중 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 자외선 흡수성을 갖는 성분으로서 (C) 자외선 흡수제만을 포함하는 경우는, 열경화성 수지 조성물 중에 열경화성 수지 성분을 포함할 필요가 있다.The thermosetting resin composition of this invention is a thermosetting resin composition suitable for forming the insulated resin layer which has ultraviolet absorbency on the metal-clad laminated board used for the circuit formation method of above-mentioned this invention, (A) polyimide which has a linear structure It is characterized by including any 1 or more types of resin, (B) epoxy resin which has polycyclic aromatic hydrocarbon ring, and (C) ultraviolet absorber. Moreover, when including only (C) ultraviolet absorber as a component which has ultraviolet absorbency, it is necessary to include a thermosetting resin component in a thermosetting resin composition.

자외선 흡수성을 갖는 성분으로서의 상기 (A) 선상 구조를 갖는 폴리이미드 수지는 직쇄상의 구조이며, 수지 골격 중에 환상 이미드 결합을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, (A) 선상 구조를 갖는 폴리이미드 수지는 방향족 폴리이미드 수지가 바람직하고, 유기 용제에 가용한 것이 바람직하다. 여기서, 방향족 폴리이미드 수지란, 바람직하게는 하기 일반식으로 표시되는 구조 단위를 갖는 수지이며, 분자 중에 반응성 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 반응성 관능기의 위치는 특별히 한정되지 않고, 말단일 수도 있고, 중앙일 수도 있다.It is preferable that the polyimide resin which has the said (A) linear structure as a component which has ultraviolet absorbency is a linear structure, and contains cyclic imide bond in a resin skeleton. Moreover, an aromatic polyimide resin is preferable and, as for the polyimide resin which has a linear structure (A), it is preferable to be soluble in an organic solvent. Here, the aromatic polyimide resin is preferably a resin having a structural unit represented by the following general formula, and it is preferable to have a reactive functional group in the molecule. The position of the reactive functional group is not particularly limited, and may be terminal or central.

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 중 R3은 방향족 환을 갖는 4가의 유기기를 나타내고, R4는 방향족 환을 갖는 2가의 유기기를 나타내는데, 단, R3이 반응성 관능기를 갖는 경우, 5가의 유기기이며, R4가 반응성 관능기를 갖는 경우, 3가의 유기기임)(Wherein R 3 represents a tetravalent organic group having an aromatic ring, and R 4 represents a divalent organic group having an aromatic ring, provided that when R 3 has a reactive functional group, it is a pentavalent organic group and R 4 is reactive) When having a functional group, it is a trivalent organic group)

(A) 선상 구조를 갖는 폴리이미드 수지의 구체예로서는, V-8005(DIC사제); GPI-NT, -HT(군에 가가꾸 고교사제); 리카코트 SN-20, -PN-20, -CN-20(신닛본 리까사제) 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종류 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.(A) As a specific example of the polyimide resin which has a linear structure, V-8005 (made by DIC Corporation); GPI-NT, -HT (manufactured by Kagaku Kogyo Co., Ltd.); Rica coat SN-20, -PN-20, -CN-20 (made by Shin-Nippon Corporation) etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.

또한, 상기 (A) 선상 구조를 갖는 폴리이미드 수지는, 자외선 흡수성을 갖는 것이면, 구체예에 기재한 것 이외의 폴리이미드 수지도 사용할 수 있다.Moreover, as long as the polyimide resin which has the said (A) linear structure has ultraviolet absorbency, polyimide resins other than what was described in a specific example can also be used.

이러한 (A) 선상 구조를 갖는 폴리이미드 수지의 조성물 중의 함유율은, 본 발명의 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분을 기준으로 하여, 바람직하게는 10 내지 90질량%이며, 보다 바람직하게는 20 내지 60질량%이다. 상기 (A) 선상 구조를 갖는 폴리이미드 수지가 10질량% 미만에서는, 내열성이 저하되기 때문에 본 발명의 효과가 발휘되지 않는 경우가 있고, 90질량%를 초과하면, 경화성이 불충분해져 경화 도막으로서의 기능이 발현되지 않는 경우가 있다.The content rate in the composition of the polyimide resin which has such a linear structure (A) is 10-90 mass% based on the total solid of the thermosetting resin composition of this invention, More preferably, it is 20-60 mass% to be. If the polyimide resin having the above-mentioned (A) linear structure is less than 10 mass%, heat resistance may fall, and the effect of this invention may not be exhibited, and when it exceeds 90 mass%, sclerosis | hardenability will become inadequate and a function as a cured coating film This may not be expressed.

자외선 흡수성을 갖는 성분으로서의 상기 (B) 다환 방향족 탄화수소환을 갖는 에폭시 수지는, 수지 골격 중에 2개 이상의 방향환이 축합한 다환 방향족 탄화수소환을 포함하는 에폭시 수지를 의미한다. 그들 다환 방향족 탄화수소환을 갖는 에폭시 수지 중에서도, 양호한 자외선 레이저 가공성을 얻을 수 있는 점에서, 특히 자외선 영역에 높은 흡수성을 갖는 나프탈렌형 에폭시 수지 또는 안트라센형 에폭시 수지가 바람직하다.The epoxy resin which has the said (B) polycyclic aromatic hydrocarbon ring as a component which has ultraviolet absorbency means the epoxy resin containing the polycyclic aromatic hydrocarbon ring which two or more aromatic rings condensed in the resin skeleton. Among the epoxy resins having these polycyclic aromatic hydrocarbon rings, in particular, naphthalene type epoxy resins or anthracene type epoxy resins having high water absorption in the ultraviolet region are preferable from the viewpoint of obtaining good ultraviolet laser workability.

상기 (B) 다환 방향족 탄화수소환을 갖는 에폭시 수지의 구체예로서는, 나프탈렌형 에폭시 수지로서, HP-4032, HP-4032D, HP-4700, HP-4710, HP-4770, EXA-4700, EXA-4710, EXA-7311, EXA-9900(모두 DIC사제); ESN-175, ESN-355, ESN-375(모두 신닛본 세테츠 가가꾸사제); 안트라센형 에폭시 수지로서, YX-8800(미쯔비시 가가꾸사제) 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종류 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.As a specific example of the epoxy resin which has the said (B) polycyclic aromatic hydrocarbon ring, it is a naphthalene type epoxy resin, HP-4032, HP-4032D, HP-4700, HP-4710, HP-4770, EXA-4700, EXA-4710, EXA-7311 and EXA-9900 (all manufactured by DIC Corporation); ESN-175, ESN-355, ESN-375 (all manufactured by Shin-Nippon Setetsu Chemical Co., Ltd.); As an anthracene type epoxy resin, YX-8800 (made by Mitsubishi Chemical Corporation) etc. is mentioned. These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.

(B) 다환 방향족 탄화수소환을 갖는 에폭시 수지의 조성물 중의 함유율은, 본 발명의 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분을 기준으로 하여, 바람직하게는 10 내지 90질량%이며, 보다 바람직하게는 20 내지 60질량%이다.(B) The content rate in the composition of the epoxy resin which has a polycyclic aromatic hydrocarbon ring is based on the total solid of the thermosetting resin composition of this invention, Preferably it is 10-90 mass%, More preferably, it is 20-60 mass% to be.

자외선 흡수성을 갖는 성분으로서의 상기 (C) 자외선 흡수제로서는, 벤조페논 유도체, 벤조에이트 유도체, 벤조트리아졸 유도체, 트리아진 유도체, 벤조티아졸 유도체, 신나메이트 유도체, 안트라닐레이트 유도체, 디벤조일메탄 유도체 등을 들 수 있다. 예를 들어, 2-히드록시-4-메톡시벤조페논, 2-히드록시-4-n-옥톡시벤조페논, 2,2'-디히드록시-4-메톡시벤조페논, 2,4-디히드록시벤조페논, 2-에틸헥실살리실레이트, 페닐살리실레이트, p-t-부틸페닐살리실레이트, 2,4-디-t-부틸페닐-3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤조에이트, 헥사데실-3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤조에이트, 2-(2'-히드록시-5'-t-부틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-5'-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3'-t-부틸-5'-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3',5'-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-5'-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3',5'-디-t-아밀 페닐)벤조트리아졸, 히드록시페닐트리아진, 비스에틸헥시옥시페놀메톡시페닐트리아진 등을 들 수 있고, 구체예로서는, 치마소르브(CHIMASSORB) 81, 티누빈(TINUVIN) 120, -NP, -234, -320, -326, -327, -328, -329, -1577ED(바스프(BASF) 재팬사제); 스미 소프 200, -250, -300, -340, -350(스미토모 가가꾸사제); 아데카스탭 LA-31, -32, -36(아데카(ADEKA)사제) 등을 들 수 있다.As said (C) ultraviolet absorber as a component which has ultraviolet absorbency, a benzophenone derivative, a benzoate derivative, a benzotriazole derivative, a triazine derivative, a benzothiazole derivative, a cinnamate derivative, an anthranilate derivative, a dibenzoylmethane derivative, etc. Can be mentioned. For example, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-n-octoxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,4- Dihydroxybenzophenone, 2-ethylhexyl salicylate, phenyl salicylate, pt-butylphenyl salicylate, 2,4-di-t-butylphenyl-3,5-di-t-butyl-4- Hydroxybenzoate, hexadecyl-3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzoate, 2- (2'-hydroxy-5'-t-butylphenyl) benzotriazole, 2- (2 '-Hydroxy-5'-methylphenyl) benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3'-t-butyl-5'-methylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2'-hydroxy Hydroxy-3 ', 5'-di-t-butylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2'-hydroxy-5'-methylphenyl) benzotriazole, 2- (2'-hydroxy- 3 ', 5'-di-t-amyl phenyl) benzotriazole, hydroxyphenyl triazine, bisethylhexoxyoxy methoxy phenyl triazine, etc. are mentioned, As a specific example, CHIMASSORB 81 , TINUVIN 120, -NP, -234, -320, -32 6, -327, -328, -329, -1577ED (manufactured by BASF Japan); Smith Thorpe 200, -250, -300, -340, -350 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.); Adeka staff LA-31, -32, -36 (made by Adeka company) etc. are mentioned.

또한, 상기 (C) 자외선 흡수제로서, 포토레지스트용으로서 일반적으로 사용되고 있는 광중합 개시제도 사용할 수 있다. 그러한 광중합 개시제로서는, α-아미노알킬페논 화합물, 아실포스핀옥시드 화합물, 옥심에스테르 화합물, 벤조페논 화합물 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 구체예로서는, 예를 들어 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-디메틸아미노-2-(4-메틸-벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-(아세틸옥시이미노에틸)티옥산텐-9-온, 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-,2-(O-벤조일옥심)], 1-(9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일), 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심), 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 등을 들 수 있다. 또한, 시판품의 구체예로서는, 이르가큐어-369, -379, -907, -OXE01, -OXE02, CGI-242(바스프 재팬사제); N-1919(아데카사제); EAB(호도가야 가가꾸사제) 등을 들 수 있다.Moreover, as said (C) ultraviolet absorber, the photoinitiator generally used for photoresist can also be used. As such a photoinitiator, the (alpha)-aminoalkyl phenone compound, an acyl phosphine oxide compound, an oxime ester compound, a benzophenone compound, etc. are mentioned. As a specific example of a photoinitiator, it is 2-benzyl-2- dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone- 1, 2- dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1, for example. -(4-Morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one, 2-methyl-1 [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2- (acetyl Oxyiminoethyl) thioxanthene-9-one, 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio)-, 2- (O-benzoyloxime)], 1- (9-ethyl-6- ( 2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl), ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (O -Acetyl oxime), 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, etc. are mentioned. Moreover, as a specific example of a commercial item, Irgacure-369, -379, -907, -OXE01, -OXE02, CGI-242 (made by BASF Japan company); N-1919 (made by Adeca); EAB (made by Hodogaya Kagaku Co., Ltd.) etc. are mentioned.

상기의 (C) 자외선 흡수제는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종류 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.Said (C) ultraviolet absorber may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(C) 자외선 흡수제의 함유율은, 본 발명의 열경화성 수지 조성물의 전체 고형분을 기준으로 하여, 바람직하게는 0.5 내지 10질량%이며, 보다 바람직하게는 3 내지 7질량%이다. 자외선 흡수제가 0.5질량% 미만에서는, 레이저 가공성이 충분히 향상되지 않는 경우가 있고, 10질량%를 초과하면, 절연 수지층으로서의 물성이 저하되는 경우가 있다.(C) The content rate of a ultraviolet absorber becomes like this. Preferably it is 0.5-10 mass%, More preferably, it is 3-7 mass% based on the total solid of the thermosetting resin composition of this invention. When the ultraviolet absorber is less than 0.5% by mass, the laser workability may not be sufficiently improved, and when it exceeds 10% by mass, the physical properties as the insulating resin layer may decrease.

또한, 자외선 흡수성을 갖는 성분으로서 (A) 선상 구조를 갖는 폴리이미드 수지와 (B) 다환 방향족 탄화수소환을 갖는 에폭시 수지를 병용하는 경우, 본 발명의 열경화성 수지 조성물 전체에 있어서의 배합량은, (A) 선상 구조를 갖는 폴리이미드 수지와 (B) 다환 방향족 탄화수소환을 갖는 에폭시 수지의 합계량으로, 본 발명의 열경화성 수지 조성물 100질량부에 대하여, 40질량부 내지 99.5질량부인 것이 바람직하다. 배합량이 40질량부 미만인 경우, 조성물 전체에 있어서의 수지량이 낮기 때문에 조성물의 유동성의 제어가 어렵고, 인쇄성이 나빠지는 경우가 있다. 한편, 배합 비율이 99.5질량부를 초과하는 경우, 무기 충전제 등의 배합량이 상대적으로 저하되어 절연 수지층의 기계적 강도가 저하되는 경우가 있다.In addition, when using together the epoxy resin which has the (A) polyimide resin which has a linear structure, and (B) polycyclic aromatic hydrocarbon ring as a component which has ultraviolet absorbency, the compounding quantity in the whole thermosetting resin composition of this invention is (A) It is preferable that they are 40 mass parts-99.5 mass parts with respect to 100 mass parts of thermosetting resin compositions of this invention with the total amount of the polyimide resin which has a linear structure, and the epoxy resin which has (B) polycyclic aromatic hydrocarbon ring. When the compounding quantity is less than 40 mass parts, since the amount of resin in the whole composition is low, control of the fluidity of a composition is difficult and printability may worsen. On the other hand, when a compounding ratio exceeds 99.5 mass parts, the compounding quantity, such as an inorganic filler, may fall comparatively and the mechanical strength of an insulated resin layer may fall.

또한, 자외선 흡수성을 갖는 성분으로서 (C) 자외선 흡수제만을 포함하는 경우, 열경화성 수지 성분으로서는, 에폭시계 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등의 공지 관용의 열경화성 수지를 사용할 수 있다.In addition, when only the (C) ultraviolet absorber is included as a component which has ultraviolet absorbency, as a thermosetting resin component, an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, a thermosetting polyimide resin, etc. Known and commonly used thermosetting resins can be used.

상기 열경화성 수지 조성물을 사용한 절연 수지층의 막 두께는 10 내지 30㎛인 것이 바람직하다. 막 두께가 10㎛ 미만인 경우, 레이저 조사에 의해 균열 등의 손상을 받기 쉬워지기 때문에, 바람직하지 않다. 또한, 막 두께가 30㎛를 초과하는 경우, 기재로서의 두께가 증가되어 버려, 기재의 박형화에 대응할 수 없다.It is preferable that the film thickness of the insulated resin layer using the said thermosetting resin composition is 10-30 micrometers. When the film thickness is less than 10 μm, damage to cracks or the like tends to be caused by laser irradiation, which is not preferable. Moreover, when the film thickness exceeds 30 micrometers, the thickness as a base material will increase and it cannot respond to thinning of a base material.

본 발명의 열경화성 수지 조성물은, 열경화 촉매, 무기 충전제, 착색제, 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제 등의 공지 관용의 첨가제류를 더 첨가할 수 있다.The thermosetting resin composition of this invention can further add well-known usual additives, such as a thermosetting catalyst, an inorganic filler, a coloring agent, a thickener, an antifoamer, a leveling agent, and an adhesive imparting agent.

상기 열경화 촉매는, 열경화성 수지 조성물의 열경화 특성을 더욱 향상시키기 위하여 사용되며, 예를 들어 디시안디아미드, 방향족 아민 등의 아민 화합물, 이미다졸류, 인 화합물, 산 무수물, 2환식 아미딘 화합물 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 4-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 디시안디아미드, 벤질디메틸아민, 4-(디메틸아미노)-N,N-디메틸벤질아민, 4-메톡시-N,N-디메틸벤질아민, 4-메틸-N,N-디메틸벤질아민 등의 아민 화합물, 트리페닐포스핀 등의 인 화합물 등을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 이미다졸류 화합물로서, 1B2PZ, 2E4MZ, 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4MHZ(시꼬꾸 가세이 고교사제); 디메틸아민의 블록 이소시아네이트 화합물로서, U-CAT3503N, -3502T(산-아프로사제); 2환식 아미딘 화합물 및 그의 염으로서, DBU, DBN, U-CAT SA102, U-CAT5002(산-아프로사제) 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용할 수도 있거나, 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.The thermosetting catalyst is used in order to further improve the thermosetting properties of the thermosetting resin composition, for example, amine compounds such as dicyandiamide, aromatic amines, imidazoles, phosphorus compounds, acid anhydrides, bicyclic amidine compounds Etc. can be used. Specifically, imidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, Imidazoles such as 4-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1- (2-cyanoethyl) -2-ethyl-4-methylimidazole; Amines such as dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4- (dimethylamino) -N, N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N, N-dimethylbenzylamine, 4-methyl-N, N-dimethylbenzylamine Phosphorus compounds, such as a compound and a triphenyl phosphine, etc. can be used. More specifically, as an imidazole compound, 1B2PZ, 2E4MZ, 2MZ-A, 2MZ-OK, 2PHZ, 2P4MHZ (made by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.); As a block isocyanate compound of dimethylamine, it is U-CAT3503N, -3502T (made by the acid apros company); As a bicyclic amidine compound and its salt, DBU, DBN, U-CAT SA102, U-CAT5002 (made by acid-Apros), etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

상기 열경화 촉매의 함유율은 통상의 배합 비율로 충분하며, 예를 들어 열경화 성분인 에폭시 수지 성분 100질량부에 대하여, 0.1질량부 내지 10질량부가 바람직하다.The compounding rate of the said thermosetting catalyst is sufficient in a normal compounding ratio, For example, 0.1 mass part-10 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of epoxy resin components which are thermosetting components.

상기 무기 충전제는, 절연 수지층의 경화 수축을 억제하여 밀착성, 경도 등의 특성을 향상시키기 위하여 사용된다. 무기 충전제로서는, 예를 들어 황산바륨, 티타늄산바륨, 무정형 실리카, 결정성 실리카, 용융 실리카, 구상 실리카, 탈크, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화알루미늄, 수산화알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용할 수도 있거나, 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.The said inorganic filler is used in order to suppress the cure shrinkage of an insulated resin layer, and to improve characteristics, such as adhesiveness and hardness. Examples of the inorganic fillers include barium sulfate, barium titanate, amorphous silica, crystalline silica, fused silica, spherical silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, silicon nitride, aluminum nitride, and the like. Can be. These may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

상기 열경화성 수지 조성물은, 인쇄 도포 방법에 적합한 점도로 유기 용제에 의해 조정한 후, 바람직하게는 건조 막 두께로 10㎛ 내지 30㎛로 되도록 전체면 인쇄한다. 계속해서, 40℃ 내지 100℃의 온도에서 조성물 중에 포함되는 유기 용제를 휘발, 건조시킨다. 또한, 170℃ 내지 230℃의 온도에서 30분 내지 120분간 가열 경화시켜 절연 수지층을 형성할 수 있다.After the said thermosetting resin composition is adjusted with the organic solvent at the viscosity suitable for the printing application method, it prints whole surface so that it may become 10 micrometers-30 micrometers preferably at a dry film thickness. Subsequently, the organic solvent contained in a composition is volatilized and dried at the temperature of 40 degreeC-100 degreeC. In addition, the insulating resin layer can be formed by heat curing at a temperature of 170 ° C to 230 ° C for 30 minutes to 120 minutes.

[실시예] [Example]

이하에, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명에 대하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다. 또한, 각 성분의 배합량을 나타내는 값은, 특별히 언급하지 않는 한, 모두 질량 기준이다.Although an Example and a comparative example are shown to the following and this invention is demonstrated concretely, this invention is not limited to these. In addition, the value which shows the compounding quantity of each component is a mass reference | standard unless there is particular notice.

<실시예 1> &Lt; Example 1 >

(열경화성 수지 조성물의 제조) (Preparation of thermosetting resin composition)

선상 폴리이미드 수지(V-8005·DIC사제)를 불휘발분 15%로 되도록 디메틸아세트아미드로 녹인 바니시 333부, 안트라센형 에폭시 수지(YX-8800·미쯔비시 가가꾸사제)를 불휘발분 30%로 되도록 디메틸아세트아미드로 녹인 바니시 167부, 1-벤질-2-페닐이미다졸(1B2PZ·시꼬꾸 가세이 고교사제) 1부, 실리콘계 표면 장력 조정제(BYK-310·빅 케미사제) 0.05부를 각각 배합하고, 교반기에 의해 예비 혼합한 후, 3개 롤밀을 사용하여 혼련하여, 열경화성 수지 조성물 A를 제조했다.333 parts of varnish melt | dissolved linear polyimide resin (made by V-8005, DIC Corporation) with dimethyl acetamide so that 15% of non volatile matters, and dimethyl so that anthracene type epoxy resin (YX-8800, Mitsubishi Chemical Corporation) make 30% of non volatile matters 167 parts of varnish dissolved in acetamide, 1 part of 1-benzyl-2-phenylimidazole (manufactured by 1B2PZ, Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), and 0.05 parts of silicon-based surface tension modifier (by BYK-310, Big Chemistry Co., Ltd.) were respectively blended. After the preliminary mixing, the mixture was kneaded using three roll mills to prepare a thermosetting resin composition A.

상기 열경화성 수지 조성물의 제조에 의해, 선상 폴리이미드 수지 및 안트라센형 에폭시 수지 자체에 자외선 레이저의 조사 파장에 대하여 높은 흡수를 갖고 있기 때문에, 자외선 흡수제 등을 첨가하지 않아도, 높은 흡수를 갖는 열경화성 수지 조성물을 제조할 수 있었다.By producing the thermosetting resin composition, since the linear polyimide resin and the anthracene-type epoxy resin itself have high absorption with respect to the irradiation wavelength of the ultraviolet laser, the thermosetting resin composition having high absorption without the addition of an ultraviolet absorber or the like is obtained. Could be manufactured.

(절연 수지층의 형성) (Formation of Insulation Resin Layer)

상기 열경화성 수지 조성물을, 버프 롤 연마한 0.8mm 두께의 구리 피복 적층판 상에 도포하고, 열풍 순환식 건조로 중에서, 80℃에서 30분 건조 후, 230℃에서 1시간 가열에 의해 경화시켜 절연 수지층을 형성했다. 이때, 기재 상의 절연 수지층은 레벨링되어 있어, 자외선 레이저 조사 전에 있어서의 절연 수지층의 요철은 보이지 않는 것으로 한다.The said thermosetting resin composition is apply | coated on the 0.8 mm-thick copper clad laminated board buff-roll-polished, and after drying for 30 minutes at 80 degreeC in a hot air circulation type drying furnace, it hardens by heating at 230 degreeC for 1 hour, and insulated resin layer Formed. At this time, the insulated resin layer on a base material is leveled, and the unevenness | corrugation of the insulated resin layer before ultraviolet laser irradiation shall not be seen.

(트렌치 형성 공정) (Trench Forming Step)

상기 절연 수지층 상에 대하여 수직으로 되도록, 자외선 레이저(YVO4 레이저의 3배 고조파, 파장: 355nm, 펄스폭: 30나노초)를 조사하여, 조사 개소의 절연 수지층의 일부를 제거함으로써 배선용의 트렌치(홈)를 형성했다.The trench for wiring by irradiating an ultraviolet laser (3 times harmonic of YVO 4 laser, wavelength: 355 nm, pulse width: 30 nanoseconds) so that it may become perpendicular | vertical on the said insulated resin layer, and removing a part of the insulated resin layer of an irradiation site. (Home) formed.

(비아 홀 형성 공정) (Via hole forming step)

상기 절연 수지층 상에 대하여 수직으로 되도록, 자외선 레이저(YVO4 레이저의 3배 고조파, 파장: 355nm, 펄스폭: 30나노초)를 조사하여, 조사 개소의 절연 수지층의 전부를 제거, 구리 피복 적층판의 금속층을 노출시킴으로써 접속 회로용의 비아 홀을 형성했다.Irradiating an ultraviolet laser (three times harmonic of YVO 4 laser, wavelength: 355 nm, pulse width: 30 nanoseconds) so as to be perpendicular to the insulated resin layer, and removing all of the insulated resin layer at the irradiated point, the copper-clad laminate The via hole for a connection circuit was formed by exposing the metal layer of.

(분산액 도포 공정) (Dispersion application step)

상기 트렌치 형성 공정에서 형성된 트렌치 내부 및 상기 비아 홀 형성 공정에서 형성된 비아 홀 내부에, 구리 나노 입자(평균 입자 직경 100nm) 50wt% 함유의 분산액(점도 15mPa·s)을 사용하여, 잉크젯 인쇄기(오르보테크사제 스프린트(Sprint)-8(상표명))에 의해, 상기에서 형성한 트렌치 및 비아 홀의 전체 영역에 충전했다.Inkjet printing machine (Orvo) using a dispersion liquid (viscosity 15 mPa · s) containing 50 wt% of copper nanoparticles (average particle diameter 100 nm) in the trench formed in the trench forming step and the via hole formed in the via hole forming step. Sprint-8 (trade name) manufactured by Tech Co., Ltd. was used to fill the entire regions of the trenches and via holes formed above.

(소성 처리 공정) (Baking process)

질소 분위기 하에서, 60℃에서 30분 건조 후, 200℃에서 1시간 가열 소성함으로써, 상기 절연 수지층과 동일한 높이까지, 트렌치 내부에 구리 배선막을 형성하고 비아 홀 내부에 구리 접속 회로막을 형성했다.After drying for 30 minutes at 60 degreeC under nitrogen atmosphere, by heating and baking at 200 degreeC for 1 hour, the copper wiring film was formed in the trench up to the same height as the said insulated resin layer, and the copper connection circuit film was formed in the via hole.

<실시예 2> <Example 2>

열경화성 수지 조성물의 제조를 하기와 같이 변경한 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 회로 패턴을 형성한 시험편을 제작했다.The test piece in which the circuit pattern was formed was produced by the method similar to the said Example 1 except having changed manufacture of a thermosetting resin composition as follows.

선상 폴리이미드 수지(V-8005·DIC사제)를 불휘발분 15%로 되도록 디메틸아세트아미드로 녹인 바니시 333부, 비스페놀 A형 에폭시 수지(E828·미쯔비시 가가꾸사제) 50부, 1-벤질-2-페닐이미다졸(1B2PZ·시꼬꾸 가세이 고교사제) 1부, 실리콘계 표면 장력 조정제(BYK-310·빅 케미사제) 0.05부를 각각 배합하고, 교반기에 의해 예비 혼합한 후, 3개 롤밀을 사용하여 혼련하여, 열경화성 수지 조성물 B를 제조했다.333 parts of varnish which melt | dissolved linear polyimide resin (made by V-8005, DIC Corporation) with dimethylacetamide so that it may be 15% of non volatile matter, 50 parts of bisphenol-A epoxy resin (made by E828, Mitsubishi Chemical Corporation), 1-benzyl-2- 1 part of phenylimidazole (manufactured by 1B2PZ, Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) and 0.05 parts of a silicone-based surface tension modifier (BYK-310, BIC Chemi Co., Ltd.) were respectively blended and premixed with a stirrer, followed by kneading using three roll mills. And the thermosetting resin composition B was manufactured.

상기 열경화성 수지 조성물 B의 제조에 의해, 선상 폴리이미드 수지를 포함하고 있기 때문에, 에폭시 수지에 자외선 레이저의 조사 파장에 대하여 흡수를 갖고 있지 않은 경우에도, 높은 흡수를 갖는 열경화성 수지 조성물을 제조할 수 있었다.By manufacturing the said thermosetting resin composition B, since the linear polyimide resin was included, even if the epoxy resin does not have absorption with respect to the irradiation wavelength of an ultraviolet laser, the thermosetting resin composition which has high absorption was able to be manufactured. .

<실시예 3> <Example 3>

열경화성 수지 조성물의 제조를 하기와 같이 변경한 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 회로 패턴을 형성한 시험편을 제작했다.The test piece in which the circuit pattern was formed was produced by the method similar to the said Example 1 except having changed manufacture of a thermosetting resin composition as follows.

나프탈렌형 에폭시 수지(EXA-4710·DIC사제)를 불휘발분 50%로 되도록 디메틸아세트아미드로 녹인 바니시 100부, 비스페놀 A형 에폭시 수지(E828·미쯔비시 가가꾸사제) 50부, 1-벤질-2-페닐이미다졸(1B2PZ·시꼬꾸 가세이 고교사제) 1부, 실리콘계 표면 장력 조정제(BYK-310·빅 케미사제) 0.05부를 각각 배합하고, 교반기에 의해 예비 혼합한 후, 3개 롤밀을 사용하여 혼련하여, 열경화성 수지 조성물 C를 제조했다.100 parts of varnish which melt | dissolved naphthalene type epoxy resin (made by EXA-4710, DIC Corporation) with dimethylacetamide so that it may be 50% of non volatile matter, 50 parts of bisphenol A type epoxy resin (made by E828, Mitsubishi Chemical Corporation), 1-benzyl-2- 1 part of phenylimidazole (manufactured by 1B2PZ, Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) and 0.05 parts of a silicone-based surface tension modifier (BYK-310, BIC Chemi Co., Ltd.) were respectively blended and premixed with a stirrer, followed by kneading using three roll mills. And the thermosetting resin composition C was manufactured.

상기 열경화성 수지 조성물 C의 제조에 의해, 나프탈렌형 에폭시 수지 자체에 자외선 레이저의 조사 파장에 대하여 높은 흡수를 갖고 있기 때문에, 자외선 흡수제 등을 첨가하지 않아도, 높은 흡수를 갖는 열경화성 수지 조성물을 제조할 수 있었다.By producing the thermosetting resin composition C, the naphthalene-type epoxy resin itself has a high absorption with respect to the irradiation wavelength of the ultraviolet laser, and thus a thermosetting resin composition having high absorption can be produced without adding an ultraviolet absorber or the like. .

<실시예 4> <Example 4>

열경화성 수지 조성물의 제조를 하기와 같이 변경한 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 회로 패턴을 형성한 시험편을 제작했다.The test piece in which the circuit pattern was formed was produced by the method similar to the said Example 1 except having changed manufacture of a thermosetting resin composition as follows.

비스페놀 A형 에폭시 수지(E828·미쯔비시 가가꾸사제) 50부, 트리히드록시페닐메탄형 에폭시 수지(EPPH-501H·닛본 가야꾸사제)를 불휘발분 80%로 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 녹인 바니시 63부, 페녹시 수지(YX8100H30·미쯔비시 가가꾸사제) 67부, 1-벤질-2-페닐이미다졸(1B2PZ·시꼬꾸 가세이 고교사제) 1부, 페놀노볼락 수지(HF-1M·메이와 가세이사제)를 불휘발분 65%로 되도록 디에틸렌글리콜모노에틸에테르로 녹인 바니시 62부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMAc·다이신 가가꾸사제) 30부, 벤조페논계 자외선 흡수제(EAB·호도가야 가가꾸 고교사제) 15부, 실리콘계 표면 장력 조정제(BYK-310·빅 케미사제) 0.05부를 각각 배합하고, 교반기에 의해 예비 혼합한 후, 3개 롤밀을 사용하여 혼련하여, 열경화성 수지 조성물 D를 제조했다.Varnish melt | dissolved 50 parts of bisphenol-A epoxy resin (made by E828, Mitsubishi Chemical Corporation), and trihydroxy phenylmethane type epoxy resin (made by EPPH-501H, Nippon Kayaku Co., Ltd.) with propylene glycol monomethyl ether acetate so that a non volatile matter may be 80%. 63 parts, phenoxy resin (YX8100H30, Mitsubishi Chemical Corporation) 67 parts, 1-benzyl-2-phenylimidazole (1B2PZ, Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) 1 part, phenol novolak resin (HF-1M, Meiwa) 62 parts of varnishes dissolved in diethylene glycol monoethyl ether, 30 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate (manufactured by PGMAc and Daishin Kagaku Co., Ltd.) to a nonvolatile content of 65%, and a benzophenone ultraviolet absorber (EAB, Hodo) 15 parts of Kaya Kagaku Kogyo Co., Ltd., 0.05 parts of silicone surface tension modifier (BYK-310, Big Chemi Co., Ltd.) were respectively blended, and premixed with a stirrer, followed by kneading using three roll mills to form a thermosetting resin composition D. Manufactured.

상기 열경화성 수지 조성물 D의 제조에 의해, 에폭시 수지에 자외선 레이저의 조사 파장에 대하여 흡수를 갖지 않은 경우에도 벤조페논계 자외선 흡수제를 포함하고 있기 때문에, 높은 흡수를 갖는 열경화성 수지 조성물을 제조할 수 있었다.By the production of the thermosetting resin composition D, even when the epoxy resin does not have absorption to the irradiation wavelength of the ultraviolet laser, it contains a benzophenone-based ultraviolet absorber, it was possible to produce a thermosetting resin composition having a high absorption.

<비교예 1> &Lt; Comparative Example 1 &

열경화성 수지 조성물의 제조를 하기와 같이 변경한 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 회로 패턴을 형성한 시험편을 제작했다.The test piece in which the circuit pattern was formed was produced by the method similar to the said Example 1 except having changed manufacture of a thermosetting resin composition as follows.

실시예 4의 조성으로부터 벤조페논계 자외선 흡수제(EAB·호도가야 가가꾸 고교사제)를 제거하여, 열경화성 수지 조성물 E를 제조했다.The benzophenone ultraviolet absorber (EAB, Hodogaya Chemical Co., Ltd. make) was removed from the composition of Example 4, and the thermosetting resin composition E was manufactured.

상기 열경화성 수지 조성물 E의 제조에 의해, 자외선 레이저의 조사 파장에 대하여 흡수를 갖지 않은 열경화성 수지 조성물을 제조했다.By manufacture of the said thermosetting resin composition E, the thermosetting resin composition which does not have absorption with respect to the irradiation wavelength of an ultraviolet laser was manufactured.

<비교예 2> Comparative Example 2

트렌치 형성 공정 및 비아 홀 형성 공정을 하기와 같이 변경한 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 회로 패턴을 형성한 시험편을 제작했다.The test piece in which the circuit pattern was formed was produced by the method similar to the said Example 1 except having changed the trench formation process and the via hole formation process as follows.

(트렌치 형성 공정) (Trench Forming Step)

상기 절연 수지층 상에 대하여 수직으로 되도록, 자외선 레이저(YVO4 레이저의 3배 고조파, 파장: 355nm, 펄스폭: 20피코초)를 조사하여, 절연 수지층의 일부를 제거함으로써 배선용의 트렌치(홈)을 형성했다.A trench for wiring (groove) by irradiating an ultraviolet laser (three times harmonic of YVO 4 laser, wavelength: 355 nm, pulse width: 20 picoseconds) so as to be perpendicular to the insulating resin layer, and removing a part of the insulating resin layer. Formed).

(비아 홀 형성 공정) (Via hole forming step)

상기 절연 수지층 상에 대하여 수직으로 되도록, 자외선 레이저(YVO4 레이저의 3배 고조파, 파장: 355nm, 펄스폭: 20피코초)를 조사하여, 절연 수지층의 전부를 제거, 구리 피복 적층판의 금속층을 노출시킴으로써 접속 회로용의 비아 홀을 형성했다.An ultraviolet laser (three times harmonic of YVO 4 laser, wavelength: 355 nm, pulse width: 20 picoseconds) is irradiated so as to be perpendicular to the insulating resin layer, and the entirety of the insulating resin layer is removed to remove the metal layer of the copper clad laminate. The via holes for the connection circuits were formed by exposing them.

(시험편의 성능 평가) (Performance Evaluation of Test Piece)

(레이저 가공성) (Laser processability)

비아 홀을 형성했을 때의 자외선 레이저의 조사 횟수를, 이하의 기준으로 평가했다.The following reference | standard evaluated the frequency | count of irradiation of the ultraviolet laser at the time of forming a via hole.

기준: 절연 수지층 표면의 비아 홀 직경 D와 구리 피복 적층판 표면(비아 홀 저면)의 비아 홀 직경 d의 비율[식(d/D)×100[%]]이 70%를 초과하기 위하여 필요로 하는 조사 횟수로 했다. 단, 조사 부분의 절연 수지층 전부를 제거하고, 구리 피복 적층판을 손상시키지 않도록 했다. 또한, 비아 홀의 직경은, 레이저 현미경을 사용하여 측장했다.Reference: The ratio [formula (d / D) × 100 [%]] of the via hole diameter D of the insulating resin layer surface and the via hole diameter d of the copper clad laminate surface (via hole bottom face) is required to exceed 70%. To the number of surveys. However, all the insulated resin layers of the irradiated portion were removed so as not to damage the copper clad laminate. In addition, the diameter of the via hole was measured using the laser microscope.

◎: 조사 횟수 30회 이하 (Double-circle): Number of irradiation times 30 or less

○: 조사 횟수 30회를 초과하고 40회 이하 ○: more than 30 survey times and 40 or less

△: 조사 횟수 40회를 초과하고 100회 이하 (Triangle | delta): It exceeds 100 times and is 100 times or less

×: 조사 횟수 100회를 초과해도 기준에 미치지 않음 ×: Even if the number of investigations is exceeded 100 times, it does not meet the standard

결과를 하기 표 1에 나타낸다. 또한, 조사 횟수 40회 이하에서 형성된 절연 수지층 표면의 비아 홀 직경 D는 30㎛이었다.The results are shown in Table 1 below. In addition, the via-hole diameter D of the surface of the insulated resin layer formed in 40 times or less of irradiation times was 30 micrometers.

(밀착성 시험) (Adhesion test)

JIS H 8504(도금의 밀착성 시험 방법·박리 시험 방법)에 기초하여, 시험편의 배선막 및 구리 피복 적층판 상의 접속 회로막에 셀로판 테이프(상표명)를 부착하고, 이것을 박리하는 필링 테스트를 행한 후, 배선막과 접속 회로막의 박리 상태를 광학 현미경에 의해 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다.Based on JIS H 8504 (Adhesion test method and peeling test method of plating), a cellophane tape (trade name) is affixed to the wiring film of a test piece and the connection circuit film on a copper clad laminated board, and after performing the peeling test which peels this, wiring is carried out. The peeling state of a film | membrane and a connection circuit film was observed with the optical microscope, and the following references | standards evaluated.

○: 박리없음 ○: no peeling

△: 배선막과 접속 회로막의 일부분에 박리 있음 (Triangle | delta): Peeling exists in a part of wiring film and connection circuit film

×: 배선막과 접속 회로막의 대부분에 박리 있음 X: peeling exists in most of a wiring film and a connection circuit film

결과를 하기 표 1에 나타낸다.The results are shown in Table 1 below.

Figure pat00002
Figure pat00002

표 1에 나타내는 결과로 명백해진 바와 같이, 비교예 1에서는, 절연 수지층의 레이저 가공성이 떨어지고 있었다. 이것은, 상기 절연 수지층은 자외선 레이저의 조사 파장에 대하여 흡수를 갖지 않기 때문에, 자외선 레이저를 조사해도 제거 가공되지 않았기 때문이다.As apparent from the results shown in Table 1, in Comparative Example 1, the laser workability of the insulating resin layer was inferior. This is because the insulating resin layer does not have an absorption with respect to the irradiation wavelength of the ultraviolet laser, and thus is not removed even when irradiated with the ultraviolet laser.

계속해서, 비교예 2에서는, 절연 수지층과 배선막 및 절연 수지층과 접속 회로막의 밀착성이 떨어지고 있었다. 이것은, 펄스폭이 피코초인 자외선 레이저를 조사한 것으로, 형성된 트렌치 및 비아 홀 내부의 평활성이 우수하여(내부 표면에 매우 미세한 오목부·돌기를 갖고, 친수성을 갖지 않음), 물리적 효과(앵커 효과)에 의한 밀착성이 낮았기 때문으로 생각되어진다.Then, in the comparative example 2, the adhesiveness of the insulated resin layer, the wiring film, the insulated resin layer, and the connection circuit film was inferior. This was irradiated with an ultraviolet laser having a pulse width of picoseconds, and was excellent in smoothness in the formed trenches and via holes (having very fine recesses and protrusions on the inner surface and not having hydrophilicity), and thus the physical effect (anchor effect). It is considered that the adhesiveness due to this is low.

그에 반하여, 실시예 1 내지 4에 있어서는, 절연 수지층의 레이저 가공성이나, 절연 수지층과 배선막 및 절연 수지층과 접속 회로막의 밀착성이 우수했다. 이것은, 상기 절연 수지층은 자외선 레이저의 조사 파장에 대하여 높은 흡수를 갖기 때문에, 자외선 레이저를 조사함으로써 절연 수지층이 제거 가공되어 배선막 또는 접속 회로막을 노출시키고, 펄스폭이 나노초인 자외선 레이저를 조사한 것으로, 형성된 트렌치 및 비아 홀 내부의 평활성이 나빠(내부 표면에 비교예 2보다도 큰 오목부·돌기를 갖고, 높은 친수성을 가짐), 앵커 효과에 의한 밀착성이 높았기 때문으로 생각되어진다. 또한, 실시예 1 내지 4에 있어서는, 회로를 형성할 때에, 금속 나노 입자 함유의 분산액을 사용했기 때문에, 도 2와 같은 도금 전처리 공정을 생략하여 미세한 회로를 형성할 수 있었다. 또한, 배선막 및 접속 회로막이 트렌치 및 비아 홀 내부의 전체 영역에 형성되었기 때문에, 도 3과 같은 연마 공정을 거치지 않고, 미세한 회로를 형성하는 것이 가능했다.On the other hand, in Examples 1-4, the laser workability of the insulated resin layer and the adhesiveness of the insulated resin layer, the wiring film, the insulated resin layer, and the connection circuit film were excellent. This is because the insulating resin layer has high absorption with respect to the irradiation wavelength of the ultraviolet laser. Thus, the insulating resin layer is removed by irradiating an ultraviolet laser to expose the wiring film or the connection circuit film, and the ultraviolet laser having a pulse width of nanoseconds is irradiated. It is considered that the smoothness of the formed trenches and via holes is poor (having a larger recess and protrusion than that of Comparative Example 2 on the inner surface, and having high hydrophilicity) and high adhesion due to the anchor effect. In addition, in Examples 1-4, since the dispersion liquid containing metal nanoparticle was used when forming a circuit, the fine circuit was formed by omitting the plating pretreatment process like FIG. In addition, since the wiring film and the connection circuit film were formed in the entire region inside the trench and the via hole, it was possible to form a fine circuit without going through the polishing process as shown in FIG.

상기한 바와 같이 본 발명의 프린트 배선판의 회로 형성 방법은, 환경 부하가 큰 도금 전처리 공정, 도금막이나 도전성 도막 등의 과도하게 형성된 금속막의 연마 공정과 같은 번잡한 공정을 거치지 않고 미세한 회로가 형성 가능하다. 나아가, 자외선 레이저 조사에 의한 절연 수지층의 가공성이나, 절연 수지층과 배선막 또는 접속 회로막의 밀착성이 양호한 프린트 배선판의 회로 형성이 가능하게 된다.As mentioned above, the circuit formation method of the printed wiring board of this invention can form a fine circuit, without going through complicated processes, such as the plating pretreatment process with a large environmental load, and the grinding | polishing process of the excessively formed metal film, such as a plating film and an electroconductive coating film. Do. Furthermore, the circuit formation of the printed wiring board with the workability of the insulated resin layer by ultraviolet laser irradiation, and the adhesiveness of an insulated resin layer, a wiring film, or a connection circuit film is attained.

1: 금속장 적층판
1A: 절연 수지층
1B: 금속층
2A: 트렌치
2B: 비아 홀
3: 금속 나노 입자를 포함하는 분산액
4A: 배선막
4B: 접속 회로막
5: 토출 헤드
6: 자외선 레이저
7: 파단선
8: 연마기
9: 전처리제 또는 발수제
10: 촉매액(도금핵)
11: 무전해 도금
1: metal sheet laminate
1A: insulated resin layer
1B: metal layer
2A: trench
2B: Via Hole
3: dispersion containing metal nanoparticles
4A: wiring film
4B: connection circuit film
5: discharge head
6: ultraviolet laser
7: breaking line
8: grinding machine
9: pretreatment or water repellent
10: catalyst liquid (plating core)
11: electroless plating

Claims (7)

금속장 적층판 상의, 자외선 흡수성을 갖는 절연 수지층에 대하여, 펄스폭이 나노초 오더인 자외선 레이저를 조사함으로써 절연 수지층을 제거하여 오목부 구조를 형성하는 오목부 구조 형성 공정과,
상기 오목부 구조 형성 공정에 의해 형성된 오목부 구조 내부에, 잉크젯법에 의해 금속 나노 입자를 포함하는 분산액을 도포하는 분산액 도포 공정
을 갖는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 회로 형성 방법.
A recess structure forming step of forming an recess structure by removing the insulation resin layer by irradiating an ultraviolet laser having a pulse width of nanosecond order to the insulation resin layer having ultraviolet absorptivity on the metal sheet laminate;
Dispersion coating process of apply | coating the dispersion liquid containing metal nanoparticle to the inside of the recess structure formed by the said recess structure formation process by the inkjet method.
The circuit formation method of the printed wiring board which has a thing.
제1항에 있어서, 상기 오목부 구조가 트렌치 및 비아 홀 중 어느 1종 이상인 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 회로 형성 방법.The circuit forming method of a printed wiring board according to claim 1, wherein the recess structure is any one or more of a trench and a via hole. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 분산액 도포 공정에 있어서, 상기 분산액을 상기 오목부 구조 내부 전체에 충전하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 회로 형성 방법.The circuit forming method of the printed wiring board according to claim 1 or 2, wherein in the dispersion liquid applying step, the dispersion liquid is filled in the entire inside of the recess structure. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 분산액 도포 공정 후에 무전해 도금 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 회로 형성 방법.The circuit formation method of the printed wiring board of Claim 1 or 2 which has an electroless-plating process after the said dispersion liquid application | coating process. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 프린트 배선판의 회로 형성 방법에 의해 얻어지는 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판.The circuit obtained by the circuit formation method of the printed wiring board of any one of Claims 1-4 is provided, The printed wiring board characterized by the above-mentioned. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 프린트 배선판의 회로 형성 방법에 있어서의 절연 수지층을 형성하기 위하여 사용되는 열경화성 수지 조성물이며,
(A) 선상 구조를 갖는 폴리이미드 수지, (B) 다환 방향족 탄화수소환을 갖는 에폭시 수지 및 (C) 자외선 흡수제 중 어느 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.
It is a thermosetting resin composition used in order to form the insulated resin layer in the circuit formation method of the printed wiring board of any one of Claims 1-4,
The thermosetting resin composition containing any one or more of (A) polyimide resin which has linear structure, (B) epoxy resin which has polycyclic aromatic hydrocarbon ring, and (C) ultraviolet absorber.
제6항에 있어서, 상기 (B) 다환 방향족 탄화수소환을 갖는 에폭시 수지가 나프탈렌형 에폭시 수지 및 안트라센형 에폭시 수지 중 어느 1종 이상인 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.The thermosetting resin composition according to claim 6, wherein the epoxy resin (B) having a polycyclic aromatic hydrocarbon ring is any one or more of a naphthalene type epoxy resin and an anthracene type epoxy resin.
KR1020130069484A 2012-06-19 2013-06-18 Method for forming circuit of printed wiring board, thermosetting resin composition, and printed wiring board KR20130142936A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-138067 2012-06-19
JP2012138067 2012-06-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130142936A true KR20130142936A (en) 2013-12-30

Family

ID=49986411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130069484A KR20130142936A (en) 2012-06-19 2013-06-18 Method for forming circuit of printed wiring board, thermosetting resin composition, and printed wiring board

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2014027265A (en)
KR (1) KR20130142936A (en)
TW (1) TW201401951A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180016611A (en) * 2015-06-29 2018-02-14 몰렉스 엘엘씨 Application specific electronic device packaging system, method and device
CN108471675A (en) * 2018-02-06 2018-08-31 苏州智能制造研究院有限公司 A kind of no benzene fluid circuit module making method based on 3 D-printing

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6044592B2 (en) 2014-05-29 2016-12-14 トヨタ自動車株式会社 Multilayer wiring board and manufacturing method thereof
JP6439960B2 (en) * 2014-08-07 2018-12-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 Insulating resin sheet, and circuit board and semiconductor package using the same
TWI556698B (en) * 2014-08-12 2016-11-01 旭德科技股份有限公司 Substrate structure and manufacturing method thereof
CN113133208A (en) * 2021-04-13 2021-07-16 深圳市三维电路科技有限公司 Circuit processing method based on laser etching

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180016611A (en) * 2015-06-29 2018-02-14 몰렉스 엘엘씨 Application specific electronic device packaging system, method and device
CN108471675A (en) * 2018-02-06 2018-08-31 苏州智能制造研究院有限公司 A kind of no benzene fluid circuit module making method based on 3 D-printing

Also Published As

Publication number Publication date
TW201401951A (en) 2014-01-01
JP2014027265A (en) 2014-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20130142936A (en) Method for forming circuit of printed wiring board, thermosetting resin composition, and printed wiring board
JP4298291B2 (en) Liquid thermosetting resin composition and printed wiring board
JP5238342B2 (en) Thermosetting resin composition for hole filling of printed wiring board and printed wiring board using the same
JP6015445B2 (en) Liquid composition, resistor film using the same, resistor film manufacturing method, resistor element, and wiring board
JP5758463B2 (en) Epoxy resin composition, hole filling composition, and printed wiring board using the same
TW200932825A (en) Resin composition and laminated resin film using the same
TWI613682B (en) Composition for forming conductive film and method for producing conductive film
KR100726247B1 (en) Method for forming board
JP4620967B2 (en) Thermosetting resin composition for permanent hole filling
JPH11269355A (en) Liquid thermosetting composition for filler and permanent filling of printed circuit board with the same
JP2013080757A (en) Laminate structure for printed wiring board and method of manufacturing printed wiring board
JP2012069879A (en) Thermosetting resin filler
JP5739631B2 (en) Thermosetting resin filler
JP5751438B2 (en) Insulator ink and insulating layer, composite layer, circuit board, and semiconductor package using the same
JP2007123550A (en) Dielectric paste, capacitor and substrate
JP2015010146A (en) Thermosetting resin composition, and printed wiring board
JP2006228879A (en) Method for manufacturing circuit board
JP2013076004A (en) Thermosetting resin composition for laser beam machining, cured product, and printed wiring board
JP2013138124A (en) Multilayer printed board manufacturing method, multilayer printed board manufactured by the manufacturing method, and curable resin composition used in the manufacturing method
JP2013080756A (en) Laminate structure for printed wiring board and method of manufacturing printed wiring board
JP2005150233A (en) Method of forming circuit board
JP2013075952A (en) Thermosetting composition for laser processing, cured product, and printed wiring board
JP2005317986A (en) Process for producing printed wiring board by use of liquid thermosetting resin composition
CN108203497B (en) Epoxy resin composition for filling holes in printed wiring board, cured product, and printed wiring board using same
CN107526251A (en) The forming method of solder resist pattern

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination