KR20130142906A - 시험 장치 - Google Patents

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KR20130142906A
KR20130142906A KR1020130057595A KR20130057595A KR20130142906A KR 20130142906 A KR20130142906 A KR 20130142906A KR 1020130057595 A KR1020130057595 A KR 1020130057595A KR 20130057595 A KR20130057595 A KR 20130057595A KR 20130142906 A KR20130142906 A KR 20130142906A
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Abstract

(과제)
고속 모드 및 저속 모드의 신호를 수신한다.
(해결 수단)
피시험 디바이스를 시험하는 시험 장치에 있어서, 저속 비교기와, 저속 비교기보다도 고속으로 동작할 수 있는 고속 비교기와, 피시험 디바이스가 출력하는 피측정 신호를 저속 비교기 및 고속 비교기의 어느 것으로 측정할지를, 피시험 디바이스가 출력하는 신호에 근거하여 스위칭하는 스위칭부를 포함하는 시험 장치를 제공한다. 시험 장치는, 고속 비교기와 병렬로 설치된 종단 저항을 더 포함하여도 된다.

Description

시험 장치{TEST APPARATUS}
본 발명은, 시험 장치에 관한 것이다.
종래, 피시험 디바이스를 시험하는 시험 장치에 있어서, 피시험 디바이스의 고속 테스트 핀을 측정하는 고속 비교기(comparator)를 갖는 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
일본 공표 특허 제2006-500580호 공보
MIPI 등의 소정의 규격에 있어서는, 고속 모드 및 저속 모드에 동적으로 스위칭하는 신호를 전송하는 것이 요구된다. 이 때문에, 이러한 규격에 대응하는 디바이스를 시험하려면, 고속 모드 및 저속 모드의 신호를 수신하여야 한다.
본 발명의 제1 태양에 있어서는, 피시험 디바이스를 시험하는 시험 장치에 있어서, 저속 비교기와, 저속 비교기보다도 고속으로 동작할 수 있는 고속 비교기와, 피시험 디바이스가 출력하는 피측정 신호를 저속 비교기 및 고속 비교기 중 어느 것으로 측정할지를, 피시험 디바이스가 출력하는 신호에 근거하여 스위칭하는 스위칭부를 구비하는 시험 장치를 제공한다.
또한, 상기 발명의 개요는, 본 발명에 필요한 특징의 모두를 열거한 것은 아니다. 또한, 이러한 특징군의 서브 콤비네이션도 발명이 될 수 있다.
도 1은 피시험 디바이스(200)를 시험하는 시험 장치(100)의 개요를 나타내는 도면이다.
도 2는 측정부(10)의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 3은 측정부(10)의 다른 구성예를 나타내는 도면이다.
도 4는 피측정 신호의 파형의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는 이퀄라이저(equalizer) 회로(30)의 다른 구성예를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 2 내지 도 5에 나타난 스위칭부(32)의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 7은 스위칭부(32) 및 저항 성분(34)의 구성예를 나타내는 도면이다.
이하, 발명의 실시의 형태를 통해서 본 발명을 설명하지만, 이하의 실시 형태는 특허청구범위에 관한 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 실시 형태 중에서 설명되는 특징의 조합 모두가 발명의 해결 수단에 필수라고는 할 수 없다.
도 1은 피시험 디바이스(200)를 시험하는 시험 장치(100)의 개요를 나타내는 도면이다. 시험 장치(100)는, 반도체 집적 회로 등의 피시험 디바이스(200)를 시험한다. 피시험 디바이스(200)는, 고속 모드 및 저속 모드가 동적으로 스위칭하는 디바이스로서, 모드에 따른 주파수의 신호를 출력한다. 동적으로 스위칭한다는 것은, 신호를 출력하고 있는 동안에, 모드가 스위칭하는 것을 가리킨다. 본 예의 시험 장치(100)는, 패턴 발생부(102), 파형 정형부(104), 측정부(10) 및 판정부(106)를 구비한다.
패턴 발생부(102)는, 유저 등으로부터 주어지는 시험 프로그램에 따른 시험 패턴을 발생한다. 시험 패턴은, 피시험 디바이스(200)에 입력하는 시험 신호가 가져야 할 논리 패턴, 피시험 디바이스(200)가 출력하는 피측정 신호가 가져야 할 기댓값 패턴 등의 패턴을 포함한다. 파형 정형부(104)는, 패턴 발생부(102)가 출력하는 시험 패턴에 근거하여, 시험 신호의 파형을 정형한다. 예를 들면 파형 정형부(104)는, 시험 신호의 각 주기에서의 논리값에 따른 전압을 출력한다.
측정부(10)는, 피시험 디바이스(200)가 시험 신호에 따라 출력하는 피측정 신호를 측정한다. 본 예의 측정부(10)는, 피측정 신호의 전압과, 미리 정해진 참조 전압을 비교하는 것으로, 피측정 신호의 논리 패턴을 검출한다. 예를 들면 측정부(10)는, 피측정 신호의 전압이, 미리 정해진 참조 전압보다 큰지 아닌지를 나타내는 2값의 신호를 출력한다. 측정부(10)는, 2값의 신호를 소정의 타이밍에서 샘플링하여, 피측정 신호의 논리 패턴을 생성해도 된다.
판정부(106)는, 측정부(10)가 측정한 논리 패턴과 기댓값 패턴을 비교한다. 패턴 발생부(102)는, 시험 신호의 논리 패턴에 근거하여, 해당 기댓값 패턴을 생성해도 된다. 이러한 구성에 의해, 피시험 디바이스(200)를 시험한다.
도 2는 측정부(10)의 구성예를 나타내는 도면이다. 본 예의 측정부(10)는, 2개의 저속 비교기(12-1 및 12-2)(저속 비교기(12)로 총칭한다), 고속 비교기(14), 2개의 스위칭부(32-1 및 32-2)(스위칭부(32)로 총칭한다), 종단 저항(26), 2개의 공통 전송로(16-1 및 16-2)(공통 전송로(16)로 총칭한다), 2개의 고속측 전송로(18-1 및 18-2)(고속측 전송로(18)로 총칭한다), 2개의 저속측 전송로(20-1 및 20-2)(저속측 전송로(20)로 총칭한다), 2개의 유도 성분(22-1 및 22-2)(유도 성분(22)으로 총칭한다) 및 2개의 저항 성분(24-1 및 24-2)(저항 성분(24)으로 총칭한다)를 갖는다.
공통 전송로(16)의 각각은, 일단이 피시험 디바이스(200)의 출력핀에 접속되어, 피측정 신호를 전송한다. 2개의 공통 전송로(16)의 일단은, 피시험 디바이스(200)의 한 세트의 출력핀에 접속된다. 해당 한 세트의 출력핀은, 피시험 디바이스(200)가 고속 모드인 경우에 차동 신호가 출력되고, 피시험 디바이스(200)가 저속 모드인 경우에 2개의 싱글 엔드 신호가 출력되는 핀이면 된다.
각각의 저속측 전송로(20)는, 대응하는 공통 전송로(16)가 전송한 피측정 신호를, 대응하는 저속 비교기(12)에 전송한다. 공통 전송로(16) 및 저속 비교기(12) 사이에서의 저속측 전송로(20)에는, 유도 성분(22) 및 저항 성분(24)이 포함된다. 유도 성분(22) 및 저항 성분(24)은, 전송로에 기생하는 성분을 포함해도 되고, 전송로 상에 설치된 저항기 등의 성분을 포함해도 된다.
각각의 저속 비교기(12)는, 저속측 전송로(20)로부터 수취한 피측정 신호의 신호 레벨을, 미리 정해진 참조 전압과 비교한다. 저속 비교기(12)는, 비교 결과에 따른 디지털 신호를 출력하는 것으로, 피측정 신호의 논리 패턴을 출력한다.
각각의 고속측 전송로(18)는, 대응하는 공통 전송로(16)가 전송한 피측정 신호를, 공통의 고속 비교기(14)에 입력한다. 각각의 고속측 전송로(18)는, 고속 비교기(14)의 차동 입력에 접속되어도 된다. 고속측 전송로(18) 및 저속측 전송로(20)는, 대응하는 공통 전송로(16)에 대해서 분기하여 설치된다.
고속 비교기(14)는, 저속 비교기(12)보다도 고속으로 동작할 수 있는 비교기이다. 예를 들면 고속 비교기(14)는, 저속 비교기(12)가 변환할 수 있는 피측정 신호의 상한의 주파수보다도 고주파수인 피측정 신호를, 2값 또는 다중 값의 신호로 변환할 수 있다. 또한, 저속 비교기(12)는, 고속 비교기(14)가 변환할 수 있는 피측정 신호의 진폭의 상한보다도 큰 진폭의 피측정 신호를, 2값 또는 다중 값의 신호로 변환할 수 있다. 즉, 저속 비교기(12)는 저속의 큰진폭의 신호를 처리할 수 있고, 고속 비교기(14)는 고속의 작은 진폭의 신호를 처리할 수 있는 비교기이면 된다.
종단 저항(26)은, 고속 비교기(14)에 대해서 병렬로 설치되어, 고속측 전송로(18)에 대해서 임피던스 정합한다. 종단 저항(26)의 일단은, 고속 비교기(14)의 일방의 입력에 접속되고, 종단 저항(26)의 타단은, 고속 비교기(14)의 타방의 입력에 접속된다. 종단 저항(26)은, 고속 비교기(14)의 근방에 배치되는 것이 바람직하다. 예를 들면 종단 저항(26) 및 고속 비교기(14) 사이의 전송로 길이는, 고속측 전송로(18)의 전송로 길이보다 짧아도 된다.
스위칭부(32)는, 피시험 디바이스(200)가 출력하는 피측정 신호를, 저속 비교기(12) 및 고속 비교기(14) 중 어느 것으로 측정할지를, 피시험 디바이스(200)가 출력하는 신호에 근거하여 스위칭한다. 본 예에서의 스위칭부(32)는, 종단 저항(26) 및 고속 비교기(14) 사이에 설치된다. 일방의 스위칭부(32)는, 종단 저항(26)의 일단과, 고속 비교기(14)의 일방의 입력 사이에 설치된다. 타방의 스위칭부(32)는, 종단 저항(26)의 타단과, 고속 비교기(14)의 타방의 입력 사이에 설치된다.
본 예에 있어서, 각각의 스위칭부(32)는, 피측정 신호를 저속 비교기(12)로 측정하는 경우에 오프 상태가 되고, 피측정 신호를 고속 비교기(14)로 측정하는 경우에 온 상태가 되는 스위치를 갖는다. 즉, 스위칭부(32)는, 저속 비교기(12)로 피측정 신호를 측정하는 경우에, 고속 비교기(14)의 입력 단자 및 종단 저항(26)을, 저속 비교기(12)의 입력 단자로부터 전기적으로 분리한다.
시험 장치(100)는, 피시험 디바이스(200)가 출력하는 신호에 따라, 피측정 신호가 고속 모드 및 저속 모드의 어느 모드에서의 신호인지를 판별해도 된다. 예를 들면, 피시험 디바이스(200)가 현재의 모드를 나타내는 모드 신호를 출력하는 경우, 시험 장치(100)는, 해당 모드 신호에 근거하여, 피시험 디바이스(200)의 모드를 판별한다. 또한, 피시험 디바이스(200)가, 장래의 모드 천이를 예고하는 신호를 출력해도 된다.
또한, 시험 장치(100)는, 피측정 신호의 주파수의 변화에 근거하여, 피시험 디바이스(200)의 모드의 천이를 판별해도 된다. 시험 장치(100)는, 피측정 신호의 주파수의 변화를 측정하는 측정부를 더 가져도 된다. 또한, 시험 장치(100)는, 피측정 신호의 진폭의 변화에 근거하여, 피시험 디바이스(200)의 모드의 천이를 판별해도 된다. 각각의 스위칭부(32)는, 피시험 디바이스(200)가 고속 모드의 피측정 신호를 출력하는 경우에 온 상태가 되고, 저속 모드의 피측정 신호를 출력하는 경우에 오프 상태가 된다.
이러한 구성에 의해, 고속 비교기(14)의 근방에 종단 저항(26)을 배치하면서, 저속 모드 시에는, 종단 저항(26)을 저속 비교기(12)로부터 분리할 수 있다. 또한, 피측정 신호를 수신하고 있는 동안에 있어서 스위칭부(32)가 동적으로 제어 되므로, 저속 모드 및 고속 모드가 동적으로 스위칭하는 피측정 신호를 측정할 수 있다.
단, 도 2에 나타낸 측정부(10)에 있어서는, 스위칭부(32)를 오프 상태로 제어하면, 고속측 전송로(18)와 스위칭부(32) 사이에서, 오픈 스터브(open stub)가 발생해 버린다. 또한, 종단 저항(26) 및 고속 비교기(14)가 스위칭부(32)를 통하여 접속되므로, 고속 비교기(14)의 근방에 종단 저항(26)을 배치하는 것에 방해가 된다.
도 3은 측정부(10)의 다른 구성예를 나타내는 도면이다. 본 예의 측정부(10)는, 각각의 고속측 전송로(18) 상에, 이퀄라이저 회로(30)를 갖는다. 또한, 스위칭부(32)는, 이퀄라이저 회로(30) 내에 설치된다. 본 예의 고속측 전송로(18)는, 피측정 신호를 고속 비교기(14) 및 종단 저항(26)에 전송한다. 다른 구성은, 도 2에 나타낸 측정부(10)와 동일하다.
본 예의 스위칭부(32)는, 고속측 전송로(18) 상에 설치되어, 저속 비교기(12)로 피측정 신호를 측정하는 경우에 오프 상태가 된다. 이에 의해, 스위칭부(32)는, 저속 비교기(12)로 피측정 신호를 측정하는 경우에, 고속 비교기(14)의 입력 단자 및 종단 저항(26)을, 저속 비교기(12)의 입력 단자로부터 전기적으로 분리한다. 본 예에 있어서 전기적으로 분리한다는 것은, 저속 모드에서의 피측정 신호가, 고속 비교기(14) 및 종단 저항(26)에 전송하지 않는 것을 가리킨다.
즉 본 예에서는, 더 높은 주파수의 신호가 고속 비교기(14) 및 종단 저항(26)에 전송 가능한 상태이어도, 저속 모드에서의 피측정 신호가 고속 비교기(14) 및 종단 저항(26)으로부터 차단되어 있으면, 고속 비교기(14)의 입력 단자 및 종단 저항(26)을, 저속 비교기(12)의 입력 단자로부터 전기적으로 분리하고 있는 것으로 한다.
본 예의 이퀄라이저 회로(30)는, 저항 성분(34), 유도 성분(36) 및 용량 성분(38)을 갖는다. 이퀄라이저 회로(30)는, 피시험 디바이스(200)로부터 고속 비교기(14)까지의 전송로에 발생하는 신호의 감쇠, 왜곡 등을 보상하도록, 각 성분의 값이 조정된다.
본 예의 스위칭부(32)는, 이퀄라이저 회로(30)에서의 저항 성분(34)과 직렬로 설치된다. 이러한 구성에 의해, 스위칭부(32)의 온 저항을, 이퀄라이저 회로(30)에의 저항 성분으로서 기능시킬 수 있다. 따라서, 저항 성분(34)의 저항값은, 스위칭부(32)에의 온 저항에 따라 조정된다. 저항 성분(34)은, 저항값이 가변인 가변 저항기를 가져도 된다. 이퀄라이저 회로(30)는, 스위칭부(32)에서의 온 저항의 시간의 경과에 따른 변화에 따라 가변 저항기의 저항값을 조정해도 된다.
본 예의 용량 성분(38) 및 유도 성분(36)은, 저항 성분(34) 및 스위칭부(32)에 대해서 병렬로 설치된다. 이러한 구성에 의해, 스위칭부(32)가 온 상태인 경우에는, 이퀄라이저 회로(30)는 이퀄라이저로서 기능하고, 스위칭부(32)가 오프 상태의 경우에는, 하이 패스 필터로서 기능한다. 이에 의해, 스위칭부(32)는, 저속 비교기(12)로 피측정 신호를 측정하는 경우에, 고속 비교기(14)의 입력 단자 및 종단 저항(26)을, 저속 비교기(12)의 입력 단자로부터 전기적으로 분리할 수 있다.
해당 하이 패스 필터의 차단 주파수는, 저속 모드에서의 피측정 신호의 주파수(또는 데이터 전송 속도)보다도 높고, 고속 모드에서의 피측정 신호의 주파수(또는 데이터 전송 속도)보다도 낮은 것이 바람직하다. 저속 모드에서의 피측정 신호의 데이터 전송 속도는, 예를 들면 10Mbps이며, 고속 모드에서의 피측정 신호의 데이터 전송 속도는, 예를 들면 3Gbps이다.
이러한 구성에 의해, 스위칭부(32)를 오프 상태로 한 때의 오픈 스터브의 발생을 막을 수 있다. 또한, 스위칭부(32)를 개재시키지 않고, 종단 저항(26)을 고속 비교기(14)에 접속할 수 있으므로, 고속 비교기(14)의 바로 근처에 종단 저항(26)을 배치할 수 있어 신호 반사의 영향을 저감할 수 있다.
또한, 본 예의 스위칭부(32)는, MOS 아날로그 스위치이면 된다. MOS 아날로그 스위치를 이용하는 것으로, 고속으로 스위칭 동작이 가능해진다. 또한, MOS 아날로그 스위치는 온 저항이 수 옴 정도로 비교적 크지만, 이퀄라이저 회로(30)에서의 저항 성분으로서 기능시키는 것으로, 관계되는 온 저항을 유효하게 활용할 수 있다.
도 4는 피측정 신호의 파형의 일례를 나타내는 도면이다. 도 4에 있어서 횡축은 시간이며, 종축은 신호 레벨을 나타낸다. 본 예의 피측정 신호는, 스위칭 타이밍에 있어서, 고속 모드(HS)로부터 저속 모드(LS)로 스위칭한다. 도 4에 나타난 바와 같이, 고속 모드(HS)의 피측정 신호는 차동 신호이고, 저속 모드(LS)에서의 피측정 신호는, 2개의 싱글 엔드의 신호이다.
시험 장치(100)는, 해당 스위칭 타이밍에 있어서, 스위칭부(32)를 온 상태로부터 오프 상태로 스위칭한다. 또한, 피측정 신호가 저속 모드(LS)로부터 고속 모드(HS)로 스위칭하는 경우, 시험 장치(100)는, 스위칭부(32)를 오프 상태로부터 온 상태로 스위칭한다. 상술한 바와 같이, 시험 장치(100)는, 피시험 디바이스(200)가 출력하는 신호에 근거하여, 해당 스위칭 타이밍을 검출한다. 이에 의해, 도 4에 나타낸 바와 같은 동적으로 모드가 스위칭하는 피측정 신호를 측정할 수 있다.
도 5는 이퀄라이저 회로(30)의 다른 구성예를 나타내는 도면이다. 본 예의 이퀄라이저 회로(30)는, 스위칭부(32), 저항 성분(34) 및 용량 성분(38)을 갖는다. 저항 성분(34) 및 용량 성분(38)은, 공통 전송로(16) 및 고속 비교기(14) 사이에 있어서, 서로 병렬로 설치된다. 스위칭부(32)는, 공통 전송로(16) 및 고속 비교기(14) 사이에 있어서, 저항 성분(34) 및 용량 성분(38)의 쌍방에 대해서 직렬로 설치된다. 본 예에 있어서도, 스위칭부(32)의 온 저항은, 이퀄라이저 회로(30)의 저항 성분으로서 기능한다.
도 6은 도 2 내지 도 5에 나타낸 스위칭부(32)의 구성예를 나타내는 도면이다. 본 예의 스위칭부(32)는, 반도체 스위치(40), 저항기(42) 및 저항기(44)를 갖는다. 반도체 스위치(40)는, 예를 들면 MOS 아날로그 스위치이다. 반도체 스위치(40)는, 고속측 전송로(18) 상에 소스 및 드레인이 설치된다. 저항기(42) 및 저항기(44)는, 반도체 스위치(40)의 양단(소스 및 드레인)을, 각각 기준 전위에 접속한다. 본 예의 기준 전위는 접지 전위이다. 이에 의해, 스위칭부(32)는, 감쇠기로서 기능할 수 있다.
또한, 시험 장치(100)는, 이퀄라이저 회로(30) 또는 반도체 스위치(40)의 온도에 근거하여, 반도체 스위치(40)의 게이트에 인가하는 전압(VG)을 제어해도 된다. 예를 들면 시험 장치(100)는, 온도 변화에 의한 반도체 스위치(40)의 온 저항의 변화를 보상하도록, 전압(VG)을 제어한다. 또한, 시험 장치(100)는, 제조 편차에 의한 2개의 반도체 스위치(40)의 특성 차이를 보상하기 위하여, 각각의 반도체 스위치(40)의 게이트에 인가하는 전압을 다르게 해도 된다.
도 7은 스위칭부(32) 및 저항 성분(34)의 구성예를 나타내는 도면이다. 본 예의 스위칭부(32) 및 저항 성분(34)은, 모두 반도체 스위치이다. 저항 성분(34)의 반도체 스위치는, 스위칭부(32)의 반도체 스위치와 온 오프 상태가 동일하게 되도록 제어되면 되고, 또한, 피시험 디바이스(200)의 시험 중에는 항상 온 상태로 제어되어도 된다. 해당 반도체 스위치의 온 저항이, 저항 성분(34)으로서 기능한다.
시험 장치(100)는, 각 반도체 스위치의 게이트에 인가하는 전압(VG1 및 VG2)을, 이퀄라이저 회로(30) 또는 반도체 스위치(40)의 온도에 근거하여 제어해도 된다. 또한, 시험 장치(100)는, 각각의 반도체 스위치의 양단을 기준 전위에 접속하는 저항을 가져도 된다. 또한, 시험 장치(100)는, 저항 성분(34)의 반도체 스위치의 게이트 전압(VG2)를 온도 등에 근거하여 제어하고, 스위칭부(32)의 반도체 스위치의 게이트 전압(VG1)을 온도 등에 의해서는 변화시키지 않아도 된다.
이상, 본 발명을 실시의 형태를 이용하여 설명하였으나, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시의 형태에 기재된 범위에는 한정되지 않는다. 상기 실시의 형태에, 다양한 변경 또는 개량을 더하는 것이 가능함은 당업자에게 분명하다. 그와 같은 변경 또는 개량을 더한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있다는 것은, 특허청구범위의 기재로부터 분명하다.
특허청구범위, 명세서 및 도면에 있어서 나타낸 장치, 시스템, 프로그램 및 방법에 있어서의 동작, 순서, 스텝 및 단계 등의 각 처리의 실행 순서는, 특별히 「보다 전에」, 「이전에」등으로 명시하고 있지 않고, 또한, 이전 처리의 출력을 후의 처리로 이용하지 않는 한, 임의의 순서로 실현할 수 있다는 것에 유의해야 한다. 특허청구범위, 명세서 및 도면 내의 동작 플로우에 관해서, 편의상 「우선」, 「다음으로」등을 이용하여 설명했다고 하여도, 이 순서로 실시하는 것이 필수인 것을 의미하는 것은 아니다.
10 측정부
12 저속 비교기
14 고속 비교기
16 공통 전송로
18 고속측 전송로
20 저속측 전송로
22 유도 성분
24 저항 성분
26 종단 저항
30 이퀄라이저 회로
32 스위칭부
34 저항 성분
36 유도 성분
38 용량 성분
40 반도체 스위치
42, 44 저항기
100 시험 장치
102 패턴 발생부
104 파형 정형부
106 판정부
200 피시험 디바이스

Claims (8)

  1. 피시험 디바이스를 시험하는 시험 장치에 있어서,
    저속 비교기;
    상기 저속 비교기보다도 고속으로 동작할 수 있는 고속 비교기; 및
    상기 피시험 디바이스가 출력하는 피측정 신호를 상기 저속 비교기 및 상기 고속 비교기 중 어느 것으로 측정할지를, 상기 피시험 디바이스가 출력하는 신호에 근거하여 스위칭하는 스위칭부
    를 포함하는,
    시험 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고속 비교기와 병렬로 설치된 종단 저항을 더 포함하고,
    상기 스위칭부는, 상기 저속 비교기로 상기 피측정 신호를 측정하는 경우에, 상기 고속 비교기의 입력 단자 및 상기 종단 저항을, 상기 저속 비교기의 입력 단자로부터 전기적으로 분리하는,
    시험 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 피측정 신호를 전송하는 공통 전송로;
    상기 공통 전송로가 전송한 상기 피측정 신호를, 상기 저속 비교기에 전송 하는 저속측 전송로; 및
    상기 공통 전송로가 전송한 상기 피측정 신호를, 상기 고속 비교기 및 상기 종단 저항에 전송하는 고속측 전송로
    를 더 포함하고,
    상기 스위칭부는, 상기 고속측 전송로에 설치되어, 상기 저속 비교기로 상기 피측정 신호를 측정하는 경우에 오프 상태가 되는 스위치를 갖는,
    시험 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 고속측 전송로에 설치되어, 저항 성분을 갖는 이퀄라이저 회로를 더 포함하고,
    상기 스위치는, 상기 저항 성분과 직렬로 설치되는,
    시험 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 스위치는, 반도체 스위치이고,
    상기 시험 장치는, 상기 이퀄라이저 회로 또는 상기 스위치의 온도에 근거하여, 상기 스위치의 게이트에 인가하는 전압을 제어하는,
    시험 장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 이퀄라이저 회로는, 상기 저항 성분과 병렬로 설치된 용량 성분을 더 포함하고,
    상기 스위치는, 상기 용량 성분과 직렬로 설치되는,
    시험 장치.
  7. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 이퀄라이저 회로는, 상기 저항 성분과 병렬로 설치된 용량 성분을 더 갖추고,
    상기 스위치는, 상기 용량 성분과 병렬로 설치되는,
    시험 장치.
  8. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 스위치의 양단을 각각 기준 전위에 접속하는 저항을 더 포함하는,
    시험 장치.
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