KR20130135178A - 신규한 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자 - Google Patents

신규한 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자 Download PDF

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KR20130135178A
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Abstract

본 발명은 신규한 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 신규 화합물은 유기 전자 소자의 효율, 구동 전압 및 수명을 크게 향상시킬 수 있다.

Description

신규한 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자{NEW HETEROCYCLIC COMPOUNDS AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}
본 출원은 2012년 5월 31일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2012-0058942호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 신규한 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 관한 것이다.
유기 전자 소자란 정공 및/또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다. 유기 전자 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전기 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자이다.
유기 전자 소자의 예로는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC), 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다. 이하에서는 주로 유기 발광 소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기 전자소자 들에서는 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질이 유사한 원리로 작용한다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.
유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공주입 물질이나 정공수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자주입 물질이나 전자수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.
위에서 언급한 외에, 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 다음과 같은 성질을 추가적으로 갖는 것이 바람직하다.
저전압 구동 가능한 고효율의 유기 발광 소자를 얻기 위해서는 유기 발광 소자 내로 주입된 정공 또는 전자들이 원활하게 발광층으로 전달되는 동시에, 주입된 정공과 전자들이 발광층 밖으로 빠져나가지 않도록 하여야 한다. 이를 위해서 유기 발광 소자에 사용되는 물질은 적절한 밴드갭(band gap)과 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위를 가져야 한다. 현재 전자수송층 물질로 주로 사용되는 Alq3의 경우, 발광층 물질로 사용되는 유기물들의 HOMO 네너지 준위에 비하여 HOMO 에너지 준위가 높기 때문에 고효율 및 장수명의 특성을 갖는 유기 발광 소자의 제조에 어려움이 있다.
이외에도 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 화학적 안정성, 전하이동도, 전극이나 인접한 층과의 계면 특성 등이 우수하여야 한다. 즉, 유기 발광소자에서 사용되는 물질은 수분이나 산소에 의한 물질의 변형이 적어야 한다. 또한, 적절한 정공 또는 전자 이동도를 가짐으로써 유기 발광 소자의 발광층에서 정공과 전자의 밀도가 균형을 이루도록 하여 엑시톤 형성을 극대화할 수 있어야 한다. 그리고, 소자의 안정성을 위해 금속 또는 금속 산화물을 포함한 전극과의 계면을 좋게 할 수 있어야 한다.
따라서, 유기 발광 소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 상기와 같은 요건을 갖춘 유기물의 개발이 요구 되고 있으며, 이와 같은 물질 개발의 필요성은 전술한 다른 유기 전자 소자에서도 마찬가지이다.
대한민국 공개특허공보 제10-2003-0067773호
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에서 사용 가능한 물질에 요구되는 조건, 예컨대 적절한 에너지 준위, 전기 화학적 안정성 및 열적 안정성 등을 만족시켜, 유기 전자 소자의 효율, 구동전압 및 수명을 크게 향상시킬 수 있는 신규한 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
R1과 R2가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R2과 R3가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R3과 R4가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R5과 R6가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R6과 R7가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R7과 R8가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하고,
R1 내지 R8 중 방향족 고리를 형성하지 않는 기, R1과 R2가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R2과 R3가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R3과 R4가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R5과 R6가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R6과 R7가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R7과 R8 가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, 및 R9 중 적어도 하나는 -(L)p-(Y)q 이고, 여기서 p는 0 내지 10의 정수이고, q는 1 내지 10의 정수이고,
나머지는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C1-50의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 -50의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C2 -50의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴기; 또는 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2-50의 헤테로아릴기이고,
L은 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴렌기; 치환 또는 비치환된 C2 -50의 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 C13 -50의 플루오레닐렌기; 또는 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2 -50의 헤테로아릴렌기이고,
Y는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 -50의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C2 -50의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 C13-50의 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴기; 또는 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2 -50의 헤테로아릴기이고,
L 또는 Y가 2 이상 존재하는 경우 이들은 서로 같거나 상이하고, 전술한 치환기들은 서로 인접하는 기와 지방족, 방향족, 지방족헤테로 또는 방향족헤테로의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 측면은, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 신규한 헤테로환 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자의 유기물층 재료로서 사용될 수 있다. 상기 본 발명에 따른 화합물을 유기물 층의 재료로서 이용한 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자는 효율, 구동전압, 수명 등에서 우수한 특성을 나타낸다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(3), 정공 수송층(4), 발광층(5), 전자 수송층(6) 및 음극(7)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.
본 발명의 일 측면은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 관한 것이다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 화학식 7 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
상기 화학식 1에서 있어서, R1과 R2가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 1에서 있어서, R2과 R3가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
상기 화학식 1에서 있어서, R3과 R4가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00004
상기 화학식 1에서 있어서, R5과 R6가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 5로 표시될 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00005
상기 화학식 1에서 있어서, R6과 R7가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 6로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00006
상기 화학식 1에서 있어서, R7과 R8가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하는 경우는 하기 화학식 7로 표시될 수 있다.
[화학식 7]
Figure pat00007
상기 화학식 2 내지 화학식 7 에 있어서, R1 내지 R15 중 적어도 하나는 -(L)p-(Y)q 로 표시되는 기이며, 여기서 L, Y, p 및 q는상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고, 나머지는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 -50의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C2-50의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴기; 또는 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2 -50의 헤테로아릴기이다.
상기 화학식 1 내지 화학식 7의 치환기를 상세히 설명하면 다음과 같다.
상기 화학식 1 내지 화학식 7의 알킬기의 탄소수는 1-50인 것이 바람직하고, 1-30인 것이 더욱 바람직하며, 구체적으로 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 시클로알킬기의 탄소수는 3-50인 것이 바람직하고, 3-40인 것이 더욱 바람직하며, 구체적으로 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 알킬티옥시기 및 알콕시기의 탄소수는 1-50인 것이 바람직하고, 1-40인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 알케닐기의 탄소수는 2-50인 것이 바람직하고, 2-40인 것이 더욱 바람직하며, 구제척으로 스틸베닐기(stylbenyl), 스티레닐기(styrenyl) 등의 아릴기가 치환된 알케닐기가 바람직하나 이들에 한정되지 않는다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있고, 탄소수는 6-50인 것이 바람직하고, 6-40인 것이 더욱 바람직하다. 단환식 아릴기의 예로는 페닐기, 바이페닐기 및 터페닐기 등이 있고, 다환식 아릴기의 예로는 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기 및 크라이세닐기 등이 있으나, 본 발명의 범위가 이들 예로만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 헤테로아릴기의 탄소수는 2-50인 것이 바람직하고, 2-40인 것이 더욱 바람직하며, 이종원자로서 O, N, S 또는 P를 갖는 것이 바람직하다. 헤테로 고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 옥사졸기, 벤조퀴놀린기, 피리딜기, 피라다진기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀린기, 카바졸기, 벤조카바졸기 및 아크리딜기 등이 있으며, 하기 구조식과 같은 화합물들이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00008
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 아릴아민기의 탄소수는 6-50인 것이 바람직하고, 6-40인 것이 더욱 바람직하며, 구제척으로 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 3-메틸-페닐아민기, 4-메틸-나프틸아민기, 2-메틸-비페닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸 아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기 및 트리페닐아민기 등이 있으나. 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 플루오레닐기의 탄소수는 13~50인 것이 바람직하고, 13~40인 것이 더욱 바람직하며, 구제척으로 하기 구조식의 화합물인 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00009
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7에서 특별한 설명이 없는 경우, "치환 또는 비치환된"이라는 용어는 중수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴기, 헤테로아릴기, 카바졸기, 아릴아민기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나, 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7에 있어서, R1 내지 R15 중 적어도 하나는 -(L)p-(Y)q 표시되는 기이고, 여기서 p와 q는 동시에 0은 아니고, L은 아릴렌기, 플루오레닐렌기, 알케닐렌기 또는 헤테로아릴렌기이고, Y는 중수소, 불소, 니트릴기, 알킬기, 시클로알킬기, 실릴기, 아릴기, 플로오레닐기 또는 헤테로아릴기인 것이 바람직하다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 알케닐기의 탄소수는 2-50인 것이 바람직하고, 2-40인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 플루오레닐렌기의 탄소수는 13~50인 것이 바람직하고, 13~40인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 아릴렌기의 탄소수는 6-50인 것이 바람직하고, 6-40인 것이 더욱 바람직하며, 구체적으로 페닐렌기, 비페닐렌기, 나프탈렌닐기, 바이나프탈렌기, 안트라세닐렌기, 크라이세닐렌기, 페난트레닐렌 및 파이레닐렌기가 바람직하나 이에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 헤테로아릴렌기의 탄소수는 2-50인 것이 바람직하고, 2-40인 것이 더욱 바람직하며, 이종원자로서 O, N, S 또는 P를 갖는 것이 바람직하며, 구체적으로 이미다졸릴렌기, 옥사졸릴렌기, 티아졸릴렌기, 트리아질렌기, 피리딜렌기, 피리미딜렌기, 퀴놀릴렌기, 카바졸릴렌기, 인돌리질렌기 및 티오페닐렌기가 바람직하나 이에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 화합물은 하기 화합물들이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
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Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일반적인 제조방법은 다음과 같다.
1) Pd 촉매 존재하에서, 할로겐기(F, Cl, Br, I)와 나이트로기(-NO2)가 치환되어 있는 화합물 1-A과 보로닉산 또는 보론에스터가 치환되어 있는 화합물 1-B를 반응시켜, 나이트로기(-NO2)가 치환되어 있는 화합물 1-C를 제조하는 단계.
2) 상기 1)단계에서 제조된 NO2가 치환되어 화합물 1-C를, Na2S2O4를 이용하여 환원시켜, NH2가 치환된 화합물 1-D를 제조하는 단계.
3) 상기 2)단계에서 제조된 NH2가 치환된 화합물 1-D와 아실클로라이드(acyl chloride) 화합물(R9-COCl)을 반응시켜, 아마이드(amide)를 포함하는 화합물 1-E를 제조하는 단계
4) 상기 3)단계에서 제조된 아마이드를 포함하는 화합물 1-E를, POCl3를 이용하여 화합물 1-F (화학식 1로 표시되는 화합물)를 제조하는 단계를 포함하여 이루어지며, 하기 반응식 1로 표시될 수 있으나, 상기 화학식 1로 표시 되는 화합물의 제조 방법이 하기 반응식 1로만 한정되는 것은 아니다.
[반응식 1]
Figure pat00027
상기 반응식 1에서 R1 내지 R9은 상기 화학식 1에서 정의한 R1 내지 R9과 같다.
본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자라면 상기 일반적인 제조방법과 본 명세서의 실시예를 참고하여 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 용이하게 제조할 수 있다.
본 발명의 두 번째 측면은 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전기소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1 내지 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 전기 소자에 관한 것이다.
본 발명의 유기 전기 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 발명의 화합물, 즉 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 화합물들을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
이하에서는 유기 발광 소자에 대하여 예시한다.
본 발명의 하나의 실시 상태에 있어서, 유기 발광 소자는 제 1 전극과 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있다. 본 발명의 유기 발광 소자 중 유기물층은 1층으로 이루어진 단층 구조일 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조일 수도 있다. 본 발명의 유기발광소자의 유기물층이 다층 구조인 경우, 이는 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 등이 적층된 구조일 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다. 예컨대 본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 도 1에는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(3), 정공수송층(4), 발광층(5), 전자수송층(6), 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 도 1과 같은 구조의 유기발광소자를 통상 정방향 구조의 유기발광소자라고 하는데, 본 발명은 이에 한정되지 않고 역방향 구조의 유기발광소자도 포함한다. 즉, 본 발명의 유기발광소자는 기판, 음극, 전자수송층, 유기발광층, 정공수송층, 정공주입층 및 양극이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
상기 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자주입층 및 전자수송층을 포함하고, 이 전자주입층 및 전자수송층이 상기 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물층은 정공주입층 및 정공수송층을 포함하고, 이 정공주입층 및 정공수송층이 상기 화학식 1 내지 화학식 7로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 전술한 화학식 1 내지 화학식 7의 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층 중 1층 이상에 사용한다는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료를 사용하여 제조될 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering) 이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 전술한 바와 같이 역방향 구조의 유기 발광 소자를 제작하기 위하여 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.
상기 화학식 1 내지 화학식 7의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀코팅, 딥코팅, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공수송 물질로는 양극이나 정공주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 화합물; 카바졸 계열의 화합물; 안트라센 계열의 화합물; 파이렌 계열의 화합물; 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3); 카바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; 비스-메틸-8-히드록시퀴놀린 파라페닐페놀 알루미늄 착물(bAlq); 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 안트라센 계열의 화합물; 파이렌계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물; 안트라센 계열의 화합물; 파이렌계열의 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 피리딜계열의 화합물; 페난트롤린 계열의 화합물; 퀴놀린 계열의 화합물; 퀴나졸린 계열의 화합물 등이 있으며, 또한 이들의 화합물들이 금속 또는 금속화합물과 도핑하여 전자 수송 층을 형성할 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1 내지 화학식 7의 화합물은 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터 등을 비롯한 유기전자소자에서도 유기발광소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
상기 화학식 1 내지 화학식 7의 화합물들의 제조 방법 및 이들을 이용한 유기 발광 소자의 제조는 이하의 제조예 및 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 제조예 및 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 >
< 제조예 1>
(1) 화합물 A-4의 제조
Figure pat00028
[화합물 A-1]
1-클로로-2-니트로벤젠(1-Chloro-2-nitrobenzene, 47.28g, 300mmol)와 2-나프틸보론산(2-naphthylboronic acid, 54.2g, 315mmol)을 THF(600mL)에 녹인 후, 2M K2CO3 수용액(500mL)을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐((Pd(PPh3)4, 2 mol%, 6.9g)을 넣은 후 15시간 동안 65℃에서 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-1(59.8g, 수율 80%)을 제조하였다.
MS:[M]+=249
[화합물 A-2]
상기 화합물 A-1(74.78g, 300mmol)을 THF(600mL)에 녹인 후, 2M Na2S2O4 수용액(600mL)을 첨가하고 15시간 동안 65℃에서 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 헥산으로 재결정하여 화합물 A-2(46g, 수율 70%)를 제조하였다.
MS:[M+H]+=220
[화합물 A-3]
상기 화합물 A-2(36.2g, 165mmol)을 THF(400mL)에 녹인 후, 2M K2CO3 수용액(300mL)을 첨가하고, 4-브로모벤조일 클로라이드(4-bromobenzoyl chloride, 36.3g, 165mmol)을 THF(300mL)에 녹인 용액을 천천히 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-3(49.6g, 수율 74%)를 제조하였다.
MS:[M+H]+=403
[화합물 A-4]
상기 화합물 A-3(49.6g, 123mmol)을 CHCl3(50mL)와 포스포러스 옥시클로라이드(phosphorous oxychloride, 37.8mL)에 넣은 후 10시간 동안 교반 환류하였다. 반응물을 CHCl3(1L)에 묽힌 후 천천히 2M K2CO3 수용액(1L)에 적가하여 30분간 교반하였다. 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-4(23g, 수율 46.7%)를 얻었다.
MS:[M]+=400
(2) 화합물 A-6 제조
Figure pat00029
[화합물 A-5]
상기 화합물 A-2(36.2g, 165mmol)을 THF(400mL)에 녹인 후, 2M K2CO3 수용액(300mL)을 첨가하고, 3-브로모벤조일 클로라이드(3-bromobenzoyl chloride, 36.3g, 165mmol)을 THF(300mL)에 녹인 용액을 천천히 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-3(46g, 수율 70%)를 제조하였다.
MS:[M+H]+=403
[화합물 A-6]
상기 화합물 A-3(25, 60mmol)을 CHCl3(30mL)와 포스포러스 옥시클로라이드(phosphorous oxychloride, 20mL)에 넣은 후 10시간 동안 교반 환류하였다. 반응물을 CHCl3(500mL)에 묽힌 후 천천히 2M K2CO3 수용액(500mL)에 적가하여 30분간 교반하였다. 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-4(11g, 수율 45%)를 얻었다.
MS:[M]+=384
(3) 화합물 A-10의 제조
Figure pat00030
[화합물 A-7]
1,4-디클로로-2-니트로벤젠(1,4-Dichloro-2-nitrobenzene, 100g, 520mmol)와 2-나프틸보론산(2-naphthylboronic acid, 94g, 547mmol)을 THF(600mL)에 녹인후, 2M K2CO3 수용액(500mL)을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(Pd(PPh3)4, 2mol%, 12g)을 넣은 후 15시간 동안 65℃에서 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-7(66g, 수율 45%)을 제조하였다.
MS:[M]+=283
[화합물 A-8]
상기 화합물 A-7(66g, 233mmol)을 THF(600mL)에 녹인 후, 2M Na2S2O4 수용액(600mL)을 첨가하고 15시간 동안 65℃에서 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 헥산으로 재결정하여 화합물 A-8(31.7g, 수율 53%)를 제조하였다.
MS:[M+H]+=253
[화합물 A-9]
상기 화합물 A-8(31.7g, 125mmol)을 THF(300mL)에 녹인 후, 2M K2CO3 수용액(200mL)을 첨가하고, 벤조일 클로라이드(benzoyl chloride, 15.56g, 125mmol)을 THF(150mL)에 녹인 용액을 천천히 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-9(39g, 수율 87%)를 제조하였다.
MS:[M+H]+=357
[화합물 A-10]
상기 화합물 A-9(39g, 108mmol)와 포스포러스 옥시클로라이드(phosphorous oxychloride, 50mL)를 넣은 후 10시간 동안 교반 환류하였다. 반응물을 CHCl3(1L)에 묽힌 후 천천히 2M K2CO3 수용액(1L)에 적가하여 30분간 교반하였다. 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-10(25g, 수율 68%)를 얻었다.
MS:[M]+=339
(4) 화합물 A-16의 제조
Figure pat00031
[화합물 A-11]
1-브로모-2-니트로벤젠(1-Bromo-2-nitrobenzene, 58.5g, 290mmol)와 6-히드록시-2-나프탈렌보론산 피나콜 에스테르(6-hydroxy-2-naphthaleneboronic acid pinacol ester, 87g, 322mmol)을 THF(500mL)에 녹인후, 2M K2CO3 수용액(300mL)을 첨가하고 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐(Pd(PPh3)4, 2mol%, 7.4g)을 넣은 후 15시간 동안 65℃에서 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-11(70g, 수율 91%)을 제조하였다.
MS:[M+H]+=265
[화합물 A-12]
상기 화합물 A-11(70g, 263mmol)을 에탄올(500mL)에 녹인 후, 2M Na2S2O4 수용액(500mL)을 첨가하고 15시간 동안 65℃에서 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 헥산으로 재결정하여 화합물 A-12(23g, 수율 37%)를 제조하였다.
MS:[M+H]+=235
[화합물 A-13]
상기 화합물 A-12(23, 98mmol)을 THF(200mL)에 녹인 후, 2M K2CO3 수용액(150mL)을 첨가하고, 벤조일 클로라이드(benzoyl chloride, 27.4g, 196mmol)을 THF(150mL)에 녹인 용액을 천천히 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-13(40g, 수율 92%)를 제조하였다.
MS:[M+H]+=443
[화합물 A-14]
상기 화합물 A-13(40g, 90mmol)과 포타슘 하이드록사이드(potassium hydroxide, 25g, 450mmol)을 에탄올(500mL)에 넣은 후 2시간동안 교반하였다. 에탄올을 감압농축한 후 물(300mL)을 넣고 CHCl3(300mL)로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-14(28g, 수율 91%)를 제조하였다.
MS:MS:[M+H]+=339
[화합물 A-15]
상기 화합물 A-14(28g, 82.5mmol)와 포스포러스 옥시클로라이드(phosphorous oxychloride, 50mL)를 넣은 후 10시간 동안 교반 환류하였다. 반응물을 CHCl3(1L)에 묽힌 후 천천히 2M 포타슘 카보네이트(potassium carbonate) 수용액(1L)에 적가하여 30분간 교반하였다. 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-10(18g, 수율 67%)를 얻었다.
MS:[M+H]+=321
[화합물 A-16]
상기 화합물 A-15(18g, 56mmol)과 노나플루오로부탄 설포닐 플루오라이드(nonafluorobutane sulfonyl fluoride, 12.7g, 42mmol) 및 포타슘 카보네이트(potassium carbonate, 12g, 84mmol)을 아세토니트릴(acetonitrile, 200mL)에 넣어 5시간 동안 교반하였다. 반응물을 필터한 후, 아세토니트릴(acetonitrile)을 감압농축한 후 물(200mL)을 넣고 CHCl3(200mL)로 추출한 후 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-16(30g, 수율 90%)를 얻었다.
MS:[M]+=603
< 실시예 1> 하기 화합물 1-32의 제조
Figure pat00032
화합물 A-4(5g, 13.0mmol)과 (4-비페닐)보론산((4-Biphenyl)boronic acid, 2.83g, 14.3mmol)을 THF(70mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(30mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-32(5.4g, 수율 85%)을 제조하였다.
MS: [M]+=457
< 실시예 2> 하기 화합물 1-8의 제조
Figure pat00033
화합물 A-4(5g, 13.0mmol)과 10-(나프탈렌-2-일)안트라센-9-일보론산(10-(naphthalene-2-yl)anthracene-9-ylboronic acid, 5.21g, 14.96mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(50mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 4시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-8(6.3g, 수율 80%)을 제조하였다.
MS: [M]+=607
< 실시예 3> 하기 화합물 1-9의 제조
Figure pat00034
화합물 A-4(5g, 13.0mmol)과 10-(나프탈렌-1-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-1-yl)anthracene-9-yl boronic acid, 5.21g, 14.96mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(50mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 4시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-9(5.9g, 수율 75%)을 제조하였다.
MS: [M]+=607
< 실시예 4> 하기 화합물 1-166의 제조
Figure pat00035
화합물 A-6(5g, 13.0mmol)과 10-(나프탈렌-2-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-2-yl)anthracene-9-ylboronic acid, 5.21g, 14.96mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(50mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 4시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-166(6.15g, 수율 78%)을 제조하였다.
MS: [M]+=607
< 실시예 5> 하기 화합물 1-167의 제조
Figure pat00036
화합물 A-6(5g, 13.0mmol)과 10-(나프탈렌-1-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-1-yl)anthracene-9-ylboronic acid, 5.21g, 14.96mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(50mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 4시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-167(5.83g, 수율 74%)을 제조하였다.
MS: [M]+=607
< 실시예 6> 하기 화합물 1-68의 제조
Figure pat00037
화합물 A-6(5g, 14.7mmol)과 10-(나프탈렌-1-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-1-yl)anthracene-9-ylboronic acid, 5.63g, 16.2mmol)을 디옥산(dioxane, 100mL)에 분산시키고, 2M K3PO4 수용액(30mL)을 첨가하고 Pd(PtBu3)2(0.15g, 2mol%)을 넣은 후 20시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-68(6.33g, 수율 71%)을 제조하였다.
MS: [M]+=607
< 실시예 7> 하기 화합물 1-69의 제조
Figure pat00038
화합물 A-6(5g, 14.7mmol)과 10-(나프탈렌-2-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-2-yl)anthracene-9-ylboronic acid, 5.63g, 16.2mmol)을 디옥산(dioxane, 100mL)에 분산시키고, 2M K3PO4 수용액(30mL)을 첨가하고 Pd(PtBu3)2(0.15g, 2mol%)을 넣은 후 22시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-69(6.06g, 수율 68%)을 제조하였다.
MS: [M]+=607
< 실시예 8> 하기 화합물 1-107의 제조
Figure pat00039
화합물 A-6(5g, 14.7mmol)과 (5.08g, 16.2mmol)을 디옥산(dioxane, 100 mL)에 분산시키고, 2M K3PO4 수용액(30 mL)을 첨가하고 Pd(PtBu3)2(0.15g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-107(6.99g, 수율 83%)을 제조하였다.
MS: [M]+=573
< 실시예 9> 하기 화합물 1-126의 제조
Figure pat00040
화합물 A-16(10g, 16.5mmol)과 10-(나프탈렌-2-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-2-yl)anthracene-9-ylboronic acid (6.35g, 18.23mmol)을 THF(150mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(75mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.38g, 2mol%)을 넣은 후 23시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-126(7.51g, 수율 75%)을 제조하였다.
MS: [M]+=607
< 실시예 10> 하기 화합물 1-125의 제조
Figure pat00041
화합물 A-16(10g, 16.5mmol)과 10-(나프탈렌-1-일)안트라센-9-일 보론산(10-(naphthalene-1-yl)anthracene-9-ylboronic acid, 6.35g, 18.23mmol)을 THF(150mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(75mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.38g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-125(7.71g, 수율 77%)을 제조하였다.
MS: [M]+=607
< 실시예 11> 하기 화합물 1-173의 제조
Figure pat00042
화합물 A-4(5g, 13.0mmol)과 상기 보로네이트 화합물(5.64g, 14.96mmol)을 THF(100mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(50mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 4시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-173(6.08g, 수율 82%)을 제조하였다.
MS: [M]+=571
< 실시예 12> 하기 화합물 1-171의 제조
Figure pat00043
[화합물 A-17]
화합물 A-2(10g, 45.6mmol)을 THF(100mL)에 녹인 후, 2M K2CO3 수용액(70mL)을 첨가하고, 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, 4.63g, 22.8mmol)을 THF(50mL)에 녹인 용액을 천천히 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-17(11.39g, 수율 88%)를 제조하였다.
MS:[M+H]+=568
[화합물 1-171]
상기 화합물 A-17(11.39g, 20.2mmol)을 CHCl3(20mL)와 포스포러스 옥시클로라이드(phosphorous oxychloride, 15mL)에 넣은 후 8시간 동안 교반 환류하였다. 반응물을 CHCl3(500mL)에 묽힌 후 천천히 2M K2CO3 수용액(500mL)에 적가하여 30분간 교반하였다. 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 1-171(5.38g, 수율 50.1%)를 얻었다.
MS:[M]+=532
< 실시예 13> 하기 화합물 1-172의 제조
Figure pat00044
[화합물 A-18]
화합물 A-2(10g, 45.6mmol)을 THF(100mL)에 녹인 후, 2M K2CO3 수용액(70mL)을 첨가하고, 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, 63g, 22.8mmol)을 THF(50mL)에 녹인 용액을 천천히 첨가하고 3시간 동안 교반하였다. 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 A-18(11.65, 수율 90%)를 제조하였다.
MS:[M+H]+=568
[화합물 1-172]
상기 화합물 A-18(11.65g, 20.5mmol)을 CHCl3(20mL)와 포스포러스 옥시클로라이드(phosphorous oxychloride, 15mL)에 넣은 후 14시간 동안 교반 환류하였다. 반응물을 CHCl3(500mL)에 묽힌 후 천천히 2M K2CO3 수용액(500mL)에 적가하여 30분간 교반하였다. 물층을 제거하고, 무수황산마그네슘으로 건조한후 여과하였다. 여과액을 감압농축시키고 에탄올로 재결정하여 화합물 1-172(5.12g, 수율 47%)를 얻었다.
MS:[M]+=532
< 실시예 14> 하기 화합물 1-203의 제조
Figure pat00045
화합물 A-4(5g, 13.0mmol)과 화합물 A-18 (4.60g, 14.3mmol)을 THF(70 mL)에 분산시키고, 2M K2CO3 수용액(30 mL)을 첨가하고 Pd(PPh3)4(0.3g, 2mol%)을 넣은 후 5시간 동안 교반 환류하였다. 상온으로 온도를 낮추고 생성된 고체를 여과하였다. 여과된 고체를 클로로포름과 에탄올로 재결정하고 여과한 뒤, 건조하여 화합물 1-203(6.3g, 수율 83%)을 제조하였다.
MS: [M]+=581
< 실험예 1-1>
ITO(indium tin oxide)가 500Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene; HAT)를 100Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다.
Figure pat00046
상기 정공주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 상기 화학식의 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(1,200Å)를 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 정공수송층 위에 막 두께 200Å으로 아래와 같은 BH와 BD를 20:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.
Figure pat00047
상기 발광층 위에 화합물 1-8과 하기 화합물 LiQ (Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 300Å 두께로 진공 증착하여 전자주입 및 수송층을 형성하였다.
[LiQ]
Figure pat00048
상기 전자주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께로 리튬 플루라이드(LiF)와 2000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하여, 유기 발광소자를 제작하였다.
< 비교예 1>
상기 실험예 1-1에서, 화합물 1-8 대신 하기 화학식 ET-A의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1 과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET-A]
Figure pat00049
< 실험예 1-2 내지 1-8>
상기 실험예 1-1에서, 화학식 1-1의 화합물 대신 표 2에 나타낸 각각의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실험예 1-1 내지 1-8 및 비교예 1에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 표 1의 결과를 얻었다.
[표 1]
Figure pat00050
본 발명에 따른 신규한 헤테로환 화합물은 유기전기소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있고, 본 발명에 따른 유기전기소자는 효율 상승, 구동전압하강, 안정성 상승등에서 우수한 특성을 나타낸다.

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00051

    상기 화학식 1에 있어서,
    R1과 R2가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R2과 R3가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R3과 R4가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R5과 R6가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R6과 R7가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하거나, R7과 R8가 서로 결합하여 방향족 고리를 형성하고,
    R1 내지 R8 중 방향족 고리를 형성하지 않는 기, R1과 R2가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R2과 R3가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R3과 R4가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R5과 R6가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R6과 R7가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, R7과 R8 가 서로 결합하여 형성된 방향족 고리에 치환된 치환기, 및 R9 중 적어도 하나는 -(L)p-(Y)q 이고, 여기서 p는 0 내지 10의 정수이고, q는 1 내지 10의 정수이고,
    나머지는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C1-50의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 -50의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C2 -50의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴기; 또는 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2-50의 헤테로아릴기이고,
    L은 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴렌기; 치환 또는 비치환된 C2 -50의 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 C13 -50의 플루오레닐렌기; 또는 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2 -50의 헤테로아릴렌기이고,
    Y는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 -50의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C2 -50의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 C13-50의 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴기; 또는 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2 -50의 헤테로아릴기이고,
    L 또는 Y가 2 이상 존재하는 경우 이들은 서로 같거나 상이하고, 전술한 치환기들은 서로 인접하는 기와 지방족, 방향족, 지방족헤테로 또는 방향족헤테로의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 화학식 7 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    [화학식 2]
    Figure pat00052

    [화학식 3]
    Figure pat00053

    [화학식 4]
    Figure pat00054

    [화학식 5]
    Figure pat00055

    [화학식 6]
    Figure pat00056

    [화학식 7]
    Figure pat00057

    상기 화학식 2 내지 화학식 7 에 있어서,
    R1 내지 R15 중 적어도 하나는 -(L)p-(Y)q 로 표시되는 기이며, 여기서 L, Y, p 및 q는상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고, 나머지는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C3 -50의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 C1 -50의 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C2 -50의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 C6-50의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 C6 -50의 아릴기; 또는 이종원소로 O, N, S 또는 P를 갖는 치환 또는 비치환된 C2 -50의 헤테로아릴기이다.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure pat00058

    Figure pat00059

    Figure pat00060

    Figure pat00061

    Figure pat00062

    Figure pat00063

    Figure pat00064

    Figure pat00065

    Figure pat00066

    Figure pat00067

    Figure pat00068

    Figure pat00069

    Figure pat00070

    Figure pat00071

    Figure pat00072

    Figure pat00073

    Figure pat00074
  4. 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전기 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층 및 전자수송층을 포함하고, 이 전자주입층 및 전자수송층이 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  6. 청구항 4에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  7. 청구항 4에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상의 층을 포함하고, 상기 층 중 하나의 층이 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  8. 청구항 4에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층이, 알칼리금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 또는 알칼리 토금속 화합물 또는 이들의 조합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
  9. 청구항 4에 있어서, 상기 유기 전기 소자는 유기발광소자, 유기인광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 및 유기트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 유기 전자 소자.
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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103936781A (zh) * 2014-04-04 2014-07-23 常州大学 一种菲啶硅烷衍生物的合成方法
WO2015099508A1 (ko) * 2013-12-27 2015-07-02 희성소재(주) 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
CN104860883A (zh) * 2014-02-26 2015-08-26 三星显示有限公司 稠环化合物及包含它的有机发光装置
US20150243895A1 (en) * 2014-02-26 2015-08-27 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
WO2015199512A1 (ko) * 2014-06-27 2015-12-30 희성소재(주) 다환 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
CN105358533A (zh) * 2013-12-27 2016-02-24 喜星素材株式会社 杂环化合物和使用其的有机发光器件
KR20170013236A (ko) * 2014-05-28 2017-02-06 도레이 카부시키가이샤 플루오란텐 유도체, 그것을 함유하는 전자 디바이스, 발광 소자 및 광전 변환 소자
JP2018507174A (ja) * 2014-12-24 2018-03-15 ドゥーサン コーポレイション 有機化合物及びこれを含む有機電界発光素子
TWI619703B (zh) * 2016-05-18 2018-04-01 昱鐳光電科技股份有限公司 用於有機電激發光元件之化合物及使用該化合物之有機電激發光元件
US9997722B2 (en) 2015-09-08 2018-06-12 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US10305046B2 (en) 2016-05-19 2019-05-28 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10319919B2 (en) 2015-10-15 2019-06-11 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US10367150B2 (en) 2015-02-05 2019-07-30 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
CN110156686A (zh) * 2019-05-27 2019-08-23 上海天马有机发光显示技术有限公司 化合物、显示面板以及显示装置
WO2019168358A1 (ko) * 2018-03-02 2019-09-06 에스케이머티리얼즈 주식회사 화합물, 유기 발광 소자 및 표시 장치
US10461262B2 (en) 2015-12-22 2019-10-29 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and an organic light-emitting device including the same
US10720585B2 (en) 2015-12-29 2020-07-21 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
EP3561892A4 (en) * 2016-12-26 2020-07-29 LT Materials Co., Ltd. ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE
US10998503B2 (en) 2017-10-27 2021-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
WO2023234749A1 (ko) * 2022-06-03 2023-12-07 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030067773A (ko) 2002-01-18 2003-08-19 주식회사 엘지화학 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2006128800A1 (en) * 2005-05-30 2006-12-07 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Electroluminescent device
US20070018569A1 (en) * 2003-05-15 2007-01-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Arylamine compound and organic electroluminescence device containing the same
KR20100000121A (ko) * 2008-06-24 2010-01-06 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030067773A (ko) 2002-01-18 2003-08-19 주식회사 엘지화학 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US20070018569A1 (en) * 2003-05-15 2007-01-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Arylamine compound and organic electroluminescence device containing the same
WO2006128800A1 (en) * 2005-05-30 2006-12-07 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Electroluminescent device
KR20100000121A (ko) * 2008-06-24 2010-01-06 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Chem. Ber. 124 (1991) 1431-1434* *

Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016528177A (ja) * 2013-12-27 2016-09-15 ヒソン・マテリアル・リミテッドＨｅｅｓｕｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｌｔｄ． ヘテロ環化合物およびこれを用いた有機発光素子
WO2015099508A1 (ko) * 2013-12-27 2015-07-02 희성소재(주) 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
CN108191761B (zh) * 2013-12-27 2021-12-21 Lt素材株式会社 杂环化合物和使用其的有机发光器件
US9728731B2 (en) * 2013-12-27 2017-08-08 Heesung Material Ltd. Heterocyclic compound and organic light emitting device using same
US20160380208A1 (en) * 2013-12-27 2016-12-29 Heesung Material Ltd. Heterocyclic compound and organic light emitting device using same
CN108191761A (zh) * 2013-12-27 2018-06-22 喜星素材株式会社 杂环化合物和使用其的有机发光器件
TWI555735B (zh) * 2013-12-27 2016-11-01 喜星素材股份有限公司 雜環化合物及使用其之有機發光裝置
CN105358533A (zh) * 2013-12-27 2016-02-24 喜星素材株式会社 杂环化合物和使用其的有机发光器件
KR20150127023A (ko) * 2014-02-26 2015-11-16 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US20150243895A1 (en) * 2014-02-26 2015-08-27 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
CN110028449A (zh) * 2014-02-26 2019-07-19 三星显示有限公司 稠环化合物及包含它的有机发光装置
KR20150101923A (ko) * 2014-02-26 2015-09-04 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN104860883A (zh) * 2014-02-26 2015-08-26 三星显示有限公司 稠环化合物及包含它的有机发光装置
US9871208B2 (en) 2014-02-26 2018-01-16 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
CN103936781A (zh) * 2014-04-04 2014-07-23 常州大学 一种菲啶硅烷衍生物的合成方法
KR20170013236A (ko) * 2014-05-28 2017-02-06 도레이 카부시키가이샤 플루오란텐 유도체, 그것을 함유하는 전자 디바이스, 발광 소자 및 광전 변환 소자
EP3150579A4 (en) * 2014-05-28 2018-01-10 Toray Industries, Inc. Fluoranthene derivative, electronic device containing same, light-emitting element, and photoelectric conversion element
JPWO2015182547A1 (ja) * 2014-05-28 2017-04-20 東レ株式会社 フルオランテン誘導体、それを含有する電子デバイス、発光素子および光電変換素子
CN106458899A (zh) * 2014-05-28 2017-02-22 东丽株式会社 荧蒽衍生物、含有其的电子设备、发光元件及光电转换元件
TWI580676B (zh) * 2014-06-27 2017-05-01 喜星素材股份有限公司 多環化合物及使用其之有機發光裝置
EP3162797A4 (en) * 2014-06-27 2018-02-07 Heesung Material Ltd. Polycyclic compound and organic light emitting device using same
US20160204357A1 (en) * 2014-06-27 2016-07-14 Heesung Material Ltd. Polycyclic compound and organic light emitting device using the same
WO2015199512A1 (ko) * 2014-06-27 2015-12-30 희성소재(주) 다환 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
JP2018507174A (ja) * 2014-12-24 2018-03-15 ドゥーサン コーポレイション 有機化合物及びこれを含む有機電界発光素子
US11832514B2 (en) 2014-12-24 2023-11-28 Solus Advanced Materials Co., Ltd. Organic compound and organic electroluminescent element comprising same
US10916709B2 (en) 2014-12-24 2021-02-09 Doosan Solus Co., Ltd. Organic compound and organic electroluminescent element comprising same
US10367150B2 (en) 2015-02-05 2019-07-30 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US9997722B2 (en) 2015-09-08 2018-06-12 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US10319919B2 (en) 2015-10-15 2019-06-11 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US10461262B2 (en) 2015-12-22 2019-10-29 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and an organic light-emitting device including the same
US10720585B2 (en) 2015-12-29 2020-07-21 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
TWI619703B (zh) * 2016-05-18 2018-04-01 昱鐳光電科技股份有限公司 用於有機電激發光元件之化合物及使用該化合物之有機電激發光元件
US10305046B2 (en) 2016-05-19 2019-05-28 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US11302873B2 (en) 2016-12-26 2022-04-12 Lt Materials Co, Ltd. Organic light-emitting device
EP3561892A4 (en) * 2016-12-26 2020-07-29 LT Materials Co., Ltd. ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE
US10998503B2 (en) 2017-10-27 2021-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US20210043843A1 (en) * 2018-03-02 2021-02-11 Sk Materials Co., Ltd. Compound, organic light emitting device, and display device
CN111683929A (zh) * 2018-03-02 2020-09-18 Sk材料有限公司 化合物、有机发光器件及显示装置
JP2021515746A (ja) * 2018-03-02 2021-06-24 エスケー マテリアルズ カンパニー リミテッド 化合物、有機発光素子、及び表示装置
KR20190105001A (ko) * 2018-03-02 2019-09-11 에스케이머티리얼즈 주식회사 화합물, 유기 발광 소자 및 표시 장치
WO2019168358A1 (ko) * 2018-03-02 2019-09-06 에스케이머티리얼즈 주식회사 화합물, 유기 발광 소자 및 표시 장치
CN110156686A (zh) * 2019-05-27 2019-08-23 上海天马有机发光显示技术有限公司 化合物、显示面板以及显示装置
WO2023234749A1 (ko) * 2022-06-03 2023-12-07 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

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KR101640636B1 (ko) 2016-07-18

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