KR20130096182A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20130096182A
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토시오 시마즈
히데키 가지와라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

메인터넌스의 작업 효율의 향상 및 2 차 재해의 방지를 도모할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. 처리 블록(S3)은 액처리 모듈(21), 열처리 모듈(40), 처리 선반 유닛(U8)과, 반송 영역(R) 내에 설치되고, 상기 모듈과 처리 선반 유닛에 대하여 웨이퍼(W)를 전달하는 반송 암(A1)과, 처리 선반 유닛과 액처리 모듈로 웨이퍼를 전달하는 처리용 전달 암(31)을 구비한다. 인터페이스 블록(S4)은, 인터페이스 암(33)과 인터페이스 암의 이동 기구(35)를 구비한다. 상기 암, 반송 암 및 인터페이스 암의 이동 기구를 제어하는 제어 컴퓨터(90)에 의해, 반송 암의 장치 외부에 노정되는 점검·교환 위치 또는 대기 위치로의 이동을 행하고, 처리 블록의 반송 영역 내로의 작업자의 진입을 가능하게 하기 위하여, 인터페이스 암, 처리 선반 유닛의 이동 및 처리용 전달 암의 상승을 행한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판을 액처리부 및 열처리부로 반송하여 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정에서는, 예를 들면 반도체 웨이퍼 등의 기판 상에 포토레지스트를 도포하고, 레지스트막을 소정의 회로 패턴에 따라 노광하고, 현상 처리함으로써 회로 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정이 행해진다. 이 포토리소그래피 공정에는, 통상, 도포·현상 처리 장치에 노광 장치를 접속한 기판 처리 장치가 이용된다.
이 종류의 기판 처리 장치에서 장치의 성능을 유지하기 위하여, 정기적으로 작업자가 장치 내로 진입하여 보수·점검(메인터넌스)을 행하고, 보수 부품의 교환 등을 행할 필요가 있다. 또한, 장치의 가동 중에 기판의 반송에 지장이 발생할 경우에도, 작업자가 장치 내로 진입하여 보수·점검(메인터넌스)을 행하고, 보수 부품의 교환 등을 행하고 있다.
종래의 이 종류의 기판 처리 장치에서, 특허 문헌 1에 메인터넌스 방법이 개시되어 있다. 특허 문헌 1에 기재된 것에는, 반송 암의 반송부에 대하여 대향하는 위치에 설치되는 액처리부와 열처리부 중 열처리부를 외부로 이동시켜 열처리부와 반송부의 사이에 작업 스페이스를 형성하고, 인터페이스 블록 또는 인덱서 블록을 이동시켜 진입 경로를 확보한 후, 작업자가 작업 스페이스로 진입하여 구성 부재를 반출하는 메인터넌스 방법이 개시되어 있다.
일본특허공개공보 2010-56104호(특허 청구의 범위, 단락 0124 ~ 0153, 도 5, 도 7, 도 8, 도 10 ~ 도 15)
그러나 특허 문헌 1에 기재된 것은, 열처리부를 외부로 이동시켜 작업 스페이스를 확보한 다음, 구성 부재를 반출하여 메인터넌스를 행하기 때문에, 메인터넌스 작업에 많은 노력과 시간을 요하여 작업 효율의 저하가 염려된다. 또한 특허 문헌 1에 기재된 것에서는, 작업자가 장치 내에서 작업을 행할 시의 작업 효율에 대해서는 언급되어 있지 않다.
그런데 장치 내의 작업은, 어둡고 또한 밀폐된 장소에서 진행하는 작업이기 때문에 작업 효율이 나쁘고, 또한 작업자가 장치 내의 반송 암 등에 접촉하여 작업자의 부상 또는 장치의 손상 등의 2 차 재해를 초래할 우려가 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 메인터넌스의 작업 효율의 향상 및 2 차 재해의 방지를 도모할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 제 1 기판 처리 장치는, 캐리어 블록과, 상기 캐리어 블록의 캐리어로부터 반송된 기판을 처리하는 처리 블록과, 상기 처리 블록에 연결 설치되어 처리 블록과 노광 장치를 접속하는 인터페이스 블록을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리 블록은, 기판으로 처리액을 공급하는 복수의 액처리부를 적층하는 액처리 모듈과, 상기 액처리 모듈과 대향하는 위치에 배치되는 복수의 열처리부를 적층하는 열처리 모듈과, 상기 액처리 모듈과 열처리 모듈의 사이에 형성되는 반송 영역에서의 상기 인터페이스 블록측에 배치되고, 또한 인터페이스 블록 내로 이동 가능한 복수의 기판의 재치부(載置部)를 적층하는 처리 선반 유닛과, 상기 반송 영역 내로 이동 가능하게 설치되고, 상기 액처리 모듈, 열처리 모듈 및 처리 선반 유닛에 대하여 기판을 전달하는 반송 암과, 상기 처리 선반 유닛의 근방에 배치되고, 처리 선반 유닛과 상기 액처리 모듈의 사이에서 기판을 전달하는 처리용 전달 암을 구비하고, 상기 인터페이스 블록은, 상기 처리 선반 유닛과 노광 장치의 사이에서 기판의 전달을 행하는 인터페이스 암과, 상기 인터페이스 암을 상기 인터페이스 블록의 외부로 이동시키는 이동 기구를 구비하고, 상기 반송 암, 처리용 전달 암, 인터페이스 암, 반송 암의 이동 기구 및 인터페이스 암의 이동 기구를 제어하는 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여, 상기 반송 암의 장치 외부로 노정(露呈)되는 점검·교환 위치 또는 대기 위치로의 이동을 행하도록 형성하고, 또한 상기 처리 블록의 반송 영역 내로의 작업자의 진입을 가능하게 하기 위하여, 상기 인터페이스 암의 이동, 상기 처리 선반 유닛의 이동 및 처리용 전달 암의 상승을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제어 수단으로부터의 신호를 받아, 상기 반송 암의 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치의 확인, 상기 반송 암의 대기 위치의 확인, 상기 인터페이스 암의 이동의 확인, 상기 선반 유닛의 이동의 확인, 상기 처리용 전달 암의 상승의 확인 및 상기 반송 영역 내의 작업자의 유무의 확인을 표시하는 화상 표시부를 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2 기판 처리 장치는, 캐리어 블록과, 상기 캐리어 블록의 캐리어로부터 반송된 기판을 처리하는 처리 블록과, 상기 처리 블록에 연결 설치되어 처리 블록과 노광 장치를 접속하는 인터페이스 블록과, 상기 캐리어 블록과 처리 블록의 사이에 배치되는 멀티 퍼포스 블록을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리 블록은, 기판으로 처리액을 공급하는 복수의 액처리부를 적층하는 액처리 모듈과, 상기 액처리 모듈과 대향하는 위치에 배치되는 복수의 열처리부를 적층하는 열처리 모듈과, 상기 액처리 모듈과 열처리 모듈의 사이에 형성되는 반송 영역에서의 상기 인터페이스 블록측에 배치되고, 또한 인터페이스 블록 내로 이동 가능한 복수의 기판의 재치부를 적층하는 처리 선반 유닛과, 상기 반송 영역 내로 이동 가능하게 설치되고, 상기 액처리 모듈, 열처리 모듈 및 처리 선반 유닛에 대하여 기판을 전달하는 반송 암과, 상기 처리 선반 유닛의 근방에 배치되고, 처리 선반 유닛과 상기 액처리 모듈의 사이에서 기판을 전달하는 처리용 전달 암을 구비하고, 상기 멀티 퍼포스 블록은, 기판을 재치하는 복수의 재치부를 적층한 선반 유닛과, 상기 선반 유닛의 각 재치부와의 사이에서 기판을 전달하는 전처리용 전달 암을 구비하고, 또한 상기 선반 유닛 및 상기 전처리용 전달 암이 상기 멀티 퍼포스 블록으로부터 반출 가능하게 형성하여 이루어지고, 상기 반송 암, 처리용 전달 암, 전처리용 전달 암 및 반송 암의 이동 기구를 제어하는 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여, 상기 반송 암의 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치 또는 대기 위치로의 이동, 상기 처리 블록의 반송 영역 내로의 작업자의 진입을 가능하게 하기 위하여, 상기 선반 유닛과 전처리용 전달 암의 반출의 확인을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제어 수단으로부터의 신호를 받아, 상기 반송 암의 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치의 확인, 상기 반송 암의 대기 위치의 확인, 상기 선반 유닛과 상기 전처리용 전달 암의 반출의 확인 및 상기 반송 영역 내의 작업자의 유무의 확인을 표시하는 화상 표시부를 구비하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 제 3 기판 처리 장치는, 캐리어 블록과, 상기 캐리어 블록의 캐리어로부터 반송된 기판을 처리하는 처리 블록과, 상기 블록에 연결 설치되어 처리 블록과 노광 장치를 접속하는 인터페이스 블록과, 상기 캐리어 블록과 처리 블록의 사이에 배치되는 멀티 퍼포스 블록을 구비하는 기판 저리 장치에 있어서, 상기 처리 블록은, 기판으로 처리액을 공급하는 복수의 액처리부를 적층하는 액처리 모듈과, 상기 액처리 모듈과 대향하는 위치에 배치되는 복수의 열처리부를 적층하는 열처리 모듈과, 상기 액처리 모듈과 열처리 모듈의 사이에 형성되는 반송 영역에서의 상기 인터페이스 블록측에 배치되고, 또한 인터페이스 블록 내로 이동 가능한 복수의 기판의 재치부를 적층하는 처리 선반 유닛과, 상기 반송 영역 내로 이동 가능하게 설치되고, 상기 액처리 모듈, 열처리 모듈 및 처리 선반 유닛에 대하여 기판을 전달하는 반송 암과, 상기 처리 선반 유닛의 근방에 배치되고, 처리 선반 유닛과 상기 액처리 모듈의 사이에서 기판을 전달하는 처리용 전달 암을 구비하고, 상기 인터페이스 블록은, 상기 처리 선반 유닛과 노광 장치의 사이에서 기판의 전달을 행하는 인터페이스 암과, 상기 인터페이스 암을 상기 인터페이스 블록의 외부로 이동시키는 이동 기구를 구비하고, 상기 멀티 퍼포스 블록은, 기판을 재치하는 복수의 재치부를 적층한 선반 유닛과, 상기 선반 유닛의 각 재치부와의 사이에서 기판을 전달하는 상기 전처리용 전달 암을 구비하고, 또한 상기 선반 유닛 및 상기 전처리용 전달 암이 상기 멀티 퍼포스 블록으로부터 반출 가능하게 형성하여 이루어지고, 상기 반송 암, 처리용 전달 암, 인터페이스 암, 전처리용 전달 암, 반송 암의 이동 기구 및 인터페이스 암의 이동 기구를 제어하는 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여, 상기 반송 암의 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치 또는 대기 위치로의 이동을 행하도록 형성하고, 또한 상기 처리 블록의 반송 영역 내로의 작업자의 진입을 가능하게 하기 위하여, 상기 인터페이스 암의 이동, 상기 처리 선반 유닛의 이동 및 처리용 전달 암의 상승을 행하도록 형성하고, 또는 상기 처리 블록의 반송 영역 내로의 작업자의 진입을 가능하게 하기 위하여, 상기 선반 유닛과 전처리용 전달 암의 반출의 확인을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제어 수단으로부터의 신호를 받아, 상기 반송 암의 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치의 확인, 상기 반송 암의 대기 위치의 확인, 상기 인터페이스 암의 이동의 확인, 상기 선반 유닛의 이동의 확인, 상기 전달 암의 상승의 확인, 상기 선반 유닛과 상기 전처리용 전달 암의 반출의 확인 및 상기 반송 영역 내의 작업자의 유무의 확인을 표시하는 화상 표시부를 구비하는 것이 바람직하다.
청구항 7에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 6 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리 블록의 반송 영역은 각 층마다 구획판에 의해 구획되어 있고, 임의의 구획판이 분리 가능하게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 8에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 5 항에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 인터페이스 암이 전달 가능한 위치로 이동 가능하게 형성되고, 상기 인터페이스 암에 탑재되는 온도 측정용 지그에 의해 상기 열처리 모듈의 각 열처리부의 온도 측정을 행하고, 그 신호를 상기 제어 수단으로 전달하고, 상기 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여 상기 열처리 모듈의 온도 조정을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 9에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 5 항에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 인터페이스 암이 전달 가능한 위치로 이동 가능하게 형성되고, 상기 인터페이스 암에 탑재되는 상하, 좌우의 위치를 측정하는 위치 측정용 지그에 의해 상기 액처리 모듈의 각 액처리부, 열처리 모듈의 각 열처리부, 반송 암 및 전달 암의 위치 측정을 행하고, 그 신호를 상기 제어 수단으로 전달하고, 상기 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여 상기 액처리 모듈의 각 액처리부, 열처리 모듈의 각 열처리부, 반송 암 및 전달 암의 위치 조정을 행하도록 형성해 이루어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 10에 기재된 발명은, 청구항 3 또는 5 항에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 전처리용 전달 암이 전달 가능한 위치로 이동 가능하게 형성되고, 상기 전처리용 전달 암에 탑재되는 온도 측정용 지그에 의해 상기 열처리 모듈의 각 열처리부의 온도 측정을 행하고, 그 신호를 상기 제어 수단으로 전달하고, 상기 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여 상기 열처리 모듈의 온도 조정을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 11에 기재된 발명은, 청구항 3 또는 5 항에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 전처리용 전달 암이 전달 가능한 위치로 이동 가능하게 형성되고, 상기 전처리용 전달 암에 탑재되는 상하, 좌우의 위치를 측정하는 위치 측정용 지그에 의해 상기 액처리 모듈의 각 액처리부, 열처리 모듈의 각 열처리부, 반송 암 및 전달 암의 위치 측정을 행하고, 그 신호를 상기 제어 수단으로 전달하고, 상기 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여 상기 액처리 모듈의 각 액처리부, 열처리 모듈의 각 열처리부, 반송 암 및 전달 암의 위치 조정을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
(1) 청구항 1, 2에 기재된 발명에 따르면, 반송 암을 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치, 예를 들면 액처리 모듈의 임의의 액처리부로 이동시킴으로써, 반송 암의 구성 부재의 점검·교환을 행할 수 있다. 또한, 반송 암을 반송 영역 내의 대기 위치, 예를 들면 캐리어 블록측으로 이동시키고, 인터페이스 블록의 인터페이스 암을 인터페이스 블록의 외부로 이동시킨 후, 처리 선반 유닛을 인터페이스 암의 이동에 의해 형성된 스페이스로 이동시키고, 이 후 처리용 전달 암을 상승시킴으로써 작업자의 장치 내로의 진입 스페이스를 확보할 수 있어, 작업자는 용이하게 장치 내로 진입할 수 있다. 또한, 장치 내에 작업자가 있는지의 유무를 확인할 수 있다.
(2) 청구항 3, 4에 기재된 발명에 따르면, 반송 암을 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치, 예를 들면 액처리 모듈의 임의의 액처리부로 이동시킴으로써, 반송 암의 구성 부재의 점검·교환을 행할 수 있다. 또한, 반송 암을 반송 영역 내의 대기 위치, 예를 들면 인터페이스 블록측으로 이동시키고, 멀티 퍼포스 블록의 선반 유닛과 전처리용 전달 암을 멀티 퍼포스 블록의 외부로 반출시킴으로써, 작업자의 장치 내로의 진입 스페이스를 확보할 수 있어, 작업자는 용이하게 장치 내로 진입할 수 있다. 또한, 장치 내에 작업자가 있는지의 유무를 확인할 수 있다.
(3) 청구항 5, 6에 기재된 발명에 따르면, 반송 암을 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치, 예를 들면 액처리 모듈의 임의의 액처리부로 이동시킴으로써, 반송 암의 구성 부재의 점검·교환을 행할 수 있다. 또한, 반송 암을 반송 영역 내의 대기 위치, 예를 들면 캐리어 블록측으로 이동시키고, 인터페이스 블록의 인터페이스 암을 인터페이스 블록의 외부로 이동시킨 후, 처리 선반 유닛을 인터페이스 암의 이동에 의해 형성된 스페이스로 이동시키고, 이 후 처리용 전달 암을 상승시킴으로써 작업자의 장치 내로의 진입 스페이스를 확보할 수 있어, 작업자는 용이하게 장치 내로 진입할 수 있다. 이것 대신에, 반송 암을 반송 영역 내의 대기 위치, 예를 들면 인터페이스 블록측으로 이동시키고, 멀티 퍼포스 블록의 선반 유닛과 전처리용 전달 암을 멀티 퍼포스 블록의 외부로 반출시킴으로써, 작업자의 장치 내로의 진입 스페이스를 확보할 수 있어, 작업자는 용이하게 장치 내로 진입할 수 있다. 또한, 장치 내에 작업자가 있는지의 유무를 확인할 수 있다.
(4) 청구항 7에 기재된 발명에 따르면, 처리 블록의 반송 영역에는 각 층마다 구획판에 의해 구획되어 있고, 임의의 구획판이 분리 가능하게 형성되어 있으므로, 구획판을 분리함으로써 반송 영역 내의 작업 스페이스를 확대할 수 있다.
(5) 청구항 8, 10에 기재된 발명에 따르면, 인터페이스 암 또는 전처리용 전달 암에 온도 측정용 지그를 탑재함으로써, 열처리 모듈의 각 열처리부의 온도 측정을 행하여 열처리 모듈의 온도 조정을 행할 수 있다.
(6) 청구항 9, 11에 기재된 발명에 따르면, 인터페이스 암 또는 전처리용 전달 암에 상하, 좌우의 위치를 측정하는 위치 측정용 지그를 탑재함으로써, 액처리 모듈의 각 액처리부, 열처리 모듈의 각 열처리부, 반송 암 및 전달 암의 위치 측정을 행하여, 액처리 모듈의 각 액처리부, 열처리 모듈의 각 열처리부, 반송 암 및 전달 암의 위치 조정을 행할 수 있다.
본 발명에 따르면, 반송 암을 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치, 예를 들면 액처리 모듈의 임의의 액처리부로 이동시킴으로써, 반송 암의 구성 부재의 점검·교환을 행할 수 있으므로, 장치 내로 들어가지 않고 장치 외부로부터 메인터넌스를 행할 수 있어, 메인터넌스의 작업 효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한 장치 내로 들어갈 경우에는, 반송 암을 대기 위치로 이동시키고, 또한 처리 블록 내로의 작업자의 진입 스페이스를 확보할 수 있고, 또한 장치 내의 작업자의 유무를 확인할 수 있으므로, 2 차 재해의 방지를 도모할 수 있고, 또한 메인터넌스의 작업 효율의 향상을 도모할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 적용한 도포·현상 처리 장치의 일례를 도시한 개략 평면도이다.
도 2는 상기 도포·현상 처리 장치를 도시한 개략 사시도이다.
도 3a는 상기 도포·현상 처리 장치를 도시한 개략 종단면도이다.
도 3b는 상기 도포·현상 처리 장치를 도시한 개략 종단 측면도이다.
도 4는 본 발명에서의 반송 암을 도시한 사시도이다.
도 5는 상기 반송 암의 교환 순서를 나타낸 순서도이다.
도 6a는 점검·교환 기동 시의 상기 반송 암의 위치를 도시한 개략 평면도이다.
도 6b는 상기 반송 암의 교환 위치로의 이동을 도시한 개략 평면도이다.
도 6c는 상기 반송 암의 장치 외부의 노정 위치로의 이동을 도시한 개략 평면도이다.
도 6d는 상기 반송 암의 교환 상태를 도시한 개략 평면도이다.
도 6e는 상기 반송 암의 교환 상태를 도시한 개략 종단면도이다.
도 7은 내부 점검·교환 순서를 나타낸 순서도이다.
도 8a는 본 발명에서의 인터페이스 암의 이동 상태를 도시한 개략 사시도이다.
도 8b는 상기 인터페이스 암의 인터페이스 블록의 외부로의 이동 상태를 도시한 개략 사시도이다.
도 8c는 본 발명에서의 처리 선반 유닛의 이동 상태를 도시한 개략 사시도이다.
도 8d는 본 발명에서의 처리용 전달 암의 상승 상태를 도시한 개략 사시도이다.
도 8e는 작업자의 진입 상태를 도시한 개략 사시도이다.
도 9는 작업자의 작업 상태를 도시한 개략 평면도이다.
도 10은 작업자의 작업 상태를 도시한 개략 종단면도이다.
도 11은 다른 내부 점검·교환 순서를 나타낸 순서도이다.
도 12는 상기 다른 내부 점검·교환의 작업자의 작업 상태를 도시한 개략 평면도이다.
도 13은 본 발명에서의 온도 측정용 지그를 이용한 온도 측정·온도 조정 순서를 나타낸 순서도이다.
도 14는 상기 온도 측정용 지그를 이용한 온도 측정·온도 조정을 도시한 개략 평면도이다.
도 15는 본 발명에서의 위치 측정용 지그를 이용한 위치 측정·위치 조정 순서를 나타낸 순서도이다.
도 16은 상기 위치 측정용 지그를 이용한 위치 측정·위치 조정을 도시한 개략 평면도이다.
이하에, 본 발명의 실시예에 대하여, 첨부 도면에 기초하여 상세히 설명한다. 우선, 본 발명에 따른 기판 처리 장치가 적용되는 도포·현상 처리 장치의 구성에 대하여 설명한다.
상기 도포·현상 처리 장치(1)에는 도 1에 도시한 바와 같이, 기판인 웨이퍼(W)가 예를 들면 25 매 밀폐 수납된 캐리어(C)를 반입출하기 위한 캐리어 블록(S1)과, 멀티 퍼포스 블록(Multi Purpose Block)(S2)과, 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하기 위한 처리 블록(S3)과, 인터페이스 블록(S4)을 직선 형상으로 배열하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(S4)에는 액침 노광을 행하는 노광 장치(S5)가 접속되어 있다.
캐리어 블록(S1)에는, 상기 캐리어(C)를 재치하는 재치대(11)와, 이 재치대(11)에서 봤을 때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 거쳐 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 암(13)이 설치되어 있다. 전달 암(13)은 상하 방향으로 5 개의 웨이퍼 보지부(保持部)(14)를 구비하고, 수평인 X, Y 방향으로 진퇴 가능, 수직인 Z 방향으로 승강 가능, 수직축 중심의 θ 방향으로 회전 가능하게 형성되고, 또한 캐리어(C)의 배열 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
캐리어 블록(S1)에는 멀티 퍼포스 블록(S2)이 접속되어 있고, 이 멀티 퍼포스 블록(S2)에는, 웨이퍼(W)를 재치하는 후술하는 복수의 재치부인 모듈을 적층한 선반 유닛(U7)과, 이 선반 유닛(U7)의 적층된 각 모듈과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 전처리용 전달 암(30)이 설치되어 있다. 전처리용 전달 암(30)은 수평인 Y 방향으로 진퇴 가능, 수직인 Z 방향으로 승강 가능하게 형성되어 있다.
또한, 웨이퍼(W)를 재치할 수 있는 장소를 모듈이라 기재하고, 이 모듈 중 웨이퍼(W)에 대하여 가열, 액처리, 가스 공급 또는 주연 노광 등의 처리를 행하는 모듈을 처리 모듈이라 기재한다. 또한, 처리 모듈 중 웨이퍼(W)로 약액 또는 세정액을 공급하는 모듈을 액처리 모듈이라 기재하고, 웨이퍼(W)에 열처리를 실시하는 모듈을 열처리 모듈, 열처리 모듈을 구성하는 가열 부분을 가열 모듈이라 기재한다.
멀티 퍼포스 블록(S2)에는 처리 블록(S3)이 접속되어 있고, 이 처리 블록(S3)은, 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 제 1 ~ 제 6 블록(B1 ~ B6)이 아래로부터 차례로 적층되어 구성되어 있다. 전단(前段) 처리용의 단위 블록인 제 1 단위 블록(B1) 및 제 2 단위 블록(B2)은 동일하게 구성되어 있고, 웨이퍼(W)에 반사 방지막의 형성 및 레지스트막의 형성을 행한다.
후단(後段) 처리용의 단위 블록인 제 3 단위 블록(B3) 및 제 4 단위 블록(B4)은 동일하게 구성되어 있고, 액침 노광용의 보호막의 형성 및 웨이퍼(W)의 이면측 세정을 행한다. 현상 처리용의 단위 블록인 제 5 단위 블록(B5) 및 제 6 단위 블록(B6)은 동일하게 구성되어 있고, 액침 노광 후의 웨이퍼(W)에 현상 처리를 행한다. 이와 같이, 웨이퍼(W)에 동일한 처리를 행하는 단위 블록이 2 층씩 설치되어 있다. 또한 편의상, 제 1 ~ 제 4 단위 블록(B1 ~ B4)을 도포 블록, 제 5 ~ 제 6 단위 블록(B5 ~ B6)을 현상 블록이라 한다.
이들 단위 블록(B1 ~ B6)은 액처리 모듈과, 가열 모듈과, 단위 블록용의 반송 수단인 반송 암(A1 ~ A6)과, 반송 암(A1 ~ A6)이 이동하는 반송 영역(R1 ~ R6)을 구비하고 있고, 각 단위 블록(B1 ~ B6)에서는 이들의 배치 레이아웃이 동일하게 구성되어 있다. 각 단위 블록(B1 ~ B6)에서는, 반송 암(A1 ~ A6)에 의해 서로 독립하여 웨이퍼(W)가 반송되고, 처리가 행해진다. 반송 영역(R1 ~ R6)은, 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S4)으로 연장되는 직선 반송로이다. 도 1에서는 제 1 단위 블록(B1)에 대하여 도시하고 있으며, 이하에 대표하여 이 제 1 단위 블록(B1)에 대하여 설명한다.
이 제 1 단위 블록(B1)의 중앙에는 상기 반송 영역(R1)이 형성되어 있다. 이 반송 영역(R1)을 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S4)측으로 본 좌우에는 액처리 모듈(21), 선반 유닛(U1 ~ U6)이 각각 배치되어 있다.
액처리 모듈(21)에는 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)과, 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)이 설치되어 있고, 캐리어 블록(S1)측으로부터 인터페이스 블록(S4)측을 향해 BCT1, BCT2, COT1, COT2가 이 순으로 배열되어 있다. 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT)은 스핀 척(22)을 구비하고 있고, 스핀 척(22)은 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착 보지하고, 또한 수직축을 중심으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 도면 중 23은 처리 컵이며, 상측이 개구되어 있다. 처리 컵(23)은 스핀 척(22)의 주위를 둘러싸고 약액의 비산을 억제한다. 웨이퍼(W)를 처리할 때에는, 당해 처리 컵(23) 내에 웨이퍼(W)가 수용되고, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부는 스핀 척(22)에 보지된다.
또한, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)에는 이들의 모듈에서 공용되는 노즐(24)이 설치되어 있다. 도면 중 25는 노즐(24)을 지지하는 암이며, 도면 중 26은 구동 기구이다. 구동 기구(26)는, 암(25)을 개재하여 노즐(24)을 각 처리 컵(23)의 배열 방향으로 이동시키고, 또한 암(25)을 개재하여 노즐(24)을 승강시킨다. 구동 기구(26)에 의해, 노즐(24)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)의 처리 컵(23) 상과 반사 방지막 형성 모듈(BCT2)의 처리 컵(23) 상의 사이를 이동하고, 각 스핀 척(22)으로 전달된 웨이퍼(W)의 중심에 반사 방지막 형성용의 약액을 토출한다. 공급된 약액은, 스핀 척(22)에 의해 수직축을 중심으로 회전하는 웨이퍼(W)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 주연으로 확산되고, 반사 방지막이 성막된다. 또한 도시는 생략하고 있지만, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)은 웨이퍼(W)의 주단부(周端部)로 용제를 공급하여, 당해 주단부의 불필요한 막을 제거하는 노즐을 구비하고 있다.
레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)과 동일하게 구성되어 있다. 즉, 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)은 각각 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)을 구비하고 있고, 각 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)에 대하여 노즐(24)이 공유되어 있다. 단, 상기 노즐(24)로부터는 반사 방지막 형성용의 약액 대신에 레지스트가 공급된다.
또한, 여기서는 1 개의 액처리 모듈마다 각 처리 컵(23)이 설치되고, 2 개의 액처리 모듈이 1 개의 노즐(24)을 공유하고 있는 것으로서 설명하고 있지만, 1 개의 액처리 모듈이 1 개의 노즐(24)과 2 개의 처리 컵(23)을 구비하고, 노즐(24)이 2 개의 처리 컵(23)에 공유되어 있도록 해도 된다.
반송 영역(R1 ~ R6)에 대하여 액처리 모듈(21)과 대향하는 위치에 배치되는 열처리 모듈(40)에는 선반 유닛(U1 ~ U6)이 배치되어 있다. 이들 선반 유닛(U1 ~ U6)은, 캐리어 블록(S1)측으로부터 인터페이스 블록(S4)측을 향해 차례로 배열되어 있다. 각 선반 유닛(U1 ~ U5)은, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 가열 모듈(41)이 예를 들면 2 단으로 적층되어 구성되어 있다. 가열 모듈(41)은 웨이퍼(W)를 가열하는 열판(42)과, 가열 후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 플레이트(43)를 구비하고 있다. 따라서, 단위 블록(B1)은 10 개의 가열 모듈을 구비하고 있다. 선반 유닛(U6)은, 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)에 대하여 주연 노광을 행하는 주연 노광 모듈(WEE1, WEE2)이 적층되어 구성되어 있다.
상기 반송 영역(R1)에는 반송 암(A1)이 설치되어 있다. 이 반송 암(A1)은 X, Y 방향으로 진퇴 가능, Z 방향으로 승강 가능, 수직축을 중심(θ 방향)으로 회전 가능하게 형성되고, 또한 처리 블록(S3)의 길이 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 단위 블록(B1)의 모든 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.
이 경우, 반송 암(A1)은 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 흡착 보지하는 복수, 예를 들면 4 개의 보지구(51)를 착탈 가능하게 장착한 상하에 위치하는 수취, 전달용의 2 개의 대략 말굽 형상의 암 본체(52a, 52b)와, 암 본체(52a, 52b)를 각각 외팔보(cantilever) 지지하여 수평인 X, Y 방향으로 진퇴 가능하게 이동하는 이동 기구(도시하지 않음)를 가지는 레일(53)과, 레일(53)을 수직축을 중심(θ)으로 회전 가능하게 구동하는 구동 기구(도시하지 않음)를 가지는 회동대(54)와, 암 본체(52a, 52b), 레일(53) 및 회동대(54)를 수직축 방향(Z 방향)으로 승강 가능하게 보지하는 승강 레일(55)을 구비하고 있다. 그리고, 반송 암(A1)은 열처리 모듈(40)측에 반송 영역(R1)을 따라 설치되는 가이드 레일(56)에 이동 가능하게 장착되는 가동대(57)에 장착되어 있고, 도시하지 않은 이동 기구(예를 들면, 볼 나사 기구, 타이밍 벨트 기구)에 의해 처리 블록(S3)의 길이 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
또한, 반송 암(A1)의 각 부의 이동 기구, 구동 기구는 후술하는 제어 수단인 제어 컴퓨터(90)의 제어부(90a)에 전기적으로 접속되어 있고, 제어부(90a)로부터의 신호에 기초하여 X, Y 방향으로 진퇴 가능, Z 방향으로 승강 가능, 수직축을 중심(θ 방향)으로 회전 가능하게 형성되고, 또한 처리 블록(S3)의 길이 방향으로 이동 가능하게, 또한 멀티 퍼포스 블록(S2)측 또는 인터페이스 블록측의 대기 위치로 이동 가능하게 구성된다. 또한 반송 암(A1)은, 액처리 모듈(21)의 임의의 개소로 이동하여 장치 외부에 노정(露呈)되도록 구성되어 있다.
다른 단위 블록에 대하여 설명한다. 제 2 단위 블록(B2)은 제 1 단위 블록(B1)과 동일하게 구성되어 있고, 반사 방지막 형성 모듈(BCT3, BCT4) 및 레지스트막 형성 모듈(COT3, COT4)이 설치되어 있다. 또한, 각 선반 유닛(U1 ~ U5)을 구성하는 가열 모듈로서 10 개가 설치되어 있다. 선반 유닛(U6)을 구성하는 주연 노광 모듈 2 개가 설치되어 있다.
제 3 단위 블록(B3)은, 제 1 단위 블록(B1)과 대략 동일한 구성이지만, 차이점으로서 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2) 대신에 액침 노광용의 보호막 형성 모듈(TCT1, TCT2)을 구비하고 있다. 또한, 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2) 대신에 이면 세정 모듈(BST1, BST2)을 구비하고 있다. 보호막 형성 모듈(TCT1, TCT2)은, 웨이퍼(W)에 보호막을 형성하기 위한 약액을 공급하는 것을 제외하고, 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과 동일한 구성이다. 즉, 각 보호막 형성 모듈(TCT1, TCT2)은, 각각 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)을 구비하고 있고, 노즐(24)이 이들 2 개의 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)에 공유되어 있다.
이면 세정 모듈(BST1, BST2)은, 웨이퍼(W)의 표면으로 약액을 공급하는 노즐(24)이 설치되는 대신에, 웨이퍼(W)의 이면 및 주연의 베벨부로 세정액을 공급하고, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 노즐이 각각 개별로 설치된다. 이러한 차이를 제외하고는, 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과 동일한 구성이다. 또한 이면 세정 모듈(BST)은 웨이퍼(W)의 이면측만, 또는 상기 베벨부만을 세정하도록 구성되어 있어도 된다. 또한, 제 3 단위 블록(B3)의 선반 유닛(U6)은 주연 노광 모듈(WEE) 대신에 가열 모듈(41)에 의해 구성되어 있다.
제 4 단위 블록(B4)은, 기술한 제 3 단위 블록(B3)과 동일하게 구성되어 있고, 보호막 형성 모듈(TCT3, TCT4) 및 이면 세정 모듈(BST3, BSTT4)이 설치되어 있다. 제 4 단위 블록(B4)의 선반 유닛(U1 ~ U6)은 가열 모듈(41)에 의해 구성되어 있다.
제 5 단위 블록(B5)은 단위 블록(B1)과 대략 동일한 구성이지만, 차이점으로서, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1) 및 레지스트막 형성 모듈(COT) 대신에 현상 모듈(DEV1 ~ DEV4)을 구비하고 있다. 현상 모듈(DEV)은, 웨이퍼(W)로 레지스트 대신에 현상액을 공급하는 것 외에는, 레지스트막 형성 모듈(COT)와 동일하게 구성되어 있다. 또한, 제 5 단위 블록(B5)의 선반 유닛(U1 ~ U6)은 가열 모듈(41)에 의해 구성되어 있다.
제 6 단위 블록(B6)은 단위 블록(B5)과 동일하게 구성되어 있고, 현상 모듈(DEV5 ~ DEV8)이 설치되어 있다. 또한, 제 6 단위 블록(B6)의 선반 유닛(U1 ~ U6)은 가열 모듈(41)에 의해 구성되어 있다.
이어서, 멀티 퍼포스 블록(S2)으로 돌아와, 멀티 퍼포스 블록(S2)에 설치된 선반 유닛(U7)의 구성에 대하여 설명한다. 선반 유닛(U7)은 서로 적층된 복수의 재치부인 모듈에 의해 구성되고, 제 1 단위 블록(B1)의 반송 암(A1)이 액세스할 수 있는 높이 위치에, 소수화(疎水化) 처리 모듈(ADH1, ADH2) 및 전달 모듈(CPL1 ~ CPL3)이 설치되어 있다.
제 2 단위 블록(B2)의 반송 암(A2)을 액세스할 수 있는 높이 위치에는, 소수화 처리 모듈(ADH3, ADH4) 및 전달 모듈(CPL4 ~ CPL6)이 설치되어 있다. 설명 중 CPL이라고 기재한 전달 모듈은, 재치한 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 스테이지를 구비하고 있다. BU라고 기재한 전달 모듈은, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용하고, 체류시킬 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 소수화 처리 모듈(ADH1 ~ ADH4)은 웨이퍼(W)로 처리 가스를 공급하여, 웨이퍼(W) 표면의 소수성을 향상시킨다. 이에 의해, 액침 노광 시에 웨이퍼(W)로부터 각 막의 박리를 억제한다. 특히, 웨이퍼(W)의 베벨부(주단부)의 소수성을 향상시킴으로써, 각 액처리 모듈(21)에서 당해 주단부의 막이 제거되어 웨이퍼(W)의 표면이 노출된 상태라도, 액침 노광 시에 당해 주단부로부터 각 막의 박리를 억제하도록 처리가 행해진다.
또한, 단위 블록(B3, B4)의 반송 암(A3, A4)이 액세스할 수 있는 높이 위치에 전달 모듈(CPL7 ~ CPL8, CPL9 ~ CPL10)이 설치되어 있다. 또한, 캐리어 블록(S1)의 전달 암(13)이 액세스할 수 있는 높이 위치에 전달 모듈(BU1, BU2 및 CPLO)이 설치되어 있다. 전달 모듈(BU1, BU2)은, 기술한 전달 암(13)으로부터 반송된 웨이퍼(W)를 일괄로 수취하기 위하여, 상하 방향으로 5 개의 웨이퍼(W)의 보지부를 구비하고 있다. 전달 모듈(CPLO)은 현상 처리된 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 되돌리기 위하여 사용된다.
또한, 단위 블록(B5)의 반송 암(A5)을 액세스할 수 있는 높이 위치에 전달 모듈(CPL12 ~ CPL13 및 BU3)이 설치되어 있고, 단위 블록(B6)의 반송 암(A6)을 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(CPL14 ~ CPL15 및 BU4)이 설치되어 있다.
상기 처리 블록(S3)의 반송 영역(R1 ~ R6)에서, 도 3b에 도시한 바와 같이, 단위 블록(B3과 B4)의 사이는 소정의 강도를 가지는 구획판(70)에 의해 구획되고, 이 이외의 상하의 단위 블록(B1과 B2, B2와 B3, B4와 B5 및 B5와 B6)의 사이에는, 지지 부재(72)에 의해 지지되는 분리 가능한 구획판(71)에 의해 구획되어 있다. 따라서, 구획판(70) 이외의 임의의 구획판(71)은 장치 밖으로 분리가 가능하므로, 예를 들면 구획판(70)보다 상층의 단위 블록(B4 ~ B6)의 점검·교환을 행할 경우에는, 구획판(70)보다 상층의 구획판(71)을 분리하여 점검·교환 작업을 행하고, 또한 구획판(70)보다 하층의 단위 블록(B1 ~ B3)의 점검·교환을 행할 경우에는, 구획판(70)보다 하층의 구획판(71)을 분리하여 점검·교환 작업을 행할 수 있다.
처리 블록(S3)의 인터페이스 블록(S4)측에는, 각 단위 블록(B1 ~ B6)의 반송 암(A1 ~ A6)을 액세스할 수 있는 위치에 처리 선반 유닛(U8)이 설치되어 있다. 처리 선반 유닛(U8)은, 제 3 단위 블록(B3) ~ 제 6 단위 블록(B6)에 대응하는 위치에 전달 모듈(BU5)을 구비하고 있다. 전달 모듈(BU5)의 하방에는, 전달 모듈(TRS, CPL16 ~ CPL18)이 서로 적층되어 설치되어 있다. 이 처리 선반 유닛(U8)은 인터페이스 블록(S4) 내로 이동 가능하게 되어 있다.
또한, 처리 선반 유닛(U8)에 대하여 장치 정면측(도 1의 지면 하측)의 대향하는 위치에 4 개의 노광후 세정 모듈(PIR1 ~ PIR4)이 적층되어 설치되어 있다. 이 노광후 세정 모듈(PIR1 ~ PIR4)과 처리 선반 유닛(U8)의 사이에는 처리용 전달 암(31)이 설치되어 있다. 이 처리용 전달 암(31)은 수평인 X, Y 방향으로 진퇴 가능, 수직인 Z 방향으로 승강 가능, 수직축 중심의 θ 방향으로 회전 가능하게 형성되어 있고, 처리 선반 유닛(U8)의 각 모듈과 노광후 세정 모듈(PIR1 ~ PIR4)의 사이, 및 처리 선반 유닛(U8)의 각 모듈과 액처리 모듈(21)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록 되어 있다. 또한 처리용 전달 암(31)에는, 이 처리용 전달 암(31)의 최상승 위치를 검지하는 상승 위치 검지 센서(61)가 구비되어 있고, 이 상승 위치 검지 센서(61)는 제어 수단인 제어 컴퓨터(90)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 처리 선반 유닛(U8)의 장치 이면측(도 1의 지면 상측)의 근방에는 처리용 전달 암(32)이 설치되어 있다. 이 처리용 전달 암(32)은, 처리 선반 유닛(U8)과 열처리 모듈(40)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록 되어 있다.
상기 인터페이스 블록(S4)에는, 처리 선반 유닛(U8)의 전달 모듈(BU5), 노광후 세정 모듈(PIR1 ~ PIR4)과 노광 장치(S5)의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 인터페이스 암(33)이 설치되어 있다. 이 인터페이스 암(33)은, 수평인 X, Y 방향으로 진퇴 가능, 수직인 Z 방향으로 승강 가능, 수직축 중심의 θ 방향으로 회전 가능하게 형성되어 있다. 또한 인터페이스 암(33)은, 이 인터페이스 암(33)을 승강 가능하게 보지하는 승강 레일(33a)을 구비하고 있고, 이 승강 레일(33a)이 인터페이스 블록(S4)의 바닥부에서의 장치 정면으로부터 이면 방향을 따르는 가이드 레일(34)에 이동 가능하게 장착되어 있다. 또한, 인터페이스 암(33)을 이동 가능하게 장착한 가이드 레일(34)의 일부와 인터페이스 암(33)은 이동 기구(35)에 의해 인터페이스 블록(S4)의 외부로 이동 가능하게 형성되어 있다.
상기 인터페이스 암(33)의 이동 기구(35)와 인터페이스 암(33)의 각 부의 이동 기구 및 구동 기구는, 제어 컴퓨터(90)의 제어부(90a)에 전기적으로 접속되어 있고, 제어 컴퓨터(90)로부터의 신호에 기초하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하고, 또한 인터페이스 블록(S4)으로부터 가이드 레일(34)의 일부와 인터페이스 암(33)이 인터페이스 블록(S4) 밖으로 이동되도록 되어 있다. 또한, 가이드 레일(34)의 일부와 인터페이스 암(33)의 이동 시에는, 인터페이스 블록(S4)의 정면측에 설치된 개구부(36)에 개폐 가능하게 설치된 도어(37)(도 2 참조)가 개방된다.
또한 인터페이스 암(33)은, 인터페이스 암(33)의 가이드 레일(34)의 단부 이동측으로의 이동을 검지하는 단부 이동 검지 센서(62)와, 가이드 레일(34)의 일부와 인터페이스 암(33)의 이동을 검지하는 이동 검지 센서(63)를 구비하고 있고, 단부 이동 검지 센서(62)와 이동 검지 센서(63)의 검지 신호가 제어 컴퓨터(90)로 전달되고, 인터페이스 암(33)의 가이드 레일(34) 단부 위치의 확인과. 외부로의 이동 위치의 확인을 행할 수 있도록 되어 있다.
제어부(90a)는 제어 컴퓨터(90)에 내장되어 있고, 제어 컴퓨터(90)는 제어부(90a) 외에, 적어도 반송 암(A1 ~ A6), 인터페이스 암(33), 처리용 전달 암(31) 등이 행하는 후술하는 동작과 각 처리 공정을 실행하기 위한 프로그램을 저장하는 제어 프로그램 저장부(90b)와, 판독부(90c)를 내장하고 있다. 또한 제어 컴퓨터(90)는, 제어부(90a)에 접속된 입력부(90e)와, 처리 공정을 작성하기 위한 처리 공정 화면과, 후술하는 메인터넌스 시의 반송 암(A1 ~ A6), 전처리용 전달 암(30), 인터페이스 암(33) 등의 이동 위치를 표시하는 표시부(90d)와, 판독부(90c)에 삽입 장착되고, 또한 제어 컴퓨터(90)에 제어 프로그램을 실행시키는 소프트웨어가 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체가 구비되어 있고, 제어 프로그램에 기초하여 상기 각 부에 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있다. 또한 장치 내에는, 장치 내로 작업자가 진입했는지 여부를 확인하는 센서(도시하지 않음)가 배치되어 있고, 이 센서와 제어 컴퓨터(90)가 전기적으로 접속되어, 장치 내로 작업자가 진입했는지 여부의 확인을 행할 수 있도록 되어 있다. 이 경우, 센서로서 예를 들면 발광기와 수광기를 구비한 빔 센서를 이용할 수 있다. 이 빔 센서를 이용함으로써, 작업자이 장치 내로 진입하면, 센서가 반응하여 장치 밖에 장착된 리셋 스위치가 청색으로 발광하고, 동시에 장치 외부에 장착된 주조작 패널에서 ‘사람 진입’의 알람이 표시되어 반송 암(A1 ~ A6)의 구동이 중단 되도록 할 수 있다. 또한, 장치 밖으로 사람이 나온 후에도, 청색으로 발광하거나 세트 스위치를 눌러 해제하지 않는 이상, 주조작 패널의 알람도 해제할 수 없도록 할 수 있다.
또한 제어 프로그램은, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 플래쉬 메모리, 플렉서블 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체(90f)에 저장되고, 이들 기억 매체(90f)로부터 제어 컴퓨터(90)에 인스톨되어 사용된다.
상기와 같이 구성되는 도포·현상 처리 장치에서의 웨이퍼(W)의 흐름의 일례에 대하여, 도 1 ~ 도 3a을 참조하여 간단히 설명한다. 우선, 예를 들면 25 매의 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어(C)가 재치대(11)에 재치되면, 개폐부(12)와 함께 캐리어(C)의 덮개체가 분리되어 전달 암(13)에 의해 웨이퍼(W)가 취출된다. 그리고, 전달 암(30) → 소수화 처리 모듈(ADH3, ADH4) → 전달 암(30) → 전달 모듈(CPL4)의 순으로 반송된다. 이어서, 반송 암(A2)이, 웨이퍼(W)를 반사 방지막 형성 모듈(BCT3, BCT4) → 가열 모듈(41) → 전달 모듈(CPL5) → 레지스트막 형성 모듈(COT3, COT4) → 가열 모듈(41) → 주연 노광 모듈(WEE) → 전달 모듈(CPL6)로 반송한다. 이 후 웨이퍼(W)는, 전달 암(30) → 전달 모듈(CPL9)의 순으로 반송되고, 반송 암(A4)에 의해 보호막 형성 모듈(TCT3, TCT4) → 가열 모듈(41) → 전달 모듈(CPL10) → 이면 세정 모듈(BST3, BST4) → 전달 모듈(BU4)의 순으로 반송된다.
인터페이스 블록(S4)에서는, 웨이퍼(W)는, 제 1 및 제 3 단위 블록(B1, B3)으로 반송된 웨이퍼(W)와 마찬가지로 반송되고, 노광 처리 및 노광후 세정 처리를 받아, 또한 전달 모듈(BU5)의 제 6 단위 블록(B6)에서의 높이 위치로 전달된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 반송 암(A6)에 의해 전달 모듈(CPL14) → 현상 모듈(DEV5 ~ DEV8) → 가열 모듈(41) → 전달 모듈(CPL15) → 전달 암(30) → 전달 모듈(CPLO) → 전달 암(13) → 캐리어(C)의 순으로 반송된다.
이어서, 상기와 같이 구성되는 도포·현상 처리 장치에서의 메인터넌스에 대하여 설명한다.
<제 1 실시예>
제 1 실시예는, 장치 내로 작업자가 진입하지 않고, 각 단위 블록(B1 ~ B6)에 설치되는 반송 암(A1 ~ A6)(이하에 부호(A)로 대표함)의 교환, 예를 들면 반송 암(A)에 착탈 가능하게 장착되어 있는 보지구(51)의 교환을 행할 수 있도록 한 경우이다.
반송 암(A)을 교환하는 순서에 대하여, 도 5에 나타낸 순서도와 도 6a ~ 도 6e를 참조하여 설명한다. 우선, 암 교환 모드를 기동하면(단계(S-1)), 도 6a에 도시한 반송 영역(R)의 임의의 위치에 있는 반송 암(A)이 임의의 액처리 모듈, 예를 들면 현상 모듈(DEV)의 위치로 이동한다(단계(S-2), 도 6b 참조). 이어서 도 6c에 도시한 바와 같이, 반송 암(A)을 현상 모듈(DEV) 내로 송출(이동)시켜 반송 암(A)의 암 본체(52a, 52b)를 장치 외부에 노정한다(단계(S-3)). 이 상태에서, 작업자(M)가 반송 암(A)의 보지구(51)를 교환한다(단계(S-4), 도 6d 참조). 이 경우, 현상 모듈(DEV)은 높은 곳에 위치하고 있으므로, 도 6e에 도시한 바와 같이, 작업자(M)는 작업대(K)를 이용하여 보지구(51)의 교환 작업을 행한다.
상기 설명에서는, 반송 암(A)의 보지구의 교환의 경우에 대하여 설명했지만, 반송 암(A)의 그 외의 구성 부재의 교환·점검을 동일하게 행할 수 있다. 또한, 각 단위 블록(B1 ~ B6)의 반송 암에 대해서도 상기와 동일한 순서로 반송 암(A)의 구성 부재의 점검·교환을 행할 수 있다.
상기 제 1 실시예에 따르면, 반송 암(A)을 장치 외부에 노정되는 점검·교환 위치, 예를 들면 액처리 모듈(21)의 임의의 액처리 모듈로 이동시킴으로써, 반송 암(A)의 구성 부재의 점검·교환을 행할 수 있으므로, 장치 내로 들어가지 않고 장치 외부로부터 메인터넌스를 행할 수 있어, 메인터넌스의 작업 효율의 향상을 도모할 수 있다. 또한 장치가 가동 중에도, 단위 블록(B1 ~ B6) 중 메인터넌스가 필요한 블록의 반송 암(A)만을 상술한 바와 같은 순서로 교환을 행할 수 있으므로, 다른 블록의 가동을 정지시키지 않고 처리를 속행(續行)할 수 있다.
<제 2 실시예>
제 2 실시예는, 인터페이스 블록(S4)으로부터 작업자(M)가 장치 내로 진입하여 반송 암 또는 액처리 모듈의 점검·교환 작업을 행할 수 있도록 한 경우이다.
이어서, 제 2 실시예의 반송 암 또는 액처리 모듈의 점검·교환 작업의 순서에 대하여, 도 7에 나타낸 순서도와 도 8a ~ 도 8e, 도 9 및 도 10을 참조하여 설명한다.
우선, 내부 점검·교환 모드를 기동하면(단계(S-11)), 반송 암(A)이 캐리어 블록(S1)측, 즉 멀티 퍼포스 블록(S2)측의 대기 위치로 이동한다(단계(S-12), 도 9). 이 때 장치 내의 위치 검지 센서(도시하지 않음)가 반송 암(A)의 대기 위치를 확인하여 제어 컴퓨터(90)로 전달하고, 표시부(90d)에 표시한다. 이에 의해, 반송 영역(R) 내의 작업 스페이스를 확보할 수 있다.
이어서, 제어 컴퓨터(90)의 제어부(90a)로부터의 제어 신호에 기초하여 인터페이스 암(33)을 가이드 레일(34)의 단부측(端部側)으로 이동시킨다(단계(S-13), 도 8a). 인터페이스 암(33)의 가이드 레일(34)의 단부 이동을 단부 이동 검지 센서(62)가 검지하여 제어 컴퓨터(90)로 전달하면, 제어부(90a)로부터의 제어 신호에 기초하여 인터페이스 암(33)과 가이드 레일(34)(여기서는, 인터페이스 암 유닛이라 함)을 장치 외부로 이동시킨다(단계(S-14), 도 8b). 인터페이스 암 유닛이 장치 외부로 이동하면, 이동 검지 센서(63)가 검지하여 제어 컴퓨터(90)로 전달하고, 제어부(90a)로부터의 제어 신호에 기초하여 인터페이스 암 유닛의 이동이 정지한다. 이에 의해, 처리 선반 유닛(U8)의 인터페이스 블록(S4) 내로의 이동 스페이스가 확인되고, 이동 스페이스가 확보된다. 이 상태에서, 처리 선반 유닛(U8)을 인터페이스 블록(S4) 내로 이동시킨다(단계(S-15), 도 8c).
이어서, 제어부(90a)로부터의 제어 신호에 기초하여 처리용 전달 암(31)의 암이 상승하여 최상 위치로 상승하면(단계(S-16), 도 8d), 상승 위치 검지 센서(61)가 검지하여 제어 컴퓨터(90)로 전달한다. 그러면, 제어부(90a)로부터의 제어 신호에 기초하여 처리용 전달 암(31)이 상승 위치에 정지하고, 표시부(90d)에 표시한다. 이에 의해, 작업자(M)의 반송 영역(R) 내로의 진입 스페이스가 확보된다(단계(S-17)).
작업자(M)의 진입 스페이스가 확보된 후, 작업자(M)는 인터페이스 블록(S4)에 설치된 개구부로부터 인터페이스 블록(S4) 내로 진입하여(도 8e), 반송 영역(R)의 임의의 구획판(71)을 분리한 후, 반송 영역(R) 내로 진입하여 액처리 모듈(21), 열처리 모듈(40), 반송 암(A)의 점검·부품 교환을 행한다(단계(S-18), 도 10). 이 때, 장치 내에 배치된 검지 센서에 의해 작업자(M)의 유무가 검지되어, 제어 컴퓨터(90)의 표시부(90d)에 표시되어 있다.
점검·교환 작업이 종료된 후, 작업자(M)는 반송 영역(R)으로부터 나온 후에 구획판(71)을 원래의 위치로 되돌리고 장치 외부로 나온다. 이를 확인한 후, 상기 순서와 반대의 동작을 행하여, 처리 선반 유닛(U8)를 소정 위치로 이동시키고, 인터페이스 암 유닛(인터페이스 암(33), 가이드 레일(34))을 소정의 위치로 이동시킨 후, 장치의 운전을 개시한다.
제 2 실시예에 따르면, 반송 암(A)을 반송 영역(R) 내의 캐리어 블록(S1)측, 즉 멀티 퍼포스 블록(S2)측으로 이동시키고, 인터페이스 블록(S4)의 인터페이스 암(33)을 인터페이스 블록(S4)의 외부로 이동시킨 후, 처리 선반 유닛(U8)을 인터페이스 암(33)의 이동에 의해 형성된 스페이스로 이동시키고, 이 후 처리용 전달 암(31)을 상승시킴으로써, 작업자(M)의 장치 내에의 진입 스페이스를 확보할 수 있어, 작업자(M)는 용이하게 장치 내로 진입할 수 있다. 또한, 장치 내에 작업자(M)가 있는지의 유무를 확인할 수 있으므로, 작업자(M)는 안전하게 점검·교환 작업을 행할 수 있다.
또한 상기 단계(S-12)부터 단계(S-16)의 순서에서, 단계(S-14) 이후에 단계(S-15), 즉 처리 선반 유닛(U8)의 인터페이스 블록(S4) 내로의 이동이 지켜지고 있으면, 단계(S-12)부터 단계(S-16)의 순서는 이에 한정되지 않아도 된다.
<제 3 실시예>
제 3 실시예는, 멀티 퍼포스 블록(S2)으로부터 작업자(M)가 장치 내로 진입하여 반송 암 또는 액처리 모듈의 점검·교환 작업을 행할 수 있도록 한 경우이다.
제 3 실시예에서는 도 12에 도시한 바와 같이, 멀티 퍼포스 블록(S2) 내에 설치되는 선반 유닛(U7)과 전처리용 전달 암(30)은, 도포·현상 처리 장치의 이면측의 외부로 인출 가능하게 구성되어 있다. 이 경우, 선반 유닛(U7)과 전처리용 전달 암(30)을 재치하는 재치대(38)를 설치하고, 이 재치대(38)를 가이드 레일(도시하지 않음)에 의해 멀티 퍼포스 블록(S2) 내외로 이동 가능하게 구성되어 있다. 또한 멀티 퍼포스 블록(S2)에는, 선반 유닛(U7)과 전처리용 전달 암(30)의 장치 외부로의 이동(반출)을 검지하는 센서(64)가 설치되어 있고, 이 검지 센서(64)는 제어 컴퓨터(90)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한 도 12에서는, 인터페이스 블록(S4) 내에 설치되는 인터페이스 암(33)과 가이드 레일(34)(인터페이스 암 유닛)이 인터페이스 블록(S4)의 밖으로 이동 가능한 구조를 나타내고 있지만, 인터페이스 암(33)과 가이드 레일(34)(인터페이스 암 유닛)은 인터페이스 블록(S4)의 밖으로 이동하지 않는 구조여도 된다. 제 3 실시예에서 그 외의 부분은 제 1 실시예와 동일하므로, 동일 부분에는 동일 부호를 부여하여 설명은 생략한다.
이어서, 제 3 실시예의 반송 암 또는 액처리 모듈의 점검·교환 작업의 순서에 대하여, 도 11에 나타낸 순서도와 도 12를 참조하여 설명한다. 또한 도 12에서는, 제어 컴퓨터(90)의 도시를 생략하고 있다.
우선, 내부 점검·교환 모드를 기동하면(단계(S-21)), 반송 암(A)이 인터페이스 블록(S4)측의 대기 위치로 이동한다(단계(S-22), 도 12). 이 때 장치 내의 위치 검지 센서(도시하지 않음)가 반송 암(A)의 대기 위치를 확인하여 제어 컴퓨터(90)로 전달하고, 표시부(90d)에 표시한다. 이에 의해, 반송 영역(R) 내의 작업 스페이스를 확보할 수 있다.
이어서, 전처리용 전달 암(30)과 선반 유닛(U7)을 장치의 이면측의 외부로 이동(반출)시킨다(단계(S-23), 도 12). 전처리용 전달 암(30)과 선반 유닛(U7)의 반출을 검지 센서(64)가 검지하여 제어 컴퓨터(90)로 전달하고, 표시부(90d)에 표시한다. 이에 의해, 전처리용 전달 암(30)과 선반 유닛(U7)의 장치 밖으로의 반출이 확인되고, 작업자(M)의 반송 영역(R) 내로의 진입 스페이스가 확보된다(단계(S-24)).
작업자(M)의 진입 스페이스가 확보된 후, 작업자(M)는 멀티 퍼포스 블록(S2)의 이면측의 개구부로부터 멀티 퍼포스 블록(S2) 내로 진입하여, 반송 영역(R)의 임의의 구획판(71)을 분리한 후, 반송 영역(R) 내로 진입하여, 액처리 모듈(21), 열처리 모듈(40), 반송 암(A)의 점검·부품 교환을 행한다(단계(S-25)). 이 때, 장치 내에 배치된 검지 센서에 의해 작업자(M)의 유무가 검지되어, 표시부(90d)에 표시되어 있다.
점검·교환 작업이 종료된 후, 작업자(M)는 반송 영역(R)으로부터 나온 다음 구획판(71)을 원래의 위치로 되돌리고 장치 외부로 나온다. 이를 확인한 후, 상기 순서와 반대의 동작을 행하여, 전처리용 전달 암(30)과 선반 유닛(U7)을 소정 위치로 이동시킨 후, 장치의 운전을 개시한다.
제 3 실시예에 따르면, 반송 암(A)을 반송 영역(R) 내의 인터페이스 블록(S4)측으로 이동시키고, 전달 암(30)과 선반 유닛(U7)을 멀티 퍼포스 블록(S2)의 외부로 이동시킴으로써 작업자(M)의 장치 내로의 진입 스페이스를 확보할 수 있어, 작업자(M)는 용이하게 장치 내로 진입할 수 있다. 또한, 장치 내에 작업자(M)가 있는지의 유무를 확인할 수 있으므로, 작업자(M)는 안전하게 점검·교환 작업을 행할 수 있다.
또한 단계(S-22)부터 단계(S-23)의 순서에서, 단계(S-23), 즉 전처리용 전달 암(30)과 선반 유닛(U7)을 장치의 이면측의 외부로 이동(반출)이 지켜지고 있으면, 단계(S-22)와 단계(S-23)를 반대로 해도 된다.
<제 4 실시예>
제 4 실시예는, 장치 내로 작업자가 진입하지 않고, 열처리 모듈의 온도 측정 및 온도 조정을 행할 수 있도록 한 경우이다.
제 4 실시예에서는 도 14에 도시한 바와 같이, 인터페이스 암(33)이 인터페이스 블록(S4) 내의 정면측으로부터 이면측을 따라 설치된 가이드 레일(34)에 이동 가능하게 장착되고, 또한 장치 이면측에서의 후술하는 온도 측정용 지그(80)의 전달 가능한 위치로 이동 가능하게 형성되어 있다.
이 경우, 온도 측정용 지그(80)는 웨이퍼(W)와 동일 형상의 원판에 무선식의 온도 검지용 센서(65)가 설치되어 있다. 무선식의 온도 검지용 센서(65)에는, 도시하지 않지만, 온도 측정용의 열전대와 열전대의 기전력에 의해 구동하는 IC 칩 및 온도 정보를 제어 컴퓨터(90)로 전달하는 안테나가 구비되어 있다.
제 4 실시예에서 그 외의 부분은 제 1 실시예와 동일하므로, 동일 부분에는 동일 부호를 부여하여 설명은 생략한다.
이어서, 제 4 실시예의 열처리 모듈의 온도 측정·온도 조정의 작업의 순서에 대하여, 도 13에 나타낸 순서도와 도 14를 참조하여 설명한다. 또한 도 14에서는, 제어 컴퓨터(90)의 도시를 생략하고 있다.
우선, 열처리 모듈 점검·교환 모드를 기동하면(단계(S-31)), 인터페이스 암(33)이 인터페이스 블록(S4)의 이면측의 전달 위치, 즉 온도 측정용 지그(80)의 탑재 위치로 이동한다(단계(S-32)). 이 상태에서, 온도 측정용 지그(80)를 인터페이스 암(33)에 탑재한다(단계(S-33)).
인터페이스 암(33)에 탑재된 온도 측정용 지그(80)는, 인터페이스 암(33)에 의해 처리 선반 유닛(U8)의 전달 모듈(BU5)로 전달된다(단계(S-34)). 이어서, 반송 암(A)이 전달 모듈(BU5)에 재치된 온도 측정용 지그(80)를 수취하여, 열처리 모듈(40)의 가열 모듈(41)로 반송한다(단계(S-35)). 가열 모듈(41)로 반송된 온도 측정용 지그(80)는 열판(42)에 재치되고, 열판(42)의 온도 측정을 행한다(단계(S-36)).
온도 측정용 지그(80)에 의해 온도 측정된 온도 정보는 무선식 온도 검지용 센서(65)에 의해 제어 컴퓨터(90)로 전달되고, 제어 컴퓨터(90)의 제어부(90a)로부터의 신호에 기초하여 열처리 모듈(40)의 가열 모듈(41)의 온도 조정을 행한다(단계(S-37)).
상기 설명에서는, 열처리 모듈(40)의 열판(42)의 온도 측정과 온도 조정을 행하는 경우이지만, 동일한 순서로 냉각 플레이트(43)의 온도 측정과 온도 조정을 행할 수 있다.
또한 상기 실시예에서는, 인터페이스 암(33)에 온도 측정용 지그(80)를 탑재시켜, 열처리 모듈(40)의 온도 측정과 온도 조정을 행하는 경우에 대하여 설명했지만, 인터페이스 암(33) 대신에 전처리용 전달 암(30)에 온도 측정용 지그(80)를 탑재시켜, 열처리 모듈(40)의 온도 측정과 온도 조정을 행하도록 해도 된다. 이 경우, 전처리용 전달 암(30)은, 수직축 중심의 θ 방향으로 회전 가능하게 형성되어 있는 것을 사용한다.
이 경우의 순서에 대하여 설명하면, 우선 멀티 퍼포스 블록(S2)의 전처리용 전달 암(30)을 이면측의 전달 위치, 즉 온도 측정용 지그(80)의 탑재 위치로 이동시킨다. 이 상태에서, 온도 측정용 지그(80)를 전처리용 전달 암(30)에 탑재하고, 전처리용 전달 암(30)에 의해 온도 측정용 지그(80)를 선반 유닛(U7)의 전달 모듈(BU1 ~ BU4)로 전달하다(재치한다). 반송 암(A)이 전달 모듈(BU1 ~ BU4)에 재치된 온도 측정용 지그(80)를 수취하여, 열처리 모듈(40)의 가열 모듈(41)로 반송하고, 온도 측정용 지그(80)를 열판(42)에 재치하여, 열판(42)의 온도 측정을 행한다. 온도 측정용 지그(80)에 의해 온도 측정된 온도 정보는 무선식 온도 검지용 센서(65)에 의해 제어 컴퓨터(90)로 전달되고, 제어 컴퓨터(90)의 제어부(90a)로부터의 신호에 기초하여 열처리 모듈(40)의 가열 모듈(41)의 온도 조정을 행할 수 있다.
상술한 제 4 실시예에 따르면, 인터페이스 암(33) 또는 전처리용 전달 암(30)에 온도 측정용 지그(80)를 탑재함으로써, 열처리 모듈(40)의 각 가열 모듈(41)의 온도 측정을 행하여, 열처리 모듈의 온도 조정을 행할 수 있다. 따라서, 장치 내로 작업자가 들어가지 않고, 열처리 모듈의 온도 측정과 온도 조정을 행할 수 있으므로, 2 차 재해의 방지를 도모할 수 있고, 또한 메인터넌스의 작업 효율의 향상을 도모할 수 있다.
<제 5 실시예>
제 5 실시예는, 장치 내로 작업자가 진입하지 않고, 액처리 모듈, 열처리 모듈 및 반송 암 및 전달 암의 위치 측정과 위치 조정을 행할 수 있도록 한 경우이다.
제 5 실시예에서는, 도 16에 도시한 바와 같이, 인터페이스 암(33)이 인터페이스 블록(S4) 내의 정면측으로부터 이면측을 따라 설치된 가이드 레일(34)에 이동 가능하게 장착되고, 또한 장치 이면측에서의 후술하는 위치 측정용 지그(81)의 전달 가능한 위치로 이동 가능하게 형성되어 있다.
이 경우, 위치 측정용 지그(81)는 웨이퍼(W)와 동일 형상의 원판에 무선식의 위치 측정용 센서(66)가 설치되어 있다. 위치 측정용 센서(66)는 도시하지 않지만, 원판의 이면측에 설치되고, 측정 대상물과의 사이에서 정전 용량을 검출하는 복수의 정전 용량 검출 전극과, 원판의 표면에 설치되고, 상기 정전 용량 검출 전극과 통신하고, 정전 용량 검출 전극에 의한 정전 용량의 검출을 제어하는 제어 회로를 구비하고 있다.
제 5 실시예에서 그 외의 부분은 제 1 실시예와 동일하므로, 동일 부분에는 동일 부호를 부여하여 설명은 생략한다.
이어서, 제 5 실시예의 액처리 모듈, 열처리 모듈 및 반송 암 및 전달 암의 위치 측정과 위치 조정의 작업의 순서의 일례에 대하여, 도 15에 나타낸 순서도와 도 16을 참조하여 설명한다. 또한 도 16에서는, 제어 컴퓨터(90)의 도시를 생략하고 있다.
우선, 위치 조정 모드를 기동하면(단계(S-41)), 인터페이스 암(33)이 인터페이스 블록(S4)의 이면측의 전달 위치, 즉 위치 측정용 지그(81)의 탑재 위치로 이동한다(단계(S-42)). 이 상태에서, 위치 측정용 지그(81)를 인터페이스 암(33)에 탑재한다(단계(S-43)).
인터페이스 암(33)에 탑재된 위치 측정용 지그(81)는, 인터페이스 암(33)에 의해 처리 선반 유닛(U8)의 전달 모듈(BU5)로 전달된다(단계(S-44)). 이어서, 반송 암(A)이 전달 모듈(BU5)에 재치된 위치 측정용 지그(81)를 수취하여, 소정의 모듈 예를 들면 열처리 모듈(40)의 가열 모듈(41)로 반송한다(단계(S-45)). 가열 모듈(41)로 반송된 위치 측정용 지그(81)는 열판(42)을 관통하는 승강 가능한 기판 보지부인 3 개의 지지 핀(도시하지 않음)에 지지되고, 이 상태에서 지지 핀의 지지 위치의 측정, 예를 들면 3 개의 지지 핀의 지지 상태가 수평인지 경사가 있는지의 측정을 행하고, 또한 지지 핀의 지지 위치의 측정을 행한 후, 지지 핀이 하강하여 열판(42) 상에 재치되고, 이 상태에서 열판(42)의 웨이퍼 보지 위치의 측정을 행한다(단계(S-46)).
위치 측정용 지그(81)에 의해 위치 측정된 위치 측정 정보는 무선식 위치 측정용 센서(66)에 의해 제어 컴퓨터(90)로 전달되고, 제어 컴퓨터(90)의 제어부(90a)로부터의 신호에 기초하여 열처리 모듈(40)의 가열 모듈(41)의 위치 조정을 행한다(단계(S-47)).
상기 설명에서는, 열처리 모듈(40)의 위치 측정과 위치 조정을 행하는 경우에 대하여 설명했지만, 동일한 순서로 액처리 모듈(21), 반송 암(A) 또는 전달 암(30 ~ 33)의 위치 측정과 위치 조정을 행할 수도 있다.
또한 상기 실시예에서는, 인터페이스 암(33)에 위치 측정용 지그(81)를 탑재시켜, 열처리 모듈(40), 액처리 모듈(21), 반송 암(A) 또는 전달 암(30 ~ 33)의 위치 측정과 위치 조정을 행하는 경우에 대하여 설명했지만, 인터페이스 암(33) 대신에 전처리용 전달 암(30)에 온도 측정용 지그(80)를 탑재시켜, 열처리 모듈(40), 액처리 모듈(21), 반송 암(A) 또는 전달 암(30 ~ 33)의 위치 측정과 위치 조정을 행하도록 해도 된다. 이 경우, 전처리용 전달 암(30)은 수직축 중심의 θ 방향으로 회전 가능하게 형성되어 있는 것을 사용한다.
이 경우의 순서에 대하여 설명하면, 우선 멀티 퍼포스 블록(S2)의 전처리용 전달 암(30)을 이면측의 전달 위치, 즉 위치 측정용 지그(81)의 탑재 위치로 이동시킨다. 이 상태에서, 위치 측정용 지그(81)를 전처리용 전달 암(30)에 탑재하고, 전처리용 전달 암(30)에 의해 위치 측정용 지그(81)를 선반 유닛(U7)의 전달 모듈(BU1 ~ BU4)로 전달한다(재치한다). 반송 암(A)이 전달 모듈(BU1 ~ BU4)에 재치된 위치 측정용 지그(81)를 수취하여, 소정의 모듈 예를 들면 열처리 모듈(40)의 가열 모듈(41)로 반송하고, 위치 측정용 지그(81)에 의해 상술한 바와 같이 위치 측정을 행한다. 위치 측정용 지그(81)에 의해 위치 측정된 위치 측정 정보는 무선식 위치 측정용 센서(66)에 의해 제어 컴퓨터(90)로 전달되고, 제어 컴퓨터(90)의 제어부(90a)로부터의 신호에 기초하여 열처리 모듈(40)의 기판 보지부인 지지 핀 또는 열판(42)의 위치 조정을 행할 수 있다.
상술한 제 5 실시예에 따르면, 인터페이스 암(33) 또는 전처리용 전달 암(30)에 위치 측정용 지그(81)를 탑재함으로써, 열처리 모듈(40), 액처리 모듈(21), 반송 암(A) 또는 전달 암(30 ~ 33)의 위치 측정을 행하여 위치 조정을 행할 수 있다. 따라서, 장치 내로 작업자가 들어가지 않고, 열처리 모듈(40), 액처리 모듈(21), 반송 암(A) 또는 전달 암(30 ~ 33)의 위치 측정과 위치 조정을 행할 수 있으므로, 2 차 재해의 방지를 도모할 수 있고, 또한 메인터넌스의 작업 효율의 향상을 도모할 수 있다.
<그 외의 실시예>
상기 제 1 내지 제 5 실시예를 조합함으로써, 제 1 ~ 제 5 실시예의 기능의 모두를 장비할 수 있다. 즉, 반송 암(A)을 장치 외부에 노정되는 점검·교환 위치, 예를 들면 액처리 모듈(21)의 임의의 액처리 모듈로 이동시킴으로써, 반송 암(A)의 구성 부재의 점검·교환을 행할 수 있다. 또한, 인터페이스 블록(S4) 또는 멀티 퍼포스 블록(S2) 중 어느 하나로부터 작업자의 장치 내로의 진입 스페이스를 확보할 수 있고, 또한 반송 암(A)을 안전한 대기 위치로 이동시킨 다음, 작업자는 용이하게 장치 내로 진입할 수 있다. 또한, 장치 내에 작업자가 있는지의 유무를 확인할 수 있다. 또한, 인터페이스 암(33) 또는 전처리용 전달 암(30)에 온도 측정용 지그(80) 또는 위치 측정용 지그(81)를 탑재함으로써, 장치 내로 작업자가 진입하지 않고, 열처리 모듈(40)의 각 열처리부인 가열 모듈의 온도 측정과 온도 조정을 행할 수 있고, 액처리 모듈(21), 열처리 모듈, 반송 암(A) 및 전달 암의 위치 측정과 위치 조정을 행할 수 있다.
상기 실시예에서는, 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 반도체 웨이퍼의 도포·현상 처리 장치에 적용한 경우에 대하여 설명했지만, 본 발명은, 웨이퍼 이외의 플랫 패널 디스플레이용의 글라스 기판의 기판 처리 장치에 대해서도 적용할 수 있다.
S1 : 캐리어 블록
S2 : 멀티 퍼포스 블록
S3 : 처리 블록
S4 : 인터페이스 블록
S5 : 노광 장치
A, A1 ~ A6 : 반송 암
U7 : 선반 유닛
U8 : 처리 선반 유닛
R, R1 ~ R6 : 반송 영역
21 : 액처리 모듈
30 : 전처리용 전달 암
31 : 처리용 전달 암
33 : 인터페이스 암
35 : 이동 기구
40 : 열처리 모듈
41 : 가열 모듈
51 : 보지구
70, 71 : 구획판
80 : 온도 측정용 지그
81 : 위치 측정용 지그

Claims (11)

  1. 캐리어 블록과, 상기 캐리어 블록의 캐리어로부터 반송된 기판을 처리하는 처리 블록과, 상기 처리 블록에 연결 설치되어 처리 블록과 노광 장치를 접속하는 인터페이스 블록을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 처리 블록은, 기판으로 처리액을 공급하는 복수의 액처리부를 적층하는 액처리 모듈과, 상기 액처리 모듈과 대향하는 위치에 배치되는 복수의 열처리부를 적층하는 열처리 모듈과, 상기 액처리 모듈과 열처리 모듈의 사이에 형성되는 반송 영역에서의 상기 인터페이스 블록측에 배치되고, 또한 인터페이스 블록 내로 이동 가능한 복수의 기판의 재치부를 적층하는 처리 선반 유닛과, 상기 반송 영역 내로 이동 가능하게 설치되고, 상기 액처리 모듈, 열처리 모듈 및 처리 선반 유닛에 대하여 기판을 전달하는 반송 암과, 상기 처리 선반 유닛의 근방에 배치되고, 처리 선반 유닛과 상기 액처리 모듈의 사이에서 기판을 전달하는 처리용 전달 암을 구비하고,
    상기 인터페이스 블록은, 상기 처리 선반 유닛과 노광 장치의 사이에서 기판의 전달을 행하는 인터페이스 암과, 상기 인터페이스 암을 상기 인터페이스 블록의 외부로 이동시키는 이동 기구를 구비하고,
    상기 반송 암, 처리용 전달 암, 인터페이스 암, 반송 암의 이동 기구 및 인터페이스 암의 이동 기구를 제어하는 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여, 상기 반송 암의 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치 또는 대기 위치로의 이동을 행하도록 형성하고, 또한 상기 처리 블록의 반송 영역 내로의 작업자의 진입을 가능하게 하기 위하여, 상기 인터페이스 암의 이동, 상기 처리 선반 유닛의 이동 및 처리용 전달 암의 상승을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어 수단으로부터의 신호를 받아, 상기 반송 암의 장치 외부에 노정되는 점검·교환 위치의 확인, 상기 반송 암의 대기 위치의 확인, 상기 인터페이스 암의 이동의 확인, 상기 선반 유닛의 이동의 확인, 상기 처리용 전달 암의 상승의 확인 및 상기 반송 영역 내의 작업자의 유무의 확인을 표시하는 화상 표시부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 캐리어 블록과, 상기 캐리어 블록의 캐리어로부터 반송된 기판을 처리하는 처리 블록과, 상기 처리 블록에 연결 설치되어 처리 블록과 노광 장치를 접속하는 인터페이스 블록과, 상기 캐리어 블록과 처리 블록의 사이에 배치되는 멀티 퍼포스 블록을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 처리 블록은, 기판으로 처리액을 공급하는 복수의 액처리부를 적층하는 액처리 모듈과, 상기 액처리 모듈과 대향하는 위치에 배치되는 복수의 열처리부를 적층하는 열처리 모듈과, 상기 액처리 모듈과 열처리 모듈의 사이에 형성되는 반송 영역에서의 상기 인터페이스 블록측에 배치되고, 또한 인터페이스 블록 내로 이동 가능한 복수의 기판의 재치부를 적층하는 처리 선반 유닛과, 상기 반송 영역 내로 이동 가능하게 설치되고, 상기 액처리 모듈, 열처리 모듈 및 처리 선반 유닛에 대하여 기판을 전달하는 반송 암과, 상기 처리 선반 유닛의 근방에 배치되고, 처리 선반 유닛과 상기 액처리 모듈의 사이에서 기판을 전달하는 처리용 전달 암을 구비하고,
    상기 멀티 퍼포스 블록은, 기판을 재치하는 복수의 재치부를 적층한 선반 유닛과, 상기 선반 유닛의 각 재치부와의 사이에서 기판을 전달하는 전처리용 전달 암을 구비하고, 또한 상기 선반 유닛 및 상기 전처리용 전달 암이 상기 멀티 퍼포스 블록으로부터 반출 가능하게 형성하여 이루어지고,
    상기 반송 암, 처리용 전달 암, 전처리용 전달 암 및 반송 암의 이동 기구를 제어하는 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여, 상기 반송 암의 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치 또는 대기 위치로의 이동, 상기 처리 블록의 반송 영역 내로의 작업자의 진입을 가능하게 하기 위하여, 상기 선반 유닛과 전처리용 전달 암의 반출의 확인을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어 수단으로부터의 신호를 받아, 상기 반송 암의 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치의 확인, 상기 반송 암의 대기 위치의 확인, 상기 선반 유닛과 상기 전처리용 전달 암의 반출의 확인 및 상기 반송 영역 내의 작업자의 유무의 확인을 표시하는 화상 표시부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 캐리어 블록과, 상기 캐리어 블록의 캐리어로부터 반송된 기판을 처리하는 처리 블록과, 상기 처리 블록에 연결 설치되어 처리 블록과 노광 장치를 접속하는 인터페이스 블록과, 상기 캐리어 블록과 처리 블록의 사이에 배치되는 멀티 퍼포스 블록을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 처리 블록은, 기판으로 처리액을 공급하는 복수의 액처리부를 적층하는 액처리 모듈과, 상기 액처리 모듈과 대향하는 위치에 배치되는 복수의 열처리부를 적층하는 열처리 모듈과, 상기 액처리 모듈과 열처리 모듈의 사이에 형성되는 반송 영역에서의 상기 인터페이스 블록측에 배치되고, 또한 인터페이스 블록 내로 이동 가능한 복수의 기판의 재치부를 적층하는 처리 선반 유닛과, 상기 반송 영역 내로 이동 가능하게 설치되고, 상기 액처리 모듈, 열처리 모듈 및 처리 선반 유닛에 대하여 기판을 전달하는 반송 암과, 상기 처리 선반 유닛의 근방에 배치되고, 처리 선반 유닛과 상기 액처리 모듈의 사이에서 기판을 전달하는 처리용 전달 암을 구비하고,
    상기 인터페이스 블록은, 상기 처리 선반 유닛과 노광 장치의 사이에서 기판의 전달을 행하는 인터페이스 암과, 상기 인터페이스 암을 상기 인터페이스 블록의 외부로 이동시키는 이동 기구를 구비하고,
    상기 멀티 퍼포스 블록은, 기판을 재치하는 복수의 재치부를 적층한 선반 유닛과, 상기 선반 유닛의 각 재치부와의 사이에서 기판을 전달하는 전처리용 전달 암을 구비하고, 또한 상기 선반 유닛 및 상기 전처리용 전달 암이 상기 멀티 퍼포스 블록으로부터 반출 가능하게 형성하여 이루어지고,
    상기 반송 암, 처리용 전달 암, 인터페이스 암, 전처리용 전달 암, 반송 암의 이동 기구 및 인터페이스 암의 이동 기구를 제어하는 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여, 상기 반송 암의 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치 또는 대기 위치로의 이동을 행하도록 형성하고, 또한 상기 처리 블록의 반송 영역 내로의 작업자의 진입을 가능하게 하기 위하여, 상기 인터페이스 암의 이동, 상기 처리 선반 유닛의 이동 및 처리용 전달 암의 상승을 행하도록 형성하고, 또는 상기 처리 블록의 반송 영역 내로의 작업자의 진입을 가능하게 하기 위하여, 상기 선반 유닛과 전처리용 전달 암의 반출의 확인을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제어 수단으로부터의 신호를 받아, 상기 반송 암의 장치 외부로 노정되는 점검·교환 위치의 확인, 상기 반송 암의 대기 위치의 확인, 상기 인터페이스 암의 이동의 확인, 상기 선반 유닛의 이동의 확인, 상기 전달 암의 상승의 확인, 상기 선반 유닛과 상기 전처리용 전달 암의 반출의 확인 및 상기 반송 영역 내의 작업자의 유무의 확인을 표시하는 화상 표시부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 블록의 반송 영역은 각 층마다 구획판에 의해 구획되어 있고, 임의의 구획판이 분리 가능하게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 인터페이스 암이 전달 가능한 위치로 이동 가능하게 형성되고, 상기 인터페이스 암에 탑재되는 온도 측정용 지그에 의해 상기 열처리 모듈의 각 열처리부의 온도 측정을 행하고, 그 신호를 상기 제어 수단으로 전달하고, 상기 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여 상기 열처리 모듈의 온도 조정을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 인터페이스 암이 전달 가능한 위치로 이동 가능하게 형성되고, 상기 인터페이스 암에 탑재되는 상하, 좌우의 위치를 측정하는 위치 측정용 지그에 의해 상기 액처리 모듈의 각 액처리부, 열처리 모듈의 각 열처리부, 반송 암 및 전달 암의 위치 측정을 행하고, 그 신호를 상기 제어 수단으로 전달하고, 상기 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여 상기 액처리 모듈의 각 액처리부, 열처리 모듈의 각 열처리부, 반송 암 및 전달 암의 위치 조정을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 전처리용 전달 암이 전달 가능한 위치로 이동 가능하게 형성되고, 상기 전처리용 전달 암에 탑재되는 온도 측정용 지그에 의해 상기 열처리 모듈의 각 열처리부의 온도 측정을 행하고, 그 신호를 상기 제어 수단으로 전달하고, 상기 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여 상기 열처리 모듈의 온도 조정을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 전처리용 전달 암이 전달 가능한 위치로 이동 가능하게 형성되고, 상기 전처리용 전달 암에 탑재되는 상하, 좌우의 위치를 측정하는 위치 측정용 지그에 의해 상기 액처리 모듈의 각 액처리부, 열처리 모듈의 각 열처리부, 반송 암 및 전달 암의 위치 측정을 행하고, 그 신호를 상기 제어 수단으로 전달하고, 상기 제어 수단으로부터의 신호에 기초하여 상기 액처리 모듈의 각 액처리부, 열처리 모듈의 각 열처리부, 반송 암 및 전달 암의 위치 조정을 행하도록 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200034575A (ko) * 2018-09-21 2020-03-31 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
KR20200083276A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치, 반송 모듈 및 연결 모듈

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6634882B2 (ja) * 2016-02-26 2020-01-22 株式会社リコー シート昇降機構、シート昇降機構を備える装置、シート分離供給装置及びシート回収装置
JP7115966B2 (ja) * 2018-11-30 2022-08-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2021125641A (ja) * 2020-02-07 2021-08-30 川崎重工業株式会社 ロボット及びそれを備えた基板搬送システム
JP7419966B2 (ja) 2020-05-25 2024-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1050800A (ja) * 1996-08-05 1998-02-20 Canon Sales Co Inc 処理装置
JP2004015019A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US7267497B2 (en) * 2005-01-21 2007-09-11 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method
JP4722684B2 (ja) * 2005-12-02 2011-07-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4956328B2 (ja) * 2007-08-24 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 搬送アームの移動位置の調整方法及び位置検出用治具
JP5449720B2 (ja) * 2008-08-26 2014-03-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200034575A (ko) * 2018-09-21 2020-03-31 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치
US11101156B2 (en) 2018-09-21 2021-08-24 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus
KR20200083276A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치, 반송 모듈 및 연결 모듈
US11081376B2 (en) 2018-12-28 2021-08-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus, transfer module, and coupling module

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