KR20130074208A - Light emitting diode - Google Patents

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KR20130074208A
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Abstract

PURPOSE: A light emitting diode is provided to prevent the generation of the leakage current of a semiconductor device by combining the metal of a p-type electrode layer with the metal of an n-type electrode layer. CONSTITUTION: An etch stop layer (30) is formed in the outer surface of a semiconductor layer. A first metal layer (40) is formed in the front upper part of a reflection layer and a part of the etch stop layer. A second metal layer (90) is contacted with the first metal layer. An insulating protection layer (50) covers the front upper surface of the first metal layer and the inner surface of a via hole. An electrode (60) is formed in the front upper surface the insulating protection layer.

Description

발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE}[0001] LIGHT EMITTING DIODE [0002]

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로서, 특히, 외부 광효율이 향상된 반도체 발광 다이오드에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a semiconductor light emitting diode with improved external light efficiency.

화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기적 신호를 빛으로 변환시키는 화합물 반도체 발광소자 즉, LED(Light Emitting Diode) 또는 레이저 다이오드(Laser Diode, LD)와 같은 발광소자들은 조명, 광통신, 다중통신 등의 응용분야에서 많이 연구되고 실용화되어가고 있는 추세이다.Compound semiconductor light emitting devices that convert electrical signals to light using characteristics of compound semiconductors, that is, light emitting devices such as LEDs (Light Emitting Diodes) or laser diodes (LDs), are used in applications such as lighting, optical communication, and multiple communication. It is a trend that is being studied and put into practical use in.

일반적으로 발광소자들은 기판 위에 수직 구조로 성장되거나 증착된다. 특히 절연체 사파이어 기판을 사용하고 그 위에 반도체 발광층으로서 각각 다른 영역의 반도체층과 활성영역인 활성층이 증착된 구조의 발광소자는 소자 상부에 모든 전극을 형성하여 플립칩이나 와이어본딩 방식으로 결합하거나 본딩금속층으로 전도성 웨이퍼 기판과 결합한 수직형 발광다이오드를 구성한다.In general, light emitting devices are grown or deposited in a vertical structure on a substrate. In particular, a light emitting device having an insulator sapphire substrate and having a semiconductor light emitting layer in which a semiconductor layer in a different region and an active layer as an active region are deposited thereon is formed with all electrodes on the top of the device to be bonded or bonded to a bonding metal layer by flip chip or wire bonding. As a result, a vertical light emitting diode coupled with the conductive wafer substrate is constructed.

이때, 낮은 열전도성을 가지는 사파이어 기판을 제거하고 충진 금속으로 채워진 비아홀이 형성된 세라믹기판을 장착함으로써 가격대비 열전도율에 있어 우수한 특성을 가지는 발광다이오드가 최근 개발되고 있다.In this case, a light emitting diode having excellent characteristics in cost-effective thermal conductivity has been recently developed by removing a sapphire substrate having low thermal conductivity and mounting a ceramic substrate having a via hole filled with a filling metal.

이러한, 세라믹기판을 장착한 발광다이오드에 대해서는 본원인에 의하여 출원된 대한민국 특허등록 제10-0907223호(이하 '선행기술') 등 다수의 발명이 출원 및 등록되어있다. For such a light emitting diode equipped with a ceramic substrate, a number of inventions such as Korean Patent Registration No. 10-0907223 filed by the present applicant (hereinafter referred to as 'prior art') have been filed and registered.

상기 선행기술의 발광 다이오드는, 반도체층이 적층되고 반도체층의 상부와 하부에 각각 전극이 구비된 발광다이오드의 상부에 형성된 본딩 금속층; 및 상기 본딩 금속층 상부에 접합되고, 구리(Cu), 동탄(CuW), 알루미늄(Al), 금(Au), 으로 구성된 그룹 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속으로 충진된 하나 이상의 비아홀과 상기 비아홀 상부에 결합된 전도성의 컨택 금속을 구비하는 세라믹기판을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 발광소자의 반도체층과 세라믹기판 사이의 열팽창 계수를 최소화할 수 있어 수직형 발광 다이오드 소자의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있었다.The prior art light emitting diode includes: a bonding metal layer formed on top of a light emitting diode in which semiconductor layers are stacked and electrodes are provided on top and bottom of the semiconductor layer, respectively; And at least one via hole bonded to the bonding metal layer and filled with at least one metal selected from the group consisting of copper (Cu), copper (CuW), aluminum (Al), and gold (Au). It characterized in that it comprises a ceramic substrate having a bonded conductive metal contact. Therefore, the thermal expansion coefficient between the semiconductor layer and the ceramic substrate of the light emitting device can be minimized, thereby improving the reliability of the vertical light emitting diode device.

하지만, 선행기술은 발광다이오드 n-type 질화물 반도체상에 패드전극이 형성되어 있어 발광하는 빛을 일부 가리는 현상이 있으며 이 때문에 소자의 광출력을 저하시키는 문제점을 가지고 있었다.However, the prior art has a phenomenon in which a pad electrode is formed on the light emitting diode n-type nitride semiconductor to partially cover the light emitted, thereby lowering the light output of the device.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 식각정지층을 포함하여 기판에서 각각의 발광다이오드로 분리할 때 발광다이오드의 식각을 용이하게 하고, n형 전극층과 p형 전극층이 쇼트되는 것을 방지하는 발광 다이오드를 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is easy to etch a light emitting diode when it is separated into respective light emitting diodes on a substrate including an etch stop layer, and the n-type electrode layer and the p-type electrode layer are shorted. It is to provide a light emitting diode to prevent.

이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로서, 내부에 비아홀이 형성된 반도체층; 상기 반도체층의 상부 일부표면에 형성되는 반사층; 상기 반도체층의 상부 바깥 가장자리 일부표면에 형성되는 식각정지층; 상기 반사층의 전면 상부 및 상기 식각정지층의 일부 상부에 형성되는 제 1 금속층; 상기 식각정지층의 일부분의 내부를 관통하여 제 1 금속층과 접촉하는 제 2 금속층; 상기 제 1 금속층의 전면 상부 표면 및 상기 비아홀의 내주면을 덮는 절연보호막; 및 상기 반도체층의 비아홀 내부 바닥으로부터 연결된 상기 절연보호막 상부에 형성되는 전극; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above technical problem relates to a light emitting diode, a semiconductor layer having a via hole therein; A reflective layer formed on a portion of the upper surface of the semiconductor layer; An etch stop layer formed on a portion of a surface of the upper outer edge of the semiconductor layer; A first metal layer formed on an upper surface of the reflective layer and a portion of the etch stop layer; A second metal layer penetrating the interior of a portion of the etch stop layer to be in contact with the first metal layer; An insulating protective film covering an upper surface of the front surface of the first metal layer and an inner circumferential surface of the via hole; And an electrode formed on the insulating protection layer connected from an inner bottom of the via hole of the semiconductor layer. And a control unit.

그리고 바람직하게, 상기 전극 상부에 기판 비아홀을 포함하는 세라믹기판과, 세라믹기판 상단에 형성되는 전극패드를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And preferably, further comprising a ceramic substrate including a substrate via hole on the electrode, and an electrode pad formed on the ceramic substrate.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 식각정지층을 포함하여 기판에서 발광다이오드를 식각할 때 발광다이오드의 식각을 용이하게 하고, n형 전극층과 p형 전극층의 금속이 접촉하여 쇼트되는 것을 방지하여 반도체 소자의 누설전류를 개선하는 효과가 있다.According to the present invention as described above, the etching of the light emitting diode in the substrate including an etch stop layer facilitates the etching of the light emitting diode, and prevents the metal of the n-type electrode layer and the p-type electrode layer is contacted and short-circuit This has the effect of improving the leakage current.

도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도.
도 2 는 본 발명의 일실시예에 따른 제1발광 다이오드의 단면도.
도 3 은 본 발명의 일실시예에 따른 제2발광 다이오드의 단면도.
도 4 는 본 발명의 일실시예에 따른 제3발광 다이오드의 단면도.1 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a first light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a second light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a third light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 구체적 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다. 이에 앞서 본 발명에 관련된 공지 기능 및 그 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.Specific features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings. It is to be noted that the detailed description of known functions and constructions related to the present invention is omitted when it is determined that the gist of the present invention may be unnecessarily blurred.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 발광다이오드에 관하여 도 1 내지 도 4 를 참조하여 설명하면 다음과 같다. A light emitting diode according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4 as follows.

도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도로서, 도시된 바와 같이 발광다이오드는 반도체층(10), 반사층(20), 식각정지층(30), 제 1 금속층(40), 절연보호막(50), 전극(60), 세라믹기판(70), 전극패드(80) 및 제 2 금속층(90)을 포함한다.1 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention. As shown in the drawing, the light emitting diode includes a semiconductor layer 10, a reflective layer 20, an etch stop layer 30, a first metal layer 40, and insulation. The passivation layer 50 includes an electrode 60, a ceramic substrate 70, an electrode pad 80, and a second metal layer 90.

상기 반도체층(10)은 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층으로 구성된다. 이때, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층는 일반적으로 많이 쓰이는 AlxGayInzN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)를 이용하여 형성할 수 있다. 또한, n형 반도체층, p형 반도체층, 활성층의 형성되는 순서는 활성층을 가운데 두고 p형 반도체층과 n형 반도체층의 순서가 바뀌어 형성될 수도 있다.The semiconductor layer 10 is composed of an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer. In this case, the n-type semiconductor layer, the active layer and the p-type semiconductor layer can be formed using Al x Ga y In z N (0 ≤ x, y, z ≤ 1) commonly used. In addition, the order of forming the n-type semiconductor layer, the p-type semiconductor layer, and the active layer may be formed by changing the order of the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer with the active layer at the center.

상기 반도체층(10)은 내부에 비아홀을 형성하고, 비아홀은 반도체층(10)이 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층의 순서로 형성된 경우 p형 반도체층과 활성층을 관통하여 n형 반도체층의 일부까지 형성된다. 상기 내부 비아홀(via hole)은 n형 반도체층 일부가 노출되도록 p형 반도체층, 활성층, n형 반도체층을 관통하여 형성되고 일반적으로 ICP(Inductively coupled plasma) 장비를 이용하여 식각한다. The semiconductor layer 10 forms a via hole therein, and the via hole penetrates the p-type semiconductor layer and the active layer when the semiconductor layer 10 is formed in the order of the n-type semiconductor layer, the active layer, and the p-type semiconductor layer. It forms up to a part of the layer. The inner via hole is formed through the p-type semiconductor layer, the active layer, and the n-type semiconductor layer so that a portion of the n-type semiconductor layer is exposed, and is generally etched using inductively coupled plasma (ICP) equipment.

또한, 상기 반도체층(10)의 하부 표면은 광효율을 증가시키기 위해서 요철구조를 형성하는 것이 바람직하다.
In addition, the lower surface of the semiconductor layer 10 preferably forms an uneven structure in order to increase light efficiency.

상기 반사층(20)은 질화갈륨계 발광다이오드의 내부에서 발생된 빛을 외부로 방출시키기 위하여 상기 반도체층(10)의 상부 일부표면에 형성된다. 이때 상기 반사층(20)은 오믹층과 반사층의 2개의 층으로 구성되어 질 수도 있으며, 또는 오믹층과 반사층이 하나의 반사층(20)에 의해 구성되어 질 수도 있다. 즉, 오믹 접촉(Ohmic Contact)을 형성하기 위해 400 ℃ 내지 700℃ 정도에서 열처리 될 수 있다. 이후 반사층(20)을 형성한다. 또한 상기 오믹층과 반사층의 역할을 할 수 있는 전극을 증착한 후 오믹 형성을 위하여 열처리를 진행할 수도 있을 것이다. The reflective layer 20 is formed on a portion of the upper surface of the semiconductor layer 10 to emit light generated inside the gallium nitride-based light emitting diode to the outside. In this case, the reflective layer 20 may be composed of two layers, an ohmic layer and a reflective layer, or the ohmic layer and the reflective layer may be constituted by one reflective layer 20. That is, it may be heat-treated at about 400 ℃ to 700 ℃ to form ohmic contact (Ohmic Contact). After that, the reflective layer 20 is formed. In addition, after depositing an electrode that can serve as the ohmic layer and the reflective layer, heat treatment may be performed for ohmic formation.

상기 반사층(20)은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐 산화물, 주석산화물, 실리콘 옥사이드(SiO2), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 알류미늄 산화물, 티타늄 산화물, 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), AgPdCu 의 금속중 하나 이상의 금속으로 구성될 수 있다. The reflective layer 20 may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium oxide, tin oxide, silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (Si 3 N 4), aluminum oxide, titanium oxide, silver (Ag), Nickel (Ni), aluminum (Al), titanium (Ti), palladium (Pd), platinum (Pt), ruthenium (Ru), gold (Au), rhodium (Rh), iridium (Ir), AgPdCu It may consist of more than one metal.

상기 내부 비아홀 형성과 반사층(20)의 형성은 공정의 편의를 위하여 순서가 뒤바뀌어 진행될 수도 있다. 즉, 내부 비아홀을 먼저 형성하고 이후 반사층(20)을 형성시킬 수도 있으며, 또한 반사층(20)을 먼저 형성한 뒤 내부 비아홀을 형성할 수 도 있다.
The internal via hole formation and the formation of the reflective layer 20 may be reversed in order to facilitate the process. That is, the inner via hole may be formed first, and then the reflective layer 20 may be formed, and the reflective layer 20 may be formed first, and then the inner via hole may be formed.

상기 식각정지층(30)은 상기 반사층(20)이 형성된 반도체층(10)의 바깥 가장자리 일부표면에 형성된다. 상기 식각정지층(30)은 전기가 통하지 않고, 절연보호막(50)과 같은 소재를 사용할 수 있다.
The etch stop layer 30 is formed on a portion of the outer edge of the semiconductor layer 10 on which the reflective layer 20 is formed. The etch stop layer 30 may not use electricity, and a material such as an insulating protective film 50 may be used.

상기 제 1 금속층(40)은 상기 반사층(20)의 전면 상부 및 상기 식각정지층(30)의 일부 상부에 형성된다. 이때, 제 1 금속층(40)은 반사층(20)과 같이 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐 산화물, 주석산화물, 실리콘 옥사이드(SiO2), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 알류미늄 산화물, 티타늄 산화물, 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), AgPdCu의 금속중 하나 이상의 금속으로 구성될 수 있다.
The first metal layer 40 is formed on an upper surface of the reflective layer 20 and a part of the etch stop layer 30. In this case, the first metal layer 40, like the reflective layer 20, is made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium oxide, tin oxide, silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (Si 3 N 4), and aluminum oxide. , Titanium oxide, silver (Ag), nickel (Ni), aluminum (Al), titanium (Ti), palladium (Pd), platinum (Pt), ruthenium (Ru), gold (Au), rhodium (Rh), iridium (Ir), AgPdCu may be composed of one or more metals.

상기 제 2 금속층(90)은 상기 식각정지층(30)의 일부 내부를 관통하여 제 1 금속층(40)과 접촉하도록 형성된다. 이때, 제 2 금속층(90)은 상기 제 1 금속층(40)과 같이 다양한 종류의 금속을 사용할 수 있다.
The second metal layer 90 penetrates through a portion of the etch stop layer 30 to contact the first metal layer 40. In this case, the second metal layer 90 may use various kinds of metals as in the first metal layer 40.

상기 절연보호막(50)은 상기 제 1 금속층(40)의 전면 상부 표면 및 상기 비아홀의 내주면을 감싸 전극(60)과 반사층(20)에 전류가 누설되는 것을 방지한다.
The insulating protective film 50 surrounds the front upper surface of the first metal layer 40 and the inner circumferential surface of the via hole to prevent leakage of current to the electrode 60 and the reflective layer 20.

상기 전극(60)은 상기 반도체층(10)의 비아홀 내부 바닥과 접촉하여 상기 절연보호막(50) 전면 상부에 형성된다. 상기 전극(60)은 내부 비아홀 내부에 내부 비아홀의 내경보다 작은 외경을 가진다. 그리고, 상기 내부 비아홀 및 전극(60) 사이에 절연보호막(50)을 형성되어 전극(60)으로 인해 전류가 누설되지 않도록 한다. 이때, 비아홀은 원형, 타원형 또는 다각형 등 형상을 가질 수 있고, 전극(60)도 비아홀의 형상에 따라 다양하게 적용 가능하다.The electrode 60 is formed on the entire surface of the insulating protective film 50 in contact with the bottom of the via hole of the semiconductor layer 10. The electrode 60 has an outer diameter smaller than the inner diameter of the inner via hole inside the inner via hole. In addition, an insulating protective film 50 is formed between the inner via hole and the electrode 60 so that current does not leak due to the electrode 60. In this case, the via hole may have a shape such as a circle, an ellipse or a polygon, and the electrode 60 may be variously applied according to the shape of the via hole.

상기 전극(60)은 Ti, Al, Ni, Cr, Au, Ag, Cu, Zn, Zr, Mo, Rh, Pd, W, Ir, Pt, Sn, Au-Sn, Pd-In, Ni-Sn 등의 금속 중 하나 이상의 금속으로 이루어 질 수 있다. The electrode 60 includes Ti, Al, Ni, Cr, Au, Ag, Cu, Zn, Zr, Mo, Rh, Pd, W, Ir, Pt, Sn, Au-Sn, Pd-In, Ni-Sn, and the like. It may be made of one or more metals of the metal.

또한, 전극(60)에 다시 절연보호막(50)을 형성하여 상기 절연보호막(50)의 상부에 형성되는 전극(60)과 전기적으로 분리시킨다. In addition, the insulating protective film 50 is formed on the electrode 60 to be electrically separated from the electrode 60 formed on the insulating protective film 50.

또한, 상기 전극(60)의 상부에 기판 비아홀을 포함하는 세라믹기판(70)을 더 포함할 수 있다. 상기 기판 비아홀이 형성된 세라믹기판(70)은 열전도도가 100 W/mK 이상인 절연체 물질로 이루어진 것이 바람직하며, 이와 같은 대표적인 물질로는 AlN, BN 등이 있다. 따라서, 상기 세라믹기판(70)은 질화붕소(BN), 알루미나(Alumina), 질화알루미늄(AlN), 베릴륨 옥사이드(BeO) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질일 수 있다. 가격 대비 열전도도가 우수하고 질화갈륨(GaN)층과의 열 팽창계수 차이가 적을 뿐만 아니라 대면적에도 사용 가능한 AlN를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, a ceramic substrate 70 including a substrate via hole may be further included on the electrode 60. The ceramic substrate 70 in which the substrate via hole is formed is preferably made of an insulator material having a thermal conductivity of 100 W / mK or more. Examples of such materials include AlN and BN. Therefore, the ceramic substrate 70 may be any one or more materials selected from boron nitride (BN), alumina (Alumina), aluminum nitride (AlN), and beryllium oxide (BeO). It is preferable to use AlN, which has excellent thermal conductivity and a small difference in coefficient of thermal expansion with a gallium nitride (GaN) layer, and can be used for a large area.

그러나 본 발명과 같은 발광 소자 구조에서는 세라믹기판(70)을 통하여 대부분의 열이 방출되게 된다. 이로 인해 세라믹기판(70)의 열전도도가 매우 중요하다. 예를 들어 AlN 세라믹기판(70)의 경우, 열전도도가 Si 보다 우수할 뿐만 아니라 세라믹기판(70)에 형성된 홀에 열전도도가 우수한 금속 물질을 채워 넣는 것에 의해, 금속 물질이 히트 파이프(heat pipe)와 같은 역할을 하여 소자에서 발생한 열을 쉽게 외부로 방출할 수 있게 된다. 상기 세라믹기판(70)의 기판 비아홀에 채워넣는 금속들은 Cu, CuW, Al, Au, Ag, Ni, 로부터 선택된 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.However, in the light emitting device structure of the present invention, most of the heat is released through the ceramic substrate 70. For this reason, the thermal conductivity of the ceramic substrate 70 is very important. For example, in the case of the AlN ceramic substrate 70, the metal material is heat pipe by filling a hole formed in the ceramic substrate 70 with excellent thermal conductivity and filling the metal material with excellent thermal conductivity. ), The heat generated from the device can be easily released to the outside. The metals to be filled in the substrate via hole of the ceramic substrate 70 may be made of a material selected from Cu, CuW, Al, Au, Ag, Ni, and the like.

상기 전극(60)과 연결되어 상부에 전극패드(80)가 형성될 수 있다. 이때, 전극패드(80)는 전도성 금속을 사용하여 발광다이오드에 전원을 공급 할 수 있도록 한다. The electrode pad 80 may be formed on the electrode 60 in connection with the electrode 60. In this case, the electrode pad 80 may use a conductive metal to supply power to the light emitting diodes.

상기와 같이 발광다이오드에 형성된 하나 이상의 내부 비아홀 내부의 전극(60)을 이용하여 전류를 인가할 수 있으며, 세라믹기판(70)에 형성된 비아홀을 통해서 발광다이오드의 열 방출을 향상시켜 성능저하를 방지하고, 드룹(Droop) 효과를 방지할 수 있다.
As described above, a current may be applied using the electrodes 60 inside the one or more internal via holes formed in the light emitting diodes, and the heat emission of the light emitting diodes may be improved through the via holes formed in the ceramic substrate 70 to prevent performance degradation. The droop effect can be prevented.

이하, 상기 본 발명의 일실시예에 따른 발광다이오드의 구조와 제작시 발생하는 효과에 대해서 설명한다.Hereinafter, the structure of the light emitting diode according to an embodiment of the present invention and the effects occurring during manufacturing will be described.

먼저 도 2 와 같이, 반도체층(10), 반사층(20), 식각정지층(30), 제 1 금속층(40), 절연보호막(50), 전극(60), 세라믹기판(70) 및 전극패드(80)를 순서대로 적층시킨다. First, as shown in FIG. 2, the semiconductor layer 10, the reflective layer 20, the etch stop layer 30, the first metal layer 40, the insulating protective film 50, the electrode 60, the ceramic substrate 70, and the electrode pads. (80) is laminated in order.

이어서, 제 2 금속층(90)을 형성시키기 위해서 반도체층(10)의 가장자리를 식각해야하고, 이때 식각정지층(30)을 이용하여 도 3 과 같이 식각정지층(30)과의 경계까지만 정밀하게 식각할 수 있다. Subsequently, in order to form the second metal layer 90, an edge of the semiconductor layer 10 needs to be etched. At this time, only the edge of the semiconductor layer 10 is precisely up to the boundary with the etch stop layer 30 as shown in FIG. 3 by using the etch stop layer 30. It can be etched.

이후에, 도 4 와 같이 상기 식각정지층(30)에 홈을 형성하여 제 1 금속층(40)과 연결된 제 2 금속층(90)을 형성한다. 따라서, 발광 다이오드의 칩을 스크라이브/브레이크(scribe/break) 방법을 이용하여 분리하는 경우, 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드는 상기 비아홀 내부로부터 연결된 금속층(60)과 전극패드(80) 등 n-type의 전극만이 노출되어 전극 타입이 다른 전극과의 단락될 우려가 없고, 스크라이빙 공정 중에 발생되는 금속 물질의 조각들이(scrap) 발광다이오드의 측면에 뭍어 누설전류가 증가하는 것을 줄일 수 있도록 하였다.
Thereafter, as shown in FIG. 4, a groove is formed in the etch stop layer 30 to form a second metal layer 90 connected to the first metal layer 40. Therefore, when the chip of the light emitting diode is separated using a scribe / break method, the light emitting diode according to an embodiment of the present invention is a metal layer 60 and an electrode pad 80 connected from the inside of the via hole. Only n-type electrodes are exposed so that there is no risk that the electrode types will be shorted with other electrodes, and scrapes of metal material generated during the scribing process will be reduced on the sides of the light emitting diodes, reducing the increase in leakage current. To make it possible.

이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것이 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대해 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It will be appreciated by those skilled in the art that numerous changes and modifications may be made without departing from the invention. Accordingly, all such appropriate modifications and changes, and equivalents thereof, should be regarded as within the scope of the present invention.

10 : 반도체층 20 : 반사층
30 : 식각정지층 40 : 제 1 금속층
50 : 절연보호막 60 : 전극
70 : 세라믹기판 80 : 전극패드
90 : 제 2 금속층10 semiconductor layer 20 reflective layer
30: etch stop layer 40: first metal layer
50: insulating protective film 60: electrode
70: ceramic substrate 80: electrode pad
90: second metal layer

Claims (2)

내부에 비아홀이 형성된 반도체층;
상기 반도체층의 상부 일부표면에 형성되는 반사층;
상기 반도체층의 상부 바깥 가장자리 일부표면에 형성되는 식각정지층;
상기 반사층의 전면 상부 및 상기 식각정지층의 일부 상부에 형성되는 제 1 금속층;
상기 식각정지층의 일부 내부를 관통하여 제 1 금속층과 접촉하는 제 2 금속층;
상기 제 1 금속층의 전면 상부 표면 및 상기 비아홀의 내주면을 덮는 절연보호막; 및
상기 반도체층의 비아홀 내부 바닥과 접촉하여 상기 절연보호막 전면 상부에 형성되는 전극; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
A semiconductor layer having a via hole formed therein;
A reflective layer formed on a portion of the upper surface of the semiconductor layer;
An etch stop layer formed on a portion of a surface of the upper outer edge of the semiconductor layer;
A first metal layer formed on an upper surface of the reflective layer and a portion of the etch stop layer;
A second metal layer penetrating a portion of the etch stop layer to contact the first metal layer;
An insulating protective film covering an upper surface of the front surface of the first metal layer and an inner circumferential surface of the via hole; And
An electrode formed on the entire surface of the insulating protective layer in contact with a bottom surface of the via hole of the semiconductor layer; Light emitting diode comprising a.
제 1 항에 있어서,
상기 전극 상부에 기판 비아홀을 포함하는 세라믹기판과, 세라믹기판 상단에 형성되는 전극패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 1,
A light emitting diode further comprising a ceramic substrate including a substrate via hole on the electrode, and an electrode pad formed on the ceramic substrate.
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