KR101689164B1 - Light-Emitting device - Google Patents

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KR101689164B1 KR1020100070591A KR20100070591A KR101689164B1 KR 101689164 B1 KR101689164 B1 KR 101689164B1 KR 1020100070591 A KR1020100070591 A KR 1020100070591A KR 20100070591 A KR20100070591 A KR 20100070591A KR 101689164 B1 KR101689164 B1 KR 101689164B1
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Abstract

실시 예에 따른 발광소자는 발광구조물의 측면에 배치된 패시베이션과 패시베이션 상에 배치된 전극층 사이의 유착을 향상시키기 용이한 구조를 갖도록, 실시 예는, 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 기판의 상면 일부영역에 배치된 절연층, 상기 제1 반도체층 상에 배치되고, 상기 발광구조물의 측면을 따라 연장되어 상기 절연층 상에 배치된 제1 전극층, 상기 발광구조물의 측면과 상기 제1 전극층 사이에 배치되는 패시베이션 및 상기 제1 전극층 상에 배치되는 보호캡층을 포함하는 발광소자를 제공한다.The light emitting device according to the embodiment includes a substrate, a first semiconductor layer disposed on the substrate, and a second semiconductor layer disposed on the first semiconductor layer so as to have a structure that facilitates adhesion between the passivation disposed on the side surface of the light emitting structure and the electrode layer disposed on the passivation. A second semiconductor layer, and an active layer formed between the first and second semiconductor layers; an insulating layer disposed on a part of the upper surface of the substrate; a second semiconductor layer disposed on the first semiconductor layer, A first electrode layer extending along a side surface of the light emitting structure and disposed on the insulating layer, a passivation disposed between a side surface of the light emitting structure and the first electrode layer, and a protective cap layer disposed on the first electrode layer .

Description

발광소자{Light-Emitting device}Light-emitting device

실시 예는 발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 발광구조물의 측면에 배치된 패시베이션과 패시베이션 상에 배치된 전극층 사이의 유착을 향상시키기 용이한 구조를 갖는 발광소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device having a structure that facilitates adhesion between a passivation disposed on a side surface of a light emitting structure and an electrode layer disposed on a passivation.

일반적으로, 발광소자의 하나인 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 전자와 홀의 재결합을 기초로 발광하는 반도체소자로서, 광통신, 전자기기 등에서 광원으로 널리 사용되는 것이다.In general, a light emitting diode (LED), which is one of light emitting devices, is a semiconductor device that emits light based on the recombination of electrons and holes, and is widely used as a light source in optical communication, electronic devices, and the like.

발광 다이오드에 있어서, 발광하는 광의 주파수 또는 파장은 반도체소자에 사용되는 재료의 밴드 갭 함수로서, 작은 밴드 갭을 갖는 반도체 재료를 사용하는 경우 낮은 에너지와 긴 파장의 광자가 발생하고, 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체 재료를 사용하는 경우 짧은 파장의 광자가 발생한다.In the light emitting diode, the frequency or wavelength of the light to be emitted is a function of the band gap of the material used in the semiconductor device. When a semiconductor material having a small band gap is used, photons having low energy and long wavelength are generated, A photon having a short wavelength is generated.

예를 들어, AlGaInP 물질은 적색 파장의 광을 발생시키고, 실리콘 카바이드(SiC)와 Ⅲ족 질화물계 반도체, 특히 GaN는 청색 또는 자외선 파장의 광을 발생시킨다.For example, AlGaInP materials generate light at a red wavelength, and silicon carbide (SiC) and Group III nitride-based semiconductors, particularly GaN, emit blue or ultraviolet light.

그 중에서, 질화물 발광다이오드는 GaN의 벌크 단결정체를 형성할 수 없기 때문에, GaN 결정의 성장에 적합한 기판을 사용하여야 하며, 대표적으로 사파이어 기판이 사용된다.Among them, a nitride light emitting diode can not form a bulk monocrystalline GaN. Therefore, a substrate suitable for growing GaN crystals should be used, and a sapphire substrate is typically used.

최근에는 발광소자를 조명광원으로 이용하기 위해서 고휘도화가 요구되고 있으며, 이러한 고휘도화를 달성하기 위하여 전류를 균일하게 확산시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있는 발광소자를 제작하기 위한 연구가 진행 중에 있다.In recent years, in order to use a light emitting element as an illumination light source, a higher brightness has been required. In order to achieve such high brightness, research is underway to manufacture a light emitting element capable of increasing the light emitting efficiency by uniformly diffusing a current.

실시 예의 목적은, 발광구조물의 측면에 배치된 패시베이션과 패시베이션 상에 배치된 전극층 사이의 유착을 향상시키기 용이한 구조를 갖는 발광소자를 제공함에 있다.It is an object of the embodiments to provide a light emitting device having a structure that facilitates adhesion between a passivation disposed on a side surface of a light emitting structure and an electrode layer disposed on the passivation.

실시 예에 따른 발광소자는, 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 기판의 상면 일부영역에 배치된 절연층, 상기 제1 반도체층 상에 배치되고, 상기 발광구조물의 측면을 따라 연장되어 상기 절연층 상에 배치된 제1 전극층, 상기 발광구조물의 측면과 상기 제1 전극층 사이에 배치되는 패시베이션 및 상기 제1 전극층 상에 배치되는 보호캡층을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a substrate, a light emitting structure disposed on the substrate, the light emitting structure including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer formed between the first and second semiconductor layers, A first electrode layer disposed on the first semiconductor layer and extending along a side surface of the light emitting structure and disposed on the insulating layer, and a second electrode layer disposed between the side surface of the light emitting structure and the first electrode layer Passivation and a protective cap layer disposed on the first electrode layer.

실시 예에 따른 발광소자는 전극층 상에 보호캡층을 배치함으로써, 전극층과 패시베이션 간의 유착을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The light emitting device according to the embodiment has an advantage that the adhesion between the electrode layer and the passivation can be improved by disposing the protective cap layer on the electrode layer.

또한, 실시 예에 따른 발광소자는 전극층과 패시베이션 간의 유착이 향상됨에 따라, 신뢰성이 향상되며 광 손실을 저하시키는 이점이 있다.In addition, since the adhesion between the electrode layer and the passivation is improved, the light emitting device according to the embodiment has an advantage of improving the reliability and lowering the light loss.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 제2 실시 예에 따른 발광소자의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 발광소자를 나타내는 상면도이다.
도 4 내지 도 9는 도 1에 나타낸 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정도이다. 1 is a cross-sectional view showing a structure of a light emitting device according to a first embodiment.
2 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting device according to a second embodiment.
3 is a top view showing the light emitting device shown in Fig.
4 to 9 are process drawings showing a manufacturing method of the light emitting device shown in Fig.

실시 예에 대한 설명에 앞서, 실시 예에서 언급하는 각 층(막), 영역, 패턴, 또는 구조물들의 기판, 각 층(막) 영역, 패드, 또는 패턴들의 "위(on)", "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와, "아래(under)"는 직접(directly)", 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 모든것을 포함한다. 또한, 각 층의 위, 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Before describing the embodiments, it is to be understood that the terms "on "," below ", " on "quot; on "and" under " include everything that is "directly" or "indirectly formed" In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서, 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의, 및 명확성을 위하여 과장되거나, 생략되거나, 또는 개략적으로 도시되었다. 따라서, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity. Therefore, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

또한, 실시 예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자의 구조를 나타내는 단면도이고, 도 2는 제2 실시 예에 따른 발광소자의 구조를 나타내는 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting device according to a first embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting device according to a second embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광소자(100)는 기판(110), 기판(110)의 외주부 상면에 배치되는 절연층(130), 기판(110) 및 절연층(130) 상에 발광구조물(140), 발광구조물(140)의 상면에 전기적으로 연결되며 발광구조물(140)의 측면을 따라 적어도 일부가 상기 절연층(130) 상에 배치되는 제1 전극층(170) 및 발광구조물(140)과 제1 전극층(170) 사이에 형성되어 발광구조물(140)과 제1 전극층(170)를 절연시키는 패시베이션(150) 및 제1 전극층(170) 상에 배치되는 보호캡층(180)을 포함할 수 있다.1 and 2, a light emitting device 100 includes a substrate 110, an insulating layer 130 disposed on an upper surface of the substrate 110, a substrate 110, and an insulating layer 130, The first electrode layer 170 and the light emitting structure 140 are electrically connected to the upper surface of the light emitting structure 140 and at least a part of the first electrode layer 170 is disposed on the insulating layer 130 along the side surface of the light emitting structure 140. A passivation 150 formed between the first electrode layer 170 and the first electrode layer 170 to isolate the light emitting structure 140 from the first electrode layer 170 and a protective cap layer 180 disposed on the first electrode layer 170 have.

발광구조물(140)은 제1 반도체층(142), 제1 반도체층(142) 아래에 활성층(144), 활성층(144) 아래에 제2 반도체층(146)을 포함하며, 이들은 빛을 생성하는 구조물을 이룬다.The light emitting structure 140 includes a first semiconductor layer 142, an active layer 144 below the first semiconductor layer 142, and a second semiconductor layer 146 below the active layer 144, Structure.

기판(110) 및 제1 전극층(170)는 외부 전원으로부터 전원을 전달받아, 발광소자(100)에 전원을 제공한다.The substrate 110 and the first electrode layer 170 receive power from an external power source and provide power to the light emitting device 100.

이하에서는, 제1, 2 실시 예에 따른 발광소자(100)에 대해 구성 요소를 중심으로 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the light emitting device 100 according to the first and second embodiments will be specifically described with reference to the constituent elements.

기판(110)은 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 또는 불순물이 주입된 반도체 기판 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The substrate 110 may be formed of a material selected from the group consisting of Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, And a semiconductor substrate into which an impurity is implanted.

기판(110) 상에는 반사층(120)이 형성될 수 있다. 반사층(120)은 발광구조물(140)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 방출되는 빛의 양을 증가시킴으로써, 발광소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.A reflective layer 120 may be formed on the substrate 110. The reflective layer 120 may improve light emission efficiency of the light emitting device 100 by reflecting light incident from the light emitting structure 140 to increase the amount of light emitted to the outside.

반사층(120)은 반사율이 높은 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 또는 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.The reflective layer 120 may be formed of a metal or an alloy including at least one of silver (Ag), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), and copper (Cu)

비록 도시되지는 않았지만, 반사층(120) 및 기판(110) 사이에는 두 층 사이의 계면 접합력을 강화시키기 위한 접착층(미도시)이 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Although not shown, an adhesive layer (not shown) may be formed between the reflective layer 120 and the substrate 110 to strengthen the interfacial bonding force between the two layers. However, the present invention is not limited thereto.

반사층(120)의 상면의 둘레 영역에는 절연층(130)가 형성될 수 있다. 절연층(130)은 발광구조물(140)과 기판(110) 사이의 전기적 쇼트(short)를 방지할 수 있다. The insulating layer 130 may be formed on the peripheral region of the upper surface of the reflective layer 120. The insulating layer 130 may prevent electrical short between the light emitting structure 140 and the substrate 110.

절연층(130)은 전기 절연성을 가지고, 광 손실을 최소화하기 위해 투명한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.Insulating layer 130 is preferably formed of a transparent material to minimize the light loss with electrical insulation, for example, Si0 2, SixOy, Si 3 N 4, SixNy, SiOxNy, Al 2 O 3, TiO 2 , ITO, AZO, ZnO, and the like.

반사층(120)의 상면 및 절연층(130)의 내측에는 오믹층(125)이 형성될 수 있다. 오믹층(125)은 반도체층인 발광구조물(140)과 기판(110) 또는 반사층(120) 사이의 오믹 접촉을 위해 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag 중 적어도 하나를 포함하도록 형성될 수 있다. The ohmic layer 125 may be formed on the upper surface of the reflective layer 120 and the inside of the insulating layer 130. The ohmic layer 125 may be formed for ohmic contact between the light emitting structure 140 that is a semiconductor layer and the substrate 110 or the reflective layer 120. For example, the ohmic layer 125 may be formed of ITO, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag As shown in FIG.

또한, 발광구조물(140)과 접촉되는 기판(110) 또는 반사층(120)이 오믹 접촉을 이루는 경우, 오믹층(125)은 형성되지 않을 수도 있다. The ohmic layer 125 may not be formed when the substrate 110 or the reflective layer 120 in contact with the light emitting structure 140 makes ohmic contact.

오믹층(125) 상에는 발광구조물(140)이 형성될 수 있다. 발광구조물(140)은 제1 반도체층(142), 제1 반도체층(142) 아래에 활성층(144), 활성층(144) 아래에 제2 반도체층(146)을 포함한다.The light emitting structure 140 may be formed on the ohmic layer 125. The light emitting structure 140 includes a first semiconductor layer 142, an active layer 144 under the first semiconductor layer 142, and a second semiconductor layer 146 under the active layer 144.

제1 반도체층(142)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. The first semiconductor layer 142 may include, for example, an n-type semiconductor layer, wherein the n-type semiconductor layer is made of InxAlyGa1-x-yN (0? X? 1, 0? Y? y? 1), for example, InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN and the like, and an n-type dopant such as Si, Ge, or Sn can be doped.

활성층(144)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 양자선(Quantum wire) 구조, 양자점(Quantum dot) 구조, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 활성층(144)은 제1,2 반도체층(142, 146)으로부터 전자 및 정공을 제공받으며, 상기 전자 및 정공은 활성층(144)에서 재결합하면서 빛 에너지가 생성되게 된다.The active layer 144 may be formed to include a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) A quantum wire structure, a quantum dot structure, a single quantum well structure or a multi quantum well (MQW) structure. The active layer 144 receives electrons and holes from the first and second semiconductor layers 142 and 146. The electrons and the holes are recombined in the active layer 144 to generate light energy.

제2 반도체층(146)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 146 may be formed of, for example, a p-type semiconductor layer, wherein the p-type semiconductor layer is made of InxAlyGa1-x-yN (0? X? 1, 0? Y? InGaN, InGaN, AlN, InN, and the like, and a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba can be doped .

다만, 제1 반도체층(142)에 p형 도펀트가 도핑되고 제2 반도체층(146)에 n형 도펀트가 도핑되거나, 제2 반도체층(146) 상에 제3 도전형 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 발광소자(100)는 np, pn, npn 또는 pnp 접합 중 어느 하나를 포함할 수 있다.However, the first semiconductor layer 142 may be doped with a p-type dopant, the second semiconductor layer 146 may be doped with an n-type dopant, or a third conductive semiconductor layer may be further formed on the second semiconductor layer 146 And the light emitting device 100 may include any one of np, pn, npn, and pnp junctions.

발광구조물(140)의 측면에는 복수개의 칩들을 개별 칩 단위로 분리하는 아이솔레이션(isolation) 에칭이 실시될 수 있다. 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 발광구조물(140)의 측면은 경사를 가질 수 있으며, 절연층(130)가 노출될 수 있다. An isolation etching process may be performed on the side surface of the light emitting structure 140 to separate a plurality of chips into individual chip units. The side surface of the light emitting structure 140 may be inclined by the isolation etching, and the insulating layer 130 may be exposed.

실시 예에서는, 제1 전극층(170)이 형성되는 절연층(130) 상부의 영역이 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 확보될 수 있다.In the embodiment, an area above the insulating layer 130 on which the first electrode layer 170 is formed can be secured by the isolation etching.

제1 전극층(170)은 발광구조물(140)의 상면, 즉, 제1 반도체층(142)에 전기적으로 연결되며 적어도 일부가 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 즉, 제1 전극층(170)은 제1 반도체층(142)의 상면으로부터 연장되어 발광구조물(140)의 측면을 따라 절연층(130) 상에 배치될 수 있다.The first electrode layer 170 may be electrically connected to the upper surface of the light emitting structure 140, that is, the first semiconductor layer 142, and at least a part of the first electrode layer 170 may be disposed on the insulating layer 130. That is, the first electrode layer 170 may extend from the upper surface of the first semiconductor layer 142 and be disposed on the insulating layer 130 along the side surface of the light emitting structure 140.

제1 전극층(170)의 재질은 전기 전도성을 가지며, 제1 반도체층(142)과 오믹 접촉을 이루는 금속 또는 도전성 비금속일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극층(170)는 Cu, Ti, Zn, Au, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO 또는 ZnO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The material of the first electrode layer 170 is electrically conductive and may be a metal or a conductive base metal that makes an ohmic contact with the first semiconductor layer 142. For example, the first electrode layer 170 may include at least one of Cu, Ti, Zn, Au, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag, ITO, IZO, Ga- And may include at least one of ZnO, AlGaZO, IGZO, IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Ni / IrOx / .

한편, 제1, 2 실시 예에서는 제1 전극층(170)의 형상이 재질의 투명도에 따라 달라질 수 있다.In the first and second embodiments, the shape of the first electrode layer 170 may vary depending on the transparency of the material.

이때, 도 1에 나타낸 제1 실시 예에 따르면, 발광소자(100)를 외부 전원과 전기적으로 연결하기 위해, 와이어 등을 절연층(130) 상에 형성된 제1 전극층(170)의 영역에 연결할 수 있다. 따라서, 발광구조물(140)에서 방출되는 빛이 상기 와이어 등에 의해 흡수되는 것을 최소화할 수 있으며, 상기 와이어 등을 부착하는 과정에서 발생할 수 있는 발광구조물(140)의 손상을 방지할 수 있다. 1, a wire or the like may be connected to a region of the first electrode layer 170 formed on the insulating layer 130 in order to electrically connect the light emitting device 100 to an external power source. have. Accordingly, the light emitted from the light emitting structure 140 can be minimally absorbed by the wires, and damage to the light emitting structure 140, which may occur during the process of attaching the wires, can be prevented.

또한, 도 2에 나타낸 제2 실시 예에 따르면, 발광소자(100)를 외부 전원과 전기적으로 연결하기 위해, 와이어 등을 절연층(130) 상에 형성된 제1 전극층(170)에 접합된 접합금속층(160)에 의해 연결할 수 있으므로, 제1 실시 예에 동일한 특성을 가질수 있을 것이다.2, in order to electrically connect the light emitting device 100 to an external power supply, a wire or the like is electrically connected to the first electrode layer 170 formed on the insulating layer 130, The first embodiment can have the same characteristics because it can be connected by the connection part 160. [

도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 제1 전극층(170)에는 보호캡층(180)이 배치된다.As shown in FIGS. 1 and 2, a protective cap layer 180 is disposed on the first electrode layer 170.

즉, 보호캡층(180)은 제1 전극층(170)에 중첩되게 배치되며, 절연층(130) 상에 배치된 제1 전극층(170)의 적어도 일부분이 노출되도록 배치된다. 즉, 제1 전극층(170)의 노출된 부분에 상기 와이어 등이 연결되어 전원이 공급되도록 하기 위함이다.That is, the protective cap layer 180 is disposed to overlap the first electrode layer 170 and is disposed such that at least a portion of the first electrode layer 170 disposed on the insulating layer 130 is exposed. That is, the wire or the like is connected to the exposed portion of the first electrode layer 170 to supply power.

여기서, 보호캡층(180)는 패시베이션(150) 또는 절연층(130) 중 적어도 하나와 동일한 재질을 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.Here, the protective cap layer 180 may include the same material as at least one of the passivation 150 and the insulating layer 130, but is not limited thereto.

즉, 보호캡층(180)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.That is, the protective cap 180 may include Si0 2, SixOy, Si 3 N 4, SixNy, SiOxNy, at least one of Al 2 O 3, TiO 2.

보호캡층(180)은 절연층(130)과 제1 전극층(170) 사이의 유착을 향상시킬 수 있다. 즉, 상위에서 설명된, 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 발광구조물(140)의 측면은 경사를 가질 수 있으며, 절연층(130)을 노출시킬 수 있으나, 절연층(13)과 발광구조물(140) 사이의 단차에 의해 제1 전극층(170) 배치시 유착이 나빠지는 현상이 발생되어, 결과적으로 제1 전극층(170)과 절연층(130)이 분리되는 현상을 방지하도록, 제1 전극층(170)의 상면에 보호캡층(180)을 배치할 수 있다.The protective cap layer 180 may improve the adhesion between the insulating layer 130 and the first electrode layer 170. In other words, the side of the light emitting structure 140 may be inclined by the isolation etching described above and may expose the insulating layer 130, but the side walls of the light emitting structure 140 between the insulating layer 13 and the light emitting structure 140 The adhesion of the first electrode layer 170 to the first electrode layer 170 may be deteriorated due to a difference in height between the first electrode layer 170 and the insulating layer 130. As a result, The protective cap layer 180 may be disposed on the protective cap layer 180.

이와 같이, 보호캡층(180)은 제1 전극층(170)과 절연층(130)의 유착을 강화시킬 수 있을 것이다.As such, the protective cap layer 180 may enhance the adhesion between the first electrode layer 170 and the insulating layer 130.

도 3은 도 1에 나타낸 발광소자를 나타내는 상면도이다.3 is a top view showing the light emitting device shown in Fig.

도 3을 참조하면, 제1 전극층(170)은 소정의 패턴을 가지도록 형성되는 것으로 나타내었으나, 상기 패턴이 형성되지 않을 수도 있으며, 투명 또는 불투명한 재질로 형성될 수 있을 것이다.Referring to FIG. 3, the first electrode layer 170 is formed to have a predetermined pattern. However, the first electrode layer 170 may not be formed, and may be formed of a transparent or opaque material.

즉, 제1 반도체층(142) 상면의 전 영역에 균일하게 외부의 전원이 스프레딩되는 동시에, 발광구조물(140)으로부터 방출되는 빛의 광 손실량을 최소화할 수 있도록, 제1 전극층(170)은 소정의 패턴을 가질 수 있다.That is, the first electrode layer 170 may be formed of a material having a low thermal conductivity such that external power is uniformly spread over the entire upper surface of the first semiconductor layer 142 and the amount of light loss of light emitted from the light emitting structure 140 is minimized. And may have a predetermined pattern.

예를 들어, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 반도체층(142)의 상면에 형성된 제1 전극층(170)은 격자 패턴, 나선형 패턴 등의 패턴을 가지고, 상기 패턴으로부터 얇은 선 등에 의해 연장되어 발광구조물(140)의 측면을 따라 절연층(130) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극층(170)의 형상에 대해 한정하지는 않는다.For example, as shown in FIG. 3, the first electrode layer 170 formed on the upper surface of the first semiconductor layer 142 has a pattern of a lattice pattern, a spiral pattern, or the like, And may be formed on the insulating layer 130 along the side surface of the structure 140. The shape of the first electrode layer 170 is not limited.

한편, 제1 전극층(170)은 다층 구조를 가지도록 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Meanwhile, the first electrode layer 170 may be formed to have a multi-layer structure, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 제1 전극층(170)의 상면에는 제1 전극층(170)과 절연층(130) 사이의 유착을 강화시키기 위한 보호캡층(180)이 배치될 수 있다.Here, a protective cap layer 180 for enhancing adhesion between the first electrode layer 170 and the insulating layer 130 may be disposed on the upper surface of the first electrode layer 170.

즉, 보호캡층(180)은 제1 전극층(170)의 적어도 일부분이 노출되도록 함으로써, 노출된 제1 전극층(170)에 와이어 등이 부탁되어, 외부 전원으로부터 발광소자(100)에 전원을 공급할 수 있다. That is, the protective cap layer 180 exposes at least a portion of the first electrode layer 170, thereby allowing the first electrode layer 170 to be exposed to a wire or the like so that power can be supplied from the external power source to the light emitting device 100 have.

이처럼 실시 예에서는, 발광구조물(140)에 와이어 등이 부착되지 않고, 절연층(130) 상에 형성된 제1 전극층(170)에 상기 와이어 등이 부착되므로, 상기 와이어에 의한 광 손실을 최소화하고 상기 와이어를 부착하는 과정에서 발생할 수 있는 발광구조물(140)의 손상을 방지할 수 있다.In this embodiment, since the wire or the like is attached to the first electrode layer 170 formed on the insulating layer 130 without attaching a wire or the like to the light emitting structure 140, It is possible to prevent damage to the light emitting structure 140, which may occur during the process of attaching the wires.

제1 전극층(170)와 발광구조물(140) 사이, 즉 제1 전극층(170)의 하부에는 패시베이션(150)이 형성되어 두 층 사이를 절연시킬 수 있다. 즉, 패시베이션(150)은 발광구조물(140)의 측면에 형성되어, 발광구조물(140)과 제1 전극층(170)가 전기적으로 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.A passivation 150 is formed between the first electrode layer 170 and the light emitting structure 140, that is, below the first electrode layer 170, thereby insulating the two layers. That is, the passivation 150 may be formed on the side surface of the light emitting structure 140 to prevent the light emitting structure 140 and the first electrode layer 170 from being electrically short-circuited.

한편, 패시베이션(150)은 절연층(130) 및 제1 전극층(170) 사이에 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Meanwhile, the passivation 150 may be further formed between the insulating layer 130 and the first electrode layer 170, but the present invention is not limited thereto.

패시베이션(150)은 전기 절연성을 가지고, 광 손실을 최소화하기 위해 투명한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.The passivation 150 is preferably formed of a transparent material in order to minimize the optical loss and at least one of the group consisting of SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, Can be selected and formed.

한편, 제1 전극층(170)가 소정의 패턴을 가지는 경우, 패시베이션(150)은 제1 전극층(170)의 패턴에 대응하는 형상으로 형성될 수도 있다.If the first electrode layer 170 has a predetermined pattern, the passivation 150 may be formed in a shape corresponding to the pattern of the first electrode layer 170.

도 4 내지 도 9는 도 1에 나타낸 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정도이다. 4 to 9 are process drawings showing a manufacturing method of the light emitting device shown in Fig.

도 4를 참조하면, 지지기판(190) 상에 발광구조물(140)을 형성한다.Referring to FIG. 4, a light emitting structure 140 is formed on a support substrate 190.

지지기판(190)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The supporting substrate 190 may be formed of at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge.

지지기판(190) 상에는 발광구조물(140)이 형성될 수 있다. 발광구조물(140)은 다층의 반도체로 형성될 수 있으며, 적어도 제1 반도체층(124), 제1 반도체층(142) 아래에 활성층(144), 활성층(144) 아래에 제2 반도체층(146)을 포함할 수 있다.A light emitting structure 140 may be formed on the supporting substrate 190. The light emitting structure 140 may be formed of a multilayer semiconductor and includes at least a first semiconductor layer 124, an active layer 144 under the first semiconductor layer 142, a second semiconductor layer 146 ).

발광구조물(140)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure 140 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, a molecular beam epitaxy (MBE) Molecular Beam Epitaxy), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), and the like. However, the present invention is not limited thereto.

도 5를 참조하면, 발광구조물(140) 상면의 둘레 영역에 절연층(130)를 형성하고, 발광구조물(140) 및 절연층(130) 상에 기판(110)를 형성할 수 있다. 5, the insulating layer 130 may be formed on the upper surface of the light emitting structure 140, and the substrate 110 may be formed on the light emitting structure 140 and the insulating layer 130.

절연층(130)는 증착 공정 및 포토리소그래피 공정에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The insulating layer 130 may be formed by a deposition process and a photolithography process, but is not limited thereto.

기판(110)는 증착 공정 및 도금 공정에 의해 형성되거나, 별도의 시트로 준비된 후 본딩될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 110 may be formed by a deposition process and a plating process, or may be prepared as a separate sheet and then bonded, but the present invention is not limited thereto.

한편, 기판(110) 아래에는 발광소자(100)의 광 추출 효율 향상을 위해 반사층(120)이 형성될 수 있다. 또한, 제2 반도체층(146)과 지지기판(190) 사이에는 오믹층(125)이 형성될 수도 있다.A reflective layer 120 may be formed under the substrate 110 to improve light extraction efficiency of the light emitting device 100. In addition, an ohmic layer 125 may be formed between the second semiconductor layer 146 and the support substrate 190.

도 5 및 도 6을 참조하면, 지지기판(190)이 제거될 수 있다. 지지기판(190)은 레이저 리프트 오프(LLO) 공정 및 에칭 공정 중 적어도 하나를 이용하여 제거될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다. 5 and 6, the supporting substrate 190 may be removed. The support substrate 190 may be removed using at least one of a laser lift off (LLO) process and an etch process, but is not limited thereto.

한편, 지지기판(190)을 제거한 후, 노출된 상기 제1 반도체층(142)의 표면을 연마하기 위해 ICP/RIE(Inductively Coupled Plasma/Reactive Ion Etch) 등의 에칭을 실시할 수도 있다.Meanwhile, after the supporting substrate 190 is removed, an etching process such as ICP / RIE (Inductively Coupled Plasma / Reactive Ion Etch) may be performed to polish the exposed surface of the first semiconductor layer 142.

도 7을 참조하면, 복수개의 칩을 개별 칩 단위로 구분하기 위해 발광구조물(140)에 아이솔레이션 에칭을 실시하고, 발광구조물(140)의 측면에 패시베이션(150)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7, the light emitting structure 140 may be etched to isolate a plurality of chips into individual chip units, and a passivation 150 may be formed on a side surface of the light emitting structure 140.

상기 아이솔레이션 에칭은 절연층(130)의 상면이 노출되도록 실시될 수 있다.The isolation etch may be performed such that the top surface of the insulating layer 130 is exposed.

패시베이션(150)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착 또는 PECVD 증착 방식에 의해 형성될 수 있다. The passivation 150 may be formed, for example, by E-beam deposition or PECVD deposition.

패시베이션(150)은 전기 절연성을 가지면서 광 투과율이 좋은 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.The passivation 150 is preferably formed of a material having electrical insulation and good light transmittance. For example, the passivation 150 may be formed of at least one of SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, and TiO2.

한편, 패시베이션(150)은 발광구조물(140)의 측면에 형성되는 것에 한정하지는 않으며, 발광구조물(140)의 상면에도 일부 형성될 수 있다.The passivation 150 is not limited to be formed on the side surface of the light emitting structure 140, and may be partially formed on the upper surface of the light emitting structure 140.

도 8을 참조하면, 발광구조물(140)의 상면에 접촉하고 적어도 일부 영역이 절연층(130) 상에 배치되도록 제1 전극층(170)이 형성될 수 있다. 즉, 제1 전극층(170)은 제1 반도체층(142)의 상면으로부터 연장되어 패시베이션(150)의 측면을 따라 절연층(130) 상에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 8, the first electrode layer 170 may be formed so as to be in contact with the upper surface of the light emitting structure 140 and at least a portion of which is disposed on the insulating layer 130. That is, the first electrode layer 170 may extend from the upper surface of the first semiconductor layer 142 and be disposed on the insulating layer 130 along the side surface of the passivation 150.

제1 전극층(170)의 재질은 전기 전도성을 가지며, 제1 반도체층(142)과 오믹 접촉을 이루는 금속 또는 도전성 비금속일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극층(170)는 Cu, Ti, Zn, Au, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 또는 ZnO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The material of the first electrode layer 170 is electrically conductive and may be a metal or a conductive base metal that makes an ohmic contact with the first semiconductor layer 142. For example, the first electrode layer 170 may include at least one of Cu, Ti, Zn, Au, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag, ITO, IZO, Ga- (ZnO), AgZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au and Ni / IrOx / Au / ITO or ZnO have.

제1 전극층(170)은 발광구조물(140)의 전 영역에 대해 형성되거나, 소정의 패턴을 가지도록 형성될 수 있으며, 이는 발광소자(100)의 설계 및 제1 전극층(170)의 재질에 따라 결정될 수 있다.The first electrode layer 170 may be formed over the entire region of the light emitting structure 140 or may have a predetermined pattern depending on the design of the light emitting device 100 and the material of the first electrode layer 170 Can be determined.

도 9를 참조하면, 제1 전극층(170) 상에는 제1 전극층(170)과 동일한 패턴을 갖는 보호캡층(180)의 배치될 수 있다.Referring to FIG. 9, a protective cap layer 180 having the same pattern as that of the first electrode layer 170 may be disposed on the first electrode layer 170.

이때, 보호캡층(180)는 절연층(130)에 배치된 제1 전극층(170)의 적어도 일부분이 노출되도록 제1 전극층(170)의 패턴보다 작게 형성될 수 있다.At this time, the protective cap layer 180 may be formed to be smaller than the pattern of the first electrode layer 170 so that at least a portion of the first electrode layer 170 disposed in the insulating layer 130 is exposed.

여기서, 보호캡층(180)에 의해 노출된 제1 전극층(170)에는 외부 전원과 연결되도록 와이어(W) 등이 본딩될 수 있으며, 와이어(W)와 제1 전극층(170) 사이에 접함금속층이 형성될 수 있을 것이며, 이에 한정을 두지 않는다.A wire W or the like may be bonded to the first electrode layer 170 exposed by the protective cap layer 180 so as to be connected to an external power source and a contact metal layer may be formed between the wire W and the first electrode layer 170. [ But is not limited thereto.

한편, 실시예에서는 수직형 발광 소자를 중심으로 설명하고 있으나, 이에 대해 한정하는 것은 아니며 수평형 발광 소자에 대해서도 적용될 수 있다.In the meantime, although the vertical emissive element is mainly described in the embodiment, the present invention is not limited thereto, and the present invention can be applied to a horizontal emissive element.

또한, 도 4 내지 도 9에 나타낸 공정 순서에서 적어도 하나의 공정은 순서가 바뀔 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.In addition, at least one process in the process sequence shown in FIGS. 4 to 9 may be changed in order, but is not limited thereto.

실시 예에 따른 발광소자(100)는 패키지 내에 실장될 수 있으며, 발광 다이오드가 실장된 발광소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다.The light emitting device 100 according to the embodiment may be mounted in a package, and a plurality of light emitting device packages having the light emitting diode mounted thereon may be arrayed on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, A diffusion sheet, and the like may be disposed.

이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광 다이오드 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. Another embodiment may be implemented with a display device, an indicating device, a lighting system including the light emitting diode or the light emitting device package described in the above embodiments, for example, the lighting system may include a lamp, a streetlight.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of example, It will be understood that various modifications and applications are possible without departing from the scope of the present invention. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (12)

기판;
상기 기판 상에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광구조물;
상기 기판의 외주부 상면에 배치된 절연층;
상기 제1 반도체층 상에 배치되고, 상기 발광구조물의 측면을 따라 연장되어 상기 절연층 상에 배치된 제1 전극층;
상기 발광구조물의 측면과 상기 제1 전극층 사이에 배치되는 패시베이션;
상기 제1 전극층 상에 배치되어, 상기 제1전극층을 덮도록 배치됨과 아울러 상기 절연층 상에 배치된 상기 제1 전극층의 적어도 일부분이 노출되도록 배치되는 보호캡층; 및
상기 절연층 상에 배치되며, 상기 제1 전극층의 노출 부위에 배치되어, 상기 보호캡층과 접촉되는 접합금속층;을 포함하는 발광소자.Board;
A light emitting structure disposed on the substrate and including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer formed between the first and second semiconductor layers;
An insulating layer disposed on an upper surface of an outer periphery of the substrate;
A first electrode layer disposed on the first semiconductor layer and extending along a side surface of the light emitting structure and disposed on the insulating layer;
A passivation disposed between a side surface of the light emitting structure and the first electrode layer;
A protective cap layer disposed on the first electrode layer and disposed to cover the first electrode layer and disposed so that at least a portion of the first electrode layer disposed on the insulating layer is exposed; And
And a junction metal layer disposed on the insulating layer and disposed at an exposed portion of the first electrode layer and in contact with the protective cap layer. 제 1 항에 있어서, 상기 발광구조물의 측면은,
경사를 갖는 발광소자.The light emitting device according to claim 1,
A light emitting device having an inclination. 제 1 항에 있어서, 상기 절연층은,
상기 발광구조물과 상기 제1 전극층을 절연하는 발광소자.The semiconductor device according to claim 1,
Wherein the light emitting structure isolates the first electrode layer from the light emitting structure. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극층은,
상기 제1 반도체층과 오믹접촉을 이루는 전도성 재질을 포함하는 발광소자.The method of claim 1, wherein the first electrode layer
And a conductive material in ohmic contact with the first semiconductor layer. 제 4 항에 있어서, 상기 제1 전극층은,
Cu, Ti, Zn, Au, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag, ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO 또는 ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자.The method of claim 4, wherein the first electrode layer
(Al-ZnO), AlGaO (ZnO), IGZO (Al-ZnO), Cu, Ti, Zn, Au, Ni, Pt, Ir, Rh, Ag, ITO, IZO (In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Ni / IrOx / Au / ITO or ZnO. 제 1 항에 있어서, 상기 보호캡층은,
상기 패시베이션과 동일한 재질인 발광소자.The optical information recording medium according to claim 1,
And the passivation layer is made of the same material as the passivation layer. 제 1 항에 있어서, 상기 보호캡층은,
Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자.The optical information recording medium according to claim 1,
Light emitting device comprising a Si0 2, SixOy, Si 3 N 4, SixNy, SiOxNy, Al 2 O 3, TiO 2, at least one of. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 소정의 패턴을 가지는 발광소자.The light emitting device according to claim 1, wherein the first electrode layer has a predetermined pattern. 제 1 항에 있어서,
상기 상기 제1 전극층은 다층구조를 가지도록 형성된 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first electrode layer has a multilayer structure. 제 8 항에 있어서, 상기 패시베이션은 상기 제1 전극층의 소정의 패턴에 대응하는 형상으로 형성되는 발광소자.The light emitting device according to claim 8, wherein the passivation is formed in a shape corresponding to a predetermined pattern of the first electrode layer. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되는 반사층; 및
상기 반사층과 상기 발광구조물 사이에 배치되는 오믹층;을 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
A reflective layer disposed on the substrate; And
And an ohmic layer disposed between the reflective layer and the light emitting structure. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은,
전도성 기판인 발광소자.The substrate processing apparatus according to claim 1,
A light emitting device which is a conductive substrate.
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