KR20120069616A - Light emitting device - Google Patents

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KR20120069616A
KR20120069616A KR1020120009479A KR20120009479A KR20120069616A KR 20120069616 A KR20120069616 A KR 20120069616A KR 1020120009479 A KR1020120009479 A KR 1020120009479A KR 20120009479 A KR20120009479 A KR 20120009479A KR 20120069616 A KR20120069616 A KR 20120069616A
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문지형
이상열
김청송
최광기
송준오
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device is provided to widen a directional angle by reflecting light from an active layer in the penetration part of a reflection layer. CONSTITUTION: An insulation layer(140) is formed between a first electrode layer and a second electrode layer, between a second conductive semiconductor layer(132) and the first electrode layer, and between an active layer(134) and the first electrode layer. The first electrode layer includes a first ohmic layer and a first reflection layer. The first ohmic layer is contacted with a first conductive semiconductor layer(136). The first reflection layer is extended to the first conductive semiconductor layer via the second conductive semiconductor layer and the active layer.

Description

발광소자{Light emitting device}[0001]

본 발명의 실시예는 발광소자에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a light emitting device.

발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that transmits and receives a signal by converting electricity into infrared light or light using characteristics of a compound semiconductor.

Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.Group III-V nitride semiconductors are spotlighted as core materials of light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) due to their physical and chemical properties.

이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명, 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.These light emitting diodes do not contain environmentally harmful substances such as mercury (Hg) used in existing lighting equipment such as incandescent lamps and fluorescent lamps, and thus have excellent eco-friendliness and have advantages such as long life and low power consumption. It is replacing them.

실시예는 발광 효율을 개선하고, 지향각을 넓힐 수 있는 발광소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of improving luminous efficiency and widening a directivity angle.

실시예의 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 아래에 형성되고 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극층; 상기 제2 전극층, 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극층; 및 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 전극층 사이 및 상기 활성층과 상기 제1 전극층 사이에 형성되는 절연층;을 포함하고, 상기 제1 전극층은 상기 제1 도전형 반도체층에 접하는 제1 오믹층과, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층으로 연장되는 제1 반사층; 을 포함한다.The light emitting device of the embodiment includes a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; A second electrode layer formed under the light emitting structure and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer; A first electrode layer electrically connected to the first conductive semiconductor layer through the second electrode layer, the second conductive semiconductor layer, and the active layer; And an insulating layer formed between the first electrode layer and the second electrode layer, between the second conductive semiconductor layer and the first electrode layer, and between the active layer and the first electrode layer. A first ohmic layer in contact with a first conductive semiconductor layer, a first reflective layer extending through the second conductive semiconductor layer and the active layer to the first conductive semiconductor layer; .

상기 제1 오믹층은 다층 구조를 갖고, 상기 다층 중 하나는 Ni를 포함한다.The first ohmic layer has a multilayer structure, one of the multilayers including Ni.

상기 제1 반사층은 상기 제1 오믹층의 하부에 위치한다.The first reflective layer is located under the first ohmic layer.

상기 제1 오믹층과 상기 제1 반사층은 경사진 형태를 갖는다.The first ohmic layer and the first reflective layer have an inclined shape.

상기 제1 반사층의 일부는 상기 제1 도전형 반도체층에 접한다.A portion of the first reflective layer is in contact with the first conductive semiconductor layer.

상기 제1 반사층의 단부는 상기 제1 오믹층을 둘러싼다.An end of the first reflective layer surrounds the first ohmic layer.

상기 제1 오믹층은 상기 제1 반사층의 단부를 둘러싼다.The first ohmic layer surrounds an end of the first reflective layer.

상기 제1 오믹층은 상기 제1 반사층을 관통하는 홀을 적어도 하나 이상 포함한다.The first ohmic layer includes at least one hole passing through the first reflective layer.

상기 제1 반사층은 상기 제1 오믹층보다 두껍게 형성된다. The first reflective layer is formed thicker than the first ohmic layer.

상기 제1 반사층은 반사율이 80% 이상이다.The first reflecting layer has a reflectance of 80% or more.

상기 제1 반사층은 Ag, Al, Rh 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어진다.The first reflective layer is made of Ag, Al, Rh and optional combinations thereof.

상기 제1 전극층은 상기 절연층과 접촉되는 본딩층; 을 더 포함하고, 상기 제1 반사층은 상기 절연층 및 상기 본딩층과 접촉된다. 상기 본딩층은 Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어진다.The first electrode layer may include a bonding layer in contact with the insulating layer; Further, wherein the first reflective layer is in contact with the insulating layer and the bonding layer. The bonding layer is made of Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and optional combinations thereof.

상기 제1 도전형 반도체층의 상면에는 러프니스가 형성된다.Roughness is formed on an upper surface of the first conductive semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층의 상에는 재흡수 방지층이 더 형성된다.A resorption prevention layer is further formed on the first conductive semiconductor layer.

상기 제2 전극층은 상기 절연층 상에 순차적으로 적층된 제2 반사층 및 제2 오믹층을 포함하고, 상기 발광 소자는 상기 제2 오믹층 및 상기 제2 반사층이 개방된 일측 영역 상에 전극 패드를 더 포함한다.The second electrode layer includes a second reflective layer and a second ohmic layer sequentially stacked on the insulating layer, and the light emitting device includes an electrode pad on a region where the second ohmic layer and the second reflective layer are open. It includes more.

상기 개방된 일측 영역에 인접하는 상기 발광 구조물의 측면에 형성되어, 상기 발광구조물과 상기 전극 패드 사이의 쇼트를 방지하는 보호층을 더 포함한다.A protective layer is formed on a side surface of the light emitting structure adjacent to the open one region, and prevents a short between the light emitting structure and the electrode pad.

다른 실시예의 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 아래에 형성되고 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극층; 상기 제2 전극층, 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극층; 및 상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 전극층 사이 및 상기 활성층과 상기 제1 전극층 사이에 형성되는 절연층;을 포함하고, 상기 제1 전극층은 상기 제1 도전형 반도체층에 접하는 제1 오믹층과; 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층으로 연장되는 제1 반사층; 및 상기 절연층과 접촉되는 본딩층; 을 포함하고, 상기 제1 반사층은 상기 절연층, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하는 관통부; 및 상기 관통부 아래에 위치하고 상기 관통부의 폭보다 넓은 폭을 갖는 하단부;를 포함한다.In another embodiment, a light emitting device includes: a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; A second electrode layer formed under the light emitting structure and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer; A first electrode layer electrically connected to the first conductive semiconductor layer through the second electrode layer, the second conductive semiconductor layer, and the active layer; And an insulating layer formed between the first electrode layer and the second electrode layer, between the second conductive semiconductor layer and the first electrode layer, and between the active layer and the first electrode layer. A first ohmic layer in contact with the first conductive semiconductor layer; A first reflective layer penetrating the second conductive semiconductor layer and the active layer and extending to the first conductive semiconductor layer; And a bonding layer in contact with the insulating layer. The first reflective layer includes a through portion penetrating the insulating layer, the second conductive semiconductor layer, and the active layer. And a lower end positioned below the through part and having a width wider than the width of the through part.

상기 하단부의 폭은 상기 관통부의 폭의 5배 이하로 형성된다.The lower end portion has a width less than five times the width of the through portion.

실시예에 따르면, 발광 효율을 개선하고, 지향각을 넓힐 수 있는 발광소자를 제공한다.According to an embodiment, there is provided a light emitting device capable of improving luminous efficiency and widening a directivity angle.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5h는 실시예에 따른 발광소자의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸다.
도 7은 발광소자 패키지를 갖는 조명장치의 일 실시예를 도시하는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to another embodiment.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.
4 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to another embodiment.
5A to 5H are views illustrating a method of manufacturing the light emitting device according to the embodiment.
6 shows a light emitting device package according to the embodiment.
7 is a diagram illustrating an embodiment of a lighting apparatus having a light emitting device package.

본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. Preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

상기의 실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the above embodiments, each layer (region), region, pattern or structures may be "on" or "under" the substrate, each layer (layer), region, pad or pattern. In the case of what is described as being formed, "on" and "under" include both being formed "directly" or "indirectly" through another layer. In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to an embodiment.

발광소자(100)는 지지 기판(101), 제1 전극층(110), 제2 전극층(120), 발광 구조물(130), 절연층(140), 재흡수 방지층(150), 보호층(170), 및 제1 전극 패드(190)를 포함할 수 있다. The light emitting device 100 includes a support substrate 101, a first electrode layer 110, a second electrode layer 120, a light emitting structure 130, an insulating layer 140, a resorption prevention layer 150, and a protective layer 170. , And a first electrode pad 190.

발광소자(100)는 복수의 화합물 반도체층, 예컨대 3족-5족 원소의 화합물 반도체층을 이용한 LED를 포함하며, LED는 청색, 녹색, 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나 UV LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting device 100 includes a LED using a plurality of compound semiconductor layers, for example, a compound semiconductor layer of Group 3-Group 5 elements, and the LED may be a colored LED or a UV LED that emits light such as blue, green, or red. Can be. The emission light of the LED may be implemented using various semiconductors, but is not limited thereto.

지지 기판(101)은 전도성 기판 또는 절연 기판일 수 있으며, 발광 구조물(130)을 지지한다. 예를 들어, 지지 기판(101)은 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예를 들어, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC), 및 전도성 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The support substrate 101 may be a conductive substrate or an insulating substrate, and supports the light emitting structure 130. For example, the support substrate 101 may include copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafers (eg, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC), and at least one of a conductive sheet.

제1 전극층(110)은 지지 기판(101) 상에 형성된다. 예컨대, 제1 전극층(110)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 전극층(110)은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 전극층(110)은 상기 금속과 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이러한 재료로 한정하지는 않는다. 제1 전극층(110)이 오믹 역할을 수행할 경우, 오믹층은 형성하지 않을 수 있다. The first electrode layer 110 is formed on the support substrate 101. For example, the first electrode layer 110 may be made of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and optional combinations thereof. In addition, the first electrode layer 110 may be formed of a single layer or multiple layers of a reflective electrode material having ohmic characteristics. For example, the first electrode layer 110 may be formed of the metal, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZAO), indium gallium zinc oxide (IGZO), Indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / It may include at least one of ITO, but is not limited to such materials. When the first electrode layer 110 plays an ohmic role, the ohmic layer may not be formed.

제2 전극층(120)은 제1 전극층(110) 상에 형성되며, 절연층(140)은 제2 전극층(120)과 제1 전극층(110) 사이에 형성되어 제1 전극층(110)과 제2 전극층(120)을 전기적으로 절연시킨다.The second electrode layer 120 is formed on the first electrode layer 110, and the insulating layer 140 is formed between the second electrode layer 120 and the first electrode layer 110 to form the first electrode layer 110 and the second electrode. The electrode layer 120 is electrically insulated.

제2 전극층(120)은 오믹층/반사층/본딩층의 구조이거나, 반사층(오믹 포함)/본딩층의 구조로 적층될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예컨대, 제2 전극층(120)은 절연층(140) 상에 반사층(122) 및 오믹층(124)이 순차로 적층된 형태일 수 있다.The second electrode layer 120 may be a structure of an ohmic layer / reflection layer / bonding layer or may be stacked in a structure of a reflective layer (including ohmic) / bonding layer, but is not limited thereto. For example, the second electrode layer 120 may have a form in which the reflective layer 122 and the ohmic layer 124 are sequentially stacked on the insulating layer 140.

반사층(122)은 오믹층(124)의 아래에 접촉되며, 반사율이 50% 이상의 반사물질로 형성될 수 있다. 반사층(122)은 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성되거나, 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있다. 예컨대, 반사층(122)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 반사층(122)을 발광 구조물과 오믹 접촉하는 물질로 형성할 경우, 오믹층(124)은 별도로 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective layer 122 may contact the bottom of the ohmic layer 124 and may be formed of a reflective material having a reflectance of 50% or more. The reflective layer 122 is formed of, for example, a material consisting of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and a combination thereof, or the metal material and IZO, IZTO , IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO and the like can be formed in a multilayer using a transmissive conductive material. For example, the reflective layer 122 may be laminated with IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, or the like. When the reflective layer 122 is formed of a material in ohmic contact with the light emitting structure, the ohmic layer 124 may not be formed separately, but is not limited thereto.

오믹층(124)은 투광성 전도층과 금속이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다. 오믹층(124)은 제2 도전형 반도체층(132)에 캐리어의 주입을 원활히 하기 위한 것으로, 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다.The ohmic layer 124 may be formed of a light transmissive conductive layer and a metal, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), and indium aluminum zinc oxide (AZO). ), Indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrO x , RuO x , RuO x / ITO, One or more of Ni, Ag, Ni / IrO x / Au, and Ni / IrO x / Au / ITO may be used to implement a single layer or multiple layers. The ohmic layer 124 is for smoothly injecting a carrier into the second conductivity type semiconductor layer 132 and is not necessarily formed.

발광 구조물(130)은 제2 전극층(120) 상에 형성된다. 발광 구조물(130)은 제2 도전형 반도체층(132), 활성층(134) 및 제1 도전형 반도체층(136)이 순차로 적층된 형태일 수 있다. The light emitting structure 130 is formed on the second electrode layer 120. The light emitting structure 130 may have a form in which the second conductive semiconductor layer 132, the active layer 134, and the first conductive semiconductor layer 136 are sequentially stacked.

제2 도전형 반도체층(132)은 오믹층(124)의 상부 면과 오믹 접촉하도록 오믹층(124) 상에 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(132)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체, 예컨대 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 P형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(132)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second conductivity-type semiconductor layer 132 may be formed on the ohmic layer 124 to make ohmic contact with the upper surface of the ohmic layer 124. The second conductive semiconductor layer 132 is a compound semiconductor of Group III-V elements doped with a second conductive dopant, such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP , AlGaInP and the like. The second conductivity type dopant may be a P type dopant such as Mg, Zn, or the like. The second conductivity-type semiconductor layer 132 may be formed as a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

활성층(134)은 제2 도전형 반도체층(132) 상에 형성되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 활성층(134)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층으로 형성될 수 있다.The active layer 134 is formed on the second conductivity type semiconductor layer 132 and may include any one of a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum dot structure, or a quantum line structure. The active layer 134 may be formed of a well layer and a barrier layer, for example, an InGaN well layer / GaN barrier layer or an InGaN well layer / AlGaN barrier layer, using a compound semiconductor material of Group III-V elements.

활성층(134)과 제1 도전형 반도체층(136) 사이 또는 활성층(120)과 제2 도전형 반도체층(132) 사이에는 도전형 클래드층이 형성될 수도 있으며, 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다.A conductive clad layer may be formed between the active layer 134 and the first conductive semiconductor layer 136 or between the active layer 120 and the second conductive semiconductor layer 132, and the conductive clad layer may be an AlGaN-based semiconductor. It can be formed as.

제1 도전형 반도체층(136)은 활성층(134) 상에 형성되며, 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 N형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(136)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 제1 도전형 반도체층(136)의 상면은 광 추출 효율을 위해 러프니스(roughness, 160)가 형성될 수 있다. The first conductivity type semiconductor layer 136 is formed on the active layer 134, and is a compound semiconductor of group III-V group elements doped with the first conductivity type dopant, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN. , InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and the like. The first conductivity type dopant may include an N type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The first conductivity type semiconductor layer 136 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto. Roughness 160 may be formed on the top surface of the first conductivity-type semiconductor layer 136 for light extraction efficiency.

제1 전극층(110)은 제2 전극층(120), 제2 도전형 반도체층(132) 및 활성층(134)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(136)과 접촉된다. 즉, 제1 전극층(110)은 지지 기판(101)과 접하는 하부 전극층과, 하부 전극층으로부터 분기하여 제1 도전형 반도체층(136)에 전기적으로 접촉하는 적어도 하나의 접촉 전극(111)을 갖는다. The first electrode layer 110 penetrates through the second electrode layer 120, the second conductive semiconductor layer 132, and the active layer 134 to be in contact with the first conductive semiconductor layer 136. That is, the first electrode layer 110 includes a lower electrode layer in contact with the support substrate 101, and at least one contact electrode 111 branching from the lower electrode layer to electrically contact the first conductive semiconductor layer 136.

제1 전극층(110)의 접촉 전극(111)은 제1 도전형 반도층(136)에 전류 공급을 원활하게 수행할 수 있도록 복수 개가 서로 이격되어 형성될 수 있다. 접촉 전극(111)은 방사형 패턴, 십자형 패턴, 라인형 패턴, 곡선형 패턴, 루프 패턴, 고리 패턴, 및 링 패턴 중 적어도 하나의 패턴일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The contact electrodes 111 of the first electrode layer 110 may be formed to be spaced apart from each other so as to smoothly supply current to the first conductive semiconductor layer 136. The contact electrode 111 may be at least one of a radial pattern, a cross pattern, a line pattern, a curved pattern, a loop pattern, a ring pattern, and a ring pattern, but is not limited thereto.

절연층(140)은 제1 전극층(110)과 제2 전극층(120) 사이에 위치하여, 제1 전극층(110)과 제2 전극층(120)을 전기적으로 절연시킨다. 도시된 상태에서, 절연층(140)은 제1 전극층(110)과 반사층(122) 사이에 형성된다. 절연층(140)은 제1 전극층(110)의 둘레에 형성되어, 제1 전극층(110)과 다른 층들(120, 132, 134)과의 전기적인 쇼트를 차단하게 된다. 절연층(140)은 투광성 물질, 예를 들어 SiO2로 형성될 수 있다. The insulating layer 140 is positioned between the first electrode layer 110 and the second electrode layer 120 to electrically insulate the first electrode layer 110 and the second electrode layer 120. In the illustrated state, the insulating layer 140 is formed between the first electrode layer 110 and the reflective layer 122. The insulating layer 140 is formed around the first electrode layer 110 to block electrical short between the first electrode layer 110 and the other layers 120, 132, and 134. The insulating layer 140 may be formed of a light transmitting material, for example, SiO 2 .

재흡수 방지층(150)은 제1 도전형 반도체층(136) 상에 형성된다. 재흡수 방지층(150)은 발광소자(100)로부터 방출되는 빛이 재흡수되는 것을 방지함으로써 발광소자(100)의 광 효율을 개선할 수 있다. 재흡수 방지층(150)은 반사 특성을 위하여 Ag, Rh, Ni, Au, Pd, Ir, Ti, Pt, W, Al 및 이들의 합금 또는 고용체로부터 선택되는 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 재흡수 방지층(150)은 접촉 전극(111)과 수직 방향으로 오버랩될 수 있다.The resorption prevention layer 150 is formed on the first conductivity type semiconductor layer 136. The resorption prevention layer 150 may improve light efficiency of the light emitting device 100 by preventing the light emitted from the light emitting device 100 from being reabsorbed. The resorption prevention layer 150 may be made of at least one selected from Ag, Rh, Ni, Au, Pd, Ir, Ti, Pt, W, Al, and alloys or solid solutions thereof for reflection characteristics. The resorption prevention layer 150 may overlap the contact electrode 111 in the vertical direction.

오믹층(124) 및/또는 반사층(122)의 일측 영역은 개방될 수 있으며, 제1 전극 패드(190)는 개방된 일측 영역 상에 형성된다. 제1 전극 패드(190)는 전극 형태일 수 있다. One region of the ohmic layer 124 and / or the reflective layer 122 may be opened, and the first electrode pad 190 is formed on the opened one region. The first electrode pad 190 may be in the form of an electrode.

그리고, 개방된 일측 영역에 인접하는 발광 구조물(130)의 측면에는 보호층(170)이 형성될 수 있다. 보호층(170)은 절연층으로 형성되어, 발광 구조물(130)과 전극 패드(190) 사이의 전기적인 쇼트를 방지한다.In addition, a protective layer 170 may be formed on a side surface of the light emitting structure 130 adjacent to the open one region. The protective layer 170 is formed of an insulating layer to prevent electrical short between the light emitting structure 130 and the electrode pad 190.

한편, 발광 구조물(130)의 활성층(134)에서 생성되는 광의 일부는 절연층(140)을 투과하여 제1 전극층(110)으로 입사된다. 이러한 광이 제1 전극층(110)에서 흡수되면 발광소자(100)의 광효율이 저하되므로, 제1 전극층(110)으로 입사되는 광이 충분히 반사되는 것이 유리하다. 이와 같이, 제1 전극층(110)은 오믹 특성, 고반사성, 접착성을 갖는 재료로 형성되는 것이 바람직하나, Al 계열의 재료는 오믹 특성 및 접착성을 가지지만, 반사성율이 낮고, Ag는 고반사율을 갖지만, 오믹 특성을 갖지 못하고 접착성이 떨어지는 특성이 있다. Meanwhile, a part of the light generated by the active layer 134 of the light emitting structure 130 passes through the insulating layer 140 and is incident to the first electrode layer 110. When the light is absorbed by the first electrode layer 110, the light efficiency of the light emitting device 100 is lowered. Therefore, light incident to the first electrode layer 110 may be sufficiently reflected. As described above, the first electrode layer 110 is preferably formed of a material having ohmic properties, high reflectivity, and adhesiveness, but the Al-based material has ohmic properties and adhesion, but has a low reflectivity and Ag is high. Although it has a reflectance, it does not have ohmic characteristics and has poor adhesiveness.

도 2는 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이다. 도 1의 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호로 처리하며, 중복 설명은 생략하기로 한다. 2 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to another embodiment. The same components as in the embodiment of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted.

도 2를 참조하면, 발광소자(200)는 지지 기판(101), 제1 전극층(210), 제2 전극층(120), 발광 구조물(130), 절연층(140), 재흡수 방지층(150), 보호층(170), 및 제1 전극 패드(190)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, the light emitting device 200 includes a support substrate 101, a first electrode layer 210, a second electrode layer 120, a light emitting structure 130, an insulating layer 140, and a resorption prevention layer 150. , A protective layer 170, and a first electrode pad 190.

제1 전극층(210)은 지지 기판(101) 상에 형성된다. 제1 전극층(210)은 본딩층(211), 반사층(212), 오믹층(213)을 포함할 수 있다. The first electrode layer 210 is formed on the support substrate 101. The first electrode layer 210 may include a bonding layer 211, a reflective layer 212, and an ohmic layer 213.

본딩층(211)은 절연층(140)과 지지 기판(101) 사이에 위치된다. 본딩층(211)은 Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본딩층(211)은 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 전도성 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 본딩층(211)은 접착력이 우수한 물질로 형성될 수 있다. The bonding layer 211 is positioned between the insulating layer 140 and the support substrate 101. The bonding layer 211 may be formed of Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and an optional combination thereof. For example, the bonding layer 211 may be formed using the metal material and conductive materials such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO. The bonding layer 211 may be formed of a material having excellent adhesion.

반사층(212)은 고반사율, 예를 들어 80% 이상의 반사율을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 반사층(212)은 Al, Ag, Rh 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있고, 단일 또는 여러 층으로 이루어질 수 있다. The reflective layer 212 may be made of a material having a high reflectance, for example, a reflectance of 80% or more. For example, the reflective layer 212 may be made of Al, Ag, Rh, and optional combinations thereof, and may be made of single or multiple layers.

반사층(212)은 관통부(212a)와 하단부(212b)를 포함한다. 관통부(212a)는 절연층(140), 제2 도전형 반도체층(132), 활성층(134)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(136)으로 연장된다. 관통부(212a)는 발광 구조물(130), 특히 활성층(134)에서 생성된 광이 관통부(212a)로 입사되는 경우, 잘 반사될 수 있도록 한다. 이는 관통부(212a)에서 흡수되는 광을 줄여 발광소자(200)의 광효율을 향상시키고, 활성층(134)에서 생성된 광이 관통부(212a)에서 반사됨으로써 확산되어 발광소자(200)의 지향각이 넓어지게 하는 효과를 갖는다. The reflective layer 212 includes a through portion 212a and a bottom portion 212b. The through part 212a extends through the insulating layer 140, the second conductive semiconductor layer 132, and the active layer 134 to the first conductive semiconductor layer 136. The penetrating portion 212a allows the light generated in the light emitting structure 130, particularly the active layer 134, to be reflected well when incident to the penetrating portion 212a. This improves the light efficiency of the light emitting device 200 by reducing the light absorbed by the through part 212a, and the light generated by the active layer 134 is diffused by being reflected by the through part 212a, so that the directivity angle of the light emitting device 200 is increased. This has the effect of widening.

하단부(212b)는 상기 관통부(212a)의 아래에서 절연층(140)과 본딩층(211)의 사이에 위치된다. 하단부(212b)가 고반사율을 갖는 재료로 제작될 경우, 본딩층(211) 보다 상대적으로 약한 접착력을 가질 수 있다. 하단부(212b)가 본딩층(211)을 전체적으로 덮을 경우, 하단부(212b)와 본딩층(211), 하단부(212b)와 절연층(140) 사이의 접착력이 약해서 층 박리가 일어날 수 있다. 따라서, 하단부(212b)는 본딩층(211)을 전체적으로 덮지 않고, 본딩층(211)의 위에 부분적으로 형성되어, 본딩층(211)의 일부는 절연층(140)과 직접 접촉되도록 한다. The lower portion 212b is positioned between the insulating layer 140 and the bonding layer 211 under the through portion 212a. When the lower end 212b is made of a material having high reflectance, the lower end 212b may have a relatively weaker adhesive force than the bonding layer 211. When the lower end 212b entirely covers the bonding layer 211, the adhesive force between the lower end 212b and the bonding layer 211, the lower end 212b and the insulating layer 140 may be weak, resulting in layer peeling. Accordingly, the lower end 212b does not cover the bonding layer 211 as a whole, but is partially formed on the bonding layer 211, so that a part of the bonding layer 211 is in direct contact with the insulating layer 140.

하단부(212b)의 폭(W2)은 관통부(212a)의 폭(W1)보다 크게 형성된다. 다만, 하단부(212b)의 폭(W2)은 관통부(212a)의 폭(W1)의 5배 이하로 될 수 있다. The width W2 of the lower end 212b is larger than the width W1 of the through part 212a. However, the width W2 of the lower end 212b may be five times or less than the width W1 of the through part 212a.

반사층(212)은 상기 하단부(212b)없이 관통부(212a)만으로 구성될 수도 있다. 이 경우, 상기 하단부(212b)가 있는 위치는 본딩층(211)으로 채워지고, 본딩층(211)은 전체적으로 절연층(140)과 접촉된다. The reflective layer 212 may be composed of only the penetrating portion 212a without the lower portion 212b. In this case, the position where the lower end 212b is located is filled with the bonding layer 211, and the bonding layer 211 is in contact with the insulating layer 140 as a whole.

관통부(212a)의 상부에는 제1 도전형 반도체층(136)과 접촉되는 오믹층(213)이 형성된다. An ohmic layer 213 in contact with the first conductivity-type semiconductor layer 136 is formed on the through part 212a.

상기 오믹층(213)은 제1 도전형 반도체층(136)과 오믹 접촉(ohmic contact)하며 전극 역할을 수행하는 것으로, 오믹 특성이 좋은 금속, 예컨대 Pt, Ni, Au, Rh, Pd 중 적어도 하나 또는 이들의 합금 형태를 포함할 수 있다. 상기 오믹층(213)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하며, 이러한 재료에 한정되지는 않는다. 오믹층(213)은 방사형 패턴, 십자형 패턴, 라인형 패턴, 곡선형 패턴, 루프 패턴, 고리 패턴 및 링 패턴 중 적어도 하나의 패턴일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The ohmic layer 213 performs ohmic contact with the first conductivity-type semiconductor layer 136 and serves as an electrode, and has at least one of metals having good ohmic characteristics, such as Pt, Ni, Au, Rh, and Pd. Or alloy forms thereof. The ohmic layer 213 may include ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, At least one of RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, but is not limited to these materials. The ohmic layer 213 may be at least one of a radial pattern, a cross pattern, a line pattern, a curved pattern, a loop pattern, a ring pattern, and a ring pattern, but is not limited thereto.

반사층(212)은 오믹층(213)보다 두껍게 형성될 수 있다. 반사층(212)이 두껍게 형성되면, 활성층(134)에서 생성된 광이 반사층(212)에 의해 반사가 더욱 잘 일어날 수 있다. The reflective layer 212 may be formed thicker than the ohmic layer 213. If the reflective layer 212 is formed thick, the light generated in the active layer 134 may be more easily reflected by the reflective layer 212.

절연층(140)은 제1 전극층(210)과 제2 전극층(120) 사이에 위치하여, 제1 전극층(210)과 제2 전극층(120)을 전기적으로 절연시킨다. 도시된 상태에서, 절연층(140)은 제1 전극층(210)과 반사층(122) 사이에 형성된다. 절연층(140)은 제1 전극층(210)의 둘레에 형성되어, 제1 전극층(110)과 다른 층들(120, 132, 134)과의 전기적인 쇼트를 차단하게 된다. The insulating layer 140 is positioned between the first electrode layer 210 and the second electrode layer 120 to electrically insulate the first electrode layer 210 and the second electrode layer 120. In the illustrated state, the insulating layer 140 is formed between the first electrode layer 210 and the reflective layer 122. The insulating layer 140 is formed around the first electrode layer 210 to block electrical short between the first electrode layer 110 and the other layers 120, 132, and 134.

도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이다. 도 1의 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호로 처리하며, 중복 설명은 생략하기로 한다. 3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment. The same components as in the embodiment of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted.

도 3을 참조하면, 발광소자(300)는 지지 기판(101), 제1 전극층(310), 제2 전극층(120), 발광 구조물(130), 절연층(140), 재흡수 방지층(150), 보호층(170), 및 제1 전극 패드(190)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the light emitting device 300 includes a support substrate 101, a first electrode layer 310, a second electrode layer 120, a light emitting structure 130, an insulating layer 140, and a resorption prevention layer 150. , A protective layer 170, and a first electrode pad 190.

제1 전극층(310)은 지지 기판(101) 상에 형성된다. 제1 전극층(310)은 본딩층(311), 반사층(312), 오믹층(313)을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(311), 반사층(312), 오믹층(313)의 구성은 도 2에 도시된 본딩층(211), 반사층(212), 오믹층(213)의 구성과 대체로 같다. 다만, 본 실시예에서는 반사층(312)의 단부(312a'), 즉 관통부(312a)의 단부(312a')는 오믹층(313)을 둘러싸면서 제1 도전형 반도체층(136)과 접촉되는 점에서 차이가 있다. 이는 반사층(312)이 제1 도전형 반도체층(136)으로 더 연장되게 함으로써, 반사층(312)에 의한 광의 반사효과를 더욱 증진시킬 수 있다. The first electrode layer 310 is formed on the support substrate 101. The first electrode layer 310 may include a bonding layer 311, a reflective layer 312, and an ohmic layer 313. The configuration of the bonding layer 311, the reflective layer 312, and the ohmic layer 313 is generally the same as that of the bonding layer 211, the reflective layer 212, and the ohmic layer 213 illustrated in FIG. 2. However, in the present exemplary embodiment, the end portion 312a 'of the reflective layer 312, that is, the end portion 312a' of the through part 312a is in contact with the first conductivity-type semiconductor layer 136 while surrounding the ohmic layer 313. There is a difference in that. This allows the reflective layer 312 to further extend to the first conductivity type semiconductor layer 136, thereby further enhancing the reflection effect of light by the reflective layer 312.

반사층(312)은 오믹층(313)보다 두껍게 형성될 수 있다. 반사층(312)이 두껍게 형성되면, 활성층(134)에서 생성된 광이 반사층(312)에 의해 반사가 더욱 잘 일어날 수 있다. The reflective layer 312 may be formed thicker than the ohmic layer 313. If the reflective layer 312 is formed thicker, the light generated in the active layer 134 may be better reflected by the reflective layer 312.

도 4는 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이다. 도 1의 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호로 처리하며, 중복 설명은 생략하기로 한다. 4 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to another embodiment. The same components as in the embodiment of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted.

도 4를 참조하면, 발광소자(400)는 지지 기판(101), 제1 전극층(410), 제2 전극층(120), 발광 구조물(130), 절연층(140), 재흡수 방지층(150), 보호층(170), 및 제1 전극 패드(190)를 포함한다. Referring to FIG. 4, the light emitting device 400 includes a support substrate 101, a first electrode layer 410, a second electrode layer 120, a light emitting structure 130, an insulating layer 140, and a resorption prevention layer 150. , A protective layer 170, and a first electrode pad 190.

제1 전극층(410)은 지지 기판(101) 상에 형성된다. 제1 전극층(410)은 본딩층(411), 반사층(412), 오믹층(413)을 포함할 수 있다. 상기 본딩층(411), 반사층(412), 오믹층(413)의 구성은 도 2에 도시된 본딩층(211), 반사층(212), 오믹층(213)의 구성과 대체로 같다. 다만, 본 실시예에서는 반사층(412)의 단부(412a'), 즉 관통부(412a)의 단부(412a')는 제1 도전형 반도체층(136)과 접촉되도록 연장되고, 오믹층(413)은 관통부(412a)의 단부(412a')를 둘러싼다는 점에서 차이가 있다. The first electrode layer 410 is formed on the support substrate 101. The first electrode layer 410 may include a bonding layer 411, a reflective layer 412, and an ohmic layer 413. The configuration of the bonding layer 411, the reflective layer 412, and the ohmic layer 413 is substantially the same as that of the bonding layer 211, the reflective layer 212, and the ohmic layer 213 illustrated in FIG. 2. However, in the present exemplary embodiment, the end portion 412a 'of the reflective layer 412, that is, the end portion 412a' of the through portion 412a, extends to contact the first conductive semiconductor layer 136, and the ohmic layer 413 Is different in that it surrounds the end 412a 'of the penetrating portion 412a.

반사층(412)은 오믹층(413)보다 두껍게 형성될 수 있다. 반사층(412)이 두껍게 형성되면, 활성층(134)에서 생성된 광이 반사층(412)에 의해 반사가 더욱 잘 일어날 수 있다. The reflective layer 412 may be formed thicker than the ohmic layer 413. If the reflective layer 412 is formed thick, the light generated in the active layer 134 may be more easily reflected by the reflective layer 412.

오믹층(413)과 반사층(412)은 상기 실시예들에 제한되지 않고, 다양한 형태로 실시될 수 있다. 예를 들어, 오믹층(413)과 반사층(412)은 경사진 형태로 될 수도 있고, 여러 개의 홀을 통해 반사층(412)이 오믹층(413)을 관통하는 형태로 될 수도 있다. The ohmic layer 413 and the reflective layer 412 are not limited to the above embodiments and may be implemented in various forms. For example, the ohmic layer 413 and the reflective layer 412 may be inclined, or the reflective layer 412 may pass through the ohmic layer 413 through a plurality of holes.

도 5a 내지 도 5h는 실시예에 따른 발광소자의 제조 방법을 나타내는 도면이다. 5A to 5H are views illustrating a method of manufacturing the light emitting device according to the embodiment.

도 5a를 참조하면, 성장 기판(310) 상에 발광 구조물(130)을 성장시킨다. 성장 기판(310)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 5A, the light emitting structure 130 is grown on the growth substrate 310. The growth substrate 310 may be formed of at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, but is not limited thereto.

발광 구조물(130)은 성장 기판(310) 상에 제1 도전형 반도체층(136), 활성층(134) 및 제2 도전형 반도체층(132)을 순차적으로 성장시킴으로써 형성될 수 있다.The light emitting structure 130 may be formed by sequentially growing the first conductivity type semiconductor layer 136, the active layer 134, and the second conductivity type semiconductor layer 132 on the growth substrate 310.

발광 구조물(130)는 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure 130 may include, for example, Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Chemical Vapor Deposition (CVD), Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), and molecular beam growth. It may be formed using a method such as Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), but is not limited thereto.

발광 구조물(130) 및 성장 기판(310) 사이에는 격자 상수 차이를 완화하기 위해 버퍼층(미도시) 및/또는 언도프트 질화물층(미도시)을 형성할 수도 있다.A buffer layer (not shown) and / or an undoped nitride layer (not shown) may be formed between the light emitting structure 130 and the growth substrate 310 to alleviate the lattice constant difference.

그리고 제2 도전형의 반도체층(132) 상에 제2 전극층(120)을 형성한다. 제2 전극층(120)은 오믹층/반사층/본딩층, 오믹층/반사층, 반사층/본딩층 중 어느 하나의 형태일 수 있으며, 이에 한정하는 것은 아니다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(132) 상에 오믹층(124)을 형성하고, 오믹층(124) 상에 반사층(122)을 형성할 수 있다.The second electrode layer 120 is formed on the second conductive semiconductor layer 132. The second electrode layer 120 may be any one of an ohmic layer / reflective layer / bonding layer, an ohmic layer / reflective layer, and a reflective layer / bonding layer, but is not limited thereto. For example, the ohmic layer 124 may be formed on the second conductive semiconductor layer 132, and the reflective layer 122 may be formed on the ohmic layer 124.

오믹층(124) 및 반사층(122)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다. 오믹 접촉층(124)과 반사층(122)이 형성되는 면적은 다양하게 선택될 수 있다.The ohmic layer 124 and the reflective layer 122 may be formed by, for example, any one of an electron beam (E-beam) deposition, sputtering, and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The area in which the ohmic contact layer 124 and the reflective layer 122 are formed may be variously selected.

다음으로 도 5b를 참조하면, 제2 전극층(120), 제2 도전형 반도체층(132), 활성층(134)을 관통하여 제1 도전형 반도체층(136)을 노출시키는 적어도 하나의 구멍(412, 414)을 형성한다.Next, referring to FIG. 5B, at least one hole 412 penetrating through the second electrode layer 120, the second conductive semiconductor layer 132, and the active layer 134 to expose the first conductive semiconductor layer 136. , 414).

예컨대, 포토리쏘그라피(photolithography) 공정 및 식각 공정을 이용하여 제2 전극층(120), 제2 도전형 반도체층(132), 활성층(134) 및 제1 도전형 반도체층(136)을 선택적으로 식각하여 제1 도전형 반도체층(136)을 개방하는 적어도 하나의 구멍(412,414)을 형성할 수 있다.For example, the second electrode layer 120, the second conductive semiconductor layer 132, the active layer 134, and the first conductive semiconductor layer 136 may be selectively etched by using a photolithography process and an etching process. As a result, at least one hole 412 and 414 for opening the first conductivity type semiconductor layer 136 may be formed.

다음으로, 도 5c를 참조하면, 제2 전극층(120) 및 구멍(412,414)의 측면 상에 절연층(140)을 형성한다. 이때, 절연층(140)은 제2 전극층(120)의 측면을 감싸도록 형성될 수 있고, 구멍(412,414)의 바닥에는 형성되지 않는다. Next, referring to FIG. 5C, an insulating layer 140 is formed on side surfaces of the second electrode layer 120 and the holes 412 and 414. In this case, the insulating layer 140 may be formed to surround the side surface of the second electrode layer 120, and is not formed at the bottom of the holes 412 and 414.

다음으로, 도 5d를 참조하면, 구멍(412, 414)을 오믹층(213)으로 채워 제1 도전형 반도체층(136)과 접하도록 절연층(140) 상에 오믹층(213)을 형성한다. 오믹층(213)을 구성하는 물질은 상술한 바와 같다. Next, referring to FIG. 5D, the ohmic layer 213 is formed on the insulating layer 140 to fill the holes 412 and 414 with the ohmic layer 213 to be in contact with the first conductive semiconductor layer 136. . Materials constituting the ohmic layer 213 are as described above.

다음으로, 도 5e를 참조하면, 구멍(412, 414)을 반사층(212)으로 채워 오믹층(213)과 접하도록 절연층(140) 상에 반사층(212)을 형성한다. 반사층(212)을 구성하는 물질은 상술한 바와 같다. 상기에서, 반사층(212)은 관통부(212a)와 하단부(212b)로 구성되는 것으로 설명하였지만, 이는 설명을 위한 것이고, 반사층(212)은 오믹층(213)과 접하도록 구멍(412, 414)에 한번에 채워지게 된다. Next, referring to FIG. 5E, the reflective layers 212 are formed on the insulating layer 140 so as to contact the ohmic layer 213 by filling the holes 412 and 414 with the reflective layers 212. The material constituting the reflective layer 212 is as described above. In the above, the reflective layer 212 has been described as being composed of a through portion 212a and a bottom portion 212b, but this is for explanation, the reflective layer 212 is in contact with the ohmic layer 213, holes 412 and 414. Will be filled at once.

다음으로, 도 5f를 참조하면, 반사층(212) 및 절연층(140) 위에 본딩층(211)을 형성한다. 본딩층(211)을 구성하는 물질은 상술한 바와 같다. 그리고, 본딩층(211) 위에 지지 기판(101)을 형성한다. 지지 기판(101)은 본딩 방식, 도금 방식 또는 증착 방식으로 형성할 수 있다.Next, referring to FIG. 5F, a bonding layer 211 is formed on the reflective layer 212 and the insulating layer 140. The material constituting the bonding layer 211 is as described above. The support substrate 101 is formed on the bonding layer 211. The support substrate 101 may be formed by a bonding method, a plating method, or a deposition method.

다음으로 도 5g를 참조하면, 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 방법 또는 화학적 리프트 오프(Chemical Lift Off) 방법을 이용하여 성장 기판(310)을 발광 구조물(130)로부터 제거한다. 도 5g에서는 도 5f에 도시된 구조물을 뒤집어서 도시한다.Next, referring to FIG. 5G, the growth substrate 310 is removed from the light emitting structure 130 by using a laser lift off method or a chemical lift off method. In FIG. 5G, the structure shown in FIG. 5F is shown upside down.

그리고, 단위 칩 영역에 따라 발광 구조물(130)에 아이솔레이션(isolation) 에칭을 실시하여 복수 개의 발광 구조물로 분리한다. 예를 들어, 아이솔레이션 에칭은 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각 방법에 의해 실시될 수 있다.In addition, an isolation etching is performed on the light emitting structure 130 according to the unit chip region to be separated into a plurality of light emitting structures. For example, isolation etching may be performed by a dry etching method such as inductively coupled plasma (ICP).

아이솔레이션(isolation) 에칭에 의하여 발광 구조물(130)을 식각하여 제2 전극층(120)의 일부를 발광 구조물(130)로부터 개방한다. The light emitting structure 130 is etched by an isolation etching to open a part of the second electrode layer 120 from the light emitting structure 130.

그리고, 발광 구조물(130)의 측면을 덮는 보호층(Passivation layer, 170)을 형성한다. 보호층(170)은 적어도 제2 도전형 반도체층(132) 및 활성층(134)에 해당하는 발광 구조물(130)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 그리고 개방된 제2 전극층(120) 상에 제2 전극 패드(190)를 형성한다.In addition, a passivation layer 170 is formed to cover the side surface of the light emitting structure 130. The passivation layer 170 may be formed to cover side surfaces of the light emitting structure 130 corresponding to at least the second conductivity-type semiconductor layer 132 and the active layer 134. The second electrode pad 190 is formed on the open second electrode layer 120.

다음으로, 도 5h를 참조하면, 제1 도전형 반도체층(136) 상면에 러프니스 패턴(160)을 형성한다. 그리고, 제1 도전형 반도체층(136) 상면에 재흡수 방지층(150)을 형성한다. 예컨대, 제1 도전형 반도체층(136) 상에 재흡수 방지 물질을 형성한 후, 포토리쏘그라피 공정 및 식각 공정을 이용하여 재흡수 방지 물질을 패터닝하여 재흡수 방지층(150)을 형성할 수 있다. 이때, 재흡수 방지층(150)은 오믹층(213)과 오버랩되도록 패터닝될 수 있다.Next, referring to FIG. 5H, the roughness pattern 160 is formed on the top surface of the first conductivity-type semiconductor layer 136. The resorption prevention layer 150 is formed on the upper surface of the first conductive semiconductor layer 136. For example, after the resorption prevention material is formed on the first conductive semiconductor layer 136, the resorption prevention material 150 may be formed by patterning the resorption prevention material using a photolithography process and an etching process to form the resorption prevention layer 150. . In this case, the resorption prevention layer 150 may be patterned to overlap the ohmic layer 213.

도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸다. 6 shows a light emitting device package according to the embodiment.

상기 발광소자 패키지는 패키지 몸체(610), 리드 프레임(612, 614), 발광소자(620), 반사판(625), 와이어(630) 및 몰드재(640)를 포함한다.The light emitting device package includes a package body 610, lead frames 612 and 614, a light emitting device 620, a reflective plate 625, a wire 630, and a mold material 640.

패키지 몸체(610)의 상면에는 캐비티(cavity)가 형성될 수 있다. 상기 캐비티의 측벽은 경사지게 형성될 수 있다. 패키지 몸체(610)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN), 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성될 수 있으며, 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다. 실시예는 패키지 몸체(610)의 재질, 구조 및 형상으로 한정되지 않는다. A cavity may be formed on an upper surface of the package body 610. Sidewalls of the cavity may be formed to be inclined. The package body 610 may be insulative, such as a silicon based wafer level package, a silicon substrate, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN), photo solder resist (PSR), or the like. It may be formed of a substrate having good thermal conductivity, and may have a structure in which a plurality of substrates are stacked. Embodiments are not limited to the material, structure, and shape of the package body 610.

리드 프레임(612, 614)은 열 배출이나 발광소자의 장착을 고려하여 서로 전기적으로 분리되도록 패키지 몸체(610)에 배치된다. 발광소자(620)는 리드 프레임(612, 614)과 전기적으로 연결된다. 발광소자(620)는 도 1 내지 도 4의 실시예에 도시된 발광소자일 수 있다.The lead frames 612 and 614 are disposed on the package body 610 to be electrically separated from each other in consideration of heat dissipation or mounting of light emitting devices. The light emitting device 620 is electrically connected to the lead frames 612 and 614. The light emitting device 620 may be the light emitting device shown in the embodiment of FIGS. 1 to 4.

반사판(625)은 발광소자에서 방출된 빛을 소정의 방향으로 지향시키도록 패키지 몸체(610)의 캐비티 측벽에 형성된다. 반사판(625)은 광반사 물질로 이루어지며, 예컨대, 금속 코팅이거나 금속 박편일 수 있다.The reflective plate 625 is formed on the side wall of the cavity of the package body 610 to direct light emitted from the light emitting element in a predetermined direction. The reflector plate 625 is made of a light reflecting material and may be, for example, a metal coating or a metal flake.

몰드재(640)는 패키지 몸체(610)의 캐비티 내에 위치하는 발광소자(620)를 포위하여 발광소자(620)를 외부 환경으로부터 보호한다. 몰드재(640)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 재질로 이루어질 수 있다. 몰드재(640)에는 발광소자(620)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체가 포함될 수 있다. The mold material 640 surrounds the light emitting device 620 positioned in the cavity of the package body 610 to protect the light emitting device 620 from the external environment. The mold member 640 may be made of a colorless transparent polymer resin material such as epoxy or silicon. The mold member 640 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 620.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 배열되며, 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to the embodiment may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on an optical path of the light emitting device package.

또 다른 실시예는 상술한 실시예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.Yet another embodiment may be implemented as a display device, an indicator device, or a lighting system including the light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments, for example, the lighting system may include a lamp, a street lamp. .

도 7은 발광모듈을 갖는 조명 장치의 일 실시예를 도시하는 도면이다. 7 is a view showing an embodiment of a lighting device having a light emitting module.

이러한 조명 장치는, 발광모듈(20)과, 발광모듈(20)에서 발광된 빛의 출사 지향각을 안내하는 광가이드(30)를 포함하여 구성될 수 있다. The lighting device may include a light emitting module 20 and a light guide 30 for guiding the emission directivity angle of the light emitted from the light emitting module 20.

발광모듈(20)은 회로기판(printed circuit board; PCB)(21) 상에 구비되는 적어도 하나의 발광소자(22)를 포함할 수 있으며, 다수의 발광소자(22)가 회로기판(21) 상에 이격되어 배열될 수 있다. 발광소자는 예를 들어, LED(light emitting diode)일 수 있다. The light emitting module 20 may include at least one light emitting device 22 provided on a printed circuit board (PCB) 21, and a plurality of light emitting devices 22 may be disposed on the circuit board 21. It can be arranged spaced apart from. The light emitting device may be, for example, a light emitting diode (LED).

광가이드(30)는 발광모듈(20)에서 발광되는 광을 집속하여 일정 지향각을 가지고 개구부를 통하여 출사될 수 있도록 하며, 내측면에는 미러면을 가질 수 있다. 여기서, 발광모듈(20)과 광가이드는 일정 간격(d)만큼 이격되어 설치될 수 있다.The light guide 30 focuses the light emitted from the light emitting module 20 so that the light guide 30 may be emitted through the opening with a predetermined direction angle, and may have a mirror surface on the inner surface. Here, the light emitting module 20 and the light guide may be installed spaced apart by a predetermined interval (d).

이와 같은 조명 장치는 상술한 바와 같이, 다수의 발광소자(22)를 집속하여 빛을 얻는 조명등으로 사용될 수 있는 것으로서, 특히 건물의 천장이나 벽체 내에 매입되어 광가이드(30)의 개구부 측이 노출되는 매입등(다운라이트)으로 이용할 수 있다.As described above, the lighting apparatus may be used as an illumination lamp that focuses a plurality of light emitting elements 22 to obtain light, and is particularly embedded in a ceiling or a wall of the building to expose the opening side of the light guide 30. It is available by purchase light (downlight).

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

100 : 발광소자 101: 지지 기판
110: 제1 전극층 120: 제2 전극층
122: 반사층 124: 오믹층
130: 발광 구조물 132: 제2 도전형 반도체층
134: 활성층 136: 제1 도전형 반도체층
140: 절연층 150: 재흡수 방지층
160: 러프니스 170: 보호층
210 : 제1 전극층 211 : 본딩층
212 : 반사층 212a : 하단부
212b : 관통부 213 : 오믹층100 light emitting element 101 support substrate
110: first electrode layer 120: second electrode layer
122: reflective layer 124: ohmic layer
130: light emitting structure 132: second conductive semiconductor layer
134: active layer 136: first conductive semiconductor layer
140: insulating layer 150: resorption prevention layer
160: roughness 170: protective layer
210: first electrode layer 211: bonding layer
212: reflective layer 212a: lower portion
212b: penetrating portion 213: ohmic layer

Claims (12)

제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 발광 구조물 아래에 형성되고 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극층;
상기 제2 전극층, 상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극층; 및
상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 전극층 사이 및 상기 활성층과 상기 제1 전극층 사이에 형성되는 절연층을 포함하고,
상기 제1 전극층은
상기 제1 도전형 반도체층에 접하는 제1 오믹층; 및
상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층으로 연장되는 제1 반사층을 포함하는 발광소자.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer;
A second electrode layer formed under the light emitting structure and electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer;
A first electrode layer electrically connected to the first conductive semiconductor layer through the second electrode layer, the second conductive semiconductor layer, and the active layer; And
An insulating layer formed between the first electrode layer and the second electrode layer, between the second conductive semiconductor layer and the first electrode layer, and between the active layer and the first electrode layer,
The first electrode layer is
A first ohmic layer in contact with the first conductive semiconductor layer; And
And a first reflective layer extending through the second conductive semiconductor layer and the active layer to the first conductive semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 반사층은 상기 제1 오믹층의 하부에 위치하는 발광소자.The method of claim 1,
The first reflective layer is a light emitting device positioned below the first ohmic layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 오믹층과 상기 제1 반사층은 경사진 형태를 갖는 발광소자.The method of claim 1,
The first ohmic layer and the first reflective layer is a light emitting device having an inclined form. 제1항에 있어서,
상기 제1 반사층의 일부는 상기 제1 도전형 반도체층에 접하는 발광소자.The method of claim 1,
A portion of the first reflective layer is in contact with the first conductive semiconductor layer. 제4항에 있어서,
상기 제1 반사층의 단부는 상기 제1 오믹층을 둘러싸는 발광소자.The method of claim 4, wherein
An end of the first reflective layer surrounds the first ohmic layer. 제4항에 있어서,
상기 제1 오믹층은 상기 제1 반사층의 단부를 둘러싸는 발광소자.The method of claim 4, wherein
The first ohmic layer surrounds an end of the first reflective layer. 제6항에 있어서,
상기 제1 오믹층은 상기 제1 반사층을 관통하는 홀을 적어도 하나 이상 포함하는 발광소자.The method of claim 6,
The first ohmic layer includes at least one hole passing through the first reflective layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 반사층은 상기 제1 오믹층보다 두껍게 형성되는 발광소자.The method of claim 1,
The first reflective layer is formed to be thicker than the first ohmic layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 반사층은 반사율이 80% 이상인 발광소자.The method of claim 1,
The first reflective layer has a light reflectance of 80% or more. 제8항에 있어서,
상기 제1 반사층은 Ag, Al, Rh 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어지는 발광소자.The method of claim 8,
The first reflective layer is made of Ag, Al, Rh and a combination thereof. 제1항에 있어서,
상기 제1 전극층은 상기 절연층과 접촉되는 본딩층; 을 더 포함하고,
상기 제1 반사층은 상기 절연층 및 상기 본딩층과 접촉되는 발광소자.The method of claim 1,
The first electrode layer may include a bonding layer in contact with the insulating layer; More,
The first reflective layer is in contact with the insulating layer and the bonding layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층의 상에는 재흡수 방지층이 더 형성된 발광소자.The method of claim 1,
The light emitting device further comprises a resorption prevention layer on the first conductive semiconductor layer.
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