KR20130069249A - 에피 웨이퍼 제조 장치 및 에피 웨이퍼 제조 방법 - Google Patents

에피 웨이퍼 제조 장치 및 에피 웨이퍼 제조 방법 Download PDF

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    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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    • C30B25/165—Controlling or regulating the flow of the reactive gases

Abstract

실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 장치는, 웨이퍼 공급부; 상기 웨이퍼 공급부와 연결되는 에피 증착부; 상기 에피 증착부와 연결되는 어닐링부; 상기 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송부; 상기 웨이퍼 공급부와 상기 에피 증착부를 개폐하는 제 1 셔터; 및 상기 에피 증착부와 상기 어닐링부를 개폐하는 제 2 셔터를 포함한다.
실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법은 웨이퍼 공급부에 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 공급부에서 에피 증착부로 이동하는 단계; 상기 에피 증착부에서 상기 웨이퍼에 에피층을 증착하는 단계; 상기 웨이퍼가 상기 에피 증착부에서 어닐링부로 이동하는 단계; 및 상기 어닐링부에서 상기 웨이퍼에 열처리를 하는 단계를 포함한다.

Description

에피 웨이퍼 제조 장치 및 에피 웨이퍼 제조 방법{APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATION EPI WAFER}
본 기재는 에피 웨이퍼 제조 장치 및 에피 웨이퍼 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 전기, 전자 산업분야 및 기계부품 분야에 있어서의 소재의 중요도는 매우 높아 실제 최종 부품의 특성 및 성능지수를 결정하는 중요한 요인이 되고 있다.
대표적인 반도체 소자 재료로 사용된 Si은 섭씨 100도 이상의 온도에 취약해 잦은 오작동과 고장을 일으키기 때문에, 다양한 냉각장치를 필요로 한다. Si이 이러한 물리적 한계를 보이게 됨에 따라, 차세대 반도체 소자 재료로서 SiC, GaN, AlN 및 ZnO 등의 광대역 반도체 재료가 각광을 받고 있다.
여기서, GaN, AlN 및 ZnO 에 비해 SiC는 열적 안정성이 우수하고, 내산화성이 우수한 특징을 가지고 있다. 또한, SiC는 4.6W/Cm℃ 정도의 우수한 열 전도도를 가지고 있으며, 직경 2인치 이상의 대구경의 기판으로서 생산 가능하다는 장점이 있다. 특히 고품질을 가지는 두껍고 저농도로 도핑된 탄화규소 에피 웨이퍼는 고파워 디바이스 적용분야에 가능하다.
종래 웨이퍼에 탄화규소 에피층을 성장시키기 위해서는 챔버 내에서 웨이퍼를 증착한 후, 어닐링 공정 및/또는 냉각 공정을 수행하여 탄화규소 에피층이 성장된 에피 웨이퍼를 제조하였다.
즉, 종래기술은 단일 또는 배치 타입형 반응 챔버에 탄화규소 웨이퍼를 투입하여 그 위에 막을 증착하였다. 이후, 상기 웨이퍼를 어닐링 장치 및/또는 냉각 장치에 투입하여 웨이퍼 표면의 결함을 제거하는 각각의 공정을 차례대로 수행하여 탄화규소 에피 웨이퍼를 제조하는 것이 일반적이었다.
그러나, 상기 공정에서는 반응 챔버 내 유도가열에 의한 핫존(hot zone)의 온도를 가열 또는 냉각시키기 위해서는 매우 많은 시간이 소요된다. 즉, 상기 챔버내에서 에피층의 성장을 위해 챔버 내의 온도를 일정 온도까지 상승시켜야 한다. 이때, 상기 챔버를 일정 온도로 가열한 후, 에피층을 증착시킨 후, 다시 챔버 내의 온도를 냉각시켜야 하는 단계가 필요하다.
그러나 상기 챔버 내의 핫존 영역을 가열 또는 냉각하기 위해 매우 많은 시간이 필요하다. 일례로, 가열 또는 냉각하는데 걸리는 시간은 2시간 이상일 수 있는데 이에 따른 전체적인 공정 시간이 증가하게 되고, 따라서 전체적인 웨이퍼 공정 수율을 떨어뜨리는 문제점이 발생되고 있다.
따라서, 탄화규소 에피층을 성장시 상기 챔버 내의 가열 또는 냉각의 반복적인 공정을 생략하고, 연속적, 지속적으로 탄화규소 에피 웨이퍼를 제조하는 공정의 필요성이 요구되고 있다.
실시예는 전체적인 에피 웨이퍼 제조 공정 시간을 단축할 수 있는 에피 웨이퍼 제조 장치 및 에피 웨이퍼 제조 방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 장치는, 웨이퍼 공급부; 상기 웨이퍼 공급부와 연결되는 에피 증착부; 상기 에피 증착부와 연결되는 어닐링부; 상기 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송부; 상기 웨이퍼 공급부와 상기 에피 증착부를 개폐하는 제 1 셔터; 및 상기 에피 증착부와 상기 어닐링부를 개폐하는 제 2 셔터를 포함한다.
실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법은 웨이퍼 공급부에 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 공급부에서 에피 증착부로 이동하는 단계; 상기 에피 증착부에서 상기 웨이퍼에 에피층을 증착하는 단계; 상기 웨이퍼가 상기 에피 증착부에서 어닐링부로 이동하는 단계; 및 상기 어닐링부에서 상기 웨이퍼에 열처리를 하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 웨이퍼 제조 방법은 에피층 증착 단계 및 어닐링 단계 및 냉각 단계를 연속적으로 한번에 처리할 수 있다. 따라서, 에피 증착부 내의 챔버에서 공정마다 냉각 또는 가열 공정의 반복이 필요없으므로, 상기 에피 웨이퍼 제조 공정 시간을 단축할 수 있다.
즉, 상기 에피 웨이퍼 제조 방법은 에피층의 증착, 어닐링, 냉각 등의 공정을 한번에 연속적으로 처리할 수 있으므로, 지속적인 웨이퍼 제조가 가능하며, 에피 증착부의 가열 및 냉각 공정을 생략할 수 있으므로, 웨이퍼 제조 공정 시간을 단축시킬 수 있으므로, 보다 높은 효율로 고품질의 에피 웨이퍼를 제조할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 제조 방법의 공정 흐름도이다.
도 2는 실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치의 평면도이다.
도 3은 실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치의 에피 증착부를 확대하여 도시한 확대도이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1을 참조하여, 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법을 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법의 공정 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법은, 웨이퍼를 준비하는 단계(ST10); 제 1 셔터를 개방하는 단계(ST20); 상기 웨이퍼를 이동하는 단계(ST30); 상기 제 1 셔터를 폐쇄하는 단계(ST40); 제 2 셔터를 개방하는 단계(ST50); 상기 웨이퍼를 이동하는 단계(ST60); 및 상기 제 2 셔터를 폐쇄하는 단계(ST70)를 포함한다.
상기 웨이퍼를 준비하는 단계(ST10)에서는, 웨이퍼 공급부(100) 내에 상기 웨이퍼(W)를 준비할 수 있다. 상기 웨이퍼 공급부(100)는 복수 개의 웨이퍼를 수용할 수 있는 웨이퍼 카트리지일 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼 공급부(100)에서는 복수 개의 웨이퍼(W)가 수용될 수 있다.
이어서, 상기 제 1 셔터를 개방하는 단계(ST20), 상기 웨이퍼를 이동하는 단계(ST30) 및 상기 제 1 셔터를 폐쇄하는 단계(ST40)에서는, 상기 웨이퍼(W)가 상기 웨이퍼 공급부(100)에서 에피 증착부(200)로 이동할 수 있다. 상기 웨이퍼(W)는 상기 웨이퍼 카트리지를 통해 하나씩 상기 웨이퍼 공급부로 이동되고, 상기 웨이퍼 공급부(100)와 상기 에피 증착부(200)를 개폐하는 상기 제 1 셔터(410)가 개방되면, 상기 웨이퍼(W)는 상기 에피 증착부(200)로 이동된다. 상기 웨이퍼(W)가 상기 에피 증착부(200)로 완전히 이동되면, 상기 제 1 셔터(410)는 폐쇄된다.
상기 에피 증착부(200)로 이동된 상기 웨이퍼(W)는 상기 제 1 셔터가 폐쇄된 후 상기 에피 증착부(200)로 공급되는 반응 가스와 반응하여 상기 웨이퍼(W) 상에 에피층을 증착할 수 있다. 에피층 형성은 단결정 웨이퍼 표면에 웨이퍼 재질과 동일하거나 또는 다른 재질의 단결정층을 성장시키는 것이다.
통상, 에피층은 화학기상증착(Chemical Vapor Depositon, CVD) 공정을 통해 형성될 수 있다. 특히, 화학기상증착 공정의 경우 열 화학기상증착, 플라즈마 강화 화학기상증착, 저압 화학기상증착, 금속 유기물 화학기상증착 및 원자층 증착 등을 포함할 수 있으며, 상기 공정들은 목적하는 막의 특성에 따라 적절하게 선택될 수 있다.
상기 화학기상증착 공정의 경우, 진공 챔버 내에 위치된 웨이퍼 상에 소스 가스, 캐리어 가스 및 압력 조절 가스 등의 반응 가스를 제공하고, 상기 반응 가스와 상기 웨이퍼 사이의 표면 반응을 이용하여 상기 웨이퍼 상에 에피층을 형성할 수 있다 일례로, 화학기상증착장비에서 수소(H2) 및 아르곤(Ar) 기체를 캐리어로 하여 실란(Silane, SiH4), DCS(Dichlorosilane, SiH2), 에틸렌 또는 프로판 기체와 도펀트 가스(Dopant gas)를 웨이퍼 표면에 증착시켜서 형성할 수 있다.
상기 웨이퍼 상에 에피층을 증착하는 공정은 다음과 같다.
먼저, 상기 웨이퍼 공급부(100)에서 웨이퍼를 상기 에피 증착부(100)로 이동시킨다. 이어서, 상기 웨이퍼는 웨이퍼 이송부(500)를 이용하여 에피 증착부(100) 내의 발열 유도부의 중심부인 핫존(hot zone)으로 이동된다. 상기 발열 유도부는 일례로 고주파 유도 코일일 수 있으며, 고주파 유도 코일에 고주파 전류를 흐르게 하여 가열함으로써, 에피층 성장 온도까지 온도를 높일 수 있다. 이후, 상기 유도 가열에 의해 상기 반응 가스와 상기 웨이퍼 사이의 표면 반응을 이용하여 상기 웨이퍼 상에 에피층이 성장되게 된다. 일례로, 상기 웨이퍼(W)는 탄화규소 웨이퍼를 포함할 수 있고, 상기 에피층은 탄화규소 에피층을 포함할 수 있다. 즉, 상기 에피 증착부(200)에서는 상기 탄화규소 웨이퍼 상에 상기 탄화규소 에피층이 증착될 수 있다.
상기 웨이퍼(W) 상에 에피층이 증착되는 에피 증착부(200)의 온도는 챔버 내에서 일정한 성장 온도까지 상승할 수 있다. 일례로, 상기 성장 온도는 1300℃ 내지 1700℃ 일 수 있다.
이어서, 상기 제 2 셔터를 개방하는 단계(ST50), 상기 웨이퍼를 이동하는 단계(ST60) 및 상기 제 2 셔터를 폐쇄하는 단계(ST70)에서는, 상기 웨이퍼(W)가 상기 에피 증착부(200)에서 어닐링부(300)로 이동할 수 있다. 상기 웨이퍼(W)는 상기 에피 증착부에서 상기 웨이퍼(W) 상에 에피층이 증착되고, 상기 에피층 증착이 완료되면 상기 에피 증착부(200)와 상기 어닐링부(300)를 개폐하는 상기 제 2 셔터(420)가 개방되고, 상기 웨이퍼(W)는 상기 에피 증착부(200)에서 상기 어닐링부(300)로 이동된다. 상기 웨이퍼(W)가 상기 어닐링부(300)로 완전히 이동되면, 상기 제 2 셔터(420)는 폐쇄된다.
상기 어닐링부(300)에서는 에피층이 증착된 에피 웨이퍼(W)를 어닐링할 수 있다. 즉, 상기 에피층이 증착된 에피 웨이퍼(W)를 일정한 온도에서 열처리할 수 있다.
상기 어닐링 공정은 상기 에피 증착부(200)의 성장 온도와 동일하거나 또는 다른 온도에서 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상기 어닐링 공정에서의 어닐링 온도는 상기 에피 증착부(200)의 성장 온도보다 300℃ 이하 만큼 높은 온도이거나, 200℃ 이하 만큼 낮은 온도일 수 있다. 즉, 상기 어닐링 온도는 1100℃ 내지 2000℃ 일 수 있다. 이때, 상기 어닐링 공정은 약 1 시간 동안 진행될 수 있다. 또한, 상기 어닐링 공정은 고진공 하에서 이루어질 수 있다. 상기 어닐링 공정을 통해 상기 웨이퍼(W)와 상기 에피층의 열팽창에 의한 미스매치(mismatch)를 억제할 수 있다.
상기 웨이퍼(W)는 웨이퍼 이송부(500)에 의해 이동될 수 있다. 바람직하게는, 상기 웨이퍼 이송부(500)는 웨이퍼 이송용 암(arm)일 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼 이송용 암(arm)에 의해 상기 웨이퍼(W)는 상기 웨이퍼 공급부(100)에서 상기 에피 증착부(200)로 이동하고, 상기 에피 증착부(200)에서 상기 어닐링부(300)로 이동할 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼 이송용 암(arm)은 고온에서도 견딜 수 있는 재질을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 웨이퍼 이송용 암(arm)은 1300℃ 내지 1700℃의 온도에서도 견딜 수 있는 세라믹을 포함하는 재질로 되어있거나, 상기 세라믹을 포함하는 재질로 코팅될 수 있다. 상기 웨이퍼 이송용 암(arm)에 의해 상기 웨이퍼(W)는 상기 웨이퍼 공급부(100)와 상기 에피 증착부(200) 및 상기 어닐링부(300)를 연속적으로 이동할 수 있다.
종래에는, 상기 에피 웨이퍼를 제조시 상기 에피 증착 공정과 상기 어닐링 공정이 분리되어 진행되었다. 그러나, 상기 에피 증착 공정에서는 매우 고온의 온도가 요구되었으며, 상기 에피 증착 이후에는 상기 반응로를 냉각하는 공정이 요구되었다. 이때, 상기 에피층의 성장 온도까지 가열하고 이를 냉각하는 공정은 매우 오랜 시간이 소요되기 때문에 공정시간이 매우 길었다. 일례로, 성장 온도까지 가열 및 냉각을 위해 각각 약 2시간 정도의 시간이 소요되고, 이를 반복적으로 수행하여야 하기 때문에 매우 오랜 시간이 소요되었다.
그러나, 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 방법은 상기 반복적인 가열 및 냉각하는 공정을 없앨 수 있다. 즉, 웨이퍼의 공급, 에피층 증착 및 어닐링 공정을 한번에 연속적으로 처리하는 것이 가능하므로, 에피 증착부에서 반복적으로 성장 온도를 가열하고 냉각하는 공정을 생략할 수 있어 작업 공정을 단순화할 수 있고, 공정 시간을 단축할 수 있다. 이에 따라 전체적인 웨이퍼 제조 생산 효율이 높아질 수 있으며, 콤팩트(comapct)한 에피 증착 챔버를 구성할 수 있다.
이하, 도 2 및 도 3을 참조하여, 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 장치를 상세하게 설명한다. 보다 명확한 설명을 위해 본 실시예에서는 앞선 실시예에 대한 설명을 참고한다. 즉, 앞선 실시예에 대한 설명은 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 2는 실시예에 따른 에피 웨이퍼 제조 장치의 평면도이고, 도 3은 에피 증착부를 확대하여 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 상기 에피 웨이퍼 제조 장치는 웨이퍼 공급부(100), 에피 증착부(200), 어닐링부(300), 제 1 셔터(410), 제 2 셔터(420) 및 웨이퍼 이송부(500)를 포함한다.
상기 웨이퍼 공급부(100)에서는, 에피층을 증착시킬 웨이퍼(W)를 수용한다. 상기 웨이퍼 공급부(100)는 복수 개의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있다.
상기 에피 증착부(200)에서는, 상기 웨이퍼(W) 상에 에피층을 성장시킬 수 있다. 일례로, 탄화규소 웨이퍼 상에 탄화규소 에피층을 증착할 수 있다. 상기 에피 증착부(200)는 일례로 화학기상증착 공정을 통해 상기 웨이퍼(W)에 에피층을 증착할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 에피 증착부(200)는 챔버(10), 발열소자(50), 보온유닛(60), 서셉터(20) 및 서셉터 내에 구비되고 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더(30)를 포함할 수 있다. 도 3에서는 수평형 화학기상증착 장비만이 도시되어 있으나, 실시예는 이에 제한되지 않고 수직형 화학기상증착 장비에도 적용될 수 있음은 물론이며, 다양한 화학기상증착 장비에서 적용될 수 있다.
상기 에피 증착부(200)에서는 필라멘트 또는 코일 등을 포함하는 발열소자(50)에 의해 에피층 성장온도까지 가열되고, 상기 챔버(10) 내에 공급되는 반응 가스와 상기 웨이퍼(W)의 표면 반응을 이용하여 상기 웨이퍼(W) 상에 에피층을 형성할 수 있다.
상기 제 1 셔터(410)는 상기 웨이퍼 공급부(100)와 상기 에피 증착부(200)를 개폐할 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼 공급부(100)에서 상기 에피 증착부(200)로 상기 웨이퍼(W)가 이동할 때는 상기 제 1 셔터(410)가 개방되고, 상기 웨이퍼(W)가 상기 에피 증착부(200)로 이동되고, 상기 에피 증착부(200)에서 상기 에피층 증착 공정이 이루어지는 때에는 상기 제 1 셔터(410)는 폐쇄된다.
상기 어닐링부(300)는 상기 에피 증착부(200)와 연결되어 있다. 상기 어닐링부(300)에서는 상기 에피층이 성장된 에피 웨이퍼를 어닐링 할 수 있다. 즉, 상기 에피층이 성장된 에피 웨이퍼를 일정한 온도에서 열처리할 수 있다. 어닐링부(300)는 가열 부재에 의해 진공하에서 챔버 내의 온도를 에피 성장 온도와 같거나 높은 온도에서 이루어질 수 있다. 즉, 상기 열처리 온도는 상기 에피 성장 온도보다 300℃ 이하 만큼 높은 온도이거나, 또는, 200℃ 이하 만큼 낮은 온도일 수 있다. 바람직하게는, 상기 열처리 온도는 1000℃ 내지 2000℃ 일 수 있다.
상기 제 1 셔터(420)는 상기 에피 증착부(200)와 상기 어닐링부(300)를 개폐할 수 있다. 즉, 상기 에피 증착부(200)에서 상기 어닐링부(300)로 상기 웨이퍼(W)가 이동할 때는 상기 제 2 셔터(420)가 개방되고, 상기 웨이퍼(W)가 상기 어닐링부(300)로 이동되고, 상기 어닐링부(300)에서 상기 열처리 공정이 이루어지는 때에는 상기 제 2 셔터(420)는 폐쇄된다.
상기 웨이퍼는 웨이퍼 이송부(500)에 의해 상기 웨이퍼 공급부(100)에서 상기 에피 증착부(200)로 이동 및 상기 에피 증착부(200)에서 상기 어닐링부(300)로 이동될 수 있다. 일례로, 상기 웨이퍼 이송부는, 웨이퍼 이송용 암(arm)을 포함할 수 있고, 상기 웨이퍼는 상기 웨이퍼 이송용 암(arm)에 의해 상기 웨이퍼 공급부(100)에서 상기 에피 증착부(200) 및 상기 어닐링부(300)로 이동되어 각각의 공정이 진행될 수 있다.
상기 웨이퍼 제조 장치는 웨이퍼(W)가 상기 웨이퍼 공급부(100), 상기 에피 증착부(200) 및 상기 어닐링부(300)를 웨이퍼 이송부(500)를 통해 웨이퍼가 각각의 공정으로 이동되면서 연속적, 지속적으로 에피 웨이퍼를 제조할 수 있다. 따라서, 각각의 공정을 분리하여 진행하는 것에 비해 에피 증착부(200)에서의 가열 또는 냉각하는 시간을 크게 단축시킬 수 있고, 이에 따라 웨이퍼의 제조 효율 및 공정 시간을 단축할 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (13)

  1. 웨이퍼 공급부;
    상기 웨이퍼 공급부와 연결되는 에피 증착부;
    상기 에피 증착부와 연결되는 어닐링부;
    상기 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송부;
    상기 웨이퍼 공급부와 상기 에피 증착부를 개폐하는 제 1 셔터; 및
    상기 에피 증착부와 상기 어닐링부를 개폐하는 제 2 셔터를 포함하는 에피 웨이퍼 제조 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 이송부는 웨이퍼 이송용 암(arm)을 포함하는 에피 웨이퍼 제조 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 에피 증착부는 반응 가스 공급부를 포함하는 에피 웨이퍼 제조 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 반응 가스 공급부는 탄소 및 규소를 포함하는 반응 가스를 상기 에피 증착부에 공급하는 에피 웨이퍼 제조 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 에피 증착부는 상기 웨이퍼 상에 탄화규소 에피층을 증착하는 에피 웨이퍼 제조 장치.
  6. 웨이퍼 공급부에 웨이퍼를 준비하는 단계;
    상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 공급부에서 에피 증착부로 이동하는 단계;
    상기 에피 증착부에서 상기 웨이퍼에 에피층을 증착하는 단계;
    상기 웨이퍼가 상기 에피 증착부에서 어닐링부로 이동하는 단계; 및
    상기 어닐링부에서 상기 웨이퍼에 열처리를 하는 단계를 포함하는 에피 웨이퍼 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 에피 증착부는 상기 에피 증착부와 웨이퍼 공급부를 개폐하는 제 1 셔터 및 상기 에피 증착부와 상기 어닐링부를 개폐하는 제 2 셔터를 포함하고,
    상기 제 1 셔터는 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 공급부에서 에피 증착부로 이동할 때 개방되고,
    상기 제 2 셔터는 상기 웨이퍼가 상기 에피 증착부에서 어닐링부로 이동할 때 개방되는 에피 웨이퍼 제조 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제 1 셔터 및 상기 제 2 셔터는 상기 에피 증착부에서 상기 웨이퍼에 에피층을 증착할 때 폐쇄되는 에피 웨이퍼 제조 방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 웨이퍼는 웨이퍼 이송부에 의해 이동하고,
    사이 웨이퍼 이송부는 웨이퍼 이송용 암(arm)을 포함하는 에피 웨이퍼 제조 방법.
  10. 제 6항에 있어서,
    상기 에피 증착부에서는 상기 웨이퍼 상에 탄화규소 에피층을 증착하는 에피 웨이퍼 제조 방법.
  11. 제 6항에 있어서,
    상기 에피 증착부에는 반응 가스가 공급되고,
    상기 반응 가스는 탄소 및 규소를 포함하는 에피 웨이퍼 제조 방법.
  12. 제 6항에 있어서,
    상기 에피 증착부와 상기 어닐링부의 가열 온도는 서로 다른 에피 웨이퍼 제조 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 어닐링부의 가열 온도는 1100℃ 내지 2000℃ 인 에피 웨이퍼 제조 방법.
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