KR20130066614A - ｎ 형 확산층 형성 조성물, ｎ 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

n 형 확산층 형성 조성물은 도너 원소를 함유하는 유리 분말과 분산매를 함유한다. 상기 유리 분말은 도너 원소 함유 물질과 유리 성분 물질을 함유한다. 상기 유리 분말 중의 상기 도너 원소 함유 물질의 함유 비율은 1 질량％ 이상 80 질량％ 이하이다. 이 n 형 확산층 형성 조성물을 도포하여 열확산 처리를 실시함으로써, n 형 확산층, 및 n 형 확산층을 갖는 태양 전지 소자가 제조된다.

Description

ｎ 형 확산층 형성 조성물, ｎ 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법{n-TYPE DIFFUSION LAYER-FORMING COMPOSITION, n-TYPE DIFFUSION LAYER PRODUCTION METHOD AND SOLAR CELL COMPONENT PRODUCTION METHOD}
본 발명은, 태양 전지 소자의 n 형 확산층 형성 조성물, n 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 반도체 기판인 실리콘 기판의 특정 부분에 n 형 확산층을 형성하는 것을 가능하게 하는 기술에 관한 것이다.
종래의 실리콘 태양 전지 소자의 제조 공정에 대해 설명한다.
먼저, 광 가둠 효과를 촉진하여 고효율화를 도모하도록 텍스처 구조를 형성한 p 형 실리콘 기판을 준비하고, 계속해서 옥시염화인 (POCl3), 질소, 산소의 혼합 가스 분위기에 있어서 800 ∼ 900 ℃ 에서 수 십분의 처리를 실시하여 고르게 n 형 확산층을 형성한다. 이 종래의 방법에서는 혼합 가스를 사용하여 인의 확산을 실시하기 때문에, 표면뿐만 아니라, 측면, 이면에도 n 형 확산층이 형성된다. 그 때문에, 측면의 n 형 확산층을 제거하기 위한 사이드 에칭 공정이 필요하였다. 또, 이면의 n 형 확산층은 p+ 형 확산층으로 변환할 필요가 있어, 이면의 n 형 확산층 상에 알루미늄 페이스트를 부여하여, 알루미늄의 확산에 의해 n 형 확산층으로부터 p+ 형 확산층으로 변환시키고 있었다.
한편으로, 반도체 제조 분야에서는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2002-75894호에 개시되어 있는 바와 같이, 오산화인 (P2O5) 혹은 인산이수소암모늄 (NH4H2PO4) 등의 인산염을 함유하는 용액의 도포에 의해 n 형 확산층을 형성하는 방법이 제안되어 있다. 그러나, 이 방법에서는 용액을 사용하기 때문에, 상기 혼합 가스를 사용하는 기상 반응법과 마찬가지로 인의 확산이 측면 및 이면에도 미쳐, 표면뿐만 아니라, 측면, 이면에도 n 형 확산층이 형성된다.
상기 서술한 바와 같이, n 형 확산층 형성시에, 옥시염화인을 사용한 기상 반응에서는 본래 n 형 확산층이 필요한 한쪽 면 (통상적으로 수광면, 표면) 뿐만 아니라, 다른 일방의 면 (비수광면, 이면) 이나 측면에도 n 형 확산층이 형성되어 버린다. 또, 인산염을 함유하는 용액을 도포하여 열확산시키는 방법에서도 기상 반응법과 마찬가지로, 표면 이외에도 n 형 확산층이 형성되어 버린다. 그 때문에, 소자로서 pn 접합 구조를 갖기 위해서는, 측면에 있어서는 에칭을 실시하고, 이면에 있어서는 n 형 확산층을 p 형 확산층으로 변환해야 한다. 일반적으로는, 이면에 제 13 족 원소인 알루미늄의 페이스트를 도포, 소성하여, n 형 확산층을 p 형 확산층으로 변환하고 있다.
본 발명은 이상의 종래의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 실리콘 기판을 사용한 태양 전지 소자의 제조 공정에 있어서, 불필요한 n 형 확산층을 형성시키지 않고 특정 부분에 n 형 확산층을 형성하는 것이 가능하며, 또한 표면 저항값이 낮은 태양 전지 소자를 제조 가능한 n 형 확산층 형성 조성물, n 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법의 제공을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하는 수단은 이하와 같다.
<1> 도너 원소를 함유하는 유리 분말과 분산매를 함유하고, 상기 유리 분말이 도너 원소 함유 물질과 유리 성분 물질을 함유하며, 상기 유리 분말 중의 상기 도너 원소 함유 물질의 함유 비율이 1 질량％ 이상 80 질량％ 이하인 n 형 확산층 형성 조성물.
<2> 상기 도너 원소가 P (인) 및 Sb (안티몬) 에서 선택되는 적어도 1 종인 상기 <1> 에 기재된 n 형 확산층 형성 조성물.
<3> 상기 도너 원소를 함유하는 유리 분말이 P2O3, P2O5 및 Sb2O3 에서 선택되는 적어도 1 종의 도너 원소 함유 물질과, SiO2, K2O, Na2O, Li2O, BaO, SrO, CaO, MgO, BeO, ZnO, PbO, CdO, SnO, ZrO2 및 MoO3 에서 선택되는 적어도 1 종의 유리 성분 물질을 함유하는 상기 <1> 또는 <2> 에 기재된 n 형 확산층 형성 조성물.
<4> 또한, Ag (은), Si (규소), Cu (구리), Fe (철), Zn (아연) 및 Mn (망간) 에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 함유하는 상기 <1> ∼ <3> 중 어느 한 항에 기재된 n 형 확산층 형성 조성물.
<5> 상기 금속이 Ag (은) 인 상기 <4> 에 기재된 n 형 확산층 형성 조성물.
<6> 상기 <1> ∼ <5> 중 어느 한 항에 기재된 n 형 확산층 형성 조성물을 도포하는 공정과, 열확산 처리를 실시하는 공정을 갖는 n 형 확산층의 제조 방법.
<7> 반도체 기판 상에 상기 <1> ∼ <5> 중 어느 한 항에 기재된 n 형 확산층 형성 조성물을 도포하는 공정과, 열확산 처리를 실시하여 n 형 확산층을 형성하는 공정과, 형성된 상기 n 형 확산층 상에 전극을 형성하는 공정을 갖는 태양 전지 소자의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 실리콘 기판을 사용한 태양 전지 소자의 제조 공정에 있어서, 불필요한 n 형 확산층을 형성시키지 않고 특정 부분에 n 형 확산층을 형성하는 것이 가능해진다. 또, 본 발명의 도너 원소 함유 물질의 함유 비율의 범위로 함으로써, 표면 저항값이 저하되어, 태양 전지 소자로서의 성능의 향상이 가능해진다.
도 1 은 본 발명의 태양 전지 소자의 제조 공정의 일례를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 2a 는 태양 전지 소자를 표면에서 본 평면도이다.
도 2b 는 도 2a 의 일부를 확대하여 나타내는 사시도이다.
먼저, 본 발명의 n 형 확산층 형성 조성물에 대해 설명하고, 다음으로 n 형 확산층 형성 조성물을 사용하는 n 형 확산층 및 태양 전지 소자의 제조 방법에 대해 설명한다.
또한, 본 명세서에 있어서 「공정」이라는 말은, 독립된 공정뿐만 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우라도 그 공정의 소기의 작용이 달성된다면, 본 용어에 포함된다. 또, 본 명세서에 있어서「∼」는, 그 전후에 기재되는 수치를 각각 최소치 및 최대치로서 포함하는 범위를 나타내는 것으로 한다. 또한, 본 명세서에 있어서 조성물 중의 각 성분의 양에 대해 언급하는 경우, 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수 존재하는 경우에는, 특별히 언급이 없는 이상 조성물 중에 존재하는 당해 복수의 물질의 합계량을 의미한다.
본 발명의 n 형 확산층 형성 조성물은 적어도 도너 원소를 함유하는 유리 분말 (이하, 단순히 「유리 분말」이라고 칭하는 경우가 있다) 과 분산매를 함유하고, 또한 도포성 등을 고려하여 그 밖의 첨가제를 필요에 따라 함유해도 된다.
여기서, n 형 확산층 형성 조성물이란, 도너 원소를 함유하고, 실리콘 기판에 도포한 후에 이 도너 원소를 열확산시킴으로써 n 형 확산층을 형성하는 것이 가능한 재료를 말한다. 본 발명의 n 형 확산층 형성 조성물을 사용함으로써, 원하는 부위에만 n 형 확산층이 형성되고, 이면이나 측면에는 불필요한 n 형 확산층이 형성되지 않는다.
따라서, 본 발명의 n 형 확산층 형성 조성물을 적용하면, 종래 널리 채용되어 있는 기상 반응법에서는 필수인 사이드 에칭 공정이 불필요해져, 공정이 간이화 된다. 또, 이면에 형성된 n 형 확산층을 p+ 형 확산층으로 변환하는 공정도 불필요해진다. 그 때문에, 이면의 p+ 형 확산층의 형성 방법이나 이면 전극의 재질, 형상 및 두께가 제한되지 않아, 적용하는 제조 방법이나 재질, 형상의 선택지가 넓어진다. 또, 자세한 것은 후술하는데, 이면 전극의 두께에서 기인한 실리콘 기판 내의 내부 응력의 발생이 억제되어, 실리콘 기판의 휨도 억제된다.
또한, 본 발명의 n 형 확산층 형성 조성물에 함유되는 유리 분말은 소성에 의해 용융되어, n 형 확산층 상에 유리층을 형성한다. 그러나 종래의 기상 반응법이나 인산염이 함유된 용액을 도포하는 방법에 있어서도 n 형 확산층 상에 유리층이 형성되어 있으며, 따라서 본 발명에 있어서 생성된 유리층은 종래의 방법과 마찬가지로 에칭에 의해 제거할 수 있다. 따라서, 본 발명의 n 형 확산층 형성 조성물은 종래의 방법과 비교해도 불필요한 생성물을 발생시키지 않아, 공정을 늘릴 필요도 없다.
또, 유리 분말 중의 도너 성분은 소성 중에도 잘 휘산되지 않기 때문에, 휘산 가스의 발생에 의해 표면뿐만 아니라 이면이나 측면에까지 n 형 확산층이 형성된다는 것이 억제된다. 이 이유로서, 예를 들어 도너 성분이 유리 분말 중의 원소와 결합되어 있거나, 또는 유리 중에 도입되어 있기 때문에, 잘 휘산되지 않는다고 생각된다.
이와 같이, 본 발명의 n 형 확산층 형성 조성물은 원하는 부위에 원하는 농도의 n 형 확산층을 형성하는 것이 가능하므로, n 형 도펀트 농도가 높은 선택적인 영역을 형성하는 것이 가능해진다. 한편, n 형 확산층의 일반적인 방법인 기상 반응법이나, 인산염 함유 용액을 사용하는 방법에 의해, n 형 도펀트 농도가 높은 선택적인 영역을 형성하는 것은 일반적으로는 곤란하다.
본 발명에 관련된 도너 원소를 함유하는 유리 분말에 대해 상세하게 설명한다.
도너 원소란, 실리콘 기판 중에 도핑시킴으로써 n 형 확산층을 형성하는 것이 가능한 원소이다. 도너 원소로는 제 15 족 원소를 사용할 수 있으며, 예를 들어 P (인), Sb (안티몬), Bi (비스무트) 및 As (비소) 등을 들 수 있다. 안전성, 유리화의 용이함 등의 관점에서, P 또는 Sb 가 바람직하다.
도너 원소를 유리 분말에 도입하기 위해서 사용하는 도너 원소 함유 물질로는 P2O3, P2O5, Sb2O3, Bi2O3 및 As2O3 을 들 수 있으며, P2O3, P2O5 및 Sb2O3 에서 선택되는 적어도 1 종을 사용하는 것이 바람직하다.
또, 도너 원소를 함유하는 유리 분말은 필요에 따라 성분 비율을 조정함으로써, 용융 온도, 연화 온도, 유리 전이점, 화학적 내구성 등을 제어하는 것이 가능하다. 또한, 이하에 기재하는 유리 성분 물질을 함유하는 것이 바람직하다.
유리 성분 물질로는, SiO2, K2O, Na2O, Li2O, BaO, SrO, CaO, MgO, BeO, ZnO, PbO, CdO, V2O5, SnO, ZrO2, MoO3, La2O3, Nb2O5, Ta2O5, Y2O3, TiO2, ZrO2, GeO2, TeO2 및 Lu2O3 등을 들 수 있으며, SiO2, K2O, Na2O, Li2O, BaO, SrO, CaO, MgO, BeO, ZnO, PbO, CdO, SnO, ZrO2, 및 MoO3 에서 선택되는 적어도 1 종을 사용하는 것이 바람직하다.
도너 원소를 함유하는 유리 분말의 구체예로는, 상기 도너 원소 함유 물질과 상기 유리 성분 물질의 쌍방을 함유하는 계를 들 수 있으며, P2O5-SiO2 계 (도너 원소 함유 물질-유리 성분 물질의 순서로 기재, 이하 동일), P2O5-K2O 계, P2O5-Na2O 계, P2O5-Li2O 계, P2O5-BaO 계, P2O5-SrO 계, P2O5-CaO 계, P2O5-MgO 계, P2O5-BeO 계, P2O5-ZnO 계, P2O5-CdO 계, P2O5-PbO 계, P2O5-SnO 계, P2O5-GeO2 계, P2O5-TeO2 계 등의 도너 원소 함유 물질로서 P2O5 를 함유하는 계, 상기의 P2O5 를 함유하는 계인 P2O5 대신에 도너 원소 함유 물질로서 Sb2O3 을 함유하는 계의 유리 분말을 들 수 있다.
또한, P2O5 -Sb2O3 계, P2O5 -As2O3 계 등과 같이, 2 종류 이상의 도너 원소 함유 물질을 함유하는 유리 분말이어도 된다.
상기에서는 2 성분을 함유하는 복합 유리를 예시했는데, P2O5-SiO2-CaO 등과 같이, 3 성분 이상의 물질을 함유하는 유리 분말이어도 된다.
또, 유리 분말 중의 도너 원소 함유 물질의 함유 비율은, 도너 원소의 실리콘 기판 중에 대한 도핑 농도, 유리 분말의 용융 온도, 연화 온도, 유리 전이점, 화학적 내구성을 고려하여 1 질량％ 이상 80 질량％ 이하이다.
유리 분말 중의 도너 원소 함유 물질의 함유 비율이 1 질량％ 미만인 경우, 도너 원소의 실리콘 기판 중에 대한 도핑 농도가 지나치게 낮아, n 형 확산층이 충분히 형성되지 않는다. 또, P2O5 등의 도너 원소 함유 물질의 함유 비율이 80 질량％ 보다 큰 경우, 유리 분말 중에서 도너 원소 함유 물질이 흡습하여, 예를 들어 도너 원소 함유 물질이 P2O5 인 경우에는 인산 (H3PO4) 을 형성한다. 이 결과, H3PO4 등의 흡습 물질이 열확산 처리 중에 휘산되어 버리므로, P (인) 등의 도너 원소의 확산이 측면 및 이면에도 미쳐, 표면뿐만 아니라, 원하는 부위 이외의 측면, 이면에도 n 형 확산층이 형성될 우려가 있다.
또한, 유리 분말 중의 도너 원소 함유 물질의 함유 비율은 2 질량％ 이상 75 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 10 질량％ 이상 70 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
특히, n 형 확산층이 충분히 형성되는 도너 원소의 양을 감안하면서, n 형 확산층 형성 조성물에 도너 원소를 일정량 이상 첨가해도, 형성된 n 형 확산층을 갖는 표면의 시트 저항은 일정치 이상으로는 저하되지 않게 되는 점과, 도너 원소 함유 물질의 휘산의 영향을 억제할 필요가 있는 점을 고려하면, 유리 분말 중의 도너 원소 함유 물질의 함유 비율은 30 질량％ 이상 70 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또, 유리 분말 중의 유리 성분 물질의 함유 비율은, 용융 온도, 연화 온도, 유리 전이점, 화학적 내구성을 고려하여 적절히 설정하는 것이 바람직하고, 일반적으로는 20 질량％ 이상 99 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 25 질량％ 이상 98 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 30 질량％ 이상 90 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
구체적으로는, P2O5-SiO2 계 유리의 경우에는 SiO2 의 함유 비율은 20 질량％ 이상 99 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 30 질량％ 이상 90 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
유리 분말의 연화 온도는 확산 처리시의 확산성, 액 흘러내림의 관점에서, 200 ℃ ∼ 1000 ℃ 인 것이 바람직하고, 300 ℃ ∼ 900 ℃ 인 것이 보다 바람직하다.
또한, 유리 분말의 연화 온도는 공지된 시차열 분석 장치 (DTA) 에 의해, 그 흡열 피크로부터 용이하게 측정할 수 있다.
유리 분말의 형상으로는 대략 구상, 편평상, 블록상, 판상 및 인편상 등을 들 수 있으며, n 형 확산층 형성 조성물로 했을 경우의 기판에 대한 도포성이나 균일 확산성의 관점에서, 대략 구상, 편평상 또는 판상인 것이 바람직하다. 유리 분말의 입경은 100 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 100 ㎛ 이하의 입경을 갖는 유리 분말을 사용한 경우에는, 평활한 도막을 얻기 쉽다. 또한, 유리 분말의 입경은 50 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 하한은 특별히 제한되지 않지만, 0.01 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.
여기서, 유리의 입경은 평균 입자경을 나타내고, 레이저 산란 회절법 입도 분포 측정 장치 등에 의해 측정할 수 있다.
도너 원소를 함유하는 유리 분말은 이하의 순서로 제조된다.
맨 처음에 원료를 칭량하고, 도가니에 충전한다. 도가니의 재질로는, 백금, 백금-로듐, 이리듐, 알루미나, 석영, 탄소 등을 들 수 있는데, 용융 온도, 분위기, 용융 물질과의 반응성 등을 고려하여 적절히 선택된다.
다음으로, 전기로에서 유리 조성에 따른 온도에서 가열하여 융액으로 한다. 이 때, 융액이 균일하게 되도록 교반하는 것이 바람직하다.
계속해서 얻어진 융액을 그라파이트판, 백금판, 백금-로듐 합금판, 지르코니아판 등의 위에 흘리기 시작하여 융액을 유리화한다.
마지막으로 유리를 분쇄하여 분말상으로 한다. 분쇄에는 제트밀, 비즈밀, 볼밀 등 공지된 방법을 적용할 수 있다.
n 형 확산층 형성 조성물 중의 도너 원소를 함유하는 유리 분말의 함유 비율은, 도포성, 도너 원소의 확산성 등을 고려하여 결정된다. 일반적으로는, n 형 확산층 형성 조성물 중의 유리 분말의 함유 비율은 0.1 질량％ 이상 95 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 1 질량％ 이상 90 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 1.5 질량％ 이상 85 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 2 질량％ 이상 80 질량％ 이하가 특히 바람직하다.
다음으로, 분산매에 대해 설명한다.
분산매란, 조성물 중에 있어서 상기 유리 분말을 분산시키는 매체이다. 구체적으로 분산매로는, 바인더나 용제 등이 채용된다.
바인더로는, 예를 들어, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴아미드류, 폴리비닐아미드류, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥사이드류, 폴리술폰산, 아크릴아미드알킬술폰산, 셀룰로오스에테르류, 셀룰로오스 유도체, 카르복시메틸셀룰로오스, 하이드록시에틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 젤라틴, 전분 및 전분 유도체, 알긴산나트륨 류, 잔탄, 구아 및 구아 유도체, 스클레로글루칸 및 스클레로글루칸 유도체, 트래거캔스 및 트래거캔스 유도체, 덱스트린 및 덱스트린 유도체, (메트)아크릴산 수지, (메트)아크릴산에스테르 수지 (예를 들어, 알킬(메트)아크릴레이트 수지, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트 수지 등), 부타디엔 수지, 스티렌 수지, 또는 이들의 공중합체, 그 밖에도 실록산 수지를 적절히 선택할 수 있다. 이들은 1 종류를 단독으로 사용하거나 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용된다.
바인더의 분자량은 특별히 제한되지 않고, 조성물로서의 원하는 점도를 감안하여 적절히 조정하는 것이 바람직하다.
용제로는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-iso-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸-iso-부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디에틸케톤, 디프로필케톤, 디-iso-부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤 등의 케톤계 용제 ; 디에틸에테르, 메틸에틸에테르, 메틸-n-프로필에테르, 디-iso-프로필에테르, 테트라하이드로푸란, 메틸테트라하이드로푸란, 디옥산, 디메틸디옥산, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜디부틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜메틸-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜디-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸-n-헥실에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸-n-헥실에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 테트라에틸렌글리콜메틸-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜메틸-n-헥실에테르, 테트라에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜디-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜디-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸-n-헥실에테르, 트리프로필렌글리콜디메틸에테르, 트리프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리프로필렌글리콜메틸에틸에테르, 트리프로필렌글리콜메틸-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜디-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜메틸-n-헥실에테르, 테트라프로필렌글리콜디메틸에테르, 테트라프로필렌글리콜디에틸에테르, 테트라디프로필렌글리콜메틸에틸에테르, 테트라프로필렌글리콜메틸-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜디-n-부틸에테르, 테트라프로필렌글리콜메틸-n-헥실에테르, 테트라프로필렌글리콜디-n-부틸에테르 등의 에테르계 용제 ; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산i-프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산i-부틸, 아세트산sec-부틸, 아세트산n-펜틸, 아세트산sec-펜틸, 아세트산3-메톡시부틸, 아세트산메틸펜틸, 아세트산2-에틸부틸, 아세트산2-에틸헥실, 아세트산2-(2-부톡시에톡시)에틸, 아세트산벤질, 아세트산시클로헥실, 아세트산메틸시클로헥실, 아세트산노닐, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 아세트산디에틸렌글리콜메틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜-n-부틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜메틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜에틸에테르, 디아세트산글리콜, 아세트산메톡시트리글리콜, 프로피온산에틸, 프로피온산n-부틸, 프로피온산i-아밀, 옥살산디에틸, 옥살산디-n-부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산n-부틸, 락트산n-아밀, 에틸렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 에틸렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜-n-부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤 등의 에스테르계 용제 ; 아세토니트릴, N-메틸피롤리디논, N-에틸피롤리디논, N-프로필피롤리디논, N-부틸피롤리디논, N-헥실피롤리디논, N-시클로헥실피롤리디논, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭사이드 등의 비프로톤성 극성 용제 ; 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, n-펜탄올, i-펜탄올, 2-메틸부탄올, sec-펜탄올, t-펜탄올, 3-메톡시부탄올, n-헥산올, 2-메틸펜탄올, sec-헥산올, 2-에틸부탄올, sec-헵탄올, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, sec-옥탄올, n-노닐알코올, n-데칸올, sec-운데실알코올, 트리메틸노닐알코올, sec-테트라데실알코올, sec-헵타데실알코올, 페놀, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 벤질알코올, 에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜 등의 알코올계 용제 ; 에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-헥실에테르, 에톡시트리글리콜, 테트라에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 글리콜모노에테르계 용제 ; α-테르피넨, α-테르피네올, 미르센, 알로오시멘, 리모넨, 디펜텐,α-피넨, β-피넨, 테르피네올, 카르본, 오시멘, 펠란드렌 등의 테르펜계 용제 ; 물을 들 수 있다. 이들은 1 종류를 단독으로 사용하거나 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용된다.
n 형 확산층 형성 조성물로 했을 경우, 기판에 대한 도포성의 관점에서, α-테르피네올, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산2-(2-부톡시에톡시)에틸이 바람직하다.
n 형 확산층 형성 조성물 중의 분산매의 함유 비율은, 도포성, 도너 농도를 고려하여 결정된다.
n 형 확산층 형성 조성물의 점도는, 도포성을 고려하여 10 mPa·S 이상 1000000 mPa·S 이하인 것이 바람직하고, 50 mPa·S 이상 500000 mPa·S 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, n 형 확산층 형성 조성물은 그 밖의 첨가제를 함유해도 된다. 그 밖의 첨가물로는, 예를 들어 상기 유리 분말과 반응하기 쉬운 금속을 들 수 있다.
n 형 확산층 형성 조성물은 반도체 기판 상에 도포되고, 고온에서 열처리됨으로써 n 형 확산층을 형성하는데, 그 때에 표면에 유리가 형성된다. 이 유리는 불화수소산 등의 산에 침지하여 제거되지만, 유리의 종류에 따라서는 잘 제거되지 않는 것이 있다. 그 경우에, 유리와 결정화되기 쉬운 Ag, Mn, Cu, Fe, Zn, Si 등의 금속을 첨가해 둠으로써, 산 세정 후에 용이하게 유리를 제거할 수 있다. 이들 중에서도, Ag, Si, Cu, Fe, Zn 및 Mn 에서 선택되는 적어도 1 종을 사용하는 것이 바람직하고, Ag, Si 및 Zn 에서 선택되는 적어도 1 종을 사용하는 것이 보다 바람직하며, Ag 를 사용하는 것이 특히 바람직하다.
상기 금속의 함유 비율은 유리의 종류나 당해 금속의 종류에 따라 적절히 조정하는 것이 바람직하고, 일반적으로는 상기 유리 분말에 대해 0.01 질량％ 이상 10 질량％ 이하인 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명의 n 형 확산층 및 태양 전지 소자의 제조 방법에 대해, 도 1 을 참조하면서 설명한다. 도 1 은 본 발명의 태양 전지 소자의 제조 공정의 일례를 개념적으로 나타내는 모식 단면도이다. 이후의 도면에 있어서는, 공통되는 구성 요소에 동일한 부호를 부여한다.
도 1 (1) 에서는, p 형 반도체 기판 (10) 인 실리콘 기판에 알칼리 용액을 부여하여 데미지층을 제거하고, 텍스처 구조를 에칭에 의해 얻는다.
상세하게는, 잉곳에서 슬라이스했을 때에 발생하는 실리콘 표면의 데미지층을 20 질량％ 가성 소다로 제거한다. 이어서 1 질량％ 가성 소다와 10 질량％ 이소프로필알코올의 혼합액에 의해 에칭을 실시하여, 텍스처 구조를 형성한다 (도 중에서는 텍스처 구조의 기재를 생략한다). 태양 전지 소자는 수광면 (표면) 측에 텍스처 구조를 형성함으로써, 광 가둠 효과가 촉진되어 고효율화가 도모된다.
도 1 (2) 에서는, p 형 반도체 기판 (10) 의 표면, 즉 수광면이 되는 면에 상기 n 형 확산층 형성 조성물을 도포하여, n 형 확산층 형성 조성물층 (11) 을 형성한다. 본 발명에서는 도포 방법에는 제한이 없지만, 예를 들어, 인쇄법, 스핀법, 브러시 도포, 스프레이법, 닥터 블레이드법, 롤코터법, 잉크젯법 등이 있다.
상기 n 형 확산층 형성 조성물의 도포량으로는 특별히 제한은 없다. 예를 들어, 유리 분말량으로서 0.01 g/㎡ ∼ 100 g/㎡ 로 할 수 있고, 0.1 g/㎡ ∼ 10 g/㎡ 인 것이 바람직하다.
또한, n 형 확산층 형성 조성물의 조성에 따라서는, 도포 후에 조성물 중에 함유되는 용제를 휘발시키기 위한 건조 공정을 형성해도 된다. 이 경우에는, 80 ∼ 300 ℃ 정도의 온도에서 핫 플레이트를 사용하는 경우에는 1 ∼ 10 분, 건조기 등을 사용하는 경우에는 10 ∼ 30 분 정도로 건조시킨다. 이 건조 조건은 n 형 확산층 형성 조성물의 용제 조성에 의존하고 있으며, 본 발명에서는 특별히 상기 조건에 한정되지 않는다.
또, 본 발명의 제조 방법을 사용하는 경우에는, 이면의 p+ 형 확산층 (고농도 전계층) (14) 의 제조 방법은 알루미늄에 의한 n 형 확산층에서 p 형 확산층으로의 변환에 의한 방법에 한정되지 않고, 종래 공지된 어떠한 방법도 채용할 수 있어, 제조 방법의 선택지가 넓어진다. 따라서, 예를 들어, B (보론) 등의 제 13 족 원소를 함유하는 조성물 (13) 을 부여하여 고농도 전계층 (14) 을 형성할 수 있다.
상기 B (보론) 등의 제 13 족 원소를 함유하는 조성물 (13) 로는, 예를 들어, 도너 원소를 함유하는 유리 분말 대신에 억셉터 원소를 함유하는 유리 분말을 사용하여, n 형 확산층 형성 조성물과 동일하게 하여 구성되는 p 형 확산층 형성 조성물을 들 수 있다. 억셉터 원소는 제 13 족 원소이면 되고, 예를 들어, B (보론), Al (알루미늄) 및 Ga (갈륨) 등을 들 수 있다. 또, 억셉터 원소를 함유하는 유리 분말은 B2O3, Al2O3 및 Ga2O3 에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 것이 바람직하다.
또한, p 형 확산층 형성 조성물을 실리콘 기판의 이면에 부여하는 방법은, 앞에 기술된 n 형 확산층 형성 조성물을 실리콘 기판 상에 도포하는 방법과 동일하다.
이면에 부여된 p 형 확산층 형성 조성물을, 후술하는 n 형 확산층 형성 조성물에 있어서의 열확산 처리와 동일하게 열확산 처리함으로써, 이면에 고농도 전계층 (14) 을 형성할 수 있다. 또한, p 형 확산층 형성 조성물의 열확산 처리는 n 형 확산층 형성 조성물의 열확산 처리와 동시에 실시하는 것이 바람직하다.
이어서, 상기 n 형 확산층 형성 조성물층 (11) 을 형성한 반도체 기판 (10)을 600 ℃ ∼ 1200 ℃ 에서 열확산 처리한다. 이 열확산 처리에 의해, 도 1 (3) 에 나타내는 바와 같이 반도체 기판 중으로 도너 원소가 확산되어, n 형 확산층 (12) 이 형성된다. 열확산 처리에는 공지된 연속로, 배치로 등을 적용할 수 있다. 또, 열확산 처리시의 노 내 분위기는, 공기, 산소, 질소 등으로 적절히 조정할 수도 있다.
열확산 처리 시간은 n 형 확산층 형성 조성물에 함유되는 도너 원소의 함유율 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 1 분간 ∼ 60 분간으로 할 수 있고, 2 분간 ∼ 30 분간인 것이 보다 바람직하다.
형성된 n 형 확산층 (12) 의 표면에는 인산 유리 등의 유리층 (도시 생략) 이 형성되어 있기 때문에, 이 인산 유리를 에칭에 의해 제거한다. 에칭으로는, 불화수소산 등의 산에 침지하는 방법, 가성 소다 등의 알칼리에 침지하는 방법 등 공지된 방법을 적용할 수 있다.
도 1 (2) 및 (3) 에 나타내는, 본 발명의 n 형 확산층 형성 조성물 (11) 을 사용하여 n 형 확산층 (12) 을 형성하는 본 발명의 n 형 확산층의 형성 방법에서는, 원하는 부위에만 n 형 확산층 (12) 이 형성되고, 이면이나 측면에는 불필요한 n 형 확산층이 형성되지 않는다.
따라서, 종래 널리 채용되어 있는 기상 반응법에 의해 n 형 확산층을 형성하는 방법에서는, 측면에 형성된 불필요한 n 형 확산층을 제거하기 위한 사이드 에칭 공정이 필수였지만, 본 발명의 제조 방법에 의하면 사이드 에칭 공정이 불필요해져, 공정이 간이화된다.
또, 종래의 제조 방법에서는, 이면에 형성된 불필요한 n 형 확산층을 p 형 확산층으로 변환할 필요가 있으며, 이 변환 방법으로는, 이면의 n 형 확산층에 제 13 족 원소인 알루미늄의 페이스트를 도포, 소성하여, n 형 확산층에 알루미늄을 확산시켜 p 형 확산층으로 변환하는 방법이 채용되고 있다. 이 방법에 있어서 p 형 확산층으로의 변환을 충분한 것으로 하고, 또한 p+ 층의 고농도 전계층을 형성하기 위해서는 어느 정도 이상의 알루미늄량이 필요하기 때문에, 알루미늄층을 두껍게 형성할 필요가 있었다. 그러나, 알루미늄의 열팽창률은 기판으로서 사용하는 실리콘의 열팽창률과 크게 상이하기 때문에, 소성 및 냉각의 과정에서 실리콘 기판 중에 큰 내부 응력을 발생시켜, 실리콘 기판의 휨의 원인이 되고 있었다.
이 내부 응력은 결정의 결정입계에 손상을 주어, 전력 손실이 커진다는 과제가 있었다. 또, 휨은, 모듈 공정에 있어서의 태양 전지 소자의 반송이나, 탭선이라 불리는 도선과의 접속에 있어서, 태양 전지 소자를 쉽게 파손시키고 있었다. 최근에는 슬라이스 가공 기술의 향상으로 실리콘 기판의 두께가 박형화되고 있어, 더욱 태양 전지 소자가 균열되기 쉬운 경향이 있다.
그러나 본 발명의 제조 방법에 의하면, 이면에 불필요한 n 형 확산층이 형성되지 않기 때문에, n 형 확산층에서 p 형 확산층으로의 변환을 실시할 필요가 없어져, 알루미늄층을 두껍게 할 필연성이 없어진다. 그 결과, 실리콘 기판 내의 내부 응력의 발생이나 휨을 억제할 수 있다. 결과적으로, 전력 손실의 증대나 태양 전지 소자의 파손을 억제하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 제조 방법을 사용하는 경우에는, 이면의 p+ 형 확산층 (고농도 전계층) (14) 의 제조 방법은 알루미늄에 의한 n 형 확산층에서 p 형 확산층으로의 변환에 의한 방법에 한정되지 않고, 종래 공지된 어느 방법도 채용할 수 있어, 제조 방법의 선택지가 넓어진다.
예를 들어, 도너 원소를 함유하는 유리 분말 대신에 억셉터 원소를 함유하는 유리 분말을 사용하여, n 형 확산층 형성 조성물과 동일하게 하여 구성되는 p 형 확산층 형성 조성물을 실리콘 기판의 이면 (n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 면과는 반대측의 면) 에 도포하고, 소성 처리함으로써, 이면에 p+ 형 확산층 (고농도 전계층) (14) 을 형성하는 것이 바람직하다.
또, 후술하는 바와 같이, 이면의 표면 전극 (20) 에 사용하는 재료는 제 13 족 알루미늄에 한정되지 않고, 예를 들어 Ag (은) 나 Cu (구리) 등을 적용할 수 있으며, 이면의 표면 전극 (20) 의 두께도 종래의 것보다 얇게 형성하는 것이 가능해진다.
도 1 (4) 에서는 n 형 확산층 (12) 상에 반사 방지막 (16) 을 형성한다. 반사 방지막 (16) 은 공지된 기술을 적용하여 형성된다. 예를 들어, 반사 방지막 (16) 이 실리콘질화막인 경우에는, SiH4 와 NH3 의 혼합 가스를 원료로 하는 플라스마 CVD 법에 의해 형성한다. 이 때, 수소가 결정 중에 확산되어, 실리콘 원자의 결합에 기여하지 않는 궤도, 즉 댕글링 본드와 수소가 결합하여, 결함을 불활성화 (수소 패시베이션) 한다.
보다 구체적으로는, 상기 혼합 가스 유량비 NH3/SiH4 가 0.05 ∼ 1.0, 반응실의 압력이 0.1 Torr ∼ 2 Torr, 성막시의 온도가 300 ℃ ∼ 550 ℃, 플라스마의 방전을 위한 주파수가 100 ㎑ 이상인 조건하에서 형성된다.
도 1 (5) 에서는 표면 (수광면) 의 반사 방지막 (16) 상에 표면 전극용 금속 페이스트를 스크린 인쇄법으로 인쇄 도포 건조시켜, 표면 전극 (18) 을 형성한다. 표면 전극용 금속 페이스트는, (1) 금속 입자와 (2) 유리 입자를 필수 성분으로 하며, 필요에 따라 (3) 수지 바인더, (4) 그 밖의 첨가제 등을 함유한다.
이어서, 상기 이면의 고농도 전계층 (14) 상에도 이면 전극 (20) 을 형성한다. 전술한 바와 같이, 본 발명에서는 이면 전극 (20) 의 재질이나 형성 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 알루미늄, 은, 또는 구리 등의 금속을 함유하는 이면 전극용 페이스트를 도포하고, 건조시켜, 이면 전극 (20) 을 형성해도 된다. 이 때, 이면에도 모듈 공정에 있어서의 태양 전지 소자간의 접속을 위해서, 일부에 은 전극 형성용 은 페이스트를 형성해도 된다.
도 1 (6) 에서는 전극을 소성하여 태양 전지 소자를 완성시킨다. 600 ∼ 900 ℃ 의 범위에서 수 초 ∼ 수 분간 소성하면, 표면측에서는 전극용 금속 페이스트에 함유되는 유리 입자에 의해 절연막인 반사 방지막 (16) 이 용융되고, 또한 실리콘 (10) 표면도 일부 용융되어, 페이스트 중의 금속 입자 (예를 들어, 은 입자) 가 실리콘 기판 (10) 과 접촉부를 형성하여 응고된다. 이로써, 형성된 표면 전극 (18) 과 실리콘 기판 (10) 이 도통된다. 이것은 파이어스루라고 칭해지고 있다.
표면 전극 (18) 의 형상에 대해 설명한다. 표면 전극 (18) 은, 버스 바 전극 (30), 및 그 버스 바 전극 (30) 과 교차하고 있는 핑거 전극 (32) 으로 구성된다. 도 2a 는 표면 전극 (18) 을 버스 바 전극 (30), 및 그 버스 바 전극 (30) 과 교차하고 있는 핑거 전극 (32) 으로 이루어지는 구성으로 한 태양 전지 소자를 표면에서 본 평면도이고, 도 2b 는 도 2a 의 일부를 확대하여 나타내는 사시도이다.
이와 같은 표면 전극 (18) 은, 예를 들어, 상기 서술한 금속 페이스트의 스크린 인쇄, 또는 전극 재료의 도금, 고진공 중에 있어서의 전자빔 가열에 의한 전극 재료의 증착 등의 수단에 의해 형성할 수 있다. 버스 바 전극 (30) 과 핑거 전극 (32) 으로 이루어지는 표면 전극 (18) 은 수광면측의 전극으로서 일반적으로 사용되고 있어 주지된 것이며, 수광면측의 버스 바 전극 및 핑거 전극의 공지된 형성 수단을 적용할 수 있다.
상기에서는 표면에 n 형 확산층, 이면에 p+ 형 확산층을 형성하고, 또한 각각의 층 상에 표면 전극 및 이면 전극을 형성한 태양 전지 소자에 대해 설명했는데, 본 발명의 n 형 확산층 형성 조성물을 사용하면 백 컨택트형의 태양 전지 소자를 제조할 수도 있다.
백 컨택트형의 태양 전지 소자는 전극을 모두 이면에 형성하여 수광면의 면적을 크게 하는 것이다. 요컨대, 백 컨택트형의 태양 전지 소자에서는 이면에 n 형 확산 부위 및 p+ 형 확산 부위의 양쪽을 형성하여 pn 접합 구조로 할 필요가 있다. 본 발명의 n 형 확산층 형성 조성물은 특정 부위에만 n 형 확산 부위를 형성하는 것이 가능하고, 따라서 백 컨택트형의 태양 전지 소자의 제조에 바람직하게 적용할 수 있다.
또한, 일본 특허 출원 2010-100224호의 개시는 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 도입된다.
본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허 출원 및 기술 규격은, 개개의 문헌, 특허 출원, 및 기술 규격이 참조에 의해 도입되는 것이 구체적이면서 또한 개개에 기록된 경우와 동일한 정도로, 본 명세서 중에 참조에 의해 도입된다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예를 더욱 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 제한되는 것은 아니다. 또한, 특별히 기술이 없는 한, 약품은 모두 시약을 사용하였다. 또, 「％」는 언급이 없는 한 「질량％」를 의미한다.
[실시예 1]
입자 형상이 대략 구상이고, 평균 입자경이 3.5 ㎛, 연화 온도가 490 ℃ 인 P2O5-SiO2 계 유리 (P2O5 함유량 : 10 ％) 분말 20 g 과, 에틸셀룰로오스 0.3 g 과, 아세트산2-(2-부톡시에톡시)에틸 7 g 을 자동 유발 혼련 장치를 사용하여 혼합해서 페이스트화하여, n 형 확산층 형성 조성물을 조제하였다.
또한, 유리 입자 형상은 (주) 히타치 하이테크놀로지스 제조 TM-1000 형 주사형 전자 현미경을 사용하여 관찰해서 판정하였다. 유리의 평균 입자경은 벡크만·쿨터 (주) 제조 LS 13 320 형 레이저 산란 회절법 입도 분포 측정 장치 (측정 파장 : 632 ㎚) 를 사용하여 산출하였다. 유리의 연화점은 (주) 시마즈 제작소 제조 DTG-60H 형 시차열·열중량 동시 측정 장치를 사용하여 시차열 (DTA) 곡선에 의해 구하였다.
다음으로, 조제한 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 p 형 실리콘 기판 표면에 도포하고, 150 ℃ 의 핫 플레이트 상에서 5 분간 건조시켰다. 계속해서, 1000 ℃ 로 설정한 전기로에서 10 분간 열확산 처리를 실시하고, 그 후 유리층을 제거하기 위해 기판을 불화수소산에 5 분간 침지하여, 유수 세정을 실시하였다. 표면에 약간의 부착물이 있었지만, 걸레로 문지름으로써 용이하게 제거할 수 있었다. 그 후, 건조를 실시하였다.
n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 80 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다. 이면의 시트 저항은 1000000 Ω／□ 이상으로 측정 불능이며, n 형 확산층은 실질적으로 형성되어 있지 않다고 판단되었다.
또한, 시트 저항은 미츠비시 화학 (주) 제조 Loresta-EP MCP-T360 형 저저항률계를 사용하여 4 탐침법에 의해 측정하였다.
[실시예 2]
열확산 처리 시간을 20 분으로 한 것 이외에는 실시예 1 과 마찬가지로 n 형 확산층 형성을 실시하였다. n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 62 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
이면의 시트 저항은 1000000 Ω／□ 이상으로 측정 불능이며, n 형 확산층은 실질적으로 형성되어 있지 않다고 판단되었다.
[실시예 3]
열확산 처리 시간을 30 분으로 한 것 이외에는 실시예 1 과 마찬가지로 n 형 확산층 형성을 실시하였다. n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 54 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
한편, 이면의 시트 저항은 1000000 Ω／□ 이상으로 측정 불능이며, n 형 확산층은 실질적으로 형성되어 있지 않다고 판단되었다.
[실시예 4]
유리 분말을 입자 형상이 대략 구상이고, 평균 입자경이 3.5 ㎛, 연화 온도가 543 ℃ 인 P2O5-SiO2 계 유리 분말 (P2O5 함유량 : 30 ％) 로 대신한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 n 형 확산층 형성 조성물을 조제하고, 이것을 사용하여 n 형 확산층 형성을 실시하였다. n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 55 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
한편, 이면의 시트 저항은 1000000 Ω／□ 이상으로 측정 불능이며, n 형 확산층은 실질적으로 형성되어 있지 않다고 판단되었다.
[실시예 5]
유리 분말을 입자 형상이 대략 구상이고, 평균 입자경이 3.5 ㎛, 연화 온도가 587 ℃ 인 P2O5-SiO2 계 유리 분말 (P2O5 함유량 : 50 ％) 로 대신한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 n 형 확산층 형성 조성물을 조제하고, 이것을 사용하여 n 형 확산층 형성을 실시하였다. n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 43 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
한편, 이면의 시트 저항은 1000000 Ω／□ 이상으로 측정 불능이며, n 형 확산층은 실질적으로 형성되어 있지 않다고 판단되었다.
[실시예 6]
유리 분말을 입자 형상이 대략 구상이고, 평균 입자경이 3.5 ㎛, 연화 온도가 612 ℃ 인 P2O5-SiO2 계 유리 분말 (P2O5 함유량 : 60 ％) 로 대신한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 n 형 확산층 형성 조성물을 조제하고, 이것을 사용하여 n 형 확산층 형성을 실시하였다. n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 40 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
한편, 이면의 시트 저항은 1000000 Ω／□ 이상으로 측정 불능이며, n 형 확산층은 실질적으로 형성되어 있지 않다고 판단되었다.
[실시예 7]
유리 분말을 입자 형상이 대략 구상이고, 평균 입자경이 3.5 ㎛, 연화 온도가 633 ℃ 인 P2O5-SiO2 계 유리 분말 (P2O5 함유량 : 70 ％) 로 대신한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 n 형 확산층 형성 조성물을 조제하고, 이것을 사용하여 n 형 확산층 형성을 실시하였다. n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 41 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
한편, 이면의 시트 저항은 1000000 Ω／□ 이상으로 측정 불능이며, n 형 확산층은 실질적으로 형성되어 있지 않다고 판단되었다.
[실시예 8]
유리 분말을 입자 형상이 대략 구상이고, 평균 입자경이 3.5 ㎛, 연화 온도가 495 ℃ 인 P2O5-ZnO 계 유리 분말 (P2O5 함유량 : 10 ％) 로 대신한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 n 형 확산층 형성 조성물을 조제하고, 이것을 사용하여 n 형 확산층 형성을 실시하였다. n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 67 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
한편, 이면의 시트 저항은 1000000 Ω／□ 이상으로 측정 불능이며, n 형 확산층은 실질적으로 형성되어 있지 않다고 판단되었다.
[실시예 9]
유리 분말을 입자 형상이 대략 구상이고, 평균 입자경이 3.5 ㎛, 연화 온도가 591 ℃ 인 P2O5-CaO 계 유리 분말 (P2O5 함유량 : 40 ％) 로 대신한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 n 형 확산층 형성 조성물을 조제하고, 이것을 사용하여 n 형 확산층 형성을 실시하였다. n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 22 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
한편, 이면의 시트 저항은 1000000 Ω／□ 이상으로 측정 불능이며, n 형 확산층은 실질적으로 형성되어 있지 않다고 판단되었다.
[실시예 10]
입자 형상이 대략 구상이고, 평균 입자경이 3.5 ㎛, 연화 온도가 527 ℃ 인 P2O5-SiO2 계 유리 (P2O5 함유량 : 10 ％) 분말 19.7 g 과, Ag 를 0.3 g 과, 에틸셀룰로오스 0.3 g 과, 아세트산2-(2-부톡시에톡시)에틸 7 g 을 자동 유발 혼련 장치를 사용하여 혼합해서 페이스트화하여, n 형 확산층 형성 조성물을 조제하였다. 그 후, 실시예 1 과 동일한 조작을 실시하였다.
그 결과, 세정 후의 기판에는 유리의 부착물이 없고, 용이하게 제거되어 있었다. 또, 표면의 시트 저항은 72 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
한편, 이면의 시트 저항은 1000000 Ω／□ 이상으로 측정 불능이며, n 형 확산층은 실질적으로 형성되어 있지 않다고 판단되었다.
[비교예 1]
유리 분말을 입자 형상이 대략 구상이고, 평균 입자경이 3.5 ㎛, 연화 온도가 467 ℃ 인 P2O5-SiO2 계 유리 분말 (P2O5 함유량 : 0.5 ％) 로 대신한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 n 형 확산층 형성 조성물을 조제하고, 이것을 사용하여 실시예 1 과 동일하게 해서 열확산 처리를 실시하였다.
n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 1000000 Ω／□ 이상으로 측정 불능이며, n 형 확산층은 실질적으로 형성되어 있지 않다고 판단되었다.
[비교예 2]
유리 분말을 입자 형상이 대략 구상이고, 평균 입자경이 3.5 ㎛, 연화 온도가 711 ℃ 인 P2O5-SiO2 계 유리 분말 (P2O5 함유량 : 85 ％) 로 대신한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 n 형 확산층 형성 조성물을 조제하고, 이것을 사용하여 실시예 1 과 동일하게 해서 열확산 처리를 실시하였다.
n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 36 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
그러나, 이면의 시트 저항이 255 Ω／□ 로, 이면에도 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
[비교예 3]
인산이수소암모늄 (NH4H2PO4) 분말 20 g 과, 에틸셀룰로오스 3 g, 아세트산2-(2-부톡시에톡시)에틸 7 g 을 혼합해서 페이스트화하여, n 형 확산층 형성 조성물을 조제하였다.
다음으로, 조제한 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 p 형 실리콘 기판 표면에 도포하고, 150 ℃ 의 핫 플레이트 상에서 5 분간 건조시켰다. 계속해서, 1000 ℃ 로 설정한 전기로에서 10 분간 열확산 처리를 실시하고, 그 후 유리층을 제거하기 위해 기판을 불화수소산에 5 분간 침지하여, 유수 세정, 건조를 실시하였다.
n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 14 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다. 그러나, 이면의 시트 저항은 50 Ω／□ 로, 이면에도 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
[비교예 4]
인산이수소암모늄 (NH4H2PO4) 분말 1 g 과, 순수 7 g, 폴리비닐알코올 0.7 g, 이소프로필알코올 1.5 g 을 혼합해서 용액을 조제하여, n 형 확산층 형성 조성물을 조제하였다.
다음으로, 조제한 용액을 스핀 코터 (2000 rpm, 30 sec) 에 의해 p 형 실리콘 기판 표면에 도포하고, 150 ℃ 의 핫 플레이트 상에서 5 분간 건조시켰다. 계속해서, 1000 ℃ 로 설정한 전기로에서 10 분간 열확산 처리를 실시하고, 그 후 유리층을 제거하기 위해 기판을 불화수소산에 5 분간 침지하여, 유수 세정, 건조를 실시하였다.
n 형 확산층 형성 조성물을 도포한 측의 표면의 시트 저항은 10 Ω／□ 이며, P (인) 가 확산되어 n 형 확산층이 형성되어 있었다. 그러나, 이면의 시트 저항은 100 Ω／□ 로, 이면에도 n 형 확산층이 형성되어 있었다.
10 p 형 반도체 기판
12 n 형 확산층
14 고농도 전계층
16 반사 방지막
18 표면 전극
20 이면 전극 (전극층)
30 버스 바 전극
32 핑거 전극

Claims (7)

  1. 도너 원소를 함유하는 유리 분말과 분산매를 함유하고, 상기 유리 분말이 도너 원소 함유 물질과 유리 성분 물질을 함유하며, 상기 유리 분말 중의 상기 도너 원소 함유 물질의 함유 비율이 1 질량％ 이상 80 질량％ 이하인, n 형 확산층 형성 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도너 원소가 P (인) 및 Sb (안티몬) 에서 선택되는 적어도 1 종인, n 형 확산층 형성 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 도너 원소를 함유하는 유리 분말이 P2O3, P2O5 및 Sb2O3 에서 선택되는 적어도 1 종의 도너 원소 함유 물질과, SiO2, K2O, Na2O, Li2O, BaO, SrO, CaO, MgO, BeO, ZnO, PbO, CdO, SnO, ZrO2 및 MoO3 에서 선택되는 적어도 1 종의 유리 성분 물질을 함유하는, n 형 확산층 형성 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    또한, Ag (은), Si (규소), Cu (구리), Fe (철), Zn (아연) 및 Mn (망간) 에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 함유하는, n 형 확산층 형성 조성물.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 금속이 Ag (은) 인, n 형 확산층 형성 조성물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 n 형 확산층 형성 조성물을 도포하는 공정과,
    열확산 처리를 실시하는 공정을 갖는, n 형 확산층의 제조 방법.
  7. 반도체 기판 상에 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 n 형 확산층 형성 조성물을 도포하는 공정과,
    열확산 처리를 실시하여 n 형 확산층을 형성하는 공정과,
    형성된 상기 n 형 확산층 상에 전극을 형성하는 공정을 갖는, 태양 전지 소자의 제조 방법.
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