KR20130059574A - Wafer cassette having cleaning function - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A wafer cassette having a cleaning function is provided to efficiently remove fume and process gas remaining on the surface of a wafer by controlling an injecting angle, a pressure, the amount of purge gas supplied to a wafer. CONSTITUTION: A plate(100) separates and stores a wafer(W). Ribs(102) are formed in one side of the plate at regular intervals. Nozzles are formed between the ribs at regular intervals. An injection nozzle(110) is a hollow tube type shape and inserted into the plate at regular intervals. A purge line(120) is connected to one end of the injection nozzle and supplies purge gas to the injection nozzle.

Description

세정 기능을 갖는 웨이퍼 카세트{WAFER CASSETTE HAVING CLEANING FUNCTION}Wafer cassette with cleaning function {WAFER CASSETTE HAVING CLEANING FUNCTION}

본 발명은 웨이퍼 카세트에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 대한 각종 공정의 수행 후 웨이퍼에 잔존하는 공정 가스 및 퓸 등을 제거하여 웨이퍼의 오염을 방지하는 세정 기능을 갖는 웨이퍼 카세트에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer cassette, and more particularly, to a wafer cassette having a cleaning function for preventing contamination of a wafer by removing process gases and fumes remaining on the wafer after performing various processes on the wafer.

일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼의 표면 상부에 여러 가지 기능을 수행하는 박막을 증착하고 이를 패터닝하여 다양한 회로 기하 구조를 형성함으로써 제조된다. 이러한 반도체 디바이스를 제조하기 위한 단위 공정은 크게 반도체 내부로 3B족 또는 5B족의 불순물 이온을 주입하는 불순물 이온 주입 공정, 반도체 기판상에 물질막을 형성하는 박막 증착 공정, 상기 물질막을 소정의 패턴으로 형성하는 식각 공정 및 웨이퍼 상부에 층간 절연막 등을 증착한 후에 일괄적으로 웨이퍼 표면을 연마하여 단차를 제거하는 평탄화 공정(Chemical Mechanical Polishing, CMP)을 비롯하여 불순물 제거를 위한 세정 공정 등으로 구분할 수 있다.In general, semiconductor devices are fabricated by depositing and patterning thin films that perform various functions on the surface of a wafer to form various circuit geometries. The unit process for manufacturing such a semiconductor device is largely an impurity ion implantation process for implanting impurity ions of Group 3B or 5B into the semiconductor, a thin film deposition process for forming a material film on a semiconductor substrate, and forming the material film in a predetermined pattern. The etching process and the planarization process (Chemical Mechanical Polishing, CMP) to remove the step by polishing the surface of the wafer collectively after depositing an interlayer insulating film, etc. on the wafer, and a cleaning process for removing impurities.

한편, 상술한 소정의 공정이 완료된 웨이퍼는 개별 단위로 이동되지 않고 20개 ~ 25개 단위 묶음으로 하나의 웨이퍼 카세트에 격납되어 이동되는데, 공정상에서 사용되는 공정 가스 및 공정상의 부산물인 퓸 등이 제거되지 않고 웨이퍼의 표면에 잔존한 채로 웨이퍼 카세트에 격납된다.On the other hand, the wafer in which the above-mentioned predetermined process is completed is stored in one wafer cassette in bundles of 20 to 25 units, instead of being moved to individual units, and the process gas used in the process and the fume which is a by-product of the process are removed. Instead, it is stored in the wafer cassette while remaining on the surface of the wafer.

그러나 이러한 잔존물이 웨이퍼의 표면에 부착된 상태로 공정을 진행하게 되면 반도체 제조 장비의 오염 및 에칭 패턴(etch pattern)의 불량 등으로 이어져 결국 제품의 신뢰성이 저하되므로 이를 제거하기 위한 여러 기술이 개발되고 있다.However, if the process is carried out while the residue is attached to the surface of the wafer, it leads to contamination of the semiconductor manufacturing equipment and defects of the etch pattern, which in turn lowers the reliability of the product. have.

즉, 도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼 카세트(20)가 수납되는 챔버(10) 내에 별도의 퍼지 라인(30)을 마련하고, 상기 퍼지 라인(30)을 통하여 퍼지 가스를 상기 웨이퍼 카세트(20)에 수납되는 웨이퍼(미도시) 측으로 분사함으로써 웨이퍼의 표면에 잔존하는 공정 가스 및 퓸 등을 제거한다.That is, as shown in FIG. 1, a separate purge line 30 is provided in the chamber 10 in which the wafer cassette 20 is accommodated, and purge gas is supplied to the wafer cassette 20 through the purge line 30. By spraying toward the wafer (not shown) accommodated in the wafer, process gas, fume, and the like remaining on the surface of the wafer are removed.

그러나 상술한 방법에 의하면 챔버 내부에 별도의 퍼지 라인을 마련함으로써 반도체 제조 장비의 설비 비용이 증가할 뿐만 아니라 유지 보수 비용도 증가한다는 문제점이 있으며, 퍼지 라인을 통하여 분사되는 퍼지 가스의 유량, 분사압 및 분사 각도 등의 제어가 불가능하여 웨이퍼의 수율이 저하된다는 문제점이 발생한다.However, according to the above-described method, by providing a separate purge line inside the chamber, not only the equipment cost of the semiconductor manufacturing equipment increases but also the maintenance cost increases, and the flow rate and injection pressure of the purge gas injected through the purge line are increased. And it is impossible to control the injection angle and the like, a problem occurs that the yield of the wafer is lowered.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼의 표면에 잔존하는 공정 가스 및 퓸 등을 제거하기 위하여 웨이퍼에 인접하여 퍼지 가스를 분사하도록 웨이퍼 카세트에 퍼지 가스의 분사 기능을 갖는 장치를 일체화시킴과 동시에 퍼지 가스의 유량, 분사압 및 분사 각도를 조절할 수 있는 웨이퍼 카세트를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and integrates a device having a spraying function of a purge gas into a wafer cassette to spray a purge gas adjacent to a wafer to remove process gases and fumes remaining on the surface of the wafer. And at the same time to provide a wafer cassette that can adjust the flow rate, injection pressure and injection angle of the purge gas.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical object of the present invention is not limited to the above-mentioned technical objects and other technical objects which are not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description will be.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다수의 웨이퍼가 격납되는 웨이퍼 카세트는, 상기 웨이퍼를 각각 분리하여 격납하는 복수의 리브가 그 일면에 마련되고, 상기 리브 사이에는 복수의 분사구가 일정 간격으로 형성되는 플레이트; 및 상기 플레이트에 삽입되며, 그 외주면에는 상기 웨이퍼 측으로 퍼지 가스를 분사하는 노즐구가 상기 분사구와 연통되도록 형성되는 복수의 분사 노즐; 을 포함한다.In the wafer cassette in which a plurality of wafers of the present invention are stored for achieving the above object, a plurality of ribs separating and storing the wafers are provided on one surface thereof, and a plate having a plurality of injection holes formed at regular intervals between the ribs. ; And a plurality of injection nozzles inserted into the plate, the outer circumferential surfaces of which nozzle nozzles for injecting purge gas to the wafer side communicate with the injection holes. .

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 플레이트는 상기 웨이퍼의 양측에서 서로 대향되도록 한 쌍이 마련되는 것을 특징으로 한다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the plate is characterized in that a pair is provided so as to face each other on both sides of the wafer.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 상기 플레이트는 상기 웨이퍼의 양측 및 상측에 각각 마련되는 것을 특징으로 한다.In addition, according to another embodiment of the present invention, the plates are provided on both sides and the upper side of the wafer, respectively.

또한, 상기 분사 노즐은 그 길이 방향을 중심축으로 하여 소정 각도로 회동 및 고정 가능하게 마련되는 것을 특징으로 한다.In addition, the injection nozzle is characterized in that it is provided to be rotatable and fixed at a predetermined angle with the longitudinal axis as the center axis.

또한, 상기 노즐구는 상기 분사 노즐의 횡방향으로 적어도 하나 이상이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the nozzle port is characterized in that at least one or more are formed in the transverse direction of the injection nozzle.

또한, 상기 분사 노즐에 상기 퍼지 가스를 공급하도록 상기 분사 노즐의 일단에 각각 연결되는 퍼지 라인; 을 더 포함한다.In addition, purge lines connected to one end of the injection nozzle to supply the purge gas to the injection nozzle; .

또한, 상기 분사 노즐을 통하여 분사되는 상기 퍼지 가스의 압력, 유량 및 상기 분사 노즐의 회동 각도를 제어하는 제어부; 를 더 포함한다.In addition, the control unit for controlling the pressure, the flow rate and the rotation angle of the injection nozzle of the purge gas injected through the injection nozzle; .

본 발명에 따르면, 웨이퍼의 표면에 잔존하는 공정 가스 및 퓸 등을 제거하기 위하여 웨이퍼에 인접하여 퍼지 가스를 분사하도록 웨이퍼 카세트에 퍼지 가스의 분사 기능을 갖는 장치를 일체화시킴으로써 반도체 제조 장비의 설비 비용 및 유지 보수 비용을 줄일 수 있는 장점이 있다.According to the present invention, the equipment cost of the semiconductor manufacturing equipment is integrated by integrating a device having the function of purging the purge gas in the wafer cassette to inject the purge gas adjacent to the wafer to remove the process gas and the fume remaining on the surface of the wafer. This has the advantage of reducing maintenance costs.

또한, 웨이퍼로 분사되는 퍼지 가스의 유량, 압력 및 분사 각도를 조절함으로써 웨이퍼의 표면에 잔존하는 공정 가스 및 퓸 등의 제거 효율을 극대화하여 웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. In addition, by adjusting the flow rate, pressure, and injection angle of the purge gas injected to the wafer, there is an advantage of improving the yield of the wafer by maximizing the removal efficiency of the process gas and the fume remaining on the surface of the wafer.

도 1은 일반적인 웨이퍼 카세트가 챔버 내부에 수납된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 카세트를 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 카세트의 주요 부분을 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 카세트의 주요 부분을 나타낸 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 카세트가 챔버 내부에 수납된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 카세트가 챔버 내부에 수납된 상태로 반도체 제조 장비에 장착된 상태를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing a state in which a general wafer cassette is accommodated in a chamber.
2 is a perspective view showing a wafer cassette according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view showing a main portion of a wafer cassette according to an embodiment of the present invention.
4 is a perspective view showing a main portion of a wafer cassette according to another embodiment of the present invention.
5 is a perspective view illustrating a wafer cassette housed in a chamber according to an embodiment of the present invention.
6 is a perspective view illustrating a state in which a wafer cassette according to an embodiment of the present invention is mounted in semiconductor manufacturing equipment in a state of being accommodated in a chamber.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다. 그리고 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 실시예를 용이하게 실시할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 범위 내에 속함은 물론이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The sizes and shapes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience. In addition, terms defined in consideration of the configuration and operation of the present invention may be changed according to the intention or custom of the user, the operator. Definitions of these terms should be based on the content of this specification. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. Of course.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 카세트 및 이의 주요 부분을 나타낸 사시도이며, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 카세트의 주요 부분을 나타낸 사시도이다. 도 2 내지 도 4를 참조하여 상기 웨이퍼 카세트의 구체적인 구조 및 작동 과정에 대하여 상세히 설명한다.2 and 3 are perspective views showing a wafer cassette and a main part thereof according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a perspective view showing a main part of a wafer cassette according to another embodiment of the present invention. A detailed structure and an operation process of the wafer cassette will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4.

본 발명에 따르면, 상기 웨이퍼 카세트는 플레이트(100), 퍼지 라인(120) 및 제어부 등을 포함하여 구성되고, 그 내부에는 다수의 웨이퍼(W)가 격납된다.According to the present invention, the wafer cassette includes a plate 100, a purge line 120, a controller, and the like, and a plurality of wafers W are stored therein.

도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 플레이트(100)는 공정 대상이 되는 웨이퍼(W)의 양측에서 서로 대향되도록 한 쌍이 마련되어 상기 웨이퍼(W)를 각각 분리하여 격납하게 되는데, 이를 위하여 그 일면에는 복수의 리브(102)가 높이 방향을 따라 일정 간격으로 마련된다.According to an embodiment of the present invention as shown in Figure 3, the plate 100 is provided with a pair so as to face each other on both sides of the wafer (W) to be processed to separate and store the wafer (W), respectively To this end, a plurality of ribs 102 are provided on one surface at regular intervals along the height direction.

그리고 상기 리브(102) 사이에는 복수의 분사구(104)가 일정 간격으로 형성되며, 후술할 퍼지 라인(120)을 통하여 공급되는 퍼지 가스는 상기 분사구(104)를 통하여 상기 웨이퍼(W) 측으로 분사된다.A plurality of injection holes 104 are formed at regular intervals between the ribs 102, and the purge gas supplied through the purge line 120 to be described later is injected to the wafer W through the injection holes 104. .

상기 분사 노즐(110)은 중공의 관 형상으로 복수개 마련되어 상기 플레이트(100)에 일정 간격으로 삽입된다. 그리고 상기 분사 노즐(110)의 외주면에는 노즐구(112)가 형성되는데, 상기 노즐구(112)는 상기 분사 노즐(110)이 상기 플레이트(100)에 삽입되었을 때 상기 플레이트(100)의 분사구(104)와 연통되는 위치에 배치되도록 형성되며, 따라서 퍼지 가스는 상기 노즐구(112) 및 상기 분사구(104)를 통하여 상기 웨이퍼(W) 측으로 분사된다.The injection nozzle 110 is provided in a plurality of hollow tubular shape is inserted into the plate 100 at regular intervals. In addition, a nozzle hole 112 is formed on an outer circumferential surface of the injection nozzle 110, and the nozzle hole 112 is an injection hole of the plate 100 when the injection nozzle 110 is inserted into the plate 100. It is formed so as to be in communication with the 104, and therefore the purge gas is injected to the wafer (W) side through the nozzle port 112 and the injection port (104).

여기서, 상기 노즐구(112)는 상기 분사 노즐(110)의 횡방향으로 적어도 하나 이상이 형성된다. 즉, 상기 노즐구(112)는 상기 분사구(104)의 개방 면적 내에서 상기 분사 노즐(110)의 횡방향으로 일정 간격으로 복수개 형성될 수 있으며, 이 경우 퍼지 가스는 상기 웨이퍼(W) 측을 향하여 보다 넓은 면적으로 분사된다.Here, at least one nozzle hole 112 is formed in the transverse direction of the spray nozzle 110. That is, the nozzle holes 112 may be formed in plural at regular intervals in the lateral direction of the injection nozzles 110 in the open area of the injection holes 104, in which case purge gas may be formed on the wafer W side. Toward a larger area.

한편, 상기 분사 노즐(110)은 그 길이 방향을 중심축으로 하여 소정 각도록 회동 및 고정 가능하게 마련된다. 즉, 상기 웨이퍼 카세트에 격납되는 웨이퍼(W)는 그 직경 또는 두께가 다양한데 이러한 다양한 종류의 웨이퍼(W)에 대응하여 최적의 각도로 퍼지 가스를 분사함으로써 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 공정 가스 및 퓸 등을 효율적으로 제거할 수 있도록 상기 분사 노즐(110)은 상기 플레이트(100)에 삽입된 상태에서 그 길이 방향을 따라 일정 각도로 회동된다. 여기서, 상기 분사 노즐(110)은 상기 노즐구(112)가 상기 분사구(104)의 내부 측벽에 간섭되지 않은 범위의 각도록 회동되는 것이 바람직하다.On the other hand, the injection nozzle 110 is provided to be rotated and fixed to a predetermined angle with the longitudinal axis as the central axis. That is, the wafer W stored in the wafer cassette has various diameters or thicknesses, and the process gas remaining on the surface of the wafer W by spraying a purge gas at an optimum angle corresponding to the various kinds of wafers W. And the spray nozzle 110 is rotated at a predetermined angle along its longitudinal direction in a state where the spray nozzle 110 is inserted into the plate 100 so as to efficiently remove fume and the like. Here, the injection nozzle 110 is preferably rotated so that the nozzle hole 112 in the range of not interfere with the inner sidewall of the injection hole 104.

그리고, 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 분사 노즐(110)은 상기 플레이트(100)의 높이 방향으로 삽입되므로 상기 분사 노즐(110)은 상기 웨이퍼(W)의 양측에서 좌우로 회동하면서 퍼지 가스를 분사하게 된다. And, as shown in Figure 3 according to an embodiment of the present invention, since the injection nozzle 110 is inserted in the height direction of the plate 100, the injection nozzle 110 is on both sides of the wafer (W) The purge gas is injected while rotating from side to side.

한편, 도시하지는 않았지만 본 발명의 다른 실시예에 따르면 상기 분사 노즐(110)은 상기 플레이트(100)의 너비 방향으로 삽입될 수 있고, 이때에는 상기 웨이퍼(W)의 양측에서 상하로 회동하면서 퍼지 가스를 분사하게 된다.On the other hand, although not shown, according to another embodiment of the present invention, the injection nozzle 110 may be inserted in the width direction of the plate 100, in this case purge gas while rotating up and down on both sides of the wafer (W) Will be sprayed.

또한, 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따르면 상기 플레이트(100)는 상기 웨이퍼(W)의 양측 및 상측에 각각 마련된다. 이 경우 상기 웨이퍼(W)의 상측에서도 퍼지 가스가 분사되므로 상기 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 공정 가스 및 퓸 등을 더 효율적으로 제거할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 4, the plate 100 is provided on both sides and the upper side of the wafer W, respectively. In this case, since the purge gas is injected from the upper side of the wafer W, the process gas and the fume remaining on the surface of the wafer W can be more efficiently removed.

따라서, 본 발명에 따르면 웨이퍼(W)의 직경 또는 두께에 따라 퍼지 가스의 분사 각도 및 분사 범위를 최적으로 제어할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 수율이 향상된다.Therefore, according to the present invention, since the injection angle and the injection range of the purge gas can be optimally controlled according to the diameter or thickness of the wafer W, the yield of the wafer W is improved.

상기 퍼지 라인(120)은 상기 분사 노즐(110)의 일단에 각각 연결됨으로써 상기 분사 노즐(110)에 퍼지 가스를 공급한다. 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 퍼지 라인(120)은 상기 분사 노즐(110)의 하단에 연결되나, 상기 분사 노즐(110)의 상단에 연결될 수도 있으며 그 연결 방향에 따라서 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.The purge line 120 is connected to one end of the injection nozzle 110 to supply a purge gas to the injection nozzle 110. As shown in FIG. 2, the purge line 120 may be connected to a lower end of the injection nozzle 110, but may be connected to an upper end of the injection nozzle 110. Therefore, the content of the present invention is not limited.

상기 제어부(미도시)는 상기 분사 노즐(110)을 통하여 분사되는 퍼지 가스의 압력, 유량 및 분사 노즐(110)의 회동 각도를 제어한다. 상술한 바와 같이 웨이퍼(W)는 그 종류에 따라 직경 및 두께 등이 다양하며 이에 따라 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 공정 가스 및 퓸 등을 효율적으로 제거하기 위하여 퍼지 가스의 분사 압력, 분사 유량 및 분사 각도 등을 조절할 필요가 있다. The controller (not shown) controls the pressure of the purge gas injected through the injection nozzle 110, the flow rate, and the rotation angle of the injection nozzle 110. As described above, the wafer W varies in diameter and thickness according to its type, and accordingly, in order to efficiently remove process gas and fume remaining on the surface of the wafer W, injection pressure and injection flow rate of the purge gas are effectively removed. And injection angles.

따라서, 상기 제어부는 상기 퍼지 라인(120) 상에 마련되는 펌프 또는 밸브의 개도율, 상기 분사 노즐(110)의 회동 각도 등을 제어함으로써 퍼지 가스의 분사 유량, 분사 압력 및 분사 각도 등을 조절하게 된다.Accordingly, the controller controls the opening rate of the pump or valve provided on the purge line 120, the rotation angle of the injection nozzle 110, and the like to adjust the injection flow rate, injection pressure, and injection angle of the purge gas. do.

한편, 상기 제어부는 상기 웨이퍼 카세트 상에 마련될 수 있으나, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 공정 가스 및 퓸 등의 영향을 받지 않기 위하여 상기 웨이퍼(W)의 외부에 별도로 마련되는 것이 바람직하다.On the other hand, the control unit may be provided on the wafer cassette, but is preferably provided separately from the outside of the wafer (W) in order not to be affected by the process gas and fume remaining on the surface of the wafer (W).

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 카세트가 카세트 스토리지 내부에 수납된 상태를 나타낸 사시도이며, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 카세트가 카세트 스토리지 내부에 수납된 상태로 반도체 제조 장비에 장착된 상태를 나타낸 사시도이다.5 is a perspective view illustrating a state in which a wafer cassette is accommodated in a cassette storage according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 illustrates a semiconductor manufacturing process in which a wafer cassette is accommodated in a cassette storage according to an embodiment of the present invention. This is a perspective view showing the state mounted on the equipment.

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 카세트는 상기 카세트 스토리지(200)에 수납된 상태에서 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 공정 가스 및 퓸 등을 제거하는 공정을 수행한다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이 소정의 반도체 제조 공정이 완료된 다수의 웨이퍼(W)가 상기 반도체 제조 장비(300)에 장착된 카세트 스토리지(200) 내부에 수납된 웨이퍼 카세트에 차례로 격납된 후, 상기 웨이퍼 카세트의 분사 노즐(110)은 웨이퍼(W) 측으로 퍼지 가스를 분사함으로써 웨이퍼(W)의 표면에 대한 세정 공정을 수행하게 된다. 여기서, 상기 카세트 스토리지(200)는 도 6에 도시된 바와 같이 상기 반도체 제조 장비(300)의 후방 또는 양측에 마련될 수 있다.As illustrated in FIG. 5, the wafer cassette performs a process of removing process gas, fume, and the like remaining on the surface of the wafer W in a state of being accommodated in the cassette storage 200. That is, as shown in FIG. 6, after a plurality of wafers W, in which a predetermined semiconductor manufacturing process is completed, are sequentially stored in a wafer cassette housed inside a cassette storage 200 mounted on the semiconductor manufacturing equipment 300, The injection nozzle 110 of the wafer cassette performs a cleaning process on the surface of the wafer W by injecting purge gas to the wafer W side. Here, the cassette storage 200 may be provided at the rear or both sides of the semiconductor manufacturing equipment 300 as shown in FIG.

따라서, 본 발명에 따르면 웨이퍼(W) 측으로 퍼지 가스의 분사하는 분사 노즐(110)이 웨이퍼 카세트에 일체화됨으로써 반도체 제조 장비(300)의 설비 비용 및 유지 보수 비용을 줄일 수 있다.Therefore, according to the present invention, the injection nozzle 110 for injecting the purge gas toward the wafer W may be integrated in the wafer cassette, thereby reducing the installation cost and the maintenance cost of the semiconductor manufacturing equipment 300.

이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the following claims.

100: 플레이트 102: 리브
104: 분사구 110: 분사 노즐
112: 노즐구 120: 퍼지 라인
200: 카세트 스토리지(cassette storage) 300: 반도체 제조 장비100: plate 102: rib
104: injection nozzle 110: injection nozzle
112: nozzle port 120: purge line
200: cassette storage 300: semiconductor manufacturing equipment

Claims (7)

다수의 웨이퍼가 격납되는 웨이퍼 카세트에 있어서,
상기 웨이퍼를 각각 분리하여 격납하는 복수의 리브가 그 일면에 마련되고, 상기 리브 사이에는 복수의 분사구가 일정 간격으로 형성되는 플레이트; 및
상기 플레이트에 삽입되며, 그 외주면에는 상기 웨이퍼 측으로 퍼지 가스를 분사하는 노즐구가 상기 분사구와 연통되도록 형성되는 복수의 분사 노즐; 을 포함하는 웨이퍼 카세트.In a wafer cassette in which a plurality of wafers are stored,
A plate having a plurality of ribs separating and storing the wafers, respectively, on one surface thereof, and a plurality of injection holes formed at regular intervals between the ribs; And
A plurality of injection nozzles inserted into the plate, the outer circumferential surfaces of which nozzle nozzles for injecting purge gas to the wafer side communicate with the injection holes; Wafer cassette comprising a. 제1항에 있어서,
상기 플레이트는 상기 웨이퍼의 양측에서 서로 대향되도록 한 쌍이 마련되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 카세트.The method of claim 1,
The plate is a wafer cassette, characterized in that a pair is provided so as to face each other on both sides of the wafer. 제1항에 있어서,
상기 플레이트는 상기 웨이퍼의 양측 및 상측에 각각 마련되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 카세트.The method of claim 1,
The plate is a wafer cassette, characterized in that provided on both sides and the upper side of the wafer, respectively. 제1항에 있어서,
상기 분사 노즐은 그 길이 방향을 중심축으로 하여 소정 각도로 회동 및 고정 가능하게 마련되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 카세트.The method of claim 1,
And the ejection nozzle is rotatably and fixed at a predetermined angle with its longitudinal direction as the central axis. 제1항에 있어서,
상기 노즐구는 상기 분사 노즐의 횡방향으로 적어도 하나 이상이 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 카세트.The method of claim 1,
The nozzle cassette is characterized in that at least one or more formed in the transverse direction of the injection nozzle. 제1항에 있어서,
상기 분사 노즐에 상기 퍼지 가스를 공급하도록 상기 분사 노즐의 일단에 각각 연결되는 퍼지 라인; 을 더 포함하는 웨이퍼 카세트.The method of claim 1,
A purge line connected to one end of the injection nozzle to supply the purge gas to the injection nozzle; Wafer cassette further comprising. 제4항에 있어서,
상기 분사 노즐을 통하여 분사되는 상기 퍼지 가스의 압력, 유량 및 상기 분사 노즐의 회동 각도를 제어하는 제어부; 를 더 포함하는 웨이퍼 카세트.5. The method of claim 4,
A control unit controlling a pressure, a flow rate, and a rotation angle of the injection nozzle of the purge gas injected through the injection nozzle; Wafer cassette further comprising.
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