KR100729264B1

KR100729264B1 - Gas injector and apparatus for manufacturing a wafer having the sasme

Info

Publication number: KR100729264B1
Application number: KR1020060048861A
Authority: KR
Inventors: 강태우; 박종철; 임장빈
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-05-30
Filing date: 2006-05-30
Publication date: 2007-06-15

Abstract

A gas injector and a wafer processing apparatus having the same are provided to supply uniformly a process gas onto a wafer by controlling the amount and direction of the process gas sprayed from a second body using a position controlling process on a first body. A gas injector(100) includes a first body and a second body. The first body(110) is formed like a cylinder type structure with an upper opening. The first body includes a first hole(116) at a lower surface, a second hole(118) at a lateral and a groove(120) along the first hole. The first body is used for supplying a process gas. The second body(130) is capable of storing the first body. The second body includes a third hole(136) at a lower surface and a fourth hole(138) at a lateral. The second body is used for spraying the process gas supplied from the first body through the third or/and fourth holes according to the height of the first body.

Description

Gas injector and apparatus for manufacturing a wafer having the sasme

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가스 인젝터를 설명하기 위한 단면 사시도이다.1 is a cross-sectional perspective view illustrating a gas injector according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 제1 몸체를 설명하기 위한 단면 사시도이다.FIG. 2 is a cross-sectional perspective view illustrating the first body illustrated in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 제2 몸체를 설명하기 위한 단면 사시도이다.3 is a cross-sectional perspective view illustrating the second body shown in FIG. 1.

도 4 내지 8은 도 1에 도시된 제1 몸체의 위치에 따른 가스 분사를 설명하기 위한 단면도들이다.4 to 8 are cross-sectional views for describing gas injection according to the position of the first body shown in FIG. 1.

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가스 인젝터를 설명하기 위한 단면 사시도이다.9 is a cross-sectional perspective view illustrating a gas injector according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 가스 인젝터를 설명하기 위한 단면 사시도이다.10 is a cross-sectional perspective view illustrating a gas injector according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치를 설명하기 위한 단면도이다.11 is a cross-sectional view illustrating a wafer processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 가스 인젝터 110 : 제1 몸체100 gas injector 110 first body

112 : 제1 중공 114 : 제1 나사산112: first hollow 114: first thread

116 : 제1 홀 118 : 제2 홀116: first hole 118: second hole

120 : 홈 130 : 제2 몸체120: groove 130: second body

132 : 제2 중공 134 : 제2 나사산132: second hollow 134: second thread

136 : 제3 홀 138 : 제4 홀136: third hole 138: fourth hole

140 : 제5 홀 142 : 제6 홀140: fifth hole 142: sixth hole

500 : 웨이퍼 가공 장치 510 : 챔버500: wafer processing apparatus 510: chamber

520 : 스테이지 530 : 가스 인젝터520: stage 530: gas injector

540 : 바이어스 전원 550 : 고주파 전원540: bias power 550: high frequency power

W : 웨이퍼W: Wafer

본 발명은 가스 인젝터 및 이를 갖는 웨이퍼 가공 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 상으로 상기 웨이퍼 가공을 위한 공정 가스를 분사하는 가스 인젝터 및 이를 갖는 웨이퍼 가공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas injector and a wafer processing apparatus having the same, and more particularly, to a gas injector for injecting a process gas for processing the wafer onto a wafer and a wafer processing apparatus having the same.

일반적으로 반도체 장치는 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 반복적으로 수행하여 제조된다.Generally, a semiconductor device uses a deposition process for forming a film on a wafer, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photoresist pattern. An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the wafer, a cleaning process for removing impurities on the wafer, and a wafer on which the film or pattern is formed It is prepared by repeatedly performing the inspection process for inspecting the surface of the.

상기 반도체 장치의 제조 공정 중 식각 공정은 크게 건식 식각과 습식 식각으로 분류된다. 상기 식각 공정 중 건식 식각 공정은 진공 상태의 반응 챔버 내부에 웨이퍼로부터 제거시킬 막질과 반응하는 공정 가스를 공급하고, 상기 웨이퍼의 상측과 하측에 위치한 전극판에 고주파(Radio Frequency; RF) 전력을 공급하여 상기 공정 가스를 플라즈마(Plasma) 상태로 한 후, 플라즈마 상태의 상기 공정 가스를 포토레지스트 패턴(Photo-resist pattern)에 의해 노출된 웨이퍼 상의 특정 막질과 반응시킴으로써 불필요한 부위의 막질을 제거시키는 방식이다.The etching process of the semiconductor device manufacturing process is largely classified into dry etching and wet etching. The dry etching process of the etching process supplies a process gas that reacts with the film to be removed from the wafer inside the reaction chamber in a vacuum state, and supplies radio frequency (RF) power to electrode plates located above and below the wafer. The process gas to a plasma state, and then the process gas in the plasma state is reacted with a specific film quality on the wafer exposed by a photo-resist pattern to remove unnecessary film quality. .

종래의 기술에 따르면, 웨이퍼의 중심 부위의 상방에 위치한 가스 인젝터에서 상기 웨이퍼로 식각 가스를 분사하여 상기와 같은 건식 식각 공정을 수행한다. 상기 가스 인젝터가 상기 웨이퍼의 중심 부위의 상방에 위치하고, 상기 식각 가스를 분사하기 위한 홀이 경사진 형태를 갖는다. 그러므로 상기 식각 가스가 웨이퍼 전체에 균일하게 제공되지 못하는 문제점이 있다. 즉, 상기 웨이퍼의 중심 부위에는 상기 식각 가스가 상대적으로 적게 공급되고, 상기 웨이퍼의 에지 부위에는 상기 식각 가스가 상대적으로 많이 공급된다. 따라서, 상기 웨이퍼의 중심 부위에서의 식각량과 상기 에지 부위에서의 식각량이 달라 상기 웨이퍼의 식각 균일도가 나빠지는 문제점이 있다. 상기와 같은 문제점은 상기 웨이퍼가 대구경화됨에 따라 더욱 커진다. According to the related art, an etching gas is injected into the wafer from a gas injector located above the center portion of the wafer to perform the dry etching process as described above. The gas injector is located above the central portion of the wafer, and the hole for injecting the etching gas has an inclined shape. Therefore, there is a problem that the etching gas is not uniformly provided throughout the wafer. That is, the etching gas is relatively supplied to the center portion of the wafer, and the etching gas is relatively supplied to the edge portion of the wafer. Therefore, there is a problem in that the etching uniformity of the wafer is different from the etching amount at the center portion of the wafer and the etching amount at the edge portion. The above problem becomes larger as the wafer is larger in size.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 웨이퍼 상으로 웨이퍼 가공을 위한 공정 가스를 균일하게 분사하기 위한 가스 인젝터를 제공하는데 있다. An object of the present invention for solving the above problems is to provide a gas injector for uniformly injecting a process gas for processing a wafer onto a wafer.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 다른 목적은 상기 가스 인젝터를 갖는 웨이퍼 가공 장치를 제공하는데 있다. Another object of the present invention for solving the above problems is to provide a wafer processing apparatus having the gas injector.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의하면, 가스 인젝터는 상방이 개방된 중공의 실린더 형태를 가지고, 하부면에 제1 홀, 측면에 제2 홀 및 상기 제1 홀이 위치한 측면의 둘레를 따라 홈을 각각 가지며, 웨이퍼의 가공을 위한 공정 가스를 제공하는 제1 몸체 및 상방이 개방된 중공의 실린더 형태를 가지고, 내부에 상기 제1 몸체를 상하 이동가능하도록 수용하며, 하부면에 제3 홀과 측면에 제4 홀을 각각 가지며, 상기 제1 몸체의 높이에 따라 상기 제3 홀 및/또는 상기 제4 홀을 통해 상기 제1 몸체로부터 제공된 공정 가스를 분사하기 위한 제2 몸체를 포함한다.According to the present invention for achieving the object of the present invention, the gas injector has a hollow cylinder shape of the upper opening, the first hole on the lower surface, the second hole on the side surface and the circumference of the side of the first hole is located Each of which has a groove along the shape of the first body and a hollow cylinder having an upper opening, which provides a process gas for processing the wafer, and accommodates the first body in a vertical direction, A third body having a third hole and a fourth hole on each side, and for injecting a process gas provided from the first body through the third hole and / or the fourth hole according to the height of the first body; do.

상기 본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 제1 몸체가 상기 제2 몸체의 내부 저면에 밀착되는 경우, 상기 제 2홀과 상기 제4홀은 동일한 높이에 위치할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, when the first body is in close contact with the inner bottom of the second body, the second hole and the fourth hole may be located at the same height.

상기 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2홀은 제1 높이의 제5 홀 및 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이의 제6 홀을 포함하며, 상기 홈은 상기 제1 높이와 제2 높이의 차보다 큰 폭을 가질 수 있다. 또한, 상기 제5 홀의 크기와 상기 제 6 홀의 크기는 서로 같거나 또는 다를 수 있다. 상기 제5 홀 및 상기 제6 홀은 하방으로 경사질 수 있다. 상기 제5 홀의 경사도와 상기 제6 홀의 경사도는 서로 다를 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the second hole includes a fifth hole having a first height and a sixth hole having a second height higher than the first height, and the groove has the first height and the second hole. It can have a width larger than the difference in height. In addition, the size of the fifth hole and the size of the sixth hole may be the same or different from each other. The fifth hole and the sixth hole may be inclined downward. The inclination of the fifth hole and the inclination of the sixth hole may be different from each other.

상기 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 홀과 상기 제3 홀은 서로 엇갈리도록 배치될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the first hole and the third hole may be arranged to cross each other.

상기 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 몸체의 외측면 및 상기 제2 몸체의 내측면에는 각각 나사산이 형성되며, 상기 제1 몸체를 회전시켜 상기 제1 몸체를 상하로 이동시킬 수 있다. According to another embodiment of the present invention, a thread is formed on the outer surface of the first body and the inner surface of the second body, respectively, and can rotate the first body to move the first body up and down. have.

상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의하면, 웨이퍼 가공 장치는 웨이퍼 가공을 위한 공간을 제공하는 챔버를 포함한다. 스테이지는 상기 챔버 내부에 구비되며, 상기 웨이퍼를 수평으로 지지한다. 가스 인젝터는 상방이 개방된 중공의 실린더 형태를 가지고, 하부면에 제1 홀, 측면에 제2 홀 및 상기 제1 홀이 위치한 측면의 둘레를 따라 홈을 각각 가지며, 웨이퍼의 가공을 위한 공정 가스를 제공하는 제1 몸체 및 상방이 개방된 중공의 실린더 형태를 가지고, 내부에 상기 제1 몸체를 상하 이동가능하도록 수용하며, 하부면에 제3 홀과 측면에 제4 홀을 각각 가지며, 상기 제1 몸체의 높이에 따라 상기 제3 홀 및/또는 상기 제4 홀을 통해 상기 제1 몸체로부터 제공된 공정 가스를 분사하기 위한 제2 몸체를 포함하며, 상기 챔버의 상부를 관통하여 구비된다.According to the present invention for achieving another object of the present invention, a wafer processing apparatus includes a chamber that provides a space for wafer processing. A stage is provided inside the chamber and horizontally supports the wafer. The gas injector has a hollow cylinder shape with an open upper side, a first hole in a lower surface, a second hole in a side surface, and a groove along a circumference of a side in which the first hole is located, respectively, and a process gas for processing a wafer. It has a first body and a hollow cylindrical shape that is open upward, and accommodates the first body to be movable up and down therein, and has a third hole and a fourth hole on the lower side, respectively, And a second body for injecting a process gas provided from the first body through the third hole and / or the fourth hole according to the height of the body, and is provided through the upper portion of the chamber.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 가스 인젝터 및 이를 갖는 웨이퍼 가공 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a gas injector and a wafer processing apparatus having the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가스 인젝터를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a gas injector according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 가스 인젝터(100)는 제1 몸체(110) 및 제2 몸체(130)를 포함한다. 상기 가스 인젝터(100)는 웨이퍼 상에 막을 형성하거나, 웨이퍼 상에 형성된 막을 식각하기 위해 상기 웨이퍼 상으로 공정 가스를 제공한다. 또한, 상기 가스 인젝터(100)는 상기 막 형성 또는 막 식각 등과 같이 상기 웨이퍼 가공 공정이 수행되는 공정 챔버를 세정하기 위해 상기 공정 가스를 제공한다.Referring to FIG. 1, the gas injector 100 includes a first body 110 and a second body 130. The gas injector 100 provides a process gas onto the wafer to form a film on the wafer or to etch a film formed on the wafer. In addition, the gas injector 100 provides the process gas to clean the process chamber in which the wafer processing process is performed, such as the film formation or the film etching.

도 2를 참조하면, 상기 제1 몸체(110)는 상방이 개방되며 제1 중공(112)을 갖는 실린더 형태이다. 제1 나사산(114)은 상기 제1 몸체(110)의 외측면에 구비된다. Referring to FIG. 2, the first body 110 has a cylindrical shape having an upper opening and a first hollow 112. The first thread 114 is provided on the outer surface of the first body 110.

제1 홀(116)은 상기 제1 몸체(110)의 하부면을 관통하며, 상기 제1 중공(112)과 상기 제1 몸체(110)의 외부를 연결한다. 상기 제1 중공(112)으로 제공된 공정 가스는 상기 제1 홀(116)을 통해 상기 제1 몸체(110)의 하방으로 제공된다. 상기 도면에서는 상기 제1 홀(116)이 상기 제1 몸체(110)의 하부면 중앙에 하나 구비되는 것으로 도시되었지만, 상기 제1 홀(116)은 상기 제1 몸체(110)의 하부면에 균일하게 다수개 구비될 수 있다. 상기 제1 홀(116)이 다수개 구비되는 경우, 상기 제1 홀(116)은 서로 일정한 간격으로 배치될 수 있다. The first hole 116 penetrates the lower surface of the first body 110 and connects the first hollow 112 and the outside of the first body 110. The process gas provided to the first hollow 112 is provided below the first body 110 through the first hole 116. In the drawing, the first hole 116 is illustrated as being provided at the center of the lower surface of the first body 110, the first hole 116 is uniform on the lower surface of the first body 110 It may be provided with a plurality. When a plurality of first holes 116 are provided, the first holes 116 may be disposed at regular intervals from each other.

제2 홀(118)은 상기 제1 몸체(110)의 측면을 관통하며, 상기 제1 중공(112)과 상기 제1 몸체(110)의 외부를 연결한다. 상기 제2 홀(118)은 다수개 구비되며, 상기 제1 몸체(110)의 측면에 동일한 높이로 서로 일정 간격 이격되도록 배치된다. 즉, 상기 제2 홀(118)은 상기 제1 중공(112)으로부터 방사상으로 배치된다. 상기 제1 중공(112)으로 제공된 공정 가스는 상기 제2 홀(118)을 통해 상기 제1 몸체(110)의 측방으로 제공된다.The second hole 118 penetrates the side surface of the first body 110 and connects the first hollow 112 and the outside of the first body 110. The second holes 118 are provided in plural, and are arranged to be spaced apart from each other by the same height on the side of the first body 110. That is, the second hole 118 is disposed radially from the first hollow 112. The process gas provided to the first hollow 112 is provided to the side of the first body 110 through the second hole 118.

홈(120)은 상기 제2 홀(118)이 위치한 상기 제1 몸체(110)의 측면 둘레를 따라 구비된다. 상기 다수의 제2 홀(118)은 상기 홈(120)과 연결된다. 상기 홈(120)의 폭은 상기 제2 홀(118)의 크기보다 큰 것이 바람직하다.The groove 120 is provided along the side circumference of the first body 110 in which the second hole 118 is located. The plurality of second holes 118 are connected to the groove 120. The width of the groove 120 is preferably larger than the size of the second hole 118.

도 3을 참조하면, 상기 제2 몸체(130)는 상방이 개방되며 제2 중공(132)을 갖는 실린더 형태이다. 상기 제2 몸체(130)는 상기 제2 중공(132)에 상기 제1 몸체(110)를 수용한다. 상기 제1 몸체(110)의 외측면과 상기 제2 몸체(130)의 내측면은 서로 밀착된다. 따라서, 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(130) 사이를 통해 상기 공정 가스가 누설되지 않는다.Referring to FIG. 3, the second body 130 has a cylindrical shape having an upper opening and a second hollow 132. The second body 130 accommodates the first body 110 in the second hollow 132. The outer surface of the first body 110 and the inner surface of the second body 130 are in close contact with each other. Therefore, the process gas does not leak through the first body 110 and the second body 130.

제3 홀(136)은 상기 제2 몸체(130)의 하부면을 관통하며, 상기 제3 중공(132)과 상기 제2 몸체(130)의 외부를 연결한다. 상기 제1 홀(116)을 통해 제공된 공정 가스는 상기 제3 홀(136)을 통해 상기 제2 몸체(130)의 하방으로 분사된 다. 상기 제3 홀(116)은 다수개 구비되며, 서로 일정한 간격으로 배치된다. 또한, 상기 제3 홀(136)과 상기 제1 홀(116)은 서로 엇갈리도록 배치된다. 상기 제1 홀(116)을 통해 제공된 공정 가스가 상기 제3 홀(136)을 통해 바로 분사되는 것을 방지할 수 있다. 그러므로, 상기 제3 홀(136)을 통해 상기 공정 가스를 하방으로 균일하게 분사할 수 있다.The third hole 136 penetrates the lower surface of the second body 130 and connects the third hollow 132 and the outside of the second body 130. Process gas provided through the first hole 116 is injected downward of the second body 130 through the third hole 136. The third holes 116 are provided in plural and are disposed at regular intervals from each other. In addition, the third hole 136 and the first hole 116 are arranged to cross each other. Process gas provided through the first hole 116 may be prevented from being directly injected through the third hole 136. Therefore, the process gas may be uniformly sprayed downward through the third hole 136.

제4 홀(138)은 상기 제2 몸체(130)의 측면을 관통하며, 상기 제2 중공(132)과 상기 제2 몸체(130)의 외부를 연결한다. 상기 제1 몸체(110)가 상기 제2 몸체(130)의 내부 저면에 위치할 때, 상기 제4 홀(138)의 높이와 상기 제2 홀(118)의 높이는 실질적으로 동일하다. 상기 제4 홀(138)은 상기 제2 몸체(130)의 측면에 제1 높이를 갖는 제5 홀(140) 및 상기 제2 몸체(130)의 측면에 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이를 갖는 제6 홀(142)을 포함한다. 상기 제5 홀(140)의 크기와 제6 홀(142)의 크기는 동일하다. 따라서, 상기 제5 홀(140)을 통해 분사되는 공정 가스의 양과 상기 제6 홀(142)을 통해 분사되는 공정 가스의 양은 동일하다. 상기 제1 높이와 제2 높이의 차이는 상기 홈(120)의 폭과 같거나 작은 것이 바람직하다. 따라서, 상기 제1 몸체(110)가 상기 제2 몸체(130)의 내부 저면에 위치할 때, 상기 제5 홀(140) 및 제6 홀(142)은 상기 홈(120)과 연결된다. The fourth hole 138 penetrates the side surface of the second body 130 and connects the second hollow 132 and the outside of the second body 130. When the first body 110 is located on the inner bottom of the second body 130, the height of the fourth hole 138 and the height of the second hole 118 are substantially the same. The fourth hole 138 has a second height higher than the first height at the side of the second hole 130 and the fifth hole 140 having a first height at the side of the second body 130. And a sixth hole 142 having. The size of the fifth hole 140 and the size of the sixth hole 142 are the same. Therefore, the amount of process gas injected through the fifth hole 140 and the amount of process gas injected through the sixth hole 142 are the same. The difference between the first height and the second height is preferably equal to or smaller than the width of the groove 120. Therefore, when the first body 110 is located on the inner bottom of the second body 130, the fifth hole 140 and the sixth hole 142 are connected to the groove 120.

상기 제5 홀(140)은 다수개 구비되며, 상기 제2 몸체(130)의 측면에 제1 높이로 서로 일정 간격 이격되도록 배치된다. 즉, 상기 제5 홀(140)은 상기 제2 중공(132)으로부터 방사상으로 배치된다. 또한, 상기 제5 홀(140)은 하방으로 경사지도록 배치된다. 상기 제6 홀(142)도 다수개 구비되며, 상기 제2 몸체(130)의 측면 에 제2 높이로 서로 일정 간격 이격되도록 배치된다. 즉, 상기 제6 홀(142)은 상기 제2 중공(132)으로부터 방사상으로 배치된다. 또한, 상기 제6 홀(142)은 하방으로 경사지도록 배치된다. 상기 제5 홀(140) 및 제6 홀(142)은 동일한 경사도를 갖는다. 따라서, 상기 제1 홀(116) 또는 제2 홀(118)을 통해 제공된 공정 가스를 상기 제4 홀(138)을 통해 상기 제2 몸체(130)의 측하방으로 균일하게 분사할 수 있다.The fifth hole 140 is provided in plural, and is arranged to be spaced apart from each other at a first height on a side surface of the second body 130. That is, the fifth hole 140 is disposed radially from the second hollow 132. In addition, the fifth hole 140 is disposed to be inclined downward. A plurality of sixth holes 142 are also provided, and are arranged to be spaced apart from each other by a second height at a side of the second body 130. That is, the sixth hole 142 is disposed radially from the second hollow 132. In addition, the sixth hole 142 is disposed to be inclined downward. The fifth hole 140 and the sixth hole 142 have the same inclination. Therefore, the process gas provided through the first hole 116 or the second hole 118 may be uniformly sprayed to the side downward of the second body 130 through the fourth hole 138.

제2 나사산(134)은 상기 제2 몸체(130)의 내측면에 구비되며, 상기 제1 나사산(114)에 대응된다. 상기 제1 몸체(110)를 회전시켜 상기 제2 몸체(130)의 내부에서 상기 제1 몸체(110)의 높이를 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 몸체(110)를 제1 방향으로 회전시키면 상기 제1 몸체(110)는 상승하고, 상기 제1 몸체(110)를 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 회전시키면 상기 제2 몸체(110)는 하강한다. The second thread 134 is provided on the inner surface of the second body 130 and corresponds to the first thread 114. The height of the first body 110 may be adjusted by rotating the first body 110 in the second body 130. For example, when the first body 110 is rotated in the first direction, the first body 110 is raised, and the first body 110 is rotated in the second direction opposite to the first direction. The second body 110 is lowered.

본 발명의 일시예에 따르면, 상기 도면에 도시된 바와 같이 상기 제1 나사산(114) 및 제2 나사산(134)을 형성하고 상기 제1 몸체(110)를 회전시켜 상기 제1 몸체(110)의 높이를 조절한다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 몸체(110)와 연결되며, 상기 제1 몸체(110)를 상승 또는 하강시키기 위한 구동부(미도시)를 구비할 수 있다. 상기 구동부의 구동에 따라 상기 제1 몸체(110)의 높이를 조절할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, as shown in the drawing, the first thread 114 and the second thread 134 are formed and the first body 110 is rotated to form the first body 110. Adjust the height According to another embodiment of the present invention, it may be connected to the first body 110 and may be provided with a driving unit (not shown) for raising or lowering the first body 110. The height of the first body 110 may be adjusted according to the driving of the driving unit.

상기 가스 인젝터(100)는 상기 제1 몸체(110)의 위치에 따라 상기 공정 가스의 분사 위치를 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 공정 가스를 상기 제3 홀(136)만을 통해 분사하거나 상기 제4 홀(138)만을 통해 분사할 수 있다. 또한, 상기 공정 가스를 상기 제3 홀(136) 및 제4 홀(138)을 통해 동시에 분사할 수도 있다. 그리고, 상기 제4 홀(138)을 통해 상기 공정 가스를 분사하는 경우, 상기 제4 홀(138)에 포함된 상기 제5 홀(140) 및 제6 홀(142) 중 적어도 하나를 선택하여 상기 공정 가스를 분사할 수 있다.The gas injector 100 may adjust the injection position of the process gas according to the position of the first body 110. For example, the process gas may be injected through only the third hole 136 or only through the fourth hole 138. In addition, the process gas may be simultaneously sprayed through the third hole 136 and the fourth hole 138. In addition, when the process gas is injected through the fourth hole 138, at least one of the fifth hole 140 and the sixth hole 142 included in the fourth hole 138 may be selected. Process gas can be injected.

도 4를 참조하면, 상기 제1 몸체(110)가 상기 제2 몸체(130)의 내부 저면에 밀착되어 위치한다. 상기 제1 몸체(110)가 상기 제2 몸체(130)의 내부 저면에 밀착되고 상기 제1 홀(116)과 상기 제3 홀(136)이 서로 엇갈리도록 배치되므로, 상기 제3 홀(136)을 통해 상기 공정 가스가 분사되지 않는다. Referring to FIG. 4, the first body 110 is in close contact with an inner bottom surface of the second body 130. Since the first body 110 is in close contact with the inner bottom of the second body 130 and the first hole 116 and the third hole 136 are disposed to cross each other, the third hole 136 The process gas is not injected through.

상기 제1 몸체(110)가 상기 제2 몸체(130)의 내부 저면에 밀착될 때, 상기 제2 홀(118)의 높이와 상기 제4 홀(138)의 높이가 동일하므로, 상기 제4 홀(138)은 상기 홈(120)을 통해 상기 제2 홀(118)과 연결된다. 따라서, 상기 제2 홀(118)을 통해 제공된 공정 가스가 상기 제5 홀(140) 및 제6 홀(142)을 통해 상기 제2 몸체(130)의 측하방으로 분사된다. 이때, 상기 홈(120)이 버퍼 공간으로 작용하므로, 상기 공정 가스는 각각의 상기 제5 홀(140) 및 제6 홀(142)을 통해 고르게 분사된다. When the first body 110 is in close contact with the inner bottom of the second body 130, the height of the second hole 118 and the height of the fourth hole 138 are the same, so that the fourth hole 138 is connected to the second hole 118 through the groove 120. Therefore, the process gas provided through the second hole 118 is injected to the side and bottom of the second body 130 through the fifth hole 140 and the sixth hole 142. In this case, since the groove 120 serves as a buffer space, the process gas is evenly sprayed through the fifth hole 140 and the sixth hole 142.

도 5를 참조하면, 상기 제1 몸체(110)가 상기 제2 몸체(130)의 내부 저면으로부터 이격된다. 상기 제1 홀(116)이 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(130) 사이의 제2 중공을 통해 상기 제3 홀(136)과 연결된다. 따라서 상기 제1 홀(116)을 통해 제공된 공정 가스가 상기 제3 홀(136)을 통해 상기 제2 몸체(130)의 하방으로 분사된다. 이때, 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(130) 사이의 제2 중공이 버퍼 공간으로 작용하므로, 상기 공정 가스는 상기 제3 홀(136)을 통해 고르게 분사된다. Referring to FIG. 5, the first body 110 is spaced apart from an inner bottom surface of the second body 130. The first hole 116 is connected to the third hole 136 through a second hollow between the first body 110 and the second body 130. Therefore, the process gas provided through the first hole 116 is injected below the second body 130 through the third hole 136. In this case, since the second hollow between the first body 110 and the second body 130 acts as a buffer space, the process gas is evenly injected through the third hole 136.

상기 제4 홀(138) 중 상기 제5 홀(140)은 상기 제1 몸체(110)에 의해 차단된다. 상기 제4 홀(138) 중 상기 제6 홀(142)은 상기 홈(120)을 통해 상기 제2 홀(118)과 연결된다. 따라서, 상기 제2 홀(118)을 통해 제공된 공정 가스는 상기 제6 홀(142)을 통해 상기 제2 몸체(130)의 측하방으로 분사된다. 이때, 상기 홈(120)이 버퍼 공간으로 작용하므로, 상기 공정 가스는 각각의 제6 홀(142)을 통해 고르게 분사된다. The fifth hole 140 of the fourth hole 138 is blocked by the first body 110. The sixth hole 142 of the fourth hole 138 is connected to the second hole 118 through the groove 120. Therefore, the process gas provided through the second hole 118 is injected to the side down of the second body 130 through the sixth hole 142. At this time, since the groove 120 serves as a buffer space, the process gas is evenly sprayed through the sixth holes 142.

도 6을 참조하면, 상기 제1 몸체(110)가 상기 제2 몸체(130)의 내부 저면으로부터 이격된다. 상기 제1 홀(116)이 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(130) 사이의 제2 중공을 통해 상기 제3 홀(136)과 연결된다. 따라서 상기 제1 홀(116)을 통해 제공된 공정 가스가 상기 제3 홀(136)을 통해 상기 제2 몸체(130)의 하방으로 분사된다. 이때, 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(130) 사이의 제2 중공이 버퍼 공간으로 작용하므로, 상기 공정 가스는 상기 제3 홀(136)을 통해 고르게 분사된다. Referring to FIG. 6, the first body 110 is spaced apart from an inner bottom surface of the second body 130. The first hole 116 is connected to the third hole 136 through a second hollow between the first body 110 and the second body 130. Therefore, the process gas provided through the first hole 116 is injected below the second body 130 through the third hole 136. In this case, since the second hollow between the first body 110 and the second body 130 acts as a buffer space, the process gas is evenly injected through the third hole 136.

상기 제5 홀(140) 및 제6 홀(142)을 포함하는 제4 홀(138)은 상기 제1 몸체(110)에 의해 차단된다. 따라서, 상기 공정 가스는 상기 제4 홀(138)을 통해 상기 제2 몸체(130)의 측하방으로 분사되지 않는다.The fourth hole 138 including the fifth hole 140 and the sixth hole 142 is blocked by the first body 110. Therefore, the process gas is not injected to the side of the second body 130 through the fourth hole 138.

도 7을 참조하면, 상기 제1 몸체(110)가 상기 제2 몸체(130)의 내부 저면으로부터 이격된다. 상기 제1 홀(116)이 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(130) 사이의 제2 중공을 통해 상기 제3 홀(136)과 연결된다. Referring to FIG. 7, the first body 110 is spaced apart from an inner bottom surface of the second body 130. The first hole 116 is connected to the third hole 136 through a second hollow between the first body 110 and the second body 130.

상기 제4 홀(138) 중 상기 제5 홀(140)은 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(130) 사이의 제2 중공을 통해 상기 제1 홀(116)과 연결된다. 상기 제4 홀(138) 중 상기 제6 홀(142)은 상기 제1 몸체(110)에 의해 차단된다. The fifth hole 140 of the fourth hole 138 is connected to the first hole 116 through a second hollow between the first body 110 and the second body 130. The sixth hole 142 of the fourth hole 138 is blocked by the first body 110.

따라서 상기 제1 홀(116)을 통해 제공된 공정 가스는 상기 제3 홀(136)을 통해 상기 제2 몸체(130)의 하방으로 분사되고, 상기 제5 홀(140)을 통해 상기 제2 몸체(130)의 측하방으로 분사된다. 이때, 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(130) 사이의 제2 중공이 버퍼 공간으로 작용하므로, 상기 공정 가스는 상기 제3 홀(136) 및 제5 홀(140)을 통해 고르게 분사된다. Therefore, the process gas provided through the first hole 116 is injected below the second body 130 through the third hole 136, and the second body (via the fifth hole 140). 130) is injected into the side downwards. In this case, since the second hollow between the first body 110 and the second body 130 acts as a buffer space, the process gas is evenly distributed through the third hole 136 and the fifth hole 140. Sprayed.

도 8을 참조하면, 상기 제1 몸체(110)가 상기 제2 몸체(130)의 내부 저면으로부터 이격된다. 상기 제1 홀(116)이 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(130) 사이의 제2 중공을 통해 상기 제3 홀(136)과 연결된다. 또한, 상기 제5 홀(140) 및 제6 홀(142)도 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(130) 사이의 제2 중공을 통해 상기 제3 홀(136)과 연결된다. Referring to FIG. 8, the first body 110 is spaced apart from an inner bottom surface of the second body 130. The first hole 116 is connected to the third hole 136 through a second hollow between the first body 110 and the second body 130. In addition, the fifth hole 140 and the sixth hole 142 are also connected to the third hole 136 through a second hollow between the first body 110 and the second body 130.

따라서 상기 제1 홀(116)을 통해 제공된 공정 가스는 상기 제3 홀(136)을 통해 상기 제2 몸체(130)의 하방으로 분사되고, 상기 제5 홀(140) 및 제6 홀(142)을 통해 상기 제2 몸체(130)의 측하방으로 분사된다. 이때, 상기 제1 몸체(110)와 상기 제2 몸체(130) 사이의 제2 중공이 버퍼 공간으로 작용하므로, 상기 공정 가스는 상기 제3 홀(136), 제5 홀(140) 및 제6 홀(142)을 통해 고르게 분사된다. Therefore, the process gas provided through the first hole 116 is injected below the second body 130 through the third hole 136, and the fifth hole 140 and the sixth hole 142 are provided. It is injected through the side of the second body 130 through. At this time, since the second hollow between the first body 110 and the second body 130 serves as a buffer space, the process gas is the third hole 136, the fifth hole 140 and the sixth. It is sprayed evenly through the hole 142.

도 9를 참조하면, 상기 가스 인젝터(200)는 제1 몸체(210) 및 제2 몸체(230)를 포함한다.Referring to FIG. 9, the gas injector 200 includes a first body 210 and a second body 230.

본 실시예에 따른 가스 인젝터(200)는 도 1 내지 도 3에 도시된 제1 실시예에 따른 가스 인젝터와 제2 몸체(230)의 제4 홀(238)의 크기를 제외하고는 실질적으로 동일한 구성을 갖는다. 도 1 내지 도 3에 도시된 제1 실시예에 따른 가스 인젝터와 동일한 구성요소에 대해서 본 실시예에 따른 가스 인젝터(200)는 동일한 명칭을 사용한다.The gas injector 200 according to the present embodiment is substantially the same except for the size of the gas injector according to the first embodiment illustrated in FIGS. 1 to 3 and the fourth hole 238 of the second body 230. Has a configuration. For the same components as the gas injector according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3, the gas injector 200 according to the present embodiment uses the same name.

상기 제4 홀(238)은 제5 홀(240) 및 제6 홀(242)을 포함한다. 상기 제5 홀(240)은 제1 크기를 가지며, 상기 제6 홀(242)은 상기 제1 크기와 다른 제2 크기를 갖는다. 예를 들면, 상기 제5 홀(240)의 제1 크기가 상기 제6 홀(242)의 제2 크기보다 크다. 상기 제5 홀(240)을 통해 분사되는 공정 가스의 양과 상기 제6 홀(242)을 통해 분사되는 공정 가스의 양은 다르다. 그러므로, 상기 제4 홀(238)을 통해 분사되는 공정 가스의 양을 보다 정밀하게 조절할 수 있다. The fourth hole 238 includes a fifth hole 240 and a sixth hole 242. The fifth hole 240 has a first size, and the sixth hole 242 has a second size different from the first size. For example, the first size of the fifth hole 240 is greater than the second size of the sixth hole 242. The amount of process gas injected through the fifth hole 240 is different from the amount of process gas injected through the sixth hole 242. Therefore, the amount of process gas injected through the fourth hole 238 can be adjusted more precisely.

도 10을 참조하면, 상기 가스 인젝터(300)는 제1 몸체(310) 및 제2 몸체(330)를 포함한다.Referring to FIG. 10, the gas injector 300 includes a first body 310 and a second body 330.

본 실시예에 따른 가스 인젝터(300)는 도 1 내지 도 3에 도시된 제1 실시예에 따른 가스 인젝터와 제2 몸체(330)의 제4 홀(338)의 경사도를 제외하고는 실질적으로 동일한 구성을 갖는다. 도 1 내지 도 3에 도시된 제1 실시예에 따른 가스 인젝터와 동일한 구성요소에 대해서 본 실시예에 따른 가스 인젝터(300)는 동일한 명칭을 사용한다.The gas injector 300 according to the present embodiment is substantially the same except for the inclination of the gas injector according to the first embodiment illustrated in FIGS. 1 to 3 and the fourth hole 338 of the second body 330. Has a configuration. For the same components as the gas injector according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3, the gas injector 300 according to the present embodiment uses the same name.

상기 제4 홀(338)은 제5 홀(340) 및 제6 홀(342)을 포함한다. 상기 제5 홀(340)은 하방으로 제1 경사도를 가지며, 상기 제6 홀(342)은 하방으로 상기 제1 경사도와 다른 제2 경사도를 갖는다. 예를 들면, 상기 제5 홀(340)의 제1 경사도가 상기 제6 홀(342)의 제2 경사도보다 크다. 상기 공정 가스는 상기 제5 홀(340)을 통해 상기 제2 몸체(330)의 하방에 가까운 측하방으로 분사되고, 상기 제6 홀(342)을 통해 상기 제2 몸체(330)의 측방에 가까운 측하방으로 분사된다. 그러므로, 상기 제4 홀(238)을 통해 상기 공정 가스가 분사되는 각도를 조절할 수 있다.The fourth hole 338 includes a fifth hole 340 and a sixth hole 342. The fifth hole 340 has a first inclination downward, and the sixth hole 342 has a second inclination different from the first inclination downward. For example, a first inclination of the fifth hole 340 is greater than a second inclination of the sixth hole 342. The process gas is injected to the side down near the bottom of the second body 330 through the fifth hole 340, and close to the side of the second body 330 through the sixth hole 342. Sprayed sideways and downward. Therefore, the angle at which the process gas is injected through the fourth hole 238 can be adjusted.

도 11을 참조하면, 상기 웨이퍼 가공 장치(500)는 챔버(510), 스테이지(520), 가스 인젝터(530), 바이어스 전원(540) 및 플라즈마 전원(550)을 포함한다.Referring to FIG. 11, the wafer processing apparatus 500 includes a chamber 510, a stage 520, a gas injector 530, a bias power source 540, and a plasma power source 550.

상기 챔버(510)는 원통형 또는 박스 형상을 갖는다. 상기 챔버(510)는 웨이퍼 가공 공정을 수행하기 위한 공간을 제공한다. 도시되지는 않았지만, 상기 챔버(510)는 측면에 웨이퍼(W)의 출입을 위한 밸브 및 하부면에 웨이퍼(W) 가공에 사 용된 공정 가스 및 반응 부산물을 배출하기 위한 배출구를 포함한다.The chamber 510 has a cylindrical or box shape. The chamber 510 provides a space for performing a wafer processing process. Although not shown, the chamber 510 includes a valve for entering and exiting the wafer W on the side and an outlet for discharging the process gas and reaction by-products used for processing the wafer W on the lower surface.

상기 스테이지(520)는 상기 챔버(510)의 내측 하부에 구비된다. 상기 스테이지(520)는 상기 웨이퍼(W)에 대한 가공 공정이 수행되는 동안 상기 웨이퍼(W)를 지지한다. 상기 스테이지(520)의 예로는 진공압을 이용하여 웨이퍼(W)를 파지하는 진공척 또는 정전기력을 이용하여 웨이퍼(W)를 파지하는 정전척 등을 들 수 있다.The stage 520 is provided at an inner lower portion of the chamber 510. The stage 520 supports the wafer W while a machining process on the wafer W is performed. Examples of the stage 520 may include a vacuum chuck that grips the wafer W using a vacuum pressure, or an electrostatic chuck that grips the wafer W using an electrostatic force.

상기 가스 인젝터(530)는 상기 챔버(510)의 상부를 관통하여 구비된다. The gas injector 530 is provided through the upper portion of the chamber 510.

상기 가스 인젝터(530)는 도 1 내지 도 3에 도시한 제1 실시예에 따른 가스 인젝터와 실질적으로 동일한 구성으로 이루어지므로, 상기 가스 인젝터(530)에 대한 설명은 생략한다. 한편, 전술한 제2 내지 3 실시예에 따른 가스 인젝터가 상기 웨이퍼 가공 장치(500)에 각각 채용될 수도 있다.Since the gas injector 530 is substantially the same as the gas injector according to the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3, the description of the gas injector 530 is omitted. Meanwhile, the gas injectors according to the second to third embodiments described above may be employed in the wafer processing apparatus 500, respectively.

상기 가스 인젝터(530)는 상기 웨이퍼(W)의 중심 부위에 대응하는 상기 챔버(210)의 상부에 배치된다. 상기 가스 인젝터(530)는 제1 몸체(531)의 위치를 조절하여 상기 공정 가스를 제2 몸체(532)의 하방으로 분사하여 상기 웨이퍼(W)의 중심 부위로 상기 공정 가스를 제공하거나, 상기 공정 가스를 상기 제2 몸체(532)의 측하방으로 분사하여 상기 웨이퍼(W)의 에지 부위로 상기 공정 가스를 제공할 수 있다. 또한, 상기 가스 인젝터(530)는 제1 몸체(531)의 위치를 조절하여 상기 공정 가스를 상기 제2 몸체(532)의 하방 및 측하방으로 동시에 분사하여 상기 웨이퍼(W) 전체에 상기 공정 가스를 균일하게 제공할 수도 있다. 상기 웨이퍼(W)가 없는 상태에서, 상기 가스 인젝터(530)는 상기 공정 가스를 상기 챔버(510)의 내벽으로 분사하여 상기 챔버(510)의 내벽을 세정할 수도 있다.The gas injector 530 is disposed above the chamber 210 corresponding to the central portion of the wafer (W). The gas injector 530 adjusts the position of the first body 531 to inject the process gas downward of the second body 532 to provide the process gas to a center portion of the wafer W, or The process gas may be injected to the side downward of the second body 532 to provide the process gas to the edge portion of the wafer (W). In addition, the gas injector 530 adjusts the position of the first body 531 to simultaneously spray the process gas downward and side downwards of the second body 532, so that the process gas is formed on the entire wafer W. May be provided uniformly. In the absence of the wafer W, the gas injector 530 may spray the process gas onto the inner wall of the chamber 510 to clean the inner wall of the chamber 510.

상기 코일(540)은 상기 챔버(510)의 상부 외측에 구비된다. 상기 코일(540)은 상기 챔버(510) 내부로 고주파 파워를 발생한다.The coil 540 is provided outside the upper portion of the chamber 510. The coil 540 generates high frequency power into the chamber 510.

상기 고주파 전원(550)은 상기 코일(540)과 연결되며, 상기 코일(540)로 고주파 전원을 인가한다. 상기 고주파 전원(550)이 인가되면, 상기 코일(540)은 챔버(510) 내부로 고주파 파워를 발생한다. 상기 고주파 파워에 의해 상기 공정 가스가 플라즈마 상태로 변환된다. The high frequency power source 550 is connected to the coil 540 and applies high frequency power to the coil 540. When the high frequency power source 550 is applied, the coil 540 generates high frequency power into the chamber 510. The process gas is converted into a plasma state by the high frequency power.

상기 바이어스 전원(560)은 상기 스테이지(520)와 연결된다. 상기 바이어스 전원(560)은 상기 스테이지(520)에 바이어스 전원을 인가한다. 따라서, 상기 챔버(510)에서 웨이퍼 가공 공정이 수행될 때, 상기 플라즈마 상태의 가스를 상기 웨이포(W)로 끌어당긴다. 상기 바이어스 전원(560)에 의해 상기 플라즈마 상태의 가스들이 방향성을 갖는다. The bias power source 560 is connected to the stage 520. The bias power source 560 applies a bias power source to the stage 520. Therefore, when the wafer processing process is performed in the chamber 510, the gas in the plasma state is attracted to the wafer W. Gases in the plasma state are directional by the bias power source 560.

상기 웨이퍼 가공 장치를 이용한 웨이퍼 가공 공정을 살펴보면 다음과 같다. Looking at the wafer processing process using the wafer processing apparatus as follows.

먼저, 밸브를 개방하고, 상기 밸브를 통하여 웨이퍼가 챔버 내부로 이송된다. 상기 웨이퍼는 스테이지 상에 놓여진다. 상기 챔버를 진공 상태로 유지하고, 상기 가스 인젝터를 통하여 상기 웨이퍼 상으로 공정 가스가 균일하게 분사된다. 이때, 상기 공정 가스는 증착 공정인지 식각 공정인지에 따라 달라지고, 상기 증착 또는 식각의 대상 물질에 따라 달라진다. 그리고, 상기 챔버에는 상기 공정 가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위한 고주파 전원이 인가되고, 상기 스테이지에는 상기 플라즈마 상태의 가스를 끌어당길 수 있는 바이어스 전원이 인가된다. 따라서, 상기 공정 가스는 상기 고주파 전원에 의해 플라즈마 상태로 형성되고, 상기 바이어 스 전원에 의해 상기 웨이퍼로 끌린다. 그러므로, 상기 플라즈마 상태의 공정 가스에 의해 웨이퍼 상에 막이 형성되거나 웨이퍼 상의 물질이 식각될 수 있다.First, the valve is opened and the wafer is transferred into the chamber through the valve. The wafer is placed on a stage. The chamber is maintained in a vacuum state, and process gas is uniformly injected onto the wafer through the gas injector. In this case, the process gas is different depending on whether the deposition process or the etching process, and depends on the target material of the deposition or etching. In addition, a high frequency power source for forming the process gas in a plasma state is applied to the chamber, and a bias power source capable of drawing gas in the plasma state is applied to the stage. Therefore, the process gas is formed in a plasma state by the high frequency power supply, and is attracted to the wafer by the bias power supply. Therefore, a film may be formed on the wafer or the material on the wafer may be etched by the process gas in the plasma state.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 가스 인젝터는 제1 몸체의 위치를 조절하여 제2 몸체에서 분사되는 공정 가스의 양 및 상기 공정 가스의 분사 방향을 조절할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 가공 공정 중에는 상기 웨이퍼 상으로 상기 공정 가스를 균일하게 제공할 수 있다. 또한, 챔버 세정 공정 중에는 상기 공정 가스를 상기 챔버의 내벽을 향해 분사할 수 있어, 상기 공정 가스를 절감하면서 상기 챔버의 세정 효율을 증가시킬 수 있다.As described above, according to embodiments of the present invention, the gas injector may adjust the position of the first body to adjust the amount of process gas injected from the second body and the injection direction of the process gas. Therefore, the process gas can be uniformly provided on the wafer during the wafer processing process. In addition, during the chamber cleaning process, the process gas may be injected toward the inner wall of the chamber, thereby increasing the cleaning efficiency of the chamber while reducing the process gas.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims

It has a hollow cylinder shape with an open upper side, and has a groove along the circumference of the side in which the first hole, the second hole on the side and the first hole on the side, respectively, to provide a process gas for processing the wafer A first body; And

It has a hollow cylinder shape of the upper opening, accommodates the first body to move up and down inside, has a third hole on the lower surface and a fourth hole on the side, respectively, according to the height of the first body And a second body for injecting a process gas provided from the first body through a third hole and / or the fourth hole.

The gas injector of claim 1, wherein the second hole and the fourth hole are positioned at the same height when the first body is in close contact with an inner bottom surface of the second body.

The second hole of claim 1, wherein the second hole comprises a fifth hole having a first height and a sixth hole having a second height higher than the first height, and the groove is greater than the difference between the first height and the second height. A gas injector having a large width.

The gas injector of claim 3, wherein the size of the fifth hole and the size of the sixth hole are different from each other.

The gas injector of claim 3, wherein the size of the fifth hole and the size of the sixth hole are the same.

The gas injector of claim 3, wherein the fifth hole and the sixth hole are inclined downward.

The gas injector of claim 6, wherein the inclination of the fifth hole and the inclination of the sixth hole are different from each other.

The gas injector of claim 1, wherein the first hole and the third hole are alternately disposed.

The gas injector of claim 1, wherein a thread is formed on an outer side surface of the first body and an inner side surface of the second body, and the first body is moved up and down by rotating the first body. .

A chamber providing space for wafer processing;

A stage provided inside the chamber and supporting the wafer horizontally; And

It has a hollow cylinder shape with an open upper side, and has a groove along the circumference of the side in which the first hole, the second hole on the side and the first hole on the side, respectively, to provide a process gas for processing the wafer It has a first cylinder and the shape of a hollow cylinder with an open upper side, accommodates the first body to move up and down therein, has a third hole in the lower surface and a fourth hole in the side, respectively, of the first body A second body for injecting a process gas provided from the first body through the third hole and / or the fourth hole according to a height, and including a gas injector provided through an upper portion of the chamber. Wafer processing apparatus characterized by the above-mentioned.