JP4164891B2 - Wafer storage container - Google Patents

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JP4164891B2
JP4164891B2 JP05113098A JP5113098A JP4164891B2 JP 4164891 B2 JP4164891 B2 JP 4164891B2 JP 05113098 A JP05113098 A JP 05113098A JP 5113098 A JP5113098 A JP 5113098A JP 4164891 B2 JP4164891 B2 JP 4164891B2
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俊志 高岡
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェーハ収納容器に関し、特に、容器内に収納されるウェーハにパーティクルが生じる虞がなく、しかも、該容器内の不活性ガス等のガスの置換時間を短縮することのできるウェーハ収納容器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造工程等においては、３００ｍｍ径等の大径のウェーハを保管・運搬するための容器として、図５及び図６に示すようなウェーハ保管容器がある。この容器は、通常、ＦＯＵＰとも称されている。
このウェーハ保管容器１は、ウェーハをパーティクルから保護するためのもので、箱状の容器本体２の側面２ａにウェーハ３を出し入れするための開口４が形成され、該開口４には容器本体２内を気密状態に保持する蓋５が着脱自在に設けられている。
【０００３】
この容器本体２内には、複数枚のウェーハ３、３、…を横置き状態で保持するための溝部６ａ、６ａ、…が上下方向に等間隔に形成された溝ティース（保持部）６が設けられている。
そして、この容器本体２の底部には、該容器本体２の内部に窒素（Ｎ2）ガス等の不活性ガスを導入するためのガス導入用流路７及び内部の空気を外部に排出するための空気排出用流路８がそれぞれ形成されている。これら流路７、８は、容器本体２の側壁に形成されることもある。
【０００４】
このウェーハ保管容器１により複数枚のウェーハ３、３、…を保管・運搬するには、まず、容器本体２の開口４より蓋５を外し、溝ティース６の溝部６ａ、６ａ、…各々にウェーハ３を横置き状態で収納し、その後、開口４に蓋５を装着する。
次いで、ガス導入用流路７にガス置換器のガス導入用配管９を挿着し、容器本体２内に不活性ガスｇを導入するとともに内部の空気ａを外部に排出する。なお、前記不活性ガスｇの替わりにドライエア等のガスを導入する場合もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来のウェーハ保管容器１では、容器本体２内を不活性ガスｇで置換するのに長時間を必要とするために、作業時間が長くなり作業効率が低下するという問題点があった。そこで、この不活性ガスｇの置換時間を短縮するために大量の不活性ガスｇを一度に送り込むと、送り込まれた不活性ガスｇにより乱流が生じ、この乱流によりガス導入用流路７付近のウェーハ３が振動し、ウェーハ３にパーティクルが発生する原因となる。このパーティクルは、半導体製造工程の製品歩留まりを低下させる要因となるために、出来るだけ発生しないようにする必要がある。
【０００６】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、容器内に導入するガスの流量を増しても、該容器内に収納されるウェーハにパーティクルが生じる虞がなく、したがって、容器内のガスの置換時間を短縮することのできるウェーハ収納容器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は次の様なウェーハ収納容器を提供する。
すなわち、請求項１記載のウェーハ収納容器は、箱状の容器本体に、ウェーハの側縁部をそれぞれ保持可能に溝部が対向して複数本形成されるとともに、ガス導入用配管が接続されて前記容器本体に外部よりガスを導入するためのガス導入用流路及びガス排出配管が接続されて内部のガスを外部に排出するためのガス排出用流路が形成され、互いに対向する前記溝部の一方には、前記ガス導入用流路に連通する穴が形成されているとともに、前記溝部の他方には、前記ガス排出用流路に連通する穴が、前記ガス導入用流路に連通する穴と対向するように形成されていることを特徴としている。
【０００８】
請求項２記載のウェーハ収納容器は、請求項１記載のウェーハ収納容器において、前記容器本体内に、複数の前記溝部を有する保持部が互いに対向して設けられ、該保持部の一方の内部に前記ガス導入用流路が形成され、前記保持部の他方の内部にガス排出用流路が形成されていることを特徴としている。
【０００９】
請求項３記載のウェーハ収納容器は、請求項１または２記載のウェーハ収納容器において、前記ガス導入用流路の開口部にフィルタを設けたことを特徴としている。
【００１０】
請求項４記載のウェーハ収納容器は、請求項１、２または３記載のウェーハ収納容器において、前記ガス導入用流路及びガス排出用流路各々の開口部に、該開口部に着脱される配管に連動して可動する逆止弁が設けられていることを特徴としている。
【００１１】
本発明のウェーハ収納容器では、前記溝部各々に、前記ガス導入用流路およびガス排出用流路に連通する穴を形成したことにより、容器本体内を不活性ガスやドライエア等のガスで置換する際に、前記ガス導入用流路を通過したガスは前記溝部各々に形成された穴に分配され、これらの穴より容器本体内に噴出し、ウェーハの表面に沿って流れる。この際、個々の穴から噴出するガスの流量が減少するので、ガスの総流量を増加させた場合においても、個々の穴から噴出するガスの流量を少なくすることが可能になる。これにより、ガスによる乱流の発生が無くなり、この乱流によりガス導入用流路付近のウェーハが振動し、ウェーハにパーティクルが発生するという不具合も無くなり、容器内のガスの置換時間を短縮することが可能になる。
【００１２】
さらに、前記溝部各々に、前記ガス導入用流路に連通する穴、および前記ガス排出用流路に連通する穴を互いに対向するように形成すれば、前記ガス導入用流路を通過したガスは、前記溝部各々に形成された穴より容器本体内に噴出した後、ウェーハの表面に沿って層状に流れ、前記溝部各々に形成された穴及び前記ガス排出用流路を経由して外部へ排出される。これにより、容器内のガスの置換時間をさらに短縮することが可能になる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明のウェーハ収納容器の一実施形態について図面に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態のウェーハ収納容器を示す断面図、図２は図１のＢ部分の拡大断面図であり、このウェーハ保管容器１１が図５及び図６に示す従来のウェーハ保管容器１と異なる点は、溝ティース６内に上下方向に延在するガス導入用流路１２が形成され、溝部６ａ、６ａ、…各々に、ガス導入用流路１２に連通する穴１３が形成され、また、溝ティース６のガス導入用流路１２と対向する位置に空気排出用流路１４が形成され、該空気排出用流路１４側の溝部６ａ、６ａ、…各々にも空気排出用流路１４に連通する穴１３が形成されている点である。
【００１４】
このガス導入用流路１２の開口部は、その中央部が拡径された筒状の中空部１５とされ、その下端部が後述するガス置換器２１の不活性ガス導入用配管２２の外径より僅かに大径の開口１６となるように徐々に縮径されている。
この中空部１５の上端部にはフィルタ３１が設けられ、この中空部１５内に前記開口１６に着脱される不活性ガス導入用配管２２に連動して可動する逆止弁３２が設けられている。
【００１５】
この逆止弁３２は、中空部１５内に挿入される前記開口１６より大径のボール３３と、前記フィルタ３１と該ボール３３との間に設けられこれらを離間する方向に付勢するバネ３４により構成されている。なお、空気排出用流路１４にも該逆止弁３２と同様の構成の逆止弁が設けられている。
【００１６】
一方、ガス置換器２１は、このウェーハ収納容器１１のガス導入用流路１２及び空気排出用流路１４各々の開口部に対応して、不活性ガス導入用配管２２及び空気排出用配管２３が配設されている。
【００１７】
このウェーハ保管容器１１を用いてウェーハ３、３、…を保管・運搬するには、まず、図１に示すように、溝ティース６の溝部６ａ、６ａ、…各々にウェーハ３を横置き状態で収納する。
【００１８】
次いで、図３（ａ）に示すように、このウェーハ保管容器１１をガス置換器２１の上方に置き、このウェーハ収納容器１１のガス導入用流路１２をガス置換器２１の不活性ガス導入用配管２２に、また、空気排出用流路１４をガス置換器２１の空気排出用配管２３に、それぞれ合わせ、図３（ｂ）に示すように、不活性ガス導入用配管２２をガス導入用流路１２の開口部に、空気排出用配管２３を空気排出用流路１４の開口部にそれぞれ挿着する。
【００１９】
この際、図４に示すように、逆止弁３２のボール３３が不活性ガス導入用配管２２により持ち上げられるために、ボール３３と開口１６との間に隙間が生じ、該逆止弁３２が開放され、同時に不活性ガス導入用配管２２がガス導入用流路１２の開口部に係合する。同様に、空気排出用配管２３も空気排出用流路１４の開口部に係合する。
その後、不活性ガス導入用配管２２より窒素（Ｎ2）ガス等の不活性ガスｇが容器本体２内に導入される。
【００２０】
不活性ガスｇは、逆止弁３２を通過した後、ガス導入用流路１２内を通過し、穴１３、１３、…より容器本体２内部に向かって噴出し、ウェーハ３の表面に沿って流れる。この場合、個々の穴１３から噴出する不活性ガスｇの流量が減少するために、不活性ガスｇの総流量を増加させても、個々の穴１３から噴出する不活性ガスｇの流量は少なく、不活性ガスｇにより乱流が発生する虞が無くなり、この乱流によりウェーハ３が振動する虞も無くなる。
【００２１】
一方、フィルタ３１はボール３３が動くことにより発生するパーティクルが容器本体２内に吹き込まないようにしている。なお、容器本体２内の空気ａは不活性ガスｇにより押し出され、空気排出用流路１４及び空気排出用配管２３を経由して外部へ排出される。
【００２２】
容器本体２内の空気が不活性ガスｇにより置換された後、このウェーハ保管容器１１をガス置換器２１より外す。
この際、逆止弁３２のボール３３が不活性ガス導入用配管２２を抜くことによりバネ３４により下方に押し下げられるために該ボール３３が開口１６に密着した状態となり、該逆止弁３２が閉鎖され、容器本体２内の気密性を保持することができる。空気排出用流路１４の逆止弁も同様の動作を行なう。
【００２３】
以上説明した様に、本実施形態のウェーハ保管容器１１によれば、溝ティース６内にガス導入用流路１２を形成し、該溝ティース６の溝部６ａ、６ａ、…各々にガス導入用流路１２に連通する穴１３を形成し、また、溝ティース６のガス導入用流路１２と対向する位置に空気排出用流路１４を形成し、さガス導入用流路１２と対向する溝ティース６内に空気排出用流路１４を形成し、該溝ティース６の溝部６ａ、６ａ、…各々にも空気排出用流路１４に連通する穴１３を形成したので、これらの穴１３、１３、…から不活性ガスｇを容器本体２内に噴出させることにより、これらの穴１３、１３、…各々からの不活性ガスｇの噴出流量を減少させることができる。
【００２４】
したがって、導入する不活性ガスｇの総流量を増加させても、不活性ガスｇによる乱流の発生を防止することができ、この乱流によりウェーハが振動し、ウェーハにパーティクルが発生するという不具合を防止することができ、不活性ガスｇの置換時間を短縮することができる。
【００２５】
しかも、溝部６ａ、６ａ、…各々に互いに対向するように、ガス導入用流路１２に連通する穴１３及び空気排出用流路１４に連通する穴１３を形成したので、導入される不活性ガスｇの流れが略水平方向の層流となり、不活性ガスｇによる乱流の発生をさらに防止することができ、この乱流によるウェーハの振動を防止することができる。
【００２６】
なお、本実施形態では、容器本体２内に設けられた溝ティース６内にガス導入用流路１２を形成し、溝部６ａ、６ａ、…各々にガス導入用流路１２に連通する穴１３を形成したが、容器本体２の側壁にガス導入用流路１２及び穴１３、１３、…を形成してもよい。また、空気排出用流路１４に連通する穴１３も同様の構成としてもよい。
また、前記不活性ガスｇの替わりにドライエア等のガスを導入してもよい。
【００２７】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明のウェーハ収納容器によれば、前記溝部各々に、前記ガス導入用流路およびガス排出用流路に連通する穴を形成したので、容器本体内を不活性ガスやドライエア等のガスで置換する際に、前記ガス導入用流路を通過したガスが前記溝部各々に形成された穴に分配され、これらの穴より容器本体内に噴出しウェーハの表面に沿って流れる。これにより、個々の穴から噴出するガスの流量を減少させることができ、ガスの総流量を増加させた場合においても、個々の穴から噴出するガスの流量を少なくすることができる。
【００２８】
したがって、容器本体内に導入するガスの総流量を増加させても、該ガスによる乱流の発生を防止することができ、この乱流によりウェーハが振動し、ウェーハにパーティクルが発生するという不具合を防止することができ、導入するガスの置換時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態のウェーハ収納容器を示す断面図である。
【図２】 図１のＢ部分の拡大断面図である。
【図３】 本発明の一実施形態のウェーハ収納容器をガス置換器に挿着する方法を示す過程図である。
【図４】 本発明の一実施形態のウェーハ収納容器をガス置換器に挿着した状態を示す拡大断面図である。
【図５】 従来のウェーハ収納容器を示す斜視図である。
【図６】 図５のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【符号の説明】
１ ウェーハ保管容器
２ 容器本体
２ａ 側面
３ ウェーハ
４ 開口
５ 蓋
６ 溝ティース（保持部）
６ａ 溝部
７ ガス導入用流路
８ 空気排出用流路
１１ ウェーハ保管容器
１２ ガス導入用流路
１３ 穴
１４ 空気排出用流路
１５ 中空部
１６ 開口
２１ ガス置換器
２２ 不活性ガス導入用配管
２３ 空気排出用配管
３１ フィルタ
３２ 逆止弁
３３ ボール
３４ バネ
ａ 空気
ｇ 不活性ガス[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wafer storage container, and in particular, there is no risk of particles being generated in a wafer stored in the container, and the time required for replacing a gas such as an inert gas in the container can be shortened. It is about.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, in semiconductor manufacturing processes and the like, there are wafer storage containers as shown in FIGS. 5 and 6 as containers for storing and transporting large-diameter wafers such as 300 mm diameter. This container is also commonly referred to as FOUP.
The wafer storage container 1 is for protecting the wafer from particles, and an opening 4 for inserting and removing the wafer 3 is formed on the side surface 2a of the box-shaped container body 2. A lid 5 is provided in a detachable manner so as to keep the airtight state.
[0003]
In the container main body 2, groove teeth 6 (holding portions) 6 in which groove portions 6a, 6a,... For holding a plurality of wafers 3, 3,. Is provided.
A gas introduction flow path 7 for introducing an inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas into the interior of the container body 2 and the internal air are discharged to the bottom of the container body 2. The air discharge flow paths 8 are respectively formed. These flow paths 7 and 8 may be formed on the side wall of the container body 2.
[0004]
In order to store and transport a plurality of wafers 3, 3,... Using the wafer storage container 1, first, the lid 5 is removed from the opening 4 of the container body 2, and wafers are respectively provided in the groove portions 6 a, 6 a,. 3 is stored horizontally, and then a lid 5 is attached to the opening 4.
Next, the gas introduction pipe 9 of the gas replacer is inserted into the gas introduction flow path 7 to introduce the inert gas g into the container body 2 and discharge the internal air a to the outside. A gas such as dry air may be introduced instead of the inert gas g.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the conventional wafer storage container 1 described above, since a long time is required to replace the inside of the container body 2 with the inert gas g, there is a problem that the work time becomes long and the work efficiency is lowered. It was. Therefore, when a large amount of the inert gas g is fed at once in order to shorten the replacement time of the inert gas g, a turbulent flow is generated by the fed inert gas g, and the turbulent flow causes a gas introduction channel 7. The nearby wafer 3 vibrates and causes particles to be generated on the wafer 3. Since these particles cause a decrease in product yield in the semiconductor manufacturing process, it is necessary to prevent them from being generated as much as possible.
[0006]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and even if the flow rate of the gas introduced into the container is increased, there is no possibility that particles are generated in the wafer accommodated in the container. An object of the present invention is to provide a wafer storage container capable of shortening the gas replacement time.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention provides the following wafer storage container.
That is, the wafer carrier of claim 1 wherein is a box-shaped container body, together with the holding capable groove side edges of the wafer, respectively, are a plurality of formed to face, is connected to piping gas introduction the A gas introduction flow path for introducing gas from the outside and a gas discharge pipe are connected to the container body to form a gas discharge flow path for discharging the internal gas to the outside, and the groove portions facing each other are formed . On one side, a hole communicating with the gas introduction channel is formed, and on the other side of the groove, a hole communicating with the gas discharge channel is a hole communicating with the gas introduction channel. It is formed so that it may oppose .
[0008]
The wafer storage container according to claim 2 is the wafer storage container according to claim 1, wherein holding parts having a plurality of the groove parts are provided in the container main body so as to face each other , and inside one of the holding parts. The gas introduction flow path is formed, and the gas discharge flow path is formed inside the other of the holding portion .
[0009]
According to a third aspect of the present invention, there is provided the wafer storage container according to the first or second aspect, wherein a filter is provided at an opening of the gas introduction channel.
[0010]
4. The wafer storage container according to claim 4, wherein the wafer storage container according to claim 1, 2 or 3 is a pipe that is attached to and detached from the opening of each of the gas introduction channel and the gas discharge channel. A check valve that is movable in conjunction with the motor is provided.
[0011]
The wafer carrier of the present invention, the groove respectively, by forming a hole communicating with the gas introducing passage and gas discharge passage, the inside of the container body such as an inert gas or dry air gas At the time of replacement, the gas that has passed through the gas introduction flow path is distributed to the holes formed in the respective groove portions, and is ejected into the container body from these holes and flows along the surface of the wafer. At this time, since the flow rate of the gas ejected from each hole is decreased, the flow rate of the gas ejected from each hole can be reduced even when the total gas flow rate is increased. This eliminates the occurrence of turbulent flow due to gas, eliminates the problem that the turbulent flow vibrates the wafer near the gas introduction flow path and generates particles on the wafer, and shortens the time for replacing the gas in the container. Is possible.
[0012]
Further, if the hole communicating with the gas introduction flow path and the hole communicating with the gas discharge flow path are formed in each of the groove portions so as to face each other, the gas passing through the gas introduction flow path is , Sprayed into the container body from the holes formed in each of the grooves, and then flowed in layers along the surface of the wafer, and discharged to the outside through the holes formed in the grooves and the gas discharge channel. Is done. Thereby, it becomes possible to further shorten the replacement time of the gas in the container.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
One embodiment of a wafer storage container of the present invention is described based on a drawing.
1 is a cross-sectional view showing a wafer storage container according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a portion B in FIG. 1. This wafer storage container 11 is a conventional wafer storage shown in FIGS. The difference from the container 1 is that a gas introduction flow path 12 extending in the vertical direction is formed in the groove tooth 6, and a hole 13 communicating with the gas introduction flow path 12 is formed in each of the groove portions 6 a, 6 a,. In addition, an air discharge channel 14 is formed at a position facing the gas introduction channel 12 of the groove tooth 6, and each of the groove portions 6 a, 6 a,. The hole 13 communicating with the flow path 14 is formed.
[0014]
The opening part of the gas introduction flow path 12 is a cylindrical hollow part 15 whose central part is enlarged in diameter, and the lower end part is an outer diameter of an inert gas introduction pipe 22 of a gas replacer 21 described later. The diameter is gradually reduced so that the opening 16 has a slightly larger diameter.
A filter 31 is provided at the upper end of the hollow portion 15, and a check valve 32 that is movable in conjunction with the inert gas introduction pipe 22 attached to and detached from the opening 16 is provided in the hollow portion 15. .
[0015]
The check valve 32 includes a ball 33 having a diameter larger than that of the opening 16 inserted into the hollow portion 15, and a spring 34 provided between the filter 31 and the ball 33 and biasing them in the direction of separating them. It is comprised by. The air discharge channel 14 is also provided with a check valve having the same configuration as the check valve 32.
[0016]
On the other hand, the gas replacer 21 includes an inert gas introduction pipe 22 and an air discharge pipe 23 corresponding to the openings of the gas introduction flow path 12 and the air discharge flow path 14 of the wafer storage container 11. It is arranged.
[0017]
In order to store and transport the wafers 3, 3,... Using the wafer storage container 11, first, as shown in FIG. 1, the wafer 3 is placed horizontally in each of the groove portions 6 a, 6 a,. Store.
[0018]
Next, as shown in FIG. 3A, the wafer storage container 11 is placed above the gas replacement device 21, and the gas introduction flow path 12 of the wafer storage container 11 is used for introducing an inert gas of the gas replacement device 21. The pipe 22 and the air discharge flow path 14 are aligned with the air discharge pipe 23 of the gas replacer 21, respectively. As shown in FIG. 3B, the inert gas introduction pipe 22 is connected to the gas introduction flow. The air discharge pipes 23 are respectively inserted into the openings of the air discharge channels 14 in the openings of the passage 12.
[0019]
At this time, as shown in FIG. 4, since the ball 33 of the check valve 32 is lifted by the inert gas introduction pipe 22, a gap is formed between the ball 33 and the opening 16, and the check valve 32 is At the same time, the inert gas introduction pipe 22 is engaged with the opening of the gas introduction flow path 12. Similarly, the air discharge pipe 23 is also engaged with the opening of the air discharge channel 14.
Thereafter, an inert gas g such as nitrogen (N 2 ) gas is introduced into the container body 2 from the inert gas introduction pipe 22.
[0020]
After passing through the check valve 32, the inert gas g passes through the gas introduction flow path 12, and is ejected from the holes 13, 13,... Toward the inside of the container body 2 and along the surface of the wafer 3. Flowing. In this case, since the flow rate of the inert gas g ejected from the individual holes 13 is reduced, the flow rate of the inert gas g ejected from the individual holes 13 is small even if the total flow rate of the inert gas g is increased. There is no risk of turbulent flow due to the inert gas g, and there is no risk of the wafer 3 vibrating due to this turbulent flow.
[0021]
On the other hand, the filter 31 prevents particles generated by the movement of the ball 33 from being blown into the container body 2. The air a in the container body 2 is pushed out by the inert gas g, and is discharged to the outside via the air discharge passage 14 and the air discharge pipe 23.
[0022]
After the air in the container body 2 is replaced with the inert gas g, the wafer storage container 11 is removed from the gas replacer 21.
At this time, since the ball 33 of the check valve 32 is pushed downward by the spring 34 by pulling out the inert gas introduction pipe 22, the ball 33 is brought into close contact with the opening 16, and the check valve 32 is closed. Thus, the airtightness in the container body 2 can be maintained. The check valve of the air exhaust passage 14 performs the same operation.
[0023]
As described above, according to the wafer storage container 11 of the present embodiment, the gas introduction flow path 12 is formed in the groove tooth 6, and the gas introduction flow is provided in each of the groove portions 6 a, 6 a,. A hole 13 communicating with the passage 12 is formed, and an air discharge passage 14 is formed at a position facing the gas introduction passage 12 of the groove teeth 6, and the groove teeth facing the gas introduction passage 12 are formed. 6, the air discharge passage 14 is formed, and the grooves 6 a, 6 a,... Of the groove teeth 6 are each formed with the holes 13 communicating with the air discharge passage 14. By injecting the inert gas g into the container body 2, the flow rate of the inert gas g from each of the holes 13, 13, ... can be reduced.
[0024]
Therefore, even if the total flow rate of the inert gas g to be introduced is increased, the turbulent flow due to the inert gas g can be prevented, and the turbulent flow causes the wafer to vibrate and particles are generated on the wafer. Can be prevented, and the replacement time of the inert gas g can be shortened.
[0025]
In addition, since the hole 13 communicating with the gas introduction flow path 12 and the hole 13 communicating with the air discharge flow path 14 are formed so as to face each other, the grooves 6a, 6a,. The flow of g becomes a laminar flow in a substantially horizontal direction, and generation of turbulent flow due to the inert gas g can be further prevented, and wafer vibration due to this turbulent flow can be prevented.
[0026]
In the present embodiment, the gas introduction flow path 12 is formed in the groove teeth 6 provided in the container body 2, and the holes 13 communicating with the gas introduction flow path 12 are formed in the groove portions 6 a, 6 a,. However, the gas introduction flow path 12 and the holes 13, 13,... May be formed on the side wall of the container body 2. Also, the hole 13 communicating with the air discharge channel 14 may have the same configuration.
A gas such as dry air may be introduced instead of the inert gas g.
[0027]
【The invention's effect】
As described above, according to the wafer carrier of the present invention, the groove respectively, so forming a hole communicating with the gas introducing passage and gas discharge passage, the inside of the container body not When substituting with a gas such as active gas or dry air, the gas that has passed through the gas introduction channel is distributed to the holes formed in each of the groove portions, and is ejected into the container body from these holes to the surface of the wafer. Flowing along. Thereby, the flow rate of the gas ejected from each hole can be decreased, and the flow rate of the gas ejected from each hole can be reduced even when the total gas flow rate is increased.
[0028]
Therefore, even if the total flow rate of the gas introduced into the container body is increased, the turbulent flow due to the gas can be prevented, and the turbulent flow causes the wafer to vibrate and particles are generated on the wafer. This can be prevented, and the replacement time of the introduced gas can be shortened.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a wafer storage container according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a portion B in FIG.
FIG. 3 is a process diagram illustrating a method for inserting the wafer storage container of the embodiment of the present invention into the gas replacer.
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which the wafer storage container of one embodiment of the present invention is inserted into a gas replacer.
FIG. 5 is a perspective view showing a conventional wafer storage container.
6 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer storage container 2 Container body 2a Side surface 3 Wafer 4 Opening 5 Lid 6 Groove teeth (holding part)
6a Groove 7 Gas introduction flow path 8 Air discharge flow path 11 Wafer storage container 12 Gas introduction flow path 13 Hole 14 Air discharge flow path 15 Hollow part 16 Opening 21 Gas replacement 22 Inert gas introduction pipe 23 Air Pipe 31 for discharge 31 Filter 32 Check valve 33 Ball 34 Spring a Air g Inert gas

Claims (4)

箱状の容器本体に、ウェーハの側縁部をそれぞれ保持可能に溝部が対向して複数本形成されるとともに、ガス導入用配管が接続されて前記容器本体に外部よりガスを導入するためのガス導入用流路及びガス排出配管が接続されて内部のガスを外部に排出するためのガス排出用流路が形成され、
互いに対向する前記溝部の一方のそれぞれには、前記ガス導入用流路に連通する穴が形成されているとともに、前記溝部の他方のそれぞれには、前記ガス排出用流路に連通する穴が、前記ガス導入用流路に連通する穴と対向するように形成されていることを特徴とするウェーハ収納容器。A box-shaped container body, together with the holding capable groove side edges of the wafer, respectively, are a plurality of formed opposite the gas for introducing gas from the outside into the container body is connected to a piping gas introduction The introduction channel and the gas discharge pipe are connected to form a gas discharge channel for discharging the internal gas to the outside ,
A hole communicating with the gas introduction flow path is formed in each of the groove portions facing each other, and a hole communicating with the gas discharge flow path is formed in the other of the groove portions, A wafer storage container formed so as to face a hole communicating with the gas introduction channel . 前記容器本体内に、複数の前記溝部を有する保持部が互いに対向して設けられ、該保持部の一方の内部に前記ガス導入用流路が形成され、前記保持部の他方の内部にガス排出用流路が形成されていることを特徴とする請求項１記載のウェーハ収納容器。 A holding portion having a plurality of the groove portions is provided in the container body so as to face each other, the gas introduction flow path is formed inside one of the holding portions, and a gas discharge is made inside the other holding portion. The wafer storage container according to claim 1, wherein a flow path is formed. 前記ガス導入用流路の開口部にフィルタを設けたことを特徴とする請求項１または２記載のウェーハ収納容器。 3. The wafer storage container according to claim 1, wherein a filter is provided at an opening of the gas introduction flow path. 前記ガス導入用流路及びガス排出用流路各々の開口部に、該開口部に着脱される配管に連動して可動する逆止弁が設けられていることを特徴とする請求項１、２または３記載のウェーハ収納容器。 3. A check valve that is movable in conjunction with a pipe that is attached to and detached from the opening is provided at each opening of the gas introduction channel and the gas discharge channel. Or the wafer storage container of 3.
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