KR101368706B1 - Wafer carrier - Google Patents

Wafer carrier Download PDF

Info

Publication number
KR101368706B1
KR101368706B1 KR1020110073009A KR20110073009A KR101368706B1 KR 101368706 B1 KR101368706 B1 KR 101368706B1 KR 1020110073009 A KR1020110073009 A KR 1020110073009A KR 20110073009 A KR20110073009 A KR 20110073009A KR 101368706 B1 KR101368706 B1 KR 101368706B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
gas discharge
wafer carrier
wafers
pipe
Prior art date
Application number
KR1020110073009A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130011684A (en
Inventor
박종익
박정우
김문기
장재영
Original Assignee
주식회사 삼에스코리아
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 삼에스코리아 filed Critical 주식회사 삼에스코리아
Priority to KR1020110073009A priority Critical patent/KR101368706B1/en
Priority to PCT/KR2011/006282 priority patent/WO2013015481A1/en
Publication of KR20130011684A publication Critical patent/KR20130011684A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101368706B1 publication Critical patent/KR101368706B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H01L21/67393—Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D85/00—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D85/00—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials
    • B65D85/30—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for articles particularly sensitive to damage by shock or pressure
    • B65D85/38—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for articles particularly sensitive to damage by shock or pressure for delicate optical, measuring, calculating or control apparatus

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 캐리어에 관한 것으로, 웨이퍼 캐리어의 덮개에 가스 분배 유로를 형성함과 아울러 가스 분배 유로를 덮는 분배 유로 덮개판에 몸체 수납된 웨이퍼들 사이 사이에 대응되게 가스 배출공을 형성하여, 웨이퍼가 수납된 몸체 내부로 목적 가스를 주입하여 내부 공기를 치환하는 과정에서 수납된 웨이퍼들 사이 사이로 공급되는 목적 가스의 흐름을 유도하여 몸체 내부의 공기 치환율을 높일 수 있도록 하는 효과를 갖는다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer carrier, wherein a gas distribution passage is formed on a cover of a wafer carrier, and a gas discharge hole is formed correspondingly between wafers housed in a body in a distribution passage cover plate covering the gas distribution passage. Injecting the target gas into the interior of the body is housed in the process of replacing the internal air has the effect of inducing the flow of the target gas supplied between the accommodated wafer to increase the air replacement rate in the body.

Description

웨이퍼 캐리어{WAFER CARRIER}Wafer Carrier {WAFER CARRIER}

본 발명은 웨이퍼 캐리어에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는 웨이퍼가 수납된 몸체 내부로 치환 목적 가스(이하 목적 가스라 한다.)를 주입하여 내부 공기를 치환하는 과정에서 수납된 웨이퍼들 사이 사이로 공급되는 목적 가스의 흐름을 유도하여 몸체 내부의 공기 치환율을 높일 수 있도록 하는 웨이퍼 캐리어에 관한 것이다.
The present invention relates to a wafer carrier, and more particularly, an object to be supplied between wafers accommodated in a process of replacing internal air by injecting a replacement target gas (hereinafter referred to as a target gas) into a body in which a wafer is stored. The present invention relates to a wafer carrier capable of inducing a gas flow to increase an air displacement rate in a body.

주지된 바와 같이, 웨이퍼 캐리어(Wafer Carrier)는 반도체 소자 제조 과정에서 사용되는 실리콘 재질의 웨이퍼들이 각 단위의 반도체 제조 공정을 거치도록 이송 및 반송하도록 하는 웨이퍼 이송 및 운반용 용기를 말한다.As is well known, a wafer carrier refers to a container for transferring and conveying wafers, in which silicon wafers used in a semiconductor device manufacturing process are transported and conveyed through each semiconductor manufacturing process.

웨이퍼 캐리어는 운반 및 보관용도로 사용되는 전면 개방 운반용기(Front Opening Shipping Box: 이하 '포스비(FOSB)' 라 함)와, 운반 및 보관뿐만 아니라 공정진행 용도로 사용되는 전면부 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod: 이하 '풉(FOUP)'라 함)가 주로 사용된다.Wafer carriers are Front Opening Shipping Boxes (FOSBs) used for transport and storage, and Front Open Integrated Pods used for processing as well as transport and storage. Front Open Unified Pods (hereinafter referred to as FOUPs) are commonly used.

일례로, 상기한 풉(FOUP)은 상기 웨이퍼들을 수용하기 위한 내부 수용 공간이 구비되는 몸체와, 이 몸체의 전면 개방부를 개폐하기 위한 덮개를 포함하여 구성된다.In one example, the FOUP includes a body having an inner accommodating space for accommodating the wafers, and a cover for opening and closing the front opening of the body.

그리고, 풉(FOUP)의 내부에는 일정 간격을 유지하며 복수의 웨이퍼들이 수납되도록 가이드 함과 아울러 수납 상태를 고정하기 위한 리테이너들이 구비된다.In addition, retainers are provided in the FOUP to guide the plurality of wafers while keeping a predetermined interval therein and to fix the storage state.

한편, 상기한 웨이퍼들을 이용해 반도체를 생산하는 과정중에 풉 내부에 웨이퍼들을 수납한 상태로 목적 가스를 주입하여 내부에 채워진 공기를 목적 가스로 치환하는 공기 치환 공정이 요구된다.On the other hand, during the process of producing a semiconductor using the above-mentioned wafers, an air replacement process for injecting the target gas in a state in which the wafers are stored in the pool and replacing the air filled therein with the target gas is required.

그러나, 종래 풉(FOUP)의 경우 공기 치환 공정을 위한 구성은 웨이퍼들이 수납되는 몸체의 바닥면 일측에 목적 가스를 주입하기 위한 가스 주입구와, 몸체 내부를 채우던 공기 및 목적 가스를 배출하기 위한 가스 배출구만으로 이루어진다. However, in the case of the conventional FOUP, the configuration for the air replacement process includes a gas inlet for injecting a target gas into one side of the bottom surface of the body in which the wafers are accommodated, and a gas for discharging air and the target gas used to fill the inside of the body. It consists of outlet only.

따라서, 종래 풉(FOUP)의 경우 수납된 웨이퍼들 사이 사이에서 공급된 목적 가스의 흐름이 저하되어 몸체 내부의 공기 치환율이 떨어지게 되어, 공기 치환 작업에 따른 작업 소요 시간이 길어져 생산성이 저하되는 단점을 가지게 된다.
Therefore, in the case of the conventional FOUP, the flow of the target gas supplied between the received wafers is lowered, so that the air replacement rate inside the body is lowered. To have.

상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 웨이퍼가 수납된 몸체 내부로 목적 가스를 주입하여 몸체 내부의 공기를 치환하는 과정에서 수납된 웨이퍼들 사이 사이로 공급되는 목적 가스의 흐름을 분배 및 유도하여 몸체 내부의 공기 치환율을 높일 수 있도록 하는 웨이퍼 캐리어를 제공하는 것이다.
An object of the present invention for solving the above problems is to distribute and induce the flow of the target gas supplied between the wafers accommodated in the process of replacing the air in the body by injecting the target gas into the body containing the wafer It is to provide a wafer carrier to increase the air replacement rate in the body.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 웨이퍼 캐리어는 전면부가 개방되며 내부에 웨이퍼들이 수납되도록 수납 공간이 형성되고, 바닥의 전면부 양측에 가스 주입구 및 가스 배출구가 관통 형성되는 몸체; 및 상기 몸체의 전면 개방부를 닫아 폐쇄하며, 상기 가스 주입구에 대응되는 내측면 일측에서 높이 방향을 따라 홈이지며 가스 분배 유로가 형성되고, 상기 가스 주입구와 인접하는 상기 가스 분배 유로의 하단이 개방되게 분배 유로 입구를 이루도록 상기 가스 분배 유로를 덮으며 상기 가스 분배 유로를 통해 공급된 치환 목적 가스를 상기 몸체 내부에 수납된 각각의 웨이퍼들 사이 사이로 분배하여 공급되도록 복수의 가스 배출공들이 형성되는 분배 유로 덮개판이 구비되는 덮개;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. Wafer carrier of the present invention for achieving the above object is the front portion is open and the receiving space is formed so that the wafer is accommodated therein, the body is formed through the gas inlet and gas outlet through the front side of the bottom; And close and close the front opening of the body, and a gas distribution flow path is formed along a height direction at one side of an inner surface corresponding to the gas injection port, and a lower end of the gas distribution flow path adjacent to the gas injection port is opened. A distribution flow path covering the gas distribution flow path to form an inlet of the distribution flow path, and a plurality of gas discharge holes are formed to distribute and supply the replacement target gas supplied through the gas distribution flow path between the respective wafers stored in the body. It characterized in that it comprises a; cover is provided with a cover plate.

여기서, 상기 가스 배출공은 상기 몸체 내부에 수납되는 상기 각 웨이퍼들의 사이 사이에 위치하도록 형성되거나 또는, 상기 몸체 내부에 수납되는 상기 각 웨이퍼들의 측면에 대응되게 형성되는 것이 바람직하다.Here, the gas discharge hole is preferably formed between the respective wafers accommodated in the body or formed to correspond to the side surfaces of the wafers accommodated in the body.

또한, 상기 몸체의 가스 주입구에 연통되며 분리 가능하게 설치되며, 상기 가스 주입구와 상기 덮개의 가스 분배 유로의 분배 유로 입구를 연결하는 가스 공급 연결관;을 더 포함하여 구성될 수 있다. In addition, it is connected to the gas inlet of the body and is detachably installed, the gas supply connecting pipe for connecting the gas inlet and the distribution flow path inlet of the gas distribution flow path of the cover; may further comprise a.

또한, 상기 가스 공급 연결관은 상기 몸체 내부에서 최하단에 수납되는 웨이퍼의 수납 높이 보다 더 낮게 형성되는 것이 바람직하다. In addition, the gas supply pipe is preferably formed lower than the storage height of the wafer accommodated at the lowermost end in the body.

또한, 상기 가스 분배 유로는 상기 가스 주입구와 인접하는 하측 단부로부터 상측 단부로 갈수록 단면적이 작아지게 또는 커지게 형성될 수 있다. In addition, the gas distribution passage may be formed to have a smaller or larger cross-sectional area from the lower end adjacent to the gas injection hole toward the upper end.

또한, 상기 분배 유로 덮개판의 가스 배출공은 내측 직경과 외측 직경이 동일하게 관통 형성되거나, 내측 직경이 외측 직경 보다 더 크게 두께 방향으로 점차 축소되며 노즐 형태로 관통 형성되거나, 또는 내측 직경이 외측 직경 보다 더 작게 두께 방향으로 점차 확대되며 디퓨져 형태로 관통 형성될 수 있다.In addition, the gas discharge hole of the distribution channel cover plate is formed through the same inner diameter and the outer diameter, or the inner diameter is gradually reduced in the thickness direction larger than the outer diameter and formed through the nozzle form, or the inner diameter is the outer It may be gradually enlarged in the thickness direction smaller than the diameter and penetrated in the form of a diffuser.

또한, 상기 덮개는 상기 가스 배출구에 대응되는 내측면 타일측에서 높이 방향을 따라 홈이지게 가스 배출 유로가 더 형성되고, 상기 가스 배출구와 인접하는 상기 가스 배출 유로의 하단이 개방되게 배출 유로 출구를 이루도록 상기 가스 배출 유로를 덮으며 상기 몸체 내부에 수납된 각각의 웨이퍼들 사이 사이에서 치환된 공기 및 상기 치환 목적 가스들을 상기 가스 배출 유로를 통해 배출하도록 복수의 가스 흡입공들이 형성되는 배출 유로 덮개판:을 더 포함할 수 있다. In addition, the cover may further include a gas discharge passage so as to be grooved along the height direction on the inner side tile side corresponding to the gas outlet, and discharge the outlet passage so that the lower end of the gas discharge passage adjacent to the gas outlet is opened. A discharge flow channel cover plate covering the gas discharge flow path and having a plurality of gas suction holes formed therein to discharge the air and the replacement target gases between the wafers accommodated in the body through the gas discharge flow path. It may further include:

또한, 상기 몸체의 가스 배출구에 연통되게 설치되어, 상기 가스 배출구와 상기 가스 배출 유로의 배출 유로 출구를 연결하는 가스 배출 연결관;을 더 포함할수 있다. The apparatus may further include a gas discharge connection pipe installed to communicate with the gas discharge port of the body to connect the gas discharge port and the discharge flow path outlet of the gas discharge flow path.

또한, 상기 가스 배출 연결관은 상기 몸체 내부에서 최하단에 수납되는 웨이퍼의 높이 보다 더 낮게 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the gas exhaust connection pipe is preferably formed lower than the height of the wafer accommodated at the lowermost end in the body.

또 다른 본 발명의 웨이퍼 캐리어는 전면부가 개방되며 내부에 웨이퍼들이 수납되도록 수납 공간이 형성되고, 바닥의 전면부 양측에 각각 가스 주입구 및 가스 배출구가 관통 형성되는 몸체; 상기 몸체의 전면 개방부를 닫아 폐쇄하는 덮개; 및 상기 몸체 내측에서 상기 가스 주입구에 대응되게 상기 덮개 일측을 따라 높이 방향으로 연장 설치되며, 상기 가스 주입구을 통해 공급된 치환 목적 가스가 수납된 상기 웨이퍼들 사이 사이로 분배하여 공급되도록 복수의 가스 배출공들이 형성되는 가스 분배관;을 포함할 수 있다. Another wafer carrier of the present invention is the front portion is opened and the receiving space is formed so that the wafers are accommodated therein, the body is formed through the gas inlet and the gas outlet through the front side of the bottom, respectively; A cover for closing and closing the front opening of the body; And a plurality of gas discharge holes installed in the body to extend in a height direction along one side of the cover to correspond to the gas injection hole, and to distribute the supplied target gas supplied through the gas injection hole between the wafers. It may include a gas distribution pipe formed.

또한, 상기 가스 배출공은 상기 몸체 내부에 수납되는 상기 각 웨이퍼들의 사이 사이에 위치하거나, 또는 상기 몸체 내부에 수납되는 상기 각 웨이퍼들의 측면에 대응되게 형성될 수 있다. In addition, the gas discharge hole may be located between the respective wafers accommodated in the body or may be formed to correspond to the side surfaces of the wafers accommodated in the body.

또한, 상기 덮개 내측면에는 상기 가스 분배관이 수납되며 설치되도록 분배관 수납홈이 형성되고, 상기 몸체의 가스 주입구에 연통되게 설치되어, 상기 가스 주입구와 상기 가스 분배관의 하단부를 연결하는 가스 공급 연결관;을 더 포함하여 구성될 수 있다. In addition, a distribution pipe receiving groove is formed on the inner surface of the cover to accommodate and install the gas distribution pipe, and is installed to communicate with the gas inlet of the body, and supplies a gas to connect the gas inlet to the lower end of the gas distribution pipe. It may be configured to further include a connector.

또한, 상기 가스 분배관은 상기 가스 주입구와 인접하는 하측 단부로부터 상측 단부로 갈수록 점차 단면적이 더 작아지거나, 더 커지게 형성될 수 있다. In addition, the gas distribution pipe may be formed to have a smaller or larger cross-sectional area gradually from the lower end adjacent to the gas inlet toward the upper end.

또한, 상기 가스 분배관의 가스 배출공은 내측 직경과 외측 직경이 일정하게 관통 형성되거나, 내측 직경이 외측 직경 보다 더 크게 두께 방향으로 점차 축소되며 노즐 형태로 관통 형성되거나 또는 내측 직경이 외측 직경 보다 더 작게 두께 방향으로 점차 확대되며 관통 형성될 수 있다. In addition, the gas discharge hole of the gas distribution pipe is formed through the inner diameter and the outer diameter is constant, or the inner diameter is gradually reduced in the thickness direction larger than the outer diameter and formed through the nozzle form or the inner diameter is larger than the outer diameter It may be formed to penetrate gradually in the thickness direction to be smaller.

또한, 상기 몸체 내측에서 상기 가스 배출공에 대응되게 상기 덮개 일측을 따라 높이 방향으로 연장 설치되며, 수납된 상기 웨이퍼들 사이 사이에 대응되게 복수의 가스 흡입공이 형성되는 가스 배출관;을 더 포함할 수 있다. The gas discharge tube may be installed to extend in a height direction along one side of the cover to correspond to the gas discharge hole inside the body, and a plurality of gas suction holes may be formed to correspond between the accommodated wafers. have.

또한, 상기 덮개 내측면에는 상기 가스 배출관이 수납되며 설치되도록 배출관 수납홈이 형성되고, 상기 몸체의 가스 배출구에 연통되게 설치되어, 상기 가스 배출구와 상기 가스 배출관을 연통되게 연결하는 가스 배출 연결관;을 더 포함할 수 있다. In addition, the cover inner surface is formed with a discharge pipe receiving groove so that the gas discharge pipe is accommodated and installed, is installed in communication with the gas discharge port of the body, the gas discharge connection pipe for connecting the gas discharge port and the gas discharge pipe in communication; It may further include.

또한, 상기 가스 공급 연결관 및 상기 가스 배출 연결관은 상기 몸체 내부에서 최하단에 수납되는 웨이퍼의 높이 보다 더 낮게 형성되는 것이 바람직하다.
In addition, the gas supply connection pipe and the gas discharge connection pipe is preferably formed lower than the height of the wafer accommodated at the lowermost end in the body.

상기한 본 발명의 웨이퍼 캐리어에 따르면, 웨이퍼 캐리어의 덮개에 가스 분배 유로를 형성함과 아울러 가스 분배 유로를 덮는 분배 유로 덮개판에 몸체 수납된 웨이퍼들 사이 사이에 대응되게 가스 배출공을 형성하여 웨이퍼가 수납된 몸체 내부로 목적 가스를 주입하여 내부 공기를 치환하는 과정에서 수납된 웨이퍼들 사이 사이로 공급되는 목적 가스의 흐름을 유도하여 몸체 내부의 공기 치환율을 높일 수 있도록 하는 효과를 갖는다. According to the wafer carrier of the present invention described above, a gas discharge hole is formed on the cover of the wafer carrier and a gas discharge hole is formed correspondingly between the wafers housed on the distribution channel cover plate covering the gas distribution channel. Injecting the target gas into the interior of the body is housed in the process of replacing the internal air has the effect of inducing the flow of the target gas supplied between the accommodated wafer to increase the air replacement rate in the body.

또한, 가스 공급 연결관을 이용해 가스 주입구와 덮개의 가스 분배 유로의 분배 유로 입구를 연결하도록 함으로써, 가스 주입구를 통해 공급되는 목적 가스가 덮개의 가스 분배 유로를 통해 좀더 효과적으로 분배되어 공급될 수 있도록 하는 효과를 갖는다. In addition, by using a gas supply connection to connect the gas inlet and the distribution flow path inlet of the gas distribution flow path of the cover, the target gas supplied through the gas inlet can be more effectively distributed and supplied through the gas distribution flow path of the cover Has an effect.

또한, 덮개에 형성되는 가스 분배 유로가 가스 주입구와 인접하는 하측 단부로부터 상측 단부로 갈수록 단면적이 점차 작아지게 또는 커지게 형성함으로써, 분배 유로 덮개판에 형성되는 각각의 가스 배출공을 통해 동일하게 목적 가스가 공급될 수 있도록 하는 효과를 갖는다.In addition, the gas distribution flow path formed in the cover is formed to have a smaller or larger cross-sectional area from the lower end adjacent to the gas inlet to the upper end, so that the same through the respective gas discharge holes formed in the distribution flow path cover plate. It has the effect of allowing gas to be supplied.

또한, 가스 배출공을 분배 유로 덮개판의 두께 방향으로 내측 직경과 외측 직경이 서로 동일하거나, 내측 직경이 외측직경보다 더 커지거나, 또는 내측 직경이 외측 직경보다 더 작아지게 변형하여 적용함으로써, 가스 배출공을 통해 웨이퍼들 사이 사이로 공급되는 목적 가스가 일정하게 공급되거나, 유속이 더 빨라진 상태로 공급되거나 또는 유속이 감소하며 좀더 확산되는 형태로 공급될 수 있도록 하는 효과를 갖는다.In addition, the gas discharge hole is applied by deforming such that the inner diameter and the outer diameter are equal to each other, the inner diameter is larger than the outer diameter, or the inner diameter is smaller than the outer diameter in the thickness direction of the distribution channel cover plate. The target gas supplied between the wafers through the discharge hole may be constantly supplied, the flow rate may be supplied faster, or the flow rate may be supplied in a more diffused form.

또한, 덮개에 가스 배출구에 대응되는 내측면 타일측에서 높이 방향을 따라 홈이지게 가스 배출 유로 형성하고, 가스 배출구와 인접하는 가스 배출 유로의 하단이 개방되게 배출 유로 출구를 이루도록 가스 배출 유로를 덮으며 몸체 내부에 수납된 각각의 웨이퍼들 사이 사이에 공급된 가스들을 가스 배출 유로를 통해 배출하도록 복수의 가스 흡입공이 형성되는 배출 유로 덮개판 더 구비하며, 가스 배출구와 가스 배출 유로의 배출 유로 출구를 연결하는 가스 배출 연결관을 더 포함하도록 구성되어 가스 배출구를 통해 몸체 내부의 공기와 목적 가스의 배출이 좀더 효과적으로 이루어질 수 있도록 하는 효과를 갖는다.In addition, a gas discharge flow path may be formed in the cover to have a groove along the height direction on the inner side of the tile side corresponding to the gas discharge port, and cover the gas discharge flow path to form a discharge flow path outlet so that the lower end of the gas discharge flow path adjacent to the gas discharge port is opened. And a discharge passage cover plate having a plurality of gas suction holes formed therein to discharge the gases supplied between the respective wafers stored in the body through the gas discharge passage. It is configured to further include a gas discharge connecting pipe connecting to have an effect to more effectively discharge the air and the target gas inside the body through the gas outlet.

또한, 가스 공급 연결관과 가스 배출 연결관은 내부에서 최하단에 수납되는 웨이퍼의 수납 높이 보다 더 낮게 형성되어, 웨이퍼 인입출시 웨이퍼와의 간섭을 피할 수 있도록 하는 효과를 갖는다.In addition, the gas supply connection pipe and the gas discharge connection pipe are formed lower than the storage height of the wafer accommodated at the lowermost end in the inside, and has an effect of avoiding interference with the wafer during wafer in and out.

또 다른 본 발명의 웨이퍼 캐리어에 따르면 몸체 내측에서 가스 주입구에 대응되게 덮개 일측을 따라 높이 방향으로 연장 설치되며, 가스 주입구을 통해 공급된 가스가 수납된 웨이퍼들 사이 사이로 공급되게 복수의 가스 배출공이 형성되는 가스 분배관을 통해 웨이퍼가 수납된 몸체 내부로 목적 가스를 주입하여 내부 공기를 치환하는 과정에서 수납된 웨이퍼들 사이 사이로 공급되는 목적 가스의 흐름을 유도하여 몸체 내부의 공기 치환율을 높일 수 있도록 하는 효과를 갖는다. According to another wafer carrier according to the present invention, a plurality of gas discharge holes are formed to extend in a height direction along one side of the cover to correspond to the gas injection hole inside the body, and to supply the gas supplied through the gas injection hole between the received wafers. Injecting the target gas into the body containing the wafer through the gas distribution pipe to induce the flow of the target gas supplied between the wafers accommodated in the process of replacing the internal air to increase the air replacement rate in the body Has

또한, 덮개 내측면에 가스 분배관을 수용하기 위한 가스 분배관 수납홈을 형성함과 아울러 가스 공급 연결관을 이용해 상기 가스 주입구와 상기 가스 분배관 하단 분배 유로 입구를 연결하여, 가스 주입구를 통해 공급되는 목적 가스가 덮개의 가스 분배 유로를 통해 좀더 효과적으로 분배되어 수납된 웨이퍼들의 사이 사이로 잘 공급될 수 있도록 하는 효과를 갖는다. In addition, a gas distribution pipe accommodating groove for accommodating the gas distribution pipe is formed on the inner side of the cover, and the gas injection port is connected to the lower distribution flow path inlet of the gas distribution pipe using a gas supply connection pipe, and is supplied through the gas injection hole. The desired gas is more effectively distributed through the gas distribution flow path of the lid so that the gas can be well supplied between the wafers contained therein.

또한, 가스 분배관에 형성되는 가스 분배 유로를 가스 주입구와 인접하는 하측 단부로부터 상측 단부로 갈수록 단면적이 작아지게 또는 커지게 형성하여, 가스 분배관에 형성되는 각각의 가스 배출공을 통해 동일한 목적 가스가 공급될 수 있도록 하는 효과를 갖는다. In addition, the gas distribution flow path formed in the gas distribution pipe is formed to have a smaller or larger cross-sectional area from the lower end adjacent to the gas inlet to the upper end, so that the same target gas is formed through each gas discharge hole formed in the gas distribution pipe. Has the effect of being able to be supplied.

또한, 가스 배출공을 가스 분배관의 두께 방향으로 내측 직경과 외측 직경이 서로 동일하거나, 내측 직경이 외측직경보다 더 커지거나, 또는 내측 직경이 외측 직경보다 더 작아지게 형성함으로써, 가스 배출공을 통해 몸체 내부에 수납된 웨이퍼들 사이 사이로 공급되는 목적 가스가 일정하게 공급되거나, 유속이 더 빨라진 상태로 공급되거나 또는 유속이 감소하며 좀더 확산되며 공급될 수 있도록 하는 효과를 갖는다.Further, the gas discharge hole is formed by forming the gas discharge hole so that the inner diameter and the outer diameter are equal to each other, the inner diameter is larger than the outer diameter, or the inner diameter is smaller than the outer diameter in the thickness direction of the gas distribution pipe. Through this, the target gas supplied between the wafers stored in the body may be constantly supplied, or may be supplied at a higher flow rate or at a reduced flow rate and more diffused.

또한, 상기 몸체 내측에서 상기 가스 배출공에 대응되게 상기 덮개 일측을 따라 높이 방향으로 연장 설치되며, 수납된 상기 웨이퍼들 사이 사이에 대응되게 복수의 가스 흡입공이 형성되는 가스 배출관 및 상기 가스 배출구와 상기 가스 배출관을 연통되게 연결하는 가스 배출 연결관을 더 포함하도록 구성되어 가스 배출구를 통해 몸체 내부의 공기와 목적 가스의 배출이 좀더 효과적으로 이루어질 수 있도록 하는 효과를 갖는다.
In addition, the inner side of the body is installed in the height direction along the side of the cover to correspond to the gas discharge hole, the gas discharge pipe and the gas discharge port and the plurality of gas suction holes are formed correspondingly between the accommodated wafers It is configured to further include a gas discharge connection pipe connecting the gas discharge pipe in communication with the gas outlet has the effect that the discharge of the air and the target gas inside the body more effectively.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 웨이퍼 캐리어의 분해 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시한 덮개의 분배 유로 덮개판 분리 사시도이다.
도 4는 도 1의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 잘라서 본 웨이퍼 캐리어의 측단면도이다.
도 5는 도 4의 Ⅴ부분의 가스 공급 연결관 연결부를 확대하여 도시한 측단면도이다.
도 6은 도 4의 Ⅵ부분의 가스 배출공을 확대하여 도시한 측단면도이다.
도 7은 도 3의 Ⅶ-Ⅶ선을 따라 잘라서 본 분배 유로 덮개판의 평단면도이다.
도 8 및 도 9는 분배 유로 덮개판의 가스 배출공에 대한 변형예들을 도시한 평단면도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 측단면도이다.
도 11은 도 10의 ⅩⅠ부분의 가스 배출공을 확대하여 도시한 측단면도이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 덮개를 도시한 배면도이다.
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 분해 사사도이다.
도 14는 도 13에 도시한 덮개의 가스 분배관 분해 사시도이다.
도 15는 도 14의 가스 분배관을 분리하여 도시한 사시도이다.
도 16은 도 15의 ⅩⅥ-ⅩⅥ 선을 따라 잘라서 본 가스 분배관의 평단면도이다.
도 17 및 도 18은 도 16의 가스 분배관의 가스 배출공에 대한 변형예들을 도시한 평단면도이다.
도 19은 도 13의 웨이퍼 캐리어에 대한 측단면도이다.
도 20은 본 발명의 제5 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 측단면도이다.
1 is a perspective view showing a wafer carrier according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an exploded perspective view of the wafer carrier of FIG. 1.
3 is an exploded perspective view of the distribution channel cover plate of the cover illustrated in FIG. 2.
4 is a cross-sectional side view of the wafer carrier taken along the line IV-IV of FIG. 1.
FIG. 5 is an enlarged side cross-sectional view of the gas supply connector connection of part V of FIG. 4.
6 is an enlarged side cross-sectional view of the gas discharge hole of part VI of FIG. 4.
FIG. 7 is a plan sectional view of the distribution channel cover plate taken along the line VII-VII of FIG. 3.
8 and 9 are plan views showing modifications to the gas outlet holes of the distribution channel cover plate.
10 is a side cross-sectional view of a wafer carrier according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 11 is an enlarged side cross-sectional view of the gas discharge hole of the XI part of FIG. 10.
12 is a rear view showing a lid of the wafer carrier according to the third embodiment of the present invention.
13 is an exploded perspective view of the wafer carrier according to the fourth embodiment of the present invention.
14 is an exploded perspective view of the gas distribution pipe of the lid shown in FIG. 13.
FIG. 15 is a perspective view illustrating the gas distribution pipe of FIG. 14 separated.
FIG. 16 is a plan sectional view of the gas distribution pipe taken along the line VI-VI of FIG. 15.
17 and 18 are plan views showing modifications to the gas outlet holes of the gas distribution pipe of FIG. 16.
19 is a side cross-sectional view of the wafer carrier of FIG. 13.
20 is a side sectional view of a wafer carrier according to a fifth embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어를 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 웨이퍼 캐리어의 분해 사시도이며, 도 3은 도 2에 도시한 덮개의 분배 유로 덮개판 분리 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a wafer carrier according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view of the wafer carrier of FIG. 1, and FIG. 3 is an exploded perspective view of a distribution channel cover plate of the cover illustrated in FIG. 2. .

도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하면, 본 실시예에서 웨이퍼 캐리어(1)는 풉(FOUP)인 것을 예시하며, 풉(FOUP)은 몸체(10)와, 이 몸체(10)의 전면 개방부를 닫아 폐쇄하는 덮개(20)를 포함하여 구성된다.Referring to FIGS. 1 to 3, the wafer carrier 1 in this embodiment illustrates that it is a FOUP, and the FOUP is a body 10 and a front opening of the body 10. The cover 20 is closed and closed.

몸체(10)는 전면부가 개방되며 내부에 웨이퍼(미도시)를 수납하기 위한 내부 수납 공간이 형성되며, 내측 벽면에는 수납된 복수의 웨이퍼들을 기설정된 간격을 두고 높이 방향으로 서로 층을 이루며 수납되도록 가이드함과 아울러 수납된 상태를 유지하도록 잡아 고정하기 위한 리테이너들(13)이 구비된다.The body 10 has an open front surface and is formed with an inner accommodating space for accommodating wafers (not shown), and the inner wall has a plurality of wafers stored therein so as to be layered with each other in a height direction at a predetermined interval. Retainers 13 are provided to hold and fix the guide box and to keep the housed state.

그리고, 몸체(10)의 바닥면에는 내부에 충진된 공기를 목적 가스로 치환하도록 목적 가스를 공급하기 위한 가스 주입구(11) 및 치환된 공기 및 목적 가스를 배출하기 위한 가스 배출구(12)가 관통하여 형성된다. In addition, a gas inlet 11 for supplying the target gas and a gas outlet 12 for discharging the replaced air and the target gas pass through the bottom surface of the body 10 to replace the air filled therein with the target gas. Is formed.

덮개(20)는 몸체(10) 내부에 실장된 웨이퍼들을 안전하게 운반 및 보관할 수 있도록 몸체(10)의 전면 개방부를 닫아 폐쇄하도록 형성된다. The cover 20 is formed to close and close the front opening of the body 10 so that wafers mounted in the body 10 can be safely transported and stored.

특히, 본 실시예의 덮개(20)에는 상기한 가스 주입구(11)에 대응되는 내측면 일측에서 높이 방향을 따라 홈이지며 가스 분배 유로(21)가 형성된다. In particular, the cover 20 of the present embodiment is grooved along the height direction on one side of the inner side surface corresponding to the gas inlet 11 and the gas distribution passage 21 is formed.

그리고, 상기 가스 주입구(11)와 인접하는 상기 가스 분배 유로(21)의 하단이 개방되게 분배 유로 입구(21)를 이루도록 상기 가스 분배 유로(22)를 덮으며 상기 가스 분배 유로(22)를 통해 공급된 가스를 상기 몸체(10) 내부에 수납된 각각의 웨이퍼들 사이 사이로 분배하여 공급할 수 있도록 복수의 가스 배출공(26)들이 형성되는 분배 유로 덮개판(25)을 포함하여 구성된다. The gas distribution flow passage 22 covers the gas distribution flow passage 22 so that the lower end of the gas distribution flow passage 21 adjacent to the gas injection port 11 forms the distribution flow passage inlet 21. It is configured to include a distribution channel cover plate 25 is formed with a plurality of gas discharge holes 26 so as to distribute the supplied gas between the respective wafers accommodated in the body (10).

한편, 분배 유로 덮개판(25)은 양측면에 돌출 형성되는 고정 돌기(24)가 이에 대응되게 형성되는 가스 분배 유로(22)의 양측 벽면에 요홈지게 형성되는 돌기 수용홈(23)에 끼워져 고정된다. On the other hand, the distribution channel cover plate 25 is fixed to the projection receiving groove 23 is formed to be recessed on both side wall surfaces of the gas distribution channel 22, the fixing projections 24 protruding on both sides are formed to be fixed. .

도 4는 도 1의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 잘라서 본 웨이퍼 캐리어의 측단면도이고, 도 5는 도 4의 Ⅴ부분의 가스 공급 연결관 연결부를 확대하여 도시한 측단면도이며, 도 6은 도 4의 Ⅵ부분의 가스 배출공을 확대하여 도시한 측단면도이다. FIG. 4 is a side cross-sectional view of the wafer carrier taken along the line IV-IV of FIG. 1, and FIG. 5 is an enlarged side cross-sectional view of the gas supply connector connection portion V of FIG. 4, and FIG. 6 is a cross-sectional view of FIG. This is a side sectional view showing an enlarged part of the gas discharge hole of the part VI.

도 4 내지 도 6를 참조하여 설명하면, 본 실시예의 웨이퍼 캐리어(1)는 덮개(20)에 가스 분배 유로(22)를 형성함과 아울러 가스 분배 유로(22)를 덮는 분배 유로 덮개판(25)에 몸체(1) 내부에 수납된 웨이퍼들 사이 사이에 대응되게 가스 배출공(26)들을 형성하여, 몸체(10) 내부에 채워진 공기를 치환하는 과정에서 수납된 웨이퍼들(50) 사이 사이로 공급되는 목적 가스의 흐름을 유도하여 몸체 내부의 공기 치환율을 높일 수 있도록 한다. Referring to FIGS. 4 to 6, the wafer carrier 1 of the present embodiment forms a gas distribution flow passage 22 in the cover 20 and also covers a distribution flow passage cover plate 25 covering the gas distribution flow passage 22. The gas discharge holes 26 are formed in correspondence between the wafers stored in the body 1, and supplied between the wafers 50 stored in the process of replacing the air filled in the body 10. By inducing the flow of the target gas is to increase the air substitution rate inside the body.

특히, 도 6에 도시한 바와 같이, 분배 유로 덮개판(25)에 형성되는 가스 배출공들(26)이 몸체(1) 내부에 수납된 웨이퍼들 사이 사이에 대응되게 형성되는 경우, 25매의 웨이퍼를 수납하는 풉(FOUP)을 기준으로 대략 23개의 가스 배출공들을 형성하는 것을 예시한다. In particular, as shown in FIG. 6, when the gas discharge holes 26 formed in the distribution channel cover plate 25 are formed to correspond to each other between the wafers housed in the body 1, An example of forming approximately 23 gas outlet holes based on a FOUP that houses a wafer is illustrated.

몸체(10)에는 상기 가스 주입구(11)와 상기 덮개(20)의 가스 분배 유로(21)의 하단부에 형성되는 분배 유로 입구를 연결하기 위한 가스 공급 연결관(15)이 더 구비된다. The body 10 is further provided with a gas supply connecting pipe 15 for connecting the gas inlet 11 and the distribution flow path inlet formed at the lower end of the gas distribution flow path 21 of the cover 20.

이처럼, 가스 공급 연결관(15)을 이용해 가스 주입구(11)와 덮개(20)의 가스 분배 유로(21)의 분배 유로 입구를 연결하도록 함으로써, 가스 주입구(11)를 통해 공급되는 목적 가스가 덮개의 가스 분배 유로(21) 및 분배 유로 덮개판(25)의 가수 배출공(26)을 통해 좀더 효과적으로 분배되어 공급될 수 있도록 한다. As such, the target gas supplied through the gas inlet 11 is covered by connecting the gas inlet 11 and the inlet of the distribution channel of the gas distribution channel 21 of the cover 20 by using the gas supply connection pipe 15. Through the gas distribution passage 21 and the gas discharge hole 26 of the distribution passage cover plate 25 can be more effectively distributed and supplied.

또한, 가스 공급 연결관(15)은 몸체(10)의 가스 주입구(11)로부터 분리 가능하게 설치되어, 세척 기구를 이용한 풉(FOUP)의 세척 과정에서 분리하여 세척 기구들과의 간섭을 피할 수 있도록 한다.In addition, the gas supply pipe 15 is installed detachably from the gas inlet 11 of the body 10, it can be separated in the washing process of the FOUP using the cleaning mechanism to avoid interference with the cleaning mechanisms. Make sure

다시 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하면, 덮개(20)에 형성되는 가스 분배 유로(22)는 몸체(10)의 가스 주입구(11)와 인접하는 하측 단부로부터 상측 단부로 갈수록 단면적이 작아지게 형성되는 것이 좀더 바람직하다. Referring back to FIGS. 1 to 3, the gas distribution passage 22 formed in the cover 20 has a smaller cross-sectional area from the lower end adjacent to the gas inlet 11 of the body 10 toward the upper end. More preferably.

이처럼, 가스 분배 유로(21)를 하측 단부로부터 상측 단부로 갈수록 단면적이 작아지게 형성함으로써, 분배 유로 덮개판(25)에 형성되는 각각의 가스 배출공(26)을 기설정된 가스유량과 가스압력으로 목적 가스가 공급될 수 있도록 한다. As such, the cross-sectional area of the gas distribution flow passage 21 is reduced from the lower end portion to the upper end portion so that each gas discharge hole 26 formed in the distribution flow passage cover plate 25 has a predetermined gas flow rate and gas pressure. Allow the target gas to be supplied.

그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 분배 유로 덮개판(25)에 형성되는 각각의 가스 배출공(26)을 통해 공급되는 목적 가스의 공급 유량과 공급 압력의 변화를 통해 가스 치환율을 높일 수 있도록 하기 위해 가스 분배 유로(22)를 하측 단부로부터 상측 단부로 갈수록 단면적이 점차 커지게 변형하여 적용할 수 있음은 당연하다. However, the present invention is not limited thereto, and the gas substitution rate may be increased by changing the supply flow rate and supply pressure of the target gas supplied through the gas discharge holes 26 formed in the distribution channel cover plate 25. For this reason, it is natural that the gas distribution flow passage 22 may be deformed and gradually applied to the upper end from the lower end to the upper end.

도 7은 도 3의 Ⅶ-Ⅶ선을 따라 잘라서 본 분배 유로 덮개판의 평단면도이고, 도 8 및 도 9는 분배 유로 덮개판의 분배관의 가스 배출공에 대한 변형예들을 도시한 평단면도이다.FIG. 7 is a plan sectional view of the distribution channel cover plate cut along the line VII-VII of FIG. 3, and FIGS. 8 and 9 are plan cross sectional views showing modifications to the gas outlet holes of the distribution tube of the distribution channel cover plate. .

도 7 내지 도 9을 참조하여 설명하면, 본 실시예에서 분배 유로 덮개판(25)에 형성되는 가스 배출공(26)은 내측 직경(l)과 외측 직경(L)이 동일하게 관통 형성하여 웨이퍼들 사이 사이로 목적 가스가 일정하게 공급될 수 있도록 하는 것을 예시한다.Referring to FIGS. 7 to 9, in the present embodiment, the gas discharge hole 26 formed in the distribution channel cover plate 25 is formed to have the same inner diameter l and outer diameter L therethrough. It illustrates that the target gas can be supplied constantly between the two.

그러나 본 발명이 이에 반드시 한정되는 것은 아니며, 도 7 및 도 8에 도시한 변형예에서와 같이, 가스 배출공(27, 28)이 분배 유로 덮개판(25)의 내측 직경(l)이 외측 직경(L)보다 더 커지게 노즐 형상을 이루며 관통 형성되거나 또는 내측 직경(l)이 외측 직경(L)보다 더 작아지게 디퓨져 형상을 이루며 관통 형성함으로써, 가스 배출공(27, 28)을 통해 몸체 내부에 수납된 웨이퍼들 사이 사이로 유속이 더 빨라진 상태로 공급되도록 하거나 또는 유속이 감소하며 좀더 넓게 확산되어 공급될 수 있도록 할 수도 있다. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and as in the modifications shown in FIGS. 7 and 8, the inner diameter l of the distribution channel cover plate 25 is the outer diameter of the gas outlet holes 27 and 28. Through the gas discharge hole (27, 28) through the gas discharge hole (27, 28) by forming a through-shaped nozzle shape to be larger than (L) or through a diffuser shape so that the inner diameter (l) is smaller than the outer diameter (L) The flow rate may be supplied faster between the wafers contained in the wafer, or the flow rate may be reduced and spread more widely.

한편, 상기한 가스 배출공(26, 27, 29)들은 원형으로 관통 형성되는 것을 예시하나, 가스 배출공(26)이 원형으로 이루어지지 않는 경우 상기한 내측 직경(l) 및 외측 직경(L)은 가스 배출공의 내, 외측의 최대 폭으로 각각 해설될 수 있다. On the other hand, the gas discharge holes 26, 27, 29 illustrate that the through-circle is formed in a circular shape, the inner diameter (l) and the outer diameter (L) described above when the gas discharge hole 26 is not made in a circular shape May be described as the maximum width of the inner and outer sides of the gas discharge hole, respectively.

이하, 본 발명의 다른 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 설명하며, 상기한 제1 실시예와 동일 및 유사한 구성에 대해서는 같은 참조 부호를 사용하고 이들에 대한 반복적인 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, other embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings, and the same reference numerals are used for the same and similar configurations as those of the first embodiment, and repeated description thereof will be omitted.

도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 측단면도이고, 도 11은 도 10의 ⅩⅠ부분의 가스 배출공을 확대하여 도시한 측단면도이다. FIG. 10 is a side cross-sectional view of the wafer carrier according to the second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 11 is an enlarged side cross-sectional view of the gas discharge hole of the region XI of FIG. 10.

도 10 및 도 11을 참조하여 설명하면, 본 실시예의 웨이퍼 캐리어(100)는, 상기한 제1 실시예의 웨이퍼 캐리어와 비교하여, 덮개(120)의 분배 유로 덮개판(125)에 형성되는 복수의 가스 배출공(126)이 상기 몸체(10) 내부에 수납되는 상기 각 웨이퍼들(50)의 측면에 각각 대응되게 형성되는 구성의 차이를 갖는다. 10 and 11, a plurality of wafer carriers 100 of the present embodiment are formed on the distribution channel cover plate 125 of the lid 120 in comparison with the wafer carriers of the first embodiment described above. The gas discharge hole 126 has a difference in configuration formed to correspond to the side of each of the wafers 50 accommodated in the body 10, respectively.

특히, 본 실시예에서는 상기한 가스 배출공들(126)을 각각의 웨이퍼들(50)의 측면에 대응되게 형성하는 경우, 25매의 웨이퍼들(50)을 수납하는 풉(FOUP)을 기준으로 대략 13의 가스 배출공을 형성되는 것을 예시한다.Particularly, in the present embodiment, when the gas discharge holes 126 are formed to correspond to the side surfaces of the respective wafers 50, the FOUPs for storing the 25 wafers 50 are based on a FOUP. An example of forming about 13 gas discharge holes is illustrated.

이처럼, 가스 배출공들(126)을 각각의 웨이퍼들(50) 측면에 대응되게 형성함으로써, 가스 배출공(126)을 통해 배출되는 목적 가스가 웨이퍼들(50)의 측면에 부딛치며 상, 하측 사이 공간으로 분산되며 공급되도록 하여 몸체 내부의 공기 치환율을 높일 수 있게 된다. As such, by forming the gas discharge holes 126 corresponding to the side surfaces of the respective wafers 50, the target gas discharged through the gas discharge holes 126 may face the side surfaces of the wafers 50, and the upper and lower sides thereof. It is possible to increase the air displacement rate inside the body by being distributed and supplied to the interspace.

도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 덮개를 도시한 배면도이다.12 is a rear view showing a lid of the wafer carrier according to the third embodiment of the present invention.

도 12를 참조하여 설명하면, 본 실시예의 웨이퍼 캐리어(200)는, 전술한 제1 실시예의 웨이퍼 캐리어와 비교하여, 덮개(220)에 상기 몸체(10)의 가스 배출구(12)에 대응되는 내측면 타일측에서 높이 방향을 따라 홈이지게 가스 배출 유로(32)가 더 형성되는 구성의 차이를 갖는다. Referring to FIG. 12, the wafer carrier 200 according to the present embodiment has an inner cover corresponding to the gas outlet 12 of the body 10 in the lid 220 as compared with the wafer carrier of the first embodiment described above. There is a difference in the configuration in which the gas discharge passage 32 is further formed to be grooved along the height direction on the side tile side.

그리고, 덮개(220)에는 상기 가스 배출구(12)와 인접하는 상기 가스 배출 유로(32)의 하단이 개방되게 배출 유로 출구(31)를 이루도록 상기 가스 배출 유로(32)를 덮으며, 상기 몸체(10) 내부에 수납된 각각의 웨이퍼들(50) 사이 사이에 공급된 목적 가스들에 의해 치환되는 공기가 상기 가스 배출 유로(32)를 통해 배출하도록 복수의 가스 흡입공(36)들이 형성되는 배출 유로 덮개판(35)이 더 구비된다.The cover 220 covers the gas discharge passage 32 to form a discharge passage outlet 31 such that a lower end of the gas discharge passage 32 adjacent to the gas outlet 12 is opened, and the body ( 10) a discharge in which a plurality of gas suction holes 36 are formed so that air replaced by target gases supplied between respective wafers 50 accommodated therein is discharged through the gas discharge flow path 32. The flow path cover plate 35 is further provided.

또한, 상기 몸체(10)의 가스 배출구(12)에 연통되게 설치되며, 상기 가스 배출구(12)와 상기 가스 배출 유로(32)의 배출 유로 출구를 연결하는 가스 배출 연결관(도 4 및 도 5의 가스 공급 연결관 동일 형상으로 이루어짐)이 더 구비된다.In addition, the gas discharge connection pipe is installed in communication with the gas outlet 12 of the body 10, and connects the gas outlet 12 and the outlet of the discharge passage of the gas discharge passage 32 (FIGS. 4 and 5). The gas supply pipe is made of the same shape) is further provided.

따라서, 본 실시예의 웨이퍼 캐리어는 배출 유로 덮개판(35)의 가스 흡입공(36) 및 가스 배출 유로(32) 그리고 가스 배출 연결관을 통해 몸체(10) 내부에 잔류하는 공기 및 일부 목적 가스들을 부압을 걸어 배출할 수 있는 별도의 유로를 형성하여 공기 치환 효과를 좀더 효과적으로 수행할 수 있도록 한다.Accordingly, the wafer carrier of the present embodiment is configured to collect air and some target gases remaining inside the body 10 through the gas suction hole 36 and the gas discharge passage 32 of the discharge passage cover plate 35 and the gas discharge connection pipe. By forming a separate flow path that can be discharged under the negative pressure to more effectively perform the air displacement effect.

한편, 상기 가스 배출 연결관은, 상기한 가스 공급 연결관(15)과 마찬가지로 상기 몸체(10) 내부에서 최하단에 수납되는 웨이퍼의 수납 높이 보다 더 낮게 형성되어, 웨이퍼 인입출시 간섭을 방지할 수 있도록 한다.On the other hand, the gas discharge connection pipe, like the gas supply connection pipe 15 is formed to be lower than the storage height of the wafer accommodated at the lowermost end inside the body 10, so as to prevent interference during wafer in and out do.

도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 분해 사사도이고, 도 14는 도 13에 도시한 덮개의 가스 분배관 분해 사시도이다. FIG. 13 is an exploded perspective view of the wafer carrier according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 14 is an exploded perspective view of the gas distribution pipe of the lid shown in FIG.

도 13 및 14를 참조하여 설명하면, 본 실시예의 웨이퍼 캐리어(300)는, 전술한 제1 실시예와 비교하여, 상기 몸체(10) 내측에서 상기 가스 주입구(11)에 대응되게 상기 덮개(120) 일측을 따라 높이 방향으로 연장 설치되며, 상기 가스 주입구(11)을 통해 공급된 가스가 수납된 상기 웨이퍼들(50) 사이 사이로 공급되게 복수의 가스 배출공(335)이 형성되는 별도의 가스 분배관(330)을 포함하도록 하는 구성의 차이를 갖는다. Referring to FIGS. 13 and 14, the wafer carrier 300 of the present embodiment has the lid 120 corresponding to the gas injection hole 11 inside the body 10 as compared with the first embodiment described above. A separate gas component is installed extending in a height direction along one side, and a plurality of gas discharge holes 335 are formed to be supplied between the wafers 50 in which the gas supplied through the gas injection hole 11 is accommodated. There is a difference in configuration to include the pipe 330.

따라서, 가스 주입구(11)을 통해 몸체(10) 내부로 유입된 목적 가스를 별도로 설치되는 가스 분배관(330)의 가스 배출공(335)들 통해 수납된 상기 웨이퍼들(50) 사이 사이로 공급할 수 있도록 한다. Accordingly, the target gas introduced into the body 10 through the gas injection port 11 may be supplied between the wafers 50 accommodated through the gas discharge holes 335 of the gas distribution pipe 330 separately installed. Make sure

그리고, 몸체(10) 내부에 가스 분배관(330)을 설치하기 위한 공간적 제한을 해소하기 위해 상기 덮개(320) 내측면에는 상기 가스 분배관(330)이 수납되며 설치되도록 분배관 수납홈(321)이 형성된다. In addition, in order to solve the space limitation for installing the gas distribution pipe 330 inside the body 10, the gas distribution pipe 330 is accommodated and installed in the inner surface of the cover 320 so as to be installed. ) Is formed.

또한, 상기 몸체(10)의 가스 주입구(11)에 연통되게 설치되어, 상기 가스 주입구(11)와 상기 가스 분배관(330) 하단에 개방 형성된 분배 유로 입구(331)를 연결하는 가스 공급 연결관(315)이 형성된다. In addition, the gas supply connecting pipe is installed in communication with the gas inlet 11 of the body 10, and connects the gas inlet 11 and the distribution flow path inlet 331 formed at the lower end of the gas distribution pipe 330. 315 is formed.

한편, 가스 분배관(330)에 형성되는 가스 배출공(335)은, 도 5 및 도 11에 도시한 바와 같이, 상기 몸체(10) 내부에 수납되는 상기 각 웨이퍼들(50)의 사이 사이에 위치하도록 형성되거나 또는, 상기 몸체(10) 내부에 수납되는 상기 각 웨이퍼들(50)의 측면에 대응되게 형성될 수 있다. On the other hand, the gas discharge hole 335 formed in the gas distribution pipe 330, as shown in Figures 5 and 11, between the respective wafers 50 accommodated in the body 10 It may be formed to be positioned or to correspond to the side surfaces of the wafers 50 accommodated in the body 10.

도 15는 도 14의 가스 분배관을 분리하여 도시한 사시도이고, 도 16은 도 15의 ⅩⅥ-ⅩⅥ 선을 따라 잘라서 본 가스 분배관의 평단면도이며. 도 17 및 도 18는 도 16의 가스 분배관의 가스 배출공에 대한 변형예들을 도시한 평단면도이다. FIG. 15 is a perspective view of the gas distribution pipe of FIG. 14 separated from each other, and FIG. 16 is a cross-sectional plan view of the gas distribution pipe taken along the line VI-VI of FIG. 15. 17 and 18 are plan views showing modifications to the gas outlet holes of the gas distribution pipe of FIG. 16.

도 15 내지 도 18을 참조하여 설명하면, 본 실시예의 가스 분배관(330)은, 전술한 제1 실시예의 상기한 가스 분배 유로(22)와 마찬가지로, 상기 가스 주입구(11)와 인접하는 하측 단부로부터 상측 단부로 갈수록 단면적이 작아지거나 커지게 게 형성될 수 있다. 따라서, 가스 분배관(330)에 형성되는 각각의 가스 배출공(335)들을 통해 기설정된 가스 유량 및 가스 압력으로 목적 가스가 공급될 수 있도록 한다.Referring to FIGS. 15 to 18, the gas distribution pipe 330 of the present embodiment has a lower end adjacent to the gas inlet 11 similarly to the gas distribution channel 22 of the first embodiment described above. It can be formed such that the cross-sectional area becomes smaller or larger toward the upper end from. Therefore, the target gas may be supplied at a predetermined gas flow rate and gas pressure through the respective gas discharge holes 335 formed in the gas distribution pipe 330.

그리고, 상기 가스 분배관(330)의 가스 배출공(335, 336, 337)은, 전술한 제1 실시예의 분배 유로 덮개판(25)의 가스 배출공(26)과 마찬가지로, 내측 직경(l)와 외측 직경(L)일 일정하게 관통 형성되거나, 내측 직경(l)이 외측 직경(L) 보다 더 크게 두께 방향으로 축소되며 노즐 형태로 관통 형성되거나, 또는 내측 직경(l)이 외측 직경(L)보다 더 작게 두께 방향으로 확대되며 디퓨져 형태로 관통 형성될 수 있다.The gas discharge holes 335, 336, and 337 of the gas distribution pipe 330 have an inner diameter 1 as in the gas discharge hole 26 of the distribution channel cover plate 25 of the first embodiment. And the outer diameter (L) is formed through the constant, or the inner diameter (l) is reduced in the thickness direction larger than the outer diameter (L) and formed through the nozzle form, or the inner diameter (l) is the outer diameter (L) It may extend in the thickness direction smaller than) and be penetrated in the form of a diffuser.

따라서, 가스 배출공(335, 336, 337)을 통해 몸체(10) 내부에 수납된 웨이퍼들(50) 사이 사이로 공급되는 목적 가스가 일정하게 공급되거나, 유속이 더 빨라진 상태로 공급되거나 또는 유속이 감소하며 좀더 확산되며 공급될 수 있다.Therefore, the target gas supplied between the wafers 50 accommodated in the body 10 through the gas discharge holes 335, 336, and 337 is constantly supplied, the flow rate is faster, or the flow rate is increased. It can be reduced, spread more and be supplied.

도 19는 도 13의 웨이퍼 캐리어에 대한 측단면도이다.19 is a side cross-sectional view of the wafer carrier of FIG. 13.

도 19를 참조하여 설명하면, 본 실시예의 웨이퍼 캐리어(300)는 몸체(10) 내측에서 가스 주입구(11)에 대응되게 덮개 일측을 따라 높이 방향으로 연장 설치되며, 가스 주입구(11)을 통해 공급된 목적 가스가 수납된 웨이퍼들(50) 사이 사이로 공급되게 복수의 가스 배출공(335)이 형성되는 가스 분배관(330)을 통해 웨이퍼들(50)이 수납된 몸체 내부로 목적 가스를 주입하여 내부 공기를 치환하는 과정에서 수납된 웨이퍼들(50) 사이 사이로 공급되는 목적 가스의 흐름을 유도하여 몸체 내부의 공기 치환율을 높일 수 있도록 한다. Referring to FIG. 19, the wafer carrier 300 according to the present exemplary embodiment is installed to extend in the height direction along one side of the cover to correspond to the gas injection hole 11 inside the body 10, and is supplied through the gas injection hole 11. The target gas is injected into the body in which the wafers 50 are accommodated through the gas distribution pipe 330 in which the plurality of gas discharge holes 335 are formed to be supplied between the wafers 50 containing the received target gases. In the process of substituting the internal air, the target gas supplied between the accommodated wafers 50 is induced to increase the air substitution rate inside the body.

도 20은 본 발명의 제5 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어의 측단면도이다. 20 is a side sectional view of a wafer carrier according to a fifth embodiment of the present invention.

도 20을 참조하여 설명하면, 본 실시예의 웨이퍼 캐리어(400)는, 전술한 제4 실시예의 웨이퍼 캐리어와 비교하여, 상기 몸체(10) 내측에서 상기 가스 배출공(12)에 대응되게 상기 덮개(420) 일측을 따라 높이 방향으로 연장 설치되며, 수납된 상기 웨이퍼들 사이 사이에 대응되게 복수의 가스 흡입공(435)이 형성되는 가스 배출관(430)을 더 포함할 수 있다. (도 12 및 도13 참조)Referring to FIG. 20, the wafer carrier 400 of the present embodiment has the lid (corresponding to the gas discharge hole 12 inside the body 10, as compared with the wafer carrier of the fourth embodiment described above). 420 may further include a gas discharge pipe 430 extending in a height direction along one side and having a plurality of gas suction holes 435 formed to correspond between the accommodated wafers. (See Figures 12 and 13)

그리고. 상기 덮개(420) 내측면에는 상기 가스 배출관(430)이 수납되며 설치되도록 배출관 수납홈(421)이 형성되고, 상기 몸체(10)의 가스 배출구(12)에 연통되게 설치되어 상기 가스 배출구(12)와 상기 가스 배출관(430)을 연통되게 연결하는 가스 배출 연결관(416)을 포함할 수 있다.And. A discharge pipe accommodating groove 421 is formed on the inner surface of the cover 420 so as to accommodate and install the gas discharge pipe 430. The cover 420 is installed to communicate with the gas discharge port 12 of the body 10. ) And a gas discharge connection pipe 416 connecting the gas discharge pipe 430 to communicate with each other.

따라서, 본 실시예의 웨이퍼 캐리어(400)는 수납된 웨이퍼들(50) 사이 사이에 잔류하는 공기 및 목적 가스 등이 가스 흡입공(435)을 통해 가스 배출관(430) 내부로 유입된 후, 가스 배출 연결관(416)을 거쳐 가스 배출구(12)를 통해 배출되도록 함으로써, 몸체(10) 내부의 공기와 목적 가스의 배출이 좀더 효과적으로 이루어져 웨이퍼들(50)이 수납된 몸체(10) 내부의 공기 치환이 좀더 효과적으로 이루어질 수 있도록 한다. Therefore, in the wafer carrier 400 of the present embodiment, air and a target gas remaining between the received wafers 50 are introduced into the gas discharge pipe 430 through the gas suction hole 435, and then the gas is discharged. By discharging through the gas outlet 12 through the connecting pipe 416, the air and the target gas in the body 10 is discharged more effectively to replace the air in the body 10 in which the wafers 50 are accommodated. Make this more effective.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형 또는 변경하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications or changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. In addition, it is natural that it belongs to the scope of the present invention.

1, 100, 200, 300, 400: 웨이퍼 캐리어 10: 몸체
11: 가스 주입구 12: 가스 배출구
13: 리테이너 15, 315: 가스 공급 연결관
416: 가스 배출 연결관 20, 120, 220, 320, 420: 덮개
21, 331: 분배 유로 입구 22, 332: 가스 분배 유로
23: 돌기 수용홈 24: 고정 돌기
25, 125: 분배 유로 덮개판 31, 431: 배출 유로 출구
26, 27, 28, 126, 335, 336, 337: 가스 배출공
32, 432: 가스 배출 유로 35; 배출 유로 덮개판
36, 435; 가스 흡입공 321: 분배관 수납홈
330: 가스 분배관 421: 배출관 수납홈
430: 가스 배출관1, 100, 200, 300, 400: wafer carrier 10: body
11: gas inlet 12: gas outlet
13: retainer 15, 315: gas supply connector
416: gas exhaust connector 20, 120, 220, 320, 420: cover
21, 331: distribution flow path entrance 22, 332: gas distribution flow path
23: projection receiving groove 24: fixing projection
25, 125: distribution flow path cover plates 31, 431: discharge flow path outlet
26, 27, 28, 126, 335, 336, 337: gas outlet
32, 432: gas discharge passage 35; Exhaust flow cover plate
36, 435; Gas suction hole 321: distribution pipe receiving groove
330: gas distribution pipe 421: discharge pipe receiving groove
430: gas discharge pipe

Claims (23)

전면부가 개방되며 내부에 웨이퍼들이 수납되도록 수납 공간이 형성되고, 바닥의 전면부 양측에 각각 가스 주입구 및 가스 배출구가 관통 형성되는 몸체;
상기 몸체의 전면 개방부를 닫아 폐쇄하며, 상기 가스 주입구에 대응되는 내측면 일측에서 높이 방향을 따라 홈이지며 가스 분배 유로가 형성되고, 상기 가스 배출구에 대응되는 내측면 타일측에서 높이 방향을 따라 홈이지게 가스 배출 유로가 형성되는 덮개;
상기 가스 주입구와 인접하는 상기 가스 분배 유로의 하단이 개방되게 분배 유로 입구를 이루도록 상기 가스 분배 유로를 덮으며 상기 가스 분배 유로를 통해 공급된 치환 목적 가스를 상기 몸체 내부에 수납된 각각의 웨이퍼들 사이 사이로 분배하여 공급되도록 복수의 가스 배출공들이 형성되는 분배 유로 덮개판;
상기 몸체의 가스 주입구에 연통되며 분리 가능하게 설치되며, 상기 가스 주입구와 상기 덮개의 가스 분배 유로의 분배 유로 입구를 연결하는 가스 공급 연결관;
상기 가스 배출구와 인접하는 상기 가스 배출 유로의 하단이 개방되게 배출 유로 출구를 이루도록 상기 가스 배출 유로를 덮으며 상기 몸체 내부에 수납된 각각의 웨이퍼들 사이 사이에서 치환된 공기 및 상기 치환 목적 가스들을 상기 가스 배출 유로를 통해 배출하도록 복수의 가스 흡입공들이 형성되는 배출 유로 덮개판: 및
상기 몸체의 가스 배출구에 연통되게 설치되며, 상기 가스 배출구와 상기 가스 배출 유로의 배출 유로 출구를 연결하는 가스 배출 연결관;을 포함하는 웨이퍼 캐리어.
A body in which a front surface is opened and an accommodation space is formed to accommodate the wafers therein, and a gas inlet and a gas outlet are respectively formed at both sides of the front surface of the bottom;
The front opening of the body is closed and closed, grooves are formed along one side of the inner surface corresponding to the gas inlet along the height direction, and a gas distribution flow path is formed, and grooves along the height direction on the inner side tile side corresponding to the gas outlet. A cover in which a gas discharge passage is formed;
Covering the gas distribution channel so that the lower end of the gas distribution channel adjacent to the gas injection port forms an inlet of the distribution channel and between the respective wafers stored in the body for the replacement target gas supplied through the gas distribution channel. A distribution channel cover plate in which a plurality of gas discharge holes are formed to be distributed and supplied therebetween;
A gas supply connection pipe connected to the gas inlet of the body and detachably installed and connecting the gas inlet and the inlet of the distribution channel of the gas distribution channel of the cover;
Air and the substitution target gases that are substituted between the respective wafers which are disposed inside the body and cover the gas discharge passage so that the lower end of the gas discharge passage adjacent to the gas discharge opening forms an outlet passage outlet. A discharge passage cover plate in which a plurality of gas suction holes are formed to discharge through the gas discharge passage;
And a gas discharge connection pipe installed to communicate with the gas discharge port of the body and connecting the gas discharge port and the discharge flow path outlet of the gas discharge flow path.
제1항에서,
상기 가스 배출공은,
상기 몸체 내부에 수납되는 상기 각 웨이퍼들의 사이 사이에 위치하도록 형성되는 웨이퍼 캐리어.
In claim 1,
The gas discharge hole,
And a wafer carrier formed between the respective wafers stored in the body.
제1항에서,
상기 가스 배출공은,
상기 몸체 내부에 수납되는 상기 각 웨이퍼들의 측면에 대응되게 형성되는 웨이퍼 캐리어.
In claim 1,
The gas discharge hole,
A wafer carrier formed to correspond to side surfaces of the wafers accommodated in the body.
삭제delete 제1항에서,
상기 가스 공급 연결관은,
상기 몸체 내부에서 최하단에 수납되는 웨이퍼의 수납 높이 보다 더 낮게 형성되는 웨이퍼 캐리어.
In claim 1,
The gas supply connector,
The wafer carrier formed lower than the storage height of the wafer accommodated at the lowermost end in the body.
제1항에서,
상기 가스 분배 유로는,
상기 가스 주입구와 인접하는 하측 단부로부터 상측 단부로 갈수록 단면적이 작아지게 또는 커지게 형성되는 웨이퍼 캐리어.
In claim 1,
The gas distribution passage,
And a cross-sectional area that is formed to be smaller or larger from the lower end adjacent to the gas injection hole toward the upper end.
제1항에서,
상기 분배 유로 덮개판의 가스 배출공은 내측 직경과 외측 직경이 동일하게 관통 형성되는 웨이퍼 캐리어.
In claim 1,
The gas carrier hole of the distribution channel cover plate is formed so that the inner diameter and the outer diameter are the same through.
제1항에서,
상기 분배 유로 덮개판의 가스 배출공은,
내측 직경이 외측 직경 보다 더 크게 두께 방향으로 점차 축소되며 관통 형성되는 웨이퍼 캐리어.
In claim 1,
The gas discharge hole of the distribution channel cover plate,
A wafer carrier in which the inner diameter is gradually reduced in the thickness direction to be larger than the outer diameter and formed therethrough.
제1항에서,
상기 분배 유로 덮개판의 가스 배출공은,
내측 직경이 외측 직경 보다 더 작게 두께 방향으로 점차 확대되며 관통 형성되는 웨이퍼 캐리어.
In claim 1,
The gas discharge hole of the distribution channel cover plate,
A wafer carrier in which the inner diameter is gradually enlarged in the thickness direction to be smaller than the outer diameter and is formed therethrough.
삭제delete 삭제delete 제1항에서,
상기 가스 배출 연결관은,
상기 몸체 내부에서 최하단에 수납되는 웨이퍼의 높이 보다 더 낮게 형성되는 웨이퍼 캐리어.
In claim 1,
The gas exhaust connector,
The wafer carrier formed lower than the height of the wafer accommodated at the lowermost end in the body.
전면부가 개방되며 내부에 웨이퍼들이 수납되도록 수납 공간이 형성되고, 바닥의 전면부 양측에 각각 가스 주입구 및 가스 배출구가 관통 형성되는 몸체;
상기 몸체의 전면 개방부를 닫아 폐쇄하는 덮개; 및
상기 가스 주입구에 대응되는 상기 몸체 내부의 전면 개방부쪽 일측에서 높이 방향을 따라 연장 설치되며, 상기 가스 주입구을 통해 공급된 치환 목적 가스가 수납된 상기 웨이퍼들 사이 사이로 분배하여 공급되도록 복수의 가스 배출공들이 형성되는 가스 분배관;
상기 몸체의 가스 주입구에 연통되게 설치되어, 상기 가스 주입구와 상기 가스 분배관의 하단부를 연통되게 연결하는 가스 공급 연결관;
상기 가스 배출구 대응되는 상기 몸체 내부의 전면 개방부쪽 일측에서 높이 방향을 따라 연장 설치되며, 수납된 상기 웨이퍼들 사이 사이에 대응되게 복수의 가스 흡입공이 형성되는 가스 배출관; 및
상기 몸체의 가스 배출구에 연통되게 설치되어, 상기 가스 배출구와 상기 가스 분배관을 연통되게 연결하는 가스 배출 연결관;을 더 포함하는 웨이퍼 캐리어.
A body in which a front surface is opened and an accommodation space is formed to accommodate the wafers therein, and a gas inlet and a gas outlet are respectively formed at both sides of the front surface of the bottom;
A cover for closing and closing the front opening of the body; And
A plurality of gas discharge holes are installed to extend along a height direction at one side of the front opening portion inside the body corresponding to the gas injection hole, and to be distributed and supplied between the wafers containing the replacement target gas supplied through the gas injection hole. A gas distribution pipe formed;
A gas supply connection pipe installed to be in communication with the gas injection hole of the body and connecting the gas injection hole and the lower end of the gas distribution pipe to communicate with each other;
A gas discharge pipe extending along a height direction from one side of the front opening portion inside the body corresponding to the gas discharge port, and having a plurality of gas suction holes formed between the received wafers; And
And a gas discharge connection pipe installed in communication with the gas discharge port of the body to connect the gas discharge port and the gas distribution pipe to communicate with each other.
제13항에서,
상기 가스 배출공은,
상기 몸체 내부에 수납되는 상기 각 웨이퍼들의 사이 사이에 위치하도록 형성되는 웨이퍼 캐리어.
The method of claim 13,
The gas discharge hole,
And a wafer carrier formed between the respective wafers stored in the body.
제13항에서,
상기 가스 배출공은,
상기 몸체 내부에 수납되는 상기 각 웨이퍼들의 측면에 대응되게 형성되는 웨이퍼 캐리어.
The method of claim 13,
The gas discharge hole,
A wafer carrier formed to correspond to side surfaces of the wafers accommodated in the body.
제13항에서,
상기 덮개 내측면에는 상기 가스 분배관이 수납되며 설치되도록 분배관 수납홈이 형성되는 웨이퍼 캐리어.
The method of claim 13,
A wafer carrier having a distribution pipe receiving groove formed on the inner surface of the cover such that the gas distribution pipe is accommodated therein.
제13항에서,
상기 가스 분배관은,
상기 가스 주입구와 인접하는 하측 단부로부터 상측 단부로 갈수록 점차 단면적이 더 작아지거나, 더 커지게 형성되는 웨이퍼 캐리어.
The method of claim 13,
The gas distribution pipe,
The wafer carrier formed from the lower end adjacent to the gas inlet from the lower end to the upper end gradually becomes smaller or larger in cross-sectional area.
제13항에서,
상기 가스 분배관의 가스 배출공은,
내측 직경과 외측 직경이 일정하게 관통 형성되는 웨이퍼 캐리어.
The method of claim 13,
The gas discharge hole of the gas distribution pipe,
A wafer carrier in which the inner diameter and the outer diameter are uniformly formed through.
제13항에서,
상기 가스 분배관의 가스 배출공은,
내측 직경이 외측 직경 보다 더 크게 두께 방향으로 점차 축소되며 관통 형성되는 웨이퍼 캐리어.
The method of claim 13,
The gas discharge hole of the gas distribution pipe,
A wafer carrier in which the inner diameter is gradually reduced in the thickness direction to be larger than the outer diameter and formed therethrough.
제13항에서,
상기 가스 분배관의 가스 배출공은,
내측 직경이 외측 직경 보다 더 작게 두께 방향으로 점차 확대되며 관통 형성되는 웨이퍼 캐리어.
The method of claim 13,
The gas discharge hole of the gas distribution pipe,
A wafer carrier in which the inner diameter is gradually enlarged in the thickness direction to be smaller than the outer diameter and is formed therethrough.
삭제delete 제13항에서,
상기 덮개 내측면에는 상기 가스 배출관이 수납되며 설치되도록 배출관 수납홈이 형성되는 웨이퍼 캐리어.
The method of claim 13,
A wafer carrier having a discharge pipe receiving groove formed on the inner surface of the cover to accommodate the gas discharge pipe.
제22항에서,
상기 가스 공급 연결관 및 상기 가스 배출 연결관은,
상기 몸체 내부에서 최하단에 수납되는 웨이퍼의 높이 보다 더 낮게 형성되는 웨이퍼 캐리어.
The method of claim 22,
The gas supply connection pipe and the gas discharge connection pipe,
The wafer carrier formed lower than the height of the wafer accommodated at the lowermost end in the body.
KR1020110073009A 2011-07-22 2011-07-22 Wafer carrier KR101368706B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110073009A KR101368706B1 (en) 2011-07-22 2011-07-22 Wafer carrier
PCT/KR2011/006282 WO2013015481A1 (en) 2011-07-22 2011-08-25 Wafer carrier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110073009A KR101368706B1 (en) 2011-07-22 2011-07-22 Wafer carrier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130011684A KR20130011684A (en) 2013-01-30
KR101368706B1 true KR101368706B1 (en) 2014-02-28

Family

ID=47601291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110073009A KR101368706B1 (en) 2011-07-22 2011-07-22 Wafer carrier

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101368706B1 (en)
WO (1) WO2013015481A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9396979B2 (en) 2014-08-18 2016-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer carrier including air filters

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9841671B2 (en) 2013-07-03 2017-12-12 Murata Machinery, Ltd. Storage container
US10312122B2 (en) * 2014-07-25 2019-06-04 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Substrate storage container
US10937677B2 (en) 2018-04-02 2021-03-02 Bum Je WOO Wafer storage container
US20230207077A1 (en) * 2020-05-28 2023-06-29 Nec Corporation Cooperation server, system, immune certificate generation method, and non-transitory computer-readable medium
CN114628292B (en) * 2022-05-16 2022-07-29 上海果纳半导体技术有限公司武汉分公司 Wafer transmission box

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11251422A (en) * 1998-03-03 1999-09-17 Shinko Electric Co Ltd Wafer storing container
US6202318B1 (en) * 1996-12-13 2001-03-20 Texas Instruments Incorporated System for processing wafers and cleaning wafer-handling implements
KR20030007014A (en) * 2001-07-13 2003-01-23 가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스 A substrate receiving container, a substrate carrier system, a storage apparatus and a gas substitution method
JP2006114761A (en) * 2004-10-15 2006-04-27 Renesas Technology Corp Wafer container

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6202318B1 (en) * 1996-12-13 2001-03-20 Texas Instruments Incorporated System for processing wafers and cleaning wafer-handling implements
JPH11251422A (en) * 1998-03-03 1999-09-17 Shinko Electric Co Ltd Wafer storing container
KR20030007014A (en) * 2001-07-13 2003-01-23 가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스 A substrate receiving container, a substrate carrier system, a storage apparatus and a gas substitution method
JP2006114761A (en) * 2004-10-15 2006-04-27 Renesas Technology Corp Wafer container

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9396979B2 (en) 2014-08-18 2016-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer carrier including air filters

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130011684A (en) 2013-01-30
WO2013015481A1 (en) 2013-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101368706B1 (en) Wafer carrier
US11710651B2 (en) Container for storing wafer
KR101637498B1 (en) Front Opening Unified Pod
KR102068368B1 (en) Purging device and purging method for substrate-containing vessel
US9666454B2 (en) Wafer storage apparatus having gas charging portions and semiconductor manufacturing apparatus using the same
KR102075471B1 (en) Board Storage Container
WO2015166710A1 (en) Purging device and purging method
KR101758213B1 (en) Side strage having a gas nozzle plate
US20110114129A1 (en) Methods and apparatuses for controlling contamination of substrates
KR101688620B1 (en) Wafer storage container
KR100941842B1 (en) Air curtain forming device in semiconductor producing device using mini-environment system
US10395948B2 (en) Purge module jig and purge module having the same
US10763149B2 (en) Wafer storage container
JP2015156421A (en) Purge system, and pod and load port for use in purge system
KR101684431B1 (en) Front Opening Unified Pod
JP7032521B2 (en) Board storage container
WO2016098516A1 (en) Substrate housing container
US10497588B2 (en) EFEM, equipment front end module
WO2021014653A1 (en) Substrate storage container
KR101139696B1 (en) Apparatus for chemical vapor deposition
JP2015214407A (en) Storage warehouse and clean room
KR101822554B1 (en) Front Opening Unified Pod
US10784131B2 (en) EFEM, equipment front end module
KR102283311B1 (en) Wafer storage container
TWI856142B (en) Substrate storage container

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170106

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180126

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200120

Year of fee payment: 7