KR101139696B1 - Apparatus for chemical vapor deposition - Google Patents

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Abstract

차단막의 성형이 용이하며, 차단막의 제조에 소비되는 비용을 절감하여 설비 투자비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
화학기상 증착장치는 챔버;상기 챔버의 내부로 공정가스를 분사하는 샤워헤드;상기 챔버를 관통하는 배기관;상기 서셉터의 측방으로 이격되어 상기 서셉터를 둘러싸며, 상기 배기관에 연통되는 관통홀이 형성되는 차단막; 및 상기 챔버와 상기 차단막을 관통하는 배기관; 및 일단부가 상기 차단막에 결합되며, 타단부가 일단부로부터 연장되어 상기 서셉터를 향해 절곡되는 단면 형태를 가지고 상기 공정가스를 상기 관통홀로 안내하는 배기가이드;를 포함할 수 있다.The molding of the barrier film is easy, and there is an effect of reducing the cost of equipment investment by reducing the cost of manufacturing the barrier film.
The chemical vapor deposition apparatus includes a chamber; a shower head for injecting a process gas into the chamber; an exhaust pipe passing through the chamber; A barrier film formed; And an exhaust pipe passing through the chamber and the blocking membrane; And an exhaust guide having one end coupled to the blocking membrane and the other end extending from one end to be bent toward the susceptor to guide the process gas to the through hole.

Description

화학기상 증착장치{Apparatus for chemical vapor deposition}Chemical vapor deposition apparatus {Apparatus for chemical vapor deposition}

본 발명은 화학기상 증착장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 더욱 상세하게는 Ⅲ-V족 재료를 이용하여 질화물 층을 기판 상에 형성하는 데 사용되는 화학기상 증착장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to a chemical vapor deposition apparatus used to form a nitride layer on a substrate using a III-V material.

질화물 재료는 발광소자를 제조하기 위한 재료로 가장 잘 알려진 것이다. 질화물 재료를 이용한 발광소자의 적층구조는 일반적으로 사파이어와 같은 기판 상에 GaN 결정으로 이루어지는 버퍼층과, n형 GaN 결정으로 이루어지는 n형 도핑층과, InGaN 으로 이루어지는 활성층과, p형 GaN으로 형성되는 p형 도핑층이 순차적으로 적층된 구조로 되어 있다. 그리고 각각의 층은 화학기상 증착장치에서 차례로 적층된다. The nitride material is best known as a material for manufacturing a light emitting device. The stacked structure of a light emitting device using a nitride material generally has a buffer layer made of GaN crystals, an n-type doped layer made of n-type GaN crystals, an active layer made of InGaN, and p-type GaN formed on a substrate such as sapphire. It has a structure in which type doping layers are sequentially stacked. Each layer is in turn stacked in a chemical vapor deposition apparatus.

도 1은 종래의 화학기상 증착장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional chemical vapor deposition apparatus.

도 1을 참조하면, 화학기상 증착장치(100)는 처리공간을 제공하는 챔버(110)를 포함한다. 처리공간의 상부에는 원료가스와 캐리어가스가 혼합된 공정가스(G)를 챔버(110) 내부로 분사하는 샤워헤드(120)가 설치된다. 처리공간의 하부에는 기판(10)을 지지하는 서셉터(130)를 포함한다. 서셉터(130)의 하측에는 챔버(110)를 관통하여 처리공간에 연통되며, 진공펌프(미도시)에 연결되는 배기관(140)이 설치된다.Referring to FIG. 1, the chemical vapor deposition apparatus 100 includes a chamber 110 that provides a processing space. In the upper portion of the processing space, a shower head 120 for spraying a process gas G mixed with a source gas and a carrier gas into the chamber 110 is installed. The lower portion of the processing space includes a susceptor 130 for supporting the substrate 10. The exhaust pipe 140 connected to the processing space through the chamber 110 and connected to the vacuum pump (not shown) is installed below the susceptor 130.

이러한 화학기상 증착장치(100)는 샤워헤드(120)를 통해 처리공간으로 공정가스(G)를 분사하고, 서셉터(130)에 지지되는 기판(10) 상에 원료물질이 증착되도록 하여 기판(10)에 각 층을 성장한다. 그리고 나머지 공정가스(G)는 배기관(140)을 통해 챔버(110)의 외부로 배출된다. The chemical vapor deposition apparatus 100 sprays the process gas G into the processing space through the shower head 120 and deposits a raw material on the substrate 10 supported by the susceptor 130. 10) Grow each layer. The remaining process gas G is discharged to the outside of the chamber 110 through the exhaust pipe 140.

한편, 화학기상 증착장치(100)는 원활한 공정 환경을 조성하기 위해 챔버(110)의 내측벽을 가열한다. 이때, 챔버(110)의 내측벽에는 잔존하는 이물질(챔버 내에 잔류하는 원료물질, 먼지 등)은 챔버(110)의 내측벽으로부터 떨어져 나와 공정가스(G)에 혼합될 수 있다. 이렇게 공정가스(G)에 혼합되는 이물질은 각 층의 품질을 저하시키는 파티클(particle)로 작용하는 문제점이 있다.On the other hand, the chemical vapor deposition apparatus 100 heats the inner wall of the chamber 110 to create a smooth process environment. In this case, foreign substances (remaining material, dust, etc. remaining in the chamber) remaining on the inner wall of the chamber 110 may be separated from the inner wall of the chamber 110 and mixed with the process gas G. Thus, the foreign matter mixed in the process gas (G) has a problem that acts as a particle (particle) to reduce the quality of each layer.

따라서, 화학기상 증착장치(200)는 챔버(110)의 내측벽과 서셉터(130)의 사이에 차단막(150)을 설치한다. 차단막(150)은 서셉터(130)를 둘러싸도록 설치되어 챔버(110)의 내측벽로부터 떨어져 나오는 이물질을 차단하는 차단부(151)와, 차단부(151)로부터 서셉터를 향해 절곡되어 공정가스를 배기관(140)으로 안내하는 배기가이드부(152)를 포함한다. 이러한 차단막(150)은 내화학성 및 내열성이 뛰어난 석영으로 이루어지며, 차단부(151)와 배기가이드부(152)가 일체로 이루어지는 것이 일반적이다. Therefore, the chemical vapor deposition apparatus 200 provides a blocking film 150 between the inner wall of the chamber 110 and the susceptor 130. The blocking film 150 is installed to surround the susceptor 130 to block the foreign matter coming off the inner wall of the chamber 110, and to be bent toward the susceptor from the blocking part 151 to process gas. It includes an exhaust guide unit 152 for guiding the exhaust pipe 140. The blocking film 150 is made of quartz having excellent chemical resistance and heat resistance, and generally, the blocking part 151 and the exhaust guide part 152 are integrally formed.

하지만, 석영으로 이루어지는 차단막(150)은 차단부(151)로부터 배기가이드부(152)를 성형하기가 쉽지 않을 뿐만 아니라, 차단막(150)을 제조하는 데 많은 비용이 소비되므로 설비 투자비용이 증가되는 문제점이 있다.
However, the blocking film 150 made of quartz is not only easy to form the exhaust guide part 152 from the blocking part 151, but also requires a large cost to manufacture the blocking film 150, thereby increasing the equipment investment cost. There is a problem.

본 발명의 목적은 챔버의 내측벽으로부터 떨어져 나오는 이물질을 차단하는 차단막을 쉽게 제조하고, 차단막의 제조비용을 절감하도록 한 화학기상 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a chemical vapor deposition apparatus for easily manufacturing a blocking film for blocking foreign substances coming off from an inner wall of a chamber and reducing a manufacturing cost of the blocking film.

화학기상 증착장치는 챔버;상기 챔버의 내부로 공정가스를 분사하는 샤워헤드;상기 챔버의 내부에서 상기 기판을 지지하는 서셉터;상기 챔버를 관통하는 배기관;상기 서셉터의 측방으로 이격되어 상기 서셉터를 둘러싸며, 상기 배기관에 연통되는 관통홀이 형성되는 차단막; 및 일단부가 상기 차단막에 결합되며, 타단부가 일단부로부터 연장되어 상기 서셉터를 향해 절곡되는 단면 형태를 가지고 상기 공정가스를 상기 관통홀로 안내하는 배기가이드;를 포함할 수 있다.Chemical vapor deposition apparatus comprising: a shower head for injecting a process gas into the chamber; a susceptor for supporting the substrate in the chamber; an exhaust pipe passing through the chamber; spaced apart from the side of the susceptor A blocking film surrounding a receptor and having a through hole communicating with the exhaust pipe; And an exhaust guide having one end coupled to the blocking membrane and the other end extending from one end to be bent toward the susceptor to guide the process gas to the through hole.

상기 챔버는 용기 형상의 본체; 및 상기 본체에 힌지 결합되는 리드;를 포함할 수 있다.The chamber is a container-shaped body; And a lead hinged to the body.

상기 챔버는 상기 본체의 내측벽으로부터 돌출되는 지지돌기를 포함하며, 상기 배기가이드는 상기 차단막에 결합된 상태로 상기 지지돌기에 지지될 수 있다.The chamber may include support protrusions protruding from an inner wall of the body, and the exhaust guide may be supported by the support protrusions while being coupled to the blocking film.

상기 차단막은 상기 챔버의 내측벽에 밀착되도록 설치될 수 있다.The blocking film may be installed to be in close contact with the inner wall of the chamber.

상기 차단막은 석영으로 이루어지며, 상기 배기가이드는 금속재로 이루어질 수 있다.The blocking film may be made of quartz, and the exhaust guide may be made of metal.

상기 차단막과 상기 배기가이드는 웰딩(welding) 결합될 수 있다.
The barrier layer and the exhaust guide may be welded.

본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 차단막의 성형이 용이하며, 차단막의 제조에 소비되는 비용을 절감하여 설비 투자비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
Chemical vapor deposition apparatus according to the present invention is easy to form the barrier film, there is an effect that can reduce the equipment investment cost by reducing the cost consumed in the manufacture of the barrier film.

도 1은 종래의 화학기상 증착장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 일부를 나타낸 분해사시도이다.
도 4는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치 중 처리막 및 배기가이드가 챔버 내부로부터 탈착되는 상태를 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional chemical vapor deposition apparatus.
2 is a cross-sectional view schematically showing a chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment.
3 is an exploded perspective view showing a part of the chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment.
4 is a view illustrating a state in which a process film and an exhaust guide are detached from inside a chamber in the chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment.

이하, 본 실시예에 따른 서셉터 및 이를 이용한 화학기상 증착장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, a susceptor and a chemical vapor deposition apparatus using the same according to the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 간략하게 나타낸 단면도이며, 도 3은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 일부를 나타낸 분해사시도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing a chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment, Figure 3 is an exploded perspective view showing a part of the chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment.

도 2 및 도 3을 참조하면, 화학기상 증착장치(200)는 기판(10)의 처리공간을 제공하는 챔버(210)를 포함한다. 챔버(210)는 처리공간의 기밀이 유지되도록 구성되되, 기판(10)의 출입이 가능하게 마련되는 구성되는 것이 바람직하다. 2 and 3, the chemical vapor deposition apparatus 200 includes a chamber 210 that provides a processing space of the substrate 10. Chamber 210 is configured to maintain the airtightness of the processing space, it is preferable that the substrate 10 is configured to enable the entry and exit.

즉, 챔버(210)는 용기 형상의 본체(211) 및 본체(211)에 힌지 결합되어 본체(211)로부터 회동되는 리드(Lid;212)를 포함한다. 처리공간은 리드(212)의 회동에 따라 개폐가 가능하다. 도시되지 않았지만, 본체(211)의 내측벽에는 본체(211)를 가열함으로써 처리공간의 온도를 조절할 수 있는 히터가 설치되는 것이 바람직하다.That is, the chamber 210 includes a container-shaped body 211 and a lid Lid 212 hinged to the body 211 and rotated from the body 211. The processing space can be opened and closed in accordance with the rotation of the lid 212. Although not shown, it is preferable that a heater capable of adjusting the temperature of the processing space is installed on the inner wall of the main body 211.

리드(212)에는 공급관(220)이 관통되며, 처리공간을 향한 리드(212)의 일면에는 샤워헤드(230)가 결합된다. 공급관(220)은 외부로부터 공급되는 공정가스(G)를 샤워헤드(230)로 안내한다. 샤워헤드(230)는 공정가스(G)가 확산되는 공간을 형성하며, 처리공간을 향해 개구되는 복수의 분사구(231)가 형성된다. 이러한 샤워헤드(230)는 공정가스(G)를 처리공간으로 균일하게 분사되도록 한다. The supply pipe 220 penetrates the lid 212, and a shower head 230 is coupled to one surface of the lid 212 facing the processing space. The supply pipe 220 guides the process gas G supplied from the outside to the shower head 230. The shower head 230 forms a space in which the process gas G is diffused, and a plurality of injection holes 231 opening toward the processing space are formed. The shower head 230 allows the process gas G to be uniformly injected into the processing space.

샤워헤드(230)를 통해 처리공간으로 분사되는 공정가스(G)에는 Ⅲ족 가스(트리메탈갈륨(Trimethyl-gallium;TMGa), 트리메탈인듐(Trimethyl-Indium;TMI), 트리메탈알루미늄(Trimethyl-aluminium;TMA)) 가스 중 어느 하나가 포함될 수 있으며, Ⅴ족 가스(암모니아(NH3) 가스)가 포함될 수 있다. Process gas (G) sprayed through the shower head 230 into the processing space includes Group III gases (Trimethyl-gallium (TMGa), Trimetal-Indium (TMI), and Trimetal-Aluminum). aluminum (TMA)) gas may be included, and Group V gas (ammonia (NH 3) gas) may be included.

따라서 공급관(220)은 Ⅲ족 가스가 포함된 공정가스(G)와 Ⅴ족 가스가 포함된 공정가스(G)를 각각 별도의 경로로 샤워헤드(230)로 공급하기 위해 복수개로 마련된다. 그리고 샤워헤드(230)는 Ⅲ족 가스가 포함된 공정가스(G)와 Ⅴ족 가스가 포함된 공정가스(G)를 각각 별도의 경로로 처리공간으로 분사하기 위한 복층구조를 가질 수 있다. Therefore, the supply pipe 220 is provided in plural to supply the process gas G including the group III gas and the process gas G including the group V gas to the shower head 230 through separate paths. The shower head 230 may have a multilayer structure for spraying the process gas G including the group III gas and the process gas G including the group V gas into separate processing paths.

처리공간의 하부에는 서셉터(240)가 배치된다. 서셉터(240)의 상면에는 기판(10)이 수용되는 수용홈(241)이 형성된다. 수용홈(241)은 서셉터(240)에 복수의 기판(10)을 함께 지지하도록 복수개로 형성될 수 있다. 도시되지 않았지만, 수용홈(241)에는 진공력에 의해 기판(10)을 지지하는 진공척, 정전력에 의해 기판(10)을 지지하는 정전척, 점착력에 의해 기판(10)을 지지하는 점착척 등과 같은 기판 지지수단이 설치되어 수용홈(231)에 안치된 기판(10)을 보다 안정적으로 지지하는 것이 바람직하다. 진공척, 정전척 및 점착척은 이미 널리 알려진 공지의 기술이므로 상세한 설명은 생략하도록 한다. The susceptor 240 is disposed below the processing space. The upper surface of the susceptor 240 is formed with a receiving groove 241 for receiving the substrate 10. The receiving groove 241 may be formed in plural to support the plurality of substrates 10 together with the susceptor 240. Although not shown, the receiving groove 241 has a vacuum chuck supporting the substrate 10 by vacuum force, an electrostatic chuck supporting the substrate 10 by electrostatic force, and an adhesive chuck supporting the substrate 10 by adhesive force. It is preferable to support the substrate 10 placed in the receiving groove 231 by a substrate supporting means such as the more stable. Since the vacuum chuck, the electrostatic chuck and the adhesive chuck are well known techniques, their detailed description will be omitted.

그리고 도시되지 않았지만, 서셉터(240)의 내부에는 서셉터(240)를 가열함으로써 가열된 서셉터(240)에 의해 기판(10)이 가열되도록 하는 히터가 설치되는 것이 바람직하다. Although not shown, it is preferable that a heater is installed inside the susceptor 240 so that the substrate 10 is heated by the heated susceptor 240 by heating the susceptor 240.

챔버(210)의 하부에는 회전모터(250)가 배치되며, 회전모터(250)의 회전축은 본체(211)의 바닥면을 관통하여 서셉터(240)를 지지한다. 회전모터(250)는 서셉터(240)를 회전시킴으로써, 서셉터(240)에 지지되는 복수의 기판(10)에 각 층이 균일한 두께로 성장될 수 있도록 한다.The rotary motor 250 is disposed below the chamber 210, and the rotary shaft of the rotary motor 250 passes through the bottom surface of the main body 211 to support the susceptor 240. The rotary motor 250 rotates the susceptor 240 so that each layer can be grown to a uniform thickness on the plurality of substrates 10 supported by the susceptor 240.

챔버(210)의 외부에는 처리공간의 진공배기를 수행하는 진공펌프(260)가 배치된다. 그리고 본체(211)의 하부에는 일단부가 본체(211)를 관통하여 처리공간에 연통되며, 타단부가 진공펌프(260)에 연결되는 배기관(261)이 설치된다. 진공펌프(260)는 배기관(261)을 통해 처리공간의 진공배기를 수행함으로써 처리공간이 고진공 상태로 유지되도록 하며, 샤워헤드(230)로부터 분사되는 공정가스(G)가 서셉터(240)로 원활하게 이송되도록 한다. Outside the chamber 210, a vacuum pump 260 that performs vacuum evacuation of the processing space is disposed. In addition, an exhaust pipe 261 is provided at one end of the main body 211 so that one end thereof communicates with the processing space through the main body 211 and the other end is connected to the vacuum pump 260. The vacuum pump 260 maintains the processing space in a high vacuum state by performing vacuum exhaust of the processing space through the exhaust pipe 261, and the process gas G injected from the shower head 230 is passed to the susceptor 240. Ensure smooth transfer.

한편, 본체(211)의 내측에는 서셉터(240)의 측방으로 이격되어 서셉터(240)를 둘러싸는 차단막(270)이 배치된다. 차단막(270)은 공정가스(G)가 본체(211)의 내측벽에 증착되는 것을 방지하며, 본체(211)의 내측벽으로부터 떨어져 나오는 이물질이 처리공간으로 유입되는 것을 방지한다. 따라서 차단막(270)은 본체(211)의 내측벽에 밀착되도록 설치되는 것이 바람직하다. On the other hand, a blocking film 270 is spaced apart from the side of the susceptor 240 to surround the susceptor 240 inside the main body 211. The blocking film 270 prevents the process gas G from being deposited on the inner wall of the main body 211, and prevents foreign substances falling from the inner wall of the main body 211 from entering the processing space. Therefore, the blocking film 270 is preferably installed to be in close contact with the inner wall of the body 211.

차단막(270)의 하부에는 배기관(261)에 연통되는 관통홀(271)이 형성된다. 배기관(261)은 관통홀(271)과 연통됨으로써 처리공간에 연통될 수 있다. 이러한 차단막(270)은 공정에 영향을 끼지지 않기 위해 내화학성, 내열성이 뛰어난 석영으로 이루어지는 것이 바람직하다. A through hole 271 communicating with the exhaust pipe 261 is formed below the blocking film 270. The exhaust pipe 261 may communicate with the processing space by communicating with the through hole 271. The blocking film 270 is preferably made of quartz having excellent chemical resistance and heat resistance in order not to affect the process.

배기가이드(280)는 일단부가 차단막(270)에 결합되며, 타단부가 서셉터(240)를 향해 절곡되는 단면형상을 가진다. 배기가이드(280)는 서셉터(240)로부터 낙하되는 공정가스(G)가 챔버(210)의 바닥면에 도달하는 것을 방지하며, 공정가스(G)를 관통홀(271)으로 안내한다. 이러한 배기가이드(280)는 서셉터(240)의 하부에 위치하여 공정에 영향을 끼지지 않으므로, 성형하기 용이한 금속재로 이루어지는 것이 바람직하다. The exhaust guide 280 has one end portion coupled to the blocking film 270, and the other end portion has a cross-sectional shape that is bent toward the susceptor 240. The exhaust guide 280 prevents the process gas G falling from the susceptor 240 to reach the bottom surface of the chamber 210, and guides the process gas G to the through hole 271. Since the exhaust guide 280 is located below the susceptor 240 and does not affect the process, it is preferable that the exhaust guide 280 is made of a metal material that is easy to mold.

여기서, 차단막(270)와 배기가이드(280)는 결합부위로 공정가스(G)가 침투하는 것을 방지하기 위해 웰딩(welding) 결합되는 것이 바람직하다. Here, the blocking film 270 and the exhaust guide 280 is preferably welded to prevent the process gas G from penetrating into the coupling portion.

그리고, 차단막(270) 및 차단막(270)에 결합된 배기가이드(280)는 챔버(210)의 내부로 쉽게 탈착되도록 설치되는 것이 바람직하다. 즉, 차단막(270)은 본체(211)의 내측벽을 따라 챔버(210)의 내부에 삽입되고, 차단막(270)에 결합된 배기가이드(280)는 절곡부위가 챔버(210)의 내측벽으로부터 돌출되는 지지돌기(211a)에 지지될 수 있다. 이렇게 설치되는 차단막(270) 및 배기가이드(280)는 리드(212)를 개방하여 챔버(210) 내부로부터 쉽게 꺼낼 수 있다. 따라서, 공정의 전, 후에 차단막(270) 및 배기가이드(280)를 챔버(210)의 외부에서 간편하게 세정할 수 있도록 한다.
In addition, the blocking film 270 and the exhaust guide 280 coupled to the blocking film 270 may be installed to be easily detached into the chamber 210. That is, the blocking film 270 is inserted into the chamber 210 along the inner wall of the main body 211, and the exhaust guide 280 coupled to the blocking film 270 has a bent portion from the inner wall of the chamber 210. It may be supported by the supporting protrusion 211a. The blocking film 270 and the exhaust guide 280 installed in this way can be easily taken out from the inside of the chamber 210 by opening the lid 212. Therefore, the barrier layer 270 and the exhaust guide 280 can be easily cleaned from the outside of the chamber 210 before and after the process.

이하, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 작동에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the operation of the chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment will be described.

먼저, 기판(10)은 챔버(210)의 내부로 반입되어 서셉터(240)에 안치된다. 즉, 기판(10)은 수용홈(241)에 수용되고, 기판 지지수단(미도시)에 의해 수용홈(241) 내부에 견고하게 지지된다. 이때, 복수의 기판(10)에는 동일한 층을 함께 증착할 수 있도록, 서셉터(240)에는 복수의 기판이 함께 지지될 수 있다. 이와 같이 기판(10)이 서셉터(240)에 안치되면 처리공간은 밀폐된다. First, the substrate 10 is loaded into the chamber 210 and placed in the susceptor 240. That is, the substrate 10 is accommodated in the accommodating groove 241, and is firmly supported inside the accommodating groove 241 by a substrate supporting means (not shown). In this case, the plurality of substrates may be supported together on the susceptor 240 so that the same layer may be deposited on the plurality of substrates 10. As such, when the substrate 10 is placed in the susceptor 240, the processing space is sealed.

계속해서, 히터(미도시)에 의해 챔버(210)의 내측벽과 서셉터(240)가 가열되며, 공정가스(G)는 공급관(220)을 통해 샤워헤드(230)로 공급된다. 공급가스(G)는 샤워헤드(230)의 내부에서 확산되며, 샤워헤드(230)를 통해 처리공간으로 분사된다. Subsequently, the inner wall of the chamber 210 and the susceptor 240 are heated by a heater (not shown), and the process gas G is supplied to the shower head 230 through the supply pipe 220. The feed gas G is diffused in the shower head 230 and is injected into the processing space through the shower head 230.

이와 함께 진공펌프(260)는 배기관(261)을 통해 챔버(210)의 내부를 진공 배기시킨다. 공정가스(G)는 샤워헤드(230)에 의한 분사력에 진공펌프(260)의 진공배기력이 더해져 서셉터(240)에 지지되는 기판(10)으로 원활하게 이송되며, 공정가스(G)에 포함된 원료물질은 기판(10)의 표면에 반응하여 기판(10) 상에 증착된다.In addition, the vacuum pump 260 evacuates the inside of the chamber 210 through the exhaust pipe 261. The process gas G is smoothly transferred to the substrate 10 supported by the susceptor 240 by adding the vacuum exhaust force of the vacuum pump 260 to the injection force by the shower head 230, and to the process gas G. The included raw material is deposited on the substrate 10 in response to the surface of the substrate 10.

이때, 차단막(270)은 공정가스(G)가 본체(211)의 내측벽으로 향하는 것을 차단한다. 이와 함께 차단막(270)은 본체(211)의 내측벽에 잔존할 수 있는 이물질이 처리공간으로 유입되는 것을 방지한다. 그리고 차단막(270)은 공정가스(G)를 배기가이드(280)로 안내한다.At this time, the blocking film 270 blocks the process gas G from reaching the inner wall of the main body 211. In addition, the blocking film 270 prevents foreign substances that may remain on the inner wall of the main body 211 from entering the processing space. The blocking film 270 guides the process gas G to the exhaust guide 280.

배기가이드(280)는 공정가스(G)가 본체(211)의 바닥면으로 향하는 것을 차단한다. 이와 함께 배기가이드(280)는 본체(211)의 바닥멱에 잔존할 수 있는 이물질이 처리공간으로 유입되는 것을 방지한다. 그리고 배기가이드(280)는 공정가스(G)를 관통홀(271)로 안내하여 공정가스(G)가 배기관(261)을 통해 원활하게 배출되록 한다.The exhaust guide 280 blocks the process gas G from reaching the bottom surface of the main body 211. In addition, the exhaust guide 280 prevents foreign substances that may remain on the bottom of the body 211 from entering the processing space. The exhaust guide 280 guides the process gas G to the through hole 271 so that the process gas G is smoothly discharged through the exhaust pipe 261.

이와 같이 차단막(270) 및 배기가이드(280)는 공정가스(G)가 본체(211)의 내측벽 및 바닥면으로 향하는 것을 차단하여 이물질이 본체(211)의 내측벽 및 바닥면에 증착되는 것을 방지하며, 챔버(210)의 내측벽 및 바닥면에 잔존할 수 있는 이물질이 처리공간으로 유입되는 것을 방지한다.
As such, the blocking film 270 and the exhaust guide 280 block the process gas G from reaching the inner wall and the bottom surface of the main body 211 to prevent foreign matter from being deposited on the inner wall and the bottom of the main body 211. It prevents the foreign matter that may remain on the inner wall and the bottom surface of the chamber 210 is introduced into the processing space.

한편, 공정의 전, 후에는 차단막(270) 및 배기가이드(280)를 세정할 수 있다. Meanwhile, the blocking film 270 and the exhaust guide 280 may be cleaned before and after the process.

도 4는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치 중 처리막 및 배기가이드가 챔버 내부로부터 탈착되는 상태를 도면이다.4 is a view illustrating a state in which a process film and an exhaust guide are detached from inside a chamber in the chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment.

도 4를 참조하면, 차단막(270) 및 배기가이드(280)의 세정을 위해, 리드(212)를 회동시켜 처리공간을 개방한다. 차단막(270) 및 배기가이드(280)를 챔버(210)로부터 꺼내 챔버(210)의 외부에서 차단막(270) 및 배기가이드(280)를 간편하게 세정할 수 있다.Referring to FIG. 4, the lid 212 is rotated to open the processing space for cleaning the blocking film 270 and the exhaust guide 280. The barrier layer 270 and the exhaust guide 280 may be removed from the chamber 210, and the barrier layer 270 and the exhaust guide 280 may be easily cleaned from the outside of the chamber 210.

이와 같이 차단막(270) 및 배기가이드(280)는 챔버(210)로부터 쉽게 탈착할 수 있으므로, 설비의 유지, 관리, 보수가 용이하다.
As such, since the barrier layer 270 and the exhaust guide 280 can be easily detached from the chamber 210, maintenance, management, and repair of the facility are easy.

200 : 화학기상 증착장치
210 : 챔버 220 : 공급관
230 : 샤워헤드 240 : 서셉터
261 : 배기관 270 : 차단막
280 : 배기가이드200: chemical vapor deposition apparatus
210: chamber 220: supply pipe
230: shower head 240: susceptor
261: exhaust pipe 270: blocking film
280: exhaust guide

Claims (6)

챔버;
상기 챔버의 내부로 공정가스를 분사하는 샤워헤드;
상기 챔버의 내부에서 기판을 지지하는 서셉터;
상기 챔버를 관통하는 배기관;
상기 서셉터로부터 측방으로 이격되고 상기 서셉터를 둘러싸며, 상기 배기관에 연통되는 관통홀이 형성되는 차단막;및
일단부가 상기 차단막의 하단에 결합되며, 타단부가 일단부로부터 완만하게 절곡되어 상기 서셉터로 연장되어 상기 공정가스를 상기 관통홀로 안내하는 배기가이드;를 포함하되,
상기 차단막은 석영으로 이루어지며, 상기 배기가이드는 금속재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.chamber;
A shower head injecting a process gas into the chamber;
A susceptor for supporting a substrate in the chamber;
An exhaust pipe passing through the chamber;
A blocking membrane spaced laterally from the susceptor, surrounding the susceptor, and having a through hole communicating with the exhaust pipe;
One end is coupled to the lower end of the blocking film, the other end is gently bent from one end is extended to the susceptor to guide the process gas to the through hole; includes;
The barrier film is made of quartz, the exhaust guide is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the metal material. 제1 항에 있어서, 상기 챔버는
용기 형상의 본체;및
상기 본체에 힌지 결합되는 리드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The method of claim 1, wherein the chamber
A container-shaped body; and
And a lead hinged to the body. 제2 항에 있어서,
상기 챔버는 상기 본체의 내측벽으로부터 돌출되는 지지돌기를 더 포함하며,
상기 배기가이드는 상기 차단막에 결합된 상태로 상기 지지돌기에 지지되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The method of claim 2,
The chamber further includes a support protrusion protruding from the inner wall of the body,
And the exhaust guide is supported by the support protrusion while being coupled to the blocking film. 제1 항에 있어서,
상기 차단막은 상기 챔버의 내측벽에 밀착되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The method according to claim 1,
The barrier film is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that installed in close contact with the inner wall of the chamber. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 차단막과 상기 배기가이드는 웰딩(welding) 결합되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The method according to claim 1,
The barrier film and the exhaust guide is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the welding (welding) is coupled.
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