KR101390963B1 - Processing system for chemical vapor deposition - Google Patents

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Abstract

본 발명은 챔버 내외부로 서셉터를 이송할 때 챔버에 대해 서셉터를 파지하는 이송로봇의 인출입 구조를 개선한 화학기상 증착용 공정 시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따른 화학기상 증착용 공정 시스템은 이송로봇과, 내부로 공정가스가 유입되며 이송로봇이 내외부로 인출입 되는 개구를 개폐하는 게이트를 갖는 챔버와, 챔버 내부에 배치되어 챔버 내부로 유입된 공정가스와 반응하는 기판을 지지하며 이송로봇에 의해 챔버 내외부로 인출입 되는 서셉터와, 챔버와 서셉터의 사이에 서셉터의 회전축선에 대해 가로 방향으로 배치되어 챔버와 서셉터 사이의 기밀을 유지하며 챔버 내외부로의 이송로봇 인출입에 따라 챔버와 서셉터 사이를 개폐하는 라이너유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 챔버와 서셉터 사이를 차단하는 이중 구조의 라이너유닛을 배치하고 이중 구조의 라이너유닛 중 어느 하나를 왕복 운동시켜 챔버 내외부로 인출입ㅍ되는 이송로봇의 인출입로를 형성함에 따라 챔버 내외부로 서셉터의 인출입 용이성을 확보할 수 있고, 이에 따라 기판에 대한 증착 공정 사이클 시간을 절감시킬 수 있다.The present invention relates to a chemical vapor deposition process system that improves the drawing-out structure of a transfer robot that grips a susceptor with respect to a chamber when transferring a susceptor into and out of the chamber. A chemical vapor deposition process system according to the present invention is a chemical vapor deposition process system comprising a transfer robot, a chamber having a gate for opening and closing an opening through which a process gas is introduced into the transfer robot and from which the transfer robot draws in and out, A susceptor for holding a substrate to be reacted with the process gas and being drawn into and out of the chamber by the transfer robot; and a gasket disposed between the chamber and the susceptor in the transverse direction with respect to the axis of rotation of the susceptor, And a liner unit which opens and closes between the chamber and the susceptor in accordance with the drawing of the transfer robot into and out of the chamber. As a result, a liner unit having a dual structure for shutting off between the chamber and the susceptor is disposed, and one of the liner units of the dual structure is reciprocated to form a take-out inlet of the transfer robot which is drawn in and out of the chamber, It is possible to secure ease of withdrawal of the susceptor as a result of which the cycle time of the deposition process for the substrate can be reduced.

Description

화학기상 증착용 공정 시스템{PROCESSING SYSTEM FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION}{PROCESSING SYSTEM FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION}

본 발명은 화학기상 증착용 공정 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이송로봇을 이용하여 화학기상 증착장치 내부의 서셉터를 이송시키는 화학기상 증착용 공정 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition process system, and more particularly, to a chemical vapor deposition process system for transferring a susceptor inside a chemical vapor deposition apparatus using a transfer robot.

일반적으로 화학기상 증착용 공정 시스템은 OLED 및 LED와 같은 발광소자를 제조하기 위한 생산 설비이다. 상세하게 설명하면, 화학기상 증착용 공정 시스템은 사파이어와 같은 기판 또는 웨이퍼의 판면에 질화물 재료를 이용하여 GaN 결정으로 이루어지는 버퍼층, n형 GaN 결정으로 이루어지는 n형 도핑층, InGaN으로 형성되는 p형 도핑층을 순차적으로 적층시켜 발광소자를 제조하는 생산 설비이다.In general, a chemical vapor deposition process system is a production facility for manufacturing light emitting devices such as OLEDs and LEDs. More specifically, the chemical vapor deposition process system includes a buffer layer made of GaN crystal, an n-type doping layer made of n-type GaN crystal, a p-type doping made of InGaN Layers are successively laminated to produce a light emitting device.

이러한 화학기상 증착용 공정 시스템은 대표적으로 화학기상 증착장치와 이송로봇 등을 포함한다. 화학기상 증착장치는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 및 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)를 포함하며, 내부에 수용된 기판의 판면에 공정가스를 분사하여 기판과 공정가스를 반응시킨 후 반응된 가스를 배기한다. 여기서, 화학기상 증착장치는 공정이 수행되는 챔버, 챔버 내부에 수용되어 기판을 지지하는 서셉터, 서셉터로 공정가스를 분사하는 샤워헤드 및 챔버와 서셉터 사이에 배치되어 챔버 내부 및 서셉터의 외부에 잔류물이 증착되는 것을 방지하는 라이너 등을 포함한다. 이송로봇은 화학기상 증착장치의 챔버 내부로 인출입 되도록 마련된다. 이송로봇은 서셉터의 상부면에 기판이 수용되도록 기판을 이송시키거나, 기판 증착 공정 후 서셉터의 클리닝 공정을 위해 챔버 내부로 인출입 될 수 있다.Such a chemical vapor deposition process system typically includes a chemical vapor deposition apparatus, a transfer robot, and the like. The chemical vapor deposition apparatus includes CVD (Chemical Vapor Deposition) and MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). The substrate is allowed to react with the process gas by spraying the process gas onto the surface of the substrate accommodated therein, do. Here, the chemical vapor deposition apparatus includes a chamber in which a process is performed, a susceptor accommodated in the chamber and supporting the substrate, a showerhead for spraying the process gas to the susceptor, and a showerhead disposed between the chamber and the susceptor, And a liner for preventing the residue from being deposited on the outside. The transfer robot is provided to be drawn into the chamber of the chemical vapor deposition apparatus. The transfer robot may transfer the substrate to be received on the upper surface of the susceptor or may be drawn into the chamber for the cleaning process of the susceptor after the substrate deposition process.

한편, "대한민국 공개특허공보 제2003-0030059호"인 "에칭 챔버" 및 "대한민국 공개특허공보 제2011-0129161호"인 "서셉터 분리방법 및 분리기구, 그에 적용되는 기판처리장치"에 개시된 바 있다. 상술한 선행문헌 기술들 중 "에칭 챔버"는 챔버와 서셉터 사이에 라이너가 배치되고, "서셉터 분리방법 및 분리기구, 그에 적용되는 기판처리장치"는 분리기구를 이용하여 서셉터를 챔버의 상부로 상승시켜 이동시킨다.On the other hand, disclosed in Korean Patent Application Publication No. 2003-0030059 entitled "Etching Chamber" and "Korean Published Patent Application No. 2011-0129161" entitled " have. The " etch chamber "of the above-mentioned prior art documents includes a liner disposed between the chamber and the susceptor, and the" susceptor separation method and separation mechanism, substrate processing apparatus applied thereto " And moves it upward.

그런데, 종래의 선행기술문헌들은 챔버 내부에서 서셉터를 이송하는 데 있어서 서셉터 주위에 배치된 라이너의 간섭을 피하기 위해 서셉터를 챔버 상부로 상승시키기 때문에 서셉터의 하중을 극복할 수 있는 이송로봇의 부하가 증가되는 문제점과 함께 서셉터를 챔버의 상부로 이송시키는 데 소요 시간이 증대되는 문제점이 있다.However, the prior art documents raise the susceptor to the upper part of the chamber in order to avoid the interference of the liner disposed around the susceptor in transferring the susceptor inside the chamber, so that the transfer robot And the time required for transferring the susceptor to the upper part of the chamber is increased.

대한민국 공개특허공보 제2003-0030059호Korean Patent Publication No. 2003-0030059 대한민국 공개특허공보 제2011-0129161호Korean Patent Publication No. 2011-0129161

본 발명의 목적은 챔버 내부의 서셉터를 이송할 때 챔버에 대해 서셉터를 파지하는 이송로봇의 인출입 구조를 개선한 화학기상 증착용 공정 시스템을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a chemical vapor deposition process system which improves the drawing-out structure of a transfer robot holding a susceptor with respect to a chamber when transferring a susceptor inside the chamber.

상기 과제의 해결 수단은, 본 발명에 따라 이송로봇과, 내부로 공정가스가 유입되며 상기 이송로봇이 내외부로 인출입 되는 개구를 개폐하는 게이트를 갖는 챔버와, 상기 챔버 내부에 배치되어 상기 챔버 내부로 유입된 공정가스와 반응하는 기판을 지지하며 상기 이송로봇에 의해 상기 챔버 내외부로 인출입 되는 서셉터와, 상기 챔버와 상기 서셉터의 사이에 상기 서셉터의 회전축선에 대해 가로 방향으로 배치되어 상기 챔버와 상기 서셉터 사이의 기밀을 유지하며 상기 챔버 내외부로의 상기 이송로봇 인출입에 따라 상기 챔버와 상기 서셉터 사이를 개폐하는 라이너유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착용 공정 시스템에 의해 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a transfer robot including a transfer robot, a chamber having a gate for opening and closing an opening through which the process gas is introduced into the transfer robot and the transfer robot is drawn in and out, A susceptor for supporting a substrate reacting with a process gas introduced into the chamber and being drawn into and out of the chamber by the transfer robot, and a susceptor disposed between the chamber and the susceptor in a transverse direction with respect to the axis of rotation of the susceptor And a liner unit that maintains the airtightness between the chamber and the susceptor and opens and closes the chamber and the susceptor in accordance with the draw-in and out of the transfer robot to the inside and outside of the chamber. Lt; / RTI >

여기서, 상기 라이너유닛은 상기 챔버의 상기 개구에 대한 상기 게이트의 개폐에 따라 상기 개구에 대해 연통 및 차단되도록 상기 챔버와 상기 서셉터 사이를 개폐하는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the liner unit opens and closes between the chamber and the susceptor so that the liner unit is opened and closed with respect to the opening in accordance with opening and closing of the gate with respect to the opening of the chamber.

바람직하게 상기 라이너유닛은 상기 게이트의 개방에 따라 상기 이송로봇에 의해 상기 챔버 내외부로 상기 서셉터가 인출입 되도록 상기 챔버와 상기 서셉터 사이를 개방할 수 있다.Preferably, the liner unit may open between the chamber and the susceptor such that the susceptor is drawn in and out of the chamber by the transfer robot in response to opening of the gate.

상기 라이너유닛은 상기 챔버의 상기 개구와 연통되는 연통구가 형성되며 상기 챔버 내부의 중심 영역에 배치되는 제1라이너와, 상기 제1라이너의 외측면과 내측면 중 어느 하나에 배치되어 상기 연통구를 개방하는 개방위치와 상기 연통구를 폐쇄하는 폐쇄위치 사이에서 왕복 이동되는 제2라이너를 포함할 수 있다.Wherein the liner unit comprises: a first liner formed with a communication hole communicating with the opening of the chamber and disposed in a central region within the chamber; and a second liner disposed on one of an outer surface and an inner surface of the first liner, And a second liner reciprocating between an open position for opening the communication hole and a closed position for closing the communication hole.

여기서, 바람직하게 상기 제2라이너에는 상기 개방위치에서 상기 제1라이너의 연통구와 연통되는 인출입구가 형성될 수 있다.Preferably, the second liner is formed with a draw-in inlet communicating with the communication port of the first liner at the open position.

그리고 상기 제2라이너는 상기 제1라이너의 외측면에 배치되어, 상기 제1라이너의 외측면을 따라 상기 개방위치와 상기 폐쇄위치 사이에서 왕복 회전 운동되는 것이 바람직하다.And the second liner is disposed on the outer surface of the first liner and is reciprocally rotated between the open position and the closed position along the outer surface of the first liner.

한편, 상기 제2라이너는 상기 제1라이너의 내측면에 배치되어, 상기 제1라이너의 내측면을 따라 상기 개방위치와 상기 폐쇄위치 사이에서 왕복 회전 운동되는 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable that the second liner is disposed on the inner surface of the first liner, and is reciprocally rotated between the open position and the closed position along the inner surface of the first liner.

기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명에 따른 화학기상 증착용 공정 시스템은 챔버와 서셉터 사이를 차단하는 이중 구조의 라이너유닛을 배치하고 이중 구조의 라이너유닛 중 어느 하나를 왕복 운동시켜 챔버 내외부로 인출입 되는 이송로봇의 인출입로를 형성함에 따라 챔버 내외부로 서셉터의 인출입 용이성을 확보할 수 있고, 이에 따라 기판에 대한 증착 공정 사이클 시간을 절감시킬 수 있다.A chemical vapor deposition process system according to the present invention includes a liner unit having a dual structure for interrupting a chamber and a susceptor, reciprocating one of the liner units having a dual structure, The susceptibility of the susceptor to the inside and outside of the chamber can be ensured and thus the cycle time of the deposition process for the substrate can be reduced.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 화학기상 증착용 공정 시스템의 화학기상 증착장치의 단면도,
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 화학기상 증착용 공정 시스템의 제1작동 평면도,
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 화학기상 증착용 공정 시스템의 제2작동 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus of a chemical vapor deposition process system according to a preferred embodiment of the present invention,
2 is a first operation plan view of a chemical vapor deposition process system according to a preferred embodiment of the present invention,
3 is a second operational cross-sectional view of a chemical vapor deposition process system in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 화학기상 증착용 공정 시스템에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a chemical vapor deposition process system according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

설명하기에 앞서, 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 화학기상 증착용 공정 시스템은 이하에서 이송로봇으로 서셉터를 이송한다고 설명되나, 이송로봇 이외에도 서셉터를 이송시킬 수 있는 이송장치는 모두 적용될 수 있음을 미리 밝혀둔다.Before describing, a chemical vapor deposition process system according to a preferred embodiment of the present invention will be described below as transferring a susceptor to a transfer robot. However, in addition to the transfer robot, any transfer device capable of transferring a susceptor can be applied .

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 화학기상 증착용 공정 시스템의 화학기상 증착장치의 단면도, 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 화학기상 증착용 공정 시스템의 제1작동 평면도, 그리고 도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 화학기상 증착용 공정 시스템의 제2작동 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus in a chemical vapor deposition process system according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is a first operation plan view of a chemical vapor deposition process system according to a preferred embodiment of the present invention, And FIG. 3 is a second operational cross-sectional view of a chemical vapor deposition process system in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 화학기상 증착용 공정 시스템(10)은 이송로봇(100) 및 화학기상 증착장치(300)를 포함한다.1 to 3, a chemical vapor deposition process system 10 according to a preferred embodiment of the present invention includes a transfer robot 100 and a chemical vapor deposition apparatus 300.

이송로봇(100)은 로봇암(120) 및 엔드-이펙터(end-effector)(140)를 포함한다. 이송로봇(100)은 로봇암(120)의 일측부에 배치되는 엔드-이펙터(140)의 종류에 따라 기판(1)을 파지하거나 서셉터(340)를 파지할 수 있다. 본 발명의 이송로봇(100)은 후술할 화학기상 증착장치(300)의 개폐에 따라 화학기상 증착장치(300)의 챔버(310) 내외부로 인출입 된다.The transfer robot 100 includes a robot arm 120 and an end-effector 140. The transfer robot 100 may grasp the substrate 1 or grasp the susceptor 340 according to the type of the end-effector 140 disposed at one side of the robot arm 120. The transfer robot 100 of the present invention is drawn into and out of the chamber 310 of the chemical vapor deposition apparatus 300 by opening and closing a chemical vapor deposition apparatus 300 to be described later.

다음으로 화학기상 증착장치(300)는 챔버(310), 가스공급부(320), 샤워헤드(330), 서셉터(340), 회전축(350), 히팅유닛(360) 및 라이너유닛(380)을 포함한다. 화학기상 증착장치(300)는 내부에 수용된 기판(또는 웨이퍼)(1)의 판면과 반응하는 공정가스를 공급하여 기판(1)의 판면에 결정층을 증착시킨다. 여기서, 화학기상 증착장치(300)의 챔버(310) 내부로 공급되어 기판(1)과 반응하는 공정가스는 제1공정가스(G1) 및 제2공정가스(G2)를 포함한다.Next, the chemical vapor deposition apparatus 300 includes a chamber 310, a gas supply unit 320, a shower head 330, a susceptor 340, a rotation shaft 350, a heating unit 360 and a liner unit 380 . The chemical vapor deposition apparatus 300 supplies a process gas reacting with a plate surface of a substrate (or a wafer) 1 accommodated therein to deposit a crystal layer on the plate surface of the substrate 1. Here, the process gas supplied into the chamber 310 of the chemical vapor deposition apparatus 300 and reacting with the substrate 1 includes a first process gas G1 and a second process gas G2.

챔버(310)는 내부에 기판(1)이 증착되는 원통 형상의 공간을 형성한다. 챔버(310)는 원통 형상의 몸체(311), 챔버(310) 내부로 공정가스를 공급시키는 공급구(312), 챔버(310) 내부에서 기판(1)과 반응하여 발생된 반응가스(이하, '폐가스'라고 함)(G3)를 배기하는 배기구(313)를 포함한다. 또한, 챔버(310)는 라이너유닛(380)에 의해 구획된 제1영역(314)과 제2영역(315), 그리고 라이너유닛(380)을 지지하는 지지돌기(316), 상술한 이송로봇(100)이 인출입 되는 개구부(318)를 개폐하는 게이트(317)를 포함한다.The chamber 310 forms a cylindrical space in which the substrate 1 is deposited. The chamber 310 includes a cylindrical body 311, a supply port 312 for supplying a process gas into the chamber 310, a reaction gas generated by reaction with the substrate 1 in the chamber 310, And an exhaust port 313 for exhausting the exhaust gas G3. The chamber 310 also includes a first region 314 and a second region 315 defined by the liner unit 380 and a support projection 316 for supporting the liner unit 380, And a gate 317 that opens and closes the opening 318 through which the semiconductor device 100 is drawn out.

몸체(311)는 원통 형상으로 마련되고 일측벽으로 기판(1)이 내외부로 인출입 되도록 개구된다. 즉, 몸체(311)의 일측벽에는 기판(1) 또는 서셉터(340)를 인출입 시키는 이송로봇(100)이 인출입 되도록 개구부(318)가 형성된다. 여기서, 몸체(311)의 개구부(318)는 게이트(317)에 의해 개폐된다. 몸체(311)의 내부에는 라이너유닛(380)에 의해 구획되어 공급구(312)와 배기구(313)에 연통된 제1영역(314) 및 제1영역(314)과 별도로 구획된 제2영역(315)의 공간이 형성된다. 그리고, 몸체(311)의 내벽면으로부터 연장 돌출되어 라이너유닛(380)을 지지하는 지지돌기(316)를 포함한다.The body 311 is formed in a cylindrical shape, and is opened to one side wall to allow the substrate 1 to be drawn in and out. The opening 318 is formed in one side wall of the body 311 so that the transfer robot 100 for drawing out the substrate 1 or the susceptor 340 is drawn out and received. Here, the opening 318 of the body 311 is opened and closed by the gate 317. A first region 314 partitioned by a liner unit 380 and communicated with a supply port 312 and an exhaust port 313 and a second region 314 separated from the first region 314 315 are formed. And a support protrusion 316 protruding from the inner wall surface of the body 311 and supporting the liner unit 380.

공급구(312) 및 배기구(313)는 챔버(310) 내부의 제1영역(314)에 연통되도록 마련된다. 실질적으로 공급구(312)는 후술할 샤워헤드(330)와 연결되어 샤워헤드(330)로 공정가스를 공급한다. 그리고, 배기구(313)는 샤워헤드(330)에 의해 분사되어 기판(1)과 반응한 폐가스(G3)를 배기한다. 여기서, 배기구(313)에는 본 발명에 도시되지 않은 펌프가 연결됨으로써, 챔버(310) 내부의 폐가스(G3) 배기 및 챔버(310) 내부의 진공 분위기를 형성할 수 있다.The supply port 312 and the exhaust port 313 are provided so as to communicate with the first region 314 inside the chamber 310. Substantially, the supply port 312 is connected to the shower head 330 to supply a process gas to the shower head 330. The exhaust port 313 is injected by the shower head 330 to exhaust the waste gas G3 that has reacted with the substrate 1. [ Here, a pump not shown in the present invention is connected to the exhaust port 313, so that exhaust gas G3 in the chamber 310 and a vacuum atmosphere inside the chamber 310 can be formed.

게이트(317)는 몸체(311)의 개구부(318)에 배치되어 개구부(318)를 개폐한다. 게이트(317)는 본 발명의 일 실시 예로서, 개구부(318)에 대해 슬라이딩 이동되어 개구부(318)를 개폐한다. 그러나, 게이트(317)는 챔버(310)의 몸체(311)에 힌지 방식으로 결합되어 개구부(318)를 개폐할 수 있다. 게이트(317)는 챔버(310)의 내부로 이송로봇(100)이 인출입 될 수 있도록 개구부(318)를 개방한다. 또한, 게이트(317)는 후술한 라이너유닛(380)의 제2라이너(384)의 작동과 연동되어 작동될 수 있다.The gate 317 is disposed in the opening 318 of the body 311 to open and close the opening 318. The gate 317 is slidably moved relative to the opening 318 to open and close the opening 318 as an embodiment of the present invention. However, the gate 317 may be hingedly coupled to the body 311 of the chamber 310 to open or close the opening 318. The gate 317 opens the opening 318 so that the transfer robot 100 can be drawn in and out of the chamber 310. Further, the gate 317 can be operated in conjunction with the operation of the second liner 384 of the liner unit 380, which will be described later.

가스공급부(320)는 챔버(310) 내부로 공정가스가 공급되도록 공정가스를 공급한다. 본 발명의 가스공급부(320)는 제1공정가스(G1)와 퍼지가스(이하, '제2공정가스'라고 함)(G2)를 공급한다.The gas supply unit 320 supplies a process gas to supply the process gas into the chamber 310. The gas supply unit 320 of the present invention supplies a first process gas G1 and a purge gas (hereinafter referred to as "second process gas") G2.

여기서, 제1공정가스(G1)는 Ⅲ족 가스인 트리메탈갈륨(TMGA: Trimethyl-gallium), 트리메탈인듐(TMI: Trimethyl-Indium), 트리메탈알루미늄(TMA: Trimethyl-aluminium) 가스 중 어느 하나, 또는 Ⅴ족 가스인 암모니아(NH3) 가스를 사용할 수 있다. 한편, 제2공정가스(G2)는 질소(N2) 가스와 수소(H2) 가스 중 어느 하나를 사용할 수 있다.The first process gas G1 may be any one of Group III gases such as trimethyl-gallium (TMGA), trimethyl-indium (TMI), and trimethylaluminum (TMA) , Or an ammonia (NH3) gas which is a group V gas. On the other hand, the second process gas G2 can be either a nitrogen (N2) gas or a hydrogen (H2) gas.

샤워헤드(330)는 가스공급부(320)로부터 공급된 공정가스를 챔버(310) 내부로 분사한다. 여기서, 샤워헤드(330)를 통해 공급되는 공정가스는 제1공정가스(G1) 및 제2공정가스(G2)가 될 수 있다. 본 발명의 샤워헤드(330)에는 챔버(310) 내부로 분사되는 제1공정가스(G1)를 유입하는 제1공정가스 공급실(332) 및 제2공정가스(G2)를 유입하는 제2공정가스 공급실(334)이 형성되어 있다. 제1공정가스 공급실(332)로 유입되는 제1공정가스(G1)는 원료물질이 기화된 원료가스와 캐리어 가스를 포함할 수 있다. 그리고, 제2공정가스 공급실(334)로 유입되는 제2공정가스(G2)는 챔버(310)와 서셉터(340) 사이에 분사되어 챔버(310)의 외부로 배출되는 배기되는 폐가스(G3)가 샤워헤드(330)와 서셉터(340) 사이로 역류하는 것을 방지한다.The shower head 330 injects the process gas supplied from the gas supply unit 320 into the chamber 310. Here, the process gas supplied through the showerhead 330 may be the first process gas G1 and the second process gas G2. The showerhead 330 of the present invention is provided with a first process gas supply chamber 332 for introducing the first process gas G1 to be injected into the chamber 310 and a second process gas supply chamber 332 for introducing the second process gas G2, A supply chamber 334 is formed. The first process gas G1 flowing into the first process gas supply chamber 332 may include a source gas and a carrier gas in which the source material is vaporized. The second process gas G2 flowing into the second process gas supply chamber 334 is injected between the chamber 310 and the susceptor 340 to discharge the waste gas G3 discharged to the outside of the chamber 310. [ To prevent backflow between the showerhead 330 and the susceptor 340.

서셉터(340)는 기판지지부(342) 및 기판수용홈(344)을 포함한다. 서셉터(340)는 챔버(310) 내부의 상부에 샤워헤드(330)와 대향 되도록 배치된다. 기판지지부(342)는 기판(1)이 지지되는 서셉터(340)의 상부를 형성한다. 그리고, 기판수용홈(344)은 기판지지부(342)의 판면에 복수개로 함몰 형성되어 복수개의 기판(1)을 수용한다.The susceptor 340 includes a substrate support 342 and a substrate receiving groove 344. The susceptor 340 is arranged to face the shower head 330 at an upper portion inside the chamber 310. The substrate support 342 forms the upper portion of the susceptor 340 on which the substrate 1 is supported. The substrate receiving grooves 344 are formed in a plurality of depressions on the surface of the substrate supporting portion 342 to accommodate the plurality of substrates 1.

회전축(350)은 서셉터(340)의 하부에 연결되어 서셉터(340)를 회전 운동시킨다. 회전축(350)은 기판(1)의 증착 공정 시 서셉터(340)에 지지된 복수개의 기판(1) 판면에 균일한 두께의 결정층이 증착되도록 서셉터(340)를 회전 운동시킨다. 여기서, 회전축(350)은 미도시된 벨트와 모터의 조합과 같은 공지된 동력전달장치로부터의 구동력을 제공 받아 서셉터(340)를 회전 운동시킨다.The rotating shaft 350 is connected to the lower portion of the susceptor 340 to rotate the susceptor 340. The rotating shaft 350 rotates the susceptor 340 so that a uniform thickness of the crystal layer is deposited on the surfaces of the plurality of substrates 1 supported by the susceptor 340 during the deposition process of the substrate 1. [ Here, the rotating shaft 350 receives a driving force from a known power transmission device, such as a combination of a belt and a motor (not shown), and rotates the susceptor 340.

히팅유닛(360)은 히팅부(362), 방열부(364) 및 전원블럭(366)을 포함한다. 히팅유닛(360)은 서셉터(340)의 내부 공간에 수용된다. 히팅유닛(360)은 서셉터(340)의 기판수용홈(344)에 수용된 복수개의 기판(1)에 대한 증착 공정이 원활하게 이루어질 수 있도록 기판(1)으로 전달되는 열을 발생한다.The heating unit 360 includes a heating unit 362, a heat dissipation unit 364, and a power supply block 366. [ The heating unit 360 is accommodated in the inner space of the susceptor 340. The heating unit 360 generates heat transferred to the substrate 1 so that the deposition process for the plurality of substrates 1 accommodated in the substrate receiving grooves 344 of the susceptor 340 can be performed smoothly.

히팅부(362)는 복수개로 분리되어 서셉터(340)의 중앙 영역과 테두리 영역에 각각 대응되도록 배치된다. 이와 같이 히팅부(362)가 복수개로 분리되어 배치됨에 따라, 서셉터(340)의 기판지지부(342)의 중앙 영역 및 테두리 영역에 전달되는 온도는 개별 조절될 수 있는 장점이 있다. 본 발명의 일 실시 예로서, 히팅부(362)는 기판지지부(342)의 중앙 영역과 테두리 영역에 대응되도록 분리 배치되어 있으나, 히팅부(362)의 분리된 개수 및 배치 등은 기판지지부(342)의 면적 또는 기판수용홈(344)의 배치 위치에 따라 설계 변경 실시 될 수 있다.The plurality of heaters 362 are disposed to correspond to the center region and the edge region of the susceptor 340, respectively. Since the plurality of heating portions 362 are separately arranged, the temperature transferred to the center region and the edge region of the substrate supporting portion 342 of the susceptor 340 can be individually adjusted. The heating unit 362 may be disposed so as to correspond to the center region and the edge region of the substrate supporting unit 342. However, the separated number and arrangement of the heating unit 362 may be different from the substrate supporting unit 342 Or the arrangement position of the substrate receiving groove 344 can be implemented.

방열부(364)는 복수개로 히팅부(362)의 하부에 배치되어, 서셉터(340) 내부의 열을 방열한다. 한편, 전원블럭(366)은 복수개의 방열부(364) 하부에 복수개로 배치된다. 전원블럭(366)은 양극블럭, 음극블럭, 양극선 및 음극선으로 구성된다. 전원블럭(366)은 전원공급부(미도시)로부터 공급되는 대전류가 효율적으로 히팅부(362)에 분배 공급되도록 한다.A plurality of heat dissipation units 364 are disposed below the heating units 362 to dissipate heat inside the susceptors 340. A plurality of power supply blocks 366 are disposed under the plurality of heat dissipation units 364. [ The power supply block 366 is composed of a cathode block, a cathode block, a cathode and a cathode. The power supply block 366 allows the high current supplied from the power supply (not shown) to be distributed and supplied to the heating portion 362 efficiently.

마지막으로 라이너유닛(380)은 챔버(310)와 서셉터(340) 사이에 서셉터(340)의 회전축선에 대해 가로 방향으로 배치되어 챔버(310)와 서셉터(340) 사이의 기밀을 유지한다. 라이너유닛(380)은 챔버(310)와 서셉터(340) 사이의 전방향에서 펌핑을 균일하게 유지시켜줄 뿐만 아니라, 폐가스(G3)가 챔버(310) 내부 및 서셉터(340)의 외부에 증착되는 것을 방지한다. 라이너유닛(380)은 챔버(310) 내외부로의 이송로봇(100) 인출입에 따라 챔버(310)와 서셉터(340) 사이를 개폐한다.The liner unit 380 is disposed between the chamber 310 and the susceptor 340 in the transverse direction with respect to the axis of rotation of the susceptor 340 to maintain the airtightness between the chamber 310 and the susceptor 340 do. The liner unit 380 not only keeps the pumping uniformly in all directions between the chamber 310 and the susceptor 340 but also causes the waste gas G3 to be deposited inside the chamber 310 and outside the susceptor 340 . The liner unit 380 opens and closes between the chamber 310 and the susceptor 340 in accordance with the feed robot 100 in and out of the chamber 310.

정확하게 설명하자면, 라이너유닛(380)은 챔버(310)의 개구부(318)에 대한 게이트(317)의 개폐에 따라 개구부(318)에 연통 및 폐쇄되도록 챔버(310)와 서셉터(340) 사이를 개폐한다. 예를 들어, 라이너유닛(380)은 게이트(317)에 의한 챔버(310)의 개구부(318) 개방에 따라 이송로봇(100)에 의해 서셉터(340)가 챔버(310) 내외부로 인출입 되도록 챔버(310)와 서셉터(340) 사이를 개방한다.The liner unit 380 is positioned between the chamber 310 and the susceptor 340 so as to be communicated with and closed to the opening 318 in accordance with opening and closing of the gate 317 with respect to the opening 318 of the chamber 310. [ Open and close. For example, the liner unit 380 may be configured such that the transfer robot 100 moves the susceptor 340 in and out of the chamber 310 according to the opening of the opening 318 of the chamber 310 by the gate 317 Thereby opening the chamber 310 and the susceptor 340.

본 발명의 일 실시 예로서, 라이너유닛(380)은 제1라이너(382)와 제2라이너(384)를 포함한다. 즉, 라이너유닛(380)은 제1라이너(382)와 제2라이너(384)의 이중의 구조를 가짐으로써, 챔버(310)의 개구부(318)를 개폐한다. 제1라이너(382)는 챔버(310)의 서셉터(340) 사이에 배치되는 제1라이너 몸체(382a) 및 챔버(310)의 개구부(318)와 연통되는 연통구(382b)를 포함한다. 제1라이너 몸체(382a)는 평면도 상에서'C'자 형상의 단면 형상을 갖는다. 즉, 제1라이너 몸체(382a)는 챔버(310)의 개구부(318)에 대향된 부분이 절개되어 이송로봇(100)이 인출입 되는 연통구(382b)를 형성한다.In one embodiment of the present invention, the liner unit 380 includes a first liner 382 and a second liner 384. That is, the liner unit 380 has a double structure of the first liner 382 and the second liner 384, thereby opening and closing the opening 318 of the chamber 310. The first liner 382 includes a first liner body 382a disposed between the susceptors 340 of the chamber 310 and a communication port 382b communicating with the opening 318 of the chamber 310. [ The first liner body 382a has a cross-sectional shape of a 'C' shape on a plan view. That is, the first liner body 382a is cut off at a portion opposed to the opening 318 of the chamber 310 to form a communication port 382b through which the transfer robot 100 is drawn out.

반면, 제2라이너(384)는 제1라이너(382)의 외측면과 내측면 중 어느 하나에 배치되어 제1라이너(382)의 연통구(382b)를 개방하는 개방위치와 연통구(382b)를 폐쇄하는 폐쇄위치 사이에서 왕복 이동된다. 본 발명의 일 실시 예로서, 제2라이너(384)는 제1라이너(382)의 내측면에 배치되어 제1라이너(382)의 내측면을 따라 개방위치와 폐쇄위치 사이에서 왕복 회전 운동 된다. 제2라이너(384)는 미도시된 벨트, 모터, 체인 및 유공압과 같은 공지된 다양한 구동장치에 의해 왕복 회전 운동될 수 있다.On the other hand, the second liner 384 is disposed at one of the outer side surface and the inner side surface of the first liner 382 and is disposed at an open position for opening the communication hole 382b of the first liner 382, As shown in Fig. The second liner 384 is disposed on the inner surface of the first liner 382 and is reciprocally rotated between the open position and the closed position along the inner surface of the first liner 382. [ The second liner 384 may be reciprocated by various known drive devices, such as belts, motors, chains, and pneumatic pressures, not shown.

여기서, 제2라이너(384)는 본 발명의 일 실시 예와 달리, 제1라이너(382)의 외측면에 배치되어 제1라이너(382)의 외측면을 따라 개방위치와 폐쇄위치 사이에서 왕복 회전 운동 될 수도 있다. 또한, 제2라이너(384)는 제1라이너(382)의 연통구(382b)에 배치되어, 챔버(310)의 게이트(317)와 같이 개방위치와 폐쇄위치 사이에서 슬라이딩 왕복 이동될 수도 있다. 물론, 제2라이너(384)의 슬라이딩 왕복 이동은 공간 확보를 위해 제1라이너(382)의 상부 방향으로 이루어지는 것이 바람직하다.Here, the second liner 384 is disposed on the outer surface of the first liner 382, unlike the embodiment of the present invention, and rotates in a reciprocating manner between the open position and the closed position along the outer surface of the first liner 382 It may be exercised. The second liner 384 may be disposed in the communication port 382b of the first liner 382 and may be slidingly reciprocated between the open position and the closed position such as the gate 317 of the chamber 310. [ Of course, it is preferable that the sliding reciprocating movement of the second liner 384 is performed in the upper direction of the first liner 382 in order to secure a space.

본 발명의 제2라이너(384)는 제2라이너 몸체(384a) 및 제2라이너 몸체(384a)의 절개된 영역에 형성되는 인출입구(384b)를 포함한다. 제2라이너 몸체(384a)는 제1라이너 몸체(382a)와 같이 평면도 상에서 'C'자 형상의 단면 형상을 갖는다. 그리고, 제2라이너 몸체(384a)는 일부 영역이 절개되어 제1라이너(382)의 연통구(382b)와 연통되는 인출입구(384b)를 형성한다. 정확하게, 제2라이너(384)의 인출입구(384b)는 개방위치에서 챔버(310)의 개구부(318) 및 제1라이너(382)의 연통구(382b)와 연통된다. 이렇게, 제2라이너(384)는 제1라이너(382)에 대해 개방위치와 폐쇄위치 사이에서 왕복 회전운동 되어 챔버(310) 내외부로 서셉터(340)를 인출시키기 위한 이송로봇(100)의 인출입로를 확보할 수 있다.The second liner 384 of the present invention includes a second liner body 384a and a draw inlet 384b formed in an incised region of the second liner body 384a. The second liner body 384a has a cross-sectional shape of a "C" shape on a plan view like the first liner body 382a. The second liner body 384a is partially cut away to form a draw-in inlet 384b communicating with the communication port 382b of the first liner 382. [ The outflow inlet 384b of the second liner 384 communicates with the opening 318 of the chamber 310 and the communication port 382b of the first liner 382 at the open position. The second liner 384 reciprocally rotates between the open position and the closed position with respect to the first liner 382 so that the withdrawal of the transfer robot 100 for withdrawing the susceptor 340 into and out of the chamber 310 You can secure your mouth.

이러한 구성에 의해 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 화학기상 증착용 공정 시스템(10)에 대해 도 2 및 도 3을 참조하여 이하에서 살펴보면 다음과 같다.With reference to FIG. 2 and FIG. 3, a chemical vapor deposition process system 10 according to a preferred embodiment of the present invention will be described below.

우선, 도 2에 도시된 바와 같이, 화학기상 증착장치(300)의 제1라이너(382)와 제2라이너(384)를 포함하는 라이너유닛(380)은 챔버(310)와 서셉터(340) 사이를 차단한다. 그리고, 샤워헤드(330)로 분사된 공정가스와 기판(1)을 반응시켜 기판(1) 상에 결정층을 형성한다. 챔버(310) 내부의 폐가스(G3)를 챔버(310) 외부로 배기한다.2, a liner unit 380 including a first liner 382 and a second liner 384 of the chemical vapor deposition apparatus 300 includes a chamber 310 and a susceptor 340, . Then, the process gas injected by the showerhead 330 is reacted with the substrate 1 to form a crystal layer on the substrate 1. [ And exhausts the waste gas G3 inside the chamber 310 to the outside of the chamber 310. [

챔버(310) 내부에서 기판(1)의 증착 공정이 끝난 후, 서셉터(340) 상에서 공정이 완료된 기판(1)을 인출 또는 서셉터(340)의 클리닝을 위해 서셉터(340)를 챔버(310) 외부로 인출해야 된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 서셉터(340)를 파지할 수 있는 이송로봇(100)이 챔버(310) 내부로 진입되도록 챔버(310)의 개구부(318)를 폐쇄한 게이트(317)를 작동시킨다. 그러면, 게이트(317)의 작동에 따라 제2라이너(384)는 제1라이너(382)에 대해 회전 운동된다. 이렇게 제2라이너(384)가 제1라이너(382)에 대해 폐쇄위치에서 개방위치로 회전 운동됨에 따라 챔버(310)의 개구부(318), 제1라이너(382)의 연통구(382b) 및 제2라이너(384)의 인출입구(384b)는 연통되어 이송로봇(100)의 진입로가 형성된다.After the deposition of the substrate 1 is completed within the chamber 310, the susceptor 340 is brought into the chamber (not shown) for withdrawing the processed substrate 1 on the susceptor 340 or cleaning the susceptor 340 310). The gate 317 closing the opening 318 of the chamber 310 is operated so that the transfer robot 100 capable of gripping the susceptor 340 enters the chamber 310 as shown in FIG. . Then, according to the operation of the gate 317, the second liner 384 is rotated with respect to the first liner 382. As the second liner 384 is rotationally moved from the closed position to the open position with respect to the first liner 382, the opening 318 of the chamber 310, the communication port 382b of the first liner 382, 2 of the liner 384 are communicated with each other to form an access path for the transfer robot 100.

챔버(310) 및 라이너유닛(380)에 의해 형성된 진입로를 통해 이송로봇(100)을 진입시켜 서셉터(340)를 파지한다. 그리고, 이송로봇(100)은 파지된 서셉터(340)를 챔버(310)의 외부로 인출한다. 한편, 챔버(310) 내부에 서셉터(340)를 인입시키는 작동 과정은 일련 된 작동 과정을 수행해서 이루어질 수 있다.And enters the transfer robot 100 through an access path formed by the chamber 310 and the liner unit 380 to grip the susceptor 340. Then, the transfer robot 100 takes the held susceptor 340 out of the chamber 310. Meanwhile, the operation of drawing the susceptor 340 into the chamber 310 may be performed by performing a series of operations.

이에, 챔버와 서셉터 사이를 차단하는 이중 구조의 라이너유닛을 배치하고 이중 구조의 라이너유닛 중 어느 하나를 왕복 운동시켜 챔버 내외부로 인출입 되는 이송로봇의 인출입로를 형성함에 따라 챔버 내외부로 서셉터의 인출입 용이성을 확보할 수 있고, 이에 따라 기판에 대한 증착 공정 사이클 시간을 절감시킬 수 있다.Accordingly, a liner unit having a dual structure for shutting off the chamber and the susceptor is disposed, and one of the liner units of the dual structure is reciprocated to form a take-out inlet of the transfer robot which is drawn in and out of the chamber. It is possible to secure ease of withdrawal of the susceptor, thereby reducing the cycle time of the deposition process for the substrate.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징들이 변경되지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것으로 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, . Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

10: 화학기상 증착용 공정시스템 100: 이송로봇
120: 로봇암 140: 엔드-이펙터
300: 화학기상 증착장치 310: 챔버
312: 공급구 313: 배기구
316: 지지돌기 317: 게이트
318: 개구부 330: 샤워헤드
340: 서셉터 350: 회전축
360: 히팅유닛 380: 라이너유닛
382: 제1라이너 382a: 제1라이너 몸체
382b: 연통구 384: 제2라이너
384a: 제2라이너 몸체 384b: 인출입구10: Chemical vapor deposition process system 100: Transfer robot
120: Robot arm 140: End-effector
300: chemical vapor deposition apparatus 310: chamber
312: supply port 313: exhaust port
316: support protrusion 317: gate
318: opening 330: shower head
340: susceptor 350: rotating shaft
360: Heating unit 380: Liner unit
382: first liner 382a: first liner body
382b: communicating port 384: second liner
384a: second liner body 384b:

Claims (7)

이송로봇과;
내부로 공정가스가 유입되며, 상기 이송로봇이 내외부로 인출입 되도록 측부에 형성된 개구를 개폐하는 게이트를 갖는 챔버와;
상기 챔버 내부에 배치되어 상기 챔버 내부로 유입된 공정가스와 반응하는 기판을 지지하며, 상기 이송로봇에 의해 상기 챔버 내외부로 인출입 되는 서셉터와;
상기 챔버와 상기 서셉터의 사이에 상기 서셉터의 회전축선에 대해 가로 방향으로 배치되어 상기 챔버와 상기 서셉터 사이의 기밀을 유지하며, 상기 챔버 내외부로의 상기 이송로봇 인출입에 대응되어 상기 챔버와 상기 서셉터 사이를 개폐하도록 상기 챔버의 상기 측부를 따라 왕복 이동되는 라이너유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착용 공정 시스템.A transfer robot;
A chamber having a gate for opening and closing an opening formed in a side portion so that the process gas is introduced into the inside and the transfer robot is drawn in and out;
A susceptor disposed in the chamber for supporting a substrate reacting with a process gas introduced into the chamber, the susceptor being drawn into and out of the chamber by the transfer robot;
Wherein the chamber is provided with a susceptor disposed between the chamber and the susceptor in a transverse direction with respect to the axis of rotation of the susceptor to maintain airtightness between the chamber and the susceptor, And a liner unit reciprocally moved along the side of the chamber to open and close between the susceptor and the chemical vapor deposition process system. 제1항에 있어서,
상기 라이너유닛은 상기 챔버의 상기 개구에 대한 상기 게이트의 개폐에 따라 상기 개구에 대해 연통 및 차단되도록 상기 챔버와 상기 서셉터 사이를 개폐하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착용 공정 시스템.The method according to claim 1,
Wherein the liner unit opens and closes between the chamber and the susceptor so that the liner unit is opened and closed with respect to the opening according to opening and closing of the gate with respect to the opening of the chamber. 제2항에 있어서,
상기 라이너유닛은 상기 게이트의 개방에 따라 상기 이송로봇에 의해 상기 챔버 내외부로 상기 서셉터가 인출입 되도록 상기 챔버와 상기 서셉터 사이를 개방하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착용 공정 시스템.3. The method of claim 2,
Wherein the liner unit is configured to open between the chamber and the susceptor so that the susceptor is drawn out from and into the chamber by the transfer robot in response to opening of the gate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 라이너유닛은,
상기 챔버의 상기 개구와 연통되는 연통구가 형성되며, 상기 챔버 내부의 중심 영역에 배치되는 제1라이너와;
상기 제1라이너의 외측면과 내측면 중 어느 하나에 배치되어, 상기 연통구를 개방하는 개방위치와 상기 연통구를 폐쇄하는 폐쇄위치 사이에서 왕복 이동되는 제2라이너를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착용 공정 시스템.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the liner unit comprises:
A first liner disposed in a central region within the chamber, the first liner being formed with a communication hole communicating with the opening of the chamber;
And a second liner disposed on either the outer side or the inner side of the first liner and reciprocating between an open position for opening the communication hole and a closing position for closing the communication hole, Vapor deposition process system. 제4항에 있어서,
상기 제2라이너에는 상기 개방위치에서 상기 제1라이너의 연통구와 연통되는 인출입구가 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착용 공정 시스템.5. The method of claim 4,
Wherein the second liner is formed with a draw-in inlet communicating with a communication port of the first liner at the open position. 제5항에 있어서,
상기 제2라이너는 상기 제1라이너의 외측면에 배치되어, 상기 제1라이너의 외측면을 따라 상기 개방위치와 상기 폐쇄위치 사이에서 왕복 회전 운동되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착용 공정 시스템.6. The method of claim 5,
Wherein the second liner is disposed on the outer surface of the first liner and is reciprocally rotated between the open position and the closed position along the outer surface of the first liner. 제5항에 있어서,
상기 제2라이너는 상기 제1라이너의 내측면에 배치되어, 상기 제1라이너의 내측면을 따라 상기 개방위치와 상기 폐쇄위치 사이에서 왕복 회전 운동되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착용 공정 시스템.6. The method of claim 5,
Wherein the second liner is disposed on the inner surface of the first liner and is reciprocally rotated between the open position and the closed position along the inner surface of the first liner.
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