KR20130054381A

KR20130054381A - 신규 액정 표시 장치 및 유용한 액정 조성물

Info

Publication number: KR20130054381A
Application number: KR1020137007119A
Authority: KR
Inventors: 기요후미 다케우치; 마사카즈 가네오야
Original assignee: 디아이씨 가부시끼가이샤
Priority date: 2010-09-28
Filing date: 2011-09-22
Publication date: 2013-05-24
Also published as: CN103140567B; US20130300996A1; JPWO2012043387A1; JP5257802B2; CN103140567A; US9404037B2; WO2012043387A1; KR101374694B1

Abstract

본 발명은 응답 속도가 빠르고, 화소 분할 등의 특별한 셀 구조를 갖지 않고 시각 특성이 우수한, 양의 유전율 이방성의 액정 재료를 사용한 VAIPS 방식의 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 복수의 독립적으로 제어 가능한 화소를 갖고, 양의 유전율 이방성을 갖는 액정 조성물층으로 이루어지는 액정 표시 장치로서, 화소 제어용의 전극이 액정상을 협지(挾持)한 제1과 제2 양 기판 중 적어도 한쪽의 기판에 마련되고, 상기 액정 조성물층의 액정 분자의 장축이 상기 기판면에 대략 수직으로 배향하고 있거나 또는, 하이브리드 배향하고 있으며, 상기 액정 조성물이 특정의 액정 화합물군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 함유하고, 상기 전극 구조에 의해 발생한 전계에서 상기 액정 조성물층을 투과하는 광의 투과율을 변조하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치를 제공한다.

Description

신규 액정 표시 장치 및 유용한 액정 조성물{NOVEL LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND USEFUL LIQUID CRYSTAL COMPOSITION}

본원 발명은 유전율 이방성이 양(Δε＞0)인 네마틱 액정 조성물을 사용한 액정 표시 장치에 관한 것이다.

현재, 액티브 매트릭스 구동 방식의 장치로서는, OCB(옵티컬리·컴펜세이티드·벤드 방식), VA(수직 배향 방식), IPS(면내 배향 방식) 등의 표기 방식이 그 표시 품질로부터 휴대 단말, 액정 텔레비전, 프로젝터, 컴퓨터 등에 응용되고 있다. 액티브 매트릭스 표기 방식은 화소마다 비선형 회로를 마련하고 있으며, 아모퍼스 실리콘, 폴리 실리콘을 사용한 TFT(박막 트랜지스터)나 유기 반도체 재료를 사용한 제안이 이루어지고 있다. 또한, 표시의 대형화나 고정세화(高精細化)에 대응하여 액정 분자의 배향 방법으로서 광배향 기술을 사용한 제안이 이루어지고 있다. 표시에 더 넓은 시각 특성을 얻기 위해 위상차 필름이나 밝은 표시를 얻기 위해 광중합성 모노머를 사용한 제안이 이루어져 있다(비특허문헌 1∼8).

그러나, 액정 텔레비전이 CRT를 사용한 종래의 텔레비전을 완전히 치환하고, 3D 영상 또는 필드 시퀀셜 표시의 요망에도 대응하기 위해서는, 응답 속도나 시각 특성의 점이 여전히 충분한 것은 아니다. 예를 들면, 상기 IPS 방식은 시각 특성은 우수하지만, 응답 속도의 점에서는 충분한 것이 아니며, 상기 VA 방식은 비교적 고속의 응답 속도이지만 시각 특성의 점에서는 충분한 것이 아니었다. 그 때문에, 오버 드라이브 방식에 더하여 플레임 주파수를 60㎐로부터 120㎐, 240㎐ 등의 높은 주파수로 하여 표시 소자의 외견상의 응답 속도를 향상시키기 위한 개량이 진행되어 왔다. 그러나, 이들 액정 표시 장치의 전자 회로상의 개량만으로는, 액정 재료가 고유하게 갖는 응답 속도의 한계를 초월하는 것에는 한계가 있어, 액정 재료를 함유하는 표시 장치 전체의 개량에 의한 발본적인 응답 속도의 개선이 요구되고 있다.

또한, 상기 VA 방식에서, 시각 특성을 개선하기 위해 화소를 분할하고, 분할한 화소마다 액정 분자의 배향 방향을 바꿈으로써 시각 특성을 개선한 MVA(멀티도메인 수직 배향 방식)가 제안되어 있다. 이 방식에서는 시각 특성을 개선하는 것은 가능하지만, 화소 분할을 하기 위해서는, 복잡한 구조를 갖는 액정셀을 균일하게 제조하는 것이 요구되므로, 제조 효율의 저하는 피할 수 없었다.

이와 같은 과제를 발본적으로 개선하는 방법으로서, 종래의 구동 방식과는 다른 새로운 구동 방식이 제안되어 있다. 예를 들면, 전압 무인가시에, 유전율 이방성이 양인 액정 재료(Δε＞0)를 기판면에 대하여 수직으로 배향시켜, 기판면상에 배치한 전극에 의한 횡전계에서, 액정 분자를 구동하는 방법이 알려져 있다(특허문헌 1∼7 및 비특허문헌 9∼15). 이 방법에서는, 횡방향의 전계가 만곡(灣曲)함으로써, 전압 인가시에 액정 분자가 다른 방향으로 배열하므로, 상술한 MVA 방식과 같이 화소 분할을 하지 않고, 멀티도메인을 형성할 수 있으므로, 제조 효율의 점에서 우수한 것이다. 이와 같은 방식의 액정 표시 장치는, 특허문헌 3∼7이나 비특허문헌 9∼15에 의하면, EOC, VA-IPS 등 여러 가지 호칭이 있지만, 본 발명에서는 이하 「VAIPS」라고 약칭한다.

그러나, VAIPS 방식에서는, 액정 분자의 물리적인 거동은 종래의 액정 표시 장치의 구동 방법과는 다르므로, 액정 재료의 선택에 있어서는 종래와는 다른 기준으로 액정 재료를 선택하는 것이 요구되고 있다.

즉, 일반적으로 TN 방식에서의 프리데릭스 전이의 역치 전압(Vc)은 다음 수식

[수식 1]

STN 방식에서는 다음 수식

[수식 2]

VA 방식은 다음 수식으로 표시된다.

[수식 3]

(수식 중, Vc는 프리데릭스 전이(V), Π은 원주율, d_cell는 제1 기판과 제2 기판의 간격(㎛), d_gap는 화소 전극과 공통 전극의 간격(㎛), d_ITO는 화소 전극 및／또는 공통 전극의 폭(㎛), <r1>, <r2>, 및 <r3>은 외삽 길이(㎛), K11은 스프레이의 탄성 상수(N), K22는 트위스트의 탄성 상수(N), K33은 벤드의 탄성 상수(N)를 나타내고, Δε은 유전율의 이방성을 나타냄)

그러나, VAIPS 방식에서는, 이들 일반적인 계산식은 들어맞지 않고, 액정 재료의 선택의 기준이 없으므로, 성능의 개선이 진행되지 않고, 결과적으로 액정 표시 장치로서의 응용은 늦어지고 있었다.

한편, VAIPS 방식에서, 사용되는 액정 재료로서 바람직한 화합물에 대한 개시도 이루어져 있다(특허문헌 8). 그러나, 당해 인용문헌에 기재된 액정 조성물은 시아노계 화합물을 사용하므로, 액티브 매트릭스용으로서 적합하지 않은 것이다.

액정 표시 장치에는 밝은 휘도에서 보다 높은 흑 레벨로 함으로써 메가 콘트라스트(CR)를 목표로 하는 과제도 있다. LCD의 화소 표시 면적을 크게 할 수 있도록 개구율을 개선하거나, DBEF나 CLC 등의 휘도 향상 필름을 적용하거나, 액정을 수직 배향시킬 경우에 돌기(突起) 등에 의한 광누설을 저감하는 등의 제안이 이루어지고 있다. 또한, 터치 패널 방식에서의 압압력(押壓力)에도 흐트러지기 어려운 표시도 요구되고 있다.

일본국 특개소57-000618호 공보 일본국 특개소50-093665호 공보 일본국 특개평10-153782호 공보 일본국 특개평10-186351호 공보 일본국 특개평10-333171호 공보 일본국 특개평11-024068호 공보 일본국 특개2008-020521호 공보 일본국 특개2002-012867호 공보

SID Sym. Digest, 277(1993) SID Sym. Digest, 845(1997) SID Sym. Digest, 1077(1998) SID Sym. Digest, 461(1997) Proc. 18th IDRC, 383(1998) SID Sym. Digest, 1200(2004) Proc. Asia display, 577(1995) Proc. 18th IDRC, 371(1998) Proc. 13th IDW, 97(1997) Proc. 13th IDW, 175(1997) SID Sym. Digest, 319(1998) SID Sym. Digest, 838(1998) SID Sym. Digest, 1085(1998) SID Sym. Digest, 334(2000) Eurodisplay Proc., 142(2009)

본 발명은 응답 속도가 빠르고, 화소 분할 등의 특별한 셀구조를 갖지 않고 시각 특성이 우수한, 양의 유전율 이방성의 액정 재료를 사용한 VAIPS 방식의 액정 표시 장치를 제공하는 것에 있다(이하, p-VAIPS라고 호칭). 본 발명에 의해, 종래 기술에서 문제였던 응답 속도를 보다 좋은 표시로 하고, 광시야각화를 유리하게 하며, 광투과시에는 고휘도가 되고 광차단시에는 높은 흑 레벨로 함으로써 높은 콘트라스트비의 개량이 가능해지는 액정 표시 장치를 얻을 수 있는 것이다.

본원 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 특정의 구조를 갖는 VAIPS 액정 표시 소자 및 특정의 액정 화합물을 함유하는 액정 조성물을 조합시킴으로써 상기 과제를 해결할 수 있음을 알아내어 본원 발명의 완성에 이르렀다.

본 발명은 제1 기판과, 제2 기판과, 상기 제1 기판과 제2 기판간에 협지(挾持)된 양의 유전율 이방성을 갖는 액정 조성물층으로 이루어지는 액정 표시 장치로서, 상기 액정 표시 장치는, 복수의 화소를 갖고, 상기 화소의 각각은, 독립적으로 제어 가능하며, 상기 화소는 한 쌍의 화소 전극과 공통 전극을 갖고, 이 양 전극이 상기 제1과 제2 양 기판 중 적어도 한쪽의 기판에 마련되고, 상기 액정 조성물층의 액정 분자의 장축이 상기 기판면에 대략 수직으로 배향하고 있거나 또는, 하이브리드 배향하고 있으며,

상기 액정 조성물이 일반식(LC1) 내지 일반식(LC5)

(식 중, R₁은 탄소수 1∼15의 알킬기를 나타내고, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는, O 원자가 직접 인접하지 않도록, -O-, -CH＝CH-, -CO-, -OCO-, -COO-, -C≡C-, -CF₂O-, -OCF₂-로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 H 원자는 임의로 할로겐 치환되어 있어도 되며, A₁, A₂ 및 A₃는 각각 독립하여 하기 중 어느 구조

(식 중, X₁ 및 X₂는 각각 독립하여 H, Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타냄)를 나타내고, 당해 A₁ 및 A₂ 중 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는 -CH＝CH-, -CF₂O- 또는 -OCF₂-로 치환되어 있어도 되고, 당해 A₁ 및 A₂ 중 1개 또는 2개 이상의 CH기는 N 원자로 치환되어 있어도 되며, 당해 A₁ 및 A₂ 중 1개 또는 2개 이상의 H 원자는 Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃로 치환되어 있어도 되고, X₁∼X₅는 각각 독립하여 H, Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타내고, Y는 Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타내며, Z₁∼Z₄는 각각 독립하여 단결합, -CH＝CH-, -C≡C-, -CH₂CH₂-, -(CH₂)₄-, -OCH₂-, -CH₂O-, -OCF₂- 또는 -CF₂O-를 나타내고, 존재하는 Z₁ 및 Z₂ 중 적어도 1개는 단결합이 아니고, Z₅는 CH₂기 또는 O 원자를 나타내며, m₁ 및 m₂은 각각 독립하여 0∼3의 정수를 나타내고, m₁ + m₂은 1, 2 또는 3을 나타내며, m₃은 각각 독립하여 0∼2의 정수를 나타냄)으로 표시되는 화합물로 이루어지는 화합물군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 함유하고, 상기 전극 구조에 의해 발생한 전계에서 상기 액정 조성물층을 투과하는 광의 투과율을 변조하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치를 제공한다.

본 발명에 있어서, 기판 중의 액정 분자의 장축은 상기 기판면에 대략 수직으로 배향하고 있거나 또는, 하이브리드 배향하고 있다. 여기에서, 하이브리드 배향이란 2매의 기판간에 끼워진 액정 분자의 장축이, 한쪽의 기판측에서는 기판면에 대하여 대략 평행하게 배향하고 있고, 다른 한쪽의 기판측에서는 대략 수직으로 배향하고 있는 상태를 말한다. 본원 명세서에서는, 액정 분자의 장축이 대략 수직으로 배향하고 있는 태양을 p-VAIPS라고 호칭하고, 하이브리드 배향하고 있는 태양을 p-HBIPS라고 호칭한다. 또한, p-VAIPS 및 p-HBIPS 방식의 전극 구조는 종래의 IPS나 FFS, 개량판 FFS 등의 횡전계 방식의 것을 적용할 수 있다.

본 발명에 있어서의 액정 분자의 거동은 모식적으로 도 1∼3에 나타내는 바와 같으며, 전압이 무인가의 상태 도 1로부터 전압을 인가한 상태의 도 2 또는 도 3으로 천이한다. 이때 플로우 효과에 유리한, 벤드 배향 상태를 취함으로써, 고속 응답화를 도모할 수 있다. 일반적으로 응답 속도는 IPS는 20∼40msec, TN은 10∼30msec이지만, 본 발명의 응답 속도는 1∼8msec이며 대폭적인 개량이 이루어지고 있다.

종래의 TN 방식의 구동 방법에서는 일반적으로, 광시야각화를 위해 특수한 광학 필름 등을 사용하지 않으면 안 되고, 좌우 혹은 상하의 광시야각화에 머무른다. 한편 VA 방식의 구동 방법에서는 일반적으로, 광시야각이지만, 액정 분자가 쓰러지는 방향을 존러빙이나 돌기, 슬릿 전극 등을 사용하여 규정하고, 멀티도메인화를 도모할 필요가 있어, 셀 구성이 복잡해지는 경향이 있다. 본 발명의 p-VAIPS 및 p-HBIPS 방식은, 인가하는 전압에 의해 발생하는 전기력선을 사용함으로써, 액정 분자가 쓰러지는 방향을 규정하기 때문에, 화소 전극의 형상만으로 멀티도메인화가 가능하며 비교적 단순한 셀 구성으로 끝나, 광시야각화 및 고(高)콘트라스트화가 가능하다.

또한, 일반적으로 프리데릭스 전이(Vc)의 값은 상술한 바와 같이, TN 방식은 수식 1, STN 방식은 수식 2, VA 방식은 수식 3으로 표시되지만, 본원 발명의 액정 표시 장치에서는 하기 수식 4가 적용됨을 알아냈다.

[수식 4]

(수식 중, Vc는 프리데릭스 전이(V), Π은 원주율, d_cell는 제1 기판과 제2 기판의 간격(㎛), d_gap는 화소 전극과 공통 전극의 간격(㎛), d_ITO는 화소 전극 및／또는 공통 전극의 폭(㎛), <r>, <r'>, <r3>은 외삽 길이(㎛), K33은 벤드의 탄성 상수(N), Δε은 유전율의 이방성을 나타냄)

수식 4로부터 셀 구성으로서는, d_gap를 되도록 작게, d_ITO를 되도록 크게 함으로써, 저(低)구동 전압화를 도모할 수 있고, 사용하는 액정 조성물로서는 Δε의 절대치가 크고, K33이 작은 것을 선택함으로써, 저구동 전압화를 도모할 수 있음을 알 수 있었다. 이들 지견을 바탕으로, 상기 액정 표시 장치에 적절한 음의 유전 이방성 액정을 알아냈다.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치는 이 움직이기 쉬운 액정 분자가, 2매의 기판간의 중앙이 아니라, 한쪽의 기판면에 치우쳐, 보다 한쪽의 기판에 가까워진 부위로부터 움직이는 것이 가장 큰 특징이며, 종래의 TN, IPS, VA, OCB의 방식과 다르다.

본 발명은 응답 속도, 투과광량, 터치 패널의 사용 등 외압에 의한 광누설, 시야각, 콘트라스트비 등의 특성을 개량하고, 종래 기술에서 작성한 액정 표시 장치와 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

도 1은 전압 무인가시의 액정 분자 배향 상태(p-VAIPS의 예)
도 2는 전압 인가시의 액정 분자 재배향 상태(p-VAIPS의 예)
도 3은 화소 전극 하에 절연층을 개재하여 공통 전극을 배치했을 경우(FFS)의 전압 인가시의 액정 분자 재배향 상태(p-VAIPS의 예)
도 4는 테스트용 셀의 전극 구성
도 5는 전압 무인가시의 액정 분자 배향 상태(p-HBIPS의 예 1)
도 6은 전압 인가시의 액정 분자 재배향 상태(p-HBIPS의 예 1)
도 7은 전압 무인가시의 액정 분자 배향 상태(p-HBIPS의 예 2)
도 8은 전압 인가시의 액정 분자 재배향 상태(p-HBIPS의 예 2)
[부호의 설명]
1… 제1 기판, 2… 차광층, 3… 배향층, 4… 액정, 5… 배향층, 6… 화소 전극, 7… 공통 전극, 8… 제2 기판

본원 발명에 있어서의 액정 조성물은 상기 일반식(LC1) 내지 일반식(LC5)으로 표시되는 액정 화합물을 함유하지만, 이들 일반식 중, R₁은 탄소수 1∼8의 알킬기, 탄소수 2∼8의 알케닐기 또는 탄소수 1∼8의 알콕시기인 것이 바람직하고,

A₁ 및 A₂는 각각 독립하여, 1,4-시클로헥실렌기, 1,4-페닐렌기, 3-플루오로-1,4-페닐렌기 또는 3,5-디플루오로-1,4-페닐렌기가 바람직하고,

X₁∼X₅는 각각 독립하여 H 또는 F가 바람직하며, Y는 F, CF₃ 또는 OCF₃가 바람직하고,

Z₁∼Z₄는 각각 독립하여 단결합, -C≡C-, -CH₂CH₂-, -OCH₂-, -CH₂O-, -OCF₂- 또는 -CF₂O-가 바람직하고, 존재하는 Z₁∼Z₄ 중 하나가 -C≡C-, -CH₂CH₂-, -OCH₂-, -CH₂O-, -OCF₂- 또는 -CF₂O-이며, Z₁∼Z₄ 중, 그 밖에 존재하는 치환기가 있을 경우에는 이들 치환기는 단결합인 것이 바람직하며,

m₁ 및 m₂은 각각 독립하여 0∼2의 정수를 나타내는 것이 바람직하고, m₁ + m₂은 1 또는 2가 바람직하다.

일반식(LC1) 내지 일반식(LC5)으로 표시되는 액정 화합물은, 보다 바람직하게는 일반식(LC1)이 일반식(LC1)-1 내지 일반식(LC1)-4

(식 중, R₁은 탄소수 1∼15의 알킬기를 나타내고, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는, O 원자가 직접 인접하지 않도록, -O-, -CH＝CH-, -CO-, -OCO-, -COO-, -C≡C-, -CF₂O- 또는 -OCF₂-로 치환되어 있어도 되고, Y는 Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타내고, X₁, X₂, L₁ 및 L₂은 H, Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타냄)으로 표시되는 화합물이거나 및／또는,

일반식(LC2)이 하기 일반식(LC2)-1 내지 일반식(LC2)-10

(식 중, R₁, Y 및 X₂는 일반식(LC2)에서와 동일한 의미를 나타내고, L₁, L₂, L₃ 및 L₄은 H, Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타냄)으로 표시되는 화합물이거나 및／또는,

일반식(LC3)이 하기 일반식(LC3)-1 내지 일반식(LC3)-34

(식 중, R₁은 탄소수 1∼15의 알킬기를 나타내고, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는, O 원자가 직접 인접하지 않도록, -O-, -CH＝CH-, -CO-, -OCO-, -COO-, -C≡C-, -CF₂O- 또는 -OCF₂-로 치환되어 있어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 H 원자는 임의로 할로겐 치환되어 있어도 되며, X₂ 및 X₄는 각각 독립하여 H, Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타내고, Z₁는 단결합, -CH＝CH-, -C≡C-, -CH₂CH₂-, -(CH₂)₄-, -OCH₂-, -CH₂O-, -OCF₂- 또는 -CF₂O-를 나타내며, m₁은 0∼3의 정수를 나타냄)으로 표시되는 화합물이거나 및／또는,

일반식(LC4)이 하기 일반식(LC4)-1 내지 일반식(LC4)-8이며, 일반식(LC5)이 하기 일반식(LC5)-1 내지 일반식(LC5)-6

(식 중, R₁, X₁, X₂, X₄, X₅ 및 Y는 일반식(LC4) 또는 일반식(LC5)에서와 동일한 의미를 나타냄)으로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.

일반식(LC1) 및 일반식(LC2)에서 R₁은 알케닐이며 및／또는 R₂이 알콕시기 또는 알케닐옥시기인 것이 바람직하고, 일반식(LC3)∼(LC5)에서 R₁ 및 R₂ 중 적어도 한쪽이 알케닐인 것이 바람직하고, 일반식(LC3)에서 Z₁ 및 Z₂ 중 적어도 한쪽이 -OCH₂- 또는 -CH₂O-인 화합물이 바람직하다.

또한, 상기 액정 조성물층에는 일반식(LC6)

(식 중, R₁, R₂, Z₃, Z₄, 및 m₁은 각각 독립하여 일반식(LC1) 내지 일반식(LC5)에서의 기재와 동일한 의미이며, B₁∼B₃는 각각 독립하여 하기

(식 중, 시클로헥산환 중의 1개 또는 2개 이상의 CH₂CH₂기는 -CH＝CH-, -CF₂O-, -OCF₂-로 치환되어 있어도 되고, 벤젠환 중의 1개 또는 2개 이상의 CH기는 N 원자로 치환되어 있어도 됨) 중 어느 것을 나타냄)으로 표시되는 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.

일반식(LC6)으로 표시되는 화합물은 다음 일반식(LC6)-1 내지 일반식(LC6)-15

(식 중, R₁, R₂Z₃ 및 Z₄는 일반식(LC6)에서와 동일한 의미를 나타냄)으로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.

일반식(LC6)에서, R₁ 및 또는 R₂이 알케닐 또는 알케닐옥시기인 것이 바람직하고, Z₁ 및 Z₂ 중 하나가 -CH＝CH-, -C≡C-, -CH₂CH₂-, -(CH₂)₄-, -OCH₂-, -CH₂O-, -OCF₂- 또는 -CF₂O-이며, 나머지가 단결합 또는 -C≡C-인 것이 바람직하다.

본원 발명에 사용되는 액정 조성물에 있어서 일반식(LC1)∼(LC5)으로 표시되는 화합물을 100∼20질량％ 함유하는 것이 바람직하고, 100∼40질량％ 함유하는 것이 보다 바람직하며, 100∼60질량％ 함유하는 것이 특히 바람직하다.

또한, 일반식(LC1)∼(LC5)에서의 Δε이 4 이상의 화합물을 2종 이상 함유하는 것이 바람직하다.

또한 상기 액정 조성물에는 중합성 화합물을 1종 또는 2종 이상 함유해도 되고, 바람직하게는 중합성 화합물이, 벤젠 유도체, 트리페닐렌 유도체, 트룩센 유도체, 프탈로시아닌 유도체 또는 시클로헥산 유도체를 분자의 중심의 모핵으로 하고, 직쇄의 알킬기, 직쇄의 알콕시기 또는 치환 벤조일옥시기가 그 측쇄로서 방사상으로 치환한 구조인 원반상 액정 화합물이다.

구체적으로는 중합성 화합물이 일반식(PC1)

으로 표시되는 중합성 화합물인 것이 바람직하다(식 중, P₁는 중합성 관능기를 나타내고, Sp₁는 탄소 원자수 0∼20의 스페이서기를 나타내며, Q₁는 단결합, -O-, -NH-, -NHCOO-, -OCONH-, -CH＝CH-, -CO-, -COO-, -OCO-, -OCOO-, -OOCO-, -CH＝CH-, -CH＝CH-COO-, -OCO-CH＝CH- 또는 -C≡C-를 나타내고, n₁ 및 n₂은 각각 독립하여 1, 2 또는 3을 나타내며, MG는 메소겐기 또는 메소겐성 지지기를 나타내고, R₃은 할로겐 원자, 시아노기 또는 탄소 원자수 1∼25의 알킬기를 나타내며, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는, O 원자가 직접 인접하지 않도록, -O-, -S-, -NH-, -N(CH₃)-, -CO-, -COO-, -OCO-, -OCOO-, -SCO-, -COS- 또는 -C≡C-에 의해 치환되어 있어도 되고, 혹은 R₃은 P₂-Sp₂-Q₂-(식 중, P₂, Sp₂, Q₂는 각각 독립하여 P₁, Sp₁, Q₁와 동일한 의미를 나타냄)를 나타냄).

보다 바람직하게는, 중합성 화합물 일반식(PC1)에서의 MG가 이하의 구조

로 표시되는 중합성 화합물이며(식 중, C₁∼C₃는 각각 독립하여 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 1,4-시클로헥세닐기, 테트라히드로피란-2,5-디일기, 1,3-디옥산-2,5-디일기, 테트라히드로티오피란-2,5-디일기, 1,4-비시클로(2,2,2)옥틸렌기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 피라진-2,5-디일기, 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 2,6-나프틸렌기, 페난트렌-2,7-디일기, 9,10-디히드로페난트렌-2,7-디일기, 1,2,3,4,4a,9,10a-옥타히드로페난트렌2,7-디일기 또는 플루오렌2,7-디일기를 나타내고, 당해 1,4-페닐렌기, 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 2,6-나프틸렌기, 페난트렌-2,7-디일기, 9,10-디히드로페난트렌-2,7-디일기, 1,2,3,4,4a,9,10a-옥타히드로페난트렌2,7-디일기 및 플루오렌2,7-디일기는 치환기로서 1개 이상의 F, Cl, CF₃, OCF₃, 시아노기, 탄소 원자수 1∼8의 알킬기, 알콕시기, 알카노일기, 알카노일옥시기, 탄소 원자수 2∼8의 알케닐기, 알케닐옥시기, 알케노일기 또는 알케노일옥시기를 갖고 있어도 되고, Y₁ 및 Y₂는 각각 독립하여 -COO-, -OCO-, -CH₂CH₂-, -OCH₂-, -CH₂O-, -CH＝CH-, -C≡C-, -CH＝CHCOO-, -OCOCH＝CH-, -CH₂CH₂COO-, -CH₂CH₂OCO-, -COOCH₂CH₂-, -OCOCH₂CH₂-, -CONH-, -NHCO- 또는 단결합을 나타내고, n₅은 0, 1 또는 2를 나타냄),

Sp₁ 및 Sp₂가 각각 독립하여 알킬렌기를 나타내고, 당해 알킬렌기는 1개 이상의 할로겐 원자 또는 CN에 의해 치환되어 있어도 되고, 이 기 중에 존재하는 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는 O 원자가 직접 인접하지 않도록 -O-, -S-, -NH-, -N (CH₃)-, -CO-, -COO-, -OCO-, -OCOO-, -SCO-, -COS- 또는 -C≡C-에 의해 치환되어 있어도 되고,

P₁ 및 P₂가 각각 독립하여 이하의 일반식(PC1-a)∼일반식(PC1-d)

중 어느 것이다(식 중, R₄₁∼R₄₃, R₅₁∼R₅₃, 및 R₆₁∼R₆₃은 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자 또는 탄소 원자수 1∼5의 알킬기를 나타냄).

보다 구체적으로는, 중합성 화합물 일반식(PC1)이 일반식(PC1)-1 또는 일반식(PC1)-2

(P₁, Sp₁, Q₁, P₂, Sp₂, Q₂ 및 MG는 일반식(PC1)과 동일한 의미를 나타내고, n₃ 및 n₄은 각각 독립하여 1, 2 또는 3을 나타냄)으로 표시되는 중합성 화합물인 것이 바람직하다.

보다 구체적으로는, 일반식(PC1)이 일반식(PC1)-3∼일반식(PC1)-8

으로 표시되는 중합성 화합물인 것이 보다 바람직하다(식 중, W₁는 각각 독립하여 F, CF₃, OCF₃, CH₃, OCH₃, 탄소 원자수 2∼5의 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, COOW₂, OCOW₂ 또는 OCOOW₂를 나타내고(식 중, W₂는 탄소 원자수 1∼10의 직쇄 또는 분기쇄 알킬기 또는 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기를 나타냄), n₆은 0, 1, 2, 3 또는 4를 나타냄).

더 바람직하게는, 중합성 화합물 일반식(PC1)에서의 Sp₁, Sp₂, Q₁ 및 Q₂가 모두 단결합이며, n₃ 및 n₄에 있어서, n₃ + n₄이 3∼6이며, P₁ 및 P₂가 식(7-b)이며, W₁가 F, CF₃, OCF₃, CH₃ 또는 OCH₃이며, n₆이 1 이상이다.

또한, 일반식(PC1)에서의 MG가 일반식(PC1)-9으로 표시되는 원반상 액정 화합물인 것도 바람직하다

(식 중, R₇은 각각 독립하여 P₁-Sp₁-Q₁ 또는 일반식(PC1-e)의 치환기를 나타내고(식 중, P₁, Sp₁ 및 Q₁는 일반식(PC1)과 동일한 의미를 나타내며 R₈₁ 및 R₈₂은 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자 또는 메틸기를 나타내고, R₈₃은 탄소 원자수 1∼20 알콕시기를 나타내며, 당해 알콕시기 중 적어도 1개의 수소 원자는 상기 일반식(PC1-a)∼(PC1-d)으로 표시되는 치환기로 치환되어 있음).

중합성 화합물의 사용량은 바람직하게는 0.1∼2.0질량％이다.

상기 액정 조성물은 상기 용도에 단독으로 사용할 수도 있고, 산화 방지제를 1종 또는 2종 이상 더 함유할 수도 있으며, UV 흡수제를 1종 또는 2종 이상 더 함유할 수도 있다.

상기 액정 조성물의 굴절률 이방성(Δn)과 표시 장치의 제1 기판과, 제2 기판과의 간격(d)의 곱(Δn·d)은 수직 배향의 경우 0.20∼0.59가 바람직하고, 하이브리드 배향의 경우에는 0.21∼0.61이 바람직하며, 수직 배향의 경우에는 0.33∼0.40이 특히 바람직하고, 하이브리드 배향의 경우에는 0.34∼0.44가 특히 바람직하다.

상기 표시 장치의 제1 기판과, 제2 기판상의 액정 조성물과 접하는 면에는 액정 조성물을 배향시키기 위해, 폴리이미드(PI), 칼콘, 신나메이트 등으로 이루어지는 배향막을 마련할 수 있고, 배향막은 광배향 기술을 이용하여 작성한 것이어도 된다.

수직 배향의 경우에는 기판과 액정 조성물의 틸트각은 85∼90°가 바람직하고, 하이브리드 배향의 경우에는 제1 기판 또는 제2 기판과 액정 조성물의 틸트각은 85∼90°이며, 나머지 기판과 액정 조성물의 틸트각은 3∼20°가 바람직하다.

[실시예]

이하, 예를 들어 본원 발명을 더 상술하지만, 본원 발명은 이들에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 이하의 실시예 및 비교예의 조성물에 있어서의 「％」는 『질량％』를 의미한다.

액정 조성물의 물성으로서, 이하와 같이 나타낸다.

T_N _-I: 네마틱상 - 등방성 액체상 전이 온도(℃)를 액정상 상한 온도

Δε: 유전율 이방성

Δ n: 굴절률 이방성

Vsat: 주파수 1㎑의 직사각형파를 인가했을 때의 투과율이 90％ 변화하는 인가 전압

τr+d／msec: d_ITO＝10㎛, d_gap＝10㎛, 제1 기판, 제2 기판 모두 배향막 SE-5300의 셀을 사용했을 때의 응답 속도

화합물 기재에 하기의 약호를 사용한다.

말단의 n(숫자) C_nH_2n ₊₁-

-2- -CH₂CH₂-

-1O- -CH₂O-

-O1- -OCH₂-

-V- -CO-

-VO- -COO-

-CFFO- -CF₂O-

-F -F

-Cl -Cl

-CN -C≡N

-OCFFF -OCF₃

-CFFF -CF₃

-OCFF -OCHF₂

-On -OC_nH_2n ₊₁

-T- -C≡C-

ndm- C_nH_2n ₊₁-HC＝CH-(CH₂)_m-1-

(실시예 1)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 1에 나타내는 양의 유전 이방성을 갖는 액정 조성물을 협지하여 실시예 1의 액정 표시 장치를 작성했다(d_cell＝4.0㎛, d_ITO＝10㎛, d_gap＝10㎛, 배향막 SE-5300). 이 액정 표시 장치의 물성치를 표 1에 아울러 나타낸다.

(비교예1)

실시예 1에서 사용한 액정 조성물을 사용하여 종래의 TN 액정 표시 장치를 제작하여 그 물성치를 측정했다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.

본원 발명의 액정 표시 장치는, 동일한 양의 유전 이방성 액정을 협지한 비교예 1의 액정 표시 장치와 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 2)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측의 편방(片方)에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 다른 한쪽에 수평 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 1에 나타내는 양의 유전 이방성을 갖는 액정 조성물을 협지하여 실시예 2의 액정 표시 장치를 작성했다(d_cell＝4.0㎛, d_ITO＝10㎛, d_gap＝10㎛, 배향막 SE-5300, AL-1051).

당해 액정 표시 장치는 동일한 양의 유전 이방성 액정을 협지한 종래의 ECB 액정 표시 장치 등과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 3)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 1에 나타내는 양의 유전 이방성을 갖는 액정 조성물에 각각 2-메틸-아크릴산4'-{2-[4-(2-아크릴로일옥시-에틸)-페녹시카르보닐]-에틸}-비페닐-4-일에스테르를 0.3질량％ 첨가한 조성물을 협지하여 실시예 3의 액정 표시 장치를 작성했다(d_cell＝4.0㎛, d_ITO＝10㎛, d_gap＝10㎛, 배향막 SE-5300). 전극간에 구동 전압을 인가한 채, 자외선을 600초간 조사(3.0J／㎠)하여, 중합 처리를 행했다.

당해 액정 표시 장치는 동일한 양의 유전 이방성 액정을 협지한 종래의 TN 액정 표시 장치와 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 4)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측의 편방에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 다른 한쪽에 수평 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 1에 나타내는 양의 유전 이방성을 갖는 액정 조성물에 각각 2-메틸-아크릴산4'-{2-[4-(2-아크릴로일옥시-에틸)-페녹시카르보닐]-에틸}-비페닐-4-일에스테르를 0.3질량％를 첨가한 조성물을 협지하여 실시예 4의 액정 표시 장치를 작성했다(d_cell＝4.0㎛, d_ITO＝10㎛, d_gap＝10㎛, 배향막 SE-5300, AL-1051). 전극간에 구동 전압을 인가한 채, 자외선을 600초간 조사(3.0J／㎠)하여, 중합 처리를 행했다.

[표 1]

(비교예 2)

실시예 1과 같이 표 2에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 비교예 2의 액정 표시 장치를 제작하여 그 물성치를 측정하고, 그 결과를 표 2에 나타낸다.

[표 2]

양의 유전 이방성 액정을 협지한 비교예 2의 액정 표시 장치는 본원 발명의 액정 표시 장치와 비교하여, 응답 속도가 느리고, 투과광량이 약간 낮으며, 특히 유지율, 장기 신뢰성이 나쁘다.

(실시예 5∼7)

실시예 1과 같이 표 3에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 실시예 5의 액정 표시 장치를, 실시예 1과 같이 실시예 6의 액정 표시 장치 및 실시예 1과 같이 실시예 7의 액정 표시 장치를 작성했다.

[표 3]

실시예 5 내지 7 액정 표시 장치는 동일한 양의 유전 이방성 액정을 협지한 종래의 TN 액정 표시 장치와 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 8∼10)

실시예 1과 같이 표 4에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 실시예 8의 액정 표시 장치를, 실시예 1과 같이 실시예 9의 액정 표시 장치 및 실시예 1과 같이 실시예 10의 액정 표시 장치를 작성했다.

[표 4]

실시예 8 내지 10 액정 표시 장치는 동일한 양의 유전 이방성 액정을 협지한 종래의 TN 액정 표시 장치와 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 11∼13)

실시예 1과 같이 표 5에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 실시예 11의 액정 표시 장치를, 실시예 1과 같이 실시예 12의 액정 표시 장치 및 실시예 1과 같이 실시예 13의 액정 표시 장치를 작성했다.

[표 5]

실시예 11 내지 13의 액정 표시 장치는 동일한 양의 유전 이방성 액정을 협지한 종래의 TN 액정 표시 장치와 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 14∼17)

실시예 1과 같이 표 6에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 실시예 14의 액정 표시 장치를, 실시예 1과 같이 실시예 15의 액정 표시 장치, 실시예 1과 같이 실시예 16의 액정 표시 장치 및 실시예 1과 같이 표 7에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 실시예 17의 액정 표시 장치를 작성했다.

[표 6]

[표 7]

(실시예 18∼21)

d_cell＝3.0㎛, d_ITO＝10㎛, d_gap＝10㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 같이 표 8에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 실시예 18의 액정 표시 장치를, 실시예 1과 같이 실시예 19의 액정 표시 장치, 실시예 1과 같이 실시예 20의 액정 표시 장치 및 실시예 1과 같이 실시예 21의 액정 표시 장치를 작성했다.

[표 8]

(실시예 22 및 23)

d_cell＝3.5㎛, d_ITO＝10㎛, d_gap＝10㎛로 한 것 이외는 실시예 1과 같이 표 9에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 실시예 22의 액정 표시 장치 및 실시예 1과 같이 실시예 23의 액정 표시 장치를 작성했다.

[표 9]

실시예 22 및 23 액정 표시 장치는 동일한 양의 유전 이방성 액정을 협지한 종래의 TN 액정 표시 장치와 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 24 및 25)

실시예 1과 같이 표 10에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 실시예 24의 액정 표시 장치 및 실시예 1과 같이 실시예 25의 액정 표시 장치를 작성했다.

[표 10]

실시예 24 및 25 액정 표시 장치는 동일한 양의 유전 이방성 액정을 협지한 종래의 TN 액정 표시 장치와 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 26∼28)

d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛로 한 셀에 실시예 5, 12 또는 17에서 사용한 양의 유전 이방성 액정 조성물을 협지하여, 각각 실시예 26 내지 28의 액정 표시 장치를 작성하고, 응답 속도를 측정한 바, 하기의 결과를 얻었다.

실시예 26: τ_r+d＝1.6msec(실시예 5의 액정 조성물)

실시예 27: τ_r+d＝1.3msec(실시예 12의 액정 조성물)

실시예 28: τ_r+d＝0.9msec(실시예 17의 액정 조성물)

실시예 26 내지 28의 액정 표시 장치는 응답이 극히 빠른 특성을 갖고 있었다. 또한, 본 실시예에서 작성한 액정 표시 장치에 가압을 가한 바, 종래의 VA 표시에서는 생겼던 광누설이 거의 보이지 않았다.

(실시예 29∼32)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 11에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300).

[표 11]

실시예 29∼32에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 종래의 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(비교예 3)

실시예 29와 같이 표 12에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 비교예 3의 액정 패널을 제작해 그 물성치를 측정했다. 그 결과를 상기 표 12에 나타낸다.

[표 12]

양의 유전 이방성 액정을 협지한 비교예 3의 액정 패널은 본원 발명의 액정 패널과 비교하여, 응답 속도가 느리고, 투과광량이 약간 낮으며, 특히 유지율, 장기 신뢰성이 나쁘다.

(실시예 33∼35)

실시예 29·비교예 3과 같이 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 13에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다.

실시예 33∼35에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 종래의 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

[표 13]

(실시예 36∼38)

실시예 29·비교예 3과 같이 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 14에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다.

실시예 36∼38에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 종래의 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

[표 14]

(실시예 39)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측의 편방에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 다른 한쪽에 수평 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 29∼38 및 비교예 3에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300, AL-1051).

실시예 29∼38에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 비교예 3에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 40)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 29∼38 및 비교예 3에 나타낸 양의 유전 이방성 액정에 각각 2-메틸-아크릴산4'-{2-[4-(2-아크릴로일옥시-에틸)-페녹시카르보닐]-에틸}-비페닐-4-일에스테르를 0.3질량％ 첨가한 조성물을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300). 전극간에 구동 전압을 인가한 채, 자외선을 600초간 조사(3.0J／㎠)하여, 중합 처리를 행했다.

(실시예 41)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측의 편방에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 다른 한쪽에 수평 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 29∼38 및 비교예 3에 나타낸 양의 유전 이방성 액정에 각각 2-메틸-아크릴산4'-{2-[4-(2-아크릴로일옥시-에틸)-페녹시카르보닐]-에틸}-비페닐-4-일에스테르를 0.3질량％ 첨가한 조성물을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300, AL-1051). 전극간에 구동 전압을 인가한 채, 자외선을 600초간 조사(3.0J／㎠)하여, 중합 처리를 행했다.

실시예 29∼38에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 비교예 1에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 42∼45)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 15에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300).

실시예 42∼45에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 종래의 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

[표 15]

(실시예 46∼48)

실시예 42와 같이 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 16에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다.

실시예 46∼48에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 종래의 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

[표 16]

(실시예 49∼51)

실시예 42와 같이 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 17에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다.

실시예 49∼51에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 종래의 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

[표 17]

(실시예 52)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측의 편방에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 다른 한쪽에 수평 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 42∼51 및 비교예 1∼3에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300, AL-1051).

실시예 42∼51에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 비교예 1∼3에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 53)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 42∼51 및 비교예 1∼3에 나타낸 양의 유전 이방성 액정에 각각 2-메틸-아크릴산4'-{2-[4-(2-아크릴로일옥시-에틸)-페녹시카르보닐]-에틸}-비페닐-4-일에스테르를 0.3질량％ 첨가한 조성물을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300). 전극간에 구동 전압을 인가한 채, 자외선을 600초간 조사(3.0J／㎠)하여, 중합 처리를 행했다.

(실시예 54)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측의 편방에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 다른 한쪽에 수평 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 42∼51 및 비교예 1∼3에 나타낸 양의 유전 이방성 액정에 각각 2-메틸-아크릴산4'-{2-[4-(2-아크릴로일옥시-에틸)-페녹시카르보닐]-에틸}-비페닐-4-일에스테르를 0.3질량％ 첨가한 조성물을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300, AL-1051). 전극간에 구동 전압을 인가한 채, 자외선을 600초간 조사(3.0J／㎠)하여, 중합 처리를 행했다.

(실시예 55∼57)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 18에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300).

[표 18]

실시예 55∼57에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 종래의 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(비교예 4)

실시예 55와 같이 표 19에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 비교예 4의 액정 패널을 제작해 그 물성치를 측정했다. 그 결과를 상기 표 19에 나타낸다.

[표 19]

양의 유전 이방성 액정을 협지한 비교예 4의 액정 패널은 본원 발명의 액정 패널과 비교하여, 응답 속도가 느리고, 투과광량이 약간 낮으며, 특히 유지율, 장기 신뢰성이 나쁘다.

(실시예 58 및 59)

실시예 55·비교예 4와 같이 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 20에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다.

[표 20]

실시예 58 및 59에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 종래의 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 60)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측의 편방에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 다른 한쪽에 수평 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 55∼59 및 비교예 4에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300, AL-1051).

실시예 55∼59에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 비교예 4에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 61)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 55∼59 및 비교예 4에 나타낸 양의 유전 이방성 액정에 각각 2-메틸-아크릴산4'-{2-[4-(2-아크릴로일옥시-에틸)-페녹시카르보닐]-에틸}-비페닐-4-일에스테르를 0.3질량％ 첨가한 조성물을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300). 전극간에 구동 전압을 인가한 채, 자외선을 600초간 조사(3.0J／㎠)하여, 중합 처리를 행했다.

(실시예 62)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측의 편방에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 다른 한쪽에 수평 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 55∼59 및 비교예 4에 나타낸 양의 유전 이방성 액정에 각각 2-메틸-아크릴산4'-{2-[4-(2-아크릴로일옥시-에틸)-페녹시카르보닐]-에틸}-비페닐-4-일에스테르를 0.3질량％ 첨가한 조성물을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300, AL-1051). 전극간에 구동 전압을 인가한 채, 자외선을 600초간 조사(3.0J／㎠)하여, 중합 처리를 행했다.

(실시예 63∼65)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 21에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300).

[표 21]

실시예 63∼65에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 종래의 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(비교예 5)

실시예 63과 같이 표 22에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 비교예 5의 액정 패널을 제작해 그 물성치를 측정했다. 그 결과를 상기 표 22에 나타낸다.

[표 22]

양의 유전 이방성 액정을 협지한 비교예 5의 액정 패널은 본원 발명의 액정 패널과 비교하여, 응답 속도가 느리고, 투과광량이 약간 낮으며, 특히 유지율, 장기 신뢰성이 나쁘다.

(실시예 66 및 67)

실시예 63·비교예 5와 같이 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 23에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다.

[표 23]

실시예 66 및 67에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 종래의 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 68)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측의 편방에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 다른 한쪽에 수평 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 63∼67 및 비교예 5에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300, AL-1051).

실시예 63∼67에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 비교예 5에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 69)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 63∼67 및 비교예 5에 나타낸 양의 유전 이방성 액정에 각각 2-메틸-아크릴산4'-{2-[4-(2-아크릴로일옥시-에틸)-페녹시카르보닐]-에틸}-비페닐-4-일에스테르를 0.3질량％ 첨가한 조성물을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300). 전극간에 구동 전압을 인가한 채, 자외선을 600초간 조사(3.0J／㎠)하여, 중합 처리를 행했다.

(실시예 70)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측의 편방에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 다른 한쪽에 수평 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 63∼67 및 비교예 5에 나타낸 양의 유전 이방성 액정에 각각 2-메틸-아크릴산4'-{2-[4-(2-아크릴로일옥시-에틸)-페녹시카르보닐]-에틸}-비페닐-4-일에스테르를 0.3질량％ 첨가한 조성물을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300, AL-1051). 전극간에 구동 전압을 인가한 채, 자외선을 600초간 조사(3.0J／㎠)하여, 중합 처리를 행했다.

(실시예 71∼73)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 24에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300).

[표 24]

실시예 71∼73에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 종래의 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(비교예 6)

실시예 71과 같이 표 25에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 비교예 6의 액정 패널을 제작해 그 물성치를 측정했다. 그 결과를 상기 표 25에 나타낸다.

[표 25]

양의 유전 이방성 액정을 협지한 비교예 6의 액정 패널은 본원 발명의 액정 패널과 비교하여, 응답 속도가 느리고, 투과광량이 약간 낮으며, 특히 유지율, 장기 신뢰성이 나쁘다.

(실시예 74 및 75)

실시예 71·비교예 6과 같이 제1 기판과 제2 기판 사이에 표 26에 나타내는 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다.

[표 26]

실시예 74 및 75에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 종래의 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 76)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측의 편방에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 다른 한쪽에 수평 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 71∼75 및 비교예 6에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap _＝4㎛, 배향막 SE-5300, AL-1051).

실시예 71∼75에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널은 비교예 6에 나타낸 양의 유전 이방성 액정을 협지한 당해 액정 패널과 비교하여, 보다 고속의 응답 속도, 보다 많은 투과광량, 외압에 의한 광누설의 저감, 보다 광범위한 시야각, 보다 큰 콘트라스트비를 실현했다.

(실시예 77)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 71∼75 및 비교예 6에 나타낸 양의 유전 이방성 액정에 각각 2-메틸-아크릴산4'-{2-[4-(2-아크릴로일옥시-에틸)-페녹시카르보닐]-에틸}-비페닐-4-일에스테르를 0.3질량％ 첨가한 조성물을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300). 전극간에 구동 전압을 인가한 채, 자외선을 600초간 조사(3.0J／㎠)하여, 중합 처리를 행했다.

(실시예 78)

도 4에 나타내는 전극 구조를 제2 기판에 작성하고, 전극 구조를 마련하지 않은 제1 기판을 사용하여 각각의 대향측의 편방에 수직 배향성의 배향막을 형성하고, 다른 한쪽에 수평 배향성의 배향막을 형성하고, 제1 기판과 제2 기판 사이에 실시예 71∼75 및 비교예 6에 나타낸 양의 유전 이방성 액정에 각각 2-메틸-아크릴산4'-{2-[4-(2-아크릴로일옥시-에틸)-페녹시카르보닐]-에틸}-비페닐-4-일에스테르를 0.3질량％ 첨가한 조성물을 협지하여 액정 패널을 작성했다(d_ITO＝4㎛, d_gap＝4㎛, 배향막 SE-5300, AL-1051). 전극간에 구동 전압을 인가한 채, 자외선을 600초간 조사(3.0J／㎠)하여, 중합 처리를 행했다.

Claims

제1 기판과, 제2 기판과, 상기 제1 기판과 제2 기판간에 협지(挾持)된 양의 유전율 이방성을 갖는 액정 조성물층으로 이루어지는 액정 표시 장치로서, 상기 액정 표시 장치는, 복수의 화소를 갖고, 상기 화소의 각각은, 독립적으로 제어 가능하며, 상기 화소는 한 쌍의 화소 전극과 공통 전극을 갖고, 이 양 전극이 상기 제1과 제2 양 기판 중 적어도 한쪽의 기판에 마련되고, 상기 액정 조성물층의 액정 분자의 장축이 상기 기판면에 대략 수직으로 배향하고 있거나 또는, 하이브리드 배향하고 있으며,
상기 액정 조성물이 일반식(LC1) 내지 일반식(LC5)

(식 중, R₁은 탄소수 1∼15의 알킬기를 나타내고, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는, O 원자가 직접 인접하지 않도록, -O-, -CH＝CH-, -CO-, -OCO-, -COO-, -C≡C-, -CF₂O-, -OCF₂-로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 H 원자는 임의로 할로겐 치환되어 있어도 되며, A₁, A₂ 및 A₃는 각각 독립하여 하기 중 어느 구조

(식 중, X₁ 및 X₂는 각각 독립하여 H, Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타냄)를 나타내고, 당해 A₁ 및 A₂ 중 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는 -CH＝CH-, -CF₂O- 또는 -OCF₂-로 치환되어 있어도 되고, 당해 A₁ 및 A₂ 중 1개 또는 2개 이상의 CH기는 N 원자로 치환되어 있어도 되며, 당해 A₁ 및 A₂ 중 1개 또는 2개 이상의 H 원자는 Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃로 치환되어 있어도 되고, X₁∼X₅는 각각 독립하여 H, Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타내고, Y는 Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타내며, Z₁∼Z₄는 각각 독립하여 단결합, -CH＝CH-, -C≡C-, -CH₂CH₂-, -(CH₂)₄-, -OCH₂-, -CH₂O-, -OCF₂- 또는 -CF₂O-를 나타내고, 존재하는 Z₁ 및 Z₂ 중 적어도 1개는 단결합이 아니고, Z₅는 CH₂기 또는 O 원자를 나타내며, m₁ 및 m₂은 각각 독립하여 0∼3의 정수를 나타내고, m₁ + m₂은 1, 2 또는 3을 나타내며, m₃은 각각 독립하여 0∼2의 정수를 나타냄)으로 표시되는 화합물로 이루어지는 화합물군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 함유하고, 상기 전극 구조에 의해 발생한 전계에서 상기 액정 조성물층을 투과하는 광의 투과율을 변조하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제1항에 있어서,
액정 조성물이, 일반식(LC6)

(식 중, R₁ 및 R₂은 각각 독립하여, 탄소수 1∼15의 알킬기를 나타내고, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는, O 원자가 직접 인접하지 않도록, -O-, -CH＝CH-, -CO-, -OCO-, -COO-, -C≡C-, -CF₂O- 또는 -OCF₂-로 치환되어 있어도 되며, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 H 원자는 임의로 할로겐 치환되어 있어도 되고, Z₃ 및 Z₄는 각각 독립하여 단결합, -CH＝CH-, -C≡C-, -CH₂CH₂-, -(CH₂)₄-, -OCH₂-, -CH₂O-, -OCF₂- 또는 -CF₂O-를 나타내고, m₁은 0∼3의 정수를 나타내며, B₁∼B₃는 각각 독립하여 하기의 어느 구조

를 나타내고, 당해 B₁∼B₃ 중 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는 -CH＝CH-, -CF₂O-, -OCF₂-로 치환되어 있어도 되고, 당해 B₁∼B₃ 중 1개 또는 2개 이상의 CH기는 N 원자로 치환되어 있어도 됨)으로 표시되는 화합물을 1종 또는 2종 이상 더 함유하는 액정 표시 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
일반식(LC1)이 일반식(LC1)-1 내지 일반식(LC1)-4

(식 중, R₁은 탄소수 1∼15의 알킬기를 나타내고, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는, O 원자가 직접 인접하지 않도록, -O-, -CH＝CH-, -CO-, -OCO-, -COO-, -C≡C-, -CF₂O- 또는 -OCF₂-로 치환되어 있어도 되고, Y는 Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타내고, X₁, X₂, L₁ 및 L₂은 H, Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타냄)으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물인 액정 표시 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
일반식(LC2)이 일반식(LC2)-1 내지 일반식(LC2)-10

(식 중, R₁은, 탄소수 1∼15의 알킬기를 나타내고, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는, O 원자가 직접 인접하지 않도록, -O-, -CH＝CH-, -CO-, -OCO-, -COO-, -C≡C-, -CF₂O- 또는 -OCF₂-로 치환되어 있어도 되고, X₁, X₂, L₁, L₂, L₃ 및 L₄은 H, Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타냄)으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물인 액정 표시 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
일반식(LC3)이 하기 일반식(LC3)-1 내지 일반식(LC3)-34

(식 중, R₁은 탄소수 1∼15의 알킬기를 나타내고, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 CH₂기는, O 원자가 직접 인접하지 않도록, -O-, -CH＝CH-, -CO-, -OCO-, -COO-, -C≡C-, -CF₂O- 또는 -OCF₂-로 치환되어 있어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개 또는 2개 이상의 H 원자는 임의로 할로겐 치환되어 있어도 되며, X₂ 및 X₄는 각각 독립하여 H, Cl, F, CF₃ 또는 OCF₃를 나타내고, Z₁는 단결합, -CH＝CH-, -C≡C-, -CH₂CH₂-, -(CH₂)₄-, -OCH₂-, -CH₂O-, -OCF₂- 또는 -CF₂O-를 나타내며, m₁은 0∼3의 정수를 나타냄)으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물인 액정 표시 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
일반식(LC4)이 하기 일반식(LC4)-1 내지 일반식(LC4)-8이며, 일반식(LC5)이 하기 일반식(LC5)-1 내지 일반식(LC5)-6

(식 중, R₁, X₁, X₂, X₄, X₅ 및 Y는 일반식(LC4) 또는 일반식(LC5)에서와 동일한 의미를 나타냄)으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물인 액정 표시 장치.
제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
일반식(LC6)이 다음 일반식(LC6)-1 내지 일반식(LC6)-15

(식 중, R₁ 및 R₂은 일반식(LC6)에서와 동일한 의미를 나타냄)
으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물인 액정 표시 장치.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
액정 조성물이, 중합성 화합물을 1종 또는 2종 이상 함유하는 액정 표시 장치.
제8항에 있어서,
상기 중합성 화합물이, 벤젠 유도체, 트리페닐렌 유도체, 트룩센 유도체, 프탈로시아닌 유도체 또는 시클로헥산 유도체를 분자의 중심의 모핵으로 하고, 직쇄의 알킬기, 직쇄의 알콕시기 또는 치환 벤조일옥시기가 그 측쇄로서 방사상으로 치환한 구조인 원반상 액정 화합물인 액정 표시 장치.
제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 액정 조성물이 개시제를 실질적으로 함유하지 않은 액정 조성물을 사용한 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
중합성 화합물을 0.1∼2.0질량％ 함유하는 액정 조성물을 사용한 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
산화 방지제를 1종 또는 2종 이상 더 함유한 액정 조성물을 사용한 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
UV 흡수제를 1종 또는 2종 이상 더 함유한 액정 조성물을 사용한 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
액정 조성물의 굴절률 이방성(Δn)과 표시 장치의 제1 기판과, 제2 기판과의 간격(d)의 곱(Δn·d)이 0.33∼0.40인 액정 표시 장치.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
액정 조성물의 굴절률 이방성(Δn)과 표시 장치의 제1 기판과, 제2 기판과의 간격(d)의 곱(Δn·d)이 0.34∼0.44인 액정 표시 장치.
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
표시 장치의 제1 기판과, 제2 기판상의 액정 조성물과 접하는 면에 폴리이미드(PI), 칼콘, 신나메이트로 이루어지는 배향막을 마련한 액정 표시 장치.
제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
표시 장치의 제1 기판과, 제2 기판상의 액정 조성물과 접하는 면에 광배향 기술을 이용하여 작성한 배향막을 마련한 액정 표시 장치.
제1항에 있어서,
기판과 액정 조성물의 틸트각이 85∼90°인 액정 표시 장치.
제1항에 있어서,
제1 기판 또는 제2 기판과 액정 조성물의 틸트각이 85∼90°이며, 나머지 기판과 액정 조성물의 틸트각이 3∼20°인 액정 표시 장치.
제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
액정 조성물이, 일반식(LC1)-1, (LC2)-1, (LC3)-4, (LC3)-5, (LC3)-6 및 (LC3)-11에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 더 함유하는 액정 표시 장치.
제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
액정 조성물이, 일반식(LC1)-2, (LC1)-3, (LC1)-4, (LC2)-4, (LC2)-5, (LC2)-6, (LC2)-7, (LC2)-8, (LC2)-9 및 (LC2)-10에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 더 함유하는 액정 표시 장치.
제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
액정 조성물이, 일반식(LC3)-3, (LC3)-22, (LC3)-23, (LC3)-24 및 (LC3)-25에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 더 함유하는 액정 표시 장치.
제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
액정 조성물이, 일반식(LC3)-3, (LC3)-22, (LC3)-23, (LC3)-24 및 (LC3)-25에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 더 함유하는 액정 표시 장치.
제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
액정 조성물이, 일반식(LC6)-1, (LC6)-5 및 (LC6)-14에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 더 함유하는 액정 표시 장치.
제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
액정 조성물이, 일반식(LC6)-4, (LC6)-12 및 (LC6)-15에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 더 함유하는 액정 표시 장치.