JPWO2012043387A1

JPWO2012043387A1 - 新規液晶表示装置及び有用な液晶組成物

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Publication number: JPWO2012043387A1
Application number: JP2012536399A
Authority: JP
Inventors: 竹内　清文; 清文竹内; 昌和金親
Original assignee: DIC Corp
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 2010-09-28
Filing date: 2011-09-22
Publication date: 2014-02-06
Anticipated expiration: 2031-09-22
Also published as: WO2012043387A1; US20130300996A1; CN103140567A; CN103140567B; JP5257802B2; US9404037B2; KR20130054381A; KR101374694B1

Abstract

本発明は、応答速度が速く、画素分割等の特別なセル構造を有することなく視角特性が優れた、正の誘電率異方性の液晶材料を用いたＶＡＩＰＳ方式の液晶表示装置を提供するものである。本発明は、複数の独立的に制御可能な画素を有し、正の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、画素制御用の電極が液晶相を挟持した第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、前記液晶組成物層の液晶分子の長軸が前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向しており、前記液晶組成物が特定の液晶化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有し、前記電極構造により発生した電界で前記液晶組成物層を透過する光の透過率を変調することを特徴とする液晶表示装置を提供する。

Description

本願発明は誘電率異方性が正（Δε＞０）のネマチック晶組成物を用いた液晶表示装置に関する。

現在、アクティブマトリクス駆動方式の装置としては、ＯＣＢ（オプティカリー・コンペンセイテット・ベンド方式）、ＶＡ（垂直配向方式）、ＩＰＳ（面内配向方式）等の表示方式がその表示品質から携帯端末、液晶テレビ、プロジェクタ、コンピューター等に応用されている。アクティブマトリクス表示方式は画素毎に非線形回路を設けており、アモルファスシリコン、ポリシリコンを用いたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）や有機半導体材料を用いた提案がされている。また、表示の大型化や高精細化に対応して液晶分子の配向方法として光配向技術を用いた提案がされている。表示に更に広い視角特性を得るために位相差フィルムや明るい表示を得るために光重合性モノマーを用いた提案がなされている（非特許文献１〜８）。

しかし、液晶テレビがＣＲＴを用いた従来のテレビを完全に置き換え、３Ｄ映像又はフィールドシーケンシャル表示の要望にも応えるためには、応答速度や視角特性の点が依然として十分なものではない。例えば、前記ＩＰＳ方式は視角特性には優れるものの、応答速度の点では十分なものではなく、前記ＶＡ方式は比較的高速な応答速度ではあるが視角特性の点では十分なものではなかった。そのため、オーバードライブ方式に加えてフレーム周波数を６０Ｈｚから１２０Ｈｚ、２４０Ｈｚ等の高い周波数として表示素子の見かけ上の応答速度を向上されるための改良が進められてきた。しかし、これら液晶表示装置の電子回路上の改良のみでは、液晶材料が固有に有する応答速度の限界を超えることには限界があり、液晶材料を含む表示装置全体の改良による抜本的な応答速度の改善が求められている。

又、前記ＶＡ方式において、視角特性を改善するために画素を分割し、分割した画素毎に液晶分子の配向方向を変えることにより視角特性を改善したＭＶＡ（マルチドメイン垂直配方式）が提案されている。この方式では視角特性を改善することは可能であるが、画素分割をするには、複雑な構造を有する液晶セルを均一に製造することが求められることから、製造効率の低下は避けられなかった。

このような課題を抜本的に改善する方法として、従来の駆動方式とは異なる新しい駆動方式が提案されている。例えば、電圧無印加時に、誘電率異方性が正の液晶材料（Δε＞０）を基板面に対し垂直に配向させ、基板面上に配置した電極による横電界で、液晶分子を駆動する方法が知られている（特許文献１〜７及び非特許文献９〜１５）。この方法では、横方向の電界が湾曲することにより、電圧印加時に液晶分子が異なった方向に配列することから、前述のＭＶＡ方式のように画素分割をすることなしに、マルチドメインを形成することができるため、製造効率の点で優れたものである。このような方式の液晶表示装置は、特許文献３〜７や非特許文献９〜１５によれば、ＥＯＣ、ＶＡ−ＩＰＳなど種々の呼称がされているが、本発明においては以下「ＶＡＩＰＳ」と略称する。

しかし、ＶＡＩＰＳ方式においては、液晶分子の物理的な挙動は従来の液晶表示装置の駆動方法とは異なることから、液晶材料の選択においては従来とは異なる基準で液晶材料を選択することが求められている。

すなわち、一般的にＴＮ方式におけるフレデリックス転移の閾値電圧（Ｖc）は次の式

ＳＴＮ方式においては次の式

ＶＡ方式は次の式で表される。

（式中、Ｖｃはフレデリックス転移（Ｖ）、Πは円周率、ｄ_ｃｅｌｌは第一基板と第二基板の間隔（μｍ）、ｄ_ｇａｐは画素電極と共通電極の間隔（μｍ）、ｄ_ＩＴＯは画素電極及び／又は共通電極の幅（μｍ）、＜ｒ１＞、＜ｒ２＞、及び＜ｒ３＞は外挿長（μｍ）、Ｋ１１はスプレイの弾性定数（Ｎ）、Ｋ２２はツイストの弾性定数（Ｎ）、Ｋ３３はベンドの弾性定数（Ｎ）を表し、Δεは誘電率の異方性を表す。）
しかし、ＶＡＩＰＳ方式においては、これらの一般的な計算式は当てはまらず、液晶材料の選択の基準が無いことから、性能の改善が進まず、結果として液晶表示装置としての応用は遅れていた。

一方、ＶＡＩＰＳ方式において、使用される液晶材料として好ましい化合物についての開示もなされている（特許文献８）。しかし、当該引用文献に記載の液晶組成物はシアノ系化合物を用いることから、アクティブマトリックス用として適さないものである。
液晶表示装置には明るい輝度でより高い黒レベルにすることでメガコントラスト（ＣＲ）を目指す課題もある。ＬＣＤの画素表示面積を大きく出来るように開口率を改善したり、ＤＢＥＦやＣＬＣなどの輝度向上フィルムを適用したり、液晶の垂直配向させる場合に突起などによる光漏れを低減するなどの提案がされている。更に、タッチパネル方式における押圧力にも乱れにくい表示も求められている。

特開昭５７−０００６１８号公報特開昭５０−０９３６６５号公報特開平１０−１５３７８２号公報特開平１０−１８６３５１号公報特開平１０−３３３１７１号公報特開平１１−０２４０６８号公報特開２００８−０２０５２１号公報特開２００２−０１２８６７号公報

ＳＩＤＳｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，２７７（１９９３）ＳＩＤＳｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，８４５（１９９７）ＳＩＤＳｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，１０７７（１９９８）ＳＩＤＳｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，４６１（１９９７）Ｐｒｏｃ．１８ｔｈＩＤＲＣ，３８３（１９９８）ＳＩＤＳｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，１２００（２００４）Ｐｒｏｃ．Ａｓｉａｄｉｓｐｌａｙ，５７７（１９９５）Ｐｒｏｃ．１８ｔｈＩＤＲＣ，３７１（１９９８）Ｐｒｏｃ．１３ｔｈＩＤＷ，９７（１９９７）Ｐｒｏｃ．１３ｔｈＩＤＷ，１７５（１９９７）ＳＩＤＳｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，３１９（１９９８）ＳＩＤＳｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，８３８（１９９８）ＳＩＤＳｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，１０８５（１９９８）ＳＩＤＳｙｍ．Ｄｉｇｅｓｔ，３３４（２０００）ＥｕｒｏｄｉｓｐｌａｙＰｒｏｃ．，１４２（２００９）

本発明は、応答速度が速く、画素分割等の特別なセル構造を有することなく視角特性が優れた、正の誘電率異方性の液晶材料を用いたＶＡＩＰＳ方式の液晶表示装置を提供することにある（以下、ｐ−ＶＡＩＰＳと呼称）。本発明により、従来技術で問題であった応答速度をより良い表示とし、広視野角化を有利にし、光透過時には高輝度となり光遮断時には高い黒レベルとすることで高いコントラスト比の改良が可能となる液晶表示装置が得られるものである。

本願発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の構造を有するＶＡＩＰＳ液晶表示素子及び特定の液晶化合物を含有する液晶組成物を組み合わせることにより前記課題を解決できることを見出し本願発明の完成に至った。

本発明は、第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された正の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは、独立的に制御可能であって、前記画素は一対の画素電極と共通電極を有し、この両電極が前記第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、前記液晶組成物層の液晶分子の長軸が前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向しており、
前記液晶組成物が一般式（ＬＣ１）から一般式（ＬＣ５）

（式中、Ｒ_１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ａ_１、Ａ_２及びＡ_３はそれぞれ独立して下記の何れかの構造

（式中、Ｘ_１及びＸ_２はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表す。）を表し、該Ａ_１及びＡ_２中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、該Ａ_１及びＡ_２中の１つ又は２つ以上のＣＨ基はＮ原子で置換されていてもよく、該Ａ_１及びＡ_２中の１つ又は２つ以上のＨ原子はＣｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３で置換されていてもよく、Ｘ_１〜Ｘ_５はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表し、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ_１〜Ｚ_４はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、存在するＺ_１及びＺ_２の内少なくとも１つは単結合でなく、Ｚ_５はＣＨ_２基又はＯ原子を表し、ｍ_１及びｍ_２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、ｍ_１＋ｍ_２は１、２又は３を表し、ｍ_３はそれぞれ独立して０〜２の整数を表す。）で表される化合物からなる化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有し、前記電極構造により発生した電界で前記液晶組成物層を透過する光の透過率を変調することを特徴とする液晶表示装置を提供する。

本発明において、基板中の液晶分子の長軸は前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向している。此処で、ハイブリッド配向とは２枚の基板間に挟まれた液晶分子の長軸が、一方の基板側では基板面に対し略平行に配向しており、他方の基板側では略垂直に配向している状態をいう。本願明細書においては、液晶分子の長軸が略垂直に配向している態様をｐ−ＶＡＩＰＳと呼称し、ハイブリッド配向している態様をｐ−ＨＢＩＰＳと呼称する。尚、ｐ−ＶＡＩＰＳ及びｐ−ＨＢＩＰＳ方式の電極構造は従来のＩＰＳやＦＦＳ、改良版ＦＦＳ等の横電界方式のものが適用できる。

本発明における液晶分子の挙動は模式的に図１〜３に示す通りであり、電圧が無印加の状態図１から電圧を印加した状態の図２または図３に遷移する。この際フロー効果に有利な、ベンド配向状態をとることで、高速応答化が図れる。一般的に応答速度はＩＰＳは２０〜４０ｍｓｅｃ、ＴＮは１０〜３０ｍｓｅｃであるが、本発明の応答速度は１〜８ｍｓｅｃであり大幅な改良がなされている。

従来のＴＮ方式の駆動方法では一般的に、広視野角化のため特殊な光学フィルム等を使用しなければならず、左右もしくは上下の広視野角化にとどまる。一方ＶＡ方式の駆動方法では一般的に、広視野角であるが、液晶分子の倒れる方向をゾーンラビングや突起、スリット電極などを用いて規定し、マルチドメイン化を図る必要があり、セル構成が複雑になる傾向にある。本発明のｐ−ＶＡＩＰＳ及びｐ−ＨＢＩＰＳ方式は印加する電圧により発生する電気力線を使用することにより、液晶分子の倒れる方向を規定するため、画素電極の形状のみでマルチドメイン化が可能であり比較的単純なセル構成で済み、広視野角化及び高コントラスト化が可能である。

また、一般的にフレデリックス転移（Ｖc）の値は前述のように、ＴＮ方式は式１、ＳＴＮ方式は式２、ＶＡ方式は式３で表されるが、本願発明の液晶表示装置においては下記式４が適用されることを見出した。

（式中、Ｖｃはフレデリックス転移（Ｖ）、Πは円周率、ｄ_ｃｅｌｌは第一基板と第二基板の間隔（μｍ）、ｄ_ｇａｐは画素電極と共通電極の間隔（μｍ）、ｄ_ＩＴＯは画素電極及び／又は共通電極の幅（μｍ）、＜ｒ＞、＜ｒ’＞、＜ｒ３＞は外挿長（μｍ）、Ｋ３３はベンドの弾性定数（Ｎ）、Δεは誘電率の異方性を表す。）
数４からセル構成としては、ｄ_ｇａｐをなるべく小さく、ｄ_ＩＴＯをなるべく大きくすることにより、低駆動電圧化が図れ、使用する液晶組成物としてはΔεの絶対値が大きく、Ｋ３３が小さいものを選択することにより、低駆動電圧化が図れることが分かった。これら知見をもとに、上記液晶表示装置に適切な負の誘電異方性液晶を見出した。

また、本発明の液晶表示装置はこの動き出しやすい液晶分子が、２枚の基板間の中央ではなく、一方の基板面に偏り、より一方の基板に近づいた部位から動き出すことが最も大きな特徴であり、従来のＴＮ、ＩＰＳ、ＶＡ、ＯＣＢの方式と異なる。

本発明は応答速度、透過光量、タッチパネルの使用など外圧による光漏れ、視野角、コントラスト比などの特性を改良し、従来技術で作成した液晶表示装置と比較し、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

電圧無印加時の液晶分子配向状態（ｐ−ＶＡＩＰＳの例）電圧印加時の液晶分子再配向状態（ｐ−ＶＡＩＰＳの例）画素電極下に絶縁層を介して共通電極を配した場合（ＦＦＳ）の電圧印加時の液晶分子再配向状態（ｐ−ＶＡＩＰＳの例）テスト用セルの電極構成電圧無印加時の液晶分子配向状態（ｐ−ＨＢＩＰＳの例１）電圧印加時の液晶分子再配向状態（ｐ−ＨＢＩＰＳの例１）電圧無印加時の液晶分子配向状態（ｐ−ＨＢＩＰＳの例２）電圧印加時の液晶分子再配向状態（ｐ−ＨＢＩＰＳの例２）

１・・・第１基板、２・・・遮光層、３・・・配向層、４・・・液晶、５・・・配向層、６・・・画素電極、７・・・共通電極、８・・・第２基板

本願発明における液晶組成物は前記一般式（ＬＣ１）から一般式（ＬＣ５）で表される液晶化合物を含有するが、これらの一般式中、Ｒ_１は炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜８のアルケニル基又は炭素数１〜８のアルコキシ基であることが好ましく、
Ａ_１及びＡ_２はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基が好ましく、
Ｘ_１〜Ｘ_５はそれぞれ独立してＨ又はＦが好ましく、ＹはＦ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３が好ましく、
Ｚ_１〜Ｚ_４はそれぞれ独立して単結合、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−が好ましく、存在するＺ_１〜Ｚ_４の一つが−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−であり、Ｚ_１〜Ｚ_４の内、他に存在する置換基がある場合にはこれらの置換基は単結合であることが好ましく、
ｍ_１及びｍ_２はそれぞれ独立して０〜２の整数を表すことが好ましく、ｍ_１＋ｍ_２は１又は２が好ましい。
一般式（ＬＣ１）から一般式（ＬＣ５）で表される液晶化合物は、より好ましくは一般式（ＬＣ１）が一般式（ＬＣ１）−１から一般式（ＬＣ１）−４

(式中、Ｒ_１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表し、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｌ_１及びＬ_２はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表す。）表される化合物であるか及び／又は、
一般式（ＬＣ２）が下記一般式（ＬＣ２）−１から一般式（ＬＣ２）−１０

（式中、Ｒ_１、Ｙ及びＸ_２は一般式（ＬＣ２）におけると同じ意味を表し、Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３及びＬ_４はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表す。）で表される化合物であるか及び／又は、
一般式（ＬＣ３）が下記一般式（ＬＣ３）−１から一般式（ＬＣ３）−３４

(式中、Ｒ_１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ｘ_２及びＸ_４はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ_１は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、ｍ_１は０〜３の整数を表す。）で表される化合物であるか及び／又は、
一般式（ＬＣ４）が下記一般式（ＬＣ４）−１から一般式（ＬＣ４）−８であり、一般式（ＬＣ５）が下記一般式（ＬＣ５）−１から一般式（ＬＣ５）−６

（式中、Ｒ_１、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｘ_４、Ｘ_５及びＹは一般式（ＬＣ４）又は一般式（ＬＣ５）におけると同じ意味を表す。）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（ＬＣ１）及び一般式（ＬＣ２）においてＲ_１はアルケニルであり及び／又はＲ_２がアルコキシ基又はアルケニルオキシ基であることが好ましく、一般式（ＬＣ３）〜（ＬＣ５）においてＲ_１及びＲ_２の少なくとも一方がアルケニルであることが好ましく、一般式（ＬＣ３）においてＺ_１及びＺ_２の少なくとも一方が−ＯＣＨ_２−又は−ＣＨ_２Ｏ−である化合物が好ましい。

さらに、前記液晶組成物層には一般式（ＬＣ６）

(式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｚ_３、Ｚ_４、及びｍ_１はそれぞれ独立して一般式（ＬＣ１）から一般式（ＬＣ５）における記載と同じ意味であり、Ｂ_１〜Ｂ_３はそれぞれ独立して下記

（式中、シクロヘキサン環中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２ＣＨ_２基は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、ベンゼン環中の１つ又は２つ以上のＣＨ基はＮ原子で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（ＬＣ６）で表される化合物は次の一般式（ＬＣ６）−１から一般式（ＬＣ６）−１５

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２Ｚ_３及びＺ_４は一般式（ＬＣ６）におけると同じ意味を表す。）で表される化合物であることがより好ましい。

一般式（ＬＣ６）において、Ｒ_１及び又はＲ_２がアルケニル又はアルケニルオキシ基であることが好ましく、Ｚ_１及びＺ_２の一つが−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−であり、残りが単結合又は−Ｃ≡Ｃ−であることが好ましい。

本願発明に用いられる液晶組成物において一般式（ＬＣ１）〜（ＬＣ５）で表される化合物を１００〜２０質量％含有することが好ましく、１００〜４０質量％含有することがより好ましく、１００〜６０質量％含有することが特に好ましい。

また、一般式（ＬＣ１）〜（ＬＣ５）におけるΔεが４以上の化合物を２種以上含有することが好ましい。

さらに前記液晶組成物には重合性化合物を１種又は２種以上含有してもよく、好ましくは重合性化合物が、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基、直鎖のアルコキシ基又は置換ベンゾイルオキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物である。

具体的には重合性化合物が一般式（ＰＣ１）

で表される重合性化合物であることが好ましい（式中、Ｐ_１は重合性官能基を表し、Ｓｐ_１は炭素原子数０〜２０のスペーサー基を表し、Ｑ_１は単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＯＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｎ_１、及びｎ_２はそれぞれ独立して１、２又は３を表し、ＭＧはメソゲン基又はメソゲン性支持基を表し、Ｒ_３は、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜２５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−より置き換えられていても良く、あるいはＲ_３はＰ_２−Ｓｐ_２−Ｑ_２−（式中、Ｐ_２、Ｓｐ_２、Ｑ_２はそれぞれ独立してＰ_１、Ｓｐ_１、Ｑ_１と同じ意味を表す。）を表す。）。

より好ましくは、重合性化合物一般式（ＰＣ１）におけるＭＧが以下の構造

で表される重合性化合物であり（式中、Ｃ_１〜Ｃ_３はそれぞれ独立して1,4-フェニレン基、1,4-シクロヘキシレン基、1,4-シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン-2,5-ジイル基、1,3-ジオキサン-2,5-ジイル基、テトラヒドロチオピラン-2,5-ジイル基、1,4-ビシクロ(2,2,2)オクチレン基、デカヒドロナフタレン-2,6-ジイル基、ピリジン-2,5-ジイル基、ピリミジン-2,5-ジイル基、ピラジン-2,5-ジイル基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル基、2,6-ナフチレン基、フェナントレン-2,7-ジイル基、9,10-ジヒドロフェナントレン-2,7-ジイル基、1,2,3,4,4a,9,10a-オクタヒドロフェナントレン2,7-ジイル基又はフルオレン2,7-ジイル基を表し、該1,4-フェニレン基、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル基、2,6-ナフチレン基、フェナントレン-2,7-ジイル基、9,10-ジヒドロフェナントレン-2,7-ジイル基、1,2,3,4,4a,9,10a-オクタヒドロフェナントレン2,7-ジイル基及びフルオレン2,7-ジイル基は置換基として１個以上のＦ、Ｃｌ、ＣＦ_３、ＯＣＦ_３、シアノ基、炭素原子数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケノイル基又はアルケノイルオキシ基を有していても良く、Ｙ_１及びＹ_２はそれぞれ独立して−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−又は単結合を表し、ｎ_５は０、１又は２を表す。）、
Ｓｐ_１及びＳｐ_２がそれぞれ独立してアルキレン基を表し、該アルキレン基は１つ以上のハロゲン原子又はＣＮにより置換されていても良く、この基中に存在する１つ又は２つ以上のＣＨ_２基はＯ原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、
Ｐ_１及びＰ_２がそれぞれ独立して以下の一般式（ＰＣ１−ａ）〜一般式（ＰＣ１−ｄ）

のいずれかである（式中、Ｒ_４１〜Ｒ_４３、Ｒ_５１〜Ｒ_５３、及びＲ_６１〜Ｒ_６３はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）。

より具体的には、重合性化合物一般式（ＰＣ１）が一般式（ＰＣ１）−１又は一般式（ＰＣ１）−２

（Ｐ_１、Ｓｐ_１、Ｑ_１、Ｐ_２、Ｓｐ_２、Ｑ_２及びＭＧは一般式（ＰＣ１）と同じ意味を表し、ｎ_３及びｎ_４はそれぞれ独立して１、２又は３を表す。）で表される重合性化合物であることが好ましい。

より具体的には、一般式（ＰＣ１）が一般式（ＰＣ１）−３〜一般式（ＰＣ１）−８

で表される重合性化合物であることがより好ましい（式中、Ｗ_１はそれぞれ独立してＦ、ＣＦ_３、ＯＣＦ_３、ＣＨ_３、ＯＣＨ_３、炭素原子数２〜５のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、ＣＯＯＷ_２、ＯＣＯＷ_２又はＯＣＯＯＷ_２を表し（式中、Ｗ_２は炭素原子数１〜１０の直鎖又は分岐鎖アルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表す。）、ｎ_６は０、１、２、３又は４を表す。）。

さらに好ましくは、重合性化合物一般式（ＰＣ１）におけるＳｐ_１、Ｓｐ_２、Ｑ_１及びＱ_２がすべて単結合であり、ｎ_３及びｎ_４において、ｎ_３＋ｎ_４が３〜６であり、Ｐ_１及びＰ_２が式（７−ｂ）であり、Ｗ_１がＦ、ＣＦ_３、ＯＣＦ_３、ＣＨ_３又はＯＣＨ_３であり、ｎ_６が１以上である。

また、一般式（ＰＣ１）におけるＭＧが一般式（ＰＣ１）−９で表される円盤状液晶化合物であることも好ましい

（式中、Ｒ_７はそれぞれ独立してＰ_１−Ｓｐ_１−Ｑ_１又は一般式（ＰＣ１−ｅ）の置換基を表し（式中、Ｐ_１、Ｓｐ_１及びＱ_１は般式（ＰＣ１）と同じ意味を表しＲ_８１及びＲ_８２はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表し、Ｒ_８３は炭素原子数１〜２０アルコキシ基を表し、該アルコキシ基中の少なくとも１つの水素原子前記一般式（ＰＣ１−ａ）〜（ＰＣ１−ｄ）で表される置換基で置換されている。）。

重合性化合物の使用量は好ましくは０．１〜２．０質量％である。

前記液晶組成物は前期用途に単独で使用することもでき、さらに酸化防止剤を１種又は２種以上含有することもでき、さらにＵＶ吸収剤を１種又は２種以上含有することもできる。

前記液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）は垂直配向の場合０．２０〜０．５９が好ましく、ハイブリッド配向の場合は０．２１〜０．６１が好ましく、垂直配向の場合は０．３３〜０．４０が特に好ましく、ハイブリッド配向の場合は０．３４〜０．４４が特に好ましい。

前記表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面には液晶組成物を配向させるため、ポリイミド（ＰＩ）、カルコン、シンナメート等からなる配向膜を設けることができ、配向膜は光配向技術を用いて作成したものでもよい。

垂直配向の場合は基板と液晶組成物のチルト角は８５〜９０°が好ましく、ハイブリッド配向の場合は第一の基板又は第二の基板と液晶組成物のチルト角は８５〜９０°であり、残りの基板と液晶組成物のチルト角は３〜２０°が好ましい。

以下、例を挙げて本願発明を更に詳述するが、本願発明はこれらによって限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「%」は『質量%』を意味する。

液晶組成物の物性として、以下のように表す。
T_N-I ：ネマチック相−等方性液体相転移温度(℃)を液晶相上限温度
Δε ：誘電率異方性
Δn ：屈折率異方性
Vsat ：周波数１ＫＨｚの矩形波を印加した時の透過率が９０％変化する印加電圧
τr+d/msec：ｄ_ＩＴＯ＝１０μｍ、ｄ_ｇａｐ＝１０μｍ、第１基板、第２基板とも配向膜ＳＥ−５３００のセルを使用した際の応答速度
化合物記載に下記の略号を使用する。

末端のn(数字) C_nH_2n+1-
-2- -CH₂CH₂-
-1O- -CH₂O-
-O1- -OCH₂-
-V- -CO-
-VO- -COO-
-CFFO- -CF₂O-
-F -F
-Cl -Cl
-CN -C≡N
-OCFFF -OCF₃
-CFFF -CF₃
-OCFF -OCHF₂
-On -OC_nH_2n+1
-T- -C≡C-
ndm- C_nH_2n+1-HC＝CH-(CH₂)_m-1-

（実施例１）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１に示す正の誘電異方性を有する液晶組成物を挟持して実施例１の液晶表示装置を作成した。（ｄ_ｃｅｌｌ＝４．０μｍ、ｄ_ＩＴＯ＝１０μｍ、ｄ_ｇａｐ＝１０μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）この液晶表示装置の物性値を表１に併せて示す。

（比較例１）
実施例１で用いた液晶組成物を用いて従来のＴＮ液晶表示装置を作製しその物性値を測定した。その結果を表２に示す。

本願発明の液晶表示装置は、同じ正の誘電異方性液晶を狭持した比較例１の液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例２）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１に示す正の誘電異方性を有する液晶組成物を挟持して実施例２の液晶表示装置を作成した。（ｄ_ｃｅｌｌ＝４．０μｍ、ｄ_ＩＴＯ＝１０μｍ、ｄ_ｇａｐ＝１０μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）
該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＥＣＢ液晶表示装置等と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例３）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１に示す正の誘電異方性を有する液晶組成物に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して実施例３の液晶表示装置を作成した。（ｄ_ｃｅｌｌ＝４．０μｍ、ｄ_ＩＴＯ＝１０μｍ、ｄ_ｇａｐ＝１０μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行った。

該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例４）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１に示す正の誘電異方性を有する液晶組成物に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％を添加した組成物を挟持して実施例４の液晶表示装置を作成した。（ｄ_ｃｅｌｌ＝４．０μｍ、ｄ_ＩＴＯ＝１０μｍ、ｄ_ｇａｐ＝１０μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行った。

該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＥＣＢ液晶表示装置等と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（比較例２）
実施例１と同様に表２に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例２の液晶表示装置を作製しその物性値を測定し、その結果を表２に示す。

正の誘電異方性液晶を狭持した比較例２の液晶表示装置は本願発明の液晶表示装置と比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。

（実施例５〜７）
実施例１と同様に表３に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例５の液晶表示装置を、実施例１と同様に実施例６の液晶表示装置及び実施例１と同様に実施例７の液晶表示装置を作成した。

実施例５から７液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例８〜１０）
実施例１と同様に表４に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例８の液晶表示装置を、実施例１と同様に実施例９の液晶表示装置及び実施例１と同様に実施例１０の液晶表示装置を作成した。

実施例８から１０液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例１１〜１３）
実施例１と同様に表５に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例１１の液晶表示装置を、実施例１と同様に実施例１２の液晶表示装置及び実施例１と同様に実施例１３の液晶表示装置を作成した。

実施例１１から１３の液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例１４〜１７）
実施例１と同様に表６に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例１４の液晶表示装置を、実施例１と同様に実施例１５の液晶表示装置、実施例１と同様に実施例１６の液晶表示装置及び実施例１と同様に表７に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例１７の液晶表示装置を作成した。

（実施例１８〜２１）
ｄ_ｃｅｌｌ＝３．０μｍ、ｄ_ＩＴＯ＝１０μｍ、ｄ_ｇａｐ＝１０μｍとした以外は実施例１と同様に表８に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例１８の液晶表示装置を、実施例１と同様に実施例１９の液晶表示装置、実施例１と同様に実施例２０の液晶表示装置及び実施例１と同様に実施例２１の液晶表示装置を作成した。

（実施例２２及び２３）
ｄ_ｃｅｌｌ＝３．５μｍ、ｄ_ＩＴＯ＝１０μｍ、ｄ_ｇａｐ＝１０μｍとした以外は実施例１と同様に表９に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例２２の液晶表示装置を及び実施例１と同様に実施例２３の液晶表示装置を作成した。

実施例２２及び２３液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例２４及び２５）
実施例１と同様に表１０に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例２４の液晶表示装置及び実施例１と同様に実施例２５の液晶表示装置を作成した。

実施例２４及び２５液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のＴＮ液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例２６〜２８）
ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍとしたセルに実施例５、１２又は１７で使用した正の誘電異方性液晶組成物を狭持して、それぞれ実施例２６から２８の液晶表示装置を作成し、応答速度を測定したところ、下記の結果を得た。
実施例２６：τ_ｒ＋ｄ＝１．６ｍｓｅｃ（実施例５の液晶組成物）
実施例２７：τ_ｒ＋ｄ＝１．３ｍｓｅｃ（実施例１２の液晶組成物）
実施例２８：τ_ｒ＋ｄ＝０．９ｍｓｅｃ（実施例１７の液晶組成物）
実施例２６から２８の液晶表示装置は応答が極めて速い特性を有していた。また、本実施例で作成した液晶表示装置に押圧を加えたところ、従来のＶＡ表示では生じていた光漏れがほとんど見られなかった。

（実施例２９〜３２）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１１に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）

実施例２９〜３２に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（比較例３）
実施例２９と同様に表１２に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例３の液晶パネルを作製しその物性値を測定した。その結果を前記表１２に示す。

正の誘電異方性液晶を狭持した比較例３の液晶パネルは本願発明の液晶パネルと比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。

（実施例３３〜３５）
実施例２９・比較例３と同様に第一の基板と第二の基板の間に表１３に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。

実施例３３〜３５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例３６〜３８）
実施例２９・比較例３と同様に第一の基板と第二の基板の間に表１４に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。

実施例３６〜３８に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例３９）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例２９〜３８及び比較例３に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）
実施例２９〜３８に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例３に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例４０）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例２９〜３８及び比較例３に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行った。

実施例２９〜３８に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例３に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例４１）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例２９〜３８及び比較例３に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行った。

実施例２９〜３８に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例１に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例４２〜４５）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１５に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）
実施例４２〜４５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例４６〜４８）
実施例４２と同様に第一の基板と第二の基板の間に表１６に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。

実施例４６〜４８に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例４９〜５１）
実施例４２と同様に第一の基板と第二の基板の間に表１７に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。

実施例４９〜５１に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例５２）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例４２〜５１及び比較例１〜３に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）
実施例４２〜５１に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例１〜３に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例５３）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例４２〜５１及び比較例１〜３に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行った。

実施例４２〜５１に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例１〜３に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例５４）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例４２〜５１及び比較例１〜３に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行った。

（実施例５５〜５７）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表１８に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）

実施例５５〜５７に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（比較例４）
実施例５５と同様に表１９に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例４の液晶パネルを作製しその物性値を測定した。その結果を前記表１９に示す。

正の誘電異方性液晶を狭持した比較例４の液晶パネルは本願発明の液晶パネルと比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。

（実施例５８及び５９）
実施例５５・比較例４と同様に第一の基板と第二の基板の間に表２０に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。

実施例５８及び５９に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例６０）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例５５〜５９及び比較例４に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）
実施例５５〜５９に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例４に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例６１）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例５５〜５９及び比較例４に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行った。

実施例５５〜５９に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例４に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例６２）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例５５〜５９及び比較例４に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行った。

（実施例６３〜６５）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表２１に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）

実施例６３〜６５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（比較例５）
実施例６３と同様に表２２に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例５の液晶パネルを作製しその物性値を測定した。その結果を前記表２２に示す。

正の誘電異方性液晶を狭持した比較例５の液晶パネルは本願発明の液晶パネルと比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。

（実施例６６及び６７）
実施例６３・比較例５と同様に第一の基板と第二の基板の間に表２３に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。

実施例６６及び６７に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例６８）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例６３〜６７及び比較例５に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）
実施例６３〜６７に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例６９）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例６３〜６７及び比較例５に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行った。

実施例６３〜６７に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例７０）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例６３〜６７及び比較例５に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行った。

（実施例７１〜７３）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表２４に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）

実施例７１〜７３に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（比較例６）
実施例７１と同様に表２５に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例６の液晶パネルを作製しその物性値を測定した。その結果を前記表２５に示す。

正の誘電異方性液晶を狭持した比較例６の液晶パネルは本願発明の液晶パネルと比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。

（実施例７４及び７５）
実施例７１・比較例６と同様に第一の基板と第二の基板の間に表２６に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。

実施例７４及び７５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例７６）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例７１〜７５及び比較例６に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）
実施例７１〜７５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例６に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例７７）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例７１〜７５及び比較例６に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行った。

実施例７１〜７５に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例６に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。

（実施例７８）
図４に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例７１〜７５及び比較例６に示した正の誘電異方性液晶に各々２−メチルーアクリル酸４‘−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシーエチル）―フェノキシカルボニル］―エチル｝―ビフェニル−４−イルエステルを０．３質量％添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。（ｄ_ＩＴＯ＝４μｍ、ｄ_ｇａｐ＝４μｍ、配向膜ＳＥ−５３００、ＡＬ−１０５１）電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行った。

Claims

第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された正の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは、独立的に制御可能であって、前記画素は一対の画素電極と共通電極を有し、この両電極が前記第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、前記液晶組成物層の液晶分子の長軸が前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向しており、
前記液晶組成物が一般式（ＬＣ１）から一般式（ＬＣ５）

（式中、Ｒ_１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ａ_１、Ａ_２及びＡ_３はそれぞれ独立して下記の何れかの構造

（式中、Ｘ_１及びＸ_２はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表す。）を表し、該Ａ_１及びＡ_２中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、該Ａ_１及びＡ_２中の１つ又は２つ以上のＣＨ基はＮ原子で置換されていてもよく、該Ａ_１及びＡ_２中の１つ又は２つ以上のＨ原子はＣｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３で置換されていてもよく、Ｘ_１〜Ｘ_５はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表し、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ_１〜Ｚ_４はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、存在するＺ_１及びＺ_２の内少なくとも１つは単結合でなく、Ｚ_５はＣＨ_２基又はＯ原子を表し、ｍ_１及びｍ_２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、ｍ_１＋ｍ_２は１、２又は３を表し、ｍ_３はそれぞれ独立して０〜２の整数を表す。）で表される化合物からなる化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有し、前記電極構造により発生した電界で前記液晶組成物層を透過する光の透過率を変調することを特徴とする液晶表示装置。
液晶組成物が、さらに、一般式（ＬＣ６）

(式中、Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立して、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ｚ_３及びＺ_４はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、ｍ_１は０〜３の整数を表し、Ｂ_１〜Ｂ_３はそれぞれ独立して下記の何れかの構造

を表し、該Ｂ_１〜Ｂ_３中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、該Ｂ_１〜Ｂ_３中の１つ又は２つ以上のＣＨ基はＮ原子で置換されていてもよい。)で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１記載の液晶表示装置。
一般式（ＬＣ１）が一般式（ＬＣ１）−１から一般式（ＬＣ１）−４

(式中、Ｒ_１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、ＹはＣｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表し、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｌ_１及びＬ_２はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項１又は２記載の液晶表示装置。
一般式（ＬＣ２）が一般式（ＬＣ２）−１から一般式（ＬＣ２）−１０

(式中、Ｒ_１は、炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３及びＬ_４はＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項１又は２記載の液晶表示装置。
一般式（ＬＣ３）が下記一般式（ＬＣ３）−１から一般式（ＬＣ３）−２８

(式中、Ｒ_１は炭素数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、Ｏ原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＨ原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ｘ_２及びＸ_４はそれぞれ独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＦ_３又はＯＣＦ_３を表し、Ｚ_１は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、ｍ_１は０〜３の整数を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
一般式（ＬＣ４）が下記一般式（ＬＣ４）−１から一般式（ＬＣ４）−８であり、一般式（ＬＣ５）が下記一般式（ＬＣ５）−１から一般式（ＬＣ５）−６

（式中、Ｒ_１、Ｘ_１、Ｘ_２、Ｘ_４、Ｘ_５及びＹは一般式（ＬＣ４）又は一般式（ＬＣ５）におけると同じ意味を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項１又は２記載の液晶表示装置。
一般式（ＬＣ６）が次の一般式（ＬＣ６）−１から一般式（ＬＣ６）−１５

（式中、Ｒ_１及びＲ_２は一般式（ＬＣ６）におけると同じ意味を表す。）
で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物である請求項２から５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
液晶組成物が、重合性化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜７いずれか一項に記載の液晶表示装置。
請求項８に記載の重合性化合物が、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基、直鎖のアルコキシ基又は置換ベンゾイルオキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物である、液晶表示装置。
請求項８又は９における液晶組成物が開始剤を実質的に含まない液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項８〜１０記載の液晶表示装置。
重合性化合物を０．１〜２．０質量％含有する液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項８〜１０いずれか一項に記載の液晶表示装置。
さらに酸化防止剤を１種又は２種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項１〜１１いずれか一項に記載の液晶表示装置。
さらにＵＶ吸収剤を１種又は２種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項１〜１２いずれか一項に記載の液晶表示装置。
液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）が０．３３〜０．４０である請求項１〜１３いずれか一項に記載の液晶表示装置。
液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）と表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔（ｄ）の積（Δｎ・ｄ）が０．３４〜０．４４である請求項１〜１３いずれか一項に記載の液晶表示装置。
表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面にポリイミド（ＰＩ）、カルコン、シンナメートからなる配向膜を設けた請求項１〜１５いずれか一項に記載の液晶表示装置。
表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面に光配向技術を用いて作成した配向膜を設けた請求項１〜１６いずれか一項に記載の液晶表示装置。
基板と液晶組成物のチルト角が８５〜９０°である請求項１に記載の液晶表示装置。
第一の基板又は第二の基板と液晶組成物のチルト角が８５〜９０°であり、残りの基板と液晶組成物のチルト角が３〜２０°である請求項１に記載の液晶表示装置。
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ１）−１、（ＬＣ２）−１、（ＬＣ３）−４、（ＬＣ３）−５、（ＬＣ３）−６及び（ＬＣ３）−１１から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１９いずれか一項に記載の液晶表示装置。
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ１）−２、（ＬＣ１）−３、（ＬＣ１）−４、（ＬＣ２）−４、（ＬＣ２）−５、（ＬＣ２）−６、（ＬＣ２）−７、（ＬＣ２）−８、（ＬＣ２）−９及び（ＬＣ２）−１０から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１９いずれか一項に記載の液晶表示装置。
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ３）−３、（ＬＣ３）−２２、（ＬＣ３）−２３、（ＬＣ３）−２４及び（ＬＣ３）−２５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１９いずれか一項に記載の液晶表示装置。
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ３）−３、（ＬＣ３）−２２、（ＬＣ３）−２３、（ＬＣ３）−２４及び（ＬＣ３）−２５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１９いずれか一項に記載の液晶表示装置。
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ６）−１、（ＬＣ６）−５及び（ＬＣ６）−１４から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１９いずれか一項に記載の液晶表示装置。
液晶組成物が、さらに一般式（ＬＣ６）−４、（ＬＣ６）−１２及び（ＬＣ６）−１５から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜１９いずれか一項に記載の液晶表示装置。