KR20130039932A - 자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 - Google Patents

자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20130039932A
KR20130039932A KR1020110104607A KR20110104607A KR20130039932A KR 20130039932 A KR20130039932 A KR 20130039932A KR 1020110104607 A KR1020110104607 A KR 1020110104607A KR 20110104607 A KR20110104607 A KR 20110104607A KR 20130039932 A KR20130039932 A KR 20130039932A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
underlayer film
resist underlayer
polymer
formula
self
Prior art date
Application number
KR1020110104607A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101863634B1 (ko
Inventor
이정열
이형근
이재우
김재현
Original Assignee
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 주식회사 동진쎄미켐
Priority to KR1020110104607A priority Critical patent/KR101863634B1/ko
Publication of KR20130039932A publication Critical patent/KR20130039932A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101863634B1 publication Critical patent/KR101863634B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/34—Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)

Abstract

반도체 리소그래피 공정에 이용되는 자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법이 개시된다. 상기 자가 가교형 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00024

상기 화학식 1에서, Ar은 탄소수 6 내지 30의 아릴(aryl)기이고, R은 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬(alkyl)기이며, a는 Ar에 치환된 히드록시기(-OH)의 개수로서, 1 내지 3의 정수이고, b는 Ar에 치환된 카보닐기(-COR)의 개수로서, 1 내지 3의 정수이다.

Description

자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법{Self-crosslinking polymer, resist under-layer composition including the same, and method for forming pattern using the same}
본 발명은 자가 가교형 고분자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 반도체 리소그래피(lithography) 공정에 이용되는 자가 가교형(self-crosslinking) 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
최근, 대규모 집적회로(large scale integrated circuit: LSI)의 고집적화 및 고속도화에 수반하여, 반도체 패턴이 더욱 미세화되고 있으며, 현재 범용 기술로서 사용되는 광 노광을 이용한 리소그래피(lithography)에서는, 광원의 파장에 유래하는 본질적인 해상도 한계에 근접하고 있다. 레지스트 패턴 형성에 사용되는 리소그래피용 광원으로는, 수은 램프를 이용하는 g-선(line)(436nm), i-선(365nm)이 널리 사용되었으며, 패턴의 미세화를 위하여, 최근에는 KrF 익사이머 레이저(excimer laser)(248nm), ArF 익사이머 레이저(193nm) 등의 단파장 광원이 사용되고 있다.
또한, 반도체 디바이스의 소형화 및 집적화에 수반하여, 패턴의 크기가 작아짐에 따라, 포토레지스트 패턴의 쓰러짐 현상을 방지하기 위해, 포토레지스트 막 및 패턴의 두께가 점차 얇아지고 있다. 그러나, 얇아진 포토레지스트 패턴을 사용하여 피식각층을 식각(etch)하기 어렵기 때문에, 포토레지스트와 피식각층 사이에 식각 내성이 강한 무기물막 혹은 유기물막을 도입하게 되었고, 이 막을 통상 하층막 또는 하드마스크라 한다. 또한, 포토레지스트 패턴을 이용하여 하층막을 식각하여 패터닝한 후, 하층막의 패턴을 이용하여 피식각층을 식각하는 공정을 하층막 공정이라고 하기도 한다. 상기 하층막 공정에 이용되는 무기물 하층막은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 폴리실리콘, 티타늄 나이트라이드, 무정형 탄소(amorphous carbon) 등으로 이루어지며, 통상적으로 화학증기증착(chemical vapor deposition: CVD)법으로 형성된다. 상기 화학증기증착법에 의해 생성된 하층막은 식각 선택성이나 식각 내성이 우수하지만, 파티클(particle) 문제, 초기 설비 투자비 문제 등의 몇 가지 문제점이 있다. 이를 해결하기 위한 방법으로, 상기 증착식 하층막 대신에, 스핀 도포가 가능한 유기물 하층막이 연구되고 있다.
상기 유기물 하층막을 포함하는 다층막 레지스트는 통상적으로 2층막 구조(2층 레지스트법) 또는 3층막 구조(3층 레지스트법)를 가진다. 2층막 구조의 레지스트의 경우, 상층막은 패턴의 구현이 가능한 포토레지스트 막이며, 하층막은 산소 가스(gas)에 의한 에칭(etching)이 가능한 탄화수소 화합물막이다. 상기 레지스트 하층막은, 하층막 하부의 기판을 에칭(etching)하는 경우, 하드 마스크(hard mask)의 역할을 해야 하므로, 높은 에칭(etching) 저항성을 가져야 하고, 산소 가스 에칭을 위해서는 규소 원자를 포함하지 않은 탄화수소만으로 구성될 필요가 있다. 또한, 상기 레지스트 하층막은, KrF 및 ArF 광원 사용 시, 상층 레지스트막의 스탠딩 웨이브(standing wave) 제어 및 패턴의 무너짐 현상을 방지하기 위하여, 광원의 난반사 방지막의 기능도 가질 필요가 있다. 구체적으로는 하층막으로부터 레지스트 상층막으로의 반사율을 1% 이하로 억제할 필요가 있다.
또한, 3층막 구조의 레지스트인 경우, 상층막(포토레지스트막)과 레지스트 하층막(탄화수소 화합물로 이루어진 제1 하층막) 사이에 무기 하드 마스크 중간층막(무기물로 이루어진 제2 하층막)이 더욱 형성된다. 상기 제2 하층막으로는 고온에서의 화학증기증착법으로 형성되는 규소 산화막(실리콘 옥사이드막), 규소 질화막(실리콘 나이트라이드막), 규소 산화질화막(실리콘 옥시나이트라이드막, SiON막) 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 반사 방지막으로서의 효과가 높은 SiON막을 사용할 수 있다. 상기 제2 하층막의 막 두께는 5 내지 200nm, 바람직하게는 10 내지 100nm이다. 상기 레지스트 하층막(제1 하층막) 위에 제2 하층막(특히, SiON막)을 형성하기 위해서는 기판의 온도를 240 내지 500℃로 올려야 하기 때문에, 사용되는 레지스트 하층막(제1 하층막)은 240 내지 500℃에서 열적 안정성을 가져야 한다. 상기 레지스트 하층막이 고온(예를 들어, 400℃ 이상)에서 열적 안정성을 갖지 못할 경우, 무기 하드 마스크 중간층막(제2 하층막) 형성 시, 레지스트 하층막이 분해되어 장비 내부를 오염시킬 우려가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 열적 안정성이 우수하며, 스핀 도포되어 하드마스크를 형성할 수 있는 자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 유기 반사방지막의 기능을 수행할 수 있는 자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 에칭 저항성이 우수할 뿐만 아니라, 단차가 있는 패턴된 웨이퍼에 도포 시에도 평탄화도가 우수한 자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 고분자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, Ar은 탄소수 6 내지 30의 아릴(aryl)기이고, R은 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬(alkyl)기이며, a는 Ar에 치환된 히드록시기(-OH)의 개수로서, 1 내지 3의 정수이고, b는 Ar에 치환된 카보닐기(-COR)의 개수로서, 1 내지 3의 정수이다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 자가 가교형 고분자; 및 유기 용매를 포함하는 레지스트 하층막 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은, 에칭되는 기판의 상부에, 상기 레지스트 하층막 조성물을 이용하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계; 상기 레지스트 하층막 상부에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층을 소정 패턴으로 방사선에 노출시킴으로써 상기 포토레지스트층에 방사선 노출된 영역의 패턴을 생성하는 단계; 상기 패턴을 따라, 상기 포토레지스트층 및 레지스트 하층막을 선택적으로 제거하여, 상기 패턴의 형태로 상기 기판을 노출시키는 단계; 및 상기 기판의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 레지스트 하층막 형성용 고분자는, 스핀 도포에 의해 하드마스크를 형성할 수 있으며, 종래의 노볼락 수지와 비교하여, 자가 가교에 의하여, 열적 안정성 및 에칭 저항성이 우수한 특징을 가진다. 또한, 본 발명에 따라 형성된 하층막은 유기 반사방지막의 기능을 수행할 수 있을 뿐만 아니라, 단차가 있는 웨이퍼에 도포시에도 평탄화도가 우수한 장점이 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 자가 가교형 고분자는, 에칭되는 기판과 포토레지스트막 사이에 위치하여, 기판을 소정 패턴으로 에칭하기 위한 하층막(하드마스크 역할)을 형성하기 위한 것으로서, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함한다.
Figure pat00002
상기 화학식 1에서, Ar은 탄소수 6 내지 30, 바람직하게는 탄소수 6 내지 20의 아릴(aryl)기이고, R은 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬(alkyl)기이며, a는 Ar에 치환된 히드록시기(-OH)의 개수로서, 1 내지 3의 정수이고, b는 Ar에 치환된 카보닐기(-COR)의 개수로서, 1 내지 3의 정수이다. 상기 Ar의 구체적인 예는 방향족 고리기 또는 방향족 접합 고리기이고, 더욱 구체적으로는 벤젠(
Figure pat00003
), 나프탈렌(
Figure pat00004
), 안트라센(
Figure pat00005
), 파이렌(pyrene,
Figure pat00006
) 등을 예시할 수 있다. 상기 R은 서로 같거나 다를 수 있으며, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 노말-프로필기, 이소-프로필기, 노말-부틸기, 이소-부틸기, 터셔리-부틸기, 펜틸기, 사이클로펜틸기, 헥실기 등을 예시할 수 있다. 상기 Ar의 좌측 및 우측 결합손과 Ar에 치환되는 하나 이상의 히드록시기(-OH) 및 하나 이상의 카보닐기(-COR)는 Ar을 형성하는 아릴기의 어느 탄소에도 위치할 수 있다. 또한, 필요에 따라, 상기 아릴기(Ar) 및 알킬기(R)은 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 탄소수 1 내지 6의 저급 알킬기 등으로 더욱 치환되어 있을 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 고분자의 중량평균 분자량은 500 내지 1,000,000, 바람직하게는 1,000 내지 20,000 이고, 더욱 바람직하게는 2,000 내지 10,000 이다. 상기 고분자의 중량평균 분자량이 500 미만이면, 레지스트 하층막 형성 시 박막의 형성이 용이하지 못하고, 1,000,000을 초과하면, 용매에 대한 고분자의 용해도가 감소하고, 점도가 증가하여 하층막 조성물의 제조 및 취급이 어려운 단점이 있다. 본 발명에 따른 자가 가교형 고분자는, 본 발명의 목적을 훼손하지 않는 한도 내에서, 소량의 다른 반복단위를 포함할 수도 있다. 본 발명에 따른 자가 가교형 고분자는, 하기 실시예에 나타낸 바와 같이, 카르보닐기(알데히드기를 포함한다)를 포함하는 페놀 유도체 화합물과 포름알데하이드의 축합반응으로 제조될 수 있다.
본 발명에 따른 자가 가교형 고분자는, 일반적인 노볼락계 수지와 비교하여, 페놀 구조에 카보닐기(알데히드기를 포함한다)를 가짐으로써, 레지스트 하층막을 형성하면, 고분자의 주쇄의 히드록시기와 카르보닐기가 반응하여, 고분자가 자가 가교됨으로써, 에칭 내성이 우수한 하드마스크를 형성한다. 고온에서 가교가 일어난 고분자는 용매에 대한 용해도가 저하되어 용매에 대한 저항성이 생기며, 노볼락 구조의 수지와 비교하여, 흐름(flow)이 제어된다. 또한, 가교로 인한 매트릭스 형성으로 인한 에칭 속도의 감소 등으로 고분자의 가교를 확인할 수 있다.
본 발명은, 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위로 이루어지는 자가 가교형 고분자 및 유기 용매를 포함하는 레지스트 하층막 조성물을 제공한다. 상기 유기용매로는 본 발명에 따른 자가 가교형 고분자를 용해시킬 수 있는 통상의 유기용매를 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 사이클로헥산온(CH), 에틸락테이트(EL), 감마부티로락톤(GBL) 등을 단독 또는 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 상기 레지스트 하층막 조성물에 있어서, 상기 자가 가교형 고분자의 함량은 1 내지 30중량%, 바람직하게는 3 내지 15중량%, 더욱 바람직하게는 5 내지 12중량%이며, 상기 유기용매의 함량은 상기 고분자를 제외한 나머지로서, 70 내지 99중량%, 바람직하게는 85 내지 97중량%, 더욱 바람직하게는 88 내지 95중량%이다. 여기서, 상기 고분자의 함량이 1중량% 미만이면, 원하는 두께의 하층막을 형성하지 못할 우려가 있고, 하층막이 균일하게 형성되지 않을 우려가 있으며, 상기 고분자의 함량이 30중량%를 초과하면, 하층막이 균일하게 형성되지 않을 우려가 있다.
또한, 본 발명에 따른 레지스트 하층막 조성물은, 하층막의 가교율 또는 경화율을 향상시키기 위한 가교제, 산 촉매 등을 더욱 포함할 수 있다. 상기 가교제는, 본 발명에 따른 고분자의 자가 가교 반응에 더하여, 추가적인 가교 반응을 유도하여 하층막을 더욱 경화시키기 위한 것으로서, 통상의 멜라민 수지, 아미노 수지, 글리콜우릴 화합물, 비스에폭시 화합물 등을 사용할 수 있다. 상기 가교제의 함량은, 전체 하층막 조성물에 대하여, 일반적으로 0.1 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 3 중량%이다. 상기 산 촉매는 가교 반응의 촉매로서, p-톨루엔 술폰산 모노하이드레이트(p-toluene sulfonic acid monohydrate), 피리디늄 p-톨루엔 술포네이트(pyridinium p-toluene sulfonate) 등의 통상의 열산발생제 또는 광산발생제를 사용할 수 있다. 상기 산 촉매의 함량은, 전체 하층막 조성물에 대하여, 일반적으로 0.001 내지 0.05중량%, 보다 바람직하게는 0.001 내지 0.03중량%이다. 본 발명에 따른 레지스트 하층막 조성물은 통상의 스핀 코팅에 의해 막을 형성할 수 있는 막 형성(film-forming) 특성을 가진다.
또한, 본 발명은 상기 레지스트 하층막 조성물을 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다. 구체적으로, 상기 패턴 형성 방법은, (a) 에칭되는 기판(예를 들면, 알루미늄층이 형성된 실리콘 웨이퍼)의 상부에, 본 발명에 따른 레지스트 하층막 조성물을 이용하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계; (b) 상기 레지스트 하층막 상부에 포토레지스트층을 형성하는 단계; (c) 상기 포토레지스트층을 소정 패턴으로 방사선에 노출(exposure)시킴으로써 상기 포토레지스트층에 방사선 노출된 영역의 패턴을 생성하는 단계; (d) 상기 패턴을 따라, 상기 포토레지스트층 및 레지스트 하층막을 선택적으로 제거하여, 상기 패턴의 형태로 상기 기판을 노출시키는 단계; 및 (e) 상기 기판의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함한다. 또한, 필요에 따라, 상기 (b) 단계 이전에, 상기 레지스트 하층막 상부에, 통상의 실리콘 함유 레지스트 하층막(무기물 하층막) 및/또는 반사방지막(bottom anti-refractive coating; BARC)을 더욱 형성시킬 수도 있다.
상기 레지스트 하층막을 형성하는 단계는, 본 발명에 따른 레지스트 하층막 조성물을 500 내지 6,000Å의 두께로 기판 상부에 스핀 코팅하고, 180 내지 500℃의 온도에서 50초 내지 180초 동안 가열함으로써 수행될 수 있고, 이와 같이 형성된 레지스트 하층막의 두께는 대략 40 내지 550nm이다. 특히, 본 발명에 따른 레지스트 하층막 조성물은 180 내지 250℃의 저온에서도 자가 가교되어, 하층막을 용이하게 형성할 수 있다. 반면, 통상의 노볼락 수지의 경우, 180 내지 250℃의 온도에서 가교되지 않으므로, 용매에 대한 저항성이 낮아 필름의 감소가 발생한다. 또한, 상기 포토레지스트막의 패턴 형성은 TMAH 현상액(developer) 등의 통상적인 알칼리 수용액을 이용한 현상(develop)에 의하여 수행될 수 있고, 상기 하층막의 제거는 CHF3/CF4 혼합가스 등을 이용한 드라이 에칭에 의하여 수행될 수 있으며, 상기 기판의 에칭은 Cl2나 또는 HBr 가스에 의하여 수행될 수 있다. 여기서, 상기 레지스트 하층막의 두께, 가열 온도 및 시간, 에칭 방법 등은 상기 내용으로 한정되는 것이 아니라, 공정 조건에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
본 발명에 따라 형성된 레지스트 하층막은, 자외선의 짧은 파장 영역(예를 들면, 193nm 또는 248nm)에서 강한 방사선 흡수를 가지는 방향족 고리(aromatic ring)를 함유하므로, 광반사를 최소화할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따라 형성된 레지스트 하층막은, 유기 반사방지막으로서의 역할을 수행할 수도 있다. 또한, 본 발명에 따라 형성된 레지스트 하층막은, 기존의 노볼락 수지와 비교하여 동등 이상의 에칭 내성을 가짐으로써, 드라이 에칭 공정에서 패턴을 형성하기 위한 보호막(하드마스크)의 역할을 한다. 일반적으로, 레지스트 하층막의 에칭 속도가 작을수록, 마스크의 손실을 최소화하고, 하부막질(기판)의 식각(etch)량을 증가시킬 수 있다. 이와 같이, 하부막질의 에칭량을 증가시키면, 즉, 에칭 패턴의 깊이를 깊게 하면, 반도체 칩(chip)의 형성 시, 보다 용이하게 상부층과 하부층의 층간 간격을 증가시킬 수 있어, 바람직하다.
이하, 구체적인 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1-1] 화학식 1-1로 표시되는 고분자의 제조
환류관이 설치된 250 mL 3구 플라스크에 에틸락테이트 20mL을 넣고, 110℃로 승온시켰다. 여기에 4-하이드록시벤젠알데하이드 24.4g(0.2mol), 37% 포르말린 수용액(37% 포름알데히드의 수용액) 17.8g(0.22mol), 옥살릭에시드 0.5g, 및 에틸락테이트 40g 혼합 용액을 3시간 동안 천천히 적가하고, 5시간 동안 반응시켰다. 반응이 종료된 후, 반응기의 온도를 상온으로 낮추고, 반응기에 50g의 메탄올을 첨가하였다. 다음으로, 반응물을 탈이온수 1500mL에 천천히 첨가하고, 고형분을 여과(filter)한 다음, 60℃ 진공 오븐에서 24시간 동안 건조하여, 하기 화학식 1-1 (여기서, n은 중합도를 나타낸다)의 고분자를 합성하였다. 합성된 고분자의 수율은 94%이고, GPC (겔크로마토그래피)를 이용한 중량평균 분자량(Mw)은 8,860 이었으며, 다분산도(PD: Polydispersity)는 4.58 였다.
[화학식 1-1]
Figure pat00007

[실시예 1-2] 화학식 1-2로 표시되는 고분자의 제조
4-하이드록시벤젠알데하이드 24.4g(0.2mol) 대신, 4'-하이드록시아세토페논 27.2g(0.2mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 하기 화학식 1-2(여기서, n은 중합도를 나타낸다)의 고분자를 합성하였다. 합성된 고분자의 수율은 92%이고, GPC(겔크로마토그래피)를 이용한 중량평균 분자량(Mw)은 7,150 이었으며, 다분산도(PD: Polydispersity)는 4.12 였다.
[화학식 1-2]
Figure pat00008

[실시예 1-3] 화학식 1-3로 표시되는 고분자의 제조
4-하이드록시벤젠알데하이드 24.4g(0.2mol) 대신, 4'-하이드록시프로피오 페논 30.0g(0.2mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 하기 화학식 1-3(여기서, n은 중합도를 나타낸다)의 고분자를 합성하였다. 합성된 고분자의 수율은 91%이고, GPC(겔크로마토그래피)를 이용한 중량평균 분자량(Mw)은 6,240 이었으며, 다분산도(PD: Polydispersity)는 3.96 였다.
[화학식 1-3]
Figure pat00009

[실시예 1-4] 화학식 1-4로 표시되는 고분자의 제조
4-하이드록시벤젠알데하이드 24.4g(0.2mol) 대신, 4-하이드록시-1- 나프탈알데하이드 34.4g(0.2mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 하기 화학식 1-4(여기서, n은 중합도를 나타낸다)의 고분자를 합성하였다. 합성된 고분자의 수율은 82%이고, GPC(겔크로마토그래피)를 이용한 중량평균 분자량(Mw)은 4,630 이었으며, 다분산도(PD: Polydispersity)는 3.24 였다.
[화학식 1-4]
Figure pat00010

[실시예 1-5] 화학식 1-5로 표시되는 고분자의 제조
4-하이드록시벤젠알데하이드 24.4g(0.2mol) 대신, 6-하이드록시-2- 나프탈알데하이드 34.4g(0.2mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 하기 화학식 1-5(여기서, n은 중합도를 나타낸다)의 고분자를 합성하였다. 합성된 고분자의 수율은 90%이고, GPC(겔크로마토그래피)를 이용한 중량평균 분자량(Mw)은 6,880 이었으며, 다분산도(PD: Polydispersity)는 4.26 였다.
[화학식 1-5]
Figure pat00011

[실시예 1-6] 화학식 1-6로 표시되는 고분자의 제조
4-하이드록시벤젠알데하이드 24.4g(0.2mol) 대신, 4'-하이드록시-1'- 아세토나프톤 37.2g(0.2mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 하기 화학식 1-6(여기서, n은 중합도를 나타낸다)의 고분자를 합성하였다. 합성된 고분자의 수율은 82%이고, GPC(겔크로마토그래피)를 이용한 중량평균 분자량(Mw)은 5,580 이었으며, 다분산도(PD: Polydispersity)는 4.17 였다.
[화학식 1-6]
Figure pat00012

[실시예 1-7] 화학식 1-7로 표시되는 고분자의 제조
4-하이드록시벤젠알데하이드 24.4g(0.2mol) 대신, 10-하이드록시-안트라센 -9-카보알데하이드 44.4g(0.2mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 하기 화학식 1-7(여기서, n은 중합도를 나타낸다)의 고분자를 합성하였다. 합성된 고분자의 수율은 63%이고, GPC(겔크로마토그래피)를 이용한 중량평균 분자량(Mw)은 4,010 이었으며, 다분산도(PD: Polydispersity)는 6.38 였다.
[화학식 1-7]
Figure pat00013

[실시예 1-8] 화학식 1-8로 표시되는 고분자의 제조
4-하이드록시벤젠알데하이드 24.4g(0.2mol) 대신, 6-하이드록시- 파이렌-1-카보알데하이드 49.2g(0.2mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 하기 화학식 1-8(여기서, n은 중합도를 나타낸다)의 고분자를 합성하였다. 합성된 고분자의 수율은 70%이고, GPC(겔크로마토그래피)를 이용한 중량평균 분자량(Mw)은 3,120 이었으며, 다분산도(PD: Polydispersity)는 4.82 였다.
[화학식 1-8]
Figure pat00014

[실시예 1-9] 화학식 1-9로 표시되는 고분자의 제조
4-하이드록시벤젠알데하이드 24.4g(0.2mol) 대신, 4'-하이드록시헵타노페논 41.2g(0.2mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 하기 화학식 1-9(여기서, n은 중합도를 나타낸다)의 고분자를 합성하였다. 합성된 고분자의 수율은 98%이고, GPC(겔크로마토그래피)를 이용한 중량평균 분자량(Mw)은 9,590 이었으며, 다분산도(PD: Polydispersity)는 4.04 였다.
[화학식 1-9]
Figure pat00015

[비교예 1] 화학식 2로 표시되는 고분자의 제조
4-하이드록시벤젠알데하이드 24.4g(0.2mol) 대신, 페놀 18.8g(0.2mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 하기 화학식 2(여기서, n은 중합도를 나타낸다)의 고분자를 합성하였다. 합성된 고분자의 GPC(겔크로마토그래피)를 이용한 중량평균 분자량(Mw)은 5,650 이었으며, 다분산도(PD: Polydispersity)는 4.25 였다.
[화학식 2]
Figure pat00016

상기 실시예 1-1 내지 1-9에서 얻어진 고분자 및 비교예 1에서 얻어진 노볼락 수지에 대하여, 열중량분석기(Thermogravimetric analyzer: TGA, TA사 제품)를 이용하여 열적 안정성을 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
구분 가열(bake) 온도(℃) TGA에 의한 질량 손실(wt%)
실시예 1-1 400 6.5
실시예 1-2 400 5.6
실시예 1-3 400 4.9
실시예 1-4 400 6.8
실시예 1-5 400 5.4
실시예 1-6 400 3.9
실시예 1-7 400 5.5
실시예 1-8 400 5.1
실시예 1-9 400 4.9
비교예 1 400 62.4
[실시예 2-1 내지 2-9] 레지스트 하층막 조성물 제조
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트 (PGMEA) 60g 및 사이클로헥산온(CH) 30g에, 실시예 1-1 내지 1-9에서 얻은 고분자 수지 10g을 각각 용해시켜 용액을 형성하고, 구경 0.45㎛의 마이크로필터로 여과하여, 레지스트 하층막 조성물을 제조하였다.
[실시예 2-10 및 2-11] 레지스트 하층막 조성물 제조
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 상기 실시예 2-1 및 2-4의 조성물에, 열산 발생제로서 TAG-2678(킹인더스트리사 제품) 0.5g을 더욱 첨가하여, 레지스트 하층막 조성물을 제조하였다.
[비교예 2] 레지스트 하층막 조성물 제조
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1-1의 고분자 10g 대신, 비교예 1에서 얻은 고분자 10g을 이용한 것을 제외하고는, 실시예 2-1과 동일한 방법으로, 레지스트 하층막 조성물을 제조하였다
[비교예 3] 레지스트 하층막 조성물 제조
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 상기 비교예 2의 조성물에, 열산 발생제로서 TAG-2678(킹인더스트리사 제품) 0.5g을 더욱 첨가하여, 레지스트 하층막 조성물을 제조하였다.
[비교예 4] 레지스트 하층막 조성물 제조
하기 표 2에 나타낸 바와 같이, 상기 비교예 3의 조성물에, 가교제로서 테트라메톡시메틸글리콜우릴(상품명: MX-270) 1.0g을 더욱 첨가하여, 레지스트 하층막 조성물을 제조하였다.
　 고분자 수지 가교제 열산발생제 용매
구분 고분자 사용량 PGMEA CH
실시예 2-1 화학식 1-1 10g - - 60g 30g
실시예 2-2 화학식 1-2 10g - - 60g 30g
실시예 2-3 화학식 1-3 10g - - 60g 30g
실시예 2-4 화학식 1-4 10g - - 60g 30g
실시예 2-5 화학식 1-5 10g - - 60g 30g
실시예 2-6 화학식 1-6 10g - - 60g 30g
실시예 2-7 화학식 1-7 10g - - 60g 30g
실시예 2-8 화학식 1-8 10g - - 60g 30g
실시예 2-9 화학식 1-9 10g - - 60g 30g
실시예 2-10 화학식 1-1 10g - TAG-2678/ 0.5g 60g 30g
실시예 2-11 화학식 1-4 10g - TAG-2678/ 0.5g 60g 30g
비교예 2 화학식 2 10g - - 60g 30g
비교예 3 화학식 2 10g - TAG-2678/ 0.5g 60g 30g
비교예 4 화학식 2 10g MX-270 / 1g TAG-2678/ 0.5g 60g 30g
[실험예 1] 하층막의 용매 저항성 측정
실시예 2-1 내지 2-11 및 비교예 2 내지 4에서 제조한 레지스트 하층막 조성물을, 스핀 코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼에 각각 도포한 다음, 핫플레이트를 이용하여, 하층막 조성물이 도포된 웨이퍼를 200℃에서 1분간 가열하여, 약 200nm 두께의 레지스트 하층막을 형성하였다. 하층막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA)에 1분간 침지한 후, 110℃에서 1분간 가열하여 잔존 용매를 제거한 후, 하층막의 두께 변화를 측정하였으며, 그 결과를 표 3 에 나타내었다.
구 분 초기 두께 (nm) 침지 후 두께 (nm) 두께 변화량 (nm)
실시예 2-1 200 199 1
실시예 2-2 201 199 2
실시예 2-3 204 204 0
실시예 2-4 203 202 1
실시예 2-5 200 198 2
실시예 2-6 200 200 0
실시예 2-7 205 205 0
실시예 2-8 200 198 2
실시예 2-9 203 203 0
실시예 2-10 201 200 1
실시예 2-11 200 198 2
비교예 2 200 48 152
비교예 3 201 43 158
비교예 4 205 204 1
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따라 형성된 레지스트 하층막은, 종래의 노볼락 계열 레지스트 하층막과 달리, 산 촉매와 가교제를 첨가하지 않아도, 200℃에서 가열 만으로 가교되어, 용매에 의한 레지스트 하층막의 손실을 방지할 수 있다. 그러나, 일반적인 노볼락 수지의 경우, 가교제와 열산 발생제를 모두 포함하는 경우에는(비교예 4), 가교 반응에 의하여 용매 저항성을 가지지만, 열산 발생제만 포함하거나(비교예 3), 가교제 및 열산 발생제를 모두 포함하지 않는 경우에는(비교예 2), 용매에 의한 레지스트 하층막의 손실이 발생하였다. 따라서, 본 발명에 따른 고분자는 열산 발생제(산 촉매) 및 가교제를 첨가하지 않아도, 고분자 내의 카보닐기와 하이드록시기에 의한 자가 가교가 이루어짐을 알 수 있다.
[실험예 2] 굴절율 (n) 및 광학흡광계수(k)의 측정
실시예 2-1 내지 2-11 및 비교예 4에서 제조한 레지스트 하층막 조성물을, 스핀 코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼에 각각 도포한 다음, 핫플레이트를 이용하여, 하층막 조성물이 도포된 웨이퍼를 200℃에서 1분간 가열하여, 약 200nm 두께의 레지스트 하층막을 형성하였다. 분광 엘립소미터 (울람사제)를 사용하여, 248nm 및 193nm 파장에서, 하층막의 굴절율(n값) 및 광학흡광계수(k값)를 측정하였으며, 그 결과를 표 4에 나타내었다.
구 분 굴절률 n
(@ 248nm)		 광학흡광계수 k
(@248nm)		 굴절률 n
(@193nm)		 광학흡광계수 k
(@193nm)
실시예 2-1 1.78 0.71 1.38 0.51
실시예 2-2 1.76 0.80 1.40 0.48
실시예 2-3 1.86 0.80 1.41 0.46
실시예 2-4 1.84 0.74 1.44 0.49
실시예 2-5 1.79 0.79 1.38 0.51
실시예 2-6 1.88 0.81 1.41 0.49
실시예 2-7 1.86 0.80 1.40 0.51
실시예 2-8 1.81 0.79 1.43 0.48
실시예 2-9 1.79 0.79 1.42 0.39
실시예 2-10 1.91 0.78 1.40 0.49
실시예 2-11 1.79 0.81 1.38 0.51
비교예 4 1.92 0.81 1.48 0.70
[실험예 3] 레지스트 하층막의 드라이에칭 속도(에칭 저항성) 측정
실시예 2-1 내지 2-11 및 비교예 4의 조성물을, 웨이퍼에 300nm 두께로 도포한 후, 각각의 하층막을 240℃ 및 400℃에서 각각 1분간 가열(bake)하여, 레지스트 하층막을 형성하였다. 이와 같이 형성된 하층막을, 램리서치사의 TCP9400SE 장비를 이용하여 CF4/CHF3 가스 조건에서 에칭하였으며, 레지스트 하층막의 에칭 전후 두께 차이로부터 에칭 속도를 산출하여, 그 결과를 표 5에 나타내었다.
구분 bake 온도(℃) 에칭속도(Å/sec) bake 온도(℃) 에칭속도(Å/sec)
실시예 2-1 240 85 400 83
실시예 2-2 240 78 400 74
실시예 2-3 240 89 400 89
실시예 2-4 240 78 400 75
실시예 2-5 240 86 400 85
실시예 2-6 240 88 400 82
실시예 2-7 240 79 400 75
실시예 2-8 240 85 400 84
실시예 2-9 240 91 400 76
실시예 2-10 240 76 400 77
실시예 2-11 240 81 400 78
비교예 4 240 120 400 -
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 자가 가교형 고분자로 이루어진 레지스트 하층막은 열적 안정성, 광학적인 특성 및 하드마스크로서의 에칭저항성이 개선되었다. 통상의 노볼락 수지로 이루어진 레지스트 하층막의 경우, 250℃ 이하의 낮은 온도에서는 열적 안정성을 가지지만, 400℃ 정도의 고온에서는 열적 안정성이 저하되는 단점이 있다. 그러나, 본 발명에 따른 자가 가교형 고분자는 반복 단위에 히드록시기와 이와 가교 가능한 카보닐기를 포함함으로써, 가교율이 우수하며, 열적 안정성 및 에칭 저항성이 개선되었다.

Claims (12)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 고분자,
    [화학식 1]
    Figure pat00017

    상기 화학식 1에서, Ar은 탄소수 6 내지 30의 아릴(aryl)기이고, R은 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬(alkyl)기이며, a는 Ar에 치환된 히드록시기(-OH)의 개수로서, 1 내지 3의 정수이고, b는 Ar에 치환된 카보닐기(-COR)의 개수로서, 1 내지 3의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Ar은 방향족 고리기 또는 방향족 접합 고리기인 것인 고분자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 Ar은 벤젠(
    Figure pat00018
    ), 나프탈렌(
    Figure pat00019
    ), 안트라센(
    Figure pat00020
    ), 및 파이렌(
    Figure pat00021
    )으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 고분자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 고분자의 중량평균 분자량은 500 내지 1,000,000 인 것인 고분자.
  5. 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 자가 가교형 고분자,
    [화학식 1]
    Figure pat00022

    (상기 화학식 1에서, Ar은 탄소수 6 내지 30의 아릴(aryl)기이고, R은 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬(alkyl)기이며, a는 Ar에 치환된 히드록시기(-OH)의 개수로서, 1 내지 3의 정수이고, b는 Ar에 치환된 카보닐기(-COR)의 개수로서, 1 내지 3의 정수이다.); 및
    유기 용매를 포함하는 레지스트 하층막 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 유기용매는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 사이클로헥산온(CH), 에틸락테이트(EL), 감마부티로락톤(GBL) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 레지스트 하층막 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 상기 자가 가교형 고분자의 함량은 1 내지 30중량%이고, 상기 유기용매의 함량은 70 내지 99중량%인 것인, 레지스트 하층막 조성물.
  8. 에칭되는 기판의 상부에, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 자가 가교형 고분자 및 유기 용매를 포함하는 레지스트 하층막 조성물을 이용하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계,
    [화학식 1]
    Figure pat00023

    (상기 화학식 1에서, Ar은 탄소수 6 내지 30의 아릴(aryl)기이고, R은 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬(alkyl)기이며, a는 Ar에 치환된 히드록시기(-OH)의 개수로서, 1 내지 3의 정수이고, b는 Ar에 치환된 카보닐기(-COR)의 개수로서, 1 내지 3의 정수이다.);
    상기 레지스트 하층막 상부에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트층을 소정 패턴으로 방사선에 노출시킴으로써 상기 포토레지스트층에 방사선 노출된 영역의 패턴을 생성하는 단계;
    상기 패턴을 따라, 상기 포토레지스트층 및 레지스트 하층막을 선택적으로 제거하여, 상기 패턴의 형태로 상기 기판을 노출시키는 단계; 및
    상기 기판의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 레지스트 하층막을 형성하는 단계는, 상기 레지스트 하층막 조성물을 500 내지 6,000Å의 두께로 기판 상부에 스핀 코팅하고, 180 내지 500℃의 온도에서 50초 내지 180초 동안 가열함으로써 수행되며, 형성된 레지스트 하층막의 두께는 40 내지 550nm인 것인 패턴 형성 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 레지스트 하층막의 제거는 CHF3/CF4 혼합가스를 이용한 드라이 에칭에 의하여 수행되는 것인 패턴 형성 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 유기용매는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 사이클로헥산온(CH), 에틸락테이트(EL), 감마부티로락톤(GBL) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 패턴 형성 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 자가 가교형 고분자의 함량은 1 내지 30중량%이고, 상기 유기용매의 함량은 70 내지 99중량%인 것인 패턴 형성 방법.
KR1020110104607A 2011-10-13 2011-10-13 자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 KR101863634B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110104607A KR101863634B1 (ko) 2011-10-13 2011-10-13 자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110104607A KR101863634B1 (ko) 2011-10-13 2011-10-13 자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130039932A true KR20130039932A (ko) 2013-04-23
KR101863634B1 KR101863634B1 (ko) 2018-06-04

Family

ID=48439942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110104607A KR101863634B1 (ko) 2011-10-13 2011-10-13 자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101863634B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170084820A (ko) * 2016-01-13 2017-07-21 삼성전자주식회사 포토레지스트의 하부막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
CN114326304A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 苏州瑞红电子化学品有限公司 一种耐刻蚀的正性光刻胶

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008207130A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Japan Envirotic Industry Co Ltd フィルタープレスの濾板開離方法及びそれに使用するフィルタープレス
KR20090120827A (ko) * 2008-05-20 2009-11-25 제일모직주식회사 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 반사방지하드마스크 조성물 및　이를 이용한 재료의 패턴화 방법
KR20100023868A (ko) * 2007-05-22 2010-03-04 에이제트 일렉트로닉 머트리얼즈 유에스에이 코프. 융합된 방향족 환을 포함하는 반사방지 코팅 조성물
KR20100080140A (ko) * 2008-12-31 2010-07-08 제일모직주식회사 고 내에칭성 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008207130A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Japan Envirotic Industry Co Ltd フィルタープレスの濾板開離方法及びそれに使用するフィルタープレス
KR20100023868A (ko) * 2007-05-22 2010-03-04 에이제트 일렉트로닉 머트리얼즈 유에스에이 코프. 융합된 방향족 환을 포함하는 반사방지 코팅 조성물
KR20090120827A (ko) * 2008-05-20 2009-11-25 제일모직주식회사 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 반사방지하드마스크 조성물 및　이를 이용한 재료의 패턴화 방법
KR20100080140A (ko) * 2008-12-31 2010-07-08 제일모직주식회사 고 내에칭성 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170084820A (ko) * 2016-01-13 2017-07-21 삼성전자주식회사 포토레지스트의 하부막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
US10712662B2 (en) 2016-01-13 2020-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming patterns using compositions for an underlayer of photoresist
CN114326304A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 苏州瑞红电子化学品有限公司 一种耐刻蚀的正性光刻胶

Also Published As

Publication number Publication date
KR101863634B1 (ko) 2018-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101772726B1 (ko) 유기막 재료, 이것을 이용한 유기막 형성 방법 및 패턴 형성 방법, 및 열분해성 중합체
CN105051609B (zh) 抗蚀剂下层膜组合物及利用其的图案形成方法
TWI405788B (zh) 具有抗反射特性之硬質罩幕組成物及使用其將材料圖案化之方法
KR101873018B1 (ko) 페놀계 단량체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물
US7989144B2 (en) Antireflective coating composition
KR101770749B1 (ko) 반사방지용 하드마스크 조성물
KR100874655B1 (ko) 스핀 온 카본 하드마스크용 축중합체 및 이의 제조방법과축중합체를 포함하는 스핀 온 카본 하드마스크 조성물 및이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법
KR101855506B1 (ko) 방향족 고리 함유 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물
KR20080107210A (ko) 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 기판상 재료의패턴화 방법
KR101832321B1 (ko) 자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
TWI749496B (zh) 具有高厚度特性的旋塗式碳硬質遮罩組成物及利用該組成物的圖案化方法
KR102230039B1 (ko) 반사방지용 하드마스크 조성물
KR101863634B1 (ko) 자가 가교형 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102194297B1 (ko) 인돌-플루오렌 중합체를 함유하는 반사방지용 하드마스크 조성물
CN111458981B (zh) 抗反射用硬掩模组合物
KR102336257B1 (ko) 바이카바졸 유도체를 함유하는 반사방지용 하드마스크 조성물
KR102264694B1 (ko) 고분자 가교제, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물, 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR20210093060A (ko) 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR20160086630A (ko) 새로운 방향족 고리 공중합체 및 이를 포함하는 반사방지용 하드마스크 조성물
KR20190134389A (ko) 반사방지 유기 하드마스크용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR102623450B1 (ko) 반사방지용 하드마스크 조성물
KR102270378B1 (ko) 인돌 유도체를 함유하는 반사방지용 하드마스크 조성물
KR20240037095A (ko) 반사방지용 하드마스크 조성물
KR20230009399A (ko) 화합물 및 그의 제조방법, 산발생제, 조성물, 레지스트막, 하층막, 패턴 형성방법, 및 광학물품
KR20100130417A (ko) 하드마스크용 덴드리머 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant