KR20130033561A - 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프에 관한 것으로, 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층; 및 상기 점착제층 상에 형성된 이형 필름을 포함하고, 상기 기재 필름은 TD(폭 방향) 20 ~ 40 Kgf/㎟, MD(길이 방향) 15 ~ 25 Kgf/㎟ 의 인장강도를 가지며, 상기 점착제층은 10 ~ 50 gf/25㎜의 점착력을 가지는 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프를 제공한다.　 본 발명에 따르면, 다이싱 후 웨이퍼 후면의 충격 시 주변 칩의 뒤틀림 현상을 방지할 수 있고, 적절한 점착력과 함께 내열 안정성이 우수하여 다이싱 시에 발생하는 고온으로 인한 점착제층의 열 변형이 방지된다.

Description

웨이퍼 다이싱용 점착 테이프 {ADHESIVE TAPE FOR DICING WAFER}
본 발명은 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다이싱 후 웨이퍼 후면의 충격 시 주변 칩의 뒤틀림 현상을 방지하고, 적절한 점착력과 함께 내열 안정성이 우수하여 다이싱 시에 발생하는 고온으로 인한 점착제층의 열 변형을 방지할 수 있는 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프에 관한 것이다.
일반적으로, LED 칩 등의 반도체 소자에는 사파이어나 규소 단결정 등의 웨이퍼(wafer)가 사용된다.　 웨이퍼는 미세 패턴이 형성된 후, 다이싱(dicing) 공정을 통해 소정 크기의 낱개의 칩으로 다이싱된다.　 이때, 다이싱 공정에서는 웨이퍼를 부착 고정하기 위한 점착 테이프가 사용된다.　
점착 테이프는 기재 필름 상에 점착제가 코팅된 구조를 갖는다.　 점착 테이프는 다이싱 시 웨이퍼를 고정할 수 있는 정도의 양호한 점착력을 가져야 하며, 이와 함께 다이싱 후에는 웨이퍼로부터 용이하게 박리될 수 있어야 한다.　 또한, 다이싱 후 박리 시에는 점착제 잔사를 남기지 않아야 한다.
일반적으로, 웨이퍼 다이싱 공정은 웨이퍼의 후면에 점착 테이프를 부착한 다음, 고속 회전하는 다이이몬드 휠을 이용하여 웨이퍼를 완전 절단함과 동시에 점착 테이프의 일부를 다이싱하는 방식으로 진행되었다.　 이때, 다이싱 장치에는 다이아몬드 휠과 웨이퍼의 마찰에 의해 발생하는 열을 식히기 위해 냉각수가 분사된다.　 그러나 이 경우 칩의 비산 현상과 이물에 의한 오염 현상이 발생되었다.　
칩의 비산 현상은 다이아몬드 휠의 회전에 따른 진동과 웨이퍼 절단 시의 진동, 그리고 열을 식히기 위해 분사되는 냉각수의 수압으로 인해 발생된다.　 칩의 비산 현상을 방지하기 위해 점착력을 높이는 방법이 고려되었으나, 이 경우에는 칩을 점착 테이프로부터 박리하기가 어렵다.　 또한, 오염 현상은 다이싱 과정에서 발생된 웨이퍼의 잔사 이물과 웨이퍼의 후면에 부착된 점착 테이프의 잔사 이물에 의해 발생된다.
최근에는 위와 같은 칩의 비산 현상과 오염 현상을 방지하기 위해 LED용 사파이어 웨이퍼를 부분 다이싱한 후, 점착 테이프의 후면에서 충격을 가하여 칩을 분리하는 공정을 적용하고 있다.　 구체적으로, 웨이퍼 다이싱 시에 웨이퍼를 전부 절단하지 않고, 웨이퍼 두께의 적게는 10%, 많게는 90% 정도로 일부분 다이싱하고, 이 후 일부분이 잘린 웨이퍼의 후면을 니들핀 등을 이용하여 충격을 가해 절단하는 방식으로 다이싱하고 있다.
이때, 종래 점착 테이프의 기재 필름으로는 선형 저밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 극저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌초산비닐 및 메탈로센폴리에틸렌 등의 폴리올레핀이나 폴리비닐클로라이드(PVC)를 주로 사용하고 있다.　 그리고 점착제로는 아크릴계 점착제가 사용된다.　 예를 들어, 대한민국 등록특허 제10-0557875호에는 기재 필름으로서 PVC를 사용하고, 점착제로서 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 프로필아크릴레이트 등의 아크릴계 점착제를 사용한 다이싱용 점착 테이프가 제시되어 있다.
그러나 종래의 점착 테이프는 기재 필름으로서 PVC 등의 연질 필름이 사용되어 웨이퍼 다이싱 후, 후면의 충격 시에 주변 칩의 뒤틀림 현상이 발생되고, 이에 따라 불량률이 높은 문제점이 있다.　
또한, 종래의 아크릴계 점착제의 경우 점착력은 양호하나, 이는 다이싱 시 다이아몬드 휠과 웨이퍼 사이에서 발생되는 고온으로 인해 점착제층의 열 변형이 발생되는 문제점이 있다.　 구체적으로, 종래의 아크릴계 점착제는 상온 점착력은 우수하나, 내열 안정성이 떨어져 다이싱 시 발생되는 고온의 열에 의해 변형되어 점착력이 상승되고, 박리 시 잔사를 남겨 웨이퍼 칩을 오염시키는 문제점이 있다.　
　
이에, 본 발명은 다이싱 후 웨이퍼 후면의 충격 시 주변 칩의 뒤틀림 현상을 방지하고, 적절한 점착력을 가지면서 내열 안정성이 우수하여 다이싱 시에 발생하는 고온으로 인한 점착제층의 열 변형을 방지할 수 있는 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프를 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
기재 필름;
상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층; 및
상기 점착제층 상에 형성된 이형 필름을 포함하고,
상기 기재 필름은 TD(폭 방향) 20 ~ 40 Kgf/㎟, MD(길이 방향) 15 ~ 25 Kgf/㎟ 의 인장강도를 가지며,
상기 점착제층은 10 ~ 50 gf/25㎜의 점착력을 가지는 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프를 제공한다.　
바람직한 구현예에 따라서, 상기 점착제층은 아크릴모노머와 에피클로로하이드린을 반응시켜 얻은 에폭시아크릴레이트 올리고머를 포함한다.　 이때, 상기 에폭시아크릴레이트 올리고머는 아크릴모노머 100중량부에 대하여 에피클로로하이드린 50내지 300중량부를 반응시켜 얻은 것이 좋다.
본 발명에 따르면, 다이싱 후 웨이퍼 후면의 충격 시 주변 칩의 뒤틀림 현상을 방지하고, 적절한 점착력을 가지면서 내열 안정성이 우수하여 다이싱 시에 발생하는 고온으로 인한 점착제층의 열 변형이 방지되는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프의 예시적인 사용 상태도로서, 웨이퍼 다이싱 공정도를 보인 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.　 도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프(이하, '점착 테이프'로 약칭한다.)의 단면도를 보인 것이다.　 도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프의 예시적인 사용 상태도로서, 웨이퍼를 다이싱하는 공정을 보인 것이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 점착 테이프는 기재 필름(10); 상기 기재 필름(10) 상에 형성된 점착제층(20); 및 상기 점착제층(20) 상에 형성된 이형 필름(30)을 포함한다.　 본 발명에 따른 점착 테이프는 사파이어나 규소 단결정 등의 LED칩용 웨이퍼(W) 다이싱 공정에 사용된다.　 구체적으로, 도 2에 예시한 바와 같이, 본 발명에 따른 점착 테이프는 웨이퍼(W)를 다이아몬드 휠(H) 등과 같은 절단 수단을 통해 낱개의 칩(C)으로 다이싱하는 공정에서 웨이퍼(W)의 후면에 부착되어 사용된다.　 이때, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)에 부착 시 이형 필름(30)은 박리 제거된다.　　
본 발명에 따라서, 상기 기재 필름(10)은 TD(폭 방향) 20 ~ 40 Kgf/㎟, MD(길이 방향) 15 ~ 25 Kgf/㎟의 인장강도를 갖는 것이 사용된다.　 본 발명에서 인장강도는 일반 플라스틱 필름의 통상적인 인장강도 측정방법에 따른 측정치로서, 인장강도 기기(SHIMADZU AGS-100D)를 이용하여 ASTM D 882 시험규정에 의거하여 측정된 값이 될 수 있다.　
본 발명에 따르면, 기재 필름(10)이 상기 범위의 인장강도를 가짐으로 인하여, 다이싱 공정이 개선된다.　 즉, 다이싱 후에는 웨이퍼(W)의 후면에서 니들핀 등으로 충격을 가해 낱개의 칩(C)으로 분리하는 데, 상기 니들핀의 충격 시 주변 칩(C)의 뒤틀림이 방지된다.　 이때, 기재 필름(10)의 인장강도가 TD에서 20 Kgf/㎟ 미만, MD에서 15 Kgf/㎟ 미만인 경우, 웨이퍼(W)의 후면 충격 시 종래와 같이 주변 칩(C)의 뒤틀림이 발생될 수 있다.　 그리고 인장강도가 TD에서 40 Kgf/㎟를 초과, MD에서 25 Kgf/㎟를 초과하는 경우 다이싱 공정에서의 작업성이 떨어진다.　 즉, 인장강도가 너무 높은 경우, 뻣뻣함이 심하여 다이싱 장치로의 이송 공급성이나 취급성이 떨어진다.　 이러한 점을 고려하여, 상기 기재 필름(10)은 TD(폭 방향) 20 ~ 40 Kgf/㎟, MD(길이 방향) 15 ~ 25 Kgf/㎟의 인장강도를 갖는 것이 좋다.　
본 발명에서 기재 필름(10)은 상기 범위의 인장강도를 갖는 것이면 제한되지 않는다.　 기재 필름(10)은 예를 들어 폴리올레핀계(폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등)나 폴리비닐클로라이드계 등의 베이스 수지에 상기 범위의 인장강도를 갖게 하기 위한 보강제가 첨가되어 구성될 수 있다.　 기재 필름(10)은, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 또는 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 필름으로부터 선택될 수 있다.　 또한, 기재 필름(10)은 35㎛ ~ 200㎛의 두께를 갖는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 50㎛ ~ 100㎛의 두께를 갖는 것이 좋다.　
상기 점착제층(20)은 10 ~ 50 gf/25㎜의 점착력(상온 점착력)을 갖는다.　 이때, 점착제층(20)의 점착력이 10 gf/25㎜ 미만인 경우 웨이퍼(W)의 다이싱 시 진동이나 냉각수 수압에 의해 칩(C)의 비산 현상이 일어날 수 있으며, 점착력이 50 gf/25㎜를 초과한 경우, 다이싱 후 칩(C)으로부터 용이하게 박리되지 않을 수 있다.　 이러한 점을 고려하여, 점착제층(20)은 10 ~ 50 gf/25㎜의 점착력을 갖는 것이 좋다.
또한, 상기 점착제층(20)은 통상의 아크릴계 점착제를 사용할 수 있으나, 본 발명의 바람직한 구현예에 따라서 상기 점착제층(20)은 에폭시아크릴레이트 올리고머를 포함한다.　 즉, 점착제층(20)은 점착제 유효 성분으로서 에폭시아크릴레이트 올리고머를 포함한다.　 이때, 상기 에폭시아크릴레이트 올리고머는 아크릴모노머(acrylic monomer)와 에피클로로하이드린(epichlorohydrin)을 반응시켜 얻은 것이 사용된다.　 상기 아크릴모노머는 제한되지 않는다.　 아크릴모노머는 예를 들어 아크릴산 등으로부터 선택될 수 있다.　 이때, 상기 아크릴모노머는 점착력을 위해 사용되며, 상기 에피클로로하이드린은 내열 안정성 개선을 위해 사용된다.
본 발명에 따르면, 상기 에피클로로하이드린은 다른 에폭시기 유도체보다 아크릴모노머와 반응성이 좋고 점착력을 개선시키며, 이는 특히 내열 안정성을 증가시킨다.　 이는 구체적으로 상온과 고온(다이싱 시 발생하는 고온, 예를 들어 150℃) 사이에서 안정적인 다이싱 작업이 가능한 점착력를 가지는 우수한 내열 안정성을 갖게 함을 알 수 있었다.　 이에 따라, 다이싱 시 다이아몬드 휠(H)과 웨이퍼(W) 사이에서 발생되는 고온으로 인한 점착제층(20)의 열 변형을 방지하여, 다이싱 시 고온에 의한 점착력 상승이 최소화되어 박리 용이성을 갖는다. 그리고 박리 시 점착제 잔사를 남기지 않아 칩(C)의 오염을 방지한다.　
또한, 상기 에폭시아크릴레이트 올리고머는 아크릴모노머 100중량부에 대하여 에피클로로하이드린 50중량부 이상을 반응시켜 얻은 것이 바람직하다.　 구체적으로는, 아크릴모노머 100중량부에 대하여 에피클로로하이드린 50 내지 300중량부를 반응시켜 얻은 것이 바람직하다. 이때, 상기 에피클로로하이드린이 50중량부 미만이면 이의 사용에 따른 내열 안정성 개선 효과가 미미할 수 있으며, 300중량부를 초과하면 미반응 에피클로로하이드린의 제거가 완전히 이루어지지 않아 다이싱 공정 중에 사파이어 웨이퍼 표면에 잔사가 남을 수 있다. 더욱 바람직하게는 아크릴모노머 100중량부에 대하여 에피클로로하이드린 100 내지 200중량부를 반응시켜 얻은 것이 좋다.
상기 점착제층(20)은 점착제 유효 성분으로서 에폭시아크릴레이트 올리고머를 포함하되, 통상적으로 사용되는 가교제, 경화제 등의 부가성분을 포함할 수 있다.　 특별히 한정하는 것은 아니지만, 에폭시아크릴레이트 올리고머 100중량부에 대하여, 상기 가교제는 0.2 ~ 5.0중량부, 경화제는 0.1 ~ 3.0중량부로 사용될 수 있다.　 상기 가교제는 예를 들어 이소시아네이트계 및 에폭시계 등으로부터 선택될 수 있으며, 상기 경화제는 디에틸렌트리아민, 벤질디메틸아민, N-아미노에틸피페라진, 메타페닐렌디아민 등으로 선택될 수 있다.　부가적으로, 상기 점착제층(20)은 충전제, 노화방지제 및 착색제 등의 첨가제를 필요에 따라 더 포함할 수 있다.　 아울러, 상기 점착제층(20)은 예를 들어 2㎛ ~ 50㎛의 두께를 가질 수 있다.　
상기 점착제층(20)은 에폭시아크릴레이트 올리고머를 포함하되, 상기 에폭시아크릴레이트 올리고머의 합성 시 사용되는 아크릴모노머와 에피클로로하이드린의 함량, 그리고 부가 성분이나 첨가제의 종류 및 함량 등의 조절을 통해, 상온과 고온(120 ~ 180℃)에서의 점착력 차이(ΔP)가 15 gf/25㎜ 이하인 것이 좋다. 구체적으로, 상기 점착제층(20)은 아래의 수학식을 만족하는 것이 좋다.
[수학식]
ΔP = P2 - P1
위 식에서, P1 : 상온에서의 점착력이고, P2 : 고온을 가한 후의 점착력이며, ΔP는 15 gf/25㎜ 이하이다. 이때, 상온은 통상의 온도로서, 5 ~ 35℃의 사이 값을 가질 수 있으며, 상기 고온은 다이싱 시에 발생되는 온도로서 120 ~ 180℃, 보다 구체적으로는 150℃ ± 5℃가 될 수 있다.
한편, 상기 이형 필름(30)은 점착제층(20)을 보호하는 것으로서, 이는 다이싱 장치로 이송 공급 시, 점착제층(20)에 이물질이 혼입되는 것을 방지한다.　 이형 필름(30)은 이형성을 가지는 것이면 제한되지 않는다.　 이형 필름(30)은 예를 들어 수지 필름에 실리콘 등으로 이형 처리된 것을 사용할 수 있다.　 바람직한 예로는 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름을 사용할 수 있다.　
상기 이형 필름(30)은 사용 시에 점착제층(20)으로부터 쉽게 박리될 수 있는 것이면 좋으며, 1 ~ 20 gf/25㎜의 이형력, 즉 점착제층(20)과의 이형력이 1 ~ 20 gf/25㎜인 것이 바람직하다.　이때, 이형 필름(30)의 이형력이 1 gf/25㎜ 미만이면 이송 과정에서 쉽게 벗겨질 수 있으며, 20 gf/25㎜를 초과하는 경우 쉽게 박리되지 않을 수 있다.　 이러한 이형 필름(30)의 이형력은 이형 필름(30)의 실리콘 이형제 처리 정도를 통해 조절될 수 있다.　 이형 필름(30)은, 더욱 바람직하게는 2 ~ 6 gf/25㎜ 정도의 이형력을 가지는 것이 적합하다.
　이상에서 설명한 본 발명에 따르면, 상기한 바와 같이 기재 필름(10)이 적정 범위의 인장강도를 가짐으로 인하여, 다이싱 후 웨이퍼(W) 후면의 충격 시 주변 칩(C)의 뒤틀림 현상이 방지된다.　 아울러, 점착제층(20)이 적절한 범위의 점착력을 가짐으로 인하여 다이싱 시 칩(C)의 비산 현상이 방지되고, 다이싱 후 칩(C)의 픽업 시 용이하게 박리된다.　
또한, 본 발명에 따르면, 상기 점착제층(20)이 아크릴모노머와 에피클로로하이드린으로부터 중합된 에폭시아크릴레이트 올리고머를 포함하여 우수한 내열 안정성을 갖는다.　 즉, 상온에서의 점착력과 고온에서의 점착력 차이가 작다.　 이에 따라, 다이싱 시 고온으로 인한 열 변형이 방지되어 점착력 저하가 최소화한다.　 그리고 다이싱 후 박리 시 고온에 의한 점착제 잔사를 남기지 않아 칩(C)의 오염을 방지한다.　
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예를 예시한다.　 하기의 실시예는 본 발명의 이해를 돕도록 하기 위해 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 기술적 범위가 한정되는 것은 아니다.　
[실시예 1]
인장강도 측정법에 따른 인장강도가 TD(폭 방향) 20.4 Kgf/㎟, MD(길이 방향) 22.3 Kgf/㎟인 PET 필름을 준비하고, 상기 PET 필름 상에 점착제를 코팅하였다.　 점착제는 에폭시아크릴레이트 올리고머 100중량부에 가교제로서 이소시안 1.5중량부, 경화제로서 벤질디메틸아민 1.0중량부를 균일하게 혼합하여 제조하였으며, PET 필름 상에 바 코팅하였다.　 이때, 상기 에폭시아크릴레이트 올리고머는 아크릴산 100중량부에 대하여 에피클로로하이드린 200중량부를 첨가하여 반응시킨 것을 사용하였다.
[실시예 2 내지 3]
상기 실시예 1와 대비하여, PET 필름의 경우에는 두께와 인장강도가 다른 것을 사용하였다.　 또한, 점착제의 경우에는 실시예 1에서 제조한 점착제를 사용하되, 에폭시아크릴레이트 올리고머의 합성 시 아크릴산에 대한 에피클로로하이드린의 함량을 달리한 것을 사용하였다.
[비교예 1]
상기 실시예 3과 비교하여, 두께와 인장강도가 다른 PET필름을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실시한 것을 본 비교예 1에 따른 시편으로 사용하였다.　
[비교예 2]
통상과 같이 폴리비닐클로라이드(PVC) 필름에 실시예 2에 따른 점착제를 코팅한 것을 본 비교예 2에 따른 시편으로 사용하였다.　
[비교예 3]
저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름에 통상의 아크릴계 점착제를 코팅한 것을 본 비교예 3에 따른 시편으로 사용하였다.　
[비교예 4]
PET필름에 점착제를 코팅하였다. 이때, 상기 점착제는 에틸아크릴레이트와 에폭시 수지(노블락형)의 혼합물 100중량부에 가교제로서 이소시안 1.5중량부, 경화제로서 벤질디메틸아민 1.0중량부를 균일하게 혼합한 것을 본 비교예 4에 따른 시편으로 사용하였다.
상기 각 실시예 및 비교예에 따른 점착 테이프 시편에 대하여, 웨이퍼 다이싱 공정에 적용하여 니들핀 충격 시 주변 칩의 뒤틀림 현상과 작업성(다이싱 장치로의 이송 공급성)을 평가하였다.　 또한, 상온(22℃)에서의 점착력과 고온(150℃)에서의 점착력을 측정하여 비교하고, 이와 함께 칩 비산현상과 다이싱 후의 칩 박리 용이성을 평가하였다.　
이상의 결과를 하기 [표 1]에 나타내었다.
　　　　　　　　　　　　　　 < 평가 결과 >
비　 고 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
기재 필름 PET PET PET PET PVC PE PET
기재 필름의
두께(㎛)		 50 75 100 50 60 50 50
인장강도
(Kgf/mm2)		 TD : 20.4
MD : 22.3		 TD : 27.6
MD : 22.4		 TD : 34.0
MD : 24.5		 TD : 52.3
MD : 37.5		 TD : 5.1
MD : 6.1		 TD : 1.6
MD : 1.5		 TD : 20.4
MD : 27.6
칩 뒤틀림 없음 없음 없음 없음 발생 발생 없음
작업성 양호 양호 양호 불량 불량 불량 불량
점착력
(gf/25㎜)		 상온
(22℃)		 12 11 13 13 11 23 60
고온
(150℃)		 24 22 24 23 25 55 85
칩 비산현상 양호 양호 양호 양호 양호 양호 양호
칩 박리용이성 양호 양호 양호 양호 양호 양호 불량
상기 [표 1]에 보인 바와 같이, 기재 필름의 인장강도는 칩의 뒤틀림 현상과 작업성에 상관 관계가 있음을 알 수 있었다.　 즉, 적정 범위의 인장강도를 가지는 본 발명의 실시예에 따른 점착 테이프의 경우, 니들핀 충격 시 주변 칩의 뒤틀림 현상이 방지됨을 알 수 있었다.　 그러나, 비교예 1과 같이 인장강도가 너무 높은 경우에는 이송 공급 과정에서 취급이 어렵고, 종래의 비교예 2 및 3과 같이 인장강도가 낮은 경우에는 주변 칩의 뒤틀림 현상이 발생하고 이로 인해 작업성이 좋지 않음을 알 수 있었다.
또한, 본 발명의 실시예에 따라 점착제로서 아크릴산과 에피클로로하이드린을 반응시킨 에폭시아크릴레이트 올리고머를 사용하는 경우, 상온과 고온에서 점착력 차이가 작아 우수한 내열 안정성을 가짐을 알 수 있다.　 즉, 다이싱 후 고온에 의한 점착력 변형이 작아 박리가 용이함을 알 수 있었다. 그러나 종래의 점착제의 경우 고온에서 점착력이 높아 다이싱 후 박리가 어려움을 알 수 있었다.
10 : 기재 필름　 　　　　　　　　　　　　 　 20 : 점착제층
30 : 이형 필름　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 W : 웨이퍼
C : 칩　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 H : 다이아몬드 휠

Claims (6)

  1. 기재 필름;
    상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층; 및
    상기 점착제층 상에 형성된 이형 필름을 포함하고,
    상기 기재 필름은 TD(폭 방향) 20 ~ 40 Kgf/㎟, MD(길이 방향) 15 ~ 25 Kgf/㎟의 인장강도를 가지며,
    상기 점착제층은 10 ~ 50 gf/25㎜의 점착력을 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기재 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 또는 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 필름인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 점착제층은 아크릴모노머와 에피클로로하이드린을 반응시켜 얻은 에폭시아크릴레이트 올리고머를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 에폭시아크릴레이트 올리고머는 아크릴모노머 100중량부에 대하여 에피클로로하이드린 50 내지 300중량부를 반응시켜 얻은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 이형 필름의 이형력은 1 ~ 20 gf/25㎜인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 점착 테이프.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 점착제층은 상온과 고온(120 ~ 180℃)에서의 점착력 차이가 15 gf/25㎜ 이하인 것을 특징으로 하는　웨이퍼 다이싱용 점착 테이프.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101580544B1 (ko) * 2015-11-24 2015-12-28 정찬수 Uv 경화형 다이싱 필름
KR20220058031A (ko) 2020-10-30 2022-05-09 율촌화학 주식회사 유동성이 우수한 에폭시 접착제 조성물 및 이를 포함하는 다이 어태치 필름

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