KR20130024506A

KR20130024506A - 자성기판 및 자성기판 제조방법

Info

Publication number: KR20130024506A
Application number: KR1020110087992A
Authority: KR
Inventors: 김용석; 허강헌; 이상문; 유영석; 곽정복; 위성권
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2011-08-31
Filing date: 2011-08-31
Publication date: 2013-03-08
Also published as: JP5718864B2; KR101506760B1; US20130052439A1; JP2013055333A

Abstract

본 발명은 자성기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 자성물질의 입자크기가 서로 다른 제1 자성층과 제2 자성층을 구비하여 소성과정에서 발생하는 수축률의 편차로 인한 문제를 해결할 수 있다.

Description

자성기판 및 자성기판 제조방법{MAGNETIC SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC SUBSTRATE}

본 발명은 자성기판 및 자성기판 제조방법에 관한 것이다.

최근들어 디지털 TV, 스마트폰, 노트북 등과 같은 전자기기들은 고주파 대역에서의 데이터를 송수신하는 경우가 많아지고 있으며, 향후에도 이러한 전자기기들이 유에스비(USB), 블루투스(Bluetooth), 지그비(Zigbee) 등 다양한 통신방식으로 연결되어 다기능, 복합 기능화되어 사용되는 빈도가 증가할 것으로 예상된다.

한편, 이러한 데이터 송수신을 빠르게 진행하기 위하여 과거의 메가헤르츠(MHz) 대역의 주파수 신호를 사용하던 것을 점차 고주파 대역으로 이동하여 최근에는 주로 기가 헤르츠(GHz) 대역의 고주파수 신호를 사용하고 있다.

그런데, 기기들 사이에서 수십 내지 수백 GHz에 해당하는 고주파 신호를 송수신할 경우 신호의 지연 및 송수신 왜곡 등의 방해요인들로 인하여 데이터를 원활하게 처리하는데 어려움이 발생되고 있다.

특히, 디지털 TV 등과 같이 통신, 영상, 음향 신호 라인등의 다양한 포트-투-포트(port-to-port)간의 연결시, 앞서 설명한 신호 지연과 송수신 왜곡과 같은 문제점이 더욱 빈번하게 발생할 수 있다.

이러한 문제를 해결하기 위해 노이즈 감소장치(EMI 대책 부품) 등을 배치하고 있다. 기존에 사용하고 있는 EMI 대책부품들은 권선형 또는 적층형 타입으로 구현되고 있으며, 사이즈가 크고 전기적 특성이 비교적 낮았기 때문에 일부 회로기판 등 한정된 영역에만 사용될 수 있었다.

상기와 같은 권선형, 적층형 커먼모드 필터의 문제점들을 해결하는 동시에, 전자기기의 슬림화 및 소형화 추세에 부응하기 위하여 박막형 커먼모드필터에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다.

박막형 커먼모드필터는 페라이트 등의 자성체를 소결하여 형성되는 자성체 기판상에 절연층을 형성하고 여기에 도체 패턴을 형성하는 방식으로 제조될 수 있다.

그런데, 종래의 자성체 기판을 소성하는 과정에서 수축률의 차이로 인한 휨 변형 현상 등이 발생되었다. 이는 자성층을 형성하는 자성물질이 소성과정에서 가로, 세로, 두께 방향으로 불규칙하게 성장하기 때문이다.

예를 들면, 자성체 기판의 외곽부분과 중앙부분의 두께가 달라짐으로써 휨 현상이 발생하게 되면 작은 충격에도 크랙이 발생할 수 있으므로 신뢰성이 감소된다.

또한, 자성체 기판의 소성밀도의 차이가 발생할 수도 있는데, 이러한 소성밀도의 차이로 인하여 포토리소그라피 공정 등에 사용되는 화학 처리액이 자성체 기판 내부로 스며들어 내부 공극을 유발하거나 침식을 일으키기도 한다.

또한, 이러한 자성체 기판상에 도전패턴을 형성할 경우에도 도 1(a) 내지 도 1(c)에 예시한 바와 같이 외곽 패턴이 무너지거나(a), 도체패턴과 기판사이가 갈라지거나(b), 도체패턴의 상부면 형상이 변화(c)될 수 있다.

이러한 경우, 커먼모드필터의 결합계수가 감소되거나, 신뢰성이 저하되는 등의 문제를 유발하게 된다.

한편, 이러한 문제를 해결하기 위하여 제안된 특허문헌1에는 자성체 세라믹 소자를 도금액 속에 침지하여, 내부도체층이 자성체 세라믹 소자의 표면에 노출되는 부분으로부터 도금액을 내부에 침투시킴으로써 자성체 세라믹층과 내부도체층과 공극이 형성되게 하는 기술이 기재되어 있었으나, 자성체 기판의 제조공정상 효율이 낮아 상용화되지 못하였다.

특허문헌1 : 일본 특허 공개 제2004-22798호

상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 창안된 본 발명은 소성과정에서 휨 변형이 최소화 될 수 있는 자성기판 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 창안된 본 발명의 일실시예에 따른 자성기판은, 제1 자성물질로 이루어지는 제1 자성층; 및 제2 자성물질로 이루어지는 제2 자성층; 을 포함하며, 상기 제1 자성물질과 제2 자성물질은 동일한 물질이고, 입자크기가 서로 다른 것일 수 있다.

이때, 상기 제2 자성물질의 입자크기는 상기 제1 자성물질의 입자크기의 6배 내지 50배인 것일 수 있다.

또한, 상기 제1 자성물질의 입자크기는 1 내지 5 ㎛이고, 상기 제2 자성물질의 입자크기는 30 내지 50 ㎛일 수 있다.

한편, 상기 제1 자성층의 상면 및 하면에 각각 상기 제2 자성층이 구비될 수 있다.

이때, 상기 제1 자성층의 두께는 상기 제2 자성층의 두께의 2.5 내지 14배일 수 있다.

또한, 상기 제1 자성층의 두께는 500 내지 700 ㎛이고, 상기 제2 자성층의 두께는 50 내지 200 ㎛일 수 있다.

또한, 상기 제1 자성층의 측면에 상기 제2 자성층이 더 구비될 수 있다.

또 다른 한편으로는, 상기 제1 자성층의 상면 및 하면 각각의 모서리부에 상기 제2 자성층이 구비될 수 있다.

이때, 상기 제1 자성층의 두께는 상기 제2 자성층의 두께의 2 내지 7배일 수 있다.

또한, 상기 제1 자성층의 두께는 400 내지 700 ㎛이고, 상기 제2 자성층의 두께는 100 내지 200 ㎛일 수 있다.

또한, 상기 제1 자성층의 길이는 상기 제2 자성층의 길이의 3.2 내지 6.7배일 수 있다.

또한, 상기 제1 자성층의 길이는 8 내지 12 mm이고, 상기 제2 자성층의 길이는 1.8 내지 2.5 mm일 수 있다.

한편, 상기 제1 자성층의 상면 및 하면에 각각 상기 제2 자성층이 구비되고, 상기 제1 자성층의 내부에 적어도 한 개의 제2 자성층이 구비될 수도 있다.

이때, 상기 제2 자성층의 두께는 50 내지 200 ㎛일 수 있다.

또한, 상기 제1 자성층 및 제2 자성층의 두께는 50 내지 200 ㎛일 수 있다.

본 발명의 일실시예에 따른 자성기판 제조방법은, (A) 베이스기판의 상부면에 제2 자성물질을 도포하는 단계; (B) 상기 제2 자성물질의 상부면에 제1 자성물질을 도포하는 단계; (C) 상기 제1 자성물질의 상부면에 제2 자성물질을 도포하는 단계; 및 (D) 상기 (C) 단계 이후에 자성물질들을 소성하는 단계;를 포함하며, 상기 제1 자성물질과 제2 자성물질은 입자크기가 서로 다를 수 있다.

이때, 상기 (D) 단계는 10 내지 50MPa의 압력으로 가압하면서 수행되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 (D) 단계는 600 내지 900 ℃의 온도에서 수행되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 (D) 단계는 600 내지 900 ℃의 온도에서 2 내지 3시간 동안 수행되는 것이 바람직하다.

한편, 상기 (C) 단계 이후에 상기 (B) 단계로 피드백되어, 상기 (B) 단계 및 (C) 단계를 적어도 1회 더 시행한 후 (D) 단계를 수행할 수도 있다.

본 발명의 일실시예에 따른 자성기판 제조방법은, (A) 베이스기판의 상부면 상에서 서로 분리된 좌측부 및 우측부의 영역에 제2 자성물질을 도포하는 단계; (B) 상기 제2 자성물질의 상부면 및 상기 베이스기판의 상부면에 제1 자성물질을 도포하는 단계; (C) 상기 제1 자성물질의 상부면 상에서 서로 분리된 좌측부 및 우측부의 영역에 제2 자성물질을 도포하는 단계; 및 (D) 상기 (C) 단계 이후에 자성물질들을 소성하는 단계;를 포함하며, 상기 제1 자성물질과 제2 자성물질은 입자크기가 서로 다른 것일 수 있다.

상기와 같이 구성된 본 발명은, 자성기판의 수축률 편차가 종래보다 감소될 수 있다는 유용한 효과를 제공한다.

또한, 자성기판의 수축률 편차를 감소시키면서도 자성기판 전체가 동일한 재료로 이루어지기 때문에, 자성기판의 자화특성이 종래보다 개선된다는 유용한 효과를 제공한다.

도 1(a)는 종래기술에 따른 자성체 기판의 수축률 차이로 인한 도체패턴 불량 사례를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 1(b)는 종래기술에 따른 자성체 기판의 수축률 차이로 인한 도체패턴 불량 사례를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 1(c)는 종래기술에 따른 자성체 기판의 수축률 차이로 인한 도체패턴 불량 사례를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 자성기판을 개략적으로 예시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 제조공정을 개략적으로 예시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 제조공정을 개략적으로 예시한 도면이다.
도 10(a)는 종래기술에 따른 자성기판의 미세구조를 보인 도면이다.
도 10(b)는 본 발명의 일실시예에 따른 자성기판의 미세구조를 보인 도면이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 기술 등은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 함과 더불어, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용효과를 더욱 상세하게 설명한다.

본 발명의 일실시예에 따른 자성기판은, 입자크기가 서로 다르지만, 물질의 종류 자체는 동일한 제1 자성물질과 제2 자성물질로 이루어지는 제1 자성층과 제2 자성층으로 이루어질 수 있다.

일반적으로, 입자크기가 작을수록 입성장이 빠르게 진행되고, 입자크기가 클수록 입성장이 느리게 진행된다. 즉, 입성장 속도는 입자크기와 반비례 관계에 있다.

이는 입자크기가 작을수록 해당 물질의 비표면적이 커지게 되어 소결 구동력이 커지기 때문인 것으로 이해될 수 있다.

상기와 같은 원리를 고려하면, 입자크기가 상대적으로 작은 제1 자성물질로 이루어지는 제1 자성층이 제2 자성층보다 신속하게 소결될 수 있으며, 이러한 제1 자성층의 소결시 수축률의 차이로 인하여 발생되는 두께의 편차, 길이의 편차들은 제2 자성층의 소결과정에서 완화될 수 있게 되는 것이다.

이때, 상기 제2 자성물질의 입자크기가 상기 제1 자성물질의 입자크기의 6배 내지 50배의 범위에서 결정되는 것이 바람직하다.

구체적으로, 상기 제1 자성물질의 입자크기는 1 내지 5 ㎛이고, 상기 제2 자성물질의 입자크기는 30 내지 50 ㎛일 수 있다.

제1 자성물질의 입자 크기가 1 ㎛ 보다 작을 경우 공극 문제가 발생할 수 있고, 제1 자성물질의 입자 크기가 5 ㎛ 보다 클 경우 입자간의 응집 덩어리가 생성되어 국부적인 강도 저하문제가 발생하게 된다.

또한, 제2 자성물질의 입자 크기가 30㎛ 보다 작을 경우 제1 자성층의 수축률 차이로 인한 변형을 완충하지 못하고, 제2 자성물질의 입자 크기가 50㎛ 보다 클 경우 제1 자성물질과의 결합력이 저하되어 상분리, 기판 내의 공극 문제 등이 발생할 수 있을 뿐만 아니라, 소성 후 층이 분리되는 이른바 디라미네이션(Delamination)현상이 발생할 수 있다.

도 2 내지 도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 자성기판을 개략적으로 예시한 도면이다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 자성기판(100)은 제1 자성층(110)의 상면 및 하면에 각각 상기 제2 자성층(120)이 구비될 수 있다.

이때, 상기 제1 자성층(110)의 두께는 상기 제2 자성층(120)의 두께의 2.5 내지 14배일 수 있다.

구체적으로, 상기 제1 자성층(110)의 두께는 500 내지 700 ㎛이고, 상기 제2 자성층(120)의 두께는 50 내지 200 ㎛일 수 있다.

제1 자성층(110)의 두께에 비하여 제2 자성층(120)의 두께가 너무 두꺼우면 입성장이 크게 발생하여 공극과 소성밀도가 저하된다.

반대로, 제1 자성층(110)의 두께에 비하여 제2 자성층(120)의 두께가 너무 얇으면 제1 자성층(110)의 수축률 차이로 인한 변형 현상을 방지할 수 없게 된다.

이에 따라, 제2 자성층(120)은 제1 자성층(110)의 소결시 발생하는 수축률의 편차로 인한 자성기판(100)의 두께 편차를 흡수할 수 있게 되는 것이다.

도 3를 참조하면 본 발명의 제2실시예에 따른 자성기판(200)은 제1 자성층(210)의 상면 및 하면 각각의 모서리부에 제2 자성층(220)을 구비한다.

이때, 제1 자성층(210)의 두께는 제2 자성층(220)의 두께의 2 내지 7배일 수 있고, 제1 자성층(210)의 길이는 상기 제2 자성층(220)의 길이의 3.2 내지 6.7배일 수 있다.

구체적으로, 두께는 제1 자성층(210)이 400 내지 700 ㎛, 제2 자성층(220)이 100 내지 200 ㎛일 수 있고, 길이는 제1 자성층(210)이 8 내지 12 mm이고, 제2 자성층(220)이 1.8 내지 2.5 mm일 수 있다.

제1 자성층(210)의 두께에 비하여 제2 자성층(220)의 두께가 너무 두꺼우면 입성장이 크게 발생하여 공극과 소성밀도가 저하되는 문제가 발생한다.

반대로, 제1 자성층(210)의 두께에 비하여 제2 자성층(220)의 두께가 너무 얇으면 수축률 차이로 인한 변형을 충분히 완충할 수 없다.

또한, 제1 자성층(210)의 길이에 비하여 제2 자성층(220)의 길이가 너무 길면 상분리가 발생하여 크랙 또는 디라미네이션 현상이 발생된다.

반대로, 제1 자성층(210)의 길이에 비하여 제2 자성층(220)의 길이가 너무 짧으면 수축률 차이로 인한 변형을 충분히 완충할 수 없다.

제1 자성층(210)의 수축률의 편차로 인한 자성기판(200)의 변형은 일반적으로 모서리부에서 극대화되는데, 상기와 같이 구성된 자성기판(200)은 모서리부에서의 수축률 편차에 따른 변형을 효과적으로 감소시킬 수 있다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 자성기판(300)은, 제1실시예에 따른 자성기판과 달리 제1 자성층(310)의 내부에 제2 자성층(320)이 적어도 한 개의 층으로 형성되어 있다.

또한, 제1 자성층(310) 및 제2 자성층(320)의 두께는 50 내지 200 ㎛일 수 있다.

제1 자성층(310) 및 제2 자성층(320)의 두께가 너무 얇으면 깨지기가 쉽고 수축이 심하게 발생하게 되며, 제1 자성층(310) 및 제2 자성층(320)의 두께가 너무 두꺼우면 가공 및 표면조도 제어가 곤란해진다.

한편, 도 5 내지 도 7은 전술한 제1실시예 내지 제3실시예와 달리 제1 자성층의 측면도 제2 자성층이 구비될 수 있음을 예시하고 있다.

이에 따라, 제1 자성층의 수축률의 편차로 인한 수평방향의 변형도 감소시킬 수 있게 된다.

도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 제조공정을 개략적으로 예시한 도면이다.

먼저, 베이스기판(10)의 상부면에 제2 자성물질(120a)을 도포한다.

다음으로, 제2 자성물질(120a)의 상부면에 제1 자성물질(110a)을 도포한다.

다음으로, 제1 자성물질(110a)의 상부면에 제2 자성물질(120a)을 도포한다.

이상의 과정을 완료한 이후에 자성물질들을 소성함으로써 자성기판을 제조할 수 있다.

이때, 제1 자성물질의 입자크기는 1 내지 5 ㎛이고, 상기 제2 자성물질의 입자크기는 30 내지 50 ㎛일 수 있으며, 구체적인 사항은 전술한 내용과 중복되므로 설명을 생략한다.

한편, 상기 소성과정은 가압판(20)을 이용하여 가압함과 동시에 수행될 수 있는데, 이때, 10 내지 50MPa의 압력으로 가압하면서 수행되는 것이 바람직하다.

압력이 너무 크면 크랙이 발생할 수 있고, 국부적인 수축률 편차가 발생할 수 있고, 압력이 너무 작으면 소성밀도가 낮고 휨 변형이 발생할 수 있다.

또한, 상기 소성 온도는 600 내지 900 ℃의 온도에서, 2 내지 3시간 동안 수행되는 것이 바람직하다.

상기 온도 범위를 벗어나면 과 900℃ 이상에서는 입성장으로 인해 입자간의 결합력 저하와 공극 문제가 있으며 600℃ 이하에서는 파우더의 입자간의 응집력 저하로 소결밀도 저하와 동시에 유전율 ,투자율 ,Q값과 같은 전기적 재료 특성 저하가 발생 할 수 있다.

또한, 상기 시간 범위를 벗어나면 기판의 소결이 이루어지지 않아 소성밀도가 낮아지고, 결정상이 발생하지 않아 투자율, Q값과 같은 특성이 저하되는 문제가 있다.

도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 제조공정을 개략적으로 예시한 도면이다.

본 실시예는 도 3에서 예시한 본 발명의 제2실시예에 따른 자성기판(200)을 제조하기 위한 공정에 해당한다.

도 9를 참조하면, 먼저 베이스기판(10)의 상부면 상에서 서로 분리된 좌측부 및 우측부의 영역에 제2 자성물질(220a)을 도포한다.

이때, 상기 제2 자성물질(220a)을 도포하는 방식은 스크린프린팅 방식 등 다양한 방식을 적용할 수 있다.

다음으로, 제2 자성물질(220a)의 상부면 및 상기 베이스기판(10)의 상부면에 제1 자성물질(210a)을 도포한다.

다음으로, 제1 자성물질(210a)의 상부면 상에서 서로 분리된 좌측부 및 우측부의 영역에 제2 자성물질(220a)을 도포한다.

다음으로, 소성공정을 수행하여 자성기판을 완성할 수 있게 된다.

소성공정에 관한 구체적인 사항은 전술한 바와 동일하므로 중복적인 설명은 생략한다.

도 10(a)는 종래기술에 따른 자성기판의 미세구조를 보인 도면이고, 도 10(b)는 본 발명의 일실시예에 따른 자성기판의 미세구조를 보인 도면이다. 도 10을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 자성기판에서 자성체층의 입자성장 및 수축이 균일하게 이루어지고 있음을 알 수 있다.

한편, 제1 자성층만으로 이루어진 자성기판과 본 발명의 일실시예에 따른 자성기판의 평탄도를 비교해본 결과, 본 발명의 일실시예에 따른 자성기판의 평탄도가 제1 자성층만으로 이루어진 경우에 비하여 약 4배 이상 향상됨을 확인할 수 있었다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

1 : 자성체 기판
2 : 도체패턴
10 : 베이스기판
20 : 가압판
110, 210, 310 : 제1 자성층
120, 220, 320 : 제2 자성층
110a, 210a, 310a : 제1 자성물질
120a, 220a, 320a : 제2 자성물질

Claims

제1 자성물질로 이루어지는 제1 자성층; 및
제2 자성물질로 이루어지는 제2 자성층;
을 포함하며,
상기 제1 자성물질과 제2 자성물질은 동일한 물질이고, 입자크기가 서로 다른 것인
자성기판.
제1항에 있어서,
상기 제2 자성물질의 입자크기는 상기 제1 자성물질의 입자크기의 6배 내지 50배인 것인
자성기판.
제1항에 있어서,
상기 제1 자성물질의 입자크기는 1 내지 5 ㎛이고, 상기 제2 자성물질의 입자크기는 30 내지 50 ㎛인
자성기판.
제1항에 있어서,
상기 제1 자성층의 상면 및 하면에 각각 상기 제2 자성층이 구비되는 것인
자성기판.
제4항에 있어서,
상기 제1 자성층의 두께는 상기 제2 자성층의 두께의 2.5 내지 14배인
자성기판.
제4항에 있어서,
상기 제1 자성층의 두께는 500 내지 700 ㎛이고, 상기 제2 자성층의 두께는 50 내지 200 ㎛인
자성기판.
제4항에 있어서,
상기 제1 자성층의 측면에 상기 제2 자성층이 더 구비되는 것인
자성기판.
제1항에 있어서,
상기 제1 자성층의 상면 및 하면 각각의 모서리부에 상기 제2 자성층이 구비되는 것인
자성기판.
제8항에 있어서,
상기 제1 자성층의 두께는 상기 제2 자성층의 두께의 2 내지 7배인
자성기판.
제8항에 있어서,
상기 제1 자성층의 두께는 400 내지 700 ㎛이고, 상기 제2 자성층의 두께는 100 내지 200 ㎛인
자성기판.
제8항에 있어서,
상기 제1 자성층의 길이는 상기 제2 자성층의 길이의 3.2 내지 6.7배인
자성기판.
제8항에 있어서,
상기 제1 자성층의 길이는 8 내지 12 mm이고, 상기 제2 자성층의 길이는 1.8 내지 2.5 mm인
자성기판.
제8항에 있어서,
상기 제1 자성층의 두께는 상기 제2 자성층 두께의 2 내지 7배 이고, 상기 제1 자성층의 길이는 상기 제2자성층 길이의 3.2 내지 6.7 배인
자성기판.
제8항에 있어서,
상기 제1 자성층의 두께는 400 내지 700 ㎛, 길이는 8 내지 12 mm 이고, 상기 제2 자성층의 두께는 100 내지 200 ㎛, 1.8 내지 2.5 mm인
자성기판.
제8항에 있어서,
상기 제1 자성층의 측면에 상기 제2 자성층이 더 구비되는 것인
자성기판.
제1항에 있어서,
상기 제1 자성층의 상면 및 하면에 각각 상기 제2 자성층이 구비되고,
상기 제1 자성층의 내부에 적어도 한 개의 제2 자성층이 구비되는 것인
자성기판.
제16항에 있어서,
상기 제2 자성층의 두께는 50 내지 200 ㎛인
자성기판.
제16항에 있어서,
상기 제1 자성층 및 제2 자성층의 두께는 50 내지 200 ㎛인
자성기판.
제16항에 있어서,
상기 제1 자성층의 측면에 상기 제2 자성층이 더 구비되는 것인
자성기판.
(A) 베이스기판의 상부면에 제2 자성물질을 도포하는 단계;
(B) 상기 제2 자성물질의 상부면에 제1 자성물질을 도포하는 단계;
(C) 상기 제1 자성물질의 상부면에 제2 자성물질을 도포하는 단계; 및
(D) 상기 (C) 단계 이후에 자성물질들을 소성하는 단계;
를 포함하며,
상기 제1 자성물질과 제2 자성물질은 입자크기가 서로 다른 것인
자성기판 제조방법.
제20항에 있어서,
상기 제1 자성물질의 입자크기는 1 내지 5 ㎛이고, 상기 제2 자성물질의 입자크기는 30 내지 50 ㎛인
자성기판 제조방법.
제20항에 있어서,
상기 (D) 단계는 10 내지 50MPa의 압력으로 가압하면서 수행되는 것인
자성기판 제조방법.
제20항에 있어서,
상기 (D) 단계는 600 내지 900 ℃의 온도에서 수행되는 것인
자성기판 제조방법.
제20항에 있어서,
상기 (D) 단계는 600 내지 900 ℃의 온도에서 2 내지 3시간 동안 수행되는 것인
자성기판 제조방법.
제20항에 있어서,
상기 (C) 단계 이후에 상기 (B) 단계로 피드백되어, 상기 (B) 단계 및 (C) 단계를 적어도 1회 더 시행한 후 (D) 단계를 수행하는 것인
자성기판 제조방법.
(A) 베이스기판의 상부면 상에서 서로 분리된 좌측부 및 우측부의 영역에 제2 자성물질을 도포하는 단계;
(B) 상기 제2 자성물질의 상부면 및 상기 베이스기판의 상부면에 제1 자성물질을 도포하는 단계;
(C) 상기 제1 자성물질의 상부면 상에서 서로 분리된 좌측부 및 우측부의 영역에 제2 자성물질을 도포하는 단계; 및
(D) 상기 (C) 단계 이후에 자성물질들을 소성하는 단계;
를 포함하며,
상기 제1 자성물질과 제2 자성물질은 입자크기가 서로 다른 것인
자성기판 제조방법.