KR20130007579A - 플라즈마 식각 방법 - Google Patents

플라즈마 식각 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20130007579A
KR20130007579A KR1020127024367A KR20127024367A KR20130007579A KR 20130007579 A KR20130007579 A KR 20130007579A KR 1020127024367 A KR1020127024367 A KR 1020127024367A KR 20127024367 A KR20127024367 A KR 20127024367A KR 20130007579 A KR20130007579 A KR 20130007579A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching
gas
plasma
silicon substrate
tapered
Prior art date
Application number
KR1020127024367A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101303842B1 (ko
Inventor
나오야 이케모토
타카시 야마모토
요시유키 노자와
Original Assignee
에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 filed Critical 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20130007579A publication Critical patent/KR20130007579A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101303842B1 publication Critical patent/KR101303842B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

보잉 형상을 방지하고, 표면이 매끄러운 테이퍼 형상의 식각 구조(홀이나 홈)를 형성하는 것이 가능한 플라즈마 식각 방법을 제공한다. 불소계 가스 및 질소 가스를 사용하고, 상기 가스를 동시에 플라즈마화하는 동시에 플라즈마화한 질소 가스로 실리콘 기판(K)에 내식각층을 형성하면서 플라즈마화한 불소계 가스로 실리콘 기판(K)을 식각하는 제1 공정을 실시한 후, 불소계 가스 및 산소계 가스를 사용하고, 상기 가스를 동시에 플라즈마화하면서 그와 함께, 플라즈마화한 산소계 가스로 실리콘 기판(K)에 내식각층을 형성하면서 플라즈마화한 불소계 가스로 실리콘 기판(K)을 식각하는 제2 공정을 실시하고, 실리콘 기판(K)에 상부의 개구 폭이 넓고, 바닥부의 폭이 좁은 테이퍼진 형상의 식각 구조(H)(홀이나 홈)를 형성한다.

Description

플라즈마 식각 방법{PLASMA ETCHING METHOD}
본 발명은, 소정의 처리 가스를 플라즈마화하여 실리콘 기판을 식각하고, 해당 실리콘 기판에 상부의 개구 폭이 넓고, 바닥부의 폭이 좁은 테이퍼진(tapered) 형상(선단으로 갈수록 좁아지는 형상)의 식각 구조(테이퍼 식각 구조)를 형성하는 플라즈마 식각 방법에 관한 것이다.
실리콘 기판의 식각에 의해 형성되는 식각 구조(홀이나 홈)의 측벽은, 도 3b에 나타낸 바와 같이, 수직이 아니라 경사를 이루며, 상부의 개구 폭이 넓고 바닥부의 폭이 좁아지도록 테이퍼 형상으로 할 경우가 있다.
또한, 이러한 테이퍼 형상의 식각 구조를 실리콘 기판에 형성하는 식각 방법으로서는 종래에는, 예를 들면, 특허 문헌 1에 공개된 기술이 알려져 있다. 이어란 식각 방법은 브롬화수소 및 산소의 혼합 가스를 식각 가스로서 사용하고, 이와 같은 혼합 가스를 플라즈마화하여 실리콘 기판을 식각하는 것이다.
상기 식각 방법에서는, 산소 가스의 플라즈마화에 의해 실리콘 기판에 내(耐)식각층인 산화막이 형성되어 브롬화수소 가스의 플라즈마화에 의해 실리콘 기판이 식각되기 때문에, 식각 구조의 측벽이 산화막에 의해 보호되면서 식각이 진행되며, 이에 따라 식각에 의해 형성되는 식각 구조가 테이퍼진 형상이 된다.
선행 기술 문헌
특허 문헌 1：일본 특허 공개 공보 평02-89310호
그러나 상술한 종래의 식각 방법과 같이, 산소 가스를 플라즈마화함으로써 실리콘 기판에 형성되는 산화막에 의해 측벽을 보호하도록 한 것으로는, 실리콘 기판의 깊이 방향으로는 식각이 진행되기 쉬우나, 마스크의 직하부가 언더컷(undercut)되는 것과 같은 실리콘 기판의 폭 방향으로는 식각이 진행되기 어렵다. 따라서 산소 가스를 플라즈마화하는 것으로는, 측벽 상부가 원호 형상으로 도려내어진 형상(보잉(bowing) 형상)이 되기 쉬워져서(도 8 참조) 양호한 식각 형상을 얻을 수 없다.
또한, 보잉 형상을 한 식각 구조가 형성되면, 예를 들어, 테이퍼진 형상의 식각 구조를 형성한 후, 화학 기상 증착(CVD) 처리로 성막할 경우에 보잉 형상이 균질의 증착에 장애가 되므로, 보잉 형상 부분에 박막을 형성하기 어려워지는 문제를 야기한다. 따라서 보잉 형상이 형성되지 않도록, 테이퍼진 형상으로 실리콘 기판을 식각하는 것이 바람직하다.
또한, 내식각층은, 예를 들어, 8플루오르화부텐(C4F8) 가스 등의 불화 탄소 가스를 플라즈마화하여 중합막을 형성함으로써도 형성할 수 있다. 이로 인하여, 상기 산소 가스 대신 불화 탄소 가스를 사용하여, 상기 불화 탄소 가스로 형성되는 중합막을 내식각층으로 하거나, 또는 상기 산소 가스에 추가적으로 불화 탄소 가스를 사용하여, 산소 가스로 형성되는 산화막 및 불화 탄소 가스로 형성되는 중합막을 내식각층으로 하여 실리콘 기판을 식각하거나 할 수도 있다.
그러나 상기 불화 탄소 가스를 플라즈마화하여 중합막을 형성했을 경우에는, 측벽의 표면이 거친 상태(표면의 조도가 나쁜 상태)가 되기 쉬워져(도 6 참조), 고도로 정밀한 식각 구조를 얻을 수 없다. 이는, 플라즈마화한 불화 탄소 가스로 형성되는 내식각층이 실리콘 기판의 표면에 퇴적된 중합막으로서, 예를 들어, 플라즈마화한 산소 가스와 실리콘 원자와의 화학 반응에 의해 실리콘 기판의 표면에 형성되는 산화막과 같이 균일하게 형성되기 어렵기 때문이라고 생각된다. 다시 말하면, 중합막이 얇은 부분(중합물의 퇴적이 적은 부분)에서는 식각되기 쉽고 중합막이 두터운 부분(중합물의 퇴적이 많은 부분)에서는 식각되기 어렵기 때문에, 식각이 진행되기 쉬운 부분과 진행되기 어려운 부분에서 요철이 생기는 것이다. 이러한 요철이 잔사(마이크로 마스크)가 되므로, 식각 상태에 얼룩이 생겨 식각된 막 표면이 거친 상태(표면의 조도가 나쁜 상태)가 되는 것으로 알려져 있다.
그리고 표면의 조도가 나쁘면, 예를 들어, 테이퍼진 형상의 식각 구조를 형성한 후, 화학 기상 증착(CVD) 처리로 성막할 경우에, 막 두께가 균일한 박막을 형성할 수 없다고 하는 문제가 발생하게 된다. 따라서 표면의 조도가 나빠지지 않도록 실리콘 기판을 식각하는 것이 바람직하다.
본 발명은 이상과 같은 실정에 비추어 안출 것으로서, 보잉 형상을 방지하고, 표면이 매끄러운 테이퍼진 형상의 식각 구조를 형성하는 것이 가능한 플라즈마 식각 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
처리 가스를 플라즈마화하여 실리콘 기판을 식각하고, 상기 실리콘 기판에 상부의 개구 폭이 넓고 바닥부의 폭이 좁은 테이퍼진 형상의 홀 또는 홈을 형성하는 플라즈마 식각 방법으로서,
상기 처리 가스로서 불소계 가스 및 질소 가스를 사용하여, 상기 가스를 플라즈마화하는 동시에 플라즈마화한 질소 가스로 상기 실리콘 기판에 내식각층을 형성하면서, 플라즈마화한 불소계 가스로 상기 실리콘 기판을 식각하는 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법에 관한 것이다. 상기 불소계 가스와 상기 질소 가스의 플라즈마화는 동시라도 좋고 동시가 아니라도 좋다.
본 발명에 의하면, 불소계 가스 및 질소 가스를 처리 가스로서 사용하고, 상기 가스를 플라즈마화하여 실리콘 기판을 식각한다. 구체적으로는, 질소 가스를 플라즈마화함으로써 실리콘 기판에 내식각층(예를 들어, 질화실리콘(SiN)으로 이루어지는 질화막)을 형성하면서, 불소계 가스를 플라즈마화함으로써 실리콘 기판의 식각을 진행시킨다.
플라즈마화한 질소 가스로 내식각층을 형성했을 경우에는, 플라즈마화한 산소 가스로 내식각층을 형성했을 경우에 비하여 마스크의 직하부가 언더컷되는 방향으로 식각되기 쉽다. 따라서 플라즈마화한 질소 가스로 내식각층을 형성했을 경우에는 보잉 형상이 형성되기 어렵다.
또한, 플라즈마화한 질소 가스로 내식각층을 형성했을 경우에는, 플라즈마화한 질소 가스와 실리콘 원자의 화학 반응에 의해 실리콘 기판의 표면에 형성되는 내식각층이 실리콘 기판의 표면에 퇴적되는 중합막과 같이 내식각층의 층 두께가 쉽게 불균일해지지 않으며, 이에 따라 식각에 의해 형성되는 식각 구조의 표면은 요철이 적고 매끄러운 것이 된다. 또한, 일반적으로는, 질소 가스로 형성되는 내식각층을 사용하는 것이 산소 가스로 형성되는 내식각층을 사용하는 것보다도 표면은 요철이 적고 매끄러운 것이 된다.
이와 같이, 실리콘 기판이 식각되며, 해당 실리콘 기판에는 상부의 개구 폭이 넓고 바닥부의 폭이 좁은 테이퍼진 형상의 식각 구조가 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 식각 방법에 의하면, 보잉 형상이 없으며, 또한 표면이 매끄러운 테이퍼진 형상의 식각 구조를 형성할 수 있다.
또한, 상술한 구성에 있어서, 식각 때에 있어서의 질소 가스의 공급 유량이나 식각 시 챔버 내의 압력을 조정하는 것에 의해, 형성된 식각 구조의 테이퍼진 상태를 제어하는 것도 바람직하다. 여기서, 상기 식각 구조의 테이퍼진 상태라는 것은 형성된 테이퍼진 형상 이외에도 그 표면의 조도도 포함된다.
또한, 표면의 조도라는 용어는 JIS 규격을 따라 '대상물의 표면에서 랜덤하게 취출한 각 부분에 있어서의 표면의 조도를 나타내는 파라미터인 산술 평균 조도(Ra), 최대 높이(Ry), 10점 평균 조도(Rz), 요철의 평균 간격(Sm), 국부 정점의 평균 간격(S) 및 부하 길이율(tp)' 중에서 하나 또는 그 조합으로 나타내는 개념이다.
상술한 구성에 의하면, 비교적 조정하기 쉬운 프로세스 조건을 변경하는 것으로서, 테이퍼진 상태를 간편하게 제어할 수 있다. 이에 의해, 보잉 형상이 없으며, 또한 표면이 매끄러운 테이퍼진 형상의 식각 구조를 형성하는 것이 가능해진다.
한편, 플라즈마화한 질소 가스로 내식각층을 형성한 경우, 플라즈마화한 산소 가스로 내식각층을 형성한 경우에 비하여 내식각층의 강도가 낮기 때문에, 식각 구조의 폭 방향으로의 식각이 진행되기 쉽고, 식각 구조의 깊이 방향으로의 식각이 진행되기 어렵다. 이로 인하여, 식각 구조의 깊이 방향으로의 식각 속도가 늦어지고, 일정 수준 이상의 식각 속도를 얻을 수 없는 경우가 있다.
따라서, 이 경우에는, 상기 불소계 가스 및 상기 질소 가스를 플라즈마화하여 상기 실리콘 기판을 식각하는 공정인 제1 공정을 실시한 후, 상기 처리 가스로서 불소계 가스 및 산소계 가스를 사용하고, 상기 가스를 플라즈마화하는 동시에 플라즈마화한 산소계 가스로 상기 실리콘 기판에 내식각층을 형성하면서, 플라즈마화한 불소계 가스로 상기 실리콘 기판을 식각하는 제2 공정을 수행하여도 좋다. 상기 불소계 가스와 상기 산소계 가스의 플라즈마화는 동시라도 좋고 동시가 아니라도 좋다.
이와 같이, 플라즈마화한 산소계 가스로 내식각층을 형성했을 때에는, 플라즈마화한 질소 가스로 내식각층을 형성했을 때보다도 내식각층의 강도가 높아지기 때문에, 식각 구조의 폭 방향보다도 식각 구조의 깊이 방향으로 식각이 진행되기 쉬워진다는 점에서 보다 효율적으로 깊이 방향으로의 식각을 진행시킬 수 있다.
이 경우, 상기 제1 공정에서 형성된 식각 구조의 측벽은 질소 가스의 플라즈마화에 의해 형성된 내식각층에 의해 보호되어 보잉 형상이 되는 것이 방지되며, 또한, 상기 제2 공정에서의 식각에 의해 새롭게 형성된 측벽이 산소계 가스의 플라즈마화에 의해 형성되는 내식각층(예를 들어, 산화실리콘(SiO2)으로 이루어지는 산화막)에 의해 보호되면서 식각이 진행된다. 또한, 상기 플라즈마화한 산소계 가스와 실리콘 원자의 화학 반응에 의해 실리콘 기판의 표면에 내식각층이 형성되기 때문에, 실리콘 기판의 표면에 퇴적되는 중합막과 같이 내식각층의 층 두께가 쉽게 불균일해지지 않으며, 이에 의해 상기 제2 공정에서 형성되는 식각 구조의 표면에 대해서도 요철이 적고 매끄러운 것이 된다.
전술한 바와 같이, 2단계로 식각을 진행하고, 제1 공정에서 형성된 식각 구조에 대하여 제2 공정에서 깊이 방향으로 식각을 더 진행시키면, 상술한 바와 같이, 보잉 형상이 없고 표면이 매끄러운 테이퍼 형상의 식각 구조를 형성할 수 있는 것 이외에도, 보다 빠른 식각 속도를 얻을 수 있다는 점에서 깊이가 깊은 식각 구조라고 하더라도 보다 짧은 시간에 식각을 종료시킬 수 있다.
또한, 질소 가스의 플라즈마화에 의해 내식각층을 형성하는 제1 공정에서는 산소계 가스의 플라즈마화에 의해 내식각층을 형성하는 제2 공정보다도 식각 구조의 폭 방향으로의 식각이 진행되기 쉽다는 점에서, 상기 제1 공정 및 상기 제2 공정을 순차적으로 실시할 경우, 상기 제1 공정의 처리 시간이 길면 그만큼 식각 구조의 폭 방향으로 식각이 진행되고, 상기 제1 공정에서 형성되는 식각 구조의 측벽과 상기 제2 공정에서 형성되는 식각 구조의 측벽의 경계에서 단차가 생기기 쉽다.
여기서, 상기 제1 공정의 처리 시간을 4초 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 상기 제1 공정에서 폭 방향으로의 식각을 충분히 실시하여 보잉 형상이 방지되는 테이퍼진 형상의 식각 구조를 얻을 수 있다. 그리고 상기 제1 공정의 처리 시간을 10초 이하로 하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 상기 제1 공정에서 형성되는 식각 구조의 폭 방향으로의 식각을 일정 범위 내로 억제하고, 그 측벽과 제2 공정에서 형성되는 식각 구조의 측벽의 단차가 생기기 어렵게 할 수 있다(생겼다고 하더라도 미비하다).
또한, 상기 불소계 가스로서는, 예를 들어, 육불화황(SF6) 가스나 사불화탄소(CF4) 가스를 들 수 있고, 상기 산소계 가스로서는, 예를 들어, 산소(O2) 가스를 들 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 식각 방법에 의하면, 상부의 개구 폭이 넓고 바닥부의 폭이 좁은 테이퍼진 형상의 홀 또는 홈을 실리콘 기판에 형성함에 있어서, 불소계 가스 및 질소 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마화한 질소 가스로 실리콘 기판에 내식각층을 형성하면서, 플라즈마화한 불소계 가스로 실리콘 기판을 식각하므로, 보잉 형상을 방지하고, 표면이 매끄러운 테이퍼진 형상의 식각 구조(테이퍼진 식각 구조)를 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 플라즈마 식각 방법을 실시하기 위한 식각 장치의 개력적인 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 있어서의 표면 조도의 측정 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 실시 형태에 따른 플라즈마 식각 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 4는 제1 식각 공정의 처리 시간이 길 경우에 발생하는 문제점을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5a는 실시예 1에 따른 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 5b는 실시예 1에 따른 테이퍼진 식각 구조의 상부를 나타내는 현미경 사진이다.
도 5c는 실시예 1에 따른 테이퍼진 식각 구조의 바닥부를 나타내는 현미경 사진이다.
도 6a는 비교예 1에 따른 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 6b는 비교예 1에 따른 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 6c는 비교예 1에 따른 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 7은 실시예 2에 따른 테이퍼진 식각 구조의 단면을 나타내는 현미경 사진이다.
도 8은 비교예 2에 따른 식각 구조의 단면을 나타내는 현미경 사진이다.
도 9는 실시예 1 및 2와 비교예 1 및 2의 실험 조건을 정리한 표이다.
도 10a는 공급하는 질소 가스의 유량을 변경한 실험에 있어서의 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 10b는 도 10a의 테이퍼진 식각 구조의 상부 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 11a는 공급하는 질소 가스의 유량을 변경한 실험에 있어서의 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 11b는 도 11a의 테이퍼진 식각 구조의 상부 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 12a는 공급하는 질소 가스의 유량을 변경한 실험에 있어서의 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 12b는 도 12a의 테이퍼진 식각 구조의 상부 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 13a는 공급하는 질소 가스의 유량을 변경한 실험에 있어서의 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 13b는 도 13a의 테이퍼진 식각 구조의 상부 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 14a는 공급하는 질소 가스의 유량을 변경한 실험에 있어서의 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 14b는 도 14a의 테이퍼진 식각 구조의 상부 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 15는 도 10 내지 도 14의 실험 결과를 정리한 표이다.
도 16a는 챔버 내의 압력을 변경한 실험에 있어서의 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 16b는 도 16a의 테이퍼진 식각 구조의 상부 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 16c는 도 16b의 테이퍼진 식각 구조의 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 17a는 챔버 내의 압력을 변경한 실험에 있어서의 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 17b는 도 17a의 테이퍼진 식각 구조의 상부 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 17c는 도 17b의 테이퍼진 식각 구조의 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 18a는 챔버 내의 압력을 변경한 실험에 있어서의 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 18b는 도 18a의 테이퍼진 식각 구조의 상부 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 18c는 도 18b의 테이퍼진 식각 구조의 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 19는 도 16 내지 도 18의 실험 결과를 정리한 표이다.
도 20은 테이퍼진 식각 구조의 단면에 있어서의 테이퍼 각도의 결정 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 21a는 플래턴(platen) 파워를 변경한 실험에 있어서의 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 21b는 도 21a의 테이퍼진 식각 구조의 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 22a는 플래턴 파워를 변경한 실험에 있어서의 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 22b는 도 22a의 테이퍼진 식각 구조의 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 23a는 플래턴 파워를 변경한 실험에 있어서의 테이퍼진 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이다.
도 23b는 도 23a의 테이퍼진 식각 구조의 측면을 확대한 현미경 사진이다.
도 24는 도 21 내지 도 23의 실험 결과를 정리한 표이다.
1. 장치의 구성
이하, 본 발명의 구체적인 실시 형태들에 대해서 첨부된 도면들에 근거하여 설명한다.
우선, 도 1에 근거하여, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 플라즈마 식각 방법을 실시하기 위한 식각 장치(1)에 대해서 설명한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 상기 식각 장치(1)는, 폐쇄 공간을 갖는 처리 챔버(11), 처리 챔버(11) 내에 승강이 자유롭도록 설치되며, 실리콘 기판(K)이 재치(載置)되는 베이스대(15), 베이스대(15)를 승강시키는 승강 실린더(18), 처리 챔버(11) 내의 압력을 감압시키는 배기 장치(20), 처리 챔버(11) 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 장치(25), 처리 챔버(11) 내에 공급된 처리 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 생성 장치(30), 그리고 베이스대(15)에 고주파 내지 저주파 전력을 공급하는 전원(35)을 구비한다.
상기 처리 챔버(11)는 서로 연통된 내부 공간을 갖는 하부 챔버(12) 및 상부 챔버(13)로 구성되며, 상부 챔버(13)는 하부 챔버(12)보다도 작게 형성된다. 상기 베이스대(15)는 실리콘 기판(K)이 재치되는 상부 부재(16)와 승강 실린더(18)가 연결되는 하부 부재(17)로 구성되며, 하부 챔버(12) 내에 배치되어 있다.
상기 배기 장치(20)는 하부 챔버(12)의 측면에 연결된 배기관(21)을 구비하고, 배기관(21)을 통해 처리 챔버(11) 내의 기체를 배기하여 처리 챔버(11)의 내부의 압력을 소정의 압력으로 만든다.
상기 가스 공급 장치(25)는, 육불화황(SF6) 가스를 공급하는 가스 공급부(26), 질소(N2) 가스를 공급하는 가스 공급부(27), 산소(O2) 가스를 공급하는 가스 공급부(28), 그리고 한쪽 단부가 상부 챔버(13)의 상면에 연결되고, 다른 단부가 분기되어 각 가스 공급부들(26, 27, 28)에 각각 연결된 공급관(29)을 구비하며, 각 가스 공급부들(26, 27, 28)로부터 공급관(29)을 통해 처리 챔버(11) 내에 육불화황(SF6) 가스, 질소(N2) 가스, 산소(O2) 가스를 각각 공급한다.
상기 육불화황(SF6) 가스, 상기 질소(N2) 가스, 상기 산소(O2) 가스 등은 각기 상기 처리 가스로서 처리 챔버(11) 내에 공급되는 것으로서, 상기 육불화황(SF6) 가스 대신에, 예를 들어, 사불화탄소(CF4) 가스 등의 불소계 가스를 공급하도록 하여도 좋다.
상기 플라즈마 생성 장치(30)는, 상부 챔버(13)의 외주부에 상하로 병설되는 복수의 링 형상을 한 코일들(31)과 각 코일들(31)에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원(32)으로 구성되며, 고주파 전원(32)에 의해 코일들(31)에 고주파 전력을 공급하는 것에 의해, 상부 챔버(13) 내에 공급된 육불화황(SF6) 가스, 질소(N2) 가스, 산소(O2) 가스를 플라즈마화한다.
상기 전원(35)은 베이스대(15)에 고주파 전력을 공급하는 것으로서, 베이스대(15)와 플라즈마 사이에 전위차(바이어스 전위)를 생기게 하고, 육불화황(SF6) 가스의 플라즈마화에 의해 생성된 이온을 실리콘 기판(K)에 입사시킨다.
2. 식각 구조의 형성
이하, 전술한 바와 같이 구성된 식각 장치(1)를 사용하여, 상부의 개구 폭이 넓고 바닥부의 폭이 좁은 테이퍼진(tapered) 형상의 식각 구조를 실리콘 기판(K)에 형성하는 플라즈마 식각 방법에 대해서 설명한다.
우선, 실리콘 기판(K)을 식각 장치(1) 내에 반입하여 베이스대(15) 위에 재치하는 반입 공정을 실시한 후, 육불화황(SF6) 가스 및 질소(N2) 가스의 혼합 가스를 플라즈마화하여 베이스대(15) 위의 실리콘 기판(K)을 식각하는 제1 식각 공정을, 예를 들면, 약 4초 이상 약 10초 이하의 시간 동안 실시한다.
상기 제1 식각 공정에 있어서, 가스 공급부들(26, 27)로부터 육불화황(SF6) 가스 및 질소(N2) 가스를 처리 챔버(11) 내에 각기 공급하며, 배기 장치(20)로 처리 챔버(11) 내를 소정의 압력으로 만들고 고주파 전원들(32, 35)에 의해 코일들(31) 및 베이스대(15)에 고주파 전력이 각각 공급된다. 한편, 질소(N2) 가스의 바람직한 공급 유량은, 예를 들어, 육불화황(SF6) 가스의 공급 유량의 약 0.75배 이상 약 1.0배 이하다. 또한, 후술하는 실험 결과를 얻을 수 있도록, 테이퍼진 식각 구조의 표면 조도를 양호한 것으로 하기 위하여, 질소(N2) 가스의 공급 유량을 약 100sccm 내지 약 400sccm 정도의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.
처리 챔버(11) 내에 공급된 육불화황(SF6) 가스 및 질소(N2) 가스는 플라즈마화되며, 플라즈마화된 육불화황(SF6) 가스로 실리콘 기판(K)이 식각되고, 플라즈마화된 질소(N2) 가스로 실리콘 기판(K)에 내식각층이 형성된다. 또한, 후술하는 실험 결과를 얻을 수 있도록, 상기 테이퍼진 식각 구조의 표면 조도를 양호한 것으로 하기 위해서는 처리 챔버(11) 내의 압력을 약 12Pa 내지 약 25Pa 정도의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.
이하의 실시예들에 있어서, 표면 조도를 산출함에 있어, 도 2에 나타낸 바와 같이, 현미경의 단면 사진에 근거하여, JIS 정의의 최대 높이(Ry)에 준하고, 적당한 기준 길이에 있어서의 상부 정점선과 하부 정점선의 간격을 측정하여 평가하고 있다. 단, 특허 청구 범위에 있어서의 "표면 조도"라는 용어는 실시예들에 있어서의 평가 방법에 의한 것으로 한정되는 것은 아니며, 상술한 JIS 규격에 따른 임의의 것을 채용할 수 있다.
구체적으로는, 육불화황(SF6) 가스에서 발생한 라디칼이 실리콘 원자와 화학반응하거나, 이와 같이 육불화황(SF6) 가스에서 발생한 이온이 바이어스 전위에 의해 실리콘 기판(K)으로 입사되거나 하는 것에 의해, 실리콘 기판(K)이 식각되며 질소(N2) 가스에서 발생한 이온이 실리콘 원자와 화학 반응함으로써, 예를 들어, 질화실리콘(SiN)으로 이루어지는 질화막이 내식각층으로서 실리콘 기판(K)의 표면에 형성된다. 이에 따라, 실리콘 기판(K)의 식각과 내식각층의 형성이 동시에 진행되고, 내식각층에 의해 보호되면서 실리콘 기판(K)의 식각이 진행된다.
여기서, 플라즈마화한 질소(N2) 가스로 내식각층을 형성했을 경우에는, 플라즈마화한 산소(O2) 가스로 내식각층을 형성했을 경우에 비하여 내식각층의 강도가 낮으므로, 마스크 직하부가 언더컷되는 방향으로 식각되기 쉽다. 그 결과, 보잉 형상이 쉽게 형성되지 않으며, 양호한 형상의 테이퍼진 식각 구조를 얻는 것이 용이해진다.
또한, 플라즈마화한 질소(N2) 가스와 실리콘 원자의 화학 반응에 의해 내식각층이 형성되기 때문에, 실리콘 기판(K)의 표면에 퇴적되는 중합막과 같이 내식각층의 층 두께가 쉽게 불균일해지지 않으며, 이에 의해 식각에 의해 형성되는 식각 구조의 표면은 요철이 적고 매끄러운 것이 된다.
그리고 상기 제1 식각 공정이 종료되면, 실리콘 기판(K)은, 예를 들어, 도 3a에 나타낸 바와 같은 형상이 된다. 한편, 도 3a에 있어서, 참조 부호 'M'은 마스크를 나타내고, 참조 부호 'H'는 식각 구조를 가리킨다.
이 후, 육불화황(SF6) 가스 및 산소(O2) 가스의 혼합 가스를 플라즈마화하여 베이스대(15) 위의 실리콘 기판(K)을 식각하는 제2 식각 공정을 실시하고, 상기 제1 식각 공정에서 형성된 식각 구조에 대하여, 상기 제2 식각 공정에서 깊이 방향으로 식각을 더 진행시킨다.
상기 제2 식각 공정에 있어서, 가스 공급부들(26, 28)로부터 육불화황(SF6) 가스 및 산소(O2) 가스를 처리 챔버(11) 내에 각각 공급하며, 배기 장치(20)에 의해 처리 챔버(11) 내를 소정의 압력으로 만들고 고주파 전원들(32, 35)에 의해 코일들(31) 및 베이스대(15)에 고주파 전력이 각각 공급된다. 한편, 산소(O2) 가스의 바람직한 공급 유량은, 예를 들어, 육불화황(SF6) 가스 공급 유량의 약 0.75배 이상 약 1배 이하이다.
처리 챔버(11) 내에 공급된 육불화황(SF6) 가스 및 산소(O2) 가스는 플라즈마화되며, 플라즈마화된 육불화황(SF6) 가스로 실리콘 기판(K)이 식각되고, 플라즈마화된 산소(O2) 가스에 의해 실리콘 기판(K)에 내식각층이 형성된다.
구체적으로는, 상술한 바와 같이, 육불화황(SF6) 가스에서 발생한 라디칼이 실리콘 원자와 화학 반응하거나, 또는 이와 같이 육불화황(SF6) 가스에서 발생한 이온이 바이어스 전위에 의해 실리콘 기판(K)으로 입사되거나 함으로써 실리콘 기판(K)이 식각되며, 산소(O2) 가스에서 발생한 이온이 실리콘 원자와 화학 반응함으로써, 예를 들어, 산화실리콘(SiO2)으로 이루어지는 산화막이 내식각층으로서 실리콘 기판(K)의 표면에 형성된다. 이와 같이, 상기 제2 식각 공정에 있어서도, 실리콘 기판(K)의 식각과 내식각층의 형성이 동시에 진행되며, 내식각층에 의해 보호되면서 실리콘 기판(K)의 식각이 진행된다.
여기서, 상기 제2 식각 공정에서 있어서, 질소(N2) 가스를 대신하여 산소(O2) 가스를 채용하는 점은 이하와 같은 이유에 의한 것이다. 다시 말하면, 플라즈마화한 질소(N2) 가스로 내식각층을 형성했을 경우, 플라즈마화한 산소(O2) 가스로 내식각층을 형성했을 경우에 비하여 식각 구조의 폭 방향으로는 식각이 진행되기 쉽지만, 식각 구조의 깊이 방향으로는 식각이 진행되기 어렵기 때문에, 식각 구조의 깊이 방향으로의 식각 속도가 늦어지고, 일정 수준 이상의 식각 속도를 얻지 못하는 경우가 있기 때문이다.
따라서 산소(O2) 가스를 사용하면, 보다 효율적으로 깊이 방향으로 식각을 진행시킬 수 있다. 이 때, 상기 제1 식각 공정에서 형성된 식각 구조의 측벽은 질소(N2) 가스의 플라즈마화에 의해 형성된 내식각층에 의해 보호되어 이미 보잉 형상으로 되는 것이 방지된다.
그리고 상기 제2 식각 공정에서의 식각에 의해 새롭게 형성된 측벽이 산소(O2) 가스의 플라즈마화에 의해 형성되는 내식각층에 의해 보호되면서 식각이 진행된다. 또한, 플라즈마화한 산소(O2) 가스와 실리콘 원자와의 화학 반응에 의해 실리콘 기판(K)의 표면에 내식각층이 더 형성되기 때문에, 실리콘 기판(K)의 표면에 퇴적되는 중합막과 같이 내식각층의 층 두께가 쉽게 불균일해지지 않으며, 이에 따라 상기 제2 식각 공정에서 형성되는 식각 구조의 표면에 대해서도 요철이 적고 매끄러운 것이 된다.
그리고 상기 제2 식각 공정이 종료되면, 실리콘 기판(K)은, 예를 들어, 도 3b에 나타낸 바와 같은 형상이 된다. 또한 도 3b에 있어서, 참조 부호 'M'은 마스크를 나타내고, 참조 부호 'H'는 식각 구조를 가리킨다.
상술한 바와 같이, 상기 제1 식각 공정 및 상기 제2 식각 공정을 순차적으로 실시하여, 실리콘 기판(K)에 상부의 개구 폭이 넓고, 바닥부의 폭이 좁은 테이퍼진 형상의 식각 구조가 형성되면, 실리콘 기판(K)을 외부로 반출하는 반출 공정을 실시한다.
이와 같이, 본 실시예예의 플라즈마 식각 방법에 의하면, 상부의 개구 폭이 넓고 바닥부의 폭이 좁은 테이퍼진 형상의 식각 구조를 실리콘 기판(K)에 형성함에 있어, 육불화황(SF6) 가스 및 질소(N2) 가스의 혼합 가스를 플라즈마화하여 실리콘 기판(K)을 식각하는 제1 식각 공정, 그리고 육불화황(SF6) 가스 및 산소(O2) 가스의 혼합 가스를 플라즈마화하여 실리콘 기판(K)을 식각하는 제2 식각 공정을 순차적으로 실시하므로, 보잉 형상이 없고, 또한 표면이 매끄러운 테이퍼진 형상의 식각 구조를 형성할 수 있다.
또한, 상기 제2 식각 공정에 있어서, 식각 구조의 깊이 방향으로 빠른 식각 속도로 식각할 수 있기 때문에, 깊이가 깊은 식각 구조라 하더라도 보다 짧은 시간에 식각을 종료시킬 수 있다.
또한, 상기 제1 식각 공정의 처리 시간을 약 4초 이상 약 10초 이하의 범위로 하고 있으므로, 상기 제1 식각 공정의 처리 시간이 길어지는 것을 방지할 수 있다. 이는 질소(N2) 가스의 플라즈마화에 의해 내식각층이 형성되는 상기 제1 식각 공정에서는, 산소(O2) 가스의 플라즈마화에 의해 내식각층이 형성되는 상기 제2 식각 공정보다도 식각 구조(H)의 깊이 방향으로의 식각이 진행되기 어렵고, 식각 구조(H)의 폭 방향으로의 식각이 진행되기 쉽다는 점에서, 상기 제1 식각 공정의 처리 시간이 길면, 그만큼 식각 구조(H)의 폭 방향으로 식각이 진행되고, 상기 제1 식각 공정에서 형성되는 식각 구조(H)의 측벽과 상기 제2 식각 공정에서 형성되는 식각 구조(H)의 측벽과의 경계에서 단차(S)가 생기기 쉽다고 하는 문제가 발생하기 때문이다(도 4 참조). 따라서 상술한 바와 같이 실시하는 것으로서, 식각 구조(H)의 폭 방향으로의 식각을 일정 범위 내로 억제할 수 있어, 단차(S)가 생기기 어렵게 할 수 있다(생겼다고 하더라도 아주 미비하다).
이와 관련하여, 실험예 1로서 본 실시예의 플라즈마 식각 방법을 적용하여 실리콘 기판(K)을 식각하고, 상기 실리콘 기판(K)에 상부의 개구 폭이 넓고 바닥부의 폭이 좁은 테이퍼진 형상의 홀을 형성하였더니, 도 5의 현미경 사진에 나타낸 바와 같이, 보잉 형상이 형성되지 않고, 또한 표면이 거칠어지지 않고 매끄러운 표면의 테이퍼진 식각 구조가 형성되었다. 구체적으로는, 측벽의 표면 조도가 약 0.15㎛이며, 테이퍼진 각도가 약 84° 정도였다. 그리고 상기 제1 식각 공정의 처리 조건은, 처리 시간을 0.08분, 처리 챔버(11) 내의 압력을 12Pa, 코일들(31)에 공급하는 고주파 전력을 2500W, 베이스대(15)에 공급하는 전력을 85W, 육불화황(SF6) 가스의 공급 유량을 200sccm, 질소(N2) 가스의 공급 유량을 150sccm으로 하고, 상기 제2 식각 공정의 처리 조건은, 처리 시간을 3분, 처리 챔버(11) 내의 압력을 12Pa, 코일들(31)에 공급하는 고주파 전력을 2500W, 베이스대(15)에 공급하는 전력을 85W, 육불화황(SF6) 가스의 공급 유량을 200sccm, 산소(O2) 가스의 공급 유량을 150sccm으로 하였다. 또한, 도 5a는 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타낸 현미경 사진이고, 도 5b는 형성된 식각 구조의 상부를 확대해서 나타낸 현미경 사진이며, 도 5c는 형성된 식각 구조의 바닥부를 확대해서 나타낸 현미경 사진이다.
또한, 비교예 1로서, 처리 시간을 3.5분, 처리 챔버(11) 내의 압력을 12Pa, 코일들(31)에 공급하는 고주파 전력을 2500W, 베이스대(15)에 공급하는 전력을 15W, 육불화황(SF6) 가스의 공급 유량을 240sccm, 산소(O2) 가스의 공급 유량을 120sccm, 8플루오르화부텐(C4F8)가스의 공급 유량을 180sccm으로 한 처리 조건의 제1 식각 공정과 처리 시간을 5.5분, 처리 챔버(11) 내의 압력을 12Pa, 코일들(31)에 공급하는 고주파 전력을 2500W, 베이스대(15)에 공급하는 전력을 85W 내지 140W, 육불화황(SF6) 가스의 공급 유량을 200sccm, 산소(O2) 가스의 공급 유량을 150sccm으로 한 처리 조건의 제2 식각 공정을 순차적으로 실시하였더니, 도 6a 내지 도 6c에 나타낸 바와 같이, 개구부(상부)의 표면이 거친 홀이 형성되었다. 구체적으로는, 측벽 상부의 표면 조도가 0.3㎛ 정도였다. 한편, 도 6a는 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타낸 현미경 사진이고, 도 6b는 형성된 식각 구조의 상부를 확대해서 나타낸 현미경 사진이며, 도 6c는 형성된 식각 구조의 바닥부를 확대해서 나타낸 현미경 사진이다.
또한, 실험예 2로서, 처리 시간을 3분, 처리 챔버(11) 내의 압력을 12Pa, 코일들(31)에 공급하는 고주파 전력을 2500W, 베이스대(15)에 공급하는 전력을 85W, 육불화황(SF6) 가스의 공급 유량을 200sccm, 질소(N2) 가스의 공급 유량을 150sccm으로 한 처리 조건으로 실리콘 기판(K)을 식각하였더니, 도 7의 현미경 사진에 나타낸 바와 같이, 표면이 거칠지 않고, 매끄러운 표면의 홀이 형성되었다.
한편, 비교예 2로서, 처리 시간을 6.5분, 처리 챔버(11) 내의 압력을 12Pa, 코일들(31)에 공급하는 고주파 전력을 3500W, 베이스대(15)에 공급하는 전력을 100W, 육불화황(SF6) 가스의 공급 유량을 180sccm, 산소(O2) 가스의 공급 유량을 80sccm으로 한 처리 조건으로 실리콘 기판(K)을 식각하였더니, 도 8의 현미경 사진에 나타낸 바와 같이, 홀의 측벽에 보잉 형상이 형성되었다.
상기 비교예 1에서 알 수 있듯이, 8플루오르화부텐(C4F8) 가스의 플라즈마화에 의해 형성되는 내식각층으로 측벽을 보호하면, 8플루오르화부텐(C4F8) 가스를 사용하는 제1 식각 공정에서 형성된 식각 구조의 측벽 표면(홀의 상부 측벽 표면)이 거칠어진다. 상기 비교예 2에서 알 수 있듯이, 처음부터 산소(O2) 가스의 플라즈마화에 의해 형성되는 내식각층으로 측벽을 보호하면 보잉 형상이 형성된다.
다른 한편으로는, 상술한 실험예 1 및 2에서 알 수 있듯이, 질소(N2) 가스의 플라즈마화에 의해 형성되는 내식각층으로 측벽을 보호하면, 보잉 형상이 없고 표면이 매끄러운 테이퍼진 식각 구조를 형성할 수 있다(테이퍼진이라는 것은 상부의 개구 폭이 넓고, 바닥부의 폭이 좁은 형상이면, 밥공기 형상 등의 선단으로 갈수록 좁아지는 모든 형태를 포함한다). 또한, 상술한 실험예 2에서 알 수 있듯이, 질소(N2) 가스의 플라즈마화에 의해 형성되는 내식각층으로 측벽을 보호하면, 표면이 매끄러운 식각 구조의 형성이 가능하다는 것을 알 수 있다.
이들 실험예 1 및 2와 비교예 1 및 비교예 2에서도, 질소(N2) 가스의 플라즈마화에 의해 형성되는 내식각층으로 측벽을 보호하면, 보잉 형상이 형성되는 일없이, 또한 표면이 거칠어지지 않고 매끄러운 표면의 테이퍼진 식각 구조가 형성된다는 것이 명확하다. 참조의 편의를 위해, 실험예 1 및 2와 비교예 1 및 2의 조건표를 도 9로서 나타낸다.
3. 질소(N 2 ) 가스 식각에 있어서의 프로세스 조건의 적정화
상술한 바에 있어서는, 질소(N2) 가스의 플라즈마화에 의해 형성되는 내식각층으로 측벽을 보호하는 것에 의해, 보잉 형상 없이 표면이 매끄러운 테이퍼진 식각 구조를 형성할 수 있는 방법을 설명했지만, 본 발명자들은 예의 검토를 더 실시한 결과, 질소(N2) 가스의 유량이나 반응 챔버의 압력에 의해서도 형성되는 테이퍼진 식각 구조의 상태(형상이나 그 표면 조도를 포함한다)가 크게 변화하는 것을 실험을 통해 발견하였다. 이는 질소(N2) 가스를 채용한 식각 시, 이러한 프로세스 조건들을 적정화하는 것으로서, 테이퍼진 상태를 제어하는 것이 가능해진다는 것을 의미한다. 이하, 이와 같은 실험 결과에 대해서 설명한다.
3-1. 실험예 3
우선, 실험예 3으로서, 본 발명자들은 질소(N2) 가스 식각 시에 있어서 공급되는 질소(N2) 가스의 양을 변화시키는 것에 의해, 테이퍼진 상태가 어떻게 변화되는지 실험했다.
도 10a 및 도 10b 내지 도 14a 및 도 14b는 다른 프로세스 조건을 동일하게 하여, 질소(N2) 가스의 유량을 점차로 증가시켰을 때, 식각 구조의 상태가 어떻게 변화되는지를 나타내는 현미경 사진이다. 도 10b, 도 11b, 도 12b, 도 13b 및 도 14b는 도 10a, 도 11a, 도 12a, 도 13a 및 도 14a의 측벽 부분들을 확대한 현미경 사진들이며, 표면 거칠기 상태가 비교적 이해하기 쉬운 것으로 되어 있다. 각 도면들에서 공통되는 프로세스 조건은, 식각 처리 시간은 7분, 처리 챔버(11) 내의 압력은 12Pa, 베이스대의 온도는 10℃, 코일들(31)에 공급하는 고주파 전력은 2500W, 베이스대(15)에 공급하는 전력은 50W, 육불화황(SF6) 가스의 공급 유량은 300sccm이다. 그리고 본 발명자들은 질소(N2) 가스의 공급 유량을 50sccm 내지 400sccm의 범위 내에서 변화시켰다.
도 10a는 질소(N2) 가스의 공급 유량을 50sccm으로 했을 때에 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타낸 현미경 사진이며, 도 10b는 형성된 식각 구조의 측벽을 확대해서 나타낸 현미경 사진이다. 도 10b의 상태에서 식각 구조 측부의 표면은 거칠다는 것을 읽을 수 있다. 도 10a 및 도 10b에 있어서의 표면 조도의 계측 결과는 154㎚이며, 식각 속도는 16.2㎛/분이었다.
도 11a는 질소(N2) 가스의 공급 유량을 100sccm으로 했을 때에 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타낸 현미경 사진이며, 도 11b는 형성된 식각 구조의 측벽을 확대해서 나타낸 현미경 사진이다. 도 11a 및 도 11b에 있어서의 표면 조도의 계측 결과는 75㎚이며, 식각 속도는 14.6㎛/분이었다.
도 12a는 질소(N2) 가스의 공급 유량을 200sccm으로 했을 때에 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타낸 현미경 사진이며, 도 12b는 형성된 식각 구조의 측벽을 확대해서 나타낸 현미경 사진이다. 도 12a 및 도 12b에 있어서의 표면 조도의 계측 결과는 71㎚이며, 식각 속도는 12.3㎛/분이었다.
도 13a는 질소(N2) 가스의 공급 유량을 300sccm으로 했을 때에 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타낸 현미경 사진이며, 도 13b는 형성된 식각 구조의 측벽을 확대해서 나타낸 현미경 사진이다. 도 13a 및 도 13b에 있어서의 표면 조도의 계측 결과는 54㎚이며, 식각 속도는 12.1㎛/분이었다.
도 14a는 질소(N2) 가스의 공급 유량을 400sccm으로 했을 때에 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타낸 현미경 사진이며, 도 14b는 형성된 식각 구조의 측벽을 확대해서 나타낸 현미경 사진이다. 도 14a 및 도 14b에 있어서의 표면 조도의 계측 결과는 60㎚이며, 식각 속도는 12.7㎛/분이었다.
도 10a 및 도 10b 내지 도 14a 및 도 14b의 실험 결과들을 표로 정리한 것이 도 15이다. 도 15를 보면, 질소(N2) 가스의 공급 유량이 늘어남에 따라, 표면 조도가 대개 감소하는 것을 알 수 있다. 이는 보다 많은 질소(N2) 가스의 플라즈마화에 의해 내식각층이 형성되는 것에 의해, 식각 구조의 측벽 보호가 행하여지기 때문이라고 생각된다. 질소(N2) 가스의 공급 유량을 100sccm 내지 400sccm의 범위 내에서 조정하면, 질소(N2) 가스의 유량을 50sccm으로 했을 경우에 비하여 절반 이하가 양호한 표면 조도 값을 얻을 수 있어서 바람직하다. 또한, 질소(N2) 가스의 공급 유량이 늘어남에 따라, 식각 속도가 감소하는 경향이 있는 점은 육불화황(SF6) 가스가 질소(N2) 가스에 희석되고 있기 때문이라고 생각된다.
3-2. 실험예 4
다음은, 실험예 4로서, 본 발명자들은 질소(N2) 가스 식각 시에 있어서 챔버 내의 압력을 변화시키는 것에 의해 테이퍼진 상태가 어떻게 변화되는지를 실험했다.
도 16a 내지 도 16c, 도 17a 내지 도 17c 및 도 18a 내지 도 18c는 다른 프로세스 조건을 동일하게 하여, 질소(N2) 가스 식각 시의 챔버 내 압력을 점차로 늘렸을 때에, 식각 구조의 상태가 어떻게 변화되는지를 나타내는 현미경 사진이다. 도 16a, 도 17a 및 도 18a는 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타낸 현미경 사진들이고, 도 16b, 도 17b 및 도 18b는 형성된 식각 구조의 상부를 확대한 현미경 사진들이며, 도 16c, 도 17c 및 도 18c는 형성된 식각 구조의 바닥부를 확대해서 나타낸 현미경 사진들이다.
도 16a 내지 도 16c, 도 17a 내지 도 17c 및 도 18a 내지 도 18c에서 공통되는 프로세스 조건은, 식각 처리 시간은 4분, 베이스대의 온도는 10도, 코일들(31)에 공급하는 고주파 전력은 2500W, 베이스대(15)에 공급하는 전력은 10W, 육불화황(SF6) 가스의 공급 유량은 200sccm, 질소(N2) 가스의 공급 유량은 300sccm으로 했다. 그리고 본 발명자들은 처리 챔버(11) 내의 압력을 12 내지 25Pa 사이에서 변화시켰다.
도 16a는 처리 챔버(11) 내의 압력을 12Pa로 했을 때에 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타낸 현미경 사진이고, 도 16b는 형성된 식각 구조의 측벽을 확대해서 나타낸 현미경 사진이며, 도 16c는 도 16b의 측벽을 더 확대해서 나타낸 현미경 사진이다. 도 16a, 도 16b 및 도 16c에 있어서의 표면 조도의 계측 결과는 44㎚이며, 식각 속도는 10.1㎛/분이었다.
도 17a는 처리 챔버(11) 내의 압력을 16Pa로 했을 때에 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타낸 현미경 사진이고, 도 17b는 형성된 식각 구조의 측벽을 확대해서 나타낸 현미경 사진이며, 도 17c는 도 17b의 측벽을 더 확대해서 나타낸 현미경 사진이다. 도 17a, 도 17b 및 도 17c에 있어서의 표면 조도의 계측 결과는 67㎚이며, 식각 속도는 10.4㎛/분이었다.
도 18a는 처리 챔버(11) 내의 압력을 25Pa로 했을 때에 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타낸 현미경 사진이고, 도 18b는 형성된 식각 구조의 측벽을 확대해서 나타낸 현미경 사진이며, 도 18c는 도 18b의 측벽을 더 확대해서 나타낸 현미경 사진이다. 도 18a, 도 18b 및 도 18c에 있어서의 표면 조도의 계측 결과는 83㎚이며, 식각 속도는 10.9㎛/분이었다.
도 16 내지 도 18의 실험 결과들을 표로 정리한 것이 도 19이다. 도 19를 참조하면, 처리 챔버(11) 내의 압력을 12Pa 내지 25Pa로 했을 때에는, 압력이 높아짐에 따라서 표면 조도의 값은 커지지만, 어느 압력에 있어서도 100㎚ 미만의 비교적 양호한 표면 조도를 얻을 수 있다는 것을 발견하였다.
또한, 각 도의 현미경 사진들에서 미묘한 테이퍼진 형상을 직접 읽어내는 것은 어렵지만, 도 16 내지 도 18에 챔버 내 압력이 높아짐에 따라 테이퍼진 형상이 보다 직선적으로 되어 있으므로, 이에 대하여 설명한다. 그 전제로서, 도 20을 이용하여 테이퍼진 각도의 결정 방법을 설명한다.
도 20은 식각 구조(테이퍼진 식각 구조)의 단면을 나타내는 모식도이다. 도 20에 나타낸 바와 같이, 식각 구조의 측벽부(테이퍼진 부분)는 일반적으로 원호를 그리지만, 그 테이퍼진 부분으로 접선(L)을 그려서, 식각 구조의 단부(상단부와 하단부, 즉, 바닥부와의 2군데)가 이러한 접선(L)에서 어느 정도 이격되어 있는지를 각각 ΔX로 정의한다. 또한, 식각 구조물 상단의 ΔX1과 하단(바닥부)의 ΔX2가 같아지도록 접선(L)의 각도를 조정하여, 그 접선(L)이 수평선으로 이루는 각도를 'θ'라고 칭하고, 이를 테이퍼진 각도로 정의한다.
이와 같이 정의한 테이퍼진 각도를 도 16 내지 도 18에 대해서 검증하면, 도 16의 경우에 57.4도(ΔX=11㎛), 도 17의 경우에 56.8도(ΔX=8㎛), 도 18의 경우에 54.1도(ΔX=7㎛)를 이루고 있다. 다시 말하면, 도 16에서 도 18로 챔버 내의 압력이 높아짐에 따라 접선(L)과 식각 구조물의 상단 및 하단(바닥부)과의 거리가 작아지고 있다는 것을 읽어낼 수 있다.
도 16에서 도 18로 챔버 내의 압력을 올리는 것에 의해 테이퍼진 각도(θ)의 각도가 작아지는 것은 챔버 내의 압력을 높이는 것에 의해 전방위적으로 식각이 진행되므로, 상대적으로 식각 구조의 깊이 방향보다 폭 방향으로의 식각 속도가 높아지기 때문이라고 생각된다.
그리고 본 명세서에 있어서, 테이퍼진은 상부의 개구 폭이 넓고, 바닥부의 폭이 좁은 형상이라면, 밥공기 형상 등, 선단이 좁아지는 모든 형태를 포함하며, 실시 형태나 용도에 따라 적절한 테이퍼진 각도는 각양각색이다. 반도체 제조 프로세스 등에 있어서는, 전형적으로는 테이퍼진 각도가 약 50도 내지 약 60도 정도를 가지며, 될 수 있는 한 직선 형상에 가까운 테이퍼진 각도가 선호되고 있다. 이와 같이, 직선 형상의 테이퍼진 각도가 선호되는 경우에는, 도 16 내지 도 18 중에서 비교하면, ΔX의 값이 작고, 보다 직선적인 테이퍼진 형상을 갖는 도 18의 형상을 선호하게 된다.
3-3. 실험예 5
이어서, 실험예 5로서, 본 발명자들은 질소(N2) 가스 식각 시에 있어서, 베이스대(15)에 공급하는 전력(플래턴 파워)을 점차로 증가시켰을 때, 테이퍼진 상태가 어떻게 변화될지를 실험했다.
도 21 내지 도 23은 다른 프로세스 조건을 동일하게 하고, 베이스대(15)로 공급하는 전력(플래턴 파워)을 점차로 증가시켰을 때, 식각 구조의 모양이 어떻게 변화되는지를 나타내는 현미경 사진이다. 도 21a, 도 22a 및 도 23a는 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타낸 현미경 사진이며, 도 21b, 도 22b 및 도 23b는 형성된 식각 구조의 상부를 확대한 현미경 사진이다.
각 도면에서 공통되는 프로세스 조건은, 식각 처리 시간은 7분, 처리 챔버(11) 내의 압력은 12Pa, 베이스대의 온도는 10℃, 코일들(31)에 공급하는 고주파 전력은 2500W, 육불화황(SF6) 가스의 공급 유량은 200sccm, 질소(N2) 가스의 공급 유량은 300sccm으로 하였다. 그리고 본 발명자들은 베이스대(15)에 공급하는 전력을 30 내지 70W까지 변화시켰다.
도 21a는 베이스대(15)에 공급하는 전력을 30W로 했을 때에 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이며, 도 21b는 형성된 식각 구조의 상부측벽을 확대해서 나타내는 현미경 사진이다. 도 21a 및 도 21b에 있어서의 표면 조도의 계측 결과는 76㎚이며, 식각 속도는 18.0㎛/분이었다.
도 22a는 베이스대(15)에 공급하는 전력을 50W로 했을 때에 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이며, 도 22b는 형성된 식각 구조의 상부 측벽을 확대해서 나타내는 현미경 사진이다. 도 22a 및 도 22b에 있어서의 표면 조도의 계측 결과는 54㎚이며, 식각 속도 12.1㎛/분이었다.
도 23a는 베이스대(15)에 공급하는 전력을 70W로 했을 때에 형성된 식각 구조의 단면 전체를 나타내는 현미경 사진이며, 도 23b는 형성된 식각 구조의 상부측벽을 확대해서 나타내는 현미경 사진이다. 도 23a 및 도 23b에 있어서의 표면 조도의 계측 결과는 54㎚이며, 식각 속도는 12.0㎛/분이었다.
도 21로부터 도 23의 실험 결과를 표로 정리한 것이 도 24이다. 상술한 실험예 4의 실험에서는, 베이스대(15)에 공급하는 전력(플래턴 파워)을 10W로 하였지만, 도 21 내지 도 23에 나타낸 바와 같이, 본 실험예와 같이, 30W 내지 70W의 범위 내에 있어서도, 표면 조도, 형상 등이 모두 양호한 테이퍼진 식각 구조를 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다.
이상과 같이, 본 발명자들은 질소(N2) 가스의 유량이나 반응 챔버의 압력에 의해서도, 형성되는 테이퍼진 식각 구조의 상태(형상이나 그 표면 조도를 포함한다)는 크게 변화된다는 것을 실험을 통해 발견하였다. 이는 질소(N2) 가스를 채용한 식각 시, 이의 프로세스 조건들을 적정화하는 것으로서 테이퍼진 상태를 제어하는 것이 가능하게 되었다는 것을 의미한다.
이상, 본 발명의 실시 형태들에 대해서 설명했지만, 본 발명이 채용할 수 있는 구체적인 양태는 어떠한 것도 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 예들에서는, 상기 제1 식각 공정 및 상기 제2 식각 공정을 순차적으로 실시하도록 하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 형성해야 할 식각 구조의 깊이가 얕을 때에는 상기 제1 식각 공정만을 실시하고, 상기 제2 식각 공정을 생략해도 좋다.
또한, 상기 예들에서는, 질소(N2) 가스의 유량이나 반응 챔버의 압력 등을 질소(N2) 가스 식각 시에 적정화하는 것이 적정한 프로세스 조건을 가리켰지만, 적정화하는 프로세스 조건은 이들에 한정되는 것은 아니며, 플래턴 파워나 다른 프로세스 조건 또는 복수의 프로세스 조건들이 임의로 조합된 것이어도 좋다.
또한, 상기 식각 장치(1)를 사용하여 본 발명에 따른 플라즈마 식각 방법을 실시했지만, 이러한 플라즈마 식각 방법의 실시예는 다른 구조를 구비한 식각 장치를 사용하도록 해도 좋다.
1：식각 장치 11：처리 챔버
15：베이스대 20：배기 장치
25：가스 공급 장치 26, 27, 28：가스 공급부
30：플라즈마 생성 장치 31：코일
32：코일용 고주파 전원 35：전원
K：실리콘 기판 M：마스크
H：식각 구조

Claims (9)

  1. 처리 가스를 플라즈마화하여 실리콘 기판을 식각하고, 상기 실리콘 기판에 상부의 개구 폭이 넓고, 바닥부의 폭이 좁은 테이퍼진 형상의 식각 구조를 형성하는 플라즈마 식각 방법에 있어서,
    상기 처리 가스로서 불소계 가스 및 질소 가스를 사용하고, 상기 가스를 플라즈마화하는 동시에 플라즈마화한 질소 가스로 상기 실리콘 기판에 내식각층을 형성하면서, 플라즈마화한 불소계 가스로 상기 실리콘 기판을 식각하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 식각 때에 있어서의 상기 질소 가스의 공급 유량을 조정하는 것에 의해 형성되는 식각 구조의 테이퍼진 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 테이퍼진 상태는 상기 테이퍼진 영역의 표면 조도인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 질소 가스의 공급 유량은 100sccm 내지 400sccm의 범위 내인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각 시에 있어서의 챔버 내의 압력을 조정하는 것에 의해 형성되는 식각 구조의 테이퍼진 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 테이퍼진 상태는 상기 테이퍼진 영역의 표면 조도인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 챔버 내의 압력은 12Pa 내지 25Pa인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 불소계 가스 및 상기 질소 가스를 플라즈마화하여 상기 실리콘 기판을 식각하는 공정인 제1 공정을 수행한 후,
    상기 처리 가스로서 불소계 가스 및 산소계 가스를 사용하여, 상기 가스를 플라즈마화하는 동시에 플라즈마화한 산소계 가스로 상기 실리콘 기판에 내식각층을 형성하면서, 플라즈마화한 불소계 가스로 상기 실리콘 기판을 식각하는 제2 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 공정의 처리 시간은 4초 이상 10초 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법.
KR1020127024367A 2010-05-26 2011-05-25 플라즈마 식각 방법 KR101303842B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010120288 2010-05-26
JPJP-P-2010-120288 2010-05-26
PCT/JP2011/062012 WO2011148985A1 (ja) 2010-05-26 2011-05-25 プラズマエッチング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130007579A true KR20130007579A (ko) 2013-01-18
KR101303842B1 KR101303842B1 (ko) 2013-09-04

Family

ID=45003974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127024367A KR101303842B1 (ko) 2010-05-26 2011-05-25 플라즈마 식각 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8628676B2 (ko)
EP (1) EP2579299B1 (ko)
JP (1) JP5198685B2 (ko)
KR (1) KR101303842B1 (ko)
CN (1) CN102906864B (ko)
TW (1) TWI523100B (ko)
WO (1) WO2011148985A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105047514B (zh) * 2015-07-27 2017-06-13 郑州大学 在玻璃表面等离子体刻蚀形成纹理结构的方法
CN110491831B (zh) * 2019-07-26 2022-06-14 福建省福联集成电路有限公司 一种制作通孔的方法及制得的器件

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6050923A (ja) * 1983-08-31 1985-03-22 Hitachi Ltd プラズマ表面処理方法
FR2616030A1 (fr) * 1987-06-01 1988-12-02 Commissariat Energie Atomique Procede de gravure ou de depot par plasma et dispositif pour la mise en oeuvre du procede
JPH0289310A (ja) 1988-09-27 1990-03-29 Fujitsu Ltd シリコン層のエッチング方法
US5015330A (en) * 1989-02-28 1991-05-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Film forming method and film forming device
JP2995762B2 (ja) 1989-10-26 1999-12-27 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP3024317B2 (ja) * 1991-10-25 2000-03-21 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP2884970B2 (ja) * 1992-11-18 1999-04-19 株式会社デンソー 半導体のドライエッチング方法
JP3342412B2 (ja) * 1997-08-08 2002-11-11 三洋電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6303513B1 (en) * 1999-06-07 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Method for controlling a profile of a structure formed on a substrate
US6372151B1 (en) * 1999-07-27 2002-04-16 Applied Materials, Inc. Storage poly process without carbon contamination
US6440870B1 (en) * 2000-07-12 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Method of etching tungsten or tungsten nitride electrode gates in semiconductor structures
US6589879B2 (en) * 2001-01-18 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Nitride open etch process based on trifluoromethane and sulfur hexafluoride
US6551941B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Method of forming a notched silicon-containing gate structure
JP4374823B2 (ja) * 2002-03-22 2009-12-02 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶の製造方法およびダイヤモンド単結晶基板の製造方法
US6924235B2 (en) * 2002-08-16 2005-08-02 Unaxis Usa Inc. Sidewall smoothing in high aspect ratio/deep etching using a discrete gas switching method
JP2006173293A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP5041696B2 (ja) * 2005-11-15 2012-10-03 パナソニック株式会社 ドライエッチング方法
JP4754380B2 (ja) * 2006-03-27 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、制御プログラム、記憶媒体及びプラズマ処理装置
JP5050743B2 (ja) 2006-11-01 2012-10-17 セイコーエプソン株式会社 ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出装置の製造方法、ノズル基板、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置
JP2009259863A (ja) * 2008-04-11 2009-11-05 Tokyo Electron Ltd ドライエッチング処理装置及びドライエッチング方法
JP2010021442A (ja) 2008-07-11 2010-01-28 Ulvac Japan Ltd プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US20110207323A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Robert Ditizio Method of forming and patterning conformal insulation layer in vias and etched structures

Also Published As

Publication number Publication date
TW201203355A (en) 2012-01-16
JP5198685B2 (ja) 2013-05-15
EP2579299A4 (en) 2014-02-26
TWI523100B (zh) 2016-02-21
WO2011148985A1 (ja) 2011-12-01
KR101303842B1 (ko) 2013-09-04
US8628676B2 (en) 2014-01-14
US20130034961A1 (en) 2013-02-07
EP2579299A1 (en) 2013-04-10
EP2579299B1 (en) 2015-07-22
CN102906864B (zh) 2015-05-20
JPWO2011148985A1 (ja) 2013-07-25
CN102906864A (zh) 2013-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101836152B1 (ko) 식각 방법
US20110097903A1 (en) Method, apparatus and program for manufacturing silicon structure
US20210175082A1 (en) Method, Substrate and Apparatus
JP4065213B2 (ja) シリコン基板のエッチング方法及びエッチング装置
JP2018006773A (ja) プラズマエッチング方法
KR20090129332A (ko) 플라즈마 에칭 처리 방법 및 플라즈마 에칭 처리 장치
KR101303842B1 (ko) 플라즈마 식각 방법
KR20020060957A (ko) 탄소-함유 실리콘 옥사이드 막을 에칭하는 방법
CN111213224B (zh) 蚀刻方法及半导体的制造方法
JP5172417B2 (ja) シリコン構造体の製造方法及びその製造装置並びにその製造プログラム
JP5326404B2 (ja) モールドの製造方法
JP4769737B2 (ja) エッチング方法及びエッチング装置
JP2003158072A (ja) フォトレジストのパターン間の寸法を小さくする方法
TWI532095B (zh) Wafer etching method
US20220344167A1 (en) Etching method
US12020942B2 (en) Etching method
JP5093854B2 (ja) エッチング方法
TW202335078A (zh) 電漿蝕刻碳化矽
TW201332018A (zh) 有機物層刻蝕方法
TW202101584A (zh) 電漿處理方法
JP6082639B2 (ja) プラズマエッチング方法
CN105720003A (zh) 深硅孔刻蚀方法
TW201331985A (zh) 有機物層刻蝕方法
JPH03286532A (ja) プラズマｃｖｄ装置におけるパッシベーション膜の生成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160727

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170804

Year of fee payment: 5